JP2024060195A - 回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、上回路基板と下回路基板との間に位置する部品が発生する熱が部品の周囲に伝わることを抑制できる回路モジュールを提供することである。【解決手段】上回路基板本体は、第１上主面及び第１下主面を有している。下回路基板本体は、第２上主面及び第２下主面を有している。下回路基板第１実装電極及び１以上の下回路基板第２実装電極は、第２上主面に位置している。第１部品は、１以上の下回路基板第２実装電極に実装されている。第１導体部材は、下回路基板第１実装電極に実装されており、かつ、第１部品の左に位置している。第２導体部材は、第１下主面に位置しており、かつ、第１導体部材の上端に接続されており、かつ、下方向に見て、第１部品の少なくとも一部と重なっている。【選択図】 図１

Description

本発明は、上回路基板及び下回路基板を備える電子機器に関する。

従来の回路モジュールに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の半導体デバイスパッケージが知られている。この複合基板は、第１基板と、第２基板と、導電構造とを備えている。第１基板は、第２基板の上に位置している。導電構造は、上下軸に沿って延びるピンである。導電構造は、第１基板の下主面及び第２基板の上主面に実装されている。これにより、導電構造は、第１基板と第２基板とを電気的に接続している。

米国特許第１１１３３２４４号明細書

ところで、特許文献１に記載の半導体デバイスパッケージにおいて、第１基板と第２基板との間に位置する部品が発生する熱が部品の周囲に伝わることを抑制したいという要望がある。

そこで、本発明の目的は、上回路基板と下回路基板との間に位置する部品が発生する熱が部品の周囲に伝わることを抑制できる回路モジュールを提供することである。

本発明の一形態に係る回路モジュールは、
回路モジュールは、上回路基板と、下回路基板と、第１導体部材と、第２導体部材と、第１部品と、を備えており、
前記上回路基板は、上回路基板本体を含んでおり、
前記下回路基板は、下回路基板、下回路基板第１実装電極及び１以上の下回路基板第２実装電極を含んでおり、
前記上回路基板本体は、第１上主面及び第１下主面を有しており、
前記下回路基板本体は、第２上主面及び第２下主面を有しており、
前記下回路基板第１実装電極及び前記１以上の下回路基板第２実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
前記第１部品は、前記１以上の下回路基板第２実装電極に実装されており、
前記第１導体部材は、前記下回路基板第１実装電極に実装されており、かつ、前記第１部品の左に位置しており、
前記第２導体部材は、前記上回路基板と前記下回路基板との間の空間又は前記第１下主面に位置しており、かつ、前記第１導体部材の上端に接続されており、かつ、下方向に見て、前記第１部品の少なくとも一部と重なっている。

本発明に係る回路モジュールによれば、上回路基板と下回路基板との間に位置する部品の放熱性を向上できる。

図１は、回路モジュール１０の断面図である。 図２は、回路モジュール１０ａの断面図である。 図３は、回路モジュール１０ｂの断面図である。 図４は、回路モジュール１０ｃの断面図である。 図５は、回路モジュール１０ｄの断面図である。 図６は、回路モジュール１０ｅの断面図である。 図７は、回路モジュール１０ｆの断面図である。

（実施形態）
［回路モジュール１０の構造］
以下に、本発明の第１の実施形態に係る回路モジュール１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、回路モジュール１０の断面図である。

以下では、図１に示すように、上回路基板１２から下回路基板１４へと向かう方向を下方向と定義する。また、上下軸に直交する軸を前後軸及び左右軸と定義する。上下軸と前後軸と左右軸とは、互いに直交している。前後軸は、図１の紙面垂直な軸に沿って延びる軸と一致している。左右軸は、図１の紙面の左右軸と一致している。ただし、本明細書における上下軸、左右軸及び前後軸は、説明の便宜上定義した方向であり、回路モジュール１０の使用時における上下軸、左右軸及び前後軸と一致していなくてもよい。また、各図面において、上方向と下方向とを入れ替えてもよいし、左方向と右方向とを入れ替えてもよいし、前方向と後方向とを入れ替えてもよい。

回路モジュール１０は、スマートフォン等の無線通信端末に用いられる。回路モジュール１０は、例えば、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）やＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）等のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びコイルやコンデンサ等を含んでいる。コイルやコンデンサ等は、それぞれのＩＣに対するインピーダンス整合回路用素子である。回路モジュール１０は、直方体形状を有している。回路モジュール１０は、図１に示すように、上回路基板１２、下回路基板１４、封止樹脂１６、封止樹脂１８、封止樹脂２０、複数の部品２２、第１部品２４、複数の部品２６、複数の部品２８、複数の第５導体部材３２、第１導体部材３４、第２導体部材３６、第３導体部材３８及び複数の第４導体部材４０を備えている。

上回路基板１２は、上回路基板本体１２ａ、複数の上回路基板実装電極１２ｂ及び複数の上回路基板第１実装電極１２ｃを含んでいる。上回路基板本体１２ａは、第１上主面Ｓ１及び第１下主面Ｓ２を有する板形状を有している。上回路基板本体１２ａは、下方向に見て、前後軸に沿って２本の辺、及び、左右軸に沿って延びる２本の辺を有する長方形状を有している。上回路基板本体１２ａは、多層構造を有している。上回路基板本体１２ａの内部には、図示しない電気回路が設けられている。上回路基板本体１２ａの材料は、例えば、ガラス・エポキシ又はＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃо－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板等である。

複数の上回路基板実装電極１２ｂは、図１に示すように、上回路基板本体１２ａの第１上主面Ｓ１に位置している。複数の上回路基板第１実装電極１２ｃは、第１下主面Ｓ２に位置している。複数の上回路基板実装電極１２ｂ及び複数の上回路基板第１実装電極１２ｃは、下方向に見て、長方形状又は円形状を有している。複数の上回路基板実装電極１２ｂ及び複数の上回路基板第１実装電極１２ｃは、例えば、銅厚膜電極の表面にＮｉメッキ及びＡｕメッキが施された構造を有している。

下回路基板１４は、下回路基板本体１４ａ、下回路基板第１実装電極１４ｂ、複数の下回路基板第２実装電極１４ｃ、下回路基板第３実装電極１４ｄ、複数の下回路基板第５実装電極１４ｅ、複数の下回路基板実装電極１４ｆ、複数の下回路基板第４実装電極１４ｇ及び複数の下回路基板実装電極１４ｈを含んでいる。下回路基板本体１４ａは、第２上主面Ｓ１１及び第２下主面Ｓ１２を有する板形状を有している。下回路基板本体１４ａは、下方向に見て、前後軸に沿って延びる２本の辺、及び、左右軸に沿って延びる２本の辺を有する長方形状を有している。下回路基板本体１４ａは、多層構造を有している。下回路基板本体１４ａの内部には、図示しない電気回路が設けられている。下回路基板本体１４ａの材料は、例えば、ガラス・エポキシ又はＬＴＣＣ基板等である。

下回路基板第１実装電極１４ｂ、複数の下回路基板第２実装電極１４ｃ、下回路基板第３実装電極１４ｄ、複数の下回路基板第５実装電極１４ｅ及び複数の下回路基板実装電極１４ｆは、図１に示すように、第２上主面Ｓ１１に位置している。複数の下回路基板第４実装電極１４ｇ及び複数の下回路基板実装電極１４ｈは、第２下主面Ｓ１２に位置している。下回路基板第１実装電極１４ｂ、複数の下回路基板第２実装電極１４ｃ、下回路基板第３実装電極１４ｄ、複数の下回路基板第５実装電極１４ｅ、複数の下回路基板実装電極１４ｆ、複数の下回路基板第４実装電極１４ｇ及び複数の下回路基板実装電極１４ｈは、上下方向に見て、長方形状又は円形状を有している。下回路基板第１実装電極１４ｂ、複数の下回路基板第２実装電極１４ｃ、下回路基板第３実装電極１４ｄ、複数の下回路基板第５実装電極１４ｅ、複数の下回路基板実装電極１４ｆ、複数の下回路基板第４実装電極１４ｇ及び複数の下回路基板実装電極１４ｈは、例えば、銅薄膜の表面にＮｉメッキ及びＡｕメッキが施された構造を有している。

以上のような下回路基板１４は、図１に示すように、上回路基板１２の下に位置している。また、下回路基板１４は、下方向に見て、上回路基板１２と重なっている。下方向に見て、下回路基板１４の外縁の全体は、上回路基板１２の外縁の全体と重なっている。

複数の部品２２は、複数の上回路基板実装電極１２ｂに実装されている。複数の部品２２は、ＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）や、チップコイル、チップコンデンサ、半導体集積回路等の電子部品である。

第１部品２４は、複数の下回路基板第２実装電極１４ｃに実装されている。第１部品２４は、駆動時に発熱する電子部品である。第１部品２４の発熱量は、複数の部品２６の発熱量より大きい。このような電子部品は、例えば、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、スイッチＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、デュプレクサ又はインダクタである。

複数の部品２６は、複数の下回路基板実装電極１２ｆに実装されている。複数の部品２６は、チップコイルやチップコンデンサ、半導体集積回路等の電子部品である。

複数の部品２８は、複数の下回路基板実装電極１２ｈに実装されている。複数の部品２８は、チップコイルやチップコンデンサ、半導体集積回路等の電子部品である。

第１導体部材３４は、金属ピンである。第１導体部材３４は、上下軸の沿って延びる棒形状を有している。第１導体部材３４は、下回路基板第１実装電極１４ｂに実装されている。第１導体部材３４は、第１部品２４の左に位置している。第１導体部材３４の材料は、例えば、銅である。

第３導体部材３８は、金属ピンである。第３導体部材３８は、上下軸の沿って延びる棒形状を有している。第３導体部材３８は、下回路基板第３実装電極１４ｄに実装されている。第３導体部材３８は、第１部品２４の右に位置している。第３導体部材３８の材料は、例えば、銅である。

第２導体部材３６は、上回路基板１２と下回路基板１４との間の空間又は第１下主面Ｓ２に位置している。本実施形態では、第２導体部材３６は、第１下主面Ｓ２に位置している導体層である。第２導体部材３６は、例えば、銅薄膜の表面にＮｉメッキ及びＡｕメッキが施された構造を有している。従って、第２導体部材３６の熱伝導率は、上回路基板本体１２ａの熱伝導率より高い。

第２導体部材３６は、第１導体部材３４の上端及び第３導体部材３８の上端に接続されている。第２導体部材３６は、第１部品２４より上に位置しいている。第２導体部材３６は、下方向に見て、第１部品２４の少なくとも一部と重なっている。本実施形態では、第２導体部材３６は、下方向に見て、第１部品２４の全体と重なっている。更に、第２導体部材３６は、第１部品２４に接触している。以上のような第２導体部材３６は、グランド電位に接続される。また、第２導体部材３６は、特定の電位に接続されない浮遊電位を有していてもよい。

複数の第５導体部材３２は、金属ピンである。複数の第５導体部材３２は、上下軸の沿って延びる棒形状を有している。複数の第５導体部材３２は、上回路基板第１実装電極１２ｃ及び下回路基板第５実装電極１４ｅに実装されている。複数の第５導体部材３２の材料は、例えば、銅である。

複数の第４導体部材４０は、半田バンプである。複数の第４導体部材４０は、球形状を有している。本明細書での球形状は、球形状及び楕円球形状を含む。複数の第４導体部材４０は、下回路基板第４実装電極１４ｇに実装されている。複数の第４導体部材４０の材料は、例えば、半田である。

封止樹脂１８は、図１に示すように、上回路基板本体１２ａの第１下主面Ｓ２及び下回路基板本体１４ａの第２上主面Ｓ１１を覆っている。また、封止樹脂１８は、第１部品２４、複数の部品２６、第１導体部材３４、第３導体部材３８及び複数の第５導体部材３２を覆うように、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置している。そのため、第１部品２４、複数の部品２６、第１導体部材３４、第３導体部材３８及び複数の第５導体部材３２は、封止樹脂１８内に位置している。封止樹脂１８は、直方体形状を有している。そして、下方向に見て、封止樹脂１８の外縁の全体は、上回路基板１２の外縁の全体及び下回路基板１４の外縁の全体と重なっている。

封止樹脂１６は、図１に示すように、上回路基板本体１２ａの第１上主面Ｓ１を覆っている。また、封止樹脂１６は、複数の部品２２を覆っている。そのため、複数の部品２２は、封止樹脂１６内に位置している。封止樹脂１６は、直方体形状を有している。そして、上下方向に見て、封止樹脂１６の外縁の全体は、上回路基板１２の外縁の全体及び下回路基板１４の外縁の全体と重なっている。

封止樹脂２０は、図１に示すように、下回路基板本体１４ａの第２下主面Ｓ１２を覆っている。また、複数の封止樹脂２０は、複数の第４導体部材４０及び複数の部品２８の表面を覆っている。ただし、複数の第４導体部材４０の下端部及び複数の部品２８の下面は、封止樹脂２０から露出している。そのため、複数の第４導体部材４０及び複数の部品２８は、封止樹脂２０内に位置している。封止樹脂２０は、直方体形状を有している。そして、上下方向に見て、封止樹脂２０の外縁の全体は、上回路基板１２の外縁の全体及び下回路基板１４の外縁の全体と重なっている。以上のような封止樹脂１８、封止樹脂１６及び封止樹脂２０の材料は、例えば、エポキシ樹脂である。

［効果］
回路モジュール１０によれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを抑制できる。より詳細には、第２導体部材３６は、上回路基板本体１２ａと下回路基板本体１４ａとの間の空間又は第１下主面Ｓ２に位置している。第２導体部材３６は、第１導体部材３４の上端に接続されている。そして、第２導体部材３６、下方向に見て、第１部品２４の少なくとも一部と重なっている。これにより、第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６及び第１導体部材３４を介して、下回路基板本体１４ａに伝達される。そして、第１部品２４が発生した熱は、下回路基板本体１４ａに拡散される。その結果、回路モジュール１０によれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを抑制できる。

回路モジュール１０によれば、以下の理由によっても、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを抑制できる。より詳細には、第２導体部材３６は、第１部品２４に接触している。これにより、第１部品２４が発生した熱が効率よく第２導体部材３６に伝達される。その結果、回路モジュール１０によれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効果的に抑制できる。

回路モジュール１０によれば、以下の理由によっても、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを抑制できる。第２導体部材３６は、第３導体部材３８の上端に接続されている。これにより、第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６及び第３導体部材３８を介して、下回路基板本体１４ａに伝達される。そして、第１部品２４が発生した熱は、下回路基板本体１４ａに拡散される。その結果、回路モジュール１０によれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効果的に抑制できる。

回路モジュール１０によれば、以下の理由によっても、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを抑制できる。第２導体部材３６は、第１部品２４に接触している。これにより、第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６を介して、上回路基板本体１２ａに伝達される。そして、第１部品２４が発生した熱は、上回路基板本体１２ａに拡散される。その結果、回路モジュール１０によれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効果的に抑制できる。

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る回路モジュール１０ａについて図面を参照しながら説明する。図２は、回路モジュール１０ａの断面図である。

回路モジュール１０ａは、第１導体部材３４及び第３導体部材３８が太い点において回路モジュール１０と相違する。より詳細には、第１導体部材３４及び第３導体部材３８は、第５導体部材３２より太い。すなわち、下方向に見た第１導体部材３４及び第３導体部材３８の面積は、下方向に見た第５導体部材３２の面積より大きい。これにより、第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６及び第１導体部材３４を介して、下回路基板本体１４ａに効率的に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６及び第３導体部材３８を介して、下回路基板本体１４ａに効率的に伝達される。その結果、回路モジュール１０ａによれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効率的に抑制できる。回路モジュール１０ａのその他の構造は、回路モジュール１０と同じであるので説明を省略する。回路モジュール１０ａは、回路モジュール１０と同じ作用効果を奏する。

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る回路モジュール１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図３は、回路モジュール１０ｂの断面図である。

回路モジュール１０ｂは、下回路基板１４が層間接続導体ｖ１，ｖ２を更に含んでいる点において回路モジュール１０と相違する。層間接続導体ｖ１は、下回路基板本体１４ａを上下軸に沿って貫通することにより、下回路基板第１実装電極１４ｂと下回路基板第４実装電極１４ｇとを電気的に接続している。層間接続導体ｖ２は、下回路基板本体１４ａを上下軸に沿って貫通することにより、下回路基板第３実装電極１４ｄと下回路基板第４実装電極１４ｇとを電気的に接続している。回路モジュール１０ｂのその他の構造は、回路モジュール１０と同じであるので説明を省略する。回路モジュール１０ｂは、回路モジュール１０と同じ作用効果を奏する。

また、第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６、第１導体部材３４及び層間接続導体ｖ１を介して、下回路基板本体１４ａに効率的に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、第２導体部材３６、第３導体部材３８及び層間接続導体ｖ２を介して、下回路基板本体１４ａに効率的に伝達される。その結果、回路モジュール１０ｂによれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効率的に抑制できる。

更に、第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ１及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｂ外に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ２及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｂ外に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、例えば、第４導体部材４０が接続されるマザー基板に拡散される。その結果、回路モジュール１０ｂによれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効率的に抑制できる。

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る回路モジュール１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図４は、回路モジュール１０ｃの断面図である。

回路モジュール１０ｃは、層間接続導体ｖ１，ｖ２に接続されている２本の第４導体部材４０が金属ピンである点において回路モジュール１０ｂと相違する。回路モジュール１０ｃのその他の構造は、回路モジュール１０ｂと同じであるので説明を省略する。回路モジュール１０ｃは、回路モジュール１０ｂと同じ作用効果を奏する。

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る回路モジュール１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図５は、回路モジュール１０ｄの断面図である。

回路モジュール１０ｄは、層間接続導体ｖ１，ｖ２に接続されている２本の第４導体部材４０が太い点において回路モジュール１０ｃと相違する。より詳細には、層間接続導体ｖ１，ｖ２に接続されている２本の第４導体部材４０は、第５導体部材３２より太い。すなわち、下方向に見た２本の第４導体部材４０の面積は、下方向に見た第５導体部材３２の面積より大きい。２本の第４導体部材４０の材料は、例えば、銅である。従って、２本の第４導体部材４０の熱伝導性は、はんだバンプの熱伝導性より高い。これにより、第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ１及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｄ外に効率的に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ２及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｄ外に効率的に伝達される。その結果、回路モジュール１０ｄによれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効率的に抑制できる。

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る回路モジュール１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図６は、回路モジュール１０ｅの断面図である。

回路モジュール１０ｅは、層間接続導体ｖ１，ｖ２に接続されてない２本の第４導体部材４０が金属ピンである点において回路モジュール１０ｃと相違する。回路モジュール１０ｅのその他の構造は、回路モジュール１０ｃと同じであるので説明を省略する。回路モジュール１０ｅは、回路モジュール１０ｃと同じ作用効果を奏する。

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る回路モジュール１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図７は、回路モジュール１０ｆの断面図である。

回路モジュール１０ｆは、下回路基板１４が導体層５０を更に備えている点において回路モジュール１０ｃと相違する。導体層５０は、下回路基板本体１４ａ内に位置している。導体層５０は、層間接続導体ｖ１，ｖ２に接続されている。回路モジュール１０ｅのその他の構造は、回路モジュール１０ｃと同じであるので説明を省略する。回路モジュール１０ｅは、回路モジュール１０ｃと同じ作用効果を奏する。

回路モジュール１０ｆによれば、第１部品２４が発生した熱は、導体層５０により下回路基板本体１４ａ内に効率的に拡散される。更に、第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ１及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｃ外に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、層間接続導体ｖ２及び第４導体部材４０を介して、回路モジュール１０ｃ外に伝達される。第１部品２４が発生した熱は、例えば、第４導体部材４０が接続されるマザー基板に拡散される。その結果、回路モジュール１０ｃによれば、上回路基板１２と下回路基板１４との間に位置する第１部品２４が発生する熱が第１部品２４の周囲に伝わることを効率的に抑制できる。

［その他の実施形態］
本発明に係る回路モジュールは、回路モジュール１０，１０ａ～１０ｆに限らず、その要旨の範囲において変更可能である。また、回路モジュール１０，１０ａ～１０ｆの構造を任意に組み合わせてもよい。

なお、下回路基板第２実装電極１４ｃの数は、１以上であればよい。

なお、部品２２の数は、１以上であればよい。

なお、部品２６の数は、１以上であればよい。

なお、部品２８の数は、１以上であればよい。

なお、第５導体部材３２の数は、１以上であればよい。上回路基板第１実装電極１２ｃの数は、１以上であればよい。下回路基板第５実装電極１４ｅの数は、１以上であればよい。

なお、第４導体部材４０の数は、１以上であればよい。下回路基板第４実装電極１４ｇの数は、１以上であればよい。

なお、回路モジュール１０，１０ａ～１０ｆの前面、後面、左面、右面及び上面を覆うシールド部材が位置してもよい。

なお、複数の部品２２，２６，２８は、必須の構成要件ではない。

なお、第３導体部材３８は、必須の構成要件ではない。

なお、封止樹脂１６，１８，２０は、必須の構成要件ではない。

なお、第２導体部材３６は、上回路基板１２と下回路基板１４との間の空間に位置していてもよい。この場合、第２導体部材３６は、上回路基板本体１２ａに接していない。

なお、第２導体部材３６は、第１部品２４に接していなくてもよい。

なお、第１導体部材３４は、上下軸に沿って並ぶ２個の導体部材であってもよい。第３導体部材３８は、上下軸に沿って並ぶ２個の導体部材であってもよい。

本発明は、以下の構造を備える。

（１）
回路モジュールは、上回路基板と、下回路基板と、第１導体部材と、第２導体部材と、第１部品と、を備えており、
前記上回路基板は、上回路基板本体を含んでおり、
前記下回路基板は、下回路基板本体、下回路基板第１実装電極及び１以上の下回路基板第２実装電極を含んでおり、
前記上回路基板本体は、第１上主面及び第１下主面を有しており、
前記下回路基板本体は、第２上主面及び第２下主面を有しており、
前記下回路基板第１実装電極及び前記１以上の下回路基板第２実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
前記第１部品は、前記１以上の下回路基板第２実装電極に実装されており、
前記第１導体部材は、前記下回路基板第１実装電極に実装されており、かつ、前記第１部品の左に位置しており、
前記第２導体部材は、前記上回路基板と前記下回路基板との間の空間又は前記第１下主面に位置しており、かつ、前記第１導体部材の上端に接続されており、かつ、下方向に見て、前記第１部品の少なくとも一部と重なっている、
回路モジュール。

（２）
前記回路モジュールは、第３導体部材を、更に備えており、
前記下回路基板は、下回路基板第３実装電極を含んでおり、
前記下回路基板第２実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
前記第３導体部材は、前記下回路基板第３実装電極に実装されており、
前記第３導体部材は、前記第１部品の右に位置しており、
前記第２導体部材は、前記第３導体部材の上端に接続されている、
（１）に記載の回路モジュール。

（３）
前記第２導体部材は、前記第１下主面に位置している、
（１）又は（２）に記載の回路モジュール。

（４）
前記回路モジュールは、第４導体部材を、更に備えており、
前記下回路基板は、下回路基板第４実装電極及び層間接続導体を更に含んでおり、
前記層間接続導体は、前記下回路基板本体を上下軸に沿って貫通することにより、前記下回路基板第１実装電極と前記下回路基板第４実装電極とを電気的に接続しており、
前記第４導体部材は、前記下回路基板第４実装電極に実装されている、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路モジュール。

（５）
前記回路モジュールは、第５導体部材を、更に備えており、
前記上回路基板は、上回路基板第１実装電極を、更に含んでおり、
前記下回路基板は、下回路基板第５実装電極を、更に含んでおり、
前記上回路基板第１実装電極は、前記第１下主面に位置しており、
前記下回路基板第５実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
前記第５導体部材は、前記上回路基板第１実装電極及び前記下回路基板第５実装電極に実装されている、
下方向に見た前記第４導体部材の面積は、下方向に見た前記第５導体部材の面積より大きい、
（４）に記載の回路モジュール。

（６）
前記第２導体部材は、前記第１部品に接触している、
（１）ないし（５）のいずれかに記載の回路モジュール。

（７）
前記第２導体部材の熱伝導率は、前記上回路基板本体の熱伝導率より高い、
（１）ないし（６）のいずれかに記載の回路モジュール。

（８）
前記回路モジュールは、第５導体部材を、更に備えており、
前記上回路基板は、上回路基板第１実装電極を、更に含んでおり、
前記下回路基板は、下回路基板第５実装電極を、更に含んでおり、
前記上回路基板第１実装電極は、前記第１下主面に位置しており、
前記下回路基板第５実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
前記第５導体部材は、前記上回路基板第１実装電極及び前記下回路基板第５実装電極に実装されている、
（１）ないし（７）のいずれかに記載の回路モジュール。

（９）
下方向に見た前記第１導体部材の面積は、下方向に見た前記第５導体部材の面積より大きい、
（８）に記載の回路モジュール。

１０，１０ａ～１０ｆ：回路モジュール
１２：上回路基板
１２ａ：上回路基板本体
１２ｂ：上回路基板実装電極
１２ｃ：上回路基板第１実装電極
１４：下回路基板
１４ａ：下回路基板本体
１４ｂ：下回路基板第１実装電極
１４ｃ：下回路基板第２実装電極
１４ｄ：下回路基板第３実装電極
１４ｅ：下回路基板第５実装電極
１４ｆ，１４ｈ：下回路基板実装電極
１４ｇ：下回路基板第４実装電極
１６，１８，２０：封止樹脂
２２，２６，２８：部品
２４：第１部品
３２：第５導体部材
３４：第１導体部材
３６：第２導体部材
３８：第３導体部材
４０：第４導体部材
５０：導体層
Ｓ１：第１上主面
Ｓ１１：第２上主面
Ｓ１２：第２下主面
Ｓ２：第１下主面
ｖ１，ｖ２：層間接続導体

Claims (9)

1. 回路モジュールは、上回路基板と、下回路基板と、第１導体部材と、第２導体部材と、第１部品と、を備えており、
   前記上回路基板は、上回路基板本体を含んでおり、
   前記下回路基板は、下回路基板本体、下回路基板第１実装電極及び１以上の下回路基板第２実装電極を含んでおり、
   前記上回路基板本体は、第１上主面及び第１下主面を有しており、
   前記下回路基板本体は、第２上主面及び第２下主面を有しており、
   前記下回路基板第１実装電極及び前記１以上の下回路基板第２実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
   前記第１部品は、前記１以上の下回路基板第２実装電極に実装されており、
   前記第１導体部材は、前記下回路基板第１実装電極に実装されており、かつ、前記第１部品の左に位置しており、
   前記第２導体部材は、前記上回路基板と前記下回路基板との間の空間又は前記第１下主面に位置しており、かつ、前記第１導体部材の上端に接続されており、かつ、下方向に見て、前記第１部品の少なくとも一部と重なっている、
   回路モジュール。
2. 前記回路モジュールは、第３導体部材を、更に備えており、
   前記下回路基板は、下回路基板第３実装電極を含んでおり、
   前記下回路基板第２実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
   前記第３導体部材は、前記下回路基板第３実装電極に実装されており、
   前記第３導体部材は、前記第１部品の右に位置しており、
   前記第２導体部材は、前記第３導体部材の上端に接続されている、
   請求項１に記載の回路モジュール。
3. 前記第２導体部材は、前記第１下主面に位置している、
   請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
4. 前記回路モジュールは、第４導体部材を、更に備えており、
   前記下回路基板は、下回路基板第４実装電極及び層間接続導体を更に含んでおり、
   前記層間接続導体は、前記下回路基板本体を上下軸に沿って貫通することにより、前記下回路基板第１実装電極と前記下回路基板第４実装電極とを電気的に接続しており、
   前記第４導体部材は、前記下回路基板第４実装電極に実装されている、
   請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
5. 前記回路モジュールは、第５導体部材を、更に備えており、
   前記上回路基板は、上回路基板第１実装電極を、更に含んでおり、
   前記下回路基板は、下回路基板第５実装電極を、更に含んでおり、
   前記上回路基板第１実装電極は、前記第１下主面に位置しており、
   前記下回路基板第５実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
   前記第５導体部材は、前記上回路基板第１実装電極及び前記下回路基板第５実装電極に実装されている、
   下方向に見た前記第４導体部材の面積は、下方向に見た前記第５導体部材の面積より大きい、
   請求項４に記載の回路モジュール。
6. 前記第２導体部材は、前記第１部品に接触している、
   請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
7. 前記第２導体部材の熱伝導率は、前記上回路基板本体の熱伝導率より高い、
   請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
8. 前記回路モジュールは、第５導体部材を、更に備えており、
   前記上回路基板は、上回路基板第１実装電極を、更に含んでおり、
   前記下回路基板は、下回路基板第５実装電極を、更に含んでおり、
   前記上回路基板第１実装電極は、前記第１下主面に位置しており、
   前記下回路基板第５実装電極は、前記第２上主面に位置しており、
   前記第５導体部材は、前記上回路基板第１実装電極及び前記下回路基板第５実装電極に実装されている、
   請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール。
9. 下方向に見た前記第１導体部材の面積は、下方向に見た前記第５導体部材の面積より大きい、
   請求項８に記載の回路モジュール。

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