JP2562803B2 - Window glass for EP-ROM package - Google Patents

Window glass for EP-ROM package

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JP2562803B2
JP2562803B2 JP4083489A JP8348992A JP2562803B2 JP 2562803 B2 JP2562803 B2 JP 2562803B2 JP 4083489 A JP4083489 A JP 4083489A JP 8348992 A JP8348992 A JP 8348992A JP 2562803 B2 JP2562803 B2 JP 2562803B2
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隆雄 大森
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置(EP−R
OM)のパッケージ窓用として用いられるガラスに関
し、特にガラスに起因するソフトエラー発生を低減させ
たEP−ROMパッケージ用窓ガラスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device (EP-R
The present invention relates to a glass used for a package window of OM), and particularly to a window glass for an EP-ROM package in which the occurrence of soft error caused by the glass is reduced.

【0002】[0002]

【従来の技術】EP−ROMは、紫外線照射によりプロ
グラムのメモリー消去が可能である読みだし専用記憶半
導体であり、従来これらの支持体としてはアルミナセラ
ミックパッケージが使用され、これに紫外線照射用のガ
ラス窓が取り付けられている。ここで用いられるカバー
ガラスは、アルミナセラミックパッケージとの気密封着
によりLSIチップを保護するだけではなく受光面へ効
率的に紫外光を導入するため、内部欠陥の少ない光学的
に均質な材料特性と高い紫外線透過率特性が要求され
る。また、アルミナセラミックパッケージとの熱膨張係
数とのマッチングも要求される。
2. Description of the Related Art EP-ROM is a read-only memory semiconductor capable of erasing a program memory by irradiating ultraviolet rays. Conventionally, an alumina ceramic package has been used as a support for these and a glass for irradiating ultraviolet rays has been used. Windows are installed. The cover glass used here not only protects the LSI chip by hermetically sealing it with the alumina ceramic package but also efficiently introduces ultraviolet light to the light-receiving surface, so that it has optically uniform material characteristics with few internal defects. High UV transmittance characteristics are required. Also, matching with the coefficient of thermal expansion of the alumina ceramic package is required.

【0003】従来、この種のガラスには、硼珪酸系のガ
ラスが使用されてきた。たとえば、このような用途に用
いられるガラスとしては、英国特許第589533号,
特開昭60−21830号に記載された紫外線透過ガラ
スなどが知られている。
Conventionally, borosilicate glass has been used as this type of glass. For example, glass used for such an application includes British Patent No. 589533,
The UV transparent glass described in JP-A-60-21830 is known.

【0004】読みだし専用の半導体メモリーを紫外線で
効果的に消去するには、253.7nm(肉厚1mm)
で少なくとも透過率が70%以上あることが必要とされ
る。一般にガラスの紫外線透過性は、ガラス中に含まれ
る鉄分を減らすことにより達成され、特に溶融時の雰囲
気を還元性に保持することにより近紫外部に吸収のある
Fe3+イオンをFe2+イオンに還元することが重要であ
る。そのためには、ガラスの溶融に際してガラスバッチ
中に還元剤を使用し、強力な酸化剤となる硝酸塩や亜砒
酸,酸化アンチモンなどは避ける必要がある。通常還元
剤としては、ガラス構造形成物にはならない活性カーボ
ン粉,庶糖,澱粉(スターチ)などが使用されるが、酸
化物としてガラス形成物となる金属シリコン,金属アル
ミ,金属アンチモンや酒石酸ソーダなども使用される。
To effectively erase the read-only semiconductor memory with ultraviolet rays, 253.7 nm (thickness 1 mm)
Therefore, it is required that the transmittance is at least 70% or more. In general, the ultraviolet transmittance of glass is achieved by reducing the iron content contained in the glass, and in particular, by keeping the atmosphere during melting reducible, Fe 3+ ions that are absorbed in the near-ultraviolet region become Fe 2+ ions. It is important to reduce to. For that purpose, it is necessary to use a reducing agent in the glass batch during melting of the glass and avoid nitrates, arsenous acid, antimony oxide or the like which are strong oxidizing agents. Usually, as the reducing agent, activated carbon powder, sucrose, starch (starch), etc., which does not form a glass structure, are used, but as an oxide, metal silicon, metal aluminum, metal antimony, sodium tartrate, etc. Also used.

【0005】一方、通常のICはもちろん、大容量メモ
リー素子など各種超LSIチップ半導体装置において、
アッセンブリに使用される気密封着用低融点ガラスある
いはその充填剤(フィラー)がα線粒子を放出し、ソフ
トエラーを発生することが知られている。これは、主と
して低融点ガラスの線膨脹係数の調整および強度向上を
目的として使用される充填剤(例えば、ジルコン Zr
SiO4 など)が原因であり、放射性元素の分離が困難
である封着物質が使用された結果、α線放射率が著しく
増大し、高集積ICの封止材料として用いることは適当
でないことが判明している。
On the other hand, in addition to ordinary ICs, in various super LSI chip semiconductor devices such as large capacity memory devices,
It is known that the low-melting glass for hermetic sealing used in the assembly or its filler (filler) emits α-ray particles and causes a soft error. This is a filler (for example, zircon Zr) mainly used for the purpose of adjusting the linear expansion coefficient of low melting glass and improving the strength.
Etc. SiO 4) is caused, as a result of the sealing material is difficult to separate the radioactive element is used, increased α-ray radiation rate significantly, it is not appropriate to use as a sealing material for highly integrated IC It's known.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路は、そ
の集積度が飛躍的に増大するにしたがって、従来問題に
ならなかったような微小な要因がエラーやトラブル発生
の原因となってきている。EP−ROMにおいてもこの
点は同様である。
As the degree of integration of semiconductor integrated circuits has dramatically increased, minute factors that have not been a problem in the past have become the cause of errors and troubles. This also applies to the EP-ROM.

【0007】本発明者らは、EP−ROMパッケージ用
窓ガラスが半導体素子に近接して設けられていることか
ら、EP−ROMの窓ガラスがα線放出性元素を大量に
含有しα線粒子を放出する場合においても、このα線が
半導体素子に一過性の誤動作を引き起こしソフトエラー
の原因となることを見出した。α線粒子は、天然に存在
するウラン(U),トリウム(Th),ラジウム(R
a)など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷
電粒子である。
Since the window glass for EP-ROM package is provided close to the semiconductor element, the present inventors have found that the window glass for EP-ROM contains a large amount of α-ray emitting elements and α-ray particles. It has been found that even when emitting .alpha., This .alpha. Ray causes a transient malfunction in the semiconductor element and causes a soft error. α-ray particles are naturally occurring uranium (U), thorium (Th), and radium (R).
It is a charged particle that is emitted when a radioactive isotope such as a) is α-decayed.

【0008】また、これらα線放出性元素を含有するガ
ラスは同時に紫外線透過性においても特性が劣り、EP
−ROMパッケージ用窓ガラスに求められる高い紫外線
透過率が得られ難いことを見出だした。
Further, the glass containing these α-ray emitting elements is also inferior in the characteristics of ultraviolet ray transmission at the same time.
-We have found that it is difficult to obtain the high UV transmittance required for window glass for ROM packages.

【0009】これらの問題をなくすためには、できるだ
け高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における
不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。
原料精製には物理的・化学的各種方法があるが、技術的
・経済的に限界があり、特に放射性同位元素の分離が容
易な原料と困難な原料が存在するため、α線源となる元
素を含まないガラスを容易に得ることはできない。
In order to eliminate these problems, it is necessary to use raw materials that have been purified to the highest possible purity and prevent the mixing of impurities in the melting process to produce glass.
Although there are various physical and chemical methods for refining raw materials, there are technically and economically limited methods. In particular, there are raw materials in which radioisotope separation is easy and difficult. It is not possible to easily obtain a glass containing no.

【0010】本発明は、これらの事情を考慮してなされ
たもので、実質的にガラス、特にガラス中の放射性同位
元素に起因する半導体素子のエラー発生がなく、紫外線
透過率の優れたEP−ROMパッケージ用窓ガラスを提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of these circumstances, and an EP-having excellent UV transmittance, which is substantially free of errors in glass, particularly in semiconductor elements due to radioisotopes in the glass. An object is to provide a window glass for a ROM package.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ガラス中のFe2 3 ,TiO2 ,Pb
O,ZrO2 含有量を各100ppm以下とし、かつ放
射性同位元素の含有量の合計を100ppb以下とした
ことを特徴とするEP−ROMパッケージ用窓ガラスで
ある。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is to provide Fe 2 O 3 , TiO 2 and Pb in glass.
An EP-ROM package window glass characterized in that the O and ZrO 2 contents are each 100 ppm or less and the total content of radioisotopes is 100 ppb or less.

【0012】また、ガラス中のFe2 3 ,TiO2
PbO,ZrO2 含有量を各100ppm以下とし、か
つガラスからのα線放出量を0.1c/cm2 ・h以下
としたものである。
Fe 2 O 3 , TiO 2 , in the glass,
The PbO and ZrO 2 contents are each 100 ppm or less, and the α-ray emission amount from the glass is 0.1 c / cm 2 · h or less.

【0013】さらに、これらいずれかの要件を満足し、
本発明の用途に適合するガラス組成としては、重量百分
率でSiO2 50〜75%,Al2 3 0.2〜
5.0%,B2 3 5〜20%,Li2 O 0〜1
%,Na2 O 0.5〜9.5%,K2 O 0.2〜6
%,Li2 O+Na2 O+K2 O 5〜12%,MgO
+CaO+BaO+ZnO 0〜12%,Sb2 3
0〜1%,Cl- 0〜0.2%,F- 0〜0.5%,S
2 3 +Cl- +F- 0.02〜1.0%の基本組
成を有し、熱膨張係数が48〜65×10-7-1である
ものが好適する。
Furthermore, if any one of these requirements is satisfied,
As the glass composition suitable for the use of the present invention, SiO 2 50 to 75%, Al 2 O 3 0.2 to
5.0%, B 2 O 3 5~20 %, Li 2 O 0~1
%, Na 2 O 0.5 to 9.5%, K 2 O 0.2 to 6
%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 5-12%, MgO
+ CaO + BaO + ZnO 0-12%, Sb 2 O 3
0-1%, Cl - 0-0.2%, F - 0-0.5%, S
b 2 O 3 + Cl + F having a basic composition of 0.02 to 1.0% and a coefficient of thermal expansion of 48 to 65 × 10 −7 ° C. −1 is preferable.

【0014】[0014]

【作用】次に本発明のガラスを構成する成分の作用と、
その含有量を上記のように限定した理由を説明する。
Next, the action of the components constituting the glass of the present invention,
The reason for limiting the content as described above will be described.

【0015】SiO2 が50%未満では、熱膨脹係数が
大きくなりアルミナセラミックパッケージとの気密封着
に支障をきたし、75%を越えるとガラスの溶融性が悪
化する。B2 3 は、5%未満では溶融性が悪くなり、
20%を越えると化学耐久性が悪化し長期間使用時に表
面にウェザリングを生じ透光性を劣化させる。Al2
3 は0.2%未満では、ガラスの分相が生じ成形が困難
になり、5%を越えると脈理が発生して均質なガラスが
得られなくなる。Li2 O+Na2 O+K2 Oは、融剤
として作用しガラスの溶融性を改良するするが、同時に
ガラスの熱膨脹係数を調整する効果があり、その合量が
5%以下では粘度が高くなり溶融性が悪化すると共に熱
膨脹係数も低くなり過ぎる。また、12%を越える場合
は耐風化性が悪くなると共に、熱膨脹係数が高くなり過
ぎるため不適となる。ZnOは、B2 3 やアルカリ成
分の溶融時の揮発を抑える効果があるが、5%を越える
と失透性が増す。BaOやMgO,CaOは、5〜6%
以下の使用で化学耐久性を向上させる効果がある。Zn
Oも同様な効果をもつが、その合量が12%をこえると
失透性が増大する。また、上記ガラスの清澄剤として
は、Sb2 3 ,F-,Cl- が各々0.5%、0.5
%、0.2%未満で使用されるが、その合量が0.02
%未満では十分な清澄効果が得られず、1%以上では再
発泡を生ずるため望ましくない。
If the SiO 2 content is less than 50%, the coefficient of thermal expansion becomes large, which hinders the airtight sealing with the alumina ceramic package, and if it exceeds 75%, the meltability of the glass deteriorates. If B 2 O 3 is less than 5%, the meltability will deteriorate,
If it exceeds 20%, the chemical durability is deteriorated, and weathering occurs on the surface during long-term use and the light-transmitting property is deteriorated. Al 2 O
If the content of 3 is less than 0.2%, phase separation of the glass occurs and molding becomes difficult, and if it exceeds 5%, striae occur and uniform glass cannot be obtained. Li 2 O + Na 2 O + K 2 O acts as a flux and improves the meltability of the glass, but at the same time it has the effect of adjusting the thermal expansion coefficient of the glass. If the total amount is 5% or less, the viscosity increases and the meltability increases. And the coefficient of thermal expansion becomes too low. On the other hand, if it exceeds 12%, the weather resistance becomes poor and the coefficient of thermal expansion becomes too high, which is not suitable. ZnO has an effect of suppressing volatilization of B 2 O 3 and an alkaline component at the time of melting, but if it exceeds 5%, devitrification increases. BaO, MgO and CaO are 5-6%
The following use has the effect of improving chemical durability. Zn
O also has a similar effect, but if the total amount exceeds 12%, devitrification increases. Further, as the fining agent for the glass, Sb 2 O 3 , F , and Cl are 0.5% and 0.5%, respectively.
%, Less than 0.2%, but the total amount is 0.02
If it is less than%, a sufficient refining effect cannot be obtained, and if it is 1% or more, refoaming occurs, which is not desirable.

【0016】以上のほか、調合原料中に還元剤を添加す
ることによりガラス中のFe3+をFe2+に還元すること
が紫外線透過率向上のために有効である。還元剤として
は澱粉(スターチ),酒石酸ソーダなどの有機化合物あ
るいは、活性カーボンまたは、金属シリコン,金属アン
チモンなどが有効である。これら還元剤の添加量は0.
05%以下であると十分な還元効果が得られず、また
1.0%以上になるとカーボンや金属残留物が残りガラ
スが着色するので好ましくない。
In addition to the above, it is effective to reduce Fe 3+ in glass to Fe 2+ by adding a reducing agent to the raw material for improving the ultraviolet transmittance. As the reducing agent, starch (starch), organic compounds such as sodium tartrate, activated carbon, metallic silicon, metallic antimony, etc. are effective. The amount of these reducing agents added is 0.
If it is less than 05%, a sufficient reducing effect cannot be obtained, and if it is more than 1.0%, carbon and metal residues remain and the glass is colored, which is not preferable.

【0017】上記ガラスは、その有効組成を形成するた
め原料を精製することができ、含有されるα放射性元素
(U,Th,Raなど)を100ppb以内に抑えるこ
とが可能である。また、α放射性元素の精製分離が困難
なFe2 3 ,TiO2 ,PbO,ZrO2 について
は、各々100ppm以上含有するとα放射性元素の濃
度が100ppbを越え、α線放出量が0.1c/cm
2 ・hを越える。α線放出量が0.1c/cm2 ・hを
越えるとEP−ROMのエラー発生の原因となる。した
がってEP−ROMパッケージ用窓ガラスからのα線放
出率を0.1c/cm2 ・h以下に抑えることが好まし
い。
In order to form the effective composition of the glass, the raw material can be refined, and the α-radioactive elements (U, Th, Ra, etc.) contained can be suppressed within 100 ppb. For Fe 2 O 3 , TiO 2 , PbO, and ZrO 2 in which purification and separation of α-radioactive element is difficult, the concentration of α-radioactive element exceeds 100 ppb and the α-ray emission amount is 0.1 c / cm
Over 2・ h. If the amount of α-ray emission exceeds 0.1 c / cm 2 · h, an EP-ROM error may occur. Therefore, it is preferable to suppress the α-ray emission rate from the window glass for the EP-ROM package to 0.1 c / cm 2 · h or less.

【0018】平均熱膨張係数(0〜300℃)を48〜
65×10-7-1に限定した理由は、パッケージ材料が
主としてアルミナ(Al2 3 )セラミックとなるた
め、エポキシ系樹脂封着あるいはフリットガラス封着い
ずれの場合も、熱膨張係数をアルミナと同一、または低
めに保持し封着強度の向上、そりなどの変形を防止する
ためである。
The average coefficient of thermal expansion (0 to 300 ° C.) is 48 to
The reason for limiting the temperature to 65 × 10 -7 ° C -1 is that the packaging material is mainly alumina (Al 2 O 3 ) ceramic, and therefore the thermal expansion coefficient is set to alumina in both epoxy resin sealing and frit glass sealing. This is for holding the same as or lower than the above to improve the sealing strength and prevent deformation such as warpage.

【0019】また、上述のとおりEP−ROMのメモリ
ー内容を紫外線照射によって効率的に消去するには、2
53.7nm(肉厚1mm)で少なくとも70%以上の
透過率が必要である。
Further, as described above, in order to effectively erase the memory contents of the EP-ROM by irradiating with ultraviolet rays, 2
A transmittance of at least 70% or more is required at 53.7 nm (wall thickness 1 mm).

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明の実施例を表1に示す。表1中試料No.1ないしNo.6
は本発明の実施例を示し、No.7は従来例である。また表
中の組成は重量比で示してある。なお還元剤はガラス組
成に対して外割り添加した値である。
Embodiments of the present invention will be described below. Examples of the present invention are shown in Table 1. Sample No.1 to No.6 in Table 1
Shows an example of the present invention, and No. 7 is a conventional example. The composition in the table is shown by weight ratio. Note that the reducing agent is a value added to the glass composition by dividing it.

【0021】表1に示した組成に従い、各種高純度に精
製された原料を使用し最終ガラス組成として1000g
となるよう調合し混合した後、1480℃の電気炉中で
5時間白金ルツボを使用して溶融した。その後炉内より
取り出し、鉄板上に成形したブロックを600℃の温度
の電気炉に移し室温まで徐冷し、得られたガラスを所定
の寸法に光学研磨加工した。これらガラス板より放出さ
れるα線量の測定は、2πガスフロー式比例計数管を用
いた超低レベルα線測定装置で行ない、同時に遷移元素
とα線放射元素の化学分析をICP−MASSにより実
施し、TMA分析装置により平均熱膨張係数を測定し
た。そして、これらのガラスを実際にEPROMチップ
を内臓したアルミナパッケージに封着して、メモリーエ
ラーの有無を調査した。また比較例としてα線放射元素
を含有したガラスを調整し、同様の試験に供した。
According to the composition shown in Table 1, various high-purity raw materials were used and the final glass composition was 1000 g.
After being mixed and mixed so as to be, the mixture was melted in a platinum crucible for 5 hours in an electric furnace at 1480 ° C. After that, the block formed on the iron plate was taken out of the furnace, transferred to an electric furnace at a temperature of 600 ° C., and gradually cooled to room temperature, and the obtained glass was optically polished to a predetermined size. The α dose emitted from these glass plates was measured by an ultra-low level α ray measuring device using a 2π gas flow type proportional counter, and at the same time, chemical analysis of transition elements and α ray emitting elements was performed by ICP-MASS. Then, the average thermal expansion coefficient was measured by the TMA analyzer. Then, these glasses were actually sealed in an alumina package containing an EPROM chip, and the presence or absence of a memory error was investigated. As a comparative example, a glass containing an α-ray emitting element was prepared and subjected to the same test.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1の結果より、Fe2 3 ,TiO2
PbO,ZrO2 含有量が各々100ppm以下で、
U,Th,Raを含むα放射性元素の含有量の合量が1
00ppb以下である1〜6のサンプルでは、α線放出
量は0.1c/cm2 ・h以下であってEP−ROMに
おけるエラーもみらず、253.7nmにおける紫外線
透過率も高い値であった。これに対して、上記含有量が
本発明の範囲より外れている従来例では、α線放出量は
0.1c/cm2 ・h以上に高くなりEP−ROMにお
けるエラーが発生し、紫外線透過率も低いものであっ
た。
From the results shown in Table 1, Fe 2 O 3 , TiO 2 ,
When the PbO and ZrO 2 contents are each 100 ppm or less,
The total content of α radioactive elements including U, Th and Ra is 1
In the samples 1 to 6 having a density of 00 ppb or less, the α ray emission amount was 0.1 c / cm 2 · h or less, no error was observed in the EP-ROM, and the ultraviolet transmittance at 253.7 nm was also a high value. . On the other hand, in the conventional example in which the above content is out of the range of the present invention, the α-ray emission amount becomes higher than 0.1 c / cm 2 · h, an error occurs in the EP-ROM, and the ultraviolet transmittance is increased. Was also low.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上のように本発明のガラスは、α線放
出量が低く、EP−ROMのパッケージ用窓ガラスとし
て使用した場合、ガラスからのα線に起因するエラーの
発生を著しく低減することができる。また光学的、熱的
特性にも優れているため、アルミナセラミックパッケー
ジと封着した際に歪みの発生がなく、高い紫外線透過率
によりEP−ROMの消去効率を高めることができる。
したがって、本発明のガラスは、EP−ROMのパッケ
ージ用窓ガラスとして極めて好適するものである。
As described above, the glass of the present invention has a low α-ray emission amount, and when used as a window glass for an EP-ROM package, the occurrence of errors due to α-rays from the glass is significantly reduced. be able to. Further, since it has excellent optical and thermal characteristics, no distortion occurs when it is sealed with the alumina ceramic package, and the erasing efficiency of the EP-ROM can be improved due to the high ultraviolet transmittance.
Therefore, the glass of the present invention is extremely suitable as a window glass for an EP-ROM package.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ガラス中のFe2 3 ,TiO2 ,Pb
O,ZrO2 含有量が各100ppm以下であり、かつ
放射性同位元素の含有量の合計が100ppb以下であ
ることを特徴とするEP−ROMパッケージ用窓ガラ
ス。
1. Fe 2 O 3 , TiO 2 , Pb in glass
A window glass for an EP-ROM package, wherein the O and ZrO 2 contents are each 100 ppm or less and the total content of the radioisotopes is 100 ppb or less.
【請求項2】 ガラス中のFe2 3 ,TiO2 ,Pb
O,ZrO2 含有量が各100ppm以下であり、かつ
ガラスからのα線放出量が0.1c/cm2・h以下で
あることを特徴とするEP−ROMパッケージ用窓ガラ
ス。
2. Fe 2 O 3 , TiO 2 , Pb in glass
A window glass for an EP-ROM package, wherein the O and ZrO 2 contents are each 100 ppm or less, and the α-ray emission amount from the glass is 0.1 c / cm 2 · h or less.
【請求項3】 肉厚1mmに研磨したガラスの波長25
3.7nmにおける透過率が70%以上であることを特
徴とする請求項1または2記載のEP−ROMパッケー
ジ用窓ガラス。
3. Wavelength 25 of glass polished to a thickness of 1 mm
The window glass for an EP-ROM package according to claim 1 or 2, wherein the transmittance at 3.7 nm is 70% or more.
【請求項4】 重量百分率でSiO2 50〜75%,
Al2 3 0.2〜5.0%,B2 3 5〜20
%,Li2 O 0〜1%,Na2 O 0.5〜9.5
%,K2 O 0.2〜6%,Li2 O+Na2 O+K2
O 5〜12%,MgO+CaO+BaO+ZnO 0
〜12%,Sb2 3 0〜1%,Cl-0〜0.2
%,F- 0〜0.5%,Sb2 3 +Cl- +F-
0.02〜1.0%の基本組成を有し、熱膨張係数が4
8〜65×10-7-1であることを特徴とする請求項1
ないし3のいずれかに記載のEP−ROMパッケージ用
窓ガラス。
4. SiO 2 50-75% by weight percentage,
Al 2 O 3 0.2-5.0%, B 2 O 3 5-20
%, Li 2 O 0 to 1%, Na 2 O 0.5 to 9.5
%, K 2 O 0.2 to 6%, Li 2 O + Na 2 O + K 2
O 5-12%, MgO + CaO + BaO + ZnO 0
~12%, Sb 2 O 3 0~1 %, Cl - 0~0.2
%, F - 0~0.5%, Sb 2 O 3 + Cl - + F -
It has a basic composition of 0.02 to 1.0% and a thermal expansion coefficient of 4
8. The temperature is 8 to 65 × 10 -7 ° C -1.
4. A window glass for an EP-ROM package according to any one of items 1 to 3.
JP4083489A 1992-03-05 1992-03-05 Window glass for EP-ROM package Expired - Fee Related JP2562803B2 (en)

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