JP2566164B2 - 貯水池における漏水部の検知方法及び装置 - Google Patents
貯水池における漏水部の検知方法及び装置Info
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Description
ート或いはアスファルトなどの遮水膜を敷設して人工的
に造成された貯水池における漏水部の検知方法及び装置
に関するものである。
や亀裂などの破損を生じて漏水することが少なくなく、
そのため定期的に漏水個所を検知して適当な補修を行う
必要がある。
として、遮水膜外の地中に固定電極を設置すると共に、
遮水膜内の水中に印加電極を固定し、この印加電極に電
圧を印加することにより遮水膜に向って流れる電流の電
位を、浮遊ワイヤーなどに移動自在に取付けた測定電極
により、これを所定間隔毎に移動しながら多点測定し、
更に浮遊ワイヤーを順次一定間隔毎に横移動させ、それ
ぞれ前記同様に浮遊ワイヤーに沿って移動した測定電極
の各移動位置における電位を多点測定し、これらの測定
操作を繰返して得られた各測定点の電位を座標にとって
等電位曲線を描き、この等電位曲線を表された曲線の一
部に乱れを生じた場合にこの乱れの部分を漏水個所とし
て検知する方法が知られている。
は、測定点の座標を正確に求めて測定電極を細かく移動
しながら緻密に測定しないと、漏水個所の僅かな電位の
乱れが等電位曲線に表われないため、貯水池が大きい場
合には測定点が膨大な数となり、測定に相当の期間を要
すると共に、測定装置としての規模も大がかりになる等
の欠点があった。
深い場合に検出電流が微弱となり、漏水個所の検出が困
難である等の問題もあった。
の水中に移動自在に印加電極2及びこの印加電極2に対
してその周囲に対称に複数の測定電極31、32,41,42を設
置し、前記貯水池の遮水膜6の外部の水底地盤に固定電
極7を設置し、前記印加電極2及び測定電極31、32,41,
42を直交方向に移動しながら印加電流に所定周波数の交
流電圧を印加し、各移動方向の測線に沿って前記測定電
極31、32,41,42間の電位傾度を連続的に測定し、前記直
交測線をX,Y軸としてこれに前記各測線上で測定された
電位傾度のピーク点を求め、このピーク点の座標から漏
水位置を検知する貯水池における漏水部の検知方法を提
供するものである。
印加電極2と、この印加電極2に対してその周囲に対称
に対設した測定電極31、32,41,42と、前記貯水池の遮水
膜6の外部の水底地盤に設置した固定電極7と、前記印
加電極2に所定周波数の交流電圧を印加する通電装置
と、前記測定電極31、32,41,42により検出された前記印
加電極2から遮水膜6或いは漏水部Sに向って流れる電
流の波高を差動アンプ12により増幅し、移相器13から入
力した移相波を検波信号として位相検波回路14において
漏水部Sの電流の波形を検波し、その検波出力をA/Dコ
ンバータ15によりA/D変換して順次検出するようにした
測定器とから構成してなる貯水池における漏水部の検知
装置を提案するものである。
極2に対してその周囲に対称に複数の測定電極31、32,4
1,42を設置し、また貯水池の遮水膜6の外部の水底地盤
に固定電極7を設置し、この印加電極2及び測定電極
31、32,41,42を直交方向に移動しながら印加電流に所定
周波数の交流電圧を印加し、各移動方向の測線に沿って
測定電極31、32,41,42間の電位傾度を連続的に測定し、
直交測線をX,Y軸としてこれに各測線上で測定された電
位傾度のピーク点を求め、このピーク点の座標から漏水
位置を検知することにより、水深の大きな貯水池におい
ても規模の小さい測定装置を用いて、測定点を少なくし
て短時間で正確に漏水位置を検知することが可能とな
る。
と、第1,2図はこの発明の測定原理及び装置の概要を示
したもので、貯水池の水面上に移動自在に浮べたフロー
ト1に印加電極2及びその四周に測定電極31、32,41,42
を水没させて設置し、これらに通電する通電兼測定装置
5を地上に設置し、また貯水池の遮水膜6の外部の水底
地盤に所定範囲(水深により異なるが、例えば300m〜10
00m四方)を1ブロックとして各ブロック毎にその中心
に1個づつ固定電極7を設置する。
しくは低周波)の交流電圧を印加した際に、漏水個所が
無い場合において固定電極7を設置した水底に向って放
射方向に均等に所定周波数の交流電流を放電するように
構成したもので、好ましくは円盤型又は球面型電極が用
いられる。
検出する位置において、この印加電極2の位置を中心O
とするX,Y座標のX軸及びY軸上にそれぞれ中心Oに対
称に設置されている。
次元方向に対設された3X1,3Y1,3Z1,3X2,3Y2,3Z2,4X1,4Y
1,4Z1,4X2,4Y2,4Z2,の各3組の電極が配置され、各ベク
トル成分の電位を検出するようになっている。
浮ぶように適当な浮力材で覆い、また固定電極7の帰還
ケーブル9は地盤に埋設して設置する。
定する方法について説明する。
は、第3図に示すように印加電極2から遮水膜6に向っ
て流れる電流分布のパターンは印加電極2を中心として
放射方向に均等になり、測定電極31,32,41,42のX,Y,Z方
向に対設された各電極により検出される各電位の値はほ
ぼ等しく(極性は異なる)、それらの電位傾度(対設電
極間の電位差)はぼぼ一定となる。
は、第4図に示すように印加電極2から漏水箇所Sに向
って電流集中が生じ、電流分布のパターンは印加電極2
から漏水箇所Sに向って傾倒し、測定電極31,32,41,42
のX,Y,Z方向に対設された各電極により検出される各電
位の値は漏水箇所Sに近い側ほど大きくなり、それらの
電位傾度に変化を生ずることになる。
図に示すようにXY座標を設定し、例えばフロート1をX
方向に移動しながらX成分の電位差を連続的に測定する
と、X座標に表された電位傾度は順次増大してある点X
MAXにおいてピークとなり、そのピーク点から順次減少
する傾向を示すことから、このピーク時のX方向の漏水
位置の座標XMAXが求まり、また同様にフロート1をY方
向に移動しながらY成分の電位差を連続的に測定する
と、Y座標に表された電位傾度は順次増大してある点Y
MAXにおいてピークとなり、そのピーク点から順次減少
する傾向を示すことから、このピーク時のY方向の漏水
位置の座標YMAXが求まることになる。従って、第6図に
示すようにフロート1をX,Y二方向の測線に沿って移動
することにより求めた座標(XMAX,YMAX)の位置から漏
水箇所を正確に検出することができ、このような測定操
作を貯水池全体について各ブロック毎に行うことによ
り、漏水部Sを漏れなく検出することができる。
ば、第7図に示すように測線X−Xに沿ってフロート1
を移動するとき、XMAXは極性の変極点として捕えること
ができ、YMAXは測線X−Xに対して漏水部S側の極性に
突出したピーク点として捕えることができる。
位傾度を測定することによって漏水箇所Sの位置を知る
ことができるが、これと同時にZ方向の電極による電位
傾度の測定結果を加味することによって更に漏水部Sの
位置の正確性を確保することができる。
置5において発振器10からパワーアンプ11を介して印加
電極2に所定周波数の交流電圧を印加し、これから遮水
膜6或いは漏水部Sに向って流れる電流を測定電極31,3
2,41,42により別個に検出し、その出力電流の波形を差
動アンプ12により増幅し、フィルター回路でノイズ成分
などを除去した上で、移相器13より入力した移相波を検
波信号として位相検波回路14において漏水部Sの電流の
波形を検波し、その検波出力をA/Dコンバータ15によりA
/D変換して順次コンピュータ16に入力するように構成さ
れている。
印加電極2から遮水膜6に流れる電流の波形は、漏水部
Sに流れる電流とほぼ90゜位相のずれがあり、漏水部S
が存在する場合に各測定電極31,32,41,42により検出さ
れる電流の波形は両方の合成波であり、しかも検出され
る漏水部Sに流れる電流は遮水膜6に流れる電流に比べ
て局部的で、極く微弱であるため、漏水部Sの検出値と
して判別がやや難しいことから、測定回路、貯水池の水
が有するインピーダンス成分による位相のずれを移相器
13により補正し、検波信号とすることにより、遮水膜6
への電流の位相を打ち消して、位相検波回路14において
漏水部Sへの波形のみとして確実かつ容易に検波し得る
ようにしたものである。
って連続的に測定して得たデーターを座標に表示するこ
とにより、大きな貯水池においても極く短時日で正確か
つ確実に漏水部Sに位置を検知することができると共
に、印加電極2及び測定電極31,32,41,42を水面下の深
い位置に設置することにより、水深の深い貯水池におい
ても確実に検知することが可能である。
てもよく、また場合によっては二組のものをX,Y方向の
測線毎に方向を変更して測定することも可能である。
ート1に対して上下に昇降自在に設置し、水深の大小に
自在に対応して測定できるようにしてもよい。
在に印加電極及びこの印加電極に対してその周囲に対称
に複数の測定電極を設置し、また貯水池の遮水膜の外部
の水底地盤に固定電極を設置し、この印加電極及び測定
電極を直交方向に移動しながら印加電流に所定周波数の
交流電圧を印加し、各移動方向の測線に沿って測定電極
間の電位傾度を連続的に測定し、直交測線をX,Y軸とし
てこれに各測線上で測定された電位傾度のピーク点を求
め、このピーク点の座標から漏水位置を検知するので、
水深の大きな貯水池においても規模の小さい測定装置を
用いて、測定点及びそのデータ処理を少なくして短時間
で正確に漏水位置を検知することができると共に、水深
が深い場合においても印加電極及び測定電極を深い位置
に設置することにより、検出することが可能となる。
の検波回路において移相器からの移相波を検波信号とす
ることにより、漏水部への微弱な電流と遮水膜への大き
な電流を移相のずれにより分離して検波し、漏水部の電
位傾度値として確実かつ正確なデーターを得ることが可
能となる。
はこの発明の測定装置の要部を示す斜視図、第3図並び
に第4図はこの発明の測定原理における電流分布のパタ
ーンを示す側面図、第5図並びに第6図はこの発明の方
法により得られた測定結果と漏水位置の判定座標との関
係を示す平面図、第7図はこの発明の方法により一測線
に沿って得られた測定結果と漏水位置の関係を示す線
図、第8図はこの発明の測定装置の測定回路の構成を示
すブロック図、第9図はこの発明に係る各種電流の波形
の相関関係を示す線図である。 1……フロート、2……印加電極、 31,32,41,42……測定電極、 5……通電兼測定装置、6……遮水膜、 7……固定電極、8……通電ケーブル、 9……帰還ケーブル、10……発振器、 11……パワーアンプ、12……差動アンプ、 13……移相器、14……位相検波回路、 15……A/Dコンバータ、 16……コンピュータ、S……漏水部。
Claims (2)
- 【請求項1】貯水池の水中に移動自在に印加電極及びこ
の印加電極に対してその周囲に対称に複数の測定電極を
設置し、前記貯水池の遮水膜の外部の水底地盤に固定電
極を設置し、前記印加電極及び測定電極を直交方向に移
動しながら印加電流に所定周波数の交流電圧を印加し、
各移動方向の測線に沿って前記測定電極間の電位傾度を
連続的に測定し、前記直交測線をX,Y軸としてこれに前
記各測線上で測定された電位傾度のピーク点を求め、こ
のピーク点の座標から漏水位置を検知することを特徴と
する貯水池における漏水部の検知方法。 - 【請求項2】貯水池の水中に移動自在に設置した印加電
極と、この印加電極に対してその周囲に対称に対設した
測定電極と、前記貯水池の遮水膜の外部の水底地盤に設
置した固定電極と、前記印加電極に所定周波数の交流電
圧を印加する通電装置と、前記測定電極により検出され
た前記印加電極から遮水膜或いは漏水部に向って流れる
電流の波高を差動アンプにより増幅し、移相器から入力
した移相波を検波信号として位相検波回路において漏水
部の電流の波形を検波し、その検波出力をA/Dコンバー
タによりA/D変換して順次検出するようにした測定器と
から構成してなることを特徴とする貯水池における漏水
部の検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165544A JP2566164B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 貯水池における漏水部の検知方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165544A JP2566164B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 貯水池における漏水部の検知方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0329830A JPH0329830A (ja) | 1991-02-07 |
JP2566164B2 true JP2566164B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=15814397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1165544A Expired - Lifetime JP2566164B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 貯水池における漏水部の検知方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2566164B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3384397B2 (ja) | 2000-05-25 | 2003-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
WO2011089462A1 (en) | 2010-01-21 | 2011-07-28 | Freescale Semiconductor, Inc. Are | Chip damage detection device for a semiconductor integrated circuit |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1165544A patent/JP2566164B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0329830A (ja) | 1991-02-07 |
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