JP2532916B2 - 1―〔4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンゾイル〕アジリジン、及びn―〔2―(置換アミノ)エチル〕―4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンズアミドの製法 - Google Patents

1―〔4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンゾイル〕アジリジン、及びn―〔2―(置換アミノ)エチル〕―4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンズアミドの製法

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    • C07D203/18Heterocyclic compounds containing three-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with acylated ring nitrogen atoms by carboxylic acids, or by sulfur or nitrogen analogues thereof

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、公知の抗不整脈剤である、置換されたスル
ホンアミンベンズアミドの製法に関する。詳言すれば、
本発明はN−[2−(置換アミノ)エチル]−4−
[(メチルスルホニル)アミノ]ベンズアミドの製法に
関する。本発明は又、新規化合物の1−[4−[(メチ
ルスルホニル)アミノ]ベンゾイル]アジリジン及び該
化合物を本発明の方法において使用することに関する。
従来の技術 D.Davey他による1985年10月1日に発行された米国特
許第4,544,651号明細書及び1986年12月16日に発行され
た米国特許第4,629,739号明細書には、新規の置換され
たスルホンアミンドベンズアミド及びこれらの抗不整脈
剤としての用途、詳言すればそれらのクラスIII抗不整
脈剤としての用途が記載されている。
本発明は、以下の式I: [式中、R及びR1は水素原子、不飽和低級アルキル基、
C1〜C12−直鎖状又は枝分れ鎖状アルキル基、C3〜C6
シクロアルキル基、シクロアルキル(低級)アルキル
基、ヒドロキシ基又はメトキシ基から選択される3個ま
での置換基によって置換されていてもよい低級アルキル
基を表し、但しこの場合 a)R及びR1両者は水素原子ではない、 b)不飽和は窒素原子に対してα−位には存在し得な
い]で示される前記特許明細書に記載された一定の化合
物の製法に関する。
前記式I中、低級アルキル基は1〜4個の炭素原子を
有する直鎖状又は枝分れ鎖状アルキル基を意味し、不飽
和低級アルキル基は二重結合又は三重結合を有する3〜
4個の炭素原子を有する直鎖状又は枝分れ鎖状の基を意
味するものである。シクロアルキル基は、3〜6個の炭
素原子を有する飽和炭素環式を意味すると理解されるべ
きでありかつシクロアルキル(低級)アルキル基は4〜
10個の炭素原子を有するべきである。
式Iの化合物は、例えば a)N−[2−(エチル(ヘプチル)アミノ)エチル]
−4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンズアミド、 b)N−[2−[[2−(3,4−ジメトキシフェニル)
エチル]−4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンズ
アミド及び c)N−[2−(ジメチルアミノ)エチル]−4−
[(メチルスルホニル)アミノ]ベンズアミド のような化合物である、クラスIII抗不整脈剤と同様な
重要性を有する。
引用した特許明細書から、これらの化合物は最も一般
的には以下の方法A: [式中、R及びR1は前記のものを表しかつXはクロロ又
はメチルエステルを表す]によって製造される。前記に
挙げた化合物a,b&cに関しては、R及びR1は以下のよ
うに定義される: 化合物a) RはC2H5、R1はC7H15である。
化合物b) RはH、R1である。
化合物c) RはC2H5、及びR1はC2H5である。
前記方法Aは、アミノ部分に接続鎖を導入するために
第一級又は第二級アミン(II)クロロアセトニトリルア
ルキル化を包含する。引き続いての工程は、適当に置換
されたエチレンジアミンを形成するためのニトリルの水
素化リチウムアルミニウム還元である。次いで、前記の
置換されたエチレンジアミンを4−[(メチルスルホニ
ル)アミノ]ベンゾイルクロリド又は4−[(メチルス
ルホニル)アミノ]安息香酸メチルエステルとカップリ
ングして所望の化合物N−[2−(置換アミノ)エチ
ル]−4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンズアミ
ドにする。
前記方法Aは、式Iの化合物を製造する際には有用で
あるが(最も特殊には適当なエチレンジアミンが市販さ
れている場合)、大規模な製造のためにも、又若干の場
合には化合物自体の最初の製造においても全く好ましく
ない。例えば、該反応は有害物質であるクロロアセトニ
トリルを使用し、引き続いての反応はエチレンジアミン
を製造するための水素化リチウムアルミニウム還元を包
含し、この繁雑な反応は可能であれば、大規模の環境に
おける安全性(例えば水性廃棄物中のH2の発生)の理由
から回避すべきである。付加的に、第二級アミノ官能基
を有する式Iの化合物、例えばR又はR1が水素原子であ
るものは、方法Aを介しては製造が困難である。相応す
る第一級アミンをクロロアセトニトリルでアルキル化す
ると、若干の未反応出発物質、所望の第二級アミン及び
若干のジアルキル化された第四級アミンから成る混合物
が生じる。もう一つの問題点は、ジアミノ化合物に対す
るアロイル分のカップリングで生じ、この場合にはジア
ミノ原子団の利用され得る窒素原子がジアロイル化合物
の混合物を生成することがある。これらの可能な混合物
は、低い収率をもたらしかつ分離を困難にする。
発明が解決しようとする課題 従って、本発明の課題は、式IのN−[2−(置換ア
ミノ)エチル]−4−[(メチルスルホニル)アミノ]
ベンズアミドを製造するための安全なかつ繁雑でない方
法を提供することであった。
課題を解決するための手段 前記課題は、本発明により新規の中間体を使用しかつ
該中間体を第一級又は第二級アミンと反応させることの
より解決された。得られる方法Bは、以下の通りであ
る: 尚、上記式中、R及びR1は前記に定義したものを表す。
上記方法Bに記載した新規のN−アシルアリジン中間体
は、化合物1−[4−([(メチルスルホニル)アミ
ノ]ベンゾイル]−アジリジン(III)であり、該化合
物はN−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイルク
ロリド又は4−[(メチルスルホニル)アミノ]安息香
酸とエチルクロロホルメートの混合物をアジリジンと反
応させて、目的化合物を生成させることにより製造する
ことができる。
次いで、該新規のN−アシルアリジンを第一級又は第
二級アミンIIによって求核性開環させる。この開環は2
つの反応体を溶剤媒体例えば低級アルカノール、低級ア
ルキルシアニド、DMF又はDMSO中で約20℃〜約120℃の温
度で、N−アシルアリジンの完全な求核性開環を達成す
るのに十分な時間反応させることにより実施する。反応
の終了点は、薄層クロマトグラフィーを利用した反応の
経過の追跡によって決定する。
最も一般的に使用される低級アルカノールはメタノー
ルでありかつ最も一般的使用される低級アルキルシアニ
ドはアセトニトリルである。反応の温度は20〜120℃の
間で変動することができるが、最も一般的には反応は約
50℃の温度で実施する。該反応は、3〜96時間、最も一
般的には24〜48時間を必要とすることが判明した。いず
れにせよ、このN−アシルアリジンの求核性開環は、薄
層クロマトグラフィーを利用して完遂させることができ
る。
従って、本発明によれば、式Iの活性の抗不整脈剤を
製造するための方法Bにおけるような選択的方法が提供
される。
実施例 以下に実施例につき本発明を詳細に説明するが、該実
施例は本発明を範囲を制限するものではない。
例1 1−[4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイ
ル]アジリジン A.4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイルクロ
リド13.0g)55.6mmol)を塩化メチレン150ml中に懸濁さ
せかつ0℃に冷却した。アジリジン2.40g(55.7mmol)
及びトリエチルアミン7.75ml(55.6mmol)を加えかつ反
応混合物を室温に加熱しかつ2時間攪拌した。2時間後
に、該溶液を塩化ナトリウム飽和水溶液100mlで洗浄し
かつ冷凍庫に入れた。18時間後に、得られた白色の沈澱
物を濾過し、エーテル50mlで洗浄しかつ乾燥して前記の
標題化合物を得た。
NMR(CD3CN):δ=2.41(s,4)、3.11(s,3)、7.09
(br s,1)、7.27(d,2)、及び8.08(d,2)ppm. B.窒素雰囲気下で−10℃に冷却したアセトン0.6ml中の
エチルクロロホルメート0.343g(3.16mmol)の溶液に、
アセトン25ml中の4−[(メチルスルホニル)アミノ]
安息香酸トリエチルアミン塩1.0g)3.16mmol)の溶液を
滴加した。該混合物を−10℃で2時間攪拌し、次いでア
セトン10ml中のアジリジン0.136g(3.16mmol)の溶液を
徐々に加えた。添加を終了した後該反応混合物を周囲温
度で30分間攪拌し、次いで溶剤を真空中で除去した。該
残留物ジエチルエーテル:塩化メチレン(2:1)を用い
てシリカゲル上でフラッシュクロマトグラフィー処理
し、該フラクションを含有する生成物から溶剤を蒸発さ
せた後に、前記標題化合物が得られた。
例2 N−[2−(エチル(ヘプチル)アミノ)エチル]−
4−[(メチルスルホニル)アミノ]−ベンズアミド燐
酸塩 N−エチルヘプタンアミン0.60g(4.16mmol)及び1
−[4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイル]
アジリジン0.50g(2.08mmol)をアセトニトリル10ml中
に溶かしかつ該溶液を48時間50℃に加熱した。反応は薄
層クロマトグラフィー(シリカゲル(EM);アセトニト
リル:濃水酸化アンモニウム(90:10))によって監視
した。48時間後に、反応混合物を蒸発させかつ得られた
固体を塩化メチレン20ml中に溶かした。この溶液を1N水
酸化ナトリウム水溶液2×10mlで抽出した。該水性抽出
物を6N塩酸水溶液でpH=1に酸性化しかつ塩化メチレン
2×15mlで抽出した。合した有機抽出物を重炭酸ナトリ
ウム飽和水溶液で中和させかつ水10mlで洗浄した。有機
層を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過しかつ回転蒸発
器で蒸発させて油状物を得た。この油状物を50%の水性
メタノール20ml中に溶かしかつ0.1N燐酸水溶液でpH=4.
5に滴定した。この溶液を回転蒸発器で蒸発させかつ残
留水をアルコール20mlで共沸蒸留することにより除去し
た。この残留物を試薬アルコール8mlから結晶させて、
標題化合物を得た。
NMR(DMSO−D6):δ=0.74−0.92(t,3)、1.00−1.14
(t,3)、1.14−1.34(m,8)、1.40−1.60(m,2)、2.6
0−2.96(m,6)、3.04(s,3)、3.36−3.56(m,2)、6.
20−8.50(br s,4)、7.20−7.32(d,2)、7.80−8.00
(d,2)、及び8.80(br s,1)ppm. 例3 N−[2−[[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エ
チル]アミノ]エチル]−[(メチルスルホニル)アミ
ノ]ベンズアミド 1−[4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイ
ル]アジリジン4.5g(18.73mmol)及び2−(3,4−ジメ
トキシフェニル)エチルアミン6.79gをアセトニトリル1
00ml中に溶かしかつ50℃で48時間加熱した。反応は薄層
クロマトグラフィー(シリカゲル(EM);アセトニトリ
ル)によって監視した。該溶液を濃縮して20mlの容積に
しかつ試料をフラッシュシリカゲル(Baker)を使用し
かつアセトニトリルで溶離して、フラッシュカラムクロ
マトグラフィーによって精製した。生成物フラクション
を合しかつ溶剤を蒸発させ、該残留物をメタノール50ml
中に溶かし、塩酸で酸性にしかつ冷凍庫に入れた。得ら
れた沈澱物を濾過して、前記標題化合物を得た。
NMR(DMSO−d6):δ=2.90(m,2)、3.05(s,3)、3.1
8(m,4)、3.63(q,2)、3.73(s,3)、3.76(s,3)、
6.80(dd,1)、6.87(d,1)、6.88(d,1)、7.27(d,
2)、7.91(d,2)、8.77(t,1)、8.95(br s,2)、及
び10.20(br s,1)ppm. 例4 N−[2−(ジエチルアミノ)エチル]−4−[(メ
チルスルホニル)アミノ]−ベンズアミド塩酸塩 1−[4−[(メチルスルホニル)アミノ]ベンゾイ
ル]アジリジン0.50g(2.08mmol)及びジエチルアミン
0.43ml(4.16mmol)をアセトニトリル10ml中に溶かしか
つ50℃で2日間加熱した。反応は薄層クロマトグラフィ
ー(シリカゲル(EM);アセトニトリル:濃水酸化アン
モニウム(90:10))によって監視した。この時間後
に、溶剤を回転蒸発器で蒸発させた。粗製残留物をフラ
ッシュシリカゲル(Baker)を使用しかつアセトニトリ
ル/水酸化アンモニウム勾配(水酸化アンモニウム0〜
5%)で溶離して、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ーによって精製した。純粋なフラクションを合しかつ溶
剤を蒸発させかつ該残留物をイソプロパノール5ml中に
溶解させ、塩酸ガスで酸性にしかつ冷凍庫内で冷却し
た。白色の沈澱物を濾過して、前記の標題化合物を得
た。
NMR(DMSO−d6):δ=1.24(t,6)、3.08(s,3)、3.2
0(m,6)、3.66(q,2)、7.30(d,2)、7.96(d,2)、
8.96(m,1)、10.24(s,1)、及び10.50(s,1)ppm.

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】式: で示される1−[4−[(メチルスルホニル)アミノ]
    ベンゾイル]アジリジン。
  2. 【請求項2】式I: [式中、R、R1は水素原子、不飽和低級アルキル基、C1
    〜C12−直鎖状又は枝分れ鎖状アルキル基、C3〜C6−シ
    クロアルキル基、シクロアルキル(低級)アルキル基、
    ヒドロキシ基又はメトキシ基から選択される3個までの
    置換基によって置換されていてもよい低級アルキル基を
    表し、但しこの場合R及びR1両者は水素原子ではなくか
    つ不飽和は窒素原子に対してα−位には存在し得ない]
    で示されるN−[2−(置換アミノ)エチル]−4−
    [(メチルスルホニル)アミノ]ベンズアミドを製造す
    る方法において、1−[4−[(メチルスルホニル)ア
    ミノベンゾイル]アジリジンを式II: [式中、R及びR1は前記のものを表す]で示される第一
    級又は第二級アミンで、低級アルカノール、低級アルキ
    ルニトリル、DMF又はDMSOから成る媒体中で約20から約1
    20℃までの温度で1−[4−[(メチルスルホニル)ア
    ミノベンゾイル]アジリジンの前記求核性開環を達成す
    るのに十分な時間求核性開環させることを特徴とする、
    N−[2−(置換アミノ)エチル]−4−[(メチルス
    ルホニル)アミノ]ベンズアミドの製法。
  3. 【請求項3】前記のようにして製造されたN−[2−
    (置換アミノ)エチル]−4−[(メチルスルホニル)
    アミノ]ベンズアミドを単離する工程を包含する、請求
    項2記載の方法。
  4. 【請求項4】温度が約50℃である、請求項2記載の方
    法。
  5. 【請求項5】1−[4−(メチルスルホニル)アミノベ
    ンゾイル]アジリジンの求核性開環を達成するのに十分
    な時間が一般に約24〜約48時間である、請求項2記載の
    方法。
JP63094724A 1987-04-20 1988-04-19 1―〔4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンゾイル〕アジリジン、及びn―〔2―(置換アミノ)エチル〕―4―〔(メチルスルホニル)アミノ〕ベンズアミドの製法 Expired - Lifetime JP2532916B2 (ja)

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