JP2550742B2 - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
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- JP2550742B2 JP2550742B2 JP2075482A JP7548290A JP2550742B2 JP 2550742 B2 JP2550742 B2 JP 2550742B2 JP 2075482 A JP2075482 A JP 2075482A JP 7548290 A JP7548290 A JP 7548290A JP 2550742 B2 JP2550742 B2 JP 2550742B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は，レーザCVD法によりLSI等に金属薄膜を形成
するレーザCVD装置に関する。
するレーザCVD装置に関する。
［従来の技術］ 近年，半導体集積回路（LSI）上の回路変更，修正を
目的として，レーザCVD法により金属薄膜を導体配線状
に選択的に形成する技術が注目され，研究及び装置化の
開発がなされている。一例をあげれば，タングステンカ
ルボニルＷ（CO）６を原料にし,Arレーザ又はNd:YAGレ
ーザの第２高調波を光源として,LSI上にタングステン
（Ｗ）配線を形成する方法が知られている。また一方
で，薄膜形成の為の核物質を光解離反応により形成する
ことを目的として，光源に紫外線レーザ光を用いる試み
もなされている。
目的として，レーザCVD法により金属薄膜を導体配線状
に選択的に形成する技術が注目され，研究及び装置化の
開発がなされている。一例をあげれば，タングステンカ
ルボニルＷ（CO）６を原料にし,Arレーザ又はNd:YAGレ
ーザの第２高調波を光源として,LSI上にタングステン
（Ｗ）配線を形成する方法が知られている。また一方
で，薄膜形成の為の核物質を光解離反応により形成する
ことを目的として，光源に紫外線レーザ光を用いる試み
もなされている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら，これらのレーザCVD技術を用いた金属
薄膜形成方法・装置では，レーザCVD法で形成された金
属薄膜を保護するための手段を有していなかった。
薄膜形成方法・装置では，レーザCVD法で形成された金
属薄膜を保護するための手段を有していなかった。
従って，上述した従来のレーザCVD装置では,LSIの内
部回路を変更する際，レーザCVD法により形成された金
属配線は露出状態となっている。この為に，その金属配
線の表面が酸化したり，あるいはLSIの内部回路とレー
ザCVDによって形成された金属配線との結合部から水分
が侵入するといった原因から回路特性が劣化するおそれ
があり，長期間テストする場合には問題とされていた。
部回路を変更する際，レーザCVD法により形成された金
属配線は露出状態となっている。この為に，その金属配
線の表面が酸化したり，あるいはLSIの内部回路とレー
ザCVDによって形成された金属配線との結合部から水分
が侵入するといった原因から回路特性が劣化するおそれ
があり，長期間テストする場合には問題とされていた。
また，液晶パネル上の配線パターンの修正への応用を
考えた場合には，液晶の劣化を防止するために，必ず修
正配線部が露出しない様な工夫をしなければならず，現
状の装置では適用できなかった。
考えた場合には，液晶の劣化を防止するために，必ず修
正配線部が露出しない様な工夫をしなければならず，現
状の装置では適用できなかった。
そこで，本発明の技術的課題は，レーザCVD法で形成
された金属薄膜を保護するための保護膜形成手段を有す
るレーザCVD装置を得ることにある。
された金属薄膜を保護するための保護膜形成手段を有す
るレーザCVD装置を得ることにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば,CVD原料ガスと接触する試料表面上
に，紫外域及び可視域の２種類のレーザ光を照射する手
段を有し，前記CVD原料ガスの光解離反応及び熱解離反
応を利用して，前記試料表面上のレーザ光照射部分に選
択的に金属薄膜を形成するレーザCVD装置において，前
記紫外域のレーザ光照射により硬化が進行する絶縁材料
を前記試料表面に供給する供給手段を備えることにより
前記金属薄膜上に絶縁膜を形成できるようにしたことを
特徴とするレーザCVD装置が得られる。
に，紫外域及び可視域の２種類のレーザ光を照射する手
段を有し，前記CVD原料ガスの光解離反応及び熱解離反
応を利用して，前記試料表面上のレーザ光照射部分に選
択的に金属薄膜を形成するレーザCVD装置において，前
記紫外域のレーザ光照射により硬化が進行する絶縁材料
を前記試料表面に供給する供給手段を備えることにより
前記金属薄膜上に絶縁膜を形成できるようにしたことを
特徴とするレーザCVD装置が得られる。
［作用］ 本発明のレーザCVD装置における前記供給手段は，紫
外線により硬化する絶縁材料をCVDにより形成した金属
薄膜表面に供給する。そして，レーザCVD用の光源であ
る紫外域のレーザ光の照射により，この絶縁材料から表
面保護用の絶縁膜を必要な部分のみに形成する。
外線により硬化する絶縁材料をCVDにより形成した金属
薄膜表面に供給する。そして，レーザCVD用の光源であ
る紫外域のレーザ光の照射により，この絶縁材料から表
面保護用の絶縁膜を必要な部分のみに形成する。
［実施例］ 次に，本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す模式図であ
る。本実施例によるレーザ発振装置30では，レーザCVD
用の光源として,CW励起のNd:YAGレーザあるいはArレー
ザを用いるが,Nd:YAGレーザの場合その第２高調波を利
用する。そして,ArレーザあるいはNd:YAGレーザの第２
高調波の波長を２逓倍すると紫外光を得ることができ
る。レーザ発振装置30は，可視域レーザ11の他に，可動
ミラー12,2逓倍用の波長変換器13,ダイクロイックミラ
ー14,ビームエキスパンダ15,ダイクロイックミラー16を
含む。接眼部17,CCDカメラ18は試料５を観察したり，撮
影したりするためのものである。
る。本実施例によるレーザ発振装置30では，レーザCVD
用の光源として,CW励起のNd:YAGレーザあるいはArレー
ザを用いるが,Nd:YAGレーザの場合その第２高調波を利
用する。そして,ArレーザあるいはNd:YAGレーザの第２
高調波の波長を２逓倍すると紫外光を得ることができ
る。レーザ発振装置30は，可視域レーザ11の他に，可動
ミラー12,2逓倍用の波長変換器13,ダイクロイックミラ
ー14,ビームエキスパンダ15,ダイクロイックミラー16を
含む。接眼部17,CCDカメラ18は試料５を観察したり，撮
影したりするためのものである。
CVD原料ガス１としてはタングステンカルボニルＷ（C
O）６を使用する。このCVD原料ガス１は,W（CO）６の粉
末を加熱して気化させることにより発生させる。なお,W
（CO）６の飽和蒸気圧は63℃で約1Torrである。試料５
が装着されている密閉型のチェンバ２内へはアルゴンAr
をキャリアガスとして送り込む。なお，キャリアガスを
含めた全体の流量は200〜300SCCM（標準cc/分）であ
る。
O）６を使用する。このCVD原料ガス１は,W（CO）６の粉
末を加熱して気化させることにより発生させる。なお,W
（CO）６の飽和蒸気圧は63℃で約1Torrである。試料５
が装着されている密閉型のチェンバ２内へはアルゴンAr
をキャリアガスとして送り込む。なお，キャリアガスを
含めた全体の流量は200〜300SCCM（標準cc/分）であ
る。
チェンバ２内の試料５の表面へは，チェンバ２の表面
に設けられた石英製の窓ガラス３を通して，対物レンズ
４により集光されたレーザ光を照射する。特に，金属薄
膜生成の初期段階では紫外光を用いて核となる物質の発
生を容易にし，次にxyステージ10を駆動して試料５を動
かしながら配線状に金属薄膜を形成する段階で光源を可
視レーザ光に切り換える。これは試料５の表面に吸着さ
れた原料ガス１の分子のみが熱解離する状態を利用し
て，空間的な選択性を高めるためである。なお，紫外光
は，波長変換器13により可視域レーザ11の出力を２逓倍
することで容易に得られる。可動ミラー12は可視域レー
ザ12の出力を波長変換器13あるいはダイクロイックミラ
ー14のいずれか一方に供給する切換え手段として作用す
る。必要な金属配線をCVD法により形成した後，その表
面に絶縁材料７の保護膜を形成する工程へ移る。絶縁材
料７は液体のものを使用し，定量の供給ができる吐出ポ
ンプあるいはソレノイドを使用したバルブの開閉などの
手段（図示せず）で，試料５の表面に近接したノズル６
から供給される。
に設けられた石英製の窓ガラス３を通して，対物レンズ
４により集光されたレーザ光を照射する。特に，金属薄
膜生成の初期段階では紫外光を用いて核となる物質の発
生を容易にし，次にxyステージ10を駆動して試料５を動
かしながら配線状に金属薄膜を形成する段階で光源を可
視レーザ光に切り換える。これは試料５の表面に吸着さ
れた原料ガス１の分子のみが熱解離する状態を利用し
て，空間的な選択性を高めるためである。なお，紫外光
は，波長変換器13により可視域レーザ11の出力を２逓倍
することで容易に得られる。可動ミラー12は可視域レー
ザ12の出力を波長変換器13あるいはダイクロイックミラ
ー14のいずれか一方に供給する切換え手段として作用す
る。必要な金属配線をCVD法により形成した後，その表
面に絶縁材料７の保護膜を形成する工程へ移る。絶縁材
料７は液体のものを使用し，定量の供給ができる吐出ポ
ンプあるいはソレノイドを使用したバルブの開閉などの
手段（図示せず）で，試料５の表面に近接したノズル６
から供給される。
紫外線の照射により硬化が進行する絶縁材料７として
は，ネガ型のフォトレジストの利用が考えられる。ネガ
型のレジストは，紫外光の照射により架橋反応が起こ
り，紫外線を照射した部分にのみ絶縁膜を形成すること
ができる。光源としてNd:YAGレーザのＱスイッチパルス
を考えると，波長266nmの紫外光を平均出力10mW以上で
発生させることができ，集光して照射する本実施例の場
合にはレジストを露光するのに充分である。
は，ネガ型のフォトレジストの利用が考えられる。ネガ
型のレジストは，紫外光の照射により架橋反応が起こ
り，紫外線を照射した部分にのみ絶縁膜を形成すること
ができる。光源としてNd:YAGレーザのＱスイッチパルス
を考えると，波長266nmの紫外光を平均出力10mW以上で
発生させることができ，集光して照射する本実施例の場
合にはレジストを露光するのに充分である。
また，レジストの分子量の大小をコントロールするこ
とにより，試料表面の塗布膜厚を変えることができ，絶
縁膜厚が適切となる様な制御が可能である。
とにより，試料表面の塗布膜厚を変えることができ，絶
縁膜厚が適切となる様な制御が可能である。
なお，以上の説明では絶縁材料７を部分的に塗布する
ことを仮定したが，試料５の形状が許せば，全面に塗布
した絶縁材料に対して必要部分のみ紫外レーザ光照射に
より絶縁膜を形成した後，不要な絶縁材料は洗浄により
除去する方法も可能である。
ことを仮定したが，試料５の形状が許せば，全面に塗布
した絶縁材料に対して必要部分のみ紫外レーザ光照射に
より絶縁膜を形成した後，不要な絶縁材料は洗浄により
除去する方法も可能である。
第２図は本発明の第２の実施例の構成を示す模式図で
ある。本実施例では，発振装置30において，紫外・可視
両波長域において同時に発振する紫外・可視同時発振レ
ーザ20を用いている。
ある。本実施例では，発振装置30において，紫外・可視
両波長域において同時に発振する紫外・可視同時発振レ
ーザ20を用いている。
本実施例では，紫外・可視同時発振レーザ20から紫外
レーザ，可視レーザの両方が同時に発生されることによ
り，光解離反応による初期（initiation）段階と熱解離
反応による薄膜成長を同時に行うことができる。絶縁膜
を形成する場合には,CVD原料ガス１の供給を原料ガスON
・OFFバルブ21により止めてCVD反応を停止した上で，紫
外レーザにより硬化する絶縁材料７の塗布を行う。試料
５上の絶縁材料には紫外レーザと共に可視レーザも照射
されるが，絶縁材料は紫外レーザのみに反応するので第
１の実施例と同様に絶縁膜の形成が行える。
レーザ，可視レーザの両方が同時に発生されることによ
り，光解離反応による初期（initiation）段階と熱解離
反応による薄膜成長を同時に行うことができる。絶縁膜
を形成する場合には,CVD原料ガス１の供給を原料ガスON
・OFFバルブ21により止めてCVD反応を停止した上で，紫
外レーザにより硬化する絶縁材料７の塗布を行う。試料
５上の絶縁材料には紫外レーザと共に可視レーザも照射
されるが，絶縁材料は紫外レーザのみに反応するので第
１の実施例と同様に絶縁膜の形成が行える。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば，レーザCVD技術
を利用してLSIの配線を修正した部分に，保護のための
絶縁膜を同一装置上で形成できる手段を有するため，配
線修正したLSIの信頼性を飛躍的に向上させ，長期のテ
スト使用やサンプル出荷品としての使用を可能とすると
いう効果がある。
を利用してLSIの配線を修正した部分に，保護のための
絶縁膜を同一装置上で形成できる手段を有するため，配
線修正したLSIの信頼性を飛躍的に向上させ，長期のテ
スト使用やサンプル出荷品としての使用を可能とすると
いう効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す模式図，第
２図は本発明の第２の実施例の構成を示す模式図であ
る。 1,……原料ガス,2,……チェンバ,5,……試料,6,……ノ
ズル,7,……絶縁材料。
２図は本発明の第２の実施例の構成を示す模式図であ
る。 1,……原料ガス,2,……チェンバ,5,……試料,6,……ノ
ズル,7,……絶縁材料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04
Claims (2)
- 【請求項１】CVD原料ガスと接触する試料表面上に，紫
外域及び可視域の２種類のレーザ光を照射する手段を有
し，前記CVD原料ガスの光解離反応及び熱解離反応を利
用して，前記試料表面上のレーザ光照射部分に選択的に
金属薄膜を形成するレーザCVD装置において，前記紫外
域のレーザ光照射により硬化が進行する絶縁材料を前記
試料表面に供給する供給手段を備えることにより前記金
属薄膜上に絶縁膜を形成できるようにしたことを特徴と
するレーザCVD装置。 - 【請求項２】請求項（１）記載のレーザCVD装置におい
て，前記絶縁材料としてネガ型のフォトレジストを用
い，該フォトレジストの分子量をコントロールすること
により前記絶縁膜の厚さをコントロールすることを特徴
とするレーザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075482A JP2550742B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075482A JP2550742B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276724A JPH03276724A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2550742B2 true JP2550742B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13577555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2075482A Expired - Fee Related JP2550742B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550742B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2075482A patent/JP2550742B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03276724A (ja) | 1991-12-06 |
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