JP2012079989A - Light source device and lighting fixture - Google Patents

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Yasuyuki Miyake
康之 三宅
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow sufficiently higher brightness than before, and to prevent color unevenness in an emission point of a phosphor layer.SOLUTION: The light source device includes a solid light source 5 which emits light in a predetermined wavelength among the wavelength region from ultraviolet light to visible light, and a phosphor layer 2 containing at least one kind of phosphor which is excited by the excitation light from the solid light source 5 to emit fluorescence of the wavelength longer than the emission wavelength of the solid light source 5, with the solid light source 5 and the phosphor layer 2 being arranged away from each other in terms of space. The phosphor layer 2 is attached on a light reflecting stage 6 of truncated pyramid shape or truncated cone shape. The light reflecting stage 6 is attached to a light absorbing member 9. The shape and cross sectional area of the beam, which is the excitation light from the solid light source 5 that enters the phosphor layer 2 attached on the light reflecting stage 6, on the incidence surface of the phosphor layer is similar to the shape and area of the entire incidence surface of the phosphor layer.

Description

本発明は、光源装置および照明装置に関する。   The present invention relates to a light source device and an illumination device.

LED等の光半導体と蛍光体層を組み合わせた光源装置は広く普及しているが、近年では高輝度化が進み、一般照明や自動車のヘッドランプなどその応用範囲が広がってきている。このような光源装置は、今後も高輝度化することで、さらに多様な用途での普及が進むと考えられている。   A light source device combining an optical semiconductor such as an LED and a phosphor layer has been widely used. However, in recent years, the brightness has been increased, and its application range such as general lighting and automobile headlamps has been expanded. It is considered that such light source devices will continue to be widely used in various applications by increasing the luminance.

このような光半導体と蛍光体層を組み合わせた光源装置を高輝度化するための手段として、光半導体に大電流を投入し光半導体からの励起光強度を強めることが考えられるが、実際には蛍光体層で熱が発生し、蛍光体層において樹脂成分の変色や蛍光体の温度消光による蛍光強度の低下が生じてしまう。このため、結果として、発光強度は飽和、減少し、光半導体と蛍光体層を組み合わせた光源装置の高輝度化は困難であった。   As a means for increasing the brightness of a light source device combining such an optical semiconductor and a phosphor layer, it is conceivable to increase the excitation light intensity from the optical semiconductor by supplying a large current to the optical semiconductor. Heat is generated in the phosphor layer, and in the phosphor layer, the fluorescence intensity decreases due to discoloration of the resin component or temperature quenching of the phosphor. Therefore, as a result, the emission intensity is saturated and decreased, and it is difficult to increase the luminance of the light source device that combines the optical semiconductor and the phosphor layer.

ここで、蛍光体層内の樹脂成分の変色とは、通常、蛍光体層は一定の形状に再現性良く形成するため、蛍光体粉末を樹脂成分と混練してペースト状に調製し、印刷法等を用いて塗布形成しており、この樹脂成分が加熱され200℃程度以上になると変色してしまう現象のことである。樹脂成分は本来透明であるため、熱により樹脂成分に変色が起きると、光半導体からの励起光や蛍光体層からの蛍光の一部を吸収してしまい、高輝度化を妨げる要因となっていた。   Here, the discoloration of the resin component in the phosphor layer means that the phosphor layer is usually formed into a fixed shape with good reproducibility. This is a phenomenon in which the resin component is discolored when the resin component is heated to about 200 ° C. or higher. Since the resin component is inherently transparent, if the resin component is discolored by heat, it absorbs a part of the excitation light from the optical semiconductor and the fluorescence from the phosphor layer, which prevents high brightness. It was.

また、蛍光体の温度消光とは、蛍光体を加熱すると蛍光強度が低下する現象のことである。温度消光により蛍光強度が低下すると、蛍光に変換されなかったエネルギーが熱となるため蛍光体の発熱量が増加し、さらに蛍光体の温度が上昇して温度消光が進み、蛍光強度もさらに低下するという現象が起きる。このため、熱により発生する蛍光体の温度消光も、高輝度化を妨げる要因となっていた。   The temperature quenching of the phosphor is a phenomenon in which the fluorescence intensity decreases when the phosphor is heated. If the fluorescence intensity decreases due to temperature quenching, the energy that has not been converted to fluorescence becomes heat, so the amount of heat generated by the phosphor increases, the temperature of the phosphor rises, temperature quenching proceeds, and the fluorescence intensity further decreases. This happens. For this reason, temperature quenching of the phosphors generated by heat has also been a factor that hinders high brightness.

これらの問題を解決するために、特許文献1には、樹脂を含まない蛍光体層を用いた光源装置が提案されている。この場合、蛍光体層は、樹脂成分を含まないため変色は起こらず、さらに蛍光体層を温度感受性の低い蛍光体のセラミックス層とするために温度消光が起きないので、高輝度化が可能である。また、図1のように蛍光体層92を光半導体95と直接接合することで、蛍光体層92で発生した熱を光半導体(固体光源)95側に放散することを意図していた。   In order to solve these problems, Patent Document 1 proposes a light source device using a phosphor layer that does not contain a resin. In this case, since the phosphor layer does not contain a resin component, discoloration does not occur, and furthermore, temperature quenching does not occur because the phosphor layer is a ceramic layer of a phosphor with low temperature sensitivity, so that high brightness can be achieved. is there. In addition, as shown in FIG. 1, the phosphor layer 92 is directly bonded to the optical semiconductor 95 to dissipate heat generated in the phosphor layer 92 to the optical semiconductor (solid light source) 95 side.

特開2006−005367号公報JP 2006-005367 A

ところで、従来の図1に示すような光半導体95と蛍光体層92とが直接接合された光源装置では、蛍光体層92の熱を光半導体95側に放散することを意図しているが、光半導体95の励起光強度を高めた場合、蛍光体層92のみならず光半導体95でも発熱が起きるため、蛍光体層92の発熱を同じく発熱している光半導体95の側から放散させることとなり、熱放散の効率が良くなく、高輝度化には限界があった。   By the way, in the conventional light source device in which the optical semiconductor 95 and the phosphor layer 92 are directly joined as shown in FIG. 1, the heat of the phosphor layer 92 is intended to be dissipated to the optical semiconductor 95 side. When the excitation light intensity of the optical semiconductor 95 is increased, heat is generated not only in the phosphor layer 92 but also in the optical semiconductor 95, so that the heat generation in the phosphor layer 92 is dissipated from the side of the optical semiconductor 95 that is also generating heat. The efficiency of heat dissipation is not good, and there is a limit to increasing the brightness.

本願の発明者は、従来に比べて十分な高輝度化を図るため、本願の先願(特願2009−286397)において、光半導体と蛍光体層とを空間的に離して配置する構成を取り入れた。   The inventor of the present application adopts a configuration in which the optical semiconductor and the phosphor layer are spatially separated from each other in the prior application (Japanese Patent Application No. 2009-286397) of the present application in order to achieve a sufficiently high brightness as compared with the prior art. It was.

しかしながら、本願の発明者は、光半導体と蛍光体層を空間的に離して配置する構成を検討する中で、蛍光体層上の発光点内において発光色にムラが生じる現象を見出した。図2(a)には、光半導体として青色半導体レーザーを用い、蛍光体層として樹脂成分を含まない黄色蛍光体であるYAG蛍光体セラミックスを用い、蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面(この面を、本発明では蛍光体層入射面と呼ぶ)とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて蛍光を取り出す反射方式を用いた場合における、蛍光体層での発光点(発光パターン)の概略が示されている。なお、ここで用いた青色半導体レーザーからの励起光の蛍光体層入射面60上でのビームの断面積は、蛍光体層入射面60全体の面積よりもかなり小さいものであった。図2(a)において、符号Aで示す領域は発光点の中心部(青色半導体レーザーからの励起光の蛍光体層入射面60上でのビームの断面積に相当する部分)であり、符号Bで示す領域は発光点の周辺部である。ここで、青色半導体レーザーからの励起光の蛍光体層入射面60上でのビームの光強度(明るさ)は、ランバーシアンとなっており、発光点の中心部Aの中央Oで最も強く、発光点の中心部Aの外縁AEでは、発光点の中心部Aの中央Oの50%程度の光強度(明るさ、光量)となり、発光点の周辺部Bの外縁BEでは、発光点の中心部Aの中央Oの10%程度の光強度(明るさ、光量)となっている。図2(b)には、発光点の中心部Aと発光点の周辺部Bとの色度の測定結果が示されている。図2(b)の結果から、発光点の中心部Aは、青色半導体レーザーからの励起光の光量が十分あり、十分な量の青色の励起光と黄色の蛍光との混色によって白色であるのに対し、発光点の周辺部Bは、青色半導体レーザーからの励起光の光量が少なく(すなわち、青色の量が少なく)、発光点の中心部Aに対して黄色側の色度を示していることがわかる。   However, the inventors of the present application have found a phenomenon in which unevenness occurs in the emission color in the light emitting point on the phosphor layer while examining the configuration in which the optical semiconductor and the phosphor layer are arranged spatially apart. In FIG. 2A, a blue semiconductor laser is used as an optical semiconductor, a YAG phosphor ceramic, which is a yellow phosphor not containing a resin component, is used as a phosphor layer, and excitation light is incident on the surface of the phosphor layer. In the case of using a reflection system that takes out fluorescence using reflection by a reflection surface provided on the side opposite to the side surface (this surface is referred to as a phosphor layer incident surface in the present invention), An outline of the light emission point (light emission pattern) is shown. In addition, the cross-sectional area of the beam on the phosphor layer incident surface 60 of the excitation light from the blue semiconductor laser used here was considerably smaller than the area of the entire phosphor layer incident surface 60. In FIG. 2 (a), the area indicated by the symbol A is the center of the light emitting point (the portion corresponding to the cross-sectional area of the beam of the excitation light from the blue semiconductor laser on the phosphor layer incident surface 60). The region indicated by is the peripheral portion of the light emitting point. Here, the light intensity (brightness) of the beam of the excitation light from the blue semiconductor laser on the phosphor layer incident surface 60 is Lambertian, and is the strongest at the center O of the central portion A of the emission point. At the outer edge AE of the central part A of the light emitting point, the light intensity (brightness, light quantity) is about 50% of the center O of the central part A of the light emitting point, and at the outer edge BE of the peripheral part B of the light emitting point. The light intensity (brightness, light quantity) is about 10% of the center O of the part A. FIG. 2B shows the measurement results of the chromaticity of the central portion A of the light emitting point and the peripheral portion B of the light emitting point. From the result of FIG. 2B, the central portion A of the light emitting point has a sufficient amount of excitation light from the blue semiconductor laser, and is white due to a mixture of a sufficient amount of blue excitation light and yellow fluorescence. On the other hand, the peripheral portion B of the light emitting point has a small amount of excitation light from the blue semiconductor laser (that is, the amount of blue light is small) and exhibits chromaticity on the yellow side with respect to the central portion A of the light emitting point. I understand that.

このような発光点(発光パターン)内の色ムラを有する光源装置を、実際に照明装置に用いる場合、その照明光も色ムラを有することになるため、実用上大きな問題となる。   When such a light source device having color unevenness within the light emitting point (light emission pattern) is actually used in an illumination device, the illumination light also has color unevenness, which is a serious problem in practice.

本発明は、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、蛍光体層での発光点(発光パターン)内の色ムラを防止することの可能な光源装置および照明装置を提供することを目的としている。   The present invention provides a light source device and an illuminating device that can achieve a sufficiently high luminance as compared with the prior art and can prevent color unevenness in a light emitting point (light emitting pattern) in a phosphor layer. The purpose is to provide.

上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを有し、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されている光源装置であって、前記蛍光体層は、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座上に取り付けられ、該光反射性台座は、光吸収性部材に取り付けられており、前記光反射性台座上に取り付けられている前記蛍光体層に入射する前記固体光源からの励起光の蛍光体層入射面上でのビームの形状および断面積は、前記蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいことを特徴としている。   In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 is excited by a solid light source that emits light of a predetermined wavelength in a wavelength region from ultraviolet light to visible light, and excitation light from the solid light source. A phosphor layer including at least one kind of phosphor that emits fluorescence having a longer wavelength than the emission wavelength of the solid-state light source, and the solid-state light source and the phosphor layer are spatially separated from each other. In the light source device, the phosphor layer is mounted on a truncated pyramid-shaped or truncated cone-shaped light-reflecting pedestal, and the light-reflecting pedestal is mounted on a light-absorbing member. The shape and cross-sectional area of the beam on the phosphor layer incident surface of the excitation light from the solid-state light source incident on the phosphor layer mounted on the reflective pedestal are the shape of the entire phosphor layer incident surface and It is characterized by being approximately equal to the area.

また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の光源装置において、前記光反射性台座は、前記蛍光体層の取り付け部分および外周の全てが光反射性のものであるか、または、前記蛍光体層の取り付け部分が光反射性のものであって外周は光吸収性材料で覆われていることを特徴としている。   Further, the invention according to claim 2 is the light source device according to claim 1, wherein the light-reflecting pedestal is such that all of the attachment portion and outer periphery of the phosphor layer are light-reflective, or The phosphor layer is attached to a light-reflective portion, and the outer periphery is covered with a light-absorbing material.

また、請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置である。   The invention described in claim 3 is an illumination device characterized in that the light source device described in claim 1 or claim 2 is used.

請求項1、請求項2記載の発明によれば、紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを有し、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されている光源装置であって、前記蛍光体層は、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座上に取り付けられ、該光反射性台座は、光吸収性部材に取り付けられており、前記光反射性台座上に取り付けられている前記蛍光体層に入射する前記固体光源からの励起光の蛍光体層入射面(蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面)上でのビームの形状および断面積は、前記蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいので、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、蛍光体層での発光点(発光パターン)内の色ムラを防止することができる。また、前記光反射性台座は、光吸収性部材に取り付けられているので、蛍光体層に入射しなかった(蛍光体層からはみ出した)励起光(例えば半導体レーザーからのコヒーレント光である励起光)を光吸収性部材によって吸収することができ、蛍光体層に入射しなかった(蛍光体層からはみ出した)励起光がそのまま照明光として投射されて人体に危害を及ぼす危険性を防止することができる。   According to the first and second aspects of the invention, the solid light source that emits light of a predetermined wavelength in the wavelength region from ultraviolet light to visible light, and the solid that is excited by the excitation light from the solid light source A light source device including a phosphor layer including at least one type of phosphor that emits fluorescence having a wavelength longer than a light emission wavelength of the light source, wherein the solid light source and the phosphor layer are arranged spatially apart from each other The phosphor layer is mounted on a truncated-pyramidal or truncated-cone light reflecting pedestal, and the light reflecting pedestal is mounted on a light-absorbing member; The shape of the beam of the excitation light from the solid-state light source incident on the phosphor layer mounted on the pedestal on the phosphor layer incident surface (the surface of the phosphor layer on which the excitation light is incident) And the cross-sectional area is the shape and area of the entire phosphor layer entrance surface Since approximately equal, it is possible to achieve a sufficiently high brightness as compared with prior art, and it is possible to prevent the color unevenness in the light emitting point (light emission pattern) of the phosphor layer. In addition, since the light-reflecting pedestal is attached to the light-absorbing member, excitation light that is not incident on the phosphor layer (extruded from the phosphor layer) (for example, excitation light that is coherent light from a semiconductor laser) ) Can be absorbed by the light-absorbing member, and the excitation light that has not entered the phosphor layer (extruded from the phosphor layer) is directly projected as illumination light to prevent the danger of harming the human body. Can do.

また、請求項3記載の発明によれば、請求項1または請求項2に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置であるので、照明光も色ムラを防止することができる。   Further, according to the invention described in claim 3, since the illumination device is characterized in that the light source device described in claim 1 or claim 2 is used, the illumination light can also prevent color unevenness. it can.

従来の光源装置を示す図である。It is a figure which shows the conventional light source device. 発光点(発光パターン)内の色ムラを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the color nonuniformity in a light emission point (light emission pattern). 本発明の光源装置の一構成例を示す図である。It is a figure which shows the example of 1 structure of the light source device of this invention. 蛍光体層に入射する固体光源からの励起光の蛍光体層入射面上でのビームの形状および断面積が、蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しい場合を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a case where the shape and the cross-sectional area of the excitation light from the solid-state light source incident on the phosphor layer on the phosphor layer incident surface are substantially equal to the shape and area of the entire phosphor layer incident surface. is there. 本発明の光源装置の他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the light source device of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図3(a),(b)は、本発明の光源装置の一構成例を示す図である。なお、図3(a)は全体の正面図、図3(b)は蛍光体層が設けられている部分の平面図である。図3(a)を参照すると、この光源装置10は、紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源5と、該固体光源5からの励起光により励起され該固体光源5の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層2とを備え、固体光源5と蛍光体層2とが空間的に離れて配置されている。   FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a configuration example of the light source device of the present invention. 3A is a front view of the whole, and FIG. 3B is a plan view of a portion where a phosphor layer is provided. Referring to FIG. 3A, the light source device 10 is excited by a solid light source 5 that emits light having a predetermined wavelength in a wavelength region from ultraviolet light to visible light, and excitation light from the solid light source 5. And a phosphor layer 2 containing at least one kind of phosphor that emits fluorescence having a longer wavelength than the emission wavelength of the solid light source 5, and the solid light source 5 and the phosphor layer 2 are arranged spatially separated from each other. ing.

ここで、図3(a),(b)に示すように、蛍光体層2は、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座6(図3(a),(b)の例では、截頭四角錐形状の光反射性台座6)上に取り付けられ、該光反射性台座6は、光吸収性部材(光吸収性基板)9に取り付けられている。光反射性台座6は、蛍光体層2の取り付け部分および截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周の全てが光反射性のものとなっていても良いし、あるいは、蛍光体層2の取り付け部分が光反射性のものであって蛍光体層2の取り付け部分以外の部分(截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周など)は光吸収性材料(例えば黒色塗料など)で覆われていても良い。なお、上記いずれの場合にも、光反射性台座6は、蛍光体層2で発生する熱を放熱する機能を有しているのが好ましく、光反射性台座6自体には、熱伝導率の大きな材料が用いられ、また、光反射性台座6は、中実構造であるのが好ましい。   Here, as shown in FIGS. 3A and 3B, the phosphor layer 2 includes a truncated pyramid-shaped or truncated cone-shaped light-reflecting pedestal 6 (an example of FIGS. 3A and 3B). Then, it is attached on a light reflecting pedestal 6) having a truncated quadrangular pyramid shape, and the light reflecting pedestal 6 is attached to a light absorbing member (light absorbing substrate) 9. The light-reflecting pedestal 6 may be light-reflective on the attachment portion of the phosphor layer 2 and the outer periphery of the truncated pyramid shape or truncated cone shape, or the phosphor layer 2 may be attached. The part is light-reflective, and the part other than the attachment part of the phosphor layer 2 (such as a truncated pyramid shape or an outer periphery of the truncated cone shape) is covered with a light absorbing material (for example, black paint). Also good. In any of the above cases, the light reflective pedestal 6 preferably has a function of dissipating heat generated in the phosphor layer 2, and the light reflective pedestal 6 itself has a thermal conductivity. A large material is used, and the light-reflective base 6 preferably has a solid structure.

このように、この光源装置10は、基本的には、本願の先願(特願2009−286397)と同様に、固体光源5と蛍光体層2とを空間的に離して配置し、蛍光体層2の面のうち固体光源5からの励起光が入射する側の面(蛍光体層入射面)とは反対側に設けられた反射面(光反射性台座6の蛍光体層取り付け面)による反射を用いて蛍光などの光を取り出す方式(以下、反射方式と称す)が採用されている。これにより、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能となる。   As described above, the light source device 10 basically has the solid light source 5 and the phosphor layer 2 arranged spatially separated in the same manner as the prior application (Japanese Patent Application No. 2009-286397) of the present application. By the reflecting surface (phosphor layer mounting surface of the light-reflecting pedestal 6) provided on the side opposite to the surface (phosphor layer incident surface) on the side where the excitation light from the solid light source 5 is incident among the surfaces of the layer 2 A method of extracting light such as fluorescence using reflection (hereinafter referred to as a reflection method) is employed. Thereby, it is possible to achieve a sufficiently high luminance as compared with the conventional case.

ところで、本発明では、光反射性台座6上に取り付けられている蛍光体層2に入射する固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面(蛍光体層2の面のうち固体光源5からの励起光が入射する側の面)上でのビームの形状および断面積が、蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいものとなるようにしている。ここで、蛍光体層2に入射する固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面上でのビームの形状および断面積が、蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいとは、例えば図4(a),(b)に示すように、蛍光体層2に入射する固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の形状が蛍光体層入射面16全体の形状とほぼ同じであり(図4(a),(b)の例では、蛍光体層入射面16上でのビーム17の形状は、略長方形であるが、角が丸くなっている点で、いくらか相違している)、蛍光体層2に入射する固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積が、蛍光体層入射面16全体の面積の80%〜120%の範囲であることを意味している。具体的に、図4(a),(b)の例では、励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の縦方向Yの幅BYが蛍光体層入射面16全体の縦方向Yの幅PYと同じになっており、図4(a)では、励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の横方向Xの長さBXが蛍光体層入射面16全体の横方向Xの長さPXの80%、図4(b)では、励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の横方向Xの長さBXが蛍光体層入射面16全体の横方向Xの長さPXの120%となっている。   By the way, in the present invention, the phosphor layer incident surface of the excitation light from the solid light source 5 incident on the phosphor layer 2 mounted on the light reflective pedestal 6 (from the solid light source 5 out of the surfaces of the phosphor layer 2). The shape and the cross-sectional area of the beam on the surface on which the excitation light is incident are substantially the same as the shape and area of the entire phosphor layer incident surface. Here, the shape and the cross-sectional area of the beam on the phosphor layer incident surface of the excitation light from the solid light source 5 incident on the phosphor layer 2 are substantially equal to the shape and area of the entire phosphor layer incident surface. For example, as shown in FIGS. 4A and 4B, the shape of the beam 17 of the excitation light from the solid light source 5 incident on the phosphor layer 2 on the phosphor layer incident surface 16 is the phosphor layer incident surface 16. The shape is almost the same as the whole shape (in the example of FIGS. 4A and 4B, the shape of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 is substantially rectangular, but the corners are rounded). The cross-sectional area of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 of the excitation light from the solid light source 5 incident on the phosphor layer 2 is the total area of the phosphor layer incident surface 16. It means that it is in the range of 80% to 120%. Specifically, in the example of FIGS. 4A and 4B, the width BY in the longitudinal direction Y of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 of the excitation light is equal to the longitudinal direction Y of the entire phosphor layer incident surface 16. 4A, the length BX of the beam 17 in the lateral direction X of the excitation light on the phosphor layer incident surface 16 is the lateral direction of the entire phosphor layer incident surface 16 in FIG. In FIG. 4B, the length BX of the beam 17 in the lateral direction X of the excitation light on the phosphor layer incident surface 16 is equal to the lateral direction X of the entire phosphor layer incident surface 16 in FIG. It is 120% of the length PX.

図4(a),(b)の例のように蛍光体層入射面16上でのビーム17の形状を略長方形のものとするためには、光半導体(発光ダイオードや半導体レーザーなど)の出射口にコリメートレンズ(図示せず)を設け、光半導体(発光ダイオードや半導体レーザーなど)からの出射光の形状(通常は円形形状)をコリメートレンズによって整形することにより、実現できる。但し、完全な長方形のビームを作ることは難しく、通常は、図4(a),(b)に示すビーム17のような略長方形の形状のものとなる。また、蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積は、光半導体(発光ダイオードや半導体レーザーなど)の出射口とコリメートレンズとの距離を変化させることで、調整することが可能である。また、蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積は、励起光の蛍光体層2への入射角度を調整することによっても、調整可能である。例えば、励起光を90°の入射角度で蛍光体層2へ入射させた場合に比べ、45°の入射角度で入射させた場合の方が、蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積を大きくすることができる。また、蛍光体層入射面16上でのビーム17の形状および断面積は、コリメートレンズの曲面を任意に設計することで、調整することも可能である。なお、本発明において、固体光源5とは、光半導体(発光ダイオードや半導体レーザーなど)のみならず、コリメートレンズなどの光学系も含まれているものであるとする。また、ビーム17の断面積を測定するには、蛍光体層2の代わりに、CCDカメラを有するビームプロファイラを配置し、ビーム17をプロファイラへ入射することで測定することができる。   As shown in FIGS. 4A and 4B, in order to make the shape of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 substantially rectangular, the emission of an optical semiconductor (such as a light emitting diode or a semiconductor laser) is performed. This can be realized by providing a collimating lens (not shown) at the mouth and shaping the shape of the light emitted from the optical semiconductor (such as a light emitting diode or a semiconductor laser) (usually a circular shape) with the collimating lens. However, it is difficult to produce a perfect rectangular beam, and usually a substantially rectangular shape such as the beam 17 shown in FIGS. The cross-sectional area of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 can be adjusted by changing the distance between the exit of the optical semiconductor (such as a light emitting diode or a semiconductor laser) and the collimating lens. . The cross-sectional area of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 can also be adjusted by adjusting the incident angle of the excitation light to the phosphor layer 2. For example, when the excitation light is incident on the phosphor layer 2 at an incident angle of 90 °, the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 is cut off when incident at an incident angle of 45 °. The area can be increased. Further, the shape and cross-sectional area of the beam 17 on the phosphor layer incident surface 16 can be adjusted by arbitrarily designing the curved surface of the collimating lens. In the present invention, it is assumed that the solid light source 5 includes not only an optical semiconductor (such as a light emitting diode or a semiconductor laser) but also an optical system such as a collimating lens. Further, the cross-sectional area of the beam 17 can be measured by arranging a beam profiler having a CCD camera instead of the phosphor layer 2 and making the beam 17 incident on the profiler.

このように、本発明では、蛍光体層に入射する固体光源からの励起光の蛍光体層入射面上でのビームの形状および断面積を、蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいものとすることにより、蛍光体層2全面からほぼ同じ比率で励起光と蛍光を取り出すことが可能となり(蛍光体層2全面からほぼ同じ比率で励起光の色(例えば青色)と蛍光の色(例えば黄色)とを混ぜ合わせることが可能となり)、結果として、図2(a)に示したような発光点(発光パターン)内の色ムラを抑制することができる。換言すれば、光半導体として例えば青色半導体レーザーを用い、蛍光体層2として例えば樹脂成分を含まない黄色蛍光体であるYAG蛍光体セラミックスを用いるとした場合、蛍光体層2のほぼ全面を発光点の中心部Aとすることができ、発光点の周辺部Bをほとんどなくすことができるので、十分な量の青色の励起光と黄色の蛍光との混色によって蛍光体層2のほぼ全面を白色発光のものにし、黄色発光の部分をほとんどなくすことができて、図2(a)に示したような発光点(発光パターン)内の色ムラを抑制することができる。以上のように、本発明は、励起光の色と蛍光の色とを混ぜて使う場合に適用できる。   Thus, in the present invention, the shape and cross-sectional area of the beam on the phosphor layer incident surface of the excitation light from the solid light source incident on the phosphor layer are substantially equal to the shape and area of the entire phosphor layer incident surface. Thus, excitation light and fluorescence can be extracted from the entire surface of the phosphor layer 2 at substantially the same ratio (excitation light color (for example, blue) and fluorescence color (for example, blue) and fluorescence color (from the entire surface of the phosphor layer 2). As a result, color unevenness in the light emission points (light emission pattern) as shown in FIG. 2A can be suppressed. In other words, when, for example, a blue semiconductor laser is used as the optical semiconductor and a YAG phosphor ceramic, which is a yellow phosphor containing no resin component, is used as the phosphor layer 2, almost the entire phosphor layer 2 has a light emitting point. Since the peripheral part B of the light emitting point can be almost eliminated, almost the entire surface of the phosphor layer 2 emits white light by mixing a sufficient amount of blue excitation light and yellow fluorescence. Thus, the yellow light emission portion can be almost eliminated, and the color unevenness in the light emission point (light emission pattern) as shown in FIG. 2A can be suppressed. As described above, the present invention can be applied to the case where the excitation light color and the fluorescence color are mixed and used.

なお、上述の構成において、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座6は、その截頭頂上部に蛍光体層2を取り付けるのが容易であることから、製品の歩留まりを向上させることを可能にし、また、蛍光体層2の熱をより効率良く放熱させる(熱引きする)ことを可能とするものである。また、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座6は、蛍光体層2を通って入射してくる光を固体光源5側に反射する役割と、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光(コヒーレント光である励起光)を光吸収性部材(光吸収性基板)9へと反射する役割をも有している。   In addition, in the above-described configuration, the light reflecting pedestal 6 having a truncated pyramid shape or a truncated cone shape can easily attach the phosphor layer 2 to the top of the truncated cone, thereby improving the product yield. In addition, the heat of the phosphor layer 2 can be radiated (heated) more efficiently. Further, the light reflecting pedestal 6 having a truncated pyramid shape or a truncated cone shape reflects the light incident through the phosphor layer 2 toward the solid light source 5 and does not enter the phosphor layer 2. Further, it also has a role of reflecting the excitation light (excitation light that is coherent light) (extruded from the phosphor layer 2) to the light absorbing member (light absorbing substrate) 9.

さらに本発明では、固体光源5に半導体レーザーを使用する場合、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)固体光源5からの励起光(コヒーレント光である励起光)がそのまま照明光として投射されてしまい人体に危害を及ぼすのを防止することを意図している。具体的には、固体光源5に半導体レーザーを使用した反射型の光源装置では、発光強度を高めるために蛍光体層2を反射率の高い光反射性基板上に設ける場合が多いが、固体光源5からの励起光のビーム断面積が蛍光体層入射面の面積よりも大きな場合(すなわち、固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積が、蛍光体層入射面16全体の面積の100%〜120%の範囲である場合(例えば図4(b)のような場合))には、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光が光反射性基板で反射され、コヒーレント光である励起光がそのまま照明光として投射されてしまい、人体に危害を及ぼす危険性があった。また、固体光源5からの励起光のビームの断面積と蛍光体層入射面の面積がほぼ同じか小さくなる組み合わせであっても(すなわち、固体光源5からの励起光の蛍光体層入射面16上でのビーム17の断面積が、蛍光体層入射面16全体の面積の80%〜100%の範囲であっても(例えば図4(a)のような場合であっても))、使用中に外部の振動などにより光軸がずれた場合には、同様の現象が発生する可能性があった。そこで、本発明では、光反射性台座6を光吸収性部材(光吸収性基板)9に取り付け、実質的に、蛍光体層2の周囲に光吸収性部材(光吸収性基板)9を設けることで、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光を光吸収性部材(光吸収性基板)9によって吸収し、上記のような危険性を防止するようにしている。なお、このとき、光反射性台座6の截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周の全てが光反射性のものとなっていても、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光は、光反射性台座6の截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周で光吸収性部材(光吸収性基板)9の方に向けて反射されて、光吸収性部材(光吸収性基板)9で吸収されるので、問題はない。また、截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周が光吸収性材料(例えば黒色塗料など)で覆われているときには、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光は、光反射性台座6の截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周で吸収され、光反射性台座6の截頭角錐形状または截頭円錐形状の外周で吸収されなかった一部の励起光は、光吸収性部材(光吸収性基板)9で吸収されるので、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光(コヒーレント光である励起光)がそのまま照明光として投射されてしまうのをより確実に防止することが可能となる。   Further, in the present invention, when a semiconductor laser is used for the solid light source 5, the excitation light (excitation light that is coherent light) from the solid light source 5 that is not incident on the phosphor layer 2 (that protrudes from the phosphor layer 2) is generated. It is intended to prevent it from being directly projected as illumination light and causing harm to the human body. Specifically, in a reflective light source device using a semiconductor laser as the solid light source 5, the phosphor layer 2 is often provided on a highly reflective light reflective substrate in order to increase the emission intensity. 5 is larger than the area of the phosphor layer incident surface (that is, the sectional area of the beam 17 of the excitation light from the solid light source 5 on the phosphor layer incident surface 16 is When it is in the range of 100% to 120% of the entire area of the layer incident surface 16 (for example, as shown in FIG. 4B), the light does not enter the phosphor layer 2 (extends from the phosphor layer 2). The excitation light is reflected by the light-reflective substrate, and the excitation light, which is coherent light, is projected as it is as illumination light, and there is a danger of harming the human body. Further, even if the cross-sectional area of the excitation light beam from the solid light source 5 and the area of the phosphor layer incident surface are substantially the same or smaller (that is, the phosphor layer incident surface 16 of the excitation light from the solid light source 5). Even if the cross-sectional area of the beam 17 above is in the range of 80% to 100% of the total area of the phosphor layer entrance surface 16 (for example, as shown in FIG. 4A), it is used. When the optical axis is shifted due to external vibrations, a similar phenomenon may occur. Therefore, in the present invention, the light-reflecting pedestal 6 is attached to the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9, and the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9 is substantially provided around the phosphor layer 2. Thus, the excitation light that has not entered the phosphor layer 2 (that protrudes from the phosphor layer 2) is absorbed by the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9 to prevent the above-described danger. ing. At this time, even if the entire outer periphery of the truncated pyramid shape or truncated cone shape of the light reflective pedestal 6 is light reflective, it did not enter the phosphor layer 2 (phosphor layer 2). The excitation light that protrudes from the outer periphery of the truncated pyramid shape or truncated cone shape of the light-reflecting pedestal 6 is reflected toward the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9 to form the light-absorbing member. Since it is absorbed by (light absorbing substrate) 9, there is no problem. Further, when the outer periphery of the truncated pyramid shape or the truncated cone shape is covered with a light absorbing material (for example, black paint), the excitation that did not enter the phosphor layer 2 (extruded from the phosphor layer 2) The light is absorbed by the outer periphery of the truncated pyramid shape or truncated cone shape of the light-reflecting pedestal 6, and a part of the excitation that is not absorbed by the outer periphery of the truncated cone pyramid shape or truncated cone shape of the light-reflecting pedestal 6 Since the light is absorbed by the light absorbing member (light absorbing substrate) 9, the excitation light (excitation light that is coherent light) that is not incident on the phosphor layer 2 (extruded from the phosphor layer 2) remains as it is. It is possible to more reliably prevent projection as illumination light.

なお、本発明において、蛍光体層2とは、励起光を吸収し励起光よりも長波長の蛍光を発光する蛍光体を含むものである。蛍光体には有機物、無機物、有機無機複合体があるが、信頼性に優れる無機物の蛍光体を使用することが望ましい。蛍光体層2は、樹脂やガラスなどのマトリックス中に蛍光体を分散させる方法や、無機物のみからなる樹脂成分を実質的に含まない方法などで、形成することが出来る。また、高輝度化を実現するためには、蛍光体層2には、樹脂成分を実質的に含まない蛍光体層が用いられるのが好ましい。ここで、樹脂成分を実質的に含まない蛍光体層とは、蛍光体層の形成に通常使用される樹脂成分が蛍光体層の5wt%以下であるものを意味する。このような蛍光体層を実現するものとして、蛍光体粉末をガラス中に分散させたもの、ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体、蛍光体の単結晶や蛍光体の多結晶体(以下、蛍光体セラミックスという)などが挙げられる。なお、蛍光体セラミックスには、蛍光体とそれとは異なる組成のセラミックスからなる多結晶体も含まれる。蛍光体セラミックスは、蛍光体の製造過程において、焼成前に材料を任意の形状に成形し、焼成した蛍光体の塊である。蛍光体セラミックスは、その製造工程のうち、成形工程においてバインダーとして有機物を使用する場合があるが、成形後に脱脂工程を設け有機成分を焼き飛ばすため、焼成後の蛍光体セラミックスには有機樹脂成分は5wt%以下しか残留しない。したがって、樹脂成分を実質的に含まない蛍光体層は、そのほとんどが無機物質のみから構成されているため、熱による変色が発生することがない。また、無機物質のみからなるガラスやセラミックスは、一般に樹脂よりも熱伝導率が高いため、蛍光体層から基板への熱放散においても有利である。特に蛍光体セラミックスは、一般的に、ガラスよりもさらに熱伝導率が高く、単結晶より製造コストが安いため好適である。   In the present invention, the phosphor layer 2 includes a phosphor that absorbs excitation light and emits fluorescence having a wavelength longer than that of the excitation light. Phosphors include organic substances, inorganic substances, and organic-inorganic composites, but it is desirable to use inorganic phosphors having excellent reliability. The phosphor layer 2 can be formed by a method in which the phosphor is dispersed in a matrix such as resin or glass, or a method that does not substantially contain a resin component made only of an inorganic substance. In order to achieve high brightness, it is preferable to use a phosphor layer that does not substantially contain a resin component for the phosphor layer 2. Here, the phosphor layer substantially free of the resin component means that the resin component normally used for forming the phosphor layer is 5 wt% or less of the phosphor layer. For realizing such a phosphor layer, a phosphor powder dispersed in glass, a glass phosphor in which a luminescent center ion is added to a glass matrix, a phosphor single crystal or a phosphor polycrystal ( Hereinafter, phosphor ceramics). The phosphor ceramic includes a polycrystalline body made of a phosphor and a ceramic having a composition different from that of the phosphor. The phosphor ceramic is a lump of phosphor that is formed by firing a material into an arbitrary shape before firing in the phosphor manufacturing process. Phosphor ceramics may use an organic substance as a binder in the molding process in the manufacturing process. However, since the organic component is burned off by providing a degreasing process after molding, the organic resin component is not included in the phosphor ceramic after firing. Only 5 wt% or less remains. Accordingly, since most of the phosphor layer substantially free of the resin component is composed of only an inorganic substance, discoloration due to heat does not occur. In addition, glass or ceramics made of only an inorganic substance generally has a higher thermal conductivity than a resin, and thus is advantageous in heat dissipation from the phosphor layer to the substrate. In particular, phosphor ceramics are preferable because they generally have higher thermal conductivity than glass and are less expensive to manufacture than single crystals.

また、光反射性台座6には、金属基板や、アルミナなどの酸化物セラミックス、窒化アルミニウムなどの非酸化セラミックスなどが使用可能であるが、特に高い光反射特性、伝熱特性、加工性を併せ持つ金属基板を使用するのが望ましい。   The light reflective pedestal 6 can be made of a metal substrate, oxide ceramics such as alumina, non-oxide ceramics such as aluminum nitride, etc., and has particularly high light reflection characteristics, heat transfer characteristics, and workability. It is desirable to use a metal substrate.

また、蛍光体層2と光反射性台座6との接合部(図3(a),(b)等には図示せず)には、樹脂、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、金属のろう付けなどを用いることが出来る。光反射性台座6の高い反射率を活用するためには、接合部は透明度が高いほうが望ましく、シリコーン樹脂に代表される樹脂や無機接着剤の使用が望ましい。一方、接合部は、蛍光体層から熱を放散させる役割を担うものであるから、伝熱特性を重視するならば、金属のろう付けや金属成分を含有する導電性接着剤が望ましい。   In addition, a resin, an organic adhesive, an inorganic adhesive, a low-melting glass, a bonding portion (not shown in FIGS. 3A and 3B) between the phosphor layer 2 and the light-reflecting pedestal 6, Metal brazing can be used. In order to utilize the high reflectance of the light-reflecting pedestal 6, it is desirable that the joint has a high transparency, and it is desirable to use a resin typified by a silicone resin or an inorganic adhesive. On the other hand, since the bonding portion plays a role of dissipating heat from the phosphor layer, a conductive adhesive containing metal brazing or a metal component is desirable if importance is attached to heat transfer characteristics.

また、光吸収性部材(光吸収性基板)9には、励起光を吸収する黒色部材が使用可能であり、黒色塗装を施した樹脂や金属などが使用可能である。また、光吸収性部材(光吸収性基板)9を図5のような構成にすることもできる。図5の例では、光吸収性部材(光吸収性基板)9は、底部9aと、側部9bと、天井部9cとを有し、蛍光体層2に入射しなかった(蛍光体層2からはみ出した)励起光(コヒーレント光である励起光)を底部9aで完全に吸収できなかったとしても、これが外部に漏れるのをを側部9bと天井部9cで確実に阻止することができる。なお、図5の例では、蛍光体層2の上部にリフレクタ11が設けられており、リフレクタ11を設ける場合には、蛍光体層2からの光の利用効率を上げることが出来る。   Further, as the light absorbing member (light absorbing substrate) 9, a black member that absorbs excitation light can be used, and a resin or metal that has been subjected to black coating can be used. Further, the light absorbing member (light absorbing substrate) 9 may be configured as shown in FIG. In the example of FIG. 5, the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9 has a bottom portion 9 a, a side portion 9 b, and a ceiling portion 9 c and does not enter the phosphor layer 2 (phosphor layer 2). Even if the excitation light (excitation light that is coherent light) that has protruded from the bottom portion 9a cannot be completely absorbed by the bottom portion 9a, it can be reliably prevented from leaking to the outside by the side portion 9b and the ceiling portion 9c. In the example of FIG. 5, the reflector 11 is provided above the phosphor layer 2. When the reflector 11 is provided, the light utilization efficiency from the phosphor layer 2 can be increased.

次に、本発明の光源装置をより詳細に説明する。   Next, the light source device of the present invention will be described in more detail.

本発明の光源装置において、固体光源5には、紫外光から可視光領域に発光波長をもつ発光ダイオードや半導体レーザーなどが使用可能である。   In the light source device of the present invention, the solid-state light source 5 can be a light emitting diode or a semiconductor laser having an emission wavelength in the range from ultraviolet light to visible light.

より具体的に、固体光源5には、例えば、InGaN系の材料を用いた発光波長が約380nm乃至約400nmの近紫外光を発光する発光ダイオードや半導体レーザーなどを用いることができる。この場合、蛍光体層2の蛍光体としては、波長が約380nm乃至約400nmの紫外光により励起されるものとして、例えば、赤色蛍光体には、CaAlSiN:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN:Eu2+、CaSi:Eu2+、(Ca,Sr)Si:Eu2+、KSiF:Mn4+、KTiF:Mn4+等が用いられ、黄色蛍光体には、(Sr,Ba)SiO:Eu2+、Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+等が用いられ、緑色蛍光体には、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、BaSi12:Eu2+、(Si,Al)(O,N):Eu2+、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+等が用いられ、青色蛍光体には、BaMgAl1017:Eu2+等を用いることができる。 More specifically, the solid-state light source 5 may be, for example, a light emitting diode or semiconductor laser that emits near-ultraviolet light having an emission wavelength of about 380 nm to about 400 nm using an InGaN-based material. In this case, the phosphor of the phosphor layer 2 is excited by ultraviolet light having a wavelength of about 380 nm to about 400 nm. For example, a red phosphor is CaAlSiN 3 : Eu 2+ , (Ca, Sr) AlSiN. 3 : Eu 2+ , Ca 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , KSiF 6 : Mn 4+ , KTiF 6 : Mn 4+ and the like are used as the yellow phosphor. , (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu 2+ , Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu 2+ and the like are used, and (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu 2+ , Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu 2+ , (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu 2+ , BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , Mn 2+ and the like are used, and blue BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ or the like can be used as the color phosphor.

また、固体光源5には、例えば、GaN系の材料を用いた発光波長が約460nm程度の青色光を発光する発光ダイオードや半導体レーザーなどを用いることができる。この場合、蛍光体層2の蛍光体としては、波長が約440nm乃至約470nmの青色光により励起されるものとして、例えば、赤色蛍光体には、CaAlSiN:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN:Eu2+、CaSi:Eu2+、(Ca,Sr)Si:Eu2+、KSiF:Mn4+、KTiF:Mn4+等が用いられ、黄色蛍光体には、YAl12:Ce3+、(Sr,Ba)SiO:Eu2+、Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+等が用いられ、緑色蛍光体には、LuAl12:Ce3+、(Lu,Y)Al12:Ce3+、Y(Ga,Al)12:Ce3+、CaScSi12:Ce3+、CaSc:Eu2+、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、BaSi12:Eu2+、(Si,Al)(O,N):Eu2+等を用いることができる。 The solid-state light source 5 may be, for example, a light emitting diode or semiconductor laser that emits blue light having a light emission wavelength of about 460 nm using a GaN-based material. In this case, as the phosphor of the phosphor layer 2, as the wavelength is excited by the blue light of about 440nm to about 470 nm, for example, the red phosphor, CaAlSiN 3: Eu 2+, ( Ca, Sr) AlSiN 3 : Eu 2+ , Ca 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , KSiF 6 : Mn 4+ , KTiF 6 : Mn 4+ and the like are used as the yellow phosphor. Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ , (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu 2+ , Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu 2+, etc. , Lu 3 Al 5 O 12: Ce 3+, (Lu, Y) 3 Al 5 O 12: Ce 3+, Y 3 (Ga, Al) 5 O 12: Ce 3+, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12: e 3+, CaSc 2 O 4: Eu 2+, (Ba, Sr) 2 SiO 4: Eu 2+, Ba 3 Si 6 O 12 N 2: Eu 2+, (Si, Al) 6 (O, N) 8: Eu 2+ Etc. can be used.

蛍光体層2としては、これらの蛍光体粉末をガラス中に分散させたものや、ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体、樹脂などの結合部材を含まない蛍光体セラミックス等を用いることができる。蛍光体粉末をガラス中に分散させたものの具体例としては、上に列挙した組成の蛍光体粉末をP、SiO、B、Alなどの成分を含むガラス中に分散したものが挙げられる。ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体としては、Ce3+やEu2+を付活剤として添加したCa−Si−Al−O−N系やY−Si−Al−O−N系などの酸窒化物系ガラス蛍光体が挙げられる。蛍光体セラミックスとしては、上に列挙した組成の蛍光体組成からなり、樹脂成分を実質的に含まない焼結体が挙げられる。これらの中でも透光性を有する蛍光体セラミックスを使用することが望ましい。これは、焼結体中に光の散乱の原因となるポアや粒界の不純物がほとんど存在しないために透光性を有するに至った蛍光体セラミックスである。ポアや不純物は熱拡散を妨げる原因にもなるため、透光性セラミックスは高い熱伝導率を示す。このため蛍光体層として利用した場合には励起光や蛍光を拡散により失うことなく蛍光体層から取り出して利用でき、さらに蛍光体層で発生した熱を効率良く放散することができる。透光性を示さない焼結体でも出来るだけポアや不純物の少ないものが望ましい。ポアの残存量を評価する指標としては蛍光体セラミックスの比重の値を用いることができ、その値が計算される理論値に対して95%以上のものが望ましい。 As the phosphor layer 2, a phosphor in which these phosphor powders are dispersed in glass, a glass phosphor in which a luminescent center ion is added to a glass matrix, a phosphor ceramic not including a binding member such as a resin, or the like is used. Can do. As a specific example of the phosphor powder dispersed in glass, the phosphor powder having the composition listed above is contained in a glass containing components such as P 2 O 3 , SiO 2 , B 2 O 3 , and Al 2 O 3. Are dispersed. Examples of glass phosphors in which a luminescent center ion is added to a glass matrix include Ca—Si—Al—O—N and Y—Si—Al—O—N systems in which Ce 3+ or Eu 2+ is added as an activator. Examples thereof include oxynitride glass phosphors. Examples of the phosphor ceramic include a sintered body having a phosphor composition having the composition listed above and substantially not including a resin component. Among these, it is desirable to use a phosphor ceramic having translucency. This is a phosphor ceramic that has translucency because there are almost no pores or impurities at grain boundaries that cause light scattering in the sintered body. Since pores and impurities can also prevent thermal diffusion, translucent ceramics exhibit high thermal conductivity. For this reason, when it uses as a fluorescent substance layer, it can take out from a fluorescent substance layer, and can utilize it, without losing excitation light and fluorescence by diffusion, Furthermore, the heat | fever which generate | occur | produced in the fluorescent substance layer can be dissipated efficiently. Even a sintered body that does not show translucency is desirable to have as few pores and impurities as possible. As an index for evaluating the remaining amount of pores, the value of specific gravity of the phosphor ceramic can be used, and it is desirable that the value is 95% or more with respect to the theoretical value by which the value is calculated.

ここで、青色励起の黄色発光蛍光体であるYAl12:Ce3+蛍光体を例に、透光性を有する蛍光体セラミックスの製造方法を説明する。蛍光体セラミックスは出発原料の混合工程、成形工程、焼成工程、加工工程を経て製造される。出発原料には、酸化イットリウムや酸化セリウムやアルミナ等、YAl12:Ce3+蛍光体の構成元素の酸化物や、焼成後に酸化物となる炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等を用いる。出発原料の粒径はサブミクロンサイズのものが望ましい。これらの原料を化学量論比となるように秤量する。このとき焼成後のセラミックスの透過率向上を目的として、カルシウムやシリコンなどの化合物を添加することも可能である。秤量した原料は、水もしくは有機溶剤を用い、湿式ボールミルにより十分に分散、混合を行う。次に混合物を所定の形状に成形する。成形方法としては、一軸加圧法、冷間静水圧法、スリップキャスティング法や射出成形法等を用いることができる。得られた成形体を1600〜1800℃で焼成する。これにより、透光性のYAl12:Ce3+蛍光体セラミックスを得ることができる。 Here, a method for producing a phosphor ceramic having translucency will be described by taking as an example a Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ phosphor that is a yellow-excited phosphor emitting blue light. The phosphor ceramic is manufactured through a starting material mixing step, a forming step, a firing step, and a processing step. As starting materials, yttrium oxide, cerium oxide, alumina, and the like, oxides of constituent elements of Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ phosphor, carbonates, nitrates, sulfates and the like that become oxides after firing are used. The particle size of the starting material is preferably a submicron size. These raw materials are weighed so as to have a stoichiometric ratio. At this time, for the purpose of improving the transmittance of the ceramic after firing, it is also possible to add a compound such as calcium or silicon. The weighed raw materials are sufficiently dispersed and mixed by a wet ball mill using water or an organic solvent. Next, the mixture is formed into a predetermined shape. As the molding method, a uniaxial pressing method, a cold isostatic pressing method, a slip casting method, an injection molding method, or the like can be used. The obtained molded body is fired at 1600 to 1800 ° C. Thus, translucent Y 3 Al 5 O 12: Ce 3+ phosphor ceramic can be obtained.

以上のようにして作製した蛍光体セラミックスは、自動研磨装置などを用いて、厚さ数十〜数百μmの厚みに研磨し、さらに、ダイアモンドカッターやレーザーを用いたダイシングやスクライブにより、円形や四角形や扇形、リング形など任意の形状の板に切り出して使用する。   The phosphor ceramic produced as described above is polished to a thickness of several tens to several hundreds of μm using an automatic polishing apparatus and the like, and is further rounded by dicing or scribing using a diamond cutter or laser. Cut out to a board of any shape such as a square, fan or ring.

ここで、蛍光体セラミックスは、空気に対して屈折率が高く、さらに、内部にポアなどの散乱の原因となるものが少なく、光がセラミックス内部を導波するため、板状に成形した場合には側面から出射される発光成分が増加し、正面方向へ出射される発光成分が減少してしまう。この問題を解決するために、セラミックスの表面にエッチングにより凹凸の光取出し構造を設けたり、レンズを実装したり、側面に反射層を設けることで、正面方向へ出射される発光成分を増加させることも可能である。   Here, phosphor ceramics have a high refractive index with respect to air, and there are few things that cause scattering such as pores inside, and light is guided inside the ceramics. The light emission component emitted from the side surface increases, and the light emission component emitted in the front direction decreases. In order to solve this problem, the light emission component emitted in the front direction can be increased by providing an uneven light extraction structure by etching on the ceramic surface, mounting a lens, or providing a reflective layer on the side surface. Is also possible.

また、光反射性台座6には、金属基板や酸化物セラミックス、非酸化セラミックスなどを使用可能であるが、特に高い光反射特性、伝熱特性、加工性を併せ持つ金属基板を使用するのが望ましい。金属としては、Al、Cu、Ti、Si、Ag、Au、Ni、Mo、W、Fe、Pdなどの単体や、それらを含む合金が使用可能である。また、光反射性台座6の表面に増反射や腐食防止を目的としたコーティングを施しても良い。また、台座6の形状は、蛍光体層2からどの方向に励起光がはみ出しても照明光の方向に励起光が飛ばないように角錐形状や円錐形状が望ましい。また、これらの形状は、蛍光体層2を取り付ける台座6の頂上部(截頭頂上部)から台座6の底面にかけて裾広がりの形状であるため、蛍光体層2の熱を放散させるという観点からも理想的な形状である。   The light-reflecting pedestal 6 can be made of a metal substrate, oxide ceramics, non-oxidized ceramics, etc., but it is desirable to use a metal substrate having particularly high light reflection characteristics, heat transfer characteristics, and workability. . As the metal, simple substances such as Al, Cu, Ti, Si, Ag, Au, Ni, Mo, W, Fe, Pd, and alloys containing them can be used. Further, the surface of the light reflective pedestal 6 may be coated for the purpose of increasing reflection and preventing corrosion. The shape of the pedestal 6 is preferably a pyramid shape or a cone shape so that the excitation light does not fly in the direction of the illumination light no matter which direction the excitation light protrudes from the phosphor layer 2. Moreover, since these shapes are flared from the top of the pedestal 6 to which the phosphor layer 2 is attached (the top of the top of the wharf) to the bottom of the pedestal 6, the heat from the phosphor layer 2 is also dissipated. Ideal shape.

また、蛍光体層2と台座6との接合には、樹脂、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、ろう付けなどを用いることが出来る。なかでも光反射性基板の反射率を活かすためには励起光の透過率の高い樹脂や無機接着剤の使用が望ましい。これらは、台座6の光反射性頂上部(光反射性の截頭頂上部)上に樹脂もしくは無機接着剤を塗布し、その上に蛍光体層2を配置し、硬化炉内で加熱することで接着することが出来る。また放熱性も高めたい場合にはろう付けが望ましい。セラミックスと金属の接合は、まずセラミックス側に金属膜を形成し、その金属膜と金属基板をろう付けすることで可能である。セラミックスへの金属膜の形成は、真空中での蒸着法やスパッタ法、もしくは高融点金属法などが使用可能である。高融点金属法とは、セラミックスの表面に金属微粒子を含む有機バインダーを塗布し、水蒸気と水素を含む還元雰囲気下で1000〜1700℃に加熱する方法である。このとき形成される金属膜には、Si、Nb、Ti、Zr、Mo、Ni、Mn、W、Fe、Pt、Al、Au、Pd、Ta、Cuなどを含む単体や合金が用いられる。また、ろう材には、Ag、Cu、Zn、Ni、Sn、Ti、Mn、In、Biなどを含むろう材が使用可能である。必要であれば金属膜と金属の接合面の酸化被膜をフラックスで除去し、接合面にろう材を配置し、200〜800℃に加熱し、冷却することで接合することが出来る。また接合後にセラミックスと金属の熱膨張係数の差による接合面の破壊を防ぐために、セラミックスと金属の中間の熱膨張係数を有する物質を介在させて接合を行っても良い。   Moreover, resin, an organic adhesive agent, an inorganic adhesive agent, low melting glass, brazing etc. can be used for joining to the fluorescent substance layer 2 and the base 6. FIG. In particular, in order to utilize the reflectance of the light reflective substrate, it is desirable to use a resin or an inorganic adhesive having a high excitation light transmittance. These are obtained by applying a resin or an inorganic adhesive on the light-reflective top of the pedestal 6 (light-reflective wharf top), placing the phosphor layer 2 thereon, and heating in a curing furnace. Can be glued. Brazing is desirable when it is desired to improve heat dissipation. The ceramic and metal can be joined by first forming a metal film on the ceramic side and brazing the metal film and the metal substrate. The metal film can be formed on the ceramic by a vacuum deposition method, a sputtering method, a refractory metal method, or the like. The refractory metal method is a method in which an organic binder containing metal fine particles is applied to the surface of a ceramic and heated to 1000 to 1700 ° C. in a reducing atmosphere containing water vapor and hydrogen. For the metal film formed at this time, a simple substance or an alloy containing Si, Nb, Ti, Zr, Mo, Ni, Mn, W, Fe, Pt, Al, Au, Pd, Ta, Cu, or the like is used. As the brazing material, a brazing material containing Ag, Cu, Zn, Ni, Sn, Ti, Mn, In, Bi, or the like can be used. If necessary, the oxide film on the joining surface of the metal film and the metal can be removed by flux, a brazing material is placed on the joining surface, heated to 200 to 800 ° C., and cooled to be joined. Moreover, in order to prevent destruction of the joint surface due to the difference in the thermal expansion coefficient between the ceramic and the metal after joining, the joining may be performed by interposing a substance having an intermediate thermal expansion coefficient between the ceramic and the metal.

また、光吸収性部材(光吸収性基板)9には、黒色に塗装した金属やセラミックス、黒色樹脂などが使用可能である。特に加工性に優れる金属部材の使用が望ましい。光吸収性部材(光吸収性基板)9は、図3(a),(b)のように光反射性台座6を取り付けるため、光反射性台座6の下部(底部)に配置されるが、図5のように、底部9aとして以外に、光反射性台座6を取り囲む側部9bや天井部9cとして配置されても良い。   Further, the light absorbing member (light absorbing substrate) 9 can be made of black-coated metal, ceramics, black resin, or the like. In particular, it is desirable to use a metal member having excellent workability. The light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9 is disposed at the lower part (bottom) of the light-reflecting pedestal 6 in order to attach the light-reflecting pedestal 6 as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). As shown in FIG. 5, in addition to the bottom portion 9 a, the side portion 9 b and the ceiling portion 9 c that surround the light reflective pedestal 6 may be arranged.

なお、光反射性台座6と光吸収性部材(光吸収性基板)9との接合には、樹脂、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、ろう付けなどを用いることが出来る。また、光反射性台座6と光吸収性部材(光吸収性基板)9とを同じ材料で一体として形成し、例えば光反射性台座6のみに反射性表面処理を施し、光吸収性部材(光吸収性基板)9に黒色塗装などの吸収性表面処理を施しても良い。   In addition, resin, an organic adhesive agent, an inorganic adhesive agent, low melting glass, brazing etc. can be used for joining of the light-reflecting base 6 and the light-absorbing member (light-absorbing substrate) 9. In addition, the light reflective pedestal 6 and the light absorbing member (light absorbing substrate) 9 are integrally formed of the same material, and for example, only the light reflective pedestal 6 is subjected to a reflective surface treatment to obtain a light absorbing member (light absorbing member). Absorbent surface treatment such as black coating may be applied to the absorbent substrate 9.

また、本発明の上述した光源装置を、所定のレンズ系、あるいは、ミラー、リフレクタなどと組み合わせることで(図5の例では、リフレクタ11と組み合わせることで)、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、照明光に色ムラがほとんどない照明装置を提供することができる。   Further, by combining the above-described light source device of the present invention with a predetermined lens system, a mirror, a reflector, or the like (in combination with the reflector 11 in the example of FIG. 5), sufficiently high brightness can be obtained compared to the conventional case. It is possible to provide an illuminating device in which the illumination light has almost no color unevenness.

本発明は、ヘッドランプなどの自動車用照明、プロジェクタ、一般照明などに利用可能である。   The present invention can be used for automotive lighting such as headlamps, projectors, and general lighting.

2 蛍光体層
5 固体光源
6 光反射性台座
9 光吸収性部材(光吸収性基板)
10 光源装置
2 Phosphor layer 5 Solid light source 6 Light reflective base 9 Light absorbing member (light absorbing substrate)
10 Light source device

Claims (3)

紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを有し、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されている光源装置であって、前記蛍光体層は、截頭角錐形状または截頭円錐形状の光反射性台座上に取り付けられ、該光反射性台座は、光吸収性部材に取り付けられており、前記光反射性台座上に取り付けられている前記蛍光体層に入射する前記固体光源からの励起光の蛍光体層入射面上でのビームの形状および断面積は、前記蛍光体層入射面全体の形状および面積とほぼ等しいことを特徴とする光源装置。 A solid-state light source that emits light of a predetermined wavelength in a wavelength region from ultraviolet light to visible light, and at least emits fluorescence having a wavelength longer than the emission wavelength of the solid-state light source when excited by excitation light from the solid-state light source A phosphor layer including one type of phosphor, wherein the solid-state light source and the phosphor layer are spatially separated from each other, and the phosphor layer has a truncated pyramid shape Or it is attached on the light-reflecting pedestal having a truncated cone shape, and the light-reflecting pedestal is attached to a light-absorbing member and is incident on the phosphor layer attached on the light-reflecting pedestal. The light source device, wherein a shape and a cross-sectional area of a beam of excitation light from the solid-state light source on a phosphor layer incident surface are substantially equal to a shape and an area of the entire phosphor layer incident surface. 請求項1記載の光源装置において、前記光反射性台座は、前記蛍光体層の取り付け部分および外周の全てが光反射性のものであるか、または、前記蛍光体層の取り付け部分が光反射性のものであって外周は光吸収性材料で覆われていることを特徴とする光源装置。 2. The light source device according to claim 1, wherein the light-reflecting pedestal is light-reflective at all of the attachment portion and outer periphery of the phosphor layer, or the attachment portion of the phosphor layer is light-reflective. A light source device characterized in that the outer periphery is covered with a light-absorbing material. 請求項1または請求項2に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置。 An illumination device using the light source device according to claim 1.
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