JP2024516764A - 静電基板洗浄システム、装置および方法 - Google Patents

静電基板洗浄システム、装置および方法 Download PDF

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Abstract

基板洗浄システムは、チャンバと、チャンバ内に配置された基板ステージとを含む。基板ステージは、洗浄ヘッドによる洗浄を目的として基板を固定するように設計される。基板洗浄システムは、基板を保管容器と基板ステージとの間で移送するように設計されたロボットを備える。洗浄ヘッドは、ローラアセンブリ上に装填された使い捨て電極のリボンを含む。使い捨て電極リボンは、正極および負極を含み、基板から粒子の静電除去によって基板を静電的に洗浄するように設計される。ローラアセンブリは、基板を洗浄に続いて使い捨て電極リボンを前進させるように設計されている。

Description

「関連出願の参照」
本出願は、米国特許仮出願６３／１８５，３６５（２０２１年５月７日）の米国特許法１１９条（ｅ）の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、概してウエハ洗浄に関し、より詳細には、シリコンウエハを静電的に洗浄するための装置および方法に関する。
ＷＯ２００７－００７７３１Ａ１号公報 特開２００３－２８２６７１号公報
シリコンウエハは、典型的には、化学溶媒または振動技術（例えば、超音波またはメガソニック洗浄）のいずれかによって洗浄される。化学溶媒は、使用するのに危険であり、ウエハを損傷する可能性があり、振動技術は、しばしば、大型の高価なツールを必要とする。さらに、両方の方法は、しばしば、低いスループットをもたらす。したがって、上記で特定された手法の欠点を改善するためのシステムおよび方法を提供することが有利であろう。
本開示の１つ以上の例示的な実施形態による基板洗浄システムが開示される。例示的な一実施形態では、基板洗浄システムはチャンバを含む。別の例示的な実施形態では、基板洗浄システムは、チャンバ内に配置され、洗浄のために基板を固定するように構成された基板ステージを含む。別の例示的な実施形態では、基板洗浄システムはロボットを含み、ロボットは、チャンバ内の保管容器と基板ステージとの間で基板を移送するように構成される。別の例示的な実施形態では、基板洗浄システムは、ローラアセンブリ上に装填された使い捨て電極リボンを含む洗浄ヘッドを含む。別の例示的な実施形態では、使い捨て電極リボンは、正極及び負極を含み、使い捨て電極は、基板から粒子を静電的に除去することによって基板を静電的に洗浄するように構成される。別の例示的な実施形態では、ローラアセンブリは、基板の洗浄に続いて使い捨て電極リボンを前進させるように構成される。
本開示の１つ以上の例示的な実施形態による装置が開示される。例示的な一実施形態では、基板洗浄装置はローラアセンブリを含む。別の例示的な実施形態では、基板洗浄装置は、ローラアセンブリ上に装填された使い捨て電極リボンを含む。別の例示的な実施形態では、使い捨て電極リボンは、正極及び負極を含む。別の例示的な実施形態では、使い捨て電極リボンは、基板から粒子を静電的に除去することによって基板を静電的に洗浄するように構成される。別の例示的な実施形態では、ローラアセンブリは、基板の洗浄に続いて使い捨て電極リボンを前進させるように構成される。
本開示の１つ以上の例示的な実施形態に従って、基板を洗浄する方法が開示される。例示的な一実施形態では、この方法は、限定はしないが、真空チャンバ内で基板を基板保管庫から基板ステージに受け入れ可能に移送するステップを含むことができる。別の例示的な実施形態では、本方法は、限定はしないが、基板ステージを用いて、基板を洗浄ヘッドの下の位置に作動させることを含むことができる。別の例示的な実施形態では、方法は、洗浄リフトアセンブリを用いて、基板の上方の選択された洗浄距離まで基板を作動させることを含んでもよいが、これに限定されない。別の例示的な実施形態では、方法は、基板から粒子を除去することによって基板の表面を静電的に洗浄するために使い捨て電極リボンを活性化するステップを含むことができるが、これに限定されず、使い捨て電極リボンは、正極と負極との間にバイアス電圧を印加することによって活性化される。別の例示的な実施形態では、方法は、ローラを前進させて使い捨て電極リボンの未使用部分を露出させることを含むが、これに限定されない。
前述の概要および以下の詳細な説明の両方は、例示的および説明的なものにすぎず、特許請求される本発明を必ずしも限定するものではないことを理解されたい。明細書に組み込まれ、明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明の実施形態を示し、全般的な説明とともに、本発明の原理を説明するのに役立つ。
本開示の多数の利点は、添付の図面を参照することによって当業者によってよりよく理解され得る。
図１Ａは、本開示の１つ以上の実施形態による、基板洗浄システムの簡略化された概略端面図を図示する。 図１Ｂは、基板ハンドリングシステムと統合された基板洗浄システムの簡略化された上面図を示す。 図２は、本開示の１つ以上の実施形態による使い捨て電極リボンの概略図を示す。 図３は、本開示の１つ以上の実施形態による、基板洗浄システムを組み込んだシステムの概念ブロック図を示す。 図４は、本開示の１つ以上の実施形態による、基板を洗浄する方法を示す流れ図を示す。
本開示は、特定の実施形態およびその特定の特徴に関して具体的に示され、説明されてきた。本明細書に記載される実施形態は、限定的ではなく例示的であると解釈される。本開示の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細における種々の変更および修正が行われ得ることが、当業者に容易に明白となるはずである。ここで、添付の図面に示される開示された主題を詳細に参照する。
本開示の実施形態は、基板洗浄システム及びプロセスを対象とする。例えば、本開示の実施形態は、半導体製造システム、ウエハ検査システム、またはウエハ計測システム内の処理済みおよび／またはブランクのシリコンウエハを洗浄するための基板洗浄システムおよびプロセスを対象とする。この意味で、本開示の基板洗浄システム及びプロセスは、半導体製造システム、ウエハ検査システム、又はウエハ計測システムと統合することができる。例えば、本開示の洗浄システムは、インライン生産ウエハを洗浄するためにウエハ製造施設において実施されてもよく、又はブランクウエハを洗浄するためにウエハ製造ハウスにおいて実施されてもよい。本開示の基板洗浄システムおよびプロセスは、使い捨て電極リボンを利用して基板を洗浄して誘電泳動ベースの洗浄プロセスを開始することができ、これにより、所与の基板上の粒子が、使い捨て電極リボンによって形成される電界勾配の方向に基板から離れるように移動する。
図１Ａ～図１Ｂは、本開示の１つ以上の実施形態による基板洗浄システム１００の簡略化された概略図を示す。図１Ａは、基板洗浄システム１００の簡略化された概略端面図を示す。図１Ｂは、基板ハンドリングシステム１２０と一体化された基板洗浄システム１００の簡略化された上面図を示す。
実施形態では、洗浄システム１００は洗浄ステーション１０１を含む。洗浄ステーション１０１は洗浄ヘッド１０２を含む。洗浄ヘッドは、ローラアセンブリ１０５上に装填された使い捨て電極リボン１０４を含んでもよい。ローラアセンブリ１０５は、１つ以上のローラ１０６ａ、１０６ｂを含んでもよい。実施形態では、使い捨て電極リボン１０４は、正極及び負極を含む。使い捨て電極リボンは、基板１１０から粒子を静電的に除去することによって基板１１０を静電的に洗浄するように構成されてもよい。この点に関して、基板１１０上に配置された粒子は、基板１１０から分離することができ、使い捨て電極リボン１０４によって収集される。動作中、ローラアセンブリ１０５は、使い捨て電極リボン１０４の新しい部分が次の洗浄サイクル（例えば、現在の基板の洗浄または後続の基板の洗浄を繰り返す）のために利用可能であるように、基板１１０の洗浄に続いて使い捨て電極リボン１０４を前進させることができる。実施形態では、１つ以上のローラ１０６ａ、１０６ｂは、１つ以上のローラを回転させるように制御され、それによって、使い捨て電極リボン１０４を前進させ得る、電気モータを含む。
実施形態では、洗浄システム１００は、基板１１０を固定し作動させるための基板ステージ１０８を含む。基板ステージ１０８はチャック１１２を含むことができる。例えば、チャック１１２は、限定されないが、真空ウエハチャック等のウエハチャックを含んでもよい。実施形態では、基板ステージ１０８は、基板１１０を洗浄ヘッド１０２の下の位置に作動させるように構成される。例えば、基板ステージ１０８は、リニアステージ及び／又は回転ステージを含むことができる。リニアステージが図１Ｂに示されているが、これは本開示の範囲に対する限定として解釈されるべきではないことに留意されたい。回転ステージが実装され得、それによって、ステージは、洗浄ヘッド１０２の下で基板１１０を回転させることが企図される。
実施形態では、洗浄システム１００は、洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４および近接センサ１１６を含む。実施形態では、洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４は、基板１１０の上方の選択された洗浄距離まで洗浄ヘッド１０２を下降させるように構成される。洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４は、機械的アクチュエータ（例えば、ステッパ）を含んでもよいが、それに限定されない。実施形態では、近接センサ１１６は、洗浄ヘッド１０２と基板１１０の上面との間の選択された洗浄距離がいつ達成されたかを識別するように構成される。近接センサ１１６は、当技術分野で知られている任意の近接センサを含み得る。例えば、近接センサ１１６は、光学センサ、誘導センサ、容量センサ、または超音波センサを含んでもよいが、それらに限定されない。
実施形態では、洗浄システム１００は、真空チャンバ１１８を含む。洗浄システム１００の種々の構成要素のうちの１つ以上は、真空チャンバ１１８内に収容されてもよい。例えば、洗浄ヘッド１０２、ローラアセンブリ１０５、基板ステージ１０８、および／または洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４は、真空チャンバ１１８内に収容され得る。
実施形態では、図１Ｂに示すように、洗浄システム１００は、基板ハンドリングシステム１２０を含む。この意味で、洗浄システム１００の洗浄ステーション１０１は、基板ハンドリングシステム１２０と統合されてもよい。基板洗浄ステーション１０１および基板ハンドリングシステム１２０はともに、半導体製造ライン、検査システム、または計測システム内に統合されてもよい。
実施形態では、洗浄ステーション（ハンドリングサブシステム）１０１は、１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂを含む。１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂは、保管容器１２４から基板ステージ１０８に基板を移送するように構成される。例えば、１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂは、洗浄されるべき基板１１０を保管容器１２４のうちの１つから基板ハンドリングシステム１２０に移送することができる。次に、１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂは、基板１１０を洗浄ステーション１０１の入力ポート１２６に装填することができる。次いで、入力ポート１２６が閉じられ、洗浄ステーション１０１の真空チャンバ１１８内の圧力が上昇する。次に、基板ステージ１０８は、チャック１１２を介して基板１１０を固定することができる。基板１１０が固定された後、洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４は、近接センサ１１６からのフィードバックを使用して、基板１１０の上面から選択された洗浄距離（例えば、５０μｍ）に洗浄ヘッド１０２の位置を調整することができる。次いで、基板ステージ１０８は、ウエハ全体が洗浄ヘッド１０２の下で走査されるように基板１１０を平行移動させることができる（例えば、図１Ｂの右に平行移動する）。基板１１０の洗浄に続いて、基板ステージ１０８は、基板１１０を出力ポート１２８に平行移動させることができる。次に、基板ハンドリングシステム１２０の１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂは、基板１１０を保管容器１２４のうちの１つに移動させてもよく、そこで、基板１１０は、次いで、後続のプロセス／特徴付けツールに移動させられてもよい。保管容器１２４は、フロントオープンユニファイドポッド（ＦＯＵＰ）を含むことができるが、これに限定されない。
図２は、本開示の１つ以上の実施形態による使い捨て電極リボン１０４の概略図を示す。実施形態では、本明細書で先に論じたように、使い捨て電極リボン１０４は、１つ以上の負極２０２および１つ以上の正極２０４を含む。負極２０２および正極２０４の対の使用は、リボン１０４が誘電泳動を介して基板１１０を静電的に洗浄することを可能にする。リボンの帯電中、基板１１０上に存在する粒子は、リボン１０４の電極２０２、２０４によって形成される電界勾配の方向に基板１１０から離れて移動し得る。例えば、通電中、電極２０２、２０４によって生成される電界勾配は、基板１１０上に配置された粒子を基板１１０から剥離させ、リボン１１０に向かって移動させ得、そこでそれらはリボン１０４によって収集される。すべての粒子がイオン移動度を有し、非導電性粒子でさえあることに留意されたい。粒子のイオン移動度は、粒子温度が増加するにつれて増加する。半導体製造の場合、温度はしばしば非常に高く、したがって、関連する大部分の粒子材料は、動作中に高いイオン移動度を有する。
実施形態では、リボン１０４の裏材は、可撓性絶縁材料（例えば、プラスチックまたはゴム）から形成され、リボンがロールに巻かれるか、または巻かれることを可能にする。動作中、所与の洗浄サイクルに続いて、ローラアセンブリ１０５は、使い捨て電極リボン１０４の新しい部分が次の洗浄サイクルのために利用可能であるように、使い捨て電極リボン１０４を前進させるように、ローラを使用してリボン１１０のロール（または対応する使用済みロール）を回転させてもよい。
実施形態では、洗浄システム１００は、コントローラ１３０を含む。コントローラ１３０は、１つ以上のプロセッサおよびメモリを含むことができ、１つ以上のプログラム命令がメモリ内に維持される。実施形態では、コントローラ１３０は、システム１００の１つ以上の機能を制御するように構成される。実施形態では、１つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、１つ以上のロボット１２２ａ、１２２ｂに、チャンバ１１８内の保管容器１２４と基板ステージ１０８との間で基板１１０を移送するように指示させるように構成される。
実施形態では、１つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、洗浄ヘッド１０２を基板１１０の上方の選択された洗浄距離まで下げるように洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４に指示させるように構成される。実施形態では、コントローラ１３０は、近接センサ１１６から近接データを受信するように構成される。例えば、コントローラ１３０の方向において、洗浄ヘッドリフトアクチュエータ１１４は、近接センサ１１６からコントローラ１３０によって受信された近接データに基づいて、基板１１０の上面から選択された洗浄距離に洗浄ヘッド１０２の位置を調整することができる。実施形態では、１つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、洗浄ヘッド１０２の下の経路に沿って基板を作動させる（動かす）ようにステージに指示させるように構成される。実施形態では、１つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、使い捨て電極リボン１０４の負極２０２と正極２０４との間にバイアス電圧を印加させるように構成される。例えば、負極２０２および正極２０４は、コントローラ１３０が負極２０２と正極２０４との間のバイアス電圧を制御し得るように、コントローラ１３０と接続して配置され得る。実施形態では、１つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、ローラ１０６ａ、１０６ｂのうちの１つ以上を前進させ、使い捨て電極リボン１０４の未使用部分を露出させるように構成される。例えば、１つ以上のローラ１０６ａ、１０６ｂは、コントローラ１３０が、１つ以上のローラ１０６ａ、１０６ｂの回転を制御し、それによって、使い捨て電極リボン１０４を選択的に前進させ得るように、コントローラ１３０と接続して配置される、電気モータを含んでもよい。
コントローラ１３０の１つ以上のプロセッサは、当技術分野で知られている任意のプロセッサまたは処理要素を含むことができる。本開示の目的のために、「プロセッサ」または「処理要素」という用語は、１つ以上の処理または論理要素（例えば、１つ以上のマイクロプロセッサデバイス、１つ以上の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）デバイス、１つ以上のフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、または１つ以上のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ））を有する任意のデバイスを包含するように広く定義され得る。この意味で、１つ以上のプロセッサは、アルゴリズムおよび／または命令（たとえば、メモリに記憶されたプログラム命令）を実行するように構成された任意のデバイスを含むことができ、実施形態では、１つ以上のプロセッサは、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、並列プロセッサ、ネットワークコンピュータとして具現化され得る。または、本開示全体にわたって説明されるように、システム１００とともに動作または動作するように構成されたプログラムを実行するように構成された任意の他のコンピュータシステム。さらに、本開示全体にわたって説明されるステップは、単一のコントローラによって、または代替として、複数のコントローラによって実行され得る。さらに、コントローラ１３０は、共通のハウジングまたは複数のハウジング内に収容された１つ以上のコントローラを含むことができる。このようにして、任意のコントローラまたはコントローラの組合せを、システム１００への統合に適したモジュールとして別々にパッケージ化することができる。さらに、コントローラ１３０は、検出器１０３から受信したデータを分析し、システム１００内またはシステム１００の外部の追加の構成要素にデータを供給することができる。
コントローラ１３０のメモリは、関連する１つ以上のプロセッサによって実行可能なプログラム命令を記憶するのに適した、当技術分野で知られている任意の記憶媒体を含み得る。例えば、記憶媒体は、非一時的な記憶媒体を含んでもよい。別の例として、メモリ媒体は、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気または光メモリデバイス（たとえば、ディスク）、磁気テープ、ソリッドステートドライブなどを含み得るが、それらに限定されない。さらに、メモリ媒体は、１つ以上のプロセッサとともに共通のコントローラハウジング内に収容され得ることに留意されたい。一実施形態では、メモリ媒体は、１つ以上のプロセッサの物理的位置に対して遠隔に配置され得る。たとえば、１つ以上のプロセッサは、ネットワーク（例えば、インターネット、イントラネットなど）を介してアクセス可能なリモートメモリ（たとえば、サーバ）にアクセスすることができる。
図３は、本開示の１つ以上の実施形態による、基板洗浄システム１００を組み込んだシステム３００の概念ブロック図を示す。実施形態では、システム３００は、洗浄システム１００が半導体製造施設および／または特性評価システム内に統合され得るように、半導体製造ツールおよび／または特性評価ツール（例えば、検査ツールまたは計測ツール）を含み得る。例えば、ツール１ ３０２は、リソグラフィ・ツール、検査ツール、および／または計測ツールを含むが、これらに限定されない。別の例として、ツール２ ３０４は、リソグラフィ・ツール、検査ツール、および／または計測ツールを含むことができるが、これらに限定されない。
図４は、本開示の１つ以上の実施形態による、基板を洗浄する方法を示す流れ図を示す。ステップ４０２において、基板は、基板保持容器から基板ステージに受け入れられる。ステップ４０４において、基板ステージを用いて、基板を洗浄ヘッドの下の位置に作動させる。ステップ４０６において、洗浄リフトアセンブリを用いて、基板は、基板の上方の選択された洗浄距離まで作動される。ステップ４０８において、使い捨て電極リボンは、基板から粒子を除去することによって基板の表面を静電的に洗浄するために活性化される。使い捨て電極リボンは、正極と負極との間にバイアス電圧を印加することによって活性化される。ステップ４１０において、使い捨て電極リボンを保持するローラを前進させて、使い捨て電極リボンの未使用部分を露出させる。
上述の方法の実施形態の各々は、本明細書に記載される任意の他の方法の任意の他のステップ（複数可）を含み得ることがさらに企図される。加えて、上述の方法の実施形態の各々は、本明細書に記載のシステムのいずれかによって実行することができる。
当業者は、本明細書で説明される構成要素動作、デバイス、オブジェクト、およびそれらに付随する議論が、概念的明確性のために例として使用されること、および種々の構成修正が検討されることを認識するであろう。したがって、本明細書で使用されるように、記載される特定の例および付随する議論は、それらのより一般的なクラスの代表であることが意図される。概して、任意の特定の例の使用は、そのクラスを表すことが意図され、特定の構成要素、動作、デバイス、およびオブジェクトの非包含は、限定として解釈されるべきではない。
本明細書で使用するとき、「上ｔｏｐ」、「下ｂｏｔｔｏｍ」、「上ｏｖｅｒ」、「下ｕｎｄｅｒ」、「上ｕｐｐｅｒ」、「上方ｕｐｗａｒｄ」、「下方ｌｏｗｅｒ」、「下方ｄｏｗｎ」、「下方ｄｏｗｎｗａｒｄ」などの方向を示す用語は、説明の目的で相対的な位置を提供することを意図しており、絶対的な基準系を示すことを意図していない。説明された実施形態に対する様々な修正は、当業者には明らかであり、本明細書で定義された一般的な原理は、他の実施形態に適用され得る。
本明細書における実質的に任意の複数形および／または単数形の用語の使用に関して、当業者は、文脈および／または用途に適切であるように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に記載されない。
本明細書で説明される主題は、場合によっては、他の構成要素内に含まれる、または他の構成要素と接続される、異なる構成要素を図示する。そのような描写されたアーキテクチャは、単なる例示であり、実際には、同じ機能性を達成する多くの他のアーキテクチャが実装され得ることを理解されたい。概念的な意味では、同じ機能を達成するための構成要素の任意の配置は、所望の機能が達成されるように効果的に「関連付けられる」。したがって、特定の機能を達成するために組み合わされた本明細書の任意の２つの構成要素は、アーキテクチャまたは中間構成要素にかかわらず、所望の機能が達成されるように互いに「関連付けられる」と見なすことができる。同様に、そのように関連付けられた任意の２つの構成要素はまた、所望の機能性を達成するために、相互に「接続」または「結合」されていると見なされることができ、そのように関連付けられることが可能な任意の２つの構成要素はまた、所望の機能性を達成するために、相互に「結合可能」であると見なされることができる。結合可能な特定の例は、物理的に結合可能及び／又は物理的に相互作用する構成要素及び／又は無線で相互作用可能及び／又は無線で相互作用する構成要素及び／又は論理的に相互作用及び／又は論理的に相互作用可能な構成要素を含むが、これらに限定されない。
さらに、本発明は添付の特許請求の範囲によって定義されることを理解されたい。一般に、本明細書および特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体）で使用される用語は一般に「オープンｏｐｅｎ」用語（例えば、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）がこれに限定されない」と解釈されるべきであり、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という用語は「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ）」と解釈されるべきであり、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という用語は「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）がこれに限定されない」と解釈されるべきである等である）として意図されることが当業者には理解されよう。導入される請求項の記載の具体的な数が意図される場合、そのような意図は、その請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の助けとして、以下の添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」および「１つ以上の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含むことができる。しかしながら、そのような語句の使用は、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのような導入された請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、１つのそのような記載のみを含む発明に限定することを意味すると解釈されるべきではない。同じ請求項が「１つ以上」または「少なくとも１つ」という導入句および「ａ」または「ａｎ」（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、典型的には、「少なくとも１つ」または「１つ以上」を意味すると解釈されるべきである）などの不定冠詞を含む場合でも、同じことが、請求項の記載を紹介するために使用される明確な記事の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載の具体的な数が明示的に列挙されている場合でも、そのような記載は、典型的には少なくとも列挙された数（例えば、他の修飾因子を伴わない「２つの列挙」の裸の列挙は、典型的には、少なくとも２つの列挙、または２つ以上の列挙を意味する）を意味すると解釈されるべきであることを、当業者は認識されよう。さらに、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つなど」に類似する慣例表現が使用される事例では、概して、そのような構成は、当業者が慣例表現（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、および／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に有するシステムを含むが、それらに限定されない）を理解するであろう意味で意図される。「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つなど」に類似する慣例表現が使用される事例では、概して、そのような構成は、当業者が慣例表現（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、および／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に有するシステムを含むが、それらに限定されない）を理解するであろう意味で意図される。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、説明、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、その用語の一方（ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、その用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、「ＡまたはＢ「という語句は、「Ａ」または「Ｂ」または「ＡおよびＢ」の可能性を含むと理解されるであろう。
本開示およびその付随する利点の多くは、前述の説明によって理解されるであろうと考えられ、開示される主題から逸脱することなく、またはその材料利点の全てを犠牲にすることなく、構成要素の形態、構造、および配置において種々の変更が行われ得ることが明白となるであろう。説明される形態は単なる説明であり、そのような変更を包含し、含むことが以下の特許請求の範囲の意図である。さらに、本発明は添付の特許請求の範囲によって定義されることを理解されたい。

Claims (20)

  1. 基板洗浄システムであって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に位置決めされ、洗浄のために基板を固定するように構成される、基板ステージと、
    ローラアセンブリ上に装填された使い捨て電極リボンを含み、前記使い捨て電極リボンは、正極および負極を含み、前記使い捨て電極リボンは、基材から粒子を静電的に除去することによって基材を静電的に洗浄するように構成され、前記ローラアセンブリは、前記基材の洗浄に続いて前記使い捨て電極リボンを前進させるように構成されている、洗浄ヘッドと、
    を含む、
    基板洗浄システム。
  2. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    基板ハンドリングサブシステムであって、ロボットを含み、前記ロボットは、前記基板を前記チャンバ内の保管容器と前記基板ステージとの間で移送するように構成されている、基板ハンドリングサブシステム、
    をさらに含む、
    基板洗浄システム。
  3. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    前記基板の静電洗浄は、誘電泳動によって行われ、粒子は、前記使い捨て電極リボンによって形成される電界勾配の方向に前記基板から離れるように移動する、
    基板洗浄システム。
  4. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    前記基板上に位置する粒子は、前記基板から分離し、前記使い捨て電極リボンによって収集される、
    基板洗浄システム。
  5. 請求項１に記載の基板洗浄システム
    前方が開いたフロントオープンユニファイドポッド（ＦＯＵＰ）を含む保管容器を含む、
    基板洗浄システム。
  6. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    前記基板ステージは、前記基板を前記洗浄ヘッドの下の位置に作動させるように構成される、
    基板洗浄システム。
  7. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    洗浄ヘッドリフトアクチュエータおよび近接センサをさらに含む、
    基板洗浄システム。
  8. 請求項７に記載の基板洗浄システムであって、
    前記洗浄ヘッドリフトアクチュエータは、前記基板の上方の選択された洗浄距離まで前記洗浄ヘッドを下降させるように構成され、
    前記近接センサは、前記洗浄ヘッドと前記基板の上面との間の選択された洗浄距離がいつ達成されたかを識別するように構成される、
    基板洗浄システム。
  9. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    コントローラをさらに備え、
    前記コントローラは、１つ以上のプロセッサおよびメモリを含み、１つ以上のプログラム命令が前記メモリに保持され、１つ以上のプログラム命令は、前記１つ以上のプロセッサロボットに指示して、前記チャンバ内の保管容器と基板ステージとの間で基板を移送させるように構成される、
    基板洗浄システム。
  10. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    １つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、洗浄ヘッドリフトアクチュエータに、前記洗浄ヘッドを前記基板の上方の選択された洗浄距離まで下げるように指示させるように構成される、
    基板洗浄システム。
  11. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    １つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、ステージに、前記洗浄ヘッドの下の経路に沿って基板を作動させるように指示させるように構成される、
    基板洗浄システム。
  12. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    １つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサに、前記使い捨て電極リボンの正極と負極との間にバイアス電圧を印加させるように構成される、
    基板洗浄システム。
  13. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    １つ以上のプログラム命令は、１つ以上のプロセッサにローラを前進させて使い捨て電極リボンの未使用部分を露出させる、ように構成される、
    基板洗浄システム。
  14. 請求項１に記載の基板洗浄システムであって、
    前記基板は半導体ウエハを含む、
    基板洗浄システム。
  15. ローラアセンブリと、
    使い捨て電極リボンであって、正極および負極を含み、基板から粒子を静電的に除去することによって前記基板を静電的に洗浄するように構成される、使い捨てリボンと、
    を含み、
    前記ローラアセンブリが、前記基板の洗浄に続いて前記使い捨て電極リボンを前進させるように構成される、
    基板洗浄装置。
  16. 請求項１５に記載の基板洗浄装置であって、
    前記ローラアセンブリは、１つ以上のローラを含み、前記１つ以上のローラは、前記使い捨て電極リボンを固定するように構成される、
    基板洗浄装置。
  17. 請求項１６に記載の基板洗浄装置であって、
    前記１つ以上のローラは、前記使い捨て電極リボンを前進させるために回転可能である、
    基板洗浄装置。
  18. 基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    保管容器から基板ステージに基板を移送するステップと、
    前記基板ステージを用いて、前記基板を洗浄ヘッドの下の位置に駆動するステップと、
    洗浄リフトアセンブリを用いて、前記基板の上方の選択された洗浄距離まで前記基板を駆動するステップと、
    使い捨て電極リボンを活性化して、前記基板から粒子を除去することによって前記基板の表面を静電的に洗浄し、前記使い捨て電極リボンは、正極と負極との間にバイアス電圧を印加することによって活性化され、ローラを前進させて前記使い捨て電極リボンの未使用部分を露出させる、
    基板洗浄方法。
  19. 請求項１８に記載の基板洗浄方法であって、
    前記使い捨て電極リボンを活性化して基板の表面を静電洗浄するステップは、
    誘電泳動を介して、前記基板を静電的に洗浄するために前記使い捨て電極リボンを活性化すること、を含む、
    基板洗浄方法。
  20. 請求項１８に記載の基板洗浄方法であって、
    近接センサを介して、選択された洗浄距離が達成されたかどうかを判定するステップをさらに含む、
    基板洗浄方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1183641A (en) * 1978-06-12 1985-03-05 George L. Brown Production of self-emulsifiable epoxy ester copolymer mixtures
US5000203A (en) * 1989-04-07 1991-03-19 Nitto Denko Corp. Foreign matter removing method
JPH0553481A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Mita Ind Co Ltd 紙粉除去装置
JP2003282671A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Tsukuba Seiko Co Ltd 静電保持装置及びそれを用いた搬送装置
TWI420579B (zh) * 2005-07-12 2013-12-21 Creative Tech Corp And a foreign matter removing method for a substrate
KR20130053528A (ko) 2011-11-14 2013-05-24 삼성전자주식회사 반도체 척 테이블 세척 시스템
US9815091B2 (en) 2014-06-19 2017-11-14 Applied Materials, Inc. Roll to roll wafer backside particle and contamination removal
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