JP2555960B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP2555960B2 JP2555960B2 JP5294652A JP29465293A JP2555960B2 JP 2555960 B2 JP2555960 B2 JP 2555960B2 JP 5294652 A JP5294652 A JP 5294652A JP 29465293 A JP29465293 A JP 29465293A JP 2555960 B2 JP2555960 B2 JP 2555960B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- light
- active layer
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に双方向通信システムに用いる半導体レーザ装置
に関する。
し、特に双方向通信システムに用いる半導体レーザ装置
に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体レーザ装置による双方向通信システ
ムは、図４に示すように２つの半導体レーザ装置５０
（Ａ，Ｂ）を光ファイバの両端にそれぞれ設置し、一方
からレーザ光を発するときには他方の半導体レーザ装置
５０を受光装置として使用し、それぞれ双方からの送信
受信を可能した通信システムである。これは、従来のよ
うに一方に電気信号を光信号に変換する半導体レーザ装
置を配置し、他方に半導体レーザ装置からの光信号を電
気信号に変化する受光装置を設けた通信システムが、半
導体レーザ装置から受光装置への一方向のみの通信しか
行なえなかった点を解決したものである。
ムは、図４に示すように２つの半導体レーザ装置５０
（Ａ，Ｂ）を光ファイバの両端にそれぞれ設置し、一方
からレーザ光を発するときには他方の半導体レーザ装置
５０を受光装置として使用し、それぞれ双方からの送信
受信を可能した通信システムである。これは、従来のよ
うに一方に電気信号を光信号に変換する半導体レーザ装
置を配置し、他方に半導体レーザ装置からの光信号を電
気信号に変化する受光装置を設けた通信システムが、半
導体レーザ装置から受光装置への一方向のみの通信しか
行なえなかった点を解決したものである。
【０００３】この双方向通信システムについて、２つの
半導体レーザ装置５０のうち、図４の左側の半導体レー
ザ装置５０Ａを発光装置、図の右側の半導体レーザ装置
５０Ｂを受光装置として使用した場合について説明す
る。
半導体レーザ装置５０のうち、図４の左側の半導体レー
ザ装置５０Ａを発光装置、図の右側の半導体レーザ装置
５０Ｂを受光装置として使用した場合について説明す
る。
【０００４】図５に、半導体レーザ装置５０Ａを示す。
半導体レーザ素子５２の表面（レンズ４側）から出射さ
れたレーザ光は、レンズ４を介してピグテール６の端部
に集光され、ピグテール６から光ファイバ８を通して半
導体レーザ装置５０Ｂに導かれる。半導体レーザ装置５
０Ｂに導かれたレーザ光は、図６に示すようにピグテー
ル６の端部から出射し、レンズ４を介して半導体レーザ
素子５２の前面の活性層７の領域にほぼ集光され、半導
体レーザ素子５２内に入射する。入射したレーザ光は、
図の点線に示すように半導体レーザ素子５２内を進むに
したがって広がり、半導体レーザ素子５２の後面に到達
する。そして、レーザ光は半導体レーザ素子５２の後面
の反射率に相応して後面を透過し、受光素子１２へと到
達し、半導体レーザ装置５０Ａからの発光を受光する。
半導体レーザ素子５２の表面（レンズ４側）から出射さ
れたレーザ光は、レンズ４を介してピグテール６の端部
に集光され、ピグテール６から光ファイバ８を通して半
導体レーザ装置５０Ｂに導かれる。半導体レーザ装置５
０Ｂに導かれたレーザ光は、図６に示すようにピグテー
ル６の端部から出射し、レンズ４を介して半導体レーザ
素子５２の前面の活性層７の領域にほぼ集光され、半導
体レーザ素子５２内に入射する。入射したレーザ光は、
図の点線に示すように半導体レーザ素子５２内を進むに
したがって広がり、半導体レーザ素子５２の後面に到達
する。そして、レーザ光は半導体レーザ素子５２の後面
の反射率に相応して後面を透過し、受光素子１２へと到
達し、半導体レーザ装置５０Ａからの発光を受光する。
【０００５】このようにして、半導体レーザ装置５０Ａ
を発光装置、半導体レーザ装置５０Ｂを受光装置とし
て、またその逆に半導体レーザ装置５０Ｂを発光装置、
半導体レーザ装置５０Ａを受光装置として使用すること
により、通常の光通信システムでは双方向から発振、受
信を行うためには二対の半導体レーザ装置と受光装置が
必要であったのに対し、双方向光通信システムでは一対
の半導体レーザ装置にて双方向からの通信が可能とな
る。
を発光装置、半導体レーザ装置５０Ｂを受光装置とし
て、またその逆に半導体レーザ装置５０Ｂを発光装置、
半導体レーザ装置５０Ａを受光装置として使用すること
により、通常の光通信システムでは双方向から発振、受
信を行うためには二対の半導体レーザ装置と受光装置が
必要であったのに対し、双方向光通信システムでは一対
の半導体レーザ装置にて双方向からの通信が可能とな
る。
【０００６】ここで、前述したように半導体レーザ装置
５０Ａからの入射光を受光素子１２にて受けることによ
り、半導体レーザ装置５０Ｂを受光装置として使用して
いるが、本来半導体レーザ装置５０は発光装置であり、
受光素子１２はこの半導体レーザ装置５０を発光装置と
して使用する場合に光出力の安定化をはかるための光強
度モニタ用として搭載されているものであるため、外部
入射光に対する受光素子１２のモニタ電流Ｉｍが取りず
らく、双方向通信システムにおいては、発光装置である
半導体レーザ装置を受光装置として使用した場合、外部
入射光に対する受光素子１２のモニタ電流Ｉｍをどれだ
け取れるかが、双方向通信システムに適応するためのポ
イントとなっている。
５０Ａからの入射光を受光素子１２にて受けることによ
り、半導体レーザ装置５０Ｂを受光装置として使用して
いるが、本来半導体レーザ装置５０は発光装置であり、
受光素子１２はこの半導体レーザ装置５０を発光装置と
して使用する場合に光出力の安定化をはかるための光強
度モニタ用として搭載されているものであるため、外部
入射光に対する受光素子１２のモニタ電流Ｉｍが取りず
らく、双方向通信システムにおいては、発光装置である
半導体レーザ装置を受光装置として使用した場合、外部
入射光に対する受光素子１２のモニタ電流Ｉｍをどれだ
け取れるかが、双方向通信システムに適応するためのポ
イントとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ素子は、特開昭６０−１４４８９号公報や特開昭
６０−３９８８１号公報に示されるように特性向上のた
め、端面にコーティング膜を施している場合が多く、こ
の光通信システムに使用する半導体レーザ素子５２にお
いても前方（出射方向）と後方の光出力比を最適化し半
導体レーザ特性を向上させるために、半導体レーザ素子
５２の受光素子１２側の端面に高反射コーティング膜を
施している。このために外部からの入射光は、半導体レ
ーザ素子５２を透過して受光素子１２に到達するときに
受光素子１２側の高反射コーティング膜で反射されて光
量が大幅に減衰し、外部入力に対するモニタ電流が十分
にとれないという問題があった。
レーザ素子は、特開昭６０−１４４８９号公報や特開昭
６０−３９８８１号公報に示されるように特性向上のた
め、端面にコーティング膜を施している場合が多く、こ
の光通信システムに使用する半導体レーザ素子５２にお
いても前方（出射方向）と後方の光出力比を最適化し半
導体レーザ特性を向上させるために、半導体レーザ素子
５２の受光素子１２側の端面に高反射コーティング膜を
施している。このために外部からの入射光は、半導体レ
ーザ素子５２を透過して受光素子１２に到達するときに
受光素子１２側の高反射コーティング膜で反射されて光
量が大幅に減衰し、外部入力に対するモニタ電流が十分
にとれないという問題があった。
【０００８】つまり、半導体レーザ特性と外部入射光に
対するモニタ電流特性はトレード・オフの関係があり、
したがって、半導体レーザ特性を維持し、同時に外部入
射光に対するモニタ電流を確保することが困難であっ
た。
対するモニタ電流特性はトレード・オフの関係があり、
したがって、半導体レーザ特性を維持し、同時に外部入
射光に対するモニタ電流を確保することが困難であっ
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決し、モニタ電流を大きくできる半導体レーザ装置を
提供することを目的として、レーザ光の出射方向に垂直
な面のうち少なくとも出射側の反対側の端面に反射防止
膜をレーザ光発振領域である活性層部分以外に形成した
半導体レーザ素子を有して半導体レーザ装置を構成し
た。又、レーザ光発振領域である活性層部分に高反射率
の反射膜を形成した。 半導体レーザ素子を対向させて一
対設け、これら半導体レーザ素子間で双方向送受信可能
に構成した。
解決し、モニタ電流を大きくできる半導体レーザ装置を
提供することを目的として、レーザ光の出射方向に垂直
な面のうち少なくとも出射側の反対側の端面に反射防止
膜をレーザ光発振領域である活性層部分以外に形成した
半導体レーザ素子を有して半導体レーザ装置を構成し
た。又、レーザ光発振領域である活性層部分に高反射率
の反射膜を形成した。 半導体レーザ素子を対向させて一
対設け、これら半導体レーザ素子間で双方向送受信可能
に構成した。
【００１０】
【作用】発光装置側から入射してきたレーザ光は、レン
ズによって半導体レーザ素子のレーザ光発振領域である
活性層に集光されて内部に入る。そして、内部を通過し
て半導体レーザ素子の後面に達した場合でも、後面には
レーザ光発振領域である活性層以外の部分には低反射率
の反射防止膜が形成されているので、減衰量が少なく後
面を通過して受光素子に到達できる。したがって、モニ
タ電流を大きくとれ、確実な通信が可能となる。又、活
性層には高反射膜が形成されているので、半導体レーザ
特性を高めることができる。 半導体レーザ素子を対向さ
せて半導体レーザ装置を構成したので、効率の高い良好
な双方向通信を実現できる。
ズによって半導体レーザ素子のレーザ光発振領域である
活性層に集光されて内部に入る。そして、内部を通過し
て半導体レーザ素子の後面に達した場合でも、後面には
レーザ光発振領域である活性層以外の部分には低反射率
の反射防止膜が形成されているので、減衰量が少なく後
面を通過して受光素子に到達できる。したがって、モニ
タ電流を大きくとれ、確実な通信が可能となる。又、活
性層には高反射膜が形成されているので、半導体レーザ
特性を高めることができる。 半導体レーザ素子を対向さ
せて半導体レーザ装置を構成したので、効率の高い良好
な双方向通信を実現できる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１２】尚、半導体レーザ装置１は、従来例で述べ
たと同様の構成であるので、説明は省略するが、用いら
れている半導体レーザ素子が異なるので、この点に関し
て説明する。
たと同様の構成であるので、説明は省略するが、用いら
れている半導体レーザ素子が異なるので、この点に関し
て説明する。
【００１３】図１は、本実施例にかかる半導体レーザ素
子２をレーザ光の通過方向に垂直な方向から示す正面
図、図２は、図１の半導体レーザ素子２をレーザ光の通
過方向に沿って示す側面図である。
子２をレーザ光の通過方向に垂直な方向から示す正面
図、図２は、図１の半導体レーザ素子２をレーザ光の通
過方向に沿って示す側面図である。
【００１４】図に示すように、半導体レーザ素子２は、
ヒートシンク５に取り付けられ、ヒートシンク５はステ
ム９（図４参照）の上に設置されている。又半導体レー
ザ素子２の受光素子１２側（図２において右側）端面に
は高反射コーティングを活性層７部分のみに形成し、そ
れ以外には反射防止膜３をコーティングした構造となっ
ている。尚、図中１９はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、２０はｐ
−ＩｎＰ、２１はｎ−ＩｎＰ、２２はｐ−ＩｎＰ、２３
はｐ−ＩｎＰ、２４はＩｎＧａＡｓＰ、２５はｎ−Ｉｎ
Ｐ、２６はｎ−ＩｎＰＳＵＢ、２７、２８は金属であ
る。
ヒートシンク５に取り付けられ、ヒートシンク５はステ
ム９（図４参照）の上に設置されている。又半導体レー
ザ素子２の受光素子１２側（図２において右側）端面に
は高反射コーティングを活性層７部分のみに形成し、そ
れ以外には反射防止膜３をコーティングした構造となっ
ている。尚、図中１９はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、２０はｐ
−ＩｎＰ、２１はｎ−ＩｎＰ、２２はｐ−ＩｎＰ、２３
はｐ−ＩｎＰ、２４はＩｎＧａＡｓＰ、２５はｎ−Ｉｎ
Ｐ、２６はｎ−ＩｎＰＳＵＢ、２７、２８は金属であ
る。
【００１５】次に、半導体レーザ素子２の製法につい
て、波長λ＝１．３１μｍにて発振する例を用いて説明
する。
て、波長λ＝１．３１μｍにて発振する例を用いて説明
する。
【００１６】まず低反射コーティング膜となる、厚さλ
／４＝３２７５ÅのＳｉＯ2 膜を半導体レーザ素子２の
端面全面にコーティングし、反射防止膜３を形成する。
次に、半導体レーザ素子２の発振波長帯である１．３１
μｍの赤外光に十分対応するポジタイプのホトレジスト
を塗布した後、半導体レーザ素子２を発振させながら感
光、現像し、発光領域のみのレジストを除去する。その
ように除去したレジスト全体に、厚さλ／４＝３２７５
Åのα−Ｓｉ膜、厚さλ／４＝３２７５ÅのＳｉＯ2
膜、厚さλ／４＝３２７５Åのα−Ｓｉ膜、厚さλ／４
＝６５５０ÅのＳｉＯ2 膜のコーティングを順に行ない
高反射コーティング膜を形成する。そして、剥離液によ
ってレジストを剥離し、リフト・オフ法により発光領域
以外の高反射コーティング膜を除去し、発光領域以外に
は低反射コーティング膜の反射防止膜３を残すことによ
り図１、図２に示した構造を形成する。
／４＝３２７５ÅのＳｉＯ2 膜を半導体レーザ素子２の
端面全面にコーティングし、反射防止膜３を形成する。
次に、半導体レーザ素子２の発振波長帯である１．３１
μｍの赤外光に十分対応するポジタイプのホトレジスト
を塗布した後、半導体レーザ素子２を発振させながら感
光、現像し、発光領域のみのレジストを除去する。その
ように除去したレジスト全体に、厚さλ／４＝３２７５
Åのα−Ｓｉ膜、厚さλ／４＝３２７５ÅのＳｉＯ2
膜、厚さλ／４＝３２７５Åのα−Ｓｉ膜、厚さλ／４
＝６５５０ÅのＳｉＯ2 膜のコーティングを順に行ない
高反射コーティング膜を形成する。そして、剥離液によ
ってレジストを剥離し、リフト・オフ法により発光領域
以外の高反射コーティング膜を除去し、発光領域以外に
は低反射コーティング膜の反射防止膜３を残すことによ
り図１、図２に示した構造を形成する。
【００１７】図３に、外部からレーザ光が入射したとき
の半導体レーザ装置１内部での作用を示す。外部からの
レーザ光は、ピグテール６の端部から出射され、レンズ
４により半導体レーザ素子２の前面（レンズ４側の面）
の活性層７付近に集光される。集光されたレーザ光は、
活性層７周囲のＩｎＰを透過し、後面（受光素子１２側
の端面）に到達する。図２に示すように、後面には、活
性層７部分以外に反射防止膜８（反射率６％以下）が形
成されているので、半導体レーザ素子２内部からの透過
率が高く、高反射コーティング（反射率９５％）がなさ
れているときよりも透過光量が増加され、モニタ電流を
大幅に増大できる。例えば、１．０ｍＷの外部入射光で
行なった実験では、従来の半導体レーザ素子では１０μ
Ａのモニタ電流しか得られなかったが、本実施例の半導
体レーザ素子２では２０μＡのモニタ電流を得ることが
できた。
の半導体レーザ装置１内部での作用を示す。外部からの
レーザ光は、ピグテール６の端部から出射され、レンズ
４により半導体レーザ素子２の前面（レンズ４側の面）
の活性層７付近に集光される。集光されたレーザ光は、
活性層７周囲のＩｎＰを透過し、後面（受光素子１２側
の端面）に到達する。図２に示すように、後面には、活
性層７部分以外に反射防止膜８（反射率６％以下）が形
成されているので、半導体レーザ素子２内部からの透過
率が高く、高反射コーティング（反射率９５％）がなさ
れているときよりも透過光量が増加され、モニタ電流を
大幅に増大できる。例えば、１．０ｍＷの外部入射光で
行なった実験では、従来の半導体レーザ素子では１０μ
Ａのモニタ電流しか得られなかったが、本実施例の半導
体レーザ素子２では２０μＡのモニタ電流を得ることが
できた。
【００１８】一方、半導体レーザ装置１を発光装置とし
て用いるときには、活性層７の箇所には高反射率のコー
ティングがなされているので、発光強度は従来同様高い
値が得られる。
て用いるときには、活性層７の箇所には高反射率のコー
ティングがなされているので、発光強度は従来同様高い
値が得られる。
【００１９】尚、上記実施例では、活性層７部分以外の
部分に低反射率の反射防止膜３を形成するのに、上記例
を用いたが本発明はこれに限るものではない。
部分に低反射率の反射防止膜３を形成するのに、上記例
を用いたが本発明はこれに限るものではない。
【００２０】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザ素子の発振領域である活性層部分をのぞいて、少な
くとも受光素子側の端面に反射防止膜を備えることとし
たので、双方向通信システムにおいて半導体レーザ装置
を受信装置として用いた場合においても、受光したレー
ザ光が半導体レーザ素子の端面で反射されることなく受
光素子側に出射されるので、内部を透過する光量が増加
し、外部入射光に対するモニタ電流を増大させ十分に確
保することができる。又、活性層に高反射膜を形成した
ので、高い半導体レーザ特性を得ることができる。 半導
体レーザ素子を対向させて半導体レーザ装置を構成した
ので、効率の高い良好な双方向通信を実現できる。
ーザ素子の発振領域である活性層部分をのぞいて、少な
くとも受光素子側の端面に反射防止膜を備えることとし
たので、双方向通信システムにおいて半導体レーザ装置
を受信装置として用いた場合においても、受光したレー
ザ光が半導体レーザ素子の端面で反射されることなく受
光素子側に出射されるので、内部を透過する光量が増加
し、外部入射光に対するモニタ電流を増大させ十分に確
保することができる。又、活性層に高反射膜を形成した
ので、高い半導体レーザ特性を得ることができる。 半導
体レーザ素子を対向させて半導体レーザ装置を構成した
ので、効率の高い良好な双方向通信を実現できる。
【図１】本発明にかかる半導体レーザ素子をレーザ光の
通過方向に垂直な方向から示す正面図である。
通過方向に垂直な方向から示す正面図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子をレーザ光の通過方向
に沿って示す側面図である。
に沿って示す側面図である。
【図３】本発明にかかる半導体レーザ装置の作動状態を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図４】半導体レーザ装置全体を示す図である。
【図５】半導体レーザ装置の発光状態を示す図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置を示す図である。
１，５０ 半導体レーザ装置 ２，５２ 半導体レーザ素子 ３ 反射防止膜 ４ レンズ ６ ピグテール ７ 活性層 １２ 受光素子
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光の出射方向に垂直な面のうち少
なくとも出射側の反対側の端面に反射防止膜をレーザ光
発振領域である活性層部分以外に形成した半導体レーザ
素子を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記レーザ光発振領域である活性層部分
に高反射率の反射膜を形成したことを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の半導体レーザ素
子を対向させて一対設け、該半導体レーザ素子間で双方
向送受信可能に構成したことを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294652A JP2555960B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294652A JP2555960B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176823A JPH07176823A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2555960B2 true JP2555960B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17810547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294652A Expired - Fee Related JP2555960B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555960B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5294652A patent/JP2555960B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176823A (ja) | 1995-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Simon | GaInAsP semiconductor laser amplifiers for single-mode fiber communications | |
| KR100539906B1 (ko) | 반사형 반도체 광증폭기 광원 | |
| EP0806824B1 (en) | Apparatus and method for a single-port modulator having amplification | |
| EP2522057B1 (en) | Laser system with highly linear output | |
| US4427261A (en) | Optical transmission system having reduced modal noise | |
| US6606443B2 (en) | Optical transmission device | |
| JPH11133255A (ja) | 光モニタデバイス及びその装置 | |
| US4648096A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| EP0150214A1 (en) | COUPLED CAVITY LASER. | |
| CA2122777A1 (en) | Semiconductor laser with transverse emission, and coupling thereof to an optical waveguide | |
| JP2555960B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11191656A (ja) | 光半導体素子 | |
| US5588017A (en) | Optoelectronic semiconductor device, system for optical glass fibre communication having such a device, semiconductor diode laser for use in such a device, and method of manufacturing such a device | |
| JPH11289130A (ja) | 外部共振器型レーザ | |
| JP2744455B2 (ja) | 光増幅器および光デバイス | |
| JPH05175611A (ja) | 半導体光増幅器 | |
| JP2669335B2 (ja) | 半導体光源及びその製造方法 | |
| JPS60207389A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US20040001243A1 (en) | Semiconductor optical modulator and semiconductor optical device | |
| JPH03195076A (ja) | 外部共振器型波長可変半導体レーザ | |
| JP2006521018A (ja) | 高いｓｍｓｒ単方向のエッチングレーザおよび低バック反射の光機能装置 | |
| JPH1168233A (ja) | 可変波長レーザ光源 | |
| JP2833615B2 (ja) | 光半導体集積素子 | |
| JPH10256663A (ja) | 光増幅器集積光分波器及びその製造方法 | |
| KR100198424B1 (ko) | 수직형 경사구조의 출력단을 갖는 광변조기 집적소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960709 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |