JP2025517618A - リソグラフィ装置のための可動式ステージ - Google Patents

Abstract

リソグラフィ装置は、照明システム、投影システム、及びステージを含む。照明システムは、パターニングデバイスのパターンを照明する。投影システムは、パターンの像を基板上に投影する。ステージは、パターニングデバイス又は基板を移動させる。ステージは、支持構造、アクチュエータデバイス、第１、第２、及び第３のアクチュエータターゲット、並びに、引張部材を含む。第３のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部に取り付けられる。アクチュエータデバイスは、第１及び第３のターゲットの近位に配設され、支持構造を一方向に沿って移動させるために、第１及び第３のターゲットと磁気的に相互作用する。第１及び第２のアクチュエータターゲットは支持構造の反対側に配設され、引張部材の反対端に取り付けられる。引張部材は、第２のアクチュエータターゲットを介して支持構造の第２の側部に機械的負荷を伝達する。
【選択図】 図７Ａ

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０２２年５月１２日出願の米国出願第６３／３４１，３０４号及び２０２３年３月８日出願の米国出願第６３／４５０，８７７号の優先権を主張し、それら全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、作動ステージ、例えばリソグラフィ装置及びシステムで使用されるレチクルを支持するためのステージに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、ターゲット部分を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンをこのスキャン方向に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へとパターンを転写することも可能である。

[0004] リソグラフィ動作中、異なる処理ステップは異なる層が基板上に逐次形成されることを必要とし得る。したがって、高確度で形成された前のパターンに対して基板を位置決めすることが必要な可能性がある。概して、アライメントマークは、第２のオブジェクトを参照して位置合わせ及び位置決めされるように基板上に配置される。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置を検出するため、及び、マスクからの正確な露光を保証するためにアライメントマークを使用して基板を位置合わせするため、アライメント装置を使用し得る。２つの異なる層におけるアライメントマーク間のミスアライメントは、オーバーレイエラーとして測定される。

[0005] リソグラフィプロセスを監視するために、パターン付き基板のパラメータが測定される。パラメータには、例えば、パターン付き基板内又はパターン付き基板上に形成された連続する層間のオーバーレイエラーや現像された感光性レジストの臨界線幅が含まれてよい。この測定は、製品基板上及び／又は専用のメトロロジターゲット上で実行することができる。走査電子顕微鏡及び様々な専用ツールの使用を含むリソグラフィプロセスで形成される微細構造を測定する様々な技術がある。専用検査ツールの高速で非侵襲的な形態は、放射ビームを基板表面上のターゲットに誘導し、散乱又は反射したビームの特性を測定するスキャトロメータである。基板により反射又は散乱される前後のビームの特性を比較することによって、基板の特性を決定することができる。これは、例えば既知の基板特性に関連した既知の測定値のライブラリに格納されたデータと反射ビームを比較することによって実行することができる。分光スキャトロメータは広帯域放射ビームを基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。これに対して、角度分解スキャトロメータは単色放射ビームを使用し、散乱した放射の強度を角度の関数として測定する。

[0006] このような光学スキャトロメータは、現像された感光性レジストのクリティカルディメンション又はパターン付き基板内又はパターン付き基板上に形成された２つの層間のオーバーレイエラー（ＯＶ）等のパラメータを測定するのに使用することができる。基板の特性は、基板により反射又は散乱される前後の照明ビームの特性を比較することによって決定することができる。

[0007] リソグラフィシステムは、所与の時間フレーム内に有限数の製作デバイスのみを出力可能である。ウェーハステージ及びレチクルステージの高速スキャニングは、製作の速さを向上させることが可能である。しかしながら、高加速度は、機械的応力の下でステージを歪曲させる可能性がある。

[0008] したがって、製作の速さ及びスループットを向上させることが望ましい。ウェーハ及びレチクルステージは、本明細書に記載される態様に従って高加速度に耐えるようにすることができる。

[0009] いくつかの態様において、リソグラフィ装置は、照明システム、投影システム、及びステージを備える。照明システムは、パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される。投影システムは、基板上にパターンの像を投影するように構成される。ステージは、パターニングデバイス又は基板を移動させるように構成される。ステージは、第１及び第２の支持構造、アクチュエータデバイス、アクチュエータターゲット、並びにシャフトを備える。第１の支持構造は、パターニングデバイス又は基板を支持するように構成される。第２の支持構造は、第１の支持構造を支持するように構成される。アクチュエータデバイスは、第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を一方向に沿って移動させるように構成される。アクチュエータターゲットは、アクチュエータデバイスと相互作用するように構成される。シャフトは、アクチュエータターゲットと第１の支持構造におけるロケーションとに固定される。シャフトは、アクチュエータターゲットからそのロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成される。

[0010] いくつかの態様において、可動式ステージは、第１及び第２の支持構造、アクチュエータデバイス、アクチュエータターゲット、並びにシャフトを備える。第１の支持構造は、オブジェクトを支持するように構成される。第２の支持構造は、第１の支持構造を支持するように構成される。アクチュエータデバイスは、第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を一方向に沿って移動させるように構成される。アクチュエータターゲットは、アクチュエータデバイスと相互作用するように構成される。シャフトは、アクチュエータターゲットと第１の支持構造におけるロケーションとに固定される。シャフトは、アクチュエータターゲットからそのロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成される。

[0011] いくつかの態様において、リソグラフィ装置は、照明システム、投影システム、及びステージを備える。照明システムは、パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される。投影システムは、基板上にパターンの像を投影するように構成される。ステージは、パターニングデバイス又は基板を移動させるように構成される。ステージは、支持構造、アクチュエータデバイス、引張部材、並びに、第１、第２、及び第３のアクチュエータターゲットを備える。支持構造は、パターニングデバイス又は基板を支持するように構成される。第１のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部に配設される。第２のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部と反対の第２の側部に配設される。第３のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部に取り付けられる。アクチュエータデバイスは、第１及び第３のターゲットの近位に配設される。アクチュエータデバイスは、支持構造を一方向に沿って移動させるために、第１及び第３のターゲットと磁気的に相互作用するように構成される。第１及び第２のアクチュエータターゲットは、引張部材の反対端に取り付けられる。引張部材は、第１のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、第２のアクチュエータターゲットを介して支持構造の第２の側部に機械的負荷を伝達するように構成される。

[0012] いくつかの態様において、ステージは、支持構造、アクチュエータデバイス、引張部材、並びに、第１、第２、及び第３のアクチュエータターゲットを備える。支持構造は、オブジェクトを支持するように構成される。第１のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部に配設される。第２のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部と反対の第２の側部に配設される。第３のアクチュエータターゲットは、支持構造の第１の側部に取り付けられる。アクチュエータデバイスは、第１及び第３のターゲットの近位に配設される。アクチュエータデバイスは、支持構造を一方向に沿って移動させるために、第１及び第３のターゲットと磁気的に相互作用するように構成される。第１及び第２のアクチュエータターゲットは、引張部材の反対端に取り付けられる。引張部材は、第１のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、第２のアクチュエータターゲットを介して支持構造の第２の側部に機械的負荷を伝達するように構成される。

[0013] 本開示の更なる特徴並びに様々な態様の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本開示は、本明細書に記載される特定の態様に限定されないことに留意されたい。このような態様は、例示のみを目的として本明細書に提示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者は更なる態様を容易に思いつくであろう。

[0014] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本開示を図示し説明とともに更に本開示の原理を説明し、当業者が本明細書に記載の態様を作成して使用できるようにする働きをする。

[0015] いくつかの態様に従った反射型リソグラフィ装置を示す概略図である。 [0016] いくつかの態様に従った透過型リソグラフィ装置を示す概略図である。 [0017] いくつかの態様に従った反射型リソグラフィ装置をより詳細に示す概略図である。 [0018] いくつかの態様に従ったリソグラフィセルを示す概略図である。 [0019] いくつかの態様に従った検査装置を示す概略図である。 [0019] いくつかの態様に従った検査装置を示す概略図である。 [0020] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。 [0020] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。 [0020] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。 [0020] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。 [0021] いくつかの態様に従ったステージの支持構造のセクションを示す図である。 [0022] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。 [0022] いくつかの態様に従った作動ステージを示す図である。

[0023] 本開示の特徴は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した及び／又は構造が類似する要素を示す。更に、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0024] 本明細書は、本開示の特徴を組み込んだ１つ以上の態様を開示する。１つ又は複数の開示された態様は例として提供される。本開示の範囲は、１つ又は複数の開示された態様に限定されない。特許請求された特徴は、本明細書に添付された特許請求の範囲によって定義される。

[0025] 記載された１つ又は複数の態様、及び本明細書で「一態様」、「ある態様」、「例示的態様」等に言及した場合、それは記載された１つ又は複数の態様が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの態様が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ態様に言及するものではない。更に、ある態様に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の態様との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0026] 「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上（ｏｎ）」、「上（ｕｐｐｅｒ）」等のような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は特徴と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の特徴との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈できる。

[0027] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

[0028] 本開示の態様は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実装可能である。本開示の態様は、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実装することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含むことができる。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。更に、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を記載することができる。しかしながらそのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。

[0029] このような態様を詳述する前に、本発明の態様を実装することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

[0030] 例示的リソグラフィシステム
[0031] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ本開示の態様が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外放射又は極端紫外放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されるとともに、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されるとともに、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば１つ以上のダイを含む）Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0032] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせ等の様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0033] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の他の条件に応じた手法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

[0034] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0035] 本明細書において、「検査装置」、「メトロロジシステム」等の用語は、例えば構造の特性（例えば、オーバーレイ誤差、クリティカルディメンションパラメータ）を測定するために使用されるデバイス又はシステム、あるいは、ウェーハのアライメント（例えばアライメント装置）を検査するためにリソグラフィ装置内で使用されるデバイス又はシステムを指すために使用される場合がある。

[0036] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、並びに、多様なハイブリッドマスクタイプ等のマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0037] 「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、基板Ｗ上の液浸液の使用もしくは真空の使用等の他の要素に適切な、屈折型、反射型、屈折反射型、磁気型、電磁型、静電型光学システム、又はそれらのいずれかの組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを含んでいてもよい。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0038] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

[0039] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水等の比較的高い屈折率を有する液体で覆うことができるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間等、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板等の構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0040] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、例えば放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００，１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を介してイルミネータＩＬへ進む。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００，１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0041] イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ「σ－ｏｕｔｅｒ」及び「σ－ｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬはインテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯ等の他の様々なコンポーネント（図１Ｂ）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るために放射ビームＢを調節するのに使用することができる。

[0042] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0043] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を生成する。

[0044] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像を投影する。像は、強度分布からの放射によりマークパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたフォトレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（すなわち、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の、ゼロ次回折ビームに関連する部分は、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は実質的にその平面に配置される。

[0045] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズグループＬによって、ゼロ次回折ビームのみならず１次又は１次以上の回折ビーム（図示せず）も捕捉するように配置される。いくつかの態様では、ラインに対して垂直な方向に延びるラインパターンを結像するためのダイポール照明を使用して、ダイポール照明の解像度向上効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームは、対応するゼロ次回折ビームにウェーハＷのレベルで干渉して、ラインパターンＭＰの像を可能な限り高い解像度及びプロセスウィンドウ（すなわち、使用可能焦点深度及び許容露光ドーズの変化の組み合わせ）で生成する。いくつかの態様では、照明システム瞳ＩＰＵの反対象限に放射極（図示せず）を提供することによって非点収差を低減することができる。更に、いくつかの態様では、反対象限の放射極に関連付けられた投影システムの共役な瞳ＰＰＵにおいてゼロ次ビームを遮断することによって非点収差を低減することができる。このことは２００９年３月３１日発行の米国特許第７，５１１，７９９号により詳細に説明されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0046] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦＤ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）を使用して、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0047] 一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。（図示のような）基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが設けられている状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置してもよい。

[0048] マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスク等のパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

[0049] リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0050] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向にシフトされる。

[0051] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。

[0052] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される。パルス放射源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

[0053] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、あるいは全く異なる使用モードも利用できる。

[0054] 更なる態様では、リソグラフィ装置１００は、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を備える。極端紫外放射源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるように構成される。一般に、ＥＵＶ放射源は放射システム内に構成され、対応する照明システムはＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。

[0055] 図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを備えたリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。放電生成プラズマ源によってＥＵＶ放射放出プラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、極めて高温のプラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも不完全電離プラズマを生じさせることによって生成される。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となることがある。いくつかの態様では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0056] 高温プラズマ２１０が放出した放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含むこともできる。本明細書で更に示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

[0057] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタの場合もある放射コレクタＣＯを含むことができる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、仮想光源点ＩＮＴＦに合焦させることができる。仮想光源点ＩＮＴＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＮＴＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＮＴＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

[0058] この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えるとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備えることができる。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、パターン付きビーム２２６は、反射要素２２８，２２９を介して投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0059] 一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在することができる。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在することができる。更に、図２に示したものよりも多くのミラーが存在することができ、例えば投影システムＰＳには、図２に示したものよりも１つから６つの追加の反射要素が存在することができる。

[0060] 図２に示すようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ系ＣＯは、好適にはＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられる。

[0061] 例示的リソグラフィセル
[0062] 図３は、いくつかの態様に従ったリソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を形成することができる。リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を含むこともできる。従来から、これらにはレジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力ポートＩ／Ｏ１，Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。

[0063] 例示的検査装置
[0064] デバイスフィーチャを基板上に正確に配置するためのリソグラフィプロセスを制御するために、一般にアライメントマークが基板上に提供され、リソグラフィ装置は、基板上のマークの正確な位置決めのための１つ以上の検査装置を含む。これらのアライメント装置は、効果的な位置測定装置である。様々なタイプのマーク及び様々なタイプのアライメント装置及び／又はシステムは、様々な時点及び様々な製造業者から知られている。現行のリソグラフィ装置において幅広く使用されるシステムのタイプは、米国特許第６，９６１，１１６号（ｄｅｎ Ｂｏｅｆ等）に記載されるような自己参照干渉計に基づく。一般に、マークは、Ｘ位置及びＹ位置を取得するために別々に測定される。しかしながら、組み合わされたＸ測定及びＹ測定は、米国特許公開第２００９／１９５７６８号（ＢｉＪｎｅｎ等）に記載される技法を使用して実行可能である。これら開示の両方の全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

[0065] 図４Ａは、いくつかの態様に従ったリソグラフィ装置１００又は１００’の一部として実装可能な検査装置４００の断面ビューを示す概略図である。いくつかの態様において、検査装置４００は、パターニングデバイス（例えばパターニングデバイスＭＡ）に対して基板（例えば基板Ｗ）を位置合わせするように構成可能である。検査装置４００は、基板上のアライメントマークの位置を検出するように、及び、アライメントマークの検出された位置を使用してリソグラフィ装置１００又は１００’のパターニングデバイス又は他の構成要素に対して基板を位置合わせするように更に構成可能である。こうした基板のアライメントは、基板上の１つ以上のパターンの正確な露光を保証することができる。

[0066] いくつかの態様において、検査装置４００は、照明システム４１２、ビームスプリッタ４１４、干渉計４２６、ディテクタ４２８、ビーム分析器４３０、及びオーバーレイ計算プロセッサ４３２を含むことができる。照明システム４１２は、１つ以上の通過帯域を有する電磁狭帯域放射ビーム４１３を提供するように構成可能である。一例において、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長のスペクトル内とすることができる。別の例において、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長のスペクトル内の離散的狭通過帯域とすることができる。照明システム４１２は、長い時間期間にわたって（例えば照明システム４１２の寿命にわたって）、実質的に一定の中心波長（ＣＷＬ）値を有する１つ以上の通過帯域を提供するように更に構成可能である。こうした照明システム４１２の構成は、現行のアライメントシステムにおいて、上記で考察したように、所望のＣＷＬ値からの実際のＣＷＬ値のシフトを防ぐために役立つことができる。また結果として、一定のＣＷＬ値の使用は、現行のアライメント装置と比較して、アライメントシステム（例えば検査装置４００）の長期安定性及び確度を向上させることができる。

[0067] いくつかの態様において、ビームスプリッタ４１４は、放射ビーム４１３を受け取り、放射ビーム４１３を少なくとも２つの放射サブビームに分割するように構成可能である。例えば、放射ビーム４１３は、図４Ａに示されるように放射サブビーム４１５及び４１７に分割可能である。ビームスプリッタ４１４は、放射サブビーム４１５をステージ４２２上に配置された基板４２０上に誘導するように更に構成可能である。一例において、ステージ４２２は方向４２４に沿って移動可能である。放射サブビーム４１５は、基板４２０上に配置されたアライメントマーク又はターゲット４１８を照明するように構成可能である。アライメントマーク又はターゲット４１８は、放射感応性フィルムでコーティング可能である。いくつかの態様において、アライメントマーク又はターゲット４１８は、１８０度（すなわち１８０°）対称性を有することができる。すなわち、アライメントマーク又はターゲット４１８がアライメントマーク又はターゲット４１８の平面に対して垂直な対称性の軸の周りを１８０°回転すると、回転したアライメントマーク又はターゲット４１８は、回転していないアライメントマーク又はターゲット４１８と実質的に同一であり得る。基板４２０上のターゲット４１８は、（ａ）実レジストラインから形成されるバーを含むレジスト層格子、又は（ｂ）プロダクトレイヤ格子、又は（ｃ）プロダクトレイヤ格子上にオーバーレイ又はインターリーブされたレジスト格子を備える、オーバーレイターゲット構造における複合格子スタックとすることができる。バーは、代替として基板内にエッチング可能である。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に、投影システムＰＬにおいて、色収差に対して敏感であり、照明対称性及びこうした収差の存在は、プリント格子における変動においてそれら自体を表すことになる。ライン幅、ピッチ、及びクリティカルディメンションの測定のためのデバイス製造で使用される１つのインライン方法は、「スキャトロメトリ」と呼ばれる技法を利用する。スキャトロメトリの方法は、Ｒａｙｍｏｎｄ等の「Ｍｕｌｔｉｐａｒａｍｅｔｅｒ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ Ｕｓｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ」，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｂ，Ｖｏｌ．１５，ｎｏ．２，ｐｐ。３６１－３６８（１９９７）及び、Ｎｉｕ等の「Ｓｐｅｃｕｌａｒ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ ｉｎ ＤＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」，ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３６７７（１９９９）に記載されており、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。スキャトロメトリにおいて、光はターゲット内の周期構造によって反射され、所与の角度で結果として生じる反射スペクトルが検出される。反射スペクトルを引き起こす構造は、例えば、Ｒｉｇｏｒｏｕｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ－Ｗａｖｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ（ＲＣＷＡ）を使用して、又は、シミュレーションによって導出されるパターンのライブラリと比較することによって、再構築される。したがって、プリント格子のスキャトロメトリデータは、格子を再構築するために使用される。ライン幅及び形状等の格子のパラメータは、プリンティングステップ及び／又は他のスキャトロメトリプロセスの知識から、処理ユニットＰＵによって実行される再構築プロセスに入力可能である。

[0068] いくつかの態様において、ビームスプリッタ４１４は、一態様に従って、回折放射ビーム４１９を受け取り、回折放射ビーム４１９を少なくとも２つの放射サブビームに分割するように更に構成可能である。回折放射ビーム４１９は、図４Ａに示されるように回折放射サブビーム４２９及び４３９に分割可能である。

[0069] たとえビームスプリッタ４１４が、放射サブビーム４１５をアライメントマーク又はターゲット４１８に向けて誘導し、回折放射サブビーム４２９を干渉計４２６に向けて誘導するように示されている場合であっても、本開示はそのように限定されないことに留意されたい。当業者であれば、他の光学配置を使用して、基板４２０上のアライメントマーク又はターゲット４１８を照明し、アライメントマーク又はターゲット４１８の像を検出することと同様の結果を得ることが可能であることが明らかとなろう。

[0070] 干渉計４２６は、図４Ａに示されるように、ビームスプリッタ４１４を介して放射サブビーム４１７及び回折放射サブビーム４２９を受け取るように構成可能である。例示の態様において、回折放射サブビーム４２９は、アライメントマーク又はターゲット４１８から反射可能な放射サブビーム４１５の少なくとも一部とすることができる。本態様の一例において、干渉計４２６は、任意の適切な光学要素のセット、例えば、受け取った回折放射サブビーム４２９に基づいてアライメントマーク又はターゲット４１８の２つの像を形成するように構成可能なプリズムの組み合わせを備える。良好な品質の像が形成される必要はないが、アライメントマーク４１８のフィーチャは解決されるべきであることを理解されたい。干渉計４２６は、２つの像のうちの一方を２つの像のうちの他方に対して１８０°回転させ、回転された像及び回転されない像を干渉法的に再組み合わせするように更に構成可能である。

[0071] いくつかの態様において、ディテクタ４２８は、干渉計信号４２７を介して再組み合わせされた像を受け取り、検査装置４００のアライメント軸４２１がアライメントマーク又はターゲット４１８の対称の中心（図示せず）を通過する際に再組み合わせされた像の結果として干渉を検出するように構成可能である。こうした干渉は、例示の態様に従い、アライメントマーク又はターゲット４１８が１８０°対称であること、及び、再組み合わせされた画像が建設的又は破壊的に干渉することに起因する可能性がある。検出された干渉に基づいて、ディテクタ４２８は、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心の位置を決定し、結果として基板４２０の位置を検出するように更に構成可能である。一例によれば、アライメント軸４２１は、基板４２０に垂直であり像回転干渉計４２６の中心を通過する光学ビームと位置合わせ可能である。ディテクタ４２８は、センサ特徴を実装すること及びウェーハマークプロセス変動と相互作用することによって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置を推定するように更に構成可能である。

[0072] 更なる態様において、ディテクタ４２８は、下記の測定のうちの１つ以上を実行することによって、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心の位置を決定する。
１．様々な波長についての位置変動（色間の位置シフト）を測定すること、
２．様々な次数についての位置変動（回折次数間の位置シフト）を測定すること、及び、
３．様々な極性についての位置変動（極性間の位置シフト）を測定すること。

[0073] 本データは、任意のタイプのアライメントセンサ、例えば、単一のディテクタ及び４つの異なる波長を備える自己参照干渉計を採用し、ソフトウェア内のアライメント信号を抽出する、米国特許第６，９６１，１１６号に記載されるようなＳＭＡＳＨ（ＳＭａｒｔ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｓｅｎｓｏｒ Ｈｙｂｒｉｄ）センサ、又は、７つの回折次数の各々を専用ディテクタに誘導する、米国特許第６，２９７，８７６号に記載されるようなＡｔｈｅｎａ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｕｓｉｎｇ Ｈｉｇｈ ｏｒｄｅｒ ＥＮｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）を用いて取得可能であり、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0074] いくつかの態様において、ビーム分析器４３０は、回折放射サブビーム４３９の光学状態を受け取り、決定するように構成可能である。光学状態は、ビーム波長、極性、又はビームプロファイルの測定とすることができる。ビーム分析器４３０は、ステージ４２２の位置を決定し、ステージ４２２の位置をアライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心の位置と相関させるように更に構成可能である。したがって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置及び結果として基板４２０の位置を、ステージ４２２に対して正確に知ることができる。代替として、ビーム分析器４３０は、検査装置４００又は任意の他の基準要素を参照してアライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心を知ることができるよう、検査装置４００又は任意の他の基準要素の位置を決定するように構成可能である。ビーム分析器４３０は、波長帯域選択性の何らかの形を伴うポイント又は結像偏光計とすることができる。いくつかの態様において、ビーム分析器４３０は、検査装置４００内に直接統合するか、又は、他の態様に従って、偏光保持単一モード、マルチモード、又は結像等のいくつかのタイプの光ファイバを介して接続可能である。

[0075] いくつかの態様において、ビーム分析器４３０は、基板４２０上の２つのパターン間のオーバーレイデータを決定するように更に構成可能である。これらのパターンのうちの１つは基準層上の基準パターンとすることができる。他のパターンは露光層上の露光パターンとすることができる。基準層は、基板４２０上に既に存在するエッチング層とすることができる。基準層は、リソグラフィ装置１００及び／又は１００’によって基板上に露光される基準パターンによって発生可能である。露光層は、基準層に近接して露光されるレジスト層とすることができる。露光層は、リソグラフィ装置１００又は１００’により基板４２０上で露光される露光パターンによって発生可能である。基板４２０上の露光パターンは、ステージ４２２による基板４２０の動きに対応することができる。いくつかの態様において、測定されたオーバーレイデータは、基準パターンと露光パターンとの間のオフセットを示すことも可能である。測定されたオーバーレイデータは、リソグラフィ装置１００又は１００’によって露光される露光パターンを較正するために、較正データとして使用可能であり、較正後、露光層と基準層との間のオフセットを最小限にすることができる。

[0076] いくつかの態様において、ビーム分析器４３０は、基板４２０のプロダクトスタックプロファイルのモデルを決定するように更に構成可能であり、単一測定において、オーバーレイ、クリティカルディメンション、及びターゲット４１８の焦点を測定するように構成可能である。プロダクトスタックプロファイルは、アライメントマーク、ターゲット４１８、又は基板４２０等のスタックされたプロダクトに関する情報を含み、照明変動の関数であるマークプロセス変動誘導型光学署名メトロロジを含むことができる。プロダクトスタックプロファイルは、プロダクト格子プロファイル、マークスタックプロファイル、及びマーク非対称性上方も含むことができる。ビーム分析器４３０の一例は、米国特許第８，７０６，４４２号に記載されるようなオランダ国フェルドホーフェンのＡＳＭＬによって製造されるＹｉｅｌｄｓｔａｒ（商標）であり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。ビーム分析器４３０は、その層内の露光パターンの特定の特性に関する情報を処理するように更に構成可能である。例えば、ビーム分析器４３０は、オーバーレイパラメータ（基板上の前の層に関する層の位置決め確度又は基板上のマークに関する第１の層の位置決め確度のインジケーション）、焦点パラメータ、及び／又は、層内に示された像のクリティカルディメンションパラメータ（例えばライン幅及びその変動）を処理することができる。他のパラメータは、露光パターンの示された像の品質に関する像パラメータである。

[0077] いくつかの態様において、ディテクタのアレイ（図示せず）がビーム分析器４３０に接続可能であり、下記で考察するように、正確なスタックプロファイル検出の可能性を許可する。例えばディテクタ４２８は、ディテクタのアレイであり得る。ディテクタアレイの場合、マルチモードファイバのバンドル、チャネルごとの離散ピンディテクタ、あるいは、ＣＣＤ又はＣＭＯＳ（リニア）アレイという、いくつかのオプションが可能である。マルチモードファイバのバンドルの使用は、安定性のために、任意の消散要素をリモートに配置することができる。離散ＰＩＮディテクタは、大きなダイナミックレンジを提供するが、それぞれに別々のプリアンプが必要である。そのため、要素の数は制限される。ＣＣＤリニアアレイは、位相ステッピング検出が使用される場合、高速で読み出し可能であり、特に注目される多くの要素を提供する。

[0078] いくつかの態様において、第２のビーム分析器４３０’は、図４Ｂに示されるように回折放射サブビーム４２９の光学状態を受け取り決定するように構成可能である。光学状態は、ビーム波長、極性、又はビームプロファイルの測定であり得る。第２のビーム分析器４３０’は、ビーム分析器４３０と同一であり得る。代替として、第２のビーム分析器４３０’は、ステージ４２２の位置を決定すること、及び、ステージ４２２の位置をアライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心の位置と相関させること等の、ビーム分析器４３０の少なくともすべての機能を実行するように構成可能である。したがって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置及び結果として基板４２０の位置を、ステージ４２２を参照しながら正確に知ることができる。第２のビーム分析器４３０’は、検査装置４００又は任意の他の基準要素を参照してアライメントマーク又はターゲット４１８の対称性の中心を知ることができるよう、検査装置４００又は任意の他の基準要素の位置を決定するようにも構成可能である。第２のビーム分析器４３０’は、２つのパターン間のオーバーレイデータ、及び、基板４２０のプロダクトスタックプロファイルのモデルを決定するように更に構成可能である。第２のビーム分析器４３０’は、単一の測定において、ターゲット４１８のオーバーレイ、クリティカルディメンション、及び焦点を測定するようにも構成可能である。

[0079] いくつかの態様において、第２のビーム分析器４３０’は、検査装置４００内に直接統合するか、又は、他の態様に従って、偏光保持単一モード、マルチモード、又は結像等のいくつかのタイプの光ファイバを介して接続可能である。代替として、第２のビーム分析器４３０’及びビーム分析器４３０は、回折放射サブビーム４２９及び４３９の両方の光学状態を受け取り決定するように構成された単一の分析器（図示せず）を形成するために組み合わせ可能である。

[0080] いくつかの態様において、プロセッサ４３２は、ディテクタ４２８及びビーム分析器４３０から情報を受信する。例えば、プロセッサ４３２はオーバーレイ計算プロセッサとすることができる。情報は、ビーム分析器４３０によって構築されるプロダクトスタックプロファイルのモデルを含むことができる。代替として、プロセッサ４３２は、プロダクトマークに関する受信した情報を使用してプロダクトマークプロファイルのモデルを構築することができる。いずれの場合にも、プロセッサ４３２は、プロダクトマークプロファイルのモデルを使用するか又は組み込む、スタックされたプロダクト及びオーバーレイマークプロファイルのモデルを構築する。次いで、スタックモデルを使用して、オーバーレイオフセットが決定され、オーバーレイオフセット測定に対するスペクトル効果を最小限にする。プロセッサ４３２は、照明ビームの光学状態、アライメント信号、関連付けられた位置推定値、並びに瞳、像、及び追加の平面内の光学状態を含むが限定されない、ディテクタ４２８及びビーム分析器４３０から受信した情報に基づいて、基本補正アルゴリズムを作成することができる。瞳面は、放射の放射位置が入射の角度を画定し、角度位置が放射のアジマス角を画定する平面である。プロセッサ４３２は、ウェーハマーク及び／又はアライメントマーク４１８に関して検査装置４００を特徴付けるために、基本の補正アルゴリズムを利用することができる。

[0081] いくつかの態様において、プロセッサ４３２は、ディテクタ４２８及びビーム分析器４３０から受信した情報に基づいて、各マークについてのセンサ推定に対するプリントパターン位置オフセット誤差を決定するように更に構成可能である。情報は、プロダクトスタックプロファイル、オーバーレイの測定、クリティカルディメンション、及び基板４２０上の各アライメントマーク又はターゲット４１８の焦点を含むが限定されない。プロセッサ４３２は、クラスタ化アルゴリズムを利用して、マークを同様の一定のオフセット誤差のセットにグループ化し、情報に基づいてアライメント誤差オフセット補正表を作成することができる。クラスタ化アルゴリズムは、オフセット誤差の各セットに関連付けられた、オーバーレイ測定、位置推定、及び追加の光学スタックプロセス情報に基づくことが可能である。オーバーレイは、例えば、プログラムされたオーバーレイオフセット周りに正及び負のバイアスを有するオーバーレイターゲット等の、異なるマークの数について計算される。最小のオーバーレイを測定するターゲットが基準として（最良の確度で測定されるものとして）採用される。この測定された最小のオーバーレイ、及び、それに対応するターゲットの既知のプログラムされたオーバーレイから、オーバーレイ誤差を推測することができる。表１は、これがどのように実行できるかを示す。示された例の最小の測定されたオーバーレイは－１ｎｍである。しかしながら、これは－３０ｎｍのプログラムされたオーバーレイを伴うターゲットに関する。プロセスは２９ｎｍのオーバーレイ誤差をもたらし得る。

[0082] 最小値は基準点として採用可能であり、これに関して、測定されたオーバーレイとプログラムされたオーバーレイに起因して予測されたオーバーレイとの間のオフセットが計算可能である。このオフセットは、各マーク又は同様のオフセットを伴うマークのセットについてのオーバーレイ誤差を決定する。したがって、表１の例において、３０ｎｍのプログラムされたオーバーレイを伴うターゲット位置での、最小の測定されたオーバーレイは－１ｎｍであった。他のターゲットでの予測されたオーバーレイと測定されたオーバーレイとの差は、この基準と比較される。表１のような表は、異なる照明設定の下でマーク及びターゲット４１８から取得することも可能であり、結果として最小オーバーレイ誤差を生じさせる照明設定、及び、それに対応する較正係数を決定及び選択可能である。これに続いて、プロセッサ４３２は、マークを同様のオーバーレイのセットにグループ化することができる。マークをグループ化するための基準は、様々なプロセス制御、例えば様々なプロセスについての様々な誤差許容値に基づいて、調整可能である。

[0083] いくつかの態様において、プロセッサ４３２は、グループのすべて又はほとんどのメンバーが、同様のオフセット誤差を有していることを認識し、追加の光学スタックメトロロジに基づいて、クラスタ化アルゴリズムから各マークに個々のオフセット補正を適用することが可能である。プロセッサ４３２は、各マークについての補正を決定し、オーバーレイにおける誤差を補正するために、例えば、補正を検査装置４００内へとフィードすることによって、補正をリソグラフィ装置１００又は１００’へとフィードバックすることができる。

[0084] 例示的作動ステージ
[0085] いくつかの態様において、「スループット」という用語は、ウェーハが特定の製作ステップをクリアし、次のステップへと移動する速度を記述するために使用可能である。スループットは、リソグラフィシステムの市場性の性能マーカとすることができる。リソグラフィシステムでは、可能な限り短時間で可能な限り多くの製品を出力することが望ましい。リソグラフィ製作は、いくつかの複雑な製作プロセスを含むことができる。各製作プロセスは、望ましい製作品質と欠点とのバランス（例えば、サブナノメータ精度、ウェーハ当たりの高収率、高スループット等に対する、低速製作、印刷エラー、コスト等）を保つ技術的特徴を有する。

[0086] リソグラフィ装置（又は検査装置）において、ウェーハ又はレチクルは、所与の速さで所与の方向にスキャン可能である。ウェーハ及びレチクルは、高速移動ステージ上にあるチャック上で支持可能である。しかしながら、高加速度からの力が、チャックを歪曲（例えば伸長）させる可能性があり、これがウェーハ又はレチクルの位置決めエラーを発生させる可能性がある。位置決めエラーは、ウェーハから製造されるデバイスの印刷エラーを生じさせる可能性がある。

[0087] 本明細書で開示される態様は、空間要件、複雑さ、及びコストに関してごくわずかな譲歩を伴って可動ステージの構造上の問題に対処するための、デバイス及び機能を含む。

[0088] 図５は、いくつかの態様に従ったオブジェクト５０２を支持するためのステージ５００を示す。いくつかの態様において、ステージ５００は、支持構造５０４（例えば第１の支持構造）、支持構造５０６（例えば第２の支持構造）、アクチュエータデバイス５１０、及びアクチュエータターゲット５０８を備えることができる。アクチュエータデバイス５１０は、コイル巻線５１２を備えることができる。アクチュエータターゲット５０８は、固定構造５１４（例えばエポキシ）を使用して支持構造５０４上に配設及び固定可能である。アクチュエータ関係要素の数及び構成は、図５に示されるものに限定されない。より少ないか又はより多いアクチュエータ関係要素、及び他の構成が使用可能である。ステージ５００は、１つ以上の位置インジケータ５１６（例えばエンコーダスケール）も備えることができる。

[0089] いくつかの態様において、数え上げ形容詞（例えば、「第１」、「第２」、「第３」、等）は命名規則として使用可能であり、（特に記載のない限り）順序又は階層を示すことは意図されていないことを理解されたい。例えば、「第１の支持構造」及び「第２の支持構造」という用語は、２つの支持構造を区別することは可能であるが、支持構造が特定の順序又は階層を有するかどうかを指定する必要はない。更に、図面内の要素は、いずれの特定の数え上げ形容詞にも限定されない。例えば、１つのアクチュエータデバイス５１０は、他方のアクチュエータデバイスが数え上げ形容詞を適切に区別することを使用する場合、第２のアクチュエータデバイスと呼ぶことができる。別の非限定的な例では、上部右のアクチュエータデバイス５１０を第１のアクチュエータデバイスとして命名することを選択し、その後、残りのアクチュエータデバイスを、時計回り、反時計回り、十字パターン等の順に第２、第３、及び第４として識別することができる。

[0090] いくつかの態様において、ステージ５００は、リソグラフィ装置１００又は１００’（図１Ａ、図１Ｂ、及び図２）、リソグラフィセル３００（図３）、検査装置４００（図４Ａ及び図４Ｂ）、又は、一般にオブジェクトを支持及び移動するためのステージ実装を有する任意の装置において、使用可能である。例えば、ステージ５００は、ウェーハテーブルＷＴ又はマスクテーブルＭＴ（図１Ａ、図１Ｂ、及び図２）、あるいはステージ４２２（図４Ａ及び図４Ｂ）の、特定の実装を示すことができる。

[0091] いくつかの態様において、支持構造５０６は、（例えばオブジェクト５０２の粗動のための）作動構造とすることができる。リソグラフィ製造プロセスにおいて、オブジェクト５０２は、例えば直径３００ｍｍ（これは、当業者であれば理解されるように、ウェーハが異なるサイズで市販されている非限定的例である）の半導体ウェーハとすることができる。更に、ステージ５００は、オブジェクト５０２をローディングエリアとの間で往復させるための追加の移動バジェットも含むことができる。したがって、支持構造５０６は、ステージ５００の、例えば数十、数百、又は数千ミリメートルほどの粗動を担うことができる。特定の実装に対する適合性に基づいて、他の距離も選択可能である。しかしながら、粗動が必要でない実装では、支持構造５０６は静的フレームとすることができる。

[0092] いくつかの態様において、支持構造５０４は、２つの支持構造間の相対的な移動も可能にしながら、支持構造５０６によって支持可能である。支持構造５０４の運動は、ガイドレール又は非接触法（例えば磁気浮揚）を使用する軸（例えばＹ軸）に限定することができる（ガイドデバイスは図示せず）。アクチュエータデバイス５１０は、支持構造５０４の位置の微調整を担うことができる。したがって、いくつかの態様は、アクチュエータデバイス５１０とそれらの対応するアクチュエータターゲット５０８との間の小さなギャップを使用する。例えばギャップは、数ミリメートル以下（例えばおよそ１ｍｍ未満）とすることができる。スキャニングリソグラフィプロセスにおいて、プリントデバイスは、サブミクロン又はサブナノメートル範囲内の限界寸法を有することができる。１ミリメートルの移動バジェットが、サブナノメートルデバイスのスキャンプリンティングには十分な大きさとすることができる。

[0093] いくつかの態様において、アクチュエータデバイス５１０を支持構造５０６上に配設及び固定することができる。アクチュエータデバイス５１０は、アクチュエータターゲット５０８と相互作用することによって、支持構造５０４を作動させることができる。アクチュエータターゲット５０８は、磁界に反応する材料（例えば、金属、鉄、フェライト等）を備えることができる。アクチュエータデバイス５１０は、電磁石とすることができる。電磁石は、磁界を生成及び調整することができる。電磁石は、金属コア（例えばフェライトコア）の周囲に巻きつけられたワイヤのコイル５１２を備えることができる。アクチュエータデバイス５１０は、アクチュエータターゲット５０８が永久磁石でない場合に引き付けるのみとして動作可能である。逆に、アクチュエータデバイス５１０は、磁界の方向を反転させることによって、アクチュエータターゲット５０８の永久磁石バージョンに反発すること及び引き付けることが可能である。本明細書で説明するアクチュエータセットアップは、他の技術的用語で呼ぶことができる。（例えばリラクタンスアクチュエータ。したがってアクチュエータターゲット５０８はリラクタンスターゲットと呼ぶことができる。）

[0094] いくつかの態様において、アクチュエータデバイス５１０は、高加速度を使用して支持構造５０４を作動させることができる。加速度は、例えば、およそ４～１００ｇ、１０～５０ｇ、２０～４０ｇ等（ここで、ｇは９．８ｍ／ｓ^２である）とすることができる。高加速度は、リソグラフィ印刷生産を向上させる（例えば、スループットを向上させる）ことができる。リソグラフィパターン転写は、支持構造５０４が運動中であるとき、例えば一定の惰行速さに達したときに実行可能である。惰行速さは、例えば、０．５～１０．０ｍ／ｓ、１．０～７．０ｍ／ｓ、３．０～５．０ｍ／ｓ等とすることができる。一定のスキャニング速さでパターン転写を実行することで、結果として、印刷パターンのより正確な転写が生じる可能性がある一方で、加速中の印刷は、より大きな位置の不確実性を伴う可能性がある。

[0095] いくつかの態様において、磁界の性質は反発相互作用が不安定であり、望ましくない横力（反発の方向に対して直交）及び望ましくない直交トルクを生成する可能性がある。直交力／トルクは、磁石セットの合計ポテンシャルエネルギーを最小にするために、反発から誘引へと相互作用を変化させるように磁石を移動させる傾向がある。外部側方誘導又は抑圧力無しでは、配置は不安定であり、ギャップを閉じながら（もはや浮遊しておらず）最も近い安定した均衡位置へとジャンプする。したがって、永久磁石を使用する反発システムは、エンジニアには困難である可能性があり、配置を崩壊させないようにアクティブ制御の追加又は外部機械的ガイドを促すことができる。リソグラフィシステムの複雑さが追加されると、エンジニアリングの困難さを著しく増加させる可能性がある。したがって、いくつかの態様において、アクチュエータデバイス５１０は、誘引のみ（又はプルのみ）を使用して動作するように設計可能である。支持構造５０４の反対側にアクチュエータデバイス５１０があると、プルのみの構成を使用しながら、支持構造５０４に対して前方及び後方の両方の運動を伝えることが可能である。しかしながら、プルのみの方法は、下記でより詳細に考察するように特定の欠点を有する可能性がある。

[0096] いくつかの態様において、オブジェクト５０２を支持構造５０４上に押し付けることによって、オブジェクト５０２を一時的に支持構造５０４上に固定することができる。これは、真空クランプ（吸引力）、静電クランプ（静電力）、機械的クランプ等によって、達成可能である。理想的な条件の下では、オブジェクト５０２（例えばレチクル）と支持構造５０４（例えばチャック）との間の相互摩擦が、それらの間に滑りがないことを保証可能である。しかしながら、高加速度に起因する機械的応力は、何らかの滑りを誘導し、結果として印刷エラーを生じさせる可能性がある。エラーは、エラーが検出可能な時間による何千というデバイス製品の損失の可能性に起因して、かなり有害である可能性がある。

[0097] 下記は、ステージ５００を使用する際のオブジェクト５０２の位置決めエラーの一例である。いくつかの態様において、オブジェクト５０２は支持構造５０４上に固定可能である。オブジェクト５０２上のフィーチャの位置を決定するために、例えば、光学検査システムを使用して、較正測定を実行することができる。較正測定は、１つ以上の位置インジケータ５１６に対するオブジェクト５０２上のフィーチャの位置を決定することができる。位置インジケータ５１６は、支持構造５０４に堅固に固定可能である。オブジェクト５０２と１つ以上の位置インジケータ５１６との間の関係が確立されると、オブジェクト５０２は、高精度プロセス（例えばリソグラフィプロセス）に使用可能であり、オブジェクト５０２が支持構造５０４に対して依然として定常である限り、較正を実施する必要はない。逆に、オブジェクト５０２と支持構造５０４との間の任意の相対的運動は、位置決めエラー、すなわち、エラー事象の発生後、続いて、あらゆるプロセスに伝達されるエラーと見なされる可能性がある。

[0098] 下記は、位置決めエラーを誘導する可能性のある条件及び機構の一例である。いくつかの態様において、アクチュエータデバイス５１０によってアクチュエータターゲット５０８に電磁力を印加することができる。例えば、支持構造５０４の左側のアクチュエータデバイス５１０を活動化し、その後、対応するアクチュエータ５０８、固定構造５１４、及び最終的に支持構造５０４をプルすることができる。その結果、支持構造５０４の右側のアクチュエータデバイス５１０は、反対方向に（減速のために）プルするため、及び支持構造５０４を静止させることを可能にするために、使用可能となる。加速／減速の間、オブジェクト５０２及び支持構造５０４の組み合わせられた質量は慣性であり、プル（右を指す矢印「ｍａ」（質量×加速）として描かれる）の間、アクチュエータターゲット５０８によって及ぼされる力に等しい、反対の力を及ぼす。逆に、２つのアクチュエータターゲット５０８がプルを実行している場合、プルの力は、２つのアクチュエータターゲット５０８に分割する（２本の矢印「Ｆ＝ｍａ／２」として描かれる）ことができる。

[0099] プルのみ方式の欠点は、いくつかの態様において、支持構造５０４が、高加速度（例えば４～１００ｇ）に起因する高張力勾配の下にあり得ることである。張力は、支持構造５０４を変形（例えば伸長）させる可能性がある。たとえ支持構造５０４が堅固な構造で作られている（例えば、ガラス及びリブ強化材で作られている）場合であっても、たとえ数ピコメートルの変形でも、１つ以上の位置インジケータ５１６に対してオブジェクト５０２を数ピコメートルシフトさせる可能性があり、それによって位置決めエラーをもたらす。プル－プッシュ方式（いくつかのアクチュエータデバイス５１０がプルし、いくつかが後ろからプッシュする）は、引張及び変形の問題の多くに対抗するが、磁気の反発に関する前述の問題をもたらすことにもなる。

[0100] プルのみ方式の別の欠点は、いくつかの態様において、固定構造５１４も、高加速度に起因する著しい張力の下にあり得ることである。固定構造５１４がエポキシで作られる非限定的例において、張力のみの下にあるエポキシは、クリープする（例えば、経時的にゆっくりと広がる）可能性があり、エポキシ応力の平均がゼロであるプル－プッシュ方式と比較すると、機械的障害の可能性を増加させる（例えば、一方向のプルの場合は張力下であるが、反対方向のプッシュの場合は圧縮下でもある）。

[0101] 本明細書で説明するいくつかの態様は、プルのみ方式の問題に対処するための構造及び機能を提供する。

[0102] 図６は、いくつかの態様に従ったオブジェクト６０２を支持するためのステージ６００を示す。いくつかの態様において、ステージ６００は、図５を参照しながら既に説明したいくつかのフィーチャを有することができる。図６と比較すると、いくつかの要素は（明瞭にするために）非表示であり得るが追加の要素が示され得る。別段に記載されていない限り、図５の要素について事前に説明した構造及び機能は、図６の同様に番号付けされた（例えば、参照番号は右端の２つの数字を共有している）要素にも適用可能である。図６の要素の少なくともいくつかの構造及び機能は、図５の対応する要素の説明から明らかとなるものであり、再度紹介はしない。

[0103] いくつかの態様において、ステージ５００（図５）のフィーチャに加え、ステージ６００は、追加の内部アクチュエータデバイス６１０ｉ及び伸張構造６１８（例えばカンチレバー）も備えることができる。アクチュエータデバイス６１０と同様に、内部アクチュエータデバイス６１０ｉは支持構造６０６上に配設及び固定することができる。伸張構造６１８を使用して、アクチュエータターゲット６０８を支持構造６０４の側部から離れて固定構造６１４（例えばエポキシ）を活用して構造的に固定することができる。伸張構造６１８によって空間が作成されると、アクチュエータデバイス６１０ｉのうちの所与の１つを、（図６に示すように）その対応するアクチュエータターゲット６０８、その対応する伸張構造６１８、及び支持構造６０４の側部によって画定される内部空間内に配設することができる。

[0104] いくつかの態様において、ステージ６００の構成を使用して、ステージ５００について前述の問題のうちの少なくともいくつかを克服することができる（図６）。例えば、左側の２つのアクチュエータデバイス６１０は支持構造６０４をプルするためのものであるが、支持構造６０４の右側の別の２つの内部アクチュエータデバイス６１０ｉは、支持構造６０４を「プッシュ」するために使用可能である。４つの活動化されたアクチュエータデバイスは、「Ｆ＝ｍａ／４」とラベル表示された４本の矢印で示され、合計の力はそれらの対応する４つのアクチュエータターゲット６０８の間で分割される（より少ないか又はより多いアクチュエータデバイスが実装可能である）。しかしながら、右の２つのアクチュエータデバイス６１０ｉは、支持構造６０４を左側に移動させるために誘引（プル）を使用し、したがって、図６の方式はプル－プル方式と呼ぶことができる。結果として、前述の反発の問題を回避することが可能であり、同時に支持構造６０４の変形も減少させ、固定構造６１４にかかる応力の平衡も保つ（すなわち、張力の平衡化からの応力及び前後への移動からの圧縮の平均をゼロ化する）。運動の方向を減速及び／又は反転させるために、対応するアクチュエータデバイス６１０及び内部アクチュエータデバイス６１０ｉをプル－プル構成で使用可能である。

[0105] いくつかの態様において、内部アクチュエータデバイス６１０ｉ及び伸張構造６１８を追加することは、いくつかの望ましくない結果を有する可能性がある。１つの欠点は、構築のコストが増加する（追加部品及び製造の複雑さ）ことである。別の欠点は、構成要素を移動させる際、それらの慣性に加えて全重量が増加することである。図６において、粗動構造（支持構造６０６及びそれを支持するすべて）の質量は、４つの追加の重い電磁石（内部アクチュエータデバイス６１０ｉ）に起因して増加する。微動構造（支持構造６０６及びそれを支持するすべて）の質量は、伸張構造６１８の追加に起因して増加する。更に、伸張構造６１８は振動に敏感な可能性があり、結果として支持構造６０４の運動においてダイナミクスが乏しいことになる。振動に起因する追加の不確実性は、オブジェクト６０２がリソグラフィプロセスのためのレチクルとして使用されるとき、パターン転写精度に影響を及ぼす。

[0106] 本明細書に記載されるいくつかの態様は、プルのみ方式及びプル－プル方式の両方の問題に対処するための構造及び機能を提供する。

[0107] 図７Ａ及び図７Ｂは、いくつかの態様に従ったオブジェクト７０２を支持するためのステージ７００を示す。いくつかの態様において、ステージ７００は、図５及び図６を参照しながら既に説明したいくつかのフィーチャを有することができる。図５及び図６と比較すると、いくつかの要素は（明瞭にするために）非表示であり得るが追加の要素が示され得る。別段に記載されていない限り、図５及び図６の要素について事前に説明した構造及び機能は、図７Ａ及び図７Ｂの同様に番号付けされた（例えば、参照番号は右端の２つの数字を共有している）要素にも適用可能である。図７Ａ及び図７Ｂの要素の少なくともいくつかの構造及び機能は、図５及び図６の対応する要素の説明から明らかとなるものであり、再度紹介はしない。

[0108] 図７Ａを参照すると、いくつかの態様において、ステージ５００又は６００（図５及び図６）のフィーチャに加えて（又は特定のフィーチャの代わりに）、ステージ７００は、シャフト７１８を備えることができる。シャフト７１８は、留め具７２０（例えば、ピン、ボルト等）を使用して支持構造７０４に固定可能である。１つ以上の負荷スプレッダ７２２を使用して、留め具７２０の一部を取り囲むことができる。アクチュエータターゲット７０８の１つ以上をシャフト７１８（例えば、シャフトの各端部に１つのアクチュエータターゲット７０８）に固定することができる（固定は、溶接、接着剤、エポキシ等を介して達成可能である）。アクチュエータターゲット７０８は、１つ以上のスタビライザ７２４に結合可能である。シャフト実装は、図７Ａに示されるように、複数のシャフト及び対応する取り付け要素を有するために、反復可能である。

[0109] いくつかの態様において、シャフト７１８は、支持構造７０４のロケーション７２６において支持構造７０４に固定することができる。ロケーション７２６は、支持構造７０４の中心線７２８（例えば、支持構造を２等分する中心線）にほぼ沿うことができる。対応するアクチュエータデバイス７１０がアクチュエータターゲット７０８をプルするために活動化されるとき、シャフト７１８は、アクチュエータターゲット７０８から支持構造７０４のロケーション７２６へと機械的負荷を伝達することができる。このように機械的負荷を分散させることによって、ステージ５００（図５）の高張力勾配が減少する可能性がある。代わりに、歪み効果を、ロケーション７２６の左側への圧縮領域（プルの力が左に向かうことを想定）及びロケーション７２６の右側への引張領域に分割することができる。支持構造７０４の圧縮及び引張応力の再構成に起因して、オブジェクト７０２が滑りを経験するリスクを著しく減少させることができる。更に、同じシャフト７１８の反対端に固定された２つのアクチュエータターゲット７０８を有することで、機械的負荷をより均一に分散させることができる。例えば、１つのアクチュエータターゲットが左側にプルされる際、シャフトによって伝達される機械的負荷の一部は後続のアクチュエータターゲットに伝達される。後続アクチュエータによって及ぼされる力は支持構造７０４をプッシュ可能であり、それによって、チャックを伸長させる慣性傾向に対抗し、多くのスキャニングサイクルのエポキシ内の平均応力をゼロ化する。

[0110] 図７Ｂは、いくつかの態様に従った支持構造７０４のロケーション７２６の断面を示す。いくつかの態様において、シャフト７１８は支持構造７０４の内部を通過することができる。しかしながら、シャフト７１８を支持構造７０４の外側（例えば、図７Ａのページの配向を参照すると、支持構造７０４の上端、支持構造７０４の下端、支持構造７０４の表面上の凹部等）に取り付ける等の、他の実装が予想される。支持構造７０４は、ロケーション７２６においてホールを備えることができる。シャフト７１８は、支持構造７０４のホールと整合するホールも備えることができる。留め具７２０は、シャフトをロケーション７２６に固定するために、支持構造７０４及びシャフト７１８の両方のホール内に配設可能である。

[0111] いくつかの態様において、支持構造７０４は、ロケーション７２６におけるホールと整合する１つ以上のカウンターボアを備えることができる。負荷スプレッダ７２２は、加速中に機械的負荷を分散させるために各カウンターボア及び周囲の留め具７２０内に配設可能である。負荷スプレッダ７２２は、例えばダイアフラムフレクシャを備えることができる。１つ以上の負荷スプレッダ７２２は、接着構造７３０（エポキシ）を使用して皿穴に固定することができる。支持構造７０４の運動（例えば、前後左右にスキャンされる）を考慮すると、エポキシにかかる応力は圧縮及び張力の均衡を有し、これがステージ５００（図５）内で使用されるエポキシ上の張力不均衡の問題に対処する。いくつかの態様において、設計は、留め具７２０と支持構造７０４との間に直接の接触が発生しないように、クリアランスホールが留め具７２０（図示せず）を取り囲むようなものであり得る。

[0112] 図７Ａに戻って参照すると、いくつかの態様において、ステージ７００のフィーチャは、上記の欠点を緩和しながら、ステージ５００及び６００の特定の望ましいフィーチャを達成することができる。例えば、ステージ７００のセットアップは、ステージ６００（図６）と比較したとき、部品及びフットプリントを削減することができる。したがって、追加の内部アクチュエータデバイス６１０ｉ及び伸張構造６１８（図６）を使用する必要がなくなり、コスト、重量、及び空間が削減される。ステージ５００は、ステージ６００（図６）より少ないアクチュエータデバイス５１０（図５）を使用し、高い張力及び変形の問題を有したが、ステージ７００は、アクチュエータデバイスの数を増加させる必要がなく、張力変形を緩和することができる。

[0113] いくつかの態様において、ステージ７００は、ステージ７００のダイナミクスを更に強化するための低容量ソリューションを実装することができる。例えば、スタビライザ７２４を使用して、振動の影響を低減させることができる。スタビライザ７２４は、アクチュエータターゲット７０８に結合可能である。スタビライザ７２４は、フレクシャを備えることができる。

[0114] 図８は、いくつかの態様に従った支持構造８０４のセクションを示す。いくつかの態様において、支持構造８０４は、支持構造７０４（図７）と比較した際に、代替シャフト実装を有することができる。支持構造７０４の特定のフィーチャは、図を明瞭にするために示されていないことを理解されたい。しかしながら、支持構造８０４の更なるフィーチャは図５から図７の説明から明らかになるはずであり、再度紹介はしない。

[0115] いくつかの態様において、シャフト８１８は、アクチュエータターゲット（例えば７０８（図７））から支持構造８０４の複数のロケーションへと負荷を転移させるために使用可能である。支持構造８０４は、支持構造８０４の対応する第１、第２、及び／又は第３のロケーションにおいて、第１、第２、及び／又は第３のホールを備えることができる。シャフト８１８は、支持構造８０４の対応するホールと整合する、第１、第２、及び／又は第３のホールも備えることができる。留め具８２０は、支持構造８０４の第１、第２、及び／又は第３のロケーションにおいてシャフトを固定するために、支持構造８０４及びシャフト８１８の両方のホール内に配設することができる。すべての負荷を単一の留め具７２０（図７）上に置くことに対して、負荷を複数の留め具にわたって分散させることにより、留め具８２０の直径を留め具７２０（図７）よりも小さくすることが可能である。

[0116] 引張部材を伴う例示的作動ステージ
[0117] 図９は、いくつかの態様に従ったオブジェクト（例えば、ウェーハ、レチクル等）を支持するためのステージ９００の一部を示す。いくつかの態様において、ステージ９００は、図５から図８を参照しながら既に説明したいくつかのフィーチャを有することができる。図５から図８と比較すると、いくつかの要素は（明瞭にするために）非表示であり得るが追加の要素が示され得る。別段に記載されていない限り、図５から図８の要素について事前に説明した構造及び機能は、図９の同様に番号付けされた（例えば、参照番号は右端の２つの数字を共有している）要素にも適用可能である。図９の要素の少なくともいくつかの構造及び機能は、図５から図８の対応する要素の説明から明らかとなろう。

[0118] いくつかの態様において、ステージ９００は、支持構造９０４、アクチュエータターゲット９０８（例えば３つ以上）、１つ以上のアクチュエータデバイス９１０、及び、引張部材９１８’を備えることができる。支持構造は、別の支持構造（例えば、図７Ａ及び図７Ｂの支持構造７０６）上に乗っているチャックとすることができる。非限定的な例によれば、アクチュエータデバイス９１０－ａ及び９１０－ｂは、電磁石のＥ型コアとして示される。他のタイプの電磁石コアも予想される。例えば、図１０のＣ型コアを参照するいくつかの態様が本明細書に開示される。図９には、ワイヤコイルは明示的に示されていないが、それらの存在及び機能は、当業者であれば以前の図面の説明（例えばコイル巻線５１２（図５））並びに磁界９３０に基づいて明らかとなろう。引張部材９１８’は、緩い又は柔軟な材料（例えばコード）、堅固なロッド等（例えばシャフト７１８（図７Ａ及び図７Ｂ））とすることができる。

[0119] いくつかの態様において、支持構造９０４は、空洞部分９３２（例えば、溝又はチャネル）を備えることができる。引張部材９１８’は、空洞部分９３２内に配設される。空洞部分９３２の寸法（例えば、断面、直径等）は、引張部材９１８’が空洞部分９３２内部に移動できるように、引張部材９１８’の寸法より大きいことが可能である。空洞部分９３２は、いくつかの異なる様式で（例えば、空洞チャネル、支持構造９０４外部の溝、１つ以上のリング等として）、実装可能である。アクチュエータターゲット９０８－ａ、９０８－ｂ、９０８－ｃ、９０８－ｄ、９０８－ｅ、９０８－ｆが、明示的に示されている（例えば、第１のアクチュエータターゲット、第２のアクチュエータターゲット、別のアクチュエータターゲット等）。しかし、より多いか又はより少ないアクチュエータターゲットが実装可能であることを理解されたい。

[0120] いくつかの態様において、アクチュエータデバイス９１０－ａ及びアクチュエータターゲット９０８－ａ、９０８－ｃ、及び９０８－ｅを、支持構造９０４の側部９３４（例えば第１の側部）に配設することができる。アクチュエータデバイス９１０－ａは、（例えば、電磁石がオンになったとき、電磁石はアクチュエータターゲットを誘引できるように）、アクチュエータターゲット９０８－ａ、９０８－ｃ、及び９０８－ｅの近位に配設することができる。アクチュエータデバイス９１０－ｂ及びアクチュエータターゲット９０８－ｂ、９０８－ｄ、及び９０８－ｆは、支持構造９０４の側部９３４とは反対の側部９３６（例えば第２の側部）に配設することができる。アクチュエータデバイス９１０－ｂは、アクチュエータターゲット９０８－ｂ、９０８－ｄ、及び９０８－ｆの近位に配設することができる。

[0121] いくつかの態様において、Ｅ型コアの場合、Ｅ型コアの第１、第２、及び第３の構造上の突出部は、それぞれのアクチュエータターゲットに対向して配設することができる。Ｃ型コアは、同様に配置可能である（３つの突出部の代わりに、２つの突出部が２つのアクチュエータターゲットと対向している）。Ｅ型コアは、磁気透過性材料の単一ブロック又は２つ以上の部分のアセンブリ（例えば、互いに取り付けられた２つのＣ型コア９３８）から構築可能である。

[0122] いくつかの態様において、アクチュエータターゲット９０８－ｃ及び９０８－ｅは、支持構造９０４の側部９３４に取り付けることができる。取り付けは、例えば、接着構造９１４（例えば、エポキシ等の接着剤）を使用して達成可能である。アクチュエータターゲット９０８－ａ及び９０８－ｂは、引張部材９１８’の反対端に取り付け可能である。例えば、支持構造９０４の側部９３４で磁界９３０を生成するために、アクチュエータデバイス９１０－ａがオンになったとき、磁気相互作用は、所与の方向に沿って支持構造９０４を移動させるために、アクチュエータターゲット９０８－ａ、９０８－ｃ、及び９０８－ｅを誘引することができる。更に、引張部材９１８’は、アクチュエータターゲット９０８－ｂを介して、機械的負荷を支持構造９０４の側部９３６に伝達することができる（例えば、機械的負荷転移は、第１のアクチュエータターゲット上に与えられる磁力に基づく）。

[0123] いくつかの態様において、ターゲット９０８－ａ及び９０８－ｂの寸法（例えば、断面、直径）は、ターゲット９０８－ａ及び９０８－ｂが空洞部分９３２に入ることができないように、空洞部分９３２の寸法より大きいことが可能である。このシナリオでは、磁界９３０を使用してターゲット９０８－ａをプルすることによって、ターゲット９０８－ｂは側部９３６上に「フック」することが可能であり、それによって、ターゲット９０８－ｃ及び９０８－ｅを介して側部９３４で発生するプル運動を補完するために、支持構造９０４のプッシュ運動が可能になる。このようにして、支持構造９０４の加速度及び速さを増加させることが可能であり、更に、以前の図を参照しながら上記で説明したように、支持構造の一方の側部から単にプルすることの望ましくない影響を削減する（例えば変形）。

[0124] いくつかの態様において、アクチュエータターゲット９０８－ｂは、側部９３６へ伝達される機械的負荷を広げるために、負荷スプレッダ９４０を備えることができる。アクチュエータターゲット９０８－ａは、負荷スプレッダ９４０も備えることができる。負荷スプレッダ９４０は、例えば、ソフトパッド、コイルばね、フレクシャ、折り畳み式構造等を、備えることができる。

[0125] いくつかの態様において、アクチュエータターゲット９０８－ａと９０８－ｃとの間の分離ギャップは、磁界９３０の減衰を防ぐために小さいものとすることができる。特に、近接するアクチュエータターゲット間のギャップは、アクチュエータターゲット（例えば９０８－ａ）とアクチュエータデバイス（例えば９１０－ａ）のポールとの間の動作ギャップよりもかなり小さいものとすることができる。非限定的な例では、かなり小さいとは、２０％以下、１５％以下、１０％以下、５％以下、２０％から５％、１５％から５％、１５％から１０％、１０％から５％等とすることができる。こうした条件が課されたとき、アクチュエータターゲット間のギャップによって生じるフラックス減少は、アクチュエータデバイスとアクチュエータターゲットとの間の動作ギャップによって生じるフラックス減少に比べて、無視できるほどのものとすることができる（例えば、無視できるほどとは、コイルを介する単位電流当たりの生成される力に対する数パーセント未満の影響とすることができる）。

[0126] いくつかの態様において、アクチュエータデバイスとアクチュエータターゲットとの間の動作ギャップは、１５００ミクロン以下、１０００ミクロン以下、５００ミクロン以下等とすることができる。５００ミクロンの動作ギャップ及び１０％以下の制約を非限定的な例として使用すると、２つのアクチュエータターゲット間の５０ミクロンギャップは無視できるほどと見なすことができる。他方で、こうした小さなギャップを実用的又は経済的に製造することを妨げる、製造可能性上の問題が存在する場合がある。しかし、実用性の考慮は別として、ギャップが小さいほどアクチュエーション（例えば、コイル内の電流によって分割される力）の性能は良好である。

[0127] いくつかの態様において、高い性能よりも製造コストの削減が好ましい場合、そのより緩い（おそらく、作るのがより容易な）許容範囲については、２００ミクロン以下のギャップが望ましい可能性がある。トレードオフとして、より多くの電流を使用し、同じ出力でも加熱を悪化させる可能性もある。熱膨張の考慮も存在する。その電磁性能を最大にすることによって、アクチュエータデバイスによる熱生成を最小限にすることが望ましい。近接するアクチュエータターゲット９０８－ａと９０８－ｃとの間の分離ギャップは、例えば、およそ２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、５００ミクロン以下、２００ミクロン以下、１００ミクロン以下、５０ミクロン以下、２０ミクロン以下、又は１０ミクロン以下とすることができる。分離に関するこの特徴は、アクチュエータターゲット９０８－ａと９０８－ｅ、９０８－ｂと９０８－ｄ、及び９０８－ｂと９０８－ｆの間の、ギャップにまで広げることができる。

[0128] いくつかの態様において、支持構造９０４を図の左側に向けて（例えば、第１の方向に）移動させるための前述の機能は、反対方向の移動のために、アクチュエータデバイス９１０－ｂ、並びに、アクチュエータターゲット９０８－ｂ、９０８－ｄ、及び９０８－ｆに対して、逆に適用できることを理解されよう。

[0129] 図１０は、いくつかの態様に従ったオブジェクト（例えば、ウェーハ、レチクル等）を支持するためのステージ１０００の一部を示す。いくつかの態様において、ステージ１０００は、図５から図９を参照しながら既に説明したいくつかのフィーチャを有することができる。図５から図９と比較すると、いくつかの要素は（明瞭にするために）非表示であり得るが追加の要素が示され得る。別段に記載されていない限り、図５から図９の要素について事前に説明した構造及び機能は、図１０の同様に番号付けされた（例えば、参照番号は右端の２つの数字を共有している）要素にも適用可能である。図１０の要素の少なくともいくつかの構造及び機能は、図５から図９の対応する要素の説明から明らかとなろう。

[0130] いくつかの態様において、アクチュエータデバイス１０１０－ａはＣ型コアとすることができる。アクチュエータターゲット１００８－ａ及び１００８－ｃは、アクチュエータデバイス１０１０－ａのポールの近位に配設することができる。図１０に示される他の要素の構造及び／又は機能は、以前の図を参照しながら上記で説明したものと同じとすることができる（例えば、支持構造１００４、接着構造１０１４、引張部材１０１８’、磁界１０３０、空洞部分１０３２、側部１０３４、及び／又は負荷スプレッダ１０４０）。

[0131] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッド等の製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語の具体的な例と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラックユニット（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、及び／又はメトロロジユニットで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0132] 光リソグラフィの分野での本開示の態様の使用に特に言及してきたが、本開示は文脈によってはその他の用途、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[0133] 本開示の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本開示の専門用語又は言い回しは、本開示の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0134] 本明細書で使用される「放射」、「放射のビーム」等の用語は、すべてのタイプの電磁放射、例えば、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば、５～２０ｎｍ、例えば１３．５ｎｍの領域内の波長を有する）、又は、５ｎｍ未満で働く硬Ｘ線、あるいは、イオンビーム又は電子ビーム等の物質ビームを、包含可能である。「光」、「照明」等の用語は、非物質放射（例えば、光子、ＵＶ、Ｘ線等）を指すことができる。概して、約４００から約７００ｎｍの間の波長を有する放射は、可視放射と見なされ、約７８０～３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の波長を有する放射は、ＩＲ放射と見なされる。ＵＶは、およそ１００～４００ｎｍの波長を伴う放射を指す。リソグラフィ内では、「ＵＶ」という用語は、水銀放電ランプによって生成可能な波長、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又は、Ｉ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（すなわち、ガスによって吸収されるＵＶ）は、およそ１００～２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、いくつかの態様では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば、５～２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、特定の波長帯域を伴い、その少なくとも一部は５～２０ｎｍの範囲内である放射に関することを理解されたい。

[0135] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本開示の１つ以上の例示的態様について述べることができるが、全部の例示的態様を述べることはできず、したがって本開示及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。

[0136] 以上では、特定の機能の実施例を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本開示について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。

[0137] 以上、本開示の特定の態様を説明したが、本開示の態様は説明とは異なる手法でも実施できることは理解されよう。説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、当業者であれば、以下に定める特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本開示に変更を加えることができることは明らかである。

[0138] 特定の態様の前述の説明は、本開示の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本開示の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の態様を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された態様の均等物の意味及び範囲に入るものとする。

[0139] 本開示の幅及び範囲は、上述した例示的態様のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるものである。

[0140] 本開示の態様は、下記の条項を使用して更に説明することができる。
１．パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明システムと、
パターンの像を基板上に投影するように構成された投影システムと、
パターニングデバイス又は基板を移動させるように構成されたステージであって、
パターニングデバイス又は基板を支持するように構成された第１の支持構造と、
第１の支持構造を支持するように構成された第２の支持構造と、
第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を一方向に沿って移動させるように構成されたアクチュエータデバイスと、
アクチュエータデバイスと相互作用するように構成されたアクチュエータターゲットと、
アクチュエータターゲット及び第１の支持構造におけるロケーションに固定されたシャフトであって、アクチュエータターゲットからロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成されるシャフトと、
を備えるステージと、
を備える、リソグラフィ装置。
２．第１の支持構造はロケーションにおいてホールを備え、
シャフトはホールを備え、
ステージは、第１の支持構造及びシャフトのホール内に配設され、シャフトをロケーションに固定するための留め具を更に備える、
条項１に記載のリソグラフィ装置。
３．第１の支持構造は、第１の支持構造の第２のロケーションにおける第２のホールを備え、
シャフトは第２のホールを備え、
ステージは、第１の支持構造及びシャフトの第２のホール内に配設され、シャフトを第２のロケーションに固定するための第２の留め具を更に備える、
条項２に記載のリソグラフィ装置。
４．留め具はピン又はボルトである、条項２に記載のリソグラフィ装置。
５．ステージは、留め具の周囲に配設され、機械的負荷を広げるように構成された負荷スプレッダを更に備える、条項２に記載のリソグラフィ装置。
６．負荷スプレッダはダイアフラムフレクシャを備える、条項５に記載のリソグラフィ装置。
７．負荷スプレッダは、エポキシによって第１の支持構造に固定される、条項５に記載のリソグラフィ装置。
８．ステージは、
第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を該方向に沿って移動させるように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
第２のアクチュエータデバイスと相互作用するように構成された第２のアクチュエータターゲットと、
第２のアクチュエータターゲット及び第１の支持構造の第２のロケーションに固定された第２のシャフトであって、第２のアクチュエータターゲットから第２のロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成される第２のシャフトと、
を更に備える、
条項１に記載のリソグラフィ装置。
９．アクチュエータターゲットは、シャフトの端部に固定された第１のアクチュエータターゲットであり、
ステージは、
第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を該方向に沿って移動させるように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
第２のアクチュエータデバイスと相互作用するように構成された第２のアクチュエータターゲットと、
を更に備え、
第２のアクチュエータターゲットは、第１のアクチュエータターゲットとは反対のシャフトの端部に固定され、
シャフトは、第１のアクチュエータターゲットから第２のアクチュエータターゲットへと機械的負荷の一部を伝達するように更に構成される、
条項１に記載のリソグラフィ装置。
１０．シャフトは、第１の支持構造の内部を介して配設される、条項１に記載のリソグラフィ装置。
１１．ステージは、アクチュエータターゲットに結合されたスタビライザを更に備え、スタビライザは振動を低減させるように構成される、条項１に記載のリソグラフィ装置。
１２．アクチュエータデバイスは電磁石を備える、条項１に記載のリソグラフィ装置。
１３．第１の支持構造は１つ以上の位置インジケータを備える、条項１に記載のリソグラフィ装置。
１４．オブジェクトを支持するように構成された第１の支持構造と、
第１の支持構造を支持するように構成された第２の支持構造と、
第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を一方向に沿って移動させるように構成されたアクチュエータデバイスと、
アクチュエータデバイスと相互作用するように構成されたアクチュエータターゲットと、
アクチュエータターゲット及び第１の支持構造におけるロケーションに固定されたシャフトであって、アクチュエータターゲットからロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成されるシャフトと、
を備える、可動式ステージ。
１５．第１の支持構造はロケーションにおいてホールを備え、
シャフトはホールを備え、
可動式ステージは、第１の支持構造及びシャフトのホール内に配設され、シャフトをロケーションに固定するための留め具を更に備える、
条項１４に記載の可動式ステージ。
１６．第１の支持構造は、第１の支持構造の第２のロケーションにおいて第２のホールを備え、
シャフトは第２のホールを備え、
可動式ステージは、第１の支持構造及びシャフトの第２のホール内に配設され、シャフトを第２のロケーションに固定するための第２の留め具を更に備える、
条項１５に記載の可動式ステージ。
１７．留め具の周囲に配設され、機械的負荷を広げるように構成された負荷スプレッダを更に備える、条項１５に記載の可動式ステージ。
１８．負荷スプレッダはダイアフラムフレクシャを備える、条項１６に記載の可動式ステージ。
１９．第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を該方向に沿って移動させるように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
第２のアクチュエータデバイスと相互作用するように構成された第２のアクチュエータターゲットと、
第２のアクチュエータターゲット及び第１の支持構造の第２のロケーションに固定された第２のシャフトであって、第２のアクチュエータターゲットから第２のロケーションへと機械的負荷を伝達するように構成される第２のシャフトと、
を更に備える、
条項１４に記載の可動式ステージ。
２０．アクチュエータターゲットは、シャフトの端部に固定された第１のアクチュエータターゲットであり、
ステージは、
第２の支持構造上に配設され、第１の支持構造を該方向に沿って移動させるように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
第２のアクチュエータデバイスと相互作用するように構成された第２のアクチュエータターゲットと、
を更に備え、
第２のアクチュエータターゲットは、第１のアクチュエータターゲットとは反対のシャフトの端部に固定され、
シャフトは、第１のアクチュエータターゲットから第２のアクチュエータターゲットへと機械的負荷の一部を伝達するように更に構成される、
条項１４に記載の可動式ステージ。
２１．アクチュエータターゲットに結合されたスタビライザを更に備え、スタビライザは振動を低減させるように構成される、条項１４に記載の可動式ステージ。
２２．アクチュエータデバイスは電磁石を備える、条項１４に記載の可動式ステージ。

Claims (14)

1. パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明システムと、
   前記パターンの像を基板上に投影するように構成された投影システムと、
   前記パターニングデバイス又は前記基板を移動させるように構成されたステージであって、
   前記パターニングデバイス又は前記基板を支持するように構成された支持構造と、
   前記支持構造の第１の側部に配設された第１のアクチュエータターゲットと、
   前記支持構造の前記第１の側部とは反対の第２の側部に配設された第２のアクチュエータターゲットと、
   前記支持構造の前記第１の側部に取り付けられた第３のアクチュエータターゲットと、
   前記第１及び第３のターゲットの近位に配設され、前記支持構造を一方向に沿って移動させるために、前記第１及び第３のターゲットと磁気的に相互作用するように構成されたアクチュエータデバイスと、
   引張部材であって、前記第１及び第２のアクチュエータターゲットは前記引張部材の反対端に取り付けられ、前記引張部材は、前記第１のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、前記第２のアクチュエータターゲットを介して前記支持構造の前記第２の側部に機械的負荷を伝達するように構成される、引張部材と、
   を備える、ステージと、
   を備える、リソグラフィ装置。
2. 前記引張部材は柔軟なコードであり、
   前記リソグラフィ装置は、前記支持構造を支持するように構成され、前記支持構造を前記フレームに対して移動可能にするように構成されたフレームを更に備え、
   前記アクチュエータデバイスはＣ型コアを備える、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記ステージは、前記支持構造の前記第１の側部に取り付けられた別のアクチュエータターゲットを更に備え、
   前記アクチュエータデバイスはＥ型コアを備え、
   前記Ｅ型コアの第１、第２、及び第３の構造上の突出部は、前記第１、第２、及び別のターゲットにそれぞれ対向して配設され、
   前記Ｅ型コアは互いに取り付けられた２つのＣ型コアを備える、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記アクチュエータデバイスは、前記第３のアクチュエータターゲットを介して前記第１の側部をプルすることによって、及び、前記第２のアクチュエータターゲットを介する、前記支持構造の前記第２の側部への前記機械的負荷の前記伝達を介して、前記第２の側部をプッシュすることによって、前記支持構造を移動させるように更に構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記アクチュエータデバイスは第１のアクチュエータデバイスであり、
   前記方向は第１の方向であり、
   前記ステージは、
   前記支持構造の前記第２の側部に取り付けられた第４のアクチュエータターゲットと、
   前記第２及び第４のターゲットの近位に配設され、前記支持構造を前記第１の方向とは反対の第２の方向に沿って移動させるために、第２及び第４のターゲットと磁気的に相互作用するように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
   を更に備え、
   前記引張部材は、前記第２のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、前記第１のアクチュエータターゲットを介して前記支持構造の前記第１の側部に機械的負荷を伝達するように更に構成され、
   前記第２のアクチュエータデバイスは、前記第４のアクチュエータターゲットを介して前記第２の側部をプルすることによって、及び、前記第１のアクチュエータターゲットを介する、前記支持構造の前記第１の側部への前記機械的負荷の前記伝達を介して、前記第１の側部をプッシュすることによって、前記支持構造を移動させるように更に構成される、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記第１及び／又は第２のアクチュエータターゲットは、前記機械的負荷を前記第２の側部上に広げるための負荷スプレッダを備え、
   前記第３のアクチュエータターゲットは、エポキシ接着剤を介して前記第１の側部に取り付けられ、
   前記第１と第３のアクチュエータターゲット間の分離ギャップは２００ミクロン以下である、
   請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記第１と第３のアクチュエータターゲット間の分離ギャップは５０ミクロン以下である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. オブジェクトを支持するように構成された支持構造と、
   前記支持構造の第１の側部に配設された第１のアクチュエータターゲットと、
   前記支持構造の前記第１の側部とは反対の第２の側部に配設された第２のアクチュエータターゲットと、
   前記支持構造の前記第１の側部に取り付けられた第３のアクチュエータターゲットと、
   前記第１及び第３のターゲットの近位に配設され、前記支持構造を一方向に沿って移動させるために、前記第１及び第３のターゲットと磁気的に相互作用するように構成されたアクチュエータデバイスと、
   引張部材であって、前記第１及び第２のアクチュエータターゲットは、前記引張部材の反対端に取り付けられ、前記引張部材は、前記第１のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、前記第２のアクチュエータターゲットを介して前記支持構造の前記第２の側部に機械的負荷を伝達するように構成される、引張部材と、
   を備える、ステージ。
9. 前記引張部材は柔軟なコードであり、
   前記ステージは、前記支持構造を支持するように構成され、前記支持構造を前記フレームに対して移動可能にするように構成されたフレームを更に備え、
   前記アクチュエータデバイスはＣ型コアを備える、
   請求項８に記載のステージ。
10. 前記ステージは、前記支持構造の前記第１の側部に取り付けられた別のアクチュエータターゲットを更に備え、
    前記アクチュエータデバイスはＥ型コアを備え、
    前記Ｅ型コアの第１、第２、及び第３の構造上の突出部は、前記第１、第２、及び別のターゲットにそれぞれ対向して配設され、
    前記Ｅ型コアは互いに取り付けられた２つのＣ型コアを備える、
    請求項８に記載のステージ。
11. 前記アクチュエータデバイスは、前記第３のアクチュエータターゲットを介して前記第１の側部をプルすることによって、及び、前記第２のアクチュエータターゲットを介する、前記支持構造の前記第２の側部への前記機械的負荷の前記伝達を介して、前記第２の側部をプッシュすることによって、前記支持構造を移動させるように更に構成される、請求項８に記載のステージ。
12. 前記アクチュエータデバイスは第１のアクチュエータデバイスであり、
    前記方向は第１の方向であり、
    前記ステージは、
    前記支持構造の前記第２の側部に取り付けられた第４のアクチュエータターゲットと、
    前記第２及び第４のターゲットの近位に配設され、前記支持構造を前記第１の方向とは反対の第２の方向に沿って移動させるために、第２及び第４のターゲットと磁気的に相互作用するように構成された第２のアクチュエータデバイスと、
    を更に備え、
    前記引張部材は、前記第２のアクチュエータターゲット上に及ぼされる磁力に基づいて、前記第１のアクチュエータターゲットを介して前記支持構造の前記第１の側部に機械的負荷を伝達するように更に構成され、
    前記第２のアクチュエータデバイスは、前記第４のアクチュエータターゲットを介して前記第２の側部をプルすることによって、及び、前記第１のアクチュエータターゲットを介する、前記支持構造の前記第１の側部への前記機械的負荷の前記伝達を介して、前記第１の側部をプッシュすることによって、前記支持構造を移動させるように更に構成される、
    請求項８に記載のステージ。
13. 前記第１及び／又は第２のアクチュエータターゲットは、前記機械的負荷を前記第２の側部上に広げるための負荷スプレッダを備え、
    前記第３のアクチュエータターゲットは、エポキシ接着剤を介して前記第１の側部に取り付けられ、
    前記第１と第３のアクチュエータターゲット間の分離ギャップは２００ミクロン以下である、
    請求項８に記載のステージ。
14. 前記第１と第３のアクチュエータターゲット間の分離ギャップは５０ミクロン以下である、請求項８に記載のステージ。

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