JP2553570B2 - オフセツト用刷版の製法 - Google Patents
オフセツト用刷版の製法Info
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- JP2553570B2 JP2553570B2 JP62174899A JP17489987A JP2553570B2 JP 2553570 B2 JP2553570 B2 JP 2553570B2 JP 62174899 A JP62174899 A JP 62174899A JP 17489987 A JP17489987 A JP 17489987A JP 2553570 B2 JP2553570 B2 JP 2553570B2
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- Japan
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- film
- plate
- offset printing
- sulfonation
- laser
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明はスルホン酸基を有するオフセツト用刷版の製
法に関するものである。さらに詳しくいえば、現像およ
び定着等の繁雑な処理を行うことなく、変調された低出
力のレーザ光を照射することにより極めて簡便かつ安価
にオフセツト用刷版を製造する方法に関するものであ
る。
法に関するものである。さらに詳しくいえば、現像およ
び定着等の繁雑な処理を行うことなく、変調された低出
力のレーザ光を照射することにより極めて簡便かつ安価
にオフセツト用刷版を製造する方法に関するものであ
る。
従来、オフセツト印刷に用いられる印刷板を得る方法
は、（１）いわゆるPS版法、（２）シルバーマスター方
式に代表される銀塩写真法、（３）エレクトロフアツク
ス方式に代表される電子写真法、等が商品化されてい
る。
は、（１）いわゆるPS版法、（２）シルバーマスター方
式に代表される銀塩写真法、（３）エレクトロフアツク
ス方式に代表される電子写真法、等が商品化されてい
る。
しかしながら、これらの方法は、露光により潜像を形
成し、現像、定着処理を行った後、印刷版を得るため、
製版工程が繁雑である、製版機自体が大きくなる、現像
液の取り扱いに手を汚す等の欠点があつた。一方、現
像、定着等の処理工程の不要なオフセツト印刷版の製造
方法として、例えば、特開昭49−118501では、親油性樹
脂を成分とする物体の表面を化成処理して親水性層を形
成させた後、レーザ光を照射することにより該親水性層
を選択的に除去して画線部を形成させる方法が提案され
ている。しかしながら、レーザ光を用いて親油性樹脂成
分を急激な熱分解により食刻させ平凹版とするものであ
るから製版に際して多大のエネルギーを必要とするのみ
ならず、樹脂の燃え殻等が版面に付着するため解像性の
優れた鮮明な印刷物を得ることが困難であつた。また、
先に本発明者らが特開昭60−102632、60−132760で提供
した方法は、所定のスルホン酸基を導入することにより
殆んど食刻を行う事なく製版する方法であるが、比較的
高エネルギー密度の光エネルギーを必要としたため、実
用的には、例えば、数百ワツト以上のキセノンフラツシ
ユランプまたは数ワツト以上の出力を有するレーザー発
振機を装着しなければならないという欠点があつた。
成し、現像、定着処理を行った後、印刷版を得るため、
製版工程が繁雑である、製版機自体が大きくなる、現像
液の取り扱いに手を汚す等の欠点があつた。一方、現
像、定着等の処理工程の不要なオフセツト印刷版の製造
方法として、例えば、特開昭49−118501では、親油性樹
脂を成分とする物体の表面を化成処理して親水性層を形
成させた後、レーザ光を照射することにより該親水性層
を選択的に除去して画線部を形成させる方法が提案され
ている。しかしながら、レーザ光を用いて親油性樹脂成
分を急激な熱分解により食刻させ平凹版とするものであ
るから製版に際して多大のエネルギーを必要とするのみ
ならず、樹脂の燃え殻等が版面に付着するため解像性の
優れた鮮明な印刷物を得ることが困難であつた。また、
先に本発明者らが特開昭60−102632、60−132760で提供
した方法は、所定のスルホン酸基を導入することにより
殆んど食刻を行う事なく製版する方法であるが、比較的
高エネルギー密度の光エネルギーを必要としたため、実
用的には、例えば、数百ワツト以上のキセノンフラツシ
ユランプまたは数ワツト以上の出力を有するレーザー発
振機を装着しなければならないという欠点があつた。
本発明は、先の親水性スルホン酸基を有するオフセツ
ト印刷用版材の製版性を大幅に改良したものであつて、
該版材の表面の赤外吸収スペクトルにおいて、スルホン
酸基に帰属される波数1200付近の強いバンドの吸光度と
波数1050付近のバンドの吸光度との比が少なくとも0.6
であるものを変調されたレーザ光を用いて製版する方法
に関し、該表面を形態的には殆ど変化させることなく画
線部を形成することが出来るのみならず、従来の製版方
法に較べて、現像、定着、エツチングといつた工程を省
略することが出来るため極めて簡便に解像性の優れた印
刷版を製造することができる。
ト印刷用版材の製版性を大幅に改良したものであつて、
該版材の表面の赤外吸収スペクトルにおいて、スルホン
酸基に帰属される波数1200付近の強いバンドの吸光度と
波数1050付近のバンドの吸光度との比が少なくとも0.6
であるものを変調されたレーザ光を用いて製版する方法
に関し、該表面を形態的には殆ど変化させることなく画
線部を形成することが出来るのみならず、従来の製版方
法に較べて、現像、定着、エツチングといつた工程を省
略することが出来るため極めて簡便に解像性の優れた印
刷版を製造することができる。
さらに、本発明のスルホン化物は可視及び近赤外領域
の低出力のレーザ光にも感応するため、例えば、出力十
数ミリワツトのヘリウム・ネオンレーザまたは半導体レ
ーザを用いて製版することが可能である。従つて、編集
・組み版機能を有するコンピユータ（ワークステーシヨ
ン）に連結し、変調されたレーザ光用いて製版する工程
とオフセツト印刷機とを容易に連結することが可能にな
るため、従来の光学方式である銀塩写真・湿式現像法や
静電・トナー現像法に較べて小形、軽量、低価格である
ほか、製版方式の簡便なトータル製版印刷システムを提
供することが出来る。
の低出力のレーザ光にも感応するため、例えば、出力十
数ミリワツトのヘリウム・ネオンレーザまたは半導体レ
ーザを用いて製版することが可能である。従つて、編集
・組み版機能を有するコンピユータ（ワークステーシヨ
ン）に連結し、変調されたレーザ光用いて製版する工程
とオフセツト印刷機とを容易に連結することが可能にな
るため、従来の光学方式である銀塩写真・湿式現像法や
静電・トナー現像法に較べて小形、軽量、低価格である
ほか、製版方式の簡便なトータル製版印刷システムを提
供することが出来る。
本発明の製版方法に適用可能な版材は、スルホン化反
応により高分子化合物のフイルムまたはシートの表面に
スルホン酸基を付与したものであつて、前記の高分子化
合物としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリブテン−１、エチレン・４−メチルペンテン−
１の共重合体等のポリオレフイン重合体、ポリ塩化ビニ
ル、ポリフツ化ビニリデン、塩化ビニル・塩化ビニリデ
ン共重合体等のポリアルキレンハライド、またはスチレ
ンおよびジビニルベンゼンの共重合体のごとく架橋芳香
族高分子化合物等があげられ、これらの高分子化合物を
スルホン化して得ることができる。またはポリアルキレ
ンハライドを塩基で処理することによりハロゲン化水素
を脱離させた後、スルホン化する方法等を用いることも
できる。スルホン化の方法については特に制限はなく、
例えば、前記フイルムまたはシートを発煙硫酸中に浸漬
してもよいし、無水硫酸をそのままか、あるいはクロロ
ホルム、四塩化炭素、二塩化エチレン等の無水硫酸に対
して比較的活性の少ない有機溶剤で希釈して用いても良
い。また、無水硫酸をジメチルホルムアミド、またはジ
オキサン等との付加物としてスルホン化してもよい。さ
らに前記高分子化合物のフイルムまたはシートを他の基
材、例えば、紙、ガラスクロス、ガラスペーパー、アル
ミニウム板等と貼り合わせ複合材とした後スルホン化処
理をしても良いし、予めスルホン化の処理のされたもの
を貼り合わせて印刷用版材としてもよい。
応により高分子化合物のフイルムまたはシートの表面に
スルホン酸基を付与したものであつて、前記の高分子化
合物としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリブテン−１、エチレン・４−メチルペンテン−
１の共重合体等のポリオレフイン重合体、ポリ塩化ビニ
ル、ポリフツ化ビニリデン、塩化ビニル・塩化ビニリデ
ン共重合体等のポリアルキレンハライド、またはスチレ
ンおよびジビニルベンゼンの共重合体のごとく架橋芳香
族高分子化合物等があげられ、これらの高分子化合物を
スルホン化して得ることができる。またはポリアルキレ
ンハライドを塩基で処理することによりハロゲン化水素
を脱離させた後、スルホン化する方法等を用いることも
できる。スルホン化の方法については特に制限はなく、
例えば、前記フイルムまたはシートを発煙硫酸中に浸漬
してもよいし、無水硫酸をそのままか、あるいはクロロ
ホルム、四塩化炭素、二塩化エチレン等の無水硫酸に対
して比較的活性の少ない有機溶剤で希釈して用いても良
い。また、無水硫酸をジメチルホルムアミド、またはジ
オキサン等との付加物としてスルホン化してもよい。さ
らに前記高分子化合物のフイルムまたはシートを他の基
材、例えば、紙、ガラスクロス、ガラスペーパー、アル
ミニウム板等と貼り合わせ複合材とした後スルホン化処
理をしても良いし、予めスルホン化の処理のされたもの
を貼り合わせて印刷用版材としてもよい。
スルホン化の条件は使用される高分子の種類によつて
異なるが、地汚れの発生しない非画像部を形成するため
には、一般にスルホン化量が交換当量にして５×10-5〜
１×10-1ミリ当量/cm2であることが必要である。なお、
スルホン化量は次のようにして求める。すなわち、表面
をスルホン化したフイルム（表面積Mcm2）を１規定の塩
化カルシウム水溶液に浸漬して平衡状態とし、その水溶
液中に生じた塩化水素を、0.1規定の水酸化ナトリウム
水溶液（力価:f）で滴定して、指示薬フエノールフタレ
インによる中和値（Xcc）を求め、次式で算出する。
異なるが、地汚れの発生しない非画像部を形成するため
には、一般にスルホン化量が交換当量にして５×10-5〜
１×10-1ミリ当量/cm2であることが必要である。なお、
スルホン化量は次のようにして求める。すなわち、表面
をスルホン化したフイルム（表面積Mcm2）を１規定の塩
化カルシウム水溶液に浸漬して平衡状態とし、その水溶
液中に生じた塩化水素を、0.1規定の水酸化ナトリウム
水溶液（力価:f）で滴定して、指示薬フエノールフタレ
インによる中和値（Xcc）を求め、次式で算出する。
スルホン化量（ミリ当量/cm2）＝（0.1×ｆ×Ｘ）/M ここでいう吸光度比は、赤外吸収スペクトルの解析に
おいて一般に採用されているベースライン法を用いて求
める。すなわち、スルホン酸基に帰属される波数1050及
び1170付近の強いバンドと、本発明で規定される波数12
00付近の強いバンドに共通なベースラインを基準にして
当該するバンドの吸光度の比を求める。なお、スルホン
化物の赤外吸収スペクトルは反射法（ATR法）によつて
測定することが出来る。スルホン酸基は通常波数1050付
近及び波数1170付近に特徴的な２本の強いバンドを示す
ことが知られているが、さらに波数1200付近、好ましく
は波数1200〜1230付近に同程度の強いバンドを示す前記
のスルホン化物であつて、スルホン酸基に帰属される波
数1200付近の強いバンドの吸光度と波数1050付近のバン
ドの吸光度との比が0.6以上の時、本発明の目的とする
高感度に改良されたオフセツト印刷用版材を与える。吸
光度比2.3以上のものを得ることは一般に困難であり、
実用性の優れた低出力のレーザを用いて製版するに必要
な感度を有するスルホン化物の吸光度比は、好ましくは
1.1〜1.8である。
おいて一般に採用されているベースライン法を用いて求
める。すなわち、スルホン酸基に帰属される波数1050及
び1170付近の強いバンドと、本発明で規定される波数12
00付近の強いバンドに共通なベースラインを基準にして
当該するバンドの吸光度の比を求める。なお、スルホン
化物の赤外吸収スペクトルは反射法（ATR法）によつて
測定することが出来る。スルホン酸基は通常波数1050付
近及び波数1170付近に特徴的な２本の強いバンドを示す
ことが知られているが、さらに波数1200付近、好ましく
は波数1200〜1230付近に同程度の強いバンドを示す前記
のスルホン化物であつて、スルホン酸基に帰属される波
数1200付近の強いバンドの吸光度と波数1050付近のバン
ドの吸光度との比が0.6以上の時、本発明の目的とする
高感度に改良されたオフセツト印刷用版材を与える。吸
光度比2.3以上のものを得ることは一般に困難であり、
実用性の優れた低出力のレーザを用いて製版するに必要
な感度を有するスルホン化物の吸光度比は、好ましくは
1.1〜1.8である。
製版に用いることの可能なレーザとして、アルゴンレ
ーザ、ヘリウム・ネオンレーザ、半導体レーザ、ヤグレ
ーザ、炭酸ガスレーザ等の汎用されているものを使用す
ることが出来るが、一般に波長の短いレーザを用いたと
きには製版効率が高いため小さいエネルギー製版が可能
である。レーザの出力として通常十数ミリワツト以下の
ものを用いることができる。しかし高速製版が必要であ
り、小型で改良されたものが得られる場合には出力が１
ワツト以下の適当な形式のレーザを使用することができ
る。
ーザ、ヘリウム・ネオンレーザ、半導体レーザ、ヤグレ
ーザ、炭酸ガスレーザ等の汎用されているものを使用す
ることが出来るが、一般に波長の短いレーザを用いたと
きには製版効率が高いため小さいエネルギー製版が可能
である。レーザの出力として通常十数ミリワツト以下の
ものを用いることができる。しかし高速製版が必要であ
り、小型で改良されたものが得られる場合には出力が１
ワツト以下の適当な形式のレーザを使用することができ
る。
実施例１ 乾燥したガラス容器内に、厚さ約200μの高密度ポリ
エチレンフイルム（平均分子量約10万）をセツトした反
応容器を、内温が０〜５℃になるように外部から冷却し
た。一方、無水硫酸の入つたガス発生器に、外部から乾
燥した窒素ガスを導入することにより得られる無水硫酸
ガスを０〜５℃になるように外部から冷却して、前記の
反応容器に導入しながら25分間反応を行つた。反応終了
後、該フイルムを容器から取り出して水洗し乾燥した。
このフイルムのスルホン化量は7.2×10-4ミリ当量/c
m2、赤外吸収スペクトルの吸光度比は1.7であつた。次
いで、このフイルムを回転ロールに貼り付け、ヘリウム
・ネオンレーザ（NEC社製;GLG5400,出力10mw）のビーム
径20μに集光した光を走査した。ロールの回転速度を2m
/secに設定した。このようにして作製した版をオフセツ
ト印刷機に取り付けて印刷を行つたところ線巾約22μの
鮮明な画線を得た。
エチレンフイルム（平均分子量約10万）をセツトした反
応容器を、内温が０〜５℃になるように外部から冷却し
た。一方、無水硫酸の入つたガス発生器に、外部から乾
燥した窒素ガスを導入することにより得られる無水硫酸
ガスを０〜５℃になるように外部から冷却して、前記の
反応容器に導入しながら25分間反応を行つた。反応終了
後、該フイルムを容器から取り出して水洗し乾燥した。
このフイルムのスルホン化量は7.2×10-4ミリ当量/c
m2、赤外吸収スペクトルの吸光度比は1.7であつた。次
いで、このフイルムを回転ロールに貼り付け、ヘリウム
・ネオンレーザ（NEC社製;GLG5400,出力10mw）のビーム
径20μに集光した光を走査した。ロールの回転速度を2m
/secに設定した。このようにして作製した版をオフセツ
ト印刷機に取り付けて印刷を行つたところ線巾約22μの
鮮明な画線を得た。
実施例２ 厚さ約150μ、大きさＢ−４サイズのエチレン・４−
メチルペンテン−１（３モル％）の線状低密度ポリエチ
レンフイルム（平均分子量約３万）を実施例１と同一の
反応条件にて20分間スルホン化反応を行つた後、水洗
し、風乾した。このフイルムのスルホン化量は1.4×10
-3ミリ当量/cm2で、吸光度比は1.2であつた。このフイ
ルムを回転ロールに貼り付け、2m/secの速度で回転させ
ながら半導体レーザ（シヤープ社製;LT027MD/MF,出力10
mw）を光学レンズで集光して走査した。このようにして
製版したものをオフセツト印刷機にセツトして印刷を行
つたところ23μの鮮明な画線を得た。
メチルペンテン−１（３モル％）の線状低密度ポリエチ
レンフイルム（平均分子量約３万）を実施例１と同一の
反応条件にて20分間スルホン化反応を行つた後、水洗
し、風乾した。このフイルムのスルホン化量は1.4×10
-3ミリ当量/cm2で、吸光度比は1.2であつた。このフイ
ルムを回転ロールに貼り付け、2m/secの速度で回転させ
ながら半導体レーザ（シヤープ社製;LT027MD/MF,出力10
mw）を光学レンズで集光して走査した。このようにして
製版したものをオフセツト印刷機にセツトして印刷を行
つたところ23μの鮮明な画線を得た。
実施例３ エチレンとアクリル酸エチルの共重合体よりなるフイ
ルム（重合開始時のアクリル酸エチル含有率6.5モル
％、厚さ約150μ、吸水率1.5％）を乾燥したガラス容器
内にセツトし、内温が０〜５℃になるように外部から冷
却した。一方、無水硫酸の入つたガス発生器に、外部か
ら乾燥した窒素ガスを導入することにより得られる無水
硫酸ガスを０〜５℃になるように外部から冷却して、前
記の反応容器に導入しながら約25分間反応を行つた。反
応終了後、該フイルムを容器から取り出し、よく水洗し
た後、乾燥した。このフイルムのスルホン化量は5.2×1
0-3ミリ当量/cm2、赤外吸収スペクトルの吸光度比1.7で
あつた。前記のフイルムを実施例１と同様にヘリウム・
ネオンレーザを用いて画像を形成させた後、オフセツト
印刷を行つたところ約20μの鮮明な画線を得た。
ルム（重合開始時のアクリル酸エチル含有率6.5モル
％、厚さ約150μ、吸水率1.5％）を乾燥したガラス容器
内にセツトし、内温が０〜５℃になるように外部から冷
却した。一方、無水硫酸の入つたガス発生器に、外部か
ら乾燥した窒素ガスを導入することにより得られる無水
硫酸ガスを０〜５℃になるように外部から冷却して、前
記の反応容器に導入しながら約25分間反応を行つた。反
応終了後、該フイルムを容器から取り出し、よく水洗し
た後、乾燥した。このフイルムのスルホン化量は5.2×1
0-3ミリ当量/cm2、赤外吸収スペクトルの吸光度比1.7で
あつた。前記のフイルムを実施例１と同様にヘリウム・
ネオンレーザを用いて画像を形成させた後、オフセツト
印刷を行つたところ約20μの鮮明な画線を得た。
実施例４ 市販されているポリ塩化ビニルフイルム（住友ベーク
ライト社製；スミライトVSS、吸水率0.1％以下）を乾燥
したガラス容器内にセツトし、内温が０〜５℃になるよ
う外部から冷却した。一方、無水硫酸の入つたガス発生
器に、外部から乾燥した窒素ガスを導入することにより
得られる無水硫酸ガスを０〜５℃になるように外部から
冷却して、前記の反応容器に導入しながら約25分間反応
を行つた。反応終了後、該フイルムを容器から取り出
し、よく水洗した後、乾燥した。このフイルムのスルホ
ン化量は2.3×10-3ミリ当量/cm2,赤外吸収スペクトルの
吸光度比1.2であつた。次いで、半導体レーザを用いて
実施例２と同様に製版し、オフセツト印刷を行つたとこ
ろ約25μの鮮明な画線を得た。
ライト社製；スミライトVSS、吸水率0.1％以下）を乾燥
したガラス容器内にセツトし、内温が０〜５℃になるよ
う外部から冷却した。一方、無水硫酸の入つたガス発生
器に、外部から乾燥した窒素ガスを導入することにより
得られる無水硫酸ガスを０〜５℃になるように外部から
冷却して、前記の反応容器に導入しながら約25分間反応
を行つた。反応終了後、該フイルムを容器から取り出
し、よく水洗した後、乾燥した。このフイルムのスルホ
ン化量は2.3×10-3ミリ当量/cm2,赤外吸収スペクトルの
吸光度比1.2であつた。次いで、半導体レーザを用いて
実施例２と同様に製版し、オフセツト印刷を行つたとこ
ろ約25μの鮮明な画線を得た。
実施例５ ジビニルベンゼン40モル％およびビニルトルエン60モ
ル％の懸濁重合を行い、微粉末状の共重合体を得た。こ
の粉末を可塑剤としてフタル酸ジオクチル、分散剤とし
てシクロヘキサノンを混合した後、加熱して得たポリ塩
化ビニルのペーストに混ぜ、60〜70℃に加熱したローラ
ーで練り、適当に分散剤を蒸発させながら厚さ約150μ
のシートを得た。このシートをロールに巻付け、約10％
の無水硫酸ガスを含有した窒素ガスの雰囲気中に導きな
がらスルホン化反応を行つた。反応時間は平均20分であ
つた。反応終了後、シートを水洗して風乾した。このフ
イルムのスルホン化量は6.1×10-3ミリ当量/cm2,吸光度
比は0.9であつた。次いで、このフイルムを回転ロール
に貼り付けヤグレーザ（NEC社製;SL129,出力50mw）のビ
ーム径40μに集光した光を走査した。回転ロールの周速
度を3m/secに設定した。このようにして得られた版を用
いてオフセツト印刷を行つたところ約45μの鮮明な画像
を得た。
ル％の懸濁重合を行い、微粉末状の共重合体を得た。こ
の粉末を可塑剤としてフタル酸ジオクチル、分散剤とし
てシクロヘキサノンを混合した後、加熱して得たポリ塩
化ビニルのペーストに混ぜ、60〜70℃に加熱したローラ
ーで練り、適当に分散剤を蒸発させながら厚さ約150μ
のシートを得た。このシートをロールに巻付け、約10％
の無水硫酸ガスを含有した窒素ガスの雰囲気中に導きな
がらスルホン化反応を行つた。反応時間は平均20分であ
つた。反応終了後、シートを水洗して風乾した。このフ
イルムのスルホン化量は6.1×10-3ミリ当量/cm2,吸光度
比は0.9であつた。次いで、このフイルムを回転ロール
に貼り付けヤグレーザ（NEC社製;SL129,出力50mw）のビ
ーム径40μに集光した光を走査した。回転ロールの周速
度を3m/secに設定した。このようにして得られた版を用
いてオフセツト印刷を行つたところ約45μの鮮明な画像
を得た。
実施例６ 市販されているポリ塩化ビニルフイルム（住友ベーク
ライト社製；スミライトVSS,吸水率0.1％以下）をステ
ンレス枠に保持し、40％カ性ソーダ水溶液中において80
℃で４時間加熱処℃を行い褐色のフイルムを得た後、水
洗して60度に設定された減圧乾燥器内で３時間乾燥を行
つた。次に無水硫酸ガスの導入管を装着した４ツ口セパ
ラブルフラスコの中に、前記のカ性ソーダで処理された
ポリ塩化ビニルのフイルムを保持したステンレス枠をセ
ツトして、窒素ガスでフラスコ内部を置換し、内温を０
〜５℃に保ちながら水銀柱350mmまで減圧した。次いで
排気管を閉じて無水硫酸を水銀柱450mmに達するまで導
入して、そのまま10分間保持し、スルホン化反応を行つ
た。反応終了後、該ステンレス枠を取り出し水洗した
後、暗所で風乾した。このフイルムのスルホン化量は4.
1×10-3ミリ当量/cm2であり、吸収スペクトルにおいて5
00nm付近に巾広く強いバンドを示した。このフイルム表
面の接触角を水液滴法により測定したところ10度以下で
あり、吸光度比は1.6であつた。このようにして得られ
たフイルムを実施例１と同様にヘリウム・ネオンレーザ
を用いて4m/secの速度で製版しオフセツト印刷を行つた
ところ線巾19μの鮮明な画線を得た。
ライト社製；スミライトVSS,吸水率0.1％以下）をステ
ンレス枠に保持し、40％カ性ソーダ水溶液中において80
℃で４時間加熱処℃を行い褐色のフイルムを得た後、水
洗して60度に設定された減圧乾燥器内で３時間乾燥を行
つた。次に無水硫酸ガスの導入管を装着した４ツ口セパ
ラブルフラスコの中に、前記のカ性ソーダで処理された
ポリ塩化ビニルのフイルムを保持したステンレス枠をセ
ツトして、窒素ガスでフラスコ内部を置換し、内温を０
〜５℃に保ちながら水銀柱350mmまで減圧した。次いで
排気管を閉じて無水硫酸を水銀柱450mmに達するまで導
入して、そのまま10分間保持し、スルホン化反応を行つ
た。反応終了後、該ステンレス枠を取り出し水洗した
後、暗所で風乾した。このフイルムのスルホン化量は4.
1×10-3ミリ当量/cm2であり、吸収スペクトルにおいて5
00nm付近に巾広く強いバンドを示した。このフイルム表
面の接触角を水液滴法により測定したところ10度以下で
あり、吸光度比は1.6であつた。このようにして得られ
たフイルムを実施例１と同様にヘリウム・ネオンレーザ
を用いて4m/secの速度で製版しオフセツト印刷を行つた
ところ線巾19μの鮮明な画線を得た。
実施例７ 実施例１にて使用した高密度ポリエチレンフィルムを
無水硫酸約15％を含有した発煙硫酸中に０℃にて約20時
間浸漬してスルホン化反応を行った。反応終了後、十分
に水洗し、１規定カ性ソーダで中和して風乾した。この
フィルムのスルホン化量は8.2×10-3ミリ当量/cm2で、
吸光度比は0.7であった。
無水硫酸約15％を含有した発煙硫酸中に０℃にて約20時
間浸漬してスルホン化反応を行った。反応終了後、十分
に水洗し、１規定カ性ソーダで中和して風乾した。この
フィルムのスルホン化量は8.2×10-3ミリ当量/cm2で、
吸光度比は0.7であった。
次いでこのフィルムを実施例２と同様に半導体レーザ
を用いて製版し、オフセット印刷機にて印刷を行ったと
ころ、22μｍの鮮明な画線を得た。
を用いて製版し、オフセット印刷機にて印刷を行ったと
ころ、22μｍの鮮明な画線を得た。
比較例 実施例３にて使用したエチレンとアクリル酸エチルの
共重合体よりなるフィルムを実施例の方法に従って、60
℃にて10分間スルホン化反応を行った。反応終了後、十
分に水洗して風乾した。このフィルムのスルホン化量は
3.6x10-3ミリ当量/cm2で、吸光度比は0.5であった。
共重合体よりなるフィルムを実施例の方法に従って、60
℃にて10分間スルホン化反応を行った。反応終了後、十
分に水洗して風乾した。このフィルムのスルホン化量は
3.6x10-3ミリ当量/cm2で、吸光度比は0.5であった。
次いでこのフィルムを実施例１と同様にヘリウム・ネ
オンレーザーを用いて製版し、オフセット印刷機にて印
刷を行ったところ、鮮明な画線が得られなかった。
オンレーザーを用いて製版し、オフセット印刷機にて印
刷を行ったところ、鮮明な画線が得られなかった。
Claims (1)
- 【請求項１】スルホン化反応によりその表面にスルホン
酸基を付与された高分子量重合体のフィルムまたはシー
トであって、該表面の赤外吸収スペクトルにおいて、ス
ルホン酸基に帰属される波数1200付近の強いバンドの吸
光度と波数1050付近のバンドの吸光度との比が少なくと
も0.6であるスルホン化物の表面に、変調されたレーザ
ー光を照射することにより画像形成することを特徴とす
るオフセット用刷版の製法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62174899A JP2553570B2 (ja) | 1987-07-15 | 1987-07-15 | オフセツト用刷版の製法 |
| US07/171,590 US4965322A (en) | 1987-04-06 | 1988-03-22 | Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same |
| GB8807174A GB2203438B (en) | 1987-04-06 | 1988-03-25 | Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same |
| FR8804180A FR2613498B1 (fr) | 1987-04-06 | 1988-03-30 | Polymeres sensibles a la lumiere et a la chaleur, leur procede de preparation et procede d'enregistrement d'informations les mettant en oeuvre |
| DE3811423A DE3811423A1 (de) | 1987-04-06 | 1988-04-05 | Lichtempfindliche und waermeempfindliche polymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in aufzeichnungsverfahren |
| IT20096/88A IT1217392B (it) | 1987-04-06 | 1988-04-05 | Polimeri fotosensibili e termosensibili,processo per produrli e processo per registrare informazioni con l'uso degli stessi |
| FR8811914A FR2619227B1 (fr) | 1987-04-06 | 1988-09-13 | Polymeres sensibles a la lumiere et a la chaleur, leur procede de preparation et procede d'enregistrement d'informations les mettant en oeuvre. |
| US07/554,751 US5025266A (en) | 1987-04-06 | 1990-07-20 | Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same |
| US07/679,408 US5187047A (en) | 1987-04-06 | 1991-04-02 | Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62174899A JP2553570B2 (ja) | 1987-07-15 | 1987-07-15 | オフセツト用刷版の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6418635A JPS6418635A (en) | 1989-01-23 |
| JP2553570B2 true JP2553570B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=15986634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62174899A Expired - Lifetime JP2553570B2 (ja) | 1987-04-06 | 1987-07-15 | オフセツト用刷版の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553570B2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-15 JP JP62174899A patent/JP2553570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6418635A (en) | 1989-01-23 |
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