JP2024099929A

JP2024099929A - Wavelength conversion member, wavelength conversion device, and light source device

Info

Publication number: JP2024099929A
Application number: JP2023003568A
Authority: JP
Inventors: 慎二坂; 洋介八谷; 智雄田中
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2023-01-13
Filing date: 2023-01-13
Publication date: 2024-07-26

Abstract

A technique for improving heat dissipation in a wavelength conversion member is provided.
[Solution] The wavelength conversion member comprises a ceramic phosphor that converts the wavelength of incident light, and a reflective film arranged on the ceramic phosphor and containing metal crystal grains that reflect light, wherein the crystal grains do not contain subgrains, or, if they contain subgrains, the subgrain boundaries do not traverse the interior in a cross section of the reflective film in the thickness direction along the stacking direction of the ceramic phosphor and the reflective film, and the ratio of the total area of the subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to the area of the crystal grains is 30% or more.
[Selected figure] Figure 4

Description

本発明は、波長変換部材、波長変換装置、および、光源装置に関する。 The present invention relates to a wavelength conversion member, a wavelength conversion device, and a light source device.

従来から、光源が発した光の波長を変換する波長変換部材が知られている。波長変換部材は、一般的に、入射する光の波長を変換する蛍光体と、蛍光体に入射した光を入射方向に向けて反射する反射膜と、を備え、反射膜で光を所定の方向に向けて反射させることで、波長変換部材の発光強度を向上させている。例えば、特許文献１には、銀粉末を焼結することで成膜される反射膜を備える波長変換部材が開示されている。 Conventionally, wavelength conversion members that convert the wavelength of light emitted by a light source have been known. Wavelength conversion members generally include a phosphor that converts the wavelength of incident light, and a reflective film that reflects the light incident on the phosphor in the direction of incidence, and the luminous intensity of the wavelength conversion member is improved by reflecting the light in a predetermined direction with the reflective film. For example, Patent Document 1 discloses a wavelength conversion member that includes a reflective film formed by sintering silver powder.

特表２０１６－５３４３９６号公報Special table 2016-534396 publication

しかしながら、特許文献１のような先行技術によっても、波長変換部材において、放熱性を向上させることができる技術については、なお、改善の余地があった。例えば、特許文献１の技術では、反射膜に含まれる銀の結晶粒の内部に、亜結晶粒界が存在する。例えば、レーザ光がセラミック蛍光体に照射されることでセラミック蛍光体に熱が発生するとき、セラミック蛍光体の熱は、反射膜を介して放熱部材に移動する。このとき、亜結晶粒界は、結晶内の不連続な部分であるため、セラミック蛍光体から放熱部材に移動する熱にとって抵抗となる。このため、セラミック蛍光体の熱が反射膜を介して移動しにくくなることから、放熱性が低下するおそれがある。 However, even with prior art such as Patent Document 1, there is still room for improvement in terms of technology that can improve heat dissipation in wavelength conversion members. For example, in the technology of Patent Document 1, subgrain boundaries exist inside the silver crystal grains contained in the reflective film. For example, when heat is generated in the ceramic phosphor by irradiating the ceramic phosphor with laser light, the heat of the ceramic phosphor moves to the heat dissipation member via the reflective film. At this time, since the subgrain boundaries are discontinuous parts within the crystal, they act as a resistance to the heat moving from the ceramic phosphor to the heat dissipation member. For this reason, it becomes difficult for the heat of the ceramic phosphor to move through the reflective film, and there is a risk of a decrease in heat dissipation.

本発明は、波長変換部材において、放熱性を向上させる技術を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a technology that improves heat dissipation in wavelength conversion materials.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。 The present invention has been made to solve at least some of the above problems, and can be realized in the following forms:

（１）本発明の一形態によれば、波長変換部材が提供される。この波長変換部材は、入射する光の波長を変換するセラミック蛍光体と、前記セラミック蛍光体上に配置され、光を反射する金属の結晶粒を含む反射膜と、を備え、前記結晶粒は、亜結晶粒を含んでおらず、または、亜結晶粒を含んでいる場合、前記セラミック蛍光体と前記反射膜との積層方向に沿った厚み方向における前記反射膜の断面において、亜結晶粒界が内部を横断しておらず、前記結晶粒の面積に対する、前記セラミック蛍光体側と前記セラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒の合計面積の比率が、３０％以上である。 (1) According to one aspect of the present invention, a wavelength conversion member is provided. The wavelength conversion member includes a ceramic phosphor that converts the wavelength of incident light, and a reflective film that is disposed on the ceramic phosphor and contains metal crystal grains that reflect light, and the crystal grains do not contain subgrains, or if they contain subgrains, the subgrain boundaries do not cross the inside of the reflective film in a cross section in the thickness direction along the stacking direction of the ceramic phosphor and the reflective film, and the ratio of the total area of the subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to the area of the crystal grains is 30% or more.

この構成によれば、反射膜に含まれる金属の結晶粒は、亜結晶粒を含んでいない、または、亜結晶粒を含んでいる場合には、セラミック蛍光体と反射膜との積層方向に沿った厚み方向における反射膜の断面において、亜結晶粒界が内部を横断していない。さらに、反射膜に含まれる金属の結晶粒が亜結晶粒を含んでいる場合には、セラミック蛍光体と反射膜との積層方向に沿った厚み方向における反射膜の断面において、結晶粒の面積に対する、セラミック蛍光体側とセラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒の合計面積の比率が、３０％以上となっている。これにより、積層方向に沿った厚み方向における、亜結晶粒界による熱抵抗が比較的小さくなるため、波長変換部材の放熱性を向上させることができる。 According to this configuration, the metal crystal grains contained in the reflective film do not contain subgrains, or if they contain subgrains, the subgrain boundaries do not cross the inside of the reflective film in the cross section of the reflective film in the thickness direction along the stacking direction of the ceramic phosphor and the reflective film. Furthermore, if the metal crystal grains contained in the reflective film contain subgrains, the ratio of the total area of the subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to the area of the crystal grains is 30% or more in the cross section of the reflective film in the thickness direction along the stacking direction of the ceramic phosphor and the reflective film. This makes the thermal resistance due to the subgrain boundaries in the thickness direction along the stacking direction relatively small, thereby improving the heat dissipation of the wavelength conversion member.

（２）本発明の別の形態によれば、波長変換装置が提供される。この波長変換装置は、上述の波長変換部材と、前記セラミック蛍光体の熱を外部に放出する放熱部材と、前記波長変換部材と前記放熱部材とを接合する接合層と、を備える。この構成によれば、波長変換装置は、セラミック蛍光体の熱を外部に放出する放熱部材を備えている。これにより、セラミック蛍光体で発生する熱を、亜結晶粒界が比較的少ない反射膜を介して、放熱部材によって放出することができるため、温度上昇によるセラミック蛍光体の温度消光を抑制することができる。したがって、波長変換装置の発光強度の低下を抑制することができる。 (2) According to another aspect of the present invention, a wavelength conversion device is provided. This wavelength conversion device includes the wavelength conversion member described above, a heat dissipation member that dissipates heat from the ceramic phosphor to the outside, and a bonding layer that bonds the wavelength conversion member and the heat dissipation member. According to this configuration, the wavelength conversion device includes a heat dissipation member that dissipates heat from the ceramic phosphor to the outside. As a result, heat generated in the ceramic phosphor can be dissipated by the heat dissipation member via a reflective film with relatively few subgrain boundaries, so that temperature quenching of the ceramic phosphor due to temperature rise can be suppressed. Therefore, a decrease in the luminous intensity of the wavelength conversion device can be suppressed.

（３）本発明のさらに別の形態によれば、光源装置が提供される。この光源装置は、上述の波長変換装置と、前記セラミック蛍光体に光を照射する光源と、を備える。この構成によれば、光源装置は、セラミック蛍光体に光を照射する光源を備える。これにより、放熱性が向上している波長変換部材は、温度上昇によるセラミック蛍光体の温度消光を抑制することができる。したがって、光源装置の発光強度の低下を抑制することができる。 (3) According to yet another aspect of the present invention, a light source device is provided. This light source device includes the above-mentioned wavelength conversion device and a light source that irradiates the ceramic phosphor with light. According to this configuration, the light source device includes a light source that irradiates the ceramic phosphor with light. As a result, the wavelength conversion member with improved heat dissipation can suppress temperature quenching of the ceramic phosphor due to temperature rise. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the light emission intensity of the light source device.

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、波長変換部材を含む装置、波長変換装置または光源装置を含むシステム、反射膜の製造方法、波長変換部材の製造方法等の形態で実現することができる。 The present invention can be realized in various forms, for example, in the form of a device including a wavelength conversion member, a system including a wavelength conversion device or a light source device, a method for manufacturing a reflective film, a method for manufacturing a wavelength conversion member, etc.

第１実施形態の波長変換部材の断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member according to the first embodiment. 第１実施形態の光源装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a light source device according to a first embodiment. 波長変換部材の断面を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a cross section of a wavelength conversion member. 波長変換部材の第１の断面模式図である。FIG. 2 is a first schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member. 波長変換部材の第２の断面模式図である。FIG. 2 is a second schematic cross-sectional view of the wavelength conversion member. 図５に示す結晶粒の特徴を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the characteristics of the crystal grains shown in FIG. 5 . 波長変換部材の評価試験の結果を説明する図である。11A to 11C are diagrams illustrating the results of an evaluation test of a wavelength conversion member.

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の波長変換部材１の断面模式図である。本実施形態の波長変換部材１は、セラミック蛍光体１０と、反射膜２０と、を備える。波長変換部材１は、光が入射すると、入射する光とは異なる波長の光を発する。本実施形態の波長変換部材１は、プロジェクタ、ヘッドランプ、照明、ヘッドアップディスプレイなどの各種光学機器に用いられる。図１には、セラミック蛍光体１０と反射膜２０とが積層される方向である積層方向を鎖線矢印ＤＬで示す。なお、図１における、セラミック蛍光体１０と反射膜２０とのそれぞれの大きさおよび厚みの関係は、説明の便宜上、実際の大きさまたは厚みの関係とは異なるように図示されている。 First Embodiment
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member 1 of the first embodiment. The wavelength conversion member 1 of this embodiment includes a ceramic phosphor 10 and a reflective film 20. When light is incident on the wavelength conversion member 1, the wavelength conversion member 1 emits light having a wavelength different from that of the incident light. The wavelength conversion member 1 of this embodiment is used in various optical devices such as projectors, headlamps, lighting, and head-up displays. In FIG. 1, the stacking direction in which the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20 are stacked is indicated by a dashed arrow DL. Note that the relationship in size and thickness between the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20 in FIG. 1 is illustrated to be different from the actual relationship in size or thickness for the sake of convenience of explanation.

セラミック蛍光体１０は、セラミック焼結体であり、本実施形態では、略円柱状に形成されている。セラミック蛍光体１０は、光が入射する入射面１１と、入射面１１の反対側に位置する裏面１２と、を有する。セラミック蛍光体１０は、入射面１１から入射する光のうちの少なくとも一部の波長を変換し、入射する光とは異なる波長の光を発する。セラミック蛍光体１０は、蛍光性を有する結晶粒を主体とする蛍光相と、透光性を有する結晶粒を主体とする透光相を有するセラミック焼結体から構成されている。透光相の結晶粒は、化学式Ａｌ₂Ｏ₃で表される組成を有し、蛍光相の結晶粒は、化学式Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂：Ｃｅで表される組成（いわゆる、ガーネット構造）を有することが好ましい。「Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ」とは、Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂の中にＣｅが固溶し、元素Ａの一部がＣｅに置換されていることを示す。 The ceramic phosphor 10 is a ceramic sintered body, and in this embodiment, is formed in a substantially cylindrical shape. The ceramic phosphor 10 has an incident surface 11 on which light is incident, and a back surface 12 located on the opposite side of the incident surface 11. The ceramic phosphor 10 converts the wavelength of at least a part of the light incident from the incident surface 11, and emits light of a wavelength different from that of the incident light. The ceramic phosphor 10 is composed of a ceramic sintered body having a fluorescent phase mainly made of fluorescent crystal grains and a transparent phase mainly made of translucent crystal grains. The crystal grains of the transparent phase preferably have a composition represented by the chemical formula Al ₂ O ₃ , and the crystal grains of the fluorescent phase preferably have a composition represented by the chemical formula A ₃ B ₅ O ₁₂ : Ce (so-called garnet structure). "A ₃ B ₅ O ₁₂ : Ce" indicates that Ce is dissolved in A ₃ B ₅ O ₁₂ , and part of the element A is replaced by Ce.

化学式Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ中の元素Ａおよび元素Ｂは、それぞれ下記の元素群から選択される少なくとも１種類の元素から構成されている。
元素Ａ：Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅを除くランタノイド（ただし、元素ＡとしてさらにＧｄを含んでいてもよい）
元素Ｂ：Ａｌ（ただし、元素ＢとしてさらにＧａを含んでいてもよい）
セラミック蛍光体１０として、セラミック焼結体を使用することで、蛍光相と透光相との界面で光が散乱し、光の色の角度依存性を減らすことができる。これにより、色の均質性を向上することができる。なお、セラミック蛍光体１０の材料は、上述の材料に限定されない。 The element A and the element B in the chemical formula A ₃ B ₅ O ₁₂ :Ce are each composed of at least one element selected from the following group of elements:
Element A: Lanthanides other than Sc, Y, and Ce (however, element A may further include Gd)
Element B: Al (however, element B may further contain Ga)
By using a ceramic sintered body as the ceramic phosphor 10, the light is scattered at the interface between the fluorescent phase and the translucent phase, and the angle dependency of the color of the light can be reduced. This improves the uniformity of the color. Note that the material of the ceramic phosphor 10 is not limited to the above-mentioned materials.

反射膜２０は、セラミック蛍光体１０の裏面１２上に配置されている。反射膜２０は、光を反射する金属である銀（Ａｇ）を含んでいる。本実施形態では、反射膜２０は、複数の銀の結晶粒を含んでいる。反射膜２０は、セラミック蛍光体１０を透過した光や、セラミック蛍光体１０で発生した光を反射する。反射膜２０の積層方向ＤＬに沿った厚みは、１０μｍ～１００μｍであることが好ましい。なお、反射膜２０に含まれる金属は、銀に限定されず、アルミニウム（Ａｌ）や白金（Ｐｔ）などであってもよい。本実施形態における反射膜２０の特徴の詳細は、後述する。 The reflective film 20 is disposed on the rear surface 12 of the ceramic phosphor 10. The reflective film 20 contains silver (Ag), which is a metal that reflects light. In this embodiment, the reflective film 20 contains a plurality of silver crystal grains. The reflective film 20 reflects light that has passed through the ceramic phosphor 10 and light generated by the ceramic phosphor 10. The thickness of the reflective film 20 along the stacking direction DL is preferably 10 μm to 100 μm. The metal contained in the reflective film 20 is not limited to silver, and may be aluminum (Al) or platinum (Pt), etc. Details of the characteristics of the reflective film 20 in this embodiment will be described later.

図２は、第１実施形態の光源装置２の模式図である。本実施形態の光源装置２は、波長変換装置３と、光を発する光源４と、を備える。波長変換装置３は、波長変換部材１と、セラミック蛍光体１０の熱を外部に放出する放熱部材３０と、波長変換部材１と放熱部材３０とを接合する接合層４０と、を備える。波長変換装置３では、図２に示すように、セラミック蛍光体１０、反射膜２０、接合層４０、放熱部材３０の順に積層される。図２に、セラミック蛍光体１０、反射膜２０、接合層４０、放熱部材３０の積層方向を示す鎖線矢印ＤＬを示す。 Figure 2 is a schematic diagram of the light source device 2 of the first embodiment. The light source device 2 of this embodiment includes a wavelength conversion device 3 and a light source 4 that emits light. The wavelength conversion device 3 includes a wavelength conversion member 1, a heat dissipation member 30 that dissipates heat from the ceramic phosphor 10 to the outside, and a bonding layer 40 that bonds the wavelength conversion member 1 and the heat dissipation member 30. In the wavelength conversion device 3, as shown in Figure 2, the ceramic phosphor 10, the reflective film 20, the bonding layer 40, and the heat dissipation member 30 are stacked in this order. Figure 2 shows a dashed arrow DL indicating the stacking direction of the ceramic phosphor 10, the reflective film 20, the bonding layer 40, and the heat dissipation member 30.

光源装置２では、発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）や半導体レーザー（ＬＤ：ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ）などの光源４が発する光Ｌ１を波長変換装置３のセラミック蛍光体１０に照射する。光Ｌ１が照射されたセラミック蛍光体１０は、光Ｌ１とは異なる波長の光を発する。これにより、波長変換装置３は、光源４が発する光Ｌ１とは異なる色の光Ｌ２を放出する。このような波長変換装置３は、例えば、プロジェクタ、ヘッドランプ、照明、ヘッドアップディスプレイなどの各種光学機器において使用される。なお、図２における、セラミック蛍光体１０、反射膜２０、放熱部材３０、および、接合層４０のそれぞれの大きさおよび厚みの関係は、説明の便宜上、実際の大きさまたは厚みの関係とは異なるように図示されている。 In the light source device 2, the light source 4, such as a light emitting diode (LED) or a semiconductor laser (LD), emits light L1 onto the ceramic phosphor 10 of the wavelength conversion device 3. The ceramic phosphor 10 irradiated with the light L1 emits light of a wavelength different from the light L1. As a result, the wavelength conversion device 3 emits light L2 of a color different from the light L1 emitted by the light source 4. Such a wavelength conversion device 3 is used in various optical devices such as projectors, headlamps, lighting, and head-up displays. Note that the relationship between the sizes and thicknesses of the ceramic phosphor 10, the reflective film 20, the heat dissipation member 30, and the bonding layer 40 in FIG. 2 is illustrated as being different from the actual size or thickness relationship for the sake of convenience of explanation.

放熱部材３０は、例えば、銅（Ｃｕ）、銅モリブデン合金、銅タングステン合金、アルミニウム（Ａｌ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）など、セラミック蛍光体１０よりも高い熱伝導性を有する材料から形成されている平板形状の部材である。放熱部材３０は、接合層４０を介して伝わるセラミック蛍光体１０の熱を、波長変換装置３の外部に放出する。なお、放熱部材３０は、上述した材料からなる単層構造の部材でなくてもよく、同種または異なる材料から形成されている多層構造の部材であってもよい。また、放熱部材３０のセラミック蛍光体１０側の面には、接合層４０との密着性を高めるめっきが配置されていてもよい。 The heat dissipation member 30 is a flat plate-shaped member made of a material having a higher thermal conductivity than the ceramic phosphor 10, such as copper (Cu), a copper-molybdenum alloy, a copper-tungsten alloy, aluminum (Al), or aluminum nitride (AlN). The heat dissipation member 30 dissipates the heat of the ceramic phosphor 10, which is transmitted through the bonding layer 40, to the outside of the wavelength conversion device 3. The heat dissipation member 30 does not have to be a single-layer member made of the above-mentioned materials, and may be a multi-layer member made of the same or different materials. In addition, the surface of the heat dissipation member 30 facing the ceramic phosphor 10 may be plated to enhance adhesion with the bonding layer 40.

接合層４０は、波長変換部材１と放熱部材３０との間に配置されている。接合層４０は、金と錫とから形成されており、セラミック蛍光体１０と放熱部材３０とを接合する。 The bonding layer 40 is disposed between the wavelength conversion member 1 and the heat dissipation member 30. The bonding layer 40 is made of gold and tin, and bonds the ceramic phosphor 10 and the heat dissipation member 30.

次に、反射膜２０の特徴について説明する。本実施形態の反射膜２０は、銀の結晶粒が亜結晶粒を含んでいない。 Next, the characteristics of the reflective film 20 will be described. In this embodiment, the reflective film 20 does not contain subgrains in the silver crystal grains.

図３は、本実施形態の波長変換部材１の断面を説明する図である。反射膜２０に含まれる銀の結晶粒を観察する場合、セラミック蛍光体１０と反射膜２０との積層方向ＤＬに沿った、セラミック蛍光体１０と反射膜２０との厚み方向における、反射膜２０の断面を取得する。なお、「セラミック蛍光体１０と反射膜２０との厚み方向」とは、例えば、積層方向ＤＬに略平行な方向となる。波長変換部材１の断面ＣＳ１は、図３に示す、積層方向ＤＬに略平行な仮想面ＶＰ１に含まれる、波長変換部材１の断面ＣＳ１には、セラミック蛍光体１０の断面ＣＳ１０と反射膜２０の断面ＣＳ２０とが含まれる。 Figure 3 is a diagram illustrating a cross section of the wavelength conversion member 1 of this embodiment. When observing the silver crystal grains contained in the reflective film 20, a cross section of the reflective film 20 is obtained in the thickness direction of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20 along the stacking direction DL of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20. Note that the "thickness direction of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20" is, for example, a direction approximately parallel to the stacking direction DL. The cross section CS1 of the wavelength conversion member 1 is included in a virtual plane VP1 approximately parallel to the stacking direction DL shown in Figure 3, and the cross section CS1 of the wavelength conversion member 1 includes the cross section CS10 of the ceramic phosphor 10 and the cross section CS20 of the reflective film 20.

図４は、本実施形態の波長変換部材１の第１の断面模式図である。図４には、波長変換部材１の断面ＣＳ１の一部を示している。具体的には、積層方向ＤＬに沿った厚み方向における反射膜２０の断面ＣＳ２０と、反射膜２０近傍のセラミック蛍光体１０の断面ＣＳ１０とが示されている。図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部を拡大した図である。本実施形態の反射膜２０は、図４（ｂ）に示すように、銀の結晶粒Ｇ２０を複数含んでいるが、結晶粒Ｇ２０のそれぞれは、亜結晶粒を含んでいない。したがって、結晶粒Ｇ２０のそれぞれの断面には、亜結晶粒界が存在しない。ここで、亜結晶粒界とは、再結晶を伴わない結晶の加熱によって、結晶内の転位が再配列されることで形成される、比較的安定な転位網のことを指す。また、亜結晶粒は、結晶粒の一部であって、亜結晶粒界に囲まれた部分を指す。 Figure 4 is a first schematic cross-sectional view of the wavelength conversion member 1 of this embodiment. Figure 4 shows a part of the cross section CS1 of the wavelength conversion member 1. Specifically, a cross section CS20 of the reflective film 20 in the thickness direction along the stacking direction DL and a cross section CS10 of the ceramic phosphor 10 near the reflective film 20 are shown. Figure 4 (b) is an enlarged view of a part of Figure 4 (a). As shown in Figure 4 (b), the reflective film 20 of this embodiment contains a plurality of silver crystal grains G20, but each of the crystal grains G20 does not contain a subgrain. Therefore, there is no subgrain boundary in each cross section of the crystal grains G20. Here, the subgrain boundary refers to a relatively stable dislocation network formed by rearrangement of dislocations in a crystal due to heating of the crystal without recrystallization. In addition, the subgrain refers to a part of the crystal grain that is surrounded by the subgrain boundary.

図５は、本実施形態の波長変換部材１の第２の断面模式図である。本実施形態の反射膜２０は、図５に示すように、銀の結晶粒Ｇ２０が、複数の亜結晶粒Ｇｓ２０を含んでいてもよい。本実施形態では、銀の結晶粒Ｇ２０が複数の亜結晶粒Ｇｓ２０を含む場合、セラミック蛍光体１０と反射膜２０との積層方向ＤＬに沿った厚み方向における反射膜２０の断面ＣＳ２０において、亜結晶粒界Ｂｓ２０が内部を横断しておらず、結晶粒Ｇ２０の面積に対する、セラミック蛍光体１０側とセラミック蛍光体１０の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒Ｇｓ２０の合計面積の比率が、３０％以上となっている。これらの特徴について、図５（ｂ）に示す結晶粒Ｇ２０１を用いて説明する。 Figure 5 is a second schematic cross-sectional view of the wavelength conversion member 1 of this embodiment. As shown in Figure 5, in the reflective film 20 of this embodiment, the silver crystal grain G20 may include multiple sub-crystal grains Gs20. In this embodiment, when the silver crystal grain G20 includes multiple sub-crystal grains Gs20, the sub-crystal grain boundary Bs20 does not cross the inside in the cross section CS20 of the reflective film 20 in the thickness direction along the stacking direction DL of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20, and the ratio of the total area of the sub-crystal grains Gs20 exposed on both the ceramic phosphor 10 side and the opposite side of the ceramic phosphor 10 to the area of the crystal grain G20 is 30% or more. These features will be explained using the crystal grain G201 shown in Figure 5 (b).

図６は、図５に示す結晶粒Ｇ２０１の特徴を説明する図である。図６に示す銀の結晶粒Ｇ２０は、図５（ｂ）に示す結晶粒Ｇ２０１であって、図６は、結晶粒Ｇ２０１を中心とした波長変換部材１の断面ＣＳ１の拡大図である。図６に示す結晶粒Ｇ２０１において、隣接する結晶粒Ｇ２０と向かい合っている側面を結晶粒Ｇ２０１の側面Ｓｐとし、セラミック蛍光体１０と向かい合っている面を面Ｕｐとし、波長変換装置３を製造するとき、接合層４０と接することとなる面を面Ｌｐとする。結晶粒Ｇ２０１の面Ｕｐは、セラミック蛍光体１０の裏面１２に接している。なお、説明の便宜上、隣接する結晶粒Ｇ２０と、セラミック蛍光体１０のそれぞれは、点線で示してある。 Figure 6 is a diagram for explaining the characteristics of the crystal grain G201 shown in Figure 5. The silver crystal grain G20 shown in Figure 6 is the crystal grain G201 shown in Figure 5 (b), and Figure 6 is an enlarged view of the cross section CS1 of the wavelength conversion member 1 centered on the crystal grain G201. In the crystal grain G201 shown in Figure 6, the side surface facing the adjacent crystal grain G20 is the side surface Sp of the crystal grain G201, the surface facing the ceramic phosphor 10 is the surface Up, and the surface that will be in contact with the bonding layer 40 when manufacturing the wavelength conversion device 3 is the surface Lp. The surface Up of the crystal grain G201 is in contact with the back surface 12 of the ceramic phosphor 10. For convenience of explanation, the adjacent crystal grain G20 and the ceramic phosphor 10 are each shown by a dotted line.

本実施形態の反射膜２０の第１の特徴として、結晶粒は、セラミック蛍光体と反射膜との積層方向に沿った厚み方向における反射膜の断面において、亜結晶粒界が内部を横断していない。これは、図６に示すような結晶粒Ｇ２０１の断面において、１本の亜結晶粒界Ｂｓ２０の両端のいずれもが、結晶粒Ｇ２０１の側面Ｓｐに到達していないことを意味している。例えば、図６に示す亜結晶粒界Ｂｓ２０１において、一方の端部Ｅ１は、側面Ｓｐに到達しているものの、他方の端部Ｅ２は、セラミック蛍光体１０側の面Ｕｐに到達しており、両端のいずれもが結晶粒Ｇ２０１の側面Ｓｐに到達していない。本実施形態の反射膜２０に含まれる結晶粒Ｇ２０は、このように、１本の亜結晶粒界Ｂｓ２０の２つの端部のいずれかが、セラミック蛍光体１０または反射膜２０においてセラミック蛍光体１０と反対側に設けられる接合層４０に接する。 The first feature of the reflective film 20 of this embodiment is that the subgrain boundaries do not cross the inside of the crystal grains in the cross section of the reflective film in the thickness direction along the lamination direction of the ceramic phosphor and the reflective film. This means that in the cross section of the crystal grain G201 as shown in FIG. 6, neither of the two ends of one subgrain boundary Bs20 reaches the side surface Sp of the crystal grain G201. For example, in the subgrain boundary Bs201 shown in FIG. 6, one end E1 reaches the side surface Sp, but the other end E2 reaches the surface Up on the ceramic phosphor 10 side, and neither of the two ends reaches the side surface Sp of the crystal grain G201. In this way, in the crystal grain G20 included in the reflective film 20 of this embodiment, one of the two ends of one subgrain boundary Bs20 contacts the ceramic phosphor 10 or the bonding layer 40 provided on the opposite side of the ceramic phosphor 10 in the reflective film 20.

また、結晶粒は、亜結晶粒界が内部を横断していないということには、複数本の亜結晶粒界Ｂｓ２０の組合せにおいても、両端のいずれもが、結晶粒Ｇ２０１の側面Ｓｐに到達していないことも含まれる。例えば、図６に示す亜結晶粒界Ｂｓ２０２は、一方の端部Ｅ３は、側面Ｓｐに到達し、他方の端部Ｅ４は、別の亜結晶粒界Ｂｓ２０３に到達しているが、亜結晶粒界Ｂｓ２０３の両端部Ｅ５，Ｅ６のそれぞれは、セラミック蛍光体１０側の面Ｕｐとセラミック蛍光体１０の反対側の面Ｌｐに到達している。さらに、亜結晶粒界Ｂｓ２０３に到達している２つの亜結晶粒界Ｂｓ２０についても、端部Ｅ７，Ｅ８のそれぞれは、セラミック蛍光体１０の反対側の面Ｌｐに到達している。本実施形態の反射膜２０に含まれる結晶粒Ｇ２０は、このように、亜結晶粒界Ｂｓ２０が、亜結晶粒界Ｂｓ２０が内部を横断していない。すなわち、結晶粒Ｇ２０には、セラミック蛍光体１０側の面Ｕｐと接合層４０と接することとなる面Ｌｐとの両方を有する亜結晶粒Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２などが含まれることとなる。これにより、セラミック蛍光体１０の熱を接合層４０に伝えるための伝熱の経路が１つの亜結晶粒によって形成されるため、反射膜２０全体において、亜結晶粒界Ｂｓ２０による熱抵抗を小さくすることができる。したがって、セラミック蛍光体１０の熱が、亜結晶粒Ｇｓ２０によってセラミック蛍光体１０からセラミック蛍光体１０の反対側に伝わりやすくなる。 In addition, the fact that the subgrain boundary does not cross the inside of the crystal grain includes the fact that, even in a combination of multiple subgrain boundaries Bs20, none of the ends reach the side surface Sp of the crystal grain G201. For example, in the subgrain boundary Bs202 shown in FIG. 6, one end E3 reaches the side surface Sp, and the other end E4 reaches another subgrain boundary Bs203, but both ends E5 and E6 of the subgrain boundary Bs203 reach the surface Up on the ceramic phosphor 10 side and the surface Lp on the opposite side of the ceramic phosphor 10. Furthermore, for the two subgrain boundaries Bs20 that reach the subgrain boundary Bs203, the ends E7 and E8 each reach the surface Lp on the opposite side of the ceramic phosphor 10. In this way, the subgrain boundary Bs20 does not cross the inside of the crystal grain G20 included in the reflective film 20 of this embodiment. That is, the crystal grain G20 includes subgrains Gs201, Gs202, etc., which have both a surface Up on the ceramic phosphor 10 side and a surface Lp that will be in contact with the bonding layer 40. As a result, a heat transfer path for transferring heat from the ceramic phosphor 10 to the bonding layer 40 is formed by one subgrain, so that the thermal resistance due to the subgrain boundary Bs20 can be reduced throughout the reflective film 20. Therefore, the heat of the ceramic phosphor 10 is easily transferred from the ceramic phosphor 10 to the opposite side of the ceramic phosphor 10 by the subgrain Gs20.

本実施形態の反射膜２０の第２の特徴として、セラミック蛍光体と反射膜との積層方向に沿った厚み方向における反射膜の断面において、結晶粒の面積に対する、セラミック蛍光体側とセラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒の合計面積の比率が、３０％以上である。これは、１つの結晶粒Ｇ２０において、セラミック蛍光体１０側の面Ｕｐとセラミック蛍光体１０の反対側の面Ｌｐとのそれぞれを有する亜結晶粒Ｇｓ２０が比較的多いことを意味している。例えば、図６に示す結晶粒Ｇ２０１に含まれる亜結晶粒Ｇｓ２０のうち、亜結晶粒Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２，Ｇｓ２０３のそれぞれは、セラミック蛍光体１０側とセラミック蛍光体１０の反対側とのいずれにも露出している。本実施形態の反射膜２０では、反射膜２０に含まれる結晶粒Ｇ２０は，図６に示すような断面において、結晶粒Ｇ２０の面積に対する、亜結晶粒Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２，Ｇｓ２０３の合計面積の比率が３０％以上となっている。これにより、反射膜２０において、伝熱の抵抗となる亜結晶粒界Ｂｓ２０を通らない伝熱の経路が比較的多くなるため、セラミック蛍光体１０の熱が、亜結晶粒Ｇｓ２０によってセラミック蛍光体１０からセラミック蛍光体１０の反対側にさらに伝わりやすくなる。なお、結晶粒Ｇ２０の面積に対する、セラミック蛍光体１０側とセラミック蛍光体１０の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２，Ｇｓ２０３の合計面積の比率の最大値は、例えば、１００％であってもよい。 The second feature of the reflective film 20 of this embodiment is that in a cross section of the reflective film in the thickness direction along the lamination direction of the ceramic phosphor and the reflective film, the ratio of the total area of the subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to the area of the crystal grain is 30% or more. This means that in one crystal grain G20, there are relatively many subgrains Gs20 that have both a face Up on the ceramic phosphor 10 side and a face Lp on the opposite side of the ceramic phosphor 10. For example, among the subgrains Gs20 contained in the crystal grain G201 shown in FIG. 6, each of the subgrains Gs201, Gs202, and Gs203 is exposed on both the ceramic phosphor 10 side and the opposite side of the ceramic phosphor 10. In the reflective film 20 of this embodiment, the crystal grain G20 contained in the reflective film 20 has a ratio of the total area of the subgrains Gs201, Gs202, and Gs203 to the area of the crystal grain G20 in a cross section as shown in FIG. 6 of 30% or more. As a result, in the reflective film 20, there are relatively many heat transfer paths that do not pass through the subgrain boundary Bs20 that acts as a resistance to heat transfer, so that the heat of the ceramic phosphor 10 is more easily transferred from the ceramic phosphor 10 to the opposite side of the ceramic phosphor 10 by the subgrain Gs20. Note that the maximum value of the ratio of the total area of the subgrains Gs201, Gs202, and Gs203 exposed on both the ceramic phosphor 10 side and the opposite side of the ceramic phosphor 10 to the area of the crystal grain G20 may be, for example, 100%.

次に、光源装置２の製造方法を説明する。最初に、蛍光相と透光相が、例えば、６：４となるように、原料を秤量する。秤量した原料をエタノールまたは純水とともにボールミルに投入し、１６時間粉砕混合をおこなうことで、セラミック蛍光体用のスラリーを作製する。セラミック蛍光体用のスラリーを乾燥し、造粒した後、バインダと、水とを加え、せん断力を加えながら混練を行うことで、坏土を作製する。作製した坏土を押出成形機でシート状に成形し、成形したシート状の成形体を大気雰囲気中において約１７００℃で焼成する。焼成によって得られた焼成体を所定の厚みとなるように切断し、セラミック蛍光体１０を作製する。 Next, a method for manufacturing the light source device 2 will be described. First, the raw materials are weighed so that the fluorescent phase and the translucent phase are, for example, 6:4. The weighed raw materials are put into a ball mill together with ethanol or pure water, and are ground and mixed for 16 hours to produce a slurry for the ceramic phosphor. The slurry for the ceramic phosphor is dried and granulated, and then a binder and water are added, and the mixture is kneaded while applying a shear force to produce a clay. The clay thus produced is formed into a sheet using an extrusion molding machine, and the formed sheet-like molded body is fired at approximately 1700°C in an air atmosphere. The fired body obtained by firing is cut to a predetermined thickness to produce the ceramic phosphor 10.

セラミック蛍光体１０を作製したのち、銀粉末と、アルミナ粉末と、アクリル系のバインダと、溶剤とを混合し、反射膜用のペーストを作製する。本実施形態では、反射膜用のペーストを作成するとき、例えば、ボールミルなどで扁平形状に変形させた銀粉末を用いる。作製した反射膜用のペーストを、セラミック蛍光体１０の裏面１２に塗布し、乾燥させた後、反射膜用のペーストが塗布されたセラミック蛍光体１０を加熱する。これにより、反射膜のペーストに含まれる扁平形状の銀粉末が再結晶化し、亜結晶粒界の向きを制御することができる。反射膜用のペーストがセラミック蛍光体１０の裏面１２に焼き付くことで、セラミック蛍光体１０に反射膜２０が成膜され、波長変換部材１が完成する。 After the ceramic phosphor 10 is produced, silver powder, alumina powder, an acrylic binder, and a solvent are mixed to produce a paste for the reflective film. In this embodiment, when producing the paste for the reflective film, for example, silver powder deformed into a flat shape using a ball mill or the like is used. The produced paste for the reflective film is applied to the back surface 12 of the ceramic phosphor 10, dried, and then the ceramic phosphor 10 on which the paste for the reflective film is applied is heated. This causes the flat silver powder contained in the paste for the reflective film to recrystallize, and the orientation of the subgrain boundaries can be controlled. The paste for the reflective film is baked onto the back surface 12 of the ceramic phosphor 10, forming a reflective film 20 on the ceramic phosphor 10, and completing the wavelength conversion member 1.

波長変換部材１が完成したのち、波長変換部材１の反射膜２０と放熱部材３０との間にＡｕＳｎ半田箔を挟み込み、例えば、リフロー炉で加熱し、ＡｕＳｎ半田箔を溶融させる。これにより、波長変換部材１と放熱部材３０とが接合し、波長変換装置３が完成する。最後に、波長変換装置３の入射面１１に対して光Ｌ１が照射されるように、光源４を配置する。これにより、光源装置２が完成する。 After the wavelength conversion member 1 is completed, AuSn solder foil is sandwiched between the reflective film 20 of the wavelength conversion member 1 and the heat dissipation member 30, and the AuSn solder foil is melted by heating, for example, in a reflow furnace. This bonds the wavelength conversion member 1 and the heat dissipation member 30, and the wavelength conversion device 3 is completed. Finally, the light source 4 is positioned so that light L1 is irradiated onto the incident surface 11 of the wavelength conversion device 3. This completes the light source device 2.

次に、波長変換部材の評価試験について説明する。本評価試験では、波長変換部材の反射膜に含まれる銀の結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が、波長変換部材の発光強度に与える影響を評価した。本評価試験に用いたサンプルは、反射膜を備える光源装置であって、銀の結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が異なるように、上述した本実施形態の光源装置２の製造方法で作成した。ここで、「特定の亜結晶粒」とは、セラミック蛍光体側とセラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒を指す（図６の亜結晶粒Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２，Ｇｓ２０３参照）。したがって、図６を用いて説明したように、結晶粒内において亜結晶粒界が内部を横断している場合、「特定の亜結晶粒の存在割合」は０％となる。また、結晶粒内において亜結晶粒界が内部を横断していない場合でも、複数の亜結晶粒界がつながることでセラミック蛍光体側とセラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒がない場合も、「特定の亜結晶粒の存在割合」は０％となる。結晶粒内において亜結晶粒界が存在しない場合は、「特定の亜結晶粒の存在割合」を１００％となる。本評価試験では、サンプルに含まれる反射膜中の結晶粒界と亜結晶粒界との区別は、電子後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）によって行った。 Next, an evaluation test of the wavelength conversion member will be described. In this evaluation test, the influence of the abundance ratio of specific subcrystal grains in the silver crystal grains contained in the reflective film of the wavelength conversion member on the luminous intensity of the wavelength conversion member was evaluated. The sample used in this evaluation test was a light source device equipped with a reflective film, and was produced by the manufacturing method of the light source device 2 of the present embodiment described above so that the abundance ratio of specific subcrystal grains in the silver crystal grains was different. Here, the "specific subcrystal grains" refer to subcrystal grains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor (see subcrystal grains Gs201, Gs202, and Gs203 in FIG. 6). Therefore, as explained using FIG. 6, when a subcrystal grain boundary crosses the inside of a crystal grain, the "abundance ratio of specific subcrystal grains" is 0%. In addition, even if a subcrystal grain boundary does not cross the inside of a crystal grain, or when a plurality of subcrystal grain boundaries are connected to each other so that there are no subcrystal grains exposed on either the ceramic phosphor side or the opposite side of the ceramic phosphor, the "abundance ratio of specific subcrystal grains" is 0%. If there are no subgrain boundaries within a crystal grain, the "proportion of specific subgrains" is 100%. In this evaluation test, the grain boundaries and subgrain boundaries in the reflective film contained in the sample were distinguished using electron backscatter diffraction (EBSD).

本評価試験では、サンプルとしての光源装置に対して、レーザ光源を用いて、波長４５０ｎｍの青色レーザ光（出力：７０Ｗ）をセラミック蛍光体の表面に１分間照射した。１分間の照射の後、サンプルのセラミック蛍光体の温度をサーモグラフィによって測定した。本評価試験では、銀の結晶粒中の特定の亜結晶粒粒の存在割合が異なる４種類のサンプルのそれぞれについて、レーザ光を１分回照射した後のサンプルのセラミック蛍光体の温度を測定し、比較した。本評価試験では、セラミック蛍光体の温度が６０℃未満の場合、評価結果を「Ａ」とし、セラミック蛍光体の温度が６０℃以上の場合、評価結果を「Ｂ」とした。 In this evaluation test, a laser light source was used to irradiate the surface of the ceramic phosphor with blue laser light (output: 70 W) having a wavelength of 450 nm for one minute using a sample light source device. After one minute of irradiation, the temperature of the sample ceramic phosphor was measured by thermography. In this evaluation test, the temperature of the ceramic phosphor of each of four types of samples with different proportions of specific subgrains in the silver crystal grains was measured and compared after one minute of irradiation with laser light. In this evaluation test, if the temperature of the ceramic phosphor was less than 60°C, the evaluation result was rated as "A," and if the temperature of the ceramic phosphor was 60°C or higher, the evaluation result was rated as "B."

図７は、波長変換部材の評価試験の結果を説明する図である。図７では、サンプルに含まれる反射膜における銀の結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合を「Ｒｓ（単位：％）」で示し、レーザ光を１分回照射した後のサンプルのセラミック蛍光体の温度を「Ｔｓｐ（単位：℃）」で示している。 Figure 7 is a diagram explaining the results of the evaluation test of the wavelength conversion member. In Figure 7, the proportion of specific subgrains in the silver crystal grains in the reflective film contained in the sample is shown as "Rs (unit: %)", and the temperature of the ceramic phosphor of the sample after irradiating it with laser light for one minute is shown as "Tsp (unit: °C)".

図７に示すように、結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が１０％のサンプル１では、セラミック蛍光体の温度が６３℃となる一方、結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が３０％以上のサンプル２～４では、セラミック蛍光体の温度は、６０℃未満となった。また、結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が高い方がセラミック蛍光体の温度は、低くなることが確認された。これは、結晶粒中の特定の亜結晶粒の存在割合が増えることで亜結晶粒界による熱抵抗が小さくなるため、セラミック蛍光体の熱が放熱部材に伝わりやすくなっていると考えられる。 As shown in Figure 7, in sample 1, where the proportion of specific subgrains in the crystal grains is 10%, the temperature of the ceramic phosphor was 63°C, whereas in samples 2 to 4, where the proportion of specific subgrains in the crystal grains is 30% or more, the temperature of the ceramic phosphor was less than 60°C. It was also confirmed that the temperature of the ceramic phosphor was lower when the proportion of specific subgrains in the crystal grains was higher. This is thought to be because an increase in the proportion of specific subgrains in the crystal grains reduces the thermal resistance due to the subgrain boundaries, making it easier for the heat from the ceramic phosphor to be transferred to the heat dissipation member.

以上説明した、本実施形態の波長変換部材１によれば、反射膜２０に含まれる銀の結晶粒Ｇ２０は、亜結晶粒Ｇｓ２０を含んでいない、または、亜結晶粒Ｇｓ２０を含んでいる場合には、セラミック蛍光体１０と反射膜２０との積層方向ＤＬに沿った厚み方向における反射膜２０の断面ＣＳ２０において、亜結晶粒界Ｂｓ２０が内部を横断していない。さらに、反射膜２０に含まれる銀の結晶粒が亜結晶粒Ｇｓ２０を含んでいる場合には、セラミック蛍光体１０と反射膜２０との積層方向ＤＬに沿った厚み方向における反射膜２０の断面ＣＳ２０において、結晶粒Ｇ２０の面積に対する、セラミック蛍光体１０側とセラミック蛍光体１０の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒Ｇｓ２０の合計面積の比率が、３０％以上となっている。これにより、積層方向ＤＬに沿った厚み方向における、亜結晶粒界Ｂｓ２０による熱抵抗が比較的小さくなるため、波長変換部材１の放熱性を向上させることができる。 According to the wavelength conversion member 1 of the present embodiment described above, the silver crystal grains G20 contained in the reflective film 20 do not contain subgrains Gs20, or if they contain subgrains Gs20, the subgrain boundaries Bs20 do not cross the inside in the cross section CS20 of the reflective film 20 in the thickness direction along the stacking direction DL of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20. Furthermore, if the silver crystal grains contained in the reflective film 20 contain subgrains Gs20, in the cross section CS20 of the reflective film 20 in the thickness direction along the stacking direction DL of the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20, the ratio of the total area of the subgrains Gs20 exposed on both the ceramic phosphor 10 side and the opposite side of the ceramic phosphor 10 to the area of the crystal grains G20 is 30% or more. As a result, the thermal resistance due to the subgrain boundaries Bs20 in the thickness direction along the stacking direction DL becomes relatively small, and the heat dissipation of the wavelength conversion member 1 can be improved.

また、本実施形態の波長変換部材１によれば、亜結晶粒界Ｂｓ２０による熱抵抗が比較的小さくなるため、反射膜２０内での熱応力が小さくなる。これにより、反射膜２０の剥がれによる波長変換部材１の破損を抑制することができる。 In addition, according to the wavelength conversion member 1 of this embodiment, the thermal resistance due to the subgrain boundary Bs20 is relatively small, so that the thermal stress in the reflective film 20 is small. This makes it possible to suppress damage to the wavelength conversion member 1 due to peeling of the reflective film 20.

また、本実施形態の波長変換装置３によれば、セラミック蛍光体１０の熱を外部に放出する放熱部材３０を備えている。これにより、セラミック蛍光体１０で発生する熱を、亜結晶粒界Ｂｓ２０がない、または、比較的少ない反射膜２０を介して、放熱部材３０によって放出することができるため、温度上昇によるセラミック蛍光体１０の温度消光を抑制することができる。したがって、波長変換装置３の発光強度の低下を抑制することができる。 In addition, the wavelength conversion device 3 of this embodiment is provided with a heat dissipation member 30 that dissipates heat from the ceramic phosphor 10 to the outside. This allows the heat generated in the ceramic phosphor 10 to be dissipated by the heat dissipation member 30 through the reflective film 20 that has no or relatively few subgrain boundaries Bs20, thereby suppressing temperature quenching of the ceramic phosphor 10 due to temperature rise. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the emission intensity of the wavelength conversion device 3.

また、本実施形態の光源装置２によれば、光源装置２は、セラミック蛍光体１０に光を照射する光源４を備える。これにより、放熱性が向上している波長変換部材１は、温度上昇によるセラミック蛍光体１０の温度消光を抑制することができる。したがって、光源装置２の発光強度の低下を抑制することができる。 In addition, according to the light source device 2 of this embodiment, the light source device 2 includes a light source 4 that irradiates light onto the ceramic phosphor 10. As a result, the wavelength conversion member 1, which has improved heat dissipation properties, can suppress temperature quenching of the ceramic phosphor 10 due to temperature rise. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the light emission intensity of the light source device 2.

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。 <Modifications of this embodiment>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied in various forms without departing from the spirit and scope of the invention. For example, the following modifications are also possible.

［変形例１］
上述の実施形態では、反射膜２０に含まれる銀の結晶粒Ｇ２０について、亜結晶粒を含まない場合（図４）と、亜結晶粒Ｇｓ２０を含む場合（図５、図６）とに分けて説明した。反射膜２０に含まれる複数の結晶粒Ｇ２０は、亜結晶粒を含まない結晶粒Ｇ２０と、亜結晶粒Ｇｓ２０を含む結晶粒Ｇ２０との混合であってもよい。このような反射膜２０であっても、亜結晶粒界による熱抵抗が比較的小さくなるため、放熱性を向上させることができる。 [Modification 1]
In the above-described embodiment, the silver crystal grains G20 contained in the reflective film 20 have been described separately for the case where the subgrains are not included ( FIG. 4 ) and the case where the subgrains Gs20 are included ( FIG. 5 , FIG. 6 ). The multiple crystal grains G20 contained in the reflective film 20 may be a mixture of crystal grains G20 that do not include subgrains and crystal grains G20 that include subgrains Gs20. Even in such a reflective film 20, the thermal resistance due to the subgrain boundaries is relatively small, and therefore the heat dissipation performance can be improved.

［変形例２］
上述の実施形態では、波長変換装置３は、波長変換部材１と、接合層４０と、放熱部材３０とを備え、波長変換部材１は、セラミック蛍光体１０と、反射膜２０と、を備えるとした。しかしながら、波長変換部材１および波長変換装置３の構成は、これらに限定されない。封止膜やめっき層などを備えていてもよい。 [Modification 2]
In the above embodiment, the wavelength conversion device 3 includes the wavelength conversion member 1, the bonding layer 40, and the heat dissipation member 30, and the wavelength conversion member 1 includes the ceramic phosphor 10 and the reflective film 20. However, the configurations of the wavelength conversion member 1 and the wavelength conversion device 3 are not limited to these. They may also include a sealing film, a plating layer, or the like.

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。 Although this aspect has been described above based on the embodiment and modified examples, the embodiment of the above-mentioned aspect is intended to facilitate understanding of this aspect and does not limit this aspect. This aspect may be modified or improved without departing from the spirit and scope of the claims, and this aspect includes equivalents. Furthermore, if a technical feature is not described as essential in this specification, it may be deleted as appropriate.

［適用例１］
波長変換部材であって、
入射する光の波長を変換するセラミック蛍光体と、
前記セラミック蛍光体上に配置され、光を反射する金属の結晶粒を含む反射膜と、を備え、
前記結晶粒は、
亜結晶粒を含んでおらず、
または、
亜結晶粒を含んでいる場合、
前記セラミック蛍光体と前記反射膜との積層方向に沿った厚み方向における前記反射膜の断面において、
亜結晶粒界が内部を横断しておらず、
前記結晶粒の面積に対する、前記セラミック蛍光体側と前記セラミック蛍光体の反対側とのいずれにも露出する亜結晶粒の合計面積の比率が、３０％以上である、
ことを特徴とする波長変換部材。
［適用例２］
波長変換装置であって、
適用例１に記載の波長変換部材と、
前記セラミック蛍光体の熱を外部に放出する放熱部材と、
前記波長変換部材と前記放熱部材とを接合する接合層と、を備える、
ことを特徴とする波長変換装置。
［適用例３］
光源装置であって、
適用例１または適用例２に記載の波長変換装置と、
前記セラミック蛍光体に光を照射する光源と、を備える、
ことを特徴とする光源装置。 [Application Example 1]
A wavelength conversion member,
A ceramic phosphor that converts the wavelength of incident light;
a reflective film disposed on the ceramic phosphor and including metal crystal grains that reflect light;
The crystal grains are
Does not contain subgrains,
or
If it contains subgrains,
In a cross section of the reflective film in a thickness direction along a lamination direction of the ceramic phosphor and the reflective film,
The subgrain boundaries do not cross the interior,
a ratio of a total area of subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to an area of the crystal grains is 30% or more;
A wavelength conversion member characterized by:
[Application Example 2]
A wavelength conversion device,
The wavelength conversion member according to Application Example 1,
a heat dissipation member that dissipates heat of the ceramic phosphor to the outside;
A bonding layer that bonds the wavelength conversion member and the heat dissipation member.
A wavelength conversion device characterized by:
[Application Example 3]
A light source device,
A wavelength conversion device according to Application Example 1 or 2,
A light source that irradiates the ceramic phosphor with light.
A light source device characterized by:

１…波長変換部材
２…光源装置
３…波長変換装置
４…光源
１０…セラミック蛍光体
２０…反射膜
３０…放熱部材
４０…接合層
Ｂｓ２０，Ｂｓ２０１，Ｂｓ２０２，Ｂｓ２０３…亜結晶粒界
ＣＳ２０…（反射膜の）断面
Ｇ２０，Ｇ２０１…結晶粒
Ｇｓ２０，Ｇｓ２０１，Ｇｓ２０２，Ｇｓ２０３…亜結晶粒 Reference Signs List 1... wavelength conversion member 2... light source device 3... wavelength conversion device 4... light source 10... ceramic phosphor 20... reflective film 30... heat dissipation member 40... bonding layer Bs20, Bs201, Bs202, Bs203... subgrain boundary CS20... cross section (of reflective film) G20, G201... grain Gs20, Gs201, Gs202, Gs203... subgrain

Claims

A wavelength conversion member,
A ceramic phosphor that converts the wavelength of incident light;
a reflective film disposed on the ceramic phosphor and including metal crystal grains that reflect light;
The crystal grains are
Does not contain subgrains,
or
If it contains subgrains,
In a cross section of the reflective film in a thickness direction along a lamination direction of the ceramic phosphor and the reflective film,
The subgrain boundaries do not cross the interior,
a ratio of a total area of subgrains exposed on both the ceramic phosphor side and the opposite side of the ceramic phosphor to an area of the crystal grains is 30% or more;
A wavelength conversion member characterized by:

A wavelength conversion device,
The wavelength conversion member according to claim 1 ,
a heat dissipation member that dissipates heat of the ceramic phosphor to the outside;
A bonding layer that bonds the wavelength conversion member and the heat dissipation member.
A wavelength conversion device characterized by:

A light source device,
A wavelength conversion device according to claim 2;
A light source that irradiates the ceramic phosphor with light.
A light source device characterized by: