JP2526754Y2 - Inverter drive circuit - Google Patents

Inverter drive circuit

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JP2526754Y2
JP2526754Y2 JP11966890U JP11966890U JP2526754Y2 JP 2526754 Y2 JP2526754 Y2 JP 2526754Y2 JP 11966890 U JP11966890 U JP 11966890U JP 11966890 U JP11966890 U JP 11966890U JP 2526754 Y2 JP2526754 Y2 JP 2526754Y2
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circuit
switching
transformer
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保 河内
勇美 乗越
孝夫 藤林
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株式会社電設
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【考案の詳細な説明】 [考案の目的] (産業上の利用分野) 本考案は、負荷に起因する共振条件を自動的に補正す
るようにしたインバータ駆動回路に関する。
[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an inverter drive circuit that automatically corrects a resonance condition caused by a load.

(従来の技術) 本出願人は、先に第5図に示す回路を実施例とする考
案を出願した。(実開昭63−143090号公報) 第5図に示すように、直流電源1の正極側からトラン
ス2の1次巻線センタータップ3を介した一方の1次巻
線4、第1のスイッチング素子であるMOS型FET5を経て
直流電源1の負極側に至る第1の閉回路6と、前記直流
電源1の正極側からトランス2の1次巻線センタータッ
プ3を介した他方の1次巻線7、第2のスイッチング素
子であるMOS型FET8を経て直流電源1の負極側に至る第
2の閉回路9と、前記第1、第2のスイッチング素子で
ある第1FET5、第2FET8の一方をオンし、他方をオフし、
かつデューティ比を制御するスイッチング制御回路10と
を具備してなるものにおいて、前記第1、第2の閉回路
6,9のいずれか一方の回路中にコンデンサ11を挿入し、
スイッチング制御回路10のIC12と第1FET5との間に、イ
ンバータ13と遅延回路14とを介在させ、スイッチング制
御回路10のIC12と第2FET8との間に、遅延回路15を介在
させてなるものである。そして、前記第1FET5、第2FET8
には並列にコンデンサ16,17が挿入されている。
(Prior Art) The applicant of the present invention has previously applied for a device using the circuit shown in FIG. As shown in FIG. 5, one primary winding 4 from the positive electrode side of the DC power supply 1 through the primary winding center tap 3 of the transformer 2 and the first switching, as shown in FIG. A first closed circuit 6 extending to the negative electrode side of the DC power supply 1 through a MOS type FET 5 as an element, and the other primary winding from the positive electrode side of the DC power supply 1 via the primary winding center tap 3 of the transformer 2 Line 7, a second closed circuit 9 extending to the negative electrode side of the DC power supply 1 via the MOS type FET 8 as the second switching element, and one of the first and second FETs 5 and 8 as the first and second switching elements. Turn on, turn off the other,
And a switching control circuit 10 for controlling a duty ratio, wherein the first and second closed circuits
Insert the capacitor 11 in one of the circuits 6, 9
An inverter 13 and a delay circuit 14 are interposed between the IC 12 of the switching control circuit 10 and the first FET 5, and a delay circuit 15 is interposed between the IC 12 and the second FET 8 of the switching control circuit 10. . Then, the first FET 5 and the second FET 8
, Capacitors 16 and 17 are inserted in parallel.

又、前記トランス2の2次巻線18には、インダクタ1
9,整流ダイオード20,転流用ダイオード21,インダクタ2
2,コンデンサ23からなる整流平滑回路24を介し出力端子
25,26に結合されている。この出力端子25,26は、負荷変
動を検出し増幅する検出回路27を介して、前記第1FET
5、第2FET8を交互にオン、オフ制御するためのスイッチ
ング制御回路10に結合されている。
The secondary winding 18 of the transformer 2 has an inductor 1
9, rectifier diode 20, commutation diode 21, inductor 2
2, output terminal via rectifying and smoothing circuit 24 consisting of capacitor 23
25,26. The output terminals 25 and 26 are connected to the first FET through a detection circuit 27 that detects and amplifies a load change.
5. It is coupled to a switching control circuit 10 for alternately turning on and off the second FET 8.

(考案が解決しようとする課題) 上述のように構成された回路において、2次側の負荷
の軽重による最適のデッドタイムの設定が困難であると
いう問題と、スイッチング素子をオン、オフさせるデュ
ーティ比が急激に変化した場合、トランスが偏磁するこ
とにより、コンデンサの電圧補正を急激に行い、スイッ
チング素子を破壊させる場合があるという問題があっ
た。
(Problem to be Solved by the Invention) In the circuit configured as described above, it is difficult to set an optimum dead time due to the lightness of the load on the secondary side, and a duty ratio for turning on / off the switching element. Abruptly changes the voltage of the capacitor due to the magnetism of the transformer, which may cause the switching element to be destroyed.

この問題点を第6図乃至第8図に基ずき、回路の動作
とともに説明する。
This problem will be described with reference to FIGS. 6 to 8 together with the operation of the circuit.

第6図に示すSはスイッチング制御回路10のIC12の
出力電圧、Sはインバータ13の出力電圧,Sは第2FET
8のゲート・ソース間電圧,Sは第1FET5のゲート・ソー
ス間電圧,Sは第2FET8のドレイン・ソース間電圧,S
は第2FET8の電流、Sは第1FET5のドレイン・ソース間
電圧をそれぞれ示し、S乃至Sは軽負荷時の波形を
示し、第7図S乃至Sは前記各出力S乃至Sの
重負荷時の波形を示す。
In FIG. 6, S is the output voltage of the IC 12 of the switching control circuit 10, S is the output voltage of the inverter 13, and S is the second FET.
8, the gate-source voltage of the first FET 5, S is the drain-source voltage of the second FET 8, S
Denotes the current of the second FET 8, S denotes the drain-source voltage of the first FET 5, S to S show the waveforms at light load, and FIGS. 7S to S show the waveforms of the outputs S to S at heavy load. The waveform is shown.

スイッチング制御回路10のIC12の出力電圧Sとイン
バータ13を介した出力電圧Sは、第6図S,Sに示
すように、互いに反転したパルス電圧となる。そして第
1、第2のスイッチング素子である第1FET5、第2FET8を
オンさせるとき、第6図S,Sのように、遅延回路1
4,15で所定時間d1,d2だけ遅延させ、同時にオフしてい
るデッドタイムd1,d2時に、トランス2のインダクタン
ス28とコンデンサ16,17の回路を共振させてゼロクロス
スイッチングを行わせて、スイッチング損失を減らして
いる。この場合、前記インダクタンス28に蓄積される共
振エネルギーが2次側の負荷電流により変動する。すな
わち、軽負荷時には第6図S乃至Sに示すように、
第1FET5、第2FET8にかかる電圧と電流はゆっくり立ち上
がるのに対し、重負荷時には第7図S乃至Sに示す
ように、第1FET5、第2FET8にかかる電圧と電流は急激に
立ち上がる。従って、重負荷時のデッドタイムd3,d4
は、軽負荷時のデッドタイムd1,d2に合わせた最大値に
設定しなければならず、このことは重負荷時には余分な
デッドタイムとなるという問題があった。
The output voltage S of the IC 12 of the switching control circuit 10 and the output voltage S via the inverter 13 are pulse voltages inverted from each other, as shown in FIGS. When turning on the first FET 5 and the second FET 8 as the first and second switching elements, as shown in FIGS.
In the dead times d1 and d2, which are simultaneously turned off at 4, 15 and the predetermined time d1 and d2, the circuit of the inductance 28 of the transformer 2 and the capacitors 16 and 17 resonate to perform zero-cross switching, thereby causing a switching loss. Has been reduced. In this case, the resonance energy stored in the inductance 28 fluctuates due to the load current on the secondary side. That is, at light load, as shown in FIGS.
The voltage and current applied to the first FET 5 and the second FET 8 rise slowly, while the voltage and current applied to the first FET 5 and the second FET 8 rapidly increase under heavy load, as shown in FIGS. Therefore, dead time d3, d4 under heavy load
Must be set to the maximum value corresponding to the dead times d1 and d2 when the load is light, which causes a problem that an extra dead time is added when the load is heavy.

次に、スイッチング素子をオン、オフさせるデューテ
ィ比が急激に変化した場合について、第8図を参照して
説明する。
Next, a case where the duty ratio for turning on and off the switching element changes rapidly will be described with reference to FIG.

第8図に示すSはスイッチング制御回路10のIC12の出
力電圧、Sは第2FET8のゲート・ソース間電圧、S
は第1FET5のゲート・ソース間電圧、Sは第2FET8の電
流,Sは第1FET5の電流をそれぞれ示す。
8, S is the output voltage of the IC 12 of the switching control circuit 10, S is the gate-source voltage of the second FET 8,
Represents a gate-source voltage of the first FET 5, S represents a current of the second FET 8, and S represents a current of the first FET 5, respectively.

本インバータは、2つのスイッチング素子である第1F
ET5、第2FET8を交互にオン、オフさせ、オン、オフのデ
ューティ比を50%以上とするため、トランスに加わる電
圧時間積が等しくなるようにコンデンサ11に直流電圧が
生じて、トランスが偏磁しないように動作している。こ
こで、オン、オフのデューティ比が急激に変化した場
合、コンデンサ11の電圧変化が遅れ、トランス2が偏磁
することにより、S,Sに示すように第2FET8の電流
Sは段々に増加し、又コンデンサ11の急激な電圧補正
に伴い第1FET5の電流Sも段々に増加して、トランス
2は飽和状態にまで達し、スイッチング素子である第1F
ET5、第2FET8を破壊させる場合があるという問題があっ
た。
This inverter has two switching elements, 1F
The ET5 and the second FET 8 are turned on and off alternately, and a DC voltage is generated across the capacitor 11 so that the voltage-time product applied to the transformer is equal, so that the transformer is demagnetized. Not working. Here, when the on / off duty ratio changes abruptly, the voltage change of the capacitor 11 is delayed, and the transformer 2 is demagnetized, so that the current S of the second FET 8 gradually increases as shown by S and S. Also, the current S of the first FET 5 gradually increases with the rapid voltage correction of the capacitor 11, and the transformer 2 reaches a saturation state, and the first F5 as a switching element
There is a problem that the ET5 and the second FET 8 may be destroyed.

そこで本考案は、負荷に起因する共振条件の違いを自
動的に補正し、又コンデンサの充放電によるトランスの
飽和を防止する回路を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a circuit for automatically correcting a difference in a resonance condition caused by a load and for preventing a transformer from being saturated by charging and discharging a capacitor.

[考案の構成] (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するための本考案のインバータ駆動回
路の構成は、電源、トランスの1次巻線センタータップ
を介した一方の1次巻線、及び第1のスイッチング素子
からなる第1の閉回路と、電源、トランスの1次巻線セ
ンタータップを介した他方の1次巻線、及び第2のスイ
ッチング素子からなる第2の閉回路と、前記第1,第2の
スイッチング素子を交互にオン、オフし、かつディーテ
ィ比を制御するスイッチング制御回路と、前記第1,第2
の閉回路のいずれか一方に挿入されたコンデンサとから
なるインバータ駆動回路において、前記スイッチング制
御回路と前記第1,第2のスイッチング素子との間に、負
荷の軽重によって可変する遅延回路を挿入したものであ
る。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) To achieve the above object, the structure of the inverter drive circuit of the present invention is a power supply and one primary winding via a primary winding center tap of a transformer. And a first closed circuit comprising a first switching element, a second closed circuit comprising a power supply, the other primary winding via a primary winding center tap of a transformer, and a second switching element. A switching control circuit for turning on and off the first and second switching elements alternately and controlling a duty ratio;
In the inverter drive circuit comprising a capacitor inserted in one of the closed circuits, a delay circuit that is variable depending on the load of the load is inserted between the switching control circuit and the first and second switching elements. Things.

前記遅延回路は、前記第1のスイッチング素子の制御
端子及び前記第2のスイッチング素子の制御端子にそれ
ぞれ接続された第1、第2の補助スイッチング素子と、
前記スイッチング制御回路の出力端子及び前記第2のス
イッチング素子の制御端子間に互いに並列に挿入された
第1の抵抗及びダイオードと、前記トランスに設けられ
た補助巻線と、この補助巻線及び前記第2の補助スイッ
チング素子の制御端子間に挿入された第2の抵抗と、前
記補助巻線及び前記第1のスイッチング素子の制御端子
間に挿入された第3の抵抗と、この第3の抵抗及び前記
第1のスイッチング素子の制御端子間に一端が接続さ
れ、他端が接地された第1のコンデンサと、前記第2の
スイッチング素子の制御端子と、前記第1の抵抗及びダ
イオードとの間に一端が接続され、他端が接地された第
2のコンデンサとからなるものである。
The delay circuit includes first and second auxiliary switching elements connected to a control terminal of the first switching element and a control terminal of the second switching element, respectively.
A first resistor and a diode inserted in parallel between the output terminal of the switching control circuit and the control terminal of the second switching element, an auxiliary winding provided in the transformer, A second resistor inserted between the control terminals of the second auxiliary switching element, a third resistor inserted between the auxiliary winding and the control terminal of the first switching element, and a third resistor And a first capacitor having one end connected between the control terminals of the first switching element and the other end grounded, a control terminal of the second switching element, and the first resistor and the diode. And a second capacitor grounded at one end and grounded at the other end.

(作用) 上記構成からなる本考案のインバータ駆動回路の作用
について説明する。
(Operation) The operation of the inverter drive circuit of the present invention having the above configuration will be described.

軽負荷時には、第1、第2のスイッチング素子にかか
る電圧と電流はゆっくり立ち上がり、電流も少なく、ト
ランスのインダクタンスに蓄えられるエネルギーが少な
い。エネルギーが少ないと、前記トランスに設けられた
補助巻線に生ずる電圧の立ち上がりは緩やかになり、こ
れを遅延素子を介して第1,第2のスイッチング素子のゲ
ートに加える。従ってデッドタイムも長くなる。重負荷
時には、第1,第2のスイッチング素子にかかる電圧と電
流は急激に立ち上がり、電流も多く、トランスのインダ
クタンスに蓄えられるエネルギーが多い。すると、前記
トランスに設けられた補助巻線に生ずる電圧の立ち上が
りは急激になり、これを遅延素子を介して第1,第2のス
イッチング素子のゲートに加える。従ってデッドタイム
も短くなる。
When the load is light, the voltage and current applied to the first and second switching elements rise slowly, the current is small, and the energy stored in the inductance of the transformer is small. If the energy is small, the rise of the voltage generated in the auxiliary winding provided in the transformer becomes gentle, and this is applied to the gates of the first and second switching elements via the delay element. Therefore, the dead time also becomes longer. At a heavy load, the voltage and current applied to the first and second switching elements rise sharply, the current is large, and the energy stored in the inductance of the transformer is large. Then, the rise of the voltage generated in the auxiliary winding provided in the transformer becomes sharp, and is applied to the gates of the first and second switching elements via the delay element. Therefore, the dead time is also shortened.

又、前記トランスに設けた補助巻線の出力電圧によ
り、第2のスイッチング素子をオンさせ、そのときには
補助スイッチング素子により第1のスイッチング素子が
オンしないようにして、交互に第1,第2のスイッチング
素子をオン、オケさせることにより、電圧クランプコン
デンサの充放電電流によるトランスの飽和を防止するこ
とができる。
The second switching element is turned on by the output voltage of the auxiliary winding provided in the transformer. At this time, the first switching element is not turned on by the auxiliary switching element, and the first and second switching elements are alternately turned on. By turning on and off the switching element, saturation of the transformer due to charging / discharging current of the voltage clamp capacitor can be prevented.

(実施例) 以下、本考案の一実施例を図面に基ずき説明する。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図において、直流電源1の正極側からトランス2
の1次巻線のセンタータップ3を介して、コンデンサ1
1,一方の1次巻線4,MOS型第1FET5を経て直流電源1の負
極側に至る第1の閉回路6と、前記直流電源1の正極側
から前記トランス2の1次巻線のセンタータップ3を介
してトランス2の他方の1次巻線,MOS型第2FET8を経て
直流電源1の負極側に至る第2の閉回路9が構成され、
前記第1FET5,第2FET8には、並列にそれぞれコンデンサ1
6,17が挿入されている。
In FIG. 1, a transformer 2
Through the center tap 3 of the primary winding of
1, a first closed circuit 6 extending to the negative side of the DC power supply 1 via one primary winding 4 and the MOS type first FET 5, and a center of the primary winding of the transformer 2 from the positive side of the DC power supply 1 A second closed circuit 9 is formed via the tap 3, the other primary winding of the transformer 2, the MOS type second FET 8, and the negative side of the DC power supply 1.
The first FET 5 and the second FET 8 are respectively connected in parallel with a capacitor 1
6,17 have been inserted.

又、前記トランス2の2次巻線18は、インダクタ19,
整流ダイオード20,転流用ダイオード21,インダクタ22,
コンデンサ23からなる整流平滑回路24を介して出力端子
25,26に結合されている。この出力端子25,26は負荷変動
を検出し増幅する検出回路27を介して、IC12からなるス
イッチング制御回路10に結合されている。
The secondary winding 18 of the transformer 2 includes an inductor 19,
Rectifier diode 20, commutation diode 21, inductor 22,
Output terminal via rectifying / smoothing circuit 24 consisting of capacitor 23
25,26. The output terminals 25 and 26 are coupled to a switching control circuit 10 including an IC 12 via a detection circuit 27 that detects and amplifies a load change.

また、第1図において、鎖線で囲んだ部分29が本考案
に関連する遅延回路部分であり、第1、第2の補助スイ
ッチング素子としてのMOS型第3FET34及びMOS型第4FET35
が、前記第1FET5のゲート及び第2FET8のゲートにそれぞ
れ接続されている。また、第1の抵抗としての抵抗33及
びダイオード32が、スイッチング制御回路10の出力端子
及び第2FET8のゲート間に互いに並列に挿入されてい
る。また、第2の抵抗としての抵抗30が、トランス2に
設けられた補助巻線36及びMOS型第4FET35のゲート間に
挿入されている。さらに、第3の抵抗としての抵抗31
が、補助巻線36及び第1FET5のゲート間に挿入されてい
る。
In FIG. 1, a portion 29 surrounded by a chain line is a delay circuit portion related to the present invention, and a MOS-type third FET 34 and a MOS-type fourth FET 35 as first and second auxiliary switching elements.
Are connected to the gate of the first FET 5 and the gate of the second FET 8, respectively. Further, a resistor 33 and a diode 32 as a first resistor are inserted between the output terminal of the switching control circuit 10 and the gate of the second FET 8 in parallel with each other. Further, a resistor 30 as a second resistor is inserted between the auxiliary winding 36 provided in the transformer 2 and the gate of the MOS-type fourth FET 35. Further, a resistor 31 as a third resistor is provided.
Is inserted between the auxiliary winding 36 and the gate of the first FET 5.

また、遅延回路部分29において、前記第1FET5のゲー
ト・ソース間に接続されたコンデンサと等価回路をなす
第1のコンデンサとしてのコンデンサ41が、抵抗31及び
第1FET5のゲート間に一端が接続され、他端を接地して
おり、前記第2FET8のゲート・ソース間に接続されたコ
ンデンサと等価回路をなす第2のコンデンサとしてのコ
ンデンサ42が、第2FET8のゲートと、抵抗33及びダイオ
ード32との間に一端が接続され、他端を接地している。
Further, in the delay circuit portion 29, a capacitor 41 as a first capacitor forming an equivalent circuit to the capacitor connected between the gate and the source of the first FET 5, one end is connected between the resistor 31 and the gate of the first FET 5, The other end is grounded, and a capacitor 42 as a second capacitor forming an equivalent circuit to the capacitor connected between the gate and the source of the second FET 8 is provided between the gate of the second FET 8 and the resistor 33 and the diode 32. Is connected at one end and the other end is grounded.

尚、遅延回路部分29において、前記トランス2の補助
巻線36及び抵抗30又は抵抗31は、各スイッチング素子に
電圧を供給するゲート電圧供給回路を構成している。
In the delay circuit portion 29, the auxiliary winding 36 and the resistor 30 or the resistor 31 of the transformer 2 constitute a gate voltage supply circuit for supplying a voltage to each switching element.

次に、この回路の動作を第2図及び第3図を参照して
説明する。
Next, the operation of this circuit will be described with reference to FIGS.

第2図に示すSはスイッチング制御回路10を構成す
るIC12の出力電圧,Sはトランス2の補助巻線36に生ず
る電圧,Sは第2FET8のゲート・ソース間電圧,Sは第1
FET5のゲート・ソース間電圧,Sは第2FET8のドレイン
・ソース間電圧,Sは第2FET8の電流,Sは第1FET5のド
レイン・ソース間電圧,Sは第3FET34のドレイン・ソー
ス間電圧,Sは第4FET35のゲート・ソース間電圧をそれ
ぞれ示し、S及びS乃至S並びにS,Sは軽負
荷時の波形を示し、第3図S及びS乃至Sは前記
各出力S及びS乃至Sの重負荷時の波形を示す。
2, S is the output voltage of the IC 12 constituting the switching control circuit 10, S is the voltage generated in the auxiliary winding 36 of the transformer 2, S is the gate-source voltage of the second FET 8, and S is the first voltage.
The gate-source voltage of FET5, S is the drain-source voltage of the second FET8, S is the current of the second FET8, S is the drain-source voltage of the first FET5, S is the drain-source voltage of the third FET34, and S is 4 shows the gate-source voltage of the fourth FET 35, S and S to S and S, S show waveforms at light load, and FIG. 3 S and S to S show heavy load of the outputs S and S to S. The waveform at the time is shown.

制御回路10のIC12の出力電圧Sは、遅延回路を構成
する抵抗33とコンデンサ42により、立ち上がりの遅れた
波形となり、第2FET8のゲート・ソース間電圧Sとな
る。又第1FET5のゲート・ソース間電圧Sは、トラン
ス2の補助巻線36と抵抗31とによるゲート電圧供給回路
より供給され、遅延回路を構成する抵抗31とコンデンサ
41により、立ち上がりの遅れた波形となる。この第1FET
5のゲート・ソース間電圧Sは、第3FET34がオフで、
かつ第2FET8がオフし、トランスの極性が反転した場合
に印加されるため、第1FET5のゲート・ソース間電圧S
と第2FET8のゲート・ソース間電圧Sは、交互にオ
ン、オフするパルス波形となる。
The output voltage S of the IC 12 of the control circuit 10 has a delayed waveform due to the resistance 33 and the capacitor 42 constituting the delay circuit, and becomes the gate-source voltage S of the second FET 8. The gate-source voltage S of the first FET 5 is supplied from a gate voltage supply circuit comprising an auxiliary winding 36 of the transformer 2 and a resistor 31, and a resistor 31 and a capacitor constituting a delay circuit are provided.
Due to 41, the waveform is delayed in rising. This first FET
The gate-source voltage S of 5 is such that the third FET 34 is off,
In addition, since the voltage is applied when the second FET 8 is turned off and the polarity of the transformer is inverted, the gate-source voltage S of the first FET 5
And the gate-source voltage S of the second FET 8 has a pulse waveform that turns on and off alternately.

ここで、出力端子25,26が軽負荷時には、第2図S
乃至Sに示すように、第1FET5、第2FET8の電流が小さ
く、かつ第2FET8のドレイン・ソース間電圧S,第1FE
T5のドレイン・ソース間電圧Sの立ち上がりがゆっく
りしており、トランス2のインダクタンス28に蓄積され
る共振エネルギーが小さい。従って補助巻線36に生ずる
電圧Sの立ち上がりも緩やかになり、第1FET5のゲー
ト・ソース間電圧Sの立ち上がりも緩やかに遅くな
る。又第4FET35のゲート・ソース間電圧Sの立ち下が
りも緩やかになりターンオフも緩やかに遅くなるため、
第2FET8のゲート・ソース間電圧Sの立ち上りも遅く
なる。このようにして、デッドタイムd1,d2は長くな
る。
Here, when the output terminals 25 and 26 are lightly loaded, FIG.
As shown in S to S, the currents of the first FET 5 and the second FET 8 are small, and the drain-source voltage S of the second FET 8 and the first FE
The drain-source voltage S of T5 rises slowly, and the resonance energy stored in the inductance 28 of the transformer 2 is small. Therefore, the rise of the voltage S generated in the auxiliary winding 36 becomes slow, and the rise of the gate-source voltage S of the first FET 5 also becomes slow slowly. In addition, since the fall of the gate-source voltage S of the fourth FET 35 becomes gentle and the turn-off becomes slow slowly,
The rise of the gate-source voltage S of the second FET 8 also becomes slow. Thus, the dead times d1 and d2 become longer.

次に、出力端子25,26が重負荷時には、第3図S乃
至Sに示すように、第1FET5、第2FET8の電流が大き
く、かつ第2FET8のドレイン・ソース間電圧S,第1FE
T5のドレイン・ソース間電圧Sの立ち上がりが急激に
なっており、トランス2のインダクタンス28に蓄積され
る共振エネルギーが大きい。従って補助巻線36に生ずる
電圧Sの立ち上がりも急激になり、第1FET5のゲート
・ソース間電圧Sの立ち上がりも急激になる。又第4F
ET35のゲート・ソース間電圧Sの立ち下がりも急激に
なり、ターンオフも急激に早くなるため、第2FET8のゲ
ート・ソース間電圧Sの立ち上がりも早くなる。この
ようにして、デッドタイムd3,d4は短くなる。
Next, when the output terminals 25 and 26 are under heavy load, as shown in FIGS. 3S to 3S, the current of the first FET 5 and the second FET 8 is large, and the drain-source voltage S and the first FE of the second FET 8 are increased.
The rise of the drain-source voltage S of T5 is sharp, and the resonance energy stored in the inductance 28 of the transformer 2 is large. Therefore, the rise of the voltage S generated in the auxiliary winding 36 also becomes sharp, and the rise of the gate-source voltage S of the first FET 5 also becomes sharp. 4th floor
The fall of the gate-source voltage S of the ET 35 also becomes sharp, and the turn-off also becomes sharp, so that the rise of the gate-source voltage S of the second FET 8 also becomes fast. In this way, the dead times d3 and d4 are shortened.

以上のようにして負荷の軽重に応じて、軽負荷時には
第1のスイッチング素子と第1の補助スイッチング素子
の制御動作により、重負荷時には、第2のスイッチング
素子と第2の補助スイッチング素子の制御動作により、
デッドタイムが補正されている。
As described above, according to the lightness of the load, the control operation of the first switching element and the first auxiliary switching element is performed at a light load, and the control of the second switching element and the second auxiliary switching element is performed at a heavy load. By operation,
Dead time has been corrected.

次にスイッチング制御回路10のIC12の出力電圧Sの
パルス電圧波形のデューティ比が急激に広がった場合の
動作について、第4図を参照して説明する。
Next, an operation in the case where the duty ratio of the pulse voltage waveform of the output voltage S of the IC 12 of the switching control circuit 10 sharply increases will be described with reference to FIG.

第4図に示すSはスイッチング制御回路10のIC12の
出力電圧,Sはトランス2の補助巻線36に生ずる電圧,S
は第2FET8のゲート・ソース間電圧,Sは第1FET5のゲ
ート・ソース間電圧,Sは第2FET8の電流,Sは第1FET5
の電流をそれぞれ示す。
4, S is the output voltage of the IC 12 of the switching control circuit 10, S is the voltage generated in the auxiliary winding 36 of the transformer 2, S
Is the gate-source voltage of the second FET 8, S is the gate-source voltage of the first FET 5, S is the current of the second FET 8, and S is the first FET 5
Respectively.

ここで、オン、オフのデューティ比が急激に変化した
場合、つまり第2FET8のオン時間が長くなり、トランス
に印加される電圧時間積が増えた状態で、第2FET8がオ
フすると、トランス2のフライバック電圧は、トランス
1次巻線4,コンデンサ11,第1FET5からなる閉回路6でク
ランプされる。しかし、第2FET8のオン時間が長くなっ
た分オフ時間が短くなるとともに、コンデンサ11への放
電時間が長くなる。このとき補助巻線36には第2の補助
スイッチング素子としての第4FET35をオンさせる極性の
電圧が生じており、第4FET35はオンとなって、第2FET8
のゲート・ソース間電圧Sはオフ信号が入ったと同じ
状態になる。このためスイッチング制御回路のIC12より
オン信号が出力されても、第2FET8のゲート・ソース間
電圧Sは、トランス2のフライバック電圧によるコン
デンサ11への放電が完了するまで電圧が加わらないた
め、トランスの偏磁動作を防止できる。
Here, when the duty ratio of on and off changes abruptly, that is, when the on-time of the second FET 8 becomes longer and the voltage-time product applied to the transformer increases, and the second FET 8 turns off, the flyback of the transformer 2 The back voltage is clamped by a closed circuit 6 including the transformer primary winding 4, the capacitor 11, and the first FET 5. However, as the on-time of the second FET 8 increases, the off-time decreases and the discharge time to the capacitor 11 increases. At this time, a voltage having a polarity for turning on the fourth FET 35 as the second auxiliary switching element is generated in the auxiliary winding 36, and the fourth FET 35 is turned on, and the second FET 8 is turned on.
Is in the same state as when the OFF signal is input. Therefore, even if an ON signal is output from the IC 12 of the switching control circuit, the voltage S between the gate and the source of the second FET 8 is not applied until the discharge to the capacitor 11 by the flyback voltage of the transformer 2 is completed. Can be prevented.

[考案の効果] 以上詳述した本考案の構成によれば、負荷条件が変化
しても負荷条件に合ったデッドタイムに補正されて、最
適な共振条件を維持することが可能であり、又、オン、
オフのデューティ比が急激に変化した場合でも、電圧ク
ランプコンデンサの急激な充放電電流を防ぎスイッチン
グ素子の破壊を防止可能である。
[Effects of the Invention] According to the configuration of the present invention described in detail above, even if the load condition changes, the dead time is adjusted to the load condition and the optimum resonance condition can be maintained. ,on,
Even when the off duty ratio changes abruptly, it is possible to prevent a sudden charge / discharge current of the voltage clamp capacitor and prevent the switching element from being destroyed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本考案によるインバータ駆動回路の一実施例を
示す回路図、第2図乃至第4図は第1図の動作波形図、
第5図は本出願人による既出願のインバータ駆動回路の
回路図、第6図乃至第8図は第5図の動作波形図であ
る。 1……直流電源、2……トランス、3……1次巻線セン
タータップ、4,7……1次巻線、5……第1FET、8……
第2FET、10……スイッチング制御回路、11……コンデン
サ、18……2次巻線、30,31,33……抵抗、32……ダイオ
ード、34……第3FET、35……第4FET、36……補強巻線。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an inverter drive circuit according to the present invention, FIGS. 2 to 4 are operation waveform diagrams of FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram of the inverter drive circuit of the applicant, and FIGS. 6 to 8 are operation waveform diagrams of FIG. 1 DC power supply 2 Transformer 3 Primary winding center tap 4, 7 Primary winding 5 First FET 8
Second FET, 10: Switching control circuit, 11: Capacitor, 18: Secondary winding, 30, 31, 33: Resistor, 32: Diode, 34: Third FET, 35: Fourth FET, 36 .... Reinforcing winding.

Claims (2)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】電源、トランスの1次巻線センタータップ
を介した一方の1次巻線、及び第1のスイッチング素子
からなる第1の閉回路と、電源、トランスの1次巻線セ
ンタータップを介した他方の1次巻線、及び第2のスイ
ッチング素子からなる第2の閉回路と、前記第1、第2
のスイッチング素子を交互にオン、オフし、かつデュー
ティー比を制御するスイッチング制御回路と、前記第
1、第2の閉回路のいずれか一方に挿入されたコンデン
サとからなるインバータ駆動回路において、前記スイッ
チング制御回路と前記第1、第2のスイッチング素子と
の間に、負荷の軽重によって可変する遅延回路を挿入し
たことを特徴とするインバータ駆動回路。
A first closed circuit comprising a power supply, one primary winding via a primary winding center tap of a transformer, and a first switching element; a power supply and a primary winding center tap of a transformer. A second closed circuit including the other primary winding via a second switching element and a second switching element;
An inverter drive circuit comprising a switching control circuit for turning on and off the switching elements alternately and controlling a duty ratio, and a capacitor inserted in one of the first and second closed circuits. An inverter drive circuit, wherein a delay circuit that varies depending on the load is inserted between a control circuit and the first and second switching elements.
【請求項2】前記遅延回路は、前記第1のスイッチング
素子の制御端子及び前記第2のスイッチング素子の制御
端子にそれぞれ接続された第1、第2の補助スイッチン
グ素子と、 前記スイッチング制御回路の出力端子及び前記第2のス
イッチング素子の制御端子間に互いに並列に挿入された
第1の抵抗及びダイオードと、 前記トランスに設けられた補助巻線と、 この補助巻線及び前記第2の補助スイッチング素子の制
御端子間に挿入された第2の抵抗と、 前記補助巻線及び前記第1のスイッチング素子の制御端
子間に挿入された第3の抵抗と、 この第3の抵抗及び前記第1のスイッチング素子の制御
端子間に一端が接続され、他端が接地された第1のコン
デンサと、 前記第2のスイッチング素子の制御端子と、前記第1の
抵抗及びダイオードとの間に一端が接続され、他端が接
地された第2のコンデンサと、 からなることを特徴とする請求項1記載のインバータ回
路。
2. The switching circuit according to claim 1, wherein the delay circuit includes first and second auxiliary switching elements connected to a control terminal of the first switching element and a control terminal of the second switching element, respectively. A first resistor and a diode inserted in parallel between the output terminal and the control terminal of the second switching element; an auxiliary winding provided in the transformer; an auxiliary winding and the second auxiliary switching A second resistor inserted between the control terminals of the element, a third resistor inserted between the auxiliary winding and the control terminal of the first switching element, a third resistor and the first resistor, A first capacitor having one end connected between control terminals of the switching element and the other end grounded; a control terminal of the second switching element; a first resistor and a diode; It is connected to one end between the de inverter circuit of claim 1, wherein a second capacitor whose other end is grounded, in that it consists of.
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