JPH01161699A - High-speed atomic beam source - Google Patents

High-speed atomic beam source

Info

Publication number
JPH01161699A
JPH01161699A JP31873087A JP31873087A JPH01161699A JP H01161699 A JPH01161699 A JP H01161699A JP 31873087 A JP31873087 A JP 31873087A JP 31873087 A JP31873087 A JP 31873087A JP H01161699 A JPH01161699 A JP H01161699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ions
speed
cathode
atoms
residual
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31873087A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutoshi Nagai
一敏 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP31873087A priority Critical patent/JPH01161699A/en
Publication of JPH01161699A publication Critical patent/JPH01161699A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent residual ions mixed with a beam from being emitted out of a high-speed atomic beam emitting hole to the outside by impressing a stopping electric field on ions in the space between a cathode and a residual ion stopping electrode. CONSTITUTION:A residual ion stopping electrode 17 in opposition to a plate cathode 11 having a small hole 16 and a magnet impressing a magnetic field 21 about in parallel with a central axis of a cylinder 13 are provided. In a beam 19, redidual ions failed to become high-speed atoms are mixed in addition to high-speed atoms. In the space between the cathode 11 and the residual ion stopping electrode 17, a stopping electric field is impressed on the ions so that the residual ions mixed with the beam 19 gradually loose their energy, and when they reach the residual ion stopping electrode 17, their speed becomes almost zero. Thereby, they can not be emitted from a high-speed atom emitting hole 18 so that only the high-speed atoms 20 in the beam 19 come to be emitted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、効率の良いコンパクトな高速原子線源に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an efficient and compact fast atomic beam source.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

常温大気中で熱運動している原子は概ね0.05V前後
の運動エネルギーを有している。これに比べて温かに大
きな運動エネルギーで飛翔する原子を「高速原子」と呼
び、それが一方向にビーム状に流れる場合に「高速原子
線」という。
Atoms in thermal motion in the atmosphere at room temperature have a kinetic energy of approximately 0.05V. In comparison, atoms that fly warmly and with a large amount of kinetic energy are called "fast atoms," and when they flow in a beam in one direction, they are called "fast atomic beams."

第3図は従来発表された高速原子線源の一例を示す説明
図であり、気体原子の高速原子線を発生する高速原子線
源のうち、運動エネルギーが0.5〜10keVのアル
ゴン原子を放射する高速原子線源の一例を示すものであ
る。第3図において、1は円筒形の陰極、2はドーナッ
ツ状の陽極、3は0.5〜10kVの直流高圧電源、4
はガス導入孔、5は模式的に示されたアルゴンガス、6
はプラズマ、7は高速原子線の放出孔、8は模式的に示
された高速原子線である。
Figure 3 is an explanatory diagram showing an example of a conventionally announced fast atomic beam source.Among the fast atomic beam sources that generate fast atomic beams of gaseous atoms, argon atoms with a kinetic energy of 0.5 to 10 keV are emitted. This figure shows an example of a fast atomic beam source. In Fig. 3, 1 is a cylindrical cathode, 2 is a donut-shaped anode, 3 is a 0.5-10 kV DC high-voltage power supply, and 4 is a cylindrical cathode.
is a gas introduction hole, 5 is an argon gas schematically shown, and 6 is a gas introduction hole.
7 is a plasma, 7 is a high-speed atomic beam emission hole, and 8 is a schematically shown high-speed atomic beam.

次に上記構成の高速原子線源の動作について説明する。Next, the operation of the fast atomic beam source having the above configuration will be explained.

直流高圧電源3以外の構成要素を真空容器(図示せず)
に入れ十分に排気した後、ガス導入孔4からアルゴンガ
ス5を円筒形陰極1の内部に注入する。円筒形陰極1は
接地されている。ここで、直流高圧電源3によって、陽
極2が正電位、陰極1が負電位となるように、直流高電
圧を印加する、これで陰極1・陽極2間にグロー放電が
起き、プラズマ6が発生し、アルゴンイオンと電子が生
成される。さらに、この放電において、円筒形陰極1の
底面から放出する電子は陽極2に向かって加速され、陽
極2の中央の孔を通過して円筒形陰極1の反対側の底面
に達し、ここで速度を失って反転し、あらためて陽極2
に向かって加速され始める。このように電子は陽極2の
中央の孔を介して円筒形陰極1の両方の底面の間を高周
波振動し、その間にアルゴンガスに衝突して多数のアル
ゴンイオンを生成する。こうして発生したアルゴンイオ
ンは円筒形陰極1の底面に向かって加速され、十分な運
動エネルギーを得るに至る。この運動エネルギーは、陽
極2・陰極1間の放電維持電圧が例えば1kVのときは
1keV程度の値となる。円筒形陰極1の底面近傍の空
間は高周波振動をする電子の折返し点であって、血エネ
ルギーの電子が多数存在する空間である。この空間に入
射したアルゴンイオンは電子と再結合してアルゴン原子
に戻る。また、アルゴンイオンの中には、円筒形陰極1
の底面近傍の空間に残留するアルゴン原子と接触して電
荷交換してアルゴン原子に戻るものもある。イオンと電
子の衝突において、電子の質量がアルゴンイオンに比べ
て無視できる程小さいために、アルゴンイオンの運動エ
ネルギーは殆ど損失せずにそのまま原子に受は継がれて
高速原子となる。また、アルゴンイオンとアルゴン原子
との電荷交換においても、大きなエネルギー損失は起き
ずに、アルゴンイオンの運動エネルギーはそのまま原子
に受は継がれて高速原子となる。
Components other than DC high voltage power supply 3 are placed in a vacuum container (not shown)
After the cylindrical cathode 1 is fully evacuated, argon gas 5 is injected into the cylindrical cathode 1 through the gas introduction hole 4. The cylindrical cathode 1 is grounded. Here, a DC high voltage is applied by the DC high voltage power supply 3 so that the anode 2 has a positive potential and the cathode 1 has a negative potential.This causes a glow discharge between the cathode 1 and the anode 2, and plasma 6 is generated. Then, argon ions and electrons are generated. Furthermore, in this discharge, the electrons emitted from the bottom surface of the cylindrical cathode 1 are accelerated toward the anode 2, pass through the central hole of the anode 2, reach the opposite bottom surface of the cylindrical cathode 1, and the electrons are accelerated here. loses and reverses, and again anode 2
begins to accelerate toward In this way, the electrons oscillate at high frequency between the two bottom surfaces of the cylindrical cathode 1 through the central hole of the anode 2, during which they collide with the argon gas and produce a large number of argon ions. The argon ions thus generated are accelerated toward the bottom of the cylindrical cathode 1 and acquire sufficient kinetic energy. This kinetic energy has a value of about 1 keV when the discharge sustaining voltage between the anode 2 and cathode 1 is, for example, 1 kV. The space near the bottom of the cylindrical cathode 1 is a turning point for high-frequency oscillating electrons, and is a space where a large number of blood energy electrons exist. Argon ions that enter this space recombine with electrons and return to argon atoms. Also, in the argon ion, the cylindrical cathode 1
Some of them come into contact with argon atoms remaining in the space near the bottom of the surface, exchange charges, and return to argon atoms. In a collision between an ion and an electron, the mass of the electron is negligibly small compared to the argon ion, so the kinetic energy of the argon ion is transferred to the atom with almost no loss, resulting in a high-speed atom. Also, in charge exchange between argon ions and argon atoms, no large energy loss occurs, and the kinetic energy of the argon ions is transferred to the atoms as they are, resulting in high-speed atoms.

したがって、この場合の高速原子の運動エネルギーは1
keV程度である。この高速原子は円筒形陰極1の一方
の底面に穿たれた放出孔7から高速原子線8となって放
出する。
Therefore, the kinetic energy of the fast atom in this case is 1
It is about keV. These high-speed atoms are emitted as a high-speed atomic beam 8 from an emission hole 7 formed in one bottom surface of the cylindrical cathode 1.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

放出孔7から放出する高速原子線8の中には、高速原子
になり損なったイオンが混入している。
The high-speed atomic beam 8 emitted from the emission hole 7 contains ions that have failed to become high-speed atoms.

このようなイオンを残留イオンと呼ぶ、残留イオンを除
去して純粋な高速原子線8を得るために、従来の高速原
子線源では、放出孔7の後方にディフレクタを設置し、
これに高電圧を印加して残留イオンを除去しており、そ
のために装置が大型になり、かつ、ディフレクタ用の高
電圧電源が余分に必要になる。
Such ions are called residual ions. In order to remove residual ions and obtain a pure fast atomic beam 8, in a conventional fast atomic beam source, a deflector is installed behind the emission hole 7.
A high voltage is applied to this to remove residual ions, which increases the size of the device and requires an extra high-voltage power source for the deflector.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、低エネルギーから高エネルギー
に渡る任意のエネルギーを有する高速原子線を効率よく
放射するコンパクトな高速原子線源を提供するものであ
る。
The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to provide a compact fast atomic beam source that efficiently emits fast atomic beams having any energy ranging from low energy to high energy. This is what we provide.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このような目的を達成するために本発明による高速原子
線源は、筒の上底に設置された平板陽極と、負の高電圧
に保たれ中央に高速原子線放出用の小孔を有し筒の下底
に平板陽極と対向して設置された平板陰極と、平板陽極
と同電位又は平板陽極より高電位に保たれ中央に高速原
子線放出用の小孔を有し平板陰極に対向して設置された
残留イオン阻止電極と、筒の中心軸にほぼ平行に磁界を
印加する界磁手段とを設けるようにしたものである。
In order to achieve this purpose, the fast atomic beam source according to the present invention has a flat plate anode installed at the top bottom of the cylinder and a small hole in the center for emitting fast atomic beams, which is maintained at a negative high voltage. A flat plate cathode is installed at the bottom of the cylinder facing the flat plate anode, and is kept at the same potential as the flat plate anode or at a higher potential than the flat plate anode, and has a small hole in the center for emitting high-speed atomic beams and facing the flat plate cathode. The cylinder is provided with a residual ion blocking electrode installed at the center of the cylinder, and a field means for applying a magnetic field approximately parallel to the central axis of the cylinder.

〔作用〕[Effect]

本発明による高速原子vA源においては、陰極と残留イ
オン阻止電極との間の空間でイオンに対して阻止電界が
かかっており、ビームに混入している残留イオンは高速
原子線放出孔から外に放出されない。
In the fast atom vA source according to the present invention, a blocking electric field is applied to ions in the space between the cathode and the residual ion blocking electrode, and the residual ions mixed in the beam are released from the fast atom beam emission hole. Not released.

〔実施例〕〔Example〕

まず、本発明の特徴および従来技術との差異について述
べる。従来の高速原子線源においては対向する2枚の陰
極の間にリング状の陽極を挿入しているのに対し、本発
明による高速原子線源においては1枚の陰極と1枚の陽
極を対向させているだけである。従って、本発明による
高速原子線源は構成が単純となる。また、従来の高速原
子線源においては残留イオンの除去にディフレクタが必
要であるが、本発明による高速原子線源においては放出
孔を有する陰極と残留イオン阻止電極との間にイオンに
対する阻止電界が存在するために、ディフレクタがなく
ても残留イオンが除去され、ディフレクタのない分だけ
装置が小形になる。さらにディフレクタ駆動用電源が不
要であるから、経済性も改善される。
First, the features of the present invention and the differences from the prior art will be described. In the conventional fast atomic beam source, a ring-shaped anode is inserted between two opposing cathodes, whereas in the fast atomic beam source according to the present invention, one cathode and one anode are placed opposite each other. I'm just letting it happen. Therefore, the fast atomic beam source according to the present invention has a simple configuration. Furthermore, in the conventional fast atomic beam source, a deflector is required to remove residual ions, but in the fast atomic beam source according to the present invention, a blocking electric field for ions is created between the cathode having an emission hole and the residual ion blocking electrode. Due to the presence of the deflector, residual ions can be removed even without the deflector, and the device can be made smaller due to the absence of the deflector. Furthermore, since a power source for driving the deflector is not required, economical efficiency is also improved.

第1図は本発明に係わる高速原子線源の一実施例を示す
説明図である。第1図において、11は下底に設置され
た円盤平板の陰極、12は上底に設置された円盤平板の
陽極、13はセラミックス製又はガラス製の円筒、14
はガス導入孔、15は負の直流高圧電源、16はビーム
放出用の小孔、17は残留イオン阻止電極、18は高速
原子線放出孔、19は模式的に示された高速原子、20
は模式的に示された高速原子線、21は模式的に示され
た磁界である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a fast atomic beam source according to the present invention. In FIG. 1, 11 is a cathode of a disk flat plate installed at the bottom, 12 is an anode of a disk flat plate installed at the top, 13 is a ceramic or glass cylinder, and 14
15 is a gas introduction hole, 15 is a negative DC high voltage power supply, 16 is a small hole for beam emission, 17 is a residual ion blocking electrode, 18 is a fast atom beam emission hole, 19 is a fast atom schematically shown, 20
is a schematically shown high-speed atomic beam, and 21 is a schematically shown magnetic field.

次に、このように構成された装置の動作について説明す
る。直流高圧電源15以外の構成要素を真空容器に納め
て充分に排気する。陰極11には直流高圧電源15によ
って負の直流高電圧が印加されている。ガス導入孔14
から例入ば酸素ガスをガラス製円筒13の中に注入する
。酸素ガスは、ガラス製円筒13の内部が外部より充分
に圧力が高くなるように注入する0例えば、ガラス製円
筒13の内部の圧力を10−’To r r、ガラス製
円筒13の外部の圧力を10−”To r rとする。
Next, the operation of the device configured in this way will be explained. Components other than the DC high voltage power supply 15 are placed in a vacuum container and sufficiently evacuated. A negative DC high voltage is applied to the cathode 11 by a DC high voltage power supply 15 . Gas introduction hole 14
For example, oxygen gas is injected into the glass cylinder 13. Oxygen gas is injected so that the pressure inside the glass cylinder 13 is sufficiently higher than the outside.For example, the pressure inside the glass cylinder 13 is 10-'Torr, and the pressure outside the glass cylinder 13 is Let be 10-”Tor r.

これで直流高圧電源15によって、ガラス製円筒13の
内部の陽極12と陰極11の間にグロー放電が発生し、
大量の酸素イオンが生成される。イオンは陰極11に向
かって加速され、陰極11の付近に達したときには充分
な運動エネルギーを得るに至る。充分な運動エネルギー
を得たイオンは、陰極11近辺に漂う酸素ガスに接触し
て電荷を失い、中性の酸素原子に戻る。イオンと酸素ガ
スとの接触が運動エネルギーまで変えてしまうような激
しいものではないために、イオンの運動エネルギーはそ
のまま中性原子に受は継がれ、高速の酸素原子が生成さ
れ、ビーム19となってビーム放出孔16から残留イオ
ン阻止電極17に向かって放出される。残留イオン阻止
電極17の電位は陽極12と同電位に保たれている。ビ
ーム19には高速原子のほかに、高速原子になりそこな
ったイオン(残留イオン)が混入している。陰極11と
残留イオン阻止電極17の間の空間には、イオンに対し
て阻止電界がかかっているから、ビーム19に混入して
いる残留イオンは次第にエネルギーを失い、残留イオン
両正電極17に達したときには速度がほぼゼロになって
、高速原子線放出孔18から外に放出することができず
、ビーム19中の高速原子のみが放出することになる。
Now, a glow discharge is generated between the anode 12 and the cathode 11 inside the glass cylinder 13 by the DC high voltage power supply 15.
Large amounts of oxygen ions are produced. The ions are accelerated toward the cathode 11, and when they reach the vicinity of the cathode 11, they have acquired sufficient kinetic energy. The ions that have obtained sufficient kinetic energy contact the oxygen gas floating around the cathode 11, lose their charge, and return to neutral oxygen atoms. Since the contact between the ions and the oxygen gas is not violent enough to change the kinetic energy, the kinetic energy of the ions is transferred to the neutral atoms, generating high-speed oxygen atoms, which become the beam 19. The ions are emitted from the beam emission hole 16 toward the residual ion blocking electrode 17. The potential of the residual ion blocking electrode 17 is maintained at the same potential as that of the anode 12. In addition to high-speed atoms, the beam 19 contains ions that have failed to become high-speed atoms (residual ions). Since a blocking electric field is applied to ions in the space between the cathode 11 and the residual ion blocking electrode 17, the residual ions mixed in the beam 19 gradually lose energy and reach the residual ion bipositive electrode 17. When this occurs, the velocity becomes almost zero, and the high-speed atoms cannot be emitted outside from the high-speed atom beam emission hole 18, and only the high-speed atoms in the beam 19 are emitted.

これが高速原子線20である。This is the high-speed atomic beam 20.

真空容器の外側に設置した界磁手段としての磁石(図示
せず)によって、磁界−21がガラス製円筒13の中心
軸にほぼ平行に印加されており、ガラス製円筒13のな
かでのグロー放電の発生効率を向上させ、高速原子20
の放出量を増加させる効果を有する。また、この磁界2
1を印加すると、これを印加しないときよりも低いガス
圧で放電を開始させることができるため、真空容器内の
イオンの生成効率を大幅に向上せしめることができるも
のであり、その結果として多量の高速原子線を得ること
ができる。
A magnetic field -21 is applied almost parallel to the central axis of the glass cylinder 13 by a magnet (not shown) as a field means installed outside the vacuum container, and a glow discharge occurs inside the glass cylinder 13. improves the generation efficiency of high-speed atoms 20
It has the effect of increasing the amount of emitted. Also, this magnetic field 2
When 1 is applied, it is possible to start the discharge at a lower gas pressure than when this is not applied, which can greatly improve the efficiency of ion generation in the vacuum container, and as a result, a large amount of ions are generated. High-speed atomic beams can be obtained.

なお、ガス導入孔14から入れるガスをアルゴンにすれ
ば、アルゴンの高速原子線が放出する。
Note that if the gas introduced through the gas introduction hole 14 is argon, a high-speed atomic beam of argon is emitted.

また、放出する高速原子線20のNIA量は、ガラス製
円筒13内のガス圧、磁界210強度によって調節する
ことができる。高速原子線20の運動エネルギーは直流
高圧電源15の電圧を調節することによって所定の値に
設定することができる。
Further, the amount of NIA of the fast atomic beam 20 to be emitted can be adjusted by the gas pressure inside the glass cylinder 13 and the strength of the magnetic field 210. The kinetic energy of the fast atomic beam 20 can be set to a predetermined value by adjusting the voltage of the DC high voltage power supply 15.

第2図は本発明の第2の実施例を示す説明図であり、直
流電源22により残留イオン阻止電極17の電位を陽極
12の電位より高く保った場合の例である。同図におい
て第1図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しで
ある。この第2の実施例の動作は第1図の第1の実施例
と同様であるが、直流電源22によって残留イオン阻止
電極17の電位を陽極12の電位より高く保つことによ
って、残留イオンの除去を完全に行なうことができる。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a second embodiment of the present invention, and is an example in which the potential of the residual ion blocking electrode 17 is kept higher than the potential of the anode 12 by the DC power supply 22. In this figure, the same or corresponding parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals. The operation of this second embodiment is similar to that of the first embodiment shown in FIG. can be done completely.

上記実施例では、陰極11、陽極12の形状が円盤状で
、筒13が円筒形である場合について述べたが、陰極1
1、陽極12の形状が正方形平板、筒13の形状が断面
正方形など、円盤、円筒以外の形状であっても同様の効
果が得られる。
In the above embodiment, the cathode 11 and the anode 12 are disk-shaped, and the tube 13 is cylindrical.
1. The same effect can be obtained even if the anode 12 has a shape other than a disk or cylinder, such as a square plate and a tube 13 having a square cross section.

高速のイオンあるいは原子が固体に衝突すると、固体表
面でスパッタが起き、二次電子・二次イオン・光が放射
される。これらの現象が加工や分析に利用されることは
周知のとおりである。しかし、固体が絶縁物の場合には
、イオンの衝突で帯電し、後続イオンの入射が妨害され
て、加工・分析が進まないのに対して、電気的に中性な
原子ではそのような現象がなく、滞りなく加工・分析が
なされるという顕著な違いがある。その意味で、本発明
による小形の高速原子線源の効用は大きい、また、従来
の高速原子線源では、残留イオンを取り除いて純粋な高
速原子線を得るため、ディフレクタをつけていたが、本
発明による高速原子線源は、ディフレクタを必要としな
いため、小型化が一層進み、同時にディフレクタを駆動
する電源も不要となって経済性が改善される。
When high-speed ions or atoms collide with a solid, sputtering occurs on the solid surface and secondary electrons, secondary ions, and light are emitted. It is well known that these phenomena are used for processing and analysis. However, if the solid is an insulator, it becomes charged due to the collision of ions, blocking the incidence of subsequent ions and hindering processing and analysis, whereas such a phenomenon occurs with electrically neutral atoms. There is a notable difference in that processing and analysis can be performed without any delays. In this sense, the small fast atomic beam source of the present invention is very effective.Also, conventional fast atomic beam sources were equipped with a deflector to remove residual ions and obtain pure fast atomic beams, but this Since the fast atomic beam source according to the invention does not require a deflector, it can be further miniaturized, and at the same time, it does not require a power source to drive the deflector, improving economic efficiency.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、平板陰極に対向して残留
イオン阻止電極を設置したことにより、残留イオンの外
部への放出の防止に従来必要であったディフレクタが不
要となるので、装置をコンパクトにできる効果がある。
As explained above, in the present invention, by installing the residual ion blocking electrode opposite to the flat plate cathode, the deflector that was conventionally necessary to prevent the release of residual ions to the outside is unnecessary, so the device can be made compact. It has the effect of

また、セラミックス製又はガラス製の筒の中心軸にほぼ
平行に磁界を印加する界磁手段を設けたことにより、筒
のなかでのグロー放電の発生効率を向上させることがで
き、高速原子の放出量を増加させることができるので、
装置の効率が高くなるという効果がある。
In addition, by providing a field means that applies a magnetic field almost parallel to the central axis of the ceramic or glass cylinder, it is possible to improve the efficiency of generating glow discharge inside the cylinder, and release high-speed atoms. Since the amount can be increased,
This has the effect of increasing the efficiency of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例を示す説明図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す説明図、第3図は従来装置
を示す説明図である。 11・・・陰極、12・・・陽極、13・・・円筒、1
4・・・ガス導入孔、15・・・直流高圧電源、16・
・・小孔、17・・・残留イオン阻止電極、18・・・
高速原子線放出孔、19・・・高速原子、20・・・高
速原子線、21・・・磁界。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing a conventional device. 11...Cathode, 12...Anode, 13...Cylinder, 1
4...Gas introduction hole, 15...DC high voltage power supply, 16.
...Small hole, 17...Residual ion blocking electrode, 18...
High speed atomic beam emission hole, 19... High speed atom, 20... High speed atomic beam, 21... Magnetic field.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 筒の上底に設置された平板陽極と、負の高電圧に保たれ
中央に高速原子線放出用の小孔を有し前記筒の下底に前
記平板陽極と対向して設置された平板陰極と、前記平板
陽極と同電位又は前記平板陽極より高電位に保たれ中央
に高速原子線放出用の小孔を有し前記平板陰極に対向し
て設置された残留イオン阻止電極と、前記筒の中心軸に
ほぼ平行に磁界を印加する界磁手段とを備えたことを特
徴とする高速原子線源。
A flat plate anode installed at the top bottom of the cylinder, and a flat plate cathode that is maintained at a negative high voltage and has a small hole in the center for emitting high-speed atomic beams, and placed opposite to the flat plate anode at the bottom bottom of the cylinder. a residual ion blocking electrode which is kept at the same potential as the flat anode or at a higher potential than the flat anode and has a small hole in the center for emitting high-speed atomic beams and is placed opposite the flat cathode; A high-speed atomic beam source comprising: field means for applying a magnetic field substantially parallel to a central axis.
JP31873087A 1987-12-18 1987-12-18 High-speed atomic beam source Pending JPH01161699A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31873087A JPH01161699A (en) 1987-12-18 1987-12-18 High-speed atomic beam source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31873087A JPH01161699A (en) 1987-12-18 1987-12-18 High-speed atomic beam source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01161699A true JPH01161699A (en) 1989-06-26

Family

ID=18102308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31873087A Pending JPH01161699A (en) 1987-12-18 1987-12-18 High-speed atomic beam source

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01161699A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03112100A (en) * 1989-09-27 1991-05-13 Ebara Corp High-speed atomic beam radiating device
JPH05121194A (en) * 1991-09-12 1993-05-18 Ebara Corp High-speed atomic beam source
JP2007003418A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Institute Of Physical & Chemical Research Charged particle beam deflecting/converging method and charged particle beam deflecting/converging equipment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61183900A (en) * 1985-02-12 1986-08-16 日本電信電話株式会社 Fast atomic beam source

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61183900A (en) * 1985-02-12 1986-08-16 日本電信電話株式会社 Fast atomic beam source

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03112100A (en) * 1989-09-27 1991-05-13 Ebara Corp High-speed atomic beam radiating device
JPH05121194A (en) * 1991-09-12 1993-05-18 Ebara Corp High-speed atomic beam source
US5640009A (en) * 1991-09-12 1997-06-17 Ebara Corporation Fast atom beam source
JP2007003418A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Institute Of Physical & Chemical Research Charged particle beam deflecting/converging method and charged particle beam deflecting/converging equipment
JP4713242B2 (en) * 2005-06-24 2011-06-29 独立行政法人理化学研究所 Charged particle beam deflection / focusing method and charged particle beam deflection / focusing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2509488B2 (en) Fast atom beam source
KR100307070B1 (en) High speed atomic beam supply source
US5216241A (en) Fast atom beam source
JPH01161699A (en) High-speed atomic beam source
JPH08190995A (en) High speed atomic beam source
JP2627420B2 (en) Fast atom beam source
JP3213135B2 (en) Fast atom beam source
JPH10275566A (en) Ion source
JPS61208799A (en) Fast atomic beam source unit
JP3103181B2 (en) Fast atom beam source
JPH0668961B2 (en) Fast atom beam source
JP2671219B2 (en) Fast atom beam source
JPS63221547A (en) Ion neutralizer
JP2758913B2 (en) Fast atom beam source
JPS63143800A (en) High speed atomic beam source
JPH08236030A (en) Negative ion source
JPH06289198A (en) Fast atomic beam source
JPH06338279A (en) Electron gun
JPH0755999A (en) High-speed atomic beam source
JPS63108699A (en) High speed atomic beam source
JPS6338200A (en) Fast atomic beam source
JPS61183899A (en) Fast atomic beam source
JPH01231299A (en) High speed atomic beam source
JPH02234338A (en) Ion source
JPH067464B2 (en) Fast atom beam source