JP2024166314A - Ｉｒ信号透過領域を組み込んだデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】ＩＲ信号透過領域を組み込んだデバイスの提供。
【解決手段】半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層を備える、半導体デバイス。少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造は、可視スペクトル及びＵＶスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする。
【選択図】図１
【解決手段】半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層を備える、半導体デバイス。少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造は、可視スペクトル及びＵＶスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする。
【選択図】図１
Description
（関連出願）
本出願は、米国特許仮出願第６３／０８１，７０７号（２０２０年９月２２日出ｇｇ
願）、同第６３／１０７，３９３号（２０２０年１０月２９日出願）、同第６３／１２２
，４２１号（２０２０年１２月７日出願）、同第６３／１４１，８５７号（２０２１年１
月２６日出願）、同第６３／１５３，８３４号（２０２１年２月２５日出願）、同第６３
／１５８，１８５号（２０２１年３月８日出願）、同第６３／１６３，４５３号（２０２
１年３月１９日出願）、及び同第６３／１８１，１００号（２０２１年４月２８日出願）
に対する優先権の利益を主張し、これらの仮出願の各々の内容は、その全体が参照により
本明細書中に援用される。
本出願は、米国特許仮出願第６３／０８１，７０７号（２０２０年９月２２日出ｇｇ
願）、同第６３／１０７，３９３号（２０２０年１０月２９日出願）、同第６３／１２２
，４２１号（２０２０年１２月７日出願）、同第６３／１４１，８５７号（２０２１年１
月２６日出願）、同第６３／１５３，８３４号（２０２１年２月２５日出願）、同第６３
／１５８，１８５号（２０２１年３月８日出願）、同第６３／１６３，４５３号（２０２
１年３月１９日出願）、及び同第６３／１８１，１００号（２０２１年４月２８日出願）
に対する優先権の利益を主張し、これらの仮出願の各々の内容は、その全体が参照により
本明細書中に援用される。
（発明の分野）
本開示は、積層半導体デバイスに関し、特に、半導体層によって分離された第１及び
第２の電極を有し、かつ上に堆積された導電性堆積材料を有し、核形成阻害コーティング
（nucleation-inhibitingcoating、ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作
用し得、かつ／又はＮＩＣ及び／若しくはそのようなＮＩＣであり得るパターン化コーテ
ィングを使用してパターン化された、光電子デバイスに関する。
本開示は、積層半導体デバイスに関し、特に、半導体層によって分離された第１及び
第２の電極を有し、かつ上に堆積された導電性堆積材料を有し、核形成阻害コーティング
（nucleation-inhibitingcoating、ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作
用し得、かつ／又はＮＩＣ及び／若しくはそのようなＮＩＣであり得るパターン化コーテ
ィングを使用してパターン化された、光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（organiclight emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバ
イスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配
置されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、少なくとも１つの半
導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成する。一対の正孔及
び電子が結合するとき、光子が放出され得る。
イスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配
置されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、少なくとも１つの半
導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成する。一対の正孔及
び電子が結合するとき、光子が放出され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、これら
の各々は、関連する一対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層及びコーティング
は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
の各々は、関連する一対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層及びコーティング
は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、導電性コーティングの少なくとも
１つの薄膜を選択的に堆積させて、それに電気的に結合された電極及び／又は導電性要素
などであるがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することによって、パネルの各（
サブ）ピクセルに対して、その側面及び断面のいずれか又は両方にわたって、あるパター
ンで導電性及び／又は電極コーティングを提供することを目的とする場合がある。
１つの薄膜を選択的に堆積させて、それに電気的に結合された電極及び／又は導電性要素
などであるがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することによって、パネルの各（
サブ）ピクセルに対して、その側面及び断面のいずれか又は両方にわたって、あるパター
ンで導電性及び／又は電極コーティングを提供することを目的とする場合がある。
いくつかの用途では、デバイスを実質的に透明にする一方で、依然として、デバイス
から光を放出することができるようにすることを目的とする場合がある。いくつかの用途
では、デバイスは、複数の光放出領域又はサブピクセル間に配列された複数の光透過領域
を備える。光放出領域は、概して、そのような領域を通る外部光の透過を減衰又は抑制す
る層、コーティング、及び／又は構成要素を含むため、光透過領域は、概して、ディスプ
レイパネルの非放出領域に提供されており、外部光の透過を減衰又は抑制するそのような
層、コーティング、及び／又は構成要素の存在は、そこから省略され得る。
から光を放出することができるようにすることを目的とする場合がある。いくつかの用途
では、デバイスは、複数の光放出領域又はサブピクセル間に配列された複数の光透過領域
を備える。光放出領域は、概して、そのような領域を通る外部光の透過を減衰又は抑制す
る層、コーティング、及び／又は構成要素を含むため、光透過領域は、概して、ディスプ
レイパネルの非放出領域に提供されており、外部光の透過を減衰又は抑制するそのような
層、コーティング、及び／又は構成要素の存在は、そこから省略され得る。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途では、電極及び／若しくは
それと電気的に結合された導電性要素、並びに／又はＥＭ放射線吸収層を含む堆積材料の
堆積中にファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）を介在させることを伴う。
しかしながら、そのような堆積材料は、典型的には、比較的に高い蒸発温度を有し、これ
は、ＦＭＭを再使用する能力及び／又は達成され得るパターンの正確さに影響を及ぼし、
付随して、コスト、労力、及び複雑さが増加する。
それと電気的に結合された導電性要素、並びに／又はＥＭ放射線吸収層を含む堆積材料の
堆積中にファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）を介在させることを伴う。
しかしながら、そのような堆積材料は、典型的には、比較的に高い蒸発温度を有し、これ
は、ＦＭＭを再使用する能力及び／又は達成され得るパターンの正確さに影響を及ぼし、
付随して、コスト、労力、及び複雑さが増加する。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積させ、
その後、パターンを形成するために、レーザ穿孔プロセスによることを含めて、電極材料
の不要な領域を除去することを伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、製造
プロセスの収率に影響を及ぼし得る、デブリの作成及び／又は存在を伴う。
その後、パターンを形成するために、レーザ穿孔プロセスによることを含めて、電極材料
の不要な領域を除去することを伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、製造
プロセスの収率に影響を及ぼし得る、デブリの作成及び／又は存在を伴う。
更に、そのような方法は、いくつかの用途において使用するため、及び／又はある特
定の地形的特徴を含むいくつかのデバイスとともに使用するために適していない場合があ
る。
定の地形的特徴を含むいくつかのデバイスとともに使用するために適していない場合があ
る。
いくつかの非限定的な用途では、堆積材料の選択的堆積を提供することを含むがこれ
に限定されないことによって、電磁（electromagnetic、ＥＭ）スペクトルの少なくとも
波長部分範囲においてデバイスの少なくとも一部を通る光路に沿って改善されたメカニズ
ムを提供するように、光子の透過を増加させ、かつ／又は光子の吸収を低減させることを
目的とする場合がある。
に限定されないことによって、電磁（electromagnetic、ＥＭ）スペクトルの少なくとも
波長部分範囲においてデバイスの少なくとも一部を通る光路に沿って改善されたメカニズ
ムを提供するように、光子の透過を増加させ、かつ／又は光子の吸収を低減させることを
目的とする場合がある。
いくつかの非限定的な用途では、光学特性、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命
に関して、デバイスの性能に影響を及ぼし得る、光電子デバイス内に金属ＮＰの薄い分散
層を堆積させるためのメカニズムを提供することを目的とする場合がある。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
半導体デバイスであって、基板上に堆積され、前記半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、
第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、
前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の前記少なくとも１つの粒子構造が、可視スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、赤外線（ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（ＮＩＲ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイス。
（項目２）
前記堆積材料が、金属である、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
前記堆積材料が、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含む、項目２に記載のデバイス。
（項目４）
前記堆積材料が、共堆積誘電体材料と共堆積される、項目１～３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目５）
前記少なくとも１つの粒子構造が、サイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の特徴を有する、項目１～４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目６）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有する、項目５に記載のデバイス。
（項目７）
前記少なくとも１つの粒子構造の大部分が、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有する、項目５又は６に記載のデバイス。
（項目８）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有する、項目５～７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの粒子構造が、シードを含み、前記シード周りで前記堆積材料が合体する傾向がある、項目１～８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１０）
第２の層表面上に配置されたパターン化コーティングを更に含み、
前記第１の層表面が、前記パターン化コーティングの露出層表面であり、
前記パターン化コーティングの表面上の前記堆積材料の堆積に対する初期付着確率が、０．３及び前記第２の層表面上の前記堆積材料の堆積に対する前記初期付着確率のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さく、そのため、前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１）
前記パターン化コーティングが、少なくとも１つのパターン化材料を含む、項目１０に記載のデバイス。
（項目１２）
前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化材料と、前記堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料と、を含み、前記第１の初期付着確率が、前記第２の初期付着確率よりも実質的に小さい、項目１０又は１１に記載のデバイス。
（項目１３）
前記第１のパターン化材料が、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であり、前記第２のパターン化材料が、電子輸送層（ＥＴＬ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）のうちの少なくとも１つから選択される、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
前記層が、前記少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の部分内に延び、前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層が、前記第１の部分にわたって延び、前記デバイスが、前記層に対してある角度で、前記第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を通過させるように適合される、項目１～１３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１５）
前記少なくとも１つのＥＭ信号が、前記ＩＲスペクトル及び前記ＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部における波長範囲を有する、項目１４に記載のデバイス。
（項目１６）
前記第１の部分が、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１４又は１５に記載のデバイス。
（項目１７）
前記第１の部分が、信号透過領域の少なくとも一部に対応する、項目１４～１６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１８）
前記デバイスが、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、前記デバイスを通して前記少なくとも１つのＥＭ信号を受容するように適合されている、項目１４～１７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素が、
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された受信器、及び
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信器のうちの少なくとも１つを備える、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記受信器が、ＩＲ検出器であり、前記送信器が、ＩＲエミッタである、項目１９に記載のデバイス。
（項目２１）
前記送信器が、第１のＥＭ信号を放出し、前記受信器が、前記第１のＥＭ信号の反射である第２のＥＭ信号を検出する、項目１９又は２０に記載のデバイス。
（項目２２）
前記第１及び第２のＥＭ信号の前記交換が、ユーザの生体認証を提供する、項目２１に記載のデバイス。
（項目２３）
前記デバイスが、前記デバイスとともに前記アンダーディスプレイ構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成する、項目１８～２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２４）
前記第２の部分が、前記層に対してある角度で前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、項目１４～２３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２５）
前記デバイスの層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備え、
各放出領域が、第１の電極及び第２の電極を備え、
前記第１の電極が、前記基板と前記少なくとも１つの半導体層との間に配置され、
前記少なくとも１つの半導体層が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される、項目２４に記載のデバイス。
（項目２６）
前記第２の部分における前記デバイスの露出層表面上に配置された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に含む、項目２５に記載のデバイス。
（項目２７）
前記第２の電極が、前記堆積材料の前記少なくとも１つの閉じたコーティングを備える、項目２６に記載のデバイス。
に関して、デバイスの性能に影響を及ぼし得る、光電子デバイス内に金属ＮＰの薄い分散
層を堆積させるためのメカニズムを提供することを目的とする場合がある。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
半導体デバイスであって、基板上に堆積され、前記半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、
第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、
前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の前記少なくとも１つの粒子構造が、可視スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、赤外線（ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（ＮＩＲ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイス。
（項目２）
前記堆積材料が、金属である、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
前記堆積材料が、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含む、項目２に記載のデバイス。
（項目４）
前記堆積材料が、共堆積誘電体材料と共堆積される、項目１～３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目５）
前記少なくとも１つの粒子構造が、サイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の特徴を有する、項目１～４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目６）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有する、項目５に記載のデバイス。
（項目７）
前記少なくとも１つの粒子構造の大部分が、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有する、項目５又は６に記載のデバイス。
（項目８）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有する、項目５～７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの粒子構造が、シードを含み、前記シード周りで前記堆積材料が合体する傾向がある、項目１～８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１０）
第２の層表面上に配置されたパターン化コーティングを更に含み、
前記第１の層表面が、前記パターン化コーティングの露出層表面であり、
前記パターン化コーティングの表面上の前記堆積材料の堆積に対する初期付着確率が、０．３及び前記第２の層表面上の前記堆積材料の堆積に対する前記初期付着確率のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さく、そのため、前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１）
前記パターン化コーティングが、少なくとも１つのパターン化材料を含む、項目１０に記載のデバイス。
（項目１２）
前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化材料と、前記堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料と、を含み、前記第１の初期付着確率が、前記第２の初期付着確率よりも実質的に小さい、項目１０又は１１に記載のデバイス。
（項目１３）
前記第１のパターン化材料が、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であり、前記第２のパターン化材料が、電子輸送層（ＥＴＬ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）のうちの少なくとも１つから選択される、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
前記層が、前記少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の部分内に延び、前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層が、前記第１の部分にわたって延び、前記デバイスが、前記層に対してある角度で、前記第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を通過させるように適合される、項目１～１３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１５）
前記少なくとも１つのＥＭ信号が、前記ＩＲスペクトル及び前記ＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部における波長範囲を有する、項目１４に記載のデバイス。
（項目１６）
前記第１の部分が、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１４又は１５に記載のデバイス。
（項目１７）
前記第１の部分が、信号透過領域の少なくとも一部に対応する、項目１４～１６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１８）
前記デバイスが、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、前記デバイスを通して前記少なくとも１つのＥＭ信号を受容するように適合されている、項目１４～１７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素が、
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された受信器、及び
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信器のうちの少なくとも１つを備える、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記受信器が、ＩＲ検出器であり、前記送信器が、ＩＲエミッタである、項目１９に記載のデバイス。
（項目２１）
前記送信器が、第１のＥＭ信号を放出し、前記受信器が、前記第１のＥＭ信号の反射である第２のＥＭ信号を検出する、項目１９又は２０に記載のデバイス。
（項目２２）
前記第１及び第２のＥＭ信号の前記交換が、ユーザの生体認証を提供する、項目２１に記載のデバイス。
（項目２３）
前記デバイスが、前記デバイスとともに前記アンダーディスプレイ構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成する、項目１８～２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２４）
前記第２の部分が、前記層に対してある角度で前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、項目１４～２３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２５）
前記デバイスの層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備え、
各放出領域が、第１の電極及び第２の電極を備え、
前記第１の電極が、前記基板と前記少なくとも１つの半導体層との間に配置され、
前記少なくとも１つの半導体層が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される、項目２４に記載のデバイス。
（項目２６）
前記第２の部分における前記デバイスの露出層表面上に配置された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に含む、項目２５に記載のデバイス。
（項目２７）
前記第２の電極が、前記堆積材料の前記少なくとも１つの閉じたコーティングを備える、項目２６に記載のデバイス。
ここで、本開示の例は、以下の図面を参照することによって説明され、異なる図面に
おける同一の参照番号は、同一の要素及び／又はいくつかの非限定的な例において、類似
の要素及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、ＥＭ放射線吸収層を含むデバイスの露出層表面上に粒子構造の不連続層を含む、複数の層を側面に有する例示的なデバイスの断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、示される追加の任意選択の層を有する図１のデバイスのバージョンを示す簡略ブロック図である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ａ～図３Ｅの顕微鏡写真の分析に基づく様々な波長での透過率のチャートである。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｇ～図３Ｊの顕微鏡写真の分析に基づく様々な波長での透過率のチャートである。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の一例による粒子構造を形成するための複数のシードの堆積に続くパターン化コーティングの堆積によって形成された図１のデバイスの放出領域に近接する図１のＥＭ放射線吸収層を示す概略図である。
本開示の一例による、複数のシードの堆積の前にパターン化コーティングの堆積によって形成された図４ＡのＥＭ放射線吸収層のバージョンを示す概略図である。
本開示の一例による、内部に少なくとも１つの開口を備える複数の層を有するディスプレイパネルを有する例示的なユーザデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、ユーザの生体認証のためにＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおいてＥＭ放射線を交換するために、少なくとも１つの開口が少なくとも１つの信号透過領域によって具現化される、図５のユーザデバイスの使用を示す概略図である。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｂに示されるデバイスの線６Ｃ－６Ｃに沿った断面図を示す。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｄに示されるデバイスの線６Ｅ－６Ｅに沿った断面図を示す。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｆに示されるデバイスの線６Ｇ－６Ｇに沿った断面図を示す。
本開示の一例によるパネルの一部の拡大平面図を示す。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図９Ａ及び図９Ｂの顕微鏡写真の分析に基づく平均直径のチャートである。
本開示の一例による、側面の第１の部分におけるパターン化コーティングの選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料の閉じたコーティングの堆積によって形成される、側面における複数の層を有する例示的なデバイスの断面からの簡略化されたブロック図である。
本開示の一例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける下層の露出層表面上に、あるパターンでパターン化コーティングを堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
パターン化コーティングが核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）である、図１０のパターン化コーティングの堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料を堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
図１０のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
図１３Ａのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
図１３Ｃのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
図１２のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
図１２のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示の一例による例示的なエレクトロルミネセントデバイスの断面からのブロック図である。
図１５のデバイスの断面図である。
本開示の一例による、図１８のデバイスのバージョンで使用するのに適した例示的なパターン化電極を平面で示す概略図である。
線１８－１８に沿った、図１８のデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、図１５のデバイスの例示的なバージョンで使用するのに適した電極の複数の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
線１９Ｂ－１９Ｂに沿った、図１９Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を示す概略図である。
線１９Ｃ－１９Ｃに沿った、図１９Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による例示的なパターン化された補助電極を有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの放出領域及び少なくとも１つの非放出領域を覆う補助電極の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放出領域の複数のグループを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
線２２Ｃ－２２Ｃに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な光透過領域を含む、図１５のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
線２７Ｂ－２７Ｂに沿った、図２７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な光透過領域を含む、図１５のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
線２８－２８に沿った、図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
線２８－２８に沿った、図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンを製造するための例示的なプロセスの例示的な段階を示し得る概略図である。
本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合されている、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、図１５のデバイスの例示的なバージョンであって、仕切りと、デバイスの非放出領域に凹部などの遮蔽領域とを有す、例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の様々な例による、仕切りと、非放出領域内の開口などの遮蔽領域とを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の様々な例による、仕切りと、非放出領域内の開口などの遮蔽領域とを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
３３Ａ～３３Ｃは、本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１５のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。
本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を示す例示的なエネルギープロファイルである。
本開示の一例による膜核の形成を示す概略図である。
おける同一の参照番号は、同一の要素及び／又はいくつかの非限定的な例において、類似
の要素及び／又は対応する要素を示す。
本開示では、少なくとも１つの数値（下付き文字を含むが、これに限定されない）及
び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を含むが、これに限定されない）が添付さ
れた参照番号は、参照番号によって説明される要素又は特徴の特定の事例及び／又はその
サブセットを指すと考えられ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照
することは、文脈が示すように、概して、参照番号によって説明される要素若しくは特徴
、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。同様に、参照番
号は数字の代わりに文字「ｘ」を有してもよい。そのような参照番号を参照することは、
文脈が示すように、概して、文字「ｘ」が数字に置き換えられた参照番号によって説明さ
れる要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る
。
び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を含むが、これに限定されない）が添付さ
れた参照番号は、参照番号によって説明される要素又は特徴の特定の事例及び／又はその
サブセットを指すと考えられ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照
することは、文脈が示すように、概して、参照番号によって説明される要素若しくは特徴
、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。同様に、参照番
号は数字の代わりに文字「ｘ」を有してもよい。そのような参照番号を参照することは、
文脈が示すように、概して、文字「ｘ」が数字に置き換えられた参照番号によって説明さ
れる要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る
。
本開示では、限定ではなく説明の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース
、及び／又は技法を含むがこれらに限定されない特定の詳細が、本開示の完全な理解を提
供するために記載される。いくつかの事例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバ
イス、回路、方法、及び用途の詳細な説明は、不必要な詳細によって本開示の説明を不明
瞭にしないように省略される。
、及び／又は技法を含むがこれらに限定されない特定の詳細が、本開示の完全な理解を提
供するために記載される。いくつかの事例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバ
イス、回路、方法、及び用途の詳細な説明は、不必要な詳細によって本開示の説明を不明
瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する例示的な構成
要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者
に容易に明らかになる詳細で本開示を不明瞭にしないように、本開示の例を理解すること
に関係するそれらの特定の詳細のみを示す図面において、適切な場合に従来の記号によっ
て表されている。
に容易に明らかになる詳細で本開示を不明瞭にしないように、本開示の例を理解すること
に関係するそれらの特定の詳細のみを示す図面において、適切な場合に従来の記号によっ
て表されている。
本明細書で提供される任意の図面は、縮尺どおりに描かれていないことがあり、いか
なる方法でも本開示を限定するものとみなされないことがある。
なる方法でも本開示を限定するものとみなされないことがある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は行為は、いくつかの例では、任意選択とみなさ
れる場合がある。
れる場合がある。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を排除又は軽減することである。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を排除又は軽減することである。
本開示は、半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイスの横軸によ
って画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有する、半導体デバイスを開示
する。デバイスは、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構
造の不連続層を含む少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層を備える。少なくとも１つのＥＭ
放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造は、可視光スペクトル及び紫外線（ultraviole
t、ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにお
けるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうち
の少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質
的に可能にする。
って画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有する、半導体デバイスを開示
する。デバイスは、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構
造の不連続層を含む少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層を備える。少なくとも１つのＥＭ
放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造は、可視光スペクトル及び紫外線（ultraviole
t、ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにお
けるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうち
の少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質
的に可能にする。
広範な態様によれば、半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイス
の横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、第１の層表面
上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１
つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも
１つの粒子構造が、可視光スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも
１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、
一方で、赤外線（infrared、ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（nearinfrared、ＮＩＲ）
スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおける
ＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイスが開示される。
の横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、第１の層表面
上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１
つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも
１つの粒子構造が、可視光スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも
１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、
一方で、赤外線（infrared、ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（nearinfrared、ＮＩＲ）
スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおける
ＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイスが開示される。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料は金属であり得る。いくつかの非限定的な例
では、堆積材料は、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含
み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、共堆積誘電体材料と共堆積され得る
。
では、堆積材料は、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含
み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、共堆積誘電体材料と共堆積され得る
。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子は、サイズ、サイズ分布、形状
、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の
特徴を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約１０～
５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２
０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有し得る。いくつかの
非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造の大部分は、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０
ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有し得る
。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約５～４０ｎｍ、５～３
０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ
、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平
均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有し得る。いくつかの非限定
的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、シードを含み得、シードの周りで堆積材料が
合体する傾向がある。
、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の
特徴を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約１０～
５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２
０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有し得る。いくつかの
非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造の大部分は、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０
ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有し得る
。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約５～４０ｎｍ、５～３
０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ
、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平
均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有し得る。いくつかの非限定
的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、シードを含み得、シードの周りで堆積材料が
合体する傾向がある。
いくつかの非限定的な例では、本デバイスは、第２の層表面上に配置されるパターン
化コーティングを更に備えてもよく、第１の層表面は、パターン化コーティングの露出層
表面であり、パターン化コーティングの表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率は
、０．３及び第２の層表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率のうちの少なくとも
１つよりも実質的に小さく、そのため、パターン化コーティングは、堆積材料の閉じたコ
ーティングを実質的に欠く。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、
少なくとも１つのパターン化材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化
コーティングは、堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化
材料と、堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料とを
含むことができ、第１の初期付着確率は、第２の初期付着確率よりも実質的に小さい。い
くつかの非限定的な例では、第１のパターン化材料は、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ
）材料であってもよく、第２のパターン化材料は、電子輸送層（transport layer、ＥＴ
Ｌ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（lithium fluoride、ＬｉＦ）のうちの少なくと
も１つから選択される。
化コーティングを更に備えてもよく、第１の層表面は、パターン化コーティングの露出層
表面であり、パターン化コーティングの表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率は
、０．３及び第２の層表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率のうちの少なくとも
１つよりも実質的に小さく、そのため、パターン化コーティングは、堆積材料の閉じたコ
ーティングを実質的に欠く。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、
少なくとも１つのパターン化材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化
コーティングは、堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化
材料と、堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料とを
含むことができ、第１の初期付着確率は、第２の初期付着確率よりも実質的に小さい。い
くつかの非限定的な例では、第１のパターン化材料は、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ
）材料であってもよく、第２のパターン化材料は、電子輸送層（transport layer、ＥＴ
Ｌ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（lithium fluoride、ＬｉＦ）のうちの少なくと
も１つから選択される。
いくつかの非限定的な例では、層は、少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の
部分に延びてもよく、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層は、第１の部分にわたって延び
、デバイスは、層に対してある角度で、第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を
通過させるように適合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号
は、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部にお
ける波長範囲を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、堆積材料の閉じ
たコーティングを実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は
、信号透過領域の少なくとも一部に対応し得る。
部分に延びてもよく、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層は、第１の部分にわたって延び
、デバイスは、層に対してある角度で、第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を
通過させるように適合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号
は、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部にお
ける波長範囲を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、堆積材料の閉じ
たコーティングを実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は
、信号透過領域の少なくとも一部に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ
構成要素との交換のために、デバイスを通して少なくとも１つのＥＭ信号を受容するよう
に適合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ
構成要素は、デバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された
受信器、及びデバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された
送信器のうちの少なくとも１つを備え得る。いくつかの非限定的な例では、受信器はＩＲ
検出器であってもよく、送信器はＩＲエミッタであってもよい。いくつかの非限定的な例
では、送信器は、第１のＥＭ信号を放出することができ、受信器は、第１のＥＭ信号の反
射である第２のＥＭ信号を検出することができる。いくつかの非限定的な例では、第１及
び第２のＥＭ信号の交換は、ユーザの生体認証を提供することができる。
構成要素との交換のために、デバイスを通して少なくとも１つのＥＭ信号を受容するよう
に適合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ
構成要素は、デバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された
受信器、及びデバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された
送信器のうちの少なくとも１つを備え得る。いくつかの非限定的な例では、受信器はＩＲ
検出器であってもよく、送信器はＩＲエミッタであってもよい。いくつかの非限定的な例
では、送信器は、第１のＥＭ信号を放出することができ、受信器は、第１のＥＭ信号の反
射である第２のＥＭ信号を検出することができる。いくつかの非限定的な例では、第１及
び第２のＥＭ信号の交換は、ユーザの生体認証を提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、デバイスとともにアンダーディスプレイ
構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成することができる。
構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、層に対してある角度で少なくとも１つ
のＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的
な例では、デバイスは、その層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備えても
よく、各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、第１の電極は、基板と少なくと
も１つの半導体層との間に配置され、少なくとも１つの半導体層は、第１の電極と第２の
電極との間に配置される。
のＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的
な例では、デバイスは、その層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備えても
よく、各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、第１の電極は、基板と少なくと
も１つの半導体層との間に配置され、少なくとも１つの半導体層は、第１の電極と第２の
電極との間に配置される。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第２の部分における露出層表面上に堆積
材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に備え得る。いくつかの非限定的な例で
は、第２の電極は、堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え得る。
材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に備え得る。いくつかの非限定的な例で
は、第２の電極は、堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え得る。
積層デバイス
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに
関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデ
バイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、光電子デバイスを
含む積層半導体デバイスは、限定はしないが、ユーザデバイスのディスプレイパネルを含
む面として機能し得る。
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに
関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデ
バイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、光電子デバイスを
含む積層半導体デバイスは、限定はしないが、ユーザデバイスのディスプレイパネルを含
む面として機能し得る。
当業者であれば、本開示は光電子デバイスを対象とするが、その原理は、複数の層を
有する任意のパネルに適用可能であってもよく、複数の層は、限定はしないが、薄膜とし
て含まれ、いくつかの非限定的な例では、電磁（ＥＭ）信号を、層のうちの少なくとも１
つの平面に対してある角度で全体的又は部分的に通過させることができる、導電性堆積材
料１２３１（図１２）の少なくとも１つの層を含むことを理解するであろう。
有する任意のパネルに適用可能であってもよく、複数の層は、限定はしないが、薄膜とし
て含まれ、いくつかの非限定的な例では、電磁（ＥＭ）信号を、層のうちの少なくとも１
つの平面に対してある角度で全体的又は部分的に通過させることができる、導電性堆積材
料１２３１（図１２）の少なくとも１つの層を含むことを理解するであろう。
ここで図１を参照すると、例示的な積層デバイス１００の断面図が示され得る。いく
つかの非限定的な例では、図１０により詳細に示すように、デバイス１００は、限定はし
ないが、第１の層１１０を含む、基板１０上に堆積された複数の層を備えることができる
。
つかの非限定的な例では、図１０により詳細に示すように、デバイス１００は、限定はし
ないが、第１の層１１０を含む、基板１０上に堆積された複数の層を備えることができる
。
Ｘ軸として識別される横軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸とともに示され得る
。Ｙ軸として識別される第２の横軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとし
て示され得る。横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画定してもよい
。本明細書におけるいくつかの図は、平面図で示され得る。そのような平面図では、それ
ぞれＸ軸及びＹ軸として識別され、いくつかの例では、実質的に相互に横断し得る、一対
の横軸が示される。これらの横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画
定し得る。
。Ｙ軸として識別される第２の横軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとし
て示され得る。横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画定してもよい
。本明細書におけるいくつかの図は、平面図で示され得る。そのような平面図では、それ
ぞれＸ軸及びＹ軸として識別され、いくつかの例では、実質的に相互に横断し得る、一対
の横軸が示される。これらの横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画
定し得る。
デバイス１００の層は、横軸によって画定される平面に実質的に平行な側面に延びて
もよい。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例で
は、説明のための抽象であり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では
、デバイス１００の横方向範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に
平面の層が存在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に
存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横方向ギャップ及び更に不連続性を含む）
によって分離された層を含む。
もよい。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例で
は、説明のための抽象であり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では
、デバイス１００の横方向範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に
平面の層が存在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に
存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横方向ギャップ及び更に不連続性を含む）
によって分離された層を含む。
したがって、例示目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的
に層化された構造として、断面で示されてもよいが、そのようなデバイスは、特徴を画定
するための多様なトポグラフィを局所的に示してもよく、その各々は、断面で説明される
層化されたプロファイルを実質的に示してもよい。
に層化された構造として、断面で示されてもよいが、そのようなデバイスは、特徴を画定
するための多様なトポグラフィを局所的に示してもよく、その各々は、断面で説明される
層化されたプロファイルを実質的に示してもよい。
ＥＭ放射線吸収
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanomete
r、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒
子構造１２１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に
対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を
含む）がある場合がある。
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanomete
r、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒
子構造１２１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に
対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を
含む）がある場合がある。
これらの特性は、複数のＮＰが、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体
デバイスの層に形成されるときに、その性能を改善するために利用され得る。
デバイスの層に形成されるときに、その性能を改善するために利用され得る。
ＮＰのそのような層をデバイスに導入するための現在のメカニズムは、いくつかの欠
点を有する。
点を有する。
第一に、典型的には、そのようなＮＰは、そのようなデバイスの最密充填層に形成さ
れ、かつ／又はマトリックス材料に分散される。その結果、そのようなＮＰ層の厚さは、
典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる可能性がある。そのよう
なＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイ
ス寿命に関して望ましくない特質を付与することがあり、それは、ＮＰの固有の特性によ
って提供される任意の認識される利点を低減するか、又は更には排除する可能性がある。
れ、かつ／又はマトリックス材料に分散される。その結果、そのようなＮＰ層の厚さは、
典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる可能性がある。そのよう
なＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイ
ス寿命に関して望ましくない特質を付与することがあり、それは、ＮＰの固有の特性によ
って提供される任意の認識される利点を低減するか、又は更には排除する可能性がある。
第二に、そのようなデバイスにおいて、かつそのようなデバイスで使用するために、
ＮＰを合成する技術は、種々のメカニズムを通して、大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及
び／又は硫黄（Ｓ）を導入する可能性がある。
ＮＰを合成する技術は、種々のメカニズムを通して、大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及
び／又は硫黄（Ｓ）を導入する可能性がある。
非限定的な例として、湿式化学法を使用して、典型的には、精密に制御された特徴的
なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度を有するＮＰをデ
バイスに導入することができる。しかしながら、そのような方法は、典型的には、ＮＰを
安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされた銀（Ａｇ）Ｎ
Ｐの合成など）を採用するが、そのような有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、
Ｏ、及び／又はＳを導入する。
なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度を有するＮＰをデ
バイスに導入することができる。しかしながら、そのような方法は、典型的には、ＮＰを
安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされた銀（Ａｇ）Ｎ
Ｐの合成など）を採用するが、そのような有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、
Ｏ、及び／又はＳを導入する。
また更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、堆積に使用される溶媒のために、典型的に
はＣ、Ｏ、及び／又はＳを含み得る。
はＣ、Ｏ、及び／又はＳを含み得る。
追加として、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物
質として導入されることがある。
質として導入されることがある。
しかしながら、導入されると、そのようなデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び
／又はＳの存在は、そのようなデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を低下
させる可能性がある。
／又はＳの存在は、そのようなデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を低下
させる可能性がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させるとき、採用される溶媒が乾燥するにつれて、Ｎ
Ｐ層は、ＮＰ層にわたって、かつ／又はそのような層の異なるパターン化された領域間で
、不均一な特性を有する傾向がある。いくつかの非限定的な例では、所与のＮＰ層の縁部
は、そのようなＮＰ層の内部領域よりもかなり厚く又は薄くなることがあり、その不一致
は、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼすことがある。
Ｐ層は、ＮＰ層にわたって、かつ／又はそのような層の異なるパターン化された領域間で
、不均一な特性を有する傾向がある。いくつかの非限定的な例では、所与のＮＰ層の縁部
は、そのようなＮＰ層の内部領域よりもかなり厚く又は薄くなることがあり、その不一致
は、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼすことがある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスを超えて、ＮＰを合成及び／又は堆積さ
せる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限
定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在するが、既存の方法は、それによって堆積
されるＮＰの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／
又は分散度の不十分な制御をもたらす傾向がある。非限定的な例として、従来のＰＶＤプ
ロセスでは、ＮＰは、それらのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向が
ある。結果として、従来のＰＶＤ法などの方法は、概して、表面被覆度が低い大きな分散
ＮＰのＮＰ層を形成するのにあまり適していない。むしろ、そのような従来の方法によっ
て付与される、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積
密度の不十分な制御により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が不十分に
なり得る。
せる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限
定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在するが、既存の方法は、それによって堆積
されるＮＰの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／
又は分散度の不十分な制御をもたらす傾向がある。非限定的な例として、従来のＰＶＤプ
ロセスでは、ＮＰは、それらのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向が
ある。結果として、従来のＰＶＤ法などの方法は、概して、表面被覆度が低い大きな分散
ＮＰのＮＰ層を形成するのにあまり適していない。むしろ、そのような従来の方法によっ
て付与される、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積
密度の不十分な制御により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が不十分に
なり得る。
ＥＭ放射線吸収コーティングは、ＥＭ放射線と金属との共鳴相互作用を研究する、ナ
ノフォトニクスの一分野であるプラズモニクスを利用する。当業者であれば、金属ＮＰは
、光学応答が、ナノ構造の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積
密度、及び／又は組成を変化させることによって調整され得る自由電子のＬＳＰ励起及び
／又はコヒーレント振動を示し得ることを理解するであろう。そのような光学応答は、Ｅ
Ｍ放射線吸収コーティングに関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み、それに
よってその反射を低減することができる。
ノフォトニクスの一分野であるプラズモニクスを利用する。当業者であれば、金属ＮＰは
、光学応答が、ナノ構造の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積
密度、及び／又は組成を変化させることによって調整され得る自由電子のＬＳＰ励起及び
／又はコヒーレント振動を示し得ることを理解するであろう。そのような光学応答は、Ｅ
Ｍ放射線吸収コーティングに関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み、それに
よってその反射を低減することができる。
再び図１を参照すると、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収（ＮＰ）層１
２０は、その上に入射するＥＭ放射線を吸収するために、又は付随して、デバイス１００
からの反射を低減するために、積層半導体デバイス１００の一部として採用され得る。
２０は、その上に入射するＥＭ放射線を吸収するために、又は付随して、デバイス１００
からの反射を低減するために、積層半導体デバイス１００の一部として採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、限定はしないが、第１の
層１１０などの、限定はしないが、下層を含む、露出層表面１１上に及び／又は露出層表
面１１を覆って堆積され得る。
層１１０などの、限定はしないが、下層を含む、露出層表面１１上に及び／又は露出層表
面１１を覆って堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、不連続層１３０として含
まれる別個の金属粒子構造１２１を堆積させることによって形成されてもよく、これは、
いくつかの非限定的な例では、所与の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、
構成、堆積密度、及び／又は組成のＮＰを含んでもよい。
まれる別個の金属粒子構造１２１を堆積させることによって形成されてもよく、これは、
いくつかの非限定的な例では、所与の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、
構成、堆積密度、及び／又は組成のＮＰを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０を構成する粒子構造１２１は
、別個の金属プラズモンアイランド又はクラスタであってもよく、かつ／又はそれらを含
んでもよい。
、別個の金属プラズモンアイランド又はクラスタであってもよく、かつ／又はそれらを含
んでもよい。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮して、モノマー及び／又は原子の可能
な積層及び／又はクラスタ化に起因して、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１の
実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔が、いくつかの
非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加として、Ｅ
Ｍ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１は、所与のプロファイルを有するものとして示
されているが、これは、例示的なものにすぎず、そのような粒子構造１２１の任意のサイ
ズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではないこ
とが意図されている。
な積層及び／又はクラスタ化に起因して、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１の
実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔が、いくつかの
非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加として、Ｅ
Ｍ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１は、所与のプロファイルを有するものとして示
されているが、これは、例示的なものにすぎず、そのような粒子構造１２１の任意のサイ
ズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではないこ
とが意図されている。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されな
いＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層
１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
いＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層
１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数のＥＭ放射線吸収層１２０が、追加の
層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペクト
ルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイ
スのある特定の領域の吸収は、１つ以上の吸収スペクトルに従って調整され得る。
層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペクト
ルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイ
スのある特定の領域の吸収は、１つ以上の吸収スペクトルに従って調整され得る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥ
Ｍ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの
非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によ
って放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
Ｍ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの
非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によ
って放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１は、限定はしないが、第１
の層１１０を含む下層の露出層表面１１上に、わずかな量の、いくつかの非限定的な例で
は、約数オングストローム又は数分の１オングストロームであり得る）平均層厚を有する
堆積材料１２３１を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では
、露出層表面１１は、核形成促進コーティング（nucleation-promoting coating、ＮＰＣ
）１４２０（図１４Ｃ）のものであってもよい。
の層１１０を含む下層の露出層表面１１上に、わずかな量の、いくつかの非限定的な例で
は、約数オングストローム又は数分の１オングストロームであり得る）平均層厚を有する
堆積材料１２３１を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では
、露出層表面１１は、核形成促進コーティング（nucleation-promoting coating、ＮＰＣ
）１４２０（図１４Ｃ）のものであってもよい。
シード
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１のサイズ
、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、適切な
位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階でテンプレート層内にＥＭ放射線吸収層１
２０の一部としてシード材料を堆積させることによって指定することができる。いくつか
の非限定的な例では、そのようなシード材料は、堆積材料１２３１が各シード１２２の周
囲で合体して粒子構造１２１を形成する傾向があり得るときのように、核形成部位として
作用するために、シード１２２又は不均一性として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１のサイズ
、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、適切な
位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階でテンプレート層内にＥＭ放射線吸収層１
２０の一部としてシード材料を堆積させることによって指定することができる。いくつか
の非限定的な例では、そのようなシード材料は、堆積材料１２３１が各シード１２２の周
囲で合体して粒子構造１２１を形成する傾向があり得るときのように、核形成部位として
作用するために、シード１２２又は不均一性として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード材料は、限定はしないが、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）又はＡｇを含む金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、シード材料は、
その上に堆積され、それに合体する堆積材料１２３１に対して高い濡れ特性を有し得る。
ｂ）又はＡｇを含む金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、シード材料は、
その上に堆積され、それに合体する堆積材料１２３１に対して高い濡れ特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード１２２は、デバイス１００の露出層表面１１に
わたって、いくつかの非限定的な例では、シード材料のオープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して、テンプレート層内に堆積され得る。
わたって、いくつかの非限定的な例では、シード材料のオープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して、テンプレート層内に堆積され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング
ここで図２を参照すると、追加の任意選択の層を有するデバイス１００のバージョン
２００が示されており、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅは、ＥＭ放射線吸収層１２０を堆積させる目的で、ＥＭ層パターン化コーティング
２１０ｅを構成するパターン化材料１１１１（図１１）と、いくつかの非限定的な例では
ファインメタルマスク（ＦＭＭ）とすることができるシャドウマスク１１１５（図１１）
の露出層表面１１との間に介在させることによって、第１の層１１０を含むがこれに限定
されない下層にわたって選択的に堆積させることができる。
ここで図２を参照すると、追加の任意選択の層を有するデバイス１００のバージョン
２００が示されており、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅは、ＥＭ放射線吸収層１２０を堆積させる目的で、ＥＭ層パターン化コーティング
２１０ｅを構成するパターン化材料１１１１（図１１）と、いくつかの非限定的な例では
ファインメタルマスク（ＦＭＭ）とすることができるシャドウマスク１１１５（図１１）
の露出層表面１１との間に介在させることによって、第１の層１１０を含むがこれに限定
されない下層にわたって選択的に堆積させることができる。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、い
くつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用
して、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって覆われていないそれぞれのシード
１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによっ
て、ＥＭ放射線吸収層１２０を含む、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成
するために、デバイス２００の上に堆積され得る。
くつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用
して、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって覆われていないそれぞれのシード
１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによっ
て、ＥＭ放射線吸収層１２０を含む、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成
するために、デバイス２００の上に堆積され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、堆積材料１２３１の堆積に対する初期付
着確率が比較的低い表面を提供することができ、この初期付着確率は、デバイス２００の
下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低
くすることができる。
着確率が比較的低い表面を提供することができ、この初期付着確率は、デバイス２００の
下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低
くすることができる。
したがって、下層の露出層表面１１は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによ
って覆われていないシード１２２の周りで合体させることを含むがこれに限定されないこ
とによって、粒子構造１２１を形成するために堆積され得る堆積材料１２３１の閉じたコ
ーティング１０４０（図１０）を実質的に欠く場合がある。
って覆われていないシード１２２の周りで合体させることを含むがこれに限定されないこ
とによって、粒子構造１２１を形成するために堆積され得る堆積材料１２３１の閉じたコ
ーティング１０４０（図１０）を実質的に欠く場合がある。
このようにして、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、シャドウマスク１１１
５を使用することを含むがこれに限定されないことにより選択的に堆積されて、オープン
マスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されない
ことにより堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれのシー
ド１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１
２１を形成することができる。
５を使用することを含むがこれに限定されないことにより選択的に堆積されて、オープン
マスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されない
ことにより堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれのシー
ド１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１
２１を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２００の露出層表面１１の上に堆積される堆
積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、概して、又はいくつかの時間限定的な
例では、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクトルを含むが
これに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及び／若しく
は波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収層１２０による吸収を容易にし、かつ／又
は増加させるように選択されている可能性がある誘電率特性を有し得る。
積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、概して、又はいくつかの時間限定的な
例では、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクトルを含むが
これに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及び／若しく
は波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収層１２０による吸収を容易にし、かつ／又
は増加させるように選択されている可能性がある誘電率特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、シード材
料及び／又は堆積材料１２３１に対して比較的低い初期付着確率を示すパターン化材料１
１１１を含むことができ、そのため、そのようなＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ
の表面は、いくつかの例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の形成以外の、本明細書で説明す
る用途を含む、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の堆積を抑制する目的で
使用される、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎ及び／又はそれらが含み得るパタ
ーン化材料１１１１に対して、堆積材料１２３１（及び／又はシード材料）を粒子構造１
２１として堆積させる傾向の増加を示す場合がある。
料及び／又は堆積材料１２３１に対して比較的低い初期付着確率を示すパターン化材料１
１１１を含むことができ、そのため、そのようなＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ
の表面は、いくつかの例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の形成以外の、本明細書で説明す
る用途を含む、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の堆積を抑制する目的で
使用される、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎ及び／又はそれらが含み得るパタ
ーン化材料１１１１に対して、堆積材料１２３１（及び／又はシード材料）を粒子構造１
２１として堆積させる傾向の増加を示す場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、複数の材
料を含むことができ、複数の材料のうちの少なくとも１つの材料は、限定はしないが、上
述したような堆積材料１２３１及び／又はシード材料に対してそのような比較的低い初期
付着確率を示すパターン化材料１１１１を含むパターン化材料１１１１である。
料を含むことができ、複数の材料のうちの少なくとも１つの材料は、限定はしないが、上
述したような堆積材料１２３１及び／又はシード材料に対してそのような比較的低い初期
付着確率を示すパターン化材料１１１１を含むパターン化材料１１１１である。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、堆積材料１２３１
及び／又はシード材料の堆積に対して第１の初期付着確率を有するパターン化材料１１１
１であってもよく、複数の材料のうちの第２の材料は、堆積材料１２３１及び／又はシー
ド材料の堆積に対して第２の初期付着確率を有するパターン化材料であってもよく、第２
の初期付着確率は第１の初期付着確率を超える。
及び／又はシード材料の堆積に対して第１の初期付着確率を有するパターン化材料１１１
１であってもよく、複数の材料のうちの第２の材料は、堆積材料１２３１及び／又はシー
ド材料の堆積に対して第２の初期付着確率を有するパターン化材料であってもよく、第２
の初期付着確率は第１の初期付着確率を超える。
いくつかの非限定的な例では、第１の初期付着確率及び第２の初期付着確率は、実質
的に同一の条件及びパラメータを使用して測定され得る。
的に同一の条件及びパラメータを使用して測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、複数の材料のうち
の第２の材料でドープされ、覆われ、かつ／又は補完されてもよく、そのため、第２の材
料は、堆積材料１２３１及び／又はシード材料のための核形成部位として作用するように
、シード又は不均一性として作用してもよい。
の第２の材料でドープされ、覆われ、かつ／又は補完されてもよく、そのため、第２の材
料は、堆積材料１２３１及び／又はシード材料のための核形成部位として作用するように
、シード又は不均一性として作用してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、ＮＰＣ１４２０を
含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、限定はしな
いが、多環式芳香族化合物を含む有機材料、及び／又は限定はしないが、存在がソース材
料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質であると別様に考
えられ得るＯ、Ｓ、窒素（Ｎ）、若しくはＣを含む非金属元素を含む材料を含み得る。い
くつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、その連続的なコーティン
グ１０４０を形成することを回避するために、単層の一部である層厚で堆積されてもよい
。むしろ、そのような材料のモノマー１２３２（図１２）は、堆積材料１２３１及び／又
はシード材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面において離隔される傾向
があり得る。
含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、限定はしな
いが、多環式芳香族化合物を含む有機材料、及び／又は限定はしないが、存在がソース材
料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質であると別様に考
えられ得るＯ、Ｓ、窒素（Ｎ）、若しくはＣを含む非金属元素を含む材料を含み得る。い
くつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、その連続的なコーティン
グ１０４０を形成することを回避するために、単層の一部である層厚で堆積されてもよい
。むしろ、そのような材料のモノマー１２３２（図１２）は、堆積材料１２３１及び／又
はシード材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面において離隔される傾向
があり得る。
第１のパターン化材料１１１１１と第２のパターン化材料１１１１２との混合物を含
むＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって形成されたＥＭ放射線吸収層１２０の
適合性を評価するために、一連の試料を製作した。全ての試料において、第１のパターン
化材料１１１１１は、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆積に対して実質的に低い初期付
着確率を有する核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）であった。第２のパターン化材料１１
１１２、すなわち、ＥＴＬ１５３７（図１５）材料、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆
積に対して比較的高い初期付着確率を有する傾向があり、いくつかの非限定的な例ではＮ
ＰＣ１４２０として好適であり得るＬｉｑ、及びＬｉＦとして、３つの実施例材料を評価
した。
むＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって形成されたＥＭ放射線吸収層１２０の
適合性を評価するために、一連の試料を製作した。全ての試料において、第１のパターン
化材料１１１１１は、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆積に対して実質的に低い初期付
着確率を有する核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）であった。第２のパターン化材料１１
１１２、すなわち、ＥＴＬ１５３７（図１５）材料、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆
積に対して比較的高い初期付着確率を有する傾向があり、いくつかの非限定的な例ではＮ
ＰＣ１４２０として好適であり得るＬｉｑ、及びＬｉＦとして、３つの実施例材料を評価
した。
ＥＴＬ１５３７材料については、第１のパターン化材料１１１１１及びＥＴＬ１５３
７材料を種々の比で、２０ｎｍの平均層厚さまでインジウムスズ酸化物（indium tin oxi
de、ＩＴＯ）基板上に共堆積させ、その後、その露出層表面１１を、１５ｎｍの基準層厚
さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって、いくつかの試料を調製
した。
７材料を種々の比で、２０ｎｍの平均層厚さまでインジウムスズ酸化物（indium tin oxi
de、ＩＴＯ）基板上に共堆積させ、その後、その露出層表面１１を、１５ｎｍの基準層厚
さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって、いくつかの試料を調製
した。
ＥＴＬ１５３７材料と第１のパターン化材料１１１１１の体積％比がそれぞれ１：９
９（ＥＴＬ試料Ａ）、２：９８（ＥＴＬ試料Ｂ）、５：９５（ＥＴＬ試料Ｃ）、１０：９
０（ＥＴＬ試料Ｄ）、２０：８０（ＥＴＬ試料Ｅ）、及び４０：６０（ＥＴＬ試料Ｆ）で
ある６つの試料を調製した。追加として、ＥＴＬ１５３７材料と第１のパターン化材料１
１１１１の体積％比がそれぞれ０：１００（比較試料１）及び１００：０（比較試料２）
である２つの比較試料を調製した。
９（ＥＴＬ試料Ａ）、２：９８（ＥＴＬ試料Ｂ）、５：９５（ＥＴＬ試料Ｃ）、１０：９
０（ＥＴＬ試料Ｄ）、２０：８０（ＥＴＬ試料Ｅ）、及び４０：６０（ＥＴＬ試料Ｆ）で
ある６つの試料を調製した。追加として、ＥＴＬ１５３７材料と第１のパターン化材料１
１１１１の体積％比がそれぞれ０：１００（比較試料１）及び１００：０（比較試料２）
である２つの比較試料を調製した。
ＥＴＬ試料Ｂは、１５．１５６％の総表面被覆度、１３．６２９２ｎｍの平均値の特
徴的なサイズ、２．０４６２の分散度、１４．５３９９ｎｍの粒子直径の数平均、及び２
０．７９８９ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
徴的なサイズ、２．０４６２の分散度、１４．５３９９ｎｍの粒子直径の数平均、及び２
０．７９８９ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｃは、２２．０８３％の総表面被覆度、１６．６９８５ｎｍの平均値の特
徴的なサイズ、１．６８１３の分散度、１７．８３７２ｎｍの粒子直径の数平均、及び２
３．１２８３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
徴的なサイズ、１．６８１３の分散度、１７．８３７２ｎｍの粒子直径の数平均、及び２
３．１２８３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｄは、２７．０６２６％の総表面被覆度、１９．４５１８ｎｍの平均値の
特徴的なサイズ、１．５５２１の分散度、２０．７４８７ｎｍの粒子直径の数平均、及び
２５．８４９３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
特徴的なサイズ、１．５５２１の分散度、２０．７４８７ｎｍの粒子直径の数平均、及び
２５．８４９３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｅは、３５．５３７６％の総表面被覆度、２４．２０９２ｎｍの平均値の
特徴的なサイズ、１．６３１１の分散度、２５．８５８ｎｍの粒子直径の数平均、及び３
２．９８５８ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
特徴的なサイズ、１．６３１１の分散度、２５．８５８ｎｍの粒子直径の数平均、及び３
２．９８５８ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
図３Ａ～図３Ｅは、それぞれ、比較試料１、ＥＴＬ試料Ｂ、ＥＴＬ試料Ｃ、ＥＴＬ試
料Ｄ、及びＥＴＬ試料ＥのＳＥＭ顕微鏡写真である。
料Ｄ、及びＥＴＬ試料ＥのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｆは、ＥＴＬ試料Ｂ３０５、ＥＴＬ試料Ｃ３１０、ＥＴＬ試料Ｄ３１５、及びＥ
ＴＬ試料Ｅ３２０について、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグ
ラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３０６、
３１１、３１６、３２１に適合する。
ＴＬ試料Ｅ３２０について、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグ
ラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３０６、
３１１、３１６、３２１に適合する。
以下の表１は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセン
ト低減値を示す。
ト低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＥＴＬの濃度が比較的
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、Ｅ
ＴＬ濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ及びＮＩＲスペク
トルにおける８５０ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクトルにおけ
る４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、Ｅ
ＴＬ濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ及びＮＩＲスペク
トルにおける８５０ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクトルにおけ
る４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
Ｌｉｑについては、第１のパターン化材料１１１１１及びＬｉｑを種々の比で、ＩＴ
Ｏ基板上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積し、その後、その露出層表面１１をＡｇの蒸
気フラックス１２３２に１５ｎｍの基準層厚さまで露出させることによって、いくつかの
試料を調製した。
Ｏ基板上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積し、その後、その露出層表面１１をＡｇの蒸
気フラックス１２３２に１５ｎｍの基準層厚さまで露出させることによって、いくつかの
試料を調製した。
Ｌｉｑと第１のパターン化材料１１１１１との体積％比がそれぞれ２：９８（Ｌｉｑ
試料Ａ）、５：９５（Ｌｉｑ試料Ｂ）、１０：９０（Ｌｉｑ試料Ｃ）、及び２０：８０（
Ｌｉｑ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
試料Ａ）、５：９５（Ｌｉｑ試料Ｂ）、１０：９０（Ｌｉｑ試料Ｃ）、及び２０：８０（
Ｌｉｑ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
Ｌｉｑ試料Ａは、１１．１１１７％の総表面被覆度、１３．２７３５ｎｍの平均値の
特徴的なサイズ、１．６５１の分散度、１３．９６１９ｎｍの粒子サイズの数平均、及び
１７．９３９８ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
特徴的なサイズ、１．６５１の分散度、１３．９６１９ｎｍの粒子サイズの数平均、及び
１７．９３９８ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
Ｌｉｑ試料Ｂは、１７．２６１６％の総表面被覆度、１５．２６６７ｎｍの平均値の
特徴的なサイズ、１．７９１４の分散度、１６．３９３３ｎｍの粒子サイズの数平均、及
び２１．９４１ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
特徴的なサイズ、１．７９１４の分散度、１６．３９３３ｎｍの粒子サイズの数平均、及
び２１．９４１ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
Ｌｉｑ試料Ｃは、３２．２０９３％の総表面被覆度、２３．６２０９ｎｍの平均値の
特徴的なサイズ、１．６４２８の分散度、２５．３０３８ｎｍの粒子サイズの数平均、及
び３２．４３２２ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
特徴的なサイズ、１．６４２８の分散度、２５．３０３８ｎｍの粒子サイズの数平均、及
び３２．４３２２ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
図３Ｇ～図３Ｊはそれぞれ、Ｌｉｑ試料Ａ、Ｌｉｑ試料Ｂ、Ｌｉｑ試料Ｃ、及びＬｉ
ｑ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
ｑ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｋは、Ｌｉｑ試料Ｂ３２５、Ｌｉｑ試料Ａ３３０、及びＬｉｑ試料Ｃ３３５につ
いて、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットす
るヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３２６、３３１、３３６に適合
する。
いて、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットす
るヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３２６、３３１、３３６に適合
する。
以下の表２は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセン
ト低減値を示す。
ト低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＬｉｑの濃度が比較的
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、Ｌ
ｉｑ濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトル
の８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクト
ルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、Ｌ
ｉｑ濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトル
の８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクト
ルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
ＬｉＦについては、最初にＥＴＬ材料をＩＴＯ基板上に２０ｎｍの平均層厚さまで堆
積させ、次いで、第１のパターン化材料１１１１１及びＬｉＦを種々の比で、ＥＴＬ材料
の露出層表面１１上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積させ、その後、その露出層表面１
１を１５ｎｍの基準層厚さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって
、いくつかの試料を調製した。
積させ、次いで、第１のパターン化材料１１１１１及びＬｉＦを種々の比で、ＥＴＬ材料
の露出層表面１１上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積させ、その後、その露出層表面１
１を１５ｎｍの基準層厚さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって
、いくつかの試料を調製した。
ＬｉＦと第１のパターン化材料１１１１１との体積％比がそれぞれ２：９８（ＬｉＦ
試料Ａ）、５：９５（ＬｉＦ試料Ｂ）、１０：９０（ＬｉＦ試料Ｃ）、２０：８０（Ｌｉ
Ｆ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
試料Ａ）、５：９５（ＬｉＦ試料Ｂ）、１０：９０（ＬｉＦ試料Ｃ）、２０：８０（Ｌｉ
Ｆ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
図３Ｌ～図３Ｏはそれぞれ、ＬｉＦ試料Ａ、ＬｉＦ試料Ｂ、ＬｉＦ試料Ｃ、及びＬｉ
Ｆ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
Ｆ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｋは、ＬｉＦ試料ｘ３４０、ＬｉＦ試料ｘ３４５、及びＬｉＦ試料ｘ３５０につ
いて、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットし
たヒストグラムであり、それぞれの曲線はヒストグラム３４１、３４６、３５１に適合す
る。
いて、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットし
たヒストグラムであり、それぞれの曲線はヒストグラム３４１、３４６、３５１に適合す
る。
以下の表３は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセン
ト低減値を示す。
ト低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＬｉＦの濃度が比較的
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小であった。しかしながら、Ｌｉ
Ｆ濃度が約１０体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ並びにＮＩＲスペ
クトルにおける８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減を伴わずに
、可視光スペクトルにおける４５０ｎｍの波長で顕著な低減（８％）が観察された。
低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小であった。しかしながら、Ｌｉ
Ｆ濃度が約１０体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ並びにＮＩＲスペ
クトルにおける８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減を伴わずに
、可視光スペクトルにおける４５０ｎｍの波長で顕著な低減（８％）が観察された。
追加として、２０体積％までのＬｉＦの濃度に対して、７００ｎｍ以上の波長で透過
率の低減が実質的にないことが観察された。
率の低減が実質的にないことが観察された。
誘電体材料との共堆積
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が含み
得る粒子構造１２１は、シード１２２を使用することなく、堆積材料１２３１を共堆積誘
電体材料と共堆積させることを含むがこれに限定されないことによって形成され得る。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が含み
得る粒子構造１２１は、シード１２２を使用することなく、堆積材料１２３１を共堆積誘
電体材料と共堆積させることを含むがこれに限定されないことによって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する堆積材料１２３１の比は、
約５０：１～５：１、３０：１～５：１、又は２０：１～１０：１のうちの少なくとも１
つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、比は、約５０：１、４５：１、４
０：１、３５：１、３０：１、２５：１、２０：１、１９：１、１５：１、１２．５：１
、１０：１、７．５：１、又は５：１のうちの少なくとも１つであり得る。
約５０：１～５：１、３０：１～５：１、又は２０：１～１０：１のうちの少なくとも１
つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、比は、約５０：１、４５：１、４
０：１、３５：１、３０：１、２５：１、２０：１、１９：１、１５：１、１２．５：１
、１０：１、７．５：１、又は５：１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、一緒に共堆積され得る堆積材料
１２３１の堆積に対して、１未満であり得る初期付着確率を有し得る。
１２３１の堆積に対して、１未満であり得る初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する堆積材料１２３１の比は、
堆積材料１２３１の堆積に対する共堆積誘電体材料の初期付着確率に応じて変化し得る。
堆積材料１２３１の堆積に対する共堆積誘電体材料の初期付着確率に応じて変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機材料であり得る。いくつか
の非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、半導体であり得る。いくつかの非限定的な例
では、共堆積誘電体材料は、有機半導体であり得る。
の非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、半導体であり得る。いくつかの非限定的な例
では、共堆積誘電体材料は、有機半導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料とともに堆積材料１２３１を共堆積
することで、シード１２２を含むテンプレート層がない場合に、ＥＭ放射線吸収層１２０
における粒子構造１２１の形成を容易にすることができる。
することで、シード１２２を含むテンプレート層がない場合に、ＥＭ放射線吸収層１２０
における粒子構造１２１の形成を容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１を共堆積誘電体材料と共堆積するこ
とで、概して、又はいくつかの非限定的な例では、特定の色に対応することを含むがこれ
に限定されない可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲
、並びに／又はその部分範囲及び／若しくは波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収
層１２０による吸収を容易にし、かつ／又は増加させることができる。
とで、概して、又はいくつかの非限定的な例では、特定の色に対応することを含むがこれ
に限定されない可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲
、並びに／又はその部分範囲及び／若しくは波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収
層１２０による吸収を容易にし、かつ／又は増加させることができる。
放出領域の周囲の吸収
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放出
領域６１０（図６を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイス２００で
あり得る。いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、いくつかの非限定的な例で
は、アノードであり得る第１の電極１５２０（図１５と、いくつかの非限定的な例では、
カソードであり得る第２の電極１５４０（図１５との間に配置される、少なくとも１つの
半導体層１５３０（図１５に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１５０５（
図１５と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層１５３０を通って互いに向かって
移動する正孔及び電子をそれぞれ生成することができる。一対の正孔及び電子が結合する
と、光子の形態のＥＭ放射線が放出され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放出
領域６１０（図６を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイス２００で
あり得る。いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、いくつかの非限定的な例で
は、アノードであり得る第１の電極１５２０（図１５と、いくつかの非限定的な例では、
カソードであり得る第２の電極１５４０（図１５との間に配置される、少なくとも１つの
半導体層１５３０（図１５に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１５０５（
図１５と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層１５３０を通って互いに向かって
移動する正孔及び電子をそれぞれ生成することができる。一対の正孔及び電子が結合する
と、光子の形態のＥＭ放射線が放出され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、第２の電極１５４０の露
出層表面１１上に、かつ／又はそれを覆って堆積され得る。
出層表面１１上に、かつ／又はそれを覆って堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１の側面は、第１の部
分４０１（図４Ａ）及び第２の部分４０２（図４Ａ）を含み得る。いくつかの非限定的な
例では、第２の部分４０２は、第１の部分４０１を越えて位置する、デバイス１００の下
層の露出層表面１１の部分を含み得る。
分４０１（図４Ａ）及び第２の部分４０２（図４Ａ）を含み得る。いくつかの非限定的な
例では、第２の部分４０２は、第１の部分４０１を越えて位置する、デバイス１００の下
層の露出層表面１１の部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、省略されてもよく、又は
第１の部分４０１の上に延びなくてもよく、むしろ第２の部分４０２の上にのみ延びても
よい。いくつかの非限定的な例では、図４Ａに非限定的な例として示されるように、第１
の部分４０１は、多かれ少なかれ、デバイス１００のバージョン４００ａの少なくとも１
つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）の側面１６２０（図１６）に対応してもよく、シー
ド１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎの堆積前に堆積されてもよい。
第１の部分４０１の上に延びなくてもよく、むしろ第２の部分４０２の上にのみ延びても
よい。いくつかの非限定的な例では、図４Ａに非限定的な例として示されるように、第１
の部分４０１は、多かれ少なかれ、デバイス１００のバージョン４００ａの少なくとも１
つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）の側面１６２０（図１６）に対応してもよく、シー
ド１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎの堆積前に堆積されてもよい。
そのような非限定的な構成は、デバイス１００の露出層表面１１に入射する外部ＥＭ
放射線の反射を低減しながら、少なくとも１つの放出領域６１０から放出されるＥＭ放射
線の透過率を可能にし、かつ／又は最大化するのに適切であり得る。
放射線の反射を低減しながら、少なくとも１つの放出領域６１０から放出されるＥＭ放射
線の透過率を可能にし、かつ／又は最大化するのに適切であり得る。
したがって、図４Ａに示すように、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎが、Ｅ
Ｍ放射線吸収層１２０を堆積する目的のためではなく、その横方向の範囲を制限するため
に堆積され得るようなシナリオでは、そのような非ＥＭ層パターン化コーティング２１０
ｎが含み得るパターン化材料１１１１は、上述したように、堆積材料１２３１及び／又は
シード材料に対して比較的低い初期付着確率を示さないことがある。
Ｍ放射線吸収層１２０を堆積する目的のためではなく、その横方向の範囲を制限するため
に堆積され得るようなシナリオでは、そのような非ＥＭ層パターン化コーティング２１０
ｎが含み得るパターン化材料１１１１は、上述したように、堆積材料１２３１及び／又は
シード材料に対して比較的低い初期付着確率を示さないことがある。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、デバイ
ス１００の放出領域６１０以外の、かつ／又はそれに加えて、デバイス１００の領域から
省略されてもよく、第２の部分４０２は、いくつかの例では、そのような他の領域に対応
し、かつ／又はそれを含んでもよいことを理解するであろう。
ス１００の放出領域６１０以外の、かつ／又はそれに加えて、デバイス１００の領域から
省略されてもよく、第２の部分４０２は、いくつかの例では、そのような他の領域に対応
し、かつ／又はそれを含んでもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されな
いＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層
１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
いＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層
１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例において、複数のＥＭ放射線吸収層１２０が、追
加の層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペ
クトルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デ
バイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の所望の吸収スペクトルに従って調整され得
る。
加の層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペ
クトルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デ
バイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の所望の吸収スペクトルに従って調整され得
る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥ
Ｍ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの
非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によ
って放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
Ｍ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの
非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によ
って放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
図４Ａに示すようないくつかの非限定的な例では、非ＥＭ層パターン化コーティング
２１０ｎは、存在する場合、テンプレート層におけるシード１２２の堆積の後に、露出層
表面１１上に堆積され得、そのため、シード１２２は、第１の部分４０１及び第２の部分
４０２の両方にわたって堆積され得、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、第１
の部分４０１にわたって堆積されたシード１２２を覆うことができる。
２１０ｎは、存在する場合、テンプレート層におけるシード１２２の堆積の後に、露出層
表面１１上に堆積され得、そのため、シード１２２は、第１の部分４０１及び第２の部分
４０２の両方にわたって堆積され得、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、第１
の部分４０１にわたって堆積されたシード１２２を覆うことができる。
いくつかの非限定的な例では、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、堆積材
料１２３１の堆積だけでなくシード材料の堆積に対しても比較的低い初期付着確率を有す
る表面を提供し得る。そのような例では、図４Ｂのデバイス１００の例示的なバージョン
４００ｂに示されるように、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、シード材料の
任意の堆積の後ではなく前に堆積され得る。
料１２３１の堆積だけでなくシード材料の堆積に対しても比較的低い初期付着確率を有す
る表面を提供し得る。そのような例では、図４Ｂのデバイス１００の例示的なバージョン
４００ｂに示されるように、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、シード材料の
任意の堆積の後ではなく前に堆積され得る。
第１の部分４０１にわたって非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを選択的に堆
積した後、導電性堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及
び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の上に堆積されてもよい
が、非限定的に、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎによって覆われていないそれ
ぞれのシード１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されな
いことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成するために、パター
ン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残
ってもよい。
積した後、導電性堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及
び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の上に堆積されてもよい
が、非限定的に、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎによって覆われていないそれ
ぞれのシード１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されな
いことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成するために、パター
ン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残
ってもよい。
第１の部分４０１にわたる非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎの選択的堆積の
後、シード材料は、堆積される場合、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び
／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス４００の露出層表面１１にわたっ
てテンプレート層内に堆積され得るが、シード１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティン
グ２１０ｎを実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残ってもよい。
後、シード材料は、堆積される場合、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び
／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス４００の露出層表面１１にわたっ
てテンプレート層内に堆積され得るが、シード１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティン
グ２１０ｎを実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残ってもよい。
更に、堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又
はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス３００の露出層表面１１にわたって堆
積され得るが、堆積材料１２３１は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを実質的
に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ、それぞれのシード１２２の周りに合体させ
ることを含むがそれに限定されないことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又
はそれを形成するために実質的に残ってもよい。
はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス３００の露出層表面１１にわたって堆
積され得るが、堆積材料１２３１は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを実質的
に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ、それぞれのシード１２２の周りに合体させ
ることを含むがそれに限定されないことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又
はそれを形成するために実質的に残ってもよい。
非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、第１の部分４０１内に、第２の部分４
０２内のデバイス３００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１及び／又はシード材
料（存在する場合）の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低い場合がある、堆積材
料１２３１及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に対する比較的低い初期付着確
率を有する表面を提供することができる。
０２内のデバイス３００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１及び／又はシード材
料（存在する場合）の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低い場合がある、堆積材
料１２３１及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に対する比較的低い初期付着確
率を有する表面を提供することができる。
したがって、第１の部分４０１は、任意のシード１２２の閉じたコーティング１０４
０、及び／又は第２の部分４０２内に堆積されて、シード１２２の周りに合体させること
を含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成することができる堆積
材料１２３１を実質的に欠く場合がある。
０、及び／又は第２の部分４０２内に堆積されて、シード１２２の周りに合体させること
を含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成することができる堆積
材料１２３１を実質的に欠く場合がある。
当業者であれば、堆積材料１２３１の一部及び／又はシード材料の一部が第１の部分
４０１内に残っている場合であっても、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料
１２３１及び／又はシード材料から形成されたシード１２２の量は、第２の部分４０２内
よりも実質的に少なくてもよく、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料１２３
１は、粒子構造１２１を実質的に欠く場合がある不連続層１３０を形成する傾向があって
もよいことを理解するであろう。第１の部分４０１内のそのような堆積材料１２３１の一
部が、シード材料から形成されたシード１２２を含むがこれに限定されない周りに、粒子
構造１２１を形成した場合であっても、任意のそのような粒子構造１２１のサイズ、高さ
、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、それにもかかわらず、第２の部
分４０２のＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状
、プロファイル、及び／又は間隔とは十分に異なることがあり、第１の部分４０１内のＥ
Ｍ放射線の吸収は、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクト
ルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及
び／若しくは波長を含むがこれらに限定されない、第２の部分４０２内よりも実質的に少
ないことがある。
４０１内に残っている場合であっても、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料
１２３１及び／又はシード材料から形成されたシード１２２の量は、第２の部分４０２内
よりも実質的に少なくてもよく、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料１２３
１は、粒子構造１２１を実質的に欠く場合がある不連続層１３０を形成する傾向があって
もよいことを理解するであろう。第１の部分４０１内のそのような堆積材料１２３１の一
部が、シード材料から形成されたシード１２２を含むがこれに限定されない周りに、粒子
構造１２１を形成した場合であっても、任意のそのような粒子構造１２１のサイズ、高さ
、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、それにもかかわらず、第２の部
分４０２のＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状
、プロファイル、及び／又は間隔とは十分に異なることがあり、第１の部分４０１内のＥ
Ｍ放射線の吸収は、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクト
ルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及
び／若しくは波長を含むがこれらに限定されない、第２の部分４０２内よりも実質的に少
ないことがある。
このようにして、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、シャドウマスク１１
１５を使用することを含むがこれに限定されないことにより、選択的に堆積され、オープ
ンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されな
いことにより、堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれの
シード１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構
造１２１を形成することができる。
１５を使用することを含むがこれに限定されないことにより、選択的に堆積され、オープ
ンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されな
いことにより、堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれの
シード１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構
造１２１を形成することができる。
当業者は、比較的低い反射率を示す構造が、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射
線吸収層１２０を提供するために好適であり得ることを理解するであろう。
線吸収層１２０を提供するために好適であり得ることを理解するであろう。
ディスプレイパネル
ここで図５を参照すると、ディスプレイパネル５１０の断面図が示されている。いく
つかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、限定はしないが、その面５０１
を形成する最外層で終わる光電子デバイス５００を含む、積層半導体デバイス１００のバ
ージョンであってもよい。
ここで図５を参照すると、ディスプレイパネル５１０の断面図が示されている。いく
つかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、限定はしないが、その面５０１
を形成する最外層で終わる光電子デバイス５００を含む、積層半導体デバイス１００のバ
ージョンであってもよい。
ディスプレイパネル５１０の面５０１は、横軸によって画定される平面に実質的に沿
って、その側面にわたって延びてもよい。
って、その側面にわたって延びてもよい。
ユーザデバイス
いくつかの非限定的な例では、面５０１、実際にはディスプレイパネル５１０全体は
、ユーザデバイス５００の面として作用することができ、それを通って少なくとも１つの
ＥＭ信号５３１は、面５０１の平面に対してある角度で内部を通して交換され得る。いく
つかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、限定はしないが、スマートフォン、
タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダなどのコンピューティングデバイ
ス、並びに／又は限定はしないが、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、
家庭用電化製品、並びに／又は医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニ
タ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスなどの何らかの他の電子デバ
イスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１、実際にはディスプレイパネル５１０全体は
、ユーザデバイス５００の面として作用することができ、それを通って少なくとも１つの
ＥＭ信号５３１は、面５０１の平面に対してある角度で内部を通して交換され得る。いく
つかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、限定はしないが、スマートフォン、
タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダなどのコンピューティングデバイ
ス、並びに／又は限定はしないが、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、
家庭用電化製品、並びに／又は医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニ
タ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスなどの何らかの他の電子デバ
イスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１は、中に少なくとも１つのアンダーディスプ
レイ構成要素５３０が収容され得る本体５２０及び／又はその中の開口部５２１に対応し
、かつ／又はそれと嵌合し得る。
レイ構成要素５３０が収容され得る本体５２０及び／又はその中の開口部５２１に対応し
、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３
０は、面５０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル５１０と一体的に、又は組み
立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１
つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、面５０１の反対側のディスプレイパネル５
１０の基板１０の露出層表面１１上に形成され得る。
０は、面５０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル５１０と一体的に、又は組み
立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１
つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、面５０１の反対側のディスプレイパネル５
１０の基板１０の露出層表面１１上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口５１３が、ディスプレイパネル
５１０内に形成されて、ディスプレイパネル５１０の面５０１を含むがこれに限定されな
い、ディスプレイパネル５１０の横軸又は付随して層によって画定される平面に対してあ
る角度で、ディスプレイパネル５１０の面５０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号５３１
の交換を可能にすることができる。
５１０内に形成されて、ディスプレイパネル５１０の面５０１を含むがこれに限定されな
い、ディスプレイパネル５１０の横軸又は付随して層によって画定される平面に対してあ
る角度で、ディスプレイパネル５１０の面５０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号５３１
の交換を可能にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口５１３は、別様にディスプレイ
パネル５１０にわたって配置される実質的に不透明なコーティングの厚さ及び／又は不透
明度の欠如及び／又は低減を含むものと理解され得る。いくつかの非限定的な例では、少
なくとも１つの開口５１３は、本明細書で説明するように、信号透過領域６２０として具
現化され得る。
パネル５１０にわたって配置される実質的に不透明なコーティングの厚さ及び／又は不透
明度の欠如及び／又は低減を含むものと理解され得る。いくつかの非限定的な例では、少
なくとも１つの開口５１３は、本明細書で説明するように、信号透過領域６２０として具
現化され得る。
少なくとも１つの開口５１３がどのように具現化されても、少なくとも１つのＥＭ信
号５３１は、面５０１を通過するように、それを通過することができる。その結果、少な
くとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ディスプレイパネル５１０にわたって
横方向にＥＭ放射線吸収層１２０にわたって伝導され得る任意の電流を含む、横軸によっ
て画定される平面に沿って延びることができる任意のＥＭ放射線を除外するとみなされ得
る。
号５３１は、面５０１を通過するように、それを通過することができる。その結果、少な
くとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ディスプレイパネル５１０にわたって
横方向にＥＭ放射線吸収層１２０にわたって伝導され得る任意の電流を含む、横軸によっ
て画定される平面に沿って延びることができる任意のＥＭ放射線を除外するとみなされ得
る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号５３１が、単独で、又は他のＥＭ信号５
３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を他のＥＭ信号５３１から区別すること
ができる識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができると
いう点で、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を、電流及び／又はそれによって生成される
電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解する
であろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号
５３１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダ
ンス、コンダクタンス、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定し、変更し、
かつ／又は変調することによって伝達され得る。
３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を他のＥＭ信号５３１から区別すること
ができる識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができると
いう点で、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を、電流及び／又はそれによって生成される
電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解する
であろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号
５３１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダ
ンス、コンダクタンス、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定し、変更し、
かつ／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの光子を含み得、い
くつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視光スペクトル、ＩＲスペクトル、及び
／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得
る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ＩＲスペクトル及
び／又はＮＲスペクトル内にある波長を有し得る。
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの光子を含み得、い
くつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視光スペクトル、ＩＲスペクトル、及び
／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得
る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ＩＲスペクトル及
び／又はＮＲスペクトル内にある波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０の上に入
射する周辺光を含み得る。
１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０の上に入
射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つのアンダー
ディスプレイ構成要素５３１によって送信及び／又は受信され得る。
１３を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つのアンダー
ディスプレイ構成要素５３１によって送信及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３
０は、単一の光透過領域６２０よりも大きいサイズを有し得るが、複数の光透過領域６２
０だけでなく、それらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にもあり得る。
同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素
５３１は、少なくとも１つの開口５１３のうちの単一の開口よりも大きいサイズを有し得
る。
０は、単一の光透過領域６２０よりも大きいサイズを有し得るが、複数の光透過領域６２
０だけでなく、それらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にもあり得る。
同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素
５３１は、少なくとも１つの開口５１３のうちの単一の開口よりも大きいサイズを有し得
る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３
０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも
１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信し、処理するように適合された受信器５３０ｒを備え
得る。そのような受信器５３０ｒの非限定的な例は、限定はしないが、ＩＲセンサ若しく
は検出器、ＮＩＲセンサ若しくは検出器、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュー
ル、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／
若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部を含む、アンダーディスプレ
イカメラ（under-displaycamera、ＵＤＣ）及び／又はセンサを含む。
０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも
１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信し、処理するように適合された受信器５３０ｒを備え
得る。そのような受信器５３０ｒの非限定的な例は、限定はしないが、ＩＲセンサ若しく
は検出器、ＮＩＲセンサ若しくは検出器、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュー
ル、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／
若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部を含む、アンダーディスプレ
イカメラ（under-displaycamera、ＵＤＣ）及び／又はセンサを含む。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３
０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも
１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するように適合された送信器５３０ｔを備え得る。そ
のような送信器５３０ｔの非限定的な例は、限定はしないが、内蔵フラッシュ、フラッシ
ュ装置、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モ
ジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩
認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部
を含む、ＥＭ放射線源を含む。
０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも
１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するように適合された送信器５３０ｔを備え得る。そ
のような送信器５３０ｔの非限定的な例は、限定はしないが、内蔵フラッシュ、フラッシ
ュ装置、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モ
ジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩
認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部
を含む、ＥＭ放射線源を含む。
いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、送信器５３０ｔを備える少なくとも
１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０によって放出された送信ＥＭ信号５３１ｔを
含む、ユーザデバイス５００を越えてディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口
５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０から発
し、放出ＥＭ信号５３１ｒとして、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過して、受信器５３０ｒを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要
素５３０に戻ることができる。
１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０によって放出された送信ＥＭ信号５３１ｔを
含む、ユーザデバイス５００を越えてディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口
５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０から発
し、放出ＥＭ信号５３１ｒとして、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５
１３を通過して、受信器５３０ｒを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要
素５３０に戻ることができる。
いくつかの非限定的な例では、アンダーディスプレイ構成要素５３０は、ＩＲエミッ
タ及びＩＲセンサを備え得る。非限定的な例として、そのようなアンダーディスプレイ構
成要素５３０は、その一部、構成要素、又はモジュールとして、ドットマトリクスプロジ
ェクタ、直接飛行時間（time-of-flight、ＴｏＦ）及び／又は間接ＴｏＦとして動作し得
るＴｏＦセンサモジュール、ＶＣＳＥＬ、投光照明器、ＮＩＲ撮像器、屈曲光学系、並び
に回折格子を備え得る。
タ及びＩＲセンサを備え得る。非限定的な例として、そのようなアンダーディスプレイ構
成要素５３０は、その一部、構成要素、又はモジュールとして、ドットマトリクスプロジ
ェクタ、直接飛行時間（time-of-flight、ＴｏＦ）及び／又は間接ＴｏＦとして動作し得
るＴｏＦセンサモジュール、ＶＣＳＥＬ、投光照明器、ＮＩＲ撮像器、屈曲光学系、並び
に回折格子を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００内に複数のアンダーディスプレ
イ構成要素５３０があり得、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第１の
アンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口
５１３を通過するように少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するための送信器
５３０ｔを含み、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第２のアンダーデ
ィスプレイ構成要素は、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信するための受信器
５３０ｒを含む。いくつかの非限定的な例では、そのような送信器５３０ｔ及び受信器５
３０ｒは、単一の共通アンダーディスプレイ構成要素５３０において具現化され得る。
イ構成要素５３０があり得、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第１の
アンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口
５１３を通過するように少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するための送信器
５３０ｔを含み、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第２のアンダーデ
ィスプレイ構成要素は、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信するための受信器
５３０ｒを含む。いくつかの非限定的な例では、そのような送信器５３０ｔ及び受信器５
３０ｒは、単一の共通アンダーディスプレイ構成要素５３０において具現化され得る。
これは、非限定的な例として図６Ａに見ることができ、ユーザデバイス５００は、横
方向範囲（図では垂直に示される）において、少なくとも１つの信号交換表示部６１６に
隣接し、いくつかの非限定的な例ではそれによって分離された少なくとも１つの表示部６
１５を備えるディスプレイパネル５１０を有するものとして示される。ユーザデバイス５
００は、少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを第１の信号交換表示部６２０内の少な
くとも１つの第１の信号透過領域６２０を通して面５０１を越えて送信するための少なく
とも１つの送信器５３０ｔと、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを第２の信号交換
表示部６１６内の少なくとも１つの第２の信号透過領域６２０を通して受信するための受
信器５３０ｒとを収容する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１及び第
２の信号交換表示部６１６は、同じであってもよい。
方向範囲（図では垂直に示される）において、少なくとも１つの信号交換表示部６１６に
隣接し、いくつかの非限定的な例ではそれによって分離された少なくとも１つの表示部６
１５を備えるディスプレイパネル５１０を有するものとして示される。ユーザデバイス５
００は、少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを第１の信号交換表示部６２０内の少な
くとも１つの第１の信号透過領域６２０を通して面５０１を越えて送信するための少なく
とも１つの送信器５３０ｔと、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを第２の信号交換
表示部６１６内の少なくとも１つの第２の信号透過領域６２０を通して受信するための受
信器５３０ｒとを収容する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１及び第
２の信号交換表示部６１６は、同じであってもよい。
図６Ｂは、デバイスの面を画定するディスプレイパネル５１０を含む、非限定的な例
によるユーザデバイス５００の平面図を示している。デバイス５００は、面５０１を越え
て配列された最も少ない１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを収
容する。図６Ｃは、デバイス５００の線６Ｃ－６Ｃに沿った断面図を示している。
によるユーザデバイス５００の平面図を示している。デバイス５００は、面５０１を越え
て配列された最も少ない１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを収
容する。図６Ｃは、デバイス５００の線６Ｃ－６Ｃに沿った断面図を示している。
ディスプレイパネル５１０は、表示部６１５及び信号交換表示部６１６を含む。表示
部６１５は、複数の放出領域６１０を含む。信号交換表示部６１６は、複数の放出領域６
１０と複数の信号透過領域６２０とを含む。表示部６１５及び信号交換表示部６１６の複
数の放出領域６１０は、ディスプレイパネル２６４のサブピクセル５１０ｘに対応する。
信号交換表示部６１６内の複数の信号透過領域６２０は、電磁スペクトルのＩＲ範囲に対
応する波長を有する信号又は光が、その断面の全体を通過することを可能にするように構
成されている。少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは
、ＩＲ信号がパネル５１０の信号交換表示部６１６を通過することによってそれぞれ放出
及び受信されるように、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列される。図示した非
限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒ
の各々は、信号送信の経路に配置された対応する信号交換表示部６１６を有するものとし
て示されている。
部６１５は、複数の放出領域６１０を含む。信号交換表示部６１６は、複数の放出領域６
１０と複数の信号透過領域６２０とを含む。表示部６１５及び信号交換表示部６１６の複
数の放出領域６１０は、ディスプレイパネル２６４のサブピクセル５１０ｘに対応する。
信号交換表示部６１６内の複数の信号透過領域６２０は、電磁スペクトルのＩＲ範囲に対
応する波長を有する信号又は光が、その断面の全体を通過することを可能にするように構
成されている。少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは
、ＩＲ信号がパネル５１０の信号交換表示部６１６を通過することによってそれぞれ放出
及び受信されるように、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列される。図示した非
限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒ
の各々は、信号送信の経路に配置された対応する信号交換表示部６１６を有するものとし
て示されている。
図６Ｄは、別の非限定的な例によるユーザデバイス５００の平面図を示し、少なくと
も１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは両方とも、共通の信号交
換表示部６１６の背後に配列されている。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は
、送信器５３０ｔ及び受信器５３０ｒの両方にわたって延びるように、平面図において少
なくとも１つの構成軸に沿って細長くてもよい。図６Ｅは、図６ＤのＸ２－Ｘ２線に沿っ
た断面図を示している。
も１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは両方とも、共通の信号交
換表示部６１６の背後に配列されている。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は
、送信器５３０ｔ及び受信器５３０ｒの両方にわたって延びるように、平面図において少
なくとも１つの構成軸に沿って細長くてもよい。図６Ｅは、図６ＤのＸ２－Ｘ２線に沿っ
た断面図を示している。
図６Ｆは、更に別の非限定的な例によるユーザデバイス５００の平面図を示し、ディ
スプレイパネル５１０は、非表示部５５１を更に含む。より具体的には、ディスプレイパ
ネル５１０は、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを
含み、これらの各々は、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列されている。非表示
部５５１は、平面図において、２つの信号交換表示部５１６に隣接して、かつこれらの間
に配列されている。非表示部５５１では、概して、任意の光放出領域の存在が省略されて
いる。いくつかの非限定的な例では、デバイス５００は、非表示部５５１に配列されたカ
メラ５４０を収容する。いくつかの非限定的な例では、非表示部５５１は、カメラ５４０
と重なるように配列された貫通孔部５５２を含む。貫通孔部５５２内のパネル５１０では
、表示部６１５及び／又は信号交換表示部６１６内に存在する１つ以上の層、コーティン
グ、及び／又は構成要素の存在が省略されてもよい。非限定的な例として、貫通孔部５５
２内のパネル５１０では、１つ以上のバックプレーン及び／又はフロントプレーン構成要
素の存在が省略されてもよく、別様に、バックプレーン及び／又はフロントプレーン構成
要素の存在は、カメラ５４０によって取り込まれる画像に干渉し得る。いくつかの非限定
的な例では、パネル５１０のカバーガラスは、パネル５１０の前述の部分の全てに存在す
るように、表示部６１５、信号交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２に実質的にわたっ
て延びる。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０は、偏光子（図示せず）を更に含
み、偏光子は、パネル５１０の前述の部分の全てに存在するように、表示部６１５、信号
交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２にわたって実質的に延びることができる。いくつ
かの非限定的な例では、パネル５１０のそのような部分を通る光の透過を向上させるため
に、貫通孔部５５２において偏光子の存在が省略され得る。
スプレイパネル５１０は、非表示部５５１を更に含む。より具体的には、ディスプレイパ
ネル５１０は、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを
含み、これらの各々は、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列されている。非表示
部５５１は、平面図において、２つの信号交換表示部５１６に隣接して、かつこれらの間
に配列されている。非表示部５５１では、概して、任意の光放出領域の存在が省略されて
いる。いくつかの非限定的な例では、デバイス５００は、非表示部５５１に配列されたカ
メラ５４０を収容する。いくつかの非限定的な例では、非表示部５５１は、カメラ５４０
と重なるように配列された貫通孔部５５２を含む。貫通孔部５５２内のパネル５１０では
、表示部６１５及び／又は信号交換表示部６１６内に存在する１つ以上の層、コーティン
グ、及び／又は構成要素の存在が省略されてもよい。非限定的な例として、貫通孔部５５
２内のパネル５１０では、１つ以上のバックプレーン及び／又はフロントプレーン構成要
素の存在が省略されてもよく、別様に、バックプレーン及び／又はフロントプレーン構成
要素の存在は、カメラ５４０によって取り込まれる画像に干渉し得る。いくつかの非限定
的な例では、パネル５１０のカバーガラスは、パネル５１０の前述の部分の全てに存在す
るように、表示部６１５、信号交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２に実質的にわたっ
て延びる。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０は、偏光子（図示せず）を更に含
み、偏光子は、パネル５１０の前述の部分の全てに存在するように、表示部６１５、信号
交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２にわたって実質的に延びることができる。いくつ
かの非限定的な例では、パネル５１０のそのような部分を通る光の透過を向上させるため
に、貫通孔部５５２において偏光子の存在が省略され得る。
いくつかの非限定的な例では、パネル５１０の非表示部５５１は、非貫通孔部５５３
を更に含む。非限定的な例として、非貫通孔部５５３は、平面図において、貫通孔部５５
２と信号交換用表示部６１６との間に配列され得る。いくつかの非限定的な例では、非貫
通孔部５５３は、貫通孔部５５２の周囲の少なくとも一部又は全体を取り囲むことができ
る。具体的には示されていないが、デバイス５００は、ディスプレイパネル５１０の非貫
通孔部５５３に対応するデバイス５００の部分に追加のモジュール、構成要素、及び／又
はセンサを含み得る。
を更に含む。非限定的な例として、非貫通孔部５５３は、平面図において、貫通孔部５５
２と信号交換用表示部６１６との間に配列され得る。いくつかの非限定的な例では、非貫
通孔部５５３は、貫通孔部５５２の周囲の少なくとも一部又は全体を取り囲むことができ
る。具体的には示されていないが、デバイス５００は、ディスプレイパネル５１０の非貫
通孔部５５３に対応するデバイス５００の部分に追加のモジュール、構成要素、及び／又
はセンサを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換表示部６１６は、信号交換表示部６１６を通
る光の透過を別様に妨害又は低減することになるバックプレーン構成要素の存在を低減又
は実質的に省略してもよい。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は、ＴＦＴ構造
５０１、並びに／あるいは、限定はしないが、金属トレースライン、キャパシタ、及び／
又は他の不透明若しくは光吸収要素を含むＴＦＴ構成要素の存在を省略することができる
。いくつかの非限定的な例では、信号交換表示部６１６内の光放出領域６１０は、非表示
部５５１の非貫通孔部５５３内に位置する１つ以上のＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要
素に電気的に結合され得る。具体的には、信号交換表示部６１６内のサブピクセルを作動
させるためのＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素は、信号交換表示部６１６内の非放出
面積を通る、少なくともＩＲ及び／又はＮＩＲ波長範囲の光の比較的高い透過が達成され
得るように、信号交換表示部６１６の外側及びパネル５１０の非貫通孔部５５３内に再配
置することができる。非限定的な例として、非貫通孔部５５３内のＴＦＴ構造及び／又は
ＴＦＴ構成要素は、導電性トレースを介して、信号交換表示部６１６内のサブピクセルに
電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、送信器５３０ｔ及び受信器５３０
ｒは、ＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素とサブピクセルとの間で電流が進行する距離
が低減されるように、平面図において非貫通孔部５５３に隣接又は近接して配列される。
る光の透過を別様に妨害又は低減することになるバックプレーン構成要素の存在を低減又
は実質的に省略してもよい。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は、ＴＦＴ構造
５０１、並びに／あるいは、限定はしないが、金属トレースライン、キャパシタ、及び／
又は他の不透明若しくは光吸収要素を含むＴＦＴ構成要素の存在を省略することができる
。いくつかの非限定的な例では、信号交換表示部６１６内の光放出領域６１０は、非表示
部５５１の非貫通孔部５５３内に位置する１つ以上のＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要
素に電気的に結合され得る。具体的には、信号交換表示部６１６内のサブピクセルを作動
させるためのＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素は、信号交換表示部６１６内の非放出
面積を通る、少なくともＩＲ及び／又はＮＩＲ波長範囲の光の比較的高い透過が達成され
得るように、信号交換表示部６１６の外側及びパネル５１０の非貫通孔部５５３内に再配
置することができる。非限定的な例として、非貫通孔部５５３内のＴＦＴ構造及び／又は
ＴＦＴ構成要素は、導電性トレースを介して、信号交換表示部６１６内のサブピクセルに
電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、送信器５３０ｔ及び受信器５３０
ｒは、ＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素とサブピクセルとの間で電流が進行する距離
が低減されるように、平面図において非貫通孔部５５３に隣接又は近接して配列される。
いくつかの非限定的な例では、光放出領域６１０は、光放出領域の開口率及びピクセ
ル密度のうちの少なくとも１つが、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じで
あるように構成される。いくつかの非限定的な例では、光放出領域６１０は、光放出領域
の開口率とピクセル密度の両方が表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じであ
るように構成される。いくつかの非限定的な例では、ピクセル密度は、約３００ｐｐｉ、
３５０ｐｐｉ、４００ｐｐｉ、４５０ｐｐｉ、５００ｐｐｉ、５５０ｐｐｉ、又は６００
ｐｐｉよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口比は、約２５％、２７
％、３０％、３３％、３５％、又は４０％よりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な
例では、パネル５１０の光放出領域６１０又はピクセルは、ユーザがパネル１００の表示
部６１５と信号交換表示部６１６との間の視覚的差異を検出する可能性を低減するために
、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で実質的に同一に成形され、配列され得る
。
ル密度のうちの少なくとも１つが、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じで
あるように構成される。いくつかの非限定的な例では、光放出領域６１０は、光放出領域
の開口率とピクセル密度の両方が表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じであ
るように構成される。いくつかの非限定的な例では、ピクセル密度は、約３００ｐｐｉ、
３５０ｐｐｉ、４００ｐｐｉ、４５０ｐｐｉ、５００ｐｐｉ、５５０ｐｐｉ、又は６００
ｐｐｉよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口比は、約２５％、２７
％、３０％、３３％、３５％、又は４０％よりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な
例では、パネル５１０の光放出領域６１０又はピクセルは、ユーザがパネル１００の表示
部６１５と信号交換表示部６１６との間の視覚的差異を検出する可能性を低減するために
、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で実質的に同一に成形され、配列され得る
。
図６Ｈは、非限定的な例によるパネル５１０の部分の拡大平面図を示している。具体
的には、表示部６１５及び信号交換表示部６１６における、サブピクセル６１０ｘとして
表される放出領域２６４の構成及びレイアウトが示されている。各部分には、複数の放出
領域６１０が提供されており、各々がサブピクセル２６４ｘに対応する。いくつかの非限
定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１、Ｇ
（緑）サブピクセル２６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２６４３に対応し得る。
信号交換表示部６１６には、隣接するサブピクセル２６４ｘの間に、複数の信号透過領域
６２０が提供されている。
的には、表示部６１５及び信号交換表示部６１６における、サブピクセル６１０ｘとして
表される放出領域２６４の構成及びレイアウトが示されている。各部分には、複数の放出
領域６１０が提供されており、各々がサブピクセル２６４ｘに対応する。いくつかの非限
定的な例では、サブピクセル２６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２６４１、Ｇ
（緑）サブピクセル２６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２６４３に対応し得る。
信号交換表示部６１６には、隣接するサブピクセル２６４ｘの間に、複数の信号透過領域
６２０が提供されている。
図６Ｈにおいて、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間は、波状の破断線によ
って示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、表示部
６１５と信号交換表示部６１６との間に遷移領域（図示せず）を更に含み、放出領域６１
０及び／又は信号透過領域６２０の構成は、隣接する表示部６１５及び／又は信号交換表
示部６１６の構成とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような遷移領域の
存在は省略されてもよく、そのため、放出領域６１０は、表示部６１５及び信号交換表示
部６１６にわたって実質的に連続的な繰り返しパターンで提供される。
って示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、表示部
６１５と信号交換表示部６１６との間に遷移領域（図示せず）を更に含み、放出領域６１
０及び／又は信号透過領域６２０の構成は、隣接する表示部６１５及び／又は信号交換表
示部６１６の構成とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような遷移領域の
存在は省略されてもよく、そのため、放出領域６１０は、表示部６１５及び信号交換表示
部６１６にわたって実質的に連続的な繰り返しパターンで提供される。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域
６２０における、いくつかの非限定的な例では、少なくとも近隣の放出領域６１０から横
方向に離隔された領域における、及びいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層７０９
（図７）のピクセル定義層（pixel definition layer、ＰＤＬ）７４０（図７）の厚さは
、面５０１の層に対する、及びそれを通る透過率及び／又は透過率角を向上させるために
低減され得る。
６２０における、いくつかの非限定的な例では、少なくとも近隣の放出領域６１０から横
方向に離隔された領域における、及びいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層７０９
（図７）のピクセル定義層（pixel definition layer、ＰＤＬ）７４０（図７）の厚さは
、面５０１の層に対する、及びそれを通る透過率及び／又は透過率角を向上させるために
低減され得る。
ユーザデバイス５００の例示的なバージョン７００ａの簡略化されたブロック図であ
る図７Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放出領域６１０
の側面１６１０（図７）は、いくつかの非限定的な例では、銅（Ｃｕ）及び／又は透明導
電性酸化物（transparentconducting oxide、ＴＣＯ）から形成され得る、データ線及び
／又は走査線（図示せず）に沿って放出領域６１０を駆動するための、関連付けられた少
なくとも１つのＴＦＴ構造７０１（図７）にわたって延び、それを含み得る。
る図７Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放出領域６１０
の側面１６１０（図７）は、いくつかの非限定的な例では、銅（Ｃｕ）及び／又は透明導
電性酸化物（transparentconducting oxide、ＴＣＯ）から形成され得る、データ線及び
／又は走査線（図示せず）に沿って放出領域６１０を駆動するための、関連付けられた少
なくとも１つのＴＦＴ構造７０１（図７）にわたって延び、それを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒは、少なくと
も１つの送信ＥＭ信号５３１ｔの少なくともフラグメントを含み、フラグメントは、外部
表面から反射されるか、又は別様に外部表面によってユーザデバイス５００に返される。
も１つの送信ＥＭ信号５３１ｔの少なくともフラグメントを含み、フラグメントは、外部
表面から反射されるか、又は別様に外部表面によってユーザデバイス５００に返される。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、少なくとも１つの送信器５
３０ｔに少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出させ、それがユーザデバイス５０
０のユーザ６０の顔、輪郭、又は他の部分に入射するようにディスプレイパネル５１０を
通過させるように構成される。ユーザ６０に入射する少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３
１ｔのフラグメントが、ユーザ６０から反射されるか、又は別様にユーザ６０によって返
されて少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを生成し、これが次に、ディスプレイパネ
ル５１０を通過し、そのため、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって受信及び／又は
検出される。
３０ｔに少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出させ、それがユーザデバイス５０
０のユーザ６０の顔、輪郭、又は他の部分に入射するようにディスプレイパネル５１０を
通過させるように構成される。ユーザ６０に入射する少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３
１ｔのフラグメントが、ユーザ６０から反射されるか、又は別様にユーザ６０によって返
されて少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを生成し、これが次に、ディスプレイパネ
ル５１０を通過し、そのため、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって受信及び／又は
検出される。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔに、ユーザ６０から
反射される少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを生成させて、それに関連付けられた
少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒ（集合的にＥＭ信号対５３１）を生成させること
によって、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって検出され、それによってユーザ６０
の生体認証を提供する。
反射される少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを生成させて、それに関連付けられた
少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒ（集合的にＥＭ信号対５３１）を生成させること
によって、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって検出され、それによってユーザ６０
の生体認証を提供する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔは、少なくとも１つ
の送信ＩＲ信号５３１ｔとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波
長範囲を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を放出するためのＩＲエミッタであり得
る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信器５３０ｒは、少なくとも１つ
の受信ＩＲ信号５３１ｒとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波
長を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を受信するためのＩＲセンサであり得る。
の送信ＩＲ信号５３１ｔとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波
長範囲を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を放出するためのＩＲエミッタであり得
る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信器５３０ｒは、少なくとも１つ
の受信ＩＲ信号５３１ｒとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波
長を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を受信するためのＩＲセンサであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の信号透過領域６２０はア
レイ状に配列され、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び／又は少なくとも１つの受信器
５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１がディスプレイ
パネル５１０の少なくとも１つの信号透過領域６２０を通過するように構成されるように
、ディスプレイパネル５１０の背後のユーザデバイス５００内に位置付けられる。
レイ状に配列され、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び／又は少なくとも１つの受信器
５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１がディスプレイ
パネル５１０の少なくとも１つの信号透過領域６２０を通過するように構成されるように
、ディスプレイパネル５１０の背後のユーザデバイス５００内に位置付けられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つ
の受信器５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が共通
の信号透過領域６２０を通過することを可能にするように位置付けられる。いくつかの非
限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒ
は、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が異なる信号透過領域６
２０を通過することを可能にするように位置付けられる。
の受信器５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が共通
の信号透過領域６２０を通過することを可能にするように位置付けられる。いくつかの非
限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒ
は、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が異なる信号透過領域６
２０を通過することを可能にするように位置付けられる。
ディスプレイパネル５１０では、少なくとも１つの放出領域６１０は、ディスプレイ
パネル５１０の側面の第２の部分４０２と関連付けられてもよく、その下層の露出層表面
１１は、その上に堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を堆積させてもよい。
パネル５１０の側面の第２の部分４０２と関連付けられてもよく、その下層の露出層表面
１１は、その上に堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を堆積させてもよい。
ディスプレイパネル５１０において、少なくとも１つの信号透過領域６２０は、ディ
スプレイパネル５１０の側面の第１の部分４０１と関連付けられてもよく、ＥＭ層パター
ン化コーティング２１０ｅは、下層の露出層表面１１上に配置されてもよく、その露出層
表面１１は、その上に配置された、少なくとも１つの粒子構造１２１の不連続層１３０を
含むＥＭ放射線吸収層１２０を有する。
スプレイパネル５１０の側面の第１の部分４０１と関連付けられてもよく、ＥＭ層パター
ン化コーティング２１０ｅは、下層の露出層表面１１上に配置されてもよく、その露出層
表面１１は、その上に配置された、少なくとも１つの粒子構造１２１の不連続層１３０を
含むＥＭ放射線吸収層１２０を有する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域６２０は、堆積材料１
２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域６２０は、少なくとも
可視光スペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の吸収を容易にする一方で、少なくともＩＲス
ペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の通過を可能にすることができる。
可視光スペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の吸収を容易にする一方で、少なくともＩＲス
ペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の通過を可能にすることができる。
これは、少なくとも１つの送信ＩＲ信号５３１ｔ及び少なくとも１つの受信ＩＲ信号
５３１ｒが、少なくともそれらがＩＲスペクトル内にある範囲まで中を通って送信される
一方で、外部源からディスプレイパネル５１０上に入射し得る、少なくとも可視光スペク
トルの波長範囲内のＥＭ信号５３１（図示せず）を含む、これらの（又は他の）ＥＭ信号
５３１の少なくとも一部を、それらが可視光スペクトル内にある範囲まで吸収することを
可能にする。
５３１ｒが、少なくともそれらがＩＲスペクトル内にある範囲まで中を通って送信される
一方で、外部源からディスプレイパネル５１０上に入射し得る、少なくとも可視光スペク
トルの波長範囲内のＥＭ信号５３１（図示せず）を含む、これらの（又は他の）ＥＭ信号
５３１の少なくとも一部を、それらが可視光スペクトル内にある範囲まで吸収することを
可能にする。
このようにして、ＩＲエミッタ５３０ｔ及びＩＲ検出器５３０ｒの存在を、少なくと
も１つの送信ＩＲ信号５３１ｔ及び少なくとも１つの受信ＩＲ信号５３１ｒがディスプレ
イパネル５１０を通して送信されることを実質的に妨げることなく、ユーザ６０の生体認
証を提供するためを含むがこれに限定されずに、ユーザ６０から少なくとも部分的に隠す
ことができる。
も１つの送信ＩＲ信号５３１ｔ及び少なくとも１つの受信ＩＲ信号５３１ｒがディスプレ
イパネル５１０を通して送信されることを実質的に妨げることなく、ユーザ６０の生体認
証を提供するためを含むがこれに限定されずに、ユーザ６０から少なくとも部分的に隠す
ことができる。
ディスプレイパネル５１０のそのような構成は、例えば、ユーザ体験を実質的に損な
うことなく、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒがユーザデバイス５０
０内に位置付けられ、少なくとも１つの信号透過領域６２０がディスプレイパネル５１０
の横方向範囲内に位置付けられることを可能にするため、及び／又はユーザ６０からＩＲ
エミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒを隠すことを容易にするために、有利で
あり得る。
うことなく、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒがユーザデバイス５０
０内に位置付けられ、少なくとも１つの信号透過領域６２０がディスプレイパネル５１０
の横方向範囲内に位置付けられることを可能にするため、及び／又はユーザ６０からＩＲ
エミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒを隠すことを容易にするために、有利で
あり得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩ
Ｒ検出器５３０ｒを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのアンダーディスプレイ
構成要素５３０は、単一の信号透過領域６２０だけでなく、複数の信号透過領域６２０、
及び／又はそれらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にあるようなサイズ
のものであり得ることを理解するであろう。そのような例では、少なくとも１つのアンダ
ーディスプレイ構成要素５３０は、そのような複数の信号透過領域６２０の下に位置付け
られてもよく、そのような複数の信号透過領域６２０を通して、ディスプレイパネル５１
０の層に対してある角度で、かつそれを通して通過するＥＭ信号５３１を交換してもよい
。
Ｒ検出器５３０ｒを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのアンダーディスプレイ
構成要素５３０は、単一の信号透過領域６２０だけでなく、複数の信号透過領域６２０、
及び／又はそれらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にあるようなサイズ
のものであり得ることを理解するであろう。そのような例では、少なくとも１つのアンダ
ーディスプレイ構成要素５３０は、そのような複数の信号透過領域６２０の下に位置付け
られてもよく、そのような複数の信号透過領域６２０を通して、ディスプレイパネル５１
０の層に対してある角度で、かつそれを通して通過するＥＭ信号５３１を交換してもよい
。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の少なくとも一部において、少なくと
も１つの半導体層１５３０は、いくつかの非限定的な例では第１の電極１５２０を備える
面５０１の露出層表面１１の上に堆積され得る。
も１つの半導体層１５３０は、いくつかの非限定的な例では第１の電極１５２０を備える
面５０１の露出層表面１１の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の露出層表面１１は、いくつかの非限定的な
例では、少なくとも１つの半導体層１５３０を含むことができ、パターン化材料１１１１
の気化フラックス１１１２（図１１）に、シャドウマスク１１１５を使用することを含む
がこれに限定されないことにより露出されて、第１の部分４０１にパターン化コーティン
グ２１０を形成することができる。シャドウマスク１１１５が採用されるか否かにかかわ
らず、パターン化コーティング２１０は、その側面において、実質的に信号透過領域６２
０に制限されてもよい。
例では、少なくとも１つの半導体層１５３０を含むことができ、パターン化材料１１１１
の気化フラックス１１１２（図１１）に、シャドウマスク１１１５を使用することを含む
がこれに限定されないことにより露出されて、第１の部分４０１にパターン化コーティン
グ２１０を形成することができる。シャドウマスク１１１５が採用されるか否かにかかわ
らず、パターン化コーティング２１０は、その側面において、実質的に信号透過領域６２
０に制限されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の露出層表面１１は、限定はしないが、オー
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含む、堆積材料１２３１の蒸気フラッ
クス１２３２に露出され得る。
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含む、堆積材料１２３１の蒸気フラッ
クス１２３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域６２０の側面１６２０
（図７）内の面５０１の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０を含み得る。
したがって、少なくとも１つの信号透過領域６２０の側面１６２０内で、露出層表面１１
に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、ＥＭ放射線吸収層１２０とし
て、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１２
１を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の表
面被覆度は、約７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又
は１０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
（図７）内の面５０１の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０を含み得る。
したがって、少なくとも１つの信号透過領域６２０の側面１６２０内で、露出層表面１１
に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、ＥＭ放射線吸収層１２０とし
て、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１２
１を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の表
面被覆度は、約７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又
は１０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
同時に、パターン化コーティング２１０は、その側面において、実質的に非放出領域
１９０２（図１９Ａ）に制限されているため、いくつかの非限定的な例では、放出領域６
１０の側面１６１０内の面６１０の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１５３
０を備え得る。したがって、少なくとも１つの放出領域６１０の側面１６１０の第２の部
分４０２内で、露出層表面１１に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は
、第２の電極１５４０として堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成する
ことができる。
１９０２（図１９Ａ）に制限されているため、いくつかの非限定的な例では、放出領域６
１０の側面１６１０内の面６１０の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１５３
０を備え得る。したがって、少なくとも１つの放出領域６１０の側面１６１０の第２の部
分４０２内で、露出層表面１１に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は
、第２の電極１５４０として堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成する
ことができる。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、二重
の目的、すなわち、第１の部分４０１におけるＥＭ層放射線吸収層１２０の堆積のための
ベースを提供するためのＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅとして、かつ堆積材料１
２３１の堆積中にシャドウマスク１１１５を採用することなく、第２の電極１５４０とし
ての堆積材料１２３１の堆積の横方向範囲を第２の部分４０２に制限するための非ＥＭ層
パターン化コーティング２１０ｎとして機能することができる。
の目的、すなわち、第１の部分４０１におけるＥＭ層放射線吸収層１２０の堆積のための
ベースを提供するためのＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅとして、かつ堆積材料１
２３１の堆積中にシャドウマスク１１１５を採用することなく、第２の電極１５４０とし
ての堆積材料１２３１の堆積の横方向範囲を第２の部分４０２に制限するための非ＥＭ層
パターン化コーティング２１０ｎとして機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の平
均膜厚は、少なくとも約５ｎｍ、６ｎｍ、又は８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る
。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１はＭｇＡｇを含み得る。
均膜厚は、少なくとも約５ｎｍ、６ｎｍ、又は８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る
。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１はＭｇＡｇを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５２０は、遷移領域（図７Ａ）内のパタ
ーン化コーティング２１０を部分的に覆って延びてもよい。
ーン化コーティング２１０を部分的に覆って延びてもよい。
ＥＭ放射線吸収層の詳細
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、マスクフリー及び／又は
オープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより、Ｅ
Ｍ層パターン化コーティング２１０ｅの上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１
を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、マスクフリー及び／又は
オープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより、Ｅ
Ｍ層パターン化コーティング２１０ｅの上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１
を備え得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、上に堆積材料１２３
１の閉じたコーティング１０４０を形成することは、ＥＭ層パターン化コーティング２１
０ｅ上では実質的に阻害され得るが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅがその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２
３１のいくつかの蒸気モノマー１２３２は、最終的に、その上に堆積材料１２３１の少な
くとも１つの粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
１の閉じたコーティング１０４０を形成することは、ＥＭ層パターン化コーティング２１
０ｅ上では実質的に阻害され得るが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅがその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２
３１のいくつかの蒸気モノマー１２３２は、最終的に、その上に堆積材料１２３１の少な
くとも１つの粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、いくつかの
非限定的な例では堆積材料１２３１の少なくとも１つの粒子構造１２１を含む不連続層１
３０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１のうちの少なくともいく
つかは、互いから切り離されてもよい。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連
続コーティング１３０は、ＥＭ放射線吸収層１２０が、閉じたコーティング１０４０を形
成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。
非限定的な例では堆積材料１２３１の少なくとも１つの粒子構造１２１を含む不連続層１
３０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１のうちの少なくともいく
つかは、互いから切り離されてもよい。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連
続コーティング１３０は、ＥＭ放射線吸収層１２０が、閉じたコーティング１０４０を形
成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。
そのようなＥＭ放射線吸収層１２０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、
粒子構造１２１として形成され、ディスプレイパネル５１０内のＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅと少なくとも１つの被覆層７１０（図７Ａ）との間の界面に、その横方向
範囲で、実質的にその範囲にわたって挿入された、堆積材料１２３１の薄い分散層を含む
ことができる。
粒子構造１２１として形成され、ディスプレイパネル５１０内のＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅと少なくとも１つの被覆層７１０（図７Ａ）との間の界面に、その横方向
範囲で、実質的にその範囲にわたって挿入された、堆積材料１２３１の薄い分散層を含む
ことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の粒子
構造１２１のうちの少なくとも１つは、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層
表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収
層１２０内の堆積材料１２３１の実質的に全ての粒子構造１２１は、ＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅの露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
構造１２１のうちの少なくとも１つは、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層
表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収
層１２０内の堆積材料１２３１の実質的に全ての粒子構造１２１は、ＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅの露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、幾分驚くべきことに、ＥＭ層パ
ターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上の不連続層１３０内を含むがこれに限
定されない、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの粒子構
造１２１を含むがこれに限定されない、堆積材料１２３１のそのような薄い分散ＥＭ放射
線吸収層１２０の存在は、本明細書で論じるように、ディスプレイパネル５１０の光学効
果及び特性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の様々な特質及び付随して様々な挙
動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性
は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイ
ズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つ
の賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
ターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上の不連続層１３０内を含むがこれに限
定されない、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの粒子構
造１２１を含むがこれに限定されない、堆積材料１２３１のそのような薄い分散ＥＭ放射
線吸収層１２０の存在は、本明細書で論じるように、ディスプレイパネル５１０の光学効
果及び特性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の様々な特質及び付随して様々な挙
動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性
は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイ
ズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つ
の賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０の特徴的なサイズ
、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくと
も１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１
つの特質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの平均膜厚、ＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅにおける不均一性の導入、並びに／又はＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅのパターン化材料１１１１のための温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若し
くは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明
な選択によって制御され得る。
、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくと
も１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１
つの特質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの平均膜厚、ＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅにおける不均一性の導入、並びに／又はＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅのパターン化材料１１１１のための温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若し
くは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明
な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０の特徴的なサイズ
、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくと
も１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の少なくとも１つの特
質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが堆積材料１２３１の堆積に露出され得る程
度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定され得る
）、並びに／又は堆積材料１２３１のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及
び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明
な選択によって制御され得る。
、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくと
も１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の少なくとも１つの特
質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが堆積材料１２３１の堆積に露出され得る程
度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定され得る
）、並びに／又は堆積材料１２３１のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及
び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明
な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造
１２１は、少なくとも可視光スペクトルの波長部分範囲において、ＩＲ及び／又はＮＩＲ
スペクトルにおいてよりも大きな吸収を示すように提供されてもよい。いくつかの非限定
的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも
可視光スペクトルの波長部分範囲内のＥＭ放射線を吸収し、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペク
トルのＥＭ放射線を実質的に吸収しないように提供されてもよい。
１２１は、少なくとも可視光スペクトルの波長部分範囲において、ＩＲ及び／又はＮＩＲ
スペクトルにおいてよりも大きな吸収を示すように提供されてもよい。いくつかの非限定
的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも
可視光スペクトルの波長部分範囲内のＥＭ放射線を吸収し、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペク
トルのＥＭ放射線を実質的に吸収しないように提供されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２０を含むがこれに限定
されない堆積材料１２３１のＥＭ放射線吸収層１２０は、概してＵＶＡスペクトルのＥＭ
放射線を吸収することができるＵＶＡ吸収コーティング１２０を含むことができ、かつ／
又はそのようなＵＶＡ吸収コーティングとして作用することができる。
されない堆積材料１２３１のＥＭ放射線吸収層１２０は、概してＵＶＡスペクトルのＥＭ
放射線を吸収することができるＵＶＡ吸収コーティング１２０を含むことができ、かつ／
又はそのようなＵＶＡ吸収コーティングとして作用することができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０を通るＵＶＡ放射線の透過
を低減及び／又は緩和するために、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２０を提供する
ことには利点があり得る。非限定的な例として、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２
０の存在は、ＵＶＡ放射線によって引き起こされる干渉を低減することによって、ディス
プレイパネル５１０を通してアンダーディスプレイ構成要素５３０によって取り込まれる
画質を向上させることができる。
を低減及び／又は緩和するために、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２０を提供する
ことには利点があり得る。非限定的な例として、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２
０の存在は、ＵＶＡ放射線によって引き起こされる干渉を低減することによって、ディス
プレイパネル５１０を通してアンダーディスプレイ構成要素５３０によって取り込まれる
画質を向上させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、ＵＶスペクトルの少なく
とも一部及び可視光スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収し得るが、ＩＲ及び
／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線では吸収が低減され、かつ／又は実質的に吸収がな
いことが示される。
とも一部及び可視光スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収し得るが、ＩＲ及び
／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線では吸収が低減され、かつ／又は実質的に吸収がな
いことが示される。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含
む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加として、提示されたモデルは、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０を通過するＥ
Ｍ放射線の透過及び／又は吸収に対して与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いく
つかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない
局所的な効果を反映し得る。
Ｍ放射線の透過及び／又は吸収に対して与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いく
つかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない
局所的な効果を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、統計的分布を反映し得る。
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、統計的分布を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトル強度が、粒子構造１２１の特徴的なサ
イズの特定の分布について、ＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度に比例する傾向があり得
る。
イズの特定の分布について、ＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度に比例する傾向があり得
る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、ほぼ単一の値の周り、及び／又は比較的狭い範囲に
集中し得る。
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、ほぼ単一の値の周り、及び／又は比較的狭い範囲に
集中し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、少なくとも１つの値の周りに、かつ／又は少なくと
も１つの比較的狭い範囲内に集中され得る。非限定的な例として、ＥＭ放射線吸収層１２
０の粒子構造は、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の
特徴的なサイズが周りに集中し得る複数の異なる値及び／又は範囲が存在するようなマル
チモーダル挙動を示し得る。
粒子構造１２１の特徴的なサイズは、少なくとも１つの値の周りに、かつ／又は少なくと
も１つの比較的狭い範囲内に集中され得る。非限定的な例として、ＥＭ放射線吸収層１２
０の粒子構造は、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の
特徴的なサイズが周りに集中し得る複数の異なる値及び／又は範囲が存在するようなマル
チモーダル挙動を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、第１の範囲の特徴的なサ
イズを有する第１の少なくとも１つの粒子構造１２１１と、第２の範囲の特徴的なサイズ
を有する第２の少なくとも１つの粒子構造１２１２とを含み得る。いくつかの非限定的な
例では、第１の特徴的なサイズの範囲は、約５０ｎｍ以下のサイズに対応してもよく、第
２の特徴的なサイズの範囲は、少なくとも５０ｎｍのサイズに対応してもよい。非限定的
な例として、第１の特徴的なサイズの範囲は、約１～４９ｎｍのサイズに対応してもよく
、第２の特徴的なサイズの範囲は、約５０～３００ｎｍのサイズに対応してもよい。いく
つかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１の大部分は、約１０～４０ｎｍ、５～
３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、１５～３５ｎｍ、２０～３５ｎｍ、又は２５～３５ｎｍのう
ちの少なくとも１つの範囲内の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では
、第２の粒子構造１２１２の大部分は、約５０～２５０ｎｍ、５０～２００ｎｍ、６０～
１５０ｎｍ、６０～１００ｎｍ、又は６０～９０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特
徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１及び第
２の粒子構造１２１２は、互いに散在していてもよい。
イズを有する第１の少なくとも１つの粒子構造１２１１と、第２の範囲の特徴的なサイズ
を有する第２の少なくとも１つの粒子構造１２１２とを含み得る。いくつかの非限定的な
例では、第１の特徴的なサイズの範囲は、約５０ｎｍ以下のサイズに対応してもよく、第
２の特徴的なサイズの範囲は、少なくとも５０ｎｍのサイズに対応してもよい。非限定的
な例として、第１の特徴的なサイズの範囲は、約１～４９ｎｍのサイズに対応してもよく
、第２の特徴的なサイズの範囲は、約５０～３００ｎｍのサイズに対応してもよい。いく
つかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１の大部分は、約１０～４０ｎｍ、５～
３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、１５～３５ｎｍ、２０～３５ｎｍ、又は２５～３５ｎｍのう
ちの少なくとも１つの範囲内の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では
、第２の粒子構造１２１２の大部分は、約５０～２５０ｎｍ、５０～２００ｎｍ、６０～
１５０ｎｍ、６０～１００ｎｍ、又は６０～９０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特
徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１及び第
２の粒子構造１２１２は、互いに散在していてもよい。
そのようなマルチモーダル粒子構造１２１の形成を研究するために、一連の５つの試
料を製作した。各試料は、ガラス基板上に、およそ２０ｎｍ厚の有機半導体層１５３０、
続いておよそ３４ｎｍ厚のＡｇ層、続いておよそ３０ｎｍ厚のＥＭ層パターン化コーティ
ング２１０ｅを堆積させ、次いでＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの表面をＡｇの
蒸気フラックス１２３２にさらすことによって調製した。各試料のＳＥＭ画像を種々の倍
率で撮影した。
料を製作した。各試料は、ガラス基板上に、およそ２０ｎｍ厚の有機半導体層１５３０、
続いておよそ３４ｎｍ厚のＡｇ層、続いておよそ３０ｎｍ厚のＥＭ層パターン化コーティ
ング２１０ｅを堆積させ、次いでＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの表面をＡｇの
蒸気フラックス１２３２にさらすことによって調製した。各試料のＳＥＭ画像を種々の倍
率で撮影した。
図８Ａは、第１の試料のＳＥＭ画像８００と、拡大された更なるＳＥＭ画像８０５と
を示している。画像８００から分かるように、第１の小さい特徴的なサイズの周りに集中
する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１と、第２のより大きい特徴的なサ
イズの周りに集中する傾向があり得るより少数の第２の粒子構造１２１２とが存在する。
特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８１０は、第１
の粒子構造１２１１の大部分が約３０ｎｍ付近に集中し得ることを示すことができる。分
析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８００の
観察窓の表面被覆度が約３８％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサ
イズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８００の観察窓の表面被覆度が約１％であっ
たことを示している。
を示している。画像８００から分かるように、第１の小さい特徴的なサイズの周りに集中
する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１と、第２のより大きい特徴的なサ
イズの周りに集中する傾向があり得るより少数の第２の粒子構造１２１２とが存在する。
特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８１０は、第１
の粒子構造１２１１の大部分が約３０ｎｍ付近に集中し得ることを示すことができる。分
析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８００の
観察窓の表面被覆度が約３８％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサ
イズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８００の観察窓の表面被覆度が約１％であっ
たことを示している。
図８Ｂは、第２の試料のＳＥＭ画像８２０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８２５と
を示している。画像８２０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。更に、そのような第２の粒子構造１２１２は、より顕著になる傾向があり得
る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８３０は、
２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１
の大きなピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子１２１２のより小さなピークと
を示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造
１２１１の画像８２０の観察窓の表面被覆度が約２３％であったのに対して、少なくとも
約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８２０の観察窓の表
面被覆度が約１０％であったことを示している。
を示している。画像８２０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。更に、そのような第２の粒子構造１２１２は、より顕著になる傾向があり得
る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８３０は、
２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１
の大きなピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子１２１２のより小さなピークと
を示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造
１２１１の画像８２０の観察窓の表面被覆度が約２３％であったのに対して、少なくとも
約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８２０の観察窓の表
面被覆度が約１０％であったことを示している。
図８Ｃは、第３の試料のＳＥＭ画像８４０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８４５と
を示している。画像８４０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、第２の試
料においてよりも更に大きくなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２
１のカウントのプロット８５０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近
に集中した第１の粒子構造１２１１の大きいピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の
粒子構造１２１２のより小さい（しかし、プロット８３０に示されるよりも大きい）ピー
クとを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２
１１の画像８４０の観察窓の表面被覆度が約１９％であったのに対して、少なくとも約５
０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８４０の観察窓の表面被
覆度が約２１％であったことを示している。
を示している。画像８４０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、第２の試
料においてよりも更に大きくなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２
１のカウントのプロット８５０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近
に集中した第１の粒子構造１２１１の大きいピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の
粒子構造１２１２のより小さい（しかし、プロット８３０に示されるよりも大きい）ピー
クとを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２
１１の画像８４０の観察窓の表面被覆度が約１９％であったのに対して、少なくとも約５
０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８４０の観察窓の表面被
覆度が約２１％であったことを示している。
図８Ｄは、第４の試料のＳＥＭ画像８６０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８６５と
を示している。画像８６０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８
７０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約２０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造
１２１１の大きなピークと、約８５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１２１２のより小
さなピークとを示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第
１の粒子構造１２１１の画像８６０の観察窓の表面被覆度が約１４％であったのに対して
、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８６０
の観察窓の表面被覆度が約３４％であったことを示している。
を示している。画像８６０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８
７０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約２０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造
１２１１の大きなピークと、約８５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１２１２のより小
さなピークとを示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第
１の粒子構造１２１１の画像８６０の観察窓の表面被覆度が約１４％であったのに対して
、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８６０
の観察窓の表面被覆度が約３４％であったことを示している。
図８Ｅは、第５の試料のＳＥＭ画像８８０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８８５と
を示している。画像８８０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。実際、第２の粒子構造１２１２が優勢になる傾向があり得る。特徴的な粒子
サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８９０は、２つの識別可能な
ピーク、すなわち、約１５ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きなピークと
、約８５ｎｍの周りに集中した第２の粒子構造１２１２のより小さなピークとを示す。分
析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８８０の
観察窓の表面被覆度が約３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイ
ズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８８０の観察窓の表面被覆度が約５５％であっ
たことを示している。
を示している。画像８８０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾
向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的な
サイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大き
くなり得る。実際、第２の粒子構造１２１２が優勢になる傾向があり得る。特徴的な粒子
サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８９０は、２つの識別可能な
ピーク、すなわち、約１５ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きなピークと
、約８５ｎｍの周りに集中した第２の粒子構造１２１２のより小さなピークとを示す。分
析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８８０の
観察窓の表面被覆度が約３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイ
ズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８８０の観察窓の表面被覆度が約５５％であっ
たことを示している。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、いくつかの非限定的
な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０のそのようなマルチモーダル挙動は、ＥＭ層パターン
化コーティング２１０ｅ内に堆積材料１２３１のための複数の核形成部位を、そのような
核形成部位として作用し得るシード又は不均一性として作用し得る別の材料でパターン化
材料１１１１をドーピング、被覆、及び／又は補完することを含むがこれらに限定されな
いことによって、導入することによって生成され得ると仮定され得る。いくつかの非限定
的な例では、第１の特徴的なサイズの第１の粒子構造１２１１は、そのような核形成部位
が実質的に存在し得ないＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上に形成される傾向があ
り得、第２の特徴的なサイズの第２の粒子構造１２１２は、そのような核形成部位の位置
に形成される傾向があり得ると仮定され得る。
な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０のそのようなマルチモーダル挙動は、ＥＭ層パターン
化コーティング２１０ｅ内に堆積材料１２３１のための複数の核形成部位を、そのような
核形成部位として作用し得るシード又は不均一性として作用し得る別の材料でパターン化
材料１１１１をドーピング、被覆、及び／又は補完することを含むがこれらに限定されな
いことによって、導入することによって生成され得ると仮定され得る。いくつかの非限定
的な例では、第１の特徴的なサイズの第１の粒子構造１２１１は、そのような核形成部位
が実質的に存在し得ないＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上に形成される傾向があ
り得、第２の特徴的なサイズの第２の粒子構造１２１２は、そのような核形成部位の位置
に形成される傾向があり得ると仮定され得る。
当業者は、そのようなマルチモーダル挙動が生成され得る他のメカニズムが存在し得
ることを理解するであろう。
ることを理解するであろう。
上記はまた、単純化する仮定として、各粒子構造１２１をモデル化するＮＰが完全な
球形を有し得ることを仮定する。典型的には、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観
察窓）内の粒子構造１２１の形状は、堆積プロセスに大きく依存し得る。いくつかの非限
定的な例では、粒子構造１２１の形状は、それによって示されるＳＰ励起に対して、限定
はしないが、共振帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随してその吸収帯域を
含むがこれらに限定されないことに対して、著しい影響を有し得る。
球形を有し得ることを仮定する。典型的には、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観
察窓）内の粒子構造１２１の形状は、堆積プロセスに大きく依存し得る。いくつかの非限
定的な例では、粒子構造１２１の形状は、それによって示されるＳＰ励起に対して、限定
はしないが、共振帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随してその吸収帯域を
含むがこれらに限定されないことに対して、著しい影響を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０を取り囲む材料は、（粒子構
造１２１がその露出層表面１１上に堆積され得るように）下にあるか又は後でＥＭ放射線
吸収層１２０の露出層表面１１上に配置されるかにかかわらず、ＥＭ放射線吸収層１２０
を通るＥＭ放射線及び／又はＥＭ信号５３１の放出及び／又は透過によって生成される光
学効果に影響を及ぼし得る。
造１２１がその露出層表面１１上に堆積され得るように）下にあるか又は後でＥＭ放射線
吸収層１２０の露出層表面１１上に配置されるかにかかわらず、ＥＭ放射線吸収層１２０
を通るＥＭ放射線及び／又はＥＭ信号５３１の放出及び／又は透過によって生成される光
学効果に影響を及ぼし得る。
粒子構造１２１を含むＥＭ放射線吸収層１２０を、低屈折率を有する材料から構成さ
れ得るＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に、かつ／又は露出層
表面１１と物理的に接触して、かつ／又は露出層表面１１に近接して配置することは、い
くつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトルをシフトさせ得る
と仮定され得る。
れ得るＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に、かつ／又は露出層
表面１１と物理的に接触して、かつ／又は露出層表面１１に近接して配置することは、い
くつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトルをシフトさせ得る
と仮定され得る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、ＥＭ放射線吸収層１２０上にあるように、かつ／又はＥ
Ｍ放射線吸収層１２０と物理的に接触するように、かつ／又はＥＭ放射線吸収層１２０に
近接するように配列され得るため、ディスプレイパネル５１０は、ＥＭ放射線吸収層１２
０の吸収スペクトルが、可視光スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトル
を含むがこれらに限定されない、ＥＭスペクトルの少なくとも波長範囲と実質的に重複し
得るように、及び／又は重複し得ないように構成され得ることを含むがこれらに限定され
ずに、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在により、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトル
が調整及び／又は修正され得るように構成され得る。
Ｍ放射線吸収層１２０と物理的に接触するように、かつ／又はＥＭ放射線吸収層１２０に
近接するように配列され得るため、ディスプレイパネル５１０は、ＥＭ放射線吸収層１２
０の吸収スペクトルが、可視光スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトル
を含むがこれらに限定されない、ＥＭスペクトルの少なくとも波長範囲と実質的に重複し
得るように、及び／又は重複し得ないように構成され得ることを含むがこれらに限定され
ずに、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在により、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトル
が調整及び／又は修正され得るように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ及び／又はパ
ターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０内に
、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、及びＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅの堆積と同様の状況下では、堆積材料１２３１の第２の表面エネルギ
ー以下であり得る第１の表面エネルギーを有し得、いくつかの非限定的な例では、ディス
プレイパネル５１０内に、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、
及びＥＭ放射線吸収層１２０の堆積と同様の状況下である。
ターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０内に
、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、及びＥＭ層パターン化コ
ーティング２１０ｅの堆積と同様の状況下では、堆積材料１２３１の第２の表面エネルギ
ー以下であり得る第１の表面エネルギーを有し得、いくつかの非限定的な例では、ディス
プレイパネル５１０内に、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、
及びＥＭ放射線吸収層１２０の堆積と同様の状況下である。
いくつかの非限定的な例では、第２の表面エネルギー／第１の表面エネルギーの商は
、少なくとも約１、５、１０、又は２０のうちの少なくとも１つであり得る。
、少なくとも約１、５、１０、又は２０のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１によ
るＥＭ層パターン化コーティング２１０の面積の表面被覆度は、最大閾値被覆度以下であ
り得る。
るＥＭ層パターン化コーティング２１０の面積の表面被覆度は、最大閾値被覆度以下であ
り得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、面５０１の層に対してある角度で
ディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及
び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約
１～２００ｎｍ、１～１５０ｎｍ、１～１００ｎｍ、１～５０ｎｍ、１～４０ｎｍ、１～
３０ｎｍ、１～２０ｎｍ、５～２０ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの範
囲内にあり得る特徴的なサイズを有し得る。
ディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及
び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約
１～２００ｎｍ、１～１５０ｎｍ、１～１００ｎｍ、１～５０ｎｍ、１～４０ｎｍ、１～
３０ｎｍ、１～２０ｎｍ、５～２０ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの範
囲内にあり得る特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、面５０１の層に対してある角度で
ディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及
び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約
５～１００ｎｍ、５～５０ｎｍ、５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、５～２５ｎｍ、５～２０
ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又は中央値の特徴サイズ
を有し得る。非限定的な例として、そのような平均値及び／又は中央値の寸法は、ＥＭ放
射線吸収層１２０の粒子構造１２１の平均値の直径及び／又は中央値の直径にそれぞれ対
応し得る。
ディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及
び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約
５～１００ｎｍ、５～５０ｎｍ、５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、５～２５ｎｍ、５～２０
ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又は中央値の特徴サイズ
を有し得る。非限定的な例として、そのような平均値及び／又は中央値の寸法は、ＥＭ放
射線吸収層１２０の粒子構造１２１の平均値の直径及び／又は中央値の直径にそれぞれ対
応し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の大部分は、面５０１の層に対してあ
る角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペ
クトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈にお
いて、約１００ｎｍ、８０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、
又は１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得る。
る角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩＲスペ
クトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈にお
いて、約１００ｎｍ、８０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、
又は１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような最大特徴サイズを有し得る粒子構造１２１
の割合は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号
透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１
の透過を可能にするという文脈において、ＥＭ放射線吸収層１２０の面積の少なくとも約
７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又は１０％のうち
の少なくとも１つであり得る。
の割合は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号
透過領域６２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１
の透過を可能にするという文脈において、ＥＭ放射線吸収層１２０の面積の少なくとも約
７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又は１０％のうち
の少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、可視光スペクトル及び／又はＵＶ
スペクトルの少なくとも部分範囲内のＥＭ信号５３１を吸収しながら、面５０１の層に対
してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩ
Ｒスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするように構
成され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１は、（ｉ）約１０
～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、
２０～３５％、又は２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率、（ｉｉ）粒子構造１
２１の大部分が少なくとも約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、又は２０ｎｍの
うちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得ること、及び（ｉｉｉ）約５～４０ｎｍ
、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～
２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又
は中央値の特徴サイズを有し得る。
スペクトルの少なくとも部分範囲内のＥＭ信号５３１を吸収しながら、面５０１の層に対
してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過するＩ
Ｒスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするように構
成され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１は、（ｉ）約１０
～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、
２０～３５％、又は２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率、（ｉｉ）粒子構造１
２１の大部分が少なくとも約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、又は２０ｎｍの
うちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得ること、及び（ｉｉｉ）約５～４０ｎｍ
、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～
２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又
は中央値の特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル
５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過するＥＭ信号５３１の透過を向上させるた
めに少なくとも１つの粒子構造１２１によって与えられる共振は、粒子構造１２１の特徴
的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、分散度、及び／又は材料のうちの少
なくとも１つの賢明な選択によって調整され得る。
５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過するＥＭ信号５３１の透過を向上させるた
めに少なくとも１つの粒子構造１２１によって与えられる共振は、粒子構造１２１の特徴
的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、分散度、及び／又は材料のうちの少
なくとも１つの賢明な選択によって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、堆積材料１２３１の堆積厚さを変化させるこ
とによって調整され得る。
とによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの平
均膜厚を変化させることによって調整され得る。
均膜厚を変化させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、少なくとも１つの被覆層７１０の厚さを変化
させることによって調整され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆
層７１０の厚さは、０ｎｍ（少なくとも１つの被覆層７１０の不在に対応する）から、堆
積粒子構造１２１の特質を超える値までの範囲内であり得る。
させることによって調整され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆
層７１０の厚さは、０ｎｍ（少なくとも１つの被覆層７１０の不在に対応する）から、堆
積粒子構造１２１の特質を超える値までの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、堆積材料１２３１内の金属の組成を変更して
、堆積粒子構造１２１の誘電率を変更することによって調整され得る。
、堆積粒子構造１２１の誘電率を変更することによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、異なる組成を有する有機材料でパターン化材
料１１１１をドープすることによって調整され得る。
料１１１１をドープすることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、特定の屈折率及び／又は特定の抽出係数を有
するようにパターン化材料１１１１を選択及び／又は修正することによって調整され得る
。
するようにパターン化材料１１１１を選択及び／又は修正することによって調整され得る
。
いくつかの非限定的な例では、共振は、特定の屈折率及び／又は特定の減衰係数を有
するように、少なくとも１つの被覆層７１０として堆積される材料を選択及び／又は修正
することによって調整され得る。非限定的な例として、典型的な有機ＣＰＬ材料は、約１
．７～２．０の範囲の屈折率を有し得るのに対して、ＴＦＥ材料として典型的に使用され
る材料であるＳｉＯＮｘは、約２．４を超え得る屈折率を有し得る。付随して、ＳｉＯＮ
ｘは、所望の共鳴特質に影響を与え得る高い吸光係数を有し得る。
するように、少なくとも１つの被覆層７１０として堆積される材料を選択及び／又は修正
することによって調整され得る。非限定的な例として、典型的な有機ＣＰＬ材料は、約１
．７～２．０の範囲の屈折率を有し得るのに対して、ＴＦＥ材料として典型的に使用され
る材料であるＳｉＯＮｘは、約２．４を超え得る屈折率を有し得る。付随して、ＳｉＯＮ
ｘは、所望の共鳴特質に影響を与え得る高い吸光係数を有し得る。
当業者は、追加のパラメータ及び／又は値及び／又はその範囲が、面５０１の層に対
してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９２０を通って通過
するＥＭ信号５３１の透過を可能にするために、かつ／又はディスプレイパネル５１０の
面５０１に入射する、非限定的な例として可視光であり得るＥＭ放射線の吸収を向上させ
るために、ＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられる共振を調整するのに好適であるこ
とが明らかになり得ることを理解されよう。
してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９２０を通って通過
するＥＭ信号５３１の透過を可能にするために、かつ／又はディスプレイパネル５１０の
面５０１に入射する、非限定的な例として可視光であり得るＥＭ放射線の吸収を向上させ
るために、ＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられる共振を調整するのに好適であるこ
とが明らかになり得ることを理解されよう。
当業者であれば、これらのパラメータのある特定の値及び／又は範囲は、面５０１の
層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過
するＥＭ信号５３１の透過を向上させるためにＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられ
る共振を調整するのに適切であり得るが、そのようなパラメータの他の値及び／又は範囲
は、面５０１の性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を向上させることを含む、ＥＭ信
号５３１の透過の向上以外の他の目的のために、かついくつかの非限定的な例では、第２
の部分４０２の放出領域５１０内に適切な第２の電極１５４０を確実に堆積させ、それに
よってＥＭ放射線の放出を容易にするために適切であり得ることを理解するであろう。
層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過
するＥＭ信号５３１の透過を向上させるためにＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられ
る共振を調整するのに適切であり得るが、そのようなパラメータの他の値及び／又は範囲
は、面５０１の性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を向上させることを含む、ＥＭ信
号５３１の透過の向上以外の他の目的のために、かついくつかの非限定的な例では、第２
の部分４０２の放出領域５１０内に適切な第２の電極１５４０を確実に堆積させ、それに
よってＥＭ放射線の放出を容易にするために適切であり得ることを理解するであろう。
追加として、当業者は、そのような他の目的に好適であり得る追加のパラメータ及び
／又は値及び／又は範囲が存在し得ることを理解するであろう。
／又は値及び／又は範囲が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２内の面５０１の露出層表面１１に入
射する（すなわち、面５０１の露出層表面１１がＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ
である第１の部分４０１の側面を超える）堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は
、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが存在しない場合であっても、その上に堆積材
料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成することができない速度及び／又は持続
時間であり得る。そのようなシナリオでは、第２の部分４０２の側面内の露出層表面１１
上の堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、図７Ａに示すように、不連続層１３
０を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１２１ｔをその上に形成するこ
ともできる。
射する（すなわち、面５０１の露出層表面１１がＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ
である第１の部分４０１の側面を超える）堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は
、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが存在しない場合であっても、その上に堆積材
料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成することができない速度及び／又は持続
時間であり得る。そのようなシナリオでは、第２の部分４０２の側面内の露出層表面１１
上の堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、図７Ａに示すように、不連続層１３
０を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１２１ｔをその上に形成するこ
ともできる。
図７Ｂは、ユーザデバイス５００の例示的なバージョン５００ｂの簡略化されたブロ
ック図である。そのディスプレイパネル５００ｂでは、堆積材料１２３２の蒸気フラック
ス１２３２が露出層表面１１に入射すると、面５０１のように第２の部分４０２に第２の
電極１５４０として閉じたコーティング１０４０を形成するのではなく、少なくとも１つ
の粒子構造１２１ｔを含む不連続層１３０が第２の部分４０２に形成され得る。少なくと
も１つの粒子構造１２１ｔが電気的に結合される場合、不連続層１３０は、第２の電極１
５４０として機能することができる。
ック図である。そのディスプレイパネル５００ｂでは、堆積材料１２３２の蒸気フラック
ス１２３２が露出層表面１１に入射すると、面５０１のように第２の部分４０２に第２の
電極１５４０として閉じたコーティング１０４０を形成するのではなく、少なくとも１つ
の粒子構造１２１ｔを含む不連続層１３０が第２の部分４０２に形成され得る。少なくと
も１つの粒子構造１２１ｔが電気的に結合される場合、不連続層１３０は、第２の電極１
５４０として機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形
状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子
構造１２１ｄの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び
／又は分散度とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的
なサイズは、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズよりも大きく
てよい。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの表面被覆度－は、ＥＭ放射線
吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの表面被覆度よりも大きくてよい。いくつかの非限定的
な例では、粒子構造１２１ｔの堆積密度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄ
の堆積密度よりも大きくてよい。
状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子
構造１２１ｄの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び
／又は分散度とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的
なサイズは、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズよりも大きく
てよい。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの表面被覆度－は、ＥＭ放射線
吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの表面被覆度よりも大きくてよい。いくつかの非限定的
な例では、粒子構造１２１ｔの堆積密度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄ
の堆積密度よりも大きくてよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形
状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、粒子構造１２１ｔが電気的に結
合されることを可能にするようなものであり得る。
状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、粒子構造１２１ｔが電気的に結
合されることを可能にするようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２内の第２の電極１５４０を形成する
不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズは、第１の部分４
０１内のＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズ
を超えてもよい。
不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズは、第１の部分４
０１内のＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズ
を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の第２の電極１５４０を形成する不
連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの表面被覆度は、第１の部分４０１の
ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの表面被覆度を超えてもよ
い。
連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの表面被覆度は、第１の部分４０１の
ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの表面被覆度を超えてもよ
い。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２における第２の電極１５４０の不連
続層１３０の堆積密度は、第１の部分４０１におけるＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度
よりも大きくてよい。
続層１３０の堆積密度は、第１の部分４０１におけるＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度
よりも大きくてよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０を形成する不連続層１３０の少な
くとも１つの粒子構造１２１は、遷移領域７０５内のＥＭ層パターン化コーティング２１
０の上に部分的に延びてもよい。
くとも１つの粒子構造１２１は、遷移領域７０５内のＥＭ層パターン化コーティング２１
０の上に部分的に延びてもよい。
図７Ｃは、ユーザデバイス５００の例示的なバージョン５００ｃの簡略化されたブロ
ック図である。ディスプレイパネル５１０ｂでは、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の
第２の部分４０２内の放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０
１は、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の第２の部分４０２内の放出領域６１０と同じ
場所に配置され、第１の電極１５２０は、ＴＦＴ絶縁層１６０９を通って延びて、そのよ
うな少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を組み込んだ少なくとも１つの駆動回路を介し
て電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合される。
ック図である。ディスプレイパネル５１０ｂでは、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の
第２の部分４０２内の放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０
１は、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の第２の部分４０２内の放出領域６１０と同じ
場所に配置され、第１の電極１５２０は、ＴＦＴ絶縁層１６０９を通って延びて、そのよ
うな少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を組み込んだ少なくとも１つの駆動回路を介し
て電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合される。
対照的に、ディスプレイパネル５１０ｃでは、面５０１の側面の第２の部分４０２内
に、それが駆動する放出領域６１０と同じ場所に配置されたＴＦＴ構造７０１は存在しな
い。したがって、ディスプレイパネル５１０ｃの第１の電極１５２０は、ＴＦＴ絶縁層７
０９を貫通しない。むしろ、ディスプレイパネル５１０ｃの側面の第２の部分４０２内の
放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、その側面内の他
の場所（図示せず）に位置し、伝導性チャネル７３５は、いくつかの非限定的な例では、
ＴＦＴ絶縁層７０９であり得る、ディスプレイパネル５１０ｃの露出層表面１１上のその
第２の部分４０２を越えて、ディスプレイパネル５１０ｃの側面内に延びてもよい。いく
つかの非限定的な例では、導電性チャネル７３５は、ディスプレイパネル５１０ｃの側面
の第１の部分４０１の少なくとも一部にわたって延びることができる。いくつかの非限定
的な例では、導電性チャネル７３５は、それを通る面５０１の層に対してある角度で通過
するＥＭ信号５３１の透過率を最大化するような平均膜厚を有し得る。いくつかの非限定
的な例では、導電性チャネル７３５は、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
に、それが駆動する放出領域６１０と同じ場所に配置されたＴＦＴ構造７０１は存在しな
い。したがって、ディスプレイパネル５１０ｃの第１の電極１５２０は、ＴＦＴ絶縁層７
０９を貫通しない。むしろ、ディスプレイパネル５１０ｃの側面の第２の部分４０２内の
放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、その側面内の他
の場所（図示せず）に位置し、伝導性チャネル７３５は、いくつかの非限定的な例では、
ＴＦＴ絶縁層７０９であり得る、ディスプレイパネル５１０ｃの露出層表面１１上のその
第２の部分４０２を越えて、ディスプレイパネル５１０ｃの側面内に延びてもよい。いく
つかの非限定的な例では、導電性チャネル７３５は、ディスプレイパネル５１０ｃの側面
の第１の部分４０１の少なくとも一部にわたって延びることができる。いくつかの非限定
的な例では、導電性チャネル７３５は、それを通る面５０１の層に対してある角度で通過
するＥＭ信号５３１の透過率を最大化するような平均膜厚を有し得る。いくつかの非限定
的な例では、導電性チャネル７３５は、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に形成されたＥＭ放射線
吸収層１２０の特徴を分析するために、そのような露出層表面１１をＡｇの蒸気フラック
ス１２３２に露出した後に、一連の試料を製作した。
吸収層１２０の特徴を分析するために、そのような露出層表面１１をＡｇの蒸気フラック
ス１２３２に露出した後に、一連の試料を製作した。
試料は、シリコン（Ｓｉ）基板上にＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅを提供す
るために有機材料を堆積させることによって製作された。次に、ＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅの露出層表面１１を、８ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラック
ス１２３２にさらした。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１を蒸気
フラックス１２３２に露出した後、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面
１１上にＡｇの別個の粒子構造１２１の形態の不連続層１３０の形成が観察された。
るために有機材料を堆積させることによって製作された。次に、ＥＭ層パターン化コーテ
ィング２１０ｅの露出層表面１１を、８ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラック
ス１２３２にさらした。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１を蒸気
フラックス１２３２に露出した後、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面
１１上にＡｇの別個の粒子構造１２１の形態の不連続層１３０の形成が観察された。
そのような不連続層１３０の特徴は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出
層表面１１上に堆積されたＡｇの別個の粒子構造１２１のサイズを測定するためにＳＥＭ
によって特徴付けられた。具体的には、各別個の粒子構造１２１の平均直径は、ＥＭ層パ
ターン化用コーティング２１０ｅの露出層表面１１を平面視したときに各別個の粒子構造
１２１が占める面積を測定し、各別個の粒子構造１２１が占める面積を同面積の円にフィ
ッティングして平均直径を算出した。試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図９Ａに示し、図９Ｃは
、この分析によって得られた平均直径９１０の分布を示す。比較のために、８ｎｍのＡｇ
をＳｉ基板上に直接堆積させた基準試料を調製した。そのような基準試料のＳＥＭ顕微鏡
写真を図９Ｂに示し、この顕微鏡写真の分析９２０を図９Ｃにも反映する。
層表面１１上に堆積されたＡｇの別個の粒子構造１２１のサイズを測定するためにＳＥＭ
によって特徴付けられた。具体的には、各別個の粒子構造１２１の平均直径は、ＥＭ層パ
ターン化用コーティング２１０ｅの露出層表面１１を平面視したときに各別個の粒子構造
１２１が占める面積を測定し、各別個の粒子構造１２１が占める面積を同面積の円にフィ
ッティングして平均直径を算出した。試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図９Ａに示し、図９Ｃは
、この分析によって得られた平均直径９１０の分布を示す。比較のために、８ｎｍのＡｇ
をＳｉ基板上に直接堆積させた基準試料を調製した。そのような基準試料のＳＥＭ顕微鏡
写真を図９Ｂに示し、この顕微鏡写真の分析９２０を図９Ｃにも反映する。
見て分かるように、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上の別
個のＡｇ粒子構造１２１の中央値サイズは、およそ１３ｎｍであることが分かり、一方、
基準試料のＳｉ基板上に堆積されたＡｇ膜の中央値粒径は、およそ２８ｎｍであることが
分かった。試料の分析された部分における不連続層１３０の別個のＡｇ粒子構造１２１に
よって覆われたＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１の面積割合は、
およそ２２．５％であることが分かり、一方、基準試料におけるＡｇ粒子によって覆われ
たＳｉ基板の露出層表面１１の割合は、およそ４８．５％であることが分かった。
個のＡｇ粒子構造１２１の中央値サイズは、およそ１３ｎｍであることが分かり、一方、
基準試料のＳｉ基板上に堆積されたＡｇ膜の中央値粒径は、およそ２８ｎｍであることが
分かった。試料の分析された部分における不連続層１３０の別個のＡｇ粒子構造１２１に
よって覆われたＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１の面積割合は、
およそ２２．５％であることが分かり、一方、基準試料におけるＡｇ粒子によって覆われ
たＳｉ基板の露出層表面１１の割合は、およそ４８．５％であることが分かった。
追加として、ガラス基板上にＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ及びＡｇ粒子構
造１２１の不連続層１３０を堆積させることによって、実質的に同一のプロセスを使用し
てガラス試料を調製し、この試料（試料Ｂ）を分析して、試料を通る透過率に対する不連
続層１３０の効果を決定した。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅをガラス基板上に
堆積させることによって（比較試料Ａ）、及び８ｎｍ厚のＡｇコーティングをガラス基板
上に直接堆積させることによって（比較試料Ｃ）、比較ガラス試料を製作した。ＥＭ放射
線が各試料を通過する際に検出されたＥＭ放射線の強度の割合として表されるＥＭ放射線
の透過率を、各試料について種々の波長で測定し、以下の表４にまとめた。
造１２１の不連続層１３０を堆積させることによって、実質的に同一のプロセスを使用し
てガラス試料を調製し、この試料（試料Ｂ）を分析して、試料を通る透過率に対する不連
続層１３０の効果を決定した。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅをガラス基板上に
堆積させることによって（比較試料Ａ）、及び８ｎｍ厚のＡｇコーティングをガラス基板
上に直接堆積させることによって（比較試料Ｃ）、比較ガラス試料を製作した。ＥＭ放射
線が各試料を通過する際に検出されたＥＭ放射線の強度の割合として表されるＥＭ放射線
の透過率を、各試料について種々の波長で測定し、以下の表４にまとめた。
見て分かるように、試料Ｂは、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在によって引き起こされ
るＥＭ放射線吸収のために、可視光スペクトルの４５０ｎｍの波長で約５４％の比較的低
いＥＭ放射線透過率を示したが、ＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍの波長で約８８％の比較
的高いＥＭ放射線透過率を示した。比較試料Ａは、８５０ｎｍの波長で約９０％の透過率
を示したため、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在は、限定はしないが、そのような波長での
ＥＭ信号５３１を含むＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させなかったことが理解されよう
。比較試料Ｃは、試料Ｂと比較して、可視光スペクトルにおいて３０～４０％の比較的低
い透過率を示し、ＮＩＲスペクトルにおいて８５０ｎｍの波長でより低い透過率を示した
。
るＥＭ放射線吸収のために、可視光スペクトルの４５０ｎｍの波長で約５４％の比較的低
いＥＭ放射線透過率を示したが、ＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍの波長で約８８％の比較
的高いＥＭ放射線透過率を示した。比較試料Ａは、８５０ｎｍの波長で約９０％の透過率
を示したため、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在は、限定はしないが、そのような波長での
ＥＭ信号５３１を含むＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させなかったことが理解されよう
。比較試料Ｃは、試料Ｂと比較して、可視光スペクトルにおいて３０～４０％の比較的低
い透過率を示し、ＮＩＲスペクトルにおいて８５０ｎｍの波長でより低い透過率を示した
。
前述の分析の目的のために、５００ｎｍスケールで約１０ｎｍ２以下及び２００ｎｍ
スケールで約２．５ｎｍ２以下の閾値面積を下回る小粒子構造１２１は、これらが画像の
解像度に近づくにつれて無視された。
スケールで約２．５ｎｍ２以下の閾値面積を下回る小粒子構造１２１は、これらが画像の
解像度に近づくにつれて無視された。
被覆層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、限定はしないが、
アウトカップリング層、ＣＰＬ、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてデ
ィスプレイパネル５１０上に堆積され得る他の物理層及び／若しくはコーティングを含む
、ディスプレイパネル５１０のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティングの
少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１
つの被覆層７１０は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、限定はしないが、
アウトカップリング層、ＣＰＬ、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてデ
ィスプレイパネル５１０上に堆積され得る他の物理層及び／若しくはコーティングを含む
、ディスプレイパネル５１０のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティングの
少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１
つの被覆層７１０は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬは、デバイス３００の表面全体にわたって堆積
され得る。ＣＰＬの機能は、概して、デバイス３００によって放出された光のアウトカッ
プリングを促進し、したがって外部量子効率（ＥＱＥ：external quantum efficiency）
を向上させることであり得る。
され得る。ＣＰＬの機能は、概して、デバイス３００によって放出された光のアウトカッ
プリングを促進し、したがって外部量子効率（ＥＱＥ：external quantum efficiency）
を向上させることであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、面５０１の横方向
範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、第
１の部分４０１においてＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１を少
なくとも部分的に被覆し、その露出層表面１１においてＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅとの界面を形成する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１
０はまた、第２の部分４０２内の第２の電極１５２０を少なくとも部分的に被覆し得る。
範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、第
１の部分４０１においてＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１を少
なくとも部分的に被覆し、その露出層表面１１においてＥＭ層パターン化コーティング２
１０ｅとの界面を形成する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１
０はまた、第２の部分４０２内の第２の電極１５２０を少なくとも部分的に被覆し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、高い屈折率を有し
得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、ＥＭ層パターン
化コーティング２１０ｅの屈折率を超える屈折率を有し得る。
得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、ＥＭ層パターン
化コーティング２１０ｅの屈折率を超える屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、ＥＭ層パターン化コー
ティング２１０ｅの露出層表面１１との界面において、製造中、製造後、及び／又は動作
中であるかどうかにかかわらず、空隙及び／又は空気界面を提供され得る。したがって、
いくつかの非限定的な例では、そのような空隙及び／又は空気界面は、少なくとも１つの
被覆層７１０とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０
は、ＣＰＬ及び空隙の両方を備えてもよく、ＥＭ放射線吸収コーティング１２０は、ＣＰ
Ｌによって覆われてもよく、空隙は、ＣＰＬ上に又はＣＰＬを覆って配置される。
ティング２１０ｅの露出層表面１１との界面において、製造中、製造後、及び／又は動作
中であるかどうかにかかわらず、空隙及び／又は空気界面を提供され得る。したがって、
いくつかの非限定的な例では、そのような空隙及び／又は空気界面は、少なくとも１つの
被覆層７１０とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０
は、ＣＰＬ及び空隙の両方を備えてもよく、ＥＭ放射線吸収コーティング１２０は、ＣＰ
Ｌによって覆われてもよく、空隙は、ＣＰＬ上に又はＣＰＬを覆って配置される。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の粒子
構造１２１のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触し
ていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２
３１の粒子構造１２１の実質的に全てが、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触
していてもよい。
構造１２１のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触し
ていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２
３１の粒子構造１２１の実質的に全てが、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触
していてもよい。
当業者は、図示されていない製造の種々の段階で導入される追加の層が存在し得るこ
とを理解するであろう。
とを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内の粒子構造１２１の薄い分散ＥＭ
放射線吸収層１２０は、低屈折率を有するパターン化材料１１１１を含むパターン化層２
１０と、限定はしないが、高屈折率を有し得る材料を含むＣＰＬを含む少なくとも１つの
被覆層７１０との間の界面において、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネ
ル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１の
アウトカップリングを強化することができる。
放射線吸収層１２０は、低屈折率を有するパターン化材料１１１１を含むパターン化層２
１０と、限定はしないが、高屈折率を有し得る材料を含むＣＰＬを含む少なくとも１つの
被覆層７１０との間の界面において、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネ
ル５１０の面５０１の信号透過領域６２０を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１の
アウトカップリングを強化することができる。
パターン化
当業者は、（ＥＭ放射線吸収層１２０を形成する目的であるか否かにかかわらず）パ
ターン化コーティング２１０を使用して堆積材料１２３１をパターン化することの更なる
詳細がここで説明されることを理解するであろう。
当業者は、（ＥＭ放射線吸収層１２０を形成する目的であるか否かにかかわらず）パ
ターン化コーティング２１０を使用して堆積材料１２３１をパターン化することの更なる
詳細がここで説明されることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１において、パターン化材料１１１１
（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料であってもよい）を含むパターン化コーティ
ング２１０（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣであってもよい）は、第１の部分４０
１においてのみ、デバイス１００の下層（基板１０を含むが、これに限定されない）の露
出層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として選択的に堆積されてもよい。しかし
ながら、第２の部分４０２では、下層の露出層表面１１は、パターン化材料１１１１の閉
じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料であってもよい）を含むパターン化コーティ
ング２１０（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣであってもよい）は、第１の部分４０
１においてのみ、デバイス１００の下層（基板１０を含むが、これに限定されない）の露
出層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として選択的に堆積されてもよい。しかし
ながら、第２の部分４０２では、下層の露出層表面１１は、パターン化材料１１１１の閉
じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
パターン化コーティング
図１０は、積層半導体デバイス１０００の断面図であり、デバイス１００は、いくつ
かの非限定的な例では、そのバージョンであり得る。パターン化コーティング２１０は、
パターン化材料１１１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティ
ング２１０は、パターン化材料１１１１の閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
図１０は、積層半導体デバイス１０００の断面図であり、デバイス１００は、いくつ
かの非限定的な例では、そのバージョンであり得る。パターン化コーティング２１０は、
パターン化材料１１１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティ
ング２１０は、パターン化材料１１１１の閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
パターン化コーティング２１０は、堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期
付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱ
ＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初
期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０が堆積され
たデバイス１００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確
率よりも実質的に低くすることができる。
付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱ
ＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初
期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０が堆積され
たデバイス１００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確
率よりも実質的に低くすることができる。
堆積材料１２３１の堆積に対する、パターン化コーティング２１０及び／又はパター
ン化材料１１１１の低い初期付着確率のために、いくつかの非限定的な例では、膜及び／
又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン
化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、パターン化コーティング２１０を含む第
１の部分４０１は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合
がある。
ン化材料１１１１の低い初期付着確率のために、いくつかの非限定的な例では、膜及び／
又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン
化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、パターン化コーティング２１０を含む第
１の部分４０１は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合
がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．９、約０．３、約０．２、約
０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、
約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０
００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である初期付
着確率を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．９、約０．３、約０．２、約
０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、
約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０
００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である初期付
着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、銀（Ａｇ）及び／又はマグネシウム（Ｍｇ）の堆積に対して、約０．９
、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、
約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、
約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なく
とも１つ以下である初期付着確率を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、銀（Ａｇ）及び／又はマグネシウム（Ｍｇ）の堆積に対して、約０．９
、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、
約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、
約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なく
とも１つ以下である初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．１５～０．０００１、約０．
１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５
～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０
．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．０
０５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約
０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０
．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～
０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０
００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５
、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３
、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００
１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．００
０３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８又は約０．００５～０
．００１のうちの少なくとも１つの初期付着確率を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．１５～０．０００１、約０．
１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５
～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０
．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．０
０５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約
０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０
．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～
０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０
００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５
、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３
、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００
１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．００
０３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８又は約０．００５～０
．００１のうちの少なくとも１つの初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、閾値以下である初期付着確率
を有し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような閾値は、約０．３、約０．２、約
０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、
約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、又は約０．００
１のうちの少なくとも１つであり得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、閾値以下である初期付着確率
を有し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような閾値は、約０．３、約０．２、約
０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、
約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、又は約０．００
１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛
（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して
、そのような閾値未満である初期付着確率を有し得る。いくつかの更なる非限定的な例に
おいて、パターン化コーティング２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１
つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、そのような閾値以下の初期付
着確率を示し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛
（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して
、そのような閾値未満である初期付着確率を有し得る。いくつかの更なる非限定的な例に
おいて、パターン化コーティング２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１
つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、そのような閾値以下の初期付
着確率を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、第１の閾値以下の第１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率
と、第２の閾値以下の第２の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率とを示し得る
。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の
堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積
材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の堆積材料１２３１はＹｂであってもよい。い
くつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＹｂであってもよく、第２の
堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は、
第２の閾値を超えてもよい。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、第１の閾値以下の第１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率
と、第２の閾値以下の第２の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率とを示し得る
。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の
堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積
材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の堆積材料１２３１はＹｂであってもよい。い
くつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＹｂであってもよく、第２の
堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は、
第２の閾値を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１
２３２（図１２）にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過
率を有してもよい。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と
同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１
２３２（図１２）にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過
率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような透過率は、薄膜として形成されたパターン
化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の露出層表面１１を、非限定的
な例として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る光電子デバイ
スの電極を堆積させるために使用され得る典型的な条件下で、Ａｇを含むがこれに限定さ
れない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出した後に測定され得る。
化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の露出層表面１１を、非限定的
な例として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る光電子デバイ
スの電極を堆積させるために使用され得る典型的な条件下で、Ａｇを含むがこれに限定さ
れない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１が、Ａｇを含むがこれに限定されない
堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受けるための条件は、以下の通りであって
もよい。（ｉ）約１０－４Ｔｏｒｒ又は１０－５Ｔｏｒｒの真空圧力、（ｉｉ）Ａｇを含
むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、非限定的な例と
して、ＱＣＭを使用して監視及び／又は測定され得る、約１オングストローム（Å）／秒
の基準堆積速度と実質的に一致し、（ｉｉｉ）約１５ｎｍの基準平均層厚に達するまで、
露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス
１２３２を受け、そのような基準平均層厚に達すると、露出層表面１１は、Ａｇを含むが
これに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を更に受けない。
堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受けるための条件は、以下の通りであって
もよい。（ｉ）約１０－４Ｔｏｒｒ又は１０－５Ｔｏｒｒの真空圧力、（ｉｉ）Ａｇを含
むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、非限定的な例と
して、ＱＣＭを使用して監視及び／又は測定され得る、約１オングストローム（Å）／秒
の基準堆積速度と実質的に一致し、（ｉｉｉ）約１５ｎｍの基準平均層厚に達するまで、
露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス
１２３２を受け、そのような基準平均層厚に達すると、露出層表面１１は、Ａｇを含むが
これに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を更に受けない。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の
蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）
であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材
料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限
定されない堆積材料１２３１を蒸発させる蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられても
よい。
蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）
であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材
料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限
定されない堆積材料１２３１を蒸発させる蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられても
よい。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視光スペクトル内の波長で測定さ
れ得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長で測定され得る。い
くつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で
測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、９００ｎｍ、又は
約１０００ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、
試料を透過し得る入射ＥＭパワーのパーセンテージとして表され得る。いくつかの非限定
的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約
８０％、約８５％、又は約９０％のうちの少なくとも１つであってもよい。
れ得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長で測定され得る。い
くつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で
測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、９００ｎｍ、又は
約１０００ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、
試料を透過し得る入射ＥＭパワーのパーセンテージとして表され得る。いくつかの非限定
的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約
８０％、約８５％、又は約９０％のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の堆積に対する、パターン化コーテ
ィング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の初期付着確率と、いくつかの非限定的
な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１
０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、その上の堆積材料１
２３１の平均層厚との間に正の相関があり得る。
ィング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の初期付着確率と、いくつかの非限定的
な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１
０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、その上の堆積材料１
２３１の平均層厚との間に正の相関があり得る。
高透過率は、概して、非限定的な例としてＡｇであり得る堆積材料１２３１の閉じた
コーティング１０４０が存在しないことを示し得ることが、当業者には理解されよう。一
方、金属薄膜は、特に閉じたコーティング１０４０として形成された場合、ＥＭ放射線の
高い吸収度を示すことがあるので、低い透過率は、概して、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂ
を含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の存在を
示してもよい。
コーティング１０４０が存在しないことを示し得ることが、当業者には理解されよう。一
方、金属薄膜は、特に閉じたコーティング１０４０として形成された場合、ＥＭ放射線の
高い吸収度を示すことがあるので、低い透過率は、概して、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂ
を含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の存在を
示してもよい。
Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１に対し
て低い初期付着確率を示す露出層表面１１は、高い透過率を示し得ることが更に仮定され
得る。一方、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３
１に対して高い付着確率を示す露出層表面１１は、低い透過率を示してもよい。
て低い初期付着確率を示す露出層表面１１は、高い透過率を示し得ることが更に仮定され
得る。一方、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３
１に対して高い付着確率を示す露出層表面１１は、低い透過率を示してもよい。
実施例材料の透過率を測定するために、並びにそのような実施例材料の露出層表面１
１上にＡｇの閉じたコーティング１０４０が形成されたか否かを視覚的に観察するために
、一連の試料が製作された。各試料は、ガラス基板上に、実施例材料のおよそ５０ｎｍ厚
のコーティングを堆積させ、次いで、コーティングの露出層表面１１を、約１５ｎｍの基
準層厚に達するまで、約１Å／秒の速度でＡｇの蒸気フラックス１２３２にさらすことに
よって調製した。次に、各試料を視覚的に分析し、各試料の透過率を測定した。
１上にＡｇの閉じたコーティング１０４０が形成されたか否かを視覚的に観察するために
、一連の試料が製作された。各試料は、ガラス基板上に、実施例材料のおよそ５０ｎｍ厚
のコーティングを堆積させ、次いで、コーティングの露出層表面１１を、約１５ｎｍの基
準層厚に達するまで、約１Å／秒の速度でＡｇの蒸気フラックス１２３２にさらすことに
よって調製した。次に、各試料を視覚的に分析し、各試料の透過率を測定した。
本明細書の試料で使用される実施例材料の分子構造を以下に示す。
Ａｇの実質的に閉じたコーティング１０４０が形成された試料を視覚的に識別し、こ
れらの試料におけるそのようなコーティングの存在を、それらを通る透過率の測定によっ
て更に確認し、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
れらの試料におけるそのようなコーティングの存在を、それらを通る透過率の測定によっ
て更に確認し、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
Ａｇの閉じたコーティング１０４０が形成されていない試料も識別され、これらの試
料中にそのようなコーティングが存在しないことは、それらを通る透過率の測定によって
更に確認され、約４６０ｎｍの波長で約７０％を超える透過率を示した。
料中にそのようなコーティングが存在しないことは、それらを通る透過率の測定によって
更に確認され、約４６０ｎｍの波長で約７０％を超える透過率を示した。
結果を以下に要約する。
上記に基づいて、表５及び６の第１の７つの試料（ＨＴ２１１～実施例材料２）で使
用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、その上の
堆積材料１２３１の堆積を抑制するのにあまり適していない場合があることが分かった。
用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、その上の
堆積材料１２３１の堆積を抑制するのにあまり適していない場合があることが分かった。
一方、実施例材料３～実施例材料９は、少なくともいくつかの非限定的な用途におい
て、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のその
上への堆積を抑制するためのパターン化コーティング２１０として作用するのに好適であ
り得ることが見出された。
て、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のその
上への堆積を抑制するためのパターン化コーティング２１０として作用するのに好適であ
り得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティングの堆積と同様の状況
下で、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／
ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／
ｃｍ、又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有し得る
。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティングの堆積と同様の状況
下で、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／
ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／
ｃｍ、又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有し得る
。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約
７ダイン／ｃｍ、又は約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
７ダイン／ｃｍ、又は約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、約又
は約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
は約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、表面の臨界表面張力は、詳細は、Ｗ．Ａ．Ｚｉｓ
ｍａｎ，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ４３（１９６４），ｐｐ．１－５１
に述べてあるＺｉｓｍａｎ法に従って決定されてもよい。
ｍａｎ，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ４３（１９６４），ｐｐ．１－５１
に述べてあるＺｉｓｍａｎ法に従って決定されてもよい。
非限定的な例として、種々の材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定する
ために、一連の試料を製作した。測定結果を以下に要約する。
ために、一連の試料を製作した。測定結果を以下に要約する。
表７における臨界表面張力の前述の測定、及びＡｇの実質的に閉じたコーティング１
０４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、コーティングとして堆積された
場合に低表面エネルギー表面を形成する材料（これは、非限定的な例として、約１３～２
０ダイン／ｃｍ、又は１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を
有する材料であり得る）は、パターン化コーティング２１０を形成して、その上への堆積
材料１２３１（Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料が挙げられるが、これらに限定されない）の
堆積を阻害するために適切であり得ることが見出された。
０４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、コーティングとして堆積された
場合に低表面エネルギー表面を形成する材料（これは、非限定的な例として、約１３～２
０ダイン／ｃｍ、又は１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を
有する材料であり得る）は、パターン化コーティング２１０を形成して、その上への堆積
材料１２３１（Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料が挙げられるが、これらに限定されない）の
堆積を阻害するために適切であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として
、約１３ダイン／ｃｍよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのよ
うな材料がそのような材料を取り囲む層に対して比較的弱い接着性を示し、低い融点を示
し、及び／又は低い昇華温度を示す可能性があるので、ある特定の用途においてパターン
化材料１１１１としてあまり適していない可能性があると仮定してもよい。
、約１３ダイン／ｃｍよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのよ
うな材料がそのような材料を取り囲む層に対して比較的弱い接着性を示し、低い融点を示
し、及び／又は低い昇華温度を示す可能性があるので、ある特定の用途においてパターン
化材料１１１１としてあまり適していない可能性があると仮定してもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、デバイス４００内のパターン化コーティ
ング２１０の堆積と同様の状況下で、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積さ
れるとき、低屈折率を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、デバイス４００内のパターン化コーティ
ング２１０の堆積と同様の状況下で、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積さ
れるとき、低屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．
４５、約１．４３、約１．４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、又は
約１．３のうちの少なくとも１つ以下であり得る屈折率を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．
４５、約１．４３、約１．４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、又は
約１．３のうちの少なくとも１つ以下であり得る屈折率を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、低屈折率を有するパ
ターン化コーティング２１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００に
おいて、その第２の部分４０２を通る外部ＥＭ放射線の透過を向上させ得ることが観察さ
れている。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０の近くに又はそれに隣接
して配列され得るエアギャップをその中に含むデバイス１０００は、パターン化コーティ
ング２１０が低屈折率を有するとき、そのような低屈折率パターン化コーティング２１０
が提供されなかった同様に構成されたデバイスに対して、より高い透過率を示し得る。
ターン化コーティング２１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００に
おいて、その第２の部分４０２を通る外部ＥＭ放射線の透過を向上させ得ることが観察さ
れている。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０の近くに又はそれに隣接
して配列され得るエアギャップをその中に含むデバイス１０００は、パターン化コーティ
ング２１０が低屈折率を有するとき、そのような低屈折率パターン化コーティング２１０
が提供されなかった同様に構成されたデバイスに対して、より高い透過率を示し得る。
非限定的な例として、一連の試料を製作して、様々な実施例材料のいくつかによって
形成されたコーティングについて、５５０ｎｍの波長での屈折率を測定した。測定結果を
以下に要約する。
形成されたコーティングについて、５５０ｎｍの波長での屈折率を測定した。測定結果を
以下に要約する。
表８の屈折率の前述の測定、及び表６のＡｇの実質的に閉じたコーティング１０４０
の有無に関する以前の観察に基づいて、非限定的な例として、約１．４又は１．３８のう
ちの少なくとも１つ以下の屈折率を有するものであり得る低屈折率コーティングを形成す
る材料は、限定ではないが、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含む、その上の堆積材料１２
３１の堆積を抑制するために、パターン化コーティング２１０を形成するために好適であ
り得ることが見出された。
の有無に関する以前の観察に基づいて、非限定的な例として、約１．４又は１．３８のう
ちの少なくとも１つ以下の屈折率を有するものであり得る低屈折率コーティングを形成す
る材料は、限定ではないが、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含む、その上の堆積材料１２
３１の堆積を抑制するために、パターン化コーティング２１０を形成するために好適であ
り得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、又
は約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長の光子に対して約０．０１以下であり
得る消衰係数を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、又
は約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長の光子に対して約０．０１以下であり
得る消衰係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも可視光スペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰
させないことがある。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも可視光スペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰
させないことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス
１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくともＩＲス
ペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させ
ないことがある。
材料１１１１は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス
１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくともＩＲス
ペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させ
ないことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、又は約３７０ｎｍ
のうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、
約０．１、約０．２、又は約０．５のうちの少なくとも１つであり得る消衰係数を有し得
る。このようにして、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１
は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内の
パターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、デバイス１０００に入射するＵ
ＶＡスペクトルのＥＭ放射線を吸収することができ、それによって、ＵＶＡスペクトルの
ＥＭ放射線がデバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命
に関して望ましくない影響を与え得る可能性を低減する。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、又は約３７０ｎｍ
のうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、
約０．１、約０．２、又は約０．５のうちの少なくとも１つであり得る消衰係数を有し得
る。このようにして、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１
は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内の
パターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、デバイス１０００に入射するＵ
ＶＡスペクトルのＥＭ放射線を吸収することができ、それによって、ＵＶＡスペクトルの
ＥＭ放射線がデバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命
に関して望ましくない影響を与え得る可能性を低減する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、又
は約－５０℃のうちの少なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有し得る。
材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングと
して堆積されるとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様
の状況下で、約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、又
は約－５０℃のうちの少なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、約１００～３２０℃、約
１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１
つの昇華温度を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パ
ターン化材料１１１１がＰＶＤを使用してコーティングとして容易に堆積されることを可
能にし得る。
１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１
つの昇華温度を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パ
ターン化材料１１１１がＰＶＤを使用してコーティングとして容易に堆積されることを可
能にし得る。
材料の昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱すること、及び以下のように
達成され得る温度を決定することを含むがこれらに限定されないことによって、当業者に
明らかな様々な方法を使用して決定することができる。
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への材料の堆積の開始を
観察し、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への特定の堆積速度、非
限定的な例として、０．１Å／秒を観察する、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は約１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達
する。
達成され得る温度を決定することを含むがこれらに限定されないことによって、当業者に
明らかな様々な方法を使用して決定することができる。
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への材料の堆積の開始を
観察し、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への特定の堆積速度、非
限定的な例として、０．１Å／秒を観察する、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は約１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達
する。
いくつかの非限定的な例では、材料の昇華温度は、非限定的な例として約１０－４Ｔ
ｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材料を加熱することによって、また材料を蒸発させる
ために達成され得る温度を決定し、したがって、非限定的な例として約０．１Å／秒の堆
積速度で、蒸発源から固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面への材料の堆積を引き起
こすのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定されてもよい。
ｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材料を加熱することによって、また材料を蒸発させる
ために達成され得る温度を決定し、したがって、非限定的な例として約０．１Å／秒の堆
積速度で、蒸発源から固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面への材料の堆積を引き起
こすのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、昇華温度を決定する目的で、ＱＣＭをるつぼから約６
５ｃｍ離して取り付けられてもよい。
５ｃｍ離して取り付けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
材料１１１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はシリコン（Ｓｉ）原子を含んでもよい。非
限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するためのパターン化材料１１
１１は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であってもよい。
材料１１１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はシリコン（Ｓｉ）原子を含んでもよい。非
限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するためのパターン化材料１１
１１は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、Ｆを含む化合物を含み得
る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を
含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、少な
くとも約１、１．５、又は２のうちの少なくとも１つのＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ
及びＣを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合
物構造中に存在するＦ原子の全てをカウントし、Ｃ原子については、化合物構造中に存在
するｓｐ３混成Ｃ原子のみをカウントすることによって決定することができる。いくつか
の非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、その分子部分構造の一部として、少な
くとも約１、１．５、又は２のＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含む
化合物を含み得る。
る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を
含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、少な
くとも約１、１．５、又は２のうちの少なくとも１つのＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ
及びＣを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合
物構造中に存在するＦ原子の全てをカウントし、Ｃ原子については、化合物構造中に存在
するｓｐ３混成Ｃ原子のみをカウントすることによって決定することができる。いくつか
の非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、その分子部分構造の一部として、少な
くとも約１、１．５、又は２のＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含む
化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物は、有機－無機ハイ
ブリッド材料を含み得る。
ブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、オリゴマーであり得るか
、又はそれを含み得る。
、又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、骨格及び骨格に結合した
少なくとも１つの官能基を含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくと
も１つの官能基は有機部分であってもよい。
少なくとも１つの官能基を含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくと
も１つの官能基は有機部分であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような化合物は、シロキサン基を含む分子構造を
有し得る。いくつかの非限定的な例において、シロキサン基は、線状、分岐状、又は環状
シロキサン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シロキサン基
であってもよく、又はシロキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、
骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそ
れらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少なくとも１つの官能
基は、フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、
フルオロシロキサンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料６及
び実施例材料９である。
有し得る。いくつかの非限定的な例において、シロキサン基は、線状、分岐状、又は環状
シロキサン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シロキサン基
であってもよく、又はシロキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、
骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそ
れらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少なくとも１つの官能
基は、フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、
フルオロシロキサンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料６及
び実施例材料９である。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造
を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基はＰＯＳＳであっ
てもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シルセスキオキサン基であっても
よく、又はシルセスキオキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は
、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれ
らを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、
フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオ
ロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。このような化合物
の非限定的な例は、実施例材料８である。
を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基はＰＯＳＳであっ
てもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シルセスキオキサン基であっても
よく、又はシルセスキオキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は
、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれ
らを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、
フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオ
ロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。このような化合物
の非限定的な例は、実施例材料８である。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、置換若しくは非置換のアリール基、及
び／又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつ
かの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非
限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例と
して、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導
し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／
又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例において、骨格は、置換若しくは非置換のアリール基、及び／又
は置換若しくは非置換のヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であ
ってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少
なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。
び／又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつ
かの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非
限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例と
して、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導
し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／
又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例において、骨格は、置換若しくは非置換のアリール基、及び／又
は置換若しくは非置換のヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であ
ってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少
なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、置換又は非置換の線状、分岐状、又は
環状炭化水素基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、炭化水素
基の１つ以上のＣ原子は、非限定的な例としてＯ、Ｎ、及び／又はＳであり得るヘテロ原
子によって置換され得る。
環状炭化水素基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、炭化水素
基の１つ以上のＣ原子は、非限定的な例としてＯ、Ｎ、及び／又はＳであり得るヘテロ原
子によって置換され得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る
。いくつかの非限定的な例において、ホスファゼン基は、線状、分岐状、又は環状ホスフ
ァゼン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、ホスファゼン基で
あってもよく、又はホスファゼン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格
は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フル
オロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオロ－
ホスファゼンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料４である。
。いくつかの非限定的な例において、ホスファゼン基は、線状、分岐状、又は環状ホスフ
ァゼン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、ホスファゼン基で
あってもよく、又はホスファゼン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格
は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フル
オロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオロ－
ホスファゼンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであってもよい。いくつか
の非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックコポリマーであってもよい。いくつか
の非限定的な例では、化合物は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、オリゴマーはフルオロオリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、化
合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマー及び／又はフルオロ
オリゴマーの非限定的な例は、実施例材料３、実施例材料５、及び／又は実施例材料７の
分子構造を有するものである。
の非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックコポリマーであってもよい。いくつか
の非限定的な例では、化合物は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、オリゴマーはフルオロオリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、化
合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマー及び／又はフルオロ
オリゴマーの非限定的な例は、実施例材料３、実施例材料５、及び／又は実施例材料７の
分子構造を有するものである。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であってもよい。いくつかの非限定
的な例では、金属錯体は有機金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な例では、有
機金属錯体はＦを含み得る。いくつかの非限定的な例において、有機金属錯体は、Ｆを含
む少なくとも１つのリガンドを含むことができる。いくつかの非限定的な例において、Ｆ
を含む少なくとも１つのリガンドは、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキ
ル基を含むことができる。
的な例では、金属錯体は有機金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な例では、有
機金属錯体はＦを含み得る。いくつかの非限定的な例において、有機金属錯体は、Ｆを含
む少なくとも１つのリガンドを含むことができる。いくつかの非限定的な例において、Ｆ
を含む少なくとも１つのリガンドは、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキ
ル基を含むことができる。
いくつかの非限定的な例において、パターン化材料１１１１は、有機－無機ハイブリ
ッド材料であってもよく、又は有機－無機ハイブリッド材料を含んでもよい。
ッド材料であってもよく、又は有機－無機ハイブリッド材料を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、複数の異なる材料を含み
得る。
得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物の分子量は、約５，
０００ｇ／ｍｏｌ、約４，５００ｇ／ｍｏｌ、約４，０００ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ
／ｍｏｌ、又は約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
０００ｇ／ｍｏｌ、約４，５００ｇ／ｍｏｌ、約４，０００ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ
／ｍｏｌ、又は約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物の分子量は、少なく
とも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２
，２００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであってもよ
い。
とも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２
，２００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであってもよ
い。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較的低い表面エネ
ルギーを有する表面を形成するように適合された化合物については、少なくともいくつか
の用途において、そのような化合物の分子量が約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約
１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，００
０～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００～
３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであるという目標が存在し得ることが仮定
され得る。
ルギーを有する表面を形成するように適合された化合物については、少なくともいくつか
の用途において、そのような化合物の分子量が約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約
１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，００
０～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００～
３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであるという目標が存在し得ることが仮定
され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような化合物は
、（ｉ）非限定的な例として、少なくとも１００℃の比較的高い融点、（ｉｉ）比較的低
い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）非限定的な例として、真空ベースの熱蒸着プロ
セスを使用して堆積されたときの実質的に非晶質の構造を有するコーティング及び／又は
層を形成するのに好適であり得る少なくとも１つの特性を示し得ると仮定され得る。
、（ｉ）非限定的な例として、少なくとも１００℃の比較的高い融点、（ｉｉ）比較的低
い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）非限定的な例として、真空ベースの熱蒸着プロ
セスを使用して堆積されたときの実質的に非晶質の構造を有するコーティング及び／又は
層を形成するのに好適であり得る少なくとも１つの特性を示し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るそのような化合物のモル重
量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、又は
約６０～７５％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例において、
Ｆ原子は、そのような化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、又は
約６０～７５％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例において、
Ｆ原子は、そのような化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーテ
ィング２１０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある、中の少なくとも
１つの領域によって画定され得るパターンで配置されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、少なくとも１つの領域は、パターン化コーティング２１０をその複数の別個の断片
に分離してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数
の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔されていてもよい。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片は、いくつかの非限
定的な例ではパターン化コーティング２１０の別個の断片が繰り返しパターンで構成され
得るように、アレイ又はマトリックスを含むがこれらに限定されない規則的な構造で配列
されてもよい。
ィング２１０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある、中の少なくとも
１つの領域によって画定され得るパターンで配置されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、少なくとも１つの領域は、パターン化コーティング２１０をその複数の別個の断片
に分離してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数
の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔されていてもよい。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片は、いくつかの非限
定的な例ではパターン化コーティング２１０の別個の断片が繰り返しパターンで構成され
得るように、アレイ又はマトリックスを含むがこれらに限定されない規則的な構造で配列
されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片の
うちの少なくとも１つは各々、放出領域６１０に対応し得る。
うちの少なくとも１つは各々、放出領域６１０に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の開口率は、約５０％、約４０％、約
３０％、又は約２０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
３０％、又は約２０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、単一のモノリシッ
クコーティングとして形成されてもよい。
クコーティングとして形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、使用されるパター
ン化材料１１１１及び／又は堆積環境のために、堆積材料１２３１のための少なくとも１
つの核形成部位を有する及び／又は提供することができるが、これらに限定されない。
ン化材料１１１１及び／又は堆積環境のために、堆積材料１２３１のための少なくとも１
つの核形成部位を有する及び／又は提供することができるが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積材料１２３１
のためのそのような核形成部位として作用するために、シード又は不均一性として作用し
得る別の材料でドープされ、覆われ、及び／又は補足され得る。いくつかの非限定的な例
では、そのような他の材料は、ＮＰＣ１４２０材料を含み得る。いくつかの非限定的な例
では、そのような他の材料は、非限定的な例として、限定はしないが多環芳香族化合物な
どの有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、若しくはＣのうちの少なくとも１つなどの非金属
元素を含む材料を含むことができ、それらの存在は、そうでなければ、源材料、堆積に使
用される機器、及び／又は真空チャンバ環境中の夾雑物質である可能性がある。いくつか
の非限定的な例では、そのような他の材料は、その閉じたコーティング１０４０の形成を
回避するために、単層の数分の１である層厚で堆積されてもよい。むしろ、そのような他
の材料のモノマーは、堆積材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔
される傾向があり得る。
のためのそのような核形成部位として作用するために、シード又は不均一性として作用し
得る別の材料でドープされ、覆われ、及び／又は補足され得る。いくつかの非限定的な例
では、そのような他の材料は、ＮＰＣ１４２０材料を含み得る。いくつかの非限定的な例
では、そのような他の材料は、非限定的な例として、限定はしないが多環芳香族化合物な
どの有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、若しくはＣのうちの少なくとも１つなどの非金属
元素を含む材料を含むことができ、それらの存在は、そうでなければ、源材料、堆積に使
用される機器、及び／又は真空チャンバ環境中の夾雑物質である可能性がある。いくつか
の非限定的な例では、そのような他の材料は、その閉じたコーティング１０４０の形成を
回避するために、単層の数分の１である層厚で堆積されてもよい。むしろ、そのような他
の材料のモノマーは、堆積材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔
される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、光学コーティング
として作用してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は
、デバイス１０００によって放出されるＥＭ放射線（光子の形態を含むが、これに限定さ
れない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、ある程度のヘイズを示し、放出され
たＥＭ放射線を散乱させ得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２
１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含むことができる。
そのようなＥＭ放射線の散乱は、いくつかの非限定的な例において、デバイスからのＥＭ
放射線のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーン化コーティング２１０は、最初に、実質的に非晶質のコーティングを含むがこれに限
定されない実質的に非結晶性のコーティングとして堆積されてもよく、その堆積後、パタ
ーン化コーティング２１０は結晶化されてもよく、その後、光結合として機能してもよい
。
として作用してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は
、デバイス１０００によって放出されるＥＭ放射線（光子の形態を含むが、これに限定さ
れない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、ある程度のヘイズを示し、放出され
たＥＭ放射線を散乱させ得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２
１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含むことができる。
そのようなＥＭ放射線の散乱は、いくつかの非限定的な例において、デバイスからのＥＭ
放射線のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーン化コーティング２１０は、最初に、実質的に非晶質のコーティングを含むがこれに限
定されない実質的に非結晶性のコーティングとして堆積されてもよく、その堆積後、パタ
ーン化コーティング２１０は結晶化されてもよく、その後、光結合として機能してもよい
。
ＮＩＣを提供する際に使用するのに適した材料は、概して、表面上に薄膜又はコーテ
ィングとして堆積されたときに低い表面エネルギーを有することができる。概して、低い
表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有す
る材料は、低い融点を示し得る。概して、低融点を有する材料は、材料の融点に近い動作
温度でのコーティング又は材料の物理的特性の変化に起因して、非限定的な例として、６
０℃まで、８５℃まで、又は１００℃までの高温信頼性を必要とするいくつかの用途での
使用に適していない場合がある。非限定的な例として、１２０℃の融点を有する材料は、
１００℃までの高温信頼性を必要とする用途には適していない場合がある。したがって、
少なくとも高温信頼性を必要とするいくつかの用途では、より高い融点を有する材料が望
ましい場合がある。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較
的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、高温信頼性が所望され得るいくつか
の用途において有用であり得ることがここで仮定される。
ィングとして堆積されたときに低い表面エネルギーを有することができる。概して、低い
表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有す
る材料は、低い融点を示し得る。概して、低融点を有する材料は、材料の融点に近い動作
温度でのコーティング又は材料の物理的特性の変化に起因して、非限定的な例として、６
０℃まで、８５℃まで、又は１００℃までの高温信頼性を必要とするいくつかの用途での
使用に適していない場合がある。非限定的な例として、１２０℃の融点を有する材料は、
１００℃までの高温信頼性を必要とする用途には適していない場合がある。したがって、
少なくとも高温信頼性を必要とするいくつかの用途では、より高い融点を有する材料が望
ましい場合がある。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較
的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、高温信頼性が所望され得るいくつか
の用途において有用であり得ることがここで仮定される。
概して、低い分子間力を有する材料は、低い昇華温度を示し得る。少なくともいくつ
かの用途では、材料が低い昇華温度を有することは、材料の堆積膜の層厚に対して高度な
制御を必要とするある特定の製造プロセスには適していない場合があるため、望ましくな
い場合がある。非限定的な例として、約１４０℃、１２０℃、１１０℃、１００℃、又は
９０℃未満の昇華温度を有する材料の場合、真空熱蒸着又は当該技術分野における他の方
法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御することは困難であり得る。したが
って、より高い昇華温度を有する材料は、膜厚に対する高度の制御が望まれる少なくとも
いくつかの用途において有用であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望む
ものではないが、比較的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、フィルム厚さ
に対する高度な制御が所望されるいくつかの用途において有用であり得ることがここで仮
定される。
かの用途では、材料が低い昇華温度を有することは、材料の堆積膜の層厚に対して高度な
制御を必要とするある特定の製造プロセスには適していない場合があるため、望ましくな
い場合がある。非限定的な例として、約１４０℃、１２０℃、１１０℃、１００℃、又は
９０℃未満の昇華温度を有する材料の場合、真空熱蒸着又は当該技術分野における他の方
法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御することは困難であり得る。したが
って、より高い昇華温度を有する材料は、膜厚に対する高度の制御が望まれる少なくとも
いくつかの用途において有用であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望む
ものではないが、比較的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、フィルム厚さ
に対する高度な制御が所望されるいくつかの用途において有用であり得ることがここで仮
定される。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、非限定的な例として、材料のＨＯＭＯ
－ＬＵＭＯギャップに対応し得る大きな又は広い光学ギャップを示し得る。大きな又は広
い光学ギャップ及び／又はＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する少なくともいくつかの材
料は、電磁スペクトルの可視部分、濃青色及び／又は近ＵＶ波長範囲において比較的弱い
フォトルミネセンスを示すか、又はフォトルミネセンスを示さないことがある。非限定的
な例として、そのような材料は、蛍光顕微鏡法で使用される放射源の一般的な波長である
約３６５ｎｍの波長を有する放射を受けたときに、弱いフォトルミネセンスを示すか、又
はフォトルミネセンスを示さないことがある。そのような材料の存在は、特に例えば薄膜
として堆積された場合、材料が弱いフォトルミネセンスを示すか又はフォトルミネセンス
を示さないため、蛍光顕微鏡法などの標準的な光学検出技術を使用して検出することが困
難な場合がある。これは、材料の堆積に続いて、そのような材料が存在する部分を決定す
ることが望ましい場合があるため、材料が、例えばファインメタルマスクを通して、基板
の部分の上に選択的に堆積される用途では特に問題となり得る。したがって、比較的小さ
いＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する材料は、光学技術を使用した材料の膜の検出が望
まれる用途において有用であり得る。したがって、より高い表面エネルギーを有する材料
は、光学技術を使用して材料の膜を検出するためのそのような用途に望ましい場合がある
。
－ＬＵＭＯギャップに対応し得る大きな又は広い光学ギャップを示し得る。大きな又は広
い光学ギャップ及び／又はＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する少なくともいくつかの材
料は、電磁スペクトルの可視部分、濃青色及び／又は近ＵＶ波長範囲において比較的弱い
フォトルミネセンスを示すか、又はフォトルミネセンスを示さないことがある。非限定的
な例として、そのような材料は、蛍光顕微鏡法で使用される放射源の一般的な波長である
約３６５ｎｍの波長を有する放射を受けたときに、弱いフォトルミネセンスを示すか、又
はフォトルミネセンスを示さないことがある。そのような材料の存在は、特に例えば薄膜
として堆積された場合、材料が弱いフォトルミネセンスを示すか又はフォトルミネセンス
を示さないため、蛍光顕微鏡法などの標準的な光学検出技術を使用して検出することが困
難な場合がある。これは、材料の堆積に続いて、そのような材料が存在する部分を決定す
ることが望ましい場合があるため、材料が、例えばファインメタルマスクを通して、基板
の部分の上に選択的に堆積される用途では特に問題となり得る。したがって、比較的小さ
いＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する材料は、光学技術を使用した材料の膜の検出が望
まれる用途において有用であり得る。したがって、より高い表面エネルギーを有する材料
は、光学技術を使用して材料の膜を検出するためのそのような用途に望ましい場合がある
。
少なくともいくつかの用途では、堆積材料の蒸気フラックスにさらされるパターン化
層上に、粒子構造を含有する不連続コーティングの形成を引き起こすためのパターン化層
を提供することも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、堆積材料の実質
的に閉じたコーティングが、パターン化層によってコーティングされていない第２の部分
に形成される一方で、少なくとも１つの特質を有する粒子構造を含有する不連続コーティ
ングが、パターン化層上の第１の部分に形成されるように、パターン化層が十分に低い初
期付着確率を示すことも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、例えば、
約１００ｎｍ、５０ｎｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さを有する、堆積材料の実質
的に閉じた薄膜コーティングを堆積させながら、非限定的な例として、金属又は金属合金
であり得る、堆積材料の不連続膜又は粒子構造を第２の部分に形成することが望ましくあ
り得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分において不連続膜又は粒子構造として
堆積される堆積材料の相対量は、第２の部分において実質的に閉じたコーティングとして
堆積される堆積材料の量の約１％～５０％、２％～２５％、５％～２０％、又は７％～１
０％に対応してもよく、これは、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さに対応してもよい。
層上に、粒子構造を含有する不連続コーティングの形成を引き起こすためのパターン化層
を提供することも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、堆積材料の実質
的に閉じたコーティングが、パターン化層によってコーティングされていない第２の部分
に形成される一方で、少なくとも１つの特質を有する粒子構造を含有する不連続コーティ
ングが、パターン化層上の第１の部分に形成されるように、パターン化層が十分に低い初
期付着確率を示すことも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、例えば、
約１００ｎｍ、５０ｎｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さを有する、堆積材料の実質
的に閉じた薄膜コーティングを堆積させながら、非限定的な例として、金属又は金属合金
であり得る、堆積材料の不連続膜又は粒子構造を第２の部分に形成することが望ましくあ
り得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分において不連続膜又は粒子構造として
堆積される堆積材料の相対量は、第２の部分において実質的に閉じたコーティングとして
堆積される堆積材料の量の約１％～５０％、２％～２５％、５％～２０％、又は７％～１
０％に対応してもよく、これは、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さに対応してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、薄膜として堆積され
たときに比較的高い表面エネルギーを示す材料を含有するパターン化層は、第１の部分に
おける堆積材料の不連続膜又は粒子構造、及び第２の部分における堆積材料の実質的に閉
じたコーティングの形成が望まれる少なくともいくつかの用途において、特に、実質的に
閉じたコーティングの厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎｍ
、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満である場合に有用であり得ることが、本発明者らによって
見出された。
たときに比較的高い表面エネルギーを示す材料を含有するパターン化層は、第１の部分に
おける堆積材料の不連続膜又は粒子構造、及び第２の部分における堆積材料の実質的に閉
じたコーティングの形成が望まれる少なくともいくつかの用途において、特に、実質的に
閉じたコーティングの厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎｍ
、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満である場合に有用であり得ることが、本発明者らによって
見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
コーティングは、少なくとも２つの材料を含む。いくつかの非限定的な例では、パターン
化コーティング２１０は、第１の材料及び第２の材料を含む。
コーティングは、少なくとも２つの材料を含む。いくつかの非限定的な例では、パターン
化コーティング２１０は、第１の材料及び第２の材料を含む。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化
コーティングの材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成
する。
コーティングの材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成
する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なく
とも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成し、パターン化コーティング２１０
の別の材料は、薄膜として堆積されると、ＮＰＣを形成する。いくつかの非限定的な例で
は、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣを形成し、第２の材料は、薄膜と
して堆積されたときにＮＩＣを形成する。いくつかの非限定的な例では、パターン化コー
ティング２１０内の第１の材料の存在は、パターン化コーティング２１０が第１の材料の
実質的存在を伴わずに第２の材料から形成される場合と比較して、パターン化コーティン
グ２１０の増加した初期付着確率をもたらし得る。
とも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成し、パターン化コーティング２１０
の別の材料は、薄膜として堆積されると、ＮＰＣを形成する。いくつかの非限定的な例で
は、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣを形成し、第２の材料は、薄膜と
して堆積されたときにＮＩＣを形成する。いくつかの非限定的な例では、パターン化コー
ティング２１０内の第１の材料の存在は、パターン化コーティング２１０が第１の材料の
実質的存在を伴わずに第２の材料から形成される場合と比較して、パターン化コーティン
グ２１０の増加した初期付着確率をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なく
とも１つは、薄膜として堆積されると、低表面エネルギーを有する表面を形成するように
適合される。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときに
、第２の材料からなる薄膜によって提供される表面よりも低い表面エネルギーを有する表
面を形成するように適合される。
とも１つは、薄膜として堆積されると、低表面エネルギーを有する表面を形成するように
適合される。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときに
、第２の材料からなる薄膜によって提供される表面よりも低い表面エネルギーを有する表
面を形成するように適合される。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、フォトルミネセン
スを示し、これは、例えば、フォトルミネセンスを示す材料をパターン化コーティング２
１０内に含むことによって達成されてもよい。
スを示し、これは、例えば、フォトルミネセンスを示す材料をパターン化コーティング２
１０内に含むことによって達成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、電磁スペクトルの
ＵＶ及び／又は可視部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定
的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶ
Ａ、及び／又は約２８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限
定されない、ＵＶに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミ
ネセンスは、約３８０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部
分に対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深
い青色又は近ＵＶに対応する波長であり得る。
ＵＶ及び／又は可視部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定
的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶ
Ａ、及び／又は約２８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限
定されない、ＵＶに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミ
ネセンスは、約３８０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部
分に対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深
い青色又は近ＵＶに対応する波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１の光学ギャップを有し、第２の材料
は第２の光学ギャップを有する。第２の光学ギャップは、第１の光学ギャップよりも大き
い。いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップと第２の光学ギャップとの差は、
約０．３ｅＶより大きく、約０．５ｅＶより大きく、約０．７ｅＶより大きく、約１ｅＶ
より大きく、約１．３ｅＶより大きく、約１．５ｅＶより大きく、約１．７ｅＶより大き
く、約２ｅＶより大きく、約２．５ｅＶより大きく、かつ／又は約３ｅＶより大きい。
は第２の光学ギャップを有する。第２の光学ギャップは、第１の光学ギャップよりも大き
い。いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップと第２の光学ギャップとの差は、
約０．３ｅＶより大きく、約０．５ｅＶより大きく、約０．７ｅＶより大きく、約１ｅＶ
より大きく、約１．３ｅＶより大きく、約１．５ｅＶより大きく、約１．７ｅＶより大き
く、約２ｅＶより大きく、約２．５ｅＶより大きく、かつ／又は約３ｅＶより大きい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップは、約４．１ｅＶ未満、約３．５
ｅＶ未満、又は約３．４ｅＶ未満である。いくつかの非限定的な例では、第２の光学ギャ
ップは、約３．４ｅＶより大きく、約３．５ｅＶより大きく、約４．１ｅＶより大きく、
約５ｅＶより大きく、又は約６．２ｅＶより大きい。
ｅＶ未満、又は約３．４ｅＶ未満である。いくつかの非限定的な例では、第２の光学ギャ
ップは、約３．４ｅＶより大きく、約３．５ｅＶより大きく、約４．１ｅＶより大きく、
約５ｅＶより大きく、又は約６．２ｅＶより大きい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップ及び／又は第２の光学ギャップは
、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップに対応する。
、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップに対応する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、電磁スペクトルのＵＶ及び／又は可視
部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、フォト
ルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶＡ、及び／又は約２
８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶに
対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８
０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部分に対応する波長で
あり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深い青色に対応する波
長であり得る。
部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、フォト
ルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶＡ、及び／又は約２
８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶに
対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８
０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部分に対応する波長で
あり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深い青色に対応する波
長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する
波長でフォトルミネセンスを示し、第２の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する
任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。
波長でフォトルミネセンスを示し、第２の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する
任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なく
とも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つは、共役結合、ア
リール部分、供与体－受容体基、及び／又は重金属錯体を含む。
とも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つは、共役結合、ア
リール部分、供与体－受容体基、及び／又は重金属錯体を含む。
非限定的な例として、コーティング及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起
プロセスを通して観察されてもよい。光励起プロセスでは、コーティング及び／又は材料
は、ＵＶランプなどの光源によって放出される放射線にさらされる。光源によって放出さ
れた放射線がコーティング及び／又は材料によって吸収されると、コーティング及び／又
は材料内の電子が一時的に励起される。励起に続いて、蛍光及びリン光を含むがこれらに
限定されない１つ以上の緩和プロセスが生じ得、これにより、コーティング及び／又は材
料から光が放出される。そのようなプロセス中にコーティング及び／又は材料から放出さ
れる光は、例えば光検出器によって検出されて、コーティング及び／又は材料のフォトル
ミネセンス特性を特徴付けることができる。本明細書で使用されるように、コーティング
及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、概して、励起状態からの電子の緩
和の結果として、そのようなコーティング及び／又は材料によって放出される光の波長を
指す。当業者によって理解されるであろうように、光励起プロセスの結果としてコーティ
ング及び／又は材料によって放出される光の波長は、概して、光励起を開始するために使
用される放射の波長より長い。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定
されない当技術分野で公知の種々の技術を使用して検出及び／又は特徴付けすることがで
きる。本明細書で使用される場合、光ルミネセンスコーティング又は光ルミネセンス材料
は、ある特定の波長の励起放射線で照射されたときに、ある波長で光ルミネセンスを示す
コーティング又は材料である。いくつかの非限定的な例では、光ルミネセンスコーティン
グ又は材料は、３６５ｎｍの波長を有する励起放射線で照射されると、約３６５ｎｍを超
える波長で光ルミネセンスを示し得る。フォトルミネセンスコーティングは、そのような
コーティング又は材料の存在を定量化、測定、又は検査するために有用である、蛍光顕微
鏡法のような標準的な光学技術を使用して、基板上で検出され得る。
プロセスを通して観察されてもよい。光励起プロセスでは、コーティング及び／又は材料
は、ＵＶランプなどの光源によって放出される放射線にさらされる。光源によって放出さ
れた放射線がコーティング及び／又は材料によって吸収されると、コーティング及び／又
は材料内の電子が一時的に励起される。励起に続いて、蛍光及びリン光を含むがこれらに
限定されない１つ以上の緩和プロセスが生じ得、これにより、コーティング及び／又は材
料から光が放出される。そのようなプロセス中にコーティング及び／又は材料から放出さ
れる光は、例えば光検出器によって検出されて、コーティング及び／又は材料のフォトル
ミネセンス特性を特徴付けることができる。本明細書で使用されるように、コーティング
及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、概して、励起状態からの電子の緩
和の結果として、そのようなコーティング及び／又は材料によって放出される光の波長を
指す。当業者によって理解されるであろうように、光励起プロセスの結果としてコーティ
ング及び／又は材料によって放出される光の波長は、概して、光励起を開始するために使
用される放射の波長より長い。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定
されない当技術分野で公知の種々の技術を使用して検出及び／又は特徴付けすることがで
きる。本明細書で使用される場合、光ルミネセンスコーティング又は光ルミネセンス材料
は、ある特定の波長の励起放射線で照射されたときに、ある波長で光ルミネセンスを示す
コーティング又は材料である。いくつかの非限定的な例では、光ルミネセンスコーティン
グ又は材料は、３６５ｎｍの波長を有する励起放射線で照射されると、約３６５ｎｍを超
える波長で光ルミネセンスを示し得る。フォトルミネセンスコーティングは、そのような
コーティング又は材料の存在を定量化、測定、又は検査するために有用である、蛍光顕微
鏡法のような標準的な光学技術を使用して、基板上で検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、第１の光学ギャップ及び／又は
第２の光学ギャップを含む、種々のコーティング及び／又は材料の光学ギャップは、光励
起プロセス中に光子が吸収又は放出される、コーティング及び／又は材料のエネルギーギ
ャップに対応してもよい。
第２の光学ギャップを含む、種々のコーティング及び／又は材料の光学ギャップは、光励
起プロセス中に光子が吸収又は放出される、コーティング及び／又は材料のエネルギーギ
ャップに対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、非限定的な例として、ＵＶＡ
又はＵＶＢなどの電磁スペクトルのＵＶ部分に対応する波長を有する放射にコーティング
及び／又は材料をさらすことによって、検出及び／又は特徴付けられる。いくつかの非限
定的な例では、光励起を引き起こすための放射線は、約３６５ｎｍの波長を有する。
又はＵＶＢなどの電磁スペクトルのＵＶ部分に対応する波長を有する放射にコーティング
及び／又は材料をさらすことによって、検出及び／又は特徴付けられる。いくつかの非限
定的な例では、光励起を引き起こすための放射線は、約３６５ｎｍの波長を有する。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する
任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。いくつかの非限定的な例では、第
２の材料は、約３００ｎｍ、３２０ｎｍ、３５０ｎｍ、及び／又は３６５ｎｍの波長、又
はそれらよりも長い波長を有する放射にさらされたときにフォトルミネセンスを示さない
。非限定的な例として、第２の材料は、そのような放射線にさらされたときに、わずかな
量の吸収を示してもよく、かつ／又は検出可能な量の吸収を示さなくてもよい。いくつか
の非限定的な例では、第２の材料の第２の光学ギャップは、光源によって放出された放射
の光子エネルギーよりも広くてもよく、その結果、第２の材料は、そのような放射にさら
されたときに光励起を受けない。しかしながら、そのような第２の材料を含有するパター
ン化コーティング２１０は、それにもかかわらず、フォトルミネセンスを示す第１の材料
に起因して、そのような放射にさらされると、フォトルミネセンスを示し得る。このよう
に、例えば、パターン化コーティング２１０の存在は、パターン化コーティング２１０の
堆積に応じて、蛍光顕微鏡法などのルーチン特性評価技術を使用して、容易に検出及び／
又は観察されてもよい。
任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。いくつかの非限定的な例では、第
２の材料は、約３００ｎｍ、３２０ｎｍ、３５０ｎｍ、及び／又は３６５ｎｍの波長、又
はそれらよりも長い波長を有する放射にさらされたときにフォトルミネセンスを示さない
。非限定的な例として、第２の材料は、そのような放射線にさらされたときに、わずかな
量の吸収を示してもよく、かつ／又は検出可能な量の吸収を示さなくてもよい。いくつか
の非限定的な例では、第２の材料の第２の光学ギャップは、光源によって放出された放射
の光子エネルギーよりも広くてもよく、その結果、第２の材料は、そのような放射にさら
されたときに光励起を受けない。しかしながら、そのような第２の材料を含有するパター
ン化コーティング２１０は、それにもかかわらず、フォトルミネセンスを示す第１の材料
に起因して、そのような放射にさらされると、フォトルミネセンスを示し得る。このよう
に、例えば、パターン化コーティング２１０の存在は、パターン化コーティング２１０の
堆積に応じて、蛍光顕微鏡法などのルーチン特性評価技術を使用して、容易に検出及び／
又は観察されてもよい。
いくつかの非限定的の例では、パターン化コーティング２１０中の第１の材料の濃度
（例えば、重量による）は、パターン化コーティング２１０中の第２の材料の濃度未満で
ある。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、約０．１重量％
以上、０．２重量％以上、０．５重量％以上、０．８重量％以上、１重量％以上、３重量
％以上、５重量％以上、８重量％以上、１０重量％以上、１５重量％以上、又は２０重量
％以上の第１の材料を含有してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーテ
ィング２１０は、約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量
％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約
５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下の第１の材料を含有してもよい。い
くつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の残りは、第２の材料から実
質的に構成されてもよい。いくつかの非限定的の例では、パターン化コーティング２１０
は、非限定的の例として、第３の材料、及び／又は第４の材料などの追加の材料を含有し
てもよい。
（例えば、重量による）は、パターン化コーティング２１０中の第２の材料の濃度未満で
ある。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、約０．１重量％
以上、０．２重量％以上、０．５重量％以上、０．８重量％以上、１重量％以上、３重量
％以上、５重量％以上、８重量％以上、１０重量％以上、１５重量％以上、又は２０重量
％以上の第１の材料を含有してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーテ
ィング２１０は、約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量
％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約
５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下の第１の材料を含有してもよい。い
くつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の残りは、第２の材料から実
質的に構成されてもよい。いくつかの非限定的の例では、パターン化コーティング２１０
は、非限定的の例として、第３の材料、及び／又は第４の材料などの追加の材料を含有し
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ素（Ｆ）原子及び
ケイ素（Ｓｉ）原子のうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第１の材
料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有
する。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含み、第２
の材料はＦ及び／又はＳｉを含む。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の
材料は両方とも、Ｆを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材
料は両方とも、Ｓｉを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材
料の各々は、Ｆ及び／又はＳｉを含有する。
パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ素（Ｆ）原子及び
ケイ素（Ｓｉ）原子のうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第１の材
料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有
する。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含み、第２
の材料はＦ及び／又はＳｉを含む。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の
材料は両方とも、Ｆを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材
料は両方とも、Ｓｉを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材
料の各々は、Ｆ及び／又はＳｉを含有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つの
材料は、Ｆ及びＳｉの両方を含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第
２の材料のうちの１つは、Ｆ及び／又はＳｉを含有しない。いくつかの非限定的な例では
、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含有し、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含有しない
。
材料は、Ｆ及びＳｉの両方を含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第
２の材料のうちの１つは、Ｆ及び／又はＳｉを含有しない。いくつかの非限定的な例では
、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含有し、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含有しない
。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パ
ターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ３炭素を含有する。いく
つかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パター
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、
パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有
する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であって
もよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３
炭素を含有し、炭素（Ｃ）に結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。いく
つかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パター
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、
Ｃに結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有し、Ｆを含有しない。非限定的な例
として、前述の非限定的な例のうちのいずれかでは、「パターン化コーティング２１０の
材料のうちの少なくとも１つ」は、第２の材料に対応してもよく、「パターン化コーティ
ング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ」は、第１の材料に対応してもよい。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パ
ターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ３炭素を含有する。いく
つかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パター
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、
パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有
する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であって
もよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３
炭素を含有し、炭素（Ｃ）に結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。いく
つかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パター
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、
Ｃに結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有し、Ｆを含有しない。非限定的な例
として、前述の非限定的な例のうちのいずれかでは、「パターン化コーティング２１０の
材料のうちの少なくとも１つ」は、第２の材料に対応してもよく、「パターン化コーティ
ング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ」は、第１の材料に対応してもよい。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部
分、及び／又は他の官能基若しくは部分を含むコーティング中の材料の存在は、非限定的
な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、
当該分野で公知の種々の方法を使用して検出され得る。
分、及び／又は他の官能基若しくは部分を含むコーティング中の材料の存在は、非限定的
な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、
当該分野で公知の種々の方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含
有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり
得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パ
ターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含
有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であ
り得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、
芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少な
くとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、
第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のう
ちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーテ
ィング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを
含有しない。芳香族炭化水素部分の非限定的な例としては、置換多環式芳香族炭化水素部
分、非置換多環式芳香族炭化水素部分、置換フェニル部分、及び非置換フェニル部分が挙
げられる。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含
有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり
得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パ
ターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含
有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であ
り得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、
芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少な
くとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、
第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のう
ちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーテ
ィング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを
含有しない。芳香族炭化水素部分の非限定的な例としては、置換多環式芳香族炭化水素部
分、非置換多環式芳香族炭化水素部分、置換フェニル部分、及び非置換フェニル部分が挙
げられる。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部
分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料
であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有
し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化
水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第
２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、
Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非
限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コー
ティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部
分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多
環式芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを含有しない。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部
分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料
であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有
し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化
水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第
２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、
Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非
限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コー
ティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部
分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多
環式芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及び
シロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の
材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限
定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーテ
ィング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のう
ちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも
１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば
、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材
料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１
つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非
限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化
コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部
分のうちの少なくとも１つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を
含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及び
シロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の
材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限
定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーテ
ィング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のう
ちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも
１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば
、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材
料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１
つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他
の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非
限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化
コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部
分のうちの少なくとも１つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化
コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を
含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する
。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、
パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン
化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有しない。い
くつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パタ
ーン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、フェニル部分
を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェ
ニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２
の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ
を含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの
少なくとも１つは、フェニル部分を含有し、Ｆを含有しない。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パター
ン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する
。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、
パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン
化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有しない。い
くつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パタ
ーン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、フェニル部分
を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェ
ニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２
の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ
を含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの
少なくとも１つは、フェニル部分を含有し、Ｆを含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及び
シロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の
材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では
、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０
の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくと
も１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェ
ニル部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第
２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、
フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含
有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル
部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材
料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フ
ッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含有
せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部
分を含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及び
シロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の
材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では
、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０
の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくと
も１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェ
ニル部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第
２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、
フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含
有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル
部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材
料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フ
ッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含有
せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部
分を含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
概して、例えば第１の材料及び第２の材料であり得るパターン化コーティング２１０
の材料の分子構造及び／又は分子組成は、互いに異なる。いくつかの非限定的な例では、
材料は、互いに実質的に同様又は異なる少なくとも１つの特性を有するように選択されて
もよい。そのような形質及び／又は特性の非限定的な例としては、（１）モノマーの分子
構造、モノマー骨格、及び／又は官能基、（２）共通要素の存在、（３）分子構造の類似
性、（４）特性表面エネルギー、（５）屈折率、（６）分子量、及び／又は（７）融解温
度、昇華温度、ガラス転移温度、及び／又は熱分解温度を含むがこれらに限定されない熱
特性が挙げられる。
の材料の分子構造及び／又は分子組成は、互いに異なる。いくつかの非限定的な例では、
材料は、互いに実質的に同様又は異なる少なくとも１つの特性を有するように選択されて
もよい。そのような形質及び／又は特性の非限定的な例としては、（１）モノマーの分子
構造、モノマー骨格、及び／又は官能基、（２）共通要素の存在、（３）分子構造の類似
性、（４）特性表面エネルギー、（５）屈折率、（６）分子量、及び／又は（７）融解温
度、昇華温度、ガラス転移温度、及び／又は熱分解温度を含むがこれらに限定されない熱
特性が挙げられる。
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、その
ような材料から決定される表面エネルギーを指す。例として、特性表面エネルギーは、薄
膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定されてもよい。
固体の表面エネルギーを決定するための種々の方法及び理論が知られている。例えば、表
面エネルギーは、種々の液体を固体の表面と接触させて、液体－蒸気界面と表面との間の
接触角を測定する一連の接触角測定に基づいて計算又は導出することができる。いくつか
の非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張
力を有する液体の表面張力に等しい。例えば、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面の
完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最も高い表面張力値を決定することが
できる。
ような材料から決定される表面エネルギーを指す。例として、特性表面エネルギーは、薄
膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定されてもよい。
固体の表面エネルギーを決定するための種々の方法及び理論が知られている。例えば、表
面エネルギーは、種々の液体を固体の表面と接触させて、液体－蒸気界面と表面との間の
接触角を測定する一連の接触角測定に基づいて計算又は導出することができる。いくつか
の非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張
力を有する液体の表面張力に等しい。例えば、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面の
完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最も高い表面張力値を決定することが
できる。
材料の昇華温度は、当技術分野で知られている種々の方法を使用して決定することが
できる。非限定的な例として、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、供給
源から一定の距離に取り付けられた水晶微量天秤上で材料の堆積の開始を観察するために
必要な温度を決定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な例では、水晶振
動子マイクロバランスは、昇華温度を決定する目的で、供給源から約６５ｃｍ離して取り
付けられてもよい。いくつかの非限定的な例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で
材料を加熱し、非限定的な例としてソースから約６５ｃｍの固定距離でるつぼから離れて
取り付けられた水晶微量天秤上で、非限定的な例として０．１Å／秒の特定の堆積速度を
観察するために必要な温度を測定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な
例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、材料の閾値蒸気圧に達する
のに必要な温度を決定することによって決定されてもよい。非限定的な例として、閾値蒸
気圧は、約１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ又は１０Ｅ－５Ｔｏｒｒであってもよい。いくつかの非限
定的な例では、材料の昇華温度は、約１０Ｅ－４Ｔｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材
料を加熱し、材料を蒸発させるのに必要な温度を測定し、したがって蒸発源から約６５ｃ
ｍ離れて位置付けられた表面上に約０．１オングストローム／秒の速度で材料を堆積させ
るのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定することができる。堆積速度は
、非限定的な例として、蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられた水晶微量天秤を用い
て測定することができる。
できる。非限定的な例として、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、供給
源から一定の距離に取り付けられた水晶微量天秤上で材料の堆積の開始を観察するために
必要な温度を決定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な例では、水晶振
動子マイクロバランスは、昇華温度を決定する目的で、供給源から約６５ｃｍ離して取り
付けられてもよい。いくつかの非限定的な例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で
材料を加熱し、非限定的な例としてソースから約６５ｃｍの固定距離でるつぼから離れて
取り付けられた水晶微量天秤上で、非限定的な例として０．１Å／秒の特定の堆積速度を
観察するために必要な温度を測定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な
例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、材料の閾値蒸気圧に達する
のに必要な温度を決定することによって決定されてもよい。非限定的な例として、閾値蒸
気圧は、約１０Ｅ－４Ｔｏｒｒ又は１０Ｅ－５Ｔｏｒｒであってもよい。いくつかの非限
定的な例では、材料の昇華温度は、約１０Ｅ－４Ｔｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材
料を加熱し、材料を蒸発させるのに必要な温度を測定し、したがって蒸発源から約６５ｃ
ｍ離れて位置付けられた表面上に約０．１オングストローム／秒の速度で材料を堆積させ
るのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定することができる。堆積速度は
、非限定的な例として、蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられた水晶微量天秤を用い
て測定することができる。
第１の材料及び第２の材料を参照して、いくつかの非限定的な例が本明細書に説明さ
れたが、パターン化コーティングは、１つ、２つ、３つ、又はそれを上回る追加の材料を
更に含んでもよく、第１の材料、第２の材料、第１のオリゴマー、及び／又は第２のオリ
ゴマーの分子構造及び／又は特性に関する説明は、パターン化コーティング内に含有され
得る追加の材料に関して適用可能であり得ることを理解されたい。
れたが、パターン化コーティングは、１つ、２つ、３つ、又はそれを上回る追加の材料を
更に含んでもよく、第１の材料、第２の材料、第１のオリゴマー、及び／又は第２のオリ
ゴマーの分子構造及び／又は特性に関する説明は、パターン化コーティング内に含有され
得る追加の材料に関して適用可能であり得ることを理解されたい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の第１の材料及び第２
の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーである。本明細書中で使用される場合、オ
リゴマーとは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指す。
当業者によって理解されるように、オリゴマーは、（１）その中に含有されるモノマー単
位の数、（２）分子量、並びに（３）他の材料特性及び／又は特質を含むがこれに限定さ
れない、少なくとも１つの態様においてポリマーと異なっていてもよい。非限定的な例と
して、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍ
ｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｅｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）．及びＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄ
ｓ）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ．Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇに見出され得る。
の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーである。本明細書中で使用される場合、オ
リゴマーとは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指す。
当業者によって理解されるように、オリゴマーは、（１）その中に含有されるモノマー単
位の数、（２）分子量、並びに（３）他の材料特性及び／又は特質を含むがこれに限定さ
れない、少なくとも１つの態様においてポリマーと異なっていてもよい。非限定的な例と
して、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍ
ｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｅｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）．及びＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄ
ｓ）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ．Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇに見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成するモノマ
ー単位を含む。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによって主に
形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が２以上の異なるモノマ
ー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る１つ以
上の末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、環状線状、
及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、及
び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている２以上の異なるモノマー単
位を含んでもよい。
ー単位を含む。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによって主に
形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が２以上の異なるモノマ
ー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る１つ以
上の末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、環状線状、
及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、及
び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている２以上の異なるモノマー単
位を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは
、オリゴマーである。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は第１のオリゴマ
ーを含み、第２の材料は第２のオリゴマーを含む。第１のオリゴマー及び第２のオリゴマ
ーの各々は、少なくとも２つのモノマーを含む。
、オリゴマーである。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は第１のオリゴマ
ーを含み、第２の材料は第２のオリゴマーを含む。第１のオリゴマー及び第２のオリゴマ
ーの各々は、少なくとも２つのモノマーを含む。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（Ｍｏｎ）ｎ 式（Ｉ）
式中、Ｍｏｎはモノマーを表し、ｎは２以上の整数である。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（Ｍｏｎ）ｎ 式（Ｉ）
式中、Ｍｏｎはモノマーを表し、ｎは２以上の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、
３～１０、又は３～７の整数である。
３～１０、又は３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の第１の材料及び第２
の材料の分子構造は、それぞれ独立して、式（Ｉ）によって表される。非限定的な例とし
て、第１の材料のモノマー及び／又はｎは、第２の材料のものと異なっていてもよい。い
くつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと同じである。いくつか
の非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎとは異なる。いくつかの非限定
的な例では、第１の材料及び第２の材料はオリゴマーである。
の材料の分子構造は、それぞれ独立して、式（Ｉ）によって表される。非限定的な例とし
て、第１の材料のモノマー及び／又はｎは、第２の材料のものと異なっていてもよい。い
くつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと同じである。いくつか
の非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎとは異なる。いくつかの非限定
的な例では、第１の材料及び第２の材料はオリゴマーである。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ素及びケイ素のうちの少なくとも１
つを含む。
つを含む。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは官能基を含む。いくつかの非限定的な例で
は、モノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有する。いくつかの非限定的
な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、フッ素及びケイ素のうちの少なくとも
１つを含む。そのような官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキ
サン基が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、モノマーはシルセスキオキサン基を
含む。
は、モノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有する。いくつかの非限定的
な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、フッ素及びケイ素のうちの少なくとも
１つを含む。そのような官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキ
サン基が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、モノマーはシルセスキオキサン基を
含む。
例として、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー、及び／又は官能基を含む分子構
造の一部に起因する表面張力は、当技術分野で公知の種々の方法を使用して決定すること
ができる。そのような方法の非限定的な例には、パラシュートの使用が含まれる。パラシ
ュートの更なる説明は、例えば、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａ
ｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒａｃｈｏｒ」Ｎａｔｕｒｅ．１９６：８９０－８９１に記
載されている。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、２
５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン
／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未
満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１
２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満の表面張力
を有する。
造の一部に起因する表面張力は、当技術分野で公知の種々の方法を使用して決定すること
ができる。そのような方法の非限定的な例には、パラシュートの使用が含まれる。パラシ
ュートの更なる説明は、例えば、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａ
ｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒａｃｈｏｒ」Ｎａｔｕｒｅ．１９６：８９０－８９１に記
載されている。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、２
５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン
／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未
満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１
２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満の表面張力
を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なく
とも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のう
ちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部
分を含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、炭素及び酸素のうちの少なくとも
１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含
む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部
分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプ
ロピレン部分、及び／又はフッ素化１，３－ジオキソール部分を含む。
とも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のう
ちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部
分を含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、炭素及び酸素のうちの少なくとも
１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含
む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部
分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプ
ロピレン部分、及び／又はフッ素化１，３－ジオキソール部分を含む。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び官能基を含む。いくつ
かの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー
骨格に結合される。いくつかの非限定的な例では、モノマーはリンカー基を含み、リンカ
ー基はモノマー骨格及び官能基に結合している。いくつかの非限定的な例では、モノマー
は、互いに同じであっても異なっていてもよい２以上の官能基を含んでもよい。そのよう
な例では、各官能基は、直接的に又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー骨格に
結合され得る。２以上の官能基が存在するいくつかの非限定的な例では、２以上のリンカ
ー基も存在し得る。
かの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー
骨格に結合される。いくつかの非限定的な例では、モノマーはリンカー基を含み、リンカ
ー基はモノマー骨格及び官能基に結合している。いくつかの非限定的な例では、モノマー
は、互いに同じであっても異なっていてもよい２以上の官能基を含んでもよい。そのよう
な例では、各官能基は、直接的に又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー骨格に
結合され得る。２以上の官能基が存在するいくつかの非限定的な例では、２以上のリンカ
ー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パター
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、２以上の異なるモ
ノマーを含む。換言すれば、そのような分子構造は、互いに異なる分子組成及び／又は分
子構造を有するモノマー種を含む。そのような分子構造の非限定的な例としては、以下の
式によって表されるものが挙げられる。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ
）ｏ
式（Ｉ－１） 式（Ｉ－２）
式中、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣはそれぞれモノマー種を表し、ｋ、ｍ、及
びｏはそれぞれ２より大きい整数を表す。いくつかの非限定的な例では、ｋ、ｍ、及びｏ
はそれぞれ、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、３～１０、又は３～７の整数
を表す。モノマーＭｏｎに関する種々の非限定的な例及び説明は、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、
及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることが理解される。
ン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、２以上の異なるモ
ノマーを含む。換言すれば、そのような分子構造は、互いに異なる分子組成及び／又は分
子構造を有するモノマー種を含む。そのような分子構造の非限定的な例としては、以下の
式によって表されるものが挙げられる。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ
）ｏ
式（Ｉ－１） 式（Ｉ－２）
式中、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣはそれぞれモノマー種を表し、ｋ、ｍ、及
びｏはそれぞれ２より大きい整数を表す。いくつかの非限定的な例では、ｋ、ｍ、及びｏ
はそれぞれ、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、３～１０、又は３～７の整数
を表す。モノマーＭｏｎに関する種々の非限定的な例及び説明は、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、
及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることが理解される。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、以下の式によって表される。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ 式ＩＩ
式中、Ｍはモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｘ
は１～４の整数であり、ｙは１～３の整数である。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ 式ＩＩ
式中、Ｍはモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｘ
は１～４の整数であり、ｙは１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、Ｃ
Ｈ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表される。
Ｈ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表される。
本明細書中に記載された官能基の種々の非限定的な例は、式ＩＩのＲに関して適用さ
れ得る。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒは、オリゴマー単位を含み、オリゴマー
単位は、少なくとも２つの官能基モノマー単位を更に含む。非限定的な例として、官能基
モノマー単位は、ＣＨ２及び／又はＣＦ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、官
能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。例えば、そのような官能基モノマー単位は、一緒に結
合されて、アルキル及び／又はフルオロアルキルオリゴマー単位を形成し得る。いくつか
の非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含む。非限定的な例とし
て、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配列され、官能基モノマー単位に結合す
ることができる。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配列される末端は、モ
ノマー骨格単位に対して遠位である官能基の一部に対応し得る。官能基末端単位の非限定
的な例としては、ＣＦ２Ｈ及びＣＦ３が挙げられる。
れ得る。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒは、オリゴマー単位を含み、オリゴマー
単位は、少なくとも２つの官能基モノマー単位を更に含む。非限定的な例として、官能基
モノマー単位は、ＣＨ２及び／又はＣＦ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、官
能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。例えば、そのような官能基モノマー単位は、一緒に結
合されて、アルキル及び／又はフルオロアルキルオリゴマー単位を形成し得る。いくつか
の非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含む。非限定的な例とし
て、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配列され、官能基モノマー単位に結合す
ることができる。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配列される末端は、モ
ノマー骨格単位に対して遠位である官能基の一部に対応し得る。官能基末端単位の非限定
的な例としては、ＣＦ２Ｈ及びＣＦ３が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有する。いく
つかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合した官能基Ｒのうちの少なく
とも１つよりも高い表面張力を有する。いくつかの更なる非限定的な例では、モノマー骨
格単位は、それに結合した任意の官能基Ｒよりも高い表面張力を有する。
つかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合した官能基Ｒのうちの少なく
とも１つよりも高い表面張力を有する。いくつかの更なる非限定的な例では、モノマー骨
格単位は、それに結合した任意の官能基Ｒよりも高い表面張力を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、約２５ダイン／ｃｍ超、約３０
ダイン／ｃｍ超、約４０ダイン／ｃｍ超、約５０ダイン／ｃｍ超、約７５ダイン／ｃｍ超
、約１００ダイン／ｃｍ超、約１５０ダイン／ｃｍ超、約２００ダイン／ｃｍ超、約２５
０ダイン／ｃｍ超、約５００ダイン／ｃｍ超、約１，０００ダイン／ｃｍ超、約１，５０
０ダイン／ｃｍ超、又は約２，０００ダイン／ｃｍ超の表面張力を有する。
ダイン／ｃｍ超、約４０ダイン／ｃｍ超、約５０ダイン／ｃｍ超、約７５ダイン／ｃｍ超
、約１００ダイン／ｃｍ超、約１５０ダイン／ｃｍ超、約２００ダイン／ｃｍ超、約２５
０ダイン／ｃｍ超、約５００ダイン／ｃｍ超、約１，０００ダイン／ｃｍ超、約１，５０
０ダイン／ｃｍ超、又は約２，０００ダイン／ｃｍ超の表面張力を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含
む。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、ホスファゼンであり、ここで、Ｐと
Ｎとの間に二重結合が存在し、そして「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」として表され得る。いくつ
かの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む。そ
のようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、シルセスキオキサンであり、これは、Ｓｉ
Ｏ３／２として表され得る。
む。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、ホスファゼンであり、ここで、Ｐと
Ｎとの間に二重結合が存在し、そして「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」として表され得る。いくつ
かの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む。そ
のようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、シルセスキオキサンであり、これは、Ｓｉ
Ｏ３／２として表され得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ 式（ＩＩＩ）
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ 式（ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）中、ＮＰはホスファゼンモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表
し、Ｒは官能基を表し、ｘは１～４の整数であり、ｙは１～３の整数であり、ｎは２以上
の整数である。
し、Ｒは官能基を表し、ｘは１～４の整数であり、ｙは１～３の整数であり、ｎは２以上
の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（
ＩＩＩ）によって表される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料及び第２の
材料のうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンである。いくつかの更なる非限定的
な例では、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表される。
ＩＩＩ）によって表される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料及び第２の
材料のうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンである。いくつかの更なる非限定的
な例では、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表される。
いくつかの非限定的な例では、Ｌは酸素を表し、ｘは１であり、Ｒはフルオロアルキ
ル基を表す。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少
なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ 式（ＩＶ）
式中、Ｒｆはフルオロアルキル基を表し、ｎは３～７の整数である。
ル基を表す。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少
なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ 式（ＩＶ）
式中、Ｒｆはフルオロアルキル基を表し、ｎは３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ
２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では
、フルオロアルキル基は、以下の式によって表される。
２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では
、フルオロアルキル基は、以下の式によって表される。
式中、ｐは１～５の整数である。ｑは６～２０の整数を表し、Ｚは水素又はフッ素を
表す。いくつかの非限定的な例では、ｐは１であり、ｑは６～２０の整数である。
いくつかの非限定的な例では、式（ＩＶ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ）
によって表される。
によって表される。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ 式（ＶＩ）
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ 式（ＶＩ）
式（ＶＩ）中、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｎは６～１２の整数であ
る。
る。
いくつかの非限定的な実施形態において、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非
置換アルキルの存在を表す。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２で
ある。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつ
かの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及び／又はＳｉ含有基を含む。いくつかの非限定
的な例では、Ｒは、フルオロカーボン基及び／又はシロキサン含有基を含む。いくつかの
非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２基及び／又はＣＦ２Ｈ基を含む。いくつかの非限定的な
例では、Ｒは、ＣＦ２及び／又はＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、
ＣＨ２ＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩ）で表される材料は、ポ
リ八面体シルセスキオキサンである。
置換アルキルの存在を表す。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２で
ある。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつ
かの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及び／又はＳｉ含有基を含む。いくつかの非限定
的な例では、Ｒは、フルオロカーボン基及び／又はシロキサン含有基を含む。いくつかの
非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２基及び／又はＣＦ２Ｈ基を含む。いくつかの非限定的な
例では、Ｒは、ＣＦ２及び／又はＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、
ＣＨ２ＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩ）で表される材料は、ポ
リ八面体シルセスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ 式（ＶＩＩ）
式中、ｎは６～１２の整数を表し、Ｒｆはフルオロアルキル基を表す。いくつかの非
限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆ
は、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２
部分及び／又はＣＦ２Ｈ部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分
及び／又はＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分
を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）で表される材料は、ポリ八面体シル
セスキオキサンである。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ 式（ＶＩＩ）
式中、ｎは６～１２の整数を表し、Ｒｆはフルオロアルキル基を表す。いくつかの非
限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆ
は、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２
部分及び／又はＣＦ２Ｈ部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分
及び／又はＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分
を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）で表される材料は、ポリ八面体シル
セスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ
）によって表される。
）によって表される。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ 式（ＶＩＩＩ）
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも
一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ 式（ＶＩＩＩ）
式（ＶＩＩＩ）中、ｘは１～５の整数であり、ｎは６～１２の整数である。いくつか
の非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
の非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒ、及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前
述の式のいずれかにおけるそのような基の各出現時に独立して選択され得る。前述の式の
いずれも、化合物の部分構造を表すことができ、上記の式に明示的に示されていない追加
の基又は部分が存在し得ることも理解されるであろう。本出願において提供される種々の
式は、線状、分岐状、環状、シクロ－線状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解さ
れよう。
述の式のいずれかにおけるそのような基の各出現時に独立して選択され得る。前述の式の
いずれも、化合物の部分構造を表すことができ、上記の式に明示的に示されていない追加
の基又は部分が存在し得ることも理解されるであろう。本出願において提供される種々の
式は、線状、分岐状、環状、シクロ－線状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解さ
れよう。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、以下の式（Ｉ）、
（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、及
び（ＶＩＩＩ）のうちの少なくとも１つによって表される少なくとも１つの材料と、以下
の特質のうちの少なくとも１つを示す少なくとも１つの材料とを含む：（ａ）芳香族炭化
水素部分を含む、（ｂ）ｓｐ２炭素を含む、（ｃ）フェニル部分を含む、（ｄ）約２０ダ
イン／ｃｍを上回る特徴的な表面エネルギーを有する、及び（ｅ）非限定的な例として、
約３６５ｎｍの波長を有する励起放射線によって照射されると、約３６５ｎｍを上回る波
長においてフォトルミネセンスを示すことを含む、フォトルミネセンスを示す。
（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、及
び（ＶＩＩＩ）のうちの少なくとも１つによって表される少なくとも１つの材料と、以下
の特質のうちの少なくとも１つを示す少なくとも１つの材料とを含む：（ａ）芳香族炭化
水素部分を含む、（ｂ）ｓｐ２炭素を含む、（ｃ）フェニル部分を含む、（ｄ）約２０ダ
イン／ｃｍを上回る特徴的な表面エネルギーを有する、及び（ｅ）非限定的な例として、
約３６５ｎｍの波長を有する励起放射線によって照射されると、約３６５ｎｍを上回る波
長においてフォトルミネセンスを示すことを含む、フォトルミネセンスを示す。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、第１の材料及び第２の材
料とは異なる第３の材料を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、
第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つと共通のモノマーを含む。
料とは異なる第３の材料を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、
第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つと共通のモノマーを含む。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料と第２の材料との間のそのような差を含む
が、それに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の昇華温度の差
は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃以下で
ある。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得
る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうち
の少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温度は、約５℃、
約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。い
くつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パタ
ーン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキ
サン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温
度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下
だけ異なる。
が、それに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の昇華温度の差
は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃以下で
ある。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得
る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうち
の少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温度は、約５℃、
約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。い
くつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パタ
ーン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキ
サン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温
度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下
だけ異なる。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ材料と第２のＮＩＣ材料との間のそのよ
うな差を含むがこれに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の融
解温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５
０℃以下である。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材
料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及び
Ｓｉのうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の融解温度は
、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ
異なる。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり
得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分
及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材
料の融解温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約
５０℃以下だけ異なる。
うな差を含むがこれに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の融
解温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５
０℃以下である。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材
料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及び
Ｓｉのうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の融解温度は
、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ
異なる。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり
得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分
及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材
料の融解温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約
５０℃以下だけ異なる。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギ
ーを有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面
エネルギーを有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ
及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第
１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料の
うちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギーを有し、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも
１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、高
特性表面エネルギーを有する。いくつかの非限定的な例では、Ｆ及びＳｉの存在は、それ
ぞれ、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の存在によって説明され得る。非限定的
な例として、第２の材料に相当し得る材料のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイ
ン／ｃｍ、１２～２０ダイン／ｃｍ、１５～２０ダイン／ｃｍ、又は１７～１９ダイン／
ｃｍの低い特性表面エネルギーを有してもよく、第１の材料に相当し得る別の材料は、約
２０～１００ダイン／ｃｍ、２０～５０ダイン／ｃｍ、又は２５～４５ダイン／ｃｍの高
い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少な
くとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第
２の材料は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有してもよい。
、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギ
ーを有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面
エネルギーを有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ
及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第
１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料の
うちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギーを有し、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも
１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、高
特性表面エネルギーを有する。いくつかの非限定的な例では、Ｆ及びＳｉの存在は、それ
ぞれ、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の存在によって説明され得る。非限定的
な例として、第２の材料に相当し得る材料のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイ
ン／ｃｍ、１２～２０ダイン／ｃｍ、１５～２０ダイン／ｃｍ、又は１７～１９ダイン／
ｃｍの低い特性表面エネルギーを有してもよく、第１の材料に相当し得る別の材料は、約
２０～１００ダイン／ｃｍ、２０～５０ダイン／ｃｍ、又は２５～４５ダイン／ｃｍの高
い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少な
くとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第
２の材料は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第２の材料であり得る、パターン化コーティ
ング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ未満の低特性表面エネ
ルギーを有し、Ｆ及び／又はＳｉのうちの少なくとも１つを含み、例えば、第１の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、約２０
ダイン／ｃｍを上回る特性表面エネルギーを有する。
ング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ未満の低特性表面エネ
ルギーを有し、Ｆ及び／又はＳｉのうちの少なくとも１つを含み、例えば、第１の材料で
あり得る、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、約２０
ダイン／ｃｍを上回る特性表面エネルギーを有する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なく
とも１つ（例えば、第２の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍ未満の低い特性表面
エネルギーを有し、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを
含み、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ（例えば、第１
の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍを超える特性表面エネルギーを有する。
とも１つ（例えば、第２の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍ未満の低い特性表面
エネルギーを有し、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを
含み、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ（例えば、第１
の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍを超える特性表面エネルギーを有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の表面エネルギーを含むが
これらに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の各々の表面エネ
ルギーは、約２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満
、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６
ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／
ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ
未満である。
これらに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の各々の表面エネ
ルギーは、約２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満
、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６
ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／
ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ
未満である。
いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、第１の材料及び第２の材料のものを
含む、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの５００ｎｍ及び／
又は４６０ｎｍの波長における屈折率は、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未
満、約１．４３未満、約１．４２未満、又は約１．４１未満である。いくつかの非限定的
な例では、パターン化コーティング２１０は、フォトルミネセンスを示す少なくとも１つ
の材料を含み、パターン化コーティング２１０は、５００ｎｍ及び／又は４６０ｎｍの波
長において、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未満、約１．４３未満、約１．
４２未満、又は約１．４１未満の屈折率を有する。
含む、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの５００ｎｍ及び／
又は４６０ｎｍの波長における屈折率は、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未
満、約１．４３未満、約１．４２未満、又は約１．４１未満である。いくつかの非限定的
な例では、パターン化コーティング２１０は、フォトルミネセンスを示す少なくとも１つ
の材料を含み、パターン化コーティング２１０は、５００ｎｍ及び／又は４６０ｎｍの波
長において、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未満、約１．４３未満、約１．
４２未満、又は約１．４１未満の屈折率を有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の分子量を含むがこれらに
限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は
、約７５０超、約１，０００超、約１，５００超、約２，０００超、約２，５００超、又
は約３，０００超である。
限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は
、約７５０超、約１，０００超、約１，５００超、約２，０００超、約２，５００超、又
は約３，０００超である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の分子量を含むが、それら
に限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量
は、約１０，０００未満、約７，５００未満、又は約５，０００未満である。
に限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量
は、約１０，０００未満、約７，５００未満、又は約５，０００未満である。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣは、互いに同様の熱特性を示す２以上の材料を
含み、材料のうちの少なくとも１つはフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な
例では、パターン化コーティングは、相互に類似熱特性を伴う２以上の材料を含み、材料
のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つ、
又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はシリコン（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定
的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２以上の材料を含
み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射によって励起さ
れると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材料のうちの少な
くとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。いくつ
かの非限定的な例では、同様の熱特性は、材料の溶融温度及び／又は昇華温度を含み得る
が、これらに限定されない。
含み、材料のうちの少なくとも１つはフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な
例では、パターン化コーティングは、相互に類似熱特性を伴う２以上の材料を含み、材料
のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つ、
又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はシリコン（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定
的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２以上の材料を含
み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射によって励起さ
れると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材料のうちの少な
くとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。いくつ
かの非限定的な例では、同様の熱特性は、材料の溶融温度及び／又は昇華温度を含み得る
が、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、少なくとも１つの共通要
素又は少なくとも１つの共通サブ構造を有する、２以上の材料を含み、材料のうちの少な
くとも１つは、フォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの
少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。い
くつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２
以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射
によって励起されると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材
料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）
を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の元素は、フッ素（Ｆ）及
び／又はケイ素（Ｓｉ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では
、少なくとも１つの共通の部分構造は、フルオロカーボン、フルオロアルキル及び／又は
シロキシルを含むが、これらに限定されない。
素又は少なくとも１つの共通サブ構造を有する、２以上の材料を含み、材料のうちの少な
くとも１つは、フォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの
少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。い
くつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２
以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射
によって励起されると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材
料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）
を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の元素は、フッ素（Ｆ）及
び／又はケイ素（Ｓｉ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では
、少なくとも１つの共通の部分構造は、フルオロカーボン、フルオロアルキル及び／又は
シロキシルを含むが、これらに限定されない。
一態様では、光電子デバイスを製造する方法が提供される。本方法は、（ｉ）デバイ
スの側面の第１の部分において、デバイスの第１の層表面上に核形成阻害コーティング（
ＮＩＣ）を堆積させることと、（ｉｉ）デバイスの側面の第２の部分において、デバイス
の第２の層表面上に伝導性コーティングを堆積させることと、を含む。第１の部分におけ
るパターン化コーティングの表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率
は、第２の部分における表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率より
も実質的に低く、その結果、第１の部分におけるパターン化コーティングの表面は、導電
性コーティングを実質的に欠く。デバイスの第１の層表面上に堆積されたＮＩＣは、第１
の材料及び第２の材料を含む。
スの側面の第１の部分において、デバイスの第１の層表面上に核形成阻害コーティング（
ＮＩＣ）を堆積させることと、（ｉｉ）デバイスの側面の第２の部分において、デバイス
の第２の層表面上に伝導性コーティングを堆積させることと、を含む。第１の部分におけ
るパターン化コーティングの表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率
は、第２の部分における表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率より
も実質的に低く、その結果、第１の部分におけるパターン化コーティングの表面は、導電
性コーティングを実質的に欠く。デバイスの第１の層表面上に堆積されたＮＩＣは、第１
の材料及び第２の材料を含む。
いくつかの非限定的な例では、デバイスの第１の層表面上にパターン化コーティング
を堆積させることは、２以上の材料を含有する混合物を提供することと、混合物をデバイ
スの第１の層表面上に堆積させ、その上にＮＩＣを形成することと、を含む。いくつかの
非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料を含有する。そのような非限定
的な例では、第１の材料及び第２の材料の両方が第１の層表面上に堆積されて、その上に
パターン化コーティングを形成する。
を堆積させることは、２以上の材料を含有する混合物を提供することと、混合物をデバイ
スの第１の層表面上に堆積させ、その上にＮＩＣを形成することと、を含む。いくつかの
非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料を含有する。そのような非限定
的な例では、第１の材料及び第２の材料の両方が第１の層表面上に堆積されて、その上に
パターン化コーティングを形成する。
いくつかの非限定的な例では、２以上のパターン化コーティング材料を含有する混合
物は、物理蒸着プロセスによって、デバイスの第１の層表面上に堆積される。そのような
堆積プロセスの非限定的な例としては、熱蒸発が挙げられる。いくつかの非限定的な例で
は、パターン化コーティングは、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、混合物をデバイス
の第１の層表面上に堆積させることによって形成される。換言すれば、非限定的な例とし
て、第１の材料及び第２の材料を含有する混合物は、真空下で混合物を加熱するために、
共通のるつぼ及び／又は蒸発源に配置されてもよい。材料の蒸発温度に達するか、又はそ
れを超えると、混合物から発生した蒸気フラックスは、デバイスの第１の層表面に向けら
れ、その上にパターン化コーティングの堆積を引き起こす。
物は、物理蒸着プロセスによって、デバイスの第１の層表面上に堆積される。そのような
堆積プロセスの非限定的な例としては、熱蒸発が挙げられる。いくつかの非限定的な例で
は、パターン化コーティングは、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、混合物をデバイス
の第１の層表面上に堆積させることによって形成される。換言すれば、非限定的な例とし
て、第１の材料及び第２の材料を含有する混合物は、真空下で混合物を加熱するために、
共通のるつぼ及び／又は蒸発源に配置されてもよい。材料の蒸発温度に達するか、又はそ
れを超えると、混合物から発生した蒸気フラックスは、デバイスの第１の層表面に向けら
れ、その上にパターン化コーティングの堆積を引き起こす。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、第１の材料及び第２の材
料の共蒸発によって堆積される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は、第
１のるつぼ及び／又は第１の蒸発源から蒸発させられ、第２の材料は、第２のるつぼ及び
／又は第２の蒸発源から同時に蒸発させられ、その結果、混合物は、気相で形成され、第
１の層表面上に共堆積され、その上にパターン化コーティングを提供する。
料の共蒸発によって堆積される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は、第
１のるつぼ及び／又は第１の蒸発源から蒸発させられ、第２の材料は、第２のるつぼ及び
／又は第２の蒸発源から同時に蒸発させられ、その結果、混合物は、気相で形成され、第
１の層表面上に共堆積され、その上にパターン化コーティングを提供する。
少なくとも２つの材料を含有するある特定の例示的なパターン化コーティングの特性
を評価するために、以下の実験を行った。
を評価するために、以下の実験を行った。
正孔輸送層材料として典型的に使用される有機材料のおよそ２０ｎｍ厚の層を真空中
で堆積させ、続いて有機材料層の上に、以下の表に要約されるような種々の組成を有する
核形成改質コーティングを堆積させることによって、一連の試料を製作した。
で堆積させ、続いて有機材料層の上に、以下の表に要約されるような種々の組成を有する
核形成改質コーティングを堆積させることによって、一連の試料を製作した。
本例では、ＮＩＣ材料は、例えば、薄膜として堆積されたときに、ＮＩＣ材料が、例
としてＡｇ及び／又はＹｂを含み得る導電性コーティングの材料に対して低い初期付着確
率を示すように選択された。
としてＡｇ及び／又はＹｂを含み得る導電性コーティングの材料に対して低い初期付着確
率を示すように選択された。
本例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、例えば、薄膜として堆積されるとき、ＰＬ
材料１及びＰＬ材料２の各々が、標準的光学測定技術（例えば、蛍光顕微鏡法）によって
検出可能なフォトルミネセンスを示すように選択された。
材料１及びＰＬ材料２の各々が、標準的光学測定技術（例えば、蛍光顕微鏡法）によって
検出可能なフォトルミネセンスを示すように選択された。
上記の表において、試料１は、核形成改質コーティングがＮＩＣ材料を堆積させるこ
とによって提供された比較試料である。試料２は、核形成改質コーティングが、ＮＩＣ材
料とＰＬ材料１とを一緒に共堆積して、０．５体積％の濃度でＰＬ材料１を含有するコー
ティングを形成することによって提供された実施例試料である。試料３は、核形成改質コ
ーティングが、ＮＩＣ材料とＰＬ材料２とを一緒に共堆積させて、０．５体積％の濃度で
ＰＬ材料２を含有するコーティングを形成することによって提供された実施例試料である
。試料４は、核形成改質コーティングがＰＬ材料１を堆積させることによって提供された
比較試料である。試料５は、ＰＬ材料２を堆積させることによって核形成改質コーティン
グが提供された比較試料である。試料６は、核形成改質コーティングが有機材料層上に提
供されなかった比較試料である。
とによって提供された比較試料である。試料２は、核形成改質コーティングが、ＮＩＣ材
料とＰＬ材料１とを一緒に共堆積して、０．５体積％の濃度でＰＬ材料１を含有するコー
ティングを形成することによって提供された実施例試料である。試料３は、核形成改質コ
ーティングが、ＮＩＣ材料とＰＬ材料２とを一緒に共堆積させて、０．５体積％の濃度で
ＰＬ材料２を含有するコーティングを形成することによって提供された実施例試料である
。試料４は、核形成改質コーティングがＰＬ材料１を堆積させることによって提供された
比較試料である。試料５は、ＰＬ材料２を堆積させることによって核形成改質コーティン
グが提供された比較試料である。試料６は、核形成改質コーティングが有機材料層上に提
供されなかった比較試料である。
試料１、試料２、試料３、及び試料６の各々のフォトルミネセンス（ＰＬ）応答を測
定し、図４３に示すようにプロットした。試料１及び試料６のＰＬ強度は同一であること
が観察され、したがって、ＮＩＣ材料が検出された波長範囲においてフォトルミネセンス
を示さないことが示された。なお、図４３では、簡単のため、試料６のＰＬ強度はプロッ
トしていない。試料２及び試料３の各々について、約５００ｎｍ～約６００ｎｍの波長で
フォトルミネセンスが検出された。
定し、図４３に示すようにプロットした。試料１及び試料６のＰＬ強度は同一であること
が観察され、したがって、ＮＩＣ材料が検出された波長範囲においてフォトルミネセンス
を示さないことが示された。なお、図４３では、簡単のため、試料６のＰＬ強度はプロッ
トしていない。試料２及び試料３の各々について、約５００ｎｍ～約６００ｎｍの波長で
フォトルミネセンスが検出された。
次いで、試料１～６の各々に、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積を施した。具
体的には、上記の材料によって形成された核形成改質コーティングの表面に、Ｙｂ、続い
てＡｇのオープンマスク堆積を施した。より具体的には、各試料を、約１ｎｍの基準厚さ
に達するまでＹｂ蒸気フラックスにさらし、その後、約１２ｎｍの基準厚さに達するまで
Ａｇ蒸気フラックスにさらした。試料を製作したら、光透過率測定を行って、核形成改質
コーティングの表面上に堆積したＹｂ及び／又はＡｇの相対量を決定した。理解されるよ
うに、比較的少量の金属がその上に存在するか、又は金属がその上に存在しない試料は、
実質的に透明であるが、金属がその上に堆積された（特に、閉じたフィルムとして）試料
は、概して、実質的により低い光透過率を示す。したがって、パターン化コーティング２
１０としての種々の例示的なコーティングの相対的性能は、Ｙｂ及び／又はＡｇ堆積から
その上に堆積された金属コーティングの量又は厚さに直接相関する、試料を通した光透過
を測定することによって査定されてもよい。各試料をＡｇ蒸気フラックスにさらした後の
４６０ｎｍの波長での光透過率の低減を測定し、以下の表にまとめた。
体的には、上記の材料によって形成された核形成改質コーティングの表面に、Ｙｂ、続い
てＡｇのオープンマスク堆積を施した。より具体的には、各試料を、約１ｎｍの基準厚さ
に達するまでＹｂ蒸気フラックスにさらし、その後、約１２ｎｍの基準厚さに達するまで
Ａｇ蒸気フラックスにさらした。試料を製作したら、光透過率測定を行って、核形成改質
コーティングの表面上に堆積したＹｂ及び／又はＡｇの相対量を決定した。理解されるよ
うに、比較的少量の金属がその上に存在するか、又は金属がその上に存在しない試料は、
実質的に透明であるが、金属がその上に堆積された（特に、閉じたフィルムとして）試料
は、概して、実質的により低い光透過率を示す。したがって、パターン化コーティング２
１０としての種々の例示的なコーティングの相対的性能は、Ｙｂ及び／又はＡｇ堆積から
その上に堆積された金属コーティングの量又は厚さに直接相関する、試料を通した光透過
を測定することによって査定されてもよい。各試料をＡｇ蒸気フラックスにさらした後の
４６０ｎｍの波長での光透過率の低減を測定し、以下の表にまとめた。
具体的には、上記の表の各試料の透過率低減（％）は、Ｙｂ及びＡｇ蒸気フラックス
への露出の前後に試料を通る光透過率を測定し、光透過率の低減を割合として表すことに
よって決定した。
への露出の前後に試料を通る光透過率を測定し、光透過率の低減を割合として表すことに
よって決定した。
これから分かるように、試料１、試料２、及び試料３は、２％未満、又は試料１及び
３の場合には１％未満の比較的低い透過率低減を示した。したがって、これらの試料に提
供された核形成改質コーティングがＮＩＣとして作用したことが観察される。試料４、試
料５、及び試料６はそれぞれ、４３％、４７％、及び４５％の透過率低減を示した。した
がって、これらの試料に提供された核形成改質コーティングは、ＮＰＣとして作用した。
３の場合には１％未満の比較的低い透過率低減を示した。したがって、これらの試料に提
供された核形成改質コーティングがＮＩＣとして作用したことが観察される。試料４、試
料５、及び試料６はそれぞれ、４３％、４７％、及び４５％の透過率低減を示した。した
がって、これらの試料に提供された核形成改質コーティングは、ＮＰＣとして作用した。
また、ＮＩＣが実質的にＮＩＣ材料のみを含有する試料１は、フォトルミネッセンス
を示さないことが見出された。しかしながら、ＮＩＣがＰＬ材料１及びＰＬ材料２をそれ
ぞれ含有する試料２及び試料３は、導電性コーティング材料に対して低い初期付着確率を
有する表面を提供することによって、ＮＩＣとしても作用しながら、フォトルミネセンス
を示すことが見出された。
を示さないことが見出された。しかしながら、ＮＩＣがＰＬ材料１及びＰＬ材料２をそれ
ぞれ含有する試料２及び試料３は、導電性コーティング材料に対して低い初期付着確率を
有する表面を提供することによって、ＮＩＣとしても作用しながら、フォトルミネセンス
を示すことが見出された。
本明細書に記載のこの例及び他の例で使用されるように、基準層厚さは、高い初期付
着確率Ｓ０を示す基準表面（例えば、約及び／又は１．０に近い初期付着確率Ｓ０を有す
る表面）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。具体的には、これらの例では
、基準表面は、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置付けられ
た石英結晶の表面であった。換言すれば、基準層厚さは、ターゲット表面（すなわち、パ
ターン化コーティング２１０の表面）上に堆積された金属コーティングの実際の厚さを示
さない。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって
金属材料の同一の蒸気フラックスにさらしたときに基準表面（すなわち、石英結晶の表面
）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。理解されるように、ターゲット表面
及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合には、適切なツ
ーリングファクタを使用して、基準厚さを決定及び監視することができる。
着確率Ｓ０を示す基準表面（例えば、約及び／又は１．０に近い初期付着確率Ｓ０を有す
る表面）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。具体的には、これらの例では
、基準表面は、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置付けられ
た石英結晶の表面であった。換言すれば、基準層厚さは、ターゲット表面（すなわち、パ
ターン化コーティング２１０の表面）上に堆積された金属コーティングの実際の厚さを示
さない。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって
金属材料の同一の蒸気フラックスにさらしたときに基準表面（すなわち、石英結晶の表面
）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。理解されるように、ターゲット表面
及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合には、適切なツ
ーリングファクタを使用して、基準厚さを決定及び監視することができる。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側面の第２の部分４０２において
、堆積材料１２３１を含む堆積層１０３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出
層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側面の第２の部分４０２において
、堆積材料１２３１を含む堆積層１０３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出
層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は堆積材料１２３１を含むことができ
る。
る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（
Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、Ｙｂ、Ａｇ、金（Ａ
ｕ）、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、スズ（Ｓｎ）、又はイットリウ
ム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含み得る。いくつかの非限定的な
例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及び／
又はＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃ
ｕ、Ａｇ、及び／又はＡｕのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的
な例では、元素はＣｕであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであっ
てもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの
少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例で
は、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの
非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつか
の非限定的な例では、元素はＡｇであってもよい。
Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、Ｙｂ、Ａｇ、金（Ａ
ｕ）、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、スズ（Ｓｎ）、又はイットリウ
ム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含み得る。いくつかの非限定的な
例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及び／
又はＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃ
ｕ、Ａｇ、及び／又はＡｕのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的
な例では、元素はＣｕであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであっ
てもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの
少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例で
は、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの
非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつか
の非限定的な例では、元素はＡｇであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、純金属であってもよく、及び／
又は純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は純Ａｇ又
は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では
、実質的に純Ａｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．
９９９％、又は９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの
非限定的な例では、堆積材料１２３１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも
１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９
５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９
９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
又は純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は純Ａｇ又
は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では
、実質的に純Ａｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．
９９９％、又は９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの
非限定的な例では、堆積材料１２３１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも
１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９
５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９
９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は合金を含んでもよい。いくつかの
非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうち
の少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、
体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうち
の少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、
体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡ
ｇと組み合わせて、他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１
２３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含むことができる。いくつかの非
限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つと
の合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５～９５体
積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であってもよい。いくつかの非
限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及びＭｇを含んでもよい。いくつかの非限定
的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：
Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及び
Ｙｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１
：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な
例では、堆積材料１２３１は、Ｍｇ及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例で
は、堆積材料１２３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では
、堆積材料１２３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例
では、堆積層１０３０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。
ｇと組み合わせて、他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１
２３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含むことができる。いくつかの非
限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つと
の合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５～９５体
積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であってもよい。いくつかの非
限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及びＭｇを含んでもよい。いくつかの非限定
的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：
Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及び
Ｙｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１
：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な
例では、堆積材料１２３１は、Ｍｇ及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例で
は、堆積材料１２３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では
、堆積材料１２３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例
では、堆積層１０３０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、少なくとも１つの追加の元素を含
んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であっ
てもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少
なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、
源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるそのような追加の
元素の存在に起因して、夾雑物質として堆積層１０３０に組み込まれ得ることが、当業者
には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値
濃度未満に制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、堆積
層１０３０の他の元素と一緒に化合物を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、
堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．
００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．
００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．
１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．
０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る組
成を有し得る。
んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であっ
てもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少
なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、
源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるそのような追加の
元素の存在に起因して、夾雑物質として堆積層１０３０に組み込まれ得ることが、当業者
には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値
濃度未満に制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、堆積
層１０３０の他の元素と一緒に化合物を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、
堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．
００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．
００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．
１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．
０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る組
成を有し得る。
ここで、いくらか驚くべきことに、堆積層１０３０中のある特定の非金属元素の濃度
を低減することは、特に堆積層１０３０が金属及び／又は金属合金から実質的に構成され
得る場合に、堆積層１０３０の選択的堆積を容易にし得ることが見出された。いかなる特
定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例としてＯ又はＣなどの
ある特定の非金属元素は、堆積層１０３０の蒸気フラックス１２３２中、及び／又は堆積
チャンバ内、及び／又は環境内に存在する場合、パターン化コーティング２１０の表面上
に堆積して、堆積層１０３０の金属元素のための核形成部位として作用し得ると仮定して
もよい。核形成部位として作用し得るそのような非金属元素の濃度を低減することは、パ
ターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料１２３１の量を低
減することを容易にし得ると仮定され得る。
を低減することは、特に堆積層１０３０が金属及び／又は金属合金から実質的に構成され
得る場合に、堆積層１０３０の選択的堆積を容易にし得ることが見出された。いかなる特
定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例としてＯ又はＣなどの
ある特定の非金属元素は、堆積層１０３０の蒸気フラックス１２３２中、及び／又は堆積
チャンバ内、及び／又は環境内に存在する場合、パターン化コーティング２１０の表面上
に堆積して、堆積層１０３０の金属元素のための核形成部位として作用し得ると仮定して
もよい。核形成部位として作用し得るそのような非金属元素の濃度を低減することは、パ
ターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料１２３１の量を低
減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、金属含有下層上に堆積されても
よい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１及びその下にある下層は、共通の
金属を含み得る。
よい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１及びその下にある下層は、共通の
金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積材料１２３１の複数の層を含
み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料１２３１は
、複数の層のうちの第２の層の堆積材料１２３１と異なっていてもよい。いくつかの非限
定的な例では、堆積層１０３０は多層コーティングを含むことができる。いくつかの非限
定的な例では、そのような多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：
Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、又はＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも
１つであってもよい。
み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料１２３１は
、複数の層のうちの第２の層の堆積材料１２３１と異なっていてもよい。いくつかの非限
定的な例では、堆積層１０３０は多層コーティングを含むことができる。いくつかの非限
定的な例では、そのような多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：
Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、又はＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも
１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ、約２０
０ｋＪ／ｍｏｌ、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ
、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、又は約２０ｋＪ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離
エネルギーを有する金属を含んでもよい。
０ｋＪ／ｍｏｌ、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ
、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、又は約２０ｋＪ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離
エネルギーを有する金属を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、約１．４、約１．３、又は約１
．２のうちの少なくとも１つ以下の電気陰性度を有する金属を含むことができる。
．２のうちの少なくとも１つ以下の電気陰性度を有する金属を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のシート抵抗は、概して、デバイス１
００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１０３
０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は薄膜とし
て形成されてもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の特性
シート抵抗は、そのような薄膜の組成、厚さ、及び／又は形態に基づいて決定及び／又は
計算することができる。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□、約
５Ω／□、約１Ω／□、約０．５Ω／□、約０．２Ω／□、又は約０．１Ω／□のうちの
少なくとも１つ以下であり得る。
００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１０３
０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は薄膜とし
て形成されてもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の特性
シート抵抗は、そのような薄膜の組成、厚さ、及び／又は形態に基づいて決定及び／又は
計算することができる。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□、約
５Ω／□、約１Ω／□、約０．５Ω／□、約０．２Ω／□、又は約０．１Ω／□のうちの
少なくとも１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層１０３０の閉じたコーティ
ング１０４０を実質的に欠く少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置
され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１０３０をそ
の複数の別個の断片に分離することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０
３０の各別個の断片は、別個の第２の部分４０２であってもよい。いくつかの非限定的な
例では、堆積層１０３０の複数の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔さ
れていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のそのような複数の別個
の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０のそのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは各々、下層表
面を含むがこれに限定されない共通の導電層又はコーティングと電気的に結合されて、そ
れらの間の電流の流れを可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の
そのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
ング１０４０を実質的に欠く少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置
され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１０３０をそ
の複数の別個の断片に分離することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０
３０の各別個の断片は、別個の第２の部分４０２であってもよい。いくつかの非限定的な
例では、堆積層１０３０の複数の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔さ
れていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のそのような複数の別個
の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０のそのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは各々、下層表
面を含むがこれに限定されない共通の導電層又はコーティングと電気的に結合されて、そ
れらの間の電流の流れを可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の
そのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターン化コーティングを用いた選択的堆積
図１１は、下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上にパターン化コーティング２
１０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１１００で示される蒸
着堆積プロセスの非限定的な例を示す例示的な概略図である。
図１１は、下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上にパターン化コーティング２
１０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１１００で示される蒸
着堆積プロセスの非限定的な例を示す例示的な概略図である。
プロセス１１００では、ある量のパターン化材料１１１１が真空下で加熱されて、パ
ターン化材料１１１１を蒸発及び／又は昇華させる。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーン化材料１１１１は、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される材料
を完全に及び／又は実質的に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような材
料は有機材料を含んでもよい。
ターン化材料１１１１を蒸発及び／又は昇華させる。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーン化材料１１１１は、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される材料
を完全に及び／又は実質的に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような材
料は有機材料を含んでもよい。
パターン化材料１１１１の気化フラックス１１１２は、矢印１１１によって示される
方向を含む、チャンバ１１１０を通って、露出層表面１１に向かって流れることができる
。気化フラックス１１１２が露出層表面１１に入射すると、パターン化コーティング２１
０がその上に形成され得る。
方向を含む、チャンバ１１１０を通って、露出層表面１１に向かって流れることができる
。気化フラックス１１１２が露出層表面１１に入射すると、パターン化コーティング２１
０がその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス１１００の図に示されるように、パターン化
コーティング２１０は、気化フラックス１１１２と露出層表面１１との間に、いくつかの
非限定的な例ではＦＭＭであってもよいシャドウマスク１１１５を介在させることによっ
て、露出層表面１１の一部、図示の例では第１の部分４０１上のみに選択的に堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなシャドウマスク１１１５は、いくつか
の非限定的な例では、数十ミクロン以下の特徴サイズを有する比較的小さい特徴を形成す
るために使用され得る。
コーティング２１０は、気化フラックス１１１２と露出層表面１１との間に、いくつかの
非限定的な例ではＦＭＭであってもよいシャドウマスク１１１５を介在させることによっ
て、露出層表面１１の一部、図示の例では第１の部分４０１上のみに選択的に堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなシャドウマスク１１１５は、いくつか
の非限定的な例では、数十ミクロン以下の特徴サイズを有する比較的小さい特徴を形成す
るために使用され得る。
シャドウマスク１１１５は、気化フラックス１１１２の一部が開口部１１１６を通過
し、露出層表面１１に入射してパターン化コーティング２１０を形成することができるよ
うに、シャドウマスクを通って延びる少なくとも１つの開口部１１１６を有することがで
きる。気化フラックス１１１２が開口部１１１６を通過せず、シャドウマスク１１１５の
表面１１１７に入射する場合、露出層表面１１上に配置されてパターン化コーティング２
１０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク１１１
５は、開口部１１１６を通過する気化フラックス１１１２が第１の部分４０１に入射し得
るが、第２の部分４０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、露出層表面
１１の第２の部分４０２は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１１５に入射するパターン
化材料１１１１は、その表面１１１７上に堆積され得る。
し、露出層表面１１に入射してパターン化コーティング２１０を形成することができるよ
うに、シャドウマスクを通って延びる少なくとも１つの開口部１１１６を有することがで
きる。気化フラックス１１１２が開口部１１１６を通過せず、シャドウマスク１１１５の
表面１１１７に入射する場合、露出層表面１１上に配置されてパターン化コーティング２
１０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク１１１
５は、開口部１１１６を通過する気化フラックス１１１２が第１の部分４０１に入射し得
るが、第２の部分４０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、露出層表面
１１の第２の部分４０２は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１１５に入射するパターン
化材料１１１１は、その表面１１１７上に堆積され得る。
したがって、パターン化された表面は、パターン化コーティング２１０の堆積の完了
時に生成され得る。
時に生成され得る。
図１２は、図１１の蒸着プロセス１１００によるものを含むがこれに限定されない、
第１の部分４０１上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を実質的に欠く
下層の露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０の閉じたコーティング１０
４０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１２００ａで示される
蒸着プロセスの結果の非限定的な例を示す例示的な概略図である。
第１の部分４０１上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を実質的に欠く
下層の露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０の閉じたコーティング１０
４０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１２００ａで示される
蒸着プロセスの結果の非限定的な例を示す例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積材料１２３１から構成されて
もよく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの金属を含む。通常、有機材料の
気化温度は、堆積材料１２３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いこ
とが、当業者には理解されるであろう。
もよく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの金属を含む。通常、有機材料の
気化温度は、堆積材料１２３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いこ
とが、当業者には理解されるであろう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、あるパターンでパターン化コーティング
２１０を選択的に堆積させるためにシャドウマスク１１１５を使用する際に、そのような
シャドウマスク１１１５を採用して堆積層１０３０を直接パターン化することに比べて、
制約が少なくなり得る。
２１０を選択的に堆積させるためにシャドウマスク１１１５を使用する際に、そのような
シャドウマスク１１１５を採用して堆積層１０３０を直接パターン化することに比べて、
制約が少なくなり得る。
パターン化コーティング２１０が下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上に堆積
されると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、パターン化コーティング
２１０が実質的に欠く露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０として堆積
されてもよい。
されると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、パターン化コーティング
２１０が実質的に欠く露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０として堆積
されてもよい。
プロセス１２００ａでは、ある量の堆積材料１２３１を真空下で加熱して、堆積材料
１２３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積
材料１２３１は、堆積層１０３０を形成するために使用される材料を完全に、及び／又は
実質的に含み得る。
１２３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積
材料１２３１は、堆積層１０３０を形成するために使用される材料を完全に、及び／又は
実質的に含み得る。
堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２は、第１の部分４０１及び第２の部分４
０２の露出層表面１１に向かって、矢印１２１によって示される方向を含むチャンバ１１
１０の内側に向けられ得る。気化フラックス１２３２が露出層表面１１の第２の部分４０
２に入射すると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、堆積層１０３０と
してその上に形成され得る。
０２の露出層表面１１に向かって、矢印１２１によって示される方向を含むチャンバ１１
１０の内側に向けられ得る。気化フラックス１２３２が露出層表面１１の第２の部分４０
２に入射すると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、堆積層１０３０と
してその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の堆積は、オープンマスク及び／又
はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
シャドウマスク１１１５の特徴サイズとは対照的に、オープンマスクの特徴サイズは
、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者には理解されよう
。
、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者には理解されよう
。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者
によって理解されるであろう。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載されるオー
プンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るよ
うに、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
によって理解されるであろう。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載されるオー
プンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るよ
うに、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図１２に示されるように、気化フラックス１２３２は、第１の部分４０１にわ
たるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１と、パターン化コーティング２１０
が実質的に欠く第２の部分４０２にわたる下層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
たるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１と、パターン化コーティング２１０
が実質的に欠く第２の部分４０２にわたる下層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分４０１におけるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、第２
の部分４０２における下層の露出層表面１１に対して、堆積材料１２３１の堆積に対して
比較的低い初期付着確率を示し得るので、堆積層１０３０は、実質的にパターン化コーテ
ィング２１０を欠く第２の部分４０２における下層の露出層表面１１上にのみ実質的に選
択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１
０の露出層表面１１に入射する気化フラックス１２３２は、（１２３３に示すように）堆
積されない傾向があり得、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の露
出層表面１１は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合があ
る。
の部分４０２における下層の露出層表面１１に対して、堆積材料１２３１の堆積に対して
比較的低い初期付着確率を示し得るので、堆積層１０３０は、実質的にパターン化コーテ
ィング２１０を欠く第２の部分４０２における下層の露出層表面１１上にのみ実質的に選
択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１
０の露出層表面１１に入射する気化フラックス１２３２は、（１２３３に示すように）堆
積されない傾向があり得、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の露
出層表面１１は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合があ
る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２における下層の露出層表面１１上の
気化フラックス１２３２の初期堆積速度は、第１の部分４０１におけるパターン化コーテ
ィング２１０の露出層表面１１上の気化フラックス１２３２の初期堆積速度の約２００倍
、５５０倍、９００倍、１，０００倍、１，５００倍、１，９００倍、又は約２，０００
倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
気化フラックス１２３２の初期堆積速度は、第１の部分４０１におけるパターン化コーテ
ィング２１０の露出層表面１１上の気化フラックス１２３２の初期堆積速度の約２００倍
、５５０倍、９００倍、１，０００倍、１，５００倍、１，９００倍、又は約２，０００
倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
したがって、シャドウマスク１１１５及びオープンマスクを使用する図１１における
パターン化コーティング２１０の選択的堆積及び／又は堆積材料１２３１のマスクフリー
堆積の組み合わせは、図１２に示されるデバイス１００のバージョン１２００ａをもたら
し得る。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積及び／又は堆積材料１２３１のマスクフリー
堆積の組み合わせは、図１２に示されるデバイス１００のバージョン１２００ａをもたら
し得る。
第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材
料１２３１の閉じたコーティング１０４０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマ
スク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１０３０としてデバイス１
２００ａの上に堆積され得るが、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く第２の部
分４０２内にのみ実質的に残り得る。
料１２３１の閉じたコーティング１０４０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマ
スク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１０３０としてデバイス１
２００ａの上に堆積され得るが、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く第２の部
分４０２内にのみ実質的に残り得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内で、第２の部分４０２内のデ
バイス１２００ａの下部材料の露出層表面１１の、堆積材料１２３１の堆積に対する、実
質的に初期付着確率以下である、堆積材料１２３１の堆積に対する、比較的低い初期付着
確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
バイス１２００ａの下部材料の露出層表面１１の、堆積材料１２３１の堆積に対する、実
質的に初期付着確率以下である、堆積材料１２３１の堆積に対する、比較的低い初期付着
確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分４０１は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０
を実質的に欠く場合がある。
を実質的に欠く場合がある。
本開示は、シャドウマスク１１１５を伴う蒸着堆積プロセスによるパターン化コーテ
ィング２１０のパターン化された堆積を企図するが、当業者は、いくつかの非限定的な例
において、これが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含むがこれに限定されない任意の
好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
ィング２１０のパターン化された堆積を企図するが、当業者は、いくつかの非限定的な例
において、これが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含むがこれに限定されない任意の
好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターン化コーティング２１０がＮＩＣであることを企図するが、当業者
は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０であ
り得ることを理解するであろう。そのような例では、ＮＰＣ１４２０が堆積された部分（
例えば、限定されないが、第１の部分４０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材
料１２３１の閉じたコーティング１０４０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、限
定されないが、第２の部分４０２）は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０
を実質的に欠く場合がある。
は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０であ
り得ることを理解するであろう。そのような例では、ＮＰＣ１４２０が堆積された部分（
例えば、限定されないが、第１の部分４０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材
料１２３１の閉じたコーティング１０４０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、限
定されないが、第２の部分４０２）は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０
を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及びその後に堆積され
る堆積層１０３０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む
様々なパラメータに従って変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コ
ーティング２１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等で
あってもよく、及び／又は実質的にそれ以下であってもよい。堆積層１０３０の選択的パ
ターン化を達成するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デ
バイス１０００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄
いパターン化コーティング２１０は、バリアコーティング又は他の薄膜カプセル化（ＴＦ
Ｅ）層２２５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例
では、そのようなバリアコーティング１９５０の適用のためにそのような比較的平坦な表
面を提供することは、そのような表面へのその接着性を増加させ得る。
る堆積層１０３０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む
様々なパラメータに従って変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コ
ーティング２１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等で
あってもよく、及び／又は実質的にそれ以下であってもよい。堆積層１０３０の選択的パ
ターン化を達成するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デ
バイス１０００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄
いパターン化コーティング２１０は、バリアコーティング又は他の薄膜カプセル化（ＴＦ
Ｅ）層２２５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例
では、そのようなバリアコーティング１９５０の適用のためにそのような比較的平坦な表
面を提供することは、そのような表面へのその接着性を増加させ得る。
縁部効果
パターン化コーティング遷移領域
図１３Ａを参照すると、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０と第２
の部分４０２内の堆積層１０３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１０のデバ
イス１３００ａのバージョン１０００が示され得る。図１３Ｂは、デバイス１３００ａを
平面図で示し得る。
パターン化コーティング遷移領域
図１３Ａを参照すると、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０と第２
の部分４０２内の堆積層１０３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１０のデバ
イス１３００ａのバージョン１０００が示され得る。図１３Ｂは、デバイス１３００ａを
平面図で示し得る。
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１
内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって全
ての側で囲まれてもよく、それにより、第１の部分４０１は、各横軸に沿った側面におい
てパターン化コーティング２１０の更なる範囲又は縁部１３１５によって画定される境界
を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側面におけるパターン化コーティング縁
部１３１５は、そのような態様における第１の部分４０１の外周によって画定されてもよ
い。
内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって全
ての側で囲まれてもよく、それにより、第１の部分４０１は、各横軸に沿った側面におい
てパターン化コーティング２１０の更なる範囲又は縁部１３１５によって画定される境界
を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側面におけるパターン化コーティング縁
部１３１５は、そのような態様における第１の部分４０１の外周によって画定されてもよ
い。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１は、側面において、少なくとも１つ
のパターン化コーティング遷移領域４０１ｔを含むことができ、この領域では、パターン
化コーティング２１０の厚さが最大厚さから低減された厚さに遷移することができる。そ
のような遷移を示さない第１の部分４０１の範囲は、第１の部分４０１のパターン化コー
ティング非遷移部分４０１ｎとして識別されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パ
ターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分
４０１ｎにおいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成することができる。
のパターン化コーティング遷移領域４０１ｔを含むことができ、この領域では、パターン
化コーティング２１０の厚さが最大厚さから低減された厚さに遷移することができる。そ
のような遷移を示さない第１の部分４０１の範囲は、第１の部分４０１のパターン化コー
ティング非遷移部分４０１ｎとして識別されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パ
ターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分
４０１ｎにおいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、側面に
おいて、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとパターン化コ
ーティング縁部１３１５との間に延びてもよい。
おいて、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとパターン化コ
ーティング縁部１３１５との間に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面図において、パターン化コーティング遷移領域４
０１ｔは、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎを取り囲み、
及び／又はその周囲に沿って延びてもよい。
０１ｔは、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎを取り囲み、
及び／又はその周囲に沿って延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの横軸に沿って、パターン化コーティ
ング非遷移部分４０１ｎは、第１の部分４０１の全体を占有してもよく、それにより、パ
ターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、それと第２の部分４０２との間に存在しない
。
ング非遷移部分４０１ｎは、第１の部分４０１の全体を占有してもよく、それにより、パ
ターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、それと第２の部分４０２との間に存在しない
。
図１３Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１
０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて、約１～
１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５
～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲であってもよい平均膜厚
ｄ２を有してよい。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１のパターン化コーテ
ィング非遷移部分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、そ
れにわたって実質的に同じ、又は一定であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パ
ターン化コーティング２１０の平均層厚ｄ２は、パターン化コーティング非遷移部分４０
１ｎ内で、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの
少なくとも１つの範囲内に留まってもよい。
０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて、約１～
１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５
～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲であってもよい平均膜厚
ｄ２を有してよい。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１のパターン化コーテ
ィング非遷移部分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、そ
れにわたって実質的に同じ、又は一定であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パ
ターン化コーティング２１０の平均層厚ｄ２は、パターン化コーティング非遷移部分４０
１ｎ内で、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの
少なくとも１つの範囲内に留まってもよい。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、
約４０ｎｍ、約３０ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、又は約１０ｎｍのうちの少なくとも
１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０
の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つを超えて
もよい。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、
約４０ｎｍ、約３０ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、又は約１０ｎｍのうちの少なくとも
１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０
の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つを超えて
もよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部
分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下で
あってもよい。特定の理論に束縛されるものではないが、幾分程度驚くべきことに、０を
超え約１０ｎｍ以下であるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、少なくとも
いくつかの非限定的な例において、非限定的な例として、第１の部分４０１のパターン化
コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて１０ｎｍを超える平均膜厚ｄ２を有するパター
ン化コーティング２１０と比較して、堆積層１０３０の向上したパターン化コントラスト
を達成するためのある特定の利点を提供し得ることが分かった。
分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下で
あってもよい。特定の理論に束縛されるものではないが、幾分程度驚くべきことに、０を
超え約１０ｎｍ以下であるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、少なくとも
いくつかの非限定的な例において、非限定的な例として、第１の部分４０１のパターン化
コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて１０ｎｍを超える平均膜厚ｄ２を有するパター
ン化コーティング２１０と比較して、堆積層１０３０の向上したパターン化コントラスト
を達成するためのある特定の利点を提供し得ることが分かった。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーテ
ィング遷移領域４０１ｔ内で最大から最小まで減少するパターン化コーティング厚さを有
してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コ
ーティング遷移領域４０１ｔとパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとの間の境界
、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パター
ン化コーティング縁部１３１５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。い
くつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷
移部分４０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最
大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおける平均膜
厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非
限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であってもよい。
ィング遷移領域４０１ｔ内で最大から最小まで減少するパターン化コーティング厚さを有
してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コ
ーティング遷移領域４０１ｔとパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとの間の境界
、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パター
ン化コーティング縁部１３１５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。い
くつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷
移部分４０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最
大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおける平均膜
厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非
限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおけるパ
ターン化コーティング厚さのプロファイルは、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従
ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなプロファイルはテーパ状であって
もよい。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は
指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
ターン化コーティング厚さのプロファイルは、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従
ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなプロファイルはテーパ状であって
もよい。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は
指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーテ
ィング遷移領域４０１ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な
例では、下層の少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおいてパ
ターン化コーティング２１０によって覆われないままであってもよい。いくつかの非限定
的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１
ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎの少なくとも
一部において、実質的に閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
ィング遷移領域４０１ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な
例では、下層の少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおいてパ
ターン化コーティング２１０によって覆われないままであってもよい。いくつかの非限定
的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１
ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎの少なくとも
一部において、実質的に閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーテ
ィング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部４
０１ｎの少なくとも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
ィング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部４
０１ｎの少なくとも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０
の少なくとも一部は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合
がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１の露出層表面１１の少なくとも
一部は、堆積層１０３０又は堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に
欠く場合がある。
の少なくとも一部は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合
がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１の露出層表面１１の少なくとも
一部は、堆積層１０３０又は堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に
欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの横
軸に沿って、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎはｗ１の幅を有してもよく、パ
ターン化コーティング遷移領域４０１ｔはｗ２の幅を有してもよい。いくつかの非限定的
な例では、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎは、いくつかの非限定的な例では
、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面面積を有し得る。いく
つかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、いくつかの非限
定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗
算することによって近似され得る断面面積を有し得る。
軸に沿って、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎはｗ１の幅を有してもよく、パ
ターン化コーティング遷移領域４０１ｔはｗ２の幅を有してもよい。いくつかの非限定的
な例では、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎは、いくつかの非限定的な例では
、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面面積を有し得る。いく
つかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、いくつかの非限
定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗
算することによって近似され得る断面面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１はｗ２を超えてもよい。いくつかの非限定的な例
では、ｗ１／ｗ２の商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５０
０、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又
は約１００，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
では、ｗ１／ｗ２の商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５０
０、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又
は約１００，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下層の平均
膜厚ｄ１を超えてもよい。
膜厚ｄ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を超え
てもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方がｄ２を超えてもよい。い
くつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を
超えてもよい。
てもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方がｄ２を超えてもよい。い
くつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を
超えてもよい。
堆積層遷移領域
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１
内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって取
り囲まれてもよく、それにより、第２の部分４０２は、各横軸に沿って側面に、堆積層１
０３０の更なる範囲又は縁部１３３５によって画定される境界を有する。いくつかの非限
定的な例では、側面における堆積層縁部１３３５は、そのような側面における第２の部分
４０２の外周によって画定され得る。
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１
内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって取
り囲まれてもよく、それにより、第２の部分４０２は、各横軸に沿って側面に、堆積層１
０３０の更なる範囲又は縁部１３３５によって画定される境界を有する。いくつかの非限
定的な例では、側面における堆積層縁部１３３５は、そのような側面における第２の部分
４０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２は、側面において、少なくとも１つ
の堆積層遷移領域４０２ｔを含むことができ、堆積層１０３０の厚さは、最大厚さから低
減された厚さに遷移してもよい。そのような遷移を示さない第２の部分４０２の範囲は、
第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎとして識別することができる。いくつかの
非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎに
おいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成してもよい。
の堆積層遷移領域４０２ｔを含むことができ、堆積層１０３０の厚さは、最大厚さから低
減された厚さに遷移してもよい。そのような遷移を示さない第２の部分４０２の範囲は、
第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎとして識別することができる。いくつかの
非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎに
おいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面において、堆積層遷移領域４０２ｔは、側面にお
いて、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎと堆積層縁部１３３５との間に延び
てもよい。
いて、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎと堆積層縁部１３３５との間に延び
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面図において、堆積層遷移領域４０２ｔは、第２の
部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎを取り囲み、及び／又はその周囲に沿って延びて
もよい。
部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎを取り囲み、及び／又はその周囲に沿って延びて
もよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの横軸に沿って、第２の部分４０２の
堆積層非遷移部分４０２ｎは、それと第１の部分４０１との間に堆積層遷移領域４０２ｔ
が存在しないように、第２の部分４０２の全体を占めてもよい。
堆積層非遷移部分４０２ｎは、それと第１の部分４０１との間に堆積層遷移領域４０２ｔ
が存在しないように、第２の部分４０２の全体を占めてもよい。
図１３Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部
分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおいて、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、
約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、又は約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの
範囲内であり得る平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１
０ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。いくつ
かの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｔにおける堆積層１
０３０の平均膜厚ｄ３は、それにわたって実質的に同じ又は一定であってもよい。
分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおいて、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、
約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、又は約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの
範囲内であり得る平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１
０ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。いくつ
かの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｔにおける堆積層１
０３０の平均膜厚ｄ３は、それにわたって実質的に同じ又は一定であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下層の平均膜厚ｄ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、約２、約５、
約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの
非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０又は約０．２～４０のうちの少なく
とも１つの範囲内であってもよい。
約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの
非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０又は約０．２～４０のうちの少なく
とも１つの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ
２を超えてもよい。
２を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、約２、約５、
約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの
非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なく
とも１つの範囲内であってもよい。
約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの
非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なく
とも１つの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を超えてもよく、ｄ２はｄ１を超えてもよ
い。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を超えて
もよい。
い。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を超えて
もよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、又は約０．１～５の
うちの少なくとも１つの間であり得る。
うちの少なくとも１つの間であり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの横
軸に沿って、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、いく
つかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよ
い断面面積ａ３を有してもよい。
軸に沿って、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、いく
つかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよ
い断面面積ａ３を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎ
の幅ｗ１を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１はｗ３を超えてもよい。
の幅ｗ１を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１はｗ３を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、約
０．３～３、又は約０．４～２のうちの少なくとも１つの範囲であってもよい。いくつか
の非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、約２、約３、又は約４のうちの
少なくとも１つであり得る。
０．３～３、又は約０．４～２のうちの少なくとも１つの範囲であってもよい。いくつか
の非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、約２、約３、又は約４のうちの
少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１０３０の平均膜厚ｄ３を超えてもよ
い。
い。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、約５０、約１０
０、又は約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商
ｗ３／ｄ３は約１００，０００以下であり得る。
０、又は約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商
ｗ３／ｄ３は約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔ内で最大
から最小まで減少する厚さを有することができる。いくつかの非限定的な例では、最大値
は、第２の部分４０２の堆積層遷移領域４０２ｔと堆積層非遷移部分４０２ｎとの間の境
界、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積
層縁部１３３５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定
的な例では、最大値は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚
ｄ３であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲
内であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分４０２の堆積層
非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であってもよい。
から最小まで減少する厚さを有することができる。いくつかの非限定的な例では、最大値
は、第２の部分４０２の堆積層遷移領域４０２ｔと堆積層非遷移部分４０２ｎとの間の境
界、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積
層縁部１３３５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定
的な例では、最大値は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚
ｄ３であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲
内であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分４０２の堆積層
非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域４０２ｔにおける厚さのプロファイル
は、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのようなプロファイルはテーパ状であってもよい。いくつかの非限定的な例では、テ
ーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよ
い。
は、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのようなプロファイルはテーパ状であってもよい。いくつかの非限定的な例では、テ
ーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよ
い。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の図１３Ｅの例示的なバージョン１
３００ｅにおける非限定的な例として示されるように、堆積層１０３０は、堆積層遷移領
域４０２ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積
層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部に実質的に閉じたコーティング
１０４０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、下層表面の少なくとも一部
は、堆積層遷移領域４０２ｔにおいて堆積層１０３０によって覆われなくてもよい。
３００ｅにおける非限定的な例として示されるように、堆積層１０３０は、堆積層遷移領
域４０２ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積
層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部に実質的に閉じたコーティング
１０４０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、下層表面の少なくとも一部
は、堆積層遷移領域４０２ｔにおいて堆積層１０３０によって覆われなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なく
とも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
とも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
明示的に示されていないが、当業者であれば、パターン化材料１１１１は、堆積層１
０３０と下層との間の界面にもある程度存在し得ることを理解するであろう。そのような
材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一でないシャドウイング効果の結果
として堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマ
スクされた部分上に堆積されるいくらかの蒸発したパターン化材料１１１１をもたらして
もよい。非限定的な例として、そのような材料は、粒子構造１２１（図１３Ｃ）として、
及び／又は実質的にパターン化コーティング２１０の平均厚さ以下であり得る厚さを有す
る薄膜として形成することができる。
０３０と下層との間の界面にもある程度存在し得ることを理解するであろう。そのような
材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一でないシャドウイング効果の結果
として堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマ
スクされた部分上に堆積されるいくらかの蒸発したパターン化材料１１１１をもたらして
もよい。非限定的な例として、そのような材料は、粒子構造１２１（図１３Ｃ）として、
及び／又は実質的にパターン化コーティング２１０の平均厚さ以下であり得る厚さを有す
る薄膜として形成することができる。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部１３３５は、第１の部分４０１のパターン
化コーティング遷移領域４０１ｔから側面に離隔されていてもよく、その結果、側面にお
いて第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に重なりがない。
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部１３３５は、第１の部分４０１のパターン
化コーティング遷移領域４０１ｔから側面に離隔されていてもよく、その結果、側面にお
いて第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に重なりがない。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１の少なくとも一部及び第２の部分４
０２の少なくとも一部は、側面において重なってもよい。そのような重なりは、図１３Ａ
において非限定的な例として示され得るように、重なり部分１３０３によって識別されて
もよく、第２の部分４０２の少なくとも一部が第１の部分４０１の少なくとも一部に重な
る。
０２の少なくとも一部は、側面において重なってもよい。そのような重なりは、図１３Ａ
において非限定的な例として示され得るように、重なり部分１３０３によって識別されて
もよく、第２の部分４０２の少なくとも一部が第１の部分４０１の少なくとも一部に重な
る。
いくつかの非限定的な例では、図１３Ｆに非限定的な例として示すように、堆積層遷
移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なく
とも一部の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティン
グ遷移領域４０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１０３０及び／又は堆積材料１２３１を
実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、パターン
化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層１３０
を形成し得る。
移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なく
とも一部の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティン
グ遷移領域４０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１０３０及び／又は堆積材料１２３１を
実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、パターン
化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層１３０
を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、図１３Ｇに非限定的な例として示すように、堆積層遷
移領域４０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移
部分４０１ｎの少なくとも一部の上に配置されてもよい。
移領域４０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移
部分４０１ｎの少なくとも一部の上に配置されてもよい。
図示されていないが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、重なり部分１３０３
が、第１の部分４０１の少なくとも一部が第２の部分４０２の少なくとも一部と重なるシ
ナリオを反映し得ることを理解するであろう。
が、第１の部分４０１の少なくとも一部が第２の部分４０２の少なくとも一部と重なるシ
ナリオを反映し得ることを理解するであろう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１
ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部の上に配置されてもよ
い。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パター
ン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、堆積層遷移領域４０２ｔの少
なくとも一部の露出層表面上に不連続層１３０を形成してもよい。
ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部の上に配置されてもよ
い。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パター
ン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、堆積層遷移領域４０２ｔの少
なくとも一部の露出層表面上に不連続層１３０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくと
も一部は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎの少なくとも一部の上に配置さ
れてもよい。
も一部は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎの少なくとも一部の上に配置さ
れてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング縁部１３１５は、側面におい
て、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎから離隔されていてもよい。
て、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎから離隔されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移
部分４０２ｎ及び堆積層遷移領域４０２ｔの両方にわたって単一のモノリシックコーティ
ングとして形成されてもよい。
部分４０２ｎ及び堆積層遷移領域４０２ｔの両方にわたって単一のモノリシックコーティ
ングとして形成されてもよい。
パターン化コーティング及び堆積層の縁部効果
図１４Ａ～図１４Ｉは、堆積層１０３０との堆積界面におけるパターン化コーティン
グ２１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図１４Ａ～図１４Ｉは、堆積層１０３０との堆積界面におけるパターン化コーティン
グ２１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図１４Ａを参照すると、パターン化コーティング堆積境界におけるデバイス１０００
の例示的なバージョン１４００の一部の第１の例が示され得る。デバイス１４００は、露
出層表面１１を有する基板１０を備えることができる。パターン化コーティング２１０は
、露出層表面１１の第１の部分４０１の上に堆積されてもよい。堆積層１０３０は、露出
層表面１１の第２の部分４０２の上に堆積されてもよい。図示されるように、非限定的な
例として、第１の部分４０１及び第２の部分４０２は、露出層表面１１の別個の重ならな
い部分であってもよい。
の例示的なバージョン１４００の一部の第１の例が示され得る。デバイス１４００は、露
出層表面１１を有する基板１０を備えることができる。パターン化コーティング２１０は
、露出層表面１１の第１の部分４０１の上に堆積されてもよい。堆積層１０３０は、露出
層表面１１の第２の部分４０２の上に堆積されてもよい。図示されるように、非限定的な
例として、第１の部分４０１及び第２の部分４０２は、露出層表面１１の別個の重ならな
い部分であってもよい。
堆積層１０３０は、第１の部分１３０１及び第２の部分１０３０２を含み得る。図示
されるように、非限定的な例として、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第２の
部分４０２を実質的に覆うことができ、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、パタ
ーン化コーティング２１０の第１の部分の上に部分的に突出し、及び／又は重なることが
できる。
されるように、非限定的な例として、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第２の
部分４０２を実質的に覆うことができ、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、パタ
ーン化コーティング２１０の第１の部分の上に部分的に突出し、及び／又は重なることが
できる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、その露出層表面１
１が堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すように形成され得る
ので、堆積層１０３０の突出する及び／又は重なる第２の部分１０３０２と、パターン化
コーティング２１０の露出層表面１１との間に形成されたギャップ１４２９が存在し得る
。結果として、第２の部分１０３０２は、パターン化コーティング２１０と物理的に接触
していなくてもよいが、断面においてギャップ１４２９によってそこから離隔されていて
もよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第１
の部分４０１と第２の部分４０２との間の界面及び／又は境界においてパターン化コーテ
ィング２１０と物理的に接触していてもよい。
１が堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すように形成され得る
ので、堆積層１０３０の突出する及び／又は重なる第２の部分１０３０２と、パターン化
コーティング２１０の露出層表面１１との間に形成されたギャップ１４２９が存在し得る
。結果として、第２の部分１０３０２は、パターン化コーティング２１０と物理的に接触
していなくてもよいが、断面においてギャップ１４２９によってそこから離隔されていて
もよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第１
の部分４０１と第２の部分４０２との間の界面及び／又は境界においてパターン化コーテ
ィング２１０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の突出する、及び／又は重なる第２の
部分１０３０２は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａと同等の程度
だけパターン化コーティング２１０の上に横方向に延びてもよい。非限定的な例として、
示されるように、第２の部分１０３０２の幅ｗｂは、第１の部分１０３０１の平均層厚ｄ
ａと同等であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２の幅ｗｂ
と第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１
．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。平均層厚
ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的均一であ
ってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２がパターン化コーテ
ィング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｂ）は、露
出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
部分１０３０２は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａと同等の程度
だけパターン化コーティング２１０の上に横方向に延びてもよい。非限定的な例として、
示されるように、第２の部分１０３０２の幅ｗｂは、第１の部分１０３０１の平均層厚ｄ
ａと同等であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２の幅ｗｂ
と第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１
．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。平均層厚
ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的均一であ
ってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２がパターン化コーテ
ィング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｂ）は、露
出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
次に図１４Ｂを参照すると、堆積層１０３０は、第２の部分１０３０２とパターン化
コーティング２１０との間に配置された第３の部分１０３０３を含むように示されてもよ
い。図示されるように、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、堆積層１０３０の第
３の部分１０３０３の上に横方向に延びてもよく、第３の部分１０３０３から長手方向に
離隔されてもよく、第３の部分は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物
理的に接触してもよい。堆積層１０３０の第３の部分１０３０３の平均層厚ｄｃは、その
第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａより小さくてもよく、いくつかの非限定的な例では
、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０
３の幅ｗｃは、第２の部分１０３０２の幅ｗｂを超えてもよい。いくつかの非限定的な例
では、第３の部分１０３０３は、第２の部分１０３０２よりも大きくパターン化コーティ
ング２１０に重なるように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の
部分１０３０３の幅ｗｃと第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３
：１、又は約１：１．２～２．５：１のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。
平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的
均一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３がパターン
化コーティング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｃ
）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
コーティング２１０との間に配置された第３の部分１０３０３を含むように示されてもよ
い。図示されるように、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、堆積層１０３０の第
３の部分１０３０３の上に横方向に延びてもよく、第３の部分１０３０３から長手方向に
離隔されてもよく、第３の部分は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物
理的に接触してもよい。堆積層１０３０の第３の部分１０３０３の平均層厚ｄｃは、その
第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａより小さくてもよく、いくつかの非限定的な例では
、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０
３の幅ｗｃは、第２の部分１０３０２の幅ｗｂを超えてもよい。いくつかの非限定的な例
では、第３の部分１０３０３は、第２の部分１０３０２よりも大きくパターン化コーティ
ング２１０に重なるように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の
部分１０３０３の幅ｗｃと第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３
：１、又は約１：１．２～２．５：１のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。
平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的
均一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３がパターン
化コーティング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｃ
）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分
１０３０１の平均層厚ｄａの約５％を超えなくてもよい。非限定的な例として、ｄｃは、
ｄａの約４％、約３％、約２％、約１％、又は約０．５％のうちの少なくとも１つ以下で
あってもよい。第３の部分１０３０３が薄膜として形成される代わりに、及び／又はそれ
に加えて、図示されるように、堆積層１０３０の堆積材料１２３１は、パターン化コーテ
ィング２１０の一部の上に粒子構造１２１として形成してもよい。非限定的な例として、
そのような粒子構造１２１は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離
された特徴を含んでもよい。
１０３０１の平均層厚ｄａの約５％を超えなくてもよい。非限定的な例として、ｄｃは、
ｄａの約４％、約３％、約２％、約１％、又は約０．５％のうちの少なくとも１つ以下で
あってもよい。第３の部分１０３０３が薄膜として形成される代わりに、及び／又はそれ
に加えて、図示されるように、堆積層１０３０の堆積材料１２３１は、パターン化コーテ
ィング２１０の一部の上に粒子構造１２１として形成してもよい。非限定的な例として、
そのような粒子構造１２１は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離
された特徴を含んでもよい。
ここで図１４Ｃを参照すると、ＮＰＣ１４２０は、基板１０と堆積層１０３０との間
に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と基板１０
の第２の部分４０２との間に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング
２１０が堆積された第１の部分４０１上ではなく、第２の部分４０２上に配置されている
ものとして示されている。ＮＰＣ１４２０は、ＮＰＣ１４２０と堆積層１０３０との間の
界面及び／又は境界において、ＮＰＣ１４２０の表面が堆積材料１２３１の堆積に対して
比較的高い初期付着確率を示し得るように形成され得る。したがって、ＮＰＣ１４２０の
存在は、堆積中の堆積層１０３０の形成及び／又は成長を促進してもよい。
に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と基板１０
の第２の部分４０２との間に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング
２１０が堆積された第１の部分４０１上ではなく、第２の部分４０２上に配置されている
ものとして示されている。ＮＰＣ１４２０は、ＮＰＣ１４２０と堆積層１０３０との間の
界面及び／又は境界において、ＮＰＣ１４２０の表面が堆積材料１２３１の堆積に対して
比較的高い初期付着確率を示し得るように形成され得る。したがって、ＮＰＣ１４２０の
存在は、堆積中の堆積層１０３０の形成及び／又は成長を促進してもよい。
次に図１４Ｄを参照すると、ＮＰＣ１４２０は、基板１０の第１の部分４０１及び第
２の部分４０２の両方の上に配置されてもよく、パターン化コーティング２１０は、第１
の部分４０１上に配置されたＮＰＣ１４２０の一部を覆ってもよい。ＮＰＣ１４２０の別
の部分は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合があり、堆積層１０３０は
、ＮＰＣ１４２０のそのような部分を覆ってもよい。
２の部分４０２の両方の上に配置されてもよく、パターン化コーティング２１０は、第１
の部分４０１上に配置されたＮＰＣ１４２０の一部を覆ってもよい。ＮＰＣ１４２０の別
の部分は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合があり、堆積層１０３０は
、ＮＰＣ１４２０のそのような部分を覆ってもよい。
次に図１４Ｅを参照すると、堆積層１０３０は、基板１０の第３の部分１４０３にお
いてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なるように示されてもよい。いく
つかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１及び第２の部分１０３０２に加えて、堆
積層１０３０は、第４の部分１０３０４を更に含むことができる。図示されるように、堆
積層１０３０の第４の部分１０３０４は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と第２
の部分１０３０２との間に配置されてもよく、第４の部分１０３０４は、パターン化コー
ティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な
例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー
堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長の結果として形成され得る。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１
の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すことができ、したがって、露出層表面１１
上で材料が核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長する
につれて、堆積層１０３０は横方向にも成長し得、図示のようにパターン化コーティング
２１０のサブセットを覆うことができる。
いてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なるように示されてもよい。いく
つかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１及び第２の部分１０３０２に加えて、堆
積層１０３０は、第４の部分１０３０４を更に含むことができる。図示されるように、堆
積層１０３０の第４の部分１０３０４は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と第２
の部分１０３０２との間に配置されてもよく、第４の部分１０３０４は、パターン化コー
ティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な
例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー
堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長の結果として形成され得る。いくつかの非
限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１
の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すことができ、したがって、露出層表面１１
上で材料が核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長する
につれて、堆積層１０３０は横方向にも成長し得、図示のようにパターン化コーティング
２１０のサブセットを覆うことができる。
ここで図１４Ｆを参照すると、基板１０の第１の部分４０１はパターン化コーティン
グ２１０でコーティングされてもよく、それに隣接する第２の部分４０２は堆積層１０３
０でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のオープ
ンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１０３０が、堆積層
１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又は界面付近でテーパ状の
断面プロファイルを示し得ることが観察されている。
グ２１０でコーティングされてもよく、それに隣接する第２の部分４０２は堆積層１０３
０でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のオープ
ンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１０３０が、堆積層
１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又は界面付近でテーパ状の
断面プロファイルを示し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面及び／又は界面付近の堆積層１０３０の平均層厚
は、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３より小さくてもよい。そのようなテーパ状プロファイ
ルは、湾曲及び／又はアーチ状であるように示され得るが、いくつかの非限定的な例では
、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であり
得る。非限定的な例として、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３は、界面に近接する領域にお
いて、実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少してもよいがこれに限定
されない。
は、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３より小さくてもよい。そのようなテーパ状プロファイ
ルは、湾曲及び／又はアーチ状であるように示され得るが、いくつかの非限定的な例では
、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であり
得る。非限定的な例として、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３は、界面に近接する領域にお
いて、実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少してもよいがこれに限定
されない。
堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面における、及び／又は
付近の堆積層１０３０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターン化コーティ
ング２１０の特性に応じて変化し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつ
かの非限定的な例では、堆積によって形成される堆積層１０３０の薄膜接触角を決定し得
ることが更に仮定され得る。非限定的な例として図１４Ｆを参照すると、接触角θｃは、
堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近におけ
る堆積層１０３０の接線の傾きを測定することによって決定することができる。いくつか
の非限定的な例では、堆積層１０３０の断面テーパ状プロファイルが実質的に線形であり
得る場合、接触角θｃは、界面及び／又は界面付近の堆積層１０３０の傾斜を測定するこ
とによって決定され得る。当業者には理解されるように、接触角θｃは概して、下層の角
度に対して測定することができる。本開示では、説明を簡単にするために、パターン化コ
ーティング２１０及び堆積層１０３０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかし
ながら、当業者であれば、パターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０が非平面表
面上に堆積されてもよいことを理解するであろう。
付近の堆積層１０３０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターン化コーティ
ング２１０の特性に応じて変化し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつ
かの非限定的な例では、堆積によって形成される堆積層１０３０の薄膜接触角を決定し得
ることが更に仮定され得る。非限定的な例として図１４Ｆを参照すると、接触角θｃは、
堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近におけ
る堆積層１０３０の接線の傾きを測定することによって決定することができる。いくつか
の非限定的な例では、堆積層１０３０の断面テーパ状プロファイルが実質的に線形であり
得る場合、接触角θｃは、界面及び／又は界面付近の堆積層１０３０の傾斜を測定するこ
とによって決定され得る。当業者には理解されるように、接触角θｃは概して、下層の角
度に対して測定することができる。本開示では、説明を簡単にするために、パターン化コ
ーティング２１０及び堆積層１０３０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかし
ながら、当業者であれば、パターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０が非平面表
面上に堆積されてもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の接触角θｃは、約９０°を超えても
よい。ここで図１４Ｇを参照すると、非限定的な例として、堆積層１０３０は、パターン
化コーティング２１０と堆積層１０３０との間の界面を越えて延びる部分を含むものとし
て示されてもよく、ギャップ１４２９によってパターン化コーティング２１０から離隔さ
れてもよい。そのような非限定的なシナリオにおいて、接触角θｃは、いくつかの非限定
的な例において、９０°を超えてもよい。
よい。ここで図１４Ｇを参照すると、非限定的な例として、堆積層１０３０は、パターン
化コーティング２１０と堆積層１０３０との間の界面を越えて延びる部分を含むものとし
て示されてもよく、ギャップ１４２９によってパターン化コーティング２１０から離隔さ
れてもよい。そのような非限定的なシナリオにおいて、接触角θｃは、いくつかの非限定
的な例において、９０°を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを示す堆積層１０３０を形成す
ることが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約
２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、又
は約８０°のうちの少なくとも１つを超えてもよい。非限定的な例として、比較的高い接
触角θｃを有する堆積層１０３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパ
ターン化された特徴の作成を可能にし得る。非限定的な例として、約９０°より大きい接
触角θｃを示す堆積層１０３０を形成する目的があってもよい。非限定的な例として、接
触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、
約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、又は約１７０°のうち
の少なくとも１つを超えてもよい。
ることが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約
２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、又
は約８０°のうちの少なくとも１つを超えてもよい。非限定的な例として、比較的高い接
触角θｃを有する堆積層１０３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパ
ターン化された特徴の作成を可能にし得る。非限定的な例として、約９０°より大きい接
触角θｃを示す堆積層１０３０を形成する目的があってもよい。非限定的な例として、接
触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、
約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、又は約１７０°のうち
の少なくとも１つを超えてもよい。
ここで図１４Ｈ及び図１４Ｉを参照すると、堆積層１０３０は、基板１０の第３の部
分１４０３においてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なってもよく、こ
れは、その第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に配置されてもよい。図示される
ように、パターン化コーティング２１０のサブセットに部分的に重なる堆積層１０３０の
サブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的
な例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリ
ー堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長のために形成され得る。いくつかの非限
定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１の
堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得、したがって、露出層表面１１上で材料が
核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長するにつれて、
堆積層１０３０は横方向にも成長し、パターン化コーティング２１０のサブセットを覆う
ことができる。
分１４０３においてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なってもよく、こ
れは、その第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に配置されてもよい。図示される
ように、パターン化コーティング２１０のサブセットに部分的に重なる堆積層１０３０の
サブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的
な例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリ
ー堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長のために形成され得る。いくつかの非限
定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１の
堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得、したがって、露出層表面１１上で材料が
核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長するにつれて、
堆積層１０３０は横方向にも成長し、パターン化コーティング２１０のサブセットを覆う
ことができる。
図１４Ｈ及び図１４Ｉの場合、堆積層１０３０の接触角θｃは、示されるように、そ
れとパターン化コーティング２１０との間の界面の近くのその縁部で測定され得る。図１
４Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これは、いくつかの非限定的な
例において、堆積層１０３０のサブセットがギャップ１４２９によってパターン化コーテ
ィング２１０から離隔されることをもたらし得る。
れとパターン化コーティング２１０との間の界面の近くのその縁部で測定され得る。図１
４Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これは、いくつかの非限定的な
例において、堆積層１０３０のサブセットがギャップ１４２９によってパターン化コーテ
ィング２１０から離隔されることをもたらし得る。
粒子
図１３Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上
に配置されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク
（集合的に粒子構造１２１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在
してもよい。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分４０１内のパターン化コ
ーティング２１０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子
構造１２１は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造１２１があってもよい。
図１３Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上
に配置されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク
（集合的に粒子構造１２１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在
してもよい。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分４０１内のパターン化コ
ーティング２１０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子
構造１２１は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造１２１があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、粒子材料を含む
ことができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積層１０３０内の堆積材料
１２３１と同じであってもよい。
ことができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積層１０３０内の堆積材料
１２３１と同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内の不連続層１３０内の粒子材料、
堆積層１０３０内の堆積材料１２３１、及び／又はその下の下層が含み得る材料は、共通
の金属を含み得る。
堆積層１０３０内の堆積材料１２３１、及び／又はその下の下層が含み得る材料は、共通
の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、又はＹのうちの少なくとも１つから選
択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、
Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んで
もよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕのうちの少なくと
も１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであってもよい。いく
つかの非限定的な例では、元素はＡｌであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元
素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの
非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つ
を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの
少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇの
うちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであっても
よい。
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、又はＹのうちの少なくとも１つから選
択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、
Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んで
もよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕのうちの少なくと
も１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであってもよい。いく
つかの非限定的な例では、元素はＡｌであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元
素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの
非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つ
を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの
少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇの
うちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであっても
よい。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限
定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純金属であってもよい。いくつかの
非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのう
ちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ａｇは、
少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、又は９９．
９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少
なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つで
あってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９５％、
約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％
のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純金属であってもよい。いくつかの
非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのう
ちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ａｇは、
少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、又は９９．
９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少
なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つで
あってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９５％、
約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％
のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有
合金のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含
有合金は、体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を
有し得る。
いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有
合金のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含
有合金は、体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を
有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせ
て他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくと
も１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、
Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限
定的な例では、そのような合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金
属である二元合金であってもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及び
Ｍｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇを含み得る。体積比で約
１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的
な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材
料は、Ｙｂを含み得る。体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。い
くつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定
的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
て他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくと
も１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、
Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限
定的な例では、そのような合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金
属である二元合金であってもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及び
Ｍｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇを含み得る。体積比で約
１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的
な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材
料は、Ｙｂを含み得る。体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を
含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。い
くつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定
的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも１つ
の追加の要素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金
属元素であってもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又は
Ｃのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追
加の元素は、源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるその
ような追加の元素の存在に起因して、夾雑物質として少なくとも１つの粒子構造１２１に
組み込まれ得ることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのよ
うな追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造１２１の他の元素とともに化合物を形成し
てもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約
１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００
１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下
であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、その中
のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．
００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．
００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有し得る。
の追加の要素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金
属元素であってもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又は
Ｃのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追
加の元素は、源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるその
ような追加の元素の存在に起因して、夾雑物質として少なくとも１つの粒子構造１２１に
組み込まれ得ることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのよ
うな追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造１２１の他の元素とともに化合物を形成し
てもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約
１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００
１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下
であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、その中
のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．
００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．
００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上の
不連続層１３０内を含むがこれに限定されない、ＮＰを含むがこれに限定されない少なく
とも１つの粒子構造１２１の存在は、デバイス１３００のいくつかの光学特性に影響を及
ぼし得る。
不連続層１３０内を含むがこれに限定されない、ＮＰを含むがこれに限定されない少なく
とも１つの粒子構造１２１の存在は、デバイス１３００のいくつかの光学特性に影響を及
ぼし得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような複数の粒子構造１２１は、不連続層１３０
を形成し得る。
を形成し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、堆積材料１２３１の
閉じたコーティング１０４０の形成は、パターン化コーティング２１０によって及び／又
はその上で実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティ
ング２１０がその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２３１のい
くつかの蒸気モノマー１２３２は、最終的にその上に堆積材料１２３１の少なくとも１つ
の粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
閉じたコーティング１０４０の形成は、パターン化コーティング２１０によって及び／又
はその上で実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティ
ング２１０がその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２３１のい
くつかの蒸気モノマー１２３２は、最終的にその上に堆積材料１２３１の少なくとも１つ
の粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１のうちの少なくともいくつかは、互い
から切り離されてもよい。言い換えれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０
は、粒子構造１２１が閉じたコーティング１０４０を形成しないように、互いに物理的に
分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。したがって、そのような不連続層１
３０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１００内のパターン化コー
ティング２１０と少なくとも１つの被覆層７１０との間の界面に、及び／又は実質的にそ
の横方向範囲にわたって挿入された、粒子構造１２１として形成された堆積材料１２３１
の薄い分散層を含むことができる。
から切り離されてもよい。言い換えれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０
は、粒子構造１２１が閉じたコーティング１０４０を形成しないように、互いに物理的に
分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。したがって、そのような不連続層１
３０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１００内のパターン化コー
ティング２１０と少なくとも１つの被覆層７１０との間の界面に、及び／又は実質的にそ
の横方向範囲にわたって挿入された、粒子構造１２１として形成された堆積材料１２３１
の薄い分散層を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の粒子構造１２１のうちの少なくと
も１つは、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよ
い。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の粒子構造１２１の実質的に全てが
、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
も１つは、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよ
い。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の粒子構造１２１の実質的に全てが
、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
特定の理論に束縛されるものではないが、幾分驚くべきことに、パターン化コーティ
ング２１０の露出層表面１１上の、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない少な
くとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような
薄い分散不連続層１３０の存在は、本明細書で説明するように、デバイス１００の光学効
果及び特性を含むがこれに限定されない少なくとも１つの変化した特性、及び付随して変
化した挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果
及び特性は、パターン化コーティング２１０上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイ
ズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つ
の賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
ング２１０の露出層表面１１上の、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない少な
くとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような
薄い分散不連続層１３０の存在は、本明細書で説明するように、デバイス１００の光学効
果及び特性を含むがこれに限定されない少なくとも１つの変化した特性、及び付随して変
化した挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果
及び特性は、パターン化コーティング２１０上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイ
ズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つ
の賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特徴的なサイズ、サイズ
分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの
形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１つの特質
、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２、パターン化コーティング２１０におけ
る不均一性の導入、並びに／又はパターン化コーティング２１０の温度、圧力、持続時間
、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうち
の少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの
形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１つの特質
、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２、パターン化コーティング２１０におけ
る不均一性の導入、並びに／又はパターン化コーティング２１０の温度、圧力、持続時間
、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうち
の少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特徴的なサイズ、サイズ
分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの
形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料（堆積材料１２３１であってもよい）の
少なくとも１つの特質、パターン化コーティング２１０が粒子材料の堆積に露出され得る
程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定されて
もよい）、並びに／又は粒子材料のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び
／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な
選択によって制御されてもよい。
分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの
形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料（堆積材料１２３１であってもよい）の
少なくとも１つの特質、パターン化コーティング２１０が粒子材料の堆積に露出され得る
程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定されて
もよい）、並びに／又は粒子材料のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び
／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な
選択によって制御されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、パターン化コーティング２１０の
横方向範囲にわたるパターンで堆積されてもよい。
横方向範囲にわたるパターンで堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、少なくとも１つの粒子構造１２１
を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置され得
る。
を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置され得
る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特質は、下層の露出層表
面１１の一部に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被
覆度、堆積分布、分散度、及び／又は凝集事例の存在及び／又は程度を含むがこれらに限
定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って、いくつかの非限定的な例では、
ある程度任意に評価され得る。
面１１の一部に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被
覆度、堆積分布、分散度、及び／又は凝集事例の存在及び／又は程度を含むがこれらに限
定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って、いくつかの非限定的な例では、
ある程度任意に評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの基準による不連続層１３
０の評価は、透過型電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子
間力顕微鏡法（atomicforce microscopy、ＡＦＭ）、及び／又は走査電子顕微鏡法（sca
nning electronmicroscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定さ
れない様々な撮像技法を使用して、不連続層１３０の少なくとも１つの属性を測定及び／
又は計算することを含むがこれらに限定されないことによって行われてもよい。
０の評価は、透過型電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子
間力顕微鏡法（atomicforce microscopy、ＡＦＭ）、及び／又は走査電子顕微鏡法（sca
nning electronmicroscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定さ
れない様々な撮像技法を使用して、不連続層１３０の少なくとも１つの属性を測定及び／
又は計算することを含むがこれらに限定されないことによって行われてもよい。
当業者は、不連続層１３０のそのような評価が、考慮中の露出層表面１１の程度によ
って、より大きい及び／又はより小さい程度に依存し得、いくつかの非限定的な例では、
その面積及び／又は領域を備え得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例で
は、不連続層１３０は、露出層表面１１の第１の側面及び／又はそれに対して実質的に横
断する第２の側面において、全範囲にわたって評価されてもよい。いくつかの非限定的な
例において、不連続層１３０は、不連続層１３０（の一部）に対して適用される少なくと
も１つの観察窓を含む範囲にわたって評価されてもよい。
って、より大きい及び／又はより小さい程度に依存し得、いくつかの非限定的な例では、
その面積及び／又は領域を備え得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例で
は、不連続層１３０は、露出層表面１１の第１の側面及び／又はそれに対して実質的に横
断する第２の側面において、全範囲にわたって評価されてもよい。いくつかの非限定的な
例において、不連続層１３０は、不連続層１３０（の一部）に対して適用される少なくと
も１つの観察窓を含む範囲にわたって評価されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側面の
周囲、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、不連続層１３０を評価
する際に使用され得る。
周囲、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、不連続層１３０を評価
する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／
又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、不連続層１３０を評価するために適用される
撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが
、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍのうちの少なくとも１つを
含む、所与の倍率レベルに対応し得る。
又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、不連続層１３０を評価するために適用される
撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが
、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍのうちの少なくとも１つを
含む、所与の倍率レベルに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限
定されない不連続層１３０の露出層表面１１の評価は、いくつかの非限定的な例では、曲
線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る手動カウント及び／又は既知の推定技術
を含むがこれに限定されない、任意の数のメカニズムによって計算及び／又は測定するこ
とを含み得る。
定されない不連続層１３０の露出層表面１１の評価は、いくつかの非限定的な例では、曲
線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る手動カウント及び／又は既知の推定技術
を含むがこれに限定されない、任意の数のメカニズムによって計算及び／又は測定するこ
とを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの
観察窓を含むがこれに限定されない不連続層１３０の評価は、平均値、中央値、最頻値、
最大値、最小値、並びに／又は計算及び／若しくは測定の値の他の確率的、統計的、及び
／若しくはデータの操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
観察窓を含むがこれに限定されない不連続層１３０の評価は、平均値、中央値、最頻値、
最大値、最小値、並びに／又は計算及び／若しくは測定の値の他の確率的、統計的、及び
／若しくはデータの操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例において、そのような不連続層１３０が評価され得る少なく
とも１つの基準のうちの１つは、そのような不連続層１３０（の一部）上の堆積材料１２
３１の表面被覆度であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、そのような
不連続層１３０（の一部）のそのような堆積材料１２３１による（非０）被覆率によって
表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
とも１つの基準のうちの１つは、そのような不連続層１３０（の一部）上の堆積材料１２
３１の表面被覆度であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、そのような
不連続層１３０（の一部）のそのような堆積材料１２３１による（非０）被覆率によって
表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下であり得る表面被覆度を
有する不連続層１３０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を超える表面被覆度を有す
る不連続層１３０の一部を通過するＥＭ放射線に対して、デバイス１００を完全に透過す
るか、及び／又はそれによって放出されるかにかかわらず、不連続層１３０のそのような
部分によってそれを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし
得る。
有する不連続層１３０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を超える表面被覆度を有す
る不連続層１３０の一部を通過するＥＭ放射線に対して、デバイス１００を完全に透過す
るか、及び／又はそれによって放出されるかにかかわらず、不連続層１３０のそのような
部分によってそれを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし
得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない
金属を含むがこれらに限定されない導電性材料がＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するの
で、いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆度の１つの尺
度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得る。
金属を含むがこれらに限定されない導電性材料がＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するの
で、いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆度の１つの尺
度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例において、表面被覆度は、粒子サイズ及び
堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって
、いくつかの非限定的な例では、これらの３つの基準のうちの複数は、正の相関があり得
る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆度の基準は、低い堆積密度の基
準と低い粒子サイズの基準とのいくつかの組み合わせを含み得る。
堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって
、いくつかの非限定的な例では、これらの３つの基準のうちの複数は、正の相関があり得
る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆度の基準は、低い堆積密度の基
準と低い粒子サイズの基準とのいくつかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０が評価され得る少なくとも
１つの基準の１つは、構成粒子構造１２１の特徴的なサイズであり得る。
１つの基準の１つは、構成粒子構造１２１の特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１は
、最大閾値サイズ以下の特徴的なサイズを有してもよい。特徴的なサイズの非限定的な例
は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
、最大閾値サイズ以下の特徴的なサイズを有してもよい。特徴的なサイズの非限定的な例
は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０の実質的に全ての粒子構造１２１は、
特定の範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
特定の範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような特徴的なサイズは、特徴的な長さによって
特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなさ
れてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような最大値は、粒子構造１２１の長軸
に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の横軸によって画定され
る平面内に延びる第１の寸法であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴
的な幅は、粒子構造１２１の短軸に沿って延び得る粒子構造１２１の特徴的なサイズの値
として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延びるが、長
軸を実質的に横断する第２の寸法であると理解され得る。
特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなさ
れてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような最大値は、粒子構造１２１の長軸
に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の横軸によって画定され
る平面内に延びる第１の寸法であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴
的な幅は、粒子構造１２１の短軸に沿って延び得る粒子構造１２１の特徴的なサイズの値
として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延びるが、長
軸を実質的に横断する第２の寸法であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の寸法に沿った少なくとも１つの粒子構造１２１
の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であってもよい。
の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の寸法に沿った少なくとも１つの粒子構造１２１
の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であってもよい。
の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０（の一部）における構成粒子構造１２
１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、長軸、及び／又は短軸を含むがこれら
に限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造１２１の特徴的なサイズを計算及
び／又は測定することによって評価され得る。
１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、長軸、及び／又は短軸を含むがこれら
に限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造１２１の特徴的なサイズを計算及
び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０が評価され得る少なくとも
１つの基準の１つは、その堆積密度であり得る。
１つの基準の１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の特徴的なサイズを最大閾値サイズと
比較してもよい。
比較してもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の堆積密度を最大閾値堆積密度と比較
してもよい。
してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような基準のうちの少なくとも１つは、数値計量
によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような計量は、粒子構造１
２１の堆積層１０３０における粒子（領域）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であ
ってもよく、
によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような計量は、粒子構造１
２１の堆積層１０３０における粒子（領域）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であ
ってもよく、
式中、
ｎは、試料面積内の粒子構造１２１の数であり、
Ｓｉは、第ｉの粒子構造１２１の（領域）サイズであり、
は、粒子（領域）サイズの数平均であり、
は、粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均である。
当業者であれば、分散度は多分散指数（ＰＤＩ：polydispersityindex）にほぼ類似
しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平
均分子量の概念にほぼ類似しているが、試料粒子構造１２１の分子量とは対照的に、（領
域）サイズに適用されることを理解するであろう。
しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平
均分子量の概念にほぼ類似しているが、試料粒子構造１２１の分子量とは対照的に、（領
域）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念が、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみ
なされ得る一方で、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念とみなされ得る
ことを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦ
Ｍ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、様々な撮像技法を使用することに
よって得ることができるような、堆積層１０３０の二次元画像の観察及び分析に関連して
使用することができる。上述した式が定義されるのは、このような二次元の状況において
である。
なされ得る一方で、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念とみなされ得る
ことを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦ
Ｍ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、様々な撮像技法を使用することに
よって得ることができるような、堆積層１０３０の二次元画像の観察及び分析に関連して
使用することができる。上述した式が定義されるのは、このような二次元の状況において
である。
いくつかの非限定的な例では、粒子（領域）サイズの分散度及び／又は数平均並びに
粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（領域）
サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（領域）
サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの堆積層１０３０の、粒子構造１２１
を含むがこれに限定されない堆積材料は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プ
ロセスによって堆積されてもよい。
を含むがこれに限定されない堆積材料は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プ
ロセスによって堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、実質的に丸い形状を有し得る。い
くつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、実質的に球形の形状を有し得る。
くつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略化のために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の（面積）サイズが
一対の横軸に沿った二次元面積被覆率として表され得るように、各粒子構造１２１の長手
方向範囲が実質的に同じであり得る（いずれにしても、ＳＥＭ画像から直接測定され得な
い）と仮定され得る。本開示では、（領域）サイズへの言及は、そのような二次元概念を
指すと理解され得、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得るサイズ（接頭辞「領
域」なし）と区別され得る。
一対の横軸に沿った二次元面積被覆率として表され得るように、各粒子構造１２１の長手
方向範囲が実質的に同じであり得る（いずれにしても、ＳＥＭ画像から直接測定され得な
い）と仮定され得る。本開示では、（領域）サイズへの言及は、そのような二次元概念を
指すと理解され得、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得るサイズ（接頭辞「領
域」なし）と区別され得る。
実際、いくつかの初期の調査では、いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構
造１２１の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、横方向範囲（横軸のうちの少なくとも１
つに沿った）に対して小さい傾向があり得、その結果、その長手方向範囲の体積寄与は、
そのような横方向範囲の体積寄与により小さくなり得るようである。いくつかの非限定的
な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（横方向範囲に対する長手方向範囲の
比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなアスペクト比は、約
１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、又は約１：３００のうちの少なくとも
１つであり得る。
造１２１の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、横方向範囲（横軸のうちの少なくとも１
つに沿った）に対して小さい傾向があり得、その結果、その長手方向範囲の体積寄与は、
そのような横方向範囲の体積寄与により小さくなり得るようである。いくつかの非限定的
な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（横方向範囲に対する長手方向範囲の
比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなアスペクト比は、約
１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、又は約１：３００のうちの少なくとも
１つであり得る。
この点に関して、粒子構造１２１を二次元面積被覆率として表すための上述の仮定（
長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、堆積プロセスの非決定的な性質を考慮して、特に、限定はしないが
、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又はその上の夾雑物質、及び
その上の粒子構造１２１の形成、堆積プロセスが続くときのその合体の不均一性、並びに
観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、間隔、堆積
密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性のうちの少なくとも１
つを含むがこれらに限定されない不均一性を含む、下部材料の露出層表面１１上の欠陥及
び／又は異常の存在を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジに関してかなりの
変動性があり得ることを理解するであろう。
、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又はその上の夾雑物質、及び
その上の粒子構造１２１の形成、堆積プロセスが続くときのその合体の不均一性、並びに
観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、間隔、堆積
密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性のうちの少なくとも１
つを含むがこれらに限定されない不均一性を含む、下部材料の露出層表面１１上の欠陥及
び／又は異常の存在を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジに関してかなりの
変動性があり得ることを理解するであろう。
本開示では、説明を簡単にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロフ
ァイルを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のある特定の詳細は省略されてい
る。
ァイルを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のある特定の詳細は省略されてい
る。
当業者は、ある特定の金属ＮＰが、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに
限定されない堆積材料１２３１の不連続層１３０の一部であるか否かにかかわらず、表面
プラズモン（surfaceplasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を示
すことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲
を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱してもよ
いことを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペ
クトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励
起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、
ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆
度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定さ
れない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特
性を変化させることによって調整され得る。
限定されない堆積材料１２３１の不連続層１３０の一部であるか否かにかかわらず、表面
プラズモン（surfaceplasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を示
すことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲
を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱してもよ
いことを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペ
クトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励
起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、
ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆
度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定さ
れない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特
性を変化させることによって調整され得る。
そのような光学応答は、光子吸収コーティングに関して、その上に入射する光子の吸
収を含むことができ、それによって反射を低減する。いくつかの非限定的な例では、吸収
は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその
部分範囲に集中していてもよい。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスの一部と
して光子吸収層を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる
。
収を含むことができ、それによって反射を低減する。いくつかの非限定的な例では、吸収
は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその
部分範囲に集中していてもよい。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスの一部と
して光子吸収層を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる
。
Ｆｕｓｅｌｌａら、「Ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａ
ｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅ
ｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ２０２０、５８５、３７９～３８２頁
（「Ｆｕｓｅｌｌａら」）において、ＯＬＥＤデバイスの安定度は、プラズモンモードか
らエネルギーを抽出するために、カソード層の上にＮＰベースのアウトカップリング層を
組み込むことによって向上され得ることが報告されている。ＮＰベースのアウトカップリ
ング層は、カソードの上の有機層の上に立方体型Ａｇ ＮＰをスピンキャスティングする
ことによって製作された。しかしながら、ほとんどの市販のＯＬＥＤデバイスは、真空ベ
ースの処理を使用して製作されるので、溶液からのスピンキャスティングは、カソードの
上にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを
構成しない可能性がある。
ｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅ
ｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ２０２０、５８５、３７９～３８２頁
（「Ｆｕｓｅｌｌａら」）において、ＯＬＥＤデバイスの安定度は、プラズモンモードか
らエネルギーを抽出するために、カソード層の上にＮＰベースのアウトカップリング層を
組み込むことによって向上され得ることが報告されている。ＮＰベースのアウトカップリ
ング層は、カソードの上の有機層の上に立方体型Ａｇ ＮＰをスピンキャスティングする
ことによって製作された。しかしながら、ほとんどの市販のＯＬＥＤデバイスは、真空ベ
ースの処理を使用して製作されるので、溶液からのスピンキャスティングは、カソードの
上にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを
構成しない可能性がある。
カソードの上のそのようなＮＰベースのアウトカップリング層は、いくつかの非限定
的な例では、カソードであってもよく、及び／又はカソード上に堆積されてもよいパター
ン化コーティング２１０上に不連続層１３０内の金属堆積材料１２３１を堆積させること
によって、真空中で製作されてもよい（したがって、商業的なＯＬＥＤ製作プロセスにお
ける使用に適していてもよい）ことが発見された。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバ
イスへの損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイス信頼性に悪影響を及ぼし得る、溶媒
又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。
的な例では、カソードであってもよく、及び／又はカソード上に堆積されてもよいパター
ン化コーティング２１０上に不連続層１３０内の金属堆積材料１２３１を堆積させること
によって、真空中で製作されてもよい（したがって、商業的なＯＬＥＤ製作プロセスにお
ける使用に適していてもよい）ことが発見された。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバ
イスへの損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイス信頼性に悪影響を及ぼし得る、溶媒
又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＥＭ放射線の抽出、デ
バイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上に寄与し得る。
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＥＭ放射線の抽出、デ
バイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上に寄与し得る。
いくつかの非限定的な例では、積層デバイス１００において、パターン化コーティン
グ２１０の露出層表面１１上の、かつ／又はそれに近接した、及び／又はいくつかの非限
定的な例では、かつ／又は少なくとも１つの被覆層７１０とのそのようなパターン化１１
０の界面に近接した、少なくとも１つの不連続層１３０の存在は、デバイスによって放出
される、及び／又はそれを通して送信される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ信
号に光学効果を付与し得る。
グ２１０の露出層表面１１上の、かつ／又はそれに近接した、及び／又はいくつかの非限
定的な例では、かつ／又は少なくとも１つの被覆層７１０とのそのようなパターン化１１
０の界面に近接した、少なくとも１つの不連続層１３０の存在は、デバイスによって放出
される、及び／又はそれを通して送信される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ信
号に光学効果を付与し得る。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されているが、他のモデ
ル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
ル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、パターン化コーティン
グ２１０及び／又は少なくとも１つの被覆層７１０を含むがこれに限定されない、長手方
向面に隣接して配置された薄膜層及び／又はコーティングの結晶化を低減及び／又は緩和
することができ、それによって、それに隣接して配置された薄膜の特性を安定化し、いく
つかの非限定的な例では、散乱を低減する。いくつかの非限定的な例では、そのような薄
膜は、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含むがこれに限定されない、デバイ
スのアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティング１９５０の少なくとも１つの
層であってもよく、及び／又はそれを含んでもよい）。
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、パターン化コーティン
グ２１０及び／又は少なくとも１つの被覆層７１０を含むがこれに限定されない、長手方
向面に隣接して配置された薄膜層及び／又はコーティングの結晶化を低減及び／又は緩和
することができ、それによって、それに隣接して配置された薄膜の特性を安定化し、いく
つかの非限定的な例では、散乱を低減する。いくつかの非限定的な例では、そのような薄
膜は、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含むがこれに限定されない、デバイ
スのアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティング１９５０の少なくとも１つの
層であってもよく、及び／又はそれを含んでもよい）。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＵＶスペクトルの少な
くとも一部における吸収の強化を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１
２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、堆積
材料１２３１、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないそのよ
うな粒子構造１２１の特質を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸
収度、波長範囲、及びピーク波長を制御することを容易にし得る。ＵＶスペクトルの少な
くとも一部におけるＥＭ放射線の吸収の向上は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性
、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＵＶスペクトルの少な
くとも一部における吸収の強化を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１
２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、堆積
材料１２３１、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないそのよ
うな粒子構造１２１の特質を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸
収度、波長範囲、及びピーク波長を制御することを容易にし得る。ＵＶスペクトルの少な
くとも一部におけるＥＭ放射線の吸収の向上は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性
、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含
む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加として、提示されたモデルは、そのような不連続層１３０を通過する光子の透過
及び／又は吸収に与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例で
は、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し
得る。
及び／又は吸収に与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例で
は、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し
得る。
光電子デバイス
図１５は、本開示による例示的なエレクトロルミネセンスデバイス１５００の断面か
らの簡略化されたブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は
ＯＬＥＤである。
図１５は、本開示による例示的なエレクトロルミネセンスデバイス１５００の断面か
らの簡略化されたブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は
ＯＬＥＤである。
デバイス１５００は、複数の層をそれぞれ含むフロントプレーン１５１０、第１の電
極１５２０、少なくとも１つの半導体層１５３０、及び第２の電極１５４０が配置されて
いる基板１０を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１５１０
は、光子放出及び／又は放出された光子の操作のためのメカニズムを提供することができ
る。
極１５２０、少なくとも１つの半導体層１５３０、及び第２の電極１５４０が配置されて
いる基板１０を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１５１０
は、光子放出及び／又は放出された光子の操作のためのメカニズムを提供することができ
る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０及び下層はともに、デバイス６００の
第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を
形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０及びその下の下層
はともに、デバイス１５００のカソードの少なくとも一部を形成してもよい。
第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を
形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０及びその下の下層
はともに、デバイス１５００のカソードの少なくとも一部を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、電源１５０５と電気的に結合さ
れ得る。そのように結合されると、デバイス１５００は、本明細書で説明されるように光
子を放出し得る。
れ得る。そのように結合されると、デバイス１５００は、本明細書で説明されるように光
子を放出し得る。
基板
いくつかの例では、基板１０はベース基板１５１２を含むことができる。いくつかの
例では、ベース基板１５１２は、限定はしないが、Ｓｉ、ガラス、金属（限定はしないが
、金属箔を含む）、サファイア、及び／若しくは限定はしないが他の無機材料を含む無機
材料、並びに／又は限定はしないが、ポリイミドを含むポリマー、及び／若しくは限定は
しないが、Ｓｉ系ポリマーを含む有機材料を含む、使用に適した材料から形成され得る。
いくつかの例では、ベース基板１５１２は剛性又は可撓性であってもよい。いくつかの例
では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定されてもよい。いくつかの非限定
的な例では、基板１０は、限定はしないが、第１の電極１５２０、少なくとも１つの半導
体層１５３０、及び／又は第２の電極１５４０を含む、デバイス１５００の残りのフロン
トプレーン１５１０構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有することができる。
いくつかの例では、基板１０はベース基板１５１２を含むことができる。いくつかの
例では、ベース基板１５１２は、限定はしないが、Ｓｉ、ガラス、金属（限定はしないが
、金属箔を含む）、サファイア、及び／若しくは限定はしないが他の無機材料を含む無機
材料、並びに／又は限定はしないが、ポリイミドを含むポリマー、及び／若しくは限定は
しないが、Ｓｉ系ポリマーを含む有機材料を含む、使用に適した材料から形成され得る。
いくつかの例では、ベース基板１５１２は剛性又は可撓性であってもよい。いくつかの例
では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定されてもよい。いくつかの非限定
的な例では、基板１０は、限定はしないが、第１の電極１５２０、少なくとも１つの半導
体層１５３０、及び／又は第２の電極１５４０を含む、デバイス１５００の残りのフロン
トプレーン１５１０構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような表面は、有機表面及び／又は無機表面であ
ってもよい。
ってもよい。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１５１２に加えて、ベース基板１５１２
の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せ
ず、本明細書では具体的に説明もしない）を含むことができる。
の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せ
ず、本明細書では具体的に説明もしない）を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、少なくとも１つの半導体層１
５３０のうちの少なくとも１つを含む、置き換える、及び／又は補足することができる少
なくとも１つの有機層を含む、及び／又は形成することができる。
５３０のうちの少なくとも１つを含む、置き換える、及び／又は補足することができる少
なくとも１つの有機層を含む、及び／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、いくつかの非限定的な例では
、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０を含む、置き換える、及び／又は補
足することができる、少なくとも１つの電極を含む及び／又は形成することができる少な
くとも１つの無機層を含むことができる。
、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０を含む、置き換える、及び／又は補
足することができる、少なくとも１つの電極を含む及び／又は形成することができる少な
くとも１つの無機層を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、バックプレーン１５１５を備
えてもよく、及び／又はバックプレーン１５１５から形成されてもよく、及び／又はバッ
クプレーン１５１５として形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、バックプレ
ーン１５１５は、限定はしないが、低圧（真空を含むが限定はしない）環境下で提供され
ないことがあり、かつ／又は低圧（真空を含むが限定はしない）環境の導入に先行しても
よいフォトリソグラフィプロセスによって形成されてもよい、電子ＴＦＴ構造１６０１及
び／又はその構成要素を含む、デバイス１５００を駆動するための電力回路及び／又はス
イッチング素子を含んでもよい。
えてもよく、及び／又はバックプレーン１５１５から形成されてもよく、及び／又はバッ
クプレーン１５１５として形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、バックプレ
ーン１５１５は、限定はしないが、低圧（真空を含むが限定はしない）環境下で提供され
ないことがあり、かつ／又は低圧（真空を含むが限定はしない）環境の導入に先行しても
よいフォトリソグラフィプロセスによって形成されてもよい、電子ＴＦＴ構造１６０１及
び／又はその構成要素を含む、デバイス１５００を駆動するための電力回路及び／又はス
イッチング素子を含んでもよい。
バックプレーン及びその中に具現化されるＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５は、アクティブマ
トリクスデバイス及び／又はパッシブマトリクスデバイスとして機能するデバイス６００
を支持してもよいような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを含むがこれら
に限定されない、少なくとも１つの電子及び／又は光電子構成要素を備え得る。いくつか
の非限定的な例では、そのような構造は、薄膜トランジスタ（thin-film transistor、Ｔ
ＦＴ）構造１６０１であり得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５は、アクティブマ
トリクスデバイス及び／又はパッシブマトリクスデバイスとして機能するデバイス６００
を支持してもよいような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを含むがこれら
に限定されない、少なくとも１つの電子及び／又は光電子構成要素を備え得る。いくつか
の非限定的な例では、そのような構造は、薄膜トランジスタ（thin-film transistor、Ｔ
ＦＴ）構造１６０１であり得る。
ＴＦＴ構造１６０１の非限定的な例は、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又
はｐ型ＴＦＴ構造１６０１を含む。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１６０１は
、非晶質Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、及び／又は低
温多結晶Ｓｉ（ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込んでもよい。
はｐ型ＴＦＴ構造１６０１を含む。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１６０１は
、非晶質Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、及び／又は低
温多結晶Ｓｉ（ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込んでもよい。
第１の電極
第１の電極１５２０は、基板１０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例で
は、第１の電極１５２０は、電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る
。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０は、少なくとも１つの駆動回路を介
してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０
のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を組み込んでもよい
。
第１の電極１５２０は、基板１０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例で
は、第１の電極１５２０は、電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る
。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０は、少なくとも１つの駆動回路を介
してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０
のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を組み込んでもよい
。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０は、アノード及び／又はカソード
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０はアノードであ
ってもよい。
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０はアノードであ
ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０は、基板１０（の一部）の上に少
なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成することができる。いくつか
の非限定的な例では、複数の第１の電極１５２０が、基板１０の側面にわたって空間配列
で配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の
電極１５２０のうちの少なくとも１つは、空間配列において側面に配置されたＴＦＴ絶縁
層１６０９の上に堆積されてもよい。その場合、いくつかの非限定的な例では、そのよう
な少なくとも１つの第１の電極１５２０のうちの少なくとも１つは、バックプレーン１５
１５内のＴＦＴ構造１６０１の電極と電気的に結合されるように、対応するＴＦＴ絶縁層
１６０９の開口部を通って延び得る。
なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成することができる。いくつか
の非限定的な例では、複数の第１の電極１５２０が、基板１０の側面にわたって空間配列
で配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の
電極１５２０のうちの少なくとも１つは、空間配列において側面に配置されたＴＦＴ絶縁
層１６０９の上に堆積されてもよい。その場合、いくつかの非限定的な例では、そのよう
な少なくとも１つの第１の電極１５２０のうちの少なくとも１つは、バックプレーン１５
１５内のＴＦＴ構造１６０１の電極と電気的に結合されるように、対応するＴＦＴ絶縁層
１６０９の開口部を通って延び得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１５２０及び／又はその
少なくとも１つの薄膜は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、
Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料
のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも
１つの金属材料、限定するものではないが、フッ素スズ酸化物（fluorine tin oxide、Ｆ
ＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide、ＩＺＯ）、若しくはＩＴＯなどの
三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物
、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は限定するもので
はないが、そのうち少なくとも１つは薄膜であってもよい、少なくとも１つの層における
それらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る
。
少なくとも１つの薄膜は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、
Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料
のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも
１つの金属材料、限定するものではないが、フッ素スズ酸化物（fluorine tin oxide、Ｆ
ＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide、ＩＺＯ）、若しくはＩＴＯなどの
三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物
、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は限定するもので
はないが、そのうち少なくとも１つは薄膜であってもよい、少なくとも１つの層における
それらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る
。
第２の電極
第２の電極１５４０は、少なくとも１つの半導体層１５３０上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、電源１５０５の端子及び／又は接
地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、少な
くとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非
限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１
６０１を組み込んでもよい。
第２の電極１５４０は、少なくとも１つの半導体層１５３０上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、電源１５０５の端子及び／又は接
地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、少な
くとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非
限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１
６０１を組み込んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、アノード及び／又はカソード
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０はカソードであ
ってもよい。
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０はカソードであ
ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、堆積層１０３０を、いくつか
の非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０（の一部）の上に少なくとも１
つの薄膜として堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では
、少なくとも１つの半導体層１５３０の側面にわたって空間配列で配置された複数の第２
の電極１５４０があってもよい。
の非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０（の一部）の上に少なくとも１
つの薄膜として堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では
、少なくとも１つの半導体層１５３０の側面にわたって空間配列で配置された複数の第２
の電極１５４０があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１５４０は、限定するも
のではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定す
るものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複
数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、ＦＴＯ、
ＩＺＯ、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含
む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比
率のもの、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウム（Ｉｎ）、若しくはＺｎを含有する
他の酸化物、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄い導電性膜であ
ってもよい、少なくとも１つの層、及び／又は少なくとも１つの非金属材料におけるそれ
らの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。い
くつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金では、そのような合金組成は、体積比で約１
：９～９：１の範囲であってもよい。
のではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定す
るものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複
数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、ＦＴＯ、
ＩＺＯ、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含
む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比
率のもの、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウム（Ｉｎ）、若しくはＺｎを含有する
他の酸化物、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄い導電性膜であ
ってもよい、少なくとも１つの層、及び／又は少なくとも１つの非金属材料におけるそれ
らの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。い
くつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金では、そのような合金組成は、体積比で約１
：９～９：１の範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の堆積は、オープンマスク及び／
又はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
又はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、複数のそのような層及び／又
はコーティングを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、そのような層及び／
又はコーティングは、互いの上に配置された別個の層及び／又はコーティングであっても
よい。
はコーティングを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、そのような層及び／
又はコーティングは、互いの上に配置された別個の層及び／又はコーティングであっても
よい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、Ｙｂ／Ａｇ二層コーティング
を含むことができる。非限定的な例として、そのような二層コーティングは、Ｙｂコーテ
ィング、続いてＡｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのようなＡｇコーティングの厚さは、Ｙｂコーティングの厚さを
超えてもよい。
を含むことができる。非限定的な例として、そのような二層コーティングは、Ｙｂコーテ
ィング、続いてＡｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのようなＡｇコーティングの厚さは、Ｙｂコーティングの厚さを
超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、少なくとも１つの金属層及び
／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１５４０であってもよい。
／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１５４０であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、フラーレン及びＭｇを含むこ
とができる。
とができる。
非限定的な例として、そのようなコーティングは、フラーレンコーティング、続いて
Ｍｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、フラーレンをＭｇコーティング内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金コーティ
ングを形成することができる。このようなコーティングの非限定的な例は、２０１５年１
０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０
１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６
０号として公開された国際出願第ＩＢ２０１７／０５４９７０号に記載されている。
Ｍｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、フラーレンをＭｇコーティング内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金コーティ
ングを形成することができる。このようなコーティングの非限定的な例は、２０１５年１
０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０
１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６
０号として公開された国際出願第ＩＢ２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、複数の層１５
３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９を含むことができ、これらの層のいずれ
も、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配置することができ、積層構成
は、正孔注入層（holeinjection layer、ＨＩＬ）１５３１、正孔輸送層（hole transpo
rt layer、ＨＴＬ）１５３３、発光層（emissivelayer、ＥＭＬ）１５３５、電子輸送層
（electrontransport layer、ＥＴＬ）１５３７、及び／又は電子注入層（electron inj
ection layer、ＥＩＬ）１５３９のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これら
に限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、複数の層１５
３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９を含むことができ、これらの層のいずれ
も、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配置することができ、積層構成
は、正孔注入層（holeinjection layer、ＨＩＬ）１５３１、正孔輸送層（hole transpo
rt layer、ＨＴＬ）１５３３、発光層（emissivelayer、ＥＭＬ）１５３５、電子輸送層
（electrontransport layer、ＥＴＬ）１５３７、及び／又は電子注入層（electron inj
ection layer、ＥＩＬ）１５３９のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これら
に限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、複数のＥＭＬ
１５３５を含む「タンデム」構造を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、その
ようなタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、
ＣＧＬ）を含んでもよい。
１５３５を含む「タンデム」構造を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、その
ようなタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、
ＣＧＬ）を含んでもよい。
当業者は、デバイス１５００の構造が、半導体層１５３１、１５３３、１５３５、１
５３７、１５３９のうちの少なくとも１つを省略及び／又は組み合わせることによって変
更され得ることを容易に理解するであろう。
５３７、１５３９のうちの少なくとも１つを省略及び／又は組み合わせることによって変
更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層１５３０の層１５３１、１５３３、１５３５、１５
３７、１５３９のいずれも、任意の数の副層を含むことができる。更に、そのような層１
５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９、及び／又はそれらの副層のいずれも
、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含むことができる。更に、当業者であれば、デバ
イス１５００は、無機材料及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を備えても
よく、必ずしも有機材料のみからなるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するで
あろう。非限定的な例として、デバイス６００は、少なくとも１つのＱＤを備えてもよい
。
３７、１５３９のいずれも、任意の数の副層を含むことができる。更に、そのような層１
５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９、及び／又はそれらの副層のいずれも
、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含むことができる。更に、当業者であれば、デバ
イス１５００は、無機材料及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を備えても
よく、必ずしも有機材料のみからなるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するで
あろう。非限定的な例として、デバイス６００は、少なくとも１つのＱＤを備えてもよい
。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１５３１は、アノードによる正孔の注入を容易
にすることができる正孔注入材料を使用して形成することができる。
にすることができる正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１５３３は、正孔輸送材料を使用して形成する
ことができ、正孔輸送材料は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を示すこと
ができる。
ことができ、正孔輸送材料は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を示すこと
ができる。
いくつかの非限定的な例において、ＥＴＬ１５３７は、電子輸送材料を用いて形成さ
れてもよく、電子輸送材料は、いくつかの非限定的な例において、高い電子移動度を示し
てもよい。
れてもよく、電子輸送材料は、いくつかの非限定的な例において、高い電子移動度を示し
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１５３９は、カソードによる電子の注入を容易
にすることができる電子注入材料を使用して形成することができる。
にすることができる電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例において、ＥＭＬ１５３５は、非限定的な例として、ホスト
材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いく
つかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅
延蛍光（thermallyactivated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又は
これらの複数の任意の組み合わせであってもよい。
材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いく
つかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅
延蛍光（thermallyactivated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又は
これらの複数の任意の組み合わせであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、少なくとも１つの半導体層１５
３０が、導電性薄膜電極１５２０、１５４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１
５３５を含み、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノード
を通して少なくとも１つの半導体層１５３０に注入され得、電子がカソードを通して少な
くとも１つの半導体層１５３０に注入され得、ＥＭＬ１５３５に向かって移動し、結合し
て光子の形態でＥＭ放射線を放出する、ＯＬＥＤであり得る。
３０が、導電性薄膜電極１５２０、１５４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１
５３５を含み、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノード
を通して少なくとも１つの半導体層１５３０に注入され得、電子がカソードを通して少な
くとも１つの半導体層１５３０に注入され得、ＥＭＬ１５３５に向かって移動し、結合し
て光子の形態でＥＭ放射線を放出する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、少なくとも１つの半導体層１５
３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイ
スであってもよい。電流が電源１５０５によって第１の電極１５２０及び第２の電極１５
４０に供給され得るとき、それらの間に少なくとも１つの半導体層１５３０を含む活性層
から光子が放出され得る。
３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイ
スであってもよい。電流が電源１５０５によって第１の電極１５２０及び第２の電極１５
４０に供給され得るとき、それらの間に少なくとも１つの半導体層１５３０を含む活性層
から光子が放出され得る。
当業者であれば、少なくとも１つの半導体層１５３０スタック内の適切な位置に、正
孔阻止層（holeblocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocki
ng layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（chargetransport layer、ＣＴＬ
）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図
示せず）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入す
ることによって、デバイス１５００の構造を変更できることを容易に理解するであろう。
孔阻止層（holeblocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocki
ng layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（chargetransport layer、ＣＴＬ
）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図
示せず）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入す
ることによって、デバイス１５００の構造を変更できることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１５００が照明パネルを備える場合を含むいくつかの非限定的な例
では、デバイス１５００の側面全体が単一の発光素子に対応してもよい。したがって、図
１５に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１５００から
その横方向範囲の全体に実質的に沿って放出されるように、デバイス１５００の側面全体
に実質的に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の発光素子は
、デバイス１５００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
では、デバイス１５００の側面全体が単一の発光素子に対応してもよい。したがって、図
１５に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１５００から
その横方向範囲の全体に実質的に沿って放出されるように、デバイス１５００の側面全体
に実質的に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の発光素子は
、デバイス１５００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１５００がディスプレイモジュールを備える場合を含むいくつかの
非限定的な例では、デバイス１５００の側面は、デバイス１５００の複数の放出領域６１
０に細分されてもよく、ここで、図ｘに限定されずに示される放出領域６１０の各々内の
デバイス構造１５００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放出させ得る。
非限定的な例では、デバイス１５００の側面は、デバイス１５００の複数の放出領域６１
０に細分されてもよく、ここで、図ｘに限定されずに示される放出領域６１０の各々内の
デバイス構造１５００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放出させ得る。
放出領域
図１６に非限定的な例として示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放
出領域６１０の活性領域１６３０は、第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０によっ
て横断面に境界付けられ、第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０によって画定され
る放出領域６１０に側面に閉じ込められるように画定することができる。当業者であれば
、放出領域６１０の横方向範囲、したがって活性領域１６３０の横方向境界は、第１の電
極１５２０及び第２の電極１５４０のいずれか又は両方の側面全体に対応しなくてもよい
ことを理解するであろう。むしろ、放出領域６１０の横方向範囲は、実質的に第１の電極
１５２０及び第２の電極１５４０のいずれかの横方向範囲以下であってもよい。非限定的
な例として、第１の電極１５２０の一部は、ＰＤＬ１６４０によって覆われていてもよく
、及び／又は第２の電極１５４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１５３０上に配置
されていなくてもよく、その結果、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放出領域６１
０は横方向に制約され得る。
図１６に非限定的な例として示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放
出領域６１０の活性領域１６３０は、第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０によっ
て横断面に境界付けられ、第１の電極１５２０及び第２の電極１５４０によって画定され
る放出領域６１０に側面に閉じ込められるように画定することができる。当業者であれば
、放出領域６１０の横方向範囲、したがって活性領域１６３０の横方向境界は、第１の電
極１５２０及び第２の電極１５４０のいずれか又は両方の側面全体に対応しなくてもよい
ことを理解するであろう。むしろ、放出領域６１０の横方向範囲は、実質的に第１の電極
１５２０及び第２の電極１５４０のいずれかの横方向範囲以下であってもよい。非限定的
な例として、第１の電極１５２０の一部は、ＰＤＬ１６４０によって覆われていてもよく
、及び／又は第２の電極１５４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１５３０上に配置
されていなくてもよく、その結果、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放出領域６１
０は横方向に制約され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の個々の放出領域６１０は、横方向
パターンでレイアウトされてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の
横方向に沿って延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横
方向に沿って延びてもよく、第２の横方向は、いくつかの非限定的な例では、第１の横方
向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そ
のようなパターン内にいくつかの素子を有してもよく、各素子は、その放出領域６１０に
よって放出されるＥＭ放射線の波長、そのような放出領域６１０の形状、（第１及び／又
は第２の横方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の横方向のい
ずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の素子からの（第１及
び／又は第２の横方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、これらに限定されな
い、少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーンは、第１及び／又は第２の横方向のいずれか又は両方において繰り返されてもよい。
パターンでレイアウトされてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の
横方向に沿って延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横
方向に沿って延びてもよく、第２の横方向は、いくつかの非限定的な例では、第１の横方
向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そ
のようなパターン内にいくつかの素子を有してもよく、各素子は、その放出領域６１０に
よって放出されるＥＭ放射線の波長、そのような放出領域６１０の形状、（第１及び／又
は第２の横方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の横方向のい
ずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の素子からの（第１及
び／又は第２の横方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、これらに限定されな
い、少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パタ
ーンは、第１及び／又は第２の横方向のいずれか又は両方において繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各個々の放出領域６１０は、関連
付けられた放出領域６１０のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１０００の
バックプレーン１５１５内の対応する駆動回路に関連付けられ、それによって駆動され得
る。放出領域６１０が第１の（行）横方向及び第２の（列）横方向の両方に延びる規則的
なパターンでレイアウトされ得る場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な
例では、第１の横方向に延びる放出領域６１０の各行に対応するバックプレーン１５１５
内の信号ラインと、第２の横方向に延びる放出領域６１０の各列に対応する信号ラインと
があってもよい。そのような非限定的な構成では、行選択ライン／データライン対上の信
号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ１６０１のそれぞれのゲートを通電
することができ、データライン上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦ
Ｔ１６０１のそれぞれのソースを通電することができ、その結果、行選択ライン／データ
ライン対上の信号は、電源１５０５の正端子によって、そのような対に関連付けられた放
出領域６１０のＯＬＥＤ構造のアノードを電気的に結合して通電し、そこから光子を放出
させることができ、そのカソードは電源１５０５の負端子と電気的に結合される。
付けられた放出領域６１０のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１０００の
バックプレーン１５１５内の対応する駆動回路に関連付けられ、それによって駆動され得
る。放出領域６１０が第１の（行）横方向及び第２の（列）横方向の両方に延びる規則的
なパターンでレイアウトされ得る場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な
例では、第１の横方向に延びる放出領域６１０の各行に対応するバックプレーン１５１５
内の信号ラインと、第２の横方向に延びる放出領域６１０の各列に対応する信号ラインと
があってもよい。そのような非限定的な構成では、行選択ライン／データライン対上の信
号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ１６０１のそれぞれのゲートを通電
することができ、データライン上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦ
Ｔ１６０１のそれぞれのソースを通電することができ、その結果、行選択ライン／データ
ライン対上の信号は、電源１５０５の正端子によって、そのような対に関連付けられた放
出領域６１０のＯＬＥＤ構造のアノードを電気的に結合して通電し、そこから光子を放出
させることができ、そのカソードは電源１５０５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス６００の各放出領域６１０は、単一のディス
プレイピクセル２７１０（図２７Ａ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピ
クセル２７１０は、所与の波長スペクトルで光を放出することができる。いくつかの非限
定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視光スペクトル内の色に対応し得
る。
プレイピクセル２７１０（図２７Ａ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピ
クセル２７１０は、所与の波長スペクトルで光を放出することができる。いくつかの非限
定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視光スペクトル内の色に対応し得
る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放出領域６１０は、ディスプレ
イピクセル２７１０のサブピクセル２２４ｘ（図１３Ａ）に対応し得る。いくつかの非限
定的な例では、複数のサブピクセル２２４ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピク
セル２７１０を形成するか、又は表すことができる。
イピクセル２７１０のサブピクセル２２４ｘ（図１３Ａ）に対応し得る。いくつかの非限
定的な例では、複数のサブピクセル２２４ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピク
セル２７１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２７１０は、３つのサブ
ピクセル２２４ｘによって表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピ
クセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピクセル２
２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３として示され得る。いくつかの非限定
的な例では、単一のディスプレイピクセル２７１０は、４つのサブピクセル２２４ｘによ
って表されてもよく、そのようなサブピクセル２２４ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）、Ｇ（
緑）、及びＢ（青）サブピクセル２２４ｘとして表されてもよく、第４のサブピクセル２
２４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル２２４ｘとして表されてもよい。いくつかの非限定的な
例では、所与のサブピクセル２２４ｘによって放出されるＥＭ放射線の発光スペクトルは
、サブピクセル２２４ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例
では、ＥＭ放射線の波長は、そのような色に対応しなくてもよいが、波長をそのように対
応する波長に変換するために、当業者に明らかな方法で更なる処理が実行されてもよい。
ピクセル２２４ｘによって表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピ
クセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピクセル２
２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３として示され得る。いくつかの非限定
的な例では、単一のディスプレイピクセル２７１０は、４つのサブピクセル２２４ｘによ
って表されてもよく、そのようなサブピクセル２２４ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）、Ｇ（
緑）、及びＢ（青）サブピクセル２２４ｘとして表されてもよく、第４のサブピクセル２
２４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル２２４ｘとして表されてもよい。いくつかの非限定的な
例では、所与のサブピクセル２２４ｘによって放出されるＥＭ放射線の発光スペクトルは
、サブピクセル２２４ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例
では、ＥＭ放射線の波長は、そのような色に対応しなくてもよいが、波長をそのように対
応する波長に変換するために、当業者に明らかな方法で更なる処理が実行されてもよい。
異なる色のサブピクセル２２４ｘの波長は異なり得るので、そのようなサブピクセル
２２４ｘの光学特質は、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１５２
０、１５４０が異なる色のサブピクセル２２４ｘに対して採用され得る場合に、異なり得
る。
２２４ｘの光学特質は、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１５２
０、１５４０が異なる色のサブピクセル２２４ｘに対して採用され得る場合に、異なり得
る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１５２０、１５４０がデバイス１０００内の第
２の電極１５４０として提供され得るとき、デバイス１０００の光学性能は、各（サブ）
ピクセル２７１０／２２４ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って容易に微調整され
ないことがある。そのようなＯＬＥＤデバイス１０００で使用される第２の電極１５４０
は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘをコーテ
ィングする共通電極１５２０、１５４０であってもよい。非限定的な例として、そのよう
な共通電極１５２０、１５４０は、デバイス１０００にわたって実質的に均一な厚さを有
する比較的薄い導電性膜であってもよい。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）
ピクセル２７１０／２２４ｘ内に配置された有機層の厚さを変化させることによって、各
（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ色に関連付けられた光マイクロキャビティ効果を調
整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、いくつかの非限定的な例では、
少なくともいくつかの場合において、光マイクロキャビティ効果のかなりの程度の調整を
提供し得る。加えて、いくつかの非限定的な例では、そのようなアプローチは、ＯＬＥＤ
ディスプレイ製造環境において実装することが困難であり得る。
２の電極１５４０として提供され得るとき、デバイス１０００の光学性能は、各（サブ）
ピクセル２７１０／２２４ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って容易に微調整され
ないことがある。そのようなＯＬＥＤデバイス１０００で使用される第２の電極１５４０
は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘをコーテ
ィングする共通電極１５２０、１５４０であってもよい。非限定的な例として、そのよう
な共通電極１５２０、１５４０は、デバイス１０００にわたって実質的に均一な厚さを有
する比較的薄い導電性膜であってもよい。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）
ピクセル２７１０／２２４ｘ内に配置された有機層の厚さを変化させることによって、各
（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ色に関連付けられた光マイクロキャビティ効果を調
整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、いくつかの非限定的な例では、
少なくともいくつかの場合において、光マイクロキャビティ効果のかなりの程度の調整を
提供し得る。加えて、いくつかの非限定的な例では、そのようなアプローチは、ＯＬＥＤ
ディスプレイ製造環境において実装することが困難であり得る。
結果として、いくつかの非限定的な例において、ＯＬＥＤデバイス１０００を含むが
これに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率
を有する多数の薄膜層及びコーティングによって作成される光学界面の存在は、異なる色
のサブピクセル２２４ｘに対して異なる光マイクロキャビティ効果を作成し得る。
これに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率
を有する多数の薄膜層及びコーティングによって作成される光学界面の存在は、異なる色
のサブピクセル２２４ｘに対して異なる光マイクロキャビティ効果を作成し得る。
デバイス１０００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を与え得るいく
つかの要因としては、限定するものではないが、全経路長（いくつかの非限定的な例では
、デバイス１０００から放出されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に通過する
デバイス１０００の（長手方向面の）全厚に対応し得る）、並びに様々な層及びコーティ
ングの屈折率が挙げられる。
つかの要因としては、限定するものではないが、全経路長（いくつかの非限定的な例では
、デバイス１０００から放出されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に通過する
デバイス１０００の（長手方向面の）全厚に対応し得る）、並びに様々な層及びコーティ
ングの屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１
０の側面内及び側面にわたって電極１５２０、１５４０の厚さを調節することは、観察可
能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、そのよ
うな影響は、総光路長の変化に起因し得る。
０の側面内及び側面にわたって電極１５２０、１５４０の厚さを調節することは、観察可
能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、そのよ
うな影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１５２０、１５４０の厚さの変化はまた、いくつ
かの非限定的な例では、全光路長の変化に加えて、そこを通過するＥＭ放射線の屈折率を
変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１５２０、１５４０が少
なくとも１つの堆積層１０３０から形成され得る場合であり得る。
かの非限定的な例では、全光路長の変化に加えて、そこを通過するＥＭ放射線の屈折率を
変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１５２０、１５４０が少
なくとも１つの堆積層１０３０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の光学特性、及び／又はいくつかの
非限定的な例では、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調節することによって
変化させることができる（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面に
わたる光学特性は、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、及び／
又は輝度の角度依存性を含むがこれに限定されない放出されたＥＭ放射線の角度分布、及
び／又は放出されたＥＭ放射線の色シフトを含み得るがこれに限定されない。
非限定的な例では、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調節することによって
変化させることができる（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面に
わたる光学特性は、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、及び／
又は輝度の角度依存性を含むがこれに限定されない放出されたＥＭ放射線の角度分布、及
び／又は放出されたＥＭ放射線の色シフトを含み得るがこれに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２２４ｘは、第１のディスプレイピクセ
ル２７１０を表すために他のサブピクセル２２４ｘの第１のセットに関連付けられてもよ
く、第２のディスプレイピクセル２７１０を表すために他のサブピクセル２２４ｘの第２
のセットにも関連付けられてもよく、その結果、第１及び第２のディスプレイピクセル２
７１０は、同じサブピクセル２２４ｘをそれらに関連付けることができる。
ル２７１０を表すために他のサブピクセル２２４ｘの第１のセットに関連付けられてもよ
く、第２のディスプレイピクセル２７１０を表すために他のサブピクセル２２４ｘの第２
のセットにも関連付けられてもよく、その結果、第１及び第２のディスプレイピクセル２
７１０は、同じサブピクセル２２４ｘをそれらに関連付けることができる。
サブピクセル２２４ｘのディスプレイピクセル２７１０へのパターン及び／又は組織
は、進化し続ける。全ての現在及び将来のパターン及び／又は組織は、本開示の範囲内に
入るとみなされる。
は、進化し続ける。全ての現在及び将来のパターン及び／又は組織は、本開示の範囲内に
入るとみなされる。
非放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放出領域６１０は、少なく
とも１つの横方向において、少なくとも１つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）によって
実質的に取り囲まれ、かつ分離されてもよく、ここで図１０に示すがこれに限定されない
、デバイス構造０００の構造及び／又は断面に沿った構成は、そこから放出されるＥＭ放
射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放出領
域１９０２は、放出領域６１０が実質的に欠く側面のこれらの領域を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放出領域６１０は、少なく
とも１つの横方向において、少なくとも１つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）によって
実質的に取り囲まれ、かつ分離されてもよく、ここで図１０に示すがこれに限定されない
、デバイス構造０００の構造及び／又は断面に沿った構成は、そこから放出されるＥＭ放
射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放出領
域１９０２は、放出領域６１０が実質的に欠く側面のこれらの領域を含むことができる。
したがって、図１６の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層１５３０の様
々な層の横方向トポロジを変えて、少なくとも１つの非放出領域１９０２によって（少な
くとも１つの横方向に）囲まれた少なくとも１つの放出領域６１０を画定することができ
る。
々な層の横方向トポロジを変えて、少なくとも１つの非放出領域１９０２によって（少な
くとも１つの横方向に）囲まれた少なくとも１つの放出領域６１０を画定することができ
る。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２７１０／２２
４ｘに対応する放出領域６１０は、側面１６１０を有する少なくとも１つの非放出領域１
９０２によって少なくとも１つの横方向に囲まれた側面１６２０を有すると理解されても
よい。
４ｘに対応する放出領域６１０は、側面１６１０を有する少なくとも１つの非放出領域１
９０２によって少なくとも１つの横方向に囲まれた側面１６２０を有すると理解されても
よい。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１０００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘに対応する放出領域６１０に適用されるデバイス１０００の断面の実装形態
の非限定的な例について説明する。そのような実装形態の特徴は、放出領域６１０に特有
であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２以上の放出領
域６１０が共通の特徴を包含し得ることを理解するであろう。
０／２２４ｘに対応する放出領域６１０に適用されるデバイス１０００の断面の実装形態
の非限定的な例について説明する。そのような実装形態の特徴は、放出領域６１０に特有
であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２以上の放出領
域６１０が共通の特徴を包含し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０は、デバイス１０００の露出層表
面１１の上に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１
６１０の少なくとも一部の中に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なく
とも（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内で、露出層
表面１１は、第１の電極１５２０の堆積時に、単一の表示（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘに対応する放出領域６１０用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１６０１のＴ
ＦＴ絶縁層１６０９を含むことができる。
面１１の上に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１
６１０の少なくとも一部の中に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なく
とも（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内で、露出層
表面１１は、第１の電極１５２０の堆積時に、単一の表示（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘに対応する放出領域６１０用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１６０１のＴ
ＦＴ絶縁層１６０９を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１６０９は、第１の電極１５２０が、限
定はしないが、図１６に示すように、ＴＦＴドレイン電極１６０８を含む、ＴＦＴ電極１
６０５、１６０７、１６０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にするために
、それを通って延びる開口部を有して形成され得る。
定はしないが、図１６に示すように、ＴＦＴドレイン電極１６０８を含む、ＴＦＴ電極１
６０５、１６０７、１６０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にするために
、それを通って延びる開口部を有して形成され得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造１６０１を備えることを理解するであろう。
図１６では、説明を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造１６０１のみが示され得るが、
そのようなＴＦＴ構造１６０１は、駆動回路を備えるそのような複数のＴＦＴ構造を表し
得ることが、当業者に理解されよう。
図１６では、説明を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造１６０１のみが示され得るが、
そのようなＴＦＴ構造１６０１は、駆動回路を備えるそのような複数のＴＦＴ構造を表し
得ることが、当業者に理解されよう。
断面において、各放出領域６１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、少なくと
も１つのＰＤＬ１６４０を、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の実質的に全体
に導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１
６４０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含むことができる。
も１つのＰＤＬ１６４０を、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の実質的に全体
に導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１
６４０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層１６０９の
上に堆積されてもよいが、図示されるように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６
４０は、堆積された第１の電極１５２０及び／又はその外縁部の少なくとも一部にわたっ
て延びてもよい。
上に堆積されてもよいが、図示されるように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６
４０は、堆積された第１の電極１５２０及び／又はその外縁部の少なくとも一部にわたっ
て延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図１６に示すように、ＰＤＬ１６４０の断面厚さ及び
／又はプロファイルは、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０と、（サブ）ピクセ
ル２７１０／２２４ｘに対応する囲まれた放出領域６１０の側面との境界に沿って増加し
た厚さの領域によって、各（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０に、実
質的に谷形状の構成を付与し得る。
／又はプロファイルは、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０と、（サブ）ピクセ
ル２７１０／２２４ｘに対応する囲まれた放出領域６１０の側面との境界に沿って増加し
た厚さの領域によって、各（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０に、実
質的に谷形状の構成を付与し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０のプロファイルは、いくつかの非限定
的な例では、そのような非放出領域１９０２の側面１６２０内で実質的に良好な、取り囲
む非放出領域１９０２の側面１６２０と囲まれた放出領域６１０の側面１６１０との間の
境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状構成を超える低減し
た厚さを有し得る。
的な例では、そのような非放出領域１９０２の側面１６２０内で実質的に良好な、取り囲
む非放出領域１９０２の側面１６２０と囲まれた放出領域６１０の側面１６１０との間の
境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状構成を超える低減し
た厚さを有し得る。
ＰＤＬ１６４０は、線状に傾斜した表面を有し、それによって囲まれた放出領域６１
０を画定する谷形状構成を形成するものとして一般的に示されているが、当業者であれば
、いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１６４０の形状、アスペクト比、厚さ
、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つが変更され得ることを理解するであろう。
非限定的な例として、ＰＤＬ１６４０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した部分を有
して形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１６４０は、そ
れが堆積される表面から離れて実質的に垂直に延びるように構成されてもよく、表面は第
１の電極１５２０の少なくとも１つの縁部を覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのようなＰＤＬ１６４０は、インクジェット印刷を含むがこれに限定されない印刷に
よるものを含むがこれに限定されない溶液処理技術によって、少なくとも１つの半導体層
１５３０をその上に堆積させるように構成することができる。
０を画定する谷形状構成を形成するものとして一般的に示されているが、当業者であれば
、いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１６４０の形状、アスペクト比、厚さ
、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つが変更され得ることを理解するであろう。
非限定的な例として、ＰＤＬ１６４０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した部分を有
して形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１６４０は、そ
れが堆積される表面から離れて実質的に垂直に延びるように構成されてもよく、表面は第
１の電極１５２０の少なくとも１つの縁部を覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのようなＰＤＬ１６４０は、インクジェット印刷を含むがこれに限定されない印刷に
よるものを含むがこれに限定されない溶液処理技術によって、少なくとも１つの半導体層
１５３０をその上に堆積させるように構成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、（サブ）ピク
セル２７１０／２２４ｘのそのような放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を
含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例
では、少なくとも（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０
内で、そのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１５３０（及び／又はそ
の層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９）の堆積時に、第１の電極１５
２０を含んでもよい。
セル２７１０／２２４ｘのそのような放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を
含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例
では、少なくとも（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０
内で、そのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１５３０（及び／又はそ
の層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９）の堆積時に、第１の電極１５
２０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、（サブ）ピク
セル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を超えて、及び少なくとも部分
的に、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定
的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、少
なくとも１つの半導体層１５３０の堆積時に、ＰＤＬ１６４０を含み得る。
セル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を超えて、及び少なくとも部分
的に、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定
的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、少
なくとも１つの半導体層１５３０の堆積時に、ＰＤＬ１６４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、（サブ）ピクセル２７１０／
２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の
露出層表面１１の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サ
ブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面内で、そのような露出層表面１
１は、第２の電極１５２０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１５３０を含むことが
できる。
２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の
露出層表面１１の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サ
ブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面内で、そのような露出層表面１
１は、第２の電極１５２０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１５３０を含むことが
できる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０はまた、（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を越えて、及び少なくとも部分的に、取り
囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、第２の電極１
５４０の堆積時に、ＰＤＬ１６４０を含み得る。
０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を越えて、及び少なくとも部分的に、取り
囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では
、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、第２の電極１
５４０の堆積時に、ＰＤＬ１６４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、取り囲む非放出領域１９０２
の側面１６２０の実質的に全て又は実質的な一部全体に延びてもよい。
の側面１６２０の実質的に全て又は実質的な一部全体に延びてもよい。
パターン化された電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の事前の選択的堆積に
よるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料１２３１の選
択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合さ
れた導電性要素を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターン化された電極
１５２０、１５４０、２０５０（図１１）及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆
積を達成するために採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の事前の選択的堆積に
よるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料１２３１の選
択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合さ
れた導電性要素を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターン化された電極
１５２０、１５４０、２０５０（図１１）及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆
積を達成するために採用され得る。
このようにして、シャドウマスク１１１５を用いた図１１におけるパターン化コーテ
ィング２１０の選択的堆積と、堆積材料１２３１のオープンマスク及び／又はマスクフリ
ー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１０３０の選択的堆積を行って、堆積
層１０３０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク１１１５を採用することな
く、図１０に示すデバイス１０００において、パターン化された電極１５２０、１５４０
、２０５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらに電気的に結合
された導電性要素を含むがこれらに限定されない、デバイス特徴を形成することができる
。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターン化は、デバイス１０００の透過率を
可能にし、かつ／又は向上させることができる。
ィング２１０の選択的堆積と、堆積材料１２３１のオープンマスク及び／又はマスクフリ
ー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１０３０の選択的堆積を行って、堆積
層１０３０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク１１１５を採用することな
く、図１０に示すデバイス１０００において、パターン化された電極１５２０、１５４０
、２０５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらに電気的に結合
された導電性要素を含むがこれらに限定されない、デバイス特徴を形成することができる
。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターン化は、デバイス１０００の透過率を
可能にし、かつ／又は向上させることができる。
そのようなデバイス１０００に様々な構造的及び／又は性能的能力を与えるための、
そのようなパターン化された電極１５２０、１５４０、２０５０、及び／又はそれらの少
なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のいくつかの非限
定的な例が、ここで説明される。
そのようなパターン化された電極１５２０、１５４０、２０５０、及び／又はそれらの少
なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のいくつかの非限
定的な例が、ここで説明される。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１
６１０、及び／又は放出領域６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０にわたって
、第１の電極１５２０、第２の電極１５４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらと電
気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、デバ
イス特徴を、デバイス１０００のフロントプレーン１５１０の露出層表面１１上にパター
ンで、選択的に堆積させることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の
電極１５２０、第２の電極１５４０、及び／又は補助電極２０５０は、複数の堆積層１０
３０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
６１０、及び／又は放出領域６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０にわたって
、第１の電極１５２０、第２の電極１５４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらと電
気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、デバ
イス特徴を、デバイス１０００のフロントプレーン１５１０の露出層表面１１上にパター
ンで、選択的に堆積させることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の
電極１５２０、第２の電極１５４０、及び／又は補助電極２０５０は、複数の堆積層１０
３０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１７は、例示的なパターン化された電極１７００を平面で示すことができ、図にお
いて、第２の電極１５４０は、デバイス１０００の例示的なバージョン１８００（図１８
）で使用するのに適している。電極１７００は、パターン化された複数の開口部１７２０
をその中に有するか又は画定する単一の連続構造を含むパターン１７１０で形成されても
よく、開口部１７２０は、カソードが存在しないデバイス１８００の領域に対応してもよ
い。
いて、第２の電極１５４０は、デバイス１０００の例示的なバージョン１８００（図１８
）で使用するのに適している。電極１７００は、パターン化された複数の開口部１７２０
をその中に有するか又は画定する単一の連続構造を含むパターン１７１０で形成されても
よく、開口部１７２０は、カソードが存在しないデバイス１８００の領域に対応してもよ
い。
図では、非限定的な例として、パターン１７１０は、（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０と、そのような放出領域６１０を囲む非
放出領域１９０２の側面１６２０とを区別することなく、デバイス１８００の横方向範囲
全体にわたって配置されてもよい。したがって、図示される例は、本明細書に開示される
ように、デバイス１８００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放
出、及び／又は両面放出）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデ
バイス１８００を通して透過され得るように、その外部表面上に入射するＥＭ放射線に対
して実質的に透過性であり得る、デバイス１８００に対応し得る。
２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０と、そのような放出領域６１０を囲む非
放出領域１９０２の側面１６２０とを区別することなく、デバイス１８００の横方向範囲
全体にわたって配置されてもよい。したがって、図示される例は、本明細書に開示される
ように、デバイス１８００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放
出、及び／又は両面放出）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデ
バイス１８００を通して透過され得るように、その外部表面上に入射するＥＭ放射線に対
して実質的に透過性であり得る、デバイス１８００に対応し得る。
デバイス１８００の透過率は、開口部１７２０の平均サイズ、及び／又は開口部１７
２０の間隔、及び／又は密度を含むがこれらに限定されない、採用されるパターン１７１
０を変更することによって調整及び／又は修正することができる。
２０の間隔、及び／又は密度を含むがこれらに限定されない、採用されるパターン１７１
０を変更することによって調整及び／又は修正することができる。
次に図１８を参照すると、図１７の線１８－１８に沿ったデバイス１８００の断面図
が示され得る。図において、デバイス９００は、基板１０と、第１の電極１５２０と、少
なくとも１つの半導体層１５３０とを備えるものとして示され得る。
が示され得る。図において、デバイス９００は、基板１０と、第１の電極１５２０と、少
なくとも１つの半導体層１５３０とを備えるものとして示され得る。
パターン化コーティング２１０は、下層の露出層表面１１上のパターン１７１０に実
質的に対応するパターンで選択的に配置されてもよい。
質的に対応するパターンで選択的に配置されてもよい。
図では第２の電極１５４０であるパターン化された電極１７００を形成するのに適し
た堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、
下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、パターン１
７１０内に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング
２１０が堆積されていないパターン１７１０内の少なくとも１つの半導体層１５３０の領
域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング
２１０の領域は、パターン１７１０に示される開口部１７２０を含む第１の部分４０１に
実質的に対応し得る。
た堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、
下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、パターン１
７１０内に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング
２１０が堆積されていないパターン１７１０内の少なくとも１つの半導体層１５３０の領
域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング
２１０の領域は、パターン１７１０に示される開口部１７２０を含む第１の部分４０１に
実質的に対応し得る。
パターン化コーティング２１０が配置されたパターン１７１０の領域（開口部１７２
０に対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に配置された堆積材料１２
３１は、残存しない傾向があり得、パターン１７１０の残りの部分に実質的に対応し得る
堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口部１７２０に対応するパターン
１７１０の第１の部分４０１の領域には、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０
が実質的に欠くままである。
０に対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に配置された堆積材料１２
３１は、残存しない傾向があり得、パターン１７１０の残りの部分に実質的に対応し得る
堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口部１７２０に対応するパターン
１７１０の第１の部分４０１の領域には、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０
が実質的に欠くままである。
言い換えれば、カソードを形成する堆積層１０３０は、実質的に、パターン１７１０
内の開口部１７２０を囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む
第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
内の開口部１７２０を囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む
第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
図１９Ａは、平面図において、電極１５２０、１５４０、２０５０の複数のパターン
１９１０、１９２０を示す概略図を示し得る。
１９１０、１９２０を示す概略図を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０は、第１の横方向に延びる複
数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパター
ン１９１０は、複数の第１の電極１５２０を含むことができる。いくつかの非限定的な例
では、第１のパターン１９１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパター
ン１９１０は、複数の第１の電極１５２０を含むことができる。いくつかの非限定的な例
では、第１のパターン１９１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１９２０は、第２の横方向に延びる複
数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の横方向
は、第１の横方向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第２のパターン１９２０は、複数の第２の電極１５４０を含むことができる。いくつかの
非限定的な例では、第２のパターン１９２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る
。
数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の横方向
は、第１の横方向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第２のパターン１９２０は、複数の第２の電極１５４０を含むことができる。いくつかの
非限定的な例では、第２のパターン１９２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る
。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０及び第２のパターン１９２０
は、デバイス１０００の１９００で全体的に示される例示的なバージョンの一部を形成す
ることができる。
は、デバイス１０００の１９００で全体的に示される例示的なバージョンの一部を形成す
ることができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出
領域６１０の側面１６１０は、第１のパターン１９１０が第２のパターン１９２０と重な
る場所に形成されてもよい。いくつかの非限定的な例において、非放出領域（）１９０２
の側面１６２０は、側面１６１０以外の任意の側面に対応してもよい。
領域６１０の側面１６１０は、第１のパターン１９１０が第２のパターン１９２０と重な
る場所に形成されてもよい。いくつかの非限定的な例において、非放出領域（）１９０２
の側面１６２０は、側面１６１０以外の任意の側面に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では正端子であってもよい、
電源１５０５の第１の端子は、第１のパターン１９１０の少なくとも１つの電極１５２０
、１５４０、２０５０と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１
の端子は、少なくとも１つの駆動回路を介して第１のパターン１９１０の少なくとも１つ
の電極１５２０、１５４０、２０５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、い
くつかの非限定的な例では負端子であってもよい、電源１５０５の第２の端子は、第２の
パターン１９２０の少なくとも１つの電極１５２０、１５４０、２０５０と電気的に結合
されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路
を介して、第２のパターン１９２０の少なくとも１つの電極１５２０、１５４０、２０５
０と結合され得る。
電源１５０５の第１の端子は、第１のパターン１９１０の少なくとも１つの電極１５２０
、１５４０、２０５０と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１
の端子は、少なくとも１つの駆動回路を介して第１のパターン１９１０の少なくとも１つ
の電極１５２０、１５４０、２０５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、い
くつかの非限定的な例では負端子であってもよい、電源１５０５の第２の端子は、第２の
パターン１９２０の少なくとも１つの電極１５２０、１５４０、２０５０と電気的に結合
されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路
を介して、第２のパターン１９２０の少なくとも１つの電極１５２０、１５４０、２０５
０と結合され得る。
次に図１９Ｂを参照すると、図１９Ａの線１９Ｂ－１９Ｂに沿った、堆積段階１９０
０ｂにおけるデバイス１９００の断面図が示され得る。図において、段階１９００ｂにお
けるデバイス１９００は、基板１０を備えるものとして示され得る。
０ｂにおけるデバイス１９００の断面図が示され得る。図において、段階１９００ｂにお
けるデバイス１９００は、基板１０を備えるものとして示され得る。
パターン化コーティング２１０は、図に示されるように、基板１０であってもよい、
下層の露出層表面１１上の第１のパターン１９１０の逆に、実質的に対応するパターンで
選択的に配置されてもよい。
下層の露出層表面１１上の第１のパターン１９１０の逆に、実質的に対応するパターンで
選択的に配置されてもよい。
図では第１の電極１５２０である電極１５２０、１５４０、２０５０の第１のパター
ン１９１０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフ
リー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置すること
ができる。下層は、第１のパターン１９１０の逆に配置されたパターン化コーティング２
１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第１のパターン１９１
０に配置された基板１０の領域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例で
は、基板１０の領域は、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質的に対応
してもよく、パターン化コーティング２１０の領域は、それらの間にギャップを含む第１
の部分４０１に実質的に対応してもよい。
ン１９１０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフ
リー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置すること
ができる。下層は、第１のパターン１９１０の逆に配置されたパターン化コーティング２
１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第１のパターン１９１
０に配置された基板１０の領域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例で
は、基板１０の領域は、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質的に対応
してもよく、パターン化コーティング２１０の領域は、それらの間にギャップを含む第１
の部分４０１に実質的に対応してもよい。
パターン化コーティング１０４０が配置された第１のパターン１９１０のそれらの領
域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に
配置された堆積材料１２３１は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積
のパターンをもたらし、それは、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質
的に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じ
たコーティング２１０が実質的に欠くままにする。
域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に
配置された堆積材料１２３１は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積
のパターンをもたらし、それは、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質
的に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じ
たコーティング２１０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、電極１５２０、１５４０、２０５０の第１のパターン１９１０を形成し
得る堆積層１０３０は、実質的に、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域を画
定する基板１０の領域を含む第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
得る堆積層１０３０は、実質的に、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域を画
定する基板１０の領域を含む第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
ここで図１９Ｃを参照すると、図１９Ａの線１９Ｃ－１９Ｃに沿った、デバイス１９
００の断面図１９００ｃが示され得る。図において、デバイス１９００は、基板１０、図
１９Ｂに示すように堆積された電極１５２０の第１のパターン１９１０、及び少なくとも
１つの半導体層１５３０を備えるものとして示され得る。
００の断面図１９００ｃが示され得る。図において、デバイス１９００は、基板１０、図
１９Ｂに示すように堆積された電極１５２０の第１のパターン１９１０、及び少なくとも
１つの半導体層１５３０を備えるものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０は、デバイス１９
００の側面の実質的に全てにわたる共通層として提供されてもよい。
００の側面の実質的に全てにわたる共通層として提供されてもよい。
パターン化コーティング２１０は、図に示されるように、少なくとも１つの半導体層
１５３０である、下層の露出層表面１１上の第２のパターン１９２０に実質的に対応する
パターンで選択的に配置されてもよい。
１５３０である、下層の露出層表面１１上の第２のパターン１９２０に実質的に対応する
パターンで選択的に配置されてもよい。
図では第２の電極１５４０である電極１５２０、１５４０、２０５０の第２のパター
ン１９２０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフ
リー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置すること
ができる。下層は、第２のパターン１９２０の逆に配置されたパターン化コーティング２
１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第２のパターン１９２
０内の少なくとも１つの半導体層１５３０の領域との両方を含むことができる。いくつか
の非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０の領域は、第２のパターン１９
２０の細長い離隔された領域を含む第１の部分４０１に実質的に対応してもよく、パター
ン化コーティング２１０の領域は、それらの間のギャップに実質的に対応してもよい。
ン１９２０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフ
リー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置すること
ができる。下層は、第２のパターン１９２０の逆に配置されたパターン化コーティング２
１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第２のパターン１９２
０内の少なくとも１つの半導体層１５３０の領域との両方を含むことができる。いくつか
の非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０の領域は、第２のパターン１９
２０の細長い離隔された領域を含む第１の部分４０１に実質的に対応してもよく、パター
ン化コーティング２１０の領域は、それらの間のギャップに実質的に対応してもよい。
パターン化コーティング１０４０が配置された第２のパターン１９２０のそれらの領
域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に
配置された堆積層１０３０は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積の
パターンをもたらし、それは、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域に実質的
に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じた
コーティング２１０が実質的に欠くままにする。
域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に
配置された堆積層１０３０は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積の
パターンをもたらし、それは、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域に実質的
に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じた
コーティング２１０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、電極１５２０、１５４０、２０５０の第２のパターン１９２０を形成し
得る堆積層１０３０は、実質的に、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域を画
定する少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む第２の部分４０２のみに選択的に
堆積され得る。
得る堆積層１０３０は、実質的に、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域を画
定する少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む第２の部分４０２のみに選択的に
堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１５２０、１５４０、２０５０の第１のパターン
１９１０及び／又は第２のパターン１９２０の、いずれか又は両方を形成するためにその
後に堆積されるパターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０の平均層厚は、所与の
用途及び所与の性能特質を含むがこれらに限定されない様々なパラメータに従って変更さ
れ得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均層厚は、そ
の後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等であってもよく、及び／又は実質的に
それより小さくてもよい。その後に堆積される堆積層１０３０の選択的パターン化を達成
するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デバイス１０００
を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターン化コ
ーティング２１０は、バリアコーティング１９５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提
供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１９５０の適用のためにそ
のような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１
９５０の接着性を増加させ得る。
１９１０及び／又は第２のパターン１９２０の、いずれか又は両方を形成するためにその
後に堆積されるパターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０の平均層厚は、所与の
用途及び所与の性能特質を含むがこれらに限定されない様々なパラメータに従って変更さ
れ得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均層厚は、そ
の後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等であってもよく、及び／又は実質的に
それより小さくてもよい。その後に堆積される堆積層１０３０の選択的パターン化を達成
するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デバイス１０００
を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターン化コ
ーティング２１０は、バリアコーティング１９５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提
供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１９５０の適用のためにそ
のような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１
９５０の接着性を増加させ得る。
電極１５２０、１５４０、２０５０の第１のパターン１９１０のうちの少なくとも１
つ、及び電極１５２０、１５４０、２０５０の第２のパターン１９２０のうちの少なくと
も１つは、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１
０からのＥＭ放射線放出を制御するために、直接的に、及び／又はいくつかの非限定的な
例ではそれぞれの駆動回路を介して、電源１５０５と電気的に結合されてもよい。
つ、及び電極１５２０、１５４０、２０５０の第２のパターン１９２０のうちの少なくと
も１つは、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１
０からのＥＭ放射線放出を制御するために、直接的に、及び／又はいくつかの非限定的な
例ではそれぞれの駆動回路を介して、電源１５０５と電気的に結合されてもよい。
補助電極
当業者は、図１９Ａ～図１９Ｃに示される第２のパターン１９２０内に第２の電極１
５４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００用の補助
電極２０５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、その第２の電極１５４０は、共通電極を備えてもよく、補助電
極２０５０は、第２のパターン１９２０で、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１
５４０の上に、又はいくつかの非限定的な例では、下に、堆積され、第２の電極と電気的
に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のため
の第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、（サ
ブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０を囲む非放出
領域１９０２の側面１６２０内に実質的に位置するようなものであってもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、
第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、実質的に、（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０、及び／又はそれらを囲む非放出
領域１９０２の側面１６２０内にあるようなものであってもよい。
当業者は、図１９Ａ～図１９Ｃに示される第２のパターン１９２０内に第２の電極１
５４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００用の補助
電極２０５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、その第２の電極１５４０は、共通電極を備えてもよく、補助電
極２０５０は、第２のパターン１９２０で、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１
５４０の上に、又はいくつかの非限定的な例では、下に、堆積され、第２の電極と電気的
に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のため
の第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、（サ
ブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０を囲む非放出
領域１９０２の側面１６２０内に実質的に位置するようなものであってもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、
第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、実質的に、（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０、及び／又はそれらを囲む非放出
領域１９０２の側面１６２０内にあるようなものであってもよい。
図２０は、それと実質的に同様であるが、第２の電極１５４０の上にパターンで配置
され、それと電気的に結合された（図示せず）少なくとも１つの補助電極２０５０を更に
備え得る、デバイス１０００の例示的なバージョン２０００の例示的な断面図を示し得る
。
され、それと電気的に結合された（図示せず）少なくとも１つの補助電極２０５０を更に
備え得る、デバイス１０００の例示的なバージョン２０００の例示的な断面図を示し得る
。
補助電極２０５０は、導電性であってもよい。いくつかの非限定的な例において、補
助電極２０５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成されてもよ
い。そのような金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、又はＡ
ｇが挙げられる。非限定的な例として、補助電極２０５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって
形成されるものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含むことができる。このよう
な金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ若しくはＺｎ
を含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は
、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを含
むがこれらに限定されない、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組
み合わせによって形成される多層構造を含むことができる。いくつかの非限定的な例では
、補助電極２０５０は、複数のそのような導電性材料を含む。
助電極２０５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成されてもよ
い。そのような金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、又はＡ
ｇが挙げられる。非限定的な例として、補助電極２０５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって
形成されるものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含むことができる。このよう
な金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ若しくはＺｎ
を含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は
、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを含
むがこれらに限定されない、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組
み合わせによって形成される多層構造を含むことができる。いくつかの非限定的な例では
、補助電極２０５０は、複数のそのような導電性材料を含む。
デバイス２０００は、基板１０と、第１の電極１５２０と、少なくとも１つの半導体
層１５３０とを備えるものとして示され得る。
層１５３０とを備えるものとして示され得る。
第２の電極１５４０は、少なくとも１つの半導体層１５３０の露出層表面１１の実質
的に全ての上に配置することができる。
的に全ての上に配置することができる。
いくつかの非限定的な例では、特に上部放出型デバイス２０００において、第２の電
極１５４０は、非限定的な例として、第２の電極１５４０の存在に関連する光学干渉（減
衰、反射、及び／又は拡散を含むが、これらに限定されない）を低減するために、比較的
薄い導電性膜層（図示せず）を堆積することによって形成されてもよい。いくつかの非限
定的な例では、他の場所で説明されるように、第２の電極１５４０の低減された厚さは、
概して、第２の電極１５４０のシート抵抗を増加させ得、それは、いくつかの非限定的な
例では、デバイス２０００の性能及び／又は効率を低減させ得る。第２の電極１５４０と
電気的に結合され得る補助電極２０５０を提供することによって、第２の電極１５４０に
関連するシート抵抗、したがってＩＲ降下は、いくつかの非限定的な例では、減少し得る
。
極１５４０は、非限定的な例として、第２の電極１５４０の存在に関連する光学干渉（減
衰、反射、及び／又は拡散を含むが、これらに限定されない）を低減するために、比較的
薄い導電性膜層（図示せず）を堆積することによって形成されてもよい。いくつかの非限
定的な例では、他の場所で説明されるように、第２の電極１５４０の低減された厚さは、
概して、第２の電極１５４０のシート抵抗を増加させ得、それは、いくつかの非限定的な
例では、デバイス２０００の性能及び／又は効率を低減させ得る。第２の電極１５４０と
電気的に結合され得る補助電極２０５０を提供することによって、第２の電極１５４０に
関連するシート抵抗、したがってＩＲ降下は、いくつかの非限定的な例では、減少し得る
。
いくつかの非限定的な例において、デバイス２０００は、底部放出型及び／又は両面
放出型デバイス２０００であってもよい。そのような例では、第２の電極１５４０は、そ
のようなデバイス２０００の光学特質に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電
層として形成され得る。それにもかかわらず、そのようなシナリオにおいても、第２の電
極１５４０は、非限定的な例として、比較的薄い導電膜層（図示せず）として形成されて
もよく、その結果、デバイス２０００は、その外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実
質的に透過性であってもよく、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分は、本明細
書に開示されるように、デバイス２０００内で、内部で生成されるＥＭ放射線の放出に加
えて、デバイス２０００を透過してもよい。
放出型デバイス２０００であってもよい。そのような例では、第２の電極１５４０は、そ
のようなデバイス２０００の光学特質に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電
層として形成され得る。それにもかかわらず、そのようなシナリオにおいても、第２の電
極１５４０は、非限定的な例として、比較的薄い導電膜層（図示せず）として形成されて
もよく、その結果、デバイス２０００は、その外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実
質的に透過性であってもよく、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分は、本明細
書に開示されるように、デバイス２０００内で、内部で生成されるＥＭ放射線の放出に加
えて、デバイス２０００を透過してもよい。
パターン化コーティング２１０は、図に示すように、少なくとも１つの半導体層１５
３０であってもよい下層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配置されてもよい。い
くつかの非限定的な例では、図に示されるように、パターン化コーティング２１０は、パ
ターンの第１の部分４０１において、一連の平行な行２０２０として配置されてもよい。
３０であってもよい下層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配置されてもよい。い
くつかの非限定的な例では、図に示されるように、パターン化コーティング２１０は、パ
ターンの第１の部分４０１において、一連の平行な行２０２０として配置されてもよい。
パターン化された補助電極２０５０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープ
ンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質
的に全ての上に配置することができる。下層は、行２０２０のパターン内に配置されたパ
ターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていな
い、少なくとも１つの半導体層１５３０の領域との両方を含むことができる。
ンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質
的に全ての上に配置することができる。下層は、行２０２０のパターン内に配置されたパ
ターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていな
い、少なくとも１つの半導体層１５３０の領域との両方を含むことができる。
パターン化コーティング２１０が配置された行２０２０の核形成抑制特性のために、
そのような行２０２０上に配置された堆積材料１２３１は残存しない傾向があり得、パタ
ーンの少なくとも１つの第２の部分４０２に実質的に対応し得る堆積層１０３０の選択的
堆積のパターンをもたらし、行２０２０を含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉
じたコーティング１０４０が実質的に欠くままにする。
そのような行２０２０上に配置された堆積材料１２３１は残存しない傾向があり得、パタ
ーンの少なくとも１つの第２の部分４０２に実質的に対応し得る堆積層１０３０の選択的
堆積のパターンをもたらし、行２０２０を含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉
じたコーティング１０４０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、補助電極２０５０を形成し得る堆積層１０３０は、実質的に、行２０２
０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む第２の部分４
０２上にのみ選択的に堆積され得る。
０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１５３０の領域を含む第２の部分４
０２上にのみ選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０を選択的に堆積させて、デバイス２
０００の側面のある特定の行２０２０のみを覆い、その他の領域は覆われないままにする
ことにより、補助電極２０５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減すること
ができる。
０００の側面のある特定の行２０２０のみを覆い、その他の領域は覆われないままにする
ことにより、補助電極２０５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減すること
ができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、典型的な視距離から裸眼によっ
て容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
て容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイ
スにおいて、そのようなデバイスの電極の実効抵抗を減少させることを含めて、形成され
てもよい。
スにおいて、そのようなデバイスの電極の実効抵抗を減少させることを含めて、形成され
てもよい。
図１２に示されるプロセスを含むがこれに限定されないパターン化コーティング２１
０を用いることによって、高温堆積層１０３０堆積プロセス中にシャドウマスク１１１５
を採用することなく、第２の電極１５４０及び／又は補助電極２０５０を含むがこれに限
定されない電極１５２０、１５４０、２０５０をパターン化する能力は、補助電極２０５
０の多数の構成が展開されることを可能にし得る。
０を用いることによって、高温堆積層１０３０堆積プロセス中にシャドウマスク１１１５
を採用することなく、第２の電極１５４０及び／又は補助電極２０５０を含むがこれに限
定されない電極１５２０、１５４０、２０５０をパターン化する能力は、補助電極２０５
０の多数の構成が展開されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、近隣の放出領域６１０の間に配
置され、第２の電極１５４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極２０
５０の幅は、近隣の放出領域６１０間の分離距離より小さくてもよい。その結果、補助電
極２０５０の各側の少なくとも１つの非放出領域１９０２内にギャップが存在し得る。い
くつかの非限定的な例では、そのような配列は、補助電極２０５０が、いくつかの非限定
的な例では放出領域６１０のうちの少なくとも１つからのデバイス２０００の光出力に干
渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は
、補助電極２０５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、数百ｎｍ超、及び／又
は数ミクロン程度の厚さである）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、
補助電極２０５０のアスペクト比は、少なくとも約０．１、約０．２、約０．５、約０．
８、約１、又は約２のうちの少なくとも１つなどの、約０．０５を超えてもよい。非限定
的な例として、補助電極２０５０の高さ（厚さ）は、少なくとも約８０ｎｍ、約１００ｎ
ｍ、約２００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，５００ｎｍ
、約１，７００ｎｍ、又は約２，０００ｎｍのうちの少なくとも１つなど、約５０ｎｍを
超えてもよい。
置され、第２の電極１５４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極２０
５０の幅は、近隣の放出領域６１０間の分離距離より小さくてもよい。その結果、補助電
極２０５０の各側の少なくとも１つの非放出領域１９０２内にギャップが存在し得る。い
くつかの非限定的な例では、そのような配列は、補助電極２０５０が、いくつかの非限定
的な例では放出領域６１０のうちの少なくとも１つからのデバイス２０００の光出力に干
渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は
、補助電極２０５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、数百ｎｍ超、及び／又
は数ミクロン程度の厚さである）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、
補助電極２０５０のアスペクト比は、少なくとも約０．１、約０．２、約０．５、約０．
８、約１、又は約２のうちの少なくとも１つなどの、約０．０５を超えてもよい。非限定
的な例として、補助電極２０５０の高さ（厚さ）は、少なくとも約８０ｎｍ、約１００ｎ
ｍ、約２００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，５００ｎｍ
、約１，７００ｎｍ、又は約２，０００ｎｍのうちの少なくとも１つなど、約５０ｎｍを
超えてもよい。
図２１は、デバイス１０００の例示的なバージョン２１００の（サブ）ピクセル２７
１０／２２４ｘに対応し得る放出領域６１０の側面１６１０と、放出領域６１０を取り囲
む非放出領域１９０２の側面１６２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成さ
れた補助電極２０５０のパターン２１５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
１０／２２４ｘに対応し得る放出領域６１０の側面１６１０と、放出領域６１０を取り囲
む非放出領域１９０２の側面１６２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成さ
れた補助電極２０５０のパターン２１５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン２１５０は、実質的に、非放出領域
１９０２の側面１６２０の全てではないがいくつかのみにわたって延びて、放出領域６１
０の側面１６１０のいずれも実質的に覆わないようにしてもよい。
１９０２の側面１６２０の全てではないがいくつかのみにわたって延びて、放出領域６１
０の側面１６１０のいずれも実質的に覆わないようにしてもよい。
当業者であれば、図において、補助電極２０５０のパターン２１５０は、その全ての
要素が互いに物理的に接続されて電気的に結合されるとともに、いくつかの非限定的な例
では、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０であってもよい、少なくとも１
つの電極１５２０、１５４０、２０５０と電気的に結合されるように、連続構造として形
成されるものとして示されているが、いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５
０のパターン２１５０は、互いに電気的に結合されたままであるが、互いに物理的に接続
されなくてもよい補助電極２０５０のパターン２１５０の複数の別個の要素として提供さ
れてもよいことを理解するであろう。例えそうであっても、補助電極２０５０のパターン
２１５０のそのような別個の要素は、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極
１５２０、１５４０、２０５０のシート抵抗、したがってデバイス２１００のシート抵抗
を依然として実質的に低下させて、その光学特質に実質的に干渉することなくデバイス２
１００の効率を増加させることができる。
要素が互いに物理的に接続されて電気的に結合されるとともに、いくつかの非限定的な例
では、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０であってもよい、少なくとも１
つの電極１５２０、１５４０、２０５０と電気的に結合されるように、連続構造として形
成されるものとして示されているが、いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５
０のパターン２１５０は、互いに電気的に結合されたままであるが、互いに物理的に接続
されなくてもよい補助電極２０５０のパターン２１５０の複数の別個の要素として提供さ
れてもよいことを理解するであろう。例えそうであっても、補助電極２０５０のパターン
２１５０のそのような別個の要素は、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極
１５２０、１５４０、２０５０のシート抵抗、したがってデバイス２１００のシート抵抗
を依然として実質的に低下させて、その光学特質に実質的に干渉することなくデバイス２
１００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘの様々な配列を有するデバイス２１００において採用され得る。いくつかの非限定
的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ配列は、実質的にダイヤモンド形状で
あってもよい。
２４ｘの様々な配列を有するデバイス２１００において採用され得る。いくつかの非限定
的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ配列は、実質的にダイヤモンド形状で
あってもよい。
非限定的な例として、図２２Ａは、平面図で、デバイス１０００の例示的なバージョ
ン２２００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１６４０を含む複数の非放出領域１９０
２の側面によって囲まれた、サブピクセル２２４ｘに各々対応する放出領域６１０の複数
のグループ２１４１～２１４３を示すことができる。いくつかの非限定的な例では、この
構成は、第１及び第２の行の交互パターンの放出領域６１０及びＰＤＬ１６４０のパター
ン２２４１～２２４３によって画定することができる。
ン２２００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１６４０を含む複数の非放出領域１９０
２の側面によって囲まれた、サブピクセル２２４ｘに各々対応する放出領域６１０の複数
のグループ２１４１～２１４３を示すことができる。いくつかの非限定的な例では、この
構成は、第１及び第２の行の交互パターンの放出領域６１０及びＰＤＬ１６４０のパター
ン２２４１～２２４３によって画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２の側面１６
２０は、実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行の非放
出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第２の行の非放出領域１９０２の側面１６２０
の主軸に位置合わせされ、実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第１の行の非放出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行で
あってもよい。
２０は、実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行の非放
出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第２の行の非放出領域１９０２の側面１６２０
の主軸に位置合わせされ、実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第１の行の非放出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行で
あってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第１のグループ２２４１は、第１の
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第１のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４１は、Ｒ（赤）サブピクセル
２２４１に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ２２４１の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる
。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ２２４１の放出領域６１０は、ＰＤＬ１
６４０が前後にある第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第１のグループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ１６４０を
含む前後の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の前後のパターンのＰＤ
Ｌ１６４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０とわずかに重なってもよい
。
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第１のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４１は、Ｒ（赤）サブピクセル
２２４１に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ２２４１の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる
。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ２２４１の放出領域６１０は、ＰＤＬ１
６４０が前後にある第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例では、
第１のグループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ１６４０を
含む前後の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の前後のパターンのＰＤ
Ｌ１６４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０とわずかに重なってもよい
。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第２のグループ２２４２は、第２の
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第２のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４２は、Ｇ（緑）サブピクセル
２２４２に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的に楕円形の構成を有することができる。いくつか
の非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放出領域６１０は、ＰＤＬ１６４０が前
後にある第２の行のパターン内にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグ
ループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０のいくつかの長軸は、第１の角度であっ
てもよく、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０
のうちの他のものの長軸は、第２の角度であってもよく、いくつかの非限定的な例では、
第１の角度に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、側面１
６１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ２２４２の放出領域６１０は、側面
１６１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ２２４２の放出領域６１０と交互
になっていてもよい。
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第２のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４２は、Ｇ（緑）サブピクセル
２２４２に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的に楕円形の構成を有することができる。いくつか
の非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放出領域６１０は、ＰＤＬ１６４０が前
後にある第２の行のパターン内にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグ
ループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０のいくつかの長軸は、第１の角度であっ
てもよく、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のグループ２２４１の放出領域６１０の側面１６１０
のうちの他のものの長軸は、第２の角度であってもよく、いくつかの非限定的な例では、
第１の角度に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、側面１
６１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ２２４２の放出領域６１０は、側面
１６１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ２２４２の放出領域６１０と交互
になっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第３のグループ２２４３は、第３の
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第３のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４３は、Ｂ（青）サブピクセル
２２４３に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ２２４３の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる
。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ２２４３の放出領域６１０は、ＰＤＬ１
６４０が先行及び後続する第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例
では、第３のグループ２２４３の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ１６
４０を含む先行及び後続の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の先行及
び後続のパターンのＰＤＬ１６４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０と
わずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１の
グループ２２４１の放出領域６１０と、第３のグループ２２４３の放出領域６１０とを交
互に含むことができ、各々ＰＤＬ１６４０が先行及び後続する。
波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定
的な例では、第３のグループ２２４ｘのサブピクセル２２４３は、Ｂ（青）サブピクセル
２２４３に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ２２４３の放
出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる
。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ２２４３の放出領域６１０は、ＰＤＬ１
６４０が先行及び後続する第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例
では、第３のグループ２２４３の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ１６
４０を含む先行及び後続の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の先行及
び後続のパターンのＰＤＬ１６４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０と
わずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１の
グループ２２４１の放出領域６１０と、第３のグループ２２４３の放出領域６１０とを交
互に含むことができ、各々ＰＤＬ１６４０が先行及び後続する。
次に図２２Ｂを参照すると、図２２Ａの線２２Ｂ－２２Ｂに沿ったデバイス２２００
の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露
出層表面１１上に形成された第１の電極１５２０の複数の要素とを備えるものとして示さ
れてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及
び／又は、各サブピクセル２２４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴ
ＦＴ構造１６０１（説明を簡単にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１６４０は、
ＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２によって分離された、第１の電極１５２０の各
要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極１５２０の要素間の基板１０上に
形成されてもよい。図では、放出領域６１０は全て、第２のグループ２２４２に対応する
ことができる。
の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露
出層表面１１上に形成された第１の電極１５２０の複数の要素とを備えるものとして示さ
れてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及
び／又は、各サブピクセル２２４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴ
ＦＴ構造１６０１（説明を簡単にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１６４０は、
ＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２によって分離された、第１の電極１５２０の各
要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極１５２０の要素間の基板１０上に
形成されてもよい。図では、放出領域６１０は全て、第２のグループ２２４２に対応する
ことができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の間で、第１の電極１５２０の各要素上に堆積され得る。
Ｌ１６４０の間で、第１の電極１５２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、共通カソードであって
もよい、第２の電極１５４０が、第２のグループ２２４２の放出領域６１０の上に堆積さ
れて、そのＧ（緑）サブピクセル２２４２を形成してもよく、取り囲むＰＤＬ１６４０の
上に堆積されてもよい。
もよい、第２の電極１５４０が、第２のグループ２２４２の放出領域６１０の上に堆積さ
れて、そのＧ（緑）サブピクセル２２４２を形成してもよく、取り囲むＰＤＬ１６４０の
上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、Ｇ（緑）サブピク
セル２２４２の第２のグループ２２４２の放出領域６１０の側面１６１０にわたって第２
の電極１５４０の上に選択的に堆積されて、パターン化コーティング２１０が実質的に欠
く場合がある第２の電極１５４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１６４０を含む非放出
領域１９０２の側面１６２０にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい
。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部
分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の
傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティン
グされ得る、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつか
の非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２
の電極１５４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る
。
セル２２４２の第２のグループ２２４２の放出領域６１０の側面１６１０にわたって第２
の電極１５４０の上に選択的に堆積されて、パターン化コーティング２１０が実質的に欠
く場合がある第２の電極１５４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１６４０を含む非放出
領域１９０２の側面１６２０にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい
。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部
分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の
傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティン
グされ得る、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつか
の非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２
の電極１５４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る
。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１３００は、ＣＰＬ及び／又はアウトカップ
リング層を備えてもよい。非限定的な例として、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカッ
プリング層は、第２の電極１５４０の表面上及び／又はパターン化コーティング２１０の
表面上に直接提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／
又はアウトカップリング層は、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する少なくと
も１つの放出領域６１０の側面にわたって提供されてもよい。
リング層を備えてもよい。非限定的な例として、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカッ
プリング層は、第２の電極１５４０の表面上及び／又はパターン化コーティング２１０の
表面上に直接提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／
又はアウトカップリング層は、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する少なくと
も１つの放出領域６１０の側面にわたって提供されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、屈折率整合コーテ
ィングとしても作用し得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１
０は、アウトカップリング層としても作用し得る。
ィングとしても作用し得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１
０は、アウトカップリング層としても作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１３００は、封入層２２５０を備え得る。そ
のような封入層２２５０の非限定的な例としては、デバイス２２００をカプセル化するた
めに提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリアコーティング１９５
０、及び／又は図の破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限
定的な例では、ＴＦＥ層２２５０は、バリアコーティング１９５０の一種とみなされ得る
。
のような封入層２２５０の非限定的な例としては、デバイス２２００をカプセル化するた
めに提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリアコーティング１９５
０、及び／又は図の破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限
定的な例では、ＴＦＥ層２２５０は、バリアコーティング１９５０の一種とみなされ得る
。
いくつかの非限定的な例では、封入層２２５０は、第２の電極１５４０及び／又はパ
ターン化コーティング２１０のうちの少なくとも１つの上に配列されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、デバイス２２００は、偏光子、カラーフィルタ、反射防止コーティ
ング、アンチグレアコーティング、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（Ｏ
ＣＡ）を含むがこれに限定されない、追加の光学及び／又は構造層、コーティング、及び
構成要素を備えてもよい。
ターン化コーティング２１０のうちの少なくとも１つの上に配列されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、デバイス２２００は、偏光子、カラーフィルタ、反射防止コーティ
ング、アンチグレアコーティング、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（Ｏ
ＣＡ）を含むがこれに限定されない、追加の光学及び／又は構造層、コーティング、及び
構成要素を備えてもよい。
次に図２２Ｃを参照すると、図２２Ａの線２２Ｃ－２２Ｃに沿ったデバイス２２００
の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露
出層表面１１上に形成された第１の電極１５２０の複数の要素とを備えるものとして示さ
れてもよい。ＰＤＬ１６４０は、ＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２によって分離
された、第１の電極１５２０の各要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極
１５２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放出領域６１０は、第１の
グループ２２４１及び第３のグループ２２４３に交互に対応することができる。
の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露
出層表面１１上に形成された第１の電極１５２０の複数の要素とを備えるものとして示さ
れてもよい。ＰＤＬ１６４０は、ＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２によって分離
された、第１の電極１５２０の各要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極
１５２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放出領域６１０は、第１の
グループ２２４１及び第３のグループ２２４３に交互に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の間で、第１の電極１５２０の各要素上に堆積され得る。
Ｌ１６４０の間で、第１の電極１５２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る
第２の電極１５４０が、第１のグループ２２４１の放出領域６１０の上に堆積されてその
Ｒ（赤）サブピクセル２２４１を形成し、第３のグループ２２４３の放出領域６１０の上
に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル２２４３を形成し、周囲のＰＤＬ１６４０の上に
堆積され得る。
第２の電極１５４０が、第１のグループ２２４１の放出領域６１０の上に堆積されてその
Ｒ（赤）サブピクセル２２４１を形成し、第３のグループ２２４３の放出領域６１０の上
に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル２２４３を形成し、周囲のＰＤＬ１６４０の上に
堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、Ｒ（赤）サブピク
セル２２４１の第１のグループ２２４１及びＢ（青）サブピクセル２２４３の第３のグル
ープ２２４３の放出領域２１０の側面１６１０にわたって第２の電極１５４０の上に選択
的に堆積されて、パターン化コーティング６１０が実質的に欠く場合がある第２の電極１
５４０の部分の上に、すなわちＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２の側面１６２０
にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例で
は、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があ
り得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の傾斜部分上に留まらない傾向
があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティングされる、そのような傾斜部
分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１
６４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２の電極１５４０と電気的に結合
され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る。
セル２２４１の第１のグループ２２４１及びＢ（青）サブピクセル２２４３の第３のグル
ープ２２４３の放出領域２１０の側面１６１０にわたって第２の電極１５４０の上に選択
的に堆積されて、パターン化コーティング６１０が実質的に欠く場合がある第２の電極１
５４０の部分の上に、すなわちＰＤＬ１６４０を含む非放出領域１９０２の側面１６２０
にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例で
は、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があ
り得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ１６４０の傾斜部分上に留まらない傾向
があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティングされる、そのような傾斜部
分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１
６４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２の電極１５４０と電気的に結合
され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る。
ここで図２３を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
１４００が示され得る。
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
１４００が示され得る。
デバイス２３００は、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１
０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２３００の第１の部分４０１内で、第１
の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に実質的に対応する、デバイス２
３００の第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１５４
０の上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２３００の第１の部分４０１内で、第１
の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に実質的に対応する、デバイス２
３００の第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１５４
０の上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０とし
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２
３００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
３００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、オープンマスク及び／又はマス
クフリー堆積プロセスを用いて堆積されてもよい。
クフリー堆積プロセスを用いて堆積されてもよい。
補助電極２０５０は、図示されるように、パターン化コーティング２１０が実質的に
欠く場合がある第２の部分にわたって第２の電極１５４０の上に位置し、第２の電極１５
４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極１５４０と電気的に結合されて、第２
の電極のシート抵抗を低減してもよい。
欠く場合がある第２の部分にわたって第２の電極１５４０の上に位置し、第２の電極１５
４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極１５４０と電気的に結合されて、第２
の電極のシート抵抗を低減してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２における堆積材
料１２３１の堆積に対する高い初期付着確率を保証するために、第２の電極１５４０と実
質的に同じ材料を含むことができる。
料１２３１の堆積に対する高い初期付着確率を保証するために、第２の電極１５４０と実
質的に同じ材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／
又はＭｇと、Ａｇを含むがこれに限定されない別の金属との合金を含むことができる。い
くつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積比で約１：９～９：１の範囲で
あってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、限定するものでは
ないが、ＩＴＯ、及び／又はＩＺＯなどの三元金属酸化物、及び／又は金属及び／又は金
属酸化物の組み合わせを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むことができる。
又はＭｇと、Ａｇを含むがこれに限定されない別の金属との合金を含むことができる。い
くつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積比で約１：９～９：１の範囲で
あってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、限定するものでは
ないが、ＩＴＯ、及び／又はＩＺＯなどの三元金属酸化物、及び／又は金属及び／又は金
属酸化物の組み合わせを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０を形成するために使用される堆積層
１０３０は、実質的に純粋なＭｇを含むことができる。
１０３０は、実質的に純粋なＭｇを含むことができる。
ここで図２４を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２４００が示され得る。
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２４００が示され得る。
デバイス２４００は、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１
０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２４００の第１の部分４０１内で、
第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１５４０の上に
選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。図において、第
１の部分４０１は、放出領域６１０を画定するＰＤＬ１６４０の傾斜部分の範囲に沿って
部分的に延びてもよい。
０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２４００の第１の部分４０１内で、
第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１５４０の上に
選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。図において、第
１の部分４０１は、放出領域６１０を画定するＰＤＬ１６４０の傾斜部分の範囲に沿って
部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０とし
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２
４００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。し
たがって、デバイス２４００において、補助電極２０５０は、放出領域６１０を画定する
ＰＤＬ１６４０の傾斜部分にわたって部分的に延びてもよい。
４００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。し
たがって、デバイス２４００において、補助電極２０５０は、放出領域６１０を画定する
ＰＤＬ１６４０の傾斜部分にわたって部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、図示されるように、パターン化コーティング２１０が実質的に
欠く場合がある第２の部分４０２にわたって第２の電極１５４０の上に位置し、第２の電
極１５４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極１５４０と電気的に結合されて
、第２の電極のシート抵抗を低減してもよい。
欠く場合がある第２の部分４０２にわたって第２の電極１５４０の上に位置し、第２の電
極１５４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極１５４０と電気的に結合されて
、第２の電極のシート抵抗を低減してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０が含み得る材料は、堆積材料１２
３１の堆積に対して高い初期付着確率を有することができない。
３１の堆積に対して高い初期付着確率を有することができない。
ここで図２５を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２５００が示され得るようなシナリオが図示される。
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２５００が示され得るようなシナリオが図示される。
デバイス２５００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１５４０の上に
堆積されたＮＰＣ１４２０を示すことができる。
堆積されたＮＰＣ１４２０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、オープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターン化コーティング２１０は、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに
対応する放出領域６１０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２５００の第
１の部分４０１内で、かつ第１の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に
実質的に対応するデバイス２５００の第２の部分４０２内ではなく、下部材料の露出層表
面１１、図ではＮＰＣ１４２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
対応する放出領域６１０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２５００の第
１の部分４０１内で、かつ第１の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に
実質的に対応するデバイス２５００の第２の部分４０２内ではなく、下部材料の露出層表
面１１、図ではＮＰＣ１４２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０とし
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
て堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初
期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２
５００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
５００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合が
ある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、第２の電極１５４０と電気的に連結されてシート抵抗を低減さ
せることができる。図示されているように、補助電極２０５０は、第２の電極１５４０の
上に位置していなくてもよく、物理的に接触していなくてもよいが、当業者であれば、補
助電極２０５０は、複数のよく理解されているメカニズムによって第２の電極１５４０と
電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターン化コーテ
ィング２１０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は
、電流がそれを通過することを依然として可能にし得、したがって、第２の電極１５４０
のシート抵抗が低減されることを可能にする。
せることができる。図示されているように、補助電極２０５０は、第２の電極１５４０の
上に位置していなくてもよく、物理的に接触していなくてもよいが、当業者であれば、補
助電極２０５０は、複数のよく理解されているメカニズムによって第２の電極１５４０と
電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターン化コーテ
ィング２１０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は
、電流がそれを通過することを依然として可能にし得、したがって、第２の電極１５４０
のシート抵抗が低減されることを可能にする。
ここで図２６を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２６００が示され得る。
明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン
２６００が示され得る。
デバイス２６００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１５４０の上に
堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、オープンマスク及
び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
パターン化コーティング２１０は、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２
０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出
層表面１１を提供することができる。
０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出
層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の堆積後、ＮＰＣ１４２０は、非放出領域１９０２の
側面１６２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する
放出領域６１０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２６００の第２の部分４０
２を取り囲む、図ではパターン化コーティング２１０である下層の露出層表面１１の上に
選択的に堆積されてもよい。
側面１６２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する
放出領域６１０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２６００の第２の部分４０
２を取り囲む、図ではパターン化コーティング２１０である下層の露出層表面１１の上に
選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、シャドウマスク１１１５を使用し
て選択的に堆積され得る。
て選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ１４２０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０として堆積されて補
助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的高い初期付着確率を有
する露出層表面１１を提供することができる。
助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的高い初期付着確率を有
する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ１４２０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２６００の上に堆
積され得るが、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０で覆われた場所に実質的
に残り、補助電極２０５０を形成し得る。
積され得るが、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０で覆われた場所に実質的
に残り、補助電極２０５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスク
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
フリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、第２の電極１５４０と電気的に連結されて第２の電極１５４０
のシート抵抗を低減させることができる。
のシート抵抗を低減させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極１５２０（底部放出型及び／又は両面放出
型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１５４０（上部放出型及び／又
は両面放出型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放出することが
できるので、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０のいずれか又は両方を、
いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実
質的な部分にわたって、実質的に光子（又は光）透過性（「透過性」）にすることが目的
であり得る。本開示では、電極１５２０、１５４０、そのような要素が形成され得る材料
、及び／又はその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、いくつ
かの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」
）、及び／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である要素
、材料、及び／又はその特性を備えてもよい。
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極１５２０（底部放出型及び／又は両面放出
型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１５４０（上部放出型及び／又
は両面放出型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放出することが
できるので、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０のいずれか又は両方を、
いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実
質的な部分にわたって、実質的に光子（又は光）透過性（「透過性」）にすることが目的
であり得る。本開示では、電極１５２０、１５４０、そのような要素が形成され得る材料
、及び／又はその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、いくつ
かの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」
）、及び／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である要素
、材料、及び／又はその特性を備えてもよい。
少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実質的な部分にわたって、デ
バイス１０００に透過特性を付与するために、様々なメカニズムを採用することができる
。
バイス１０００に透過特性を付与するために、様々なメカニズムを採用することができる
。
デバイス１０００が底部放出デバイス及び／又は両面放出デバイスである場合を含む
がこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１０の透過率を少なく
とも部分的に低減させることができる（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６
１０に関連する駆動回路のＴＦＴ構造１６０１は、放出領域６１０の側面１６２０内の基
板１０の透過特性に影響を与えることを回避するために、取り囲む非放出領域１９０２の
側面１６１０内に配置することができる。
がこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１０の透過率を少なく
とも部分的に低減させることができる（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６
１０に関連する駆動回路のＴＦＴ構造１６０１は、放出領域６１０の側面１６２０内の基
板１０の透過特性に影響を与えることを回避するために、取り囲む非放出領域１９０２の
側面１６１０内に配置することができる。
デバイス１０００が両面放出デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）
ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０に関して、電極１５２０、
１５４０のうちの第１の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１
つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよく、近隣の及
び／又は隣接する（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの側面１６１０に関して、電極１
５２０、１５４０のうちの第２の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少な
くとも１つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよい。
したがって、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの第１の放出領域６１０の側面１６１
０は実質的に上部放出とすることができ、一方、近隣の（サブ）ピクセル２７１０／２２
４ｘの第２の放出領域６１０の側面１６１０は実質的に底部放出とすることができ、それ
により、交互の（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピク
セル２７１０／２２４ｘのサブセットは実質的に上部放出とすることができ、（サブ）ピ
クセル２７１０／２２４ｘのサブセットは実質的に底部放出とすることができ、一方、各
（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの単一電極１５２０、１５４０のみを実質的に透過
性とすることができる。
ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０に関して、電極１５２０、
１５４０のうちの第１の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１
つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよく、近隣の及
び／又は隣接する（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの側面１６１０に関して、電極１
５２０、１５４０のうちの第２の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少な
くとも１つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよい。
したがって、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの第１の放出領域６１０の側面１６１
０は実質的に上部放出とすることができ、一方、近隣の（サブ）ピクセル２７１０／２２
４ｘの第２の放出領域６１０の側面１６１０は実質的に底部放出とすることができ、それ
により、交互の（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピク
セル２７１０／２２４ｘのサブセットは実質的に上部放出とすることができ、（サブ）ピ
クセル２７１０／２２４ｘのサブセットは実質的に底部放出とすることができ、一方、各
（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの単一電極１５２０、１５４０のみを実質的に透過
性とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１５２０、１５４０を、底部放出型デバイス及び
／又は両面放出型デバイスの場合には、第１の電極１５２０、及び／又は上部放出型デバ
イス及び／又は両面放出型デバイスの場合には第２の電極１５４０を透過性にするメカニ
ズムは、そのような電極１５２０、１５４０を透過性薄膜で形成することであってもよい
。
／又は両面放出型デバイスの場合には、第１の電極１５２０、及び／又は上部放出型デバ
イス及び／又は両面放出型デバイスの場合には第２の電極１５４０を透過性にするメカニ
ズムは、そのような電極１５２０、１５４０を透過性薄膜で形成することであってもよい
。
いくつかの非限定的な例では、導電性堆積層１０３０は、Ａｇ、Ａｌを含むがこれら
に限定されない金属の薄い導電膜層を堆積することによって形成され、かつ／又はＭｇ：
Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を含むがこれらに限定されない金属合金の薄層
を堆積することによって形成される薄膜を含むがこれらに限定されない、薄膜で、透過特
質を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲
の組成を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、電極１５２０、１５４０は、
堆積層１０３０の任意の組み合わせの複数の薄い導電膜層から形成されてもよく、そのう
ちの少なくとも１つは、ＴＣＯ、金属薄膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれ
かの任意の組み合わせから構成されてもよい。
に限定されない金属の薄い導電膜層を堆積することによって形成され、かつ／又はＭｇ：
Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を含むがこれらに限定されない金属合金の薄層
を堆積することによって形成される薄膜を含むがこれらに限定されない、薄膜で、透過特
質を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲
の組成を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、電極１５２０、１５４０は、
堆積層１０３０の任意の組み合わせの複数の薄い導電膜層から形成されてもよく、そのう
ちの少なくとも１つは、ＴＣＯ、金属薄膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれ
かの任意の組み合わせから構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、特にそのような薄い導電性膜の場合、比較的薄い層の
厚さは、実質的に数十ｎｍまでであり、透過品質の向上だけでなく、ＯＬＥＤデバイス６
００で使用するための好ましい光学特性（マイクロキャビティ効果の低減を含むが、これ
に限定されない）にも寄与することができる。
厚さは、実質的に数十ｎｍまでであり、透過品質の向上だけでなく、ＯＬＥＤデバイス６
００で使用するための好ましい光学特性（マイクロキャビティ効果の低減を含むが、これ
に限定されない）にも寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を向上させるための電極１５２０、１５４０
の厚さの低減は、電極１５２０、１５４０のシート抵抗の増加を伴ってもよい。
の厚さの低減は、電極１５２０、１５４０のシート抵抗の増加を伴ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１５２
０、１５４０を有するデバイス１０００は、動作中に電源１５０５と結合されると、大き
い電流抵抗（ＩＲ）降下を作成し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降
下は、電源１５０５のレベルを増加させることによって、ある程度補償され得る。しかし
ながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘについて、高いシート抵抗に起因するＩＲ降下を補償するために電源１５０５のレ
ベルを増加させることは、デバイス１０００の効果的な動作を維持するために他の構成要
素に供給される電圧のレベルを増加させることを必要とし得る。
０、１５４０を有するデバイス１０００は、動作中に電源１５０５と結合されると、大き
い電流抵抗（ＩＲ）降下を作成し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降
下は、電源１５０５のレベルを増加させることによって、ある程度補償され得る。しかし
ながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２７１０／２
２４ｘについて、高いシート抵抗に起因するＩＲ降下を補償するために電源１５０５のレ
ベルを増加させることは、デバイス１０００の効果的な動作を維持するために他の構成要
素に供給される電圧のレベルを増加させることを必要とし得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の
任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１５２０、１
５４０を実質的に透過性にする能力に著しい影響を与えることなくデバイス１０００の電
力供給要求を低減するために、補助電極２０５０をデバイス１０００上に形成して、デバ
イス１０００の様々な放出領域６１０に電流がより効果的に運ばれるようにすると同時に
、透過性電極１５２０、１５４０のシート抵抗及びそれに関連するＩＲ降下を低減するこ
とができる。
任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１５２０、１
５４０を実質的に透過性にする能力に著しい影響を与えることなくデバイス１０００の電
力供給要求を低減するために、補助電極２０５０をデバイス１０００上に形成して、デバ
イス１０００の様々な放出領域６１０に電流がより効果的に運ばれるようにすると同時に
、透過性電極１５２０、１５４０のシート抵抗及びそれに関連するＩＲ降下を低減するこ
とができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１０００の共通電極１５２０、
１５４０のシート抵抗仕様は、限定はしないが、デバイス１０００の（パネル）サイズ、
及び／又はデバイス１０００にわたる電圧変動の許容差を含む、複数のパラメータに従っ
て変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様は、パネルサイズが増加す
るにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限
定的な例では、シート抵抗仕様は、電圧変動に対する許容差が減少するにつれて増加し得
る。
１５４０のシート抵抗仕様は、限定はしないが、デバイス１０００の（パネル）サイズ、
及び／又はデバイス１０００にわたる電圧変動の許容差を含む、複数のパラメータに従っ
て変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様は、パネルサイズが増加す
るにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限
定的な例では、シート抵抗仕様は、電圧変動に対する許容差が減少するにつれて増加し得
る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様を使用して、補助電極２０５０の例示
的な厚さを導出して、様々なパネルサイズのためのそのような仕様に準拠することができ
る。
的な厚さを導出して、様々なパネルサイズのためのそのような仕様に準拠することができ
る。
非限定的な例として、上部放出型デバイスの場合、第２の電極１５４０を透過性にす
ることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０は、
実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１５４０の実効シート抵抗を低減するため
に、それらの間に導電性堆積層１０３０を堆積させることを含むがこれに限定されないこ
とによって、第２の電極１５４０と電気的に結合されてもよい。
ることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０は、
実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１５４０の実効シート抵抗を低減するため
に、それらの間に導電性堆積層１０３０を堆積させることを含むがこれに限定されないこ
とによって、第２の電極１５４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０は、（サブ）ピクセル２
７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面からの光子の放出に干渉しないように、側面及
び／又は断面のいずれか一方又は両方に位置付けられ、かつ／又は成形され得る。
７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面からの光子の放出に干渉しないように、側面及
び／又は断面のいずれか一方又は両方に位置付けられ、かつ／又は成形され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０及び／又は第２の電極１５４０を
作製するメカニズムは、そのような電極１５２０、１５４０を、その放出領域６１０の側
面の少なくとも一部にわたって、及び／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り
囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の少なくとも一部にわたって、パターンで形成す
ることであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムは、上述し
たように、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０からの
光子の放出に干渉しないように、側面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及
び／又は形状に、補助電極２０５０を形成するために採用され得る。
作製するメカニズムは、そのような電極１５２０、１５４０を、その放出領域６１０の側
面の少なくとも一部にわたって、及び／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り
囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の少なくとも一部にわたって、パターンで形成す
ることであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムは、上述し
たように、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６１０からの
光子の放出に干渉しないように、側面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及
び／又は形状に、補助電極２０５０を形成するために採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、デバイス１０００によって放出
されるＥＭ放射線の光路に導電性酸化物材料が実質的に欠くように構成されてもよい。非
限定的な例として、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する少なくとも１つの放
出領域６１０の側面１６１０において、第２の電極１５４０、パターン化コーティング２
１０、及び／又はその上に堆積された任意の他の層及び／又はコーティングを含むがこれ
らに限定されない、少なくとも１つの半導体層１５３０の後に堆積された層及び／又はコ
ーティングのうちの少なくとも１つは、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠く場合があ
る。いくつかの非限定的な例では、導電性酸化物材料を実質的に欠くことにより、デバイ
ス１０００によって放出されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる
。非限定的な例として、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含むがこれらに限定されない導電性酸
化物材料は、少なくとも可視光スペクトルのＢ（青）領域のＥＭ放射線を吸収する可能性
があり、これは概して、デバイス６００の効率及び／又は性能を低減させる可能性がある
。
されるＥＭ放射線の光路に導電性酸化物材料が実質的に欠くように構成されてもよい。非
限定的な例として、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する少なくとも１つの放
出領域６１０の側面１６１０において、第２の電極１５４０、パターン化コーティング２
１０、及び／又はその上に堆積された任意の他の層及び／又はコーティングを含むがこれ
らに限定されない、少なくとも１つの半導体層１５３０の後に堆積された層及び／又はコ
ーティングのうちの少なくとも１つは、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠く場合があ
る。いくつかの非限定的な例では、導電性酸化物材料を実質的に欠くことにより、デバイ
ス１０００によって放出されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる
。非限定的な例として、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含むがこれらに限定されない導電性酸
化物材料は、少なくとも可視光スペクトルのＢ（青）領域のＥＭ放射線を吸収する可能性
があり、これは概して、デバイス６００の効率及び／又は性能を低減させる可能性がある
。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組合
せを採用することができる。
せを採用することができる。
追加として、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１５２０、第２の電極１５４
０、及び／又は補助電極２０５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１０００の（サブ
）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも実
質的な部分にわたって実質的に透過性にすることに加えて、ＥＭ放射線がその側面１６１
０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、デバイス１０００の取り囲む
非放出領域１９０２の側面１６２０のうちの少なくとも１つを下方向及び上方向の両方に
実質的に透過性にして、デバイス１０００をその外部表面に入射するＥＭ放射線に対して
実質的に透過性にして、それにより、本明細書に開示されるように、デバイス１０００内
で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放出、及び／又は両面放出）に
加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス６００を透過し得るよ
うにすることが目的であり得る。
０、及び／又は補助電極２０５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１０００の（サブ
）ピクセル２７１０／２２４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも実
質的な部分にわたって実質的に透過性にすることに加えて、ＥＭ放射線がその側面１６１
０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、デバイス１０００の取り囲む
非放出領域１９０２の側面１６２０のうちの少なくとも１つを下方向及び上方向の両方に
実質的に透過性にして、デバイス１０００をその外部表面に入射するＥＭ放射線に対して
実質的に透過性にして、それにより、本明細書に開示されるように、デバイス１０００内
で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放出、及び／又は両面放出）に
加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス６００を透過し得るよ
うにすることが目的であり得る。
ここで図２７Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２７００で示される透過
性（透明）バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デ
バイス２７００は、複数のピクセル又はピクセル領域２７１０と複数の透過領域５２０と
を有するアクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつか
の非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、ピクセル領域２７１０及び
／又は透過性領域５２０の間の下部材料の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
性（透明）バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デ
バイス２７００は、複数のピクセル又はピクセル領域２７１０と複数の透過領域５２０と
を有するアクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつか
の非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、ピクセル領域２７１０及び
／又は透過性領域５２０の間の下部材料の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２７１０は、サブピクセル２２４ｘに
各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、
サブピクセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピク
セル２２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３に対応することができる。
各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、
サブピクセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピク
セル２２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域５２０は、実質的に透明であってもよく
、ＥＭ放射線がその断面の全体を通過することを可能にする。
、ＥＭ放射線がその断面の全体を通過することを可能にする。
ここで図２７Ｂを参照すると、図２７Ａの線２７Ｂ－２７Ｂに沿った、デバイス１０
００のバージョン２７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２７０
０は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成され
た第１の電極１５２０を含むものとして示されてもよい。いくつかの非限定的な例では、
基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少な
くとも１つのＴＦＴ構造１６０１であって、実質的にその下に位置付けられ、その第１の
電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに対応し、それを駆動するた
めの、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができる。いくつかの非限定的な
例では、ＰＤＬ１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１
の電極１５２０上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよ
い。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆っ
てもよい。
００のバージョン２７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２７０
０は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成され
た第１の電極１５２０を含むものとして示されてもよい。いくつかの非限定的な例では、
基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少な
くとも１つのＴＦＴ構造１６０１であって、実質的にその下に位置付けられ、その第１の
電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに対応し、それを駆動するた
めの、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができる。いくつかの非限定的な
例では、ＰＤＬ１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１
の電極１５２０上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよ
い。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆っ
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、第１の電極１
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、そのサブピクセル２２４ｘを
形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０上に
堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ
１６４０上に少なくとも部分的に堆積されてもよい。
形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０上に
堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ
１６４０上に少なくとも部分的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、ピクセル領域２７
１０及び透過性領域５２０の両方を含むが、その第２の部分４０２を含む補助電極２０５
０に対応する第２の電極１５４０の領域を含まない、デバイス２７００の第１の部分４０
１上に選択的に堆積されてもよい。
１０及び透過性領域５２０の両方を含むが、その第２の部分４０２を含む補助電極２０５
０に対応する第２の電極１５４０の領域を含まない、デバイス２７００の第１の部分４０
１上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００の露出層表面１１全体が、次いで、
堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出されてもよく、堆積材料は、いくつか
の非限定的な例ではＭｇであってもよい。堆積層１０３０は、パターン化コーティング２
１０を実質的に欠く場合がある第２の電極１５４０の第２の部分の上に選択的に堆積され
て、第２の電極１５４０のコーティングされていない部分と電気的に結合されてもよく、
いくつかの非限定的な例では物理的に接触してもよい補助電極２０５０を形成してもよい
。
堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出されてもよく、堆積材料は、いくつか
の非限定的な例ではＭｇであってもよい。堆積層１０３０は、パターン化コーティング２
１０を実質的に欠く場合がある第２の電極１５４０の第２の部分の上に選択的に堆積され
て、第２の電極１５４０のコーティングされていない部分と電気的に結合されてもよく、
いくつかの非限定的な例では物理的に接触してもよい補助電極２０５０を形成してもよい
。
同時に、デバイス２７００の透過性領域５２０は、そこを通るＥＭ放射線の透過に実
質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くままであり得る。特に、図示されるよ
うに、ＴＦＴ構造１６０１及び第１の電極１５２０は、断面において、それに対応するサ
ブピクセル２２４ｘの下方に位置付けられ得、補助電極２０５０とともに透過性領域５２
０を越えて位置することができる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域５
２０を通って透過されることを減衰又は妨害しないことがある。いくつかの非限定的な例
では、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、全ての（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘが放出していない可能性があるときに、典型的な視距離からデバイス２７０
０を見ている観察者がデバイス２７００を通して見ることを可能にし、したがって透明デ
バイス２７００を作成することができる。
質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くままであり得る。特に、図示されるよ
うに、ＴＦＴ構造１６０１及び第１の電極１５２０は、断面において、それに対応するサ
ブピクセル２２４ｘの下方に位置付けられ得、補助電極２０５０とともに透過性領域５２
０を越えて位置することができる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域５
２０を通って透過されることを減衰又は妨害しないことがある。いくつかの非限定的な例
では、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、全ての（サブ）ピクセル２７１
０／２２４ｘが放出していない可能性があるときに、典型的な視距離からデバイス２７０
０を見ている観察者がデバイス２７００を通して見ることを可能にし、したがって透明デ
バイス２７００を作成することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、補助
電極２０５０と第２の電極１５４０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０と第２
の電極１５４０との間に配置されてもよい。
電極２０５０と第２の電極１５４０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０と第２
の電極１５４０との間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２７００を製作するための複数の段階が低減され得る。
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２７００を製作するための複数の段階が低減され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例において、少なくとも１つの半導体層１５
３０及び／又は第２の電極１５４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な
他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に
透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過
を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定され
たウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないこ
とによって、低減された厚さを有し得る。
３０及び／又は第２の電極１５４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な
他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に
透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過
を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定され
たウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないこ
とによって、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
当業者は、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される配列以外の補助電極１１５０の配列が、
いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。非限定的な例
として、補助電極１１５０は、ピクセル領域２７１０と透過性領域５２０との間に配置さ
れ得る。非限定的な例として、補助電極１１５０は、ピクセル領域２７１０内のサブピク
セル２２４ｘの間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。非限定的な例
として、補助電極１１５０は、ピクセル領域２７１０と透過性領域５２０との間に配置さ
れ得る。非限定的な例として、補助電極１１５０は、ピクセル領域２７１０内のサブピク
セル２２４ｘの間に配置されてもよい。
ここで図２８Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２８００で示される透明
バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８
００は、複数のピクセル領域２７１０及び複数の透過性領域５２０を有するＡＭＯＬＥＤ
デバイスであってもよい。デバイス２８００は、ピクセル領域２７１０及び／又は透過性
領域５２０の間に補助電極１１５０が存在しないという点で、デバイス２７００と異なっ
てもよい。
バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８
００は、複数のピクセル領域２７１０及び複数の透過性領域５２０を有するＡＭＯＬＥＤ
デバイスであってもよい。デバイス２８００は、ピクセル領域２７１０及び／又は透過性
領域５２０の間に補助電極１１５０が存在しないという点で、デバイス２７００と異なっ
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２７１０は、サブピクセル２２４ｘに
各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、
サブピクセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピク
セル２２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３に対応することができる。
各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、
サブピクセル２２４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１、Ｇ（緑）サブピク
セル２２４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル２２４３に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域５２０は、実質的に透明であってもよく
、光がその断面の全体を通過することを可能にしてもよい。
、光がその断面の全体を通過することを可能にしてもよい。
次に図２８Ｂを参照すると、図２８Ａの線２８－２８に沿ったデバイス２８００の例
示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８００は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層
１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成された第１の電極１５２０を含むも
のとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図
示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１であって、実質的にその下に
位置付けられ、その第１の電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに
対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができ
る。ＰＤＬ１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電
極１５２０上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。
ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆う。
示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８００は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層
１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成された第１の電極１５２０を含むも
のとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図
示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１であって、実質的にその下に
位置付けられ、その第１の電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに
対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができ
る。ＰＤＬ１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電
極１５２０上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。
ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆う。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、第１の電極１
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、そのサブピクセル２２４
ｘを形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０
上に堆積されてもよく、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ１６４０上に堆積されても
よい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、透過性領域
５２０を横切る第１の堆積層１０３０ａの存在がＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させな
いように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ
は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
ｘを形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０
上に堆積されてもよく、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ１６４０上に堆積されても
よい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、透過性領域
５２０を横切る第１の堆積層１０３０ａの存在がＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させな
いように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ
は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、透過性領域５２０
を含むデバイス２８００の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
を含むデバイス２８００の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２８００の露出層表面１１全体を、
いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１
２３２に露出して、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第１の堆積
層１０３０ａの第２の部分４０２、いくつかの例ではピクセル領域２７１０上に、第２の
堆積層１０３０ｂを選択的に堆積させてもよく、それにより、第２の堆積層１０３０ｂは
、第１の堆積層１０３０ａのコーティングされていない部分と電気的に結合され、いくつ
かの非限定的な例では物理的に接触して、第２の電極１５４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１
２３２に露出して、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第１の堆積
層１０３０ａの第２の部分４０２、いくつかの例ではピクセル領域２７１０上に、第２の
堆積層１０３０ｂを選択的に堆積させてもよく、それにより、第２の堆積層１０３０ｂは
、第１の堆積層１０３０ａのコーティングされていない部分と電気的に結合され、いくつ
かの非限定的な例では物理的に接触して、第２の電極１５４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、第２の堆積層
１０３０ｂの平均層厚以下であってもよい。このようにして、第１の堆積層１０３０ａの
みが延び得る透過性領域５２０において、比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの
非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約
２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約８ｎｍ、又は約５ｎｍのうちの少なくとも１つ以
下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は
、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、又は約８ｎｍのうち
の少なくとも１つ以下であってもよい。
１０３０ｂの平均層厚以下であってもよい。このようにして、第１の堆積層１０３０ａの
みが延び得る透過性領域５２０において、比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの
非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約
２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約８ｎｍ、又は約５ｎｍのうちの少なくとも１つ以
下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は
、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、又は約８ｎｍのうち
の少なくとも１つ以下であってもよい。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の平均層厚は、約４
０ｎｍ以下であってもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、
約１０～２５ｎｍ、又は約１５～２５ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
０ｎｍ以下であってもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、
約１０～２５ｎｍ、又は約１５～２５ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、第２の堆積層
１０３０ｂの平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０
３０ａの平均層厚及び第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、実質的に同じであってもよ
い。
１０３０ｂの平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０
３０ａの平均層厚及び第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、実質的に同じであってもよ
い。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａを形成するために使用される
少なくとも１つの堆積材料１２３１は、第２の堆積層１０３０ｂを形成するために使用さ
れる少なくとも１つの堆積材料１２３１と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限
定的な例では、そのような少なくとも１つの堆積材料１２３１は、実質的に、第１の電極
１５２０、第２の電極１５４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらの堆積層１０３０
に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
少なくとも１つの堆積材料１２３１は、第２の堆積層１０３０ｂを形成するために使用さ
れる少なくとも１つの堆積材料１２３１と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限
定的な例では、そのような少なくとも１つの堆積材料１２３１は、実質的に、第１の電極
１５２０、第２の電極１５４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらの堆積層１０３０
に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、ピクセル領域２７１０に
おいて、ＥＩＬ１５３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積
層１０３０ａを形成するための堆積材料１２３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、それは
、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
おいて、ＥＩＬ１５３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積
層１０３０ａを形成するための堆積材料１２３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、それは
、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００の透過領域５２０は、ＩＲスペクト
ル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに
限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠くままであ
り得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１６０９及び／又は第１の電極１５２０は
、断面において、それに対応するサブピクセル２２４ｘの下、及び透過性領域５２０を越
えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域５２
０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そ
のような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘが
放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８００を観察する観察者がデバ
イス２８００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２８
００を作成することができる。
ル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに
限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠くままであ
り得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１６０９及び／又は第１の電極１５２０は
、断面において、それに対応するサブピクセル２２４ｘの下、及び透過性領域５２０を越
えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域５２
０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そ
のような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘが
放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８００を観察する観察者がデバ
イス２８００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２８
００を作成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような配列はまた、限定ではないが、ＩＲ及び／
又はＮＩＲスペクトル内を含む、ＥＭ信号が、そのようなアンダーディスプレイ構成要素
５３０によって、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００を通して交換されるように、ＩＲエミッ
タ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒが、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００の背後に配
列されることを可能にしてもよい。
又はＮＩＲスペクトル内を含む、ＥＭ信号が、そのようなアンダーディスプレイ構成要素
５３０によって、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００を通して交換されるように、ＩＲエミッ
タ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒが、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００の背後に配
列されることを可能にしてもよい。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１９００は、第２
の堆積層１０３０ｂと第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に
備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２
１０と第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されてもよい。
の堆積層１０３０ｂと第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に
備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２
１０と第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２８００を製作するための複数の段階が低減され得る。
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２８００を製作するための複数の段階が低減され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０
及び／又は第１の堆積層１０３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な
他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に
透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過
を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定され
たウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないこ
とによって、低減された厚さを有し得る。
及び／又は第１の堆積層１０３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な
他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に
透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いく
つかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過
を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定され
たウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないこ
とによって、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
次に図２８Ｃを参照すると、図２８Ａの同じ線２８－２８に沿った、デバイス１００
０の異なるバージョン２８１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２
８１０は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成
された第１の電極１５２０を含むものとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１
５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は、実質的にその下に位置付けら
れ、その第１の電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに対応し、そ
れを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を備えることができる。ＰＤＬ
１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電極１５２０
上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。ＰＤＬ１６
４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆ってもよい。
０の異なるバージョン２８１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２
８１０は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層１６０９、及びＴＦＴ絶縁層１６０９の表面上に形成
された第１の電極１５２０を含むものとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１
５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は、実質的にその下に位置付けら
れ、その第１の電極１５２０と電気的に結合された各サブピクセル２２４ｘに対応し、そ
れを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を備えることができる。ＰＤＬ
１６４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電極１５２０
上に、各サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。ＰＤＬ１６
４０は、第１の電極１５２０の縁部を覆ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、第１の電極１
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤ
Ｌ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、透過性領域５２０
を含むデバイス２８１０の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
を含むデバイス２８１０の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、そのサブピクセル２２４ｘを形成
するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０上に堆積
されてもよいが、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ１６４０上には堆積されないこと
がある。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、オープンマスク及び
／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、そのような堆積は、デバイス２８１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定
的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、パタ
ーン化コーティング２１０が実質的に欠く少なくとも１つの半導体層１５３０の第２の部
分４０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２７１０上に、堆積層１０３０を選
択的に堆積させてもよく、それにより、堆積層１０３０が少なくとも１つの半導体層１５
３０上に堆積されて第２の電極１５４０を形成してもよい。
するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層１５３０上に堆積
されてもよいが、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ１６４０上には堆積されないこと
がある。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、オープンマスク及び
／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例
では、そのような堆積は、デバイス２８１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定
的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、パタ
ーン化コーティング２１０が実質的に欠く少なくとも１つの半導体層１５３０の第２の部
分４０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２７１０上に、堆積層１０３０を選
択的に堆積させてもよく、それにより、堆積層１０３０が少なくとも１つの半導体層１５
３０上に堆積されて第２の電極１５４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１９１０の透過領域５２０は、限定はしない
が、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおけるものを含むＥＭ信号を限定はしないが含む
、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くま
まであり得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１６０１及び／又は第１の電極１５
２０は、断面において、それに対応するサブピクセル２２４ｘの下、及び透過性領域５２
０を越えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領
域５２０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例で
は、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２
４ｘが放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８１０を観察する観察者
がデバイス２８１０を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイ
ス１９１０を作成することができる。
が、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおけるものを含むＥＭ信号を限定はしないが含む
、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くま
まであり得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１６０１及び／又は第１の電極１５
２０は、断面において、それに対応するサブピクセル２２４ｘの下、及び透過性領域５２
０を越えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領
域５２０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例で
は、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／２２
４ｘが放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８１０を観察する観察者
がデバイス２８１０を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイ
ス１９１０を作成することができる。
堆積層１０３０がない、及び／又は実質的に欠く場合がある透過性領域５２０を提供
することによって、そのような領域における透過率は、いくつかの非限定的な例では、非
限定的な例として、図２８Ｂのデバイス２８００と比較して、有利に向上され得る。
することによって、そのような領域における透過率は、いくつかの非限定的な例では、非
限定的な例として、図２８Ｂのデバイス２８００と比較して、有利に向上され得る。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８１０は、堆積
層１０３０と少なくとも１つの半導体層１５３０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更
に備えることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コ
ーティング２１０とＰＤＬ１６４０との間に配置されてもよい。
層１０３０と少なくとも１つの半導体層１５３０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更
に備えることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コ
ーティング２１０とＰＤＬ１６４０との間に配置されてもよい。
簡単にするために図２８Ｂ及び図２８Ｃには示されていないが、いくつかの非限定的
な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号５
３１が透過領域６２０内のデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペ
クトルの少なくとも一部の透過領域６２０内のＥＭ放射線の吸収を容易にするために、Ｅ
Ｍ放射線吸収層１２０がその上に配置され得ることを当業者は理解されよう。
な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号５
３１が透過領域６２０内のデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペ
クトルの少なくとも一部の透過領域６２０内のＥＭ放射線の吸収を容易にするために、Ｅ
Ｍ放射線吸収層１２０がその上に配置され得ることを当業者は理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２８１０を製作するための複数の段階が低減され得る。
半導体層１５３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティ
ング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導
体層１５３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイ
ス２８１０を製作するための複数の段階が低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０の少なくとも１つ
の層を透過領域６２０内に堆積させて、パターン化コーティング２１０を提供することが
できる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層１５３０のＥＴＬ１５３７は、
少なくとも１つの半導体層１５３０の堆積中に放出領域６１０及び透過領域６２０の両方
に堆積され得るパターン化コーティング２１０であってもよい。次いで、ＥＴＬ１５３７
の上の放出領域６１０にＥＩＬ１５３９を選択的に堆積させることができ、それにより、
透過性領域６２０内のＥＴＬ１５３７の露出層表面１１は、ＥＩＬ１５３９を実質的に欠
く場合がある。次いで、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３０の露出層表面１１、及びパタ
ーン化コーティング２１０として作用するＥＴＬの露出層表面を、堆積材料１２３１の蒸
気フラックス１２３２に露出して、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３９上に堆積層１２３
１の閉じたコーティング１０４０を形成し、透過領域６２０内のＥＩＬ１５３９上に堆積
材料１０３０の不連続層１３０を形成することができる。
の層を透過領域６２０内に堆積させて、パターン化コーティング２１０を提供することが
できる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層１５３０のＥＴＬ１５３７は、
少なくとも１つの半導体層１５３０の堆積中に放出領域６１０及び透過領域６２０の両方
に堆積され得るパターン化コーティング２１０であってもよい。次いで、ＥＴＬ１５３７
の上の放出領域６１０にＥＩＬ１５３９を選択的に堆積させることができ、それにより、
透過性領域６２０内のＥＴＬ１５３７の露出層表面１１は、ＥＩＬ１５３９を実質的に欠
く場合がある。次いで、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３０の露出層表面１１、及びパタ
ーン化コーティング２１０として作用するＥＴＬの露出層表面を、堆積材料１２３１の蒸
気フラックス１２３２に露出して、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３９上に堆積層１２３
１の閉じたコーティング１０４０を形成し、透過領域６２０内のＥＩＬ１５３９上に堆積
材料１０３０の不連続層１３０を形成することができる。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０
及び／又は堆積層１０３０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及
び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に透明であ
る場合、透過性領域６２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いくつかの非
限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域６２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容
易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定されたウェル
と同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないことによっ
て、低減された厚さを有し得る。
及び／又は堆積層１０３０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及
び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に透明であ
る場合、透過性領域６２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いくつかの非
限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、透過性領域６２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容
易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定されたウェル
と同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないことによっ
て、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ｂ及び図２８Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
２２４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろ
う。
放出領域にわたる電極厚さを調節するための選択的堆積
上述したように、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６
１０内及び側面にわたって電極１５２０、１５４０、２０５０の厚さを調節することは、
観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限
定ではないが、ピクセル領域２７１０内の異なるサブピクセル２２４ｘに対応する放出領
域６１０の側方側面１６１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ１４２０を含む、少なくとも１
つのパターン化コーティング２１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１０３０の選
択的堆積は、限定ではないが、発光スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及
び／又は放出光の色偏移を含む、各放出領域６１０内の光学マイクロキャビティ効果が、
サブピクセル２２４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように
制御及び／又は変調されることを可能にし得る。
上述したように、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの放出領域６１０の側面１６
１０内及び側面にわたって電極１５２０、１５４０、２０５０の厚さを調節することは、
観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限
定ではないが、ピクセル領域２７１０内の異なるサブピクセル２２４ｘに対応する放出領
域６１０の側方側面１６１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ１４２０を含む、少なくとも１
つのパターン化コーティング２１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１０３０の選
択的堆積は、限定ではないが、発光スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及
び／又は放出光の色偏移を含む、各放出領域６１０内の光学マイクロキャビティ効果が、
サブピクセル２２４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように
制御及び／又は変調されることを可能にし得る。
このような効果は、サブピクセル２２４ｘの各放出領域６１０に配置された堆積層１
０３０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって制御することができる。
非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル２２４３の上に配置された第２の電極１５４
０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル２２４２の上に配置された第２の電極１５４０の
平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル２２４２の上に配置された第２の
電極１５４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１の上に配置された第２の電極
１５４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
０３０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって制御することができる。
非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル２２４３の上に配置された第２の電極１５４
０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル２２４２の上に配置された第２の電極１５４０の
平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル２２４２の上に配置された第２の
電極１５４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル２２４１の上に配置された第２の電極
１５４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、堆積層１０３０の平均層厚及び／
又は数だけでなく、サブピクセル２２４ｘの各放出領域６１０の一部に堆積されたパター
ン化コーティング２１０及び／又はＮＰＣ１４２０の平均層厚及び／又は数を独立して調
節することによって、更に大きく制御することができる。
又は数だけでなく、サブピクセル２２４ｘの各放出領域６１０の一部に堆積されたパター
ン化コーティング２１０及び／又はＮＰＣ１４２０の平均層厚及び／又は数を独立して調
節することによって、更に大きく制御することができる。
図２９に非限定的な例として示すように、いくつかの非限定的な例では、異なる発光
スペクトルを有する、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０００のバージョン２９００にお
いて、サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０に対して選択的に堆積された様々
な平均層厚の堆積層１３０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の放出領
域６１０ａは、第１の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成
されたサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では
、第２の放出領域６１０ｂは、第２の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出
するように構成されたサブピクセル２２４ｘに対応してもよい。いくつかの非限定的な例
では、デバイス２９００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出す
るように構成されたサブピクセル２２４ｘに対応し得る第３の放出領域６１０ｃを備え得
る。
スペクトルを有する、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０００のバージョン２９００にお
いて、サブピクセル２２４ｘに対応する放出領域６１０に対して選択的に堆積された様々
な平均層厚の堆積層１３０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の放出領
域６１０ａは、第１の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成
されたサブピクセル２２４ｘに対応してもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では
、第２の放出領域６１０ｂは、第２の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出
するように構成されたサブピクセル２２４ｘに対応してもよい。いくつかの非限定的な例
では、デバイス２９００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出す
るように構成されたサブピクセル２２４ｘに対応し得る第３の放出領域６１０ｃを備え得
る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のう
ちの少なくとも１つよりも小さくてもよく、大きくてもよく、及び／又は等しくてもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうち
の少なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。い
くつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少
なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。
ちの少なくとも１つよりも小さくてもよく、大きくてもよく、及び／又は等しくてもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうち
の少なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。い
くつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少
なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００はまた、いくつかの非限定的な例で
は、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、及び／又は第３の放出領域６１
０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である、波長及び／又は発光スペクトルを有
するＥＭ放射線を放出するように構成され得る少なくとも１つの追加の放出領域６１０（
図示せず）を備え得る。
は、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、及び／又は第３の放出領域６１
０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である、波長及び／又は発光スペクトルを有
するＥＭ放射線を放出するように構成され得る少なくとも１つの追加の放出領域６１０（
図示せず）を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、第１の放出領域６
１０ａの少なくとも１つの半導体層１５３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウ
マスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、シャド
ウマスク１１１５のそのような共有使用は、費用効果の高い方法でサブピクセル２２４ｘ
ごとに光マイクロキャビティ効果を調整することを可能にすることができる。
１０ａの少なくとも１つの半導体層１５３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウ
マスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、シャド
ウマスク１１１５のそのような共有使用は、費用効果の高い方法でサブピクセル２２４ｘ
ごとに光マイクロキャビティ効果を調整することを可能にすることができる。
デバイス２０００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１６０９と、ＴＦＴ絶縁層１６０９
の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極１５２０とを備えるものとして示され
得る。
の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極１５２０とを備えるものとして示され
得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１５１２（例示を簡単にする
ために図示せず）、及び／又は対応する放出領域６１０に対応し、対応する放出領域６１
０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を備え得、各ＴＦＴ構造は、実
質的にその下に位置付けられ、その関連する第１の電極１５２０に電気的に結合された対
応するサブピクセル２２４ｘを有する。ＰＤＬ１６４０を基板１０の上に形成して、放出
領域６１０を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、
それらのそれぞれの第１の電極１５２０の縁部を覆うことができる。
ために図示せず）、及び／又は対応する放出領域６１０に対応し、対応する放出領域６１
０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を備え得、各ＴＦＴ構造は、実
質的にその下に位置付けられ、その関連する第１の電極１５２０に電気的に結合された対
応するサブピクセル２２４ｘを有する。ＰＤＬ１６４０を基板１０の上に形成して、放出
領域６１０を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０は、
それらのそれぞれの第１の電極１５２０の縁部を覆うことができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１５３０が、それらのそれ
ぞれの第１の電極１５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例
では、取り囲むＰＤＬ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
ぞれの第１の電極１５２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例
では、取り囲むＰＤＬ１６４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第１の堆積層１０３０ａは、少なくとも１つの半
導体層１５３０の上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１
０３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表
面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラ
ックス１２３２に露出して、少なくとも１つの半導体層１５３０の上に第１の堆積層１０
３０ａを堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放出領域６１０ａの
共通電極であり得る、第２の電極１５４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによ
って達成され得る。このような共通電極は、第１の放出領域６１０ａにおいて第１の厚さ
ｔｃ１を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１
の堆積層１０３０ａの厚さに対応し得る。
導体層１５３０の上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１
０３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表
面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラ
ックス１２３２に露出して、少なくとも１つの半導体層１５３０の上に第１の堆積層１０
３０ａを堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放出領域６１０ａの
共通電極であり得る、第２の電極１５４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによ
って達成され得る。このような共通電極は、第１の放出領域６１０ａにおいて第１の厚さ
ｔｃ１を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１
の堆積層１０３０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例において、第１のパターン化コーティング２１０ａは、第１
の放出領域６１０ａを含むデバイス２０００の第１の部分４０１上に選択的に堆積されて
もよい。
の放出領域６１０ａを含むデバイス２０００の第１の部分４０１上に選択的に堆積されて
もよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の上に第２の堆積層１０３０ｂを堆
積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂは、オー
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、い
くつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に
露出して、第２の堆積層１０３０ｂを、第１のパターン化コーティング２１０ａ、いくつ
かの例では第２及び第３の放出領域６１０ｂ、６１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ１６４０が
存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第１の堆積層
１０３０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１０３０ｂを、いくつかの非限定的な例では
、少なくとも第２の放出領域６１０ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１５４０
ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターン化コーティング２１０ａを
実質的に含まない、第１の堆積層１０３０ａの第２の部分４０２上に堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第２の放出領域６１０ｂにおいて
第２の厚さｔｃ２を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ
２は、第１の堆積層１０３０ａと第２の堆積層１０３０ｂとの合計平均層厚に対応しても
よく、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を超えてもよい。
積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂは、オー
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、い
くつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に
露出して、第２の堆積層１０３０ｂを、第１のパターン化コーティング２１０ａ、いくつ
かの例では第２及び第３の放出領域６１０ｂ、６１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ１６４０が
存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第１の堆積層
１０３０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１０３０ｂを、いくつかの非限定的な例では
、少なくとも第２の放出領域６１０ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１５４０
ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターン化コーティング２１０ａを
実質的に含まない、第１の堆積層１０３０ａの第２の部分４０２上に堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第２の放出領域６１０ｂにおいて
第２の厚さｔｃ２を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ
２は、第１の堆積層１０３０ａと第２の堆積層１０３０ｂとの合計平均層厚に対応しても
よく、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第２のパターン化コーティング２１０ｂは、第２
の放出領域６１０ｂを含むデバイス２９００の更なる第１の部分４０１の上に選択的に堆
積されてもよい。
の放出領域６１０ｂを含むデバイス２９００の更なる第１の部分４０１の上に選択的に堆
積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の上に第３の堆積層１０３０ｃを堆
積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１０３０ｃは、オー
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、い
くつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に
露出して、第３の堆積層１０３０ｃを、第１のパターン化コーティング２１０ａ又は第２
のパターン化コーティング２１０ｂ、いくつかの例では第３の放出領域６１０ｃ、並びに
／又はＰＤＬ１６４０が存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場
合がある、第２の堆積層１０３０ｂの上に堆積させて、第３の堆積層１０３０ｃを、いく
つかの非限定的な例では、少なくとも第３の放出領域６１０ｃのための共通電極であり得
る、第２の電極１５４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するために、第２のパターン化
コーティング２１０ｂを実質的に含まない、第２の堆積層１０３０ｂの更なる第２の部分
４０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第
３の放出領域６１０ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有することができる。いくつかの非限
定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ
、及び第３の堆積層１０３０ｃの合計厚さに対応してもよく、いくつかの非限定的な例で
は、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を超えてもよい。
積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１０３０ｃは、オー
プンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつか
の非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、い
くつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に
露出して、第３の堆積層１０３０ｃを、第１のパターン化コーティング２１０ａ又は第２
のパターン化コーティング２１０ｂ、いくつかの例では第３の放出領域６１０ｃ、並びに
／又はＰＤＬ１６４０が存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場
合がある、第２の堆積層１０３０ｂの上に堆積させて、第３の堆積層１０３０ｃを、いく
つかの非限定的な例では、少なくとも第３の放出領域６１０ｃのための共通電極であり得
る、第２の電極１５４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するために、第２のパターン化
コーティング２１０ｂを実質的に含まない、第２の堆積層１０３０ｂの更なる第２の部分
４０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第
３の放出領域６１０ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有することができる。いくつかの非限
定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ
、及び第３の堆積層１０３０ｃの合計厚さに対応してもよく、いくつかの非限定的な例で
は、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターン化コーティング２１０ｃを、第３の放
出領域６１０ｂを含むデバイス２０００の追加の第１の部分４０１の上に選択的に堆積さ
せることができる。
出領域６１０ｂを含むデバイス２０００の追加の第１の部分４０１の上に選択的に堆積さ
せることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０が、デバイス２９
００の非放出領域１９０２において、その近隣の放出領域６１０の間に配置されてもよく
、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０の上に配置されてもよい。いくつかの非
限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０を堆積するために使用される堆積層
１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表
面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸
気フラックス１２３２に露出して、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパタ
ーン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいず
れかを実質的に欠く場合がある第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び
／又は第３の堆積層１０３０ｃの露出部分上に堆積層１０３０を堆積させて、それにより
、堆積層１０３０が、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパターン化コーテ
ィング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいずれかを実質的
に欠いていてもよい第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３
の堆積層１０３０ｃの露出部分を含む追加の第２の部分４０２上に堆積され得、少なくと
も１つの補助電極２０５０を形成することによって行われてもよい。いくつかの非限定的
な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の各々は、第２の電極１５４０のそれぞれ
の１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電
極２０５０の各々は、そのような第２の電極１５４０と物理的に接触していてもよい。
００の非放出領域１９０２において、その近隣の放出領域６１０の間に配置されてもよく
、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１６４０の上に配置されてもよい。いくつかの非
限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０を堆積するために使用される堆積層
１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されて
もよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表
面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸
気フラックス１２３２に露出して、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパタ
ーン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいず
れかを実質的に欠く場合がある第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び
／又は第３の堆積層１０３０ｃの露出部分上に堆積層１０３０を堆積させて、それにより
、堆積層１０３０が、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパターン化コーテ
ィング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいずれかを実質的
に欠いていてもよい第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３
の堆積層１０３０ｃの露出部分を含む追加の第２の部分４０２上に堆積され得、少なくと
も１つの補助電極２０５０を形成することによって行われてもよい。いくつかの非限定的
な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の各々は、第２の電極１５４０のそれぞれ
の１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電
極２０５０の各々は、そのような第２の電極１５４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、
及び第３の放出領域６１０ｃは、少なくとも１つの補助電極２０５０を形成するために使
用される堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
及び第３の放出領域６１０ｃは、少なくとも１つの補助電極２０５０を形成するために使
用される堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、
及び／又は第３の堆積層１０３０ｃのうちの少なくとも１つは、可視光スペクトルの少な
くとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよい。したがって、いくつ
かの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂ及び／又は第３の堆積層１０３０ａ（及
び／又は任意の追加の堆積層１０３０）は、第１の堆積層１０３０ａの上に配置されて、
可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよ
いマルチコーティング電極１５２０、１５４０、２０５０を形成してもよい。いくつかの
非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１
０３０ｃ、任意の追加の堆積層１０３０、及び／又はマルチコーティング電極１５２０、
１５４０、２０５０のうちの任意の少なくとも１つの透過率は、可視光スペクトルの少な
くとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、
約７５％、又は約８０％のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
及び／又は第３の堆積層１０３０ｃのうちの少なくとも１つは、可視光スペクトルの少な
くとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよい。したがって、いくつ
かの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂ及び／又は第３の堆積層１０３０ａ（及
び／又は任意の追加の堆積層１０３０）は、第１の堆積層１０３０ａの上に配置されて、
可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよ
いマルチコーティング電極１５２０、１５４０、２０５０を形成してもよい。いくつかの
非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１
０３０ｃ、任意の追加の堆積層１０３０、及び／又はマルチコーティング電極１５２０、
１５４０、２０５０のうちの任意の少なくとも１つの透過率は、可視光スペクトルの少な
くとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、
約７５％、又は約８０％のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、
及び／又は第３の堆積層１０３０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比
較的薄くされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層
厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、又は約１０～２０ｎｍのうちの少なくとも１つ
であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、
約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍ
のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１
０３０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０
ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な
例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、
及び／又は任意の追加の堆積層３３０の組み合わせによって形成されるマルチコーティン
グ電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１２～
１８ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
及び／又は第３の堆積層１０３０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比
較的薄くされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層
厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、又は約１０～２０ｎｍのうちの少なくとも１つ
であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、
約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍ
のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１
０３０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０
ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な
例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、
及び／又は任意の追加の堆積層３３０の組み合わせによって形成されるマルチコーティン
グ電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１２～
１８ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の厚さは、第１の
堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、及び／又は共通
電極の平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電
極２０５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００
ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１
μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、又は約３μｍのうちの少
なくとも１つを超えてもよい。
堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、及び／又は共通
電極の平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電
極２０５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００
ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１
μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、又は約３μｍのうちの少
なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、実質的に非透
明及び／又は不透明であってもよい。しかしながら、少なくとも１つの補助電極２０５０
は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の非放出領域１９０２内に提供され
得るので、少なくとも１つの補助電極２０５０は、著しい光学干渉を引き起こさないか、
又はそれに寄与しないことがある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助
電極２０５０の透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約５０％、約７
０％、約８０％、約８５％、約９０％、又は約９５％のうちの少なくとも１つ以下であり
得る。
明及び／又は不透明であってもよい。しかしながら、少なくとも１つの補助電極２０５０
は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の非放出領域１９０２内に提供され
得るので、少なくとも１つの補助電極２０５０は、著しい光学干渉を引き起こさないか、
又はそれに寄与しないことがある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助
電極２０５０の透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約５０％、約７
０％、約８０％、約８５％、約９０％、又は約９５％のうちの少なくとも１つ以下であり
得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、可視光スペク
トルの少なくとも一部においてＥＭ放射線を吸収することができる。
トルの少なくとも一部においてＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、
及び／又は第３の放出領域６１０ｃにそれぞれ配置された第１のパターン化コーティング
２１０ａ、第２のパターン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーテ
ィング２１０ｃの平均層厚さは、各放出領域６１０によって放出されるＥＭ放射線の色及
び／又は放出スペクトルに従って変動し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパタ
ーン化コーティング２１０ａは第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１を有してもよく
、第２のパターン化コーティング２１０ｂは第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２を
有してもよく、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃは第３のパターン化コ
ーティング厚さｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化
コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２、及び／又は第３の
パターン化コーティング厚さｔｎ３は、実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定
的な例では、第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング
厚さｔｎ２、及び／又は第３のパターン化コーティング厚さｔｎ３は、互いに異なってい
てもよい。
及び／又は第３の放出領域６１０ｃにそれぞれ配置された第１のパターン化コーティング
２１０ａ、第２のパターン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーテ
ィング２１０ｃの平均層厚さは、各放出領域６１０によって放出されるＥＭ放射線の色及
び／又は放出スペクトルに従って変動し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパタ
ーン化コーティング２１０ａは第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１を有してもよく
、第２のパターン化コーティング２１０ｂは第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２を
有してもよく、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃは第３のパターン化コ
ーティング厚さｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化
コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２、及び／又は第３の
パターン化コーティング厚さｔｎ３は、実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定
的な例では、第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング
厚さｔｎ２、及び／又は第３のパターン化コーティング厚さｔｎ３は、互いに異なってい
てもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００はまた、任意の数の放出領域６１０
ａ～６１０ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘを備えてもよい。いく
つかの非限定的な例では、デバイスは複数のピクセル２７１０を備えてもよく、各ピクセ
ル２７１０は２つ、３つ、又はそれ以上のサブピクセル２２４ｘを備える。
ａ～６１０ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘを備えてもよい。いく
つかの非限定的な例では、デバイスは複数のピクセル２７１０を備えてもよく、各ピクセ
ル２７１０は２つ、３つ、又はそれ以上のサブピクセル２２４ｘを備える。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘの特定の配列がデバイス設計
に応じて変更され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピク
セル２２４ｘは、限定はしないが、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又は
ＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含む、既知の配列方式に従って配列され得る。
に応じて変更され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピク
セル２２４ｘは、限定はしないが、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又は
ＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含む、既知の配列方式に従って配列され得る。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性コーティング
図３０を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３０００の断面図が示
され得る。デバイス３０００は、側面において、放出領域６１０及び隣接する非放出領域
１９０２を含むことができる。
図３０を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３０００の断面図が示
され得る。デバイス３０００は、側面において、放出領域６１０及び隣接する非放出領域
１９０２を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、デバイス３０００のサブピクセル
２２４ｘに対応し得る。放出領域６１０は、基板１０、第１の電極１５２０、第２の電極
１５４０、及びそれらの間に配列された少なくとも１つの半導体層１５３０を有すること
ができる。
２２４ｘに対応し得る。放出領域６１０は、基板１０、第１の電極１５２０、第２の電極
１５４０、及びそれらの間に配列された少なくとも１つの半導体層１５３０を有すること
ができる。
第１の電極１５２０は、基板１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。基板１０
は、第１の電極１５２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１６０１を備え得る。第１の
電極１５２０の縁部及び／又は周囲は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１６４０によっ
て覆われ得る。
は、第１の電極１５２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１６０１を備え得る。第１の
電極１５２０の縁部及び／又は周囲は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１６４０によっ
て覆われ得る。
非放出領域１９０２は補助電極２０５０を有してもよく、非放出領域１９０２の第１
の部分は、補助電極２０５０の側面の上に突出して重なるように配列された突出構造３０
６０を有してもよい。突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供するために横方向に
延びてもよい。非限定的な例として、突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供する
ために、少なくとも１つの側部上の補助電極２０５０において、及び／又はその近くで凹
状であってもよい。図示されるように、遮蔽領域３０６５は、いくつかの非限定的な例で
は、突出構造３０６０の横方向の突出と重なり得るＰＤＬ１６４０の表面上の領域に対応
し得る。非放出領域１９０２は、遮蔽領域３０６５内に配置された堆積層１０３０を更に
含むことができる。堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極１５４０と電気的
に結合することができる。
の部分は、補助電極２０５０の側面の上に突出して重なるように配列された突出構造３０
６０を有してもよい。突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供するために横方向に
延びてもよい。非限定的な例として、突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供する
ために、少なくとも１つの側部上の補助電極２０５０において、及び／又はその近くで凹
状であってもよい。図示されるように、遮蔽領域３０６５は、いくつかの非限定的な例で
は、突出構造３０６０の横方向の突出と重なり得るＰＤＬ１６４０の表面上の領域に対応
し得る。非放出領域１９０２は、遮蔽領域３０６５内に配置された堆積層１０３０を更に
含むことができる。堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極１５４０と電気的
に結合することができる。
パターン化コーティング２１０ａは、第２の電極１５４０の露出層表面１１上の放出
領域６１０に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の露出
層表面１１は、第２の電極１５４０を形成するための薄い導電性膜の堆積からの残留する
薄い導電性膜でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、残留する薄い
導電性膜の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０の堆積からの残留パターン
化コーティング２１０ｂでコーティングされてもよい。
領域６１０に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の露出
層表面１１は、第２の電極１５４０を形成するための薄い導電性膜の堆積からの残留する
薄い導電性膜でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、残留する薄い
導電性膜の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０の堆積からの残留パターン
化コーティング２１０ｂでコーティングされてもよい。
しかしながら、遮蔽領域３０６５上への突出構造３０６０の横方向の突出のために、
遮蔽領域３０６５はパターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。したがっ
て、堆積層１０３０が、パターン化コーティング２１０の堆積後にデバイス２１００上に
堆積され得るとき、堆積層１０３０は、遮蔽領域３０６５上に堆積され得、及び／又は遮
蔽領域に移動して、補助電極２０５０を第２の電極１５４０に結合し得る。
遮蔽領域３０６５はパターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。したがっ
て、堆積層１０３０が、パターン化コーティング２１０の堆積後にデバイス２１００上に
堆積され得るとき、堆積層１０３０は、遮蔽領域３０６５上に堆積され得、及び／又は遮
蔽領域に移動して、補助電極２０５０を第２の電極１５４０に結合し得る。
当業者は、非限定的な例が図３０に示されており、様々な修正が明らかであり得るこ
とを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３０６０は、その側部の少なくと
も２つに沿って遮蔽領域３０６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では
、突出構造３０６０は省略されてもよく、補助電極２０５０は、遮蔽領域３０６５を画定
し得る凹部を備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０及び堆積層
１０３０は、ＰＤＬ１６４０の代わりに基板１０の表面上に直接配置されてもよい。
とを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３０６０は、その側部の少なくと
も２つに沿って遮蔽領域３０６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では
、突出構造３０６０は省略されてもよく、補助電極２０５０は、遮蔽領域３０６５を画定
し得る凹部を備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０及び堆積層
１０３０は、ＰＤＬ１６４０の代わりに基板１０の表面上に直接配置されてもよい。
光学コーティングの選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスでもよい
、デバイス（図示せず）は、基板１０と、パターン化コーティング２１０と、光学コーテ
ィングとを備えてもよい。パターン化コーティング２１０は、側面では、基板１０の第１
の横方向部分４０１を覆うことができる。光学コーティングは、側面では、基板１０の第
２の横方向部分４０２を覆うことができる。パターン化コーティング２１０の少なくとも
一部は、光学コーティングの閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスでもよい
、デバイス（図示せず）は、基板１０と、パターン化コーティング２１０と、光学コーテ
ィングとを備えてもよい。パターン化コーティング２１０は、側面では、基板１０の第１
の横方向部分４０１を覆うことができる。光学コーティングは、側面では、基板１０の第
２の横方向部分４０２を覆うことができる。パターン化コーティング２１０の少なくとも
一部は、光学コーティングの閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、プラズモンモードを含
むがこれに限定されない、デバイスによって透過、放出、及び／又は吸収されるＥＭ放射
線の光学特性を変調することができる。非限定的な例として、光学コーティングは、光学
フィルタ、屈折率整合コーティング、光アウトカップリングコーティング、散乱層、回折
格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
むがこれに限定されない、デバイスによって透過、放出、及び／又は吸収されるＥＭ放射
線の光学特性を変調することができる。非限定的な例として、光学コーティングは、光学
フィルタ、屈折率整合コーティング、光アウトカップリングコーティング、散乱層、回折
格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、限定はしないが、全光
路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス内の少なくとも１つの光マ
イクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は
、その強度の角度依存性、及び／又はその波長シフトを含むがこれらに限定されない、出
力ＥＭ放射線を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効
果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学コーティン
グは、非電気構成要素であってもよく、すなわち、光学コーティングは、通常のデバイス
動作中に電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス内の少なくとも１つの光マ
イクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は
、その強度の角度依存性、及び／又はその波長シフトを含むがこれらに限定されない、出
力ＥＭ放射線を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効
果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学コーティン
グは、非電気構成要素であってもよく、すなわち、光学コーティングは、通常のデバイス
動作中に電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、任意の堆積材料１２３１から形
成されてもよく、及び／又は本明細書に記載されるような堆積層１０３０を堆積させる任
意のメカニズムを採用してもよい。
成されてもよく、及び／又は本明細書に記載されるような堆積層１０３０を堆積させる任
意のメカニズムを採用してもよい。
仕切り及び凹部
図３１を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３１００の断面図が示
され得る。デバイス３１００は、露出層表面１１を有する基板１０を備えることができる
。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができる。非限定的な例
として、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１は、本明細書に記載されるように、いくつ
かの非限定的な例では、基板１０を製作するときに一連の薄膜を堆積及びパターン化する
ことによって形成されてもよい。
図３１を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３１００の断面図が示
され得る。デバイス３１００は、露出層表面１１を有する基板１０を備えることができる
。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１を含むことができる。非限定的な例
として、少なくとも１つのＴＦＴ構造１６０１は、本明細書に記載されるように、いくつ
かの非限定的な例では、基板１０を製作するときに一連の薄膜を堆積及びパターン化する
ことによって形成されてもよい。
デバイス３１００は、側面において、関連する側面１６１０を有する放出領域６１０
と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２とを含むことができ、各々は関連する
側面１６２０を有する。放出領域６１０における基板１０の露出層表面１１には、少なく
とも１つのＴＦＴ構造１６０１と電気的に結合され得る第１の電極１５２０が提供され得
る。ＰＤＬ１６４０は、ＰＤＬ１６４０が露出層表面１１並びに第１の電極１５２０の少
なくとも１つの縁部及び／又は周囲を覆うように、露出層表面１１上に提供されてもよい
。ＰＤＬ１６４０は、いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９０２の側面１６２０
に提供されてもよい。ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の層表面が露出され得る放
出領域６１０の側面１６１０に概して対応し得る開口部を提供し得る谷形状構成を画定し
得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、ＰＤＬ１６４０によって画定
される複数のそのような開口部を備えてもよく、それらの各々は、デバイス３１００の（
サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ領域に対応してもよい。
と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２とを含むことができ、各々は関連する
側面１６２０を有する。放出領域６１０における基板１０の露出層表面１１には、少なく
とも１つのＴＦＴ構造１６０１と電気的に結合され得る第１の電極１５２０が提供され得
る。ＰＤＬ１６４０は、ＰＤＬ１６４０が露出層表面１１並びに第１の電極１５２０の少
なくとも１つの縁部及び／又は周囲を覆うように、露出層表面１１上に提供されてもよい
。ＰＤＬ１６４０は、いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９０２の側面１６２０
に提供されてもよい。ＰＤＬ１６４０は、第１の電極１５２０の層表面が露出され得る放
出領域６１０の側面１６１０に概して対応し得る開口部を提供し得る谷形状構成を画定し
得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、ＰＤＬ１６４０によって画定
される複数のそのような開口部を備えてもよく、それらの各々は、デバイス３１００の（
サブ）ピクセル２７１０／２２４ｘ領域に対応してもよい。
図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１は、非放出領域１
９０２の側面１６２０における露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に記載さ
れるように、凹部３１２２などの遮蔽領域３０６５を画定してもよい。いくつかの非限定
的な例では、凹部３１２２は、凹部３１２２を越えて重なり及び／又は突出し得る仕切り
３１２１の上部セクションの縁部に対して凹んでいる、ずらされている、及び／又はオフ
セットされている仕切り３１２１の下部セクションの縁部によって形成され得る。
９０２の側面１６２０における露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に記載さ
れるように、凹部３１２２などの遮蔽領域３０６５を画定してもよい。いくつかの非限定
的な例では、凹部３１２２は、凹部３１２２を越えて重なり及び／又は突出し得る仕切り
３１２１の上部セクションの縁部に対して凹んでいる、ずらされている、及び／又はオフ
セットされている仕切り３１２１の下部セクションの縁部によって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１６１０は、第１の電極１５２
０の上に配置された少なくとも１つの半導体層１５３０と、少なくとも１つの半導体層１
５３０の上に配置された第２の電極１５４０と、第２の電極１５４０の上に配置されたパ
ターン化コーティング２１０とを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、少な
くとも１つの半導体層１５３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１
０は、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の少なくとも側面１６２０を
覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少な
くとも１つの半導体層１５３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１
０は、少なくとも１つのＰＤＬ１６４０の少なくとも一部、及び仕切り３１２１の少なく
とも一部の上に配置され得る。したがって、図示のように、放出領域６１０の側面１６１
０と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の側面１６２０と、少なくと
も１つのＰＤＬ１６４０の一部と、仕切り３１２１の少なくとも一部とは、ともに第１の
部分４０１を構成してもよく、第２の電極１５４０は、パターン化コーティング２１０と
少なくとも１つの半導体層１５３０との間に位置してもよい。
０の上に配置された少なくとも１つの半導体層１５３０と、少なくとも１つの半導体層１
５３０の上に配置された第２の電極１５４０と、第２の電極１５４０の上に配置されたパ
ターン化コーティング２１０とを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、少な
くとも１つの半導体層１５３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１
０は、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の少なくとも側面１６２０を
覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少な
くとも１つの半導体層１５３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１
０は、少なくとも１つのＰＤＬ１６４０の少なくとも一部、及び仕切り３１２１の少なく
とも一部の上に配置され得る。したがって、図示のように、放出領域６１０の側面１６１
０と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の側面１６２０と、少なくと
も１つのＰＤＬ１６４０の一部と、仕切り３１２１の少なくとも一部とは、ともに第１の
部分４０１を構成してもよく、第２の電極１５４０は、パターン化コーティング２１０と
少なくとも１つの半導体層１５３０との間に位置してもよい。
補助電極２０５０は、凹部３１２２に近接して、及び／又はその中に配置されてもよ
く、堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極１５４０と電気的に結合するよう
に配置されてもよい。したがって、示されるように、いくつかの非限定的な例では、凹部
３１２２は、堆積層１０３０が露出層表面１１上に配置されている第２の部分４０２を含
むことができる。
く、堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極１５４０と電気的に結合するよう
に配置されてもよい。したがって、示されるように、いくつかの非限定的な例では、凹部
３１２２は、堆積層１０３０が露出層表面１１上に配置されている第２の部分４０２を含
むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０を堆積させる際に、堆積材料１２３１
の気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の横方向平面に対して垂
直でない角度に向けられてもよい。非限定的な例として、気化フラックス１２３２の少な
くとも一部は、露出層表面１１のそのような横方向平面に対して、約９０°、約８５°、
約８０°、約７５°、約７０°、約６０°、又は約５０°のうちの少なくとも１つ以下で
ある入射角でデバイス２２００に入射することができる。少なくとも一部を含む堆積材料
１２３１の気化フラックス１２３２を、非垂直角度で入射するように方向付けることによ
って、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１及び／又はその中の少なくとも１
つの露出層表面１１は、そのような気化フラックス１２３２に露出され得る。
の気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の横方向平面に対して垂
直でない角度に向けられてもよい。非限定的な例として、気化フラックス１２３２の少な
くとも一部は、露出層表面１１のそのような横方向平面に対して、約９０°、約８５°、
約８０°、約７５°、約７０°、約６０°、又は約５０°のうちの少なくとも１つ以下で
ある入射角でデバイス２２００に入射することができる。少なくとも一部を含む堆積材料
１２３１の気化フラックス１２３２を、非垂直角度で入射するように方向付けることによ
って、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１及び／又はその中の少なくとも１
つの露出層表面１１は、そのような気化フラックス１２３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部
が非垂直入射角で流れることができるので、そのような気化フラックス１２３２が、仕切
り３１２１の存在によって、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又
は凹部に入射することが妨げられる可能性を低減することができる。
が非垂直入射角で流れることができるので、そのような気化フラックス１２３２が、仕切
り３１２１の存在によって、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又
は凹部に入射することが妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部
は非コリメートであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１
２３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は面源である蒸発源によって生成さ
れ得る。
は非コリメートであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１
２３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は面源である蒸発源によって生成さ
れ得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、堆積層１０３０の堆積中に変位
され得る。非限定的な例として、デバイス３１００、及び／又はその基板１０、及び／又
はその上に堆積された任意の層は、側面において、及び／又は断面に実質的に平行な面に
おいて、角度のある変位を受けてもよい。
され得る。非限定的な例として、デバイス３１００、及び／又はその基板１０、及び／又
はその上に堆積された任意の層は、側面において、及び／又は断面に実質的に平行な面に
おいて、角度のある変位を受けてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、気化フラックス１２３２を受け
ている間、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な軸を中心に回転され得る
。
ている間、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な軸を中心に回転され得る
。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部
は、デバイス３１００の露出層表面１１に向けて、露出層表面１１の横方向平面に対して
実質的に垂直な方向に向けることができる。
は、デバイス３１００の露出層表面１１に向けて、露出層表面１１の横方向平面に対して
実質的に垂直な方向に向けることができる。
特定の理論に縛られることを望むものではないが、堆積材料１２３１は、それにもか
かわらず、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側
方移動及び／又は脱着に起因して凹部３１２２内に堆積され得ると仮定され得る。いくつ
かの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された
任意の吸着原子は、安定な核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特
性に起因して、そのような露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると
仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような露出層表面１１から移動及び／
又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部３１２２内の表面上に再堆積されて
堆積層１０３０を形成し得ると仮定され得る。
かわらず、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側
方移動及び／又は脱着に起因して凹部３１２２内に堆積され得ると仮定され得る。いくつ
かの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された
任意の吸着原子は、安定な核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特
性に起因して、そのような露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると
仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような露出層表面１１から移動及び／
又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部３１２２内の表面上に再堆積されて
堆積層１０３０を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層１０３０が補助電極２０５
０及び第２の電極１５４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつか
の非限定的な例では、堆積層１０３０は、補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４
０のうちの少なくとも１つと物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０と、補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４０のうちの少なくと
も１つとの間に中間層が存在してもよい。しかしながら、そのような例では、そのような
中間層は、堆積層１０３０が補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４０のうちの少
なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げ得ない。いくつかの非限定的な例
では、そのような中間層は、比較的薄くてもよく、それを通る電気的結合を可能にするよ
うなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のシート抵抗は
、第２の電極１５４０のシート抵抗以下であり得る。
０及び第２の電極１５４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつか
の非限定的な例では、堆積層１０３０は、補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４
０のうちの少なくとも１つと物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では
、堆積層１０３０と、補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４０のうちの少なくと
も１つとの間に中間層が存在してもよい。しかしながら、そのような例では、そのような
中間層は、堆積層１０３０が補助電極２０５０及び／又は第２の電極１５４０のうちの少
なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げ得ない。いくつかの非限定的な例
では、そのような中間層は、比較的薄くてもよく、それを通る電気的結合を可能にするよ
うなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のシート抵抗は
、第２の電極１５４０のシート抵抗以下であり得る。
図３１に示すように、凹部３１２２は、第２の電極１５４０を実質的に欠く場合があ
る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の堆積中に、凹部３１２２は、第
２の電極１５４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２が、凹部
３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１に、及び／又は凹部内に入射することを実質
的に防止することができるように、仕切り３１２１によってマスクされてもよい。いくつ
かの非限定的な例では、第２の電極１５４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フ
ラックス１２３２の少なくとも一部は、第２の電極１５４０が凹部３１２２の少なくとも
一部を覆うように延びることができるように、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表
面１１上及び／又は凹部３１２２内に入射することができる。
る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の堆積中に、凹部３１２２は、第
２の電極１５４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２が、凹部
３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１に、及び／又は凹部内に入射することを実質
的に防止することができるように、仕切り３１２１によってマスクされてもよい。いくつ
かの非限定的な例では、第２の電極１５４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フ
ラックス１２３２の少なくとも一部は、第２の電極１５４０が凹部３１２２の少なくとも
一部を覆うように延びることができるように、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表
面１１上及び／又は凹部３１２２内に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０、堆積層１０３０、及び／又は仕切
り３１２１は、ディスプレイパネル５１０のある特定の領域に選択的に提供され得る。い
くつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極１５４０を含むがこ
れに限定されない、フロントプレーン１５１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン
１５１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパ
ネルの少なくとも１つの縁部に、及び／又はそれに近接して提供され得る。いくつかの非
限定的な例では、そのような特徴をそのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接
して提供することにより、そのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接して配置
された補助電極２０５０から第２の電極１５４０への電流の供給及び分配を容易にするこ
とができる。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベ
ゼルサイズを低減することを容易にし得る。
り３１２１は、ディスプレイパネル５１０のある特定の領域に選択的に提供され得る。い
くつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極１５４０を含むがこ
れに限定されない、フロントプレーン１５１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン
１５１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパ
ネルの少なくとも１つの縁部に、及び／又はそれに近接して提供され得る。いくつかの非
限定的な例では、そのような特徴をそのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接
して提供することにより、そのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接して配置
された補助電極２０５０から第２の電極１５４０への電流の供給及び分配を容易にするこ
とができる。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベ
ゼルサイズを低減することを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０、堆積層１０３０、及び／又は仕切
り３１２１は、そのようなディスプレイパネル５１０のある特定の領域から省略されても
よい。いくつかの非限定的な例では、そのような特徴は、ディスプレイパネル５１０の少
なくとも１つの縁部以外の、及び／又はその少なくとも１つの縁部に近接して、比較的高
いピクセル密度が提供され得る場所を含むが、これに限定されないディスプレイパネルの
部分から省略されてもよい。
り３１２１は、そのようなディスプレイパネル５１０のある特定の領域から省略されても
よい。いくつかの非限定的な例では、そのような特徴は、ディスプレイパネル５１０の少
なくとも１つの縁部以外の、及び／又はその少なくとも１つの縁部に近接して、比較的高
いピクセル密度が提供され得る場所を含むが、これに限定されないディスプレイパネルの
部分から省略されてもよい。
非放出領域における開口部
ここで図３２Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３２００ａの
断面図が示され得る。デバイス３２００ａは、非放出領域１９０２内の一対の仕切り３１
２１が対向配列で配置されて、それらの間に開口部３２２２などの遮蔽領域３０６５を画
定することができるという点で、デバイス３１００とは異なることがある。図示されるよ
うに、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、第１の
電極１５２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放出領域６１０を画定する
ＰＤＬ１６４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１の
うちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１６４０とは別個に提供され得る。
ここで図３２Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３２００ａの
断面図が示され得る。デバイス３２００ａは、非放出領域１９０２内の一対の仕切り３１
２１が対向配列で配置されて、それらの間に開口部３２２２などの遮蔽領域３０６５を画
定することができるという点で、デバイス３１００とは異なることがある。図示されるよ
うに、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、第１の
電極１５２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放出領域６１０を画定する
ＰＤＬ１６４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１の
うちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１６４０とは別個に提供され得る。
凹部３１２２などの遮蔽領域３０６５は、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つに
よって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、基板１０に近接す
る開口部３２２２の一部に提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口部３２
２２は、平面図で見たときに実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、凹部３１２２は、平面図で見たときに実質的に環状であり、開口部３２２２を取り囲
んでもよい。
よって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、基板１０に近接す
る開口部３２２２の一部に提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口部３２
２２は、平面図で見たときに実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、凹部３１２２は、平面図で見たときに実質的に環状であり、開口部３２２２を取り囲
んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、デバイススタック３２１０及び／又
は残留デバイススタック３２１１の各層を形成するための材料を実質的に欠く場合がある
。
は残留デバイススタック３２１１の各層を形成するための材料を実質的に欠く場合がある
。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１５３０と、第２の電極１５４０と、仕
切り３１２１の上部に堆積されたパターン化コーティング２１０とを含むデバイススタッ
ク３２１０を示すことができる。
切り３１２１の上部に堆積されたパターン化コーティング２１０とを含むデバイススタッ
ク３２１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１５３０と、第２の電極１５４０と、仕
切り３１２１及び凹部３１２２を越えて基板１０上に堆積されたパターン化コーティング
２１０とを含む残留デバイススタック３２１１を示すことができる。図３１との比較から
、残留デバイススタック３２１１は、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のリ
ップにおいて、及び／又はリップに近接して凹部３１２２に接近するとき、半導体層１５
３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１０に対応し得ることが分か
る。いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、デバイススタック
３２１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プ
ロセスが使用されるときに形成され得る。
切り３１２１及び凹部３１２２を越えて基板１０上に堆積されたパターン化コーティング
２１０とを含む残留デバイススタック３２１１を示すことができる。図３１との比較から
、残留デバイススタック３２１１は、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のリ
ップにおいて、及び／又はリップに近接して凹部３１２２に接近するとき、半導体層１５
３０、第２の電極１５４０、及びパターン化コーティング２１０に対応し得ることが分か
る。いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、デバイススタック
３２１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プ
ロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、開口部３２２２内
に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３２１０の層の各々を
形成するための蒸発材料を開口部３２２２内に堆積させて、その中に残留デバイススタッ
ク３２１１を形成することができる。
に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３２１０の層の各々を
形成するための蒸発材料を開口部３２２２内に堆積させて、その中に残留デバイススタッ
ク３２１１を形成することができる。
いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５０は、その少なくとも一部が凹部
３１２２内に配置されるように配列されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定
的な例では、補助電極２０５０は、残留デバイススタック３２１１が補助電極２０５０の
表面上に堆積されるように、開口部３２２２内に配列され得る。
３１２２内に配置されるように配列されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定
的な例では、補助電極２０５０は、残留デバイススタック３２１１が補助電極２０５０の
表面上に堆積されるように、開口部３２２２内に配列され得る。
堆積層１０３０は、第２の電極１５４０を補助電極２０５０と電気的に結合するため
に開口部３２２２内に配置することができる。非限定的な例として、堆積層１０３０の少
なくとも一部は、凹部３１２２内に配置されてもよい。
に開口部３２２２内に配置することができる。非限定的な例として、堆積層１０３０の少
なくとも一部は、凹部３１２２内に配置されてもよい。
次に図３２Ｂを参照すると、デバイス２３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。
図示されるように、補助電極２０５０は、仕切り３１２１の側部の少なくとも一部を形成
するように配列されてもよい。したがって、補助電極２０５０は、平面図において実質的
に環状であってもよく、開口部３２２２を囲んでもよい。図示されるように、いくつかの
非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆
積され得る。
図示されるように、補助電極２０５０は、仕切り３１２１の側部の少なくとも一部を形成
するように配列されてもよい。したがって、補助電極２０５０は、平面図において実質的
に環状であってもよく、開口部３２２２を囲んでもよい。図示されるように、いくつかの
非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆
積され得る。
いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１は、ＮＰＣ１４２０を含むことができ
、及び／又はＮＰＣ１４２０によって形成され得る。非限定的な例として、補助電極２０
５０は、ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
、及び／又はＮＰＣ１４２０によって形成され得る。非限定的な例として、補助電極２０
５０は、ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、第２の電極１５４０、並びに／又
はその一部、層、及び／若しくは材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例で
は、第２の電極１５４０は、遮蔽領域３０６５に配列された露出層表面１１を覆うように
横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、その下部
層とその第２の層とを備えてもよく、その第２の層は、その下部層上に堆積されてもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の下部層は、限定はしないが、ＩＴ
Ｏ、ＩＺＯ、又はＺｎＯなどの酸化物を含むことができる。いくつかの非限定的な例では
、第２の電極１５４０の上部層は、限定はしないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａ
ｇ、他のアルカリ金属、及び／又は他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つなどの
金属を含むことができる。
はその一部、層、及び／若しくは材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例で
は、第２の電極１５４０は、遮蔽領域３０６５に配列された露出層表面１１を覆うように
横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０は、その下部
層とその第２の層とを備えてもよく、その第２の層は、その下部層上に堆積されてもよい
。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の下部層は、限定はしないが、ＩＴ
Ｏ、ＩＺＯ、又はＺｎＯなどの酸化物を含むことができる。いくつかの非限定的な例では
、第２の電極１５４０の上部層は、限定はしないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａ
ｇ、他のアルカリ金属、及び／又は他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つなどの
金属を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１５４０の下部層は、ＮＰＣ１４２０を形
成するように、遮蔽領域３０６５の表面を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの
非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０を形成するために、遮蔽領域３０６５を画定する少な
くとも１つの表面を処理することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮ
ＰＣ１４２０は、遮蔽領域３０６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶ－オゾン処
理に供することを含むがこれらに限定されない化学的及び／又は物理的処理によって形成
され得る。
成するように、遮蔽領域３０６５の表面を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの
非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０を形成するために、遮蔽領域３０６５を画定する少な
くとも１つの表面を処理することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮ
ＰＣ１４２０は、遮蔽領域３０６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶ－オゾン処
理に供することを含むがこれらに限定されない化学的及び／又は物理的処理によって形成
され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような処理は、
そのような表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を改
変し得ると仮定され得る。非限定的な例として、表面のそのような処理は、そのような表
面上のＣ－Ｏ及び／若しくはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、そのような表面の粗さを
増加させ得、並びに／又はハロゲン、窒素含有官能基、及び／若しくは酸素含有官能基を
含むがこれらに限定されないある特定の種及び／若しくは官能基の濃度を増加させ得、そ
の後ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
そのような表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を改
変し得ると仮定され得る。非限定的な例として、表面のそのような処理は、そのような表
面上のＣ－Ｏ及び／若しくはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、そのような表面の粗さを
増加させ得、並びに／又はハロゲン、窒素含有官能基、及び／若しくは酸素含有官能基を
含むがこれらに限定されないある特定の種及び／若しくは官能基の濃度を増加させ得、そ
の後ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
回折の低減
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域６２０を通過する少な
くとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの信号透過領域６２０の形状によって課
される回折パターンの回折の特質によって影響され得ることが発見されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域６２０を通過する少な
くとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの信号透過領域６２０の形状によって課
される回折パターンの回折の特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号５３１に、特有
の不均一な回折パターンを示すように成形された少なくとも１つの信号透過領域６２０を
通過させるディスプレイパネル５１０は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射
線パターンの取り込みに干渉することがある。
の不均一な回折パターンを示すように成形された少なくとも１つの信号透過領域６２０を
通過させるディスプレイパネル５１０は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射
線パターンの取り込みに干渉することがある。
非限定的な例として、そのような回折パターンは、そのような回折パターンによる干
渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アン
ダーディスプレイ構成要素５３０がそのような画像又はパターンを正確に受信及び処理す
ることを可能にすること、又はそのようなディスプレイパネル５１０を通してそのような
画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にする
ことに干渉し得る。
渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アン
ダーディスプレイ構成要素５３０がそのような画像又はパターンを正確に受信及び処理す
ることを可能にすること、又はそのようなディスプレイパネル５１０を通してそのような
画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にする
ことに干渉し得る。
いくつかの非限定的な例では、特有の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パタ
ーンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なく
とも１つの信号透過領域６２０の形状から生じ得る。
ーンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なく
とも１つの信号透過領域６２０の形状から生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折ス
パイクの総数がカウントされ得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイ
クから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイク
の数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難であり得る。そのような
状況では、結果として得られる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き
起こされる干渉の軽減を容易にすることができ、その理由は、歪み効果は、ぼかされ、か
つ／又はより均一に分散される傾向があるからである。そのようなぼけ及び／又は歪み効
果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含ま
れる情報を復元するために、光学後処理技術によるものを含むがこれに限定されずに、緩
和をより受け入れやすいことがある。
パイクの総数がカウントされ得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイ
クから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイク
の数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難であり得る。そのような
状況では、結果として得られる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き
起こされる干渉の軽減を容易にすることができ、その理由は、歪み効果は、ぼかされ、か
つ／又はより均一に分散される傾向があるからである。そのようなぼけ及び／又は歪み効
果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含ま
れる情報を復元するために、光学後処理技術によるものを含むがこれに限定されずに、緩
和をより受け入れやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容
易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、特有の不均一な回折パターンは、回折パターンのパタ
ーン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の
回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、及び／又はそのパターン境界の長さ
に対するパターン円周の比を低減させる、少なくとも１つの信号透過領域６２０の形状か
ら生じ得る。
ーン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の
回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、及び／又はそのパターン境界の長さ
に対するパターン円周の比を低減させる、少なくとも１つの信号透過領域６２０の形状か
ら生じ得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である対応す
る信号透過領域６２０によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディス
プレイパネルｘ１０は、特有の不均一な回折パターンを示し得、非多角形である対応する
信号透過領域６２０によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディスプ
レイパネル５１０と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易に
する能力に悪影響を及ぼし得ると仮定され得る。
る信号透過領域６２０によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディス
プレイパネルｘ１０は、特有の不均一な回折パターンを示し得、非多角形である対応する
信号透過領域６２０によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディスプ
レイパネル５１０と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易に
する能力に悪影響を及ぼし得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメ
ントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非
多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周
を指すことができる。非限定的な例として、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つ
の非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなされ得る
。
ントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非
多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周
を指すことができる。非限定的な例として、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つ
の非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなされ得る
。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、対応する信号透過領域６２０に
よって画定される光透過領域６２０の閉じた境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾
曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通して送信されるＥＭ信号は、回折パ
ターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする、より目立たない及び／又はより
均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
よって画定される光透過領域６２０の閉じた境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾
曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通して送信されるＥＭ信号は、回折パ
ターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする、より目立たない及び／又はより
均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である対応する信号透
過領域ｘ１３によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディスプレイパ
ネル５１０は、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を更に容易にし得る。
過領域ｘ１３によって画定された光透過領域６２０の閉じた境界を有するディスプレイパ
ネル５１０は、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を更に容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、信号透過領域６２０は、有限の複数の凸状の丸みを帯
びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメン
トの少なくとも一部は、凹状のノッチ又はピークで一致する。
びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメン
トの少なくとも一部は、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的コーティングの除去
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積層１０３０の
堆積後に除去されてもよく、パターン化コーティング２１０によって覆われた下部材料の
以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な
例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング２１０をエッチング
及び／若しくは溶解することによって、並びに／又は堆積層１０３０に実質的に影響を与
えない若しくは侵食しないプラズマ及び／若しくは溶媒処理技術を採用することによって
、選択的に除去され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積層１０３０の
堆積後に除去されてもよく、パターン化コーティング２１０によって覆われた下部材料の
以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な
例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング２１０をエッチング
及び／若しくは溶解することによって、並びに／又は堆積層１０３０に実質的に影響を与
えない若しくは侵食しないプラズマ及び／若しくは溶媒処理技術を採用することによって
、選択的に除去され得る。
ここで図３３Ａを参照すると、堆積段階３３００ａにおけるデバイス１０００の例示
的なバージョン３３００の例示的な断面図が示され得、パターン化コーティング２１０は
、下部材料の露出層表面１１の第１の部分４０１上に選択的に堆積され得る。図において
、下部材料は基板１０であってもよい。
的なバージョン３３００の例示的な断面図が示され得、パターン化コーティング２１０は
、下部材料の露出層表面１１の第１の部分４０１上に選択的に堆積され得る。図において
、下部材料は基板１０であってもよい。
図３３Ｂでは、デバイス３３００は、堆積段階３３００ｂで示されてもよく、堆積層
１０３０は、下部材料の露出層表面１１上に、すなわち、段階３３００ａ中にパターン化
コーティング２１０が堆積されていてもよいパターン化コーティング２１０の露出層表面
１１と、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積されていなくてもよい
基板１０の露出層表面１１との両方に堆積されてもよい。パターン化コーティング２１０
が配置され得る第１の部分４０１の核形成抑制特性のために、その上に配置された堆積層
１０３０は残存しない傾向があり得、第２の部分４０２に対応し得る堆積層１０３０の選
択的堆積のパターンをもたらし、第１の部分４０１には堆積層１０３０が実質的に欠くま
まになり得る。
１０３０は、下部材料の露出層表面１１上に、すなわち、段階３３００ａ中にパターン化
コーティング２１０が堆積されていてもよいパターン化コーティング２１０の露出層表面
１１と、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積されていなくてもよい
基板１０の露出層表面１１との両方に堆積されてもよい。パターン化コーティング２１０
が配置され得る第１の部分４０１の核形成抑制特性のために、その上に配置された堆積層
１０３０は残存しない傾向があり得、第２の部分４０２に対応し得る堆積層１０３０の選
択的堆積のパターンをもたらし、第１の部分４０１には堆積層１０３０が実質的に欠くま
まになり得る。
図３３Ｃでは、デバイス３３００は堆積段階３３００ｃで示されてもよく、そこでは
パターン化コーティング２１０が基板１０の露出層表面１１の第１の部分４０１から除去
されてもよく、その結果、段階３３００ｂ中に堆積された堆積層１０３０が基板１０上に
残ってもよく、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積された基板１０
の領域が露出されてもよい、又は被覆されなくてもよい。
パターン化コーティング２１０が基板１０の露出層表面１１の第１の部分４０１から除去
されてもよく、その結果、段階３３００ｂ中に堆積された堆積層１０３０が基板１０上に
残ってもよく、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積された基板１０
の領域が露出されてもよい、又は被覆されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、段階３３００ｃにおけるパターン化コーティング２１
０の除去は、堆積層１０３０に実質的に影響を与えることなく、パターン化コーティング
２１０と反応し、かつ／又はパターン化コーティングをエッチング除去する溶媒及び／又
はプラズマに、デバイス３３００を露出させることによって行うことができる。
０の除去は、堆積層１０３０に実質的に影響を与えることなく、パターン化コーティング
２１０と反応し、かつ／又はパターン化コーティングをエッチング除去する溶媒及び／又
はプラズマに、デバイス３３００を露出させることによって行うことができる。
薄膜形成
下層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含
んでもよい。
下層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含
んでもよい。
膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー１２３２（いくつかの非限定的な例
では、蒸気形態３３２の堆積材料１２３１の分子及び／又は原子であってもよい）が、典
型的には、気相から凝縮して、下層の露出層表面１１上に初期核を形成してもよい。蒸気
モノマー１２３２がそのような表面に衝突すると、これらの初期核の特徴的なサイズ及び
／又は堆積密度が増加して、小粒子構造１２１を形成することができる。そのような特徴
的なサイズが参照する寸法の非限定的な例は、そのような粒子構造１２１の高さ、幅、長
さ、及び／又は直径を含み得る。
では、蒸気形態３３２の堆積材料１２３１の分子及び／又は原子であってもよい）が、典
型的には、気相から凝縮して、下層の露出層表面１１上に初期核を形成してもよい。蒸気
モノマー１２３２がそのような表面に衝突すると、これらの初期核の特徴的なサイズ及び
／又は堆積密度が増加して、小粒子構造１２１を形成することができる。そのような特徴
的なサイズが参照する寸法の非限定的な例は、そのような粒子構造１２１の高さ、幅、長
さ、及び／又は直径を含み得る。
飽和島密度に到達した後、隣接する粒子構造１２１は、典型的には、合体し始め、そ
のような粒子構造１２１の平均特徴的なサイズを増加させる一方で、その堆積密度を減少
させ得る。
のような粒子構造１２１の平均特徴的なサイズを増加させる一方で、その堆積密度を減少
させ得る。
モノマー１２３２の連続堆積により、実質的に閉じたコーティング１０４０が下層の
露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで、隣接する粒子構造１２１の合体が継続し
得る。そのような閉じたコーティング４４０の挙動（それによって引き起こされる光学効
果を含む）は、概して、比較的均一で、一貫していてもよく、驚くべきことではない。
露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで、隣接する粒子構造１２１の合体が継続し
得る。そのような閉じたコーティング４４０の挙動（それによって引き起こされる光学効
果を含む）は、概して、比較的均一で、一貫していてもよく、驚くべきことではない。
薄膜の形成のための少なくとも３つの基本的な成長モードが存在してもよく、いくつ
かの非限定的な例では、閉じたコーティング１０４０：１）島（Volmer-Weber）、２）層
ごと（Frank-vander Merwe）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖで最高
に達する。
かの非限定的な例では、閉じたコーティング１０４０：１）島（Volmer-Weber）、２）層
ごと（Frank-vander Merwe）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖで最高
に達する。
島成長は、典型的には、モノマー１２３２の古いクラスタが露出層表面１１上で核形
成し、成長した別個の島を形成するときに起こり得る。この成長モードは、モノマー１２
３２間の相互作用がモノマー１２３２と表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る
。
成し、成長した別個の島を形成するときに起こり得る。この成長モードは、モノマー１２
３２間の相互作用がモノマー１２３２と表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る
。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがそのような核のクラスタを成長
又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりに表面上にどれだけ形成され得
るかを説明し得る。成膜の初期段階では、核の堆積密度が低く、したがって核が表面の比
較的小さな割合（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間がある）を覆う可能性
があるため、核が表面上のモノマー１２３２の直接衝突から成長する可能性は低い。した
がって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノ
マー１２３２）が移動して近くの核に付着する速度に依存し得る。
又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりに表面上にどれだけ形成され得
るかを説明し得る。成膜の初期段階では、核の堆積密度が低く、したがって核が表面の比
較的小さな割合（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間がある）を覆う可能性
があるため、核が表面上のモノマー１２３２の直接衝突から成長する可能性は低い。した
がって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノ
マー１２３２）が移動して近くの核に付着する速度に依存し得る。
下部材料の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例
を図３４に示す。具体的には、図３４は、局所的低エネルギー部位（３４１０）から脱出
する吸着原子、露出層表面１１（３４２０）上の吸着原子の拡散、吸着原子（３４３０）
の脱着、に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを示し得る。
を図３４に示す。具体的には、図３４は、局所的低エネルギー部位（３４１０）から脱出
する吸着原子、露出層表面１１（３４２０）上の吸着原子の拡散、吸着原子（３４３０）
の脱着、に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを示し得る。
３４１０において、局所的低エネルギー部位は、下層の露出層表面１１上の任意の部
位であってもよく、その上に吸着原子がより低いエネルギーで存在する。典型的には、核
形成部位は、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得、これには、レッジ、ステ
ップ縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）が含まれるが、
これらに限定されない。
位であってもよく、その上に吸着原子がより低いエネルギーで存在する。典型的には、核
形成部位は、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得、これには、レッジ、ステ
ップ縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）が含まれるが、
これらに限定されない。
基板不均一性の部位は、表面Ｅｄｅｓ３４３１から吸着原子を脱着するために関与す
るエネルギーを増加させ、そのような部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらし
得る。また、表面上の不純物又は夾雑物質も増加しＥｄｅｓ３４３１、核のより高い堆積
密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面上の夾雑物質の
タイプ及び堆積密度は、真空圧力及びその圧力を構成する残留ガスの組成によって影響を
受ける可能性がある。
るエネルギーを増加させ、そのような部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらし
得る。また、表面上の不純物又は夾雑物質も増加しＥｄｅｓ３４３１、核のより高い堆積
密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面上の夾雑物質の
タイプ及び堆積密度は、真空圧力及びその圧力を構成する残留ガスの組成によって影響を
受ける可能性がある。
吸着原子が局所的低エネルギー部位に捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定
的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。このようなエネルギー
障壁は、図３４のΔＥ３４１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、
局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ３４１１が十分に大きい
場合、その部位は核形成部位として作用し得る。
的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。このようなエネルギー
障壁は、図３４のΔＥ３４１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、
局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ３４１１が十分に大きい
場合、その部位は核形成部位として作用し得る。
３４２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。非限定
的な例として、局所化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し
、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長島１
２１及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。
図３４において、吸着原子の表面拡散に関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ３４１１とし
て表すことができる。
的な例として、局所化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し
、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長島１
２１及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。
図３４において、吸着原子の表面拡散に関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ３４１１とし
て表すことができる。
３４３０において、表面からの吸着原子の脱着に関連する活性化エネルギーは、Ｅｄ
ｅｓ３４３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層
表面１１上に残る可能性があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのよう
な吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上に島１２１を形成する吸着
原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又はコーティングの一部とし
て組み込まれ得る。
ｅｓ３４３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層
表面１１上に残る可能性があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのよう
な吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上に島１２１を形成する吸着
原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又はコーティングの一部とし
て組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着するか、又は脱着する、他
の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成する、若しくは成長中の核に付着する前
に、表面上をある程度移動することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面に残り得る
平均時間量は、次式によって与えられ得る。
の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成する、若しくは成長中の核に付着する前
に、表面上をある程度移動することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面に残り得る
平均時間量は、次式によって与えられ得る。
上記の式において、
νは表面上の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはＢｏｔｚｍａｎｎ定数であり、
Ｔは温度である。
νは表面上の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはＢｏｔｚｍａｎｎ定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ３４３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着しやすく
、したがって吸着原子が表面に留まることができる時間が短いことに留意されたい。吸着
原子が拡散できる平均距離は、以下によって与えられ得る。
、したがって吸着原子が表面に留まることができる時間が短いことに留意されたい。吸着
原子が拡散できる平均距離は、以下によって与えられ得る。
式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ３４３１の値が低い場合、及び／又はＥｓ３４２１の値が高い場合、吸着原
子は、脱着する前により短い距離を拡散する可能性があり、したがって、成長する核に付
着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性がより低
くなり得る。
子は、脱着する前により短い距離を拡散する可能性があり、したがって、成長する核に付
着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性がより低
くなり得る。
粒子構造１２１の堆積層の形成の初期段階の間、吸着された吸着原子は相互作用して
粒子構造１２１を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造１２１の臨界濃度は次
式で与えられる。
粒子構造１２１を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造１２１の臨界濃度は次
式で与えられる。
式中、
Ｅｉは、ｉ個の吸着原子を含む臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するために必要
なエネルギーであり、
ｎ０は、吸着部位の総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式によって与えられるモノマー堆積密度である。
式中、
は、蒸気衝突速度である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するた
めの粒子構造１２１の臨界サイズを決定し得る。
めの粒子構造１２１の臨界サイズを決定し得る。
粒子構造１２１を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸
着原子が脱着前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
着原子が脱着前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
臨界核形成速度は、したがって、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
上記の式から、臨界核形成速度は、吸着された吸着原子に対する低い脱着エネルギー
、吸着原子の拡散に対する高い活性化エネルギーを有し、高温であり、及び／又は蒸気衝
突速度を受ける表面に対して抑制され得ることに留意されたい。
、吸着原子の拡散に対する高い活性化エネルギーを有し、高温であり、及び／又は蒸気衝
突速度を受ける表面に対して抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス１２３２（ｃｍ２秒当たり）
は、以下の式によって与えられ得る。
は、以下の式によって与えられ得る。
式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、蒸着中の表面上の夾雑物質
のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ３４３１の増加をもたらし、したがって核のよ
り高い堆積密度をもたらし得る。
のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ３４３１の増加をもたらし、したがって核のよ
り高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成抑制」は、コーティング、材料、及び／又はその層であって、
その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．３未満を含む０に近
くてもよい初期付着確率を示す表面を有することができ、その結果、そのような表面への
堆積材料１２３１の堆積を抑制することができるコーティング、材料、及び／又はその層
を指すことができる。
その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．３未満を含む０に近
くてもよい初期付着確率を示す表面を有することができ、その結果、そのような表面への
堆積材料１２３１の堆積を抑制することができるコーティング、材料、及び／又はその層
を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、コーティング、材料、及び／又はその層であって、
その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．７より大きいことを
含む１に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有し、その結果、そのような表面への堆
積材料１２３１の堆積を容易にすることができるコーティング、材料、及び／又はその層
を指すことができる。
その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．７より大きいことを
含む１に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有し、その結果、そのような表面への堆
積材料１２３１の堆積を容易にすることができるコーティング、材料、及び／又はその層
を指すことができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような核の形状及びサイズ
、並びにそのような核の島１２１へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、限定
はしないが、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を含む様々な要因に
依存し得ると仮定され得る。
、並びにそのような核の島１２１へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、限定
はしないが、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を含む様々な要因に
依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成抑制特性及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料１
２３１の堆積に対する表面の初期付着確率であり得る。
２３１の堆積に対する表面の初期付着確率であり得る。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。
式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残る（すなわち、膜中に取り込まれる）吸着原子の数
である。
Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマー１２３２が吸着され、その
後、成長する膜に組み込まれることを示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突す
る全てのモノマー１２３２が脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを示し
得る。
後、成長する膜に組み込まれることを示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突す
る全てのモノマー１２３２が脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを示し
得る。
Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６
５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含む
がこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の堆
積材料１２３１の付着確率Ｓを評価することができる。
５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含む
がこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の堆
積材料１２３１の付着確率Ｓを評価することができる。
堆積材料１２３１の堆積密度が増加し得る（例えば、平均膜厚が増加する）につれて
、付着確率Ｓが変化し得る。
、付着確率Ｓが変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、任意の著しい数の臨界核の形成前の表面の付着確
率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段
階中の堆積材料１２３１の堆積に対する表面の付着確率Ｓを含むことができ、表面にわた
る堆積材料１２３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明では
、初期付着確率の閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確
率
率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段
階中の堆積材料１２３１の堆積に対する表面の付着確率Ｓを含むことができ、表面にわた
る堆積材料１２３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明では
、初期付着確率の閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確
率
は次のように与えられてもよい。
式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造１２１によって覆われた面積の付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造１２１によって覆われた基板表面の面積の割合である。
非限定的な例として、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加とともに増加し得る。こ
れは、粒子構造１２１を有さない露出層表面１１の面積、非限定的な例として、ベア基板
１０と、高い堆積密度を有する面積との間の付着確率の差に基づいて理解することができ
る。非限定的な例として、粒子構造１２１の表面に衝突し得るモノマー１２３２は、１に
近づき得る付着確率を有し得る。
れは、粒子構造１２１を有さない露出層表面１１の面積、非限定的な例として、ベア基板
１０と、高い堆積密度を有する面積との間の付着確率の差に基づいて理解することができ
る。非限定的な例として、粒子構造１２１の表面に衝突し得るモノマー１２３２は、１に
近づき得る付着確率を有し得る。
図３４に示されるエネルギープロファイル３４１０、３４２０、３４３０に基づいて
、脱着のための比較的低い活性化エネルギーＥｄｅｓ３４３１及び／又は表面拡散のため
の比較的高い活性化エネルギーＥｓ３４２１を示す材料は、パターン化コーティング２１
０として堆積されてもよく、様々な用途での使用に好適であり得ると仮定され得る。
、脱着のための比較的低い活性化エネルギーＥｄｅｓ３４３１及び／又は表面拡散のため
の比較的高い活性化エネルギーＥｓ３４２１を示す材料は、パターン化コーティング２１
０として堆積されてもよく、様々な用途での使用に好適であり得ると仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、
核形成中に存在する様々な界面張力と成長中に存在する様々な界面張力との間の関係は、
毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定され得る。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３５）は、基板１０と蒸気３３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３５）は、堆積材料１２３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３５）は、蒸気３３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
核形成中に存在する様々な界面張力と成長中に存在する様々な界面張力との間の関係は、
毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定され得る。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３５）は、基板１０と蒸気３３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３５）は、堆積材料１２３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３５）は、蒸気３３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３５は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を示し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、島成長の場合、膜核接触角は０を超える
ことができ、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆであることが導き出され得る。
ことができ、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆであることが導き出され得る。
堆積材料１２３１が基板１０を「濡らす」ことができる層成長の場合、核接触角θは
０に等しく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
０に等しく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪
みエネルギーは、蒸気３３２と堆積材料１２３１との間の界面張力に対して大きくなり得
る：γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆ。
みエネルギーは、蒸気３３２と堆積材料１２３１との間の界面張力に対して大きくなり得
る：γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆ。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターン化コーティ
ング２１０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料１２３１の核形成
及び成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従ってもよいと仮定してもよい。
ング２１０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料１２３１の核形成
及び成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従ってもよいと仮定してもよい。
特に、パターン化コーティング２１０が、堆積材料１２３１の堆積に対して、比較的
低い初期付着確率を示し得る場合（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによっ
て記載された二重ＱＣＭ技術で特定された条件下で）、堆積材料１２３１の比較的高い薄
膜接触角が存在し得る。
低い初期付着確率を示し得る場合（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによっ
て記載された二重ＱＣＭ技術で特定された条件下で）、堆積材料１２３１の比較的高い薄
膜接触角が存在し得る。
反対に、非限定的な例として、シャドウマスク１１１５を採用することによって、パ
ターン化コーティング２１０を使用せずに、露出層表面１１上に堆積材料１２３１を選択
的に堆積させることができる場合、そのような堆積材料１２３１の核形成及び成長モード
は異なる可能性がある。特に、シャドウマスク１１１５パターン化プロセスを使用して形
成されたコーティングは、少なくともいくつかの非限定的な例において、約１０°未満の
比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
ターン化コーティング２１０を使用せずに、露出層表面１１上に堆積材料１２３１を選択
的に堆積させることができる場合、そのような堆積材料１２３１の核形成及び成長モード
は異なる可能性がある。特に、シャドウマスク１１１５パターン化プロセスを使用して形
成されたコーティングは、少なくともいくつかの非限定的な例において、約１０°未満の
比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
ここで、いくらか驚くべきことに、いくつかの非限定的な例において、パターン化コ
ーティング２１０（及び／又はそれを含むパターン化材料１１１１）は、比較的低い臨界
表面張力を示し得ることが見出された。
ーティング２１０（及び／又はそれを含むパターン化材料１１１１）は、比較的低い臨界
表面張力を示し得ることが見出された。
当業者であれば、コーティング、層、及び／又はそのようなコーティング及び／又は
層を構成する材料の「表面エネルギー」は、概して、コーティング、層、及び／又は材料
の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデ
ルによれば、表面の臨界表面張力は、そのような表面の表面エネルギーに実質的に対応し
得る。
層を構成する材料の「表面エネルギー」は、概して、コーティング、層、及び／又は材料
の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデ
ルによれば、表面の臨界表面張力は、そのような表面の表面エネルギーに実質的に対応し
得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低
い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で
容易に結晶化するか、又は他の相変態を受ける可能性がある。少なくともいくつかの用途
では、比較的低い温度で容易に結晶化するか又は他の相変態を受ける可能性がある材料は
、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命にとって有害である可能性があ
る。
い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で
容易に結晶化するか、又は他の相変態を受ける可能性がある。少なくともいくつかの用途
では、比較的低い温度で容易に結晶化するか又は他の相変態を受ける可能性がある材料は
、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命にとって有害である可能性があ
る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、ある特定の低エネルギー表面は
、比較的低い初期付着確率を示す場合があり、したがって、パターン化コーティング２１
０を形成するのに適している場合があると仮定してもよい。
、比較的低い初期付着確率を示す場合があり、したがって、パターン化コーティング２１
０を形成するのに適している場合があると仮定してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギ
ー表面については、臨界表面張力は表面エネルギーと正に相関し得ると仮定され得る。非
限定的な例として、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギ
ーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギ
ーを示してもよい。
ー表面については、臨界表面張力は表面エネルギーと正に相関し得ると仮定され得る。非
限定的な例として、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギ
ーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギ
ーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大き
な接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させ、したがって、堆積材料１２３１に対
して低い濡れ特性及び低い初期付着確率を有するそのような表面の可能性を向上させる。
な接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させ、したがって、堆積材料１２３１に対
して低い濡れ特性及び低い初期付着確率を有するそのような表面の可能性を向上させる。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例において、本明細書において、常温常圧（Ｎ
ＴＰ）付近で測定された値に対応してもよく、これは、いくつかの非限定的な例において
、２０℃の温度及び１ａｔｍの絶対圧力に対応してもよい。いくつかの非限定的な例にお
いて、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されているように、Ｚｉｓ
ｍａｎ法に従って決定され得る。
ＴＰ）付近で測定された値に対応してもよく、これは、いくつかの非限定的な例において
、２０℃の温度及び１ａｔｍの絶対圧力に対応してもよい。いくつかの非限定的な例にお
いて、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されているように、Ｚｉｓ
ｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、
約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１７ダイン／ｃｍ、
約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、
又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の臨界表面張力を示し得る。
約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１７ダイン／ｃｍ、
約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、
又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の臨界表面張力を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、
少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ
、及び約１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を示し得る。
少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ
、及び約１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を示し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が公知であり
得ることを理解するであろう。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面
と表面との間の接触角を測定するために様々な液体が固体の表面と接触させられる、接触
角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、
固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面
張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面と
の接触角が０°となる最大表面張力値を決定することができる。表面エネルギーのいくつ
かの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネ
ルギーを決定する際に考慮され得る。非限定的な例として、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論
及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表
面エネルギーは、分散成分及び非分散又は「極性」成分を含んでもよい。
得ることを理解するであろう。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面
と表面との間の接触角を測定するために様々な液体が固体の表面と接触させられる、接触
角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、
固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面
張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面と
の接触角が０°となる最大表面張力値を決定することができる。表面エネルギーのいくつ
かの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネ
ルギーを決定する際に考慮され得る。非限定的な例として、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論
及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表
面エネルギーは、分散成分及び非分散又は「極性」成分を含んでもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、
堆積材料１２３１のコーティングの接触角は、堆積材料１２３１が堆積されるパターン化
コーティング２１０の特性（初期付着確率を含むが、これに限定されない）に少なくとも
部分的に基づいて決定され得ると仮定され得る。したがって、比較的高い接触角を示す堆
積材料１２３１の選択的堆積を可能にするパターン化材料１１１１は、いくつかの利点を
提供することができる。
堆積材料１２３１のコーティングの接触角は、堆積材料１２３１が堆積されるパターン化
コーティング２１０の特性（初期付着確率を含むが、これに限定されない）に少なくとも
部分的に基づいて決定され得ると仮定され得る。したがって、比較的高い接触角を示す堆
積材料１２３１の選択的堆積を可能にするパターン化材料１１１１は、いくつかの利点を
提供することができる。
当業者であれば、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的液滴法並びにペン
ダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解す
るであろう。
ダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解す
るであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３４３１）
は（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度Ｔで）、熱エネルギーの約２倍、約１
．５倍、約１．３倍、約１．２倍、約１．０倍、約０．８倍、又は約０．５倍のうちの少
なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エ
ネルギーＥｓ３４２１は、（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度で）熱エネル
ギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、又は約
１０倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
は（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度Ｔで）、熱エネルギーの約２倍、約１
．５倍、約１．３倍、約１．２倍、約１．０倍、約０．８倍、又は約０．５倍のうちの少
なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エ
ネルギーＥｓ３４２１は、（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度で）熱エネル
ギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、又は約
１０倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下層の露出層表面１１とパター
ン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近での堆積材料１２３１の薄膜核
形成及び成長中に、パターン化コーティング２１０による堆積材料１２３１の固体表面の
核形成の抑制により、堆積材料１２３１の縁部と下層との間に比較的高い接触角が観察さ
れ得ると仮定してもよい。このような核形成抑制特性は、下層、薄膜蒸気及びパターン化
コーティング２１０の間の表面エネルギーの最小化によって駆動され得る。
ン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近での堆積材料１２３１の薄膜核
形成及び成長中に、パターン化コーティング２１０による堆積材料１２３１の固体表面の
核形成の抑制により、堆積材料１２３１の縁部と下層との間に比較的高い接触角が観察さ
れ得ると仮定してもよい。このような核形成抑制特性は、下層、薄膜蒸気及びパターン化
コーティング２１０の間の表面エネルギーの最小化によって駆動され得る。
表面の核形成抑制特性及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ
堆積材料１２３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料１２３１
の初期堆積速度であってもよく、この場合、両方の表面が堆積材料１２３１の蒸発フラッ
クスにさらされ、及び／又は露出される。
堆積材料１２３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料１２３１
の初期堆積速度であってもよく、この場合、両方の表面が堆積材料１２３１の蒸発フラッ
クスにさらされ、及び／又は露出される。
定義
いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバ
イスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは
、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。非限定的
な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュー
ル、及び／又はスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子リーダなどのコンピュ
ーティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はモニタなど
の何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はテ
レビジョンセットであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバ
イスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは
、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例で
は、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。非限定的
な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュー
ル、及び／又はスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子リーダなどのコンピュ
ーティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はモニタなど
の何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はテ
レビジョンセットであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電
力（ＯＰＶ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイ
スは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであってもよ
い。
力（ＯＰＶ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイ
スは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであってもよ
い。
本開示では、特に反対の指示がない限り、ＯＬＥＤデバイスに言及するが、そのよう
な開示は、いくつかの例では、当業者には明らかなように、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイ
スを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ること
を理解されたい。
な開示は、いくつかの例では、当業者には明らかなように、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイ
スを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ること
を理解されたい。
そのようなデバイスの構造は、２つの態様の各々から、すなわち、断面から、及び／
又は横方向（平面図）面から説明することができる。
又は横方向（平面図）面から説明することができる。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配置
されてもよい、上述の側面に対して実質的に垂直に延びる方向規則に従うことができる。
そのような慣例にしたがって、第２の電極は、図示されているデバイスの上部にあっても
よく、（いくつかの例の場合のように、限定するものではないが、少なくとも１つの層を
蒸着プロセスによって導入することができる製造プロセス中を含む）場合であっても、基
板は物理的に反転されてもよく、その結果、層の１つ、例えば、限定されないが、第１の
電極が配置されてもよい上面は、基板の物理的に下にあってもよく、堆積材料（図示せず
）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
されてもよい、上述の側面に対して実質的に垂直に延びる方向規則に従うことができる。
そのような慣例にしたがって、第２の電極は、図示されているデバイスの上部にあっても
よく、（いくつかの例の場合のように、限定するものではないが、少なくとも１つの層を
蒸着プロセスによって導入することができる製造プロセス中を含む）場合であっても、基
板は物理的に反転されてもよく、その結果、層の１つ、例えば、限定されないが、第１の
電極が配置されてもよい上面は、基板の物理的に下にあってもよく、堆積材料（図示せず
）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書において断面を導入するという文脈において、そのようなデバイスの構成要
素は、実質的に平面の横方向層で示され得る。当業者であれば、そのような実質的に平面
的な表現は、例示のみを目的とすることができ、そのようなデバイスの横方向範囲にわた
って、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面的な層が存在してもよく、いくつかの
非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横
方向ギャップ及び更に不連続性を含む）によって分離された層が含まれることを理解する
であろう。したがって、例示目的のために、デバイスは、実質的に層化された構造として
その断面において以下に示され得るが、以下に論じられる平面図態様において、そのよう
なデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを示し得、その各々は、断面に
おいて論じられる層状化されたプロファイルを実質的に示し得る。
素は、実質的に平面の横方向層で示され得る。当業者であれば、そのような実質的に平面
的な表現は、例示のみを目的とすることができ、そのようなデバイスの横方向範囲にわた
って、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面的な層が存在してもよく、いくつかの
非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横
方向ギャップ及び更に不連続性を含む）によって分離された層が含まれることを理解する
であろう。したがって、例示目的のために、デバイスは、実質的に層化された構造として
その断面において以下に示され得るが、以下に論じられる平面図態様において、そのよう
なデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを示し得、その各々は、断面に
おいて論じられる層状化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「階層（strata）」という用語は、同様の概念を
指すために互換的に使用され得る。
指すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、例示に過ぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すもの
ではないことがある。
ではないことがある。
説明を簡単にするために、本開示では、単一層内の複数の要素の組合せは「コロン」
によって示されてもよく、一方、多層コーティング中の複数の層を含む複数の要素（の組
み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのそのような層を区切ることによって示さ
れ得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層の後
及び／又は上に堆積されてもよい。
によって示されてもよく、一方、多層コーティング中の複数の層を含む複数の要素（の組
み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのそのような層を区切ることによって示さ
れ得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層の後
及び／又は上に堆積されてもよい。
説明のために、コーティング、層、及び／又は材料が堆積され得る下部材料の露出層
表面は、堆積時にコーティング、層、及び／又は材料をその上に堆積させるために提示さ
れ得るそのような下部材料の表面であると理解され得る。
表面は、堆積時にコーティング、層、及び／又は材料をその上に堆積させるために提示さ
れ得るそのような下部材料の表面であると理解され得る。
当業者であれば、構成要素、層、領域、及び／又はそれらの一部が、別の下部材料、
構成要素、層、領域、及び／又は部分の上及び／又は上方に「形成される」、「配置され
る」、及び／又は「堆積される」と称される場合、そのような形成、配置、及び／又は堆
積は、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の可能性を伴っ
て、そのような下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配
置、及び／又は堆積の時点での）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であり得ること
を理解するであろう。
構成要素、層、領域、及び／又は部分の上及び／又は上方に「形成される」、「配置され
る」、及び／又は「堆積される」と称される場合、そのような形成、配置、及び／又は堆
積は、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の可能性を伴っ
て、そのような下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配
置、及び／又は堆積の時点での）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であり得ること
を理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なり」という用語は、概して、複数の層及び
／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に延びる断面軸と交差するように配列さ
れた複数の層及び／又は構造を指し得る。
／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に延びる断面軸と交差するように配列さ
れた複数の層及び／又は構造を指し得る。
本開示は、少なくとも１つの層又はコーティングに関して、蒸着に関して薄膜形成を
論じているが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要
素が、限定はしないが、蒸着（限定はしないが、熱蒸着及び／又は電子ビーム蒸着を含む
）、フォトリソグラフィ、印刷（限定はしないが、インクジェット及び／又は蒸気ジェッ
ト印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶ
Ｄ（限定はしないが、スパッタリングを含む）、化学蒸着（chemical vapor deposition
、ＣＶＤ）（限定はしないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ
）、及び／又は有機気相成長（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、
レーザアニーリング、レーザ誘起熱イメージング（laser-induced thermal imaging、Ｌ
ＩＴＩ）パターン化、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、コーティング
（限定はしないが、スピンコーティング、ダイコーティング、ラインコーティング、及び
／又はスプレーコーティングを含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積
プロセス」）を含む多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであ
ろう。
論じているが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要
素が、限定はしないが、蒸着（限定はしないが、熱蒸着及び／又は電子ビーム蒸着を含む
）、フォトリソグラフィ、印刷（限定はしないが、インクジェット及び／又は蒸気ジェッ
ト印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶ
Ｄ（限定はしないが、スパッタリングを含む）、化学蒸着（chemical vapor deposition
、ＣＶＤ）（限定はしないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ
）、及び／又は有機気相成長（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、
レーザアニーリング、レーザ誘起熱イメージング（laser-induced thermal imaging、Ｌ
ＩＴＩ）パターン化、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、コーティング
（限定はしないが、スピンコーティング、ダイコーティング、ラインコーティング、及び
／又はスプレーコーティングを含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積
プロセス」）を含む多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであ
ろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよく、シャドウ
マスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又はコーティングのいずれかの
堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよく、
それに対して露出された下部材料の表面のある特定の部分への堆積材料の堆積をマスキン
グ及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
マスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又はコーティングのいずれかの
堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよく、
それに対して露出された下部材料の表面のある特定の部分への堆積材料の堆積をマスキン
グ及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、加熱することを含むがこれ
に限定されないことによって、源材料が蒸気に変換され、限定はしないが固体状態でター
ゲット表面上に堆積される堆積プロセスを全般的に指すように互換的に使用され得る。理
解されるように、蒸着堆積プロセスは、少なくとも１つの源材料が低圧（真空を含むがこ
れに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくと
も１つの蒸発した源材料の逆昇華を通じてターゲット表面上に堆積されるタイプのＰＶＤ
プロセスであってもよい。源材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することが
でき、したがって、源材料を様々な方法で加熱することができることが当業者には理解さ
れよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及
び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、
加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であって
もよい）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填されてもよい。
に限定されないことによって、源材料が蒸気に変換され、限定はしないが固体状態でター
ゲット表面上に堆積される堆積プロセスを全般的に指すように互換的に使用され得る。理
解されるように、蒸着堆積プロセスは、少なくとも１つの源材料が低圧（真空を含むがこ
れに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくと
も１つの蒸発した源材料の逆昇華を通じてターゲット表面上に堆積されるタイプのＰＶＤ
プロセスであってもよい。源材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することが
でき、したがって、源材料を様々な方法で加熱することができることが当業者には理解さ
れよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及
び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、
加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であって
もよい）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積源材料は混合物であってもよい。いくつかの非限
定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積さ
れなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比
較して比較的少量で堆積されてもよい）。
定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積さ
れなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比
較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚の言及は、その
堆積メカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積材料の量を指すことができ
、これは、言及された層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を覆うための
材料の量に対応する。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、
表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成
するための材料の量に対応し得ることを示し得る。非限定的な例として、上述した薄膜が
形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能性のあるスタッキング又はクラスタ
リングにより、堆積材料の実際の厚さが不均一であり得ることが理解されよう。非限定的
な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有す
る堆積材料１２３１のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料
１２３１の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積材料のある特定の層の厚
さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応
し得る。
堆積メカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積材料の量を指すことができ
、これは、言及された層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を覆うための
材料の量に対応する。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、
表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成
するための材料の量に対応し得ることを示し得る。非限定的な例として、上述した薄膜が
形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能性のあるスタッキング又はクラスタ
リングにより、堆積材料の実際の厚さが不均一であり得ることが理解されよう。非限定的
な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有す
る堆積材料１２３１のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料
１２３１の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積材料のある特定の層の厚
さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応
し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表
面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され
得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指し得る。基準層厚は、ターゲット表面（限定では
ないが、パターン化コーティングの表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示
さなくてもよい。むしろ、基準層厚は、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわ
たって堆積材料の同一の蒸気フラックス１２３２にさらす際に、基準表面、いくつかの非
限定的な例では、堆積速度及び基準層厚を監視するために堆積チャンバ内に位置付けられ
た水晶振動子の表面に堆積される堆積材料の層厚を指すことができる。当業者であれば、
ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合
には、基準層厚さを決定及び／又は監視するために適切なツーリングファクタが使用され
得ることを理解するであろう。
面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され
得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指し得る。基準層厚は、ターゲット表面（限定では
ないが、パターン化コーティングの表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示
さなくてもよい。むしろ、基準層厚は、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわ
たって堆積材料の同一の蒸気フラックス１２３２にさらす際に、基準表面、いくつかの非
限定的な例では、堆積速度及び基準層厚を監視するために堆積チャンバ内に位置付けられ
た水晶振動子の表面に堆積される堆積材料の層厚を指すことができる。当業者であれば、
ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合
には、基準層厚さを決定及び／又は監視するために適切なツーリングファクタが使用され
得ることを理解するであろう。
本開示において、基準堆積速度は、堆積材料の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同
一に位置付けられ、構成された場合に、基準表面上で成長する速度を指すことができる。
一に位置付けられ、構成された場合に、基準表面上で成長する速度を指すことができる。
本開示では、材料のいくつかＸの単層を堆積させることへの言及は、限定ではないが
、閉じたコーティングなどにおいて、露出層表面の所与の面積を材料の構成モノマーのＸ
単層で覆う量の材料を堆積させることを指すことがある。
、閉じたコーティングなどにおいて、露出層表面の所与の面積を材料の構成モノマーのＸ
単層で覆う量の材料を堆積させることを指すことがある。
本開示では、材料の単層の一部分を堆積させることへの言及は、材料の構成モノマー
の単一層で、露出層表面の所与の面積のそのような一部分を覆うような量の材料を堆積さ
せることを指すことがある。当業者であれば、非限定的な例として、モノマーの起こり得
るスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与の面積にわたる堆積材
料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。非限定的な例とし
て、材料の１つの単層を堆積させることは、表面の所与の面積のいくつかの局所領域が材
料によって覆われていないことをもたらし得る一方で、表面の所与の面積の他の局所領域
は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
の単一層で、露出層表面の所与の面積のそのような一部分を覆うような量の材料を堆積さ
せることを指すことがある。当業者であれば、非限定的な例として、モノマーの起こり得
るスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与の面積にわたる堆積材
料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。非限定的な例とし
て、材料の１つの単層を堆積させることは、表面の所与の面積のいくつかの局所領域が材
料によって覆われていないことをもたらし得る一方で、表面の所与の面積の他の局所領域
は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決
定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり
得る場合、材料「を実質的に欠く」、「を実質的に含まない」、及び／又は「が実質的に
覆われていない」とみなされ得る。
定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり
得る場合、材料「を実質的に欠く」、「を実質的に含まない」、及び／又は「が実質的に
覆われていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は互換的に使用され得る。
本開示において、「核形成」という用語は、薄膜形成プロセスの核形成段階を指すこ
とができ、この段階では、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する。
とができ、この段階では、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、用語「パターン化コ
ーティング」及び「パターン化材料」は、同様の概念を指すために交換可能に使用されて
もよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書
のパターン化コーティングへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又
は電極コーティング材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈においてパターン
化材料に適用可能であってもよい。
ーティング」及び「パターン化材料」は、同様の概念を指すために交換可能に使用されて
もよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書
のパターン化コーティングへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又
は電極コーティング材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈においてパターン
化材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターン化コーティン
グ」及び「パターン化材料」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用されて
もよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書
のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極コーティン
グ材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるＮＰＣに適用可能であって
もよい。
グ」及び「パターン化材料」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用されて
もよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書
のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極コーティン
グ材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるＮＰＣに適用可能であって
もよい。
本開示では、パターン化材料は、核形成抑制性又は核形成促進性のいずれかであって
もよいが、文脈上別段の指示がない限り、本明細書におけるパターン化材料への言及は、
ＮＩＣへの言及であることが意図される。
もよいが、文脈上別段の指示がない限り、本明細書におけるパターン化材料への言及は、
ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングへの言及は、本明細書に記載
される特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
される特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性コーティング」、及び「電極コーティング」とい
う用語は、パターン化コーティングの選択的堆積によってパターン化されるという文脈に
おいて、本明細書同様の概念及び堆積層への言及を指すために互換的に使用されてもよく
、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料の選択的堆積によ
ってパターン化されるという文脈において堆積層に適用可能であってもよい。いくつかの
非限定的な例では、電極コーティングへの言及は、本明細書に記載される特定の組成を有
するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、
「導電性コーティング材料」及び「電極コーティング材料」という用語は、本明細書にお
ける同様の概念及び堆積材料への言及を指すために互換的に使用され得る。
う用語は、パターン化コーティングの選択的堆積によってパターン化されるという文脈に
おいて、本明細書同様の概念及び堆積層への言及を指すために互換的に使用されてもよく
、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料の選択的堆積によ
ってパターン化されるという文脈において堆積層に適用可能であってもよい。いくつかの
非限定的な例では、電極コーティングへの言及は、本明細書に記載される特定の組成を有
するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、
「導電性コーティング材料」及び「電極コーティング材料」という用語は、本明細書にお
ける同様の概念及び堆積材料への言及を指すために互換的に使用され得る。
本開示において、有機材料は、限定されないが、多種多様な有機分子、及び／又は有
機ポリマーを含み得ることが、当業者には理解されるであろう。更に、元素及び／又は無
機化合物を含むがこれらに限定されない様々な無機物質でドープされた有機材料も、有機
材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されるであろう。更に、当業者であれば
、様々な有機材料を使用することができ、本明細書に記載のプロセスは、概して、そのよ
うな有機材料の全範囲に適用可能であることを理解するであろう。更に、金属及び／又は
他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることが、当業者には理
解されよう。更に、当業者であれば、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポ
リマーであってもよいことを理解するであろう。
機ポリマーを含み得ることが、当業者には理解されるであろう。更に、元素及び／又は無
機化合物を含むがこれらに限定されない様々な無機物質でドープされた有機材料も、有機
材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されるであろう。更に、当業者であれば
、様々な有機材料を使用することができ、本明細書に記載のプロセスは、概して、そのよ
うな有機材料の全範囲に適用可能であることを理解するであろう。更に、金属及び／又は
他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることが、当業者には理
解されよう。更に、当業者であれば、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポ
リマーであってもよいことを理解するであろう。
本明細書で使用する場合、有機－無機ハイブリッド材料は、全般的に、有機成分と無
機成分の両方を含む材料を指すことができる。いくつかの非限定的な例において、そのよ
うな有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含む有機－無機ハイブリッ
ド化合物を含んでもよい。このような有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例とし
ては、無機骨格が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。こ
のような有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセス
キオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesqu
ioxane、ＰＯＳＳ）基、ホスファゼン基、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含むも
のが挙げられる。
機成分の両方を含む材料を指すことができる。いくつかの非限定的な例において、そのよ
うな有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含む有機－無機ハイブリッ
ド化合物を含んでもよい。このような有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例とし
ては、無機骨格が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。こ
のような有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセス
キオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesqu
ioxane、ＰＯＳＳ）基、ホスファゼン基、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含むも
のが挙げられる。
本開示において、半導体材料は、一般的にバンドギャップを示す材料として説明され
得る。いくつかの非限定的な例では、バンドギャップは、半導体材料の最高占有分子軌道
（highestoccupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（lowest uno
ccupiedmolecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成されてもよい。したがって、半導
体材料は、概して、導電性材料（金属を含むが、これに限定されない）の導電率以下であ
るが、絶縁性材料（ガラスを含むが、これに限定されない）の導電率よりも大きい導電率
を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含むことができる
。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は無機半導体材料を含むことができる。
得る。いくつかの非限定的な例では、バンドギャップは、半導体材料の最高占有分子軌道
（highestoccupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（lowest uno
ccupiedmolecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成されてもよい。したがって、半導
体材料は、概して、導電性材料（金属を含むが、これに限定されない）の導電率以下であ
るが、絶縁性材料（ガラスを含むが、これに限定されない）の導電率よりも大きい導電率
を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含むことができる
。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は無機半導体材料を含むことができる。
本明細書で使用される場合、オリゴマーは、全般的に、少なくとも２つのモノマー単
位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは
、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性
、及び／又は特質を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの態様においてポリマー
と異なっていてもよい。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、
Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４年）、Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅ
ｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）、及びＫｏｂａｙａ
ｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅ
ｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。
位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは
、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性
、及び／又は特質を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの態様においてポリマー
と異なっていてもよい。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、
Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４年）、Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅ
ｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）、及びＫｏｂａｙａ
ｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅ
ｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、互いに化学的に結合して分子を形成し得るモノ
マー単位を含み得る。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによっ
て主に形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が複数の異なるモ
ノマー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少
なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、
環状線状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパタ
ーンで、及び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている複数の異なるモ
ノマー単位を含んでもよい。
マー単位を含み得る。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによっ
て主に形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が複数の異なるモ
ノマー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少
なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、
環状線状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパタ
ーンで、及び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている複数の異なるモ
ノマー単位を含んでもよい。
本開示において、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例において、有
機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用さ
れ得る。
機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用さ
れ得る。
本明細書において、無機材料とは、無機物質を主に含む物質を意味してもよい。本開
示において、無機材料は、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含むがこれらに限定されない
、有機材料であるとみなされない任意の材料を含み得る。
示において、無機材料は、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含むがこれらに限定されない
、有機材料であるとみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」及び「光」という用語は、同様の概念を指す
ために互換的に使用され得る。本開示において、ＥＭ放射線は、可視光スペクトル、赤外
（ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）、近ＩＲ領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ＵＶ）領域
（ＵＶスペクトル）、及び／又はＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎ
ｍの波長範囲に対応し得る）にある波長を有し得る。
ために互換的に使用され得る。本開示において、ＥＭ放射線は、可視光スペクトル、赤外
（ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）、近ＩＲ領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ＵＶ）領域
（ＵＶスペクトル）、及び／又はＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎ
ｍの波長範囲に対応し得る）にある波長を有し得る。
本開示において、本明細書で使用される「可視光スペクトル」という用語は、全般的
に、ＥＭスペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。
に、ＥＭスペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、そのような可視部分は、約３８０～７４０ｎｍの
間の任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～
７２５ｎｍの範囲内の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な
例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６
ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放出波長を有するＥＭ放射線を放出及び／又
は透過するように構成され得る。したがって、そのようなエレクトロルミネセントデバイ
スの文脈において、可視部分は、約４２５～７２５ｎｍの間、又は約４５６～６２４ｎｍ
の間の任意の波長を指すことができる。可視光スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は
、いくつかの非限定的な例では、本明細書において「可視光」とも呼ばれ得る。
間の任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～
７２５ｎｍの範囲内の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な
例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６
ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放出波長を有するＥＭ放射線を放出及び／又
は透過するように構成され得る。したがって、そのようなエレクトロルミネセントデバイ
スの文脈において、可視部分は、約４２５～７２５ｎｍの間、又は約４５６～６２４ｎｍ
の間の任意の波長を指すことができる。可視光スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は
、いくつかの非限定的な例では、本明細書において「可視光」とも呼ばれ得る。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、全般的に
、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非
限定的な例として、発光スペクトルは、非限定的な例として、ある波長範囲にわたるＥＭ
放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出すること
ができる。
、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非
限定的な例として、発光スペクトルは、非限定的な例として、ある波長範囲にわたるＥＭ
放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出すること
ができる。
本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、全般的に、発光スペ
クトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
クトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示において、「ピーク波長」という用語は、本明細書で使用される場合、全般的
に、発光スペクトル内で最大光度が検出される波長を指すことができる。
に、発光スペクトル内で最大光度が検出される波長を指すことができる。
いくつかの非限定的な例では、開始波長はピーク波長未満であってもよい。いくつか
の非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長での光度の約１０％
、約５％、約３％、約１％、約０．５％、約０．１％、又は約０．０１％のうちの少なく
とも１つ以下である波長に対応し得る。
の非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長での光度の約１０％
、約５％、約３％、約１％、約０．５％、約０．１％、又は約０．０１％のうちの少なく
とも１つ以下である波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例において、可視光スペクトルのＲ（赤）部分にある発光スペ
クトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられ
てもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約６２０ｎｍであってもよい。
クトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられ
てもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約６２０ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、可視光スペクトルのＧ（緑）部分にある発光スペ
クトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられ
てもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約５３０ｎｍであってもよい。
クトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられ
てもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約５３０ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＢ（青）部分にある発光スペクト
ルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付け
られてもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであってもよい。
ルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付け
られてもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであってもよい。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペク
トルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指すことがある
。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（near-infrared、ＮＩＲ）サ
ブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ
信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、
約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうち
の少なくとも１つの波長を有してもよい。
トルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指すことがある
。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（near-infrared、ＮＩＲ）サ
ブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ
信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、
約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうち
の少なくとも１つの波長を有してもよい。
本開示において、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概
して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸
収限界」という用語は、全般的に、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指すこ
とがある。いくつかの非限定的な例では、吸収ＥＭ放射線は、吸収された光子のエネルギ
ーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る
。
収限界」という用語は、全般的に、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指すこ
とがある。いくつかの非限定的な例では、吸収ＥＭ放射線は、吸収された光子のエネルギ
ーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る
。
本開示では、本明細書で使用される「消衰係数」という用語は、全般的に、ＥＭ係数
が材料を通って伝搬するときに減衰し得る程度を指すことができる。いくつかの非限定的
な例では、消衰係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの
非限定的な例では、材料の吸光係数は、限定はしないが、偏光解析法を含む様々な方法に
よって測定することができる。
が材料を通って伝搬するときに減衰し得る程度を指すことができる。いくつかの非限定的
な例では、消衰係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの
非限定的な例では、材料の吸光係数は、限定はしないが、偏光解析法を含む様々な方法に
よって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractiveind
ex）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのよ
うな媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示において、特に、薄膜層
及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない実質的に透明な材料の特性を説明
するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し
てもよく、式中、Ｎは複素屈折率を表してもよく、ｋは消衰係数を表してもよい。
ex）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのよ
うな媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示において、特に、薄膜層
及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない実質的に透明な材料の特性を説明
するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し
てもよく、式中、Ｎは複素屈折率を表してもよく、ｋは消衰係数を表してもよい。
当業者には理解されるように、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定
されない実質的に透明な材料は、概して、可視光スペクトルにおいて比較的低い消衰係数
値を示す場合があり、したがって、式の虚数成分は、複素屈折率に対して無視できる寄与
を有する場合がある。一方、例えば金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視光
スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い消衰係数値を示すことがある。し
たがって、そのような薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る
。
されない実質的に透明な材料は、概して、可視光スペクトルにおいて比較的低い消衰係数
値を示す場合があり、したがって、式の虚数成分は、複素屈折率に対して無視できる寄与
を有する場合がある。一方、例えば金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視光
スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い消衰係数値を示すことがある。し
たがって、そのような薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る
。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率に対する特異性を伴わな
い参照は、複素屈折率Ｎの実数部ｎに対する参照であることが意図され得る。
い参照は、複素屈折率Ｎの実数部ｎに対する参照であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間に概して正の相関が存在しても
よく、言い換えれば、屈折率と吸収との間に概して負の相関が存在してもよい。いくつか
の非限定的な例では、物質の吸収端は、消衰係数が０に近づく波長に対応し得る。
よく、言い換えれば、屈折率と吸収との間に概して負の相関が存在してもよい。いくつか
の非限定的な例では、物質の吸収端は、消衰係数が０に近づく波長に対応し得る。
本明細書に記載される屈折率及び／又は消衰係数値は、可視光スペクトル内の波長で
測定されたそのような値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では
、屈折率及び／又は消衰係数値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る
約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び
／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定さ
れた値に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載される屈折率及び／
又は消衰係数の値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応し得る約５８９ｎｍの波長で測
定された値に対応し得る。
測定されたそのような値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では
、屈折率及び／又は消衰係数値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る
約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び
／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定さ
れた値に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載される屈折率及び／
又は消衰係数の値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応し得る約５８９ｎｍの波長で測
定された値に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて
論じられ得る。単に説明を簡単にするために、そのような複合概念は、本明細書では「（
サブ）ピクセル」と呼ばれることがあり、そのような用語は、文脈が別段に指示しない限
り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆す
るものと理解され得る。
論じられ得る。単に説明を簡単にするために、そのような複合概念は、本明細書では「（
サブ）ピクセル」と呼ばれることがあり、そのような用語は、文脈が別段に指示しない限
り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆す
るものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料に
よる表面の被覆率であってもよい。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、ＴＥＭ
、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して評
価することができる。
よる表面の被覆率であってもよい。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、ＴＥＭ
、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して評
価することができる。
本開示では、「粒子」、「島」、及び「クラスタ」という用語は、同様の概念を指す
ために互換的に使用され得る。
ために互換的に使用され得る。
本開示では、説明を簡単にするために、本明細書で使用される「コーティング膜」、
「閉じたコーティング」、及び／又は「閉じた膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は
堆積層に使用される堆積材料のコーティングを指すことができ、表面の関連部分はそれに
よって実質的にコーティングされ、そのような表面はその上に堆積されたコーティング膜
によって、又はそれを介して実質的に露出されない。
「閉じたコーティング」、及び／又は「閉じた膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は
堆積層に使用される堆積材料のコーティングを指すことができ、表面の関連部分はそれに
よって実質的にコーティングされ、そのような表面はその上に堆積されたコーティング膜
によって、又はそれを介して実質的に露出されない。
本開示において、文脈がそうでないことを指示しない限り、薄膜への特定性のない言
及は、実質的に閉じたコーティングへの言及であることが意図され得る。
及は、実質的に閉じたコーティングへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉じたコーティングは、
いくつかの非限定的な例では、下層表面の一部を覆うように配置されてもよく、そのよう
な部分内で、その中の下層表面の約４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、
５％、３％、又は１％のうちの少なくとも１つ以下が、閉じたコーティングによって、又
は閉じたコーティングを通して露出されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、下層表面の一部を覆うように配置されてもよく、そのよう
な部分内で、その中の下層表面の約４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、
５％、３％、又は１％のうちの少なくとも１つ以下が、閉じたコーティングによって、又
は閉じたコーティングを通して露出されてもよい。
当業者であれば、閉じたコーティングは、閉じたコーティングの堆積後に露出される
下層表面の露出層表面の一部を意図的に残すために、本明細書に記載されるものを含むが
これらに限定されない、様々な技術及びプロセスを使用してパターン化され得ることを理
解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な例として、そのようなパ
ターン化の文脈において、下層表面の露出層表面のそのような意図的に露出された部分の
間に堆積された薄膜及び／又はコーティングが、それ自体実質的に閉じたコーティングを
含む場合、そのようなパターン化された膜は、閉じたコーティングを構成すると考えられ
得る。
下層表面の露出層表面の一部を意図的に残すために、本明細書に記載されるものを含むが
これらに限定されない、様々な技術及びプロセスを使用してパターン化され得ることを理
解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な例として、そのようなパ
ターン化の文脈において、下層表面の露出層表面のそのような意図的に露出された部分の
間に堆積された薄膜及び／又はコーティングが、それ自体実質的に閉じたコーティングを
含む場合、そのようなパターン化された膜は、閉じたコーティングを構成すると考えられ
得る。
当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、
堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下部材料の露出層表面のいずれ
か又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを含むがこれら
に限定されない様々な技術及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、
ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口部の形成
をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な
例として、堆積された薄膜及び／又はコーティングが閉じたコーティングを実質的に含み
、そのような開口部の存在にもかかわらず、提示された任意の指定された被覆率基準を満
たす場合、そのような薄膜は閉じたコーティングを構成すると考えられ得る。
堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下部材料の露出層表面のいずれ
か又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを含むがこれら
に限定されない様々な技術及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、
ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口部の形成
をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な
例として、堆積された薄膜及び／又はコーティングが閉じたコーティングを実質的に含み
、そのような開口部の存在にもかかわらず、提示された任意の指定された被覆率基準を満
たす場合、そのような薄膜は閉じたコーティングを構成すると考えられ得る。
本開示では、説明を簡単にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用
語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又はコーティングを指すことができ、そ
れによってコーティングされる表面の関連部分は、そのような材料を実質的に欠くことも
なく、又はその閉じたコーティングを形成することもない。いくつかの非限定的な例では
、堆積材料の不連続層は、そのような表面上に配置された複数の別個の島として現れ得る
。
語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又はコーティングを指すことができ、そ
れによってコーティングされる表面の関連部分は、そのような材料を実質的に欠くことも
なく、又はその閉じたコーティングを形成することもない。いくつかの非限定的な例では
、堆積材料の不連続層は、そのような表面上に配置された複数の別個の島として現れ得る
。
本開示では、説明を簡単にするために、閉じたコーティングが形成された段階に（ま
だ）達していない、下部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果を、「中間段
階層」と呼ぶことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような中間段階層は、堆積
プロセスが完了していないことを反映してもよく、そのような中間段階層は、閉じたコー
ティングの形成の中間段階とみなされてもよい。いくつかの非限定的な例では、中間段階
層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終
段階を構成してもよい。
だ）達していない、下部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果を、「中間段
階層」と呼ぶことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような中間段階層は、堆積
プロセスが完了していないことを反映してもよく、そのような中間段階層は、閉じたコー
ティングの形成の中間段階とみなされてもよい。いくつかの非限定的な例では、中間段階
層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終
段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似していても
よいが、少なくとも１つの樹状突起及び／又は少なくとも１つの樹状凹部を含むがこれら
に限定されない開口部及び／又はギャップを表面被覆度に有していてもよい。いくつかの
非限定的な例では、そのような中間段階層は、閉じたコーティングを形成しないように、
堆積材料の単一の単層の一部を含んでもよい。
よいが、少なくとも１つの樹状突起及び／又は少なくとも１つの樹状凹部を含むがこれら
に限定されない開口部及び／又はギャップを表面被覆度に有していてもよい。いくつかの
非限定的な例では、そのような中間段階層は、閉じたコーティングを形成しないように、
堆積材料の単一の単層の一部を含んでもよい。
本開示では、説明を簡単にするために、堆積層を含むがこれに限定されない、コーテ
ィングに関する「樹状」という用語は、側面から見たときに分岐構造に似ている特徴を指
すことができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹状突起及び／又は樹状凹部
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、樹状突起は、物理的に接続されて実
質的に外向きに延びる複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、樹状凹部は、ギャップ、開口部、及び／又は物理的に接続
され、実質的に外向きに延びる堆積層の覆われていない部分の分岐構造に対応し得る。い
くつかの非限定的な例では、樹状凹部は、樹状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆
パターンを含むがこれらに限定されないものに対応し得る。いくつかの非限定的な例では
、樹状突起及び／又は樹状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は
交互嵌合構造を呈する及び／又は模倣する構成を有してもよい。
ィングに関する「樹状」という用語は、側面から見たときに分岐構造に似ている特徴を指
すことができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹状突起及び／又は樹状凹部
を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、樹状突起は、物理的に接続されて実
質的に外向きに延びる複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、樹状凹部は、ギャップ、開口部、及び／又は物理的に接続
され、実質的に外向きに延びる堆積層の覆われていない部分の分岐構造に対応し得る。い
くつかの非限定的な例では、樹状凹部は、樹状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆
パターンを含むがこれらに限定されないものに対応し得る。いくつかの非限定的な例では
、樹状突起及び／又は樹状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は
交互嵌合構造を呈する及び／又は模倣する構成を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、そのような構成要素、層、及び／又は
部分を通過する電流の特質を変化させ得る構成要素、層、及び／又は部分の特性であり得
る。いくつかの非限定的な例では、コーティングのシート抵抗は、概して、デバイスの他
の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定及び／又は決定されたコーティングの
特徴的なシート抵抗に対応し得る。
部分を通過する電流の特質を変化させ得る構成要素、層、及び／又は部分の特性であり得
る。いくつかの非限定的な例では、コーティングのシート抵抗は、概して、デバイスの他
の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定及び／又は決定されたコーティングの
特徴的なシート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、領域内の分布を指してもよく、いくつかの非限定的な例で
は、その中に堆積材料の面積及び／又は体積を含んでもよい。当業者であれば、そのよう
な堆積密度は、そのような堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無
関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を
除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、面積内の少なくとも１つの粒子を含むがこれ
に限定されないそのような堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
は、その中に堆積材料の面積及び／又は体積を含んでもよい。当業者であれば、そのよう
な堆積密度は、そのような堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無
関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を
除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、面積内の少なくとも１つの粒子を含むがこれ
に限定されないそのような堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一原子
によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタル
ピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒ
ａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含む
がこれに限定されない、既知の文献に基づいて決定され得る。
によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタル
ピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒ
ａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含む
がこれに限定されない、既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、
ある特定の表面上への堆積層の堆積を容易にすることができると仮定される。
ある特定の表面上への堆積層の堆積を容易にすることができると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに適した材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属を含むがこれらに限定されない、金属、金属フ
ッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンのうちの少なくとも１つを含んでもよいがこ
れらに限定されない。
属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属を含むがこれらに限定されない、金属、金属フ
ッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンのうちの少なくとも１つを含んでもよいがこ
れらに限定されない。
そのような材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｚｎ
Ｏ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、及び／又は
フッ化セシウム（ＣｓＦ）を含んでもよい。
Ｏ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、及び／又は
フッ化セシウム（ＣｓＦ）を含んでもよい。
本明細書において、用語「フラーレン（fullerene）」は、概して、炭素分子を含む
材料を意味してもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成す
る複数の炭素原子を含む三次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が挙
げられ、これは、形状が球状及び／又は半球状であってもよいがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎと表されてもよく、ここでｎはフラ
ーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であってもよい。フラー
レン分子の非限定的な例としては、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、
Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などＣｎ（式中、ｎは５０～２５０の範囲であり得る）が挙
げられるが、これらに限定されない。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単
層カーボンナノチューブ及び／又は多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定され
ない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
材料を意味してもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成す
る複数の炭素原子を含む三次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が挙
げられ、これは、形状が球状及び／又は半球状であってもよいがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎと表されてもよく、ここでｎはフラ
ーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であってもよい。フラー
レン分子の非限定的な例としては、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、
Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などＣｎ（式中、ｎは５０～２５０の範囲であり得る）が挙
げられるが、これらに限定されない。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単
層カーボンナノチューブ及び／又は多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定され
ない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に論じられるように、フラーレン、Ａ
ｇ及び／若しくはＹｂを含むがこれらに限定されない金属、並びに／又はＩＴＯ及び／若
しくはＩＺＯを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むがこれらに限定されない核
形成促進材料は、Ｍｇを含むがこれらに限定されない堆積層の堆積のための核形成部位と
して作用し得ると仮定され得る。
ｇ及び／若しくはＹｂを含むがこれらに限定されない金属、並びに／又はＩＴＯ及び／若
しくはＩＺＯを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むがこれらに限定されない核
形成促進材料は、Ｍｇを含むがこれらに限定されない堆積層の堆積のための核形成部位と
して作用し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するために使用するのに適した材料は、
少なくとも約０．４、約０．５、約０．６、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９
、約０．９３、約０．９５、約０．９８、又は約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積
層の材料に対する初期付着確率を示すか又は有するものとして特徴付けられるものを含み
得る。
少なくとも約０．４、約０．５、約０．６、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９
、約０．９３、約０．９５、約０．９８、又は約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積
層の材料に対する初期付着確率を示すか又は有するものとして特徴付けられるものを含み
得る。
非限定的な例として、フラーレン処理された表面上に蒸着プロセスを非限定的に使用
してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例において、フラーレン分子
は、Ｍｇ堆積のための安定な核の形成を促進し得る核形成部位として作用し得る。
してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例において、フラーレン分子
は、Ｍｇ堆積のための安定な核の形成を促進し得る核形成部位として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単層
のみが、Ｍｇの堆積のための核形成部位として作用するように、処理された表面上に提供
され得る。
のみが、Ｍｇの堆積のための核形成部位として作用するように、処理された表面上に提供
され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣのいくつかの単層をその上に堆積させることに
よって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確
率をもたらし得る。
よって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確
率をもたらし得る。
当業者であれば、フラーレンを含むがこれに限定されない、表面上に堆積される材料
の量は、単層より多くても少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として
、そのような表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、１、１０、
又はそれを上回る単層のうちの少なくとも１つを堆積させることによって処理されてもよ
い。
の量は、単層より多くても少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として
、そのような表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、１、１０、
又はそれを上回る単層のうちの少なくとも１つを堆積させることによって処理されてもよ
い。
いくつかの非限定的な例では、下部材料の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層
厚は、約１～５ｎｍ又は約１～３ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
厚は、約１～５ｎｍ又は約１～３ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して説明され得る場合、本開示は
また、それによって、そのようなマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意
の個々のメンバーに関して説明され得ることが、当業者によって理解されるであろう。
また、それによって、そのようなマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意
の個々のメンバーに関して説明され得ることが、当業者によって理解されるであろう。
専門用語
別段の記載がない限り、単数形の参照には複数形が含まれてもよく、逆もまた同様で
ある。
別段の記載がない限り、単数形の参照には複数形が含まれてもよく、逆もまた同様で
ある。
本明細書で使用される場合、「第１」及び「第２」などの関係用語、並びに「ａ」、
「ｂ」などの番号を付したデバイスは、１つの実体又は要素を別の実体又は要素から区別
するためだけに使用されてもよく、そのような実体又は要素間の任意の物理的又は論理的
関係又は順序を必ずしも必要又は暗示するものではない。
「ｂ」などの番号を付したデバイスは、１つの実体又は要素を別の実体又は要素から区別
するためだけに使用されてもよく、そのような実体又は要素間の任意の物理的又は論理的
関係又は順序を必ずしも必要又は暗示するものではない。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、広範かつオー
プンエンド様式に使用されてもよく、したがって、「含むが、～に限定されない」ことを
意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」とい
う用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用されてもよく、本発明の範囲を述
べられた事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的」という用
語は、それが使用される表現に対して、設計、性能、又はその他の点に関して、何らかの
賞賛、有益、又は他の品質を示す又は付与するものと解釈されるべきではない。
プンエンド様式に使用されてもよく、したがって、「含むが、～に限定されない」ことを
意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」とい
う用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用されてもよく、本発明の範囲を述
べられた事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的」という用
語は、それが使用される表現に対して、設計、性能、又はその他の点に関して、何らかの
賞賛、有益、又は他の品質を示す又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」
、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表
面張力」という表現で使用される場合、何らかの品質、特性、又は現象が明確な変化を受
ける測定値又は点に関するもの、又はその状態にあるものを含む、当業者によく知られて
いる用語であり得る。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点
であるかどうかにかかわらず、それが使用される表現に対して何らかの意義又は重要性を
示す又は与えると解釈されるべきではない。
、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表
面張力」という表現で使用される場合、何らかの品質、特性、又は現象が明確な変化を受
ける測定値又は点に関するもの、又はその状態にあるものを含む、当業者によく知られて
いる用語であり得る。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点
であるかどうかにかかわらず、それが使用される表現に対して何らかの意義又は重要性を
示す又は与えると解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的
、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要
素、又は接続を介する直接接続又は間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要
素、又は接続を介する直接接続又は間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素に関して使用される場合の「上に（on）」若し
くは「上方に（over）」という用語、及び／又は別の構成要素を「覆う（covering）」若
しくは「覆う（covers）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある
（限定はしないが、他の構成要素と物理的に接触していることを含む）状況、並びに少な
くとも１つの介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置付けられる
場合を包含し得る。
くは「上方に（over）」という用語、及び／又は別の構成要素を「覆う（covering）」若
しくは「覆う（covers）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある
（限定はしないが、他の構成要素と物理的に接触していることを含む）状況、並びに少な
くとも１つの介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置付けられる
場合を包含し得る。
「上向き」、「下向き」、「左」及び「右」などの方向を示す用語は、別段の記載が
ない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き」
及び「外向き」などの語は、それぞれ、デバイス、面積若しくは体積又はそれらの指定さ
れた部分の幾何学的中心に向かう方向及びそこから離れる方向を指すために使用され得る
。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、ある特定の例を例示する目的の例としての
み意図され得、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定
することは意図され得ない。
ない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き」
及び「外向き」などの語は、それぞれ、デバイス、面積若しくは体積又はそれらの指定さ
れた部分の幾何学的中心に向かう方向及びそこから離れる方向を指すために使用され得る
。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、ある特定の例を例示する目的の例としての
み意図され得、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定
することは意図され得ない。
本明細書で使用される場合、「実質的に」、「実質的な」、「およそ（approximatel
y）」、及び／又は「約（about）」という用語は、小さな変動を示し、考慮するために使
用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、そのような用語は、事象又は状況が
正確に発生する場合、並びに事象又は状況が近似的に発生する場合を指し得る。非限定的
な例として、数値と併せて使用される場合、そのような用語は、約±５％、約±４％、約
±３％、約±２％、約±１％、約±０．５％、約±０．１％、又は約±０．０５％のうち
の少なくとも１つ以下など、そのような数値の約±１０％以下の変動範囲を指し得る。
y）」、及び／又は「約（about）」という用語は、小さな変動を示し、考慮するために使
用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、そのような用語は、事象又は状況が
正確に発生する場合、並びに事象又は状況が近似的に発生する場合を指し得る。非限定的
な例として、数値と併せて使用される場合、そのような用語は、約±５％、約±４％、約
±３％、約±２％、約±１％、約±０．５％、約±０．１％、又は約±０．０５％のうち
の少なくとも１つ以下など、そのような数値の約±１０％以下の変動範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙され
た要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特質に実質的に影響を及ぼさない任意の
追加の要素を含むと理解され得るが、いかなる修飾語も使用しない句「からなる」は、具
体的に列挙されていない任意の追加の要素を除外し得る。
た要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特質に実質的に影響を及ぼさない任意の
追加の要素を含むと理解され得るが、いかなる修飾語も使用しない句「からなる」は、具
体的に列挙されていない任意の追加の要素を除外し得る。
当業者によって理解されるように、ありとあらゆる目的のために、特に書面による説
明を提供するという観点から、本明細書に開示される全ての範囲はまた、ありとあらゆる
可能な部分範囲、及び／又はその部分範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された
範囲は、同じ範囲が、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含む
がこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に
説明し、かつ／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本
明細書で論じられる各範囲は、下３分の１、中３分の１、及び／又は上３分の１などに容
易に分割し得る。
明を提供するという観点から、本明細書に開示される全ての範囲はまた、ありとあらゆる
可能な部分範囲、及び／又はその部分範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された
範囲は、同じ範囲が、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含む
がこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に
説明し、かつ／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本
明細書で論じられる各範囲は、下３分の１、中３分の１、及び／又は上３分の１などに容
易に分割し得る。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい
」、「以下」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙された範囲を含み、及び／又はそ
れらを指してもよく、本明細書で論じられるように、その後部分範囲に分割され得る範囲
を指してもよい。
」、「以下」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙された範囲を含み、及び／又はそ
れらを指してもよく、本明細書で論じられるように、その後部分範囲に分割され得る範囲
を指してもよい。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含
み得る。
み得る。
概要
要約書の目的は、関連する特許庁又は一般利用者、具体的には、特許又は法律の用語
又は言い回しに精通していない当業者が、一瞥して、技術的開示の性質を迅速に判断でき
るようにすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく
、本開示の範囲に関して何らかの形で限定することを意図するものでもない。
要約書の目的は、関連する特許庁又は一般利用者、具体的には、特許又は法律の用語
又は言い回しに精通していない当業者が、一瞥して、技術的開示の性質を迅速に判断でき
るようにすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく
、本開示の範囲に関して何らかの形で限定することを意図するものでもない。
ここに開示された実施例の構造、製造及び使用は、上記で議論されている。説明され
る特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる
例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載される一般
原理は、本開示の範囲の単なる例示である。
る特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる
例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載される一般
原理は、本開示の範囲の単なる例示である。
提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追
加、又は置換することによって、かつ／あるいは代替物及び／又は均等物の機能的要素を
有する任意の要素及び／又は限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細
書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書
に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な
文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。
加、又は置換することによって、かつ／あるいは代替物及び／又は均等物の機能的要素を
有する任意の要素及び／又は限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細
書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書
に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な
文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。
特に、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて説明及び図示された特徴、技術、シ
ステム、サブシステム、及び方法は、別個又は別々のものとして説明及び図示されている
か否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わ
せるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的
組み合わせから構成される代替的な例を作成することができ、又はある特定の特徴を省略
するか又は実装しないことができる。そのような組合せ及び部分組合せに適した特徴は、
本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、及び変更
の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される精神及び範囲から逸脱するこ
となく行われ得る。
ステム、サブシステム、及び方法は、別個又は別々のものとして説明及び図示されている
か否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わ
せるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的
組み合わせから構成される代替的な例を作成することができ、又はある特定の特徴を省略
するか又は実装しないことができる。そのような組合せ及び部分組合せに適した特徴は、
本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、及び変更
の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される精神及び範囲から逸脱するこ
となく行われ得る。
本開示の原理、態様、及び実施例、並びにそれらの具体例を列挙する本明細書におけ
る全ての記述は、それらの構造的均等物及び機能的均等物の両方を包含し、技術における
全ての適切な変更を包含及び包含することが意図されている。追加として、そのような均
等物は、現在知られている均等物及び将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわら
ず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図されている。
る全ての記述は、それらの構造的均等物及び機能的均等物の両方を包含し、技術における
全ての適切な変更を包含及び包含することが意図されている。追加として、そのような均
等物は、現在知られている均等物及び将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわら
ず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図されている。
条項
本開示は、以下の条項を含むが、これらに限定されない。
本開示は、以下の条項を含むが、これらに限定されない。
パターン化コーティングがパターン化材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項
に記載のデバイス。
に記載のデバイス。
パターン化コーティングの堆積材料の堆積に対する初期付着確率は、露出層表面の堆
積材料の堆積に対する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
積材料の堆積に対する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．９、
約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約
０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約
０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくと
も１つ以下である、堆積材料の堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくと
も１つの条項に記載のデバイス。
約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約
０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約
０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくと
も１つ以下である、堆積材料の堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくと
も１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．９、
約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約
０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約
０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくと
も１つ以下である、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの堆積
に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約
０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約
０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくと
も１つ以下である、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの堆積
に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つは、約０．１５
～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０
．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０
００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００
１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．
０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０
２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０
．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００
３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、
約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０
．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、
約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、
約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００
８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料の堆積に対する初
期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０
．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０
００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００
１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．
０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０
２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０
．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００
３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、
約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０
．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、
約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、
約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００
８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料の堆積に対する初
期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．３、
約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、
約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、及
び約０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料の堆積に対する
初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、
約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、及
び約０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料の堆積に対する
初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、Ａｇ、Ｍｇ
、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも
１つの堆積に対する初期付着確率が閾値以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも
１つの堆積に対する初期付着確率が閾値以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料の堆積に対する第１の閾値と、第２の堆積材料の堆積に対す
る第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
る第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＭｇである、本明細書の少なくとも
１つの条項に記載のデバイス。
１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＹｂである、本明細書の少なくとも
１つの条項に記載のデバイス。
１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＹｂであり、第２の堆積材料はＭｇである、本明細書の少なくとも
１つの条項に記載のデバイス。
１つの条項に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバ
イス。
イス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つは、堆積材料の
蒸気フラックス１２３２にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対す
る透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
蒸気フラックス１２３２にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対す
る透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視光スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１
つの条項に記載のデバイス。
つの条項に記載のデバイス。
閾値透過率値は、それを通して透過される入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、６
５％、７０％、７５％、８０％、８５％、及び９０％のうちの少なくとも１つである、本
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
５％、７０％、７５％、８０％、８５％、及び９０％のうちの少なくとも１つである、本
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約２４ダイ
ン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイ
ン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１１
ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有する、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
ン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイ
ン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１１
ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有する、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、少なくとも
約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、及び約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つで
ある表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、及び約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つで
ある表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約１０～２
０ダイン／ｃｍ及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネル
ギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
０ダイン／ｃｍ及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネル
ギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、５５０ｎｍ
の波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．４５、約１．４３、約１．
４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、及び約１．３のうちの少なくと
も１つ以下である屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．４５、約１．４３、約１．
４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、及び約１．３のうちの少なくと
も１つ以下である屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約６００ｎ
ｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも
１つを超える波長の光子に対して約０．０１以下である消衰係数を有する、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも
１つを超える波長の光子に対して約０．０１以下である消衰係数を有する、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料の少なくとも１つが、少なくとも約４０
０ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも
短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、約０．５
のうちの少なくとも１つである消衰係数を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
０ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも
短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、約０．５
のうちの少なくとも１つである消衰係数を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約３００℃
、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、及び約－５０℃のうちの少
なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、及び約－５０℃のうちの少
なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
パターン化材料は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃
、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、フッ素原子
及びシリコン原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
及びシリコン原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
パターン化コーティングは、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
項に記載のデバイス。
フッ素を炭素で割った商の原子比が、約１、約１．５、及び約２のうちの少なくとも
１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングがオリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
載のデバイス。
パターン化コーティングが、骨格及びそれに結合した少なくとも１つの官能基を含有
する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
化合物が、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、
フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体の
うちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体の
うちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
化合物の分子量が、約５，０００ｇ／ｍｏｌ、約４，５００ｇ／ｍｏｌ、約４，００
０ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくと
も１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
０ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくと
も１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０
００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍ
ｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約
２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの
少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約
２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの
少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合が、約４０～９０％、約４５～
８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つ
である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つ
である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フッ素原子が化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
項に記載のデバイス。
パターン化材料が有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料のための少なくとも１つの核形成部位を有する
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料のための核形成部位として作用するシード材料
で補足される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
で補足される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進コーティング（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環芳香族化合
物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１
つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１
つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、光学コーティングとして作用する、本明細書の少なくと
も１つの条項に記載のデバイス。
も１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、デバイスによって放出されるＥＭ放射線の特性及び特質
のうちの少なくとも１つを調整する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
のうちの少なくとも１つを調整する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
パターン化コーティングは、結晶材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
載のデバイス。
パターン化コーティングは、非結晶材料として堆積され、堆積後に結晶化される、本
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（
Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ
）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素
を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ
）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素
を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純Ａｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９
９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純Ｍｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９
９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料が合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくと
も１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
も１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）から約１０：１の範囲の合金
組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１
つの条項に記載のデバイス。
つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属が、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
とも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明
細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバ
イス。
イス。
堆積材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
項に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．
０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％
のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％
のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０
１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％
、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有する、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％
、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有する、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料のための核形成部位として作用する、本明細書の
少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料及び下層は、共通の金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
デバイス。
堆積層は、堆積材料の複数の層を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
バイス。
複数の層のうちの第１の層の堆積材料は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料と異
なる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
なる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層が多層コーティングを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイ
ス。
ス。
多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａ
ｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ、約２００ｋＪ／ｍｏｌ、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ
、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、及び約２０ｋＪ
／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、及び約２０ｋＪ
／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、約１．４、約１．３、及び約１．２のうちの少なくとも１つ以下の電気
陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□、約５Ω／□、約１Ω／□、約０．５Ω／□、
約０．２Ω／□、約０．１Ω／□のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
約０．２Ω／□、約０．１Ω／□のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、その閉じたコーティングが実質的に欠く少なくとも１つの領域によって画
定されたパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
定されたパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の別個の断片に分離する、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも２つの別個の断片が電気的に結合されている、本明細書の少なくとも１つ
の条項に記載のデバイス。
の条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング縁部によって画定される境界を
有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域とパ
ターン化コーティング非遷移部分とを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
ターン化コーティング非遷移部分とを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域は、最大厚さから低減した厚さに
遷移する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
遷移する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域は、パターン化コーティング非遷
移部とパターン化コーティング縁部との間に延びる、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
移部とパターン化コーティング縁部との間に延びる、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング非遷移部分において、約１～１
００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～
１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある平均膜厚を有する、
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～
１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある平均膜厚を有する、
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移部分におけるパターン化コーティングの厚さは、ＮＩ
Ｃの平均膜厚の約９５％及び９０％のうちの少なくとも１つの範囲内である、本明細書の
少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
Ｃの平均膜厚の約９５％及び９０％のうちの少なくとも１つの範囲内である、本明細書の
少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３０ｎｍ、約２
０ｎｍ、約１５ｎｍ、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
０ｎｍ、約１５ｎｍ、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイ
ス。
ス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング遷移領域内で最大から最小に減
少するパターン化コーティング厚さを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
少するパターン化コーティング厚さを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
最大値は、パターン化コーティング遷移領域とパターン化コーティング非遷移部分と
の間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均
膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値は、パターン化コーティング縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つ
の条項に記載のデバイス。
の条項に記載のデバイス。
最小値が約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
のデバイス。
パターン化コーティング厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ状になってい
る、及び勾配によって画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
る、及び勾配によって画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
テーパ状プロファイルは、線形、非線形、放物線状、及び指数関数的減衰プロファイ
ルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移領域の横軸に沿った非遷移幅は、パターン化コーティ
ング遷移領域の横軸に沿った遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
ング遷移領域の横軸に沿った遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
非遷移幅を遷移幅で割った商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１０
０、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，
０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１
つの条項に記載のデバイス。
０、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，
０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１
つの条項に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下層の平均膜厚を超える、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターン化コーティングの平均膜厚
を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
下層の平均膜厚はパターン化コーティングの平均膜厚を超える、本明細書の少なくと
も１つの条項に記載のデバイス。
も１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つ
の条項に記載のデバイス。
の条項に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域及び堆積層非遷移部分を含む、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから低減した厚さに遷移する、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部分と堆積層縁部との間に延びる
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層非遷移部分において、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５
～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲
にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲
にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを
超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚は、それにわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの条項
に記載のデバイス。
に記載のデバイス。
平均膜厚は、下層の平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
バイス。
堆積層の平均膜厚を下層の平均膜厚で割った商は、少なくとも約１．５、約２、約５
、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少
なくとも１つの条項に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターン化コーティングの平均膜厚を超える、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
くとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚をパターン化コーティングの平均膜厚で割った商は、少なくとも約
１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つで
ある、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つで
ある、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の横軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターン化コーティング非遷移部
の軸に沿ったパターン化コーティング非遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
の軸に沿ったパターン化コーティング非遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移幅を堆積層非遷移幅で割った商は、約０．１～１０、
約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅をパターン化コーティング非遷移幅で割った商は、少なくとも１、２
、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載の
デバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
記載のデバイス。
堆積層非遷移幅を平均膜厚で割った商は、少なくとも約１０、約５０、約１００、及
び約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
び約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
商は約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイ
ス。
ス。
堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小に減少する堆積層厚を有する、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部分との間の境界に近接している、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値は、堆積層縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
バイス。
最小値が約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
のデバイス。
最小値が平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ状である、及び勾配によって
画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
テーパ状プロファイルは、線形、非線形、放物線状、及び指数関数的減衰プロファイ
ルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を含む、本明細書の少なくと
も１つの条項に記載のデバイス。
も１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターン化コーティングと重なる、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
とも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、重なり部分において堆積層と重なる、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
とも１つの条項に記載のデバイス。
下層の露出層表面上に配置された少なくとも１つの粒子構造を更に備える、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
下層がパターン化コーティングである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデ
バイス。
バイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に
記載のデバイス。
記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料と同じである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバ
イス。
イス。
粒子材料、堆積材料、及び下層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通の金
属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（
Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ
）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素
を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ
）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素
を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料が、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、純Ａｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９
９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、純Ｍｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９
９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有す
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくと
も１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
も１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）から約１０：１の範囲の合金
組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１
つの条項に記載のデバイス。
つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属が、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
とも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明
細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバ
イス。
イス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少な
くとも１つの条項に記載のデバイス。
くとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
項に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．
０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％
のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％
のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス
。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約
０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約
０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組
成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約
０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組
成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子が、デバイス内のパターン化コーティングと少なくとも１つの
被覆層との間の界面に配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイ
ス。
被覆層との間の界面に配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイ
ス。
少なくとも１つの粒子がパターン化コーティングの露出層表面と物理的に接触してい
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
る、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性が、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構
成、堆積密度、及び分散度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子
構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
成、堆積密度、及び分散度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子
構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性が、パターン化材料の少なくとも
１つの特質、パターン化コーティングの平均膜厚、パターン化コーティングにおける少な
くとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのう
ちの少なくとも１つから選択されるパターン化コーティングの堆積環境のうちの少なくと
も１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
１つの特質、パターン化コーティングの平均膜厚、パターン化コーティングにおける少な
くとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのう
ちの少なくとも１つから選択されるパターン化コーティングの堆積環境のうちの少なくと
も１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特質が、粒子材料の少なくとも１つの
特性、パターン化コーティングが粒子材料の堆積に露出される程度、不連続層の厚さ、並
びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選
択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
特性、パターン化コーティングが粒子材料の堆積に露出される程度、不連続層の厚さ、並
びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選
択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細
書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造体が不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
項に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域
によって画定されるパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
によって画定されるパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載
のデバイス。
不連続層の特質が、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆度、堆積分
布、分散度、凝集事例の存在、及びそのような凝集事例の程度のうちの少なくとも１つか
ら選択される少なくとも１つの基準に従った評価によって決定される、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
布、分散度、凝集事例の存在、及びそのような凝集事例の程度のうちの少なくとも１つか
ら選択される少なくとも１つの基準に従った評価によって決定される、本明細書の少なく
とも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくと
も１つから選択される適用された撮像技法によって不連続層の少なくとも１つの属性を決
定することによって実行される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
も１つから選択される適用された撮像技法によって不連続層の少なくとも１つの属性を決
定することによって実行される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって実行される、本
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側面の周囲、内部位置、及びグリッド座標のうちの少な
くとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
くとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技法の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの条項
に記載のデバイス。
に記載のデバイス。
観察窓は、約２．００μｍ、約１．００μｍ、約５００ｎｍ、及び約２００ｎｍのう
ちの少なくとも１つから選択される倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
ちの少なくとも１つから選択される倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの
条項に記載のデバイス。
評価は、手動カウント、曲線適合、多角形適合、形状適合、及び推定技法のうちの少
なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、最頻値、最大値、最小値、確率的、統計的、及びデータ計算
のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの条
項に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、周囲長、長軸、
及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの条項に記
載のデバイス。
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイスであって、分散度は以下によって
決定され、
決定され、
式中、
ｎは、試料面積内の粒子６０の数であり、
Ｓｉは、第ｉの粒子の（領域）サイズであり、
は、粒子（領域）サイズの数平均であり、
は、粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均である。
したがって、明細書及び明細書に開示される実施例は、例示的なものに過ぎず、本開
示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。
示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。
（関連出願）
本出願は、米国特許仮出願第６３／０８１，７０７号（２０２０年９月２２日出願）、同第６３／１０７，３９３号（２０２０年１０月２９日出願）、同第６３／１５３，８３４号（２０２１年２月２５日出願）、同第６３／１６３，４５３号（２０２１年３月１９日出願）、同第６３／１８１，１００号（２０２１年４月２８日出願）、同第６３／１２２，４２１号（２０２０年１２月７日出願）、同第６３／１４１，８５７号（２０２１年１月２６日出願）、及び同第６３／１５８，１８５号（２０２１年３月８日出願）に対する優先権の利益を主張し、これらの仮出願の各々の内容は、その全体が参照により本明細書中に援用される。
本出願は、米国特許仮出願第６３／０８１，７０７号（２０２０年９月２２日出願）、同第６３／１０７，３９３号（２０２０年１０月２９日出願）、同第６３／１５３，８３４号（２０２１年２月２５日出願）、同第６３／１６３，４５３号（２０２１年３月１９日出願）、同第６３／１８１，１００号（２０２１年４月２８日出願）、同第６３／１２２，４２１号（２０２０年１２月７日出願）、同第６３／１４１，８５７号（２０２１年１月２６日出願）、及び同第６３／１５８，１８５号（２０２１年３月８日出願）に対する優先権の利益を主張し、これらの仮出願の各々の内容は、その全体が参照により本明細書中に援用される。
（発明の分野）
本開示は、積層半導体デバイスに関し、特に、半導体層によって分離された第１及び第２の電極を有し、かつ上に堆積された導電性堆積材料を有し、核形成阻害コーティング（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作用し得、かつ／又はＮＩＣ及び／若しくはそのようなＮＩＣであり得るパターン化コーティングを使用してパターン化された、光電子デバイスに関する。
本開示は、積層半導体デバイスに関し、特に、半導体層によって分離された第１及び第２の電極を有し、かつ上に堆積された導電性堆積材料を有し、核形成阻害コーティング（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作用し得、かつ／又はＮＩＣ及び／若しくはそのようなＮＩＣであり得るパターン化コーティングを使用してパターン化された、光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配置されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成する。一対の正孔及び電子が結合するとき、光子が放出され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、これらの各々は、関連する一対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層及びコーティングは、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、導電性コーティングの少なくとも１つの薄膜を選択的に堆積させて、それに電気的に結合された電極及び／又は導電性要素などであるがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することによって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、その側面及び断面のいずれか又は両方にわたって、あるパターンで導電性及び／又は電極コーティングを提供することを目的とする場合がある。
いくつかの用途では、デバイスを実質的に透明にする一方で、依然として、デバイスから光を放出することができるようにすることを目的とする場合がある。いくつかの用途では、デバイスは、複数の光放出領域又はサブピクセル間に配列された複数の信号透過領域を備える。光放出領域は、概して、そのような領域を通る外部光の透過を減衰又は抑制する層、コーティング、及び／又は構成要素を含むため、信号透過領域は、概して、ディスプレイパネルの非放出領域に提供されており、外部光の透過を減衰又は抑制するそのような層、コーティング、及び／又は構成要素の存在は、そこから省略され得る。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途では、電極及び／若しくはそれと電気的に結合された導電性要素、並びに／又はＥＭ放射線吸収層を含む堆積材料の堆積中にファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）を介在させることを伴う。しかしながら、そのような堆積材料は、典型的には、比較的に高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再使用する能力及び／又は達成され得るパターンの正確さに影響を及ぼし、付随して、コスト、労力、及び複雑さが増加する。
そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積させ、その後、パターンを形成するために、レーザ穿孔プロセスによることを含めて、電極材料の不要な領域を除去することを伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、製造プロセスの収率に影響を及ぼし得る、デブリの作成及び／又は存在を伴う。
更に、そのような方法は、いくつかの用途において使用するため、及び／又はある特定の地形的特徴を含むいくつかのデバイスとともに使用するために適していない場合がある。
いくつかの非限定的な用途では、堆積材料の選択的堆積を提供することを含むがこれに限定されないことによって、電磁（electromagnetic、ＥＭ）スペクトルの少なくとも波長部分範囲においてデバイスの少なくとも一部を通る光路に沿って改善されたメカニズムを提供するように、光子の透過を増加させ、かつ／又は光子の吸収を低減させることを目的とする場合がある。
いくつかの非限定的な用途では、光学特性、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に関して、デバイスの性能に影響を及ぼし得る、光電子デバイス内に金属ＮＰの薄い分散層を堆積させるためのメカニズムを提供することを目的とする場合がある。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
半導体デバイスであって、基板上に堆積され、前記半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、
第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、
前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の前記少なくとも１つの粒子構造が、可視スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、赤外線（ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（ＮＩＲ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイス。
（項目２）
前記堆積材料が、金属である、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
前記堆積材料が、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含む、項目２に記載のデバイス。
（項目４）
前記堆積材料が、共堆積誘電体材料と共堆積される、項目１～３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目５）
前記少なくとも１つの粒子構造が、サイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の特徴を有する、項目１～４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目６）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有する、項目５に記載のデバイス。
（項目７）
前記少なくとも１つの粒子構造の大部分が、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有する、項目５又は６に記載のデバイス。
（項目８）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有する、項目５～７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの粒子構造が、シードを含み、前記シード周りで前記堆積材料が合体する傾向がある、項目１～８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１０）
第２の層表面上に配置されたパターン化コーティングを更に含み、
前記第１の層表面が、前記パターン化コーティングの露出層表面であり、
前記パターン化コーティングの表面上の前記堆積材料の堆積に対する初期付着確率が、０．３及び前記第２の層表面上の前記堆積材料の堆積に対する前記初期付着確率のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さく、そのため、前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１）
前記パターン化コーティングが、少なくとも１つのパターン化材料を含む、項目１０に記載のデバイス。
（項目１２）
前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化材料と、前記堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料と、を含み、前記第１の初期付着確率が、前記第２の初期付着確率よりも実質的に小さい、項目１０又は１１に記載のデバイス。
（項目１３）
前記第１のパターン化材料が、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であり、前記第２のパターン化材料が、電子輸送層（ＥＴＬ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）のうちの少なくとも１つから選択される、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
前記層が、前記少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の部分内に延び、前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層が、前記第１の部分にわたって延び、前記デバイスが、前記層に対してある角度で、前記第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を通過させるように適合される、項目１～１３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１５）
前記少なくとも１つのＥＭ信号が、前記ＩＲスペクトル及び前記ＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部における波長範囲を有する、項目１４に記載のデバイス。
（項目１６）
前記第１の部分が、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１４又は１５に記載のデバイス。
（項目１７）
前記第１の部分が、信号透過領域の少なくとも一部に対応する、項目１４～１６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１８）
前記デバイスが、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、前記デバイスを通して前記少なくとも１つのＥＭ信号を受容するように適合されている、項目１４～１７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素が、
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された受信器、及び
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信器のうちの少なくとも１つを備える、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記受信器が、ＩＲ検出器であり、前記送信器が、ＩＲエミッタである、項目１９に記載のデバイス。
（項目２１）
前記送信器が、第１のＥＭ信号を放出し、前記受信器が、前記第１のＥＭ信号の反射である第２のＥＭ信号を検出する、項目１９又は２０に記載のデバイス。
（項目２２）
前記第１及び第２のＥＭ信号の前記交換が、ユーザの生体認証を提供する、項目２１に記載のデバイス。
（項目２３）
前記デバイスが、前記デバイスとともに前記アンダーディスプレイ構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成する、項目１８～２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２４）
前記第２の部分が、前記層に対してある角度で前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、項目１４～２３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２５）
前記デバイスの層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備え、
各放出領域が、第１の電極及び第２の電極を備え、
前記第１の電極が、前記基板と前記少なくとも１つの半導体層との間に配置され、
前記少なくとも１つの半導体層が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される、項目２４に記載のデバイス。
（項目２６）
前記第２の部分における前記デバイスの露出層表面上に配置された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に含む、項目２５に記載のデバイス。
（項目２７）
前記第２の電極が、前記堆積材料の前記少なくとも１つの閉じたコーティングを備える、項目２６に記載のデバイス。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
半導体デバイスであって、基板上に堆積され、前記半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、
第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、
前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の前記少なくとも１つの粒子構造が、可視スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、赤外線（ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（ＮＩＲ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、前記半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイス。
（項目２）
前記堆積材料が、金属である、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
前記堆積材料が、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含む、項目２に記載のデバイス。
（項目４）
前記堆積材料が、共堆積誘電体材料と共堆積される、項目１～３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目５）
前記少なくとも１つの粒子構造が、サイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の特徴を有する、項目１～４のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目６）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有する、項目５に記載のデバイス。
（項目７）
前記少なくとも１つの粒子構造の大部分が、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有する、項目５又は６に記載のデバイス。
（項目８）
前記少なくとも１つの粒子構造が、約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有する、項目５～７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの粒子構造が、シードを含み、前記シード周りで前記堆積材料が合体する傾向がある、項目１～８のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１０）
第２の層表面上に配置されたパターン化コーティングを更に含み、
前記第１の層表面が、前記パターン化コーティングの露出層表面であり、
前記パターン化コーティングの表面上の前記堆積材料の堆積に対する初期付着確率が、０．３及び前記第２の層表面上の前記堆積材料の堆積に対する前記初期付着確率のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さく、そのため、前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１１）
前記パターン化コーティングが、少なくとも１つのパターン化材料を含む、項目１０に記載のデバイス。
（項目１２）
前記パターン化コーティングが、前記堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化材料と、前記堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料と、を含み、前記第１の初期付着確率が、前記第２の初期付着確率よりも実質的に小さい、項目１０又は１１に記載のデバイス。
（項目１３）
前記第１のパターン化材料が、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であり、前記第２のパターン化材料が、電子輸送層（ＥＴＬ）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）のうちの少なくとも１つから選択される、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
前記層が、前記少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の部分内に延び、前記少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層が、前記第１の部分にわたって延び、前記デバイスが、前記層に対してある角度で、前記第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を通過させるように適合される、項目１～１３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１５）
前記少なくとも１つのＥＭ信号が、前記ＩＲスペクトル及び前記ＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部における波長範囲を有する、項目１４に記載のデバイス。
（項目１６）
前記第１の部分が、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、項目１４又は１５に記載のデバイス。
（項目１７）
前記第１の部分が、信号透過領域の少なくとも一部に対応する、項目１４～１６のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１８）
前記デバイスが、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、前記デバイスを通して前記少なくとも１つのＥＭ信号を受容するように適合されている、項目１４～１７のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素が、
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された受信器、及び
前記デバイスを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信器のうちの少なくとも１つを備える、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記受信器が、ＩＲ検出器であり、前記送信器が、ＩＲエミッタである、項目１９に記載のデバイス。
（項目２１）
前記送信器が、第１のＥＭ信号を放出し、前記受信器が、前記第１のＥＭ信号の反射である第２のＥＭ信号を検出する、項目１９又は２０に記載のデバイス。
（項目２２）
前記第１及び第２のＥＭ信号の前記交換が、ユーザの生体認証を提供する、項目２１に記載のデバイス。
（項目２３）
前記デバイスが、前記デバイスとともに前記アンダーディスプレイ構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成する、項目１８～２２のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２４）
前記第２の部分が、前記層に対してある角度で前記少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、項目１４～２３のいずれか一項に記載のデバイス。
（項目２５）
前記デバイスの層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備え、
各放出領域が、第１の電極及び第２の電極を備え、
前記第１の電極が、前記基板と前記少なくとも１つの半導体層との間に配置され、
前記少なくとも１つの半導体層が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される、項目２４に記載のデバイス。
（項目２６）
前記第２の部分における前記デバイスの露出層表面上に配置された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に含む、項目２５に記載のデバイス。
（項目２７）
前記第２の電極が、前記堆積材料の前記少なくとも１つの閉じたコーティングを備える、項目２６に記載のデバイス。
ここで、本開示の例は、以下の図面を参照することによって説明され、異なる図面における同一の参照番号は、同一の要素及び／又はいくつかの非限定的な例において、類似の要素及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、ＥＭ放射線吸収層を含むデバイスの露出層表面上に粒子構造の不連続層を含む、複数の層を側面に有する例示的なデバイスの断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、示される追加の任意選択の層を有する図１のデバイスのバージョンを示す簡略ブロック図である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ａ～図３Ｅの顕微鏡写真の分析に基づく粒子構造のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムである。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｇ～図３Ｊの顕微鏡写真の分析に基づく粒子構造のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムである。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の一例による粒子構造を形成するための複数のシードの堆積に続くパターン化コーティングの堆積によって形成された図１のデバイスの放出領域に近接する図１のＥＭ放射線吸収層を示す概略図である。
本開示の一例による、複数のシードの堆積の前にパターン化コーティングの堆積によって形成された図４ＡのＥＭ放射線吸収層のバージョンを示す概略図である。
本開示の一例による、内部に少なくとも１つの開口を備える複数の層を有するディスプレイパネルを有する例示的なユーザデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、ユーザの生体認証のためにＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおいてＥＭ放射線を交換するために、少なくとも１つの開口が少なくとも１つの信号透過領域によって具現化される、図５のユーザデバイスの使用を示す概略図である。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｂに示されるデバイスの線６Ｃ－６Ｃに沿った断面図を示す。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｄに示されるデバイスの線６Ｅ－６Ｅに沿った断面図を示す。
本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図５のユーザデバイスの平面図である。
図６Ｆに示されるデバイスの線６Ｇ－６Ｇに沿った断面図を示す。
本開示の一例によるパネルの一部の拡大平面図を示す。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
本開示の一例による、例示的なユーザデバイスであって、本体を覆うためのディスプレイパネルと、ユーザデバイスを通してディスプレイパネルの層に対してある角度でＥＭ信号を交換するために内部に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素とを有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の断面からの簡略ブロック図である。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
それぞれが、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットとともに示す。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
本開示の例において製作された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。
図９Ａ及び図９Ｂの顕微鏡写真の分析に基づく平均直径のチャートである。
本開示の一例による、側面の第１の部分におけるパターン化コーティングの選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料の閉じたコーティングの堆積によって形成される、側面における複数の層を有する例示的なデバイスの断面からの簡略化されたブロック図である。
本開示の一例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける下層の露出層表面上に、あるパターンでパターン化コーティングを堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
パターン化コーティングが核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）である、図１０のパターン化コーティングの堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料を堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図である。
図１０のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
図１３Ａのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。
図１３Ｃのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
図１０のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示における様々な例による、図１０のデバイスの例示的なバージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターン化コーティングの様々な潜在的挙動を示す概略図である。
本開示の一例による例示的なエレクトロルミネセントデバイスの断面からのブロック図である。
図１５のデバイスの断面図である。
本開示の一例による、図１８のデバイスのバージョンで使用するのに適した例示的なパターン化電極を平面で示す概略図である。
線１８－１８に沿った、図１７のデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、図１５のデバイスの例示的なバージョンで使用するのに適した電極の複数の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
線１９Ｂ－１９Ｂに沿った、図１９Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を示す概略図である。
線１９Ｃ－１９Ｃに沿った、図１９Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による例示的なパターン化された補助電極を有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの放出領域及び少なくとも１つの非放出領域を覆う補助電極の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放出領域の複数のグループを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的なパターンを平面図で示す概略図である。
線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
線２２Ｃ－２２Ｃに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による追加の例示的な堆積ステップを有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な信号透過領域を含む、図１５のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
線２７Ｂ－２７Ｂに沿った、図２７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な信号透過領域を含む、図１５のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。
線２８－２８に沿った、図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
線２８－２８に沿った、図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する、図１６のデバイスの例示的なバージョンを製造するための例示的なプロセスの例示的な段階を示し得る概略図である。
本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合されている、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の一例による、図１５のデバイスの例示的なバージョンであって、仕切りと、デバイスの非放出領域に凹部などの遮蔽領域とを有す、例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の様々な例による、仕切りと、非放出領域内の開口などの遮蔽領域とを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
本開示の様々な例による、仕切りと、非放出領域内の開口などの遮蔽領域とを有する、図１５のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。
３３Ａ～３３Ｃは、本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１５のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。
本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を示す例示的なエネルギープロファイルである。
本開示の一例による膜核の形成を示す概略図である。
様々な実験的試料に対する波長の関数としてのフォトルミネセンス強度のプロットである。
本開示では、少なくとも１つの数値（下付き文字を含むが、これに限定されない）及び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を含むが、これに限定されない）が添付された参照番号は、参照番号によって説明される要素又は特徴の特定の事例及び／又はそのサブセットを指すと考えられ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が示すように、概して、参照番号によって説明される要素若しくは特徴、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。同様に、参照番号は数字の代わりに文字「ｘ」を有してもよい。そのような参照番号を参照することは、文脈が示すように、概して、文字「ｘ」が数字に置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全ての事例のセットを参照し得る。
本開示では、限定ではなく説明の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技法を含むがこれらに限定されない特定の詳細が、本開示の完全な理解を提供するために記載される。いくつかの事例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及び用途の詳細な説明は、不必要な詳細によって本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する例示的な構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を不明瞭にしないように、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみを示す図面において、適切な場合に従来の記号によって表されている。
本明細書で提供される任意の図面は、縮尺どおりに描かれていないことがあり、いかなる方法でも本開示を限定するものとみなされないことがある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は行為は、いくつかの例では、任意選択とみなされる場合がある。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を排除又は軽減することである。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を排除又は軽減することである。
本開示は、半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有する、半導体デバイスを開示する。デバイスは、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層を備える。少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造は、可視光スペクトル及び紫外線（ultraviolet、ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする。
広範な態様によれば、半導体デバイスであって、基板上に堆積され、半導体デバイスの横軸によって画定される少なくとも１つの側面に延びる複数の層を有し、第１の層表面上に堆積され、堆積材料を含む少なくとも１つの粒子構造の不連続層を含む少なくとも１つの電磁（ＥＭ）放射線吸収層を備え、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層の少なくとも１つの粒子構造が、可視光スペクトル及び紫外線（ＵＶ）スペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にし、一方で、赤外線（infrared、ＩＲ）スペクトル及び近赤外線（near infrared、ＮＩＲ）ス
ペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイスが開示される。
ペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部において、半導体デバイスにおけるＥＭ放射線の透過を実質的に可能にする、半導体デバイスが開示される。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料は金属であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、マグネシウム、銀、及びイッテルビウムのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、共堆積誘電体材料と共堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子は、サイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される独特の特徴を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、及び２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造の大部分は、約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、及び２０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下の最大特徴サイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、及び８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つである平均値及び中央値のうちの少なくとも１つである特徴サイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、シードを含み得、シードの周りで堆積材料が合体する傾向がある。
いくつかの非限定的な例では、本デバイスは、第２の層表面上に配置されるパターン化コーティングを更に備えてもよく、第１の層表面は、パターン化コーティングの露出層表面であり、パターン化コーティングの表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率は、０．３及び第２の層表面上の堆積材料の堆積に対する初期付着確率のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さく、そのため、パターン化コーティングは、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、少なくとも１つのパターン化材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、堆積材料の堆積に対する第１の初期付着確率を有する第１のパターン化材料と、堆積材料の堆積に対する第２の初期付着確率を有する第２のパターン化材料とを含むことができ、第１の初期付着確率は、第２の初期付着確率よりも実質的に小さい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化材料は、核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であってもよく、第２のパターン化材料は、電子輸送層（transport layer、ＥＴＬ
）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（lithiumfluoride、ＬｉＦ）のうちの少なくとも
１つから選択される。
）材料、Ｌｉｑ、及びフッ化リチウム（lithiumfluoride、ＬｉＦ）のうちの少なくとも
１つから選択される。
いくつかの非限定的な例では、層は、少なくとも１つの側面の第１の部分及び第２の部分に延びてもよく、少なくとも１つのＥＭ放射線吸収層は、第１の部分にわたって延び、デバイスは、層に対してある角度で、第１の部分を通して少なくとも１つのＥＭ信号を通過させるように適合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号は、ＩＲスペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部における波長範囲を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、信号透過領域の少なくとも一部に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、デバイスを通して少なくとも１つのＥＭ信号を受容するように適合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、デバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を受信するように適合された受信器、及びデバイスを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信器のうちの少なくとも１つを備え得る。いくつかの非限定的な例では、受信器はＩＲ検出器であってもよく、送信器はＩＲエミッタであってもよい。いくつかの非限定的な例では、送信器は、第１のＥＭ信号を放出することができ、受信器は、第１のＥＭ信号の反射である第２のＥＭ信号を検出することができる。いくつかの非限定的な例では、第１及び第２のＥＭ信号の交換は、ユーザの生体認証を提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、デバイスとともにアンダーディスプレイ構成要素を囲むユーザデバイスのディスプレイパネルを形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、層に対してある角度で少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、その層上に配置された少なくとも１つの半導体層を更に備えてもよく、各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、第１の電極は、基板と少なくとも１つの半導体層との間に配置され、少なくとも１つの半導体層は、第１の電極と第２の電極との間に配置される。
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第２の部分における露出層表面上に堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極は、堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え得る。
積層デバイス
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体デバイスは、限定はしないが、ユーザデバイスのディスプレイパネルを含む面として機能し得る。
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体デバイスは、限定はしないが、ユーザデバイスのディスプレイパネルを含む面として機能し得る。
当業者であれば、本開示は光電子デバイスを対象とするが、その原理は、複数の層を有する任意のパネルに適用可能であってもよく、複数の層は、限定はしないが、薄膜として含まれ、いくつかの非限定的な例では、電磁（ＥＭ）信号を、層のうちの少なくとも１つの平面に対してある角度で全体的又は部分的に通過させることができる、導電性堆積材料１２３１（図１２）の少なくとも１つの層を含むことを理解するであろう。
ここで図１を参照すると、例示的な積層デバイス１００の断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、図１５により詳細に示すように、デバイス１００は、限定はしないが、第１の層１１０を含む、基板１０上に堆積された複数の層を備えることができる。
Ｘ軸として識別される横軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸とともに示され得る。Ｙ軸として識別される第２の横軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとして示され得る。横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画定してもよい。本明細書におけるいくつかの図は、平面図で示され得る。そのような平面図では、それぞれＸ軸及びＹ軸として識別され、いくつかの例では、実質的に相互に横断し得る、一対の横軸が示される。これらの横軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側面を画定し得る。
デバイス１００の層は、横軸によって画定される平面に実質的に平行な側面に延びてもよい。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例では、説明のための抽象であり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平面の層が存在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横方向ギャップ及び更に不連続性を含む）によって分離された層を含む。
したがって、例示目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的に層化された構造として、断面で示されてもよいが、そのようなデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを局所的に示してもよく、その各々は、断面で説明される層化されたプロファイルを実質的に示してもよい。
ＥＭ放射線吸収
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanometer
、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子構造１２１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含む）がある場合がある。
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanometer
、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子構造１２１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含む）がある場合がある。
これらの特性は、複数のＮＰが、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体デバイスの層に形成されるときに、その性能を改善するために利用され得る。
ＮＰのそのような層をデバイスに導入するための現在のメカニズムは、いくつかの欠点を有する。
第一に、典型的には、そのようなＮＰは、そのようなデバイスの最密充填層に形成され、かつ／又はマトリックス材料に分散される。その結果、そのようなＮＰ層の厚さは、典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる可能性がある。そのようなＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない特質を付与することがあり、それは、ＮＰの固有の特性によって提供される任意の認識される利点を低減するか、又は更には排除する可能性がある。
第二に、そのようなデバイスにおいて、かつそのようなデバイスで使用するために、ＮＰを合成する技術は、種々のメカニズムを通して、大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び／又は硫黄（Ｓ）を導入する可能性がある。
非限定的な例として、湿式化学法を使用して、典型的には、精密に制御された特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度を有するＮＰをデバイスに導入することができる。しかしながら、そのような方法は、典型的には、ＮＰを安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされた銀（Ａｇ）ＮＰの合成など）を採用するが、そのような有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、Ｏ、及び／又はＳを導入する。
また更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、堆積に使用される溶媒のために、典型的にはＣ、Ｏ、及び／又はＳを含み得る。
追加として、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物質として導入されることがある。
しかしながら、導入されると、そのようなデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び／又はＳの存在は、そのようなデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を低下させる可能性がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させるとき、採用される溶媒が乾燥するにつれて、ＮＰ層は、ＮＰ層にわたって、かつ／又はそのような層の異なるパターン化された領域間で、不均一な特性を有する傾向がある。いくつかの非限定的な例では、所与のＮＰ層の縁部は、そのようなＮＰ層の内部領域よりもかなり厚く又は薄くなることがあり、その不一致は、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼすことがある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスを超えて、ＮＰを合成及び／又は堆積させる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在するが、既存の方法は、それによって堆積されるＮＰの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度の不十分な制御をもたらす傾向がある。非限定的な例として、従来のＰＶＤプロセスでは、ＮＰは、それらのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向がある。結果として、従来のＰＶＤ法などの方法は、概して、表面被覆度が低い大きな分散ＮＰのＮＰ層を形成するのにあまり適していない。むしろ、そのような従来の方法によって付与される、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度の不十分な制御により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が不十分になり得る。
ＥＭ放射線吸収コーティングは、ＥＭ放射線と金属との共鳴相互作用を研究する、ナノフォトニクスの一分野であるプラズモニクスを利用する。当業者であれば、金属ＮＰは、光学応答が、ナノ構造の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は組成を変化させることによって調整され得る自由電子のＬＳＰ励起及び／又はコヒーレント振動を示し得ることを理解するであろう。そのような光学応答は、ＥＭ放射線吸収コーティングに関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み、それによってその反射を低減することができる。
再び図１を参照すると、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収（ＮＰ）層１２０は、その上に入射するＥＭ放射線を吸収するために、又は付随して、デバイス１００からの反射を低減するために、積層半導体デバイス１００の一部として採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、限定はしないが、第１の層１１０などの、限定はしないが、下層を含む、露出層表面１１上に及び／又は露出層表面１１を覆って堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、不連続層１３０として含まれる別個の金属粒子構造１２１を堆積させることによって形成されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、所与の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は組成のＮＰを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０を構成する粒子構造１２１は、別個の金属プラズモンアイランド又はクラスタであってもよく、かつ／又はそれらを含んでもよい。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮して、モノマー及び／又は原子の可能な積層及び／又はクラスタ化に起因して、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１の実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔が、いくつかの非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加として、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１は、所与のプロファイルを有するものとして示されているが、これは、例示的なものにすぎず、そのような粒子構造１２１の任意のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではないことが意図されている。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数のＥＭ放射線吸収層１２０が、追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の吸収スペクトルに従って調整され得る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥＭ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によって放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１は、限定はしないが、第１の層１１０を含む下層の露出層表面１１上に、わずかな量の、いくつかの非限定的な例では、約数オングストローム又は数分の１オングストロームであり得る、平均層厚を有する堆積材料１２３１を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１は、核形成促進コーティング（nucleation-promoting coating、ＮＰＣ）１４２０（図１４Ｃ）のものであってもよい。
シード
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、適切な位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階でテンプレート層内にＥＭ放射線吸収層１２０の一部としてシード材料を堆積させることによって指定することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなシード材料は、堆積材料１２３１が各シード１２２の周囲で合体して粒子構造１２１を形成する傾向があり得るときのように、核形成部位として作用するために、シード１２２又は不均一性として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、適切な位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階でテンプレート層内にＥＭ放射線吸収層１２０の一部としてシード材料を堆積させることによって指定することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなシード材料は、堆積材料１２３１が各シード１２２の周囲で合体して粒子構造１２１を形成する傾向があり得るときのように、核形成部位として作用するために、シード１２２又は不均一性として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード材料は、限定はしないが、イッテルビウム（Ｙｂ）又はＡｇを含む金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、シード材料は、その上に堆積され、それに合体する堆積材料１２３１に対して高い濡れ特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード１２２は、デバイス１００の露出層表面１１にわたって、いくつかの非限定的な例では、シード材料のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、テンプレート層内に堆積され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング
ここで図２を参照すると、追加の任意選択の層を有するデバイス１００のバージョン２００が示されており、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、ＥＭ放射線吸収層１２０を堆積させる目的で、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅを構成するパターン化材料１１１１（図１１）と、いくつかの非限定的な例ではファインメタルマスク（ＦＭＭ）とすることができるシャドウマスク１１１５（図１１）の露出層表面１１との間に介在させることによって、第１の層１１０を含むがこれに限定されない下層にわたって選択的に堆積させることができる。
ここで図２を参照すると、追加の任意選択の層を有するデバイス１００のバージョン２００が示されており、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、ＥＭ放射線吸収層１２０を堆積させる目的で、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅを構成するパターン化材料１１１１（図１１）と、いくつかの非限定的な例ではファインメタルマスク（ＦＭＭ）とすることができるシャドウマスク１１１５（図１１）の露出層表面１１との間に介在させることによって、第１の層１１０を含むがこれに限定されない下層にわたって選択的に堆積させることができる。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって覆われていないそれぞれのシード１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、ＥＭ放射線吸収層１２０を含む、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成するために、デバイス２００の上に堆積され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率が比較的低い表面を提供することができ、この初期付着確率は、デバイス２００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
したがって、下層の露出層表面１１は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって覆われていないシード１２２の周りで合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成するために堆積され得る堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０（図１０）を実質的に欠く場合がある。
このようにして、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、シャドウマスク１１１５を使用することを含むがこれに限定されないことにより選択的に堆積されて、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれのシード１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２００の露出層表面１１の上に堆積される堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、概して、又はいくつかの時間限定的な例では、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及び／若しくは波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収層１２０による吸収を容易にし、かつ／又は増加させるように選択されている可能性がある誘電率特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、シード材料及び／又は堆積材料１２３１に対して比較的低い初期付着確率を示すパターン化材料１１１１を含むことができ、そのため、そのようなＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの表面は、いくつかの例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の形成以外の、本明細書で説明する用途を含む、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の堆積を抑制する目的で使用される、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎ及び／又はそれらが含み得るパターン化材料１１１１に対して、堆積材料１２３１（及び／又はシード材料）を粒子構造１２１として堆積させる傾向の増加を示す場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、複数の材料を含むことができ、複数の材料のうちの少なくとも１つの材料は、限定はしないが、上述したような堆積材料１２３１及び／又はシード材料に対してそのような比較的低い初期付着確率を示すパターン化材料１１１１を含むパターン化材料１１１１である。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、堆積材料１２３１及び／又はシード材料の堆積に対して第１の初期付着確率を有するパターン化材料１１１１であってもよく、複数の材料のうちの第２の材料は、堆積材料１２３１及び／又はシード材料の堆積に対して第２の初期付着確率を有するパターン化材料であってもよく、第２の初期付着確率は第１の初期付着確率を超える。
いくつかの非限定的な例では、第１の初期付着確率及び第２の初期付着確率は、実質的に同一の条件及びパラメータを使用して測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、複数の材料のうちの第２の材料でドープされ、覆われ、かつ／又は補完されてもよく、そのため、第２の材料は、堆積材料１２３１及び／又はシード材料のための核形成部位として作用するように、シード又は不均一性として作用してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、ＮＰＣ１４２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、限定はしないが、多環式芳香族化合物を含む有機材料、及び／又は限定はしないが、存在がソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質であると別様に考えられ得るＯ、Ｓ、窒素（Ｎ）、若しくはＣを含む非金属元素を含む材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２の材料は、その連続的なコーティング１０４０を形成することを回避するために、単層の一部である層厚で堆積されてもよい。むしろ、そのような材料のモノマーは、堆積材料１２３１及び／又はシード材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面において離隔される傾向があり得る。
第１のパターン化材料１１１１１と第２のパターン化材料１１１１２との混合物を含むＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅによって形成されたＥＭ放射線吸収層１２０の適合性を評価するために、一連の試料を製作した。全ての試料において、第１のパターン化材料１１１１１は、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆積に対して実質的に低い初期付着確率を有する核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）材料であった。第２のパターン化材料１１１１２、すなわち、ＥＴＬ１５３７（図１５）材料、堆積材料１２３１としてのＡｇの堆積に対して比較的高い初期付着確率を有する傾向があり、いくつかの非限定的な例ではＮＰＣ１４２０として好適であり得るＬｉｑ、及びＬｉＦとして、３つの実施例材料を評価した。
ＥＴＬ１５３７材料については、第１のパターン化材料１１１１１及びＥＴＬ１５３７材料を種々の比で、２０ｎｍの平均層厚さまでインジウムスズ酸化物（indium tin oxide、ＩＴＯ）基板上に共堆積させ、その後、その露出層表面１１を、１５ｎｍの基準層厚さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって、いくつかの試料を調製した。
ＥＴＬ１５３７材料と第１のパターン化材料１１１１１の体積％比がそれぞれ１：９９（ＥＴＬ試料Ａ）、２：９８（ＥＴＬ試料Ｂ）、５：９５（ＥＴＬ試料Ｃ）、１０：９０（ＥＴＬ試料Ｄ）、２０：８０（ＥＴＬ試料Ｅ）、及び４０：６０（ＥＴＬ試料Ｆ）である６つの試料を調製した。追加として、ＥＴＬ１５３７材料と第１のパターン化材料１１１１１の体積％比がそれぞれ０：１００（比較試料１）及び１００：０（比較試料２）である２つの比較試料を調製した。
ＥＴＬ試料Ｂは、１５．１５６％の総表面被覆度、１３．６２９２ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、２．０４６２の分散度、１４．５３９９ｎｍの粒子直径の数平均、及び２０．７９８９ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｃは、２２．０８３％の総表面被覆度、１６．６９８５ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．６８１３の分散度、１７．８３７２ｎｍの粒子直径の数平均、及び２３．１２８３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｄは、２７．０６２６％の総表面被覆度、１９．４５１８ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．５５２１の分散度、２０．７４８７ｎｍの粒子直径の数平均、及び２５．８４９３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
ＥＴＬ試料Ｅは、３５．５３７６％の総表面被覆度、２４．２０９２ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．６３１１の分散度、２５．８５８ｎｍの粒子直径の数平均、及び３２．９８５８ｎｍの粒子直径のサイズ平均を示した。
図３Ａ～図３Ｅは、それぞれ、比較試料１、ＥＴＬ試料Ｂ、ＥＴＬ試料Ｃ、ＥＴＬ試料Ｄ、及びＥＴＬ試料ＥのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｆは、ＥＴＬ試料Ｂ３０５、ＥＴＬ試料Ｃ３１０、ＥＴＬ試料Ｄ３１５、及びＥＴＬ試料Ｅ３２０について、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３０６、３１１、３１６、３２１に適合する。
以下の表１は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセント低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＥＴＬ１５３７材料の濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、ＥＴＬ１５３７材料濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ及びＮＩＲスペクトルにおける８５０ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクトルにおける４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
Ｌｉｑについては、第１のパターン化材料１１１１１及びＬｉｑを種々の比で、ＩＴＯ基板上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積し、その後、その露出層表面１１をＡｇの蒸気フラックス１２３２に１５ｎｍの基準層厚さまで露出させることによって、いくつかの試料を調製した。
Ｌｉｑと第１のパターン化材料１１１１１との体積％比がそれぞれ２：９８（Ｌｉｑ試料Ａ）、５：９５（Ｌｉｑ試料Ｂ）、１０：９０（Ｌｉｑ試料Ｃ）、及び２０：８０（Ｌｉｑ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
Ｌｉｑ試料Ａは、１１．１１１７％の総表面被覆度、１３．２７３５ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．６５１の分散度、１３．９６１９ｎｍの粒子サイズの数平均、及び１７．９３９８ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
Ｌｉｑ試料Ｂは、１７．２６１６％の総表面被覆度、１５．２６６７ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．７９１４の分散度、１６．３９３３ｎｍの粒子サイズの数平均、及び２１．９４１ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
Ｌｉｑ試料Ｃは、３２．２０９３％の総表面被覆度、２３．６２０９ｎｍの平均値の特徴的なサイズ、１．６４２８の分散度、２５．３０３８ｎｍの粒子サイズの数平均、及び３２．４３２２ｎｍの粒子サイズのサイズ平均を示した。
図３Ｇ～図３Ｊはそれぞれ、Ｌｉｑ試料Ａ、Ｌｉｑ試料Ｂ、Ｌｉｑ試料Ｃ、及びＬｉｑ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図３Ｋは、Ｌｉｑ試料Ｂ３２５、Ｌｉｑ試料Ａ３３０、及びＬｉｑ試料Ｃ３３５について、特徴的な粒子サイズの関数として粒子構造１２１のヒストグラム分布をプロットするヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム３２６、３３１、３３６に適合する。
以下の表２は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセント低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＬｉｑの濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小限であった。しかしながら、Ｌｉｑ濃度が約５体積％を超えると、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減なしに、可視光スペクトルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な低減（＞１０％）が観察された。
ＬｉＦについては、最初にＥＴＬ１５３７材料をＩＴＯ基板上に２０ｎｍの平均層厚さまで堆積させ、次いで、第１のパターン化材料１１１１１及びＬｉＦを種々の比で、ＥＴＬ材料の露出層表面１１上に２０ｎｍの平均層厚さまで共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚さまでＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出させることによって、いくつかの試料を調製した。
ＬｉＦと第１のパターン化材料１１１１１との体積％比がそれぞれ２：９８（ＬｉＦ試料Ａ）、５：９５（ＬｉＦ試料Ｂ）、１０：９０（ＬｉＦ試料Ｃ）、２０：８０（ＬｉＦ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
図３Ｌ～図３Ｏはそれぞれ、ＬｉＦ試料Ａ、ＬｉＦ試料Ｂ、ＬｉＦ試料Ｃ、及びＬｉＦ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
以下の表３は、種々の波長での種々の試料についての測定された透過率低減パーセント低減値を示す。
見て分かるように、第２のパターン化材料１１１１２としてのＬｉＦの濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低減は最小であった。しかしながら、ＬｉＦ濃度が約１０体積％を超えると、ＩＲスペクトルにおける７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルにおける８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の著しい低減を伴わずに、可視光スペクトルにおける４５０ｎｍの波長で顕著な低減（８％）が観察された。
追加として、２０体積％までのＬｉＦの濃度に対して、７００ｎｍ以上の波長で透過率の低減が実質的にないことが観察された。
誘電体材料との共堆積
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が含み得る粒子構造１２１は、シード１２２を使用することなく、堆積材料１２３１を共堆積誘電体材料と共堆積させることを含むがこれに限定されないことによって形成され得る。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が含み得る粒子構造１２１は、シード１２２を使用することなく、堆積材料１２３１を共堆積誘電体材料と共堆積させることを含むがこれに限定されないことによって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する堆積材料１２３１の比は、約５０：１～５：１、３０：１～５：１、又は２０：１～１０：１のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、比は、約５０：１、４５：１、４０：１、３５：１、３０：１、２５：１、２０：１、１９：１、１５：１、１２．５：１、１０：１、７．５：１、又は５：１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、一緒に共堆積され得る堆積材料１２３１の堆積に対して、１未満であり得る初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する堆積材料１２３１の比は、堆積材料１２３１の堆積に対する共堆積誘電体材料の初期付着確率に応じて変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、半導体であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機半導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料とともに堆積材料１２３１を共堆積することで、シード１２２を含むテンプレート層がない場合に、ＥＭ放射線吸収層１２０における粒子構造１２１の形成を容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１を共堆積誘電体材料と共堆積することで、概して、又はいくつかの非限定的な例では、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及び／若しくは波長におけるＥＭ放射線の、ＥＭ放射線吸収層１２０による吸収を容易にし、かつ／又は増加させることができる。
放出領域の周囲の吸収
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放出領域６１０（図７Ａ）を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイス２００であり得る。いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、いくつかの非限定的な例では、アノードであり得る第１の電極６２０（図１５）と、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得る第２の電極６４０（図１５）との間に配置される、少なくとも１つの半導体層６３０（図１５）に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１５０５（図１５）と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層６３０を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成することができる。一対の正孔及び電子が結合すると、光子の形態のＥＭ放射線が放出され得る。
いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放出領域６１０（図７Ａ）を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイス２００であり得る。いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、いくつかの非限定的な例では、アノードであり得る第１の電極６２０（図１５）と、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得る第２の電極６４０（図１５）との間に配置される、少なくとも１つの半導体層６３０（図１５）に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１５０５（図１５）と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層６３０を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成することができる。一対の正孔及び電子が結合すると、光子の形態のＥＭ放射線が放出され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、第２の電極６４０の露出層表面１１上に、かつ／又はそれを覆って堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１の側面は、第１の部分４０１（図４Ａ）及び第２の部分４０２（図４Ａ）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２は、第１の部分４０１を越えて位置する、デバイス１００の下層の露出層表面１１の部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、省略されてもよく、又は第１の部分４０１の上に延びなくてもよく、むしろ第２の部分４０２の上にのみ延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、図４Ａに非限定的な例として示されるように、第１の部分４０１は、多かれ少なかれ、デバイス１００のバージョン４００ａの少なくとも１つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）の側面１６２０（図１６）に対応してもよく、シード１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎの堆積前に堆積されてもよい。
そのような非限定的な構成は、デバイス１００の露出層表面１１に入射する外部ＥＭ放射線の反射を低減しながら、少なくとも１つの放出領域６１０から放出されるＥＭ放射線の透過率を可能にし、かつ／又は最大化するのに適切であり得る。
したがって、図４Ａに示すように、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎが、ＥＭ放射線吸収層１２０を堆積する目的のためではなく、その横方向の範囲を制限するために堆積され得るようなシナリオでは、そのような非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎが含み得るパターン化材料１１１１は、上述したように、堆積材料１２３１及び／又はシード材料に対して比較的低い初期付着確率を示さないことがある。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、デバイス１００の放出領域６１０以外の、かつ／又はそれに加えて、デバイス１００の領域から省略されてもよく、第２の部分４０２は、いくつかの例では、そのような他の領域に対応し、かつ／又はそれを含んでもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲である吸収スペクトルに集中され得る。いくつかの非限定的な例では、積層半導体デバイス１００の一部としてＥＭ放射線吸収層１２０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例において、複数のＥＭ放射線吸収層１２０が、追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、種々の側面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配置され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の所望の吸収スペクトルに従って調整され得る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥＭ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０が、その上に入射する、デバイス１００によって放出されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。
図４Ａに示すようないくつかの非限定的な例では、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、存在する場合、テンプレート層におけるシード１２２の堆積の後に、露出層表面１１上に堆積され得、そのため、シード１２２は、第１の部分４０１及び第２の部分４０２の両方にわたって堆積され得、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、第１の部分４０１にわたって堆積されたシード１２２を覆うことができる。
いくつかの非限定的な例では、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、堆積材料１２３１の堆積だけでなくシード材料の堆積に対しても比較的低い初期付着確率を有する表面を提供し得る。そのような例では、図４Ｂのデバイス１００の例示的なバージョン４００ｂに示されるように、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、シード材料の任意の堆積の後ではなく前に堆積され得る。
第１の部分４０１にわたって非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを選択的に堆積した後、導電性堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス４００の上に堆積されてもよいが、非限定的に、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎによって覆われていないそれぞれのシード１２２（存在する場合）の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成するために、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残ってもよい。
第１の部分４０１にわたる非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎの選択的堆積の後、シード材料は、堆積される場合、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス４００の露出層表面１１にわたってテンプレート層内に堆積され得るが、シード１２２は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残ってもよい。
更に、堆積材料１２３１は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス４００の露出層表面１１にわたって堆積され得るが、堆積材料１２３１は、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎを実質的に欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ、それぞれのシード１２２の周りに合体させることを含むがそれに限定されないことによって、中の粒子構造１２１として、かつ／又はそれを形成するために実質的に残ってもよい。
非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、第１の部分４０１内に、第２の部分４０２内のデバイス３００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低い場合がある、堆積材料１２３１及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に対する比較的低い初期付着確率を有する表面を提供することができる。
したがって、第１の部分４０１は、任意のシード１２２の閉じたコーティング１０４０、及び／又は第２の部分４０２内に堆積されて、シード１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成することができる堆積材料１２３１を実質的に欠く場合がある。
当業者であれば、堆積材料１２３１の一部及び／又はシード材料の一部が第１の部分４０１内に残っている場合であっても、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料１２３１及び／又はシード材料から形成されたシード１２２の量は、第２の部分４０２内よりも実質的に少なくてもよく、第１の部分４０１内の任意のそのような堆積材料１２３１は、粒子構造１２１を実質的に欠く場合がある不連続層１３０を形成する傾向があってもよいことを理解するであろう。第１の部分４０１内のそのような堆積材料１２３１の一部が、シード材料から形成されたシード１２２を含むがこれに限定されない周りに、粒子構造１２１を形成した場合であっても、任意のそのような粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、それにもかかわらず、第２の部分４０２のＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔とは十分に異なることがあり、第１の部分４０１内のＥＭ放射線の吸収は、特定の色に対応することを含むがこれに限定されない可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長範囲、並びに／又はその部分範囲及び／若しくは波長を含むがこれらに限定されない、第２の部分４０２内よりも実質的に少ないことがある。
このようにして、非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎは、シャドウマスク１１１５を使用することを含むがこれに限定されないことにより、選択的に堆積され、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより、堆積材料１２３１が堆積されることを可能にし、それにより、それぞれのシード１２２の周りに合体させることを含むがこれに限定されないことによって、粒子構造１２１を形成することができる。
当業者は、比較的低い反射率を示す構造が、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０を提供するために好適であり得ることを理解するであろう。
ディスプレイパネル
ここで図５を参照すると、ディスプレイパネル５１０の断面図が示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、限定はしないが、その面５０１を形成する最外層で終わる光電子デバイス２００を含む、積層半導体デバイス１００のバージョンであってもよい。
ここで図５を参照すると、ディスプレイパネル５１０の断面図が示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、限定はしないが、その面５０１を形成する最外層で終わる光電子デバイス２００を含む、積層半導体デバイス１００のバージョンであってもよい。
ディスプレイパネル５１０の面５０１は、横軸によって画定される平面に実質的に沿って、その側面にわたって延びてもよい。
ユーザデバイス
いくつかの非限定的な例では、面５０１、実際にはディスプレイパネル５１０全体は、ユーザデバイス５００の面として作用することができ、それを通って少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、面５０１の平面に対してある角度で内部を通して交換され得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、限定はしないが、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダなどのコンピューティングデバイス、並びに／又は限定はしないが、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電化製品、並びに／又は医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスなどの何らかの他の電子デバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１、実際にはディスプレイパネル５１０全体は、ユーザデバイス５００の面として作用することができ、それを通って少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、面５０１の平面に対してある角度で内部を通して交換され得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、限定はしないが、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダなどのコンピューティングデバイス、並びに／又は限定はしないが、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電化製品、並びに／又は医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスなどの何らかの他の電子デバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１は、中に少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０が収容され得る本体５０２及び／又はその中の開口部５２１に対応し、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、面５０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル５１０と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、面５０１の反対側のディスプレイパネル５１０の基板１０の露出層表面１１上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口５１３が、ディスプレイパネル５１０内に形成されて、ディスプレイパネル５１０の面５０１を含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル５１０の横軸又は付随して層によって画定される平面に対してある角度で、ディスプレイパネル５１０の面５０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号５３１の交換を可能にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口５１３は、別様にディスプレイパネル５１０にわたって配置される実質的に不透明なコーティングの厚さ及び／又は不透明度の欠如及び／又は低減を含むものと理解され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口５１３は、本明細書で説明するように、信号透過領域５２０として具現化され得る。
少なくとも１つの開口５１３がどのように具現化されても、少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、面５０１を通過するように、それを通過することができる。その結果、少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ディスプレイパネル５１０にわたって横方向にＥＭ放射線吸収層１２０にわたって伝導され得る任意の電流を含む、横軸によって画定される平面に沿って延びることができる任意のＥＭ放射線を除外するとみなされ得る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号５３１が、単独で、又は他のＥＭ信号５３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を他のＥＭ信号５３１から区別することができる識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができるという点で、少なくとも１つのＥＭ信号５３１を、電流及び／又はそれによって生成される電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号５３１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダンス、コンダクタンス、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定し、変更し、かつ／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視光スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、限定はしないが、ＩＲスペクトル及び／又はＮＲスペクトル内にある波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０の上に入射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３１によって送信及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、単一の信号透過領域５２０よりも大きいサイズを有し得るが、複数の信号透過領域５２０だけでなく、それらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にもあり得る。同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３１は、少なくとも１つの開口５１３のうちの単一の開口よりも大きいサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信し、処理するように適合された受信器５３０ｒを備え得る。そのような受信器５３０ｒの非限定的な例は、限定はしないが、ＩＲセンサ若しくは検出器、ＮＩＲセンサ若しくは検出器、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部を含む、アンダーディスプレイカメラ（under-display camera、ＵＤＣ）及び／又はセンサを含む。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するように適合された送信器５３０ｔを備え得る。そのような送信器５３０ｔの非限定的な例は、限定はしないが、内蔵フラッシュ、フラッシュ装置、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール、並びに／又はそれらの一部を含む、ＥＭ放射線源を含む。
いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、送信器５３０ｔを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０によって放出された送信ＥＭ信号５３１ｔを含む、ユーザデバイス５００を越えてディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、ディスプレイパネル５１０から発し、放出ＥＭ信号５３１ｒとして、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの開口５１３を通過して、受信器５３０ｒを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０に戻ることができる。
いくつかの非限定的な例では、アンダーディスプレイ構成要素５３０は、ＩＲエミッタ及びＩＲセンサを備え得る。非限定的な例として、そのようなアンダーディスプレイ構成要素５３０は、その一部、構成要素、又はモジュールとして、ドットマトリクスプロジェクタ、直接飛行時間（time-of-flight、ＴｏＦ）及び／又は間接ＴｏＦとして動作し得るＴｏＦセンサモジュール、ＶＣＳＥＬ、投光照明器、ＮＩＲ撮像器、屈曲光学系、並びに回折格子を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００内に複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０があり得、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第１のアンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイス５００を越えて少なくとも１つの開口５１３を通過するように少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出するための送信器５３０ｔを含み、複数のアンダーディスプレイ構成要素５３０のうちの第２のアンダーディスプレイ構成要素は、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを受信するための受信器５３０ｒを含む。いくつかの非限定的な例では、そのような送信器５３０ｔ及び受信器５３０ｒは、単一の共通アンダーディスプレイ構成要素５３０において具現化され得る。
これは、非限定的な例として図６Ａに見ることができ、ユーザデバイス５００は、横方向範囲（図では垂直に示される）において、少なくとも１つの信号交換表示部６１６に隣接し、いくつかの非限定的な例ではそれによって分離された少なくとも１つの表示部６１５を備えるディスプレイパネル５１０を有するものとして示される。ユーザデバイス５００は、少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを第１の信号交換表示部６２０内の少なくとも１つの第１の信号透過領域５２０を通して面５０１を越えて送信するための少なくとも１つの送信器５３０ｔと、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを第２の信号交換表示部６１６内の少なくとも１つの第２の信号透過領域５２０を通して受信するための受信器５３０ｒとを収容する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１及び第２の信号交換表示部６１６は、同じであってもよい。
図６Ｂは、デバイスの面を画定するディスプレイパネル５１０を含む、非限定的な例によるユーザデバイス５００の平面図を示している。デバイス５００は、面５０１を越えて配列された最も少ない１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを収容する。図６Ｃは、デバイス５００の線６Ｃ－６Ｃに沿った断面図を示している。
ディスプレイパネル５１０は、表示部６１５及び信号交換表示部６１６を含む。表示部６１５は、複数の放出領域６１０を含む。信号交換表示部６１６は、複数の放出領域６１０と複数の信号透過領域５２０とを含む。表示部６１５及び信号交換表示部６１６の複数の放出領域６１０は、ディスプレイパネル５１０のサブピクセル６４ｘ（図６Ｈ）に対応する。信号交換表示部６１６内の複数の信号透過領域５２０は、電磁スペクトルのＩＲ範囲に対応する波長を有する信号又は光が、その断面の全体を通過することを可能にするように構成されている。少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは、ＩＲ信号がパネル５１０の信号交換表示部６１６を通過することによってそれぞれ放出及び受信されるように、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列される。図示した非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒの各々は、信号送信の経路に配置された対応する信号交換表示部６１６を有するものとして示されている。
図６Ｄは、別の非限定的な例によるユーザデバイス５００の平面図を示し、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは両方とも、共通の信号交換表示部６１６の背後に配列されている。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は、送信器５３０ｔ及び受信器５３０ｒの両方にわたって延びるように、平面図において少なくとも１つの構成軸に沿って細長くてもよい。図６Ｅは、図６Ｄの６Ｅ－６Ｅ線に沿った断面図を示している。
図６Ｆは、更に別の非限定的な例によるユーザデバイス５００の平面図を示し、ディスプレイパネル５１０は、非表示部５５１を更に含む。より具体的には、ディスプレイパネル５１０は、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒを含み、これらの各々は、対応する信号交換表示部６１６の背後に配列されている。非表示部５５１は、平面図において、２つの信号交換表示部６１６に隣接して、かつこれらの間に配列されている。非表示部５５１では、概して、任意の光放出領域の存在が省略されている。いくつかの非限定的な例では、デバイス５００は、非表示部５５１に配列されたカメラ５４０を収容する。いくつかの非限定的な例では、非表示部５５１は、カメラ５４０と重なるように配列された貫通孔部５５２を含む。貫通孔部５５２内のパネル５１０では、表示部６１５及び／又は信号交換表示部６１６内に存在する１つ以上の層、コーティング、及び／又は構成要素の存在が省略されてもよい。非限定的な例として、貫通孔部５５２内のパネル５１０では、１つ以上のバックプレーン及び／又はフロントプレーン構成要素の存在が省略されてもよく、別様に、バックプレーン及び／又はフロントプレーン構成要素の存在は、カメラ５４０によって取り込まれる画像に干渉し得る。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０のカバーガラスは、パネル５１０の前述の部分の全てに存在するように、表示部６１５、信号交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２に実質的にわたって延びる。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０は、偏光子（図示せず）を更に含み、偏光子は、パネル５１０の前述の部分の全てに存在するように、表示部６１５、信号交換表示部６１６、及び貫通孔部５５２にわたって実質的に延びることができる。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０のそのような部分を通る光の透過を向上させるために、貫通孔部５５２において偏光子の存在が省略され得る。
いくつかの非限定的な例では、パネル５１０の非表示部５５１は、非貫通孔部５５３を更に含む。非限定的な例として、非貫通孔部５５３は、平面図において、貫通孔部５５２と信号交換用表示部６１６との間に配列され得る。いくつかの非限定的な例では、非貫通孔部５５３は、貫通孔部５５２の周囲の少なくとも一部又は全体を取り囲むことができる。具体的には示されていないが、デバイス５００は、ディスプレイパネル５１０の非貫通孔部５５３に対応するデバイス５００の部分に追加のモジュール、構成要素、及び／又はセンサを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換表示部６１６は、信号交換表示部６１６を通る光の透過を別様に妨害又は低減することになるバックプレーン構成要素の存在を低減又は実質的に省略してもよい。非限定的な例として、信号交換表示部６１６は、ＴＦＴ構造７０１（図７Ａ）、並びに／あるいは、限定はしないが、金属トレースライン、キャパシタ、及び／又は他の不透明若しくは光吸収要素を含むＴＦＴ構成要素の存在を省略することができる。いくつかの非限定的な例では、信号交換表示部６１６内の光放出領域６１０は、非表示部５５１の非貫通孔部５５３内に位置する１つ以上のＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素に電気的に結合され得る。具体的には、信号交換表示部６１６内のサブピクセルを作動させるためのＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素は、信号交換表示部６１６内の非放出面積を通る、少なくともＩＲ及び／又はＮＩＲ波長範囲の光の比較的高い透過が達成され得るように、信号交換表示部６１６の外側及びパネル５１０の非貫通孔部５５３内に再配置することができる。非限定的な例として、非貫通孔部５５３内のＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素は、導電性トレースを介して、信号交換表示部６１６内のサブピクセルに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、送信器５３０ｔ及び受信器５３０ｒは、ＴＦＴ構造及び／又はＴＦＴ構成要素とサブピクセルとの間で電流が進行する距離が低減されるように、平面図において非貫通孔部５５３に隣接又は近接して配列される。
いくつかの非限定的な例では、光放出領域６１０は、光放出領域の開口率及びピクセル密度のうちの少なくとも１つが、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じであるように構成される。いくつかの非限定的な例では、光放出領域６１０は、光放出領域の開口率とピクセル密度の両方が表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で同じであるように構成される。いくつかの非限定的な例では、ピクセル密度は、約３００ｐｐｉ、３５０ｐｐｉ、４００ｐｐｉ、４５０ｐｐｉ、５００ｐｐｉ、５５０ｐｐｉ、又は６００ｐｐｉよりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口比は、約２５％、２７％、３０％、３３％、３５％、又は４０％よりも大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、パネル５１０の光放出領域６１０又はピクセルは、ユーザがパネル５１０の表示部６１５と信号交換表示部６１６との間の視覚的差異を検出する可能性を低減するために、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間で実質的に同一に成形され、配列され得る。
図６Ｈは、非限定的な例によるパネル５１０の部分の拡大平面図を示している。具体的には、表示部６１５及び信号交換表示部６１６における、サブピクセル６１０ｘとして表される放出領域２６４の構成及びレイアウトが示されている。各部分には、複数の放出領域６１０が提供されており、各々がサブピクセル６４ｘに対応する。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル６４１、Ｇ（緑）サブピクセル６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル６４３に対応し得る。信号交換表示部６１６には、隣接するサブピクセル６４ｘの間に、複数の信号透過領域５２０が提供されている。
図６Ｈにおいて、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間は、波状の破断線によって示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、表示部６１５と信号交換表示部６１６との間に遷移領域（図示せず）を更に含み、放出領域６１０及び／又は信号透過領域５２０の構成は、隣接する表示部６１５及び／又は信号交換表示部６１６の構成とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような遷移領域の存在は省略されてもよく、そのため、放出領域６１０は、表示部６１５及び信号交換表示部６１６にわたって実質的に連続的な繰り返しパターンで提供される。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０における、いくつかの非限定的な例では、少なくとも近隣の放出領域６１０から横方向に離隔された領域における、及びいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層７０９（図７）のピクセル定義層（pixel definition layer、ＰＤＬ）７４０の厚さは、面５０１の層に対する、及びそれを通る透過率及び／又は透過率角を向上させるために低減され得る。
ユーザデバイス５００の例示的なバージョン７００ａの簡略化されたブロック図である図７Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放出領域６１０の側面１６１０（図１６）は、いくつかの非限定的な例では、銅（Ｃｕ）及び／又は透明導電性酸化物（transparent conducting oxide、ＴＣＯ）から形成され得る、データ線及び／又は走査線（図示せず）に沿って放出領域６１０を駆動するための、関連付けられた少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１にわたって延び、それを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒは、少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔの少なくともフラグメントを含み、フラグメントは、外部表面から反射されるか、又は別様に外部表面によってユーザデバイス５００に返される。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス５００は、少なくとも１つの送信器５３０ｔに少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを放出させ、それがユーザデバイス５００のユーザ６０の顔、輪郭、又は他の部分に入射するようにディスプレイパネル５１０を通過させるように構成される。ユーザ６０に入射する少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔのフラグメントが、ユーザ６０から反射されるか、又は別様にユーザ６０によって返されて少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒを生成し、これが次に、ディスプレイパネル５１０を通過し、そのため、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって受信及び／又は検出される。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔに、ユーザ６０から反射される少なくとも１つの送信ＥＭ信号５３１ｔを生成させて、それに関連付けられた少なくとも１つの受信ＥＭ信号５３１ｒ（集合的にＥＭ信号対５３１）を生成させることによって、少なくとも１つの受信器５３０ｒによって検出され、それによってユーザ６０の生体認証を提供する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔは、少なくとも１つの送信ＩＲ信号５３１ｔとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波長範囲を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を放出するためのＩＲエミッタであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信器５３０ｒは、少なくとも１つの受信ＩＲ信号５３１ｒとして、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおける波長を有する少なくとも１つのＥＭ信号５３１を受信するためのＩＲセンサであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０の信号透過領域５２０はアレイ状に配列され、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び／又は少なくとも１つの受信器５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１がディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの信号透過領域５２０を通過するように構成されるように、ディスプレイパネル５１０の背後のユーザデバイス５００内に位置付けられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が共通の信号透過領域５２０を通過することを可能にするように位置付けられる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの送信器５３０ｔ及び少なくとも１つの受信器５３０ｒは、これらと関連付けられた少なくとも１つのＥＭ信号対５３１が異なる信号透過領域５２０を通過することを可能にするように位置付けられる。
ディスプレイパネル５１０では、少なくとも１つの放出領域６１０は、ディスプレイパネル５１０の側面の第２の部分４０２と関連付けられてもよく、その下層の露出層表面１１は、その上に堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を堆積させてもよい。
ディスプレイパネル５１０において、少なくとも１つの信号透過領域５２０は、ディスプレイパネル５１０の側面の第１の部分４０１と関連付けられてもよく、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅは、下層の露出層表面１１上に配置されてもよく、その露出層表面１１は、その上に配置された、少なくとも１つの粒子構造１２１の不連続層１３０を含むＥＭ放射線吸収層１２０を有する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０は、少なくとも可視光スペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の吸収を容易にする一方で、少なくともＩＲスペクトルの波長範囲のＥＭ放射線の通過を可能にすることができる。
これは、少なくとも１つの送信ＩＲ信号５３１ｔ及び少なくとも１つの受信ＩＲ信号５３１ｒが、少なくともそれらがＩＲスペクトル内にある範囲まで中を通って送信される一方で、外部源からディスプレイパネル５１０上に入射し得る、少なくとも可視光スペクトルの波長範囲内のＥＭ信号５３１（図示せず）を含む、これらの（又は他の）ＥＭ信号５３１の少なくとも一部を、それらが可視光スペクトル内にある範囲まで吸収することを可能にする。
このようにして、ＩＲエミッタ５３０ｔ及びＩＲ検出器５３０ｒの存在を、少なくとも１つの送信ＩＲ信号５３１ｔ及び少なくとも１つの受信ＩＲ信号５３１ｒがディスプレイパネル５１０を通して送信されることを実質的に妨げることなく、ユーザ６０の生体認証を提供するためを含むがこれに限定されずに、ユーザ６０から少なくとも部分的に隠すことができる。
ディスプレイパネル５１０のそのような構成は、例えば、ユーザ体験を実質的に損なうことなく、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒがユーザデバイス５００内に位置付けられ、少なくとも１つの信号透過領域５２０がディスプレイパネル５１０の横方向範囲内に位置付けられることを可能にするため、及び／又はユーザ６０からＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒを隠すことを容易にするために、有利であり得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、単一の信号透過領域５２０だけでなく、複数の信号透過領域５２０、及び／又はそれらの間に延びる少なくとも１つの放出領域６１０の下にあるようなサイズのものであり得ることを理解するであろう。そのような例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、そのような複数の信号透過領域５２０の下に位置付けられてもよく、そのような複数の信号透過領域５２０を通して、ディスプレイパネル５１０の層に対してある角度で、かつそれを通して通過するＥＭ信号５３１を交換してもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層６３０は、いくつかの非限定的な例では第１の電極６２０を備える面５０１の露出層表面１１の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の露出層表面１１は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０を含むことができ、パターン化材料１１１１の気化フラックス１１１２（図１１）に、シャドウマスク１１１５を使用することを含むがこれに限定されないことにより露出されて、第１の部分４０１にパターン化コーティング２１０を形成することができる。シャドウマスク１１１５が採用されるか否かにかかわらず、パターン化コーティング２１０は、その側面において、実質的に信号透過領域５２０に制限されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の露出層表面１１は、限定はしないが、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含む、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０の側面１６２０内の面５０１の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０を含み得る。したがって、少なくとも１つの信号透過領域５２０の側面１６２０内で、露出層表面１１に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、ＥＭ放射線吸収層１２０として、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１２１を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の表面被覆度は、約７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又は１０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
同時に、パターン化コーティング２１０は、その側面において、実質的に非放出領域１９０２に制限されているため、いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１６１０内の面５０１の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層６３０を備え得る。したがって、少なくとも１つの放出領域６１０の側面１６１０の第２の部分４０２内で、露出層表面１１に入射する堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、第２の電極６４０として堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成することができる。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、二重の目的、すなわち、第１の部分４０１におけるＥＭ層放射線吸収層１２０の堆積のためのベースを提供するためのＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅとして、かつ堆積材料１２３１の堆積中にシャドウマスク１１１５を採用することなく、第２の電極６４０としての堆積材料１２３１の堆積の横方向範囲を第２の部分４０２に制限するための非ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｎとして機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の平均膜厚は、少なくとも約５ｎｍ、６ｎｍ、又は８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１はＭｇＡｇを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、遷移領域７０５内のパターン化コーティング２１０を部分的に覆って延びてもよい。
ＥＭ放射線吸収層の詳細
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されないことにより、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１を備え得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、上に堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成することは、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上では実質的に阻害され得るが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅがその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２３１のいくつかの蒸気モノマーは、最終的に、その上に堆積材料１２３１の少なくとも１つの粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、いくつかの非限定的な例では堆積材料１２３１の少なくとも１つの粒子構造１２１を含む不連続層１３０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１のうちの少なくともいくつかは、互いから切り離されてもよい。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続コーティング１３０は、ＥＭ放射線吸収層１２０が、閉じたコーティング１０４０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。
そのようなＥＭ放射線吸収層１２０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、粒子構造１２１として形成され、ディスプレイパネル５１０内のＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅと少なくとも１つの被覆層７１０との間の界面に、その横方向範囲で、実質的にその範囲にわたって挿入された、堆積材料１２３１の薄い分散層を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の粒子構造１２１のうちの少なくとも１つは、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の実質的に全ての粒子構造１２１は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、幾分驚くべきことに、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上の不連続層１３０内を含むがこれに限定されない、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない、堆積材料１２３１のそのような薄い分散ＥＭ放射線吸収層１２０の存在は、本明細書で論じるように、ディスプレイパネル５１０の光学効果及び特性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の様々な特質及び付随して様々な挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１つの特質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの平均膜厚、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅにおける不均一性の導入、並びに／又はＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅのパターン化材料１１１１のための温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の少なくとも１つの特質、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが堆積材料１２３１の堆積に露出され得る程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定され得る）、並びに／又は堆積材料１２３１のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも可視光スペクトルの波長部分範囲において、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおいてよりも大きな吸収を示すように提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも可視光スペクトルの波長部分範囲内のＥＭ放射線を吸収し、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線を実質的に吸収しないように提供されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２０を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のＥＭ放射線吸収層１２０は、概してＵＶＡスペクトルのＥＭ放射線を吸収することができるＵＶＡ吸収コーティング１２０を含むことができ、かつ／又はそのようなＵＶＡ吸収コーティングとして作用することができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０を通るＵＶＡ放射線の透過を低減及び／又は緩和するために、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２０を提供することには利点があり得る。非限定的な例として、そのようなＵＶＡ吸収コーティング１２０の存在は、ＵＶＡ放射線によって引き起こされる干渉を低減することによって、ディスプレイパネル５１０を通してアンダーディスプレイ構成要素５３０によって取り込まれる画質を向上させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部及び可視光スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収し得るが、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線では吸収が低減され、かつ／又は実質的に吸収がないことが示される。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加として、提示されたモデルは、そのようなＥＭ放射線吸収層１２０を通過するＥＭ放射線の透過及び／又は吸収に対して与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の特徴的なサイズは、統計的分布を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトル強度が、粒子構造１２１の特徴的なサイズの特定の分布について、ＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度に比例する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の特徴的なサイズは、ほぼ単一の値の周り、及び／又は比較的狭い範囲に集中し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の特徴的なサイズは、少なくとも１つの値の周りに、かつ／又は少なくとも１つの比較的狭い範囲内に集中され得る。非限定的な例として、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造は、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の特徴的なサイズが周りに集中し得る複数の異なる値及び／又は範囲が存在するようなマルチモーダル挙動を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０は、第１の範囲の特徴的なサイズを有する第１の少なくとも１つの粒子構造１２１１と、第２の範囲の特徴的なサイズを有する第２の少なくとも１つの粒子構造１２１２とを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の特徴的なサイズの範囲は、約５０ｎｍ以下のサイズに対応してもよく、第２の特徴的なサイズの範囲は、少なくとも５０ｎｍのサイズに対応してもよい。非限定的な例として、第１の特徴的なサイズの範囲は、約１～４９ｎｍのサイズに対応してもよく、第２の特徴的なサイズの範囲は、約５０～３００ｎｍのサイズに対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１の大部分は、約１０～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、１５～３５ｎｍ、２０～３５ｎｍ、又は２５～３５ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の粒子構造１２１２の大部分は、約５０～２５０ｎｍ、５０～２００ｎｍ、６０～１５０ｎｍ、６０～１００ｎｍ、又は６０～９０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１２１１及び第２の粒子構造１２１２は、互いに散在していてもよい。
そのようなマルチモーダル粒子構造１２１の形成を研究するために、一連の５つの試料を製作した。各試料は、ガラス基板上に、およそ２０ｎｍ厚の有機半導体層６３０、続いておよそ３４ｎｍ厚のＡｇ層、続いておよそ３０ｎｍ厚のＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅを堆積させ、次いでＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの表面をＡｇの蒸気フラックス１２３２にさらすことによって調製した。各試料のＳＥＭ画像を種々の倍率で撮影した。
図８Ａは、第１の試料のＳＥＭ画像８００と、拡大された更なるＳＥＭ画像８０５とを示している。画像８００から分かるように、第１の小さい特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１と、第２のより大きい特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るより少数の第２の粒子構造１２１２とが存在する。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８１０は、第１の粒子構造１２１１の大部分が約３０ｎｍ付近に集中し得ることを示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８００の観察窓の表面被覆度が約３８％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８００の観察窓の表面被覆度が約１％であったことを示している。
図８Ｂは、第２の試料のＳＥＭ画像８２０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８２５とを示している。画像８２０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大きくなり得る。更に、そのような第２の粒子構造１２１２は、より顕著になる傾向があり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８３０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きなピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子１２１２のより小さなピークとを示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８２０の観察窓の表面被覆度が約２３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８２０の観察窓の表面被覆度が約１０％であったことを示している。
図８Ｃは、第３の試料のＳＥＭ画像８４０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８４５とを示している。画像８４０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、第２の試料においてよりも更に大きくなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８５０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きいピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１２１２のより小さい（しかし、プロット８３０に示されるよりも大きい）ピークとを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８４０の観察窓の表面被覆度が約１９％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８４０の観察窓の表面被覆度が約２１％であったことを示している。
図８Ｄは、第４の試料のＳＥＭ画像８６０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８６５とを示している。画像８６０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大きくなり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８７０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約２０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きなピークと、約８５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１２１２のより小さなピークとを示すことができる。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８６０の観察窓の表面被覆度が約１４％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８６０の観察窓の表面被覆度が約３４％であったことを示している。
図８Ｅは、第５の試料のＳＥＭ画像８８０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８８５とを示している。画像８８０から分かるように、第１の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第１の粒子構造１２１１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズの周りに集中する傾向があり得るいくつかの第２の粒子構造１２１２は、より大きくなり得る。実際、第２の粒子構造１２１２が優勢になる傾向があり得る。特徴的な粒子サイズの関数としての粒子構造１２１のカウントのプロット８９０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約１５ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１２１１の大きなピークと、約８５ｎｍの周りに集中した第２の粒子構造１２１２のより小さなピークとを示す。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１２１１の画像８８０の観察窓の表面被覆度が約３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍの特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１２１２の画像８８０の観察窓の表面被覆度が約５５％であったことを示している。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０のそのようなマルチモーダル挙動は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ内に堆積材料１２３１のための複数の核形成部位を、そのような核形成部位として作用し得るシード又は不均一性として作用し得る別の材料でパターン化材料１１１１をドーピング、被覆、及び／又は補完することを含むがこれらに限定されないことによって、導入することによって生成され得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の特徴的なサイズの第１の粒子構造１２１１は、そのような核形成部位が実質的に存在し得ないＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ上に形成される傾向があり得、第２の特徴的なサイズの第２の粒子構造１２１２は、そのような核形成部位の位置に形成される傾向があり得ると仮定され得る。
当業者は、そのようなマルチモーダル挙動が生成され得る他のメカニズムが存在し得ることを理解するであろう。
上記はまた、単純化する仮定として、各粒子構造１２１をモデル化するＮＰが完全な球形を有し得ることを仮定する。典型的には、ＥＭ放射線吸収層１２０（の使用される観察窓）内の粒子構造１２１の形状は、堆積プロセスに大きく依存し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の形状は、それによって示されるＳＰ励起に対して、限定はしないが、共振帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随してその吸収帯域を含むがこれらに限定されないことに対して、著しい影響を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０を取り囲む材料は、（粒子構造１２１がその露出層表面１１上に堆積され得るように）下にあるか又は後でＥＭ放射線吸収層１２０の露出層表面１１上に配置されるかにかかわらず、ＥＭ放射線吸収層１２０を通るＥＭ放射線及び／又はＥＭ信号５３１の放出及び／又は透過によって生成される光学効果に影響を及ぼし得る。
粒子構造１２１を含むＥＭ放射線吸収層１２０を、低屈折率を有する材料から構成され得るＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に、かつ／又は露出層表面１１と物理的に接触して、かつ／又は露出層表面１１に近接して配置することは、いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトルをシフトさせ得ると仮定され得る。
ＥＭ放射線吸収層１２０は、ＥＭ放射線吸収層１２０上にあるように、かつ／又はＥＭ放射線吸収層１２０と物理的に接触するように、かつ／又はＥＭ放射線吸収層１２０に近接するように配列され得るため、ディスプレイパネル５１０は、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトルが、可視光スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されない、ＥＭスペクトルの少なくとも波長範囲と実質的に重複し得るように、及び／又は重複し得ないように構成され得ることを含むがこれらに限定されずに、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在により、ＥＭ放射線吸収層１２０の吸収スペクトルが調整及び／又は修正され得るように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０内に、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、及びＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの堆積と同様の状況下では、堆積材料１２３１の第２の表面エネルギー以下であり得る第１の表面エネルギーを有し得、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０内に、ある形態の膜及び／又はコーティングとして堆積されたとき、及びＥＭ放射線吸収層１２０の堆積と同様の状況下である。
いくつかの非限定的な例では、第２の表面エネルギー／第１の表面エネルギーの商は、少なくとも約１、５、１０、又は２０のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１２１によるＥＭ層パターン化コーティング２１０の面積の表面被覆度は、最大閾値被覆度以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約１～２００ｎｍ、１～１５０ｎｍ、１～１００ｎｍ、１～５０ｎｍ、１～４０ｎｍ、１～３０ｎｍ、１～２０ｎｍ、５～２０ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にあり得る特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約５～１００ｎｍ、５～５０ｎｍ、５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、５～２５ｎｍ、５～２０ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又は中央値の特徴サイズを有し得る。非限定的な例として、そのような平均値及び／又は中央値の寸法は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１の平均値の直径及び／又は中央値の直径にそれぞれ対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の大部分は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、約１００ｎｍ、８０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、又は１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような最大特徴サイズを有し得る粒子構造１２１の割合は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするという文脈において、ＥＭ放射線吸収層１２０の面積の少なくとも約７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、又は１０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、可視光スペクトル及び／又はＵＶスペクトルの少なくとも部分範囲内のＥＭ信号５３１を吸収しながら、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過するＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ信号５３１の透過を可能にするように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１は、（ｉ）約１０～５０％、１０～４５％、１２～４０％、１５～４０％、１５～３５％、１８～３５％、２０～３５％、又は２０～３０％のうちの少なくとも１つの被覆率、（ｉｉ）粒子構造１２１の大部分が少なくとも約４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、又は２０ｎｍのうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得ること、及び（ｉｉｉ）約５～４０ｎｍ、５～３０ｎｍ、８～３０ｎｍ、１０～３０ｎｍ、８～２５ｎｍ、１０～２５ｎｍ、８～２０ｎｍ、１０～１５ｎｍ、又は８～１５ｎｍのうちの少なくとも１つの平均値及び／又は中央値の特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過するＥＭ信号５３１の透過を向上させるために少なくとも１つの粒子構造１２１によって与えられる共振は、粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、分散度、及び／又は材料のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、堆積材料１２３１の堆積厚さを変化させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの平均膜厚を変化させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、少なくとも１つの被覆層７１０の厚さを変化させることによって調整され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０の厚さは、０ｎｍ（少なくとも１つの被覆層７１０の不在に対応する）から、堆積粒子構造１２１の特質を超える値までの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、堆積材料１２３１内の金属の組成を変更して、堆積粒子構造１２１の誘電率を変更することによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、異なる組成を有する有機材料でパターン化材料１１１１をドープすることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、特定の屈折率及び／又は特定の抽出係数を有するようにパターン化材料１１１１を選択及び／又は修正することによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共振は、特定の屈折率及び／又は特定の減衰係数を有するように、少なくとも１つの被覆層７１０として堆積される材料を選択及び／又は修正することによって調整され得る。非限定的な例として、典型的な有機ＣＰＬ材料は、約１．７～２．０の範囲の屈折率を有し得るのに対して、ＴＦＥ材料として典型的に使用される材料であるＳｉＯＮｘは、約２．４を超え得る屈折率を有し得る。付随して、ＳｉＯＮｘは、所望の共鳴特質に影響を与え得る高い吸光係数を有し得る。
当業者は、追加のパラメータ及び／又は値及び／又はその範囲が、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通って通過するＥＭ信号５３１の透過を可能にするために、かつ／又はディスプレイパネル５１０の面５０１に入射する、非限定的な例として可視光であり得るＥＭ放射線の吸収を向上させるために、ＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられる共振を調整するのに好適であることが明らかになり得ることを理解されよう。
当業者であれば、これらのパラメータのある特定の値及び／又は範囲は、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の非放出領域１９０２を通過するＥＭ信号５３１の透過を向上させるためにＥＭ放射線吸収層１２０によって与えられる共振を調整するのに適切であり得るが、そのようなパラメータの他の値及び／又は範囲は、面５０１の性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を向上させることを含む、ＥＭ信号５３１の透過の向上以外の他の目的のために、かついくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の放出領域５１０内に適切な第２の電極６４０を確実に堆積させ、それによってＥＭ放射線の放出を容易にするために適切であり得ることを理解するであろう。
追加として、当業者は、そのような他の目的に好適であり得る追加のパラメータ及び／又は値及び／又は範囲が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２内の面５０１の露出層表面１１に入射する（すなわち、面５０１の露出層表面１１がＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅである第１の部分４０１の側面を超える）堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅが存在しない場合であっても、その上に堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成することができない速度及び／又は持続時間であり得る。そのようなシナリオでは、第２の部分４０２の側面内の露出層表面１１上の堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、図７Ａに示すように、不連続層１３０を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１２１ｔをその上に形成することもできる。
図７Ｂは、ユーザデバイス５００の例示的なバージョン７００
ｂ の簡略化されたブロック図である。そのディスプレイパネル７００
ｂ では、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２が露出層表面１１に入射すると、面５０１のように第２の部分４０２に第２の電極６４０として閉じたコーティング１０４０を形成するのではなく、少なくとも１つの粒子構造１２１ｔを含む不連続層１３０が第２の部分４０２に形成され得る。少なくとも１つの粒子構造１２１ｔが電気的に結合される場合、不連続層１３０は、第２の電極６４０として機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズは、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズよりも大きくてよい。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの表面被覆度－は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの表面被覆度よりも大きくてよい。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの堆積密度は、ＥＭ放射線吸収層１２０の粒子構造１２１ｄの堆積密度よりも大きくてよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度は、粒子構造１２１ｔが電気的に結合されることを可能にするようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２内の第２の電極６４０を形成する不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの特徴的なサイズは、第１の部分４０１内のＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの特徴的なサイズを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の第２の電極６４０を形成する不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｔの表面被覆度は、第１の部分４０１のＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１ｄの表面被覆度を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２における第２の電極６４０の不連続層１３０の堆積密度は、第１の部分４０１におけるＥＭ放射線吸収層１２０の堆積密度よりも大きくてよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０を形成する不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、遷移領域７０５内のＥＭ層パターン化コーティング２１０の上に部分的に延びてもよい。
図７Ｃは、ユーザデバイス５００の例示的なバージョン７００
ｃ の簡略化されたブロック図である。ディスプレイパネル５１０ｂでは、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の第２の部分４０２内の放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、ディスプレイパネル５１０ｂの側面の第２の部分４０２内の放出領域６１０と同じ場所に配置され、第１の電極６２０は、ＴＦＴ絶縁層７０９を通って延びて、そのような少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を組み込んだ少なくとも１つの駆動回路を介して電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合される。
対照的に、ディスプレイパネル５１０ｃでは、面５０１の側面の第２の部分４０２内に、それが駆動する放出領域６１０と同じ場所に配置されたＴＦＴ構造７０１は存在しない。したがって、ディスプレイパネル５１０ｃの第１の電極６２０は、ＴＦＴ絶縁層７０９を貫通しない。むしろ、ディスプレイパネル５１０ｃの側面の第２の部分４０２内の放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、その側面内の他の場所（図示せず）に位置し、伝導性チャネル７３５は、いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層７０９であり得る、ディスプレイパネル５１０ｃの露出層表面１１上のその第２の部分４０２を越えて、ディスプレイパネル５１０ｃの側面内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル７３５は、ディスプレイパネル５１０ｃの側面の第１の部分４０１の少なくとも一部にわたって延びることができる。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル７３５は、それを通る面５０１の層に対してある角度で通過するＥＭ信号５３１の透過率を最大化するような平均膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル７３５は、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に形成されたＥＭ放射線吸収層１２０の特徴を分析するために、そのような露出層表面１１をＡｇの蒸気フラックス１２３２に露出した後に、一連の試料を製作した。
試料は、シリコン（Ｓｉ）基板上にＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅを提供するために有機材料を堆積させることによって製作された。次に、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１を、８ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラックス１２３２にさらした。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１を蒸気フラックス１２３２に露出した後、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上にＡｇの別個の粒子構造１２１の形態の不連続層１３０の形成が観察された。
そのような不連続層１３０の特徴は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上に堆積されたＡｇの別個の粒子構造１２１のサイズを測定するためにＳＥＭによって特徴付けられた。具体的には、各別個の粒子構造１２１の平均直径は、ＥＭ層パターン化用コーティング２１０ｅの露出層表面１１を平面視したときに各別個の粒子構造１２１が占める面積を測定し、各別個の粒子構造１２１が占める面積を同面積の円にフィッティングして平均直径を算出した。試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図９Ａに示し、図９Ｃは、この分析によって得られた平均直径９１０の分布を示す。比較のために、８ｎｍのＡｇをＳｉ基板上に直接堆積させた基準試料を調製した。そのような基準試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図９Ｂに示し、この顕微鏡写真の分析９２０を図９Ｃにも反映する。
見て分かるように、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１上の別個のＡｇ粒子構造１２１の中央値サイズは、およそ１３ｎｍであることが分かり、一方、基準試料のＳｉ基板上に堆積されたＡｇ膜の中央値粒径は、およそ２８ｎｍであることが分かった。試料の分析された部分における不連続層１３０の別個のＡｇ粒子構造１２１によって覆われたＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１の面積割合は、およそ２２．５％であることが分かり、一方、基準試料におけるＡｇ粒子によって覆われたＳｉ基板の露出層表面１１の割合は、およそ４８．５％であることが分かった。
追加として、ガラス基板上にＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅ及びＡｇ粒子構造１２１の不連続層１３０を堆積させることによって、実質的に同一のプロセスを使用してガラス試料を調製し、この試料（試料Ｂ）を分析して、試料を通る透過率に対する不連続層１３０の効果を決定した。ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅをガラス基板上に堆積させることによって（比較試料Ａ）、及び８ｎｍ厚のＡｇコーティングをガラス基板上に直接堆積させることによって（比較試料Ｃ）、比較ガラス試料を製作した。ＥＭ放射線が各試料を通過する際に検出されたＥＭ放射線の強度の割合として表されるＥＭ放射線の透過率を、各試料について種々の波長で測定し、以下の表４にまとめた。
見て分かるように、試料Ｂは、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在によって引き起こされるＥＭ放射線吸収のために、可視光スペクトルの４５０ｎｍの波長で約５４％の比較的低いＥＭ放射線透過率を示したが、ＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍの波長で約８８％の比較的高いＥＭ放射線透過率を示した。比較試料Ａは、８５０ｎｍの波長で約９０％の透過率を示したため、ＥＭ放射線吸収層１２０の存在は、限定はしないが、そのような波長でのＥＭ信号５３１を含むＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させなかったことが理解されよう。比較試料Ｃは、試料Ｂと比較して、可視光スペクトルにおいて３０～４０％の比較的低い透過率を示し、ＮＩＲスペクトルにおいて８５０ｎｍの波長でより低い透過率を示した。
前述の分析の目的のために、５００ｎｍスケールで約１０ｎｍ２以下及び２００ｎｍスケールで約２．５ｎｍ２以下の閾値面積を下回る小粒子構造１２１は、これらが画像の解像度に近づくにつれて無視された。
被覆層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、限定はしないが、アウトカップリング層、ＣＰＬ、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてディスプレイパネル５１０上に堆積され得る他の物理層及び／若しくはコーティングを含む、ディスプレイパネル５１０のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティングの少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、限定はしないが、アウトカップリング層、ＣＰＬ、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてディスプレイパネル５１０上に堆積され得る他の物理層及び／若しくはコーティングを含む、ディスプレイパネル５１０のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティングの少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬは、デバイス２００の表面全体にわたって堆積され得る。ＣＰＬの機能は、概して、デバイス２００によって放出された光のアウトカップリングを促進し、したがって外部量子効率（ＥＱＥ：external quantum efficiency）を
向上させることであり得る。
向上させることであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、面５０１の横方向範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１においてＥＭ放射線吸収層１２０の少なくとも１つの粒子構造１２１を少なくとも部分的に被覆し、その露出層表面１１においてＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅとの界面を形成する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０はまた、第２の部分４０２内の第２の電極６４０を少なくとも部分的に被覆し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、高い屈折率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層７１０は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの屈折率を超える屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、ＥＭ層パターン化コーティング２１０ｅの露出層表面１１との界面において、製造中、製造後、及び／又は動作中であるかどうかにかかわらず、空隙及び／又は空気界面を提供され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、そのような空隙及び／又は空気界面は、少なくとも１つの被覆層７１０とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル５１０は、ＣＰＬ及び空隙の両方を備えてもよく、ＥＭ放射線吸収コーティング１２０は、ＣＰＬによって覆われてもよく、空隙は、ＣＰＬ上に又はＣＰＬを覆って配置される。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の粒子構造１２１のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線吸収層１２０内の堆積材料１２３１の粒子構造１２１の実質的に全てが、少なくとも１つの被覆層７１０と物理的に接触していてもよい。
当業者は、図示されていない製造の種々の段階で導入される追加の層が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内の粒子構造１２１の薄い分散ＥＭ放射線吸収層１２０は、低屈折率を有するパターン化材料１１１１を含むパターン化コーティング２１０と、限定はしないが、高屈折率を有し得る材料を含むＣＰＬを含む少なくとも１つの被覆層７１０との間の界面において、面５０１の層に対してある角度でディスプレイパネル５１０の面５０１の信号透過領域５２０を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１のアウトカップリングを強化することができる。
パターン化
当業者は、（ＥＭ放射線吸収層１２０を形成する目的であるか否かにかかわらず）パターン化コーティング２１０を使用して堆積材料１２３１をパターン化することの更なる詳細がここで説明されることを理解するであろう。
当業者は、（ＥＭ放射線吸収層１２０を形成する目的であるか否かにかかわらず）パターン化コーティング２１０を使用して堆積材料１２３１をパターン化することの更なる詳細がここで説明されることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１において、パターン化材料１１１１（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料であってもよい）を含むパターン化コーティング２１０（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣであってもよい）は、第１の部分４０１においてのみ、デバイス１００の下層（基板１０を含むが、これに限定されない）の露出層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として選択的に堆積されてもよい。しかしながら、第２の部分４０２では、下層の露出層表面１１は、パターン化材料１１１１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
パターン化コーティング
図１０は、積層半導体デバイス１０００の断面図であり、デバイス１００は、いくつかの非限定的な例では、そのバージョンであり得る。パターン化コーティング２１０は、パターン化材料１１１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化材料１１１１の閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
図１０は、積層半導体デバイス１０００の断面図であり、デバイス１００は、いくつかの非限定的な例では、そのバージョンであり得る。パターン化コーティング２１０は、パターン化材料１１１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化材料１１１１の閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
パターン化コーティング２１０は、堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０が堆積されたデバイス１００の下層の露出層表面１１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
堆積材料１２３１の堆積に対する、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の低い初期付着確率のために、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、パターン化コーティング２１０を含む第１の部分４０１は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、銀（Ａｇ）及び／又はマグネシウム（Ｍｇ）の堆積に対して、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、又は約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、堆積材料１２３１の堆積に対して、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８又は約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、閾値以下である初期付着確率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような閾値は、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、又は約０．００１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、そのような閾値未満である初期付着確率を有し得る。いくつかの更なる非限定的な例において、パターン化コーティング２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料１２３１の堆積に対して、そのような閾値以下の初期付着確率を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、第１の閾値以下の第１の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率と、第２の閾値以下の第２の堆積材料１２３１の堆積に対する初期付着確率とを示し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＡｇであってもよく、第２の堆積材料１２３１はＹｂであってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料１２３１はＹｂであってもよく、第２の堆積材料１２３１はＭｇであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は、第２の閾値を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２（図１２）にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような透過率は、薄膜として形成されたパターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の露出層表面１１を、非限定的な例として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る光電子デバイスの電極を堆積させるために使用され得る典型的な条件下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１が、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受けるための条件は、以下の通りであってもよい。（ｉ）約１０－４Ｔｏｒｒ又は１０－５Ｔｏｒｒの真空圧力、（ｉｉ）Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２は、非限定的な例として、ＱＣＭを使用して監視及び／又は測定され得る、約１オングストローム（Å）／秒の基準堆積速度と実質的に一致し、（ｉｉｉ）約１５ｎｍの基準平均層厚に達するまで、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受け、そのような基準平均層厚に達すると、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を更に受けない。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２を受ける露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料１２３１を蒸発させる蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視光スペクトル内の波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、９００ｎｍ、又は約１０００ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、試料を透過し得る入射ＥＭパワーのパーセンテージとして表され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約８０％、約８５％、又は約９０％のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の堆積に対する、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１の初期付着確率と、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、またデバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、その上の堆積材料１２３１の平均層厚との間に正の相関があり得る。
高透過率は、概して、非限定的な例としてＡｇであり得る堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が存在しないことを示し得ることが、当業者には理解されよう。一方、金属薄膜は、特に閉じたコーティング１０４０として形成された場合、ＥＭ放射線の高い吸収度を示すことがあるので、低い透過率は、概して、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の存在を示してもよい。
Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１に対して低い初期付着確率を示す露出層表面１１は、高い透過率を示し得ることが更に仮定され得る。一方、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１に対して高い付着確率を示す露出層表面１１は、低い透過率を示してもよい。
実施例材料の透過率を測定するために、並びにそのような実施例材料の露出層表面１１上にＡｇの閉じたコーティング１０４０が形成されたか否かを視覚的に観察するために、一連の試料が製作された。各試料は、ガラス基板上に、実施例材料のおよそ５０ｎｍ厚のコーティングを堆積させ、次いで、コーティングの露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準層厚に達するまで、約１Å／秒の速度でＡｇの蒸気フラックス１２３２にさらすことによって調製した。次に、各試料を視覚的に分析し、各試料の透過率を測定した。
本明細書の試料で使用される実施例材料の分子構造を以下に示す。
Ａｇの実質的に閉じたコーティング１０４０が形成された試料を視覚的に識別し、これらの試料におけるそのようなコーティングの存在を、それらを通る透過率の測定によって更に確認し、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
Ａｇの閉じたコーティング１０４０が形成されていない試料も識別され、これらの試料中にそのようなコーティングが存在しないことは、それらを通る透過率の測定によって更に確認され、約４６０ｎｍの波長で約７０％を超える透過率を示した。
結果を以下に要約する。
上記に基づいて、表５及び６の第１の７つの試料（ＨＴ２１１～実施例材料２）で使用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、その上の堆積材料１２３１の堆積を抑制するのにあまり適していない場合があることが分かった。
一方、実施例材料３～実施例材料９は、少なくともいくつかの非限定的な用途において、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のその上への堆積を抑制するためのパターン化コーティング２１０として作用するのに好適であり得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティングの堆積と同様の状況下で、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、又は約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、約又は約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、表面の臨界表面張力は、詳細は、Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ４３（１９６４），ｐｐ．１－５１に述べてあるＺｉｓｍａｎ法に従って決定されてもよい。
非限定的な例として、種々の材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連の試料を製作した。測定結果を以下に要約する。
表７における臨界表面張力の前述の測定、及びＡｇの実質的に閉じたコーティング１０４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、コーティングとして堆積された場合に低表面エネルギー表面を形成する材料（これは、非限定的な例として、約１３～２０ダイン／ｃｍ、又は１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を有する材料であり得る）は、パターン化コーティング２１０を形成して、その上への堆積材料１２３１（Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料が挙げられるが、これらに限定されない）の堆積を阻害するために適切であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのような材料がそのような材料を取り囲む層に対して比較的弱い接着性を示し、低い融点を示し、及び／又は低い昇華温度を示す可能性があるので、ある特定の用途においてパターン化材料１１１１としてあまり適していない可能性があると仮定してもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、低屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．４５、約１．４３、約１．４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、又は約１．３のうちの少なくとも１つ以下であり得る屈折率を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、低屈折率を有するパターン化コーティング２１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００において、その第２の部分４０２を通る外部ＥＭ放射線の透過を向上させ得ることが観察されている。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０の近くに又はそれに隣接して配列され得るエアギャップをその中に含むデバイス１０００は、パターン化コーティング２１０が低屈折率を有するとき、そのような低屈折率パターン化コーティング２１０が提供されなかった同様に構成されたデバイスに対して、より高い透過率を示し得る。
非限定的な例として、一連の試料を製作して、様々な実施例材料のいくつかによって形成されたコーティングについて、５５０ｎｍの波長での屈折率を測定した。測定結果を以下に要約する。
表８の屈折率の前述の測定、及び表６のＡｇの実質的に閉じたコーティング１０４０の有無に関する以前の観察に基づいて、非限定的な例として、約１．４又は１．３８のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有するものであり得る低屈折率コーティングを形成する材料は、限定ではないが、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含む、その上の堆積材料１２３１の堆積を抑制するために、パターン化コーティング２１０を形成するために好適であり得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、又は約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長の光子に対して約０．０１以下であり得る消衰係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくとも可視光スペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させないことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させないことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、又は約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、又は約０．５のうちの少なくとも１つであり得る消衰係数を有し得る。このようにして、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されたとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、デバイス１０００に入射するＵＶＡスペクトルのＥＭ放射線を吸収することができ、それによって、ＵＶＡスペクトルのＥＭ放射線がデバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない影響を与え得る可能性を低減する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態のコーティングとして堆積されるとき、デバイス１０００内のパターン化コーティング２１０の堆積と同様の状況下で、約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、又は約－５０℃のうちの少なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パターン化材料１１１１がＰＶＤを使用してコーティングとして容易に堆積されることを可能にし得る。
材料の昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱すること、及び以下のように達成され得る温度を決定することを含むがこれらに限定されないことによって、当業者に明らかな様々な方法を使用して決定することができる。
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への材料の堆積の開始を観察し、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への特定の堆積速度、非限定的な例として、０．１Å／秒を観察する、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は約１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達する。
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への材料の堆積の開始を観察し、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への特定の堆積速度、非限定的な例として、０．１Å／秒を観察する、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は約１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達する。
いくつかの非限定的な例では、材料の昇華温度は、非限定的な例として約１０－４Ｔｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材料を加熱することによって、また材料を蒸発させるために達成され得る温度を決定し、したがって、非限定的な例として約０．１Å／秒の堆積速度で、蒸発源から固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面への材料の堆積を引き起こすのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、昇華温度を決定する目的で、ＱＣＭをるつぼから約６５ｃｍ離して取り付けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はシリコン（Ｓｉ）原子を含んでもよい。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するためのパターン化材料１１１１は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、Ｆを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、少なくとも約１、１．５、又は２のうちの少なくとも１つのＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てをカウントし、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみをカウントすることによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、その分子部分構造の一部として、少なくとも約１、１．５、又は２のＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含む化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物は、有機－無機ハイブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、オリゴマーであり得るか、又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、骨格及び骨格に結合した少なくとも１つの官能基を含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような化合物は、シロキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例において、シロキサン基は、線状、分岐状、又は環状シロキサン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シロキサン基であってもよく、又はシロキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオロシロキサンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料６及び実施例材料９である。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基はＰＯＳＳであってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、シルセスキオキサン基であってもよく、又はシルセスキオキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料８である。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、置換若しくは非置換のアリール基、及び／又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、置換若しくは非置換のアリール基、及び／又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。
いくつかの非限定的な例において、化合物は、置換又は非置換の線状、分岐状、又は環状炭化水素基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、炭化水素基の１つ以上のＣ原子は、非限定的な例としてＯ、Ｎ、及び／又はＳであり得るヘテロ原子によって置換され得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例において、ホスファゼン基は、線状、分岐状、又は環状ホスファゼン基であってもよい。いくつかの非限定的な例において、骨格は、ホスファゼン基であってもよく、又はホスファゼン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。このような化合物の非限定的な例としては、フルオロ－ホスファゼンが挙げられる。このような化合物の非限定的な例は、実施例材料４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックコポリマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、化合物は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、オリゴマーはフルオロオリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマー及び／又はフルオロオリゴマーの非限定的な例は、実施例材料３、実施例材料５、及び／又は実施例材料７の分子構造を有するものである。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な例では、金属錯体は有機金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体はＦを含み得る。いくつかの非限定的な例において、有機金属錯体は、Ｆを含む少なくとも１つのリガンドを含むことができる。いくつかの非限定的な例において、Ｆを含む少なくとも１つのリガンドは、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキル基を含むことができる。
いくつかの非限定的な例において、パターン化材料１１１１は、有機－無機ハイブリッド材料であってもよく、又は有機－無機ハイブリッド材料を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、複数の異なる材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ、約４，５００ｇ／ｍｏｌ、約４，０００ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ／ｍｏｌ、又は約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の化合物の分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであってもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較的低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合された化合物については、少なくともいくつかの用途において、そのような化合物の分子量が約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、又は約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであるという目標が存在し得ることが仮定され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような化合物は、（ｉ）非限定的な例として、少なくとも１００℃の比較的高い融点、（ｉｉ）比較的低い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）非限定的な例として、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積されたときの実質的に非晶質の構造を有するコーティング及び／又は層を形成するのに好適であり得る少なくとも１つの特性を示し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るそのような化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、又は約６０～７５％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例において、Ｆ原子は、そのような化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング２１０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、パターン化コーティング２１０をその複数の別個の断片に分離してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片は、いくつかの非限定的な例ではパターン化コーティング２１０の別個の断片が繰り返しパターンで構成され得るように、アレイ又はマトリックスを含むがこれらに限定されない規則的な構造で配列されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の複数の別個の断片のうちの少なくとも１つは各々、放出領域６１０に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の開口率は、約５０％、約４０％、約３０％、又は約２０％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、単一のモノリシックコーティングとして形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、使用されるパターン化材料１１１１及び／又は堆積環境のために、堆積材料１２３１のための少なくとも１つの核形成部位を有する及び／又は提供することができるが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積材料１２３１のためのそのような核形成部位として作用するために、シード又は不均一性として作用し得る別の材料でドープされ、覆われ、及び／又は補足され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような他の材料は、ＮＰＣ１４２０材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような他の材料は、非限定的な例として、限定はしないが多環芳香族化合物などの有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、若しくはＣのうちの少なくとも１つなどの非金属元素を含む材料を含むことができ、それらの存在は、そうでなければ、源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境中の夾雑物質である可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような他の材料は、その閉じたコーティング１０４０の形成を回避するために、単層の数分の１である層厚で堆積されてもよい。むしろ、そのような他の材料のモノマーは、堆積材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、光学コーティングとして作用してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、デバイス１０００によって放出されるＥＭ放射線（光子の形態を含むが、これに限定されない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、ある程度のヘイズを示し、放出されたＥＭ放射線を散乱させ得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含むことができる。そのようなＥＭ放射線の散乱は、いくつかの非限定的な例において、デバイスからのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、最初に、実質的に非晶質のコーティングを含むがこれに限定されない実質的に非結晶性のコーティングとして堆積されてもよく、その堆積後、パターン化コーティング２１０は結晶化されてもよく、その後、光結合として機能してもよい。
ＮＩＣを提供する際に使用するのに適した材料は、概して、表面上に薄膜又はコーティングとして堆積されたときに低い表面エネルギーを有することができる。概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、低い融点を示し得る。概して、低融点を有する材料は、材料の融点に近い動作温度でのコーティング又は材料の物理的特性の変化に起因して、非限定的な例として、６０℃まで、８５℃まで、又は１００℃までの高温信頼性を必要とするいくつかの用途での使用に適していない場合がある。非限定的な例として、１２０℃の融点を有する材料は、１００℃までの高温信頼性を必要とする用途には適していない場合がある。したがって、少なくとも高温信頼性を必要とするいくつかの用途では、より高い融点を有する材料が望ましい場合がある。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、高温信頼性が所望され得るいくつかの用途において有用であり得ることがここで仮定される。
概して、低い分子間力を有する材料は、低い昇華温度を示し得る。少なくともいくつかの用途では、材料が低い昇華温度を有することは、材料の堆積膜の層厚に対して高度な制御を必要とするある特定の製造プロセスには適していない場合があるため、望ましくない場合がある。非限定的な例として、約１４０℃、１２０℃、１１０℃、１００℃、又は９０℃未満の昇華温度を有する材料の場合、真空熱蒸着又は当該技術分野における他の方法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御することは困難であり得る。したがって、より高い昇華温度を有する材料は、膜厚に対する高度の制御が望まれる少なくともいくつかの用途において有用であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、比較的高い表面エネルギーを有する材料は、少なくとも、フィルム厚さに対する高度な制御が所望されるいくつかの用途において有用であり得ることがここで仮定される。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、非限定的な例として、材料のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップに対応し得る大きな又は広い光学ギャップを示し得る。大きな又は広い光学ギャップ及び／又はＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する少なくともいくつかの材料は、電磁スペクトルの可視部分、濃青色及び／又は近ＵＶ波長範囲において比較的弱いフォトルミネセンスを示すか、又はフォトルミネセンスを示さないことがある。非限定的な例として、そのような材料は、蛍光顕微鏡法で使用される放射源の一般的な波長である約３６５ｎｍの波長を有する放射を受けたときに、弱いフォトルミネセンスを示すか、又はフォトルミネセンスを示さないことがある。そのような材料の存在は、特に例えば薄膜として堆積された場合、材料が弱いフォトルミネセンスを示すか又はフォトルミネセンスを示さないため、蛍光顕微鏡法などの標準的な光学検出技術を使用して検出することが困難な場合がある。これは、材料の堆積に続いて、そのような材料が存在する部分を決定することが望ましい場合があるため、材料が、例えばファインメタルマスクを通して、基板の部分の上に選択的に堆積される用途では特に問題となり得る。したがって、比較的小さいＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップを有する材料は、光学技術を使用した材料の膜の検出が望まれる用途において有用であり得る。したがって、より高い表面エネルギーを有する材料は、光学技術を使用して材料の膜を検出するためのそのような用途に望ましい場合がある。
少なくともいくつかの用途では、堆積材料の蒸気フラックスにさらされるパターン化コーティング上に、粒子構造を含有する不連続コーティングの形成を引き起こすためのパターン化コーティングを提供することも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、堆積材料の実質的に閉じたコーティングが、パターン化コーティングによってコーティングされていない第２の部分に形成される一方で、少なくとも１つの特質を有する粒子構造を含有する不連続コーティングが、パターン化コーティング上の第１の部分に形成されるように、パターン化コーティングが十分に低い初期付着確率を示すことも望ましい場合がある。少なくともいくつかの用途では、例えば、約１００ｎｍ、５０ｎｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さを有する、堆積材料の実質的に閉じた薄膜コーティングを堆積させながら、非限定的な例として、金属又は金属合金であり得る、堆積材料の不連続膜又は粒子構造を第２の部分に形成することが望ましくあり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分において不連続膜又は粒子構造として堆積される堆積材料の相対量は、第２の部分において実質的に閉じたコーティングとして堆積される堆積材料の量の約１％～５０％、２％～２５％、５％～２０％、又は７％～１０％に対応してもよく、これは、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満の厚さに対応してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、薄膜として堆積されたときに比較的高い表面エネルギーを示す材料を含有するパターン化コーティングは、第１の部分における堆積材料の不連続膜又は粒子構造、及び第２の部分における堆積材料の実質的に閉じたコーティングの形成が望まれる少なくともいくつかの用途において、特に、実質的に閉じたコーティングの厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ、７５ｎｍ、５０ｎｍ、２５ｎｍ、又は１５ｎｍ未満である場合に有用であり得ることが、本発明者らによって見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化コーティングは、少なくとも２つの材料を含む。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、第１の材料及び第２の材料を含む。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化コーティングの材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されると、ＮＩＣを形成し、パターン化コーティング２１０の別の材料は、薄膜として堆積されると、ＮＰＣを形成する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣを形成し、第２の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣを形成する。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０内の第１の材料の存在は、パターン化コーティング２１０が第１の材料の実質的存在を伴わずに第２の材料から形成される場合と比較して、パターン化コーティング２１０の増加した初期付着確率をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されると、低表面エネルギーを有する表面を形成するように適合される。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときに、第２の材料からなる薄膜によって提供される表面よりも低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合される。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、フォトルミネセンスを示す。これは、例えば、フォトルミネセンスを示す材料をパターン化コーティング２１０内に含むことによって達成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、電磁スペクトルのＵＶ及び／又は可視部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶＡ、及び／又は約２８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部分に対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深い青色又は近ＵＶに対応する波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１の光学ギャップを有し、第２の材料は第２の光学ギャップを有する。第２の光学ギャップは、第１の光学ギャップよりも大きい。いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップと第２の光学ギャップとの差は、約０．３ｅＶより大きく、約０．５ｅＶより大きく、約０．７ｅＶより大きく、約１ｅＶより大きく、約１．３ｅＶより大きく、約１．５ｅＶより大きく、約１．７ｅＶより大きく、約２ｅＶより大きく、約２．５ｅＶより大きく、かつ／又は約３ｅＶより大きい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップは、約４．１ｅＶ未満、約３．５ｅＶ未満、又は約３．４ｅＶ未満である。いくつかの非限定的な例では、第２の光学ギャップは、約３．４ｅＶより大きく、約３．５ｅＶより大きく、約４．１ｅＶより大きく、約５ｅＶより大きく、又は約６．２ｅＶより大きい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学ギャップ及び／又は第２の光学ギャップは、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップに対応する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、電磁スペクトルのＵＶ及び／又は可視部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５ｎｍ～約４００ｎｍの波長に対応するＵＶＡ、及び／又は約２８０ｎｍ～約３１５ｎｍの波長に対応するＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８０ｎｍ～約７４０ｎｍの波長に対応し得る、電磁スペクトルの可視部分に対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深い青色に対応する波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する波長でフォトルミネセンスを示し、第２の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つは、共役結合、アリール部分、供与体－受容体基、及び／又は重金属錯体を含む。
非限定的な例として、コーティング及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起プロセスを通して観察されてもよい。光励起プロセスでは、コーティング及び／又は材料は、ＵＶランプなどの光源によって放出される放射線にさらされる。光源によって放出された放射線がコーティング及び／又は材料によって吸収されると、コーティング及び／又は材料内の電子が一時的に励起される。励起に続いて、蛍光及びリン光を含むがこれらに限定されない１つ以上の緩和プロセスが生じ得、これにより、コーティング及び／又は材料から光が放出される。そのようなプロセス中にコーティング及び／又は材料から放出される光は、例えば光検出器によって検出されて、コーティング及び／又は材料のフォトルミネセンス特性を特徴付けることができる。本明細書で使用されるように、コーティング及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、概して、励起状態からの電子の緩和の結果として、そのようなコーティング及び／又は材料によって放出される光の波長を指す。当業者によって理解されるであろうように、光励起プロセスの結果としてコーティング及び／又は材料によって放出される光の波長は、概して、光励起を開始するために使用される放射の波長より長い。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない当技術分野で公知の種々の技術を使用して検出及び／又は特徴付けすることができる。本明細書で使用される場合、光ルミネセンスコーティング又は光ルミネセンス材料は、ある特定の波長の励起放射線で照射されたときに、ある波長で光ルミネセンスを示すコーティング又は材料である。いくつかの非限定的な例では、光ルミネセンスコーティング又は材料は、３６５ｎｍの波長を有する励起放射線で照射されると、約３６５ｎｍを超える波長で光ルミネセンスを示し得る。フォトルミネセンスコーティングは、そのようなコーティング又は材料の存在を定量化、測定、又は検査するために有用である、蛍光顕微鏡法のような標準的な光学技術を使用して、基板上で検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、第１の光学ギャップ及び／又は第２の光学ギャップを含む、種々のコーティング及び／又は材料の光学ギャップは、光励起プロセス中に光子が吸収又は放出される、コーティング及び／又は材料のエネルギーギャップに対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、非限定的な例として、ＵＶＡ又はＵＶＢなどの電磁スペクトルのＵＶ部分に対応する波長を有する放射にコーティング及び／又は材料をさらすことによって、検出及び／又は特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、光励起を引き起こすための放射線は、約３６５ｎｍの波長を有する。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、電磁スペクトルの可視部分に対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に示さない。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、約３００ｎｍ、３２０ｎｍ、３５０ｎｍ、及び／又は３６５ｎｍの波長、又はそれらよりも長い波長を有する放射にさらされたときにフォトルミネセンスを示さない。非限定的な例として、第２の材料は、そのような放射線にさらされたときに、わずかな量の吸収を示してもよく、かつ／又は検出可能な量の吸収を示さなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料の第２の光学ギャップは、光源によって放出された放射の光子エネルギーよりも広くてもよく、その結果、第２の材料は、そのような放射にさらされたときに光励起を受けない。しかしながら、そのような第２の材料を含有するパターン化コーティング２１０は、それにもかかわらず、フォトルミネセンスを示す第１の材料に起因して、そのような放射にさらされると、フォトルミネセンスを示し得る。このように、例えば、パターン化コーティング２１０の存在は、パターン化コーティング２１０の堆積に応じて、蛍光顕微鏡法などのルーチン特性評価技術を使用して、容易に検出及び／又は観察されてもよい。
いくつかの非限定的の例では、パターン化コーティング２１０中の第１の材料の濃度（例えば、重量による）は、パターン化コーティング２１０中の第２の材料の濃度未満である。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、約０．１重量％以上、０．２重量％以上、０．５重量％以上、０．８重量％以上、１重量％以上、３重量％以上、５重量％以上、８重量％以上、１０重量％以上、１５重量％以上、又は２０重量％以上の第１の材料を含有してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下の第１の材料を含有してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の残りは、第２の材料から実質的に構成されてもよい。いくつかの非限定的の例では、パターン化コーティング２１０は、非限定的の例として、第３の材料、及び／又は第４の材料などの追加の材料を含有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ素（Ｆ）原子及びケイ素（Ｓｉ）原子のうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含み、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含む。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方とも、Ｆを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方とも、Ｓｉを含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の各々は、Ｆ及び／又はＳｉを含有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つの材料は、Ｆ及びＳｉの両方を含有する。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの１つは、Ｆ及び／又はＳｉを含有しない。いくつかの非限定的な例では、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含有し、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ３炭素を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、炭素（Ｃ）に結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含有し、Ｃに結合される全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合され、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含有し、Ｆを含有しない。非限定的な例として、前述の非限定的な例のうちのいずれかでは、「パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つ」は、第２の材料に対応してもよく、「パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ」は、第１の材料に対応してもよい。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部分、及び／又は他の官能基若しくは部分を含むコーティング中の材料の存在は、非限定的な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、当該分野で公知の種々の方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを含有しない。芳香族炭化水素部分の非限定的な例としては、置換多環式芳香族炭化水素部分、非置換多環式芳香族炭化水素部分、置換フェニル部分、及び非置換フェニル部分が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有し、Ｆを含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、多環式芳香族炭化水素部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有し、Ｆを含有しない。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有しない。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含有し、フェニル部分を含有せず、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含有し、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含有しない。
概して、例えば第１の材料及び第２の材料であり得るパターン化コーティング２１０の材料の分子構造及び／又は分子組成は、互いに異なる。いくつかの非限定的な例では、材料は、互いに実質的に同様又は異なる少なくとも１つの特性を有するように選択されてもよい。そのような形質及び／又は特性の非限定的な例としては、（１）モノマーの分子構造、モノマー骨格、及び／又は官能基、（２）共通要素の存在、（３）分子構造の類似性、（４）特性表面エネルギー、（５）屈折率、（６）分子量、及び／又は（７）融解温度、昇華温度、ガラス転移温度、及び／又は熱分解温度を含むがこれらに限定されない熱特性が挙げられる。
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、そのような材料から決定される表面エネルギーを指す。例として、特性表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定されてもよい。固体の表面エネルギーを決定するための種々の方法及び理論が知られている。例えば、表面エネルギーは、種々の液体を固体の表面と接触させて、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定する一連の接触角測定に基づいて計算又は導出することができる。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しい。例えば、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面の完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最も高い表面張力値を決定することができる。
材料の昇華温度は、当技術分野で知られている種々の方法を使用して決定することができる。非限定的な例として、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、供給源から一定の距離に取り付けられた水晶微量天秤上で材料の堆積の開始を観察するために必要な温度を決定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な例では、水晶振動子マイクロバランスは、昇華温度を決定する目的で、供給源から約６５ｃｍ離して取り付けられてもよい。いくつかの非限定的な例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、非限定的な例としてソースから約６５ｃｍの固定距離でるつぼから離れて取り付けられた水晶微量天秤上で、非限定的な例として０．１Å／秒の特定の堆積速度を観察するために必要な温度を測定することによって決定され得る。いくつかの非限定的な例では、昇華温度は、るつぼ内で、高真空下で材料を加熱し、材料の閾値蒸気圧に達するのに必要な温度を決定することによって決定されてもよい。非限定的な例として、閾値蒸気圧は、約１０Ｅ －４ Ｔｏｒｒ又は１０Ｅ －５ Ｔｏｒｒであってもよい。いくつかの非限定的な例では、材料の昇華温度は、約１０Ｅ －４ Ｔｏｒｒの高真空環境下で蒸発源中の材料を加熱し、材料を蒸発させるのに必要な温度を測定し、したがって蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられた表面上に約０．１オングストローム／秒の速度で材料を堆積させるのに十分な蒸気フラックスを生成することによって決定することができる。堆積速度は、非限定的な例として、蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置付けられた水晶微量天秤を用いて測定することができる。
第１の材料及び第２の材料を参照して、いくつかの非限定的な例が本明細書に説明されたが、パターン化コーティングは、１つ、２つ、３つ、又はそれを上回る追加の材料を更に含んでもよく、第１の材料、第２の材料、第１のオリゴマー、及び／又は第２のオリゴマーの分子構造及び／又は特性に関する説明は、パターン化コーティング内に含有され得る追加の材料に関して適用可能であり得ることを理解されたい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーである。本明細書中で使用される場合、オリゴマーとは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指す。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、並びに（３）他の材料特性及び／又は特質を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの態様においてポリマーと異なっていてもよい。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｅｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）．及びＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇに見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成するモノマー単位を含む。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによって主に形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が２以上の異なるモノマー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る１つ以上の末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、環状線状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、及び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている２以上の異なるモノマー単位を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーである。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は第１のオリゴマーを含み、第２の材料は第２のオリゴマーを含む。第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、少なくとも２つのモノマーを含む。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（Ｍｏｎ）ｎ 式（Ｉ）
式中、Ｍｏｎはモノマーを表し、ｎは２以上の整数である。
（Ｍｏｎ）ｎ 式（Ｉ）
式中、Ｍｏｎはモノマーを表し、ｎは２以上の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、３～１０、又は３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の第１の材料及び第２の材料の分子構造は、それぞれ独立して、式（Ｉ）によって表される。非限定的な例として、第１の材料のモノマー及び／又はｎは、第２の材料のものと異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと同じである。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎとは異なる。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料はオリゴマーである。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ素及びケイ素のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有する。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、フッ素及びケイ素のうちの少なくとも１つを含む。そのような官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキサン基が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、モノマーはシルセスキオキサン基を含む。
例として、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー、及び／又は官能基を含む分子構造の一部に起因する表面張力は、当技術分野で公知の種々の方法を使用して決定することができる。そのような方法の非限定的な例には、パラシュートの使用が含まれる。パラシュートの更なる説明は、例えば、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒａｃｈｏｒ」Ｎａｔｕｒｅ．１９６：８９０－８９１に記載されている。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満の表面張力を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、炭素及び酸素のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含む。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプロピレン部分、及び／又はフッ素化１，３－ジオキソール部分を含む。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー骨格に結合される。いくつかの非限定的な例では、モノマーはリンカー基を含み、リンカー基はモノマー骨格及び官能基に結合している。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、互いに同じであっても異なっていてもよい２以上の官能基を含んでもよい。そのような例では、各官能基は、直接的に又はリンカー基を介してのいずれかで、モノマー骨格に結合され得る。２以上の官能基が存在するいくつかの非限定的な例では、２以上のリンカー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、２以上の異なるモノマーを含む。換言すれば、そのような分子構造は、互いに異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含む。そのような分子構造の非限定的な例としては、以下の式によって表されるものが挙げられる。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ
式（Ｉ－１） 式（Ｉ－２）
式中、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣはそれぞれモノマー種を表し、ｋ、ｍ、及びｏはそれぞれ２より大きい整数を表す。いくつかの非限定的な例では、ｋ、ｍ、及びｏはそれぞれ、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、３～１０、又は３～７の整数を表す。モノマーＭｏｎに関する種々の非限定的な例及び説明は、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることが理解される。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ
式（Ｉ－１） 式（Ｉ－２）
式中、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣはそれぞれモノマー種を表し、ｋ、ｍ、及びｏはそれぞれ２より大きい整数を表す。いくつかの非限定的な例では、ｋ、ｍ、及びｏはそれぞれ、２～１００、２～５０、３～２０、３～１５、３～１０、又は３～７の整数を表す。モノマーＭｏｎに関する種々の非限定的な例及び説明は、ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることが理解される。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、以下の式によって表される。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ 式（ＩＩ）
式中、Ｍはモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｘは１～４の整数であり、ｙは１～３の整数である。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ 式（ＩＩ）
式中、Ｍはモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｘは１～４の整数であり、ｙは１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表される。
本明細書中に記載された官能基の種々の非限定的な例は、式（ＩＩ）のＲに関して適用され得る。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒは、オリゴマー単位を含み、オリゴマー単位は、少なくとも２つの官能基モノマー単位を更に含む。非限定的な例として、官能基モノマー単位は、ＣＨ２及び／又はＣＦ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。例えば、そのような官能基モノマー単位は、一緒に結合されて、アルキル及び／又はフルオロアルキルオリゴマー単位を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含む。非限定的な例として、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配列され、官能基モノマー単位に結合することができる。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配列される末端は、モノマー骨格単位に対して遠位である官能基の一部に対応し得る。官能基末端単位の非限定的な例としては、ＣＦ２Ｈ及びＣＦ３が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有する。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合した官能基Ｒのうちの少なくとも１つよりも高い表面張力を有する。いくつかの更なる非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合した任意の官能基Ｒよりも高い表面張力を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、約２５ダイン／ｃｍ超、約３０ダイン／ｃｍ超、約４０ダイン／ｃｍ超、約５０ダイン／ｃｍ超、約７５ダイン／ｃｍ超、約１００ダイン／ｃｍ超、約１５０ダイン／ｃｍ超、約２００ダイン／ｃｍ超、約２５０ダイン／ｃｍ超、約５００ダイン／ｃｍ超、約１，０００ダイン／ｃｍ超、約１，５００ダイン／ｃｍ超、又は約２，０００ダイン／ｃｍ超の表面張力を有する。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含む。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、ホスファゼンであり、ここで、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、そして「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」として表され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、シルセスキオキサンであり、これは、ＳｉＯ３／２として表され得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ 式（ＩＩＩ）
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ 式（ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）中、ＮＰはホスファゼンモノマー骨格単位を表し、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｘは１～４の整数であり、ｙは１～３の整数であり、ｎは２以上の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンである。いくつかの更なる非限定的な例では、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表される。
いくつかの非限定的な例では、Ｌは酸素を表し、ｘは１であり、Ｒはフルオロアルキル基を表す。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ 式（ＩＶ）
式中、Ｒｆはフルオロアルキル基を表し、ｎは３～７の整数である。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ 式（ＩＶ）
式中、Ｒｆはフルオロアルキル基を表し、ｎは３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、以下の式によって表される。
式中、ｐは１～５の整数である。ｑは６～２０の整数を表し、Ｚは水素又はフッ素を表す。いくつかの非限定的な例では、ｐは１であり、ｑは６～２０の整数である。
いくつかの非限定的な例では、式（ＩＶ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ）によって表される。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ 式（ＶＩ）
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ 式（ＶＩ）
式（ＶＩ）中、Ｌはリンカー基を表し、Ｒは官能基を表し、ｎは６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な実施形態において、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非置換アルキルの存在を表す。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及び／又はＳｉ含有基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、フルオロカーボン基及び／又はシロキサン含有基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２基及び／又はＣＦ２Ｈ基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２及び／又はＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＨ２ＣＦ３基を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩ）で表される材料は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ 式（ＶＩＩ）
式中、ｎは６～１２の整数を表し、Ｒｆはフルオロアルキル基を表す。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及び／又はＣＦ２Ｈ部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及び／又はＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）で表される材料は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ 式（ＶＩＩ）
式中、ｎは６～１２の整数を表し、Ｒｆはフルオロアルキル基を表す。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及び／又はＣＦ２Ｈ部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及び／又はＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含む。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）で表される材料は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ）によって表される。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、以下の式によって表される。
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ 式（ＶＩＩＩ）
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ 式（ＶＩＩＩ）
式（ＶＩＩＩ）中、ｘは１～５の整数であり、ｎは６～１２の整数である。いくつかの非限定的な例では、ｎは、８、１０、又は１２である。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、ポリ八面体シルセスキオキサンである。
いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒ、及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前述の式のいずれかにおけるそのような基の各出現時に独立して選択され得る。前述の式のいずれも、化合物の部分構造を表すことができ、上記の式に明示的に示されていない追加の基又は部分が存在し得ることも理解されるであろう。本出願において提供される種々の式は、線状、分岐状、環状、シクロ－線状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、以下の式（Ｉ）、（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、及び（ＶＩＩＩ）のうちの少なくとも１つによって表される少なくとも１つの材料と、以下の特質のうちの少なくとも１つを示す少なくとも１つの材料とを含む：（ａ）芳香族炭化水素部分を含む、（ｂ）ｓｐ ２ 炭素を含む、（ｃ）フェニル部分を含む、（ｄ）約２０ダイン／ｃｍを上回る特徴的な表面エネルギーを有する、及び（ｅ）非限定的な例として、約３６５ｎｍの波長を有する励起放射線によって照射されると、約３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示すことを含む、フォトルミネセンスを示す。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、第１の材料及び第２の材料とは異なる第３の材料を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つと共通のモノマーを含む。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料と第２の材料との間のそのような差を含むが、それに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の昇華温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃以下である。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ材料と第２のＮＩＣ材料との間のそのような差を含むがこれに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の融解温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃以下である。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の融解温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の材料の融解温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃以下だけ異なる。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギーを有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギーを有し、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であってもよい、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、低特性表面エネルギーを有し、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有し、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、高特性表面エネルギーを有する。いくつかの非限定的な例では、Ｆ及びＳｉの存在は、それぞれ、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の存在によって説明され得る。非限定的な例として、第２の材料に相当し得る材料のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、１２～２０ダイン／ｃｍ、１５～２０ダイン／ｃｍ、又は１７～１９ダイン／ｃｍの低い特性表面エネルギーを有してもよく、第１の材料に相当し得る別の材料は、約２０～１００ダイン／ｃｍ、２０～５０ダイン／ｃｍ、又は２５～４５ダイン／ｃｍの高い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有する。非限定的な例として、第２の材料は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば、第２の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ未満の低特性表面エネルギーを有し、Ｆ及び／又はＳｉのうちの少なくとも１つを含み、例えば、第１の材料であり得る、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍを上回る特性表面エネルギーを有する。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つ（例えば、第２の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍ未満の低い特性表面エネルギーを有し、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み、パターン化コーティング２１０の他の材料のうちの少なくとも１つ（例えば、第１の材料であり得る）は、約２０ダイン／ｃｍを超える特性表面エネルギーを有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の表面エネルギーを含むがこれらに限定されない、パターン化コーティング２１０の２以上の材料の各々の表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満である。
いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、第１の材料及び第２の材料のものを含む、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの５００ｎｍ及び／又は４６０ｎｍの波長における屈折率は、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未満、約１．４３未満、約１．４２未満、又は約１．４１未満である。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、フォトルミネセンスを示す少なくとも１つの材料を含み、パターン化コーティング２１０は、５００ｎｍ及び／又は４６０ｎｍの波長において、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４４未満、約１．４３未満、約１．４２未満、又は約１．４１未満の屈折率を有する。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の分子量を含むがこれらに限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約７５０超、約１，０００超、約１，５００超、約２，０００超、約２，５００超、又は約３，０００超である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の分子量を含むが、それらに限定されない、パターン化コーティング２１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約１０，０００未満、約７，５００未満、又は約５，０００未満である。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣは、互いに同様の熱特性を示す２以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つはフォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、相互に類似熱特性を伴う２以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はシリコン（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射によって励起されると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定的な例では、同様の熱特性は、材料の溶融温度及び／又は昇華温度を含み得るが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、少なくとも１つの共通要素又は少なくとも１つの共通サブ構造を有する、２以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを示す。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、互いに同様の熱特性を有する２以上の材料を含み、材料のうちの少なくとも１つは、３６５ｎｍの励起波長を有する放射によって励起されると、３６５ｎｍを上回る波長においてフォトルミネセンスを示し、材料のうちの少なくとも１つ、又は材料の全ては、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の元素は、フッ素（Ｆ）及び／又はケイ素（Ｓｉ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の部分構造は、フルオロカーボン、フルオロアルキル及び／又はシロキシルを含むが、これらに限定されない。
一態様では、光電子デバイスを製造する方法が提供される。本方法は、（ｉ）デバイスの側面の第１の部分において、デバイスの第１の層表面上に核形成阻害コーティング（ＮＩＣ）を堆積させることと、（ｉｉ）デバイスの側面の第２の部分において、デバイスの第２の層表面上に伝導性コーティングを堆積させることと、を含む。第１の部分におけるパターン化コーティングの表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率は、第２の部分における表面上に導電性コーティングを形成するための初期付着確率よりも実質的に低く、その結果、第１の部分におけるパターン化コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に欠く。デバイスの第１の層表面上に堆積されたＮＩＣは、第１の材料及び第２の材料を含む。
いくつかの非限定的な例では、デバイスの第１の層表面上にパターン化コーティングを堆積させることは、２以上の材料を含有する混合物を提供することと、混合物をデバイスの第１の層表面上に堆積させ、その上にＮＩＣを形成することと、を含む。いくつかの非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料を含有する。そのような非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の両方が第１の層表面上に堆積されて、その上にパターン化コーティングを形成する。
いくつかの非限定的な例では、２以上のパターン化コーティング材料を含有する混合物は、物理蒸着プロセスによって、デバイスの第１の層表面上に堆積される。そのような堆積プロセスの非限定的な例としては、熱蒸発が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、混合物をデバイスの第１の層表面上に堆積させることによって形成される。換言すれば、非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料を含有する混合物は、真空下で混合物を加熱するために、共通のるつぼ及び／又は蒸発源に配置されてもよい。材料の蒸発温度に達するか、又はそれを超えると、混合物から発生した蒸気フラックスは、デバイスの第１の層表面に向けられ、その上にパターン化コーティングの堆積を引き起こす。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングは、第１の材料及び第２の材料の共蒸発によって堆積される。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は、第１のるつぼ及び／又は第１の蒸発源から蒸発させられ、第２の材料は、第２のるつぼ及び／又は第２の蒸発源から同時に蒸発させられ、その結果、混合物は、気相で形成され、第１の層表面上に共堆積され、その上にパターン化コーティングを提供する。
少なくとも２つの材料を含有するある特定の例示的なパターン化コーティングの特性を評価するために、以下の実験を行った。
正孔輸送層材料として典型的に使用される有機材料のおよそ２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いて有機材料層の上に、以下の表に要約されるような種々の組成を有する核形成改質コーティングを堆積させることによって、一連の試料を製作した。
本例では、ＮＩＣ材料は、例えば、薄膜として堆積されたときに、ＮＩＣ材料が、例としてＡｇ及び／又はＹｂを含み得る導電性コーティングの材料に対して低い初期付着確率を示すように選択された。
本例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、例えば、薄膜として堆積されるとき、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２の各々が、標準的光学測定技術（例えば、蛍光顕微鏡法）によって検出可能なフォトルミネセンスを示すように選択された。
上記の表において、試料１は、核形成改質コーティングがＮＩＣ材料を堆積させることによって提供された比較試料である。試料２は、核形成改質コーティングが、ＮＩＣ材料とＰＬ材料１とを一緒に共堆積して、０．５体積％の濃度でＰＬ材料１を含有するコーティングを形成することによって提供された実施例試料である。試料３は、核形成改質コーティングが、ＮＩＣ材料とＰＬ材料２とを一緒に共堆積させて、０．５体積％の濃度でＰＬ材料２を含有するコーティングを形成することによって提供された実施例試料である。試料４は、核形成改質コーティングがＰＬ材料１を堆積させることによって提供された比較試料である。試料５は、ＰＬ材料２を堆積させることによって核形成改質コーティングが提供された比較試料である。試料６は、核形成改質コーティングが有機材料層上に提供されなかった比較試料である。
試料１、試料２、試料３、及び試料６の各々のフォトルミネセンス（ＰＬ）応答を測定し、図３６に示すようにプロットした。試料１及び試料６のＰＬ強度は同一であることが観察され、したがって、ＮＩＣ材料が検出された波長範囲においてフォトルミネセンスを示さないことが示された。なお、図３６では、簡単のため、試料６のＰＬ強度はプロットしていない。試料２及び試料３の各々について、約５００ｎｍ～約６００ｎｍの波長でフォトルミネセンスが検出された。
次いで、試料１～６の各々に、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積を施した。具体的には、上記の材料によって形成された核形成改質コーティングの表面に、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積を施した。より具体的には、各試料を、約１ｎｍの基準厚さに達するまでＹｂ蒸気フラックスにさらし、その後、約１２ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇ蒸気フラックスにさらした。試料を製作したら、光透過率測定を行って、核形成改質コーティングの表面上に堆積したＹｂ及び／又はＡｇの相対量を決定した。理解されるように、比較的少量の金属がその上に存在するか、又は金属がその上に存在しない試料は、実質的に透明であるが、金属がその上に堆積された（特に、閉じたフィルムとして）試料は、概して、実質的により低い光透過率を示す。したがって、パターン化コーティング２１０としての種々の例示的なコーティングの相対的性能は、Ｙｂ及び／又はＡｇ堆積からその上に堆積された金属コーティングの量又は厚さに直接相関する、試料を通した光透過を測定することによって査定されてもよい。各試料をＡｇ蒸気フラックスにさらした後の４６０ｎｍの波長での光透過率の低減を測定し、以下の表にまとめた。
具体的には、上記の表の各試料の透過率低減（％）は、Ｙｂ及びＡｇ蒸気フラックスへの露出の前後に試料を通る光透過率を測定し、光透過率の低減を割合として表すことによって決定した。
これから分かるように、試料１、試料２、及び試料３は、２％未満、又は試料１及び３の場合には１％未満の比較的低い透過率低減を示した。したがって、これらの試料に提供された核形成改質コーティングがＮＩＣとして作用したことが観察される。試料４、試料５、及び試料６はそれぞれ、４３％、４７％、及び４５％の透過率低減を示した。したがって、これらの試料に提供された核形成改質コーティングは、ＮＰＣとして作用した。
また、ＮＩＣが実質的にＮＩＣ材料のみを含有する試料１は、フォトルミネッセンスを示さないことが見出された。しかしながら、ＮＩＣがＰＬ材料１及びＰＬ材料２をそれぞれ含有する試料２及び試料３は、導電性コーティング材料に対して低い初期付着確率を有する表面を提供することによって、ＮＩＣとしても作用しながら、フォトルミネセンスを示すことが見出された。
本明細書に記載のこの例及び他の例で使用されるように、基準層厚さは、高い初期付着確率Ｓ０を示す基準表面（例えば、約及び／又は１．０に近い初期付着確率Ｓ０を有する表面）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。具体的には、これらの例では、基準表面は、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置付けられた石英結晶の表面であった。換言すれば、基準層厚さは、ターゲット表面（すなわち、パターン化コーティング２１０の表面）上に堆積された金属コーティングの実際の厚さを示さない。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって金属材料の同一の蒸気フラックスにさらしたときに基準表面（すなわち、石英結晶の表面）上に堆積される金属コーティングの層厚さを指す。理解されるように、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合には、適切なツーリングファクタを使用して、基準厚さを決定及び監視することができる。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側面の第２の部分４０２において、堆積材料１２３１を含む堆積層１０３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側面の第２の部分４０２において、堆積材料１２３１を含む堆積層１０３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出層表面１１上に閉じたコーティング１０４０として配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は堆積材料１２３１を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、Ｙｂ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、スズ（Ｓｎ）、又はイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及び／又はＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及び／又はＡｕのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、純金属であってもよく、及び／又は純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ａｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、又は９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡｇと組み合わせて、他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及びＭｇを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ｍｇ及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、少なくとも１つの追加の元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であってもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるそのような追加の元素の存在に起因して、夾雑物質として堆積層１０３０に組み込まれ得ることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値濃度未満に制限され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、堆積層１０３０の他の元素と一緒に化合物を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る組成を有し得る。
ここで、いくらか驚くべきことに、堆積層１０３０中のある特定の非金属元素の濃度を低減することは、特に堆積層１０３０が金属及び／又は金属合金から実質的に構成され得る場合に、堆積層１０３０の選択的堆積を容易にし得ることが見出された。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例としてＯ又はＣなどのある特定の非金属元素は、堆積層１０３０の蒸気フラックス１２３２中、及び／又は堆積チャンバ内、及び／又は環境内に存在する場合、パターン化コーティング２１０の表面上に堆積して、堆積層１０３０の金属元素のための核形成部位として作用し得ると仮定してもよい。核形成部位として作用し得るそのような非金属元素の濃度を低減することは、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料１２３１の量を低減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、金属含有下層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１及びその下にある下層は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積材料１２３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料１２３１は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料１２３１と異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は多層コーティングを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、そのような多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、又はＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ、約２００ｋＪ／ｍｏｌ、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、又は約２０ｋＪ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離エネルギーを有する金属を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、約１．４、約１．３、又は約１．２のうちの少なくとも１つ以下の電気陰性度を有する金属を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のシート抵抗は、概して、デバイス１００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１０３０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は薄膜として形成されてもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の特性シート抵抗は、そのような薄膜の組成、厚さ、及び／又は形態に基づいて決定及び／又は計算することができる。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□、約５Ω／□、約１Ω／□、約０．５Ω／□、約０．２Ω／□、又は約０．１Ω／□のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１０３０をその複数の別個の断片に分離することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の各別個の断片は、別個の第２の部分４０２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の複数の別個の断片は、その側面において互いに物理的に離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のそのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のそのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは各々、下層表面を含むがこれに限定されない共通の導電層又はコーティングと電気的に結合されて、それらの間の電流の流れを可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のそのような複数の別個の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターン化コーティングを用いた選択的堆積
図１１は、下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上にパターン化コーティング２１０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１１００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を示す例示的な概略図である。
図１１は、下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上にパターン化コーティング２１０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１１００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を示す例示的な概略図である。
プロセス１１００では、ある量のパターン化材料１１１１が真空下で加熱されて、パターン化材料１１１１を蒸発及び／又は昇華させる。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される材料を完全に及び／又は実質的に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような材料は有機材料を含んでもよい。
パターン化材料１１１１の気化フラックス１１１２は、矢印１１１によって示される方向を含む、チャンバ１１１０を通って、露出層表面１１に向かって流れることができる。気化フラックス１１１２が露出層表面１１に入射すると、パターン化コーティング２１０がその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス１１００の図に示されるように、パターン化コーティング２１０は、気化フラックス１１１２と露出層表面１１との間に、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであってもよいシャドウマスク１１１５を介在させることによって、露出層表面１１の一部、図示の例では第１の部分４０１上のみに選択的に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなシャドウマスク１１１５は、いくつかの非限定的な例では、数十ミクロン以下の特徴サイズを有する比較的小さい特徴を形成するために使用され得る。
シャドウマスク１１１５は、気化フラックス１１１２の一部が開口部１１１６を通過し、露出層表面１１に入射してパターン化コーティング２１０を形成することができるように、シャドウマスクを通って延びる少なくとも１つの開口部１１１６を有することができる。気化フラックス１１１２が開口部１１１６を通過せず、シャドウマスク１１１５の表面１１１７に入射する場合、露出層表面１１上に配置されてパターン化コーティング２１０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク１１１５は、開口部１１１６を通過する気化フラックス１１１２が第１の部分４０１に入射し得るが、第２の部分４０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、露出層表面１１の第２の部分４０２は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１１５に入射するパターン化材料１１１１は、その表面１１１７上に堆積され得る。
したがって、パターン化された表面は、パターン化コーティング２１０の堆積の完了時に生成され得る。
図１２は、図１１の蒸着プロセス１１００によるものを含むがこれに限定されない、第１の部分４０１上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を実質的に欠く下層の露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を選択的に堆積させるための、チャンバ１１１０内の、概して１２００ａで示される蒸着プロセスの結果の非限定的な例を示す例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積材料１２３１から構成されてもよく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの金属を含む。通常、有機材料の気化温度は、堆積材料１２３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いことが、当業者には理解されるであろう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、あるパターンでパターン化コーティング２１０を選択的に堆積させるためにシャドウマスク１１１５を使用する際に、そのようなシャドウマスク１１１５を採用して堆積層１０３０を直接パターン化することに比べて、制約が少なくなり得る。
パターン化コーティング２１０が下層の露出層表面１１の第１の部分４０１上に堆積されると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く露出層表面１１の第２の部分４０２上に堆積層１０３０として堆積されてもよい。
プロセス１２００ａでは、ある量の堆積材料１２３１を真空下で加熱して、堆積材料１２３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、堆積層１０３０を形成するために使用される材料を完全に、及び／又は実質的に含み得る。
堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２は、第１の部分４０１及び第２の部分４０２の露出層表面１１に向かって、矢印１２１によって示される方向を含むチャンバ１１１０の内側に向けられ得る。気化フラックス１２３２が露出層表面１１の第２の部分４０２に入射すると、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０が、堆積層１０３０としてその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
シャドウマスク１１１５の特徴サイズとは対照的に、オープンマスクの特徴サイズは、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者には理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者によって理解されるであろう。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載されるオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るように、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図１２に示されるように、気化フラックス１２３２は、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１と、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く第２の部分４０２にわたる下層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分４０１におけるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、第２の部分４０２における下層の露出層表面１１に対して、堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得るので、堆積層１０３０は、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く第２の部分４０２における下層の露出層表面１１上にのみ実質的に選択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１に入射する気化フラックス１２３２は、（１２３３に示すように）堆積されない傾向があり得、第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２における下層の露出層表面１１上の気化フラックス１２３２の初期堆積速度は、第１の部分４０１におけるパターン化コーティング２１０の露出層表面１１上の気化フラックス１２３２の初期堆積速度の約２００倍、５５０倍、９００倍、１，０００倍、１，５００倍、１，９００倍、又は約２，０００倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
したがって、シャドウマスク１１１５及びオープンマスクを使用する図１１におけるパターン化コーティング２１０の選択的堆積及び／又は堆積材料１２３１のマスクフリー堆積の組み合わせは、図１２に示されるデバイス１００のバージョン１２００ａをもたらし得る。
第１の部分４０１にわたるパターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１０３０としてデバイス１２００ａの上に堆積され得るが、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く第２の部分４０２内にのみ実質的に残り得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内で、第２の部分４０２内のデバイス１２００ａの下部材料の露出層表面１１の、堆積材料１２３１の堆積に対する、実質的に初期付着確率以下である、堆積材料１２３１の堆積に対する、比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分４０１は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
本開示は、シャドウマスク１１１５を伴う蒸着堆積プロセスによるパターン化コーティング２１０のパターン化された堆積を企図するが、当業者は、いくつかの非限定的な例において、これが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含むがこれに限定されない任意の好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターン化コーティング２１０がＮＩＣであることを企図するが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０であり得ることを理解するであろう。そのような例では、ＮＰＣ１４２０が堆積された部分（例えば、限定されないが、第１の部分４０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、限定されないが、第２の部分４０２）は、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０及びその後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む様々なパラメータに従って変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等であってもよく、及び／又は実質的にそれ以下であってもよい。堆積層１０３０の選択的パターン化を達成するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デバイス１０００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターン化コーティング２１０は、バリアコーティング又は他の薄膜カプセル化（ＴＦＥ）層２２５０（図２２Ｂ）が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなバリアコーティング１９５０の適用のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのその接着性を増加させ得る。
縁部効果
パターン化コーティング遷移領域
図１３Ａを参照すると、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０と第２の部分４０２内の堆積層１０３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１０のデバイス１３００ａのバージョン１０００が示され得る。図１３Ｂは、デバイス１３００ａを平面図で示し得る。
パターン化コーティング遷移領域
図１３Ａを参照すると、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０と第２の部分４０２内の堆積層１０３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１０のデバイス１３００ａのバージョン１０００が示され得る。図１３Ｂは、デバイス１３００ａを平面図で示し得る。
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって全ての側で囲まれてもよく、それにより、第１の部分４０１は、各横軸に沿った側面においてパターン化コーティング２１０の更なる範囲又は縁部１３１５によって画定される境界を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側面におけるパターン化コーティング縁部１３１５は、そのような態様における第１の部分４０１の外周によって画定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１は、側面において、少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域４０１ｔを含むことができ、この領域では、パターン化コーティング２１０の厚さが最大厚さから低減された厚さに遷移することができる。そのような遷移を示さない第１の部分４０１の範囲は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとして識別されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、側面において、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとパターン化コーティング縁部１３１５との間に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面図において、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎを取り囲み、及び／又はその周囲に沿って延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの横軸に沿って、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎは、第１の部分４０１の全体を占有してもよく、それにより、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、それと第２の部分４０２との間に存在しない。
図１３Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲であってもよい平均膜厚ｄ２を有してよい。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、それにわたって実質的に同じ、又は一定であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均層厚ｄ２は、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎ内で、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの少なくとも１つの範囲内に留まってもよい。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３０ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、又は約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおけるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下であってもよい。特定の理論に束縛されるものではないが、幾分程度驚くべきことに、０を超え約１０ｎｍ以下であるパターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２は、少なくともいくつかの非限定的な例において、非限定的な例として、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおいて１０ｎｍを超える平均膜厚ｄ２を有するパターン化コーティング２１０と比較して、堆積層１０３０の向上したパターン化コントラストを達成するためのある特定の利点を提供し得ることが分かった。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔ内で最大から最小まで減少するパターン化コーティング厚さを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング遷移領域４０１ｔとパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎとの間の境界、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パターン化コーティング縁部１３１５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎにおける平均膜厚ｄ２の約９５％又は９０％のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおけるパターン化コーティング厚さのプロファイルは、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなプロファイルはテーパ状であってもよい。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、下層の少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにおいてパターン化コーティング２１０によって覆われないままであってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎの少なくとも一部において、実質的に閉じたコーティング１０４０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターン化コーティング非遷移部４０１ｎの少なくとも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０の少なくとも一部は、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１の露出層表面１１の少なくとも一部は、堆積層１０３０又は堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの横軸に沿って、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎはｗ１の幅を有してもよく、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔはｗ２の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面面積を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔは、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１はｗ２を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１／ｗ２の商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下層の平均膜厚ｄ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方がｄ２を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を超えてもよい。
堆積層遷移領域
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって取り囲まれてもよく、それにより、第２の部分４０２は、各横軸に沿って側面に、堆積層１０３０の更なる範囲又は縁部１３３５によって画定される境界を有する。いくつかの非限定的な例では、側面における堆積層縁部１３３５は、そのような側面における第２の部分４０２の外周によって画定され得る。
図１３Ｂでより良く分かるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０は、第２の部分４０２内の堆積層１０３０によって取り囲まれてもよく、それにより、第２の部分４０２は、各横軸に沿って側面に、堆積層１０３０の更なる範囲又は縁部１３３５によって画定される境界を有する。いくつかの非限定的な例では、側面における堆積層縁部１３３５は、そのような側面における第２の部分４０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２は、側面において、少なくとも１つの堆積層遷移領域４０２ｔを含むことができ、堆積層１０３０の厚さは、最大厚さから低減された厚さに遷移してもよい。そのような遷移を示さない第２の部分４０２の範囲は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎとして識別することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおいて実質的に閉じたコーティング１０４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面において、堆積層遷移領域４０２ｔは、側面において、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎと堆積層縁部１３３５との間に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、平面図において、堆積層遷移領域４０２ｔは、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎを取り囲み、及び／又はその周囲に沿って延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの横軸に沿って、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、それと第１の部分４０１との間に堆積層遷移領域４０２ｔが存在しないように、第２の部分４０２の全体を占めてもよい。
図１３Ａに示すように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおいて、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、又は約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｔにおける堆積層１０３０の平均膜厚ｄ３は、それにわたって実質的に同じ又は一定であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下層の平均膜厚ｄ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０又は約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を超えてもよく、ｄ２はｄ１を超えてもよい。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を超えてもよく、ｄ１はｄ２を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、又は約０．１～５のうちの少なくとも１つの間であり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの横軸に沿って、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよい断面面積ａ３を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターン化コーティング非遷移部分４０１ｎの幅ｗ１を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１はｗ３を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、又は約０．４～２のうちの少なくとも１つの範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、約２、約３、又は約４のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１０３０の平均膜厚ｄ３を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、約５０、約１００、又は約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔ内で最大から最小まで減少する厚さを有することができる。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分４０２の堆積層遷移領域４０２ｔと堆積層非遷移部分４０２ｎとの間の境界、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積層縁部１３３５にあってもよく、及び／又はその近傍にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であってもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域４０２ｔにおける厚さのプロファイルは、傾斜していてもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなプロファイルはテーパ状であってもよい。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線状、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の図１３Ｅの例示的なバージョン１３００ｅにおける非限定的な例として示されるように、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔにおいて下層表面を完全に覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部に実質的に閉じたコーティング１０４０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、下層表面の少なくとも一部は、堆積層遷移領域４０２ｔにおいて堆積層１０３０によって覆われなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部に不連続層１３０を含んでもよい。
明示的に示されていないが、当業者であれば、パターン化材料１１１１は、堆積層１０３０と下層との間の界面にもある程度存在し得ることを理解するであろう。そのような材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一でないシャドウイング効果の結果として堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマスクされた部分上に堆積されるいくらかの蒸発したパターン化材料１１１１をもたらしてもよい。非限定的な例として、そのような材料は、粒子構造１２１として、及び／又は実質的にパターン化コーティング２１０の平均厚さ以下であり得る厚さを有する薄膜として形成することができる。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部１３３５は、第１の部分４０１のパターン化コーティング遷移領域４０１ｔから側面に離隔されていてもよく、その結果、側面において第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に重なりがない。
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部１３３５は、第１の部分４０１のパターン化コーティング遷移領域４０１ｔから側面に離隔されていてもよく、その結果、側面において第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に重なりがない。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１の少なくとも一部及び第２の部分４０２の少なくとも一部は、側面において重なってもよい。そのような重なりは、図１３Ａにおいて非限定的な例として示され得るように、重なり部分１３０３によって識別されてもよく、第２の部分４０２の少なくとも一部が第１の部分４０１の少なくとも一部に重なる。
いくつかの非限定的な例では、図１３Ｆに非限定的な例として示すように、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１０３０及び／又は堆積材料１２３１を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層１３０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、図１３Ｇに非限定的な例として示すように、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分４０１のパターン化コーティング非遷移部分４０１ｎの少なくとも一部の上に配置されてもよい。
図示されていないが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、重なり部分１３０３が、第１の部分４０１の少なくとも一部が第２の部分４０２の少なくとも一部と重なるシナリオを反映し得ることを理解するであろう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部は、パターン化コーティング２１０及び／又はパターン化材料１１１１を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１は、堆積層遷移領域４０２ｔの少なくとも一部の露出層表面上に不連続層１３０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング遷移領域４０１ｔの少なくとも一部は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎの少なくとも一部の上に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング縁部１３１５は、側面において、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎから離隔されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２の堆積層非遷移部分４０２ｎ及び堆積層遷移領域４０２ｔの両方にわたって単一のモノリシックコーティングとして形成されてもよい。
パターン化コーティング及び堆積層の縁部効果
図１４Ａ～図１４Ｉは、堆積層１０３０との堆積界面におけるパターン化コーティング２１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図１４Ａ～図１４Ｉは、堆積層１０３０との堆積界面におけるパターン化コーティング２１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図１４Ａを参照すると、パターン化コーティング堆積境界におけるデバイス１０００の例示的なバージョン１４００の一部の第１の例が示され得る。デバイス１４００は、露出層表面１１を有する基板１０を備えることができる。パターン化コーティング２１０は、露出層表面１１の第１の部分４０１の上に堆積されてもよい。堆積層１０３０は、露出層表面１１の第２の部分４０２の上に堆積されてもよい。図示されるように、非限定的な例として、第１の部分４０１及び第２の部分４０２は、露出層表面１１の別個の重ならない部分であってもよい。
堆積層１０３０は、第１の部分１３０１及び第２の部分１０３０２を含み得る。図示されるように、非限定的な例として、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第２の部分４０２を実質的に覆うことができ、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、パターン化コーティング２１０の第１の部分の上に部分的に突出し、及び／又は重なることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、その露出層表面１１が堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すように形成され得るので、堆積層１０３０の突出する及び／又は重なる第２の部分１０３０２と、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１との間に形成されたギャップ１４２９が存在し得る。結果として、第２の部分１０３０２は、パターン化コーティング２１０と物理的に接触していなくてもよいが、断面においてギャップ１４２９によってそこから離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１は、第１の部分４０１と第２の部分４０２との間の界面及び／又は境界においてパターン化コーティング２１０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の突出する、及び／又は重なる第２の部分１０３０２は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａと同等の程度だけパターン化コーティング２１０の上に横方向に延びてもよい。非限定的な例として、示されるように、第２の部分１０３０２の幅ｗｂは、第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａと同等であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２の幅ｗｂと第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的均一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０３０２がパターン化コーティング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｂ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
次に図１４Ｂを参照すると、堆積層１０３０は、第２の部分１０３０２とパターン化コーティング２１０との間に配置された第３の部分１０３０３を含むように示されてもよい。図示されるように、堆積層１０３０の第２の部分１０３０２は、堆積層１０３０の第３の部分１０３０３の上に横方向に延びてもよく、第３の部分１０３０３から長手方向に離隔されてもよく、第３の部分は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。堆積層１０３０の第３の部分１０３０３の平均層厚ｄｃは、その第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａより小さくてもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３の幅ｗｃは、第２の部分１０３０２の幅ｗｂを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３は、第２の部分１０３０２よりも大きくパターン化コーティング２１０に重なるように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３の幅ｗｃと第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３：１、又は約１：１．２～２．５：１のうちの少なくとも１つの範囲内であってもよい。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１にわたって比較的均一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３がパターン化コーティング２１０に突出してもよい、及び／又は重なってもよい範囲（すなわちｗｃ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度変化してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１０３０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分１０３０１の平均層厚ｄａの約５％を超えなくてもよい。非限定的な例として、ｄｃは、ｄａの約４％、約３％、約２％、約１％、又は約０．５％のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。第３の部分１０３０３が薄膜として形成される代わりに、及び／又はそれに加えて、図示されるように、堆積層１０３０の堆積材料１２３１は、パターン化コーティング２１０の一部の上に粒子構造１２１として形成してもよい。非限定的な例として、そのような粒子構造１２１は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴を含んでもよい。
ここで図１４Ｃを参照すると、ＮＰＣ１４２０は、基板１０と堆積層１０３０との間に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と基板１０の第２の部分４０２との間に配置され得る。ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０が堆積された第１の部分４０１上ではなく、第２の部分４０２上に配置されているものとして示されている。ＮＰＣ１４２０は、ＮＰＣ１４２０と堆積層１０３０との間の界面及び／又は境界において、ＮＰＣ１４２０の表面が堆積材料１２３１の堆積に対して比較的高い初期付着確率を示し得るように形成され得る。したがって、ＮＰＣ１４２０の存在は、堆積中の堆積層１０３０の形成及び／又は成長を促進してもよい。
次に図１４Ｄを参照すると、ＮＰＣ１４２０は、基板１０の第１の部分４０１及び第２の部分４０２の両方の上に配置されてもよく、パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１上に配置されたＮＰＣ１４２０の一部を覆ってもよい。ＮＰＣ１４２０の別の部分は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合があり、堆積層１０３０は、ＮＰＣ１４２０のそのような部分を覆ってもよい。
次に図１４Ｅを参照すると、堆積層１０３０は、基板１０の第３の部分１４０３においてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なるように示されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０３０１及び第２の部分１０３０２に加えて、堆積層１０３０は、第４の部分１０３０４を更に含むことができる。図示されるように、堆積層１０３０の第４の部分１０３０４は、堆積層１０３０の第１の部分１０３０１と第２の部分１０３０２との間に配置されてもよく、第４の部分１０３０４は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示すことができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１０３０は横方向にも成長し得、図示のようにパターン化コーティング２１０のサブセットを覆うことができる。
ここで図１４Ｆを参照すると、基板１０の第１の部分４０１はパターン化コーティング２１０でコーティングされてもよく、それに隣接する第２の部分４０２は堆積層１０３０でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のオープンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１０３０が、堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又は界面付近でテーパ状の断面プロファイルを示し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面及び／又は界面付近の堆積層１０３０の平均層厚は、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３より小さくてもよい。そのようなテーパ状プロファイルは、湾曲及び／又はアーチ状であるように示され得るが、いくつかの非限定的な例では、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であり得る。非限定的な例として、堆積層１０３０の平均層厚ｄ３は、界面に近接する領域において、実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少してもよいがこれに限定されない。
堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面における、及び／又は付近の堆積層１０３０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターン化コーティング２１０の特性に応じて変化し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成される堆積層１０３０の薄膜接触角を決定し得ることが更に仮定され得る。非限定的な例として図１４Ｆを参照すると、接触角θｃは、堆積層１０３０とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近における堆積層１０３０の接線の傾きを測定することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の断面テーパ状プロファイルが実質的に線形であり得る場合、接触角θｃは、界面及び／又は界面付近の堆積層１０３０の傾斜を測定することによって決定され得る。当業者には理解されるように、接触角θｃは概して、下層の角度に対して測定することができる。本開示では、説明を簡単にするために、パターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかしながら、当業者であれば、パターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０が非平面表面上に堆積されてもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０の接触角θｃは、約９０°を超えてもよい。ここで図１４Ｇを参照すると、非限定的な例として、堆積層１０３０は、パターン化コーティング２１０と堆積層１０３０との間の界面を越えて延びる部分を含むものとして示されてもよく、ギャップ１４２９によってパターン化コーティング２１０から離隔されてもよい。そのような非限定的なシナリオにおいて、接触角θｃは、いくつかの非限定的な例において、９０°を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを示す堆積層１０３０を形成することが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、又は約８０°のうちの少なくとも１つを超えてもよい。非限定的な例として、比較的高い接触角θｃを有する堆積層１０３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターン化された特徴の作成を可能にし得る。非限定的な例として、約９０°より大きい接触角θｃを示す堆積層１０３０を形成する目的があってもよい。非限定的な例として、接触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、又は約１７０°のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
ここで図１４Ｈ及び図１４Ｉを参照すると、堆積層１０３０は、基板１０の第３の部分１４０３においてパターン化コーティング２１０の一部に部分的に重なってもよく、これは、その第１の部分４０１と第２の部分４０２との間に配置されてもよい。図示されるように、パターン化コーティング２１０のサブセットに部分的に重なる堆積層１０３０のサブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１０３０の横方向成長のために形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くすることができるが、堆積層１０３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１０３０は横方向にも成長し、パターン化コーティング２１０のサブセットを覆うことができる。
図１４Ｈ及び図１４Ｉの場合、堆積層１０３０の接触角θｃは、示されるように、それとパターン化コーティング２１０との間の界面の近くのその縁部で測定され得る。図１４Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これは、いくつかの非限定的な例において、堆積層１０３０のサブセットがギャップ１４２９によってパターン化コーティング２１０から離隔されることをもたらし得る。
粒子
図１３Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上に配置されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク（集合的に粒子構造１２１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在してもよい。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造１２１があってもよい。
図１３Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上に配置されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク（集合的に粒子構造１２１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在してもよい。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分４０１内のパターン化コーティング２１０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造１２１があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、粒子材料を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積層１０３０内の堆積材料１２３１と同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分４０１内の不連続層１３０内の粒子材料、堆積層１０３０内の堆積材料１２３１、及び／又はその下の下層が含み得る材料は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、又はＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであってもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純金属であってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ａｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、又は９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせて他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であってもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇを含み得る。体積比で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｙｂを含み得る。体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、少なくとも１つの追加の要素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、非金属元素であってもよい。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるそのような追加の元素の存在に起因して、夾雑物質として少なくとも１つの粒子構造１２１に組み込まれ得ることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのような追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造１２１の他の元素とともに化合物を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１中の非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、又は約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上の不連続層１３０内を含むがこれに限定されない、ＮＰを含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１２１の存在は、デバイス１３００のいくつかの光学特性に影響を及ぼし得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような複数の粒子構造１２１は、不連続層１３０を形成し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０の形成は、パターン化コーティング２１０によって及び／又はその上で実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０がその上の堆積材料１２３１の堆積に露出されるとき、堆積材料１２３１のいくつかの蒸気モノマーは、最終的にその上に堆積材料１２３１の少なくとも１つの粒子構造１２１を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１のうちの少なくともいくつかは、互いから切り離されてもよい。言い換えれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、粒子構造１２１が閉じたコーティング１０４０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１２１を含む特徴を含み得る。したがって、そのような不連続層１３０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１００内のパターン化コーティング２１０と少なくとも１つの被覆層７１０との間の界面に、及び／又は実質的にその横方向範囲にわたって挿入された、粒子構造１２１として形成された堆積材料１２３１の薄い分散層を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の粒子構造１２１のうちの少なくとも１つは、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１の粒子構造１２１の実質的に全てが、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１と物理的に接触していてもよい。
特定の理論に束縛されるものではないが、幾分驚くべきことに、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上の、金属粒子構造１２１を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような薄い分散不連続層１３０の存在は、本明細書で説明するように、デバイス１００の光学効果及び特性を含むがこれに限定されない少なくとも１つの変化した特性、及び付随して変化した挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性は、パターン化コーティング２１０上の粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料１１１１の少なくとも１つの特質、パターン化コーティング２１０の平均膜厚ｄ２、パターン化コーティング２１０における不均一性の導入、並びに／又はパターン化コーティング２１０の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料（堆積材料１２３１であってもよい）の少なくとも１つの特質、パターン化コーティング２１０が粒子材料の堆積に露出され得る程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１３０の厚さに関して指定されてもよい）、並びに／又は粒子材料のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、パターン化コーティング２１０の横方向範囲にわたるパターンで堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、少なくとも１つの粒子構造１２１を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０の特質は、下層の露出層表面１１の一部に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆度、堆積分布、分散度、及び／又は凝集事例の存在及び／又は程度を含むがこれらに限定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って、いくつかの非限定的な例では、ある程度任意に評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの基準による不連続層１３０の評価は、透過型電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（atomic forcemicroscopy、ＡＦＭ）、及び／又は走査電子顕微鏡法（scanningelectron microscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して、不連続層１３０の少なくとも１つの属性を測定及び／又は計算することを含むがこれらに限定されないことによって行われてもよい。
当業者は、不連続層１３０のそのような評価が、考慮中の露出層表面１１の程度によって、より大きい及び／又はより小さい程度に依存し得、いくつかの非限定的な例では、その面積及び／又は領域を備え得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０は、露出層表面１１の第１の側面及び／又はそれに対して実質的に横断する第２の側面において、全範囲にわたって評価されてもよい。いくつかの非限定的な例において、不連続層１３０は、不連続層１３０（の一部）に対して適用される少なくとも１つの観察窓を含む範囲にわたって評価されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側面の周囲、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、不連続層１３０を評価する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、不連続層１３０を評価するために適用される撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍのうちの少なくとも１つを含む、所与の倍率レベルに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層１３０の露出層表面１１の評価は、いくつかの非限定的な例では、曲線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る手動カウント及び／又は既知の推定技術を含むがこれに限定されない、任意の数のメカニズムによって計算及び／又は測定することを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層１３０の評価は、平均値、中央値、最頻値、最大値、最小値、並びに／又は計算及び／若しくは測定の値の他の確率的、統計的、及び／若しくはデータの操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例において、そのような不連続層１３０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、そのような不連続層１３０（の一部）上の堆積材料１２３１の表面被覆度であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、そのような不連続層１３０（の一部）のそのような堆積材料１２３１による（非０）被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下であり得る表面被覆度を有する不連続層１３０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を超える表面被覆度を有する不連続層１３０の一部を通過するＥＭ放射線に対して、デバイス１００を完全に透過するか、及び／又はそれによって放出されるかにかかわらず、不連続層１３０のそのような部分によってそれを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない金属を含むがこれらに限定されない導電性材料がＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するので、いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆度の１つの尺度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例において、表面被覆度は、粒子サイズ及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な例では、これらの３つの基準のうちの複数は、正の相関があり得る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆度の基準は、低い堆積密度の基準と低い粒子サイズの基準とのいくつかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、構成粒子構造１２１の特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０の少なくとも１つの粒子構造１２１は、最大閾値サイズ以下の特徴的なサイズを有してもよい。特徴的なサイズの非限定的な例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０の実質的に全ての粒子構造１２１は、特定の範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような特徴的なサイズは、特徴的な長さによって特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなされてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような最大値は、粒子構造１２１の長軸に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の横軸によって画定される平面内に延びる第１の寸法であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な幅は、粒子構造１２１の短軸に沿って延び得る粒子構造１２１の特徴的なサイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延びるが、長軸を実質的に横断する第２の寸法であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の寸法に沿った少なくとも１つの粒子構造１２１の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の寸法に沿った少なくとも１つの粒子構造１２１の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１３０（の一部）における構成粒子構造１２１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、長軸、及び／又は短軸を含むがこれらに限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造１２１の特徴的なサイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層１３０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の特徴的なサイズを最大閾値サイズと比較してもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の堆積密度を最大閾値堆積密度と比較してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような基準のうちの少なくとも１つは、数値計量によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような計量は、粒子構造１２１の堆積層１０３０における粒子（領域）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であってもよく、
式中、
ｎは、試料面積内の粒子構造１２１の数であり、
Ｓｉは、第ｉの粒子構造１２１の（領域）サイズであり、
は、粒子（領域）サイズの数平均であり、
は、粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均である。
当業者であれば、分散度は多分散指数（ＰＤＩ：polydispersity index）にほぼ類似しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念にほぼ類似しているが、試料粒子構造１２１の分子量とは対照的に、（領域）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念が、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみなされ得る一方で、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念とみなされ得ることを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、様々な撮像技法を使用することによって得ることができるような、堆積層１０３０の二次元画像の観察及び分析に関連して使用することができる。上述した式が定義されるのは、このような二次元の状況においてである。
いくつかの非限定的な例では、粒子（領域）サイズの分散度及び／又は数平均並びに粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（領域）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの堆積層１０３０の、粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略化のために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の（面積）サイズが一対の横軸に沿った二次元面積被覆率として表され得るように、各粒子構造１２１の長手方向範囲が実質的に同じであり得る（いずれにしても、ＳＥＭ画像から直接測定され得ない）と仮定され得る。本開示では、（領域）サイズへの言及は、そのような二次元概念を指すと理解され得、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得るサイズ（接頭辞「領域」なし）と区別され得る。
実際、いくつかの初期の調査では、いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１２１の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、横方向範囲（横軸のうちの少なくとも１つに沿った）に対して小さい傾向があり得、その結果、その長手方向範囲の体積寄与は、そのような横方向範囲の体積寄与により小さくなり得るようである。いくつかの非限定的な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（横方向範囲に対する長手方向範囲の比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなアスペクト比は、約１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、又は約１：３００のうちの少なくとも１つであり得る。
この点に関して、粒子構造１２１を二次元面積被覆率として表すための上述の仮定（長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、堆積プロセスの非決定的な性質を考慮して、特に、限定はしないが、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又はその上の夾雑物質、及びその上の粒子構造１２１の形成、堆積プロセスが続くときのその合体の不均一性、並びに観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、間隔、堆積密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない不均一性を含む、下部材料の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常の存在を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジに関してかなりの変動性があり得ることを理解するであろう。
本開示では、説明を簡単にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれらに限定されない堆積材料１２３１のある特定の詳細は省略されている。
当業者は、ある特定の金属ＮＰが、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１の不連続層１３０の一部であるか否かにかかわらず、表面プラズモン（surface plasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を示す
ことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱してもよいことを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特性を変化させることによって調整され得る。
ことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱してもよいことを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特性を変化させることによって調整され得る。
そのような光学応答は、光子吸収コーティングに関して、その上に入射する光子の吸収を含むことができ、それによって反射を低減する。いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲に集中していてもよい。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスの一部として光子吸収層を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
Ｆｕｓｅｌｌａら、「Ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ２０２０、５８５、３７９～３８２頁（「Ｆｕｓｅｌｌａら」）において、ＯＬＥＤデバイスの安定度は、プラズモンモードからエネルギーを抽出するために、カソード層の上にＮＰベースのアウトカップリング層を組み込むことによって向上され得ることが報告されている。ＮＰベースのアウトカップリング層は、カソードの上の有機層の上に立方体型Ａｇ ＮＰをスピンキャスティングすることによって製作された。しかしながら、ほとんどの市販のＯＬＥＤデバイスは、真空ベースの処理を使用して製作されるので、溶液からのスピンキャスティングは、カソードの上にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを構成しない可能性がある。
カソードの上のそのようなＮＰベースのアウトカップリング層は、いくつかの非限定的な例では、カソードであってもよく、及び／又はカソード上に堆積されてもよいパターン化コーティング２１０上に不連続層１３０内の金属堆積材料１２３１を堆積させることによって、真空中で製作されてもよい（したがって、商業的なＯＬＥＤ製作プロセスにおける使用に適していてもよい）ことが発見された。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバイスへの損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイス信頼性に悪影響を及ぼし得る、溶媒又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＥＭ放射線の抽出、デバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上に寄与し得る。
いくつかの非限定的な例では、積層デバイス１００において、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上の、かつ／又はそれに近接した、及び／又はいくつかの非限定的な例では、かつ／又は少なくとも１つの被覆層７１０とのそのようなパターン化１１０の界面に近接した、少なくとも１つの不連続層１３０の存在は、デバイスによって放出される、及び／又はそれを通して送信される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ信号に光学効果を付与し得る。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されているが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、パターン化コーティング２１０及び／又は少なくとも１つの被覆層７１０を含むがこれに限定されない、長手方向面に隣接して配置された薄膜層及び／又はコーティングの結晶化を低減及び／又は緩和することができ、それによって、それに隣接して配置された薄膜の特性を安定化し、いくつかの非限定的な例では、散乱を低減する。いくつかの非限定的な例では、そのような薄膜は、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含むがこれに限定されない、デバイス
のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティング１９５０（図１９Ｃ）の少なくとも１つの層であってもよく、及び／又はそれを含んでもよい）。
のアウトカップリング及び／又はカプセル化コーティング１９５０（図１９Ｃ）の少なくとも１つの層であってもよく、及び／又はそれを含んでもよい）。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１２１を含むがこれに限定されない堆積材料１２３１のそのような不連続層１３０の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部における吸収の強化を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１２１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、堆積材料１２３１、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないそのような粒子構造１２１の特質を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度、波長範囲、及びピーク波長を制御することを容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部におけるＥＭ放射線の吸収の向上は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加として、提示されたモデルは、そのような不連続層１３０を通過する光子の透過及び／又は吸収に与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し得る。
光電子デバイス
図１５は、本開示による例示的なエレクトロルミネセンスデバイス１５００の断面からの簡略化されたブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００はＯＬＥＤである。
図１５は、本開示による例示的なエレクトロルミネセンスデバイス１５００の断面からの簡略化されたブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００はＯＬＥＤである。
デバイス１５００は、複数の層をそれぞれ含むフロントプレーン１５１０、第１の電極６２０、少なくとも１つの半導体層６３０、及び第２の電極６４０が配置されている基板１０を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１５１０は、光子放出及び／又は放出された光子の操作のためのメカニズムを提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０及び下層はともに、デバイス１５００の第１の電極６２０及び第２の電極６４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０及びその下の下層はともに、デバイス１５００のカソードの少なくとも一部を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、電源１５０５と電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１５００は、本明細書で説明されるように光子を放出し得る。
基板
いくつかの例では、基板１０はベース基板１５１２を含むことができる。いくつかの例では、ベース基板１５１２は、限定はしないが、Ｓｉ、ガラス、金属（限定はしないが、金属箔を含む）、サファイア、及び／若しくは限定はしないが他の無機材料を含む無機材料、並びに／又は限定はしないが、ポリイミドを含むポリマー、及び／若しくは限定はしないが、Ｓｉ系ポリマーを含む有機材料を含む、使用に適した材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１５１２は剛性又は可撓性であってもよい。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定されてもよい。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、限定はしないが、第１の電極６２０、少なくとも１つの半導体層６３０、及び／又は第２の電極６４０を含む、デバイス１５００の残りのフロントプレーン１５１０構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有することができる。
いくつかの例では、基板１０はベース基板１５１２を含むことができる。いくつかの例では、ベース基板１５１２は、限定はしないが、Ｓｉ、ガラス、金属（限定はしないが、金属箔を含む）、サファイア、及び／若しくは限定はしないが他の無機材料を含む無機材料、並びに／又は限定はしないが、ポリイミドを含むポリマー、及び／若しくは限定はしないが、Ｓｉ系ポリマーを含む有機材料を含む、使用に適した材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１５１２は剛性又は可撓性であってもよい。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定されてもよい。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、限定はしないが、第１の電極６２０、少なくとも１つの半導体層６３０、及び／又は第２の電極６４０を含む、デバイス１５００の残りのフロントプレーン１５１０構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような表面は、有機表面及び／又は無機表面であってもよい。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１５１２に加えて、ベース基板１５１２の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せず、本明細書では具体的に説明もしない）を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、少なくとも１つの半導体層６３０のうちの少なくとも１つを含む、置き換える、及び／又は補足することができる少なくとも１つの有機層を含む、及び／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０及び／又は第２の電極６４０を含む、置き換える、及び／又は補足することができる、少なくとも１つの電極を含む及び／又は形成することができる少なくとも１つの無機層を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、バックプレーン１５１５を備えてもよく、及び／又はバックプレーン１５１５から形成されてもよく、及び／又はバックプレーン１５１５として形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン１５１５は、限定はしないが、低圧（真空を含むが限定はしない）環境下で提供されないことがあり、かつ／又は低圧（真空を含むが限定はしない）環境の導入に先行してもよいフォトリソグラフィプロセスによって形成されてもよい、電子ＴＦＴ構造７０１及び／又はその構成要素を含む、デバイス１５００を駆動するための電力回路及び／又はスイッチング素子を含んでもよい。
バックプレーン及びその中に具現化されるＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５は、アクティブマトリクスデバイス及び／又はパッシブマトリクスデバイスとして機能するデバイス１５００を支持してもよいような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの電子及び／又は光電子構成要素を備え得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造７０１であり得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５は、アクティブマトリクスデバイス及び／又はパッシブマトリクスデバイスとして機能するデバイス１５００を支持してもよいような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの電子及び／又は光電子構成要素を備え得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造７０１であり得る。
ＴＦＴ構造７０１の非限定的な例は、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又はｐ型ＴＦＴ構造７０１を含む。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造７０１は、非晶質Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、及び／又は低温多結晶Ｓｉ（ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込んでもよい。
第１の電極
第１の電極６２０は、基板１０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、少なくとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を組み込んでもよい。
第１の電極６２０は、基板１０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、電源１５０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、少なくとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を組み込んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、アノード及び／又はカソードを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０はアノードであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、基板１０（の一部）の上に少なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、複数の第１の電極６２０が、基板１０の側面にわたって空間配列で配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極６２０のうちの少なくとも１つは、空間配列において側面に配置されたＴＦＴ絶縁層７０９の上に堆積されてもよい。その場合、いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極６２０のうちの少なくとも１つは、バックプレーン１５１５内のＴＦＴ構造７０１の電極と電気的に結合されるように、対応するＴＦＴ絶縁層７０９の開口部を通って延び得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極６２０及び／又はその少なくとも１つの薄膜は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、フッ素スズ酸化物（fluorine tin oxide、ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indiumzinc oxide、ＩＺＯ）、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄膜であってもよい、少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。
第２の電極
第２の電極６４０は、少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、電源１５０５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、少なくとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を組み込んでもよい。
第２の電極６４０は、少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、電源１５０５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、少なくとも１つの駆動回路を介してそのように結合されてもよく、駆動回路は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１５１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を組み込んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、アノード及び／又はカソードを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０はカソードであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、堆積層１０３０を、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０（の一部）の上に少なくとも１つの薄膜として堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０の側面にわたって空間配列で配置された複数の第２の電極６４０があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極６４０は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウム（Ｉｎ）、若しくはＺｎを含有する他の酸化物、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄い導電性膜であってもよい、少なくとも１つの層、及び／又は少なくとも１つの非金属材料におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金では、そのような合金組成は、体積比で約１：９～９：１の範囲であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して行われてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、複数のそのような層及び／又はコーティングを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、そのような層及び／又はコーティングは、互いの上に配置された別個の層及び／又はコーティングであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、Ｙｂ／Ａｇ二層コーティングを含むことができる。非限定的な例として、そのような二層コーティングは、Ｙｂコーティング、続いてＡｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＡｇコーティングの厚さは、Ｙｂコーティングの厚さを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、少なくとも１つの金属層及び／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極６４０であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、フラーレン及びＭｇを含むことができる。
非限定的な例として、そのようなコーティングは、フラーレンコーティング、続いてＭｇコーティングを堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、フラーレンをＭｇコーティング内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金コーティングを形成することができる。このようなコーティングの非限定的な例は、２０１５年１０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６０号として公開された国際出願第ＩＢ２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、複数の層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９を含むことができ、これらの層のいずれも、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配置することができ、積層構成は、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１５３１、正孔輸送層（holetransport layer、ＨＴＬ）１５３３、発光層（emissivelayer、ＥＭＬ）１５３５、電子輸送層（electron transport layer、ＥＴＬ）１５３７、及び／又は電子注入層（electroninjection layer、ＥＩＬ）１５３９のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これらに限
定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、複数の層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９を含むことができ、これらの層のいずれも、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配置することができ、積層構成は、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１５３１、正孔輸送層（holetransport layer、ＨＴＬ）１５３３、発光層（emissivelayer、ＥＭＬ）１５３５、電子輸送層（electron transport layer、ＥＴＬ）１５３７、及び／又は電子注入層（electroninjection layer、ＥＩＬ）１５３９のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これらに限
定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、複数のＥＭＬ１５３５を含む「タンデム」構造を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、ＣＧ
Ｌ）を含んでもよい。
Ｌ）を含んでもよい。
当業者は、デバイス１５００の構造が、半導体層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９のうちの少なくとも１つを省略及び／又は組み合わせることによって変更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層６３０の層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９のいずれも、任意の数の副層を含むことができる。更に、そのような層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９、及び／又はそれらの副層のいずれも、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含むことができる。更に、当業者であれば、デバイス１５００は、無機材料及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を備えてもよく、必ずしも有機材料のみからなるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、デバイス１５００は、少なくとも１つのＱＤを備えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１５３１は、アノードによる正孔の注入を容易にすることができる正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１５３３は、正孔輸送材料を使用して形成することができ、正孔輸送材料は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を示すことができる。
いくつかの非限定的な例において、ＥＴＬ１５３７は、電子輸送材料を用いて形成されてもよく、電子輸送材料は、いくつかの非限定的な例において、高い電子移動度を示してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１５３９は、カソードによる電子の注入を容易にすることができる電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例において、ＥＭＬ１５３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又はこれらの複数の任意の組み合わせであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、少なくとも１つの半導体層６３０が、導電性薄膜電極６２０、６４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１５３５を含み、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノードを通して少なくとも１つの半導体層６３０に注入され得、電子がカソードを通して少なくとも１つの半導体層６３０に注入され得、ＥＭＬ１５３５に向かって移動し、結合して光子の形態でＥＭ放射線を放出する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、少なくとも１つの半導体層６３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイスであってもよい。電流が電源１５０５によって第１の電極６２０及び第２の電極６４０に供給され得るとき、それらの間に少なくとも１つの半導体層６３０を含む活性層から光子が放出され得る。
当業者であれば、少なくとも１つの半導体層６３０スタック内の適切な位置に、正孔阻止層（hole blocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electronblocking layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（chargetransportlayer、ＣＴＬ）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図示せず）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入することによって、デバイス１５００の構造を変更できることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１５００が照明パネルを備える場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１５００の側面全体が単一の発光素子に対応してもよい。したがって、図１５に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１５００からその横方向範囲の全体に実質的に沿って放出されるように、デバイス１５００の側面全体に実質的に沿って延び得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の発光素子は、デバイス１５００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１５００がディスプレイモジュールを備える場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１５００の側面は、デバイス１５００の複数の放出領域６１０に細分されてもよく、ここで、図２１に限定されずに示される放出領域６１０の各々内のデバイス構造１５００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放出させ得る。
放出領域
図１６に非限定的な例として示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の活性領域１６３０は、第１の電極６２０及び第２の電極６４０によって横断面に境界付けられ、第１の電極６２０及び第２の電極６４０によって画定される放出領域６１０に側面に閉じ込められるように画定することができる。当業者であれば、放出領域６１０の横方向範囲、したがって活性領域１６３０の横方向境界は、第１の電極６２０及び第２の電極６４０のいずれか又は両方の側面全体に対応しなくてもよいことを理解するであろう。むしろ、放出領域６１０の横方向範囲は、実質的に第１の電極６２０及び第２の電極６４０のいずれかの横方向範囲以下であってもよい。非限定的な例として、第１の電極６２０の一部は、ＰＤＬ７４０によって覆われていてもよく、及び／又は第２の電極６４０の一部は、少なくとも１つの半導体層６３０上に配置されていなくてもよく、その結果、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放出領域６１０は横方向に制約され得る。
図１６に非限定的な例として示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の活性領域１６３０は、第１の電極６２０及び第２の電極６４０によって横断面に境界付けられ、第１の電極６２０及び第２の電極６４０によって画定される放出領域６１０に側面に閉じ込められるように画定することができる。当業者であれば、放出領域６１０の横方向範囲、したがって活性領域１６３０の横方向境界は、第１の電極６２０及び第２の電極６４０のいずれか又は両方の側面全体に対応しなくてもよいことを理解するであろう。むしろ、放出領域６１０の横方向範囲は、実質的に第１の電極６２０及び第２の電極６４０のいずれかの横方向範囲以下であってもよい。非限定的な例として、第１の電極６２０の一部は、ＰＤＬ７４０によって覆われていてもよく、及び／又は第２の電極６４０の一部は、少なくとも１つの半導体層６３０上に配置されていなくてもよく、その結果、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放出領域６１０は横方向に制約され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の個々の放出領域６１０は、横方向パターンでレイアウトされてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延びてもよく、第２の横方向は、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そのようなパターン内にいくつかの素子を有してもよく、各素子は、その放出領域６１０によって放出されるＥＭ放射線の波長、そのような放出領域６１０の形状、（第１及び／又は第２の横方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の横方向のいずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の素子からの（第１及び／又は第２の横方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、これらに限定されない、少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１及び／又は第２の横方向のいずれか又は両方において繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各個々の放出領域６１０は、関連付けられた放出領域６１０のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１０００のバックプレーン１５１５内の対応する駆動回路に関連付けられ、それによって駆動され得る。放出領域６１０が第１の（行）横方向及び第２の（列）横方向の両方に延びる規則的なパターンでレイアウトされ得る場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、第１の横方向に延びる放出領域６１０の各行に対応するバックプレーン１５１５内の信号ラインと、第２の横方向に延びる放出領域６１０の各列に対応する信号ラインとがあってもよい。そのような非限定的な構成では、行選択ライン／データライン対上の信号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ７０１のそれぞれのゲートを通電することができ、データライン上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ７０１のそれぞれのソースを通電することができ、その結果、行選択ライン／データライン対上の信号は、電源１５０５の正端子によって、そのような対に関連付けられた放出領域６１０のＯＬＥＤ構造のアノードを電気的に結合して通電し、そこから光子を放出させることができ、そのカソードは電源１５０５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放出領域６１０は、単一のディスプレイピクセル２７１０（図２７Ａ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２７１０は、所与の波長スペクトルで光を放出することができる。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視光スペクトル内の色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放出領域６１０は、ディスプレイピクセル２７１０のサブピクセル６４ｘ（図６Ｈ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル６４ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピクセル２７１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２７１０は、３つのサブピクセル６４ｘによって表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセル６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル６４１、Ｇ（緑）サブピクセル６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル６４３として示され得る。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２７１０は、４つのサブピクセル６４ｘによって表されてもよく、そのようなサブピクセル６４ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）サブピクセル６４ｘとして表されてもよく、第４のサブピクセル６４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル６４ｘとして表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセル６４ｘによって放出されるＥＭ放射線の発光スペクトルは、サブピクセル６４ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線の波長は、そのような色に対応しなくてもよいが、波長をそのように対応する波長に変換するために、当業者に明らかな方法で更なる処理が実行されてもよい。
異なる色のサブピクセル６４ｘの波長は異なり得るので、そのようなサブピクセル６４ｘの光学特質は、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極６２０、６４０が異なる色のサブピクセル６４ｘに対して採用され得る場合に、異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極６２０、６４０がデバイス１０００内の第２の電極６４０として提供され得るとき、デバイス１０００の光学性能は、各（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って容易に微調整されないことがある。そのようなＯＬＥＤデバイス１０００で使用される第２の電極６４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘをコーティングする共通電極６２０、６４０であってもよい。非限定的な例として、そのような共通電極６２０、６４０は、デバイス１０００にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電性膜であってもよい。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ内に配置された有機層の厚さを変化させることによって、各（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ色に関連付けられた光マイクロキャビティ効果を調整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかの場合において、光マイクロキャビティ効果のかなりの程度の調整を提供し得る。加えて、いくつかの非限定的な例では、そのようなアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ製造環境において実装することが困難であり得る。
結果として、いくつかの非限定的な例において、ＯＬＥＤデバイス１０００を含むがこれに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層及びコーティングによって作成される光学界面の存在は、異なる色のサブピクセル６４ｘに対して異なる光マイクロキャビティ効果を作成し得る。
デバイス１０００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を与え得るいくつかの要因としては、限定するものではないが、全経路長（いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００から放出されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に通過するデバイス１０００の（長手方向面の）全厚に対応し得る）、並びに様々な層及びコーティングの屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面内及び側面にわたって電極６２０、６４０の厚さを調節することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、そのような影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極６２０、６４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、全光路長の変化に加えて、そこを通過するＥＭ放射線の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極６２０、６４０が少なくとも１つの堆積層１０３０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の光学特性、及び／又はいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調節することによって変化させることができる（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面にわたる光学特性は、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、及び／又は輝度の角度依存性を含むがこれに限定されない放出されたＥＭ放射線の角度分布、及び／又は放出されたＥＭ放射線の色シフトを含み得るがこれに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル６４ｘは、第１のディスプレイピクセル２７１０を表すために他のサブピクセル６４ｘの第１のセットに関連付けられてもよく、第２のディスプレイピクセル２７１０を表すために他のサブピクセル６４ｘの第２のセットにも関連付けられてもよく、その結果、第１及び第２のディスプレイピクセル２７１０は、同じサブピクセル６４ｘをそれらに関連付けることができる。
サブピクセル６４ｘのディスプレイピクセル２７１０へのパターン及び／又は組織は、進化し続ける。全ての現在及び将来のパターン及び／又は組織は、本開示の範囲内に入るとみなされる。
非放出領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放出領域６１０は、少なくとも１つの横方向において、少なくとも１つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）によって実質的に取り囲まれ、かつ分離されてもよく、ここで図１０に示すがこれに限定されない、デバイス構造１０００の構造及び／又は断面に沿った構成は、そこから放出されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９０２は、放出領域６１０が実質的に欠く側面のこれらの領域を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放出領域６１０は、少なくとも１つの横方向において、少なくとも１つの非放出領域１９０２（図１９Ａ）によって実質的に取り囲まれ、かつ分離されてもよく、ここで図１０に示すがこれに限定されない、デバイス構造１０００の構造及び／又は断面に沿った構成は、そこから放出されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９０２は、放出領域６１０が実質的に欠く側面のこれらの領域を含むことができる。
したがって、図１６の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層６３０の様々な層の横方向トポロジを変えて、少なくとも１つの非放出領域１９０２によって（少なくとも１つの横方向に）囲まれた少なくとも１つの放出領域６１０を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０は、側面１６１０を有する少なくとも１つの非放出領域１９０２によって少なくとも１つの横方向に囲まれた側面１６２０を有すると理解されてもよい。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１０００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０に適用されるデバイス１０００の断面の実装形態の非限定的な例について説明する。そのような実装形態の特徴は、放出領域６１０に特有であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２以上の放出領域６１０が共通の特徴を包含し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０は、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部の中に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内で、露出層表面１１は、第１の電極６２０の堆積時に、単一の表示（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造７０１のＴＦＴ絶縁層７０９を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層７０９は、第１の電極６２０が、限定はしないが、図１６に示すように、ＴＦＴドレイン電極１６０８を含む、ＴＦＴ電極１６０５、１６０７、１６０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にするために、それを通って延びる開口部を有して形成され得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造７０１を備えることを理解するであろう。図１６では、説明を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造７０１のみが示され得るが、そのようなＴＦＴ構造７０１は、駆動回路を備えるそのような複数のＴＦＴ構造を表し得ることが、当業者に理解されよう。
断面において、各放出領域６１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＰＤＬ７４０を、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の実質的に全体に導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層７０９の上に堆積されてもよいが、図示されるように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、堆積された第１の電極６２０及び／又はその外縁部の少なくとも一部にわたって延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図１６に示すように、ＰＤＬ７４０の断面厚さ及び／又はプロファイルは、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０と、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する囲まれた放出領域６１０の側面との境界に沿って増加した厚さの領域によって、各（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０に、実質的に谷形状の構成を付与し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非放出領域１９０２の側面１６２０内で実質的に良好な、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０と囲まれた放出領域６１０の側面１６１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状構成を超える低減した厚さを有し得る。
ＰＤＬ７４０は、線状に傾斜した表面を有し、それによって囲まれた放出領域６１０を画定する谷形状構成を形成するものとして一般的に示されているが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ７４０の形状、アスペクト比、厚さ、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つが変更され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＰＤＬ７４０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した部分を有して形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ７４０は、それが堆積される表面から離れて実質的に垂直に延びるように構成されてもよく、表面は第１の電極６２０の少なくとも１つの縁部を覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ７４０は、インクジェット印刷を含むがこれに限定されない印刷によるものを含むがこれに限定されない溶液処理技術によって、少なくとも１つの半導体層６３０をその上に堆積させるように構成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘのそのような放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内で、そのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層６３０（及び／又はその層１５３１、１５３３、１５３５、１５３７、１５３９）の堆積時に、第１の電極６２０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を超えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層６３０の堆積時に、ＰＤＬ７４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面内で、そのような露出層表面１１は、第２の電極６４０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層６３０を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０はまた、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０を越えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非放出領域１９０２のそのような露出層表面１１は、第２の電極６４０の堆積時に、ＰＤＬ７４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の実質的に全て又は実質的な一部全体に延びてもよい。
パターン化された電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料１２３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターン化された電極６２０、６４０、２０５０（図２０）及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料１２３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターン化された電極６２０、６４０、２０５０（図２０）及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために採用され得る。
このようにして、シャドウマスク１１１５を用いた図１１におけるパターン化コーティング２１０の選択的堆積と、堆積材料１２３１のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１０３０の選択的堆積を行って、堆積層１０３０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク１１１５を採用することなく、図１０に示すデバイス１０００において、パターン化された電極６２０、６４０、２０５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらに電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されない、デバイス特徴を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターン化は、デバイス１０００の透過率を可能にし、かつ／又は向上させることができる。
そのようなデバイス１０００に様々な構造的及び／又は性能的能力を与えるための、そのようなパターン化された電極６２０、６４０、２０５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のいくつかの非限定的な例が、ここで説明される。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０、及び／又は放出領域６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０にわたって、第１の電極６２０、第２の電極６４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、デバイス特徴を、デバイス１０００のフロントプレーン１５１０の露出層表面１１上にパターンで、選択的に堆積させることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０、第２の電極６４０、及び／又は補助電極２０５０は、複数の堆積層１０３０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１７は、例示的なパターン化された電極１７００を平面で示すことができ、図において、第２の電極６４０は、デバイス１０００の例示的なバージョン１８００（図１８）で使用するのに適している。電極１７００は、パターン化された複数の開口部１７２０をその中に有するか又は画定する単一の連続構造を含むパターン１７１０で形成されてもよく、開口部１７２０は、カソードが存在しないデバイス１８００の領域に対応してもよい。
図では、非限定的な例として、パターン１７１０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０と、そのような放出領域６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０とを区別することなく、デバイス１８００の横方向範囲全体にわたって配置されてもよい。したがって、図示される例は、本明細書に開示されるように、デバイス１８００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放出、及び／又は両面放出）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス１８００を通して透過され得るように、その外部表面上に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であり得る、デバイス１８００に対応し得る。
デバイス１８００の透過率は、開口部１７２０の平均サイズ、及び／又は開口部１７２０の間隔、及び／又は密度を含むがこれらに限定されない、採用されるパターン１７１０を変更することによって調整及び／又は修正することができる。
次に図１８を参照すると、図１７の線１８－１８に沿ったデバイス１８００の断面図が示され得る。図において、デバイス１８００は、基板１０と、第１の電極６２０と、少なくとも１つの半導体層６３０とを備えるものとして示され得る。
パターン化コーティング２１０は、下層の露出層表面１１上のパターン１７１０に実質的に対応するパターンで選択的に配置されてもよい。
図では第２の電極６４０であるパターン化された電極１７００を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、パターン１７１０内に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていないパターン１７１０内の少なくとも１つの半導体層６３０の領域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の領域は、パターン１７１０に示される開口部１７２０を含む第１の部分４０１に実質的に対応し得る。
パターン化コーティング２１０が配置されたパターン１７１０の領域（開口部１７２０に対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に配置された堆積材料１２３１は、残存しない傾向があり得、パターン１７１０の残りの部分に実質的に対応し得る堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口部１７２０に対応するパターン１７１０の第１の部分４０１の領域には、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０が実質的に欠くままである。
言い換えれば、カソードを形成する堆積層１０３０は、実質的に、パターン１７１０内の開口部１７２０を囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層６３０の領域を含む第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
図１９Ａは、平面図において、電極６２０、６４０、２０５０の複数のパターン１９１０、１９２０を示す概略図を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０は、第１の横方向に延びる複数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０は、複数の第１の電極６２０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１９２０は、第２の横方向に延びる複数の細長い離隔された領域を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の横方向は、第１の横方向に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１９２０は、複数の第２の電極６４０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１９２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１９１０及び第２のパターン１９２０は、デバイス１０００の１９００（図１９Ｂ）で全体的に示される例示的なバージョンの一部を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０は、第１のパターン１９１０が第２のパターン１９２０と重なる場所に形成されてもよい。いくつかの非限定的な例において、非放出領域（）１９０２の側面１６２０は、側面１６１０以外の任意の側面に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では正端子であってもよい、電源１５０５の第１の端子は、第１のパターン１９１０の少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路を介して第１のパターン１９１０の少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では負端子であってもよい、電源１５０５の第２の端子は、第２のパターン１９２０の少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路を介して、第２のパターン１９２０の少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０と結合され得る。
次に図１９Ｂを参照すると、図１９Ａの線１９Ｂ－１９Ｂに沿った、堆積段階１９００ｂにおけるデバイス１９００の断面図が示され得る。図において、段階１９００ｂにおけるデバイス１９００は、基板１０を備えるものとして示され得る。
パターン化コーティング２１０は、図に示されるように、基板１０であってもよい、下層の露出層表面１１上の第１のパターン１９１０の逆に、実質的に対応するパターンで選択的に配置されてもよい。
図では第１の電極６２０である電極６２０、６４０、２０５０の第１のパターン１９１０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、第１のパターン１９１０の逆に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第１のパターン１９１０に配置された基板１０の領域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、基板１０の領域は、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質的に対応してもよく、パターン化コーティング２１０の領域は、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１に実質的に対応してもよい。
パターン化コーティング１０４０が配置された第１のパターン１９１０のそれらの領域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に配置された堆積材料１２３１は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、それは、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域に実質的に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じたコーティング２１０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、電極６２０、６４０、２０５０の第１のパターン１９１０を形成し得る堆積層１０３０は、実質的に、第１のパターン１９１０の細長い離隔された領域を画定する基板１０の領域を含む第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
ここで図１９Ｃを参照すると、図１９Ａの線１９Ｃ－１９Ｃに沿った、デバイス１９００の断面図１９００ｃが示され得る。図において、デバイス１９００は、基板１０、図１９Ｂに示すように堆積された電極６２０の第１のパターン１９１０、及び少なくとも１つの半導体層６３０を備えるものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０は、デバイス１９００の側面の実質的に全てにわたる共通層として提供されてもよい。
パターン化コーティング２１０は、図に示されるように、少なくとも１つの半導体層６３０である、下層の露出層表面１１上の第２のパターン１９２０に実質的に対応するパターンで選択的に配置されてもよい。
図では第２の電極６４０である電極６２０、６４０、２０５０の第２のパターン１９２０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、第２のパターン１９２０の逆に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない第２のパターン１９２０内の少なくとも１つの半導体層６３０の領域との両方を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０の領域は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域を含む第１の部分４０１に実質的に対応してもよく、パターン化コーティング２１０の領域は、それらの間のギャップに実質的に対応してもよい。
パターン化コーティング１０４０が配置された第２のパターン１９２０のそれらの領域（それらの間のギャップに対応する）の核形成抑制特性のために、そのような領域上に配置された堆積層１０３０は、残存しない傾向があり得、堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、それは、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域に実質的に対応し得、それらの間にギャップを含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じたコーティング２１０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、電極６２０、６４０、２０５０の第２のパターン１９２０を形成し得る堆積層１０３０は、実質的に、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域を画定する少なくとも１つの半導体層６３０の領域を含む第２の部分４０２のみに選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、電極６２０、６４０、２０５０の第１のパターン１９１０及び／又は第２のパターン１９２０の、いずれか又は両方を形成するためにその後に堆積されるパターン化コーティング２１０及び堆積層１０３０の平均層厚は、所与の用途及び所与の性能特質を含むがこれらに限定されない様々なパラメータに従って変更され得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１０３０の平均層厚と同等であってもよく、及び／又は実質的にそれより小さくてもよい。その後に堆積される堆積層１０３０の選択的パターン化を達成するための比較的薄いパターン化コーティング２１０の使用は、可撓性デバイス１０００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターン化コーティング２１０は、バリアコーティング１９５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１９５０の適用のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１９５０の接着性を増加させ得る。
電極６２０、６４０、２０５０の第１のパターン１９１０のうちの少なくとも１つ、及び電極６２０、６４０、２０５０の第２のパターン１９２０のうちの少なくとも１つは、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０からのＥＭ放射線放出を制御するために、直接的に、及び／又はいくつかの非限定的な例ではそれぞれの駆動回路を介して、電源１５０５と電気的に結合されてもよい。
補助電極
当業者は、図１９Ａ～図１９Ｃに示される第２のパターン１９２０内に第２の電極６４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００用の補助電極２０５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極６４０は、共通電極を備えてもよく、補助電極２０５０は、第２のパターン１９２０で、いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の上に、又はいくつかの非限定的な例では、下に、堆積され、第２の電極と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に実質的に位置するようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、実質的に、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０、及び／又はそれらを囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内にあるようなものであってもよい。
当業者は、図１９Ａ～図１９Ｃに示される第２のパターン１９２０内に第２の電極６４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００用の補助電極２０５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極６４０は、共通電極を備えてもよく、補助電極２０５０は、第２のパターン１９２０で、いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の上に、又はいくつかの非限定的な例では、下に、堆積され、第２の電極と電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内に実質的に位置するようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０のための第２のパターン１９２０は、第２のパターン１９２０の細長い離隔された領域が、実質的に、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０、及び／又はそれらを囲む非放出領域１９０２の側面１６２０内にあるようなものであってもよい。
図２０は、それと実質的に同様であるが、第２の電極６４０の上にパターンで配置され、それと電気的に結合された（図示せず）少なくとも１つの補助電極２０５０を更に備え得る、デバイス１０００の例示的なバージョン２０００の例示的な断面図を示し得る。
補助電極２０５０は、導電性であってもよい。いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成されてもよい。そのような金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、又はＡｇが挙げられる。非限定的な例として、補助電極２０５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されるものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含むことができる。このような金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ若しくはＺｎを含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組み合わせによって形成される多層構造を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、複数のそのような導電性材料を含む。
デバイス２０００は、基板１０と、第１の電極６２０と、少なくとも１つの半導体層６３０とを備えるものとして示され得る。
第２の電極６４０は、少なくとも１つの半導体層６３０の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。
いくつかの非限定的な例では、特に上部放出型デバイス２０００において、第２の電極６４０は、非限定的な例として、第２の電極６４０の存在に関連する光学干渉（減衰、反射、及び／又は拡散を含むが、これらに限定されない）を低減するために、比較的薄い導電性膜層（図示せず）を堆積することによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、他の場所で説明されるように、第２の電極６４０の低減された厚さは、概して、第２の電極６４０のシート抵抗を増加させ得、それは、いくつかの非限定的な例では、デバイス２０００の性能及び／又は効率を低減させ得る。第２の電極６４０と電気的に結合され得る補助電極２０５０を提供することによって、第２の電極６４０に関連するシート抵抗、したがってＩＲ降下は、いくつかの非限定的な例では、減少し得る。
いくつかの非限定的な例において、デバイス２０００は、底部放出型及び／又は両面放出型デバイス２０００であってもよい。そのような例では、第２の電極６４０は、そのようなデバイス２０００の光学特質に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電層として形成され得る。それにもかかわらず、そのようなシナリオにおいても、第２の電極６４０は、非限定的な例として、比較的薄い導電膜層（図示せず）として形成されてもよく、その結果、デバイス２０００は、その外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であってもよく、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分は、本明細書に開示されるように、デバイス２０００内で、内部で生成されるＥＭ放射線の放出に加えて、デバイス２０００を透過してもよい。
パターン化コーティング２１０は、図に示すように、少なくとも１つの半導体層６３０であってもよい下層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、図に示されるように、パターン化コーティング２１０は、パターンの第１の部分４０１において、一連の平行な行２０２０として配置されてもよい。
パターン化された補助電極２０５０を形成するのに適した堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配置することができる。下層は、行２０２０のパターン内に配置されたパターン化コーティング２１０の領域と、パターン化コーティング２１０が堆積されていない、少なくとも１つの半導体層６３０の領域との両方を含むことができる。
パターン化コーティング２１０が配置された行２０２０の核形成抑制特性のために、そのような行２０２０上に配置された堆積材料１２３１は残存しない傾向があり得、パターンの少なくとも１つの第２の部分４０２に実質的に対応し得る堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、行２０２０を含む第１の部分４０１を、堆積層１０３０の閉じたコーティング１０４０が実質的に欠くままにする。
換言すれば、補助電極２０５０を形成し得る堆積層１０３０は、実質的に、行２０２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層６３０の領域を含む第２の部分４０２上にのみ選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０を選択的に堆積させて、デバイス２０００の側面のある特定の行２０２０のみを覆い、その他の領域は覆われないままにすることにより、補助電極２０５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、典型的な視距離から裸眼によって容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイスにおいて、そのようなデバイスの電極の実効抵抗を減少させることを含めて、形成されてもよい。
図１２に示されるプロセスを含むがこれに限定されないパターン化コーティング２１０を用いることによって、高温堆積層１０３０堆積プロセス中にシャドウマスク１１１５を採用することなく、第２の電極６４０及び／又は補助電極２０５０を含むがこれに限定されない電極６２０、６４０、２０５０をパターン化する能力は、補助電極２０５０の多数の構成が展開されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、近隣の放出領域６１０の間に配置され、第２の電極６４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極２０５０の幅は、近隣の放出領域６１０間の分離距離より小さくてもよい。その結果、補助電極２０５０の各側の少なくとも１つの非放出領域１９０２内にギャップが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は、補助電極２０５０が、いくつかの非限定的な例では放出領域６１０のうちの少なくとも１つからのデバイス２０００の光出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は、補助電極２０５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、数百ｎｍ超、及び／又は数ミクロン程度の厚さである）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０のアスペクト比は、少なくとも約０．１、約０．２、約０．５、約０．８、約１、又は約２のうちの少なくとも１つなどの、約０．０５を超えてもよい。非限定的な例として、補助電極２０５０の高さ（厚さ）は、少なくとも約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，５００ｎｍ、約１，７００ｎｍ、又は約２，０００ｎｍのうちの少なくとも１つなど、約５０ｎｍを超えてもよい。
図２１は、デバイス１０００の例示的なバージョン２１００の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応し得る放出領域６１０の側面１６１０と、放出領域６１０を取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成された補助電極２０５０のパターン２１５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン２１５０は、実質的に、非放出領域１９０２の側面１６２０の全てではないがいくつかのみにわたって延びて、放出領域６１０の側面１６１０のいずれも実質的に覆わないようにしてもよい。
当業者であれば、図において、補助電極２０５０のパターン２１５０は、その全ての要素が互いに物理的に接続されて電気的に結合されるとともに、いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０及び／又は第２の電極６４０であってもよい、少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０と電気的に結合されるように、連続構造として形成されるものとして示されているが、いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５０のパターン２１５０は、互いに電気的に結合されたままであるが、互いに物理的に接続されなくてもよい補助電極２０５０のパターン２１５０の複数の別個の要素として提供されてもよいことを理解するであろう。例えそうであっても、補助電極２０５０のパターン２１５０のそのような別個の要素は、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極６２０、６４０、２０５０のシート抵抗、したがってデバイス２１００のシート抵抗を依然として実質的に低下させて、その光学特質に実質的に干渉することなくデバイス２１００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの様々な配列を有するデバイス２１００において採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ配列は、実質的にダイヤモンド形状であってもよい。
非限定的な例として、図２２Ａは、平面図で、デバイス１０００の例示的なバージョン２２００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ７４０を含む複数の非放出領域１９０２の側面によって囲まれた、サブピクセル６４ｘに各々対応する放出領域６１０の複数のグループ６４１～６４３を示すことができる。いくつかの非限定的な例では、この構成は、第１及び第２の行の交互パターンの放出領域６１０及びＰＤＬ７４０のパターン６４１～６４３によって画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０を含む非放出領域１９０２の側面１６２０は、実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行の非放出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第２の行の非放出領域１９０２の側面１６２０の主軸に位置合わせされ、実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行の非放出領域１９０２の側面１６２０の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第１のグループ６４１は、第１の波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル６４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１のグループ６４ｘのサブピクセル６４１は、Ｒ（赤）サブピクセル６４１に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ６４１の放出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ６４１の放出領域６１０は、ＰＤＬ７４０が前後にある第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ６４１の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ７４０を含む前後の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の前後のパターンのＰＤＬ７４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０とわずかに重なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第２のグループ６４２は、第２の波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル６４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定的な例では、第２のグループ６４２のサブピクセル６４ｘは、Ｇ（緑）サブピクセル６４２に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ６４２の放出領域６１０の側面１６１０は、実質的に楕円形の構成を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ６４２の放出領域６１０は、ＰＤＬ７４０が前後にある第２の行のパターン内にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ６４２の放出領域６１０の側面１６１０のいくつかの長軸は、第１の角度であってもよく、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ６４２の放出領域６１０の側面１６１０のうちの他のものの長軸は、第２の角度であってもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の角度に対して実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、側面１６１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ６４２の放出領域６１０は、側面１６１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ６４２の放出領域６１０と交互になっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の第３のグループ６４３は、第３の波長でＥＭ放射線を放出するサブピクセル６４ｘに対応してもよく、いくつかの非限定的な例では、第３のグループ６４ｘのサブピクセル６４３は、Ｂ（青）サブピクセル６４３に対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ６４３の放出領域６１０の側面１６１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ６４３の放出領域６１０は、ＰＤＬ７４０が先行及び後続する第１の行のパターンにあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ６４３の放出領域６１０の側面１６１０は、同じ行のＰＤＬ７４０を含む先行及び後続の非放出領域１９０２の側面１６２０、並びに第２の行の先行及び後続のパターンのＰＤＬ７４０を含む隣接する非放出領域１９０２の側面１６２０とわずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１のグループ６４１の放出領域６１０と、第３のグループ６４３の放出領域６１０とを交互に含むことができ、各々ＰＤＬ７４０が先行及び後続する。
次に図２２Ｂを参照すると、図２２Ａの線２２Ｂ－２２Ｂに沿ったデバイス２２００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極６２０の複数の要素とを備えるものとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は、各サブピクセル６４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１（説明を簡単にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ７４０は、ＰＤＬ７４０を含む非放出領域１９０２によって分離された、第１の電極６２０の各要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極６２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放出領域６１０は全て、第２のグループ６４２に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、取り囲むＰＤＬ７４０の間で、第１の電極６２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、共通カソードであってもよい、第２の電極６４０が、第２のグループ６４２の放出領域６１０の上に堆積されて、そのＧ（緑）サブピクセル６４２を形成してもよく、取り囲むＰＤＬ７４０の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、Ｇ（緑）サブピクセル６４２の第２のグループ６４２の放出領域６１０の側面１６１０にわたって第２の電極６４０の上に選択的に堆積されて、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第２の電極６４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ７４０を含む非放出領域１９０２の側面１６２０にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、ＰＤＬ７４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ７４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティングされ得る、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２の電極６４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、ＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層を備えてもよい。非限定的な例として、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、第２の電極６４０の表面上及び／又はパターン化コーティング２１０の表面上に直接提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する少なくとも１つの放出領域６１０の側面にわたって提供されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、屈折率整合コーティングとしても作用し得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、アウトカップリング層としても作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、封入層２２５０を備え得る。そのような封入層２２５０の非限定的な例としては、デバイス２２００をカプセル化するために提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリアコーティング１９５０、及び／又は図の破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層２２５０は、バリアコーティング１９５０の一種とみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、封入層２２５０は、第２の電極６４０及び／又はパターン化コーティング２１０のうちの少なくとも１つの上に配列されてもよい。いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、偏光子、カラーフィルタ、反射防止コーティング、アンチグレアコーティング、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）を含むがこれに限定されない、追加の光学及び／又は構造層、コーティング、及び構成要素を備えてもよい。
次に図２２Ｃを参照すると、図２２Ａの線２２Ｃ－２２Ｃに沿ったデバイス２２００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極６２０の複数の要素とを備えるものとして示されてもよい。ＰＤＬ７４０は、ＰＤＬ７４０を含む非放出領域１９０２によって分離された、第１の電極６２０の各要素上の放出領域６１０を画定するために、第１の電極６２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放出領域６１０は、第１のグループ６４１及び第３のグループ６４３に交互に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、取り囲むＰＤＬ７４０の間で、第１の電極６２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極６４０が、第１のグループ６４１の放出領域６１０の上に堆積されてそのＲ（赤）サブピクセル６４１を形成し、第３のグループ６４３の放出領域６１０の上に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル６４３を形成し、周囲のＰＤＬ７４０の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、Ｒ（赤）サブピクセル６４１の第１のグループ６４１及びＢ（青）サブピクセル６４３の第３のグループ６４３の放出領域２１０の側面１６１０にわたって第２の電極６４０の上に選択的に堆積されて、パターン化コーティング６１０が実質的に欠く場合がある第２の電極６４０の部分の上に、すなわちＰＤＬ７４０を含む非放出領域１９０２の側面１６２０にわたって堆積層１０３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、ＰＤＬ７４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１０３０は、ＰＤＬ７４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターン化コーティング２１０でコーティングされる、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１０３０は、第２の電極６４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２０５０を形成し得る。
ここで図２３を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２３００が示され得る。
デバイス２３００は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２３００の第１の部分４０１内で、第１の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に実質的に対応する、デバイス２３００の第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極６４０の上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２３００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを用いて堆積されてもよい。
補助電極２０５０は、図示されるように、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第２の部分にわたって第２の電極６４０の上に位置し、第２の電極６４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極６４０と電気的に結合されて、第２の電極のシート抵抗を低減してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、第２の部分４０２における堆積材料１２３１の堆積に対する高い初期付着確率を保証するために、第２の電極６４０と実質的に同じ材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／又はＭｇと、Ａｇを含むがこれに限定されない別の金属との合金を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積比で約１：９～９：１の範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、限定するものではないが、ＩＴＯ、及び／又はＩＺＯなどの三元金属酸化物、及び／又は金属及び／又は金属酸化物の組み合わせを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０を形成するために使用される堆積層１０３０は、実質的に純粋なＭｇを含むことができる。
ここで図２４を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２４００が示され得る。
デバイス２４００は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２４００の第１の部分４０１内で、第２の部分４０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極６４０の上に選択的に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。図において、第１の部分４０１は、放出領域６１０を画定するＰＤＬ７４０の傾斜部分の範囲に沿って部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２４００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。したがって、デバイス２４００において、補助電極２０５０は、放出領域６１０を画定するＰＤＬ７４０の傾斜部分にわたって部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、図示されるように、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第２の部分４０２にわたって第２の電極６４０の上に位置し、第２の電極６４０と物理的に接触することを含めて、第２の電極６４０と電気的に結合されて、第２の電極のシート抵抗を低減してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０が含み得る材料は、堆積材料１２３１の堆積に対して高い初期付着確率を有することができない。
ここで図２５を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２５００が示され得るようなシナリオが図示される。
デバイス２５００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極６４０の上に堆積されたＮＰＣ１４２０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターン化コーティング２１０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０の一部に実質的に対応するデバイス２５００の第１の部分４０１内で、かつ第１の部分４０１を囲む非放出領域１９０２の側面１６２０に実質的に対応するデバイス２５００の第２の部分４０２内ではなく、下部材料の露出層表面１１、図ではＮＰＣ１４２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、シャドウマスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターン化コーティング２１０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２５００の上に堆積されてもよいが、実質的にパターン化コーティング２１０を欠く場合がある第２の部分４０２内にのみ実質的に残って、補助電極２０５０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、第２の電極６４０と電気的に連結されてシート抵抗を低減させることができる。図示されているように、補助電極２０５０は、第２の電極６４０の上に位置していなくてもよく、物理的に接触していなくてもよいが、当業者であれば、補助電極２０５０は、複数のよく理解されているメカニズムによって第２の電極６４０と電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、電流がそれを通過することを依然として可能にし得、したがって、第２の電極６４０のシート抵抗が低減されることを可能にする。
ここで図２６を参照すると、図１６の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される追加の堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２６００が示され得る。
デバイス２６００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極６４０の上に堆積されたパターン化コーティング２１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
パターン化コーティング２１０は、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターン化コーティング２１０の堆積後、ＮＰＣ１４２０は、非放出領域１９０２の側面１６２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０に実質的に対応する、デバイス２６００の第２の部分４０２を取り囲む、図ではパターン化コーティング２１０である下層の露出層表面１１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、シャドウマスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ１４２０は、第１の部分４０１内に、後に堆積層１０３０として堆積されて補助電極２０５０を形成する堆積材料１２３１の堆積に対して比較的高い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ１４２０の選択的堆積の後、堆積材料１２３１は、デバイス２６００の上に堆積され得るが、パターン化コーティング２１０がＮＰＣ１４２０で覆われた場所に実質的に残り、補助電極２０５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２０５０は、第２の電極６４０と電気的に連結されて第２の電極６４０のシート抵抗を低減させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極６２０（底部放出型及び／又は両面放出型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極６４０（上部放出型及び／又は両面放出型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放出することができるので、第１の電極６２０及び／又は第２の電極６４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実質的な部分にわたって、実質的に光子（又は光）透過性（「透過性」）にすることが目的であり得る。本開示では、電極６２０、６４０、そのような要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）、及び／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、及び／又はその特性を備えてもよい。
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極６２０（底部放出型及び／又は両面放出型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極６４０（上部放出型及び／又は両面放出型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放出することができるので、第１の電極６２０及び／又は第２の電極６４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実質的な部分にわたって、実質的に光子（又は光）透過性（「透過性」）にすることが目的であり得る。本開示では、電極６２０、６４０、そのような要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）、及び／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、及び／又はその特性を備えてもよい。
少なくともデバイス１０００の放出領域６１０の側面の実質的な部分にわたって、デバイス１０００に透過特性を付与するために、様々なメカニズムを採用することができる。
デバイス１０００が底部放出デバイス及び／又は両面放出デバイスである場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１０の透過率を少なくとも部分的に低減させることができる（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０に関連する駆動回路のＴＦＴ構造１６０１は、放出領域６１０の側面１６２０内の基板１０の透過特性に影響を与えることを回避するために、取り囲む非放出領域１９０２の側面１６１０内に配置することができる。
デバイス１０００が両面放出デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０に関して、電極６２０、６４０のうちの第１の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよく、近隣の及び／又は隣接する（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの側面１６１０に関して、電極６２０、６４０のうちの第２の電極は、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されないものによって、実質的に透過性にされてもよい。したがって、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの第１の放出領域６１０の側面１６１０は実質的に上部放出とすることができ、一方、近隣の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの第２の放出領域６１０の側面１６１０は実質的に底部放出とすることができ、それにより、交互の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘのサブセットは実質的に上部放出とすることができ、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘのサブセットは実質的に底部放出とすることができ、一方、各（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの単一電極６２０、６４０のみを実質的に透過性とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極６２０、６４０を、底部放出型デバイス及び／又は両面放出型デバイスの場合には、第１の電極６２０、及び／又は上部放出型デバイス及び／又は両面放出型デバイスの場合には第２の電極６４０を透過性にするメカニズムは、そのような電極６２０、６４０を透過性薄膜で形成することであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、導電性堆積層１０３０は、Ａｇ、Ａｌを含むがこれらに限定されない金属の薄い導電膜層を堆積することによって形成され、かつ／又はＭｇ：Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を含むがこれらに限定されない金属合金の薄層を堆積することによって形成される薄膜を含むがこれらに限定されない、薄膜で、透過特質を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲の組成を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、電極６２０、６４０は、堆積層１０３０の任意の組み合わせの複数の薄い導電膜層から形成されてもよく、そのうちの少なくとも１つは、ＴＣＯ、金属薄膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれかの任意の組み合わせから構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、特にそのような薄い導電性膜の場合、比較的薄い層の厚さは、実質的に数十ｎｍまでであり、透過品質の向上だけでなく、ＯＬＥＤデバイス１０００で使用するための好ましい光学特性（マイクロキャビティ効果の低減を含むが、これに限定されない）にも寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を向上させるための電極６２０、６４０の厚さの低減は、電極６２０、６４０のシート抵抗の増加を伴ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極６２０、６４０を有するデバイス１０００は、動作中に電源１５０５と結合されると、大きい電流抵抗（ＩＲ）降下を作成し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降下は、電源１５０５のレベルを増加させることによって、ある程度補償され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘについて、高いシート抵抗に起因するＩＲ降下を補償するために電源１５０５のレベルを増加させることは、デバイス１０００の効果的な動作を維持するために他の構成要素に供給される電圧のレベルを増加させることを必要とし得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極６２０、６４０を実質的に透過性にする能力に著しい影響を与えることなくデバイス１０００の電力供給要求を低減するために、補助電極２０５０をデバイス１０００上に形成して、デバイス１０００の様々な放出領域６１０に電流がより効果的に運ばれるようにすると同時に、透過性電極６２０、６４０のシート抵抗及びそれに関連するＩＲ降下を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１０００の共通電極６２０、６４０のシート抵抗仕様は、限定はしないが、デバイス１０００の（パネル）サイズ、及び／又はデバイス１０００にわたる電圧変動の許容差を含む、複数のパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様は、パネルサイズが増加するにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様は、電圧変動に対する許容差が減少するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗仕様を使用して、補助電極２０５０の例示的な厚さを導出して、様々なパネルサイズのためのそのような仕様に準拠することができる。
非限定的な例として、上部放出型デバイスの場合、第２の電極６４０を透過性にすることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０は、実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極６４０の実効シート抵抗を低減するために、それらの間に導電性堆積層１０３０を堆積させることを含むがこれに限定されないことによって、第２の電極６４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極２０５０は、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面からの光子の放出に干渉しないように、側面及び／又は断面のいずれか一方又は両方に位置付けられ、かつ／又は成形され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０及び／又は第２の電極６４０を作製するメカニズムは、そのような電極６２０、６４０を、その放出領域６１０の側面の少なくとも一部にわたって、及び／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０の少なくとも一部にわたって、パターンで形成することであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムは、上述したように、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０からの光子の放出に干渉しないように、側面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及び／又は形状に、補助電極２０５０を形成するために採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、デバイス１０００によって放出されるＥＭ放射線の光路に導電性酸化物材料が実質的に欠くように構成されてもよい。非限定的な例として、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する少なくとも１つの放出領域６１０の側面１６１０において、第２の電極６４０、パターン化コーティング２１０、及び／又はその上に堆積された任意の他の層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導体層６３０の後に堆積された層及び／又はコーティングのうちの少なくとも１つは、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、導電性酸化物材料を実質的に欠くことにより、デバイス１０００によって放出されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる。非限定的な例として、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含むがこれらに限定されない導電性酸化物材料は、少なくとも可視光スペクトルのＢ（青）領域のＥＭ放射線を吸収する可能性があり、これは概して、デバイス１０００の効率及び／又は性能を低減させる可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組合せを採用することができる。
追加として、いくつかの非限定的な例では、第１の電極６２０、第２の電極６４０、及び／又は補助電極２０５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１０００の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘに対応する放出領域６１０の側面１６１０の少なくとも実質的な部分にわたって実質的に透過性にすることに加えて、ＥＭ放射線がその側面１６１０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、デバイス１０００の取り囲む非放出領域１９０２の側面１６２０のうちの少なくとも１つを下方向及び上方向の両方に実質的に透過性にして、デバイス１０００をその外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性にして、それにより、本明細書に開示されるように、デバイス１０００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放出（上部放出、底部放出、及び／又は両面放出）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス６００を透過し得るようにすることが目的であり得る。
ここで図２７Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２７００で示される透過性（透明）バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、複数のピクセル又はピクセル領域２７１０と複数の透過領域５２０とを有するアクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、ピクセル領域２７１０及び／又は透過性領域５２０の間の下部材料の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２７１０は、サブピクセル６４ｘに各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル６４１、Ｇ（緑）サブピクセル６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル６４３に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域５２０は、実質的に透明であってもよく、ＥＭ放射線がその断面の全体を通過することを可能にする。
ここで図２７Ｂを参照すると、図２７Ａの線２７Ｂ－２７Ｂに沿った、デバイス１０００のバージョン２７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２７００は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層７０９、及びＴＦＴ絶縁層７０９の表面上に形成された第１の電極６２０を含むものとして示されてもよい。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１であって、実質的にその下に位置付けられ、その第１の電極６２０と電気的に結合された各サブピクセル６４ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電極６２０上に、各サブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、第１の電極６２０の縁部を覆ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、第１の電極６２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤＬ７４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、そのサブピクセル６４ｘを形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ７４０上に少なくとも部分的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、ピクセル領域２７１０及び透過性領域５２０の両方を含むが、その第２の部分４０２を含む補助電極２０５０に対応する第２の電極６４０の領域を含まない、デバイス２７００の第１の部分４０１上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００の露出層表面１１全体が、次いで、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出されてもよく、堆積材料は、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい。堆積層１０３０は、パターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある第２の電極６４０の第２の部分４０２の上に選択的に堆積されて、第２の電極６４０のコーティングされていない部分と電気的に結合されてもよく、いくつかの非限定的な例では物理的に接触してもよい補助電極２０５０を形成してもよい。
同時に、デバイス２７００の透過性領域５２０は、そこを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くままであり得る。特に、図示されるように、ＴＦＴ構造７０１及び第１の電極６２０は、断面において、それに対応するサブピクセル６４ｘの下方に位置付けられ得、補助電極２０５０とともに透過性領域５２０を越えて位置することができる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域５２０を通って透過されることを減衰又は妨害しないことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、全ての（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘが放出していない可能性があるときに、典型的な視距離からデバイス２７００を見ている観察者がデバイス２７００を通して見ることを可能にし、したがって透明デバイス２７００を作成することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、補助電極２０５０と第２の電極６４０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０と第２の電極６４０との間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの半導体層６３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導体層６３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイス２７００を製作するための複数の段階が低減され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例において、少なくとも１つの半導体層６３０及び／又は第２の電極６４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないことによって、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
当業者は、図２７Ａ及び図２７Ｂに示される配列以外の補助電極２０５０の配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、補助電極２０５０は、ピクセル領域２７１０と透過性領域５２０との間に配置され得る。非限定的な例として、補助電極２０５０は、ピクセル領域２７１０内のサブピクセル６４ｘの間に配置されてもよい。
ここで図２８Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２８００で示される透明バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、複数のピクセル領域２７１０及び複数の透過性領域５２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスであってもよい。デバイス２８００は、ピクセル領域２７１０及び／又は透過性領域５２０の間に補助電極２０５０が存在しないという点で、デバイス２７００と異なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２７１０は、サブピクセル６４ｘに各々対応する複数の放出領域６１０を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル６４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル６４１、Ｇ（緑）サブピクセル６４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル６４３に対応することができる。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域５２０は、実質的に透明であってもよく、光がその断面の全体を通過することを可能にしてもよい。
次に図２８Ｂを参照すると、図２８Ａの線２８－２８に沿ったデバイス２８００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８００は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層７０９、及びＴＦＴ絶縁層７０９の表面上に形成された第１の電極６２０を含むものとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１であって、実質的にその下に位置付けられ、その第１の電極６２０と電気的に結合された各サブピクセル６４ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を含むことができる。ＰＤＬ７４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電極６２０上に、各サブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。ＰＤＬ７４０は、第１の電極６２０の縁部を覆う。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、第１の電極６２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤＬ７４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、そのサブピクセル６４ｘを形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されてもよく、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ７４０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、透過性領域５２０を横切る第１の堆積層１０３０ａの存在がＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、透過性領域５２０を含むデバイス２８００の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２８００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く場合がある第１の堆積層１０３０ａの第２の部分４０２、いくつかの例ではピクセル領域２７１０上に、第２の堆積層１０３０ｂを選択的に堆積させてもよく、それにより、第２の堆積層１０３０ｂは、第１の堆積層１０３０ａのコーティングされていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では物理的に接触して、第２の電極６４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚以下であってもよい。このようにして、第１の堆積層１０３０ａのみが延び得る透過性領域５２０において、比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、約８ｎｍ、又は約５ｎｍのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、約３０ｎｍ、約２５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、約１０ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の平均層厚は、約４０ｎｍ以下であってもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１５～２５ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚及び第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料１２３１は、第２の堆積層１０３０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料１２３１と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの堆積材料１２３１は、実質的に、第１の電極６２０、第２の電極６４０、補助電極２０５０、及び／又はそれらの堆積層１０３０に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、ピクセル領域２７１０において、ＥＩＬ１５３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積層１０３０ａを形成するための堆積材料１２３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、それは、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００の透過領域５２０は、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠くままであり得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造７０９及び／又は第１の電極６２０は、断面において、それに対応するサブピクセル６４ｘの下、及び透過性領域５２０を越えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域５２０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘが放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８００を観察する観察者がデバイス２８００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００を作成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような配列はまた、限定ではないが、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトル内を含む、ＥＭ信号が、そのようなアンダーディスプレイ構成要素５３０によって、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００を通して交換されるように、ＩＲエミッタ５３０ｔ及び／又はＩＲ検出器５３０ｒが、ＡＭＯＬＥＤデバイス２８００の背後に配列されることを可能にしてもよい。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、第２の堆積層１０３０ｂと第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０と第１の堆積層１０３０ａとの間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの半導体層６３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導体層６３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイス２８００を製作するための複数の段階が低減され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０及び／又は第１の堆積層１０３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないことによって、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
次に図２８Ｃを参照すると、図２８Ａの同じ線２８－２８に沿った、デバイス１０００の異なるバージョン２８１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８１０は、基板１０、ＴＦＴ絶縁層７０９、及びＴＦＴ絶縁層７０９の表面上に形成された第１の電極６２０を含むものとして示されてもよい。基板１０は、ベース基板１５１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は、実質的にその下に位置付けられ、その第１の電極６２０と電気的に結合された各サブピクセル６４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を備えることができる。ＰＤＬ７４０は、基板１０上の非放出領域１９０２に形成され、対応する第１の電極６２０上に、各サブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０を画定してもよい。ＰＤＬ７４０は、第１の電極６２０の縁部を覆ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、第１の電極６２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤＬ７４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、透過性領域５２０を含むデバイス２８１０の第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、そのサブピクセル６４ｘを形成するために、ピクセル領域２７１０上を含む少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されてもよいが、透過性領域５２０内の取り囲むＰＤＬ７４０上には堆積されないことがある。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２８１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、パターン化コーティング２１０が実質的に欠く少なくとも１つの半導体層６３０の第２の部分４０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２７１０上に、堆積層１０３０を選択的に堆積させてもよく、それにより、堆積層１０３０が少なくとも１つの半導体層６３０上に堆積されて第２の電極６４０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２８１０の透過領域５２０は、限定はしないが、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルにおけるものを含むＥＭ信号を限定はしないが含む、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠くままであり得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造７０１及び／又は第１の電極６２０は、断面において、それに対応するサブピクセル６４ｘの下、及び透過性領域５２０を越えて位置付けられ得る。結果として、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域５２０を透過することを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配列は、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘが放出していないときに、典型的な観察距離からデバイス２８１０を観察する観察者がデバイス２８１０を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２８１０を作成することができる。
堆積層１０３０がない、及び／又は実質的に欠く場合がある透過性領域５２０を提供することによって、そのような領域における透過率は、いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、図２８Ｂのデバイス２８００と比較して、有利に向上され得る。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８１０は、堆積層１０３０と少なくとも１つの半導体層６３０との間に配置されたＮＰＣ１４２０を更に備えることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、パターン化コーティング２１０とＰＤＬ７４０との間に配置されてもよい。
簡単にするために図２８Ｂ及び図２８Ｃには示されていないが、いくつかの非限定的な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号５３１が透過領域５２０内のデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペクトルの少なくとも一部の透過領域５２０内のＥＭ放射線の吸収を容易にするために、ＥＭ放射線吸収層１２０がその上に配置され得ることを当業者は理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの半導体層６３０と同時に形成されてもよい。非限定的な例として、パターン化コーティング２１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料は、少なくとも１つの半導体層６３０を形成するために使用されてもよい。そのような非限定的な例では、デバイス２８１０を製作するための複数の段階が低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０の少なくとも１つの層を透過領域５２０内に堆積させて、パターン化コーティング２１０を提供することができる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層６３０のＥＴＬ１５３７は、少なくとも１つの半導体層６３０の堆積中に放出領域６１０及び透過領域５２０の両方に堆積され得るパターン化コーティング２１０であってもよい。次いで、ＥＴＬ１５３７の上の放出領域６１０にＥＩＬ１５３９を選択的に堆積させることができ、それにより、透過性領域５２０内のＥＴＬ１５３７の露出層表面１１は、ＥＩＬ１５３９を実質的に欠く場合がある。次いで、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３０の露出層表面１１、及びパターン化コーティング２１０として作用するＥＴＬの露出層表面を、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、放出領域６１０内のＥＩＬ１５３９上に堆積層１２３１の閉じたコーティング１０４０を形成し、透過領域５２０内のＥＩＬ１５３９上に堆積材料１０３０の不連続層１３０を形成することができる。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０及び／又は堆積層１０３０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又はコーティングが、特にそのような層及び／又はコーティングが実質的に透明である場合、透過性領域５２０の一部を覆ってもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、透過性領域５２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域６１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することを含むがこれに限定されないことによって、低減された厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ｂ及び図２８Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
放出領域にわたる電極厚さを調節するための選択的堆積
上述したように、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内及び側面にわたって電極６２０、６４０、２０５０の厚さを調節することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２７１０内の異なるサブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０の側方側面１６１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ１４２０を含む、少なくとも１つのパターン化コーティング２１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１０３０の選択的堆積は、限定ではないが、発光スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放出光の色偏移を含む、各放出領域６１０内の光学マイクロキャビティ効果が、サブピクセル６４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように制御及び／又は変調されることを可能にし得る。
上述したように、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの放出領域６１０の側面１６１０内及び側面にわたって電極６２０、６４０、２０５０の厚さを調節することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２７１０内の異なるサブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０の側方側面１６１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ１４２０を含む、少なくとも１つのパターン化コーティング２１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１０３０の選択的堆積は、限定ではないが、発光スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放出光の色偏移を含む、各放出領域６１０内の光学マイクロキャビティ効果が、サブピクセル６４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように制御及び／又は変調されることを可能にし得る。
このような効果は、サブピクセル６４ｘの各放出領域６１０に配置された堆積層１０３０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって制御することができる。非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル６４３の上に配置された第２の電極６４０の平均層厚は、Ｇ（緑）サブピクセル６４２の上に配置された第２の電極６４０の平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（緑）サブピクセル６４２の上に配置された第２の電極６４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル６４１の上に配置された第２の電極６４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、堆積層１０３０の平均層厚及び／又は数だけでなく、サブピクセル６４ｘの各放出領域６１０の一部に堆積されたパターン化コーティング２１０及び／又はＮＰＣ１４２０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって、更に大きく制御することができる。
図２９に非限定的な例として示すように、いくつかの非限定的な例では、異なる発光スペクトルを有する、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０００のバージョン２９００において、サブピクセル６４ｘに対応する放出領域６１０に対して選択的に堆積された様々な平均層厚の堆積層１３０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａは、第１の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル６４ｘに対応してもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、第２の放出領域６１０ｂは、第２の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル６４ｘに対応してもよい。いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル６４ｘに対応し得る第３の放出領域６１０ｃを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよく、大きくてもよく、及び／又は等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少なくとも１つより小さくてもよく、大きくてもよく、かつ／又は等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、及び／又は第３の放出領域６１０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である、波長及び／又は発光スペクトルを有するＥＭ放射線を放出するように構成され得る少なくとも１つの追加の放出領域６１０（図示せず）を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、第１の放出領域６１０ａの少なくとも１つの半導体層６３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスク１１１５を使用して選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク１１１５のそのような共有使用は、費用効果の高い方法でサブピクセル６４ｘごとに光マイクロキャビティ効果を調整することを可能にすることができる。
デバイス２９００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層７０９と、ＴＦＴ絶縁層７０９の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極６２０とを備えるものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１５１２（例示を簡単にするために図示せず）、及び／又は対応する放出領域６１０に対応し、対応する放出領域６１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を備え得、各ＴＦＴ構造は、実質的にその下に位置付けられ、その関連する第１の電極６２０に電気的に結合された対応するサブピクセル６４ｘを有する。ＰＤＬ７４０を基板１０の上に形成して、放出領域６１０を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０は、それらのそれぞれの第１の電極６２０の縁部を覆うことができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０が、それらのそれぞれの第１の電極６２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、取り囲むＰＤＬ７４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第１の堆積層１０３０ａは、少なくとも１つの半導体層６３０の上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、少なくとも１つの半導体層６３０の上に第１の堆積層１０３０ａを堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放出領域６１０ａの共通電極であり得る、第２の電極６４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって達成され得る。このような共通電極は、第１の放出領域６１０ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１の堆積層１０３０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例において、第１のパターン化コーティング２１０ａは、第１の放出領域６１０ａを含むデバイス２９００の第１の部分４０１上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の上に第２の堆積層１０３０ｂを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、第２の堆積層１０３０ｂを、第１のパターン化コーティング２１０ａ、いくつかの例では第２及び第３の放出領域６１０ｂ、６１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ７４０が存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第１の堆積層１０３０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１０３０ｂを、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第２の放出領域６１０ｂのための共通電極であり得る、第２の電極６４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターン化コーティング２１０ａを実質的に含まない、第１の堆積層１０３０ａの第２の部分４０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第２の放出領域６１０ｂにおいて第２の厚さｔｃ２を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ２は、第１の堆積層１０３０ａと第２の堆積層１０３０ｂとの合計平均層厚に対応してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第２のパターン化コーティング２１０ｂは、第２の放出領域６１０ｂを含むデバイス２９００の更なる第１の部分４０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の上に第３の堆積層１０３０ｃを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１０３０ｃは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、第３の堆積層１０３０ｃを、第１のパターン化コーティング２１０ａ又は第２のパターン化コーティング２１０ｂ、いくつかの例では第３の放出領域６１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ７４０が存在する非放出領域１９０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第２の堆積層１０３０ｂの上に堆積させて、第３の堆積層１０３０ｃを、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第３の放出領域６１０ｃのための共通電極であり得る、第２の電極６４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するために、第２のパターン化コーティング２１０ｂを実質的に含まない、第２の堆積層１０３０ｂの更なる第２の部分４０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、このような共通電極は、第３の放出領域６１０ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び第３の堆積層１０３０ｃの合計厚さに対応してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターン化コーティング２１０ｃを、第３の放出領域６１０ｂを含むデバイス２９００の追加の第１の部分４０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０が、デバイス２９００の非放出領域１９０２において、その近隣の放出領域６１０の間に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ７４０の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０を堆積するために使用される堆積層１０３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２９００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料１２３１の蒸気フラックス１２３２に露出して、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパターン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいずれかを実質的に欠く場合がある第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１０３０ｃの露出部分上に堆積層１０３０を堆積させて、それにより、堆積層１０３０が、第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパターン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１０３０ｃの露出部分を含む追加の第２の部分４０２上に堆積され得、少なくとも１つの補助電極２０５０を形成することによって行われてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の各々は、第２の電極６４０のそれぞれの１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の各々は、そのような第２の電極６４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、及び第３の放出領域６１０ｃは、少なくとも１つの補助電極２０５０を形成するために使用される堆積材料１２３１の閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１０３０ｃのうちの少なくとも１つは、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂ及び／又は第３の堆積層１０３０ａ（及び／又は任意の追加の堆積層１０３０）は、第１の堆積層１０３０ａの上に配置されて、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であってもよいマルチコーティング電極６２０、６４０、２０５０を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、任意の追加の堆積層１０３０、及び／又はマルチコーティング電極６２０、６４０、２０５０のうちの任意の少なくとも１つの透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、約７５％、又は約８０％のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１０３０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比較的薄くされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａの平均層厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、又は約１０～２０ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１０３０ｂの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１０３０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、及び／又は任意の追加の堆積層３３０の組み合わせによって形成されるマルチコーティング電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１２～１８ｎｍのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の厚さは、第１の堆積層１０３０ａ、第２の堆積層１０３０ｂ、第３の堆積層１０３０ｃ、及び／又は共通電極の平均層厚を超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、又は約３μｍのうちの少なくとも１つを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、実質的に非透明及び／又は不透明であってもよい。しかしながら、少なくとも１つの補助電極２０５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の非放出領域１９０２内に提供され得るので、少なくとも１つの補助電極２０５０は、著しい光学干渉を引き起こさないか、又はそれに寄与しないことがある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０の透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約５０％、約７０％、約８０％、約８５％、約９０％、又は約９５％のうちの少なくとも１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２０５０は、可視光スペクトルの少なくとも一部においてＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放出領域６１０ａ、第２の放出領域６１０ｂ、及び／又は第３の放出領域６１０ｃにそれぞれ配置された第１のパターン化コーティング２１０ａ、第２のパターン化コーティング２１０ｂ、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃの平均層厚さは、各放出領域６１０によって放出されるＥＭ放射線の色及び／又は放出スペクトルに従って変動し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化コーティング２１０ａは第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１を有してもよく、第２のパターン化コーティング２１０ｂは第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２を有してもよく、及び／又は第３のパターン化コーティング２１０ｃは第３のパターン化コーティング厚さｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２、及び／又は第３のパターン化コーティング厚さｔｎ３は、実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン化コーティング厚さｔｎ１、第２のパターン化コーティング厚さｔｎ２、及び／又は第３のパターン化コーティング厚さｔｎ３は、互いに異なっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００はまた、任意の数の放出領域６１０ａ～６１０ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘを備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、デバイスは複数のピクセル２７１０を備えてもよく、各ピクセル２７１０は２つ、３つ、又はそれ以上のサブピクセル６４ｘを備える。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘの特定の配列がデバイス設計に応じて変更され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル６４ｘは、限定はしないが、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又はＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含む、既知の配列方式に従って配列され得る。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性コーティング
図３０を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３０００の断面図が示され得る。デバイス３０００は、側面において、放出領域６１０及び隣接する非放出領域１９０２を含むことができる。
図３０を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３０００の断面図が示され得る。デバイス３０００は、側面において、放出領域６１０及び隣接する非放出領域１９０２を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０は、デバイス３０００のサブピクセル６４ｘに対応し得る。放出領域６１０は、基板１０、第１の電極６２０、第２の電極６４０、及びそれらの間に配列された少なくとも１つの半導体層６３０を有することができる。
第１の電極６２０は、基板１０の露出層表面１１上に配置されてもよい。基板１０は、第１の電極６２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造７０１を備え得る。第１の電極６２０の縁部及び／又は周囲は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ７４０によって覆われ得る。
非放出領域１９０２は補助電極２０５０を有してもよく、非放出領域１９０２の第１の部分は、補助電極２０５０の側面の上に突出して重なるように配列された突出構造３０６０を有してもよい。突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供するために横方向に延びてもよい。非限定的な例として、突出構造３０６０は、遮蔽領域３０６５を提供するために、少なくとも１つの側部上の補助電極２０５０において、及び／又はその近くで凹状であってもよい。図示されるように、遮蔽領域３０６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の横方向の突出と重なり得るＰＤＬ７４０の表面上の領域に対応し得る。非放出領域１９０２は、遮蔽領域３０６５内に配置された堆積層１０３０を更に含むことができる。堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極６４０と電気的に結合することができる。
パターン化コーティング２１０ａは、第２の電極６４０の露出層表面１１上の放出領域６１０に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０の露出層表面１１は、第２の電極６４０を形成するための薄い導電性膜の堆積からの残留する薄い導電性膜でコーティングされてもよい。いくつかの非限定的な例では、残留する薄い導電性膜の露出層表面１１は、パターン化コーティング２１０の堆積からの残留パターン化コーティング２１０ｂでコーティングされてもよい。
しかしながら、遮蔽領域３０６５上への突出構造３０６０の横方向の突出のために、遮蔽領域３０６５はパターン化コーティング２１０を実質的に欠く場合がある。したがって、堆積層１０３０が、パターン化コーティング２１０の堆積後にデバイス３０００上に堆積され得るとき、堆積層１０３０は、遮蔽領域３０６５上に堆積され得、及び／又は遮蔽領域に移動して、補助電極２０５０を第２の電極６４０に結合し得る。
当業者は、非限定的な例が図３０に示されており、様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３０６０は、その側部の少なくとも２つに沿って遮蔽領域３０６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、突出構造３０６０は省略されてもよく、補助電極２０５０は、遮蔽領域３０６５を画定し得る凹部を備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０及び堆積層１０３０は、ＰＤＬ７４０の代わりに基板１０の表面上に直接配置されてもよい。
光学コーティングの選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスでもよい、デバイス（図示せず）は、基板１０と、パターン化コーティング２１０と、光学コーティングとを備えてもよい。パターン化コーティング２１０は、側面では、基板１０の第１の横方向部分４０１を覆うことができる。光学コーティングは、側面では、基板１０の第２の横方向部分４０２を覆うことができる。パターン化コーティング２１０の少なくとも一部は、光学コーティングの閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスでもよい、デバイス（図示せず）は、基板１０と、パターン化コーティング２１０と、光学コーティングとを備えてもよい。パターン化コーティング２１０は、側面では、基板１０の第１の横方向部分４０１を覆うことができる。光学コーティングは、側面では、基板１０の第２の横方向部分４０２を覆うことができる。パターン化コーティング２１０の少なくとも一部は、光学コーティングの閉じたコーティング１０４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、プラズモンモードを含むがこれに限定されない、デバイスによって透過、放出、及び／又は吸収されるＥＭ放射線の光学特性を変調することができる。非限定的な例として、光学コーティングは、光学フィルタ、屈折率整合コーティング、光アウトカップリングコーティング、散乱層、回折格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、限定はしないが、全光路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス内の少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は、その強度の角度依存性、及び／又はその波長シフトを含むがこれらに限定されない、出力ＥＭ放射線を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、非電気構成要素であってもよく、すなわち、光学コーティングは、通常のデバイス動作中に電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、任意の堆積材料１２３１から形成されてもよく、及び／又は本明細書に記載されるような堆積層１０３０を堆積させる任意のメカニズムを採用してもよい。
仕切り及び凹部
図３１を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３１００の断面図が示され得る。デバイス３１００は、露出層表面１１を有する基板１０を備えることができる。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を含むことができる。非限定的な例として、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、本明細書に記載されるように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を製作するときに一連の薄膜を堆積及びパターン化することによって形成されてもよい。
図３１を参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３１００の断面図が示され得る。デバイス３１００は、露出層表面１１を有する基板１０を備えることができる。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１を含むことができる。非限定的な例として、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１は、本明細書に記載されるように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を製作するときに一連の薄膜を堆積及びパターン化することによって形成されてもよい。
デバイス３１００は、側面において、関連する側面１６１０を有する放出領域６１０と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２とを含むことができ、各々は関連する側面１６２０を有する。放出領域６１０における基板１０の露出層表面１１には、少なくとも１つのＴＦＴ構造７０１と電気的に結合され得る第１の電極６２０が提供され得る。ＰＤＬ７４０は、ＰＤＬ７４０が露出層表面１１並びに第１の電極６２０の少なくとも１つの縁部及び／又は周囲を覆うように、露出層表面１１上に提供されてもよい。ＰＤＬ７４０は、いくつかの非限定的な例では、非放出領域１９０２の側面１６２０に提供されてもよい。ＰＤＬ７４０は、第１の電極６２０の層表面が露出され得る放出領域６１０の側面１６１０に概して対応し得る開口部を提供し得る谷形状構成を画定し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、ＰＤＬ７４０によって画定される複数のそのような開口部を備えてもよく、それらの各々は、デバイス３１００の（サブ）ピクセル２７１０／６４ｘ領域に対応してもよい。
図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１は、非放出領域１９０２の側面１６２０における露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に記載されるように、凹部３１２２などの遮蔽領域３０６５を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、凹部３１２２を越えて重なり及び／又は突出し得る仕切り３１２１の上部セクションの縁部に対して凹んでいる、ずらされている、及び／又はオフセットされている仕切り３１２１の下部セクションの縁部によって形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、放出領域６１０の側面１６１０は、第１の電極６２０の上に配置された少なくとも１つの半導体層６３０と、少なくとも１つの半導体層６３０の上に配置された第２の電極６４０と、第２の電極６４０の上に配置されたパターン化コーティング２１０とを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層６３０、第２の電極６４０、及びパターン化コーティング２１０は、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の少なくとも側面１６２０を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少なくとも１つの半導体層６３０、第２の電極６４０、及びパターン化コーティング２１０は、少なくとも１つのＰＤＬ７４０の少なくとも一部、及び仕切り３１２１の少なくとも一部の上に配置され得る。したがって、図示のように、放出領域６１０の側面１６１０と、少なくとも１つの隣接する非放出領域１９０２の一部の側面１６２０と、少なくとも１つのＰＤＬ７４０の一部と、仕切り３１２１の少なくとも一部とは、ともに第１の部分４０１を構成してもよく、第２の電極６４０は、パターン化コーティング２１０と少なくとも１つの半導体層６３０との間に位置してもよい。
補助電極２０５０は、凹部３１２２に近接して、及び／又はその中に配置されてもよく、堆積層１０３０は、補助電極２０５０を第２の電極６４０と電気的に結合するように配置されてもよい。したがって、示されるように、いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、堆積層１０３０が露出層表面１１上に配置されている第２の部分４０２を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０を堆積させる際に、堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の横方向平面に対して垂直でない角度に向けられてもよい。非限定的な例として、気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、露出層表面１１のそのような横方向平面に対して、約９０°、約８５°、約８０°、約７５°、約７０°、約６０°、又は約５０°のうちの少なくとも１つ以下である入射角でデバイス３１００に入射することができる。少なくとも一部を含む堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２を、非垂直角度で入射するように方向付けることによって、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１及び／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１は、そのような気化フラックス１２３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部が非垂直入射角で流れることができるので、そのような気化フラックス１２３２が、仕切り３１２１の存在によって、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部に入射することが妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部は非コリメートであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は面源である蒸発源によって生成され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、堆積層１０３０の堆積中に変位され得る。非限定的な例として、デバイス３１００、及び／又はその基板１０、及び／又はその上に堆積された任意の層は、側面において、及び／又は断面に実質的に平行な面において、角度のある変位を受けてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３１００は、気化フラックス１２３２を受けている間、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な軸を中心に回転され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、デバイス３１００の露出層表面１１に向けて、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な方向に向けることができる。
特定の理論に縛られることを望むものではないが、堆積材料１２３１は、それにもかかわらず、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側方移動及び／又は脱着に起因して凹部３１２２内に堆積され得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１上に吸着された任意の吸着原子は、安定な核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特性に起因して、そのような露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような露出層表面１１から移動及び／又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部３１２２内の表面上に再堆積されて堆積層１０３０を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、堆積層１０３０が補助電極２０５０及び第２の電極６４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０は、補助電極２０５０及び／又は第２の電極６４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０と、補助電極２０５０及び／又は第２の電極６４０のうちの少なくとも１つとの間に中間層が存在してもよい。しかしながら、そのような例では、そのような中間層は、堆積層１０３０が補助電極２０５０及び／又は第２の電極６４０のうちの少なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げ得ない。いくつかの非限定的な例では、そのような中間層は、比較的薄くてもよく、それを通る電気的結合を可能にするようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１０３０のシート抵抗は、第２の電極６４０のシート抵抗以下であり得る。
図３１に示すように、凹部３１２２は、第２の電極６４０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の堆積中に、凹部３１２２は、第２の電極６４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２が、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１に、及び／又は凹部内に入射することを実質的に防止することができるように、仕切り３１２１によってマスクされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０を形成するための堆積材料１２３１の気化フラックス１２３２の少なくとも一部は、第２の電極６４０が凹部３１２２の少なくとも一部を覆うように延びることができるように、凹部３１２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部３１２２内に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０、堆積層１０３０、及び／又は仕切り３１２１は、ディスプレイパネル５１０のある特定の領域に選択的に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極６４０を含むがこれに限定されない、フロントプレーン１５１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン１５１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパネルの少なくとも１つの縁部に、及び／又はそれに近接して提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような特徴をそのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接して提供することにより、そのような縁部に、及び／又はそのような縁部に近接して配置された補助電極２０５０から第２の電極６４０への電流の供給及び分配を容易にすることができる。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベゼルサイズを低減することを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０、堆積層１０３０、及び／又は仕切り３１２１は、そのようなディスプレイパネル５１０のある特定の領域から省略されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような特徴は、ディスプレイパネル５１０の少なくとも１つの縁部以外の、及び／又はその少なくとも１つの縁部に近接して、比較的高いピクセル密度が提供され得る場所を含むが、これに限定されないディスプレイパネルの部分から省略されてもよい。
非放出領域における開口部
ここで図３２Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３２００ａの断面図が示され得る。デバイス３２００ａは、非放出領域１９０２内の一対の仕切り３１２１が対向配列で配置されて、それらの間に開口部３２２２などの遮蔽領域３０６５を画定することができるという点で、デバイス３１００とは異なることがある。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極６２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放出領域６１０を画定するＰＤＬ７４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ７４０とは別個に提供され得る。
ここで図３２Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン３２００ａの断面図が示され得る。デバイス３２００ａは、非放出領域１９０２内の一対の仕切り３１２１が対向配列で配置されて、それらの間に開口部３２２２などの遮蔽領域３０６５を画定することができるという点で、デバイス３１００とは異なることがある。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極６２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放出領域６１０を画定するＰＤＬ７４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ７４０とは別個に提供され得る。
凹部３１２２などの遮蔽領域３０６５は、仕切り３１２１のうちの少なくとも１つによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、基板１０に近接する開口部３２２２の一部に提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、開口部３２２２は、平面図で見たときに実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、平面図で見たときに実質的に環状であり、開口部３２２２を取り囲んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、凹部３１２２は、デバイススタック３２１０及び／又は残留デバイススタック３２１１の各層を形成するための材料を実質的に欠く場合がある。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層６３０と、第２の電極６４０と、仕切り３１２１の上部に堆積されたパターン化コーティング２１０とを含むデバイススタック３２１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層６３０と、第２の電極６４０と、仕切り３１２１及び凹部３１２２を越えて基板１０上に堆積されたパターン化コーティング２１０とを含む残留デバイススタック３２１１を示すことができる。図３１との比較から、残留デバイススタック３２１１は、いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１のリップにおいて、及び／又はリップに近接して凹部３１２２に接近するとき、半導体層６３０、第２の電極６４０、及びパターン化コーティング２１０に対応し得ることが分かる。いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、デバイススタック３２１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、開口部３２２２内に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３２１０の層の各々を形成するための蒸発材料を開口部３２２２内に堆積させて、その中に残留デバイススタック３２１１を形成することができる。
いくつかの非限定的な例において、補助電極２０５０は、その少なくとも一部が凹部３１２２内に配置されるように配列されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、補助電極２０５０は、残留デバイススタック３２１１が補助電極２０５０の表面上に堆積されるように、開口部３２２２内に配列され得る。
堆積層１０３０は、第２の電極６４０を補助電極２０５０と電気的に結合するために開口部３２２２内に配置することができる。非限定的な例として、堆積層１０３０の少なくとも一部は、凹部３１２２内に配置されてもよい。
次に図３２Ｂを参照すると、デバイス２３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。図示されるように、補助電極２０５０は、仕切り３１２１の側部の少なくとも一部を形成するように配列されてもよい。したがって、補助電極２０５０は、平面図において実質的に環状であってもよく、開口部３２２２を囲んでもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、残留デバイススタック３２１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、仕切り３１２１は、ＮＰＣ１４２０を含むことができ、及び／又はＮＰＣ１４２０によって形成され得る。非限定的な例として、補助電極２０５０は、ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０は、第２の電極６４０、並びに／又はその一部、層、及び／若しくは材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、遮蔽領域３０６５に配列された露出層表面１１を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０は、その下部層とその第２の層とを備えてもよく、その第２の層は、その下部層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の下部層は、限定はしないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯなどの酸化物を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の上部層は、限定はしないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属、及び／又は他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つなどの金属を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極６４０の下部層は、ＮＰＣ１４２０を形成するように、遮蔽領域３０６５の表面を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１４２０を形成するために、遮蔽領域３０６５を画定する少なくとも１つの表面を処理することができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮＰＣ１４２０は、遮蔽領域３０６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶ－オゾン処理に供することを含むがこれらに限定されない化学的及び／又は物理的処理によって形成され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような処理は、そのような表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を改変し得ると仮定され得る。非限定的な例として、表面のそのような処理は、そのような表面上のＣ－Ｏ及び／若しくはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、そのような表面の粗さを増加させ得、並びに／又はハロゲン、窒素含有官能基、及び／若しくは酸素含有官能基を含むがこれらに限定されないある特定の種及び／若しくは官能基の濃度を増加させ得、その後ＮＰＣ１４２０として作用し得る。
回折の低減
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの信号透過領域５２０の形状によって課される回折パターンの回折の特質によって影響され得ることが発見されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域５２０を通過する少なくとも１つのＥＭ信号５３１は、少なくとも１つの信号透過領域５２０の形状によって課される回折パターンの回折の特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号５３１に、特有の不均一な回折パターンを示すように成形された少なくとも１つの信号透過領域５２０を通過させるディスプレイパネル５１０は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射線パターンの取り込みに干渉することがある。
非限定的な例として、そのような回折パターンは、そのような回折パターンによる干渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アンダーディスプレイ構成要素５３０がそのような画像又はパターンを正確に受信及び処理することを可能にすること、又はそのようなディスプレイパネル５１０を通してそのような画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にすることに干渉し得る。
いくつかの非限定的な例では、特有の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パターンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なくとも１つの信号透過領域５２０の形状から生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折スパイクの総数がカウントされ得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイクから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難であり得る。そのような状況では、結果として得られる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を容易にすることができ、その理由は、歪み効果は、ぼかされ、かつ／又はより均一に分散される傾向があるからである。そのようなぼけ及び／又は歪み効果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含まれる情報を復元するために、光学後処理技術によるものを含むがこれに限定されずに、緩和をより受け入れやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、特有の不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、及び／又はそのパターン境界の長さに対するパターン円周の比を低減させる、少なくとも１つの信号透過領域５２０の形状から生じ得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である対応する信号透過領域５２０によって画定された信号透過領域５２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル５１０は、特有の不均一な回折パターンを示し得、非多角形である対応する信号透過領域５２０によって画定された信号透過領域５２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル５１０と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易にする能力に悪影響を及ぼし得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができる。非限定的な例として、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つの非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなされ得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、対応する信号透過領域６２０によって画定される信号透過領域６２０の閉じた境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通して送信されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする、より目立たない及び／又はより均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である対応する信号透過領域５２０によって画定された信号透過領域５２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル５１０は、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を更に容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、信号透過領域５２０は、有限の複数の凸状の丸みを帯びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくとも一部は、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的コーティングの除去
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積層１０３０の堆積後に除去されてもよく、パターン化コーティング２１０によって覆われた下部材料の以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング２１０をエッチング及び／若しくは溶解することによって、並びに／又は堆積層１０３０に実質的に影響を与えない若しくは侵食しないプラズマ及び／若しくは溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、堆積層１０３０の堆積後に除去されてもよく、パターン化コーティング２１０によって覆われた下部材料の以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０は、パターン化コーティング２１０をエッチング及び／若しくは溶解することによって、並びに／又は堆積層１０３０に実質的に影響を与えない若しくは侵食しないプラズマ及び／若しくは溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
ここで図３３Ａを参照すると、堆積段階３３００ａにおけるデバイス１０００の例示的なバージョン３３００の例示的な断面図が示され得、パターン化コーティング２１０は、下部材料の露出層表面１１の第１の部分４０１上に選択的に堆積され得る。図において、下部材料は基板１０であってもよい。
図３３Ｂでは、デバイス３３００は、堆積段階３３００ｂで示されてもよく、堆積層１０３０は、下部材料の露出層表面１１上に、すなわち、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積されていてもよいパターン化コーティング２１０の露出層表面１１と、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積されていなくてもよい基板１０の露出層表面１１との両方に堆積されてもよい。パターン化コーティング２１０が配置され得る第１の部分４０１の核形成抑制特性のために、その上に配置された堆積層１０３０は残存しない傾向があり得、第２の部分４０２に対応し得る堆積層１０３０の選択的堆積のパターンをもたらし、第１の部分４０１には堆積層１０３０が実質的に欠くままになり得る。
図３３Ｃでは、デバイス３３００は堆積段階３３００ｃで示されてもよく、そこではパターン化コーティング２１０が基板１０の露出層表面１１の第１の部分４０１から除去されてもよく、その結果、段階３３００ｂ中に堆積された堆積層１０３０が基板１０上に残ってもよく、段階３３００ａ中にパターン化コーティング２１０が堆積された基板１０の領域が露出されてもよい、又は被覆されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、段階３３００ｃにおけるパターン化コーティング２１０の除去は、堆積層１０３０に実質的に影響を与えることなく、パターン化コーティング２１０と反応し、かつ／又はパターン化コーティングをエッチング除去する溶媒及び／又はプラズマに、デバイス３３００を露出させることによって行うことができる。
薄膜形成
下層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含んでもよい。
下層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含んでもよい。
膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では、蒸気形態１２３２の堆積材料１２３１の分子及び／又は原子であってもよい）が、典型的には、気相から凝縮して、下層の露出層表面１１上に初期核を形成してもよい。蒸気モノマーがそのような表面に衝突すると、これらの初期核の特徴的なサイズ及び／又は堆積密度が増加して、小粒子構造１２１を形成することができる。そのような特徴的なサイズが参照する寸法の非限定的な例は、そのような粒子構造１２１の高さ、幅、長さ、及び／又は直径を含み得る。
飽和島密度に到達した後、隣接する粒子構造１２１は、典型的には、合体し始め、そのような粒子構造１２１の平均特徴的なサイズを増加させる一方で、その堆積密度を減少させ得る。
モノマーの連続堆積により、実質的に閉じたコーティング１０４０が下層の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで、隣接する粒子構造１２１の合体が継続し得る。そのような閉じたコーティング４４０の挙動（それによって引き起こされる光学効果を含む）は、概して、比較的均一で、一貫していてもよく、驚くべきことではない。
薄膜の形成のための少なくとも３つの基本的な成長モードが存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、閉じたコーティング１０４０：１）島（Volmer-Weber）、２）層ごと（Frank-van der Merwe）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖで最高に
達する。
達する。
島成長は、典型的には、モノマーの古いクラスタが露出層表面１１上で核形成し、成長した別個の島を形成するときに起こり得る。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがそのような核のクラスタを成長又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりに表面上にどれだけ形成され得るかを説明し得る。成膜の初期段階では、核の堆積密度が低く、したがって核が表面の比較的小さな割合（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間がある）を覆う可能性があるため、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノマー）が移動して近くの核に付着する速度に依存し得る。
下部材料の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例を図３４に示す。具体的には、図３４は、局所的低エネルギー部位（３４１０）から脱出する吸着原子、露出層表面１１（３４２０）上の吸着原子の拡散、吸着原子（３４３０）の脱着、に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを示し得る。
３４１０において、局所的低エネルギー部位は、下層の露出層表面１１上の任意の部位であってもよく、その上に吸着原子がより低いエネルギーで存在する。典型的には、核形成部位は、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得、これには、レッジ、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）が含まれるが、これらに限定されない。
基板不均一性の部位は、表面Ｅｄｅｓ３４３１から吸着原子を脱着するために関与するエネルギーを増加させ、そのような部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらし得る。また、表面上の不純物又は夾雑物質も増加しＥｄｅｓ３４３１、核のより高い堆積密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面上の夾雑物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧力及びその圧力を構成する残留ガスの組成によって影響を受ける可能性がある。
吸着原子が局所的低エネルギー部位に捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。このようなエネルギー障壁は、図３４のΔＥ３４１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ３４１１が十分に大きい場合、その部位は核形成部位として作用し得る。
３４２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。非限定的な例として、局所化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長島１２１及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。図３４において、吸着原子の表面拡散に関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ３４１１として表すことができる。
３４３０において、表面からの吸着原子の脱着に関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ３４３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層表面１１上に残る可能性があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのような吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上に島１２１を形成する吸着原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又はコーティングの一部として組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着するか、又は脱着する、他の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成する、若しくは成長中の核に付着する前に、表面上をある程度移動することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面に残り得る平均時間量は、次式によって与えられ得る。
上記の式において、
νは表面上の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはＢｏｔｚｍａｎｎ定数であり、
Ｔは温度である。
νは表面上の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはＢｏｔｚｍａｎｎ定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ３４３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着しやすく、したがって吸着原子が表面に留まることができる時間が短いことに留意されたい。吸着原子が拡散できる平均距離は、以下によって与えられ得る。
式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ３４３１の値が低い場合、及び／又はＥｓ３４２１の値が高い場合、吸着原子は、脱着する前により短い距離を拡散する可能性があり、したがって、成長する核に付着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性がより低くなり得る。
粒子構造１２１の堆積層の形成の初期段階の間、吸着された吸着原子は相互作用して粒子構造１２１を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造１２１の臨界濃度は次式で与えられる。
式中、
Ｅｉは、ｉ個の吸着原子を含む臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するために必要なエネルギーであり、
ｎ０は、吸着部位の総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式によって与えられるモノマー堆積密度である。
式中、
は、蒸気衝突速度である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための粒子構造１２１の臨界サイズを決定し得る。
粒子構造１２１を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱着前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
臨界核形成速度は、したがって、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
上記の式から、臨界核形成速度は、吸着された吸着原子に対する低い脱着エネルギー、吸着原子の拡散に対する高い活性化エネルギーを有し、高温であり、及び／又は蒸気衝突速度を受ける表面に対して抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス１２３２（ｃｍ２秒当たり）は、以下の式によって与えられ得る。
式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、蒸着中の表面上の夾雑物質のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ３４３１の増加をもたらし、したがって核のより高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成抑制」は、コーティング、材料、及び／又はその層であって、その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．３未満を含む０に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有することができ、その結果、そのような表面への堆積材料１２３１の堆積を抑制することができるコーティング、材料、及び／又はその層を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、コーティング、材料、及び／又はその層であって、その上への堆積材料１２３１の堆積に対して、限定はしないが約０．７より大きいことを含む１に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有し、その結果、そのような表面への堆積材料１２３１の堆積を容易にすることができるコーティング、材料、及び／又はその層を指すことができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような核の形状及びサイズ、並びにそのような核の島１２１へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、限定はしないが、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を含む様々な要因に依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成抑制特性及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料１２３１の堆積に対する表面の初期付着確率であり得る。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。
式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残る（すなわち、膜中に取り込まれる）吸着原子の数である。
Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、その後、成長する膜に組み込まれることを示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを示し得る。
Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の堆積材料１２３１の付着確率Ｓを評価することができる。
堆積材料１２３１の堆積密度が増加し得る（例えば、平均膜厚が増加する）につれて、付着確率Ｓが変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、任意の著しい数の臨界核の形成前の表面の付着確率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段階中の堆積材料１２３１の堆積に対する表面の付着確率Ｓを含むことができ、表面にわたる堆積材料１２３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明では、初期付着確率の閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確率
は次のように与えられてもよい。
式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造１２１によって覆われた面積の付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造１２１によって覆われた基板表面の面積の割合である。
非限定的な例として、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加とともに増加し得る。これは、粒子構造１２１を有さない露出層表面１１の面積、非限定的な例として、ベア基板１０と、高い堆積密度を有する面積との間の付着確率の差に基づいて理解することができる。非限定的な例として、粒子構造１２１の表面に衝突し得るモノマー１２３２は、１に近づき得る付着確率を有し得る。
図３４に示されるエネルギープロファイル３４１０、３４２０、３４３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギーＥｄｅｓ３４３１及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギーＥｓ３４２１を示す材料は、パターン化コーティング２１０として堆積されてもよく、様々な用途での使用に好適であり得ると仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核形成中に存在する様々な界面張力と成長中に存在する様々な界面張力との間の関係は、毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定され得る。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３５）は、基板１０と蒸気３３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３５）は、堆積材料１２３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３５）は、蒸気３３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３５）は、基板１０と蒸気３３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３５）は、堆積材料１２３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３５）は、蒸気３３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３５は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を示し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、島成長の場合、膜核接触角は０を超えることができ、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆであることが導き出され得る。
堆積材料１２３１が基板１０を「濡らす」ことができる層成長の場合、核接触角θは０に等しく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気３３２と堆積材料１２３１との間の界面張力に対して大きくなり得る：γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆ。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターン化コーティング２１０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料１２３１の核形成及び成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従ってもよいと仮定してもよい。
特に、パターン化コーティング２１０が、堆積材料１２３１の堆積に対して、比較的低い初期付着確率を示し得る場合（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載された二重ＱＣＭ技術で特定された条件下で）、堆積材料１２３１の比較的高い薄膜接触角が存在し得る。
反対に、非限定的な例として、シャドウマスク１１１５を採用することによって、パターン化コーティング２１０を使用せずに、露出層表面１１上に堆積材料１２３１を選択的に堆積させることができる場合、そのような堆積材料１２３１の核形成及び成長モードは異なる可能性がある。特に、シャドウマスク１１１５パターン化プロセスを使用して形成されたコーティングは、少なくともいくつかの非限定的な例において、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
ここで、いくらか驚くべきことに、いくつかの非限定的な例において、パターン化コーティング２１０（及び／又はそれを含むパターン化材料１１１１）は、比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出された。
当業者であれば、コーティング、層、及び／又はそのようなコーティング及び／又は層を構成する材料の「表面エネルギー」は、概して、コーティング、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、そのような表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で容易に結晶化するか、又は他の相変態を受ける可能性がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低い温度で容易に結晶化するか又は他の相変態を受ける可能性がある材料は、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命にとって有害である可能性がある。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、ある特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率を示す場合があり、したがって、パターン化コーティング２１０を形成するのに適している場合があると仮定してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面については、臨界表面張力は表面エネルギーと正に相関し得ると仮定され得る。非限定的な例として、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大きな接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させ、したがって、堆積材料１２３１に対して低い濡れ特性及び低い初期付着確率を有するそのような表面の可能性を向上させる。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例において、本明細書において、常温常圧（ＮＴＰ）付近で測定された値に対応してもよく、これは、いくつかの非限定的な例において、２０℃の温度及び１ａｔｍの絶対圧力に対応してもよい。いくつかの非限定的な例において、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されているように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１７ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、又は約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の臨界表面張力を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング２１０の露出層表面１１は、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、及び約１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を示し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が公知であり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために様々な液体が固体の表面と接触させられる、接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面との接触角が０°となる最大表面張力値を決定することができる。表面エネルギーのいくつかの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネルギーを決定する際に考慮され得る。非限定的な例として、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表面エネルギーは、分散成分及び非分散又は「極性」成分を含んでもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、堆積材料１２３１のコーティングの接触角は、堆積材料１２３１が堆積されるパターン化コーティング２１０の特性（初期付着確率を含むが、これに限定されない）に少なくとも部分的に基づいて決定され得ると仮定され得る。したがって、比較的高い接触角を示す堆積材料１２３１の選択的堆積を可能にするパターン化材料１１１１は、いくつかの利点を提供することができる。
当業者であれば、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的液滴法並びにペンダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３４３１）は（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度Ｔで）、熱エネルギーの約２倍、約１．５倍、約１．３倍、約１．２倍、約１．０倍、約０．８倍、又は約０．５倍のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エネルギーＥｓ３４２１は、（いくつかの非限定的な例では、３００Ｋの温度で）熱エネルギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、又は約１０倍のうちの少なくとも１つを超えてもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下層の露出層表面１１とパターン化コーティング２１０との間の界面及び／又はその付近での堆積材料１２３１の薄膜核形成及び成長中に、パターン化コーティング２１０による堆積材料１２３１の固体表面の核形成の抑制により、堆積材料１２３１の縁部と下層との間に比較的高い接触角が観察され得ると仮定してもよい。このような核形成抑制特性は、下層、薄膜蒸気及びパターン化コーティング２１０の間の表面エネルギーの最小化によって駆動され得る。
表面の核形成抑制特性及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ堆積材料１２３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料１２３１の初期堆積速度であってもよく、この場合、両方の表面が堆積材料１２３１の蒸発フラックスにさらされ、及び／又は露出される。
定義
いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、及び／又はスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子リーダなどのコンピューティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はモニタなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はテレビジョンセットであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、及び／又はスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子リーダなどのコンピューティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はモニタなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュール、及び／又はテレビジョンセットであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電力（ＯＰＶ）デバイスであってもよい。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであってもよい
。
。
本開示では、特に反対の指示がない限り、ＯＬＥＤデバイスに言及するが、そのような開示は、いくつかの例では、当業者には明らかなように、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解されたい。
そのようなデバイスの構造は、２つの態様の各々から、すなわち、断面から、及び／又は横方向（平面図）面から説明することができる。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配置されてもよい、上述の側面に対して実質的に垂直に延びる方向規則に従うことができる。そのような慣例にしたがって、第２の電極は、図示されているデバイスの上部にあってもよく、（いくつかの例の場合のように、限定するものではないが、少なくとも１つの層を蒸着プロセスによって導入することができる製造プロセス中を含む）場合であっても、基板は物理的に反転されてもよく、その結果、層の１つ、例えば、限定されないが、第１の電極が配置されてもよい上面は、基板の物理的に下にあってもよく、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書において断面を導入するという文脈において、そのようなデバイスの構成要素は、実質的に平面の横方向層で示され得る。当業者であれば、そのような実質的に平面的な表現は、例示のみを目的とすることができ、そのようなデバイスの横方向範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面的な層が存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しないこと、及び／又は非平面遷移領域（横方向ギャップ及び更に不連続性を含む）によって分離された層が含まれることを理解するであろう。したがって、例示目的のために、デバイスは、実質的に層化された構造としてその断面において以下に示され得るが、以下に論じられる平面図態様において、そのようなデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを示し得、その各々は、断面において論じられる層状化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「階層（strata）」という用語は、同様の概念を指
すために互換的に使用され得る。
すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、例示に過ぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではないことがある。
説明を簡単にするために、本開示では、単一層内の複数の要素の組合せは「コロン」によって示されてもよく、一方、多層コーティング中の複数の層を含む複数の要素（の組み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのそのような層を区切ることによって示され得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層の後及び／又は上に堆積されてもよい。
説明のために、コーティング、層、及び／又は材料が堆積され得る下部材料の露出層表面は、堆積時にコーティング、層、及び／又は材料をその上に堆積させるために提示され得るそのような下部材料の表面であると理解され得る。
当業者であれば、構成要素、層、領域、及び／又はそれらの一部が、別の下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の上及び／又は上方に「形成される」、「配置される」、及び／又は「堆積される」と称される場合、そのような形成、配置、及び／又は堆積は、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の可能性を伴って、そのような下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配置、及び／又は堆積の時点での）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であり得ることを理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なり」という用語は、概して、複数の層及び／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に延びる断面軸と交差するように配列された複数の層及び／又は構造を指し得る。
本開示は、少なくとも１つの層又はコーティングに関して、蒸着に関して薄膜形成を論じているが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要素が、限定はしないが、蒸着（限定はしないが、熱蒸着及び／又は電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（限定はしないが、インクジェット及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶＤ（限定はしないが、スパッタリングを含む）、化学蒸着（chemical vapor deposition、
ＣＶＤ）（限定はしないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）
、及び／又は有機気相成長（organicvapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レ
ーザアニーリング、レーザ誘起熱イメージング（laser-induced thermal imaging、ＬＩ
ＴＩ）パターン化、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、コーティング（
限定はしないが、スピンコーティング、ダイコーティング、ラインコーティング、及び／又はスプレーコーティングを含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
ＣＶＤ）（限定はしないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）
、及び／又は有機気相成長（organicvapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レ
ーザアニーリング、レーザ誘起熱イメージング（laser-induced thermal imaging、ＬＩ
ＴＩ）パターン化、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、コーティング（
限定はしないが、スピンコーティング、ダイコーティング、ラインコーティング、及び／又はスプレーコーティングを含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよく、シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又はコーティングのいずれかの堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよく、それに対して露出された下部材料の表面のある特定の部分への堆積材料の堆積をマスキング及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、加熱することを含むがこれに限定されないことによって、源材料が蒸気に変換され、限定はしないが固体状態でターゲット表面上に堆積される堆積プロセスを全般的に指すように互換的に使用され得る。理解されるように、蒸着堆積プロセスは、少なくとも１つの源材料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくとも１つの蒸発した源材料の逆昇華を通じてターゲット表面上に堆積されるタイプのＰＶＤプロセスであってもよい。源材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、したがって、源材料を様々な方法で加熱することができることが当業者には理解されよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であってもよい）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積源材料は混合物であってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚の言及は、その堆積メカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積材料の量を指すことができ、これは、言及された層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を覆うための材料の量に対応する。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。非限定的な例として、上述した薄膜が形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能性のあるスタッキング又はクラスタリングにより、堆積材料の実際の厚さが不均一であり得ることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有する堆積材料１２３１のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料１２３１の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積材料のある特定の層の厚さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指し得る。基準層厚は、ターゲット表面（限定ではないが、パターン化コーティングの表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さなくてもよい。むしろ、基準層厚は、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックス１２３２にさらす際に、基準表面、いくつかの非限定的な例では、堆積速度及び基準層厚を監視するために堆積チャンバ内に位置付けられた水晶振動子の表面に堆積される堆積材料の層厚を指すことができる。当業者であれば、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスにさらされない場合には、基準層厚さを決定及び／又は監視するために適切なツーリングファクタが使用され得ることを理解するであろう。
本開示において、基準堆積速度は、堆積材料の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同一に位置付けられ、構成された場合に、基準表面上で成長する速度を指すことができる。
本開示では、材料のいくつかＸの単層を堆積させることへの言及は、限定ではないが、閉じたコーティングなどにおいて、露出層表面の所与の面積を材料の構成モノマーのＸ単層で覆う量の材料を堆積させることを指すことがある。
本開示では、材料の単層の一部分を堆積させることへの言及は、材料の構成モノマーの単一層で、露出層表面の所与の面積のそのような一部分を覆うような量の材料を堆積させることを指すことがある。当業者であれば、非限定的な例として、モノマーの起こり得るスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与の面積にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単層を堆積させることは、表面の所与の面積のいくつかの局所領域が材料によって覆われていないことをもたらし得る一方で、表面の所与の面積の他の局所領域は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり得る場合、材料「を実質的に欠く」、「を実質的に含まない」、及び／又は「が実質的に覆われていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は互換的に使用され得る。
本開示において、「核形成」という用語は、薄膜形成プロセスの核形成段階を指すことができ、この段階では、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、用語「パターン化コーティング」及び「パターン化材料」は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書のパターン化コーティングへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極コーティング材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈においてパターン化材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターン化コーティング」及び「パターン化材料」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用されてもよく、堆積層をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において本明細書のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極コーティング材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるＮＰＣに適用可能であってもよい。
本開示では、パターン化材料は、核形成抑制性又は核形成促進性のいずれかであってもよいが、文脈上別段の指示がない限り、本明細書におけるパターン化材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングへの言及は、本明細書に記載される特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性コーティング」、及び「電極コーティング」という用語は、パターン化コーティングの選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書同様の概念及び堆積層への言及を指すために互換的に使用されてもよく、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターン化材料の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において堆積層に適用可能であってもよい。いくつかの非限定的な例では、電極コーティングへの言及は、本明細書に記載される特定の組成を有するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、「導電性コーティング材料」及び「電極コーティング材料」という用語は、本明細書における同様の概念及び堆積材料への言及を指すために互換的に使用され得る。
本開示において、有機材料は、限定されないが、多種多様な有機分子、及び／又は有機ポリマーを含み得ることが、当業者には理解されるであろう。更に、元素及び／又は無機化合物を含むがこれらに限定されない様々な無機物質でドープされた有機材料も、有機材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されるであろう。更に、当業者であれば、様々な有機材料を使用することができ、本明細書に記載のプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることを理解するであろう。更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることが、当業者には理解されよう。更に、当業者であれば、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであってもよいことを理解するであろう。
本明細書で使用する場合、有機－無機ハイブリッド材料は、全般的に、有機成分と無機成分の両方を含む材料を指すことができる。いくつかの非限定的な例において、そのような有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含む有機－無機ハイブリッド化合物を含んでもよい。このような有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例としては、無機骨格が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。このような有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセスキオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基、ホスファゼン基、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含むものが挙げられる。
本開示において、半導体材料は、一般的にバンドギャップを示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンドギャップは、半導体材料の最高占有分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（lowest unoccupiedmolecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成されてもよい。したがって、半導体
材料は、概して、導電性材料（金属を含むが、これに限定されない）の導電率以下であるが、絶縁性材料（ガラスを含むが、これに限定されない）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は無機半導体材料を含むことができる。
材料は、概して、導電性材料（金属を含むが、これに限定されない）の導電率以下であるが、絶縁性材料（ガラスを含むが、これに限定されない）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は無機半導体材料を含むことができる。
本明細書で使用される場合、オリゴマーは、全般的に、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性、及び／又は特質を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの態様においてポリマーと異なっていてもよい。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４年）、Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）、及びＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、互いに化学的に結合して分子を形成し得るモノマー単位を含み得る。そのようなモノマー単位は、分子がモノマー単位の繰り返しによって主に形成されるように互いに実質的に同一であってもよく、又は分子が複数の異なるモノマー単位を含んでもよい。追加として、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、線状、分岐状、環状、環状線状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、及び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配列されている複数の異なるモノマー単位を含んでもよい。
本開示において、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例において、有機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用され得る。
本明細書において、無機材料とは、無機物質を主に含む物質を意味してもよい。本開示において、無機材料は、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含むがこれらに限定されない、有機材料であるとみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」及び「光」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。本開示において、ＥＭ放射線は、可視光スペクトル、赤外（ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）、近ＩＲ領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）にある波長を有し得る。
本開示において、本明細書で使用される「可視光スペクトル」という用語は、全般的に、ＥＭスペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、そのような可視部分は、約３８０～７４０ｎｍの間の任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲内の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放出波長を有するＥＭ放射線を放出及び／又は透過するように構成され得る。したがって、そのようなエレクトロルミネセントデバイスの文脈において、可視部分は、約４２５～７２５ｎｍの間、又は約４５６～６２４ｎｍの間の任意の波長を指すことができる。可視光スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は、いくつかの非限定的な例では、本明細書において「可視光」とも呼ばれ得る。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、全般的に、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非限定的な例として、発光スペクトルは、非限定的な例として、ある波長範囲にわたるＥＭ放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出することができる。
本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、全般的に、発光スペクトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示において、「ピーク波長」という用語は、本明細書で使用される場合、全般的に、発光スペクトル内で最大光度が検出される波長を指すことができる。
いくつかの非限定的な例では、開始波長はピーク波長未満であってもよい。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長での光度の約１０％、約５％、約３％、約１％、約０．５％、約０．１％、又は約０．０１％のうちの少なくとも１つ以下である波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例において、可視光スペクトルのＲ（赤）部分にある発光スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約６２０ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、可視光スペクトルのＧ（緑）部分にある発光スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長によって特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例において、実質的に約５３０ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、可視光スペクトルのＢ（青）部分にある発光スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付けられてもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであってもよい。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指すことがある。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（near-infrared、ＮＩＲ）サブ
セット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有してもよい。
セット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有してもよい。
本開示において、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸収限界」という用語は、全般的に、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指すことがある。いくつかの非限定的な例では、吸収ＥＭ放射線は、吸収された光子のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る。
本開示では、本明細書で使用される「消衰係数」という用語は、全般的に、ＥＭ係数が材料を通って伝搬するときに減衰し得る程度を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、消衰係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、限定はしないが、偏光解析法を含む様々な方法によって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractiveindex
）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのよう
な媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示において、特に、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応してもよく、式中、Ｎは複素屈折率を表してもよく、ｋは消衰係数を表してもよい。
）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのよう
な媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示において、特に、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応してもよく、式中、Ｎは複素屈折率を表してもよく、ｋは消衰係数を表してもよい。
当業者には理解されるように、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない実質的に透明な材料は、概して、可視光スペクトルにおいて比較的低い消衰係数値を示す場合があり、したがって、式の虚数成分は、複素屈折率に対して無視できる寄与を有する場合がある。一方、例えば金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視光スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い消衰係数値を示すことがある。したがって、そのような薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率に対する特異性を伴わない参照は、複素屈折率Ｎの実数部ｎに対する参照であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間に概して正の相関が存在してもよく、言い換えれば、屈折率と吸収との間に概して負の相関が存在してもよい。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、消衰係数が０に近づく波長に対応し得る。
本明細書に記載される屈折率及び／又は消衰係数値は、可視光スペクトル内の波長で測定されたそのような値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、屈折率及び／又は消衰係数値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載される屈折率及び／又は消衰係数の値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応し得る約５８９ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて論じられ得る。単に説明を簡単にするために、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」と呼ばれることがあり、そのような用語は、文脈が別段に指示しない限り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆するものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料による表面の被覆率であってもよい。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して評価することができる。
本開示では、「粒子」、「島」、及び「クラスタ」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
本開示では、説明を簡単にするために、本明細書で使用される「コーティング膜」、「閉じたコーティング」、及び／又は「閉じた膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は堆積層に使用される堆積材料のコーティングを指すことができ、表面の関連部分はそれによって実質的にコーティングされ、そのような表面はその上に堆積されたコーティング膜によって、又はそれを介して実質的に露出されない。
本開示において、文脈がそうでないことを指示しない限り、薄膜への特定性のない言及は、実質的に閉じたコーティングへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉じたコーティングは、いくつかの非限定的な例では、下層表面の一部を覆うように配置されてもよく、そのような部分内で、その中の下層表面の約４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、３％、又は１％のうちの少なくとも１つ以下が、閉じたコーティングによって、又は閉じたコーティングを通して露出されてもよい。
当業者であれば、閉じたコーティングは、閉じたコーティングの堆積後に露出される下層表面の露出層表面の一部を意図的に残すために、本明細書に記載されるものを含むがこれらに限定されない、様々な技術及びプロセスを使用してパターン化され得ることを理解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な例として、そのようなパターン化の文脈において、下層表面の露出層表面のそのような意図的に露出された部分の間に堆積された薄膜及び／又はコーティングが、それ自体実質的に閉じたコーティングを含む場合、そのようなパターン化された膜は、閉じたコーティングを構成すると考えられ得る。
当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下部材料の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを含むがこれらに限定されない様々な技術及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口部の形成をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、それにもかかわらず、非限定的な例として、堆積された薄膜及び／又はコーティングが閉じたコーティングを実質的に含み、そのような開口部の存在にもかかわらず、提示された任意の指定された被覆率基準を満たす場合、そのような薄膜は閉じたコーティングを構成すると考えられ得る。
本開示では、説明を簡単にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又はコーティングを指すことができ、それによってコーティングされる表面の関連部分は、そのような材料を実質的に欠くこともなく、又はその閉じたコーティングを形成することもない。いくつかの非限定的な例では、堆積材料の不連続層は、そのような表面上に配置された複数の別個の島として現れ得る。
本開示では、説明を簡単にするために、閉じたコーティングが形成された段階に（まだ）達していない、下部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果を、「中間段階層」と呼ぶことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映してもよく、そのような中間段階層は、閉じたコーティングの形成の中間段階とみなされてもよい。いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似していてもよいが、少なくとも１つの樹状突起及び／又は少なくとも１つの樹状凹部を含むがこれらに限定されない開口部及び／又はギャップを表面被覆度に有していてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような中間段階層は、閉じたコーティングを形成しないように、堆積材料の単一の単層の一部を含んでもよい。
本開示では、説明を簡単にするために、堆積層を含むがこれに限定されない、コーティングに関する「樹状」という用語は、側面から見たときに分岐構造に似ている特徴を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹状突起及び／又は樹状凹部を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、樹状突起は、物理的に接続されて実質的に外向きに延びる複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状凹部は、ギャップ、開口部、及び／又は物理的に接続され、実質的に外向きに延びる堆積層の覆われていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状凹部は、樹状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されないものに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹状突起及び／又は樹状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を呈する及び／又は模倣する構成を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、そのような構成要素、層、及び／又は部分を通過する電流の特質を変化させ得る構成要素、層、及び／又は部分の特性であり得る。いくつかの非限定的な例では、コーティングのシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定及び／又は決定されたコーティングの特徴的なシート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、領域内の分布を指してもよく、いくつかの非限定的な例では、その中に堆積材料の面積及び／又は体積を含んでもよい。当業者であれば、そのような堆積密度は、そのような堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、面積内の少なくとも１つの粒子を含むがこれに限定されないそのような堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一原子によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含むがこれに限定されない、既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、ある特定の表面上への堆積層の堆積を容易にすることができると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに適した材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属を含むがこれらに限定されない、金属、金属フッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンのうちの少なくとも１つを含んでもよいがこれらに限定されない。
そのような材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、及び／又はフッ化セシウム（ＣｓＦ）を含んでもよい。
本明細書において、用語「フラーレン（fullerene）」は、概して、炭素分子を含む材
料を意味してもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含む三次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が挙げられ、これは、形状が球状及び／又は半球状であってもよいがこれらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎと表されてもよく、ここでｎはフラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であってもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などＣｎ（式中、ｎは５０～２５０の範囲であり得る）が挙げられるが、これらに限定されない。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単層カーボンナノチューブ及び／又は多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
料を意味してもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含む三次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が挙げられ、これは、形状が球状及び／又は半球状であってもよいがこれらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎと表されてもよく、ここでｎはフラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であってもよい。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などＣｎ（式中、ｎは５０～２５０の範囲であり得る）が挙げられるが、これらに限定されない。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単層カーボンナノチューブ及び／又は多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に論じられるように、フラーレン、Ａｇ及び／若しくはＹｂを含むがこれらに限定されない金属、並びに／又はＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むがこれらに限定されない核形成促進材料は、Ｍｇを含むがこれらに限定されない堆積層の堆積のための核形成部位として作用し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するために使用するのに適した材料は、少なくとも約０．４、約０．５、約０．６、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、約０．９３、約０．９５、約０．９８、又は約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積層の材料に対する初期付着確率を示すか又は有するものとして特徴付けられるものを含み得る。
非限定的な例として、フラーレン処理された表面上に蒸着プロセスを非限定的に使用してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例において、フラーレン分子は、Ｍｇ堆積のための安定な核の形成を促進し得る核形成部位として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単層のみが、Ｍｇの堆積のための核形成部位として作用するように、処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣのいくつかの単層をその上に堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
当業者であれば、フラーレンを含むがこれに限定されない、表面上に堆積される材料の量は、単層より多くても少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、そのような表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、１、１０、又はそれを上回る単層のうちの少なくとも１つを堆積させることによって処理されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、下部材料の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層厚は、約１～５ｎｍ又は約１～３ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して説明され得る場合、本開示はまた、それによって、そのようなマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意の個々のメンバーに関して説明され得ることが、当業者によって理解されるであろう。
専門用語
別段の記載がない限り、単数形の参照には複数形が含まれてもよく、逆もまた同様である。
別段の記載がない限り、単数形の参照には複数形が含まれてもよく、逆もまた同様である。
本明細書で使用される場合、「第１」及び「第２」などの関係用語、並びに「ａ」、「ｂ」などの番号を付したデバイスは、１つの実体又は要素を別の実体又は要素から区別するためだけに使用されてもよく、そのような実体又は要素間の任意の物理的又は論理的関係又は順序を必ずしも必要又は暗示するものではない。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、広範かつオープ
ンエンド様式に使用されてもよく、したがって、「含むが、～に限定されない」ことを意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用されてもよく、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的」という用語は、それが使用される表現に対して、設計、性能、又はその他の点に関して、何らかの賞賛、有益、又は他の品質を示す又は付与するものと解釈されるべきではない。
ンエンド様式に使用されてもよく、したがって、「含むが、～に限定されない」ことを意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用されてもよく、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的」という用語は、それが使用される表現に対して、設計、性能、又はその他の点に関して、何らかの賞賛、有益、又は他の品質を示す又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用される場合、何らかの品質、特性、又は現象が明確な変化を受ける測定値又は点に関するもの、又はその状態にあるものを含む、当業者によく知られている用語であり得る。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点であるかどうかにかかわらず、それが使用される表現に対して何らかの意義又は重要性を示す又は与えると解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を介する直接接続又は間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素に関して使用される場合の「上に（on）」若しくは「上方に（over）」という用語、及び／又は別の構成要素を「覆う（covering）」若しくは「覆う（covers）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある（限定はしないが、他の構成要素と物理的に接触していることを含む）状況、並びに少なくとも１つの介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置付けられる場合を包含し得る。
「上向き」、「下向き」、「左」及び「右」などの方向を示す用語は、別段の記載がない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き」及び「外向き」などの語は、それぞれ、デバイス、面積若しくは体積又はそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向及びそこから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、ある特定の例を例示する目的の例としてのみ意図され得、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定することは意図され得ない。
本明細書で使用される場合、「実質的に」、「実質的な」、「およそ（approximately
）」、及び／又は「約（about）」という用語は、小さな変動を示し、考慮するために使
用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、そのような用語は、事象又は状況が正確に発生する場合、並びに事象又は状況が近似的に発生する場合を指し得る。非限定的な例として、数値と併せて使用される場合、そのような用語は、約±５％、約±４％、約±３％、約±２％、約±１％、約±０．５％、約±０．１％、又は約±０．０５％のうちの少なくとも１つ以下など、そのような数値の約±１０％以下の変動範囲を指し得る。
）」、及び／又は「約（about）」という用語は、小さな変動を示し、考慮するために使
用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、そのような用語は、事象又は状況が正確に発生する場合、並びに事象又は状況が近似的に発生する場合を指し得る。非限定的な例として、数値と併せて使用される場合、そのような用語は、約±５％、約±４％、約±３％、約±２％、約±１％、約±０．５％、約±０．１％、又は約±０．０５％のうちの少なくとも１つ以下など、そのような数値の約±１０％以下の変動範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙された要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特質に実質的に影響を及ぼさない任意の追加の要素を含むと理解され得るが、いかなる修飾語も使用しない句「からなる」は、具体的に列挙されていない任意の追加の要素を除外し得る。
当業者によって理解されるように、ありとあらゆる目的のために、特に書面による説明を提供するという観点から、本明細書に開示される全ての範囲はまた、ありとあらゆる可能な部分範囲、及び／又はその部分範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された範囲は、同じ範囲が、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含むがこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に説明し、かつ／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本明細書で論じられる各範囲は、下３分の１、中３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割し得る。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「以下」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙された範囲を含み、及び／又はそれらを指してもよく、本明細書で論じられるように、その後部分範囲に分割され得る範囲を指してもよい。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含み得る。
概要
要約書の目的は、関連する特許庁又は一般利用者、具体的には、特許又は法律の用語又は言い回しに精通していない当業者が、一瞥して、技術的開示の性質を迅速に判断できるようにすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、本開示の範囲に関して何らかの形で限定することを意図するものでもない。
要約書の目的は、関連する特許庁又は一般利用者、具体的には、特許又は法律の用語又は言い回しに精通していない当業者が、一瞥して、技術的開示の性質を迅速に判断できるようにすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、本開示の範囲に関して何らかの形で限定することを意図するものでもない。
ここに開示された実施例の構造、製造及び使用は、上記で議論されている。説明される特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載される一般原理は、本開示の範囲の単なる例示である。
提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追加、又は置換することによって、かつ／あるいは代替物及び／又は均等物の機能的要素を有する任意の要素及び／又は限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。
特に、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて説明及び図示された特徴、技術、システム、サブシステム、及び方法は、別個又は別々のものとして説明及び図示されているか否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わせるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的組み合わせから構成される代替的な例を作成することができ、又はある特定の特徴を省略するか又は実装しないことができる。そのような組合せ及び部分組合せに適した特徴は、本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、及び変更の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される精神及び範囲から逸脱することなく行われ得る。
本開示の原理、態様、及び実施例、並びにそれらの具体例を列挙する本明細書における全ての記述は、それらの構造的均等物及び機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての適切な変更を包含及び包含することが意図されている。追加として、そのような均等物は、現在知られている均等物及び将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわらず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図されている。
条項
本開示は、以下の条項を含むが、これらに限定されない。
本開示は、以下の条項を含むが、これらに限定されない。
パターン化コーティングがパターン化材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングの堆積材料の堆積に対する初期付着確率は、露出層表面の堆積材料の堆積に対する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠く、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である、堆積材料の堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つ以下である、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料の堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、及び約０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料の堆積に対する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの堆積に対する初期付着確率が閾値以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料の堆積に対する第１の閾値と、第２の堆積材料の堆積に対する第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＹｂである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＹｂであり、第２の堆積材料はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つは、堆積材料の蒸気フラックス１２３２にさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視光スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
閾値透過率値は、それを通して透過される入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、及び９０％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、及び約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約１０～２０ダイン／ｃｍ及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５、約１．５、約１．４５、約１．４３、約１．４、約１．３９、約１．３７、約１．３５、約１．３２、及び約１．３のうちの少なくとも１つ以下である屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える波長の光子に対して約０．０１以下である消衰係数を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料の少なくとも１つが、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、約０．５のうちの少なくとも１つである消衰係数を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約３０℃、約０℃、約－３０℃、及び約－５０℃のうちの少なくとも１つ以下であるガラス遷移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化材料は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング及びパターン化材料のうちの少なくとも１つが、フッ素原子及びシリコン原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フッ素を炭素で割った商の原子比が、約１、約１．５、及び約２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングがオリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングが、骨格及びそれに結合した少なくとも１つの官能基を含有する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
化合物が、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
化合物の分子量が、約５，０００ｇ／ｍｏｌ、約４，５００ｇ／ｍｏｌ、約４，０００ｇ／ｍｏｌ、約３，８００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合が、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
フッ素原子が化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化材料が有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料のための少なくとも１つの核形成部位を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、堆積材料のための核形成部位として作用するシード材料で補足される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進コーティング（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環芳香族化合物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、光学コーティングとして作用する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、デバイスによって放出されるＥＭ放射線の特性及び特質のうちの少なくとも１つを調整する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、結晶材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、非結晶材料として堆積され、堆積後に結晶化される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純Ａｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、純Ｍｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料が合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）から約１０：１の範囲の合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属が、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料のための核形成部位として作用する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料及び下層は、共通の金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料の複数の層を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
複数の層のうちの第１の層の堆積材料は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料と異なる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層が多層コーティングを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
多層コーティングは、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ、約２００ｋＪ／ｍｏｌ、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ、約１００ｋＪ／ｍｏｌ、約５０ｋＪ／ｍｏｌ、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下の結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積材料は、約１．４、約１．３、及び約１．２のうちの少なくとも１つ以下の電気陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□、約５Ω／□、約１Ω／□、約０．５Ω／□、約０．２Ω／□、約０．１Ω／□のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、その閉じたコーティングが実質的に欠く少なくとも１つの領域によって画定されたパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の別個の断片に分離する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも２つの別個の断片が電気的に結合されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域とパターン化コーティング非遷移部分とを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域は、最大厚さから低減した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターン化コーティング遷移領域は、パターン化コーティング非遷移部とパターン化コーティング縁部との間に延びる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング非遷移部分において、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移部分におけるパターン化コーティングの厚さは、ＮＩＣの平均膜厚の約９５％及び９０％のうちの少なくとも１つの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、約５０ｎｍ、約４０ｎｍ、約３０ｎｍ、約２０ｎｍ、約１５ｎｍ、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、パターン化コーティング遷移領域内で最大から最小に減少するパターン化コーティング厚さを有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は、パターン化コーティング遷移領域とパターン化コーティング非遷移部分との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値は、パターン化コーティング縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値が約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ状になっている、及び勾配によって画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
テーパ状プロファイルは、線形、非線形、放物線状、及び指数関数的減衰プロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移領域の横軸に沿った非遷移幅は、パターン化コーティング遷移領域の横軸に沿った遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非遷移幅を遷移幅で割った商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下層の平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターン化コーティングの平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
下層の平均膜厚はパターン化コーティングの平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域及び堆積層非遷移部分を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから低減した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部分と堆積層縁部との間に延びる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層非遷移部分において、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚が、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚は、それにわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
平均膜厚は、下層の平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚を下層の平均膜厚で割った商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターン化コーティングの平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚をパターン化コーティングの平均膜厚で割った商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の横軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターン化コーティング非遷移部の軸に沿ったパターン化コーティング非遷移幅を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティング非遷移幅を堆積層非遷移幅で割った商は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅をパターン化コーティング非遷移幅で割った商は、少なくとも１、２、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を超える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅を平均膜厚で割った商は、少なくとも約１０、約５０、約１００、及び約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
商は約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小に減少する堆積層厚を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部分との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最大値は平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値は、堆積層縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値が約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
最小値が平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ状である、及び勾配によって画定されている、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
テーパ状プロファイルは、線形、非線形、放物線状、及び指数関数的減衰プロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターン化コーティングと重なる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
パターン化コーティングは、重なり部分において堆積層と重なる、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
下層の露出層表面上に配置された少なくとも１つの粒子構造を更に備える、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
下層がパターン化コーティングである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料と同じである、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料、堆積材料、及び下層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通の金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料が、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料が、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、純Ａｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、純Ｍｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積比で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）から約１０：１の範囲の合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属が、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
合金は、体積比で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が、約１０％、約５％、約１％、約０．１％、約０．０１％、約０．００１％、約０．０００１％、約０．００００１％、約０．０００００１％、及び約０．００００００１％のうちの少なくとも１つ以下である組成を有する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子が、デバイス内のパターン化コーティングと少なくとも１つの被覆層との間の界面に配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子がパターン化コーティングの露出層表面と物理的に接触している、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性が、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び分散度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性が、パターン化材料の少なくとも１つの特質、パターン化コーティングの平均膜厚、パターン化コーティングにおける少なくとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択されるパターン化コーティングの堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特質が、粒子材料の少なくとも１つの特性、パターン化コーティングが粒子材料の堆積に露出される程度、不連続層の厚さ、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造体が不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配置されている、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
不連続層の特質が、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆度、堆積分布、分散度、凝集事例の存在、及びそのような凝集事例の程度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの基準に従った評価によって決定される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくとも１つから選択される適用された撮像技法によって不連続層の少なくとも１つの属性を決定することによって実行される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって実行される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側面の周囲、内部位置、及びグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技法の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
観察窓は、約２．００μｍ、約１．００μｍ、約５００ｎｍ、及び約２００ｎｍのうちの少なくとも１つから選択される倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、手動カウント、曲線適合、多角形適合、形状適合、及び推定技法のうちの少なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、最頻値、最大値、最小値、確率的、統計的、及びデータ計算のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、周囲長、長軸、及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイス。
本明細書の少なくとも１つの条項に記載のデバイスであって、分散度は以下によって決定され、
式中、
ｎは、試料面積内の粒子６０の数であり、
Ｓｉは、第ｉの粒子の（領域）サイズであり、
は、粒子（領域）サイズの数平均であり、
は、粒子（領域）サイズの（領域）サイズ平均である。
したがって、明細書及び明細書に開示される実施例は、例示的なものに過ぎず、本開示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。
Claims (1)
- 本明細書に記載の発明。
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