JP2546441B2 - レジスト灰化装置 - Google Patents
レジスト灰化装置Info
- Publication number
- JP2546441B2 JP2546441B2 JP1202391A JP1202391A JP2546441B2 JP 2546441 B2 JP2546441 B2 JP 2546441B2 JP 1202391 A JP1202391 A JP 1202391A JP 1202391 A JP1202391 A JP 1202391A JP 2546441 B2 JP2546441 B2 JP 2546441B2
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- Japan
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- resist
- substrate
- deposited
- ashing apparatus
- resist ashing
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に被着したレジス
トをオゾンと酸素とを含んだ混合気体により分解して除
去するレジスト灰化装置、特に膜厚に違いのあるレジス
トを略同時に除去できるレジスト灰化装置に関する。半
導体装置等における配線パターンの微細化に伴い、基板
に被着した有機系のレジストをオゾン(03)で分解して除
去するレジスト灰化装置が半導体装置の製造工程で多く
採用されるようになってきた。
トをオゾンと酸素とを含んだ混合気体により分解して除
去するレジスト灰化装置、特に膜厚に違いのあるレジス
トを略同時に除去できるレジスト灰化装置に関する。半
導体装置等における配線パターンの微細化に伴い、基板
に被着した有機系のレジストをオゾン(03)で分解して除
去するレジスト灰化装置が半導体装置の製造工程で多く
採用されるようになってきた。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来のレジスト灰化装置につい
て、図２を参照しながら説明する。図２は、従来のレジ
スト灰化装置を説明するための図で、同図(a)は装置の
要部を模式的に示す側断面図、同図(b) はレジストを被
着した基板の平面図、同図(c) はレジストを被着した基
板のＡ−Ａ線断面図である。なお、本明細書においては
同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同じ符
号を付与してある。
て、図２を参照しながら説明する。図２は、従来のレジ
スト灰化装置を説明するための図で、同図(a)は装置の
要部を模式的に示す側断面図、同図(b) はレジストを被
着した基板の平面図、同図(c) はレジストを被着した基
板のＡ−Ａ線断面図である。なお、本明細書においては
同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同じ符
号を付与してある。
【０００３】従来のレジスト灰化装置は、同図(a) に示
すように処理槽10と、処理槽10内に配設されてレジスト
32を被着した基板31を水平にして載置する加熱手段、例
えば加熱ヒータ11a をアルミニウム製の厚板状をしたプ
レート11b に埋め込んでなるホットプレート11と、プレ
ート11b の温度を電圧に変換する熱電対12と、熱電対12
の出力を入力してホットプレート11の加熱ヒータ11a に
供給する電流Ｉの電流値を変えてプレート11b の温度を
調整する温度調整装置13と、オゾン発生装置（図示せ
ず）から供給された酸素とオゾンからなる混合気体33を
処理槽10内にシャワー状に吹き出すシャワーヘッド14と
を含んで構成したものである。
すように処理槽10と、処理槽10内に配設されてレジスト
32を被着した基板31を水平にして載置する加熱手段、例
えば加熱ヒータ11a をアルミニウム製の厚板状をしたプ
レート11b に埋め込んでなるホットプレート11と、プレ
ート11b の温度を電圧に変換する熱電対12と、熱電対12
の出力を入力してホットプレート11の加熱ヒータ11a に
供給する電流Ｉの電流値を変えてプレート11b の温度を
調整する温度調整装置13と、オゾン発生装置（図示せ
ず）から供給された酸素とオゾンからなる混合気体33を
処理槽10内にシャワー状に吹き出すシャワーヘッド14と
を含んで構成したものである。
【０００４】かかる構成をしたレジスト灰化装置によ
り、基板31に被着した有機系のレジスト32を分解して除
去する方法を工程順に説明する。まず、処理槽10内に配
設したホットプレート11のプレート11b に基板10を水平
にして載置し、処理槽10内に連通した排気管10a と連結
した排気装置（図示せず）を作動して処理槽10内を真空
にする。次いで温度調整装置13と熱電対12とによりホッ
トプレート11のプレート11b を加熱し、基板31の全体
が、例えば２５０〜３００℃程度になるようにする。こ
の後、シャワーヘッド14から前記混合気体33を処理槽10
内にシャワー状に連続して噴出させると、この加熱によ
り強い酸化力を備えたオゾンは基板31に被着したレジス
ト32を連続的に分解して除去することとなる。
り、基板31に被着した有機系のレジスト32を分解して除
去する方法を工程順に説明する。まず、処理槽10内に配
設したホットプレート11のプレート11b に基板10を水平
にして載置し、処理槽10内に連通した排気管10a と連結
した排気装置（図示せず）を作動して処理槽10内を真空
にする。次いで温度調整装置13と熱電対12とによりホッ
トプレート11のプレート11b を加熱し、基板31の全体
が、例えば２５０〜３００℃程度になるようにする。こ
の後、シャワーヘッド14から前記混合気体33を処理槽10
内にシャワー状に連続して噴出させると、この加熱によ
り強い酸化力を備えたオゾンは基板31に被着したレジス
ト32を連続的に分解して除去することとなる。
【０００５】なお、排気装置は連続して処理槽10内を排
気しているので、レジスト32の分解により生成された生
成物、例えば炭酸ガスは混合気体33とともに処理槽10外
に排出されることとなる。
気しているので、レジスト32の分解により生成された生
成物、例えば炭酸ガスは混合気体33とともに処理槽10外
に排出されることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】基板31に被着したレジ
スト32の膜厚が均一であれば、基板31のどの表面領域に
被着したレジスト32でも略同一の時間で分解して除去さ
れる。ところが、長方形（正方形を含む）の基板31にレ
ジスト32をスピンコート方式で塗布すると、図２の(b)
図及び(c) 図に示す如く基板31のコーナ部31b に被着し
たレジスト32の膜厚は、基板31の中央部31a の膜厚より
厚くなることが経験的に知られている。
スト32の膜厚が均一であれば、基板31のどの表面領域に
被着したレジスト32でも略同一の時間で分解して除去さ
れる。ところが、長方形（正方形を含む）の基板31にレ
ジスト32をスピンコート方式で塗布すると、図２の(b)
図及び(c) 図に示す如く基板31のコーナ部31b に被着し
たレジスト32の膜厚は、基板31の中央部31a の膜厚より
厚くなることが経験的に知られている。
【０００７】したがって、このような状態で基板31に被
着したレジスト32をレジスト灰化装置により前述した方
法により分解して除去すると、基板31の中央部31a に被
着したレジスト32がコーナ部31bに被着したレジスト32
より早く除去される。このため、基板31の中央部31a
に、配線パターン、例えばアルミニウムやクロム等の金
属で形成した配線パターン（図示せず）等が設けられて
いると、この配線パターンが強い酸化力を有するオゾン
に曝されてエッチングされてしまうという問題があっ
た。
着したレジスト32をレジスト灰化装置により前述した方
法により分解して除去すると、基板31の中央部31a に被
着したレジスト32がコーナ部31bに被着したレジスト32
より早く除去される。このため、基板31の中央部31a
に、配線パターン、例えばアルミニウムやクロム等の金
属で形成した配線パターン（図示せず）等が設けられて
いると、この配線パターンが強い酸化力を有するオゾン
に曝されてエッチングされてしまうという問題があっ
た。
【０００８】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的はレジストを被着し
た基板の任意の領域を任意の温度で加熱し、膜厚に違い
のあるレジストを略同時に除去できるレジスト灰化装置
の提供にある。
になされたものであって、その目的はレジストを被着し
た基板の任意の領域を任意の温度で加熱し、膜厚に違い
のあるレジストを略同時に除去できるレジスト灰化装置
の提供にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１に示す
ように基板31に被着したレジスト32を分解して除去する
際に、基板31を加熱する加熱手段21を備えたレジスト灰
化装置において、加熱手段21が、それぞれ独立に温度制
御される複数の加熱手段より構成されて基板31の任意の
領域を任意の温度で加熱できることを特徴とするレジス
ト灰化装置により達成される。
ように基板31に被着したレジスト32を分解して除去する
際に、基板31を加熱する加熱手段21を備えたレジスト灰
化装置において、加熱手段21が、それぞれ独立に温度制
御される複数の加熱手段より構成されて基板31の任意の
領域を任意の温度で加熱できることを特徴とするレジス
ト灰化装置により達成される。
【００１０】
【作用】本発明のレジスト灰化装置は、図１に示すよう
に基板の任意の領域を任意の温度で加熱できる加熱手段
を備えて構成されている。オゾンの酸化作用による有機
系のレジスト32の分解速度は、レジスト32の温度に依存
し、レジスト32の温度が高くなるほど速くなることが知
られている。したがって、加熱手段21でレジスト32を厚
く被着した基板31のある領域、例えば図２により説明し
た基板31のコーナ部31b の温度を基板31の中央部31a の
温度より高くすることにより、コーナ部31b に被着した
レジスト32と中央部31a に被着したレジスト32とは略同
時に除去されることとなる。
に基板の任意の領域を任意の温度で加熱できる加熱手段
を備えて構成されている。オゾンの酸化作用による有機
系のレジスト32の分解速度は、レジスト32の温度に依存
し、レジスト32の温度が高くなるほど速くなることが知
られている。したがって、加熱手段21でレジスト32を厚
く被着した基板31のある領域、例えば図２により説明し
た基板31のコーナ部31b の温度を基板31の中央部31a の
温度より高くすることにより、コーナ部31b に被着した
レジスト32と中央部31a に被着したレジスト32とは略同
時に除去されることとなる。
【００１１】かくして、本発明のレジスト灰化装置は、
基板31の中央部31a にアルミニウムやクロム等の金属で
形成した配線パターン等が設けられていても、この配線
パターンをエッチングすることなくレジスト32を分解し
て除去できることとなる。
基板31の中央部31a にアルミニウムやクロム等の金属で
形成した配線パターン等が設けられていても、この配線
パターンをエッチングすることなくレジスト32を分解し
て除去できることとなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例のレジスト灰化装置
について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発
明の一実施例のレジスト灰化装置を説明するための図で
あって、同図(a) は装置の要部を模式的に示す側断面
図、同図(b) はマルチヒータ型ホットプレートの平面
図、同図(c) は基板を載置した状態のマルチヒータ型ホ
ットプレートの平面図である。
について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発
明の一実施例のレジスト灰化装置を説明するための図で
あって、同図(a) は装置の要部を模式的に示す側断面
図、同図(b) はマルチヒータ型ホットプレートの平面
図、同図(c) は基板を載置した状態のマルチヒータ型ホ
ットプレートの平面図である。
【００１３】本発明の一実施例のレジスト灰化装置は、
図１の(a) 〜(c) 図に示すように、図２により説明した
従来のレジスト灰化装置のホットプレート11を、加熱手
段すなわち直径の異なる環状をした小径リングヒータ21
a1と中径リングヒータ21a2及び大径リングヒータ21a3か
らなるリングヒータ21a をアルミニウム製の厚板状をし
たプレート21b に埋め込んでなるマルチヒータ型ホット
プレート21に変更、また従来の１本の熱電対12を、マル
チヒータ型ホットプレート21のプレート21b の中心部、
外側部、及び中心部と外側部との境界領域部に接点を点
在して多点温度調整装置23に接続した３本の熱電対22
ａ、22b 、22c に変更、更に従来の温度調整装置13を、
マルチヒータ型ホットプレート21のリングヒータ21a1、
21a2、21a3に電流I1、I2、I3を独立に供給する多点温度
調整装置23に変更して構成したものである。
図１の(a) 〜(c) 図に示すように、図２により説明した
従来のレジスト灰化装置のホットプレート11を、加熱手
段すなわち直径の異なる環状をした小径リングヒータ21
a1と中径リングヒータ21a2及び大径リングヒータ21a3か
らなるリングヒータ21a をアルミニウム製の厚板状をし
たプレート21b に埋め込んでなるマルチヒータ型ホット
プレート21に変更、また従来の１本の熱電対12を、マル
チヒータ型ホットプレート21のプレート21b の中心部、
外側部、及び中心部と外側部との境界領域部に接点を点
在して多点温度調整装置23に接続した３本の熱電対22
ａ、22b 、22c に変更、更に従来の温度調整装置13を、
マルチヒータ型ホットプレート21のリングヒータ21a1、
21a2、21a3に電流I1、I2、I3を独立に供給する多点温度
調整装置23に変更して構成したものである。
【００１４】したがって、かかる本発明の一実施例のレ
ジスト灰化装置により、そのマルチヒータ型ホットプレ
ート21のプレート21b に同図(c) に示すように載置した
基板31のレジスト32( なお、基板31に被着したこのレジ
スト32は、図２の (ｂ) 図及び(c) 図に示すように基板
31の中央部31a に被着したレジスト32の膜厚より、基板
31のコーナ部31b に被着したレジスト32の膜厚が厚くな
っている) を、シャワーヘッド14より処理槽10内に吹き
出したオゾンと酸素よりなる混合気体33で略同時に分解
して除去するには、マルチヒータ型ホットプレート21の
リングヒータ21a1、21a2、21a3に流す電流I1、I2、I3の
それぞれの電流値を熱電対22ａ、22b 、22c と多点温度
調整装置23により制御し、マルチヒータ型ホットプレー
ト21のプレート21b の外側部の温度をプレート21b の中
央部の温度より高くする。
ジスト灰化装置により、そのマルチヒータ型ホットプレ
ート21のプレート21b に同図(c) に示すように載置した
基板31のレジスト32( なお、基板31に被着したこのレジ
スト32は、図２の (ｂ) 図及び(c) 図に示すように基板
31の中央部31a に被着したレジスト32の膜厚より、基板
31のコーナ部31b に被着したレジスト32の膜厚が厚くな
っている) を、シャワーヘッド14より処理槽10内に吹き
出したオゾンと酸素よりなる混合気体33で略同時に分解
して除去するには、マルチヒータ型ホットプレート21の
リングヒータ21a1、21a2、21a3に流す電流I1、I2、I3の
それぞれの電流値を熱電対22ａ、22b 、22c と多点温度
調整装置23により制御し、マルチヒータ型ホットプレー
ト21のプレート21b の外側部の温度をプレート21b の中
央部の温度より高くする。
【００１５】このような状態においては、基板31のコー
ナ部31b の温度は、基板31の中央部31a の温度より高く
なる。したがって基板31のコーナ部31b のレジスト32の
気化速度は、基板31の中央部31a のレジスト32の気化速
度より速くなるから、基板31に被着したレジスト32は略
同時に分解して除去されることとなる。かくして、本発
明の一実施例のレジスト灰化装置は、基板31の中央部31
a にアルミニウムやクロム等の金属で形成した配線パタ
ーン等が設けられていても、配線パターンを酸化するこ
となくレジスト32を分解して除去できることとなる。
ナ部31b の温度は、基板31の中央部31a の温度より高く
なる。したがって基板31のコーナ部31b のレジスト32の
気化速度は、基板31の中央部31a のレジスト32の気化速
度より速くなるから、基板31に被着したレジスト32は略
同時に分解して除去されることとなる。かくして、本発
明の一実施例のレジスト灰化装置は、基板31の中央部31
a にアルミニウムやクロム等の金属で形成した配線パタ
ーン等が設けられていても、配線パターンを酸化するこ
となくレジスト32を分解して除去できることとなる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト灰
化装置は、基板に被着した膜厚に違いのあるレジストを
略同時に除去できることとなる。したがって、本発明の
レジスト灰化装置を採用することにより基板に形成した
配線パターン等の酸化を防止でき、レチクル、マスク等
の品質を向上できることとなる。
化装置は、基板に被着した膜厚に違いのあるレジストを
略同時に除去できることとなる。したがって、本発明の
レジスト灰化装置を採用することにより基板に形成した
配線パターン等の酸化を防止でき、レチクル、マスク等
の品質を向上できることとなる。
【図１】は本発明の一実施例のレジスト灰化装置を説明
するための図、
するための図、
【図２】は従来のレジスト灰化装置を説明するための図
である。
である。
10は、処理槽、 10a は、排気管、 11は、加熱手段 (ホットプレート) 、 11a は、加熱ヒータ、 11b は、プレート、 12は、熱電対、 13は、温度調整装置、 14は、シャワーヘッド、 21は、加熱手段 (マルチヒータ型ホットプレート) 、 21a は、小径リングヒータ21a1と中径リングヒータ21a2
及び大径リングヒータ 21a3からなるリングヒータ、 21b は、プレート、 22a 、22b 、22c は、熱電対、 23は、多点温度調整装置である。
及び大径リングヒータ 21a3からなるリングヒータ、 21b は、プレート、 22a 、22b 、22c は、熱電対、 23は、多点温度調整装置である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板(31)に被着したレジスト(32)を分解
して除去する際に、基板(31)を加熱する加熱手段(21)を
備えたレジスト灰化装置において、前記加熱手段(21)
が、それぞれ独立に温度制御される複数の加熱手段より
構成されて前記基板(31)の任意の領域を任意の温度で加
熱できることを特徴とするレジスト灰化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202391A JP2546441B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | レジスト灰化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202391A JP2546441B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | レジスト灰化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04246817A JPH04246817A (ja) | 1992-09-02 |
| JP2546441B2 true JP2546441B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=11794007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202391A Expired - Fee Related JP2546441B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | レジスト灰化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546441B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP1202391A patent/JP2546441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04246817A (ja) | 1992-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960618 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |