JP2568141B2 - Thin film forming equipment - Google Patents

Thin film forming equipment

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JP2568141B2
JP2568141B2 JP3331562A JP33156291A JP2568141B2 JP 2568141 B2 JP2568141 B2 JP 2568141B2 JP 3331562 A JP3331562 A JP 3331562A JP 33156291 A JP33156291 A JP 33156291A JP 2568141 B2 JP2568141 B2 JP 2568141B2
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正志 山本
和弘 伴
晋一 金尾
進 沢田
嘉隆 角谷
裕典 和田
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電解銅箔のマット面に
銅酸化物微細粒を含む酸素含有層又は酸素富化層を形成
した発火防止性パーティクルゲッターを内部に配設した
薄膜形成装置に関するものであり、パーティクルの発生
を防止し、併せて装置大気開放時等の発火を防止する薄
膜形成装置に関するものである。酸素含有層とは電解銅
箔のマット面に形成された銅酸化物微細粒を含む層を云
い、そして酸素富化層とは酸素含有層を形成した後さら
に酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより形成され
る更に多くの酸素で富化された層を云う。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming apparatus having an ignition preventing particle getter having an oxygen-containing layer or an oxygen-enriched layer containing fine particles of copper oxide formed on the matte surface of an electrolytic copper foil. The present invention relates to a thin film forming apparatus that prevents the generation of particles and also prevents ignition when the apparatus is exposed to the atmosphere. The oxygen-containing layer means a layer containing fine particles of copper oxide formed on the matte surface of the electrolytic copper foil, and the oxygen-enriched layer means that after the oxygen-containing layer is formed, it is further heat-treated in an oxygen-containing atmosphere. Refers to the more oxygen-enriched layer formed by.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、集積回路の電極や拡散バリア
ー等用の薄膜、磁気記録媒体用の磁性薄膜、液晶表示装
置のITO透明導電膜などの多くの薄膜形成に、気相成
長技術が使用されている。この気相成長法による薄膜形
成技術には、熱分解法、水素還元法、不均等化反応法、
プラズマCVD法などの化学気相成長、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンビーム法、放電重合法等があ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, vapor phase growth technology has been used to form many thin films such as thin films for electrodes and diffusion barriers of integrated circuits, magnetic thin films for magnetic recording media, and ITO transparent conductive films for liquid crystal display devices. Has been done. The thin film forming technology by this vapor phase growth method includes thermal decomposition method, hydrogen reduction method, non-uniformization reaction method,
There are chemical vapor deposition such as plasma CVD method, vacuum deposition method, sputtering method, ion beam method, and discharge polymerization method.

【0003】現在、このような気相成長法による薄膜形
成プロセスは大量生産技術として確立されているが、形
成された膜上に一般にパーティクルと言われている粗大
粒子が堆積するという問題が発生している。このパーテ
ィクルとは、薄膜形成時にクラスター化した微粒子が基
板上に堆積したものを云い、この微粒子は直径が数μm
程度にまで大きくなるものが多いので、これが基板上に
堆積すると、例えばLSIの場合は配線の短絡或いは逆
に断線を引き起こすなどの問題を生じ、不良率増大の原
因となる。そしてこれらのパーティクルは、薄膜形成法
自体に起因するものや、被覆装置に起因するもの等の種
々の要因がある。
At present, such a thin film forming process by the vapor phase growth method has been established as a mass production technique, but the problem that coarse particles generally called particles are deposited on the formed film occurs. ing. The particles are particles formed by clustering when a thin film is formed on the substrate, and the particles have a diameter of several μm.
Since many of them grow to a certain degree, if they are deposited on the substrate, problems such as short-circuiting of wiring or conversely disconnection occur in the case of LSI, which causes an increase in the defective rate. These particles have various factors such as those caused by the thin film forming method itself and those caused by the coating device.

【0004】上記のような薄膜形成装置に起因するパー
ティクルとしては、基板周辺や装置の内壁(炉壁)やシ
ャッター、シールド板等に付着した堆積膜が剥離し、そ
れが飛散して基板に付着して汚染源となることが1つの
大きな要因である。このような付着物質の再剥離に起因
するパーティクルを防止するためには、薄膜形成装置の
内壁を常に清浄にしておく必要がある。このような内壁
を常にクリーンに保つのは実際には非常に難しく、完全
にクリーンにするには大変な時間を必要とし、また内壁
や機器の部位によっては清浄化が実際にはできないとこ
ろもある。
As the particles caused by the thin film forming apparatus as described above, the deposited film adhering to the periphery of the substrate, the inner wall (furnace wall) of the apparatus, the shutter, the shield plate and the like is peeled off and scattered to adhere to the substrate. One of the major factors is that it becomes a pollution source. In order to prevent particles due to such re-peel of the adhered substance, it is necessary to keep the inner wall of the thin film forming apparatus clean. It is actually very difficult to keep such inner walls clean at all times, it takes a lot of time to be completely clean, and some parts of the inner walls and equipment cannot actually be cleaned. .

【0005】その対策の一つとして、Al箔や電解Fe
箔のディスポーザブル(使い捨て)箔による汚染防止材
の使用が考慮された。これら箔をあらかじめ内壁にはり
つけておき、薄膜形成(被覆操作)終了後これを除去す
れば、一応内壁をクリーンな状態に保つことが可能と考
えられた。しかし、これらの使い捨て箔には致命的な欠
陥が見出された。それは、設置された箔に堆積した薄膜
形成飛散物質が剥離し易く、基板上への堆積膜上でのパ
ーティクル発生が依然として起ることである。この剥離
を防止するためには頻繁に箔を交換しなければならず、
薄膜形成の操業性が著しく悪化した。
As one of the countermeasures, Al foil or electrolytic Fe
The use of pollution control materials with disposable foil foil was considered. It was considered possible to keep the inner wall in a clean state by attaching these foils to the inner wall in advance and removing this after the thin film formation (covering operation). However, fatal defects were found in these disposable foils. That is, the thin film-forming scattered material deposited on the installed foil is easily separated, and particles are still generated on the deposited film on the substrate. To prevent this peeling, the foil must be changed frequently,
The operability of thin film formation deteriorated significantly.

【0006】そうした中で、本出願人は先に、従来の金
属箔に代えてトリート電解銅箔の使用を提唱した(特開
平1−316456号)。トリート電解銅箔とは、電解
銅箔のマット面(無光沢面)に更に電解処理を施してマ
ット面に存在する微小な塊状の突出部(ノブ)に銅また
は銅酸化物の微細粒をランダムに析出させたものであ
る。こうした微細粒突起を有する銅箔は飛来する粒子の
捕獲作用に優れそしてその上の堆積層をアンカー効果或
いはピンニング効果により固着保持する点で優れてい
る。これらは、パーティクル発生を有効に防止するの
で、パーティクルゲッターと呼ばれている。
Under the circumstances, the applicant of the present invention has previously proposed the use of treat electrolytic copper foil in place of the conventional metal foil (JP-A-1-316456). Treated electrolytic copper foil is an electrolytic copper foil with a matte surface (matte surface) that is further subjected to electrolytic treatment to randomly deposit minute copper or copper oxide fine particles (knobs) on the matte surface. It was deposited on. The copper foil having such fine grain projections is excellent in capturing the flying particles and is excellent in that the deposited layer on the copper foil is fixed and held by the anchor effect or the pinning effect. These are called particle getters because they effectively prevent the generation of particles.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】酸素に対して活性であ
るチタン等の金属、合金或いは化合物の気相成長による
薄膜形成装置において、新たな問題が重大視されるよう
なった。それは活性金属の発火の問題である。酸素に対
して活性である金属又は合金を不活性雰囲気又は真空下
で蒸着もしくはスパッタリング等により成膜した場合、
雰囲気中の残存酸素量が非常に低いために飛散粒子はパ
ーティクルゲッター上に活性化した状態で堆積し、数百
μm以上堆積した場合には、堆積膜内に発生する内部応
力が固着力を上回るようになり、剥離し、小片や微細粉
となって装置内を再度飛散・浮遊する。結果として、こ
れら金属や合金小片や微細粉は酸素に対して非常に活性
化した状態でしかも酸素との反応面積が大きい状態で存
在している。
A new problem has come to be emphasized in a thin film forming apparatus by vapor phase growth of a metal, alloy or compound such as titanium which is active against oxygen. It is a problem of ignition of active metals. When a metal or alloy that is active against oxygen is formed by vapor deposition or sputtering in an inert atmosphere or under vacuum,
Since the amount of residual oxygen in the atmosphere is very low, scattered particles are deposited on the particle getter in an activated state, and when several hundred μm or more is deposited, the internal stress generated in the deposited film exceeds the adhesion force. As a result, it peels off and becomes small pieces or fine powder that scatters and floats inside the device again. As a result, these metal and alloy particles and fine powders exist in a state where they are highly activated with respect to oxygen and have a large reaction area with oxygen.

【0008】装置の清掃、整備等で装置を大気開放した
場合、活性な堆積物或いは飛散する小片や微細粉は大気
中の酸素と急激に反応し、発火・燃焼し、清掃や整備作
業を困難ならしめまた危険とすることがある。装置の損
傷さえ生じる恐れがある。また、回収した堆積物の保管
及びスクラップ処理についても、発火及び燃焼の危険性
があり、開放性か蓋のついた金属容器で長期間水中保管
し、堆積物表面の変色度合を見てスクラップ処理する等
非常に苦慮していた。
[0008] When the device is opened to the atmosphere for cleaning or maintenance, the active deposits or scattered small particles or fine powder reacts rapidly with oxygen in the atmosphere, ignites and burns, and cleaning and maintenance work is difficult. It can be dangerous and dangerous. It can even damage the device. Also, regarding the storage and scrap processing of the collected deposits, there is a risk of ignition and combustion, and they are stored in water in a metal container with an open or lid for a long period of time, and scrap processing is performed by observing the degree of discoloration of the deposit surface. It was very difficult to do.

【0009】本発明の課題は、酸素に対して活性である
チタン等の金属、合金或いは化合物の気相成長による薄
膜形成装置内に配設されるパーティクルゲッター上に堆
積した堆積物と関連しての装置開放時或いは堆積物保管
時の上記発火問題を克服することである。
The object of the present invention relates to deposits deposited on a particle getter arranged in a thin film forming apparatus by vapor phase growth of a metal, alloy or compound such as titanium which is active against oxygen. It is to overcome the above ignition problem when the device is opened or the deposit is stored.

【0010】[0010]

【問題点を解決するための手段】本発明者は、パーティ
クルゲッター上への堆積物の堆積中、堆積物を不活性化
するべく、電解銅箔に酸素含有層又は酸素富化層を形成
し、そこに含まれる酸素を堆積物中に吸収拡散させ、堆
積物を酸素に対して不活性化することを想到し、試行の
結果、好結果を得た。斯くして、本発明は、酸素に対し
て銅よりも活性な金属、合金或いは化合物の気相成長に
よる薄膜形成装置において、(i)電解銅箔のマット面
に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層を形成した発火防止
性パーティクルゲッター又は(ii)電解銅箔のマット
面に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層を形成させた後さ
らに酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより酸素富
化層を形成した発火防止性パーティクルゲッターを装置
内に配設し、該発火防止性パーティクルゲッターにより
装置内を飛散する粒子を捕獲しそしてそこに堆積せし
め、同時に堆積物を酸素に対して不活性化することを特
徴とする薄膜形成装置を提供するものである。特定的に
は、酸素含有層を形成した銅箔の酸素含有率は、0.1
wt%以上でかつ1.0wt%未満であり、他方、酸素
富化層を形成した銅箔の酸素含有率は1.0wt%以上
でかつ5.0wt%以下である。好ましくは、堆積物中
に発生する内部応力を吸収するために電解銅箔は波状或
いはエンボス状に加工される。酸素含有層或いは酸素富
化層を形成した電解銅箔の表面粗さRzは5〜10μm
であることが望ましい。
The present inventors have formed an oxygen-containing layer or an oxygen-enriched layer on an electrolytic copper foil during the deposition of a deposit on a particle getter in order to inactivate the deposit. , The oxygen contained therein was absorbed and diffused in the deposit to inactivate the deposit, and the result of the trial was good. Thus, the present invention relates to (i) oxygen containing copper oxide fine particles on the matte surface of an electrolytic copper foil in a thin film forming apparatus by vapor phase growth of a metal, alloy or compound which is more active than oxygen against copper. Oxygen enrichment by forming an oxygen-containing layer containing fine particles of copper oxide on the matte surface of an electrolytic copper foil or an ignition-preventing particle getter on which the containing layer is formed, and then performing heat treatment in an oxygen-containing atmosphere. A layered anti-fire particle getter is placed in the device, and the anti-particle getter captures and deposits particles flying in the device and at the same time inactivates the deposit to oxygen. A thin film forming apparatus is provided. Specifically, the oxygen content of the copper foil on which the oxygen-containing layer is formed is 0.1.
The oxygen content of the copper foil having the oxygen-enriched layer is 1.0 wt% or more and 5.0 wt% or less. Preferably, the electro-deposited copper foil is corrugated or embossed to absorb the internal stress generated in the deposit. The surface roughness Rz of the electrolytic copper foil having the oxygen-containing layer or the oxygen-enriched layer is 5 to 10 μm.
It is desirable that

【0011】[0011]

【作用】酸素に対して非常に活性である金属、合金或い
は化合物の堆積層を剥離及び飛散しないようにパーティ
クルゲッター上に固着し、酸素との反応面積を減少せし
め、且つ銅箔表面に酸素含有層を形成せしめ或いはそれ
を更に酸素富化処理して酸素富化層を形成することによ
り銅箔上に堆積した活性金属、合金或いは化合物堆積物
中に銅箔表面の酸素含有層又は酸素富化層からの酸素を
吸収及び拡散せしめ、堆積層を酸素に対して不活性化
し、パーティクルゲッター上に堆積した堆積物と関連し
ての装置開放時或いは堆積物保管時の上記発火問題を克
服する。
[Function] The deposited layer of metal, alloy or compound which is very active against oxygen is fixed on the particle getter so as not to peel and scatter, the reaction area with oxygen is reduced, and the copper foil surface contains oxygen. Oxygen-containing layer or oxygen-enrichment on the surface of the copper foil in the active metal, alloy or compound deposits deposited on the copper foil by forming a layer or further oxygen-enriching it to form an oxygen-enriched layer It absorbs and diffuses oxygen from the layer, inactivates the deposited layer to oxygen, and overcomes the above ignition problems associated with deposits deposited on the particle getter during equipment opening or deposit storage.

【0012】[0012]

【実施例】本発明の気相成長による薄膜形成装置は、特
には酸素に対して活性な金属、合金或いは化合物を取扱
う熱分解法、水素還元法、不均等化反応法、輸送反応
法、プラズマCVD、減圧CVD等の化学気相成長法
(CVD)、気相エピタキシー(VPE)法、真空蒸着
法、スパッタリング法、分子線エピタキシー(MBE)
法、イオンビーム法、及び放電重合法等の気相成長法に
よる薄膜形成装置を意味するものである。こうした装置
の内壁及び該装置内に配設されるシャッター、シールド
板、ボルト、ナット等の機器・部品の表面の薄膜形成不
要部分に発火防止性パーティクルゲッターが配設され
る。
The thin film forming apparatus by vapor phase epitaxy of the present invention is particularly applicable to a thermal decomposition method, a hydrogen reduction method, a non-uniformization reaction method, a transport reaction method, a plasma, which handles metals, alloys or compounds active against oxygen. Chemical vapor deposition (CVD) such as CVD and low pressure CVD, vapor phase epitaxy (VPE) method, vacuum deposition method, sputtering method, molecular beam epitaxy (MBE)
Method, an ion beam method, a discharge polymerization method, or the like, means a thin film forming apparatus by a vapor phase growth method. An ignition preventive particle getter is provided on the inner wall of such a device and on a portion of the surface of a device / part such as a shutter, a shield plate, a bolt, and a nut, which is provided in the device, where thin film formation is unnecessary.

【0013】こうした酸素に対して活性な金属、合金或
いは化合物の例は、チタン、ジルコニウム、アルミニウ
ム等の金属並びにその合金或いはこれらの金属のシリサ
イドのような化合物である。
Examples of such oxygen-active metals, alloys or compounds are metals such as titanium, zirconium, aluminum and their alloys or compounds such as silicides of these metals.

【0014】本発明の酸素含有層又は酸素富化層を形成
する前の電解銅箔(生箔)は、マット面(無光沢面)に
微小な塊状の突出部(ノブ)を有している。これに電解
処理を施すことにより、電解銅箔マット面に存在する微
小な塊状の突出部(ノブ)に銅酸化物微細粒を含む酸素
含有層がランダムに析出して、銅箔中の酸素含有率が
0.1wt%以上でかつ1.0wt%未満となる。堆積
物を酸素に対して不活性化するに充分の酸素供給源とし
て酸素含有層を形成することが必要である。充分の酸素
を供給するために酸素含有率は少なくとも0.1wt%
必要である。酸化物微細粒を含む酸素含有層を形成する
電気めっきの条件の一例を下記に示す: (A)水溶銅硫酸塩めっき浴 CuSO4 ・5H2O, g/l ( Cuとして):23 NaCl ,p.p.m. ( Clとして) : 32 H2SO4 ,g/l : 70 にかわ,g/l : 0.75 純 水 : 残部 (B)めっき条件 電流密度 : 60〜100 A/ft2 浴 温 : 70〜 80°F 時 間 : 10〜100 秒 電気めっき条件において、めっき時間を長くするほど、
酸素含有層の酸素含有量は増大する。
The electrolytic copper foil (green foil) before forming the oxygen-containing layer or the oxygen-enriched layer of the present invention has fine lump-shaped protrusions (knobs) on the matte surface (matte surface). . By subjecting this to electrolytic treatment, an oxygen-containing layer containing copper oxide fine particles is randomly deposited on the minute lump-shaped protrusions (knobs) present on the electrolytic copper foil mat surface, and the oxygen-containing layer in the copper foil is contained. The ratio is 0.1 wt% or more and less than 1.0 wt%. It is necessary to form the oxygen-containing layer as an oxygen source sufficient to inactivate the deposits with respect to oxygen. Oxygen content is at least 0.1 wt% to supply sufficient oxygen
is necessary. An example of electroplating conditions for forming an oxygen-containing layer containing fine oxide particles is shown below: (A) Water-soluble copper sulfate plating bath CuSO 4 .5H 2 O, g / l (as Cu): 23 NaCl, ppm (as Cl): 32 H 2 SO 4 , g / l: 70 glue, g / l: 0.75 pure water: balance (B) plating conditions current density: 60-100 A / ft 2 bath temperature: 70- 80 ° F time: 10 to 100 seconds Under electroplating conditions, the longer the plating time,
The oxygen content of the oxygen-containing layer increases.

【0015】またさらに不活性化の効果を十分長期にわ
たって維持するようにするために、上記の電解処理に加
えて次のような酸素富化処理を施すことが有効である。
すなわち、電解処理により酸素含有層が形成された銅箔
を酸素含有雰囲気中で加熱処理することによって酸素富
化層を形成させ酸素含有率が1.0wt%以上でかつ
5.0wt%以下の銅箔を得るものである。この加熱雰
囲気は酸素を含有する雰囲気であればどのようなもので
もよいが、大気中で行うのがコスト的に有利である。加
熱処理時間が長いほど、銅箔中の酸素含有率は高くなる
が、堆積した活性金属等を不活性化する限りにおいては
最大5.0wt%の酸素で十分であることが判明した。
Further, in order to maintain the effect of inactivation for a sufficiently long period, it is effective to perform the following oxygen enrichment treatment in addition to the above electrolysis treatment.
That is, a copper foil having an oxygen-containing layer formed by electrolytic treatment is heat-treated in an oxygen-containing atmosphere to form an oxygen-enriched layer, and copper having an oxygen content of 1.0 wt% or more and 5.0 wt% or less. It is to get foil. The heating atmosphere may be any atmosphere as long as it contains oxygen, but it is cost effective to perform it in the atmosphere. It was found that the longer the heat treatment time, the higher the oxygen content in the copper foil, but a maximum of 5.0 wt% oxygen is sufficient as long as it deactivates the deposited active metal and the like.

【0016】これらの工程によって製造された酸素含有
層又は酸素富化層を有する銅箔は、表面粗さRzが5.
0〜10.0μmの範囲とするのが望ましい。この粗さ
による突起が存在するために、アンカー効果によって飛
散物質が堆積して形成された堆積物との密着性が改善さ
れ、剥離現象が生じ難くなる。
The copper foil having an oxygen-containing layer or an oxygen-enriched layer produced by these steps has a surface roughness Rz of 5.
It is desirable that the thickness is in the range of 0 to 10.0 μm. Since the protrusions due to the roughness are present, the adhesion effect with the deposit formed by depositing the scattered substances is improved by the anchor effect, and the peeling phenomenon is less likely to occur.

【0017】しかしながら、堆積層の厚みが100μm
以上になると、堆積層の内部応力が固着力を上回るよう
になりやすく、堆積層は銅箔から剥離し、小片或いは微
細粒子となって飛散する。堆積物中に発生する内部応力
を吸収するために電解銅箔は波状或いはエンボス状に加
工することが望ましい。
However, the thickness of the deposited layer is 100 μm.
In the above case, the internal stress of the deposited layer tends to exceed the fixing force, and the deposited layer peels off from the copper foil and scatters as small pieces or fine particles. In order to absorb the internal stress generated in the deposit, it is desirable to process the electrolytic copper foil in a wavy or embossed shape.

【0018】本発明に従えば、銅箔表面に酸素含有層を
形成せしめ或いはそれを酸素富化処理して酸素富化層を
形成することにより、銅箔上に堆積した活性金属、合金
或いは化合物の堆積物中に銅箔表面の酸素含有層又は酸
素富化層からの酸素を吸収及び拡散せしめ、堆積層を酸
素に対して不活性化している。そのため、パーティクル
ゲッター上に堆積した堆積物と関連しての装置開放時或
いは堆積物保管時の上記発火問題が克服される。
According to the present invention, the active metal, alloy or compound deposited on the copper foil is formed by forming an oxygen-containing layer on the surface of the copper foil or by oxygen-enriching it to form an oxygen-enriched layer. The oxygen from the oxygen-containing layer or the oxygen-enriched layer on the surface of the copper foil is absorbed and diffused in the deposit of (1) to inactivate the deposited layer with respect to oxygen. Therefore, the above ignition problem at the time of opening the device or storing the deposit, which is associated with the deposit deposited on the particle getter, is overcome.

【0019】酸素含有処理としての銅めっきを行う際に
有機添加剤を添加した電解浴中で製造される場合、微細
粒子薄層の表面には有機添加剤が付着していることがあ
る。従って、有機添加剤による薄膜形成装置内の汚染を
防止するために、あらかじめアセトンやアルコール等の
有機溶媒または熱した超純水を用いて超音波洗浄をして
から使用することが望ましい。なお、洗浄後の乾燥を目
的として真空加熱をしても良い。真空加熱をする場合
は、表面突起が成長現象によって変化しないよう最高8
00℃までに抑える必要がある。
When copper is plated as an oxygen-containing treatment in an electrolytic bath containing an organic additive, the fine particle thin layer may have the organic additive attached to its surface. Therefore, in order to prevent the inside of the thin film forming apparatus from being contaminated by the organic additive, it is desirable to perform ultrasonic cleaning with an organic solvent such as acetone or alcohol or heated ultrapure water before use. Note that vacuum heating may be performed for the purpose of drying after cleaning. When heating in vacuum, the maximum is 8 so that surface protrusions do not change due to growth phenomena.
It is necessary to suppress the temperature to 00 ° C.

【0020】酸素含有層又は酸素富化層を有する銅箔
は、特公昭54−6701号に記載されるように、耐熱
性を持たせるために黄銅或いは亜鉛のバリアー層を形成
したり、更にこの上に運搬或いは保管中の過度の酸化を
防止するために防錆処理を施すことも出来る。
The copper foil having an oxygen-containing layer or an oxygen-enriched layer has a brass or zinc barrier layer formed thereon for heat resistance, as described in JP-B-54-6701. It can also be rustproofed to prevent excessive oxidation during transport or storage.

【0021】銅箔は、厚さ20〜350μmが適し、5
0〜250μmが好適である。薄すぎると、装置内にセ
ットするときにしわが生じ易く、しわ部ができると堆積
物の剥離の原因となるので避ける必要がある。他方、厚
すぎると、装置内にセットするときの操作性が悪くなり
また価格的にも不利である。
The copper foil preferably has a thickness of 20 to 350 μm.
0 to 250 μm is preferable. If it is too thin, wrinkles are likely to occur when it is set in the apparatus, and if wrinkles are formed, it may cause the peeling of deposits, so it should be avoided. On the other hand, if the thickness is too large, the operability when set in the device is deteriorated and it is disadvantageous in terms of cost.

【0022】次に、実施例及び比較例に基づいて本発明
を説明する。
Next, the present invention will be described based on Examples and Comparative Examples.

【0023】(実施例及び比較例)トリート銅箔を大気
中で200℃で30分間酸素富化処理した電解銅箔(酸
素含有率:1.6wt%)及びSUSステンレス鋼板上
にTi膜をそれぞれスパッタリングにより1μm成膜し
た。図1はTi成膜前の電解銅箔のマット面側のオージ
ェ分光分析による銅及び酸素の深さ方向の濃度分布状態
を示す。図1に表面近傍での1μm以上にわたって高い
酸素濃度領域が観察される。図2は、酸素富化処理した
電解銅箔上に成膜したTi膜中の深さ方向に沿ったT
i、Cu及びOの濃度分布を示す。図3は、SUS板上
に成膜したTi膜中の深さ方向に沿ったTi、O、Fe
及びCrの濃度分布を示す。図2に示したように、酸素
濃度分布は、表面近傍の酸素濃度の高い領域からTi−
銅箔界面に向ってほぼ一定の酸素濃度を示し、Ti−銅
箔界面においてもその傾向は変化なく、図1に示したよ
うなTi成膜前に存在した銅箔表面近傍での酸素濃度の
高い領域は観察されない。他方、SUS板に成膜したT
i膜中の酸素濃度分布については表面近傍の数原子層を
除き、酸素ピーク強度はバックグラウンドノイズ水準ま
で下がり、酸素濃度は極めて低い。以上のことから、図
1、2及び3の酸素濃度を模式的に説明する図4〜6に
見られるように、電解銅箔のマット面表面に約1μm以
上にわたる酸素富化層の酸素はTi膜を成膜することに
よりTi膜中に吸収されて拡散し、従ってTi膜中の酸
素濃度は高くなる。つまり、Tiは酸素に関して不活性
化されている。他方、SUS板に成膜されたTi膜につ
いては、酸素濃度は低く、Tiは活性化した状態で堆積
している。
(Examples and Comparative Examples) Treated copper foils were subjected to oxygen enrichment treatment at 200 ° C. for 30 minutes in the atmosphere, electrolytic copper foils (oxygen content: 1.6 wt%) and SUS stainless steel sheets with Ti films respectively. A 1 μm film was formed by sputtering. FIG. 1 shows the concentration distribution state of copper and oxygen in the depth direction by Auger spectroscopic analysis on the matte side of the electrolytic copper foil before Ti film formation. In FIG. 1, a high oxygen concentration region is observed in the vicinity of the surface over 1 μm or more. FIG. 2 shows T along the depth direction in a Ti film formed on an electrolytic copper foil subjected to oxygen enrichment treatment.
The concentration distribution of i, Cu, and O is shown. FIG. 3 shows Ti, O, Fe along the depth direction in the Ti film formed on the SUS plate.
3 shows the concentration distribution of Cr and Cr. As shown in FIG. 2, the oxygen concentration distribution shows that the Ti-
An almost constant oxygen concentration was shown toward the copper foil interface, and the tendency did not change even at the Ti-copper foil interface, and the oxygen concentration near the copper foil surface existing before the Ti film formation as shown in FIG. High areas are not observed. On the other hand, T formed on the SUS plate
Regarding the oxygen concentration distribution in the i film, the oxygen peak intensity drops to the background noise level except for the several atomic layers near the surface, and the oxygen concentration is extremely low. From the above, as shown in FIGS. 4 to 6 which schematically explain the oxygen concentration in FIGS. 1, 2 and 3, oxygen in the oxygen-enriched layer extending over 1 μm or more on the matte surface of the electrolytic copper foil is Ti. When the film is formed, it is absorbed and diffused in the Ti film, so that the oxygen concentration in the Ti film becomes high. That is, Ti is inactivated with respect to oxygen. On the other hand, the Ti film formed on the SUS plate has a low oxygen concentration and Ti is deposited in an activated state.

【0024】次に、#600サンドペーパで擦過するこ
とによるスクラッチ試験により発火性を評価した結果、
酸素富化した電解銅箔上に成膜したTi膜は発火しなか
ったが、SUS板上に成膜したTi膜については発火が
認められた。
Next, as a result of evaluating the ignitability by a scratch test by rubbing with # 600 sandpaper,
The Ti film formed on the oxygen-enriched electrolytic copper foil did not ignite, but the Ti film formed on the SUS plate did.

【0025】[0025]

【発明の効果】薄膜形成装置の清掃、整備等の装置の大
気開放時の発火・燃焼を防止し、清掃作業等を安全にそ
して容易なものとする。回収後の堆積物の保管及びスク
ラップ処理方法についても、従来必要であった発火・火
災防止対策のための長期間の不活性化処理を排除するこ
とができ、安全かつ簡易に堆積物を処分することができ
る。
EFFECTS OF THE INVENTION It is possible to prevent ignition and combustion of a device such as cleaning and maintenance of a thin film forming device when it is opened to the atmosphere, and to make cleaning work safe and easy. As for the storage and scrap disposal method of the deposits after recovery, it is possible to eliminate the long-term inactivation treatment required for ignition / fire prevention measures, which is conventionally required, and dispose of the deposits safely and easily. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】Ti成膜前の酸素富化処理した電解銅箔のマッ
ト側表面のオージェ分光分析による銅及び酸素の深さ方
向の濃度分布状態を示す。
FIG. 1 shows the concentration distribution state of copper and oxygen in the depth direction by Auger spectroscopic analysis on the matte side surface of an electrolytic copper foil subjected to oxygen enrichment treatment before Ti film formation.

【図2】酸素富化処理した電解銅箔上に成膜したTi膜
中の深さ方向に沿ったオージェ分光分析によるTi、C
u及びOの濃度分布を示す。
FIG. 2 Ti and C by Auger spectroscopy along the depth direction in a Ti film formed on an oxygen-enriched electrolytic copper foil
The concentration distribution of u and O is shown.

【図3】SUS板上に成膜したTi膜中の深さ方向に沿
ったオージェ分光分析によるTi、O、Fe及びCrの
濃度分布を示す。
FIG. 3 shows the concentration distributions of Ti, O, Fe, and Cr in the Ti film formed on the SUS plate by Auger spectroscopy along the depth direction.

【図4】図1の酸素濃度分布のみを模式的に説明する説
明図である。
FIG. 4 is an explanatory view schematically explaining only the oxygen concentration distribution of FIG.

【図5】図2の酸素濃度分布のみを模式的に説明する説
明図である。
FIG. 5 is an explanatory view schematically explaining only the oxygen concentration distribution of FIG.

【図6】図3の酸素濃度分布のみを模式的に説明する説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram schematically explaining only the oxygen concentration distribution of FIG.

フロントページの続き (72)発明者 金尾 晋一 東京都小平市上水本町5丁目20番1号株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 沢田 進 茨城県北茨城市華川町臼場187番地4日 本鉱業株式会社磯原工場内 (72)発明者 角谷 嘉隆 茨城県北茨城市華川町臼場187番地4日 本鉱業株式会社磯原工場内 (72)発明者 和田 裕典 茨城県北茨城市華川町臼場187番地4日 本鉱業株式会社磯原工場内 (56)参考文献 特開 平1−188672(JP,A)Front page continuation (72) Shinichi Kanao 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the Musashi Factory, Hitachi Ltd. (72) Susumu Sawada 187 Usba, Hwagawa-cho, Kitaibaraki-city, Ibaraki Address 4 days Main Mining Co., Ltd. Isohara Factory (72) Inventor Yoshitaka Sumiya, 187 Usuba, Hachikawa-cho, Kitaibaraki City, Ibaraki Prefecture Address 4 days Main Mining Co., Ltd. Isohara Factory (72) Inventor Hironori Wada Hana Kitabaraki, Ibaraki Prefecture Kawamachi Usoba No.187, 4th, Minoru Co., Ltd. Isohara factory (56) Reference JP-A-1-188672 (JP, A)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 酸素に対して銅よりも活性な金属、合金
或いは化合物の気相成長による薄膜形成装置において、
電解銅箔のマット面に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層
を形成した発火防止性パーティクルゲッターを装置内に
配設し、該発火防止性パーティクルゲッターにより装置
内を飛散する粒子を捕獲しそしてそこに堆積せしめ、同
時に堆積物を酸素に対して不活性化することを特徴とす
る薄膜形成装置。
1. A thin film forming apparatus by vapor phase growth of a metal, alloy or compound which is more active than oxygen against copper,
An ignition preventive particle getter having an oxygen-containing layer containing fine copper oxide particles formed on the matte surface of the electrolytic copper foil is disposed in the device, and the particles scattered in the device are captured by the ignition preventive particle getter, and A thin film forming apparatus characterized in that it is deposited there, and at the same time, the deposit is inactivated by oxygen.
【請求項2】 酸素含有層を形成した電解銅箔の酸素含
有率が0.1wt%以上でかつ1.0wt%未満である
請求項1の薄膜形成装置。
2. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the electrolytic copper foil having the oxygen-containing layer has an oxygen content of 0.1 wt% or more and less than 1.0 wt%.
【請求項3】 酸素含有層を形成した電解銅箔が波状或
いはエンボス状に加工されている請求項1乃至請求項2
の薄膜形成装置。
3. The electrolytic copper foil having an oxygen-containing layer formed thereon is corrugated or embossed.
Thin film forming equipment.
【請求項4】 酸素含有層を形成した電解銅箔の表面粗
さRzが5〜10μmである請求項1乃至請求項3の薄
膜形成装置。
4. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the electrolytic copper foil having the oxygen-containing layer has a surface roughness Rz of 5 to 10 μm.
【請求項5】 酸素に対して銅よりも活性な金属、合金
或いは化合物の気相成長による薄膜形成装置において、
電解銅箔のマット面に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層
を形成させた後さらに酸素含有雰囲気中で加熱処理する
ことにより酸素富化層を形成した発火防止性パーティク
ルゲッターを装置内に配設し、該発火防止性パーティク
ルゲッターにより装置内を飛散する粒子を捕獲しそして
そこに堆積せしめ、同時に堆積物を酸素に対して不活性
化することを特徴とする薄膜形成装置。
5. A thin film forming apparatus by vapor phase growth of a metal, alloy or compound which is more active than oxygen against copper,
An anti-ignition particle getter with an oxygen-enriched layer formed by forming an oxygen-containing layer containing fine copper oxide particles on the matte surface of electrolytic copper foil and then heat-treating it in an oxygen-containing atmosphere was placed in the device. A thin film forming apparatus, which is provided, wherein particles that fly in the apparatus are captured by the ignition preventive particle getter and deposited there, and at the same time, the deposit is inactivated by oxygen.
【請求項6】 酸素富化層を形成した電解銅箔の酸素含
有率が1.0wt%以上でかつ5.0wt%以下である
請求項5の薄膜形成装置。
6. The thin film forming apparatus according to claim 5, wherein the electrolytic copper foil having the oxygen-enriched layer has an oxygen content of 1.0 wt% or more and 5.0 wt% or less.
【請求項7】 酸素富化層を形成した電解銅箔が波状或
いはエンボス状に加工されている請求項5乃至請求項6
の薄膜形成装置。
7. The electro-deposited copper foil having an oxygen-enriched layer formed thereon is corrugated or embossed.
Thin film forming equipment.
【請求項8】 酸素富化層を形成した電解銅箔の表面粗
さRzが5〜10μmである請求項5乃至請求項7の薄
膜形成装置。
8. The thin film forming apparatus according to claim 5, wherein the electrolytic copper foil having the oxygen-enriched layer has a surface roughness Rz of 5 to 10 μm.
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