JP2560468B2 - Method of forming thin film element - Google Patents
Method of forming thin film elementInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 薄膜プロセス技術により作成される薄膜素子におい
て、一つの絶縁下地膜の上に形成される複数の薄膜素子
間の絶縁抵抗を高くすることを可能とする薄膜素子の形
成方法に関し、 薄膜素子間の絶縁抵抗を高めることを目的とし、 絶縁下地膜の上に薄膜プロセス技術により導体膜を形
成した後、レジストにより該導体膜の必要とする部分を
マスクしてから、イオンミーリング又はスパッタエッチ
ングにより、該導体膜の不要部分を除去して薄膜素子を
形成する薄膜素子の形成方法であって、該イオンミーリ
ング又はスパッタエッチングを行った後、該導体膜形成
に用いた導体材料又は絶縁下地膜形成に用いた絶縁材料
に対応して、特定の気体を用いてドライエッチング又は
プラズマエッチングを行う構成とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] In a thin film element produced by a thin film process technology, a thin film element capable of increasing insulation resistance between a plurality of thin film elements formed on one insulating base film. For the purpose of increasing the insulation resistance between thin film elements, a conductive film is formed on an insulating base film by a thin film process technology, and then a required portion of the conductive film is masked with a resist. A method for forming a thin film element by removing unnecessary portions of the conductor film by ion milling or sputter etching, which is used for forming the conductor film after performing the ion milling or sputter etching. Dry etching or plasma etching is performed using a specific gas according to the conductor material or the insulating material used to form the insulating base film. .
本発明は薄膜プロセス技術により作成される薄膜素子
に係り、特に一つの絶縁下地膜の上に形成される複数の
薄膜素子間の絶縁抵抗を高くすることを可能とする薄膜
素子の形成方法に関する。The present invention relates to a thin film element formed by a thin film process technique, and more particularly to a method for forming a thin film element capable of increasing insulation resistance between a plurality of thin film elements formed on one insulating base film.
例えば、磁気テープ装置に使用される磁気ヘッドは、
複数のトラックに同時にアクセスするため、同一の絶縁
下地膜の上に薄膜プロセス技術により複数の磁気ヘッド
が並べて作成される。For example, a magnetic head used in a magnetic tape device is
In order to access a plurality of tracks at the same time, a plurality of magnetic heads are formed side by side on the same insulating base film by a thin film process technique.
この場合、一つの磁気ヘッドを形成する捲線の線間の
絶縁抵抗は低くても、捲線自身のインピーダンスが低い
ため問題は無いが、隣接する磁気ヘッドの捲線相互間の
絶縁抵抗は高くないと、隣接した磁気ヘッドから信号が
漏洩してノイズの原因となる。In this case, even if the insulation resistance between the windings forming one magnetic head is low, there is no problem because the impedance of the winding itself is low, but if the insulation resistance between the windings of adjacent magnetic heads is not high, Signals leak from the adjacent magnetic heads, causing noise.
従って、一つの絶縁下地膜の上に形成される複数の薄
膜素子間の絶縁抵抗は高いことが必要である。Therefore, it is necessary that the insulation resistance between a plurality of thin film elements formed on one insulating base film is high.
第４図は従来技術の一例を説明する図である。 FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a conventional technique.
第４図（ａ）に示す如く、絶縁下地膜３の上に鍍金又
は真空成膜（蒸着又はスパッタ）等の薄膜プロセス技術
によって、チタン（Ti）、アルミニゥム（Al）等の材料
で導体膜２を作成し、この導体膜２の上にフォトレジス
ト１の塗膜を作成する。As shown in FIG. 4 (a), the conductor film 2 is made of a material such as titanium (Ti) or aluminum (Al) by a thin film process technique such as plating or vacuum film formation (evaporation or sputtering) on the insulating base film 3. And a coating film of the photoresist 1 is formed on the conductor film 2.
そして、薄膜素子の導体部分を残すため、フォトエッ
チングにより、導体膜２の必要とする部分のみ、フォト
レジスト１を残し、第４図（ｂ）に示す如く、フォトレ
ジスト４でマスクする。Then, in order to leave the conductor portion of the thin film element, the photoresist 1 is left only in the required portion of the conductor film 2 by photoetching, and the photoresist 4 is masked as shown in FIG. 4 (b).
次にイオンミーリング又はスパッタエッチングによ
り、第４図（ｃ）に示す如く、導体膜２の不要部分をエ
ッチング除去して、薄膜素子の導体５を形成させる。Next, unnecessary portions of the conductor film 2 are removed by etching by ion milling or sputter etching to form the conductor 5 of the thin film element, as shown in FIG. 4 (c).
そして、フォトレジスト４を取り除くと、第４図
（ｄ）に示す如く、絶縁下地膜３の上に薄膜素子の導体
５が形成される。Then, when the photoresist 4 is removed, the conductor 5 of the thin film element is formed on the insulating base film 3 as shown in FIG.
第５図はイオンミーリングを説明する図である。 FIG. 5 is a diagram for explaining ion milling.
真空チャンバ６の中に格納されたイオンガン７の中に
アルゴンガスを入れ、このイオンガン７によりアルゴン
ガスをイオン化する。そして、加速用の電圧を加えたグ
リッド８により加速されたアルゴン粒子を、電荷中和用
のフィラメント24を通して、矢印Ａに示す方向に飛ば
し、第４図（ｂ）に示す如きワークの表面に、該アルゴ
ン粒子を衝突させて、フォトレジスト４の一部と、導体
膜２のフォトレジスト４でマスクされていない部分を削
り取って除去する。Argon gas is put into an ion gun 7 stored in the vacuum chamber 6, and the ion gun 7 ionizes the argon gas. Then, the argon particles accelerated by the grid 8 to which an acceleration voltage is applied are blown through the charge neutralizing filament 24 in the direction indicated by the arrow A, and onto the surface of the work as shown in FIG. 4 (b). The argon particles are caused to collide with each other, and a part of the photoresist 4 and a part of the conductor film 2 which is not masked by the photoresist 4 are scraped and removed.
従って、絶縁下地膜３と、フォトレジスト４の一部
と、導体５が残され、第４図（ｃ）に示す如き薄膜素子
の導体５が形成される。Therefore, the insulating base film 3, a part of the photoresist 4 and the conductor 5 are left, and the conductor 5 of the thin film element as shown in FIG. 4C is formed.
第６図はスパッタエッチングを説明する図である。 FIG. 6 is a diagram illustrating sputter etching.
これはスパッタ装置を使用して、スパッタエッチング
を行うもので、真空チャンバ６の中にアルゴンガスを入
れ、スパッタ装置として使用する場合に、ターゲット11
とワークを置く台10の間に存在するシャッタ９を用い、
このシャッタ９と、台10の間に高周波電源25から電圧を
加え、アルゴン粒子を矢印Ａの方向に飛ばして、台10に
搭載された第４図（ｂ）に示す如きワークの表面に衝突
させ、フォトレジスト４の一部と、導体膜２のフォトレ
ジスト４でマスクされていない部分を削り取って除去す
ることにより、イオンミーリングと同様に、目的とする
薄膜素子の導体５を形成させる。This is for performing sputter etching using a sputter device. When argon gas is put into the vacuum chamber 6 and the target 11 is used as a sputter device.
Using the shutter 9 existing between the table 10 on which the work is placed,
A voltage is applied between the shutter 9 and the table 10 from a high frequency power supply 25 to blow argon particles in the direction of arrow A and collide with the surface of the work mounted on the table 10 as shown in FIG. 4 (b). By scraping and removing a part of the photoresist 4 and a part of the conductor film 2 which is not masked by the photoresist 4, the target conductor 5 of the thin film element is formed similarly to the ion milling.
第７図は従来技術の問題点を説明する図である。 FIG. 7 is a diagram for explaining the problems of the prior art.
第７図（ａ）に示す如く、例えば、磁気テープ装置の
磁気ヘッドを作成するような場合、磁気ヘッドの捲線12
と13が、第４図に示す工程を経て、絶縁下地膜３の上に
隣接して形成される。As shown in FIG. 7A, for example, when a magnetic head of a magnetic tape device is produced, the winding 12 of the magnetic head is used.
And 13 are formed adjacent to each other on the insulating base film 3 through the steps shown in FIG.
第７図（ｂ）は、第７図（ａ）のＢ−Ｂ′線で示す位
置における断面図である。FIG. 7 (b) is a sectional view taken along the line BB 'in FIG. 7 (a).
捲線12の導体14と15の間は前記の如く、絶縁抵抗が低
くても捲線12のインピーダンスが低いため、問題にはな
らないが、捲線12と13の間、即ち、導体15と16の間の絶
縁抵抗は高くないと、隣接した磁気ヘッドからの信号が
漏洩するため、ノイズの原因となる。As described above, between the conductors 14 and 15 of the winding wire 12 does not pose a problem because the impedance of the winding wire 12 is low even if the insulation resistance is low, but between the winding wires 12 and 13, that is, between the conductors 15 and 16. If the insulation resistance is not high, a signal from an adjacent magnetic head leaks, which causes noise.
ところが、第４図（ｂ）から（ｃ）に移行する工程
で、イオンミーリング又はスパッタエッチングで不要な
導体膜２を除去するが、第７図（ｂ）の17の点線で示す
如く、絶縁下地膜３の上に導体膜２を構成する金属の一
部が残滓17となって残存し、絶縁抵抗が低下することが
ある。However, the unnecessary conductor film 2 is removed by ion milling or sputter etching in the step of shifting from FIG. 4B to FIG. 4C, but as shown by the dotted line 17 in FIG. A part of the metal forming the conductor film 2 may remain as a residue 17 on the base film 3 to reduce the insulation resistance.
即ち、イオンミーリング又はスパッタエッチングで
は、絶縁下地膜３上から導体膜２を構成する不要金属を
完全に取り除くことが出来ず、液体を用いるウエットケ
ミカルエッチングならば、不要金属を完全に取り除ける
が、絶縁下地膜３に悪影響を与えることから、薄膜素子
間の絶縁抵抗を高めるための有効な対策が施せないとい
う問題があった。That is, the ion milling or sputter etching cannot completely remove the unnecessary metal forming the conductor film 2 from the insulating base film 3, and the wet chemical etching using a liquid can completely remove the unnecessary metal. Since the base film 3 is adversely affected, there is a problem that effective measures for increasing the insulation resistance between the thin film elements cannot be taken.
本発明はこのような問題点に鑑み、イオンミーリング
又はスパッタエッチングの後に、導体材料又は絶縁下地
膜の材料に合った気体を利用し、ドライエッチング又は
プラズマエッチングを行うことで、不要金属を完全に取
り去り、薄膜素子間の絶縁抵抗を高めることを目的とし
ている。In view of such a problem, the present invention, after ion milling or sputter etching, utilizes a gas suitable for the material of the conductor material or the insulating base film, and performs dry etching or plasma etching to completely remove unnecessary metal. The purpose is to increase the insulation resistance between the thin film elements.
本発明は上記問題点を、絶縁下地膜の上に薄膜プロセ
ス技術により導体膜を形成した後、レジストにより該導
体膜の必要とする部分をマスクしてから、イオンミーリ
ング又はスパッタエッチングにより、該導体膜の不要部
分を除去して薄膜素子を形成した後、ドライエッチング
又はプラズマエッチングによって該導体膜の残滓を除去
する薄膜素子の形成方法であって、該導体膜としてチタ
ン（Ti）を用い、該イオンミーリング又はスパッタエッ
チングを行った後、フレオン（CF4）と酸素（O2）の混
合気体を用いてドライエッチング又はプラズマエッチン
グを行い、該導体膜の残滓を除去する工程を有する薄膜
素子の形成方法、及び該導体膜としてアルミニゥム（A
l）を用い、該イオンミーリング又はスパッタエッチン
グを行った後、四塩化炭素（CCl4）と酸素（O2）の混合
気体を用いてドライエッチング又はプラズマエッチング
を行い、該導体膜の残滓を除去する工程を有する薄膜素
子の形成方法、及び該絶縁下地膜として有機物を用い、
該イオンミーリング又はスパッタエッチングを行った
後、酸素（O2）を用いてドライエッチング又はプラズマ
エッチングを行い、該有機物の残滓を除去する工程を有
する薄膜素子の形成方法によって解決するものである。The present invention solves the above problems by forming a conductor film on an insulating base film by a thin film process technique, masking a necessary portion of the conductor film with a resist, and then performing ion milling or sputter etching to form the conductor film. A method for forming a thin film element by removing unnecessary parts of the film to form a thin film element, and then removing the residue of the conductive film by dry etching or plasma etching, wherein titanium (Ti) is used as the conductive film, After performing ion milling or sputter etching, dry etching or plasma etching using a mixed gas of freon (CF 4 ) and oxygen (O 2 ) is performed to form a thin film element having a step of removing the residue of the conductor film. Method and aluminum (A
l) is used to perform the ion milling or sputter etching, and then dry etching or plasma etching is performed using a mixed gas of carbon tetrachloride (CCl 4 ) and oxygen (O 2 ) to remove the residue of the conductor film. A method of forming a thin film element having a step of using an organic substance as the insulating base film,
This is solved by a method for forming a thin film element, which includes a step of performing dry etching or plasma etching using oxygen (O 2 ) after performing the ion milling or sputter etching, and removing the organic substance residue.
上記の如く、導体材料に対応する特定の気体を用いて
ドライエッチング又はプラズマエッチングを行うと、イ
オンミーリング又はスパッタエッチングにより、アルゴ
ン粒子によって削られた金属粒子が絶縁下地膜に再度付
着すると考えられる不要金属の残滓を、気体の化合物に
して排気により除去するため、絶縁下地膜から不要金属
を完全に取り去り、薄膜素子間の絶縁抵抗を高めること
が出来る。As described above, when dry etching or plasma etching is performed using a specific gas corresponding to the conductor material, it is considered that the metal particles scraped by the argon particles are reattached to the insulating base film due to ion milling or sputter etching. Since the metal residue is converted into a gas compound and removed by exhaust, the unnecessary metal can be completely removed from the insulating base film, and the insulation resistance between the thin film elements can be increased.
又、絶縁下地膜が有機物である場合、酸素によって有
機物の絶縁下地膜の表面を炭酸ガスに変換し、同時に不
要金属を除去して排気により取り去るため、薄膜素子間
の絶縁抵抗を高めることが出来る。Further, when the insulating base film is an organic substance, the surface of the organic insulating base film is converted into carbon dioxide gas by oxygen, and at the same time, unnecessary metal is removed and removed by exhaust, so that the insulation resistance between the thin film elements can be increased. .
第１図は本発明の一実施例を説明する図である。 FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention.
第１図（ａ）〜（ｃ）は第４図（ａ）〜（ｃ）と同様
の工程である。第１図（ｃ）の工程では第７図（ｂ）で
説明した如く、イオンミーリング又はスパッタエッチン
グにより取りきれなかった金属の残滓17が絶縁下地膜３
に付着している。1A to 1C are the same steps as FIGS. 4A to 4C. In the step of FIG. 1 (c), as explained in FIG. 7 (b), the metal residue 17 which cannot be completely removed by the ion milling or the sputter etching is the insulating base film 3.
Attached to.
ここで、導体膜形成に用いた導体材料又は絶縁下地膜
形成に用いた絶縁材料に対応して、特定の気体を用いて
ドライエッチング又はプラズマエッチングを行う工程を
追加し、第１図（ｄ）に示す如く、金属の残滓17を完全
に取り除く。Here, a step of performing dry etching or plasma etching using a specific gas is added corresponding to the conductor material used for forming the conductor film or the insulating material used for forming the insulating base film, and FIG. Completely remove the metal residue 17 as shown in.
第２図はドライエッチングを説明する図である。 FIG. 2 is a diagram for explaining dry etching.
真空チャンバ６の中に平板18と19を設け、平板19には
第１図（ｃ）に示す如きワークを搭載し、導体膜２を構
成する導体材料又は絶縁下地膜形成に用いた絶縁材料に
対応して、特定の気体を真空チャンバ６に入れる。Flat plates 18 and 19 are provided in the vacuum chamber 6, and a work as shown in FIG. 1 (c) is mounted on the flat plate 19 and used as a conductor material forming the conductor film 2 or an insulating material used for forming an insulating base film. Correspondingly, a specific gas is introduced into the vacuum chamber 6.
即ち、導体材料がチタン（Ti）の場合、フレオン（CF
4）と酸素（O2）の混合気体を用い、導体材料がアルミ
ニゥム（Al）の場合、（CCl4）と酸素（O2）の混合気体
を用いる。又、絶縁下地膜形成に用いた絶縁材料が有機
物である場合、酸素（O2）を用いる。That is, when the conductor material is titanium (Ti), Freon (CF
4 ) and oxygen (O 2 ) mixed gas is used, and when the conductor material is aluminum (Al), mixed gas of (CCl 4 ) and oxygen (O 2 ) is used. If the insulating material used for forming the insulating base film is an organic material, oxygen (O 2 ) is used.
そして、平板18を接地し、高周波電源25から平板18と
平板19の間に高周波電圧を印加すると、残滓17がチタン
であれば、残滓17はチタンと弗素の化合物となって排気
により除去され、残滓17がアルミニゥムであれば、残滓
17はアルミニゥムと塩素の化合物となって排気により除
去され、絶縁材料が有機物であれば、残滓17は炭酸ガス
と共に、排気により除去される。Then, when the flat plate 18 is grounded and a high frequency voltage is applied from the high frequency power supply 25 between the flat plate 18 and the flat plate 19, if the residue 17 is titanium, the residue 17 becomes a compound of titanium and fluorine and is removed by exhaust, If the residue 17 is aluminum, the residue is
17 becomes a compound of aluminum and chlorine and is removed by exhaust, and if the insulating material is an organic substance, the residue 17 is removed by exhaust together with carbon dioxide gas.
第３図はプラズマエッチングを説明する図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining plasma etching.
真空チャンバ６の中にイオンが入り易くなるための穴
を設けた、例えばアルミニゥム製の円筒20を設け、この
円筒20の底の方にワークを搭載する平板21を備える。そ
して、平板21に第１図（ｃ）に示す如きワークを搭載
し、導体膜２を構成する導体材料又は絶縁下地膜形成に
用いた絶縁材料に対応して、特定の気体を真空チャンバ
６に入れる。The vacuum chamber 6 is provided with a cylinder 20, for example, made of aluminum, having a hole for facilitating the entry of ions, and a flat plate 21 for mounting a work is provided on the bottom of the cylinder 20. Then, a work as shown in FIG. 1C is mounted on the flat plate 21, and a specific gas is supplied to the vacuum chamber 6 in accordance with the conductor material forming the conductor film 2 or the insulating material used for forming the insulating base film. Put in.
即ち、導体材料がチタン（Ti）の場合、フレオン（CF
4）と酸素（O2）の混合気体を用い、導体材料がアルミ
ニゥム（Al）の場合、（CCl4）と酸素（O2）の混合気体
を用いる。又、絶縁下地膜形成に用いた絶縁材料が有機
物である場合、酸素（O2）を用いる。That is, when the conductor material is titanium (Ti), Freon (CF
4 ) and oxygen (O 2 ) mixed gas is used, and when the conductor material is aluminum (Al), mixed gas of (CCl 4 ) and oxygen (O 2 ) is used. If the insulating material used for forming the insulating base film is an organic material, oxygen (O 2 ) is used.
そして、この真空チャンバ６の外側に対向して配置さ
れた電極22と23の間に、高周波電源25から高周波電圧を
印加して、プラズを発生させると、残滓17がチタンであ
れば、残滓17はチタンと弗素の化合物となって排気によ
り除去され、残滓17がアルミニゥムであれば、残滓17は
アルミニゥムと塩素の化合物となって排気により除去さ
れ、絶縁材料が有機物であれば、残滓17は炭酸ガスと共
に排気により除去される。Then, when a high frequency voltage is applied from a high frequency power source 25 between the electrodes 22 and 23 arranged to face the outside of the vacuum chamber 6 to generate a plasm, if the residue 17 is titanium, the residue 17 Is a compound of titanium and fluorine and is removed by exhaust gas.If the residue 17 is aluminum, the residue 17 becomes a compound of aluminum and chlorine and is removed by exhaust gas.If the insulating material is an organic substance, the residue 17 is carbon dioxide. It is removed by exhaust along with the gas.
従って、第１図（ｄ）に示す如く、金属の残滓17が完
全に取り除かれたワークのレジスト４を除去すると、第
１図（ｅ）に示す如く、薄膜素子間の絶縁抵抗が良好な
導体５が絶縁下地膜３の上に作成される。Therefore, as shown in FIG. 1 (d), if the resist 4 of the work from which the metal residue 17 is completely removed is removed, as shown in FIG. 1 (e), a conductor having a good insulation resistance between thin film elements is obtained. 5 is formed on the insulating base film 3.
以上説明した如く、本発明は薄膜素子間に残存する金
属の残滓を完全に取り除くことが可能となるため、薄膜
素子間の絶縁抵抗を高めることが出来る。As described above, according to the present invention, the metal residue remaining between thin film elements can be completely removed, so that the insulation resistance between thin film elements can be increased.
第１図は本発明の一実施例を説明する図、 第２図はドライエッチングを説明する図、 第３図はプラズマエッチングを説明する図、 第４図は従来技術の一例を説明する図、 第５図はイオンミーリングを説明する図、 第６図はスパッタエッチングを説明する図、 第７図は従来技術の問題点を説明する図である。 図において、 1,4はフォトレジスト、２は導体膜、３は絶縁下地膜、
5,14〜16は導体、６は真空チャンバ、７はイオンガン、
８はグリッド、９はシャッタ、10は台、11はターゲッ
ト、12,13は捲線、17は残滓、18,19,21は平板、20は円
筒、22,23は電極、24はフィラメント、25は高周波電源
である。FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating dry etching, FIG. 3 is a diagram illustrating plasma etching, and FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a conventional technique, FIG. 5 is a diagram for explaining ion milling, FIG. 6 is a diagram for explaining sputter etching, and FIG. 7 is a diagram for explaining problems in the conventional technique. In the figure, 1,4 is a photoresist, 2 is a conductor film, 3 is an insulating base film,
5, 14 to 16 are conductors, 6 is a vacuum chamber, 7 is an ion gun,
8 is a grid, 9 is a shutter, 10 is a base, 11 is a target, 12 and 13 are winding wires, 17 is a residue, 18 is a flat plate, 19, 19 and 21 are flat plates, 20 is a cylinder, 22 and 23 are electrodes, 24 is a filament, and 25 is It is a high frequency power supply.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−20450（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58831（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−20896（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−159028（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-63-20450 (JP, A) JP-A-2-58831 (JP, A) JP-A-53-20896 (JP, A) JP-A-2- 159028 (JP, A)
Claims (3)
導体膜を形成した後、レジストにより該導体膜の必要と
する部分をマスクしてから、イオンミーリング又はスパ
ッタエッチングにより、該導体膜の不要部分を除去して
薄膜素子を形成した後、ドライエッチング又はプラズマ
エッチングによって該導体膜の残滓を除去する薄膜素子
の形成方法であって、 該導体膜としてチタン（Ti）を用い、該イオンミーリン
グ又はスパッタエッチングを行った後、フレオン（C
F4）と酸素（O2）の混合気体を用いてドライエッチング
又はプラズマエッチングを行い、該導体膜の残滓を除去
する工程を有することを特徴とする薄膜素子の形成方
法。1. A conductive film is formed on an insulating base film by a thin film process technique, and then a necessary portion of the conductive film is masked by a resist, and then the conductive film is not necessary by ion milling or sputter etching. A method for forming a thin film element, which comprises removing a part of the thin film element by dry etching or plasma etching after forming a thin film element, wherein titanium (Ti) is used as the conductive film and the ion milling or Freon (C
A method of forming a thin film element, comprising a step of performing dry etching or plasma etching using a mixed gas of F 4 ) and oxygen (O 2 ) to remove the residue of the conductor film.
導体膜を形成した後、レジストにより該導体膜の必要と
する部分をマスクしてから、イオンミーリング又はスパ
ッタエッチングにより、該導体膜の不要部分を除去して
薄膜素子を形成した後、ドライエッチング又はプラズマ
エッチングによって該導体膜の残滓を除去する薄膜素子
の形成方法であって、 該導体膜としてアルミニゥム（Al）を用い、該イオンミ
ーリング又はスパッタエッチングを行った後、四塩化炭
素（CCl4）と酸素（O2）の混合気体を用いてドライエッ
チング又はプラズマエッチングを行い、該導体膜の残滓
を除去する工程を有することを特徴とする薄膜素子の形
成方法。2. A conductive film is formed on an insulating base film by a thin film process technique, and then a necessary portion of the conductive film is masked with a resist, and then the conductive film is not necessary by ion milling or sputter etching. A method for forming a thin film element by removing a part of the thin film element by dry etching or plasma etching after forming a thin film element, wherein aluminum (Al) is used as the conductive film, and the ion milling or After the sputter etching, the method has a step of performing dry etching or plasma etching using a mixed gas of carbon tetrachloride (CCl 4 ) and oxygen (O 2 ) to remove the residue of the conductor film. Method of forming thin film element.
導体膜を形成した後、レジストにより必要とする該導体
膜の部分をマスクしてから、イオンミーリング又はスパ
ッタエッチングにより、該導体膜の不要部分を除去して
薄膜素子を形成する薄膜素子の形成方法であって、 該絶縁下地膜として有機物を用い、該イオンミーリング
又はスパッタエッチングを行った後、酸素（O2）を用い
てドライエッチング又はプラズマエッチングを行い、該
有機物の残滓を除去する工程を有することを特徴とする
薄膜素子の形成方法。3. A conductive film is formed on an insulating base film by a thin film process technique, and then, a necessary portion of the conductive film is masked by a resist, and then the conductive film is unnecessary by ion milling or sputter etching. A method of forming a thin film element by removing a portion, wherein an organic substance is used as the insulating base film, the ion milling or sputter etching is performed, and then dry etching using oxygen (O 2 ) or A method for forming a thin film element, comprising a step of performing plasma etching to remove a residue of the organic matter.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012429A JP2560468B2 (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Method of forming thin film element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012429A JP2560468B2 (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Method of forming thin film element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192617A JPH02192617A (en) | 1990-07-30 |
| JP2560468B2 true JP2560468B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=11805046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1012429A Expired - Lifetime JP2560468B2 (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Method of forming thin film element |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2560468B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN110265286B (en) * | 2019-05-21 | 2021-07-06 | 信利半导体有限公司 | Cleaning method of substrate base plate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320896A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Seiko Epson Corp | Manufacture of liquid crystal display element |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1012429A patent/JP2560468B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02192617A (en) | 1990-07-30 |
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