JP2502513B2 - 半導体構造から面積の小さい半導体構造を切断する半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体構造から面積の小さい半導体構造を切断する半導体デバイスの製造方法Info
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 現在、グロー放電または蒸着によって薄膜アモルファ
スSiまたはGe合金の大面積電子デバイスを製造すること
が可能である。結晶性Siとは違って、アモルファスシリ
コン合金は大面積基板上に多重層として被着して大量連
続加工（処理）方式により太陽電池を形成することがで
きる。この種の連続加工方式は、「Ｐ形ドープしたシリ
コン膜の形成方法およびそれから作られるデバイス」と
題する米国特許第4,400,409号、「アモルファス太陽電
池の連続デポジションおよび絶縁方式および方法」と題
する米国特許第4,410,588号、および「タンデムアモル
ファス光電池を連続的に製造する方法および装置」と題
する米国特許第4,485,125号および第4,492,181号に記載
されている。これらの特許明細書に記載されている通
り、ウェブ（帯）状基板が一連のポジションチャンバを
通って連続前進し、各チャンバ内で特定の半導体材料が
被着される。ｐ−ｉ−ｎ形構造の太陽電池を作る場合、
第１のチャンバでｐ形アモルファスシリコン合金が被着
され、第２のチャンバで真性アモルファスシリコン合金
が被着され、第３のチャンバではｎ形アモルファスシリ
コン合金が被着される。
スSiまたはGe合金の大面積電子デバイスを製造すること
が可能である。結晶性Siとは違って、アモルファスシリ
コン合金は大面積基板上に多重層として被着して大量連
続加工（処理）方式により太陽電池を形成することがで
きる。この種の連続加工方式は、「Ｐ形ドープしたシリ
コン膜の形成方法およびそれから作られるデバイス」と
題する米国特許第4,400,409号、「アモルファス太陽電
池の連続デポジションおよび絶縁方式および方法」と題
する米国特許第4,410,588号、および「タンデムアモル
ファス光電池を連続的に製造する方法および装置」と題
する米国特許第4,485,125号および第4,492,181号に記載
されている。これらの特許明細書に記載されている通
り、ウェブ（帯）状基板が一連のポジションチャンバを
通って連続前進し、各チャンバ内で特定の半導体材料が
被着される。ｐ−ｉ−ｎ形構造の太陽電池を作る場合、
第１のチャンバでｐ形アモルファスシリコン合金が被着
され、第２のチャンバで真性アモルファスシリコン合金
が被着され、第３のチャンバではｎ形アモルファスシリ
コン合金が被着される。
［発明が解決しようとする技術課題］ 多くの場合、大面積光電池材料は小面積光電池（光起
電力セル）に切り離す必要がある。「切離」という語
は、切断，剪断，押抜き，型抜き，および縦切り（slit
ting）を含む。連続ウェブから光起電力デバイスを作る
には、分離した光電池を作るための切離が必要である。
電力セル）に切り離す必要がある。「切離」という語
は、切断，剪断，押抜き，型抜き，および縦切り（slit
ting）を含む。連続ウェブから光起電力デバイスを作る
には、分離した光電池を作るための切離が必要である。
標準的な薄膜光電池は、底部（基部）電極を形成して
いるかまたは底部電極領域が付着されている基板と、底
部電極上に堆積させた半導体デバイスと、比較的透明な
導電性被膜である頂部電極部材とからなる。透明電極部
材は通例ではインジウム−スズ酸化物，酸化スズ，酸化
インジウム，スズ酸カドミウム，および酸化亜鉛のよう
な透明な５化物材料から形成される。このタイプの光電
池の切離は、頂部電極と底部電極の間に１またはそれ以
上の短絡電流通路を生じやすい。透明な導電性酸化物材
料は比較的脆く、切断工程で剪断力を受けると、破片を
生じる。これらの破片は、短絡電流の通路を生じる。破
片は、化学エッチ法，プラズマエッチ法，レーザけがき
ないし描画（laser scribing）法，および水ジェットけ
がき法のようなけがき技術によって除去してもよい。こ
れらの技術はどれも有効であるが、余分の工程と高価な
ハードウェアを追加を必要とする。
いるかまたは底部電極領域が付着されている基板と、底
部電極上に堆積させた半導体デバイスと、比較的透明な
導電性被膜である頂部電極部材とからなる。透明電極部
材は通例ではインジウム−スズ酸化物，酸化スズ，酸化
インジウム，スズ酸カドミウム，および酸化亜鉛のよう
な透明な５化物材料から形成される。このタイプの光電
池の切離は、頂部電極と底部電極の間に１またはそれ以
上の短絡電流通路を生じやすい。透明な導電性酸化物材
料は比較的脆く、切断工程で剪断力を受けると、破片を
生じる。これらの破片は、短絡電流の通路を生じる。破
片は、化学エッチ法，プラズマエッチ法，レーザけがき
ないし描画（laser scribing）法，および水ジェットけ
がき法のようなけがき技術によって除去してもよい。こ
れらの技術はどれも有効であるが、余分の工程と高価な
ハードウェアを追加を必要とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、破片による短絡を除きしかも追加加工工程
または高価な装置を必要としない新規の切離技術を提供
することを目的とする。すなわち、本発明による半導体
デバイスの製造方法は、電気伝導性の表面を有する基板
上に配置されかつ電気伝導性の被膜で被覆されたアモル
ファス半導体材料を具備する半導体構造から該構造より
面積の小さい半導体構造を切り離す工程を含む半導体デ
バイスの製造方法であって、前記工程が前記半導体構造
における前記伝導性被膜の側を支持しかつ前記基板の側
から剪断力を加えて前記半導体構造から前記面積の小さ
い半導体構造を切り離すことを特徴とする。本発明によ
れば、透明電極の側が支持され、半導体デバイスが基板
側から剪断力を加えて切離される。
または高価な装置を必要としない新規の切離技術を提供
することを目的とする。すなわち、本発明による半導体
デバイスの製造方法は、電気伝導性の表面を有する基板
上に配置されかつ電気伝導性の被膜で被覆されたアモル
ファス半導体材料を具備する半導体構造から該構造より
面積の小さい半導体構造を切り離す工程を含む半導体デ
バイスの製造方法であって、前記工程が前記半導体構造
における前記伝導性被膜の側を支持しかつ前記基板の側
から剪断力を加えて前記半導体構造から前記面積の小さ
い半導体構造を切り離すことを特徴とする。本発明によ
れば、透明電極の側が支持され、半導体デバイスが基板
側から剪断力を加えて切離される。
［実施例］ 本発明の一具体例では、１枚の厚紙，紙または合成ポ
リマーのような保護部材が、半導体デバイスの透明電極
側と支持手段の間に、切削中に透明電極が破損するのを
防ぐため、配置されている。保護部材は接触接着剤によ
りデバイスに分離可能に張付けてもよい。他の場合で
は、保護部材は透明のカプセル化ないし包封材料で形成
してもよく、これは切離工程後もそのまま残る。
リマーのような保護部材が、半導体デバイスの透明電極
側と支持手段の間に、切削中に透明電極が破損するのを
防ぐため、配置されている。保護部材は接触接着剤によ
りデバイスに分離可能に張付けてもよい。他の場合で
は、保護部材は透明のカプセル化ないし包封材料で形成
してもよく、これは切離工程後もそのまま残る。
第１図は、個別のｎ−ｉ−ｐ形電池（セル）12a,12b,
12cから作られた太陽電池のようなｎ−ｉ−ｐ形光起電
力デバイス10を示す。最下の電池12aの下側は基板11
で、透明ガラスまたは合成ポリマー部材で作られるか、
あるいはステンレススチール，アルミニウム，タンタ
ル，モリブデン，クロムのような金属材料から、あるい
は絶縁物に埋め込んだ金属粒子から形成してもよい。
12cから作られた太陽電池のようなｎ−ｉ−ｐ形光起電
力デバイス10を示す。最下の電池12aの下側は基板11
で、透明ガラスまたは合成ポリマー部材で作られるか、
あるいはステンレススチール，アルミニウム，タンタ
ル，モリブデン，クロムのような金属材料から、あるい
は絶縁物に埋め込んだ金属粒子から形成してもよい。
それぞれの電池12a,12b,12cは好ましくは、少くともS
iまたはSi:Ge合金を含む薄膜半導体ボデイで製造され
る。各半導体ボデイは、ｐ形伝導性半導体層20a,20b,20
cと、実質的に真性の半導体層18a,18b,18cと、ｎ形伝導
性半導体層16a,16b,16cとからなる。電池12bは中間電池
で、図示の電池上に追加の中間電池を積み重ねてもよ
く、あるいはタンデム電池であれば２個の電池だけから
なってもよい。図示したのはｎ−ｉ−ｐ光電池だが、本
発明はより有利には、単一または多重ｐ−ｉ−ｎ電池、
ショットキ障壁電池,p−ｎ電池を含む異なる構造の光電
池で、さらに適当な頂部電極を持つ他の任意の半導体デ
バイスで作られてもよい。
iまたはSi:Ge合金を含む薄膜半導体ボデイで製造され
る。各半導体ボデイは、ｐ形伝導性半導体層20a,20b,20
cと、実質的に真性の半導体層18a,18b,18cと、ｎ形伝導
性半導体層16a,16b,16cとからなる。電池12bは中間電池
で、図示の電池上に追加の中間電池を積み重ねてもよ
く、あるいはタンデム電池であれば２個の電池だけから
なってもよい。図示したのはｎ−ｉ−ｐ光電池だが、本
発明はより有利には、単一または多重ｐ−ｉ−ｎ電池、
ショットキ障壁電池,p−ｎ電池を含む異なる構造の光電
池で、さらに適当な頂部電極を持つ他の任意の半導体デ
バイスで作られてもよい。
好ましくは、酸化スズ，酸化インジウム，インジウム
−スズ酸化物，酸化亜鉛，スズ酸カドミウムまたはその
組み合せのような材料で作られるTCO（透明伝導性酸化
物）被膜22は、電池10の頂部電極として電池12cのｐ層2
0c上に配置される。集電効率を上げるため、格子状電極
24を付加してもよい。
−スズ酸化物，酸化亜鉛，スズ酸カドミウムまたはその
組み合せのような材料で作られるTCO（透明伝導性酸化
物）被膜22は、電池10の頂部電極として電池12cのｐ層2
0c上に配置される。集電効率を上げるため、格子状電極
24を付加してもよい。
第２図の装置26は、ｎ−ｉ−ｐ形アモルファス半導体
層を、装置を連続通過する帯状基板材料11の表面に堆積
させる。第１のデポジションチャンバ28では、ｎ形伝導
性半導体層が基板11の堆積面に被着され、第２のデポジ
ションチャンバ30では真性半導体層がｐ形層上に被着さ
れ、第３のデポジションチャンバ32ではｐ形半導体層が
真性層上に被着される。
層を、装置を連続通過する帯状基板材料11の表面に堆積
させる。第１のデポジションチャンバ28では、ｎ形伝導
性半導体層が基板11の堆積面に被着され、第２のデポジ
ションチャンバ30では真性半導体層がｐ形層上に被着さ
れ、第３のデポジションチャンバ32ではｐ形半導体層が
真性層上に被着される。
被着（堆積）工程はグロー放電を用いる。各デポジシ
ョンチャンバ28,30,32は、陰極34と、各陰極の周囲に配
置したシールド35と、プロセスガス供給導管36と、R.F.
（高周波）等電磁出力源38と、プロセスガスおよびプラ
ズマ排出管41と、横断方向に延びる複数個の磁石ないし
磁性部材50と、複数個の放射加熱素子40と、真性ポデジ
ションチャンバを隣接の各ドーパンドチャンバに機能的
に相互結合するガスゲート42とを含む。
ョンチャンバ28,30,32は、陰極34と、各陰極の周囲に配
置したシールド35と、プロセスガス供給導管36と、R.F.
（高周波）等電磁出力源38と、プロセスガスおよびプラ
ズマ排出管41と、横断方向に延びる複数個の磁石ないし
磁性部材50と、複数個の放射加熱素子40と、真性ポデジ
ションチャンバを隣接の各ドーパンドチャンバに機能的
に相互結合するガスゲート42とを含む。
供給導管36は混合したプロセスガスを各デポジション
チャンバ内のプラズマ領域の陰極34と基板11の間に供給
する。陰極シールド35はプロセスガスを各デポジション
チャンバの陰極領域内に限定する。
チャンバ内のプラズマ領域の陰極34と基板11の間に供給
する。陰極シールド35はプロセスガスを各デポジション
チャンバの陰極領域内に限定する。
電力源38は、陰極34,放射加熱素子40,および電気的に
アースされた基板11と共に、デポジションチャンバに入
る反応ガスを分離するプラズマを生成する。分解された
物質は半導体層として堆積する。磁性基板11は磁性部材
50によって事実上平坦に保持され、基板11は通常は弛ん
だ通り道から上方に引っ張られる。
アースされた基板11と共に、デポジションチャンバに入
る反応ガスを分離するプラズマを生成する。分解された
物質は半導体層として堆積する。磁性基板11は磁性部材
50によって事実上平坦に保持され、基板11は通常は弛ん
だ通り道から上方に引っ張られる。
第3A図は正確な縮尺で描いていないが、比較的大きな
光電池材料10′が切断のため配置されている。材料10′
は通例第１図の光電池10と同様で、数個の半導体層を有
する半導体ボデイ（本体）54,基板11,および透明電極被
膜22を含む。保護部材56は電極22と接触して配置されて
いる。保護部材56は切断作業とその後の作業の間電極22
の機械的破損を防ぐ。保護部材56は広範囲の材料、例え
ばポリエチレンの薄膜，ビニール，透明カプセル，また
は他の合成ポリマー，紙および厚紙から形成してもよ
い。保護部材56は剥離可能な接着剤で電極22に張り付け
るか、あるいは単に電極22と接触して配置してもよい。
支持部材52は保護部材56の電極22と反対の側に配置され
る。支持部材56は切離の間光起電力デバイス10′を保護
するため、弾力性があり、段ボール紙でもよい。他の弾
力性支持部材はゴム，プラスチックおよび紙でありう
る。支持部材58は剛性で、例えばシャープレスの固定ブ
ロックまたは抜き型でもありうる。剛性の支持部材が、
光電デバイス10′の切離線の比較的近くに配置される。
抜型60は半導体デバイス材料10′の基板側の直近傍に配
置され、光起電力デバイス10′を切断する。
光電池材料10′が切断のため配置されている。材料10′
は通例第１図の光電池10と同様で、数個の半導体層を有
する半導体ボデイ（本体）54,基板11,および透明電極被
膜22を含む。保護部材56は電極22と接触して配置されて
いる。保護部材56は切断作業とその後の作業の間電極22
の機械的破損を防ぐ。保護部材56は広範囲の材料、例え
ばポリエチレンの薄膜，ビニール，透明カプセル，また
は他の合成ポリマー，紙および厚紙から形成してもよ
い。保護部材56は剥離可能な接着剤で電極22に張り付け
るか、あるいは単に電極22と接触して配置してもよい。
支持部材52は保護部材56の電極22と反対の側に配置され
る。支持部材56は切離の間光起電力デバイス10′を保護
するため、弾力性があり、段ボール紙でもよい。他の弾
力性支持部材はゴム，プラスチックおよび紙でありう
る。支持部材58は剛性で、例えばシャープレスの固定ブ
ロックまたは抜き型でもありうる。剛性の支持部材が、
光電デバイス10′の切離線の比較的近くに配置される。
抜型60は半導体デバイス材料10′の基板側の直近傍に配
置され、光起電力デバイス10′を切断する。
第3B図では、第3A図の素子の切断工程の直後を示す。
抜き型60に加えられた力は光起電力材料10″の部分10′
を「型抜く」。弾性支持部材58の部分58′と保護部材56
の部分56′も小電池10″と共に打ち抜かれている。光電
材料10′は厚さ凡そ0.2mmを超えず、支持部材58は通例
厚さ４〜5mmである。切離工程は通例厚紙の支持部材58
を完全には打ち抜かず、厚紙を部分的に切り離す（切断
する）だけで、切断部分10″を厚紙支持部材58に埋め込
み、それから取り去ってもよい。
抜き型60に加えられた力は光起電力材料10″の部分10′
を「型抜く」。弾性支持部材58の部分58′と保護部材56
の部分56′も小電池10″と共に打ち抜かれている。光電
材料10′は厚さ凡そ0.2mmを超えず、支持部材58は通例
厚さ４〜5mmである。切離工程は通例厚紙の支持部材58
を完全には打ち抜かず、厚紙を部分的に切り離す（切断
する）だけで、切断部分10″を厚紙支持部材58に埋め込
み、それから取り去ってもよい。
第3B図に示す新規方法の特に注目すべき特徴は、光電
池材料10′の切断縁の直近傍の電極層22の部分および切
断部分10″が消失していることである。これらの領域62
は電極材料が全く無い。一面上に透明酸化物電極をもつ
半導体デバイスが対向面から切り離されるとき、この電
極の切断縁の直近傍部分は砕け、その結果生じた破片が
切断領域から落ちる。その結果、透明酸化物材料のない
区域が作り出される。これらの区域は短絡を防止する。
同じデバイスが透明酸化物面からカットされる場合は、
TCO材料の破片が半導体ボデイに侵入し、基板電極とTCO
層の間に短絡電流通路を形成する。
池材料10′の切断縁の直近傍の電極層22の部分および切
断部分10″が消失していることである。これらの領域62
は電極材料が全く無い。一面上に透明酸化物電極をもつ
半導体デバイスが対向面から切り離されるとき、この電
極の切断縁の直近傍部分は砕け、その結果生じた破片が
切断領域から落ちる。その結果、透明酸化物材料のない
区域が作り出される。これらの区域は短絡を防止する。
同じデバイスが透明酸化物面からカットされる場合は、
TCO材料の破片が半導体ボデイに侵入し、基板電極とTCO
層の間に短絡電流通路を形成する。
第４図は本発明に従って切り離された代表的な小面積
光電池64の上面図である。電池64はTCO層上に配置され
た格子パターン24を含む。透明酸化物のない区域62は電
池64の周囲に配置され、下側の半導体ボデイ54を露出す
る。
光電池64の上面図である。電池64はTCO層上に配置され
た格子パターン24を含む。透明酸化物のない区域62は電
池64の周囲に配置され、下側の半導体ボデイ54を露出す
る。
大面積光電池材料の供給に際し、透明酸化物の表面に
粘着的に張り付け，押し出しあるいはスクリーンプリン
トされた保護部材を有してもよい。シート状あるいはロ
ールに巻き付けたこの材料の供給は、本発明に従い必要
に応じて、けがき（scribing），エッチ，マスク処理ま
たは切断に先立つその他のパターンづけを必要とせず
に、小面積光電池に切り離すことを可能にする。
粘着的に張り付け，押し出しあるいはスクリーンプリン
トされた保護部材を有してもよい。シート状あるいはロ
ールに巻き付けたこの材料の供給は、本発明に従い必要
に応じて、けがき（scribing），エッチ，マスク処理ま
たは切断に先立つその他のパターンづけを必要とせず
に、小面積光電池に切り離すことを可能にする。
第５図では、保護部材により覆われた光電材料のロー
ル70は型抜きステーション72に連続的に送られる。ステ
ーション72では従来式の型抜き技術が、ロールから複数
個の小面積光電池74をカットするために用いられる。型
抜きステーションを出た小面積電池74はコンベアベル
ト，コンテナ，またはシュートで集められ、加工ステー
ションに送られる。
ル70は型抜きステーション72に連続的に送られる。ステ
ーション72では従来式の型抜き技術が、ロールから複数
個の小面積光電池74をカットするために用いられる。型
抜きステーションを出た小面積電池74はコンベアベル
ト，コンテナ，またはシュートで集められ、加工ステー
ションに送られる。
光電材料のロールに保護部材を粘着的に付けることに
よって、この材料はその後の切断や取り扱いの間保護さ
れる。ロールから切り抜かれた小面積電池は、以後の取
り扱い，貯蔵あるいはその他の操作の間、保護部材を維
持する。電池が最終的に準備が整うと、保護被覆は剥離
されてもよい。保護部材が光電池のカプセルとして働く
場合もある。この種の適用では、保護部材は透明で、電
池と電気的に接触するため開いていてもよい。
よって、この材料はその後の切断や取り扱いの間保護さ
れる。ロールから切り抜かれた小面積電池は、以後の取
り扱い，貯蔵あるいはその他の操作の間、保護部材を維
持する。電池が最終的に準備が整うと、保護被覆は剥離
されてもよい。保護部材が光電池のカプセルとして働く
場合もある。この種の適用では、保護部材は透明で、電
池と電気的に接触するため開いていてもよい。
本発明は透明酸化物電極を持つデバイスあるいは光電
池に限定されない。本技術は短絡を避けねばならない脆
い外側層を持つ電気デバイスを切断するために通例では
用いられる。大面積記憶アレイ，大面積集積回路，およ
び大面積液晶ディスプレイがこれらのデバイスの例であ
る。
池に限定されない。本技術は短絡を避けねばならない脆
い外側層を持つ電気デバイスを切断するために通例では
用いられる。大面積記憶アレイ，大面積集積回路，およ
び大面積液晶ディスプレイがこれらのデバイスの例であ
る。
第１図は本発明実施に際して使用しうるタイプのタンデ
ム光電池の部分断面図、 第２図は第１図のタンデム光電池の製造に用いられうる
タイプの多重チャンバデポジション装置の概略図、 第3A図は小面積電池に切り離すべく配置された光起電力
材料の断面説明図、 第3B図は第3A図の光起電力材料の切離後の断面説明図、 第４図は本発明に従って大面積光電材料から切り離した
小面積光電池の、周縁に透明酸化物の無い領域が形成さ
れていることを示す上面説明図、 第５図は大面積半導体材料を本発明に従い複数個の小面
積デバイスに切り離すための型抜きステーションの斜視
説明図である。 10……光起電力デバイス、 11……基板、 12a,12b,12c……電池、 16a,16b,16c……ｎ形半導体層、 18a,18b,18c……真性半導体層、 20a,20b,20c……ｐ形半導体層、 22……TCO層、 24……格子状電極。
ム光電池の部分断面図、 第２図は第１図のタンデム光電池の製造に用いられうる
タイプの多重チャンバデポジション装置の概略図、 第3A図は小面積電池に切り離すべく配置された光起電力
材料の断面説明図、 第3B図は第3A図の光起電力材料の切離後の断面説明図、 第４図は本発明に従って大面積光電材料から切り離した
小面積光電池の、周縁に透明酸化物の無い領域が形成さ
れていることを示す上面説明図、 第５図は大面積半導体材料を本発明に従い複数個の小面
積デバイスに切り離すための型抜きステーションの斜視
説明図である。 10……光起電力デバイス、 11……基板、 12a,12b,12c……電池、 16a,16b,16c……ｎ形半導体層、 18a,18b,18c……真性半導体層、 20a,20b,20c……ｐ形半導体層、 22……TCO層、 24……格子状電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アヴター・シング アメリカ合衆国、ミシガン・48235、ウ エイン・カウンテイ、デトロイト、ノー ス・ノーフアク・13320
Claims (9)
- 【請求項１】電気伝導性の表面を有する基板上に配置さ
れかつ電気伝導性の被膜で被覆されたアモルファス半導
体材料を具備する半導体構造から該構造より面積の小さ
い半導体構造を切り離す工程を含む半導体デバイスの製
造方法であって、前記工程が前記半導体構造における前
記伝導性被膜の側を支持しかつ前記切板の側から剪断力
を加えて前記半導体構造から前記面積の小さい半導体構
造を切り離すことを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項２】前記被膜の側を支持する前に該被膜上に保
護部材を配置することを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項３】前記保護部材が厚紙，紙，ポリマー，およ
びそれらの結合よりなるグループから選ばれることを特
徴とする特許請求の範囲第２項に記載の半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項４】前記保護部材を前記被膜に分離可能に接着
することを特徴とする特許請求の範囲第２項または第３
項に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項５】前記保護部材が弾力性があることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項６】前記半導体構造を切り離すとき、前記保護
部材の一部を切り離すことを特徴とする特許請求の範囲
第５項に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項７】前記半導体構造が押抜きによって切り離さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半
導体デバイスの製造方法。 - 【請求項８】前記半導体構造を弾力性支持部材で支持す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導
体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】前記弾力性支持部材が段ボール紙，ゴム，
プラスチック，および紙よりなるグループから選ばれる
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の半導体
デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US718770 | 1985-04-01 | ||
| US06/718,770 US4704369A (en) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | Method of severing a semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263173A JPS61263173A (ja) | 1986-11-21 |
| JP2502513B2 true JP2502513B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=24887463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7066086A Expired - Fee Related JP2502513B2 (ja) | 1985-04-01 | 1986-03-28 | 半導体構造から面積の小さい半導体構造を切断する半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4704369A (ja) |
| EP (1) | EP0197679B1 (ja) |
| JP (1) | JP2502513B2 (ja) |
| AU (1) | AU577010B2 (ja) |
| BR (1) | BR8601422A (ja) |
| CA (1) | CA1244558A (ja) |
| DE (1) | DE3679697D1 (ja) |
| ES (1) | ES8707631A1 (ja) |
| IN (1) | IN164588B (ja) |
| MX (1) | MX167950B (ja) |
| ZA (1) | ZA862254B (ja) |
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