JP2024505193A - 高スループット堆積方法 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MUQNAPSBHXFMHT-UHFFFAOYSA-N tert-butylhydrazine Chemical compound CC(C)(C)NN MUQNAPSBHXFMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 46
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- DMEXFOUCEOWRGD-UHFFFAOYSA-N chloro-[chloro(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)O[Si](C)(C)Cl DMEXFOUCEOWRGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[Si](C)(C)C UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VONQKYYTVMCLGW-UHFFFAOYSA-N N-(diethylamino-methyl-trimethylsilyloxysilyl)-N-ethylethanamine Chemical compound C(C)N(CC)[Si](O[Si](C)(C)C)(C)N(CC)CC VONQKYYTVMCLGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WKYWHPWEQYJUAT-UHFFFAOYSA-N 7-[3-(aminomethyl)-4-propoxyphenyl]-4-methylquinolin-2-amine Chemical compound CCCOC1=C(C=C(C=C1)C2=CC3=C(C=C2)C(=CC(=N3)N)C)CN WKYWHPWEQYJUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N 2 Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N [(1s)-1-fluoro-2-(hydroxyamino)-2-oxoethyl]phosphonic acid Chemical compound ONC(=O)[C@@H](F)P(O)(O)=O PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- CBPYOHALYYGNOE-UHFFFAOYSA-M potassium;3,5-dinitrobenzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 CBPYOHALYYGNOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- XUWVIABDWDTJRZ-UHFFFAOYSA-N propan-2-ylazanide Chemical compound CC(C)[NH-] XUWVIABDWDTJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISYORFGKSZLPNW-UHFFFAOYSA-N propan-2-ylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC(C)[NH3+] ISYORFGKSZLPNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000526 short-path distillation Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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Abstract
本発明は、エッチング耐性ＳｉＯＣＮ膜を堆積させるためのＰＥＡＬＤ方法を提供する。これらの膜は、改良された成長速度、改良された段差被覆性、ならびにウェットエッチング剤およびＯ２共反応物を含有する堆積プラズマ後処理に対する優れたエッチング耐性を提供する。一実施態様において、このＰＥＡＬＤ方法は、ＳｉＯＣＮのエッチング耐性薄膜を堆積させるために、水素プラズマと共に、単一の前駆体－ビス（ジアルキルアミノ）テトラアルキルジシロキサンに依存する。膜は単一の前駆体を用いて堆積され得るため、方法全体が改良されたスループットを発現する。【選択図】図１
Description
全体として、本発明は、マイクロ電子デバイス表面上にシリコン酸炭窒化物（ＳｉＯＣＮ）の薄膜を堆積させるための材料および方法に関する。これらの膜は、優れたウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性ならびにアッシング耐性を有する低誘電率絶縁体として作用する。
窒化ケイ素（ＳｉＮ）は、その高いウェットエッチング耐性および酸素（Ｏ２）アッシング耐性に起因して、電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）および全周ゲート（ＧＡＡ）構造用のソースおよびドレインスペーサー（Ｓ／Ｄスペーサー）に利用されてきた。しかしながら、ＳｉＮは、約７．５の高い誘電率（ｋ）を有する。炭素および窒素がドープされた二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）ＳｉＯＣＮスペーサーは、誘電率を低下させ、そして優れたエッチング耐性およびアッシング耐性を維持させるために開発されてきた。現在、最も良好なエッチング耐性およびアッシング耐性ＳｉＯＣＮ誘電体のｋ値はおよそ４．０である。ｋ値が＜３．５であるエッチング耐性およびアッシング耐性誘電体が次世代デバイスに必要とされている。
加えて、マイクロ電子デバイスの製造における、特にＳｉＯＣＮ膜の形成に利用される低温蒸着技術を利用する方法における、ケイ素含有膜の形成のための改良された有機シリコン前駆体の需要が依然存在する。特に、良好な熱安定性、高い揮発性、および基材表面との反応性を有する液体のケイ素前駆体の需要が存在する。
デバイス性能の向上は、トランジスタおよび相互接続回路の双方を隔離する能力を高めるための新たな材料を要する。これらの膜は、多くの場合、低い誘電率特性（すなわち、＜４）を要する一方で、ウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性を含むデバイス作製の間の後続の加工工程への耐性も要する。さらに、堆積された絶縁体は、堆積後処理に暴露された際に変化してはならない。これらの膜がフロント・エンド・オブ・ラインで堆積された際、膜は、ＦｉｎＦＥＴデバイスでみられるように、全体の構造にわたって均一な誘電性特性を示しながらも、３Ｄ構造を等角的に被覆するものでなければならない。膜はデバイス内に残るため、電気的性能は、堆積後処理で変化させることはできない。プラズマベースの堆積方法は、多くの場合、不均一な電気的特性を有する膜をもたらし、膜の最上部が、強化されたプラズマ衝撃により改変される。同時に、同一の膜で被覆された３Ｄ構造の側壁は、堆積の間に低減された電子衝撃の結果、多様な特性を示し得る。にもかかわらず、膜は、酸化雰囲気または還元雰囲気下のウェットエッチングおよび／またはプラズマ後処理を耐えるものでなければならない。
本発明は、エッチング耐性ＳｉＯＣＮ膜を堆積させるためのプラズマ励起原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）方法を提供する。これらの膜は、改良された成長速度、改良された段差被覆性、ならびにウェットエッチング剤およびＯ２共反応物を含有する堆積プラズマ後処理に対する改良されたエッチング耐性を提供する。このＰＥＡＬＤ方法は、ＳｉＯＣＮのエッチング耐性薄膜を堆積させるために、水素プラズマと共に、単一の前駆体、例えばビス（ジアルキルアミノ）テトラアルキルジシロキサンに依存する。膜は単一の前駆体を用いて堆積され得るため、方法全体が改良されたスループットを発現する。膜は、堆積後および堆積プラズマ後処理の後の両方において、薄いフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液を用いたウェットエッチングに対する耐性を示す。従って、これらの膜は、デバイスの製造および組み立ての間に利用される堆積後の作製工程に対して優れた安定性を示すことが期待される（参照図２および図３）。
第一の態様において、本発明は、マイクロ電子デバイス表面上にＳｉＯＣＮ膜を蒸着させるための方法であって、以下から選択される反応物：
ａ．少なくとも１つの下記式
ｂ．［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物；および膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガスまたは酸化性ガス
を前記反応ゾーン内に導入することを含む方法を提供する。
ａ．少なくとも１つの下記式
を前記反応ゾーン内に導入することを含む方法を提供する。
本開示は、添付の図面と関連付けて以下の各種例示的な実施形態の説明を考慮することでより完全に理解され得る。
本明細書および添付の特許請求の範囲で用いられているとおり、単数形「一つの（ａ）」、「一つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、その内容に明確に言及されていない限り、複数の指示対象を含む。本明細書および添付の特許請求の範囲で用いられているとおり、用語「または（ｏｒ）」は通常、その内容に明確に言及されていない限り、「および／または」を含むその意味で用いられる。
用語「約（ａｂｏｕｔ）」は、通常、引用された値（例えば、同一の機能または結果を有するもの）と同等であると考えられる数の範囲を指す。多くの例において、用語「約（ａｂｏｕｔ）」は、最も近い有効数字に四捨五入される数も含み得る。
端点を使用して表現された数値範囲は、その範囲内に包含された全ての数を含む（例えば、１から５は、１，１．５、２、２．７５、３、３．８０、４および５を含む）。
第一の態様において、本発明は、反応ゾーンにおいてマイクロ電子デバイス表面上にＳｉＯＣＮ膜を蒸着させるための方法であって、以下から選択される反応物：
ａ．少なくとも１つの下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物；および
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガスまたは酸化性ガス
を前記反応ゾーン内に導入することを含む方法を提供する。
ａ．少なくとも１つの下記式
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガスまたは酸化性ガス
を前記反応ゾーン内に導入することを含む方法を提供する。
方法工程において、ａ．およびｂ．は、１つのサイクルを含むパルスシーケンスを表す。このサイクルは、堆積された膜が所望の厚さに到達するまで繰り返してもよい。
この方法において、式（Ｉ）の化合物は、Ｒ１が水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、およびｔ－ブチルから選択され、Ｒ２が水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、およびｔ－ブチルから選択され、ならびにＲ３が水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、およびｔ－ブチルから選択されるものを含む。この方法において、Ｒ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである。一実施形態において、各Ｒ１および各Ｒ３がエチルであり、各Ｒ２がメチルであり、すなわち、下記式の化合物である。
本明細書において使用されているとおり、用語「ＳｉＯＣＮ」膜は、ケイ素、酸素、炭素、および窒素を各種比率で含有する膜を指す。一つの実施形態において、本発明は、およそ
（ｉ）ケイ素を３０から５０原子パーセンテージ；
（ｉｉ）窒素を５から３０原子パーセンテージ；
（ｉｉｉ）炭素を２から２５原子パーセンテージ；および
（ｉｖ）酸素を２０から４０原子パーセンテージ
有する膜を提供する。
（ｉ）ケイ素を３０から５０原子パーセンテージ；
（ｉｉ）窒素を５から３０原子パーセンテージ；
（ｉｉｉ）炭素を２から２５原子パーセンテージ；および
（ｉｖ）酸素を２０から４０原子パーセンテージ
有する膜を提供する。
別の実施形態において、本発明は、およそ
（ｉ）ケイ素を２５から４５原子パーセンテージ；
（ｉｉ）窒素を１０から２５原子パーセンテージ；
（ｉｉｉ）炭素を５から２０原子パーセンテージ；および
（ｉｖ）酸素を２５から３５原子パーセンテージ
有する膜を提供する。
（ｉ）ケイ素を２５から４５原子パーセンテージ；
（ｉｉ）窒素を１０から２５原子パーセンテージ；
（ｉｉｉ）炭素を５から２０原子パーセンテージ；および
（ｉｖ）酸素を２５から３５原子パーセンテージ
有する膜を提供する。
特定の実施形態において、本発明のＳｉＯＣＮ膜は、窒素を約１５から約２０原子パーセンテージ有し、および他の実施形態において、炭素を約８から約１８原子パーセンテージ有する。
一般に、式（Ｉ）の化合物は、第一級または第二級アミンを有する、対応するハロジシロキサンの処理により調製することができる。
化合物は、あらゆる好適なＡＬＤ技術、およびパルスプラズマ方法により高純度のケイ素含有薄膜を形成するために採用され得る。このような蒸着方法は、約２００℃から約５５０℃の堆積温度を利用することにより、マイクロ電子デバイス上にケイ素含有膜を形成するために利用することができ、厚さが約２０オングストロームから約２００オングストロームである膜を形成することができる。
本発明の方法において、式（Ｉ）の化合物は、あらゆる好適な手法で、例えば、単一のウエハチャンバ内、または複数のウエハを含有する炉内で、所望のマイクロ電子デバイス基材と共に反応させてもよい。
あるいは、本発明の方法は、ＡＬＤ様の方法のように実施することもできる。本明細書中で用いられる用語「ＡＬＤまたはＡＬＤ様の」は、それぞれの反応物を単一のウエハＡＬＤ反応器、セミバッチＡＬＤ反応器、もしくはバッチ炉ＡＬＤ反応器等の反応器内に連続的に導入する方法、または、反応器の各種セクションに基材を移動または回転させることにより、そしてそれぞれのセクションが不活性ガスカーテンにより隔離されている、すなわち、空間的ＡＬＤ反応器またはロール・ツー・ロールＡＬＤ反応器で、それぞれの反応物が基材またはマイクロ電子デバイス表面に対して暴露される方法を指す。
一つの実施形態において、本発明は、プラズマ形態の還元性ガスと共に、式（Ｉ）の化合物を使用してＳｉＯＣＮ膜を堆積させるためのＰＥＡＬＤに関する。窒素プラズマは、式（Ｉ）の化合物および本明細書で教示されたとおりのプラズマ形態の還元性ガスを利用する間に、より高い窒素原子パーセンテージを有する膜の形成に有用であり得る。したがって、別の態様において、本発明は、反応ゾーンにおいてマイクロ電子デバイス表面上にＳｉＯＣＮ膜を蒸着させるための方法であって、以下から選択される反応物：
ａ．少なくとも１つの下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物；および
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガス
を前記反応ゾーン内に連続的に導入することを含む方法を提供する。
ａ．少なくとも１つの下記式
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガス
を前記反応ゾーン内に連続的に導入することを含む方法を提供する。
本明細書において使用されているとおり、用語「プラズマ形態の還元性ガス」は、Ｎ２、ヘリウムもしくはアルゴン等の不活性ガス単独、またはＨ２と組み合わせたその不活性ガスから形成されたプラズマと組み合わせて利用される、水素（Ｈ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）；メチルヒドラジン、ｔ－ブチルヒドラジン、１，１－ジメチルヒドラジン、および１，２－ジメチルヒドラジン等のＣ１－Ｃ４アルキルヒドラジンから選択されるガスからなるプラズマ形態の還元性ガスを意味する。例えば、アルゴン等の不活性ガスの連続的なフローが利用されると同時に無線周波数電磁場（Ｒｆ）電磁場が投入され、その後、水素の投入によりプラズマＨ２を供給する。通常、利用されるプラズマ出力は１３．６ＭＨｚで約５０から５００ワットに及ぶ。
同様に、酸化性ガスは、膜の酸素含有量を増加させ、かつ炭素含有量を低下させるために、膜の堆積の各種サイクルにおいて利用してもよい。好適な酸化性ガスは、Ｏ２、Ｏ２プラズマ、オゾン（Ｏ３）、水（Ｈ２Ｏ）、および亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含む。酸化性ガスパルスを利用する実施形態は、他のパルスシーケンスでの還元性ガスの使用と共に、順次使用してもよい。
特定の実施形態において、上記で表された反応物（すなわち、式（Ｉ）の化合物およびプラズマ形態の還元性ガス）のパルス時間（すなわち、基材に対する暴露時間）は、約１から１０秒の間に及ぶ。パージ工程が利用される際、時間は約１から１０秒または２から５秒である。他の実施形態において、それぞれの反応物のパルス時間は約２から約５秒に及ぶ。
本明細書に開示された方法は、１つまたは複数のパージガスを要する。未消費の反応物および／または反応副生成物を一掃するために使用されるパージガスは、前駆体と反応しない不活性ガスである。例示的なパージガスには、これらに限定されないが、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、水素、およびそれらの混合物が挙げられる。特定の実施形態において、Ａｒ等のパージガスは、反応器内に約１０から約２０００ｓｃｃｍに及ぶ流量で約０．１から１０００秒間供給され、未反応の材料および反応器内に残存し得るあらゆる副生成物をパージする。
式（Ｉ）の化合物、プラズマ形態の還元性ガス、および／または他の前駆体、ソースガス、および／または試薬を供給するそれぞれの工程は、それらを供給するシーケンスを変更する、および／または結果的に得られる誘電性膜の化学量論的組成を変化させることにより実施してもよい。
本発明の方法において、エネルギーは、反応を誘導し、かつマイクロ電子デバイス基材上にＳｉＯＣＮ膜を形成するために各種反応物に対して与えられる。エネルギーは、これらに限定されないが、熱、パルス熱、プラズマ、パルスプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合型プラズマ、リモートプラズマ方法、およびそれらの組み合わせにより提供されてもよい。特定の実施形態において、第二のＲＦ周波数源は、基材表面におけるプラズマ特性を変更するために使用してもよい。堆積がプラズマを要する実施形態において、プラズマ生成方法は、プラズマが反応器内で直接的に生成されるダイレクトプラズマ生成方法、または代替的に、プラズマが反応ゾーンの「遠隔で」生成され、かつ基材が反応器内に供給されているリモートプラズマ生成方法を含んでいてもよい。
本明細書において使用されているとおり、用語「マイクロ電子デバイス」は、メモリセルが複数の層（３Ｄ ＮＡＮＤ）構造内で垂直方向に積層された１つの不揮発性フラッシュメモリ、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子、集積回路、またはコンピューターチップ用途の使用のために製造される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を含む半導体基材に相当する。用語「マイクロ電子デバイス」は、いかなる方法によっても限定することを意図するものではないが、ｎ型金属酸化物半導体（ｎＭＯＳ）および／またはｐ型金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）トランジスタを含み、最終的にマイクロ電子デバイスまたはマイクロ電子部品になり得るあらゆる基材を含むものであると理解すべきである。そのようなマイクロ電子デバイスは、例えば、ケイ素、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化ケイ素、水素化された炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化された窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化された炭窒化ケイ素、窒化ホウ素、反射防止被覆、フォトレジスト、ゲルマニウム、ゲルマニウム含有、ホウ素含有、Ｇａ／Ａｓ、柔軟な基材、多孔性無機材料、銅およびアルミニウム等の金属、ならびに、これらに限定されないが、ＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ、またはＷＮ等の拡散バリア層から選択され得る少なくとも１つの基材を含有する。膜は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）および異方性エッチング方法等の様々な後続の加工工程と適合性がある。
これらの膜はウェットエッチング剤およびＯ２プラズマに対する低いエッチング耐性を提供する。Ｏ２プラズマアッシング方法は、３４０℃および３Ｔｏｒｒ圧で５００ｓｃｃｍＯ２フローならびに１００、２５０および４００Ｗのプラズマ出力で１分間実施された。この点に関し、図３を参照すると、本発明は、別の態様において、２５０ワットの酸素プラズマに６０秒間暴露された際に、窒化ケイ素基準試料上にわずか約２．５オングストロームのアッシングダメージ差を発現するＳｉＯＣＮ膜を提供する。
上述のとおり、特定の実施形態において、本発明のＳｉＯＣＮ膜は、窒素を約１５から約２５原子パーセンテージ、および炭素を約１６原子パーセンテージ有する。本発明の方法を利用することにより、誘電率（ｋ）が約５未満であるそのようなＳｉＯＣＮ膜を調製することができる。
一般に、このように調製されたＳｉＯＣＮ膜の所望の厚さは約２０Åから約２００Åである。
式（Ｉ）前駆体間の相互作用を介した、窒素を用いたｋの低いＳｉＣＯ膜のドーピング、および後続のＨ２プラズマを用いた反応は、結果的に得られるＳｉＯＣＮ膜のウェットエッチング耐性およびＯ２プラズマアッシング耐性を劇的に改善する。
本発明の方法において、式（Ｉ）前駆体の流量は、ＰＥＡＬＤ１サイクルあたり約１０から５０ｍｇであってもよい。
別の態様において、本発明は、下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物を提供する。
そのような化合物は、ケイ素含有膜の堆積における前駆体として有用である。一つの実施形態において、各Ｒ１がエチルであり、各Ｒ２がメチルであり、および各Ｒ３がエチルである。別の実施形態において、各Ｒ１がイソプロピルであり、各Ｒ３が水素であり、および各Ｒ２がメチルである。
本発明は、本発明の特定の実施形態の以下の実施例によってさらに説明することができるが、これらの実施例は単に説明のために含まれるものであり、特に指示しない限り、本発明の範囲を限定することを意図するものではないと理解されるであろう。
実施例１
単一の前駆体としてビス（ジエチルアミノ）テトラメチルジシロキサンを使用した堆積
単一の前駆体としてビス（ジエチルアミノ）テトラメチルジシロキサンを使用した堆積
ＰＥＡＬＤのＳｉＣＯＮ堆積は、３００℃のサセプタ温度、１７０℃のシャワーヘッド温度、３Ｔｏｒｒのチャンバ圧力、および５００ｓｃｃｍの周囲の不活性ガスフローでＰＥＡＬＤシステムを使用して実施された。堆積中のクーポン温度はおおよそ２６５℃であった。
Ｈ２プラズマは、シャワーヘッドとサセプタ／ウエハとの間にプラズマを発生させるダイレクトプラズマシステムを使用して発生させた。プラズマ出力は２５０Ｗで固定され、プラズマパルス時間は５秒で固定された。
ＳｉＯＣＮのＰＥＡＬＤのパルススキームは、下記から構成された：
１． ２秒間の［ビス（ジエチルアミノ）テトラメチルジシロキサン］前駆体パルス
２． ５秒間の不活性ガスパージ
３． ５秒間のＨ２プラズマパルス
４． ５秒間の不活性ガスパージ
１． ２秒間の［ビス（ジエチルアミノ）テトラメチルジシロキサン］前駆体パルス
２． ５秒間の不活性ガスパージ
３． ５秒間のＨ２プラズマパルス
４． ５秒間の不活性ガスパージ
実施例２
１，３－ビス（ジエチルアミド）テトラメチルジシロキサンの合成
１，３－ビス（ジエチルアミド）テトラメチルジシロキサンの合成
機械撹拌機、熱電対、ガス／真空入口アダプター、およびチューブ入口を有するコンデンサーを備えた４つ口５Ｌ丸底フラスコに、４００ｍＬのジエチルアミン（３．８７モル、４．４当量）および３Ｌの無水ジエチルエーテルを加えた。ガス／真空入口弁を有する１Ｌフラスコに、６００ｍＬ無水ヘキサン中の１，３－ジクロロテトラメチルジシロキサンを１７３ｍＬ（０．８８５モル、１．０当量）充填した。両方のフラスコをブライン浴中で約－５℃まで冷却した後、ＰＴＦＥチューブと接続した。内部温度が０℃未満で保持されるように、撹拌されたアミン溶液に、１，３－ジクロロテトラメチルジシロキサン溶液を一部分ずつ加えた。追加が完了した際に、反応物を常温まで徐々に温め、４８時間撹拌した。ジエチルアミン塩酸塩を大量に含有していた反応混合物を不活性雰囲気下で５Ｌフラスコ内にろ過し、２×１．５Ｌアリコートの無水ジエチルエーテルで塩を洗浄した。真空中で濾液から溶媒を除去し、結果的に得られた透明な黄色油状物（２３０．７ｇ）を短経路蒸留ヘッド内で１００ｍｔｏｒｒ圧で蒸留し、１５６．５ｇの生成物（収率６４％、純度＞９８％）を得た。1H NMR (d6-ベンゼン): d 2.85 (q, 2H), 1.09 (t, 3H), 0.19 (s, 2H). 13C NMR (d6-ベンゼン): d 40.5, 16.7, 0.7. 29Si NMR (d6-ベンゼン) -13.4
実施例３
１，３－ビス（イソプロピルアミド）テトラメチルジシロキサンの合成
１，３－ビス（イソプロピルアミド）テトラメチルジシロキサンの合成
機械撹拌機、熱電対、ガス／真空入口アダプター、およびチューブ入口を有するコンデンサーを備えた４つ口５Ｌ丸底フラスコに、イソプロピルアミン（４．４当量）および３Ｌの無水ジエチルエーテルを加えた。ガス／真空入口弁を有する１Ｌフラスコに、６００ｍＬ無水ヘキサン中の１，３－ジクロロテトラメチルジシロキサンを１７３ｍＬ（０．８８５モル、１．０当量）充填した。両方のフラスコをブライン浴中で約－５℃まで冷却した後、ＰＴＦＥチューブと接続した。内部温度が０℃未満で保持されるように、撹拌されたアミン溶液に、１，３－ジクロロテトラメチルジシロキサン溶液を一部分ずつ加えた。追加が完了した際に、反応物を常温まで徐々に温め、４８時間撹拌した。イソプロピルアミン塩酸塩を大量に含有していた反応混合物を不活性雰囲気下で５Ｌフラスコ内にろ過し、２×１．５Ｌアリコートの無水ジエチルエーテルで塩を洗浄した。真空中で濾液から溶媒を除去し、結果的に透明な黄色油状物が得られた。この油状物を後続の真空蒸留により精製した。
このように、本開示のいくつかの例示的な実施形態について説明してきたが、当業者であれば、本明細書に添付した特許請求の範囲の範囲内で、さらに他の実施形態を作成し、使用できることを容易に理解するであろう。本明細書により包含される本開示の多数の利点が、前述の説明において明記されている。しかしながら、本開示は、多くの点で、例示に過ぎないことが理解されるであろう。当然ながら、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲が表現される言語で定義される。
Claims (17)
- マイクロ電子デバイス表面上へのシリコン酸炭窒化物膜の蒸着のための方法であって、
ａ．少なくとも１つの下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物；および
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガスまたは酸化性ガス
から選択される反応物を反応ゾーン内に導入することを含む、方法。 - 各Ｒ１がエチルである、請求項１に記載の方法。
- 各Ｒ２がメチルである、請求項１に記載の方法。
- 還元性ガスが、水素、ヒドラジン；メチルヒドラジン、ｔ－ブチルヒドラジン、１，１－ジメチルヒドラジン、および１，２－ジメチルヒドラジンから選択される、請求項１に記載の方法。
- 還元性ガスが水素である、請求項４に記載の方法。
- 酸化性ガスが、酸素、酸素プラズマ、オゾン、水、および亜酸化窒素から選択される、請求項１に記載の方法。
- 所望の厚さの膜が得られるまで、ａ．およびｂ．を繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
- マイクロ電子デバイス表面上へのシリコン酸炭窒化物膜の蒸着のための方法であって、
ａ．少なくとも１つの下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物；および
ｂ．膜を次の反応物に暴露させる前のそれぞれの反応物とパージさせたプラズマ形態の還元性ガス
から選択される反応物を反応ゾーン内に導入することを含む、方法。 - 各Ｒ１がエチルである、請求項８に記載の方法。
- 各Ｒ２がメチルである、請求項８に記載の方法。
- 還元性ガスが、水素、ヒドラジン；メチルヒドラジン、ｔ－ブチルヒドラジン、１，１－ジメチルヒドラジン、および１，２－ジメチルヒドラジンから選択される、請求項７に記載の方法。
- 還元性ガスが水素である、請求項１１に記載の方法。
- 所望の厚さの膜が得られるまで、ａ．およびｂ．を繰り返すことをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
- 請求項１３に記載の方法により形成されたシリコン酸炭窒化物膜が、２５０ワットでの酸素プラズマに６０秒間暴露された際に、窒化ケイ素基準サンプル上に、最少で約２．５オングストロームのアッシングダメージ差を発現する、請求項１３に記載の方法。
- 下記式
［式中、各Ｒ１が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され、各Ｒ２が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから独立して選択され；ならびに各Ｒ３が水素およびＣ１－Ｃ４アルキルから選択され、但しＲ３が水素である場合、Ｒ１はＣ１－Ｃ４アルキルである］の化合物。
- 各Ｒ１がエチルであり、各Ｒ２がメチルであり、および各Ｒ３がエチルである、請求項１５に記載の化合物。
- 各Ｒ１がイソプロピルであり、各Ｒ３が水素であり、および各Ｒ２がメチルである、請求項１５に記載の化合物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163141824P | 2021-01-26 | 2021-01-26 | |
| US63/141,824 | 2021-01-26 | ||
| PCT/US2022/012995 WO2022164698A1 (en) | 2021-01-26 | 2022-01-19 | High throughput deposition process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024505193A true JP2024505193A (ja) | 2024-02-05 |
Family
ID=82496010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023544522A Pending JP2024505193A (ja) | 2021-01-26 | 2022-01-19 | 高スループット堆積方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220238330A1 (ja) |
| EP (1) | EP4284959A1 (ja) |
| JP (1) | JP2024505193A (ja) |
| KR (1) | KR20230132571A (ja) |
| CN (1) | CN116848288A (ja) |
| TW (1) | TW202240004A (ja) |
| WO (1) | WO2022164698A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7439191B2 (en) * | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7579496B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-08-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same |
| US7064224B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-06-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organometallic complexes and their use as precursors to deposit metal films |
| US10453675B2 (en) * | 2013-09-20 | 2019-10-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US10703915B2 (en) * | 2016-09-19 | 2020-07-07 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
-
2022
- 2022-01-19 JP JP2023544522A patent/JP2024505193A/ja active Pending
- 2022-01-19 WO PCT/US2022/012995 patent/WO2022164698A1/en active Application Filing
- 2022-01-19 EP EP22746411.2A patent/EP4284959A1/en active Pending
- 2022-01-19 US US17/579,487 patent/US20220238330A1/en active Pending
- 2022-01-19 CN CN202280014577.0A patent/CN116848288A/zh active Pending
- 2022-01-19 KR KR1020237028416A patent/KR20230132571A/ko active Search and Examination
- 2022-01-25 TW TW111103081A patent/TW202240004A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230132571A (ko) | 2023-09-15 |
| US20220238330A1 (en) | 2022-07-28 |
| EP4284959A1 (en) | 2023-12-06 |
| CN116848288A (zh) | 2023-10-03 |
| WO2022164698A1 (en) | 2022-08-04 |
| TW202240004A (zh) | 2022-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231005 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231005 |