JP2553806Y2 - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

正特性サーミスタ装置

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JP2553806Y2
JP2553806Y2 JP5641291U JP5641291U JP2553806Y2 JP 2553806 Y2 JP2553806 Y2 JP 2553806Y2 JP 5641291 U JP5641291 U JP 5641291U JP 5641291 U JP5641291 U JP 5641291U JP 2553806 Y2 JP2553806 Y2 JP 2553806Y2
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JP
Japan
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case
thermistor device
temperature coefficient
spring
positive temperature
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JP5641291U
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JPH0511403U (ja
Inventor
隆与 勝木
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は正特性サーミスタ装置
に関し、特にたとえばケース内蔵タイプの正特性サーミ
スタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6および図7に示す従来の正特性サー
ミスタ装置1では、ケース2の底板3にスリット4を形
成し、スリット4からばね端子5a,5bおよび共通端
子5cの一端がケース2の外部に引き出される。そし
て、ケース2の側壁6aおよび6bの内面に形成された
凹部7aおよび7bにそれぞればね端子5aおよび5b
をはめ込み、突起部8aと共通端子5cとによって正特
性サーミスタ素子9aを、突起部8bと共通端子5cと
によって正特性サーミスタ9bをそれぞれ挟持する。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】正特性サーミスタ装置
1のケース2内では、正特性サーミスタ素子9aや9b
の寸法の関係上、各端子5a〜5c間に正特性サーミス
タ素子6を介さず空間だけを介して対向する部分が生じ
る。したがって、正特性サーミスタ装置1に高電圧を印
加した場合には、各端子5a〜5c間でスパークを起こ
し、正特性サーミスタ素子9aや9bの側面を破壊した
りケース2を炭化させることがあり、正特性サーミスタ
装置1の信頼性の低下を招いていた。
【0004】それゆえに、この考案の主たる目的は、信
頼性が向上する、正特性サーミスタ装置を提供すること
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】この考案は、ケース、ケ
ースに内蔵される正特性サーミスタ素子、および正特性
サーミスタ素子を挟持する突起部を含みかつケースから
外部に引き出されるばね端子を備える正特性サーミスタ
装置において、少なくとも突起部を除き、ばね端子をケ
ースに埋め込んだことを特徴とする、正特性サーミスタ
装置である。
【0006】
【作用】ばね端子はケースに埋め込まれるので、各端子
が空間だけを介して対向することはない。したがって、
高電圧を印加しても各端子間にスパークが起こる可能性
が低くなる。
【0007】
【考案の効果】この考案によれば、高電圧を印加しても
各端子間にスパークが発生する可能性が低くなるので、
従来のように正特性サーミスタ素子の側面を破壊した
り、ケースを炭化させることが少なくなり、信頼性を向
上できる。この考案の上述の目的,その他の目的,特徴
および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細
な説明から一層明らかとなろう。
【0008】
【実施例】図1および図2を参照して、この実施例の正
特性サーミスタ装置10は、上面開口のケース12を含
む。ケース12はたとえばフェノール樹脂などの絶縁性
樹脂によって構成される。ケース12の対向する側壁1
4および16には、それぞればね端子18および20が
それぞれの突起部22および24を除いて、たとえばイ
ンサート成形によって埋め込まれる。すなわち、ばね端
子18および20は、それぞれの突起部22および24
がケース12の内方に臨まされかつばね端子18および
20の一端がケース12の外部に引き出せるように、ケ
ース12に取り付けられる。このとき同時に、ケース1
2には、ばね端子18と20との略中間に共通端子26
が一体的に取り付けられ、共通端子26の一端はケース
12の外部に引き出される。ばね端子18,20および
共通端子26は、たとえばステンレスに金属メッキを施
して形成され、ばね端子18および20はたとえば図3
に示す形状に形成され、共通端子26はたとえば図4に
示す形状に形成される。そして、正特性サーミスタ素子
28および30が、それぞれ突起部22と共通端子26
との間および突起部24と共通端子26との間に挟持さ
れ、ケース12には蓋32が被せられる。
【0009】このような正特性サーミスタ装置10のケ
ース12内では、ばね端子18および20は、それぞれ
側壁14および16によって遮断されるので、空間だけ
を介して共通端子26と対向することはない。また、突
起部22および24は、それぞれ正特性サーミスタ素子
28および30によって遮断されるので、空間だけを介
して共通端子26と対向することはない。また、ばね端
子18と20についても同様、空間だけを介して対向す
ることはない。したがって、正特性サーミスタ装置10
に高電圧が印加されても、ばね端子18,20および共
通端子26のそれぞれの間でスパークが起こる可能性が
低くなる。
【0010】また、従来では正特性サーミスタ素子をケ
ース内に挿入したときにばね端子が変形しばね圧が安定
しないことがあった。特に、ばね圧が小さくなった場合
には、突起部と正特性サーミスタ素子との接点において
スパークが起こり易くなったり、正特性サーミスタ素子
が振動によって移動することがあった。しかし、この考
案のように、ケース12の側壁14および16内に、そ
れぞればね端子18および20を埋め込むことにより、
ばね圧が安定するので、上述のような弊害を除去するこ
とができ、ばね端子18および20の設計が容易にな
る。
【0011】さらに、ばね端子18,20および共通端
子26はインサート成形などによってケース12に一体
的に形成され、従来のようにケース12にスリットを設
ける必要がないので、外部からのフラックス等の侵入を
防ぐことができる。また、この考案は、図5に示す正特
性サーミスタ装置10´のように、ケース12に1つの
正特性サーミスタ素子34を内蔵する場合にも適用で
き、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例を示し、図2のA−Aに沿
う側断面図である。
【図2】図1の実施例の平面図(蓋をはずした状態)で
ある。
【図3】ばね端子の一例を示す側面図である。
【図4】共通端子の一例を示す側面図である。
【図5】この考案の他の実施例を示す断面図である。
【図6】従来技術を示し、図2のB−Bに沿う側断面図
である。
【図7】図4の従来技術を示す平面図(蓋をはずした状
態)である。
【符号の説明】
10,10´ …正特性サーミスタ装置 12 …ケース 14,16 …側壁 18,20 …ばね端子 22,24 …突起部 26 …共通端子 28,30,34…正特性サーミスタ素子

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ケース、 前記ケースに内蔵される正特性サーミスタ素子、および
    前記正特性サーミスタ素子を挟持する突起部を含みかつ
    前記ケースから外部に引き出されるばね端子を備える正
    特性サーミスタ装置において、 少なくとも前記突起部を除き、前記ばね端子を前記ケー
    スに埋め込んだことを特徴とする、正特性サーミスタ装
    置。
JP5641291U 1991-07-19 1991-07-19 正特性サーミスタ装置 Expired - Lifetime JP2553806Y2 (ja)

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JPH0511403U JPH0511403U (ja) 1993-02-12
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JPH0511403U (ja) 1993-02-12

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