JP2532142B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP2532142B2 JP1188122A JP18812289A JP2532142B2 JP 2532142 B2 JP2532142 B2 JP 2532142B2 JP 1188122 A JP1188122 A JP 1188122A JP 18812289 A JP18812289 A JP 18812289A JP 2532142 B2 JP2532142 B2 JP 2532142B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 半導体装置の製造方法、特にウエーハをチップ毎に切
断して、切断したチップをひとつづつ取り上げる半導体
装置の製造方法に関し、 ウエーハの切断により発生した切断屑を有効に取除く
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とし、 粘着テープ上にウエーハを貼付し、前記ウエーハを予
め定めたチップ状に切断し、前記チップの大きさ以下の
ピッチで配列された複数の尖頭状突起が形成された載置
台上に、切断されたウエーハが載った粘着テープを載置
すること及び前記切断されたウエーハ表面を保護用テー
プで覆うことを行い、前記粘着テープの下面と前記載置
台の尖頭状突起の隙間との間に形成された空間を真空吸
引し、前記保護用テープを取除き、前記チップをひとつ
ずつ取り上げることを特徴とする半導体装置の製造方法
ように構成する。
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device in which a wafer is cut into chips and the cut chips are picked up one by one, and cutting chips generated by cutting the wafer are effective. For the purpose of providing a method for manufacturing a semiconductor device that can be removed, a wafer is pasted on an adhesive tape, the wafer is cut into predetermined chips, and the chips are arranged at a pitch equal to or smaller than the size of the chips. The adhesive tape on which the cut wafer is placed is placed on the placing table on which the plurality of pointed projections are formed, and the surface of the cut wafer is covered with a protective tape. Vacuum suction is applied to the space formed between the lower surface of the tape and the gap between the pointed projections of the mounting table, the protective tape is removed, and the chips are picked up one by one. And a semiconductor device manufacturing method.

[産業上の利用分野] 本発明は半導体装置の製造方法、特にウエーハをチッ
プ毎に切断して、切断したチップをひとつづつ取り上げ
る半導体装置を製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device in which a wafer is cut into chips and the cut chips are picked up one by one.

[従来の技術] 近年、半導体装置の高集積化に伴い、信頼性への要求
が高くなっている。ウエーハをチップ毎に切断する方法
としては、ウエーハの厚さの半分だけ切断し、切断した
ウエーハをクラッキングするハーフカット方式と、ウエ
ーハを粘着テープに貼付し、貼付したウエーハをわずか
な厚さだけ残して切断し、その後クラッキングするセミ
フルカット方式と、粘着テープに貼付したウエーハを完
全に切断するフルカット方式がある。
[Prior Art] In recent years, the demand for reliability has increased as semiconductor devices have become highly integrated. As a method of cutting the wafer into chips, a half-cut method in which the wafer is cut by half the thickness of the wafer and the cut wafer is cracked, and the wafer is attached to an adhesive tape, leaving only a small thickness of the attached wafer. There is a semi-full cut method in which the wafer is affixed to the adhesive tape, and a full cut method in which the wafer attached to the adhesive tape is completely cut.

ハーフカット方式とセミフルカット方式では、粘着テ
ープを拡張することにより、切断されたウエーハをチッ
プ毎に分離するようにしている。しかし、粘着テープの
拡張が均一に行われないことがあるため、これらの方式
では、その後のチップ選別に支障を来たすことがあっ
た。
In the half-cut method and the semi-full-cut method, the cut wafer is separated into chips by expanding the adhesive tape. However, since the expansion of the adhesive tape may not be performed uniformly, these methods may hinder the subsequent chip selection.

これに対し、フルカット方式は粘着テープを拡張する
ことがないため、ウエーハの切断方法として有望であ
る。
On the other hand, the full-cut method is promising as a wafer cutting method because it does not expand the adhesive tape.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、フルカット方式によりウエーハを切断
すると、小さい切断屑が切断溝内にたまり、チップを取
上げる際にチップを下から突上げると、切断溝内の切断
屑が飛び出して、チップ表面に載って、ワイヤ間ショー
トやパッド間ショートの原因となるという問題があっ
た。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when the wafer is cut by the full-cut method, small cutting chips accumulate in the cutting groove, and when the chip is pushed up from the bottom when picking up the chip, the cutting chips in the cutting groove are generated. There is a problem that it pops out and is placed on the surface of the chip, and causes a short circuit between wires or a short circuit between pads.

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ウエー
ハの切断により発生した切断屑を有効に取除くことがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing cutting chips generated by cutting a wafer.

[課題を解決するための手段] 上記目的は、粘着テープ上にウエーハを貼付し、前記
ウエーハを予め定められたチップ状に切断し、前記チッ
プの大きさ以下のピッチで配列された複数の尖頭状突起
が形成された載置台上に、切断されたウエーハが載った
粘着テープを載置すること及び前記切断されたウエーハ
表面を保護用テープで覆うことを行い、前記粘着テープ
の下面と前記載置台の尖頭状突起の隙間との間に形成さ
れた空間を真空吸引し、前記保護用テープを取除き、前
記チップをひとつずつ取り上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法によって達成される。
[Means for Solving the Problems] The purpose is to attach a wafer onto an adhesive tape, cut the wafer into a predetermined chip shape, and dispose a plurality of cusps arranged at a pitch equal to or smaller than the size of the chip. The adhesive tape on which the cut wafer is placed is placed on the placing table on which the head-shaped projections are formed, and the cut wafer surface is covered with a protective tape, and the lower surface and the front of the adhesive tape are covered. According to a method of manufacturing a semiconductor device, the space formed between the mounting table and the gap between the pointed projections is vacuumed, the protective tape is removed, and the chips are picked up one by one. .

[作用] 本発明によれば、粘着テープと載置台の尖頭状突起の
隙間との間に形成された空間を真空吸引することにより
切断屑を保護用テープに付着させて取除く。
[Operation] According to the present invention, the dust formed by adhering the cutting waste to the protective tape is removed by vacuum suction of the space formed between the adhesive tape and the gap between the pointed projections of the mounting table.

[実施例] 本発明の第1の実施例による半導体装置の製造方法を
第1図を用いて説明する。第1図(a2)〜(e2)は同図
(a1)〜(e1)の一部拡大図である。
[Embodiment] A method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIGS. 1 (a2) to (e2) are partially enlarged views of FIGS. 1 (a1) to (e1).

まず、切断すべきウエーハ10を、フレーム12により張
られた粘着テープ14上に張付ける(第1図(a1),(a
2))。粘着テープ14としては、ポリエチレン(PE)テ
ープや、ポリ塩化ビニール(PVC)テープや、ポリオレ
フィン(PO)テープや、UVテープ等を用いることができ
る。
First, the wafer 10 to be cut is pasted on the adhesive tape 14 stretched by the frame 12 (Fig. 1 (a1), (a
2)). As the adhesive tape 14, polyethylene (PE) tape, polyvinyl chloride (PVC) tape, polyolefin (PO) tape, UV tape or the like can be used.

次に、ウエーハ切断装置(図示せず)により、粘着テ
ープ14を切断しないようにウエーハ10のみをフルカット
して多数のチップ10aを形成する(第1図(b1),(b
2))。なお、ウエーハ10を完全に切断するためには粘
着テープ14が少し切り込まれてもよい。フルカットによ
る切断屑16は、第1図(b2)に示すように切断溝18内に
たまっている。
Next, by using a wafer cutting device (not shown), only the wafer 10 is fully cut so as not to cut the adhesive tape 14 to form a large number of chips 10a (FIGS. 1 (b1) and (b1)).
2)). The adhesive tape 14 may be slightly cut in order to completely cut the wafer 10. The cutting waste 16 resulting from the full cutting is accumulated in the cutting groove 18 as shown in FIG. 1 (b2).

次に、ウエーハ10が張付けられた粘着テープ14を本実
施例の特徴である載置台20上に載置し、ウエーハ10の表
面を非粘着性の保護用テープ22により覆う(第1図(c
1),(c2))。
Next, the adhesive tape 14 to which the wafer 10 is attached is placed on the placing table 20 which is a feature of this embodiment, and the surface of the wafer 10 is covered with the non-adhesive protective tape 22 (see FIG.
1), (c2)).

載置台20の詳細を第2図を用いて説明する。同図
(a)は平面図、同図(b)は断面図である。
Details of the mounting table 20 will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view.

基台20aの外壁20bはフレーム12を支持するためのもの
であり、この外壁20bの内側に多数の尖頭状突起20cが形
成されている。尖頭状突起20cは先端が尖っており、花
を生けるのに用いられる剣山のような形状をしている。
尖頭状突起20cのピッチは切断されたチップの大きさよ
り少し小さいことが望ましい。例えば、ピッチ1mmの尖
頭状突起20cを有する載置台20は、1〜2mmのチップサイ
ズのウエーハに適しており、ピッチ3mmの尖頭状突起20c
を有する載置台20は、3〜5mmのチップサイズのウエー
ハに適しており、ピッチ5mmの尖頭状突起20cを有する載
置台20は、6mm以上のチップサイズのウエーハに適して
いる。
The outer wall 20b of the base 20a is for supporting the frame 12, and a large number of pointed projections 20c are formed inside the outer wall 20b. The pointed projection 20c has a pointed tip and has a shape like a sword mountain used for arranging flowers.
It is desirable that the pitch of the pointed projections 20c is slightly smaller than the size of the cut tip. For example, the mounting table 20 having the pointed protrusions 20c having a pitch of 1 mm is suitable for a wafer having a chip size of 1 to 2 mm, and the pointed protrusions 20c having a pitch of 3 mm are used.
The mounting table 20 having the above is suitable for a wafer having a chip size of 3 to 5 mm, and the mounting table 20 having the pointed projections 20c having a pitch of 5 mm is suitable for a wafer having a chip size of 6 mm or more.

この載置台20に粘着テープ14を載置すると、粘着テー
プ14により外壁20b内側の空間が密閉されることにな
る。
When the adhesive tape 14 is placed on the mounting table 20, the space inside the outer wall 20b is sealed by the adhesive tape 14.

次に、ノズル20dから吸引すると、基台20aの尖頭状突
起20cと粘着テープ14により密閉された空間が真空吸引
されて縮まる方向の力が急激に働き、第1図(d2)に示
すように、粘着テープ14の密閉空間に接する部分が勢い
よく押し下げられる。このことは、結局、粘着テープ14
は尖頭状突起20cにより勢いよく突き上げられたことに
なる。このとき、フルカット方式によりウエーハを切断
した場合に、チップを取上げるためにチップを下から突
上げると切断溝内の切断屑が飛び出すという従来の現象
と同様の現象が起こり、切断溝18内の切断屑16が勢いよ
く飛上がる。勢いよく飛び上がった切断屑16は、保護用
テープ22の下面に突きささったり、静電気の力により保
護用テープ22に吸着する(第1図(d1),(d2))。保
護用テープ22があるため、飛上がった切断屑16がチップ
10a表面に載ってワイヤ間ショートやパッド間ショート
を起こすことがない。保護用テープ22としては、例えば
塩化ビニールのテープが用いられる。
Next, when suctioned from the nozzle 20d, the space sealed by the pointed projections 20c of the base 20a and the adhesive tape 14 is vacuum-sucked and the force in the direction of contracting rapidly acts, as shown in FIG. 1 (d2). In addition, the portion of the adhesive tape 14 in contact with the closed space is pushed down vigorously. After all, this means that the adhesive tape 14
Is pushed up vigorously by the pointed projection 20c. At this time, when the wafer is cut by the full-cut method, when a chip is pushed up from below to pick up the chip, a phenomenon similar to the conventional phenomenon that cutting chips in the cutting groove jumps out, and The cutting waste 16 jumps up vigorously. The cutting dust 16 that jumps up vigorously sticks to the lower surface of the protective tape 22 or is adsorbed to the protective tape 22 by the force of static electricity (FIG. 1 (d1), (d2)). Since there is the protective tape 22, the cutting waste 16 that has jumped up is chipped.
It does not cause short circuit between wires or short circuit between pads on the surface of 10a. As the protective tape 22, for example, vinyl chloride tape is used.

また、同時にウエーハ10の各チップ10aも尖頭状突起2
0cにより突上げられ、チップ10aが剥離し易くなる。
At the same time, each chip 10a of the wafer 10 also has a pointed protrusion 2
It is pushed up by 0c, and the chip 10a is easily peeled off.

次に、保護用テープ22を除去して、切断屑16を取除く
(第1図(e1),(e2))。その後、選別装置(図示せ
ず)によりチップをひとつずつ取上げる。
Next, the protective tape 22 is removed to remove the cutting waste 16 (Fig. 1 (e1), (e2)). Then, the chips are picked up one by one by a sorting device (not shown).

このように本実施例によれば、切断屑を保護用テープ
に付着させて取除くことができる。このため、切断屑が
チップ表面に載ってワイヤ間ショートやパッド間ショー
トを起こすことがない。
As described above, according to this embodiment, the cutting waste can be attached to the protective tape and removed. Therefore, the cutting waste does not occur on the surface of the chip to cause a short circuit between wires or a short circuit between pads.

次に、本発明の第2の実施例による半導体装置の製造
方法を第3図を用いて説明する。第2図(a2)〜(f2)
は同図(a1)〜(f1)の一部拡大図である。第1の実施
例と同一の部分には同一の符号を付して説明を省略す
る。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Figure 2 (a2) ~ (f2)
FIG. 4 is a partially enlarged view of FIGS. The same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

本実施例では、フルカットされたウエーハ10を保護す
るためのテープとして、紫外線照射により粘着力を減少
させることができるUVテープ24を用いている点に特徴が
ある。
The present embodiment is characterized in that a UV tape 24, which can reduce the adhesive force by irradiation with ultraviolet rays, is used as a tape for protecting the wafer 10 that has been fully cut.

切断すべきウエーハ10を粘着テープ14上に張付け(第
3図(a1),(a2))、ウエーハ10をフルカットして多
数のチップ10aを形成し(第3図(b1),(b2))、ウ
エーハ10が張付けられた粘着テープ14を載置台20上に載
置した後、ウエーハ10の表面をUVテープ24により覆う
(第3図(c1),(c2))。
The wafer 10 to be cut is attached onto the adhesive tape 14 (Figs. 3 (a1) and (a2)), and the wafer 10 is fully cut to form a large number of chips 10a (Figs. 3 (b1) and (b2)). ), After placing the adhesive tape 14 to which the wafer 10 is attached on the mounting table 20, the surface of the wafer 10 is covered with the UV tape 24 (FIGS. 3 (c1) and (c2)).

続いて、ノズル20dから密閉空間を真空吸引すると、
第1の実施例と同様にして、尖頭状突起20cにより粘着
テープ14が突き上げられ、切断溝18内の切断屑16が勢い
よく飛上がり、UVテープ24の下面に衝突する。UVテープ
24は粘着力があるためほとんどの切断屑16が粘着力によ
りUVテープ24に吸着される(第3図(d1),(d2))。
Then, vacuum suction of the closed space from the nozzle 20d,
Similar to the first embodiment, the adhesive tape 14 is pushed up by the pointed projections 20c, the cutting waste 16 in the cutting groove 18 flies vigorously, and collides with the lower surface of the UV tape 24. UV tape
Since 24 has an adhesive force, most of the cutting waste 16 is adsorbed to the UV tape 24 by the adhesive force (Figs. 3 (d1) and (d2)).

次に、UVテープ24に紫外線を照射して粘着力を減少さ
せる(第3図(e1),(e2))。粘着力を低下させた
後、UVテープ24をウエーハ10から除去する(第3図(f
1),(f2))。
Next, the UV tape 24 is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive force (FIGS. 3 (e1) and (e2)). After reducing the adhesive strength, the UV tape 24 is removed from the wafer 10 (Fig. 3 (f
1), (f2)).

このように本実施例によれば保護用テープとしてUVテ
ープを用いたので効率よく切断屑を捕獲することができ
る。
As described above, according to this embodiment, since the UV tape is used as the protective tape, the cutting chips can be efficiently captured.

本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能であ
る。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、上記実施例では半導体ウエーハを切断する場
合を例として説明したが、シリコンやGaAs等の半導体ウ
エーハ以外でも板状のウエーハをチップ状に切断する場
合であれば、いかなるウエーハにも本発明を適用でき
る。
For example, in the above embodiment, the case of cutting a semiconductor wafer has been described as an example, but the present invention can be applied to any wafer as long as a plate-shaped wafer is cut into chips other than the semiconductor wafer such as silicon or GaAs. Applicable.

[発明の効果] 以上の通り、本発明によれば、ウエーハの切断により
発生した切断屑を有効に取除くことができる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to effectively remove the cutting chips generated by the cutting of the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例による半導体装置の製造
方法の工程断面図、 第2図は同半導体装置の製造方法で用いられれる載置台
を示す図、 第3図は本発明の第2の実施例による半導体装置の製造
方法の工程断面図である。 図において、 10…ウエーハ 10a…チップ 12…フレーム 14…粘着テープ 16…切断屑 18…切断溝 20…載置台 20a…基台 20b…外壁 20c…尖頭状突起 20d…ノズル 22…保護用テープ 24…UVテープ
1 is a process sectional view of a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing a mounting table used in the method for manufacturing a semiconductor device, and FIG. FIG. 6 is a process sectional view of a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment. In the figure, 10 ... Wafer 10a ... Chip 12 ... Frame 14 ... Adhesive tape 16 ... Cutting waste 18 ... Cutting groove 20 ... Mounting table 20a ... Base 20b ... Outer wall 20c ... Pointed projection 20d ... Nozzle 22 ... Protective tape 24 … UV tape

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】粘着テープ上にウエーハを貼付し、 前記ウエーハを予め定められたチップ状に切断し、 前記チップの大きさ以下のピッチで配列された複数の尖
頭状突起が形成された載置台上に、切断されたウエーハ
が載った粘着テープを載置すること及び前記切断された
ウエーハ表面を保護用テープで覆うことを行い、 前記粘着テープの下面と前記載置台の尖頭状突起の隙間
との間に形成された空間を真空吸引し、 前記保護用テープを取除き、前記チップをひとつずつ取
り上げることを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A wafer on which an adhesive tape is attached, the wafer is cut into a predetermined chip shape, and a plurality of pointed projections arranged at a pitch equal to or smaller than the chip size are formed. On the mounting table, placing an adhesive tape on which the cut wafer is placed and covering the cut wafer surface with a protective tape, the lower surface of the adhesive tape and the pointed protrusions of the placing table described above. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising vacuum suctioning a space formed between the gap and the protective tape, and picking up the chips one by one.
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