JP2564598B2 - Oxide superconductor and manufacturing method thereof - Google Patents

Oxide superconductor and manufacturing method thereof

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JP2564598B2 JP63079983A JP7998388A JP2564598B2 JP 2564598 B2 JP2564598 B2 JP 2564598B2 JP 63079983 A JP63079983 A JP 63079983A JP 7998388 A JP7998388 A JP 7998388A JP 2564598 B2 JP2564598 B2 JP 2564598B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超伝導体とその製造方法に係わり、特に熱
処理時の成分組成変化を防止した酸化物超伝導体とその
製造方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a superconductor and a method for producing the same, and more particularly to an oxide superconductor which prevents a change in the composition of components during heat treatment and a method for producing the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の酸化物超伝導体の作製技術の内で、スパッタリ
ング法、蒸着法及び溶射法による方法で作製した物質は
そのままでは超伝導特性の発現が困難なため、融点の2
分の1以上の温度で結晶化させる工程を含む熱処理を施
す必要がある。例えば約90Kの臨界温度を持つYBa2Cu3O7
_δ酸化物超伝導体の場合には、J.J.A.P,Vol.26.No11
(1987),PP.A.1907−L1909にも示されるように、900℃
以上1000℃以下の温度範囲に一定時間保持した後徐冷を
行って斜方晶と呼ばれる結晶構造に至らせて、超伝導特
性を発現させている。
Among the conventional oxide superconductor fabrication techniques, materials produced by the sputtering method, vapor deposition method, and thermal spraying method are difficult to develop superconducting properties as they are.
It is necessary to perform a heat treatment including a step of crystallizing at a temperature of one-half or more. For example, YBa 2 Cu 3 O 7 with a critical temperature of about 90K
In the case of _δ oxide superconductor, JJAP, Vol.26.No11
(1987), PP.A.1907-L1909, 900 ℃
After maintaining in the temperature range above 1000 ° C for a certain period of time, it is gradually cooled to reach a crystal structure called an orthorhombic crystal to develop superconducting properties.

またAppl.Phys.Lett.,VoL.51(1987),PP.858−PP.86
0にも示されているように、電子ビーム蒸着によって超
伝導物質を構成する元素をそれぞれ数十nmずつ幾層かに
渡って堆積させ、その後800℃から850℃の温度で熱処理
を行ない。その後1時間に約120℃のゆっくりとした速
度で室温まで冷却することによって超伝導体を作製して
いる。
Appl.Phys.Lett., VoL.51 (1987), PP.858-PP.86
As also shown in 0, the elements constituting the superconducting material are deposited in several layers of several tens of nm by electron beam evaporation, and then heat treatment is performed at a temperature of 800 ° C to 850 ° C. After that, the superconductor is manufactured by cooling to room temperature at a slow rate of about 120 ° C. for 1 hour.

上記のいずれの方法においても、酸素雰囲気中で800
℃から1000℃もの高温に超伝導物質を保持する工程が含
まれるが,この熱処理時に超伝導物質中の金属元素がそ
れぞれの蒸発速度で蒸発してしまい。熱処理の前後で物
質の組成がずれる。特に薄膜のように、その体積に比較
して表面積が非常に大きい場合には、この組成のずれは
深刻である。従来の技術では、熱処理時に蒸発する各元
素の量を試行錯誤で見積って、その分を上乗せした組成
のものを成膜した後、熱処理を施して超伝導体を作製し
ていた。
In any of the above methods, 800
The process involves holding the superconducting material at temperatures as high as ℃ to 1000 ℃, but during this heat treatment, the metal elements in the superconducting material evaporate at their respective evaporation rates. The composition of the material shifts before and after heat treatment. Especially when the surface area is very large compared to the volume, such as a thin film, this compositional deviation is serious. In the conventional technique, the amount of each element that evaporates during heat treatment is estimated by trial and error, a film having a composition in which the amount is added is formed, and then heat treatment is performed to manufacture a superconductor.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

上記従来技術では、熱処理を行なう工程で酸化物超伝
導体を構成する金属元素が蒸発するという点について配
慮がなされておらず、熱処理の条件が変わるたびに出発
の組成を変える必要があり、最終的に最適な組成の超電
導体を得るのに長時間の試行錯誤を要するという問題が
あった。また、蒸発は表面からのみ起こるので、表面か
ら深さ方向に著しい組成のばらつきが存在することに起
因して、最終的に得られた超伝導体の特性が安定せず、
工業的に用いる技術としては実用的でないといった問題
も残されていた。
In the above-mentioned prior art, no consideration is given to the fact that the metal element forming the oxide superconductor evaporates in the step of performing the heat treatment, and it is necessary to change the starting composition every time the heat treatment conditions change. There is a problem that it takes a long time for trial and error to obtain a superconductor having an optimal composition. Also, since evaporation occurs only from the surface, due to the presence of significant compositional variations in the depth direction from the surface, the characteristics of the finally obtained superconductor are not stable,
There was also a problem that it was not practical as a technique used industrially.

本発明の目的は、表面からの各種金属元素の蒸発を防
止して、熱処理前後での組成変化を抑制することにより
安定した超伝導特性を容易に発現できる酸化物超伝導体
とその製造方法を提供することにある。
The object of the present invention is to prevent the evaporation of various metal elements from the surface, to suppress the composition change before and after heat treatment, oxide superconductor that can easily develop stable superconducting properties and its manufacturing method. To provide.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成するために、本発明の酸化物超伝導体
は、基板上に形成された超伝導体構成元素を含む薄膜、
すなわちBi,Sn,CaおよびCuで構成された薄膜上に、該薄
膜と化学反応せず、かつ酸素透過性を有する金属酸化物
からなる被膜を形成した堆積物を前記薄膜の融点の1/2
以上の固相温度範囲で熱処理した後、前記被膜を保持し
て形成したものである。
In order to achieve the above object, the oxide superconductor of the present invention is a thin film containing a superconductor constituent element formed on a substrate,
That is, on a thin film composed of Bi, Sn, Ca, and Cu, a deposit formed by forming a film made of a metal oxide that does not chemically react with the thin film and has oxygen permeability is ½ of the melting point of the thin film.
It is formed by holding the coating film after heat treatment in the above solid-phase temperature range.

そして、酸化物超伝導体の薄膜上に、該薄膜と化学反
応せず、かつ酸素透過性を有する形成する被膜を形成す
るために用いる金属酸化物は、例えば安定化ジルコニア
である。
The metal oxide used for forming a film on the thin film of the oxide superconductor that does not chemically react with the thin film and has oxygen permeability is, for example, stabilized zirconia.

また、本発明の別の酸化物超伝導体は、基板上に形成
された超伝導体構成元素を含む薄膜、すなわちYまたは
希土類、BaおよびCuで構成された薄膜、あるいはbi,Sn,
CaおよびCuで構成された薄膜上に、該薄膜と化学反応せ
ず、かつ、酸素透過性をもたない物質からなる被膜を形
成した堆積物を、前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度
範囲で熱処理した後、前記被膜を除去して、酸素雰囲気
中で、前記薄膜の融点の1/2より低い温度域で保持した
ものである。
Another oxide superconductor of the present invention is a thin film formed on a substrate and containing a superconductor-constituting element, that is, a thin film composed of Y or a rare earth, Ba and Cu, or bi, Sn,
On a thin film composed of Ca and Cu, a deposit formed by forming a film made of a substance that does not chemically react with the thin film and does not have oxygen permeability is used as a solid having a melting point of 1/2 or more of the thin film. After heat treatment in the phase temperature range, the coating film is removed, and the film is held in an oxygen atmosphere at a temperature range lower than 1/2 of the melting point of the thin film.

そして、酸化物超伝導体の薄膜上に、該薄膜と化学反
応せず、かつ酸素透過性をもたない被膜を形成するため
に用いる物質は、MgOがよい。
MgO is preferably used as a substance used for forming a film on the thin film of the oxide superconductor which does not chemically react with the thin film and has no oxygen permeability.

本発明の酸化物超伝導体の製造方法は、基板面上に、
超伝導体構成元素を含む薄膜を形させる第1工程と、前
記薄膜の表面に前記薄膜と化学反応しない安定化ジルコ
ニアからなる被膜を形成して堆積物を作製する第2工程
と、前記堆積物を前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度
範囲で熱処理する第3工程とを具備する方法である。
The method for producing an oxide superconductor according to the present invention comprises:
A first step of forming a thin film containing a superconductor-constituting element, a second step of forming a deposit on the surface of the thin film by forming a film made of stabilized zirconia that does not chemically react with the thin film, and the deposit Is heat-treated in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film.

さらに、その被膜用の金属酸化物としては、MgO又は
安定化ジルコニアが用いられる。
Furthermore, MgO or stabilized zirconia is used as the metal oxide for the coating.

そして、第2工程の被膜が、薄膜を被覆又は密封する
ことにより効果的となる。
Then, the coating in the second step becomes effective by coating or sealing the thin film.

また、第1工程の薄膜は、アモルファス状態であるの
がよい。
Moreover, the thin film in the first step is preferably in an amorphous state.

第1工程で形成される薄膜の金属元素は、Y又は希土
類元素、Ba及びCuで構成され、その組成はY又は稀土類
元素対Ba対Cuがモル比で1対2対3であると効果的であ
る。
The metal element of the thin film formed in the first step is composed of Y or a rare earth element, Ba and Cu, and the composition is effective if the molar ratio of Y or a rare earth element to Ba to Cu is 1: 2: 3. Target.

そして、第1工程で形成される薄膜の金属元素は、B
i,Sr,Ca及びCuで構成されてもよい。
The metal element of the thin film formed in the first step is B
It may be composed of i, Sr, Ca and Cu.

そして、第3工程の熱処理は、700〜1000℃の温度範
囲で、少なくとも1度行うのがよい。
Then, the heat treatment in the third step is preferably performed at least once in the temperature range of 700 to 1000 ° C.

そして、第1工程で形成した薄膜の上に、安定化ジル
コニアの被膜を形成し、700〜1000℃の温度範囲で熱処
理を行った後、その冷却過程で、600〜300℃の温度範囲
を2h以上保持することにより効果的となる。
Then, a film of stabilized zirconia is formed on the thin film formed in the first step, and heat treatment is performed at a temperature range of 700 to 1000 ° C., and then a temperature range of 600 to 300 ° C. is set for 2 hours in the cooling process. It becomes effective by holding the above.

また、第1工程で形成した薄膜上に、MgO、あるいはA
l,Pt,Pd及びNiのうち少なくとも1種からなる被膜を形
成し、700〜1000℃の温度範囲の熱処理を少なくとも一
回行った後、その被膜を除去して、酸素分圧0.1気圧以
上の酸素雰囲気中で300〜600℃の温度範囲で30分以上保
持してもよい。
In addition, MgO or A on the thin film formed in the first step
After forming a film consisting of at least one of l, Pt, Pd and Ni and performing heat treatment at least once in the temperature range of 700 to 1000 ° C., the film is removed and oxygen partial pressure of 0.1 atm or more is applied. You may hold | maintain for 30 minutes or more in the temperature range of 300-600 degreeC in oxygen atmosphere.

本発明の酸化物超伝導体の用途として、金属酸化物か
らなる芯材のまわりに、らせん状に形成された超伝導薄
膜と、被覆物質とを交互に堆積させた構造を有する超伝
導コイルがある。
As an application of the oxide superconductor of the present invention, a superconducting coil having a structure in which a spirally formed superconducting thin film and a coating material are alternately deposited around a core material made of a metal oxide is used. is there.

また、金属酸化物からなる基板上に形成された超伝導
薄膜と、この薄膜上に被覆された被覆物質とからなるウ
エハーを、複数段重ねた構造である超伝導コイルがあ
る。
In addition, there is a superconducting coil having a structure in which a wafer including a superconducting thin film formed on a substrate made of a metal oxide and a coating material coated on the thin film is stacked in a plurality of stages.

〔作用〕[Action]

上記のように構成された酸化物超伝導体においては、
超伝導体構成元素を含む薄膜上に被膜を形成した堆積物
を、前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度範囲で熱処理
すると、被膜はこの薄膜と化学反応を行なわずに、この
薄膜からの金属元素の蒸発を妨げてこの薄膜の組成変化
を抑制し、かつ酸素透過性を有するので、不足する酸素
を補充する。従って、この熱処理により結晶化し、さら
に、酸素を補充された薄膜は安定した超伝導特性を発現
する。
In the oxide superconductor configured as described above,
When a deposit formed by forming a film on a thin film containing a superconductor constituent element is heat-treated in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film, the film does not chemically react with the thin film, Oxygen is supplemented by the lack of oxygen because it prevents the evaporation of metal elements from the film to suppress the compositional change of this thin film and has oxygen permeability. Therefore, the thin film crystallized by this heat treatment and supplemented with oxygen exhibits stable superconducting properties.

そして、上記した超伝導体構成元素を含む薄膜の金属
元素が、Y又は希土類元素、Ba及びCuからなる元素、あ
るいはBi,Sr,Ca及びCuからなる元素、で構成されること
により超伝導特性が有効に発現される。
Then, the metal element of the thin film containing the above-mentioned superconductor-constituting element is composed of Y or a rare earth element, an element consisting of Ba and Cu, or an element consisting of Bi, Sr, Ca and Cu, and thus has a superconducting property. Is effectively expressed.

また、被膜用の物質が、安定化ジルコニアであるのが
よく、熱処理時の金属元素の蒸発を妨げるとともに、酸
素を透過させる。
Further, the substance for the film is preferably stabilized zirconia, which prevents evaporation of the metal element during heat treatment and allows oxygen to permeate.

別の酸化物超伝導体においては、超伝導体構成元素を
含む薄膜上に被膜を形成した堆積物を、前記薄膜の融点
と1/2以上の固相温度範囲で熱処理すると、被膜はこの
薄膜と化学反応を行なわずに、この薄膜からの金属元素
の蒸発を妨げてこの薄膜の組成変化を抑制する。そし
て、この被膜を除去して酸素雰囲気中で、前記薄膜の融
点の1/2より低い温度域で保持するので、不足した酸素
が補充されて、この薄膜は安定した超伝導特性を表現す
る。
In another oxide superconductor, when a deposit formed by forming a film on a thin film containing a superconductor constituent element is heat-treated at a solid phase temperature range of 1/2 or more of the melting point of the thin film, the film becomes the thin film. The chemical composition of the thin film is suppressed by preventing the evaporation of the metal element from the thin film without chemically reacting with the thin film. Then, the film is removed and kept in an oxygen atmosphere at a temperature range lower than 1/2 of the melting point of the thin film, so that the insufficient oxygen is replenished and the thin film exhibits stable superconducting properties.

そして、上記した超伝導体構成元素を含む薄膜の金属
元素が、Y又は希土類元素、Ba及びCuからなる元素、あ
るいはBi,Sr,Ca及びCuからなる元素、で構成されること
により超伝導性が有効に発現される。
The superconductivity of the thin-film metal element containing the above-mentioned superconductor-constituting element is Y or a rare earth element, an element consisting of Ba and Cu, or an element consisting of Bi, Sr, Ca and Cu. Is effectively expressed.

また、被膜用の物質が、MgOであるのがよく、熱処理
中の金属元素の蒸発を妨げる。
Further, the material for the film is preferably MgO, which prevents evaporation of the metal element during heat treatment.

次いで、本発明の酸化物超伝導体の製造方法において
は、製造の第1工程で、超伝導体構成元素を含む薄膜を
基板上に形成し、第2工程でその薄膜上に、その薄膜と
化学反応しない物質からなる被膜を形成して堆積物を作
製し、第3工程で前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度
範囲でその堆積物を熱処理することにより、上記薄膜が
結晶化するとともに、その熱処理時にその薄膜を金属元
素が蒸発するのをその被膜が妨げて薄膜の組成変化を抑
制するので、薄膜全体を均一な目標通りの化学量論組成
とする。この熱処理温度が、超伝導体構成元素を含む薄
膜の融点の1/2未満では、この薄膜の結晶化が十分でな
くなる。
Next, in the method for producing an oxide superconductor of the present invention, a thin film containing a superconductor constituent element is formed on a substrate in the first step of production, and the thin film is formed on the thin film in the second step. The thin film is crystallized by forming a coating film made of a substance that does not chemically react to form a deposit, and heat-treating the deposit in the solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film in the third step. At the same time, the coating prevents vaporization of metal elements in the thin film during the heat treatment and suppresses the composition change of the thin film, so that the entire thin film has a uniform stoichiometric composition as intended. If this heat treatment temperature is less than half the melting point of the thin film containing the superconductor-constituting element, the crystallization of this thin film will be insufficient.

そして、第2工程で形成する被膜は、金属酸化物とす
れば、上述の機能を有する。
Then, the film formed in the second step has the above-mentioned function if it is made of a metal oxide.

その金属酸化物としてはMgO又は安定化ジルコニアを
用いるのが効果的である。
It is effective to use MgO or stabilized zirconia as the metal oxide.

また、第2工程の被膜が、薄膜を被覆又は密封して形
成されてもよい。
Further, the coating film of the second step may be formed by coating or sealing a thin film.

そして、第1工程の薄膜がアモルファス状態であるの
がよい。
Then, the thin film in the first step is preferably in an amorphous state.

そして、第1工程で形成される薄膜の金属元素は、Y
又は希土類元素、Ba及びCuで構成され、その薄膜の組成
はY又は希土類元素対Ba対Cuをモル比で1対2対3とす
ることにより効果的となる。
The metal element of the thin film formed in the first step is Y
Alternatively, it is composed of a rare earth element, Ba and Cu, and the composition of the thin film becomes effective when the molar ratio of Y or the rare earth element to Ba to Cu is 1: 2: 3.

また、第1工程で形成される薄膜の金属元素は、Bi,S
r,Ca及びCuで構成されても効果的である。
The metal element of the thin film formed in the first step is Bi, S
It is also effective to be composed of r, Ca and Cu.

そして、第3工程の熱処理は700〜1000℃の温度範囲
で行うのがよい。熱処理温度が70℃未満では、第1工程
で形成された超伝導体構成元素を含む薄膜の金属原子が
拡散して完全に結晶化することが十分に行なわれず、10
00℃を越えると超伝導特性を有する金属酸化物の元素構
成が分解して、十分な超伝導特性が得られなくなる。ま
た、この熱処理は1回以上行うのが効果的である。
Then, the heat treatment in the third step is preferably performed in the temperature range of 700 to 1000 ° C. If the heat treatment temperature is lower than 70 ° C., the metal atoms of the thin film containing the superconductor-constituting element formed in the first step are not sufficiently diffused and completely crystallized.
If the temperature exceeds 00 ° C, the elemental composition of the metal oxide having superconducting properties is decomposed and sufficient superconducting properties cannot be obtained. Further, it is effective to perform this heat treatment once or more.

また、第1工程で形成した薄膜上に、安定化ジルコニ
アの被膜を形成する場合は、これらの物質は酸素の透過
性が良いため、700〜1000℃で熱処理した後、その冷却
過程で600〜300℃の温度範囲を2h以上保持することによ
っても、被膜を通して酸素が薄膜に供給されるので、均
一な目標通りの化学量論組成とする。このとき、600℃
を越えて保持すると金属元素が蒸発する可能性があり、
また、300℃未満では酸素の供給量が低下する。この温
度範囲に保持する時間が2h未満では、酸素供給量が不足
することがある。
Also, when forming a film of stabilized zirconia on the thin film formed in the first step, since these substances have good oxygen permeability, after heat treatment at 700 to 1000 ℃, 600 ~ Even if the temperature range of 300 ° C. is maintained for 2 hours or more, oxygen is supplied to the thin film through the film, so that the stoichiometric composition is uniform as intended. At this time, 600 ℃
If held over, the metal element may evaporate,
On the other hand, if the temperature is lower than 300 ° C, the amount of oxygen supplied decreases. If the time of holding in this temperature range is less than 2 hours, the oxygen supply amount may be insufficient.

そして、第1工程で形成した薄膜上に、MgO、あるい
はAu,Pt,Pd及びNiのうち少なくとも1種からなる薄膜を
形成する場合は、これらの物質は酸素の透過性がよくな
いので、700〜1000℃の温度範囲で熱処理を少なくとも
1回行なって完全な結晶化を行なわせても、薄膜中の酸
素が不足するため良好な超伝導特性を示さないことがあ
る。従って、この熱処理の後にこの被膜を除去して、酸
素分圧0.1気圧以上の酸素雰囲気中で300〜600℃の温度
範囲で30分以上保持することにより、薄膜の金属成分組
成を変化させずに酸素を供給することが出来るので、均
一な目標通りの化学量論組成となる。酸素雰囲気の酸素
分圧が0.1気圧未満では、薄膜への酸素供給が十分でな
く、また、300〜600℃の温度範囲に保持する時間が30分
未満でも酸素供給が十分でない。また、600℃を越える
と、薄膜の金属が蒸発する可能性があり、300℃未満で
は酸素供給量が低下する。
When a thin film formed of MgO or at least one of Au, Pt, Pd and Ni is formed on the thin film formed in the first step, since these substances have poor oxygen permeability, 700 Even if the heat treatment is performed at least once in the temperature range of up to 1000 ° C. for complete crystallization, oxygen may not be sufficient in the thin film, so that good superconducting properties may not be exhibited. Therefore, by removing this coating after this heat treatment and holding it in an oxygen atmosphere with an oxygen partial pressure of 0.1 atm or higher in the temperature range of 300 to 600 ° C for 30 minutes or more, the metal component composition of the thin film is not changed. Since oxygen can be supplied, a uniform stoichiometric composition as intended can be obtained. When the oxygen partial pressure of the oxygen atmosphere is less than 0.1 atm, oxygen is not sufficiently supplied to the thin film, and even when the temperature is kept in the temperature range of 300 to 600 ° C. for less than 30 minutes, oxygen is not sufficiently supplied. If the temperature exceeds 600 ° C, the metal of the thin film may evaporate, and if the temperature is lower than 300 ° C, the oxygen supply amount decreases.

次に、本発明の酸化物超伝導体の用途については、金
属酸化物からなる芯材のまわりに、らせん状に形成され
た超伝導薄膜と、被覆物質とを交互に堆積させた構造と
なった超伝導コイルであって、臨界温度以下では超伝導
特性を有する。
Next, for the use of the oxide superconductor of the present invention, a superconducting thin film formed in a spiral shape and a coating material are alternately deposited around a core material made of a metal oxide. A superconducting coil, which has superconducting characteristics at a critical temperature or lower.

また、金属酸化物からなる基板上に形成された超伝導
特性を有する薄膜と、この薄膜上に被覆された被覆物質
とからなるウエハを、複数段積重ねた構造である超伝導
コイルであって、臨界温度以下で超伝導特性を有する。
A thin film having superconducting properties formed on a substrate made of a metal oxide, and a wafer made of a coating material coated on the thin film, a superconducting coil having a structure in which a plurality of layers are stacked, It has superconducting properties below the critical temperature.

〔実施例〕〔Example〕

本発明は、基板上に形成された超伝導体構成元素を含
む薄膜上に、その薄膜と化学反応しない物質からなる被
膜を形成した堆積物を、熱処理して、その熱処理中にこ
の被膜から金属元素が蒸発するのを防止し、その組成変
化を抑制することにより、安定した超伝導特性を発現さ
せた酸化物超伝導体とその製造方法である。
The present invention heat-treats a deposit formed by forming a coating film made of a substance that does not chemically react with the thin film on a thin film containing a superconductor constituent element formed on a substrate, and depositing a metal from the coating film during the heat treatment. An oxide superconductor that exhibits stable superconducting properties by preventing the element from evaporating and suppressing its compositional change, and a method for producing the same.

また特に、酸化物超伝導体がR−Ba−Cu−O系(R
は、Y又は次に示す希土類元素:Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,
Tm,Yb,Lu,La)である場合には、この構成元素の金属が
蒸発するのを防止する被膜を形成した状態で、700℃以
上1000℃以下の温度範囲で熱処理を行う。この時、被膜
が安定化ジルコニア、あるいはAgである場合には、酸素
を透過するので、酸素雰囲気下でゆっくりと冷却するだ
けの処理で、また被膜がMgO,Au,Pt,PdあるいはNiである
場合には、この被膜を除去した後に300℃以上、600℃以
下の温度範囲に30分以上保持する処理によって、更に特
性の良い酸化物超伝導体を得ることができる。
In particular, the oxide superconductor is an R-Ba-Cu-O-based (R
Is Y or the following rare earth elements: Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er,
In the case of Tm, Yb, Lu, La), heat treatment is performed in a temperature range of 700 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower in a state in which a film that prevents the metal of the constituent elements from evaporating is formed. At this time, when the coating is stabilized zirconia or Ag, it allows oxygen to permeate, so it is a treatment of only slow cooling in an oxygen atmosphere, and the coating is MgO, Au, Pt, Pd or Ni. In this case, an oxide superconductor with better characteristics can be obtained by removing the coating film and then holding it in a temperature range of 300 ° C. or higher and 600 ° C. or lower for 30 minutes or longer.

また、酸化物超伝導体の元素構成が、前述のR−Ba−
Cu−O系以外の場合でも同様な効果が得られることが確
認できた。
In addition, the elemental composition of the oxide superconductor is the above-mentioned R-Ba-
It was confirmed that the same effect can be obtained even in the case of other than Cu-O type.

まず、R−Ba−Cu−O系の酸化物超伝導体は、RがY
の場合、その組成がYBa2Cu3O7_δ(0≦δ≦1)で表わ
され、酸化欠損三重ペロブスカイト結晶構造を持ってい
る。その含有酸素量、結晶構造のわずかな変化が超伝導
特性に大きな影響を与える為、最も良好な特性を持つ超
伝導体を作製するには、Y,Ba,Cuのモデ比を1:2:3に厳密
にコントロールすると共に、酸素の含有量を0≦δ≦0.
3の範囲に制御し、かつ完全な結晶化を行わせる必要が
ある。
First, in the R-Ba-Cu-O-based oxide superconductor, R is Y
In the case of, the composition is represented by YBa 2 Cu 3 O 7 _δ (0 ≦ δ ≦ 1) and has an oxidation-defective triple perovskite crystal structure. A slight change in the oxygen content and crystal structure has a great influence on the superconducting properties, so to make a superconductor with the best properties, the mode ratio of Y, Ba, Cu is 1: 2: Strictly control to 3 and oxygen content 0 ≦ δ ≦ 0.
It is necessary to control within the range of 3 and to perform complete crystallization.

一方、ここまでスパッタリング法、蒸着法、溶射法な
どの方法によって、Y,Ba,Cuの比が1:2:3に近い物質を作
製しても、成膜したままでは超伝導特性は発現されない
か、または超伝導特性を示しても臨界温度が低い等、安
定した超伝導特性が得られなかった。この原因は、成膜
したままでは超伝導特性を得るに必要な上記の条件、特
に完全な結晶化を満足していないためである。
On the other hand, even if a material with a Y, Ba, Cu ratio close to 1: 2: 3 is produced by such a method as sputtering, vapor deposition, or thermal spraying, the superconducting properties will not be manifested when the film is formed. Or, even if it showed superconducting properties, stable superconducting properties could not be obtained, such as a low critical temperature. The reason for this is that the above-mentioned conditions necessary for obtaining superconducting properties, especially complete crystallization, are not satisfied when the film is formed.

そこで、成膜後、超伝導体構成元素を含む物質の中を
Y,Ba,Cuの原子が拡散して完全に結晶化できる温度以上
で、かつ、Y Ba2Cu3O7_δが分解する温度以下の温度範
囲で熱処理を行って、結晶中のY,Ba,Cu原子の配列を完
全に規則化させてやる必要がある。一般にこの温度範囲
は700℃から1000℃の範囲であることが知られている
が、このような高い温度で熱処理を行うと、この物質の
表面から構成元素の蒸発、特にCuが蒸発してゆくことも
また良く知られた事実である。
Therefore, after film formation, in the substance containing the superconductor constituent elements,
Heat treatment is performed at a temperature above the temperature at which Y, Ba, and Cu atoms can be diffused and completely crystallized, and below the temperature at which Y Ba 2 Cu 3 O 7 _δ decomposes, and Therefore, it is necessary to completely regularize the arrangement of Cu atoms. It is generally known that this temperature range is from 700 ° C to 1000 ° C, but when heat treatment is performed at such a high temperature, the constituent elements evaporate, especially Cu evaporates from the surface of this substance. This is also a well-known fact.

そこで、表面からの構成元素の蒸発を防止する為に、
表面に被膜を形成した状態で熱処理する方法を考え、そ
の被膜物質の特性として超伝導体との化学反応性の低
さ、熱膨張係数の近さの2点に着目して、被膜物質の検
討を進めた。その結果、最終的に安定化ジルコニア,Mg
O,Ag,Au,Pt,PdあるいはNiが、被膜物質として上記の条
件を満足することを発見し、その被膜の厚さは10nm以
上、10μm以下であることが好ましいという結論を得
た。
Therefore, in order to prevent evaporation of the constituent elements from the surface,
Considering the method of heat treatment with the film formed on the surface, the properties of the film material are examined by focusing on two points: low chemical reactivity with superconductor and close thermal expansion coefficient. Advanced. As a result, finally stabilized zirconia, Mg
It was discovered that O, Ag, Au, Pt, Pd or Ni satisfies the above conditions as a coating material, and it was concluded that the thickness of the coating is preferably 10 nm or more and 10 μm or less.

前述のように、超伝導物質がYBa2Cu3O7_δである場
合、良好な超伝導特性を発現させる為にはδの値が0≦
δ≦0.3であることが必要であるが、700℃以上の高温に
おいてはδの値は0.4よりも大きくなり、酸素を吸収で
きない状態でY Ba2Cu3O7_δをこの温度範囲より冷却す
ると、超伝導特性が悪くなる。従って、酸素の透過性の
良くないMgO,Au,Pt,PdあるいはNiを被膜として用いた場
合、700℃以上の温度で、熱処理して完全に結晶化を行
わせて、その後徐冷あるいは低目の温度で熱処理を行っ
て、酸素以外の化学量論組成の変化を抑制しても超伝導
特性が良好でないことも多い。しかしこの場合には、完
全に結晶化を行わせた後、被膜を除去し、組成に影響を
及ぼさない低温で酸素供給のための熱処理を行うことに
よって、特性の良い超伝導体を安定して得ることができ
る。一方、被膜に安定化ジルコニア、あるいはAgを用い
た場合は、これらの物質は酸素の透過性が良いため、70
0℃以上の温度で、熱処理した後、そのままゆっくりと
冷却するだけで、良好な特性を持つ超伝導体を得ること
ができる。
As described above, when the superconducting material is YBa 2 Cu 3 O 7 _δ, the value of δ is 0 ≦ in order to exhibit good superconducting properties.
It is necessary that δ ≦ 0.3, but at a high temperature of 700 ° C. or higher, the value of δ becomes larger than 0.4, and if Y Ba 2 Cu 3 O 7 _δ is cooled below this temperature range while it cannot absorb oxygen. , The superconducting property becomes worse. Therefore, when MgO, Au, Pt, Pd or Ni, which has poor oxygen permeability, is used as a film, it is heat-treated at a temperature of 700 ° C or higher for complete crystallization and then slowly cooled or low-temperature. In many cases, the superconducting property is not good even if the heat treatment is performed at the temperature of 1 to suppress the change of the stoichiometric composition other than oxygen. However, in this case, after completely crystallizing the film, the film is removed, and heat treatment for oxygen supply is performed at a low temperature that does not affect the composition to stabilize the superconductor with good characteristics. Obtainable. On the other hand, when stabilized zirconia or Ag is used for the coating, these substances have good oxygen permeability, so 70%
After heat-treating at a temperature of 0 ° C. or higher, it is possible to obtain a superconductor having good characteristics simply by slowly cooling it.

以下に、本発明の実施例の詳細について、第1図〜第
4図により説明する。
The details of the embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

第1実施例 本発明に係わる、酸化物超伝導体の基本的な断面構成
を第1図に示す。基板1はMgO単結晶からなり、その上
に形成された超伝導薄膜2は、Y1Ba2Cu3O7_δであっ
て、δは0〜1である。その薄膜2の上に、形成された
被膜3は安定化ジルコニア(YSZ)である。
First Embodiment FIG. 1 shows the basic sectional structure of an oxide superconductor according to the present invention. The substrate 1 is made of MgO single crystal, and the superconducting thin film 2 formed thereon is Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7 —δ, and δ is 0 to 1. The coating 3 formed on the thin film 2 is stabilized zirconia (YSZ).

基板1を兼ねたMgO被覆層は、5mm×20mm×0.5mmの大
きさのMgO単結晶を用いており、(100)面を出してい
る。
The MgO coating layer also serving as the substrate 1 uses a MgO single crystal having a size of 5 mm × 20 mm × 0.5 mm, and has a (100) plane.

Y1Ba2Cu3O7_δ膜は、Y,Ba,Cuの酸化物の混合体のター
ゲットを用いたスパッタリング法で、加速電圧2KV,Arガ
ス1.0×-2torrの条件下で作製し、膜厚は5μmとし
た。
The Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7 _δ film is formed by a sputtering method using a target of a mixture of Y, Ba, and Cu oxides, under the conditions of an accelerating voltage of 2 KV and an Ar gas of 1.0 × -2 torr. The film thickness was 5 μm.

MgO膜は上述と同様の条件で、安定化ジルコニア焼結
体ターゲットを用いてスパッタ法により作製し、膜厚は
0.2μmとした。
The MgO film was formed by the sputtering method using a stabilized zirconia sintered body target under the same conditions as above, and the film thickness was
It was 0.2 μm.

また、熱処理前後での組成のずれを調べるために、全
く同じサンプルを3つ作製した。そのうちの1つはその
まま、ICPSによる組成分析を行ない(サンプルA)他の
2つは、酸素気流中で900℃、1時間の熱処理を行な
い、そのまま炉中で1時間に50℃の冷却速度で室温まで
冷却した。そして1つはICPSによる組成分析を行ない
(サンプルB)、最後の1つは、安定化ジルコニアの膜
を取り除いた後、通常の4端子法により電気抵抗の測定
を行った(サンプルC)。
In addition, three identical samples were prepared in order to examine the compositional shift before and after the heat treatment. One of them was used for composition analysis by ICPS as it was (Sample A) and the other two were subjected to heat treatment at 900 ° C for 1 hour in an oxygen stream and then left in the furnace at a cooling rate of 50 ° C for 1 hour. Cooled to room temperature. Then, one was subjected to composition analysis by ICPS (Sample B), and the last one was to measure the electric resistance by a usual four-terminal method after removing the film of stabilized zirconia (Sample C).

なお、ICPSは、高周波誘導結合プラズマ発光分析器で
あって、試料中の分析対象元素をプラズマ状態で発光さ
せて得られる原子スペクトルの波長から、その元素の種
類と含有量を分析する装置であって、無機物の微量分析
に好適なものである。
Note that ICPS is a high-frequency inductively coupled plasma optical emission analyzer, which is a device for analyzing the type and content of an element to be analyzed in a sample from the wavelength of an atomic spectrum obtained by emitting light in a plasma state. Therefore, it is suitable for trace analysis of inorganic substances.

第1表にサンプルA、サンプルBのI.C.P.S分析結果
より求めたY,Ba,Cuのモル比を示した。
Table 1 shows the molar ratios of Y, Ba and Cu obtained from the ICPS analysis results of sample A and sample B.

本発明による方法によって、熱処理の前後での組成の
ずれがなくなることがわかる。またサンプルCの電気抵
抗を測定した結果、このサンプルの電気抵抗は92Kで急
激に減少し始め、87Kで抵抗はOオームとなった。
It can be seen that the method according to the invention eliminates compositional deviations before and after heat treatment. Further, as a result of measuring the electric resistance of the sample C, the electric resistance of this sample started to decrease rapidly at 92K and became O ohm at 87K.

第2実施例 厚さ0.1mm、幅5mm、長さ30mmの銀のテープの上にスパ
ッタリング法によって、Y,Ba,Cuをその組成比がモル比
で1:2:3になるようにアモルファス状態で厚さ5μmの
膜状に堆積させ、その上にさらに、スパッタリング法に
よって厚さ1μmのAgの膜をつけた。これを純酸素気流
中で、900℃、1時間アニールし、その後1時間に50℃
の冷却速度で室温にまで冷却した。この試料を通常の4
端子法で電気抵抗を測定したところ、91Kで急激に抵抗
が減少しはじめ、86KでOオームになった。
Second Embodiment A sputtering method is used to deposit Y, Ba, and Cu on a silver tape having a thickness of 0.1 mm, a width of 5 mm, and a length of 30 mm in an amorphous state such that the composition ratio thereof is 1: 2: 3 in a molar ratio. Was deposited in the form of a film having a thickness of 5 .mu.m, and an Ag film having a thickness of 1 .mu.m was further formed thereon by a sputtering method. This is annealed in a pure oxygen stream for 1 hour at 900 ° C and then 50 ° C for 1 hour.
It cooled to room temperature at the cooling rate of. This sample is a normal 4
When the electric resistance was measured by the terminal method, the resistance began to decrease rapidly at 91K and became O ohm at 86K.

第3実施例 MgO単結晶基板上に、Ln,Ba,Cuの酸化物の混合体のタ
ーゲットを用いたスパッタリング法によって、Ln,Ba,Cu
の組成比がモル比で1:2:3であるようなアモルファス状
の膜を5μm堆積させ、さらにその上にスパッタリング
法によってMgOの膜を厚さ0.1μm堆積させた。(ここで
Lnは、Y,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Laである)。
Third Example Ln, Ba, Cu was formed on a MgO single crystal substrate by a sputtering method using a target of a mixture of oxides of Ln, Ba, Cu.
An amorphous film having a composition ratio of 1: 2: 3 was deposited to a thickness of 5 μm, and a MgO film was deposited thereon to a thickness of 0.1 μm by a sputtering method. (here
Ln is Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La).

これを酸素気流中、900℃で1時間保持し、1時間に1
00℃の冷却速度で室温まで冷却した。その後、最上層の
MgO膜を除去し、次いで純酸素気流中、400℃で3時間保
持した後、3時間で室温で冷却した。
Hold this in an oxygen stream at 900 ° C for 1 hour, and
It cooled to room temperature at the cooling rate of 00 degreeC. Then the top layer
The MgO film was removed, and then kept at 400 ° C. for 3 hours in a pure oxygen stream, and then cooled at room temperature for 3 hours.

この試料の電気抵抗を通常の4端子法で測定して求め
た臨界温度(抵抗0オームになる温度)を、第2表にま
とめて示す。
Table 2 shows the critical temperatures (temperatures at which the resistance becomes 0 ohm) obtained by measuring the electrical resistance of this sample by the ordinary four-terminal method.

測定結果は、65〜87Kと良好な値を示す。 The measurement result shows a good value of 65 to 87K.

第4実施例 第1実施例に示したのと同様の条件でMgO単結晶基板
の上にアモルファス状態のY1Ba2Cu3O7_δを5μm堆積
し、これを種々の物質で被覆して熱処理を行なった結果
を第3表に示す。
Fourth Example Under the same conditions as those of the first example, 5 μm of Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7 — δ in an amorphous state was deposited on a MgO single crystal substrate, and this was coated with various substances. The results of the heat treatment are shown in Table 3.

熱処理パターンAは、被覆を付けたままの状態で昇温
速度200℃/hで加熱し、900℃で1時間の保持を行ない。
その後50℃/hの降温速度で、室温まで冷却する熱処理方
法を示す。熱処理パターンBは、熱処理パターンAを施
した後被覆を除去し、昇温速度200℃/hで600℃にまで加
熱しすぐに冷却を始め、100℃/hの冷却速度で室温まで
冷却する熱処理方法を示す。ただし熱処理時の雰囲気は
純酸素1気圧とした。また熱処理前後の組成のずれは、
熱処理後の膜の組成をICPS分析の結果YBaxCuyO7_δと表
わした時の(|3−y|/3)+100の値で示し、臨界温度は
通常の4端子法で電気抵抗の測定を行ない、抵抗が0に
なった時の温度を示している。
In the heat treatment pattern A, the coated film is heated at a heating rate of 200 ° C./h and kept at 900 ° C. for 1 hour.
Then, a heat treatment method of cooling to room temperature at a temperature decrease rate of 50 ° C./h is shown. The heat treatment pattern B is a heat treatment in which the coating is removed after the heat treatment pattern A is applied, the temperature is raised to 600 ° C. at a heating rate of 200 ° C./h, cooling is immediately started, and the cooling is performed to room temperature at a cooling rate of 100 ° C./h. Show the method. However, the atmosphere during the heat treatment was 1 atm of pure oxygen. Also, the difference in composition before and after heat treatment is
The composition of the film after heat treatment is represented by the value of (| 3-y | / 3) +100 when it is expressed as YBaxCuyO 7 _δ as a result of ICPS analysis, and the critical temperature is measured by the ordinary four-terminal method to measure the electric resistance. It shows the temperature when the resistance becomes zero.

第5実施例 Bi2O3,CaO,SrO,CuO混合紛を焼き固めたターゲットを
用いて、第1実施例に示したのと同様のスパッタ条件
で、MgO単結晶基板上にアモルファス状のBiSrCaCu2を2
μm堆積させ、その上部を安定化ジルコニアの0.2μm
の膜で覆い、大気中880℃で1時間保持し、その後、50
℃/hの冷却速度で室温にまで冷却した。その膜の電気抵
抗を、通常の4端子法で測定したところ、78Kで抵抗が
零になった。
Fifth Example Using a target obtained by baking and hardening a mixed powder of Bi 2 O 3 , CaO, SrO and CuO, the amorphous BiSrCaCu was formed on the MgO single crystal substrate under the same sputtering conditions as those shown in the first example. Two to two
μm deposited and 0.2μm of stabilized zirconia on top
And keep it in the air at 880 ℃ for 1 hour, then 50
It was cooled to room temperature at a cooling rate of ° C / h. When the electric resistance of the film was measured by the usual four-terminal method, the resistance became zero at 78K.

第6実施例 直径1cm、長さ3cmの安定化ジルコニア円筒を用いて、
第2A〜2E図に示すような手順で超伝導コイルを作製し
た。
Sixth Example Using a stabilized zirconia cylinder having a diameter of 1 cm and a length of 3 cm,
A superconducting coil was manufactured by the procedure shown in FIGS. 2A to 2E.

第2A図の回転させた円筒状の芯材8の外周上に、第1
実施例に示したのと同様の条件で、第2B図に示すように
アモルファス状のYBa2Cu3O7_δの膜4を堆積させ、さら
にその上にAgの被膜3を5μm堆積させる。その後、第
2D図に示すように、YBa2Cu3O7_δ層の膜4とAg層の被膜
3がコイルを形成するようにこの複合層の一部分を除去
し、その上からスパッタリング法によって第2E図に示す
ように、安定化ジルコニアを堆積させる以上の工程を1
サイクルとして、これを3サイクル行った。その後この
コイルを1気圧の酸素気流中で、900℃にて1時間の熱
処理を行ない10℃/hの冷却速度で室温にまで冷却し、超
伝導コイルを得た。この超伝導コイルを液体チッ素で77
Kにい冷却し電流を流したところ、0.1Aまで超伝導電流
が流れた。第4図にこのコイルの概観を示しておく。第
4A図は透視図、第4B図は断面図である。
On the outer circumference of the rotated cylindrical core member 8 in FIG.
Under the same conditions as those shown in the embodiment, an amorphous YBa 2 Cu 3 O 7 — δ film 4 is deposited as shown in FIG. 2B, and an Ag film 3 is further deposited thereon to a thickness of 5 μm. Then the
As shown in the 2D figure, a part of this composite layer is removed so that the YBa 2 Cu 3 O 7 _δ layer film 4 and the Ag layer film 3 form a coil. As shown, the above steps of depositing stabilized zirconia
As a cycle, this was repeated 3 times. Then, this coil was heat-treated at 900 ° C. for 1 hour in an oxygen stream of 1 atm and cooled to room temperature at a cooling rate of 10 ° C./h to obtain a superconducting coil. This superconducting coil is made of liquid nitrogen 77
When cooled in K and passed a current, a superconducting current flowed to 0.1 A. An overview of this coil is shown in FIG. First
FIG. 4A is a perspective view and FIG. 4B is a sectional view.

第7実施例 第3A〜3C図に示すように直径2cmの安定化ジルコニア
の基板1の上にYBa2Cu3O7_δの薄膜2を形成し安定化ジ
ルコニアを用いて被膜3とし、第6実施例に準じた方法
でウエハを作製し、これを3枚重ねたものを、酸素気流
中900℃で1時間熱処理し、その後、10℃/hの冷却速度
で室温まで冷却した。
Seventh Example As shown in FIGS. 3A to 3C, a thin film 2 of YBa 2 Cu 3 O 7 — δ was formed on a substrate 1 of stabilized zirconia having a diameter of 2 cm, and a film 3 was formed using the stabilized zirconia, Wafers were produced by the method according to the example, and three wafers were stacked and heat-treated in an oxygen stream at 900 ° C. for 1 hour, and then cooled to room temperature at a cooling rate of 10 ° C./h.

この超伝導コイル中の超伝導体特性を有する薄膜は、
厚さ5μmで幅1mmとしたが、77Kにおいては超伝導コイ
ルは0.2Aの超伝導電流を流せた。
The thin film having superconducting properties in this superconducting coil is
The thickness was 5 μm and the width was 1 mm, but at 77K, the superconducting coil could pass a superconducting current of 0.2A.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は、以上説明したように、構成されているの
で、以下に記載されるような効果を奏する。この酸化物
超伝導体は、超伝導体構成元素を含む薄膜上に、被膜を
形成して熱処理されて形成されたものであり、この被膜
が熱処理中に薄膜から構成元素の金属が蒸発するのを防
止して薄膜の組成変化を抑制し、かつ、酸素を透過させ
て薄膜の酸素の不足分を補充させるので、安定した超伝
導特性を容易に発現できる。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. This oxide superconductor is formed by forming a film on a thin film containing a superconductor constituent element and heat-treating the film, and the metal of the constituent element evaporates from the thin film during the heat treatment. To suppress the change in the composition of the thin film and to permeate oxygen to supplement the shortage of oxygen in the thin film, so that stable superconducting properties can be easily expressed.

そして、超伝導体構成元素を含む薄膜は、Y又は希土
類元素、Ba及びCuで構成されたもの、あるいはBi,Sr,Ca
及びCuで構成されたものであっても、超伝導特性を発現
できる。
And, the thin film containing the superconductor constituent element is composed of Y or a rare earth element, Ba and Cu, or Bi, Sr, Ca.
Even if it is composed of Cu and Cu, superconducting properties can be exhibited.

また、上記被膜の物質が、安定化ジルコニアであれ
ば、熱処理中の上記薄膜からの金属の蒸発を防止し、酸
素を透過させて薄膜の酸素不足分を補充させるので、安
定した超伝導特性を発現させることができる。
Further, if the material of the coating is stabilized zirconia, it prevents evaporation of the metal from the thin film during heat treatment and allows oxygen to permeate to replenish the oxygen deficiency of the thin film, thus providing stable superconducting properties. Can be expressed.

別の酸化物超伝導体は、超伝導体構成元素を含む薄膜
上に、被膜を形成して熱処理されて形成されたものであ
り、この被膜が、熱処理中に薄膜から構成元素の金属が
蒸発するのを防止して薄膜の組成変化を抑制し、かつ、
熱処理後この被膜を除去して薄膜に酸素が補充されるの
で、安定した超伝導特性を容易に発現できる。
Another oxide superconductor is formed by forming a film on a thin film containing superconductor constituent elements and heat-treating the film. To suppress the change in the composition of the thin film, and
After the heat treatment, the film is removed and the thin film is supplemented with oxygen, so that stable superconducting properties can be easily exhibited.

そして超伝導体構成元素を含む薄膜は、Y又は希土類
元素、Ba及びCuで構成されたもの、あるいはBi,Sr,Ca及
びCuで構成されたものであっても、超伝導特性を発現で
きる。
The thin film containing the superconductor-constituting element can exhibit superconducting properties even if it is made of Y or a rare earth element, Ba and Cu, or Bi, Sr, Ca and Cu.

また、上記被膜の物質が、MgOであれば、熱処理中の
上記薄膜からの金属の蒸発を防止するので、安定した超
伝導特性を発現させることができる。
Further, when the substance of the coating film is MgO, the evaporation of the metal from the thin film during the heat treatment is prevented, so that stable superconducting properties can be exhibited.

次に、この酸化物超伝導体の製造方法は、基板上に薄
膜を形成させる第1工程と、この薄膜の上に被膜を形成
して堆積物を作製する第2工程と、この堆積物を熱処理
する第3工程とを具備する方法であって、この熱処理に
より前記薄膜が結晶化し、さらに、前記被膜が熱処理中
の薄膜からの金属の蒸発を防止することにより薄膜の組
成変化を抑制するので、薄膜全体の均一な目標通りの化
学量論組成とし、従って、安定した酸化物超伝導体を容
易に製造することができる。
Next, this oxide superconductor manufacturing method comprises a first step of forming a thin film on a substrate, a second step of forming a film on the thin film to produce a deposit, and a step of depositing the deposit. A third step of heat treatment, the heat treatment crystallizes the thin film, and further, the coating prevents evaporation of metal from the thin film during heat treatment, thereby suppressing a change in composition of the thin film. The uniform stoichiometric composition of the thin film as a whole is achieved, and thus a stable oxide superconductor can be easily manufactured.

そして、第2工程で形成する被膜は、金属酸化物なる
MgOあるいは安定化ジルコニアで構成すれば、薄膜から
の金属の蒸発を妨げて、安定した酸化物超伝導体の製造
を容易にする。
The coating film formed in the second step is a metal oxide.
If it is composed of MgO or stabilized zirconia, it prevents evaporation of metal from the thin film and facilitates production of a stable oxide superconductor.

また、第2工程が形成される被膜が、前記薄膜を被膜
又は密封して形成したものであっても容易に被膜を形成
できる。
Further, even if the coating film formed in the second step is formed by sealing or sealing the thin film, the coating film can be easily formed.

そして、第1工程で形成される薄膜が、アモルファス
状態の場合、超伝導体構成元素を含む薄膜を容易に形成
することができる。
Then, when the thin film formed in the first step is in an amorphous state, a thin film containing a superconductor constituent element can be easily formed.

また、第1工程で形成される薄膜の金属元素がY又は
希土類元素、Ba及びCuで構成されることにより、さら
に、その薄膜の組成がY又は希土類元素、Ba及びCuのモ
ル比で1対2対3とすることにより、超伝導体構成元素
を含む薄膜を容易に形成することができる。
Moreover, since the metal element of the thin film formed in the first step is composed of Y or a rare earth element, Ba and Cu, the composition of the thin film further has a molar ratio of Y or a rare earth element, Ba and Cu of 1 to 2. By setting the ratio to 2 to 3, a thin film containing a superconductor constituent element can be easily formed.

さらに、第1工程で形成される薄膜の金属元素が、B
i,Sr,Ca及びCuで構成されることによっても、超伝導体
構成元素を含む薄膜を容易に形成することができる。
Furthermore, the metal element of the thin film formed in the first step is B
A thin film containing a superconductor-constituting element can be easily formed also by being composed of i, Sr, Ca, and Cu.

また、第3工程の熱処理を700〜1000℃の温度範囲で
1回以上行うことにより、第1工程で形成した薄膜を完
全に結晶化できるので、容易に超伝導特性を発現させる
ことができる。
Further, since the thin film formed in the first step can be completely crystallized by performing the heat treatment in the third step once or more in the temperature range of 700 to 1000 ° C., the superconducting property can be easily exhibited.

そして、第1工程で形成した薄膜上に、安定化ジルコ
ニアの被膜を形成し、700〜1000℃で熱処理を行うと、
この被膜は酸素を透過させて、薄膜に酸素を供給し、さ
らに、その冷却途中で600〜300℃の温度範囲を2h以上保
持することによって、十分に酸素を供給できるため、目
標通りの化学量論組成に維持できるとともに、完全に結
晶化できるので、安定した超伝導特性を有する酸化物超
伝導体を再現性よく容易に製造することができる。
Then, when a film of stabilized zirconia is formed on the thin film formed in the first step and heat treatment is performed at 700 to 1000 ° C.,
This film allows oxygen to permeate, supplies oxygen to the thin film, and by maintaining the temperature range of 600 to 300 ° C for 2 h or more during cooling, sufficient oxygen can be supplied. Since it can be maintained in a theoretical composition and can be completely crystallized, an oxide superconductor having stable superconducting properties can be easily manufactured with good reproducibility.

また、第1工程に形成した薄膜上に、MgO、あるいはA
u,Pt,Pd及びNiのうち少なくとも1種からなる被膜を形
成し、700〜1000℃の熱処理を行うと、この被膜は酸素
の透過性がないので、この熱処理を1回以上行った後、
その被膜を除去して、酸素雰囲気中で300〜600℃で30分
以上保持することにより、十分な酸素が薄膜に供給され
るため、目標通りの化学量論組成となるとともに、完全
に結晶化できるので、薄膜は十分な超伝導特性を発現
し、安定した酸化物超伝導体を再現性よく容易に製造す
ることができる。
In addition, MgO or A on the thin film formed in the first step
When a coating film made of at least one of u, Pt, Pd and Ni is formed and heat-treated at 700 to 1000 ° C., this film has no oxygen permeability. Therefore, after performing this heat treatment once or more,
By removing the film and holding it in an oxygen atmosphere at 300-600 ° C for 30 minutes or more, sufficient oxygen is supplied to the thin film, so that the stoichiometric composition is as targeted and complete crystallization. Therefore, the thin film exhibits sufficient superconducting properties, and a stable oxide superconductor can be easily manufactured with good reproducibility.

次に、本発明の酸化物超伝導体を用いた超伝導コイル
は、芯材のまわりに、らせん状に形成された超伝導特性
を有する薄膜と、被覆物質とを交互に堆積させた構造と
したもので、この薄膜が安定した超伝導特性を有するの
で、高い超伝導電流を流すことができた。
Next, a superconducting coil using the oxide superconductor of the present invention has a structure in which a spirally formed thin film having superconducting properties and a coating material are alternately deposited around a core material. Since this thin film has stable superconducting properties, a high superconducting current could be passed.

また、別の超伝導コイルは、基板上に形成された超伝
導薄膜と、この薄膜上に被覆された被覆物質とからなる
ウエハを、複数段積重ねた構造であって、この薄膜が安
定した超伝導特性を有するので、高い超伝導電流を流す
ことができた。
Another superconducting coil has a structure in which wafers composed of a superconducting thin film formed on a substrate and a coating material coated on the thin film are stacked in a plurality of stages, and the thin film is a stable superconducting film. Since it has a conductive property, a high superconducting current could be passed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明による酸化物超伝導体の断面構成を示
す模式図、第2A図〜第2E図は本発明による超伝導コイル
の作製手順を示す説明図、第3A図は本発明による超伝導
コイル構成要素であるウエハの平面図、第3B図は第3A図
の3B−3B矢視断面図、第3C図は第3B図の3C−3C矢視断面
図、第4A図は本発明による超伝導コイルを示す見取図、
第4B図は第4A図の中心を通る平面で切った断面構造を示
す断面図である。 1……基板、2……超伝導薄膜、3……被膜、 4……超伝導体構成元素を含む薄膜、 5……被覆物質、10……超伝導コイル。
FIG. 1 is a schematic view showing a cross-sectional structure of an oxide superconductor according to the present invention, FIGS. 2A to 2E are explanatory views showing a procedure for producing a superconducting coil according to the present invention, and FIG. 3A is according to the present invention. A plan view of a wafer which is a superconducting coil component, FIG. 3B is a sectional view taken along the arrow 3B-3B in FIG. 3A, FIG. 3C is a sectional view taken along the arrow 3C-3C in FIG. 3B, and FIG. A sketch drawing showing a superconducting coil according to
FIG. 4B is a sectional view showing a sectional structure taken along a plane passing through the center of FIG. 4A. 1 ... Substrate, 2 ... Superconducting thin film, 3 ... Coating, 4 ... Thin film containing constituent elements of superconductor, 5 ... Coating material, 10 ... Superconducting coil.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01F 6/06 ZAA H01F 5/08 ZAA (72)発明者 松本 俊美 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平1−105412(JP,A) 特開 昭63−261770(JP,A) 特開 昭63−52314(JP,A) 特開 昭64−72508(JP,A) 特開 昭64−19702(JP,A)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical display location H01F 6/06 ZAA H01F 5/08 ZAA (72) Inventor Toshimi Matsumoto 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory (56) Reference JP-A-1-105412 (JP, A) JP-A-63-261770 (JP, A) JP-A-63-52314 (JP, A) JP-A 64-64 72508 (JP, A) JP-A-64-19702 (JP, A)

Claims (18)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に形成された、超伝導体構成元素で
あるBi,Sr,Ca及びCuからなる薄膜上に、該薄膜と化学反
応せず、かつ酸素透過性を有する金属酸化物からなる被
膜を形成した堆積物を、前期薄膜の融点の1/2以上の固
相温度範囲で熱処理した後、前記被膜を保持させた酸化
物超伝導体。
1. A metal oxide having oxygen permeability, which does not chemically react with a thin film, which is formed on a substrate and which is composed of Bi, Sr, Ca, and Cu which are constituent elements of a superconductor. An oxide superconductor in which the above-mentioned film is retained after heat treatment of the deposit having the film formed thereon in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film.
【請求項2】基板上に形成された、超伝導体構成元素を
含む薄膜上に、該薄膜と反応せず、かつ酸素透過性を有
する安定化ジルコニアからなる被膜を形成した堆積物
を、前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度範囲で熱処理
した後、前記被膜を保持させた酸化物超伝導体。
2. A deposit comprising a thin film containing a superconductor-constituting element formed on a substrate, on which a film made of stabilized zirconia that does not react with the thin film and has oxygen permeability is formed. An oxide superconductor holding the coating after heat treatment in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film.
【請求項3】基板上に形成された、超伝導体構成元素で
あるY又は希土類元素、Ba及びCuからなる薄膜上に、該
薄膜と化学反応せず、かつ酸素透過性をもたない物質か
らなる被膜を形成した堆積物を、前記薄膜の融点の1/2
以上の固相温度範囲で熱処理した後、前記被膜を除去し
て、酸素雰囲気中で前記薄膜の融点の1/2より低い温度
域で保持させた酸化物超伝導体。
3. A substance which does not chemically react with the thin film and has no oxygen permeability on a thin film formed on a substrate and made of Y or a rare earth element, which is a constituent element of a superconductor, and Ba and Cu. The deposit formed with a film consisting of 1/2 of the melting point of the thin film
An oxide superconductor, which has been heat-treated in the above solid-phase temperature range, and after removing the coating film, kept in an oxygen atmosphere at a temperature range lower than 1/2 of the melting point of the thin film.
【請求項4】基板上に形成された、超伝導体構成元素で
あるBi,Sr,Ca及びCuからなる薄膜上に、該薄膜と化学反
応せず、かつ酸素透過性をもたない物質からなる被膜を
形成した堆積物を、前記薄膜の融点の1/2以上の固相温
度範囲で熱処理した後、前記被膜を除去して、酸素雰囲
気中で前記薄膜の融点の1/2より低い温度域で保持させ
た酸化物超伝導体。
4. A substance which does not chemically react with the thin film formed on the substrate and is composed of Bi, Sr, Ca and Cu, which are constituent elements of the superconductor, and has no oxygen permeability. After heat-treating the deposit formed with a film in a solid phase temperature range of 1/2 or more of the melting point of the thin film, the film is removed, and the temperature is lower than 1/2 of the melting point of the thin film in an oxygen atmosphere. Oxide superconductor retained in the region.
【請求項5】基板上に形成された超伝導体構成元素を含
む薄膜上に、該薄膜と化学反応せず、かつ酸素透過性を
もたないMgOからなる被膜を形成した堆積物を、前記薄
膜の融点の1/2以上の固相温度範囲で熱処理した後、前
記被膜を除去して、酸素雰囲気中で前記薄膜の融点の1/
2より低い温度域で保持させた酸化物超伝導体。
5. A deposit formed by forming a film made of MgO, which does not chemically react with the thin film and has no oxygen permeability, on a thin film containing a superconductor constituent element formed on a substrate. After heat treatment in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point of the thin film, the coating is removed, and 1 / th of the melting point of the thin film in an oxygen atmosphere is removed.
Oxide superconductor kept at a temperature lower than 2.
【請求項6】基板上に超伝導体構成元素を含む薄膜を形
成させる第1工程と、前記薄膜上に前記薄膜と化学反応
せず酸素透過性を有する安定化ジルコニアからなる被膜
を形成して堆積物を作製する第2工程と、前記堆積物を
前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度範囲で熱処理する
第3工程とを具備する酸化物超伝導体の製造方法。
6. A first step of forming a thin film containing a superconductor-constituting element on a substrate, and forming a film of stabilized zirconia having oxygen permeability without chemically reacting with the thin film on the thin film. A method for producing an oxide superconductor, comprising: a second step of producing a deposit; and a third step of heat treating the deposit in a solid phase temperature range of ½ or more of a melting point of the thin film.
【請求項7】基板上に超伝導体構成元素であるBi,Sr,Ca
及びCuからなる薄膜を形成させる第1工程と、前記薄膜
上に前記薄膜と化学反応しない金属酸化物からなる被膜
を形成して堆積物を作製する第2工程と、前記堆積物を
前記薄膜の融点の1/2以上の固相温度範囲で熱処理する
第3工程とを具備する酸化物超伝導体の製造方法。
7. A superconductor constituent element of Bi, Sr, Ca on a substrate.
A first step of forming a thin film of Cu and Cu; a second step of forming a deposit by forming a coating film of a metal oxide that does not chemically react with the thin film on the thin film; And a third step of performing heat treatment in a solid phase temperature range of ½ or more of the melting point, a method for producing an oxide superconductor.
【請求項8】前記第1工程で形成される、Bi,Sr,Ca及び
Cuからなる薄膜は、アモルファス状態であることを特徴
とする請求項7に記載の酸化物超伝導体の製造方法。
8. Bi, Sr, Ca, and Bi formed in the first step
The method for producing an oxide superconductor according to claim 7, wherein the thin film made of Cu is in an amorphous state.
【請求項9】基板上に超伝導体構成元素を含む薄膜を形
成させる第1工程と、前記薄膜上に前記薄膜と化学反応
せず酸素透過性を有する安定化ジルコニアからなる被膜
を形成して堆積物を作製する第2工程と、前記堆積物を
700〜1000℃の温度範囲で熱処理を行った後、その冷却
過程で、600〜300℃の温度範囲を2h以上保持する第3工
程とを具備する酸化物超伝導体の製造方法。
9. A first step of forming a thin film containing a superconductor-constituting element on a substrate, and forming a coating film of stabilized zirconia having oxygen permeability without chemically reacting with the thin film on the thin film. The second step of making a deposit and the deposit
A method for producing an oxide superconductor, comprising a third step of holding a temperature range of 600 to 300 ° C. for 2 hours or more in a cooling process after performing heat treatment in a temperature range of 700 to 1000 ° C.
【請求項10】前記第1工程で形成される薄膜が、アモ
ルファス状態であることを特徴とする請求項9に記載の
酸化物超伝導体の製造方法。
10. The method for producing an oxide superconductor according to claim 9, wherein the thin film formed in the first step is in an amorphous state.
【請求項11】基板上に超伝導体構成元素であるYまた
は希土類元素,BaおよびCuからなる薄膜を形成させる第
1工程と、前記薄膜上に前記薄膜と化学反応しない安定
化ジルコニアからなる被膜を形成して堆積物を作製する
第2工程と、前記堆積物を700〜1000℃の温度範囲で熱
処理を行った後、その冷却過程で600〜300℃の温度範囲
を2h以上保持する第3工程とを具備する酸化物超伝導体
の製造方法。
11. A first step of forming a thin film of Y or a rare earth element which is a superconductor constituent element, Ba and Cu on a substrate, and a film of stabilized zirconia which does not chemically react with the thin film on the thin film. And a second step of forming a deposit to form a deposit, and a third step of performing a heat treatment on the deposit in a temperature range of 700 to 1000 ° C. and then maintaining a temperature range of 600 to 300 ° C. for 2 hours or more in the cooling process. A method of manufacturing an oxide superconductor, comprising:
【請求項12】前記第1工程で形成される薄膜は、Y又
は希土類元素,Ba及びCuをモル比で1対2対3で含むこ
とを特徴とする請求項11に記載の酸化物超伝導体の製造
方法。
12. The oxide superconductor according to claim 11, wherein the thin film formed in the first step contains Y or a rare earth element, Ba and Cu in a molar ratio of 1: 2: 3. Body manufacturing method.
【請求項13】前記Y又は希土類元素、Ba及びCuをモル
比で1対2対3で含む薄膜が、アモルファス状態である
ことを特徴とする請求項12に記載の酸化物超伝導体の製
造方法。
13. The oxide superconductor according to claim 12, wherein the thin film containing Y or rare earth elements, Ba and Cu in a molar ratio of 1: 2: 3 is in an amorphous state. Method.
【請求項14】基板上に超伝導体構成元素であるBi,Sr,
CaおよびCuからなる薄膜を形成させる第1工程と、前記
薄膜上に前記薄膜と化学反応せず酸素透過性を有する安
定化ジルコニアからなる被膜を形成して堆積物を作製す
る第2工程と、前記堆積物を700〜1000℃の温度範囲で
熱処理を行った後、その冷却過程で、600〜300℃の温度
範囲を2h以上保持する第3工程とを具備する酸化物超伝
導体の製造方法。
14. A superconductor-constituting element of Bi, Sr,
A first step of forming a thin film of Ca and Cu, and a second step of forming a deposit on the thin film by forming a coating film of stabilized zirconia having oxygen permeability without chemically reacting with the thin film, A method for producing an oxide superconductor, comprising a third step of performing a heat treatment on the deposit in a temperature range of 700 to 1000 ° C. and then maintaining a temperature range of 600 to 300 ° C. for 2 hours or more in a cooling process. .
【請求項15】前記Bi,Sr,CaおよびCuからなる薄膜が、
アモルファス状態であることを特徴とする請求項14に記
載の酸化物超伝導体の製造方法。
15. The thin film made of Bi, Sr, Ca and Cu,
15. The method for producing an oxide superconductor according to claim 14, which is in an amorphous state.
【請求項16】基板上に超伝導体構成元素を含む薄膜を
形成し、この薄膜上に、該薄膜と化学反応せず酸素透過
性をもたないMgO、あるいはAu,Pt,Pd及びNiのうち少な
くとも1種からなる被膜を形成し、700〜1000℃の温度
範囲の熱処理を少なくとも一回行った後、その被膜を除
去して、酸素分圧0.1気圧以上の酸素雰囲気中で300〜60
0℃の温度範囲で30分以上保持することを特徴とする酸
化物超伝導体の製造方法。
16. A thin film containing a superconductor-constituting element is formed on a substrate, and MgO, which does not chemically react with the thin film and has no oxygen permeability, or Au, Pt, Pd and Ni is formed on the thin film. After forming a film consisting of at least one of them, heat-treating at least once in the temperature range of 700 to 1000 ° C, and then removing the film, 300 to 60 in an oxygen atmosphere with an oxygen partial pressure of 0.1 atm or more.
A method for producing an oxide superconductor, which is characterized by holding at a temperature range of 0 ° C. for 30 minutes or more.
【請求項17】金属酸化物からなる芯材のまわりに、ら
せん状に形成され超伝導体元素としてBi,Sr,CaおよびCu
を含む酸化物からなる超伝導薄膜と、該薄膜と化学反応
せず、かつ酸素透過性を有する金属酸化物からなる被覆
物質とを交互に堆積させた構造である超伝導コイル。
17. Bi, Sr, Ca and Cu as a superconductor element formed in a spiral shape around a core made of a metal oxide.
A superconducting coil having a structure in which a superconducting thin film made of an oxide containing oxide and a coating substance made of a metal oxide that does not chemically react with the thin film and has oxygen permeability are alternately deposited.
【請求項18】金属酸化物からなる基板上に形成され超
伝導体元素としてBi,Sr,CaおよびCuを含む酸化物からな
る超伝導薄膜と、該薄膜上に被覆され、該薄膜と化学反
応せず、かつ酸素透過性を有する金属酸化物からなる被
覆物質とからなるウェハを、複数段積重ねた構造である
超伝導コイル。
18. A superconducting thin film made of an oxide containing Bi, Sr, Ca and Cu as superconductor elements formed on a substrate made of a metal oxide, and a chemical reaction with the thin film coated on the thin film. A superconducting coil having a structure in which a plurality of wafers made of a coating material made of a metal oxide that does not exist and has oxygen permeability are stacked.
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