JP2536438B2 - 半導体レ―ザ装置 - Google Patents
半導体レ―ザ装置Info
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- JP2536438B2 JP2536438B2 JP5296512A JP29651293A JP2536438B2 JP 2536438 B2 JP2536438 B2 JP 2536438B2 JP 5296512 A JP5296512 A JP 5296512A JP 29651293 A JP29651293 A JP 29651293A JP 2536438 B2 JP2536438 B2 JP 2536438B2
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- Japan
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- semiconductor laser
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- peltier
- optical system
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に冷却する機構を有する半導体レーザ装置に関す
る。
し、特に冷却する機構を有する半導体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、その光出力及び発振波
長を安定に保つことなどを目的として、周囲温度が変化
した場合にも半導体レーザの温度を一定に保って使用す
ることが多い。このような半導体レーザの温度を一定に
保つ方法として、一般に図２に示すような方法がとられ
る。すなわち、半導体レーザ６及び光学系を保守する台
（光学系固定基板３）は、ペルチェ素子２に装着され
る。そしてこのペルチェ素子２は、高温面となる光学系
固定基板の装着面と反対側の面はパッケージ１に装着さ
れる。光学系固定基板３には、半導体レーザ６がレンズ
４によってファイバー５に光学的に結合された状態で固
定されている。また、光学系固定基板３上には、半導体
レーザ６の温度をモニタするためサーミスタ７が装着さ
れている。パッケージ１からのファイバー５の取り出し
部分は、半導体レーザ装置の気密のためにハンダ等のシ
ール材８によりシールされる。
長を安定に保つことなどを目的として、周囲温度が変化
した場合にも半導体レーザの温度を一定に保って使用す
ることが多い。このような半導体レーザの温度を一定に
保つ方法として、一般に図２に示すような方法がとられ
る。すなわち、半導体レーザ６及び光学系を保守する台
（光学系固定基板３）は、ペルチェ素子２に装着され
る。そしてこのペルチェ素子２は、高温面となる光学系
固定基板の装着面と反対側の面はパッケージ１に装着さ
れる。光学系固定基板３には、半導体レーザ６がレンズ
４によってファイバー５に光学的に結合された状態で固
定されている。また、光学系固定基板３上には、半導体
レーザ６の温度をモニタするためサーミスタ７が装着さ
れている。パッケージ１からのファイバー５の取り出し
部分は、半導体レーザ装置の気密のためにハンダ等のシ
ール材８によりシールされる。
【０００３】上述の半導体レーザ装置の構造において、
周囲温度が上昇したり、または半導体レーザ６自身が発
熱することにより、半導体レーザ６の温度が上昇した場
合、半導体レーザが固着されている光学系固定基板３の
熱は、ペルチェ素子２の低温面により吸収され、ペルチ
ェ素子の反対側の高温面及びパッケージ１を通じて半導
体レーザ装置外に排除される。このようにして半導体レ
ーザの温度は一定に保たれる。
周囲温度が上昇したり、または半導体レーザ６自身が発
熱することにより、半導体レーザ６の温度が上昇した場
合、半導体レーザが固着されている光学系固定基板３の
熱は、ペルチェ素子２の低温面により吸収され、ペルチ
ェ素子の反対側の高温面及びパッケージ１を通じて半導
体レーザ装置外に排除される。このようにして半導体レ
ーザの温度は一定に保たれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザ装置では、ペルチェ素子の高温面よりケースを通じて
半導体レーザ装置の外へ排除されるべき熱がケースシー
ル材，ファイバー，光学系固定基板を通じてペルチェ素
子の低温面に伝わるため、ペルチェ素子の冷却能力が低
下するという問題点があった。
ザ装置では、ペルチェ素子の高温面よりケースを通じて
半導体レーザ装置の外へ排除されるべき熱がケースシー
ル材，ファイバー，光学系固定基板を通じてペルチェ素
子の低温面に伝わるため、ペルチェ素子の冷却能力が低
下するという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ペルチェ素子
により温調される光学系固定基板上に保持された半導体
レーザを有し、全体がパッケージ内に装着された半導体
レーザ装置において、ペルチェ素子の高温面に接するパ
ッケージの領域とペルチェ素子の低温面と熱的につなが
るパッケージの領域の間に断熱層を備えている。
により温調される光学系固定基板上に保持された半導体
レーザを有し、全体がパッケージ内に装着された半導体
レーザ装置において、ペルチェ素子の高温面に接するパ
ッケージの領域とペルチェ素子の低温面と熱的につなが
るパッケージの領域の間に断熱層を備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。図１は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の
断面図である。図に示すように半導体レーザ６は、レン
ズ４によってファイ５に光学的に結合された状態で光学
系固定基板３に固定されている。また、この光学系固定
基板３上には、半導体レーザ６の温度をモニタするため
サーミスタ７が装置されている。この光学系固定基板３
は、ペルチェ素子２の低温面に装置されペルチェ素子２
の反対側である高温面はパッケージ１に装置されてい
る。また、パッケージ１からのファイバー５の取り出し
部分は、半導体レーザ装置の気密のためにＩｎハンダの
シール材８によりシールされている。
明する。図１は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の
断面図である。図に示すように半導体レーザ６は、レン
ズ４によってファイ５に光学的に結合された状態で光学
系固定基板３に固定されている。また、この光学系固定
基板３上には、半導体レーザ６の温度をモニタするため
サーミスタ７が装置されている。この光学系固定基板３
は、ペルチェ素子２の低温面に装置されペルチェ素子２
の反対側である高温面はパッケージ１に装置されてい
る。また、パッケージ１からのファイバー５の取り出し
部分は、半導体レーザ装置の気密のためにＩｎハンダの
シール材８によりシールされている。
【０００７】本実施例のパッケージ１においては、ペル
チェ素子２の高温面と接するパッケージ領域を厚さ約１
ｍｍの断熱材９によって、ペルチェ素子２の低温面と熱
的につながっているパッケージ領域とを熱的に遮断して
いる構造としている。
チェ素子２の高温面と接するパッケージ領域を厚さ約１
ｍｍの断熱材９によって、ペルチェ素子２の低温面と熱
的につながっているパッケージ領域とを熱的に遮断して
いる構造としている。
【０００８】このような構造の半導体レーザ装置におい
て周囲温度が上昇した場合、または半導体レーザ６自身
が発熱した場合、これらの半導体レーザの温度変動はサ
ーミスタ７によりモニタされ、サーミスタ７の抵抗値が
一定となるように光学系固定基板３をペルチェ素子２に
より冷却することにより、半導体レーザ６の温度を一定
に保っている。この時ペルチェ素子２により吸収された
熱は、ペルチェ素子２の高温面と接するパッケージ１を
通じて半導体レーザ装置の外に排除される。この実施例
では、このペルチェ素子２の高温面側のパッケージ１を
断熱層９により熱的に遮断しているため、ペルチェ素子
２により吸収された熱は従来の半導体レーザ装置のよう
にペルチェ素子の低温面に伝わることがなくなった。こ
のため、半導体レーザに１００ｍＡの電流を流した時
に、半導体レーザ温度を２５℃に保つ場合の半導体レー
ザ装置の動作温度を７０℃から８０℃に改善することが
できた。
て周囲温度が上昇した場合、または半導体レーザ６自身
が発熱した場合、これらの半導体レーザの温度変動はサ
ーミスタ７によりモニタされ、サーミスタ７の抵抗値が
一定となるように光学系固定基板３をペルチェ素子２に
より冷却することにより、半導体レーザ６の温度を一定
に保っている。この時ペルチェ素子２により吸収された
熱は、ペルチェ素子２の高温面と接するパッケージ１を
通じて半導体レーザ装置の外に排除される。この実施例
では、このペルチェ素子２の高温面側のパッケージ１を
断熱層９により熱的に遮断しているため、ペルチェ素子
２により吸収された熱は従来の半導体レーザ装置のよう
にペルチェ素子の低温面に伝わることがなくなった。こ
のため、半導体レーザに１００ｍＡの電流を流した時
に、半導体レーザ温度を２５℃に保つ場合の半導体レー
ザ装置の動作温度を７０℃から８０℃に改善することが
できた。
【０００９】この実施例では、ペルチェ素子２の高温面
から低温面への熱の伝導経路をパッケージ１，シール材
８，ファイバー５，光学系固定基板３を通るものとして
説明したが、半導体レーザ素子等のボンディングワイヤ
ーが熱の伝導経路となっている場合にも、ボンディング
ワイヤーが接続されているリード領域とペルチェ素子の
高温面と接するパッケージ領域を断熱材により熱的に遮
断することによって同様の効果を得ることができる。
から低温面への熱の伝導経路をパッケージ１，シール材
８，ファイバー５，光学系固定基板３を通るものとして
説明したが、半導体レーザ素子等のボンディングワイヤ
ーが熱の伝導経路となっている場合にも、ボンディング
ワイヤーが接続されているリード領域とペルチェ素子の
高温面と接するパッケージ領域を断熱材により熱的に遮
断することによって同様の効果を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ペルチェ
素子の高温面に接するパッケージ領域とペルチェ素子の
低温面と熱的につながるパッケージ領域の間に断熱層を
備えたことにより、ペルチェ素子の高温面の熱が低温面
に伝わることがなくなり、ペルチェ素子の冷却能力を向
上するという効果を有する。
素子の高温面に接するパッケージ領域とペルチェ素子の
低温面と熱的につながるパッケージ領域の間に断熱層を
備えたことにより、ペルチェ素子の高温面の熱が低温面
に伝わることがなくなり、ペルチェ素子の冷却能力を向
上するという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザ装置の断面図
である。
である。
【図２】従来の半導体レーザ装置の断面図である。
１ パッケージ ２ ペルチェ素子 ３ 光学系固定基板 ４ レンズ ５ ファイバー ６ 半導体レーザ ７ サーミスタ ８ シール材 ９ 断熱層
Claims (1)
- 【請求項１】 ペルチェ素子により温調される光学系固
定基板上に保持された半導体レーザを有し、全体がパッ
ケージ内に装着されている半導体レーザ装置において、
ペルチェ素子の高温面に接するパッケージの領域とペル
チェ素子の低温面と熱的につながるパッケージの領域の
間に断熱層を備えることを特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296512A JP2536438B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体レ―ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296512A JP2536438B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体レ―ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147462A JPH07147462A (ja) | 1995-06-06 |
| JP2536438B2 true JP2536438B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=17834506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5296512A Expired - Fee Related JP2536438B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体レ―ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536438B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156382A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| KR100856182B1 (ko) * | 2002-03-09 | 2008-09-03 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드의 냉각장치 |
| JP2012204762A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Miyachi Technos Corp | レーザ加工用のレーザダイオードユニット |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5296512A patent/JP2536438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07147462A (ja) | 1995-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960514 |
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