JP2531825B2 - Wafer bonding method and apparatus used for the method - Google Patents

Wafer bonding method and apparatus used for the method

Info

Publication number
JP2531825B2
JP2531825B2 JP2081687A JP8168790A JP2531825B2 JP 2531825 B2 JP2531825 B2 JP 2531825B2 JP 2081687 A JP2081687 A JP 2081687A JP 8168790 A JP8168790 A JP 8168790A JP 2531825 B2 JP2531825 B2 JP 2531825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
header
wax
load plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2081687A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH03280525A (en
Inventor
信夫 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
SUMITOMO SHICHITSUKUSU KK
Original Assignee
KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
SUMITOMO SHICHITSUKUSU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KYUSHU DENSHI KINZOKU KK, SUMITOMO SHICHITSUKUSU KK filed Critical KYUSHU DENSHI KINZOKU KK
Priority to JP2081687A priority Critical patent/JP2531825B2/en
Publication of JPH03280525A publication Critical patent/JPH03280525A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2531825B2 publication Critical patent/JP2531825B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本願発明は、鏡面研磨を施すに当って、半導体ウエー
ハ(以下、「ウエーハ」と略称する。)をセラミックプ
レートに固定するための接着方法及び該接着方法の実施
に直接使用する装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial field of application) The present invention relates to a bonding method for fixing a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as “wafer”) to a ceramic plate in performing mirror polishing. It relates to a device used directly for carrying out the bonding method.

(従来の技術) ウエーハは、ワックスでセラミックプレートに接着さ
れ鏡面研磨に供される。上記ウエーハの下面にあるワッ
クス層の厚さは、上記鏡面研磨における仕上加工精度に
関係する。つまり、ワックス層が厚い場合には、鏡面研
磨された研磨面に厚みムラを生じたり、また平行度が不
良となったりして、ウネリを生じることがある。
(Prior Art) Wafers are bonded to a ceramic plate with wax and subjected to mirror polishing. The thickness of the wax layer on the lower surface of the wafer is related to the finishing processing accuracy in the mirror polishing. That is, when the wax layer is thick, unevenness in thickness may occur on the mirror-polished polished surface, or parallelism may become poor, causing swelling.

そこで、従来からウエーハの下面に存在するワックス
層の厚さを可及的に薄くするように留意して、手作業で
ウエーハの下面にワックスを浸透させていた。具体的に
は、ウエーハの下面にワックスを浸透させた後、作業者
が治具を用いてウエーハの下面に存在するワックスを絞
り出したり、ウエーハの上面にプレス盤のフラットな精
度面を圧接して、ウエーハの下面にあるワックスを絞り
出していた。そして、これらの手段に依って薄くなされ
たワックス層の厚さは、0.5μ〜1.0μであった。
Therefore, the wax has been conventionally manually permeated into the lower surface of the wafer while paying attention to make the thickness of the wax layer existing on the lower surface of the wafer as thin as possible. Specifically, after injecting the wax into the lower surface of the wafer, the operator squeezes out the wax existing on the lower surface of the wafer using a jig, or presses the flat precision surface of the press platen onto the upper surface of the wafer. , The wax on the bottom of the wafer was squeezed out. The thickness of the wax layer thinned by these means was 0.5 μ to 1.0 μ.

(発明が解決しようとする課題) 上述したように、従来のワックス層の厚さにはバラツ
キがあり、そのために鏡面研磨の仕上げ加工精度にバラ
ツキを生じて、ワックス層をより薄く且つ均一にするこ
とが困難であり、これを解決する手段が望まれていた。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional wax layer has a variation in thickness, which causes a variation in the finishing accuracy of the mirror polishing, thereby making the wax layer thinner and uniform. However, there has been a demand for means for solving this problem.

更に、手先業に依る処理の場合、絞り出し時にワック
スを150〜160℃に加熱するが、この熱影響等のため、用
いるセラミックスプレートのサイズや重量に限界があ
り、そのためウエーハの貼着数が最大5枚位に限られる
ほか、ウエーハが大径(例えば5インチφ)となった場
合、一つのウエーハについてのワックス層の厚みが各部
において均一とならない等の問題がある。
Furthermore, in the case of processing by hand work, the wax is heated to 150 to 160 ° C when squeezing out, but due to this heat etc. there is a limit to the size and weight of the ceramic plate used, so the maximum number of wafers to be attached is maximum. In addition to being limited to about 5 sheets, when the wafer has a large diameter (for example, 5 inches φ), there is a problem that the thickness of the wax layer for one wafer is not uniform in each part.

本願発明は、ワックス層をより薄く且つ均一にするこ
とができるウエーハの接着方法及び該方法に用いる装置
を提案するものである。
The present invention proposes a wafer bonding method and a device used for the method, which can make the wax layer thinner and more uniform.

(課題を解決するための手段) すなわち、本願第1請求項に記載した発明は、セラミ
ックプレートにウエーハを載せ、該ウエーハの下面にワ
ックスを浸透させ、該ワックスを加勢しつつ前記ウエー
ハの上面を押圧してウエーハをセラミックプレートに固
着するウエーハの接着方法において、 前記ウエーハの上面への押圧を、下面に曲面部を備え
るとともに上面には上方へ突出した揺動アームを有する
非回転のヘッダーで行うものであって、前記ヘッダー
を、前記揺動アームを揺動させることにより機械的にロ
ーリングさせながら前記ウエーハの上面への押圧を行
い、ウエーハの下面に存する過剰のワックスを絞り出す
ことによってウエーハの下面におけるワックス層を薄く
形成するようにした構成のウエーハの接着方法である。
(Means for Solving the Problems) That is, according to the invention described in the first claim of the present application, a wafer is placed on a ceramic plate, a lower surface of the wafer is impregnated with wax, and the upper surface of the wafer is supported while energizing the wax. In the method of bonding a wafer by pressing and fixing the wafer to a ceramic plate, pressing on the upper surface of the wafer is performed by a non-rotating header having a curved surface portion on the lower surface and a swing arm protruding upward on the upper surface. The lower surface of the wafer is formed by pressing the upper surface of the wafer while mechanically rolling the header by rocking the rocking arm, and squeezing out excess wax existing on the lower surface of the wafer. Is a method for adhering a wafer having a structure in which the wax layer is thinly formed.

本願第2請求項に記載した発明は、シリンダの作動に
よって上下移動せしめられる荷重プレート、ウエーハの
上面を押圧すべく前記荷重プレートの下面に突設された
ヘッダーと、前記ヘッダーを傾動運動させるべく前記荷
重プレートの上部に取付けられ一定角度範囲内を往復回
転運動せしめられる揺動板とを備え、前記ヘッダーは、
下面に曲面部をそして上面に上方へ突出した揺動アーム
を有し、前記荷重プレートは、前記揺動アームの中央部
を遊嵌して該揺動アームを一方向にのみ直線往復移動を
許容せしめる規制孔を有し、前記揺動板は、前記揺動ア
ームの頂部を遊嵌して該頂部を揺動板の放射線方向に移
動せしめる長孔を有するものである。
According to the second aspect of the present invention, a load plate vertically moved by the operation of a cylinder, a header projecting from the lower surface of the load plate to press the upper surface of the wafer, and a tilting motion of the header are provided. A header mounted on an upper part of the load plate and reciprocally rotated within a certain angle range;
The lower surface has a curved portion, and the upper surface has a swinging arm projecting upward, and the load plate allows the swinging arm to linearly reciprocate in only one direction by loosely fitting the central portion of the swinging arm. The rocking plate has a restricting hole for allowing the top part of the rocking arm to be loosely fitted so as to move the top part in the radial direction of the rocking plate.

(作 用) 上記第1請求項の発明によれば、ウエーハへの押圧が
機械的にローリングするヘッドで行われるため、押圧力
が常に一定となり、ウエーハの下面のワックス層が均一
なものとなる。
(Operation) According to the first aspect of the invention, since the pressing force on the wafer is performed by the mechanically rolling head, the pressing force is always constant and the wax layer on the lower surface of the wafer is uniform. .

また、上記第2請求項の発明によれば、荷重プレート
下に突設されたヘッダーでウエーハの下面を押圧し、同
時に揺動板を一定角度範囲内だけ回転させることによっ
て揺動アームを傾動させ、曲面を有するヘッダーのウエ
ーハの上面における押圧点が一端から他端へ移動させ、
この結果ウエーハの下面に存在するワックスが絞り出さ
れる。
According to the second aspect of the invention, the lower surface of the wafer is pressed by the header projecting below the load plate, and at the same time, the swing plate is rotated within a certain angle range to tilt the swing arm. , The pressing point on the upper surface of the wafer having the curved surface is moved from one end to the other end,
As a result, the wax existing on the lower surface of the wafer is squeezed out.

(実施例) 以下、本願発明を添付図面に基づいて説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第1図は本願発明に係る装置の一実施例を示す縦断面
図、第2図は同腰部拡大断面図、第3図は第2図におけ
るIII−III拡大断面図、第4図はヘッダーの形状に関す
る補足説明図、第5図は第2図におけるV−V矢視図、
第6図はウエーハに対する荷重点の移動説明図、第7図
(イ)(ロ)は本願発明を実施するための説明図であ
る。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the device according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view of the same waist portion, FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along line III-III in FIG. 2, and FIG. Supplementary explanatory diagram regarding the shape, FIG. 5 is a V-V arrow view in FIG. 2,
FIG. 6 is a diagram for explaining the movement of the load point with respect to the wafer, and FIGS. 7 (a) and 7 (b) are diagrams for carrying out the present invention.

まず、接着装置について説明する。 First, the bonding device will be described.

本願の接着装置は第1図に示すように、台座1上に門
柱2を立設するとともに、台座1上に温度調節可能なク
ッションプレート3を載せ、更に上記門柱2、台座1及
び屋根板4で区画されたスペース内に、後述する荷重プ
レート5、ヘッダー6及び揺動板7を配設している。
As shown in FIG. 1, the bonding device of the present application has a gate pillar 2 standing on a pedestal 1, a temperature-adjustable cushion plate 3 placed on the pedestal 1, and the gate pillar 2, the pedestal 1 and a roof plate 4 as described above. A load plate 5, a header 6 and an oscillating plate 7, which will be described later, are arranged in the space partitioned by.

8は屋根板4の中央に取付けられたシリンダーであっ
て、該シリンダー8の作動杆9は下方に突出し、この作
動杆9の下端に上述の荷重プレート5が取付けられてい
る。つまり、シリンダー8の作動によって荷重プレート
5が上下移動する構成である。荷重プレート5は、上部
が小径(以下、該部を「ボス部5a」と称する。)そして
下部が大径(以下、該部を「フランジ部5bを称する。)
に形成された形状を有しており、荷重プレート5の上面
には上板10が取付けられ、該上板10に端縁に、脚11が垂
下状に取付けられている。上記上板10上には、上記作動
杆9への掛合金具12が固着され、該上板10には複数枚の
重錘13がボルト14で止着されるようにネジ孔15が形成さ
れている。16は後述するギヤ17の軸受であって、該軸受
16も上板10上に取付けられている。上述の脚11は門柱2
に取付けられたガイド片18に掛合されており、このため
に荷重プレート5は不慮に回転することがない。
Reference numeral 8 denotes a cylinder attached to the center of the roof plate 4, the operating rod 9 of the cylinder 8 projects downward, and the above-mentioned load plate 5 is attached to the lower end of the operating rod 9. That is, the load plate 5 moves up and down by the operation of the cylinder 8. The load plate 5 has an upper portion having a small diameter (hereinafter, the portion is referred to as "boss portion 5a") and a lower portion having a large diameter (hereinafter, the portion is referred to as "flange portion 5b").
The upper plate 10 is attached to the upper surface of the load plate 5, and the legs 11 are attached to the upper plate 10 at the end edges in a hanging shape. On the upper plate 10, a hooking alloy tool 12 for fixing to the operating rod 9 is fixed, and on the upper plate 10, a screw hole 15 is formed so that a plurality of weights 13 are fixed by bolts 14. There is. Reference numeral 16 is a bearing of a gear 17 which will be described later.
16 is also mounted on the top plate 10. The above-mentioned leg 11 is the gatepost 2
It is engaged by a guide piece 18 mounted on the load plate 5, so that the load plate 5 does not rotate accidentally.

ヘッダー6は、上述の荷重プレート5の下面に突設さ
れている。このヘッダー6は150〜160℃の保温機能を有
し、且つ下面が曲面19となされるとともに、上面に角柱
状の揺動アーム20を突出して有し、該揺動アーム20の頂
部に球状頭21を備えている。もっとも、上記曲面19は中
央部のみとなされ、端縁部は横から見た場合直線となる
ように形成されている。端縁部迄を曲面にすると、ウエ
ーハ22の全ての部分に線押圧を加えることになり、第4
図に示すようにウエーハ22の端部にクラック23を生じる
おそれがあるからである。
The header 6 is projectingly provided on the lower surface of the load plate 5 described above. This header 6 has a heat-retaining function of 150 to 160 ° C., its lower surface is a curved surface 19, and its upper surface has a prism-shaped rocking arm 20 projecting from the top of the rocking arm 20. It has 21. However, the curved surface 19 is formed only in the central portion, and the end edge portion is formed to be a straight line when viewed from the side. If the end edge is curved, line pressing will be applied to all parts of the wafer 22.
This is because a crack 23 may occur at the end of the wafer 22 as shown in the figure.

24は揺動アーム20の下部に取付けられ回転ローラであ
って、該回転ローラ24は荷重プレート5の荷重を受け止
める役割を担っている。また、25は上記回転ローラ24の
やや上方において揺動アーム20に取付けられた抜止めピ
ンである。
Reference numeral 24 is a rotary roller attached to the lower part of the swing arm 20, and the rotary roller 24 plays a role of receiving the load of the load plate 5. Reference numeral 25 is a retaining pin attached to the swing arm 20 slightly above the rotary roller 24.

そして、上記揺動アーム20を備えたヘッダー6は、枠
体26を介して荷重プレート5に取付けられている。
The header 6 including the swing arm 20 is attached to the load plate 5 via the frame 26.

具体的に説明すると、荷重プレート5の下面に受孔27
を形成し、該受孔27に枠体26を嵌合し、該枠体26の頂板
28と受孔27の底(図面上、上方に窪んだ部分)とをワイ
ヤ29及びスプリング30で連結し、この枠体26の頂体28の
上方に上記抜止めピン25が設けられており、頂板28の下
方に回転ローラ24が位置し、換言すれば、抜止めピン25
と回転ローラ24とで頂板28を挟んだ状態にヘッダー6を
取付けている。
Specifically, the receiving hole 27 is formed in the lower surface of the load plate 5.
And a frame 26 is fitted into the receiving hole 27, and a top plate of the frame 26 is formed.
28 and the bottom of the receiving hole 27 (a portion that is recessed upward in the drawing) are connected by a wire 29 and a spring 30, and the retaining pin 25 is provided above the top body 28 of the frame body 26, The rotating roller 24 is located below the top plate 28, in other words, the retaining pin 25
The header 6 is attached with the top plate 28 sandwiched between the rotary roller 24 and the rotary roller 24.

34は荷重プレート5のフランジ部5bに貫設した規制孔
であって、該規制孔34は、上述の溝孔32,33と同様、荷
重プレート5の中心に向う長孔に形成され、該規制孔34
には、ヘッダー6の角柱状揺動アーム20が挿嵌されてい
る。従って上記揺動アーム20は、荷重プレート5の中心
方向に首振りを行うことができるように構成されてい
る。
Reference numeral 34 is a restriction hole penetrating the flange portion 5b of the load plate 5, and the restriction hole 34 is formed as an elongated hole facing the center of the load plate 5 like the groove holes 32 and 33. Hole 34
The prismatic swinging arm 20 of the header 6 is inserted into this. Therefore, the swing arm 20 is configured to swing in the direction of the center of the load plate 5.

揺動板7は、荷重プレート5のボス部5aに回転可能に
取付けられるとともに、モータ36で駆動されるギヤ17に
噛合している。そして、この揺動板7には、該揺動板7
の中心に一端が近づき且つ他端が遠去かって長孔35が形
成され、該長孔35に上記揺動アーム20の球状頭21が嵌合
している。つまり、モータ36の駆動で、ギヤ17を介し、
揺動板7を所定角度(球状頭21が長孔35の一端から他端
に移動する範囲の角度)だけ往復回転運動させ、球状頭
21を揺動板板7の放射線方向に往復直線運動させるよう
に構成されている。
The rocking plate 7 is rotatably attached to the boss portion 5a of the load plate 5 and meshes with a gear 17 driven by a motor 36. Then, the rocking plate 7 is attached to the rocking plate 7.
A long hole 35 is formed such that one end comes closer to the center of the rocking hole and the other end goes away, and the spherical head 21 of the swing arm 20 is fitted into the long hole 35. In other words, by driving the motor 36, through the gear 17,
The oscillating plate 7 is reciprocally rotated by a predetermined angle (the angle within which the spherical head 21 moves from one end of the elongated hole 35 to the other end), and the spherical head is moved.
The oscillating plate 21 is configured to reciprocate linearly in the radial direction.

次に、上述した本例の装置を使用して行う接着の実施
について述べる。
Next, a description will be given of the execution of bonding using the above-described apparatus of this example.

まず、セラミックプレート38上の所定位置に4インチ
φのウエーハ22ならば12枚、5インチφのウエーハ22な
らば8枚を載せてワックス39を注入し、該ワックス39を
ウエーハ22の下面に浸透させる(第7図参照)。
First, place 12 wafers of a 4-inch diameter wafer 22 at a predetermined position on a ceramic plate 38 and inject 8 pieces of a 5-inch diameter wafer 22 into which wax 39 is injected, and the wax 39 penetrates into the lower surface of the wafer 22. (See FIG. 7).

他方、シリンダ8を駆動して荷重プレート5、該荷重
プレート5に取付けられている枠体26及び該枠体26を掛
架されているヘッダー6を約125mm上昇させ、且つ球状
頭21を長孔35の外側に近い端部にセットし、上記用意さ
れたワックス浸透済みのセラミックプレート38を150〜1
60℃に加熱されたクッションプレート3上へ位置合せし
てセットし、ウエーハ22の上面に緩衝材40を当てる。こ
の緩衝材40は約80μ圧の紙で、曲面19に依る押圧力に圧
力勾配を付与するため、及び異物混入防止のため、とい
う2つの役割を有している。
On the other hand, the cylinder 8 is driven to raise the load plate 5, the frame body 26 attached to the load plate 5 and the header 6 on which the frame body 26 is suspended by about 125 mm, and the spherical head 21 is elongated. Set it on the edge near the outside of 35, and place the wax-impregnated ceramic plate 38 prepared above from 150 to 1
The cushion plate 3 heated to 60 ° C. is aligned and set, and the cushioning material 40 is applied to the upper surface of the wafer 22. The cushioning material 40 is a paper having a pressure of about 80 μm, and has two roles of imparting a pressure gradient to the pressing force of the curved surface 19 and preventing foreign matter from entering.

次に、シリンダ8を作動させて荷重プレート5を降下
し、150〜160℃に加熱された各ヘッダー6を各ウエーハ
22の外側端縁に折衝させ、ウエーハ22が荷重を受けた状
態にもたらす。ここでウエーハ22の端縁は押圧力を受け
るとクラック23を生じ易いが、この場合にウエーハ22は
ヘッダー6の平面部で押圧されており、クラック23は発
生しない。
Next, the cylinder 8 is operated to lower the load plate 5, and the headers 6 heated to 150 to 160 ° C. are transferred to the wafers.
The wafer 22 is brought into a state of being loaded by causing the outer edge of the wafer 22 to be negotiated. Here, the edge of the wafer 22 is apt to generate a crack 23 when receiving a pressing force, but in this case, the wafer 22 is pressed by the flat surface portion of the header 6 and the crack 23 does not occur.

そして、モータ36を駆動し、ギヤ17を介入して揺動板
7を回転させる、この結果揺動アーム20の球状頭21が外
側から内側へと長孔35内を移動してヘッダー6の曲面部
19が転動し、ヘッダー6に依る押圧点がウエーハ22の外
側端縁から内側端縁へと移動していく。この過程中、荷
重プレート5その他の荷重は、常に回転ローラ24を介し
てウエーハ22にかかっており、従ってウエーハ22の下面
に存在するワックス39(上記クッションプレート3及ぶ
ヘッダー6から熱を受けて流動性のよくなったワックス
39)が上記外側から内側へと絞り出されることになる。
Then, the motor 36 is driven to intervene the gear 17 to rotate the oscillating plate 7. As a result, the spherical head 21 of the oscillating arm 20 moves in the elongated hole 35 from the outer side to the inner side to form the curved surface of the header 6. Department
19 rolls, and the pressing point by the header 6 moves from the outer edge to the inner edge of the wafer 22. During this process, the load plate 5 and other loads are always applied to the wafer 22 via the rotating roller 24, and thus the wax 39 (which is received by the cushion plate 3 and the header 6 to flow on the lower surface of the wafer 22 and flows). Wax with improved properties
39) will be squeezed out from the outside to the inside.

なお、上記ヘッダー6の転動時に回転ローラ24にかか
る荷重のレベルLが変動するが、上述の実施例では、枠
体26を、ワイヤ29及びスプリング30で荷重プレート5に
取付けており、この結果、上記レベルLの変動時にスプ
リング30が伸縮し、荷重そのものは変動しない。
The level L of the load applied to the rotary roller 24 when the header 6 rolls fluctuates, but in the above-described embodiment, the frame body 26 is attached to the load plate 5 by the wire 29 and the spring 30. The spring 30 expands and contracts when the level L changes, and the load itself does not change.

かくして押圧点が内側まで移動したならば、ウエーハ
22下面のワックス層は0.4μ以下となされており、ここ
でシリンダ8を作動させて荷重プレート5及びヘッダー
6を上限位置まで引上げ、更にモータ36を逆転駆動して
揺動板7を逆回転させ、ヘッダー6を元の位置にまで戻
す。
Thus, if the pressing point moves to the inside, the wafer
22 The wax layer on the lower surface is 0.4 μm or less. Here, the cylinder 8 is operated to pull up the load plate 5 and the header 6 to the upper limit position, and the motor 36 is reversely driven to rotate the rocking plate 7 in the reverse direction. , Return the header 6 to its original position.

ここまでの装置の動きが1サイクルであって、約90秒
間である。なお、上記装置1サイクルの動きは、センサ
ーやリミットスイッチを用いて自動的に行わせることが
でき、1サイクルの終了をブザーで知らせるように構成
することも可能である。
The movement of the device so far is one cycle, which is about 90 seconds. The movement of one cycle of the above apparatus can be automatically performed by using a sensor or a limit switch, and the buzzer can be used to notify the end of one cycle.

(発明の効果) 以上説明したように、本願の発明によれば、ワックス
の厚みを0.4μ以下にバラツキなく薄くすることが可能
となり、この結果、鏡面研磨における加工精度が著しく
向上する。そして、本願発明装置によれば、省力化及び
接着処理の増大を図り得るという利点がある。
(Effects of the Invention) As described above, according to the invention of the present application, it is possible to reduce the thickness of the wax to 0.4 μ or less without variation, and as a result, the processing accuracy in mirror polishing is significantly improved. Further, the device of the present invention has the advantage that the labor can be saved and the adhesion process can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本願発明に係る装置の一実施例を示す縦断面
図、第2図は同要部拡大断面図、第3図は第2図におけ
るIII−III拡大断面図、第4図はヘッダーの形状に関す
る補足説明図、第5図は第2図におけるV−V矢視図、
第6図はウエーハに対する荷重点の移動説明図、第7図
(イ)(ロ)は本願発明を実施するための説明図であ
る。 5……荷重プレート、6……ヘッダー、7……揺動板、
8……シリンダ 20……揺動アーム、22……ウエーハ、35……長孔 38……セラミックプレート、39……ワックス
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the device according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view of an essential part thereof, FIG. 3 is an enlarged sectional view of III-III in FIG. 2, and FIG. 4 is a header. 5 is a supplementary explanatory view relating to the shape of FIG.
FIG. 6 is a diagram for explaining the movement of the load point with respect to the wafer, and FIGS. 7 (a) and 7 (b) are diagrams for carrying out the present invention. 5 ... Load plate, 6 ... Header, 7 ... Oscillating plate,
8 ... Cylinder 20 ... Oscillating arm, 22 ... Wafer, 35 ... Oblong hole 38 ... Ceramic plate, 39 ... Wax

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】セラミックプレートにウエーハを載せ、該
ウエーハの下面にワックスを浸透させ、該ワックスを加
熱しつつ前記ウエーハの上面を押圧してウエーハをセラ
ミックプレートに固着するウエーハの接着方法におい
て、 前記ウエーハの上面への押圧を、下面に曲面部に備える
とともに上面には上方へ突出した揺動アームを有する非
回転のヘッダーで行うものであって、前記ヘッダーを、
前記揺動アームを揺動させることにより機械的にローリ
ングさせながら前記ウエーハの上面への押圧を行い、ウ
エーハの下面に存する過剰のワックスを絞り出すことに
よってウエーハの下面におけるワックス層を薄く形成す
るようにしたことを特徴とするウエーハの接着方法。
1. A method for adhering a wafer, wherein a wafer is placed on a ceramic plate, the lower surface of the wafer is impregnated with wax, and the upper surface of the wafer is pressed while heating the wax to fix the wafer to the ceramic plate. The pressing of the wafer to the upper surface is performed by a non-rotating header having a curved surface portion on the lower surface and a swinging arm protruding upward on the upper surface.
By swinging the swing arm, the upper surface of the wafer is pressed while being mechanically rolled, and excess wax existing on the lower surface of the wafer is squeezed out to form a thin wax layer on the lower surface of the wafer. A method for adhering a wafer, which is characterized in that
【請求項2】シリンダの作動によって上下移動せしめら
れる荷重プレートと、ウエーハの上面を押圧すべく前記
荷重プレートの下面に突設されたヘッダーと、前記ヘッ
ダーを傾動運動させるべく前記荷重プレートの上部に取
り付けられ一例角度範囲内を往復回転運動せしめられる
揺動板とを備え、 前記ヘッダーは、下面に曲面部をそして上面に上方へ突
出した揺動アームを有し、 前記荷重プレートは、前記揺動アームの中央部を遊嵌し
て該揺動アームを一方向にのみ直線往復移動を許容せし
める規制孔を有し、 前記揺動板は、前記揺動アームの頂部を遊嵌して該頂部
を揺動板の放射線方向に移動せしめる長孔を有する ことを特徴とする接着装置。
2. A load plate, which is moved up and down by the operation of a cylinder, a header projecting from the lower surface of the load plate to press the upper surface of the wafer, and an upper portion of the load plate for tilting the header. And a swing plate that is reciprocally rotated within an angle range. The header has a curved portion on a lower surface and an upwardly protruding swing arm. There is a restriction hole for loosely fitting the central portion of the arm to allow the swing arm to linearly reciprocate only in one direction, and the swing plate loosely fits the top portion of the swing arm to move the top portion. An adhesive device having an elongated hole for moving the oscillating plate in the radial direction.
JP2081687A 1990-03-29 1990-03-29 Wafer bonding method and apparatus used for the method Expired - Fee Related JP2531825B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2081687A JP2531825B2 (en) 1990-03-29 1990-03-29 Wafer bonding method and apparatus used for the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2081687A JP2531825B2 (en) 1990-03-29 1990-03-29 Wafer bonding method and apparatus used for the method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03280525A JPH03280525A (en) 1991-12-11
JP2531825B2 true JP2531825B2 (en) 1996-09-04

Family

ID=13753268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2081687A Expired - Fee Related JP2531825B2 (en) 1990-03-29 1990-03-29 Wafer bonding method and apparatus used for the method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2531825B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130063463A (en) * 2011-12-06 2013-06-14 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 Method for adhering works and work adhering apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63109974A (en) * 1986-10-29 1988-05-14 Sony Corp Bonding method of substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130063463A (en) * 2011-12-06 2013-06-14 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 Method for adhering works and work adhering apparatus
KR102017896B1 (en) * 2011-12-06 2019-09-03 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 Method for adhering works and work adhering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03280525A (en) 1991-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2789384B2 (en) Method for bonding semiconductor element to tab tape and ultrasonic bonding apparatus
JP2531825B2 (en) Wafer bonding method and apparatus used for the method
US9018A (en) Machine for polishing daguerreotype-plates
ITMC20070237A1 (en) PERFECTED ABRASIVE TOOL.
US5472374A (en) Polishing method and polishing device using the same
JPH0283160A (en) Grinding device for belt stock
CN110978156B (en) Melamine plate with arc-shaped bevel edge and edge sealing process thereof
JPH1029153A (en) Semiconductor wafer polishing device
JP3007237U (en) Upper polishing body in double-sided polishing machine
JPS581774B2 (en) Pressure fixing method and device
US3531361A (en) Printing plate assembly compacting apparatus
CA2134288C (en) Apparatus for applying adhesive onto scarf-cut face of veneer
CN212122099U (en) Sheet material laser cutting machine that suitability is high
JPH1071547A (en) Automatic polisher and abrasion test method using it
JP2021142628A (en) Thickness measurement device for polishing pad
CN104148999B (en) Metallic composite surface preparation polisher that a kind of laboratory is special and polishing process
US537411A (en) Machine for concaving razors
CN216657561U (en) Adsorption pad attaching device
JP3479097B2 (en) Leveling device
JP2989094B2 (en) Work support device for multi-abrasive wafer cutting machine
JPS5917597Y2 (en) Automatic cutting machine cutter lifting device
JPH0451961Y2 (en)
JP2502253Y2 (en) Plate processing machine
JPS6250266B2 (en)
US79246A (en) Melvin m

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees