JP2024055115A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理後の基板の清浄度が低下し難い基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ノズル２と、第１液受け部４１と、第２液受け部４２と、排液ラインＬ２と、回収ラインＬ３と、第１貯留部１１１と、第２貯留部１５１とを備える。ノズル２は、基板Ｗに向けて第１薬液と第２薬液とを排他的に吐出する。第１液受け部４１は、基板Ｗから排出される第１薬液を受け止める。第２液受け部４２は、基板Ｗから排出される第２薬液を受け止める。排液ラインＬ２には、第１液受け部４１から第１薬液が流入する。回収ラインＬ３には、第２液受け部４２から第２薬液が流入する。第１貯留部１１１は、第１薬液に含まれる第３薬液を貯留する。第２貯留部１５１は、第２薬液に含まれる第４薬液を貯留する。第１薬液と第２薬液とは同種の薬液である。回収ラインＬ３は、第２薬液を第１貯留部１１１へ導く。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

特許文献１に、基板から効率よくレジストを除去しながら、硫酸の濃度が高いＳＰＭ（硫酸過酸化水素水溶液：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）を回収する基板処理装置が開示されている。ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との混合液である。特許文献１の基板処理装置は、第１ＳＰＭを基板に供給した後、硫酸と過酸化水素との混合比が第１ＳＰＭよりも大きい第２ＳＰＭを基板に供給して、基板からレジストを除去する。

具体的には、特許文献１の基板処理装置は、基板から排出される第１ＳＰＭを排液配管に流入させ、基板から排出される第２ＳＰＭを回収配管に流入させる。特許文献１の基板処理装置は、回収タンクと、硫酸タンクと、ノズルとを備える。回収配管は、第２ＳＰＭを回収タンクに貯留させる。回収タンク内の第２ＳＰＭは、送液配管を介して硫酸タンクに送液される。硫酸タンク内の硫酸の濃度が下限値以下になると、硫酸の新液が硫酸タンクに補充される。硫酸タンク内の薬液は、硫酸配管を介してノズルに供給される。ノズルには更に、過酸化水素水配管を介して過酸化水素水が供給される。ノズルにおいて、硫酸タンクから供給された薬液と過酸化水素とが混合されて、第１ＳＰＭ又は第２ＳＰＭが作成される。詳しくは、特許文献１の基板処理装置は、硫酸配管に配置された硫酸流量調整バルブと、過酸化水素水配管に配置された過酸化水素水流量調整バルブとのうちの少なくとも一方を制御して、硫酸タンクから供給された薬液と過酸化水素との混合比を調整することで、第１ＳＰＭ又は第２ＳＰＭを作成する。

特開２０１９－１７６１２５号公報

しかしながら、特許文献１の基板処理装置は、回収タンクに回収された第２ＳＰＭを用いて、第１ＳＰＭ及び第２ＳＰＭの両者を作成する。回収タンクに回収される第２ＳＰＭには、レジストが含まれている可能性がある。したがって、回収タンクに回収される第２ＳＰＭの清浄度は、レジストにより低下している可能性がある。よって、第１ＳＰＭ及び第２ＳＰＭの両者の清浄度が低下する可能性がある。その結果、処理後の基板のパーティクル数が増加して、処理後の基板の清浄度が低下する可能性がある。そのため、特許文献１の基板処理装置では、硫酸タンク内の薬液を硫酸の新液に交換する液交換処理の頻度を増加させる必要がある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板から排出された薬液を回収して再利用しても基板処理後の基板の清浄度が低下し難い基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、ノズルと、切替部と、制御部と、液受け部と、排液ラインと、回収ラインと、第１貯留部と、第２貯留部とを備える。前記ノズルは、基板に向けて第１薬液と第２薬液とを排他的に吐出して前記基板を処理する。前記切替部は、前記ノズルから吐出される薬液を前記第１薬液と前記第２薬液との間で切り替える。前記制御部は、前記切替部を制御する。前記液受け部は、第１液受け部と、第２液受け部とを含む。前記第１液受け部は、前記基板から排出される前記第１薬液を受け止める。前記第２液受け部は、前記基板から排出される前記第２薬液を受け止める。前記排液ラインには、前記第１液受け部から前記第１薬液が流入する。前記回収ラインには、前記第２液受け部から前記第２薬液が流入する。前記第１貯留部は、前記第１薬液に含まれる第３薬液を貯留する。前記第２貯留部は、前記第２薬液に含まれる第４薬液を貯留する。前記第１薬液と前記第２薬液とは同種の薬液である。前記回収ラインは、前記第２薬液を前記第１貯留部へ導く。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、第１循環部と、第２循環部と、薬液供給ラインとを更に備える。前記第１循環部は、前記第３薬液を前記第１貯留部を介して循環させる。前記第２循環部は、前記第４薬液を前記第２貯留部を介して循環させる。前記薬液供給ラインには、前記第１循環部を循環する前記第３薬液が流入する。前記薬液供給ラインには、前記第２循環部を循環する前記第４薬液が流入する。記切替部は、前記薬液供給ラインへの前記第３薬液の流入と前記流入の停止とを切り替える。

ある実施形態において、前記第１薬液による基板処理は、前記基板から除去対象物を除去する処理であり、前記第２薬液による基板処理は、前記基板から前記除去対象物の残渣物を除去する処理である。

ある実施形態において、前記第１薬液及び前記第２薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合液である。

ある実施形態において、前記第４薬液は、前記硫酸の新液である。

ある実施形態において、前記第１貯留部は、初期状態において前記硫酸を貯留し、前記回収ラインにより前記第２薬液が回収されることで、前記硫酸と前記過酸化水素水との混合液を貯留する。

本発明に係る基板処理装置によれば、基板から排出された薬液を回収して再利用しても基板処理後の基板の清浄度が低下し難くなる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の模式図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成の一部を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる第１供給部及び第２供給部の構成を示す図である。 第１ＳＰＭによる基板処理が行われている際の第１供給部と第２供給部とを示す図である。 第２ＳＰＭによる基板処理が行われている際の第１供給部と第２供給部とを示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。 第２ＳＰＭによる基板処理を行う際の基板処理部を示す図である。 リンス液を基板に供給する際の基板処理部を示す図である。

以下、図面（図１～図８）を参照して本発明の基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

本発明に係る基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウェハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウェハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。

まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、基板Ｗを処理することを「基板処理」と記載する場合がある。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部１と、第１薬液キャビネット１０１と、第２薬液キャビネット１０３と、複数の流体ボックス１０５と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置２００とを備える。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。本実施形態では、未処理の基板Ｗ（処理前の基板Ｗ）の各々に、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着している。

インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部１との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。

複数の基板処理部１は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部１（図１では３つの基板処理部１）を含む。

本実施形態において、第１薬液キャビネット１０１は、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）、又は、硫酸と過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）との混合液を収容する。具体的には、第１薬液キャビネット１０１は、初期状態において硫酸の新液を収容する。基板処理部１は、硫酸過酸化水素水溶液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）を用いて基板Ｗを処理する。硫酸過酸化水素水溶液（ＳＰＭ）は、硫酸と過酸化水素水との混合液である。基板処理部１が基板処理を行うと、ＳＰＭが基板処理部１から回収されて、第１薬液キャビネット１０１に収容される。この結果、第１薬液キャビネット１０１内で、硫酸と、基板処理部１から回収されたＳＰＭとが混合されて、硫酸と過酸化水素水との混合液が第１薬液キャビネット１０１に収容される。

本実施形態において、第２薬液キャビネット１０３は、硫酸の新液を収容する。基板処理部１から回収されたＳＰＭは、第２薬液キャビネット１０３に収容されない。したがって、第２薬液キャビネット１０３は、硫酸の新液を常に収容する。

流体ボックス１０５はそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。第１薬液キャビネット１０１内の薬液（硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水との混合液）は、いずれかの流体ボックス１０５を介して、流体ボックス１０５に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部１に供給される。同様に、第２薬液キャビネット１０３内の薬液（硫酸）は、いずれかの流体ボックス１０５を介して、流体ボックス１０５に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部１に供給される。

基板処理部１の各々は、ＳＰＭを用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理部１の各々は、第１ＳＰＭと、第２ＳＰＭと、リンス液とをこの順に基板Ｗに供給して、基板Ｗからレジスト膜を除去する。第１ＳＰＭと、第２ＳＰＭとでは、硫酸と過酸化水素水との混合比が異なる。詳しくは、第２ＳＰＭは、第１ＳＰＭと比べて、硫酸の割合が大きい。つまり、第２ＳＰＭは、第１ＳＰＭと比べて、硫酸の濃度が高い。第１ＳＰＭを基板Ｗに供給することにより、レジスト膜の硬化層の一部が基板Ｗから除去される。第２ＳＰＭを基板Ｗに供給することにより、レジスト膜の残渣物が基板Ｗから除去される。

リンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）、所謂「超純水」である。但し、リンス液は、脱イオン水に限定されない。例えば、リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であり得る。

続いて、制御装置２００を説明する。制御装置２００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置２００は、基板処理部１、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、第１薬液キャビネット１０１、第２薬液キャビネット１０３、及び流体ボックス１０５を制御する。制御装置２００は、制御部２０１と、記憶部２０２とを含む。

制御部２０１は、記憶部２０２に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部２０１は、例えば、プロセッサを有する。制御部２０１は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部２０１は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。

記憶部２０２は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部２０２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。各種情報（データ）には、例えば、第１薬液キャビネット１０１に収容されている薬液に含まれる硫酸の濃度の閾値が含まれる。また、各種情報（データ）には、第１薬液キャビネット１０１に収容されている薬液の温度の設定値と、第２薬液キャビネット１０３に収容されている薬液の温度の設定値と、流体ボックス１０５から基板処理部１に供給される薬液の温度の設定値とが含まれる。更に、各種情報（データ）は、レシピデータを含む。レシピデータは、基板Ｗの処理内容、処理条件、及び処理手順を規定するレシピを示す。

記憶部２０２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部２０２は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部２０２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。

続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００の構成の一部を示す図である。詳しくは、図２は、第１薬液キャビネット１０１の構成と、第２薬液キャビネット１０３の構成と、基板処理部１の構成とを示す。また、図２は、第１薬液キャビネット１０１と、第２薬液キャビネット１０３と、基板処理部１との間で薬液を流通させる各種配管を示す。

図２に示すように、基板処理装置１００は、第１循環部１１０と、第１供給部１２０と、濃度測定部１３０と、第１補充部１４０と、第２循環部１５０と、第２供給部１６０と、第２補充部１７０と、回収部３０と、第１供給ラインＬ１と、排液ラインＬ２とを更に備える。第１供給ラインＬ１は、「薬液供給ライン」の一例である。

まず、基板処理部１を説明する。図２に示すように、基板処理部１は、チャンバ１ａと、ノズル２と、対向部材３と、液受け部４とを有する。

チャンバ１ａは、略箱形状を有する。チャンバ１ａは、ノズル２と、対向部材３と、液受け部４と、基板Ｗとを収容する。

ノズル２は、基板Ｗに向けて第１ＳＰＭと第２ＳＰＭとを排他的に吐出して基板Ｗを処理する。第１ＳＰＭは「第１薬液」の一例であり、第２ＳＰＭは「第２薬液」の一例である。第２ＳＰＭは第１ＳＰＭと同種の薬液であり、既に説明したように、第１ＳＰＭと、第２ＳＰＭとでは、硫酸と過酸化水素水との混合比が異なる。第１ＳＰＭによる基板処理は、基板Ｗからレジスト膜の一部を除去する処理であり、第２ＳＰＭによる基板処理は、基板Ｗからレジスト膜の残渣物を除去する処理である。レジスト膜は、「除去対象物」の一例である。

より具体的には、ノズル２は、第１ＳＰＭを基板Ｗに供給して、基板Ｗの上面に第１ＳＰＭの液膜を形成する。この結果、第１ＳＰＭにより、基板Ｗに含まれるレジスト膜の硬化層の一部が基板本体から剥離される。あるいは、レジスト膜の硬化層の一部が破壊される。

ノズル２は、第１ＳＰＭの液膜の形成後に、第２ＳＰＭを基板Ｗに供給する。この結果、第１ＳＰＭが第２ＳＰＭにより基板Ｗから押し流されて基板Ｗから排出され、基板Ｗの上面に第２ＳＰＭの液膜が形成される。このとき、第１ＳＰＭによって剥離又は破壊された硬化層が第１ＳＰＭと共に基板Ｗから排出される。第２ＳＰＭを基板Ｗに供給することにより、基板Ｗに含まれるレジスト膜の残渣物が基板本体から剥離される。あるいは、残渣物が破壊される。

対向部材３は、基板Ｗに対向する。詳しくは、対向部材３は、基板Ｗの上方に配置される。対向部材３は、第２ＳＰＭの液膜の形成後に、リンス液を基板Ｗに供給する。この結果、第２ＳＰＭがリンス液により基板Ｗから押し流されて基板Ｗから排出される。また、このとき、第２ＳＰＭによって剥離又は破壊されたレジスト膜の残渣物が第２ＳＰＭと共に基板Ｗから排出される。

液受け部４は、基板Ｗから排出される薬液を受け止める。液受け部４は更に、基板Ｗから排出されるリンス液を受け止める。詳しくは、液受け部４は、第１液受け部４１と、第２液受け部４２とを含む。第１液受け部４１は、基板Ｗから排出される第１ＳＰＭを受け止める。第１液受け部４１は更に、基板Ｗから排出されるリンス液を受け止める。第２液受け部４２は、基板Ｗから排出される第２ＳＰＭを受け止める。

続いて、第１循環部１１０を説明する。図２に示すように、第１循環部１１０は、第１貯留部１１１と、第１循環配管１１２と、第１加熱部材１１３と、第１循環ポンプ１１４とを有する。

第１貯留部１１１は、第１薬液キャビネット１０１内に収容される。第１貯留部１１１は、硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水との混合液を貯留する。第１貯留部１１１に貯留される薬液（硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水との混合液）は、「第３薬液」の一例である。ノズル２から吐出される第１ＳＰＭには、第１貯留部１１１から供給される薬液（硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水との混合液）が含まれる。以下、第１貯留部１１１に貯留される薬液（硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水との混合液）を、「第１貯留薬液」と記載する場合がある。第１循環部１１０は、第１貯留薬液を第１貯留部１１１を介して循環させる。

具体的には、第１循環配管１１２の一端が第１貯留部１１１に接続される。第１循環配管１１２には、第１貯留部１１１から第１貯留薬液が流入する。第１循環配管１１２は、第１貯留薬液が流通する管状の部材である。第１循環配管１１２の他端は、第１貯留部１１１に接続される。第１循環配管１１２の一端から他端まで流通した第１貯留薬液は、第１貯留部１１１に戻り、第１貯留部１１１に貯留される。第１循環配管１１２の一部は、第１薬液キャビネット１０１内に収容される。第１循環配管１１２の他の一部は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。

第１加熱部材１１３は第１薬液キャビネット１０１内に収容される。第１加熱部材１１３は第１循環配管１１２に配置されて、第１貯留薬液を加熱する。例えば、第１加熱部材１１３は、第１貯留薬液を１６５℃で加熱する。第１循環ポンプ１１４は第１薬液キャビネット１０１内に収容される。第１循環ポンプ１１４は、第１循環配管１１２の一端から他端に向かって第１循環配管１１２内を第１貯留薬液が流れるように第１貯留薬液を送液する。第１加熱部材１１３及び第１循環ポンプ１１４は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、第２循環部１５０を説明する。図２に示すように、第２循環部１５０は、第２貯留部１５１と、第２循環配管１５２と、第２加熱部材１５３と、第２循環ポンプ１５４とを有する。

第２貯留部１５１は、第２薬液キャビネット１０３内に収容される。第２貯留部１５１は、硫酸の新液を貯留する。第２貯留部１５１に貯留される薬液（硫酸の新液）は、「第４薬液」の一例である。ノズル２から吐出される第２ＳＰＭには、第２貯留部１５１から供給される薬液（硫酸の新液）が含まれる。以下、第２貯留部１５１に貯留される薬液（硫酸の新液）を、「第２貯留薬液」と記載する場合がある。第２循環部１５０は、第２貯留薬液を第２貯留部１５１を介して循環させる。

具体的には、第２循環配管１５２の一端が第２貯留部１５１に接続される。第２循環配管１５２には、第２貯留部１５１から第２貯留薬液が流入する。第２循環配管１５２は、第２貯留薬液が流通する管状の部材である。第２循環配管１５２の他端は、第２貯留部１５１に接続される。第２循環配管１５２の一端から他端まで流通した第２貯留薬液は、第２貯留部１５１に戻り、第２貯留部１５１に貯留される。第２循環配管１５２の一部は、第２薬液キャビネット１０３内に収容される。第２循環配管１５２の他の一部は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。

第２加熱部材１５３は第２薬液キャビネット１０３内に収容される。第２加熱部材１５３は第２循環配管１５２に配置されて、第２貯留薬液を加熱する。例えば、第２加熱部材１５３は、第２貯留薬液を１６５℃で加熱する。第２循環ポンプ１５４は第２薬液キャビネット１０３内に収容される。第２循環ポンプ１５４は、第２循環配管１５２の一端から他端に向かって第２循環配管１５２内を第２貯留薬液が流れるように第２貯留薬液を送液する。第２加熱部材１５３及び第２循環ポンプ１５４は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、第１供給ラインＬ１と、第１供給部１２０と、第２供給部１６０とを説明する。図２に示すように、第１供給部１２０は、第１供給配管１２１と、第１戻り配管１２２とを有する。第２供給部１６０は、第２供給配管１６１と、第２戻り配管１６２とを有する。第１供給配管１２１及び第１戻り配管１２２は流体ボックス１０５に収容される。第２供給配管１６１の一部は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。第２供給配管１６１の他部はチャンバ１ａ内に収容される。第２戻り配管１６２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。本実施形態において、第１供給ラインＬ１は、第２供給配管１６１を含む。

第１供給配管１２１は、第１貯留薬液が流通する管状の部材である。具体的には、第１供給配管１２１の一端が第１循環配管１１２に接続する。第１循環配管１１２には、第１循環部１１０を循環する第１貯留薬液が流入する。詳しくは、第１循環配管１１２から第１供給配管１２１に第１貯留薬液が流入する。第１供給配管１２１の他端は、第２供給配管１６１（第１供給ラインＬ１）に接続する。第１ＳＰＭにより基板Ｗを処理する際に、第１循環部１１０を循環する第１貯留薬液が第１供給配管１２１を介して第２供給配管１６１（第１供給ラインＬ１）に流入する。

第１戻り配管１２２は、第１貯留薬液が流通する管状の部材である。具体的には、第１戻り配管１２２は、第１供給配管１２１から分岐して、第１循環配管１１２まで延びる。つまり、第１戻り配管１２２の一端は第１供給配管１２１に接続し、第１戻り配管１２２の他端は第１循環配管１１２に接続する。第１ＳＰＭによる基板処理が行われていないとき、第１供給配管１２１から第１戻り配管１２２に第１貯留薬液が流入する。第１戻り配管１２２は、第１貯留薬液を第１循環配管１１２まで流通させて、第１循環配管１１２に戻す。

第２供給配管１６１（第１供給ラインＬ１）には更に、第２循環部１５０を循環する第２貯留薬液が流入する。具体的には、第２供給配管１６１の一端が第２循環配管１５２に接続している。第２供給配管１６１の他端はノズル２に接続している。第２供給配管１６１の一端と他端との間に第１供給配管１２１が接続している。

第２供給配管１６１は、管状の部材であり、第２ＳＰＭによる基板処理が行われるとき、第２循環配管１５２から第２供給配管１６１に流入する第２貯留薬液をノズル２まで流通させる。したがって、第２ＳＰＭによる基板処理が行われるとき、第１供給ラインＬ１は、第２貯留薬液をノズル２に供給する。

第１ＳＰＭによる基板処理が行われるとき、第１供給ラインＬ１は、第１貯留薬液をノズル２に供給する。詳しくは、第１ＳＰＭによる基板処理が行われるとき、第２供給配管１６１は、第２供給配管１６１と第２循環配管１５２との接続箇所から、第２供給配管１６１と第１供給配管１２１との接続箇所まで、第２循環配管１５２から第２供給配管１６１に流入する第２貯留薬液を流通させ、第２供給配管１６１と第１供給配管１２１との接続箇所からノズル２まで、第２貯留薬液と第１貯留薬液との混合液を流通させる。したがって、第１ＳＰＭによる基板処理が行われるとき、第１供給ラインＬ１は、第２貯留薬液と第１貯留薬液との混合液をノズル２に供給する。よって、ノズル２から吐出される第２ＳＰＭには、第２貯留薬液と第１貯留薬液との混合液が含まれる。

第２戻り配管１６２は、第２貯留薬液が流通する管状の部材である。具体的には、第２戻り配管１６２は、第２供給配管１６１から分岐して、第２循環配管１５２まで延びる。つまり、第２戻り配管１６２の一端は第２供給配管１６１に接続し、第２戻り配管１６２の他端は第２循環配管１５２に接続する。第１ＳＰＭによる基板処理と第２ＳＰＭによる基板処理とが行われていないとき、第２供給配管１６１から第２戻り配管１６２に第２貯留薬液が流入する。第２戻り配管１６２は、第２貯留薬液を第２循環配管１５２まで流通させて、第２循環配管１５２に戻す。

続いて、排液ラインＬ２を説明する。第１ＳＰＭによる基板処理が行われているとき、排液ラインＬ２には、第１液受け部４１から第１ＳＰＭが流入する。この結果、第１ＳＰＭは排液される。第１ＳＰＭには、第１貯留薬液に含まれる。また、リンス液による基板処理が行われているとき、排液ラインＬ２には、第１液受け部４１からリンス液が流入する。この結果、リンス液は排液される。

詳しくは、排液ラインＬ２は、排液配管２１を含む。排液配管２１は、第１ＳＰＭ及びリンス液が流通する管状の部材である。第１ＳＰＭによる基板処理が行われているとき、排液配管２１には第１ＳＰＭが流入する。また、リンス液による基板処理が行われているとき、排液配管２１にはリンス液が流入する。排液ラインＬ２（排液配管２１）は、基板処理装置１００が設置されている工場の廃液設備に接続する配管に第１ＳＰＭ及びリンス液を流入させる。なお、排液配管２１の一部は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。

続いて、回収部３０を説明する。図２に示すように、回収部３０は、回収ラインＬ３を含む。回収ラインＬ３には、第２液受け部４２から第２ＳＰＭが流入する。回収ラインＬ３は、第２ＳＰＭを第１貯留部１１１へ導く。したがって、第１貯留部１１１は、初期状態において硫酸（新液）を貯留し、回収ラインＬ３により第２ＳＰＭが回収されることで、硫酸と過酸化水素水との混合液を貯留する。

詳しくは、回収部３０は、第１回収配管３１と、回収タンク３２と、第２回収配管３３と、回収ポンプ３４とを有する。回収ラインＬ３には、第１回収配管３１と、第２回収配管３３と、回収ポンプ３４とが含まれる。第１回収配管３１の一部は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。第１回収配管３１の他の一部は、第１薬液キャビネット１０１に収容される。回収タンク３２、第２回収配管３３、及び回収ポンプ３４は、第１薬液キャビネット１０１に収容される。

第１回収配管３１は、第２ＳＰＭが流通する管状の部材である。第２ＳＰＭによる基板処理が行われているとき、第１回収配管３１に第２ＳＰＭが流入する。第１回収配管３１は、回収タンク３２まで第２ＳＰＭを流通させる。この結果、回収タンク３２に第２ＳＰＭが貯留される。

第２回収配管３３の一端は回収タンク３２に接続し、第２回収配管３３の他端は、第１貯留部１１１に接続している。回収ポンプ３４は第２回収配管３３に配置されている。第２回収配管３３には、回収タンク３２から第２ＳＰＭが流入する。回収ポンプ３４は、第２回収配管３３の一端から他端に向かって第２回収配管３３内を第２ＳＰＭが流れるように第２ＳＰＭを送液する。回収ポンプ３４は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、濃度測定部１３０を説明する。濃度測定部１３０は、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度を測定する。具体的には、図２に示すように、濃度測定部１３０は、分岐配管１３１と、濃度計１３２とを有する。分岐配管１３１、及び濃度計１３２は、第１薬液キャビネット１０１に収容される。

分岐配管１３１は、第１循環配管１１２から分岐して、第１貯留部１１１まで延びる。したがって、第１循環配管１１２から分岐配管１３１に第１貯留薬液が流入する。分岐配管１３１に流入した第１貯留薬液は、分岐配管１３１により第１貯留部１１１に戻される。濃度計１３２は、分岐配管１３１に配置されて、分岐配管１３１を流通する第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度を測定する。硫酸の濃度の測定結果は、制御装置２００（制御部２０１）に入力される。

続いて、第１補充部１４０を説明する。第１補充部１４０は、第１貯留部１１１に硫酸の新液を補充する。第１補充部１４０は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。例えば、制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度が第１設定値以下になると、第１補充部１４０から第１貯留部１１１へ硫酸（新液）を補充させて、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度を所定値に維持させる。また、制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が第２設定値以下になると、第１補充部１４０から第１貯留部１１１へ硫酸（新液）を補充させる。

より具体的には、図２に示すように、第１補充部１４０は、第１補充配管１４１と、第１補充開閉弁１４２とを有する。第１補充配管１４１は、基板処理装置１００が設置されている工場の用力設備に接続している。第１補充配管１４１の一部は、第１薬液キャビネット１０１に収容される。第１補充配管１４１は、硫酸が流通する管状の部材であり、硫酸を第１貯留部１１１まで流通させる。第１補充開閉弁１４２は、第１補充配管１４１に配置される。第１補充開閉弁１４２は、第１補充配管１４１から第１貯留部１１１への硫酸の供給と供給停止とを制御する。第１補充開閉弁１４２は、第１薬液キャビネット１０１の外部に配置されてもよいし、第１薬液キャビネット１０１の内部に収容されてもよい。第１補充開閉弁１４２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１補充開閉弁１４２の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

詳しくは、既に説明したように、第１貯留部１１１には、回収された第２ＳＰＭが流入する。第２ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との混合液であるため、第１貯留部１１１に第２ＳＰＭが流入することにより、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度が低下する。

制御装置２００（制御部２０１）は、濃度測定部１３０（濃度計１３２）の測定結果が第１設定値以下になると、第１補充開閉弁１４２を開く。この結果、第１補充配管１４１から第１貯留部１１１に硫酸（新液）が流入して、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度が増加する。制御装置２００（制御部２０１）は、濃度測定部１３０（濃度計１３２）の測定結果が第１設定値に達すると、第１補充開閉弁１４２を閉じる。この結果、第１貯留薬液に含まれる硫酸の濃度が所定値で維持される。なお、新液における硫酸の濃度は、例えば、９６％又は９８％である。第１設定値は、例えば、９０％又は８９％である。

また、既に説明したように、第１貯留部１１１に第２ＳＰＭが流入する一方で、第１ＳＰＭによる基板処理に使用された第１貯留薬液は排液される。したがって、流入する第２ＳＰＭの量と排液される第１貯留薬液の量とのバランスによっては、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が減少することがある。

制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が第２設定値以下になると、第１補充開閉弁１４２を開く。この結果、第１補充配管１４１から第１貯留部１１１に硫酸（新液）が流入して、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が増加する。制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が第３設定値に達すると、第１補充開閉弁１４２を閉じる。第３設定値は、第２設定値よりも大きい値を示す。なお、第１貯留部１１１には、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量に対応する値を検出するレベルメータ（図示せず）が設けられている。制御装置２００（制御部２０１）は、レベルメータの検出結果に基づいて、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液の量が第２設定値以下であるか否かを判定する。

また、既に説明したように、基板Ｗから第２ＳＰＭが排出される際には、基板Ｗからレジスト膜の残渣物も基板Ｗから排出される。したがって、第１貯留薬液の清浄度がレジスト膜の残渣物により低下する可能性がある。

制御装置２００（制御部２０１）は、例えば一定時間ごとに、第１貯留部１１１に貯留されている第１貯留薬液を硫酸の新液と交換する液交換処理を実行する。具体的には、制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留部１１１内の第１貯留薬液を、第１貯留部１１１に接続する排液ライン（図示せず）から排出させた後、第１補充開閉弁１４２を開く。この結果、第１補充配管１４１から第１貯留部１１１に硫酸（新液）が補充される。制御装置２００（制御部２０１）は、第１貯留部１１１内の硫酸（新液）の量が第３設定値に達すると、第１補充開閉弁１４２を閉じる。

続いて、第２補充部１７０を説明する。第２補充部１７０は、第２貯留部１５１に硫酸の新液を補充する。第２補充部１７０は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。例えば、制御装置２００（制御部２０１）は、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量が第４設定値以下になると、第２補充部１７０から第２貯留部１５１へ硫酸（新液）を補充させる。

より具体的には、図２に示すように、第２補充部１７０は、第２補充配管１７１と、第２補充開閉弁１７２とを有する。第２補充配管１７１は、基板処理装置１００が設置されている工場の用力設備に接続している。第２補充配管１７１の一部は、第２薬液キャビネット１０３に収容される。第２補充配管１７１は、硫酸が流通する管状の部材であり、硫酸を第２貯留部１５１まで流通させる。第２補充開閉弁１７２は、第２補充配管１７１に配置される。第２補充開閉弁１７２は、第２補充配管１７１から第２貯留部１５１への硫酸の供給と供給停止とを制御する。第２補充開閉弁１７２は、第２薬液キャビネット１０３の外部に配置されてもよいし、第２薬液キャビネット１０３の内部に収容されてもよい。第２補充開閉弁１７２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２補充開閉弁１７２の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

より詳しくは、第２貯留部１５１は回収ラインＬ３と接続されていない。したがって、第２ＳＰＭによる基板処理が行わる度に、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量は減少する。

制御装置２００（制御部２０１）は、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量が第４設定値以下になると、第２補充開閉弁１７２を開く。この結果、第２補充配管１７１から第２貯留部１５１に硫酸（新液）が流入して、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量が増加する。制御装置２００（制御部２０１）は、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量が第５設定値に達すると、第２補充開閉弁１７２を閉じる。第５設定値は、第４設定値よりも大きい値を示す。なお、第２貯留部１５１には、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量に対応する値を検出するレベルメータ（図示せず）が設けられている。制御装置２００（制御部２０１）は、レベルメータの検出結果に基づいて、第２貯留部１５１に貯留されている第２貯留薬液の量が第２設定値以下であるか否かを判定する。

続いて、図３を参照して、第１供給部１２０と、第２供給部１６０（第１供給ラインＬ１）とを説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第１供給部１２０及び第２供給部１６０の構成を示す図である。

図３に示すように、第１供給部１２０は、第１流量計１２３と、第１流量調整弁１２４と、第１供給開閉弁１２５と、第１戻り開閉弁１２６とを更に有する。第１流量計１２３、第１流量調整弁１２４、第１供給開閉弁１２５、及び第１戻り開閉弁１２６は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。

第１流量計１２３、第１流量調整弁１２４、及び第１供給開閉弁１２５は第１供給配管１２１に配置される。詳しくは、第１供給配管１２１の上流側から下流側に向かって、第１流量計１２３と、第１流量調整弁１２４と、第１供給開閉弁１２５とがこの順に配置される。

第１流量計１２３は、第１供給配管１２１を流通する第１貯留薬液の流量を測定する。第１流量計１２３の測定結果は、制御装置２００（制御部２０１）に入力される。

第１流量調整弁１２４は、第１供給配管１２１を流通する第１貯留薬液の流量を調整する。第１流量調整弁１２４は、開度の調整が可能であり、第１貯留薬液の流量は、第１流量調整弁１２４の開度に応じた大きさになる。第１流量調整弁１２４のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第１流量調整弁１２４は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。

第１流量調整弁１２４の開度は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。詳しくは、制御装置２００（制御部２０１）は、第１流量計１２３の測定結果に基づいて第１流量調整弁１２４の開度を調整する。

第１供給開閉弁１２５は、第１供給配管１２１から第２供給配管１６１（第１供給ラインＬ１）への第１貯留薬液の供給と供給停止とを制御する。第１供給開閉弁１２５のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１供給開閉弁１２５の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。第１供給開閉弁１２５は、「切替部」の一例である。

第１戻り開閉弁１２６は、第１戻り配管１２２に配置される。第１戻り配管１２２の一端は、第１流量調整弁１２４と第１供給開閉弁１２５との間で第１供給配管１２１に接続する。第１戻り開閉弁１２６は、第１戻り配管１２２から第１循環配管１１２（第１循環部１１０）への第１貯留薬液の供給と供給停止とを制御する。第１戻り開閉弁１２６のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１戻り開閉弁１２６の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、第２供給部１６０を説明する。図３に示すように、第２供給部１６０は、第３加熱部材１６３と、第２流量計１６４と、第２流量調整弁１６５と、第２供給開閉弁１６６と、第２戻り開閉弁１６７とを更に有する。第３加熱部材１６３、第２流量計１６４、第２流量調整弁１６５、第２供給開閉弁１６６、及び第２戻り開閉弁１６７は、図１を参照して説明した流体ボックス１０５内に収容される。

第３加熱部材１６３、第２流量計１６４、第２流量調整弁１６５、及び第２供給開閉弁１６６は第２供給配管１６１に配置される。詳しくは、第２供給配管１６１の上流側から下流側に向かって、第３加熱部材１６３と、第２流量計１６４と、第２流量調整弁１６５と、第２供給開閉弁１６６とがこの順に配置される。なお、第１供給配管１２１は、第３加熱部材１６３の上流側で第２供給配管１６１に接続する。

第３加熱部材１６３は、第２供給配管１６１を流通する薬液を加熱する。詳しくは、第３加熱部材１６３は、第１ＳＰＭによる基板処理を行う際に、第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液を加熱する。また、第３加熱部材１６３は、第２ＳＰＭによる基板処理を行う際に、第２貯留薬液を加熱する。例えば、第３加熱部材１６３は、第２供給配管１６１を流通する薬液（第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液、及び、第２貯留薬液）を１７０℃で加熱する。以下、第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液を、「貯留混合液」と記載する場合がある。

第２流量計１６４は、第２供給配管１６１を流通する薬液（第２貯留液、及び貯留混合液）の流量を測定する。第２流量計１６４の測定結果は、制御装置２００（制御部２０１）に入力される。

第２流量調整弁１６５は、第２供給配管１６１を流通する薬液（第２貯留液、及び貯留混合液）の流量を調整する。第２流量調整弁１６５は、開度の調整が可能であり、第２供給配管１６１を流通する薬液（第２貯留液、及び貯留混合液）の流量は、第２流量調整弁１６５の開度に応じた大きさになる。第２流量調整弁１６５のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第２流量調整弁１６５は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。

第２流量調整弁１６５の開度は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。詳しくは、制御装置２００（制御部２０１）は、第２流量計１６４の測定結果に基づいて第２流量調整弁１６５の開度を調整する。

第２供給開閉弁１６６は、第２供給配管１６１からノズル２への薬液（第２貯留薬液）の供給と供給停止とを制御する。第２供給開閉弁１６６のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２供給開閉弁１６６の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

第２戻り開閉弁１６７は、第２戻り配管１６２に配置される。第２戻り配管１６２の一端は、第２流量調整弁１６５と第２供給開閉弁１６６との間で第２供給配管１６１に接続する。第２戻り開閉弁１６７は、第２戻り配管１６２から第２循環配管１５２（第２循環部１５０）への第２貯留薬液の供給と供給停止とを制御する。第２戻り開閉弁１６７のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２戻り開閉弁１６７の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、図３～図５を参照して、第１供給部１２０と、第２供給部１６０（第１供給ラインＬ１）とを説明する。図３は、第１ＳＰＭによる基板処理と、第２ＳＰＭによる基板処理とが行われていないときの第１供給部１２０と第２供給部１６０とを示す。

図３に示すように、第１ＳＰＭによる基板処理と、第２ＳＰＭによる基板処理とが行われていないとき、制御装置２００（制御部２０１）は、第１供給開閉弁１２５と第２供給開閉弁１６６とを閉状態とし、第１戻り開閉弁１２６と第２戻り開閉弁１６７とを開状態とする。この結果、第１循環配管１１２から第１供給配管１２１に流入した第１貯留薬液が、第１戻り配管１２２を介して第１循環配管１１２に戻る。また、第２循環配管１５２から第２供給配管１６１に流入した第２貯留薬液が、第２戻り配管１６２を介して第２循環配管１５２に戻る。

図４は、第１ＳＰＭによる基板処理が行われている際の第１供給部１２０と第２供給部１６０とを示す図である。図４に示すように、第１ＳＰＭによる基板処理が行われている際に、制御装置２００（制御部２０１）は、第１供給開閉弁１２５と第２供給開閉弁１６６とを開状態とし、第１戻り開閉弁１２６と第２戻り開閉弁１６７とを閉状態とする。この結果、第２供給配管１６１に第１貯留薬液が流入して、第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液（貯留混合液）が第２供給配管１６１を介してノズル２に供給される。

このとき、第３加熱部材１６３は第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液（貯留混合液）を１７０℃で加熱する。また、制御装置２００（制御部２０１）は、第２供給配管１６１を流通する第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液（貯留混合液）の流量が第１所定流量となるように、第１流量調整弁１２４の開度と、第２流量調整弁１６５の開度とを調整する。

図５は、第２ＳＰＭによる基板処理が行われている際の第１供給部１２０と第２供給部１６０とを示す図である。図５に示すように、第２ＳＰＭによる基板処理が行われている際に、制御装置２００（制御部２０１）は、第１供給開閉弁１２５を閉状態とし、第２供給開閉弁１６６を開状態とし、第１戻り開閉弁１２６を開状態とし、第２戻り開閉弁１６７を閉状態とする。この結果、第１循環配管１１２から第１供給配管１２１に流入した第１貯留薬液が、第１戻り配管１２２を介して第１循環配管１１２に戻る。また、第２循環配管１５２から第２供給配管１６１に流入した第２貯留薬液が、第２供給配管１６１を介してノズル２に供給される。

このとき、第３加熱部材１６３は第２貯留薬液を１７０℃で加熱する。また、制御装置２００（制御部２０１）は、第２供給配管１６１を流通する第２貯留薬液の流量が第２所定流量となるように、第２流量調整弁１６５の開度を調整する。

続いて、図６を参照して、基板処理部１を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部１の構成を模式的に示す断面図である。

図６に示すように、基板処理部１は、基板保持部５と、基板回転部６と、第１昇降部７と、第２昇降部８と、ノズル移動機構１０とを更に有する。また、基板処理装置１００は、第２供給ラインＬ４と、第３供給ラインＬ５とを更に備える。

基板Ｗは、チャンバ１ａ内に搬入されて、チャンバ１ａ内で処理される。チャンバ１ａは、基板保持部５と、基板回転部６と、第１昇降部７と、第２昇降部８と、ノズル移動機構１０と、第２供給ラインＬ４の一部と、第３供給ラインＬ５の一部とを更に収容する。

基板保持部５は、基板Ｗを保持する。基板保持部５は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。より具体的には、基板保持部５は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部５は、例えば、スピンチャックである。基板保持部５は、スピンベース５１と、複数のチャック部材５３とを有してもよい。

スピンベース５１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材５３を支持する。複数のチャック部材５３は、スピンベース５１の周縁部に配置される。複数のチャック部材５３は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材５３により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材５３は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。複数のチャック部材５３は、基板Ｗの中心がスピンベース５１の中心と一致するように配置されている。

基板回転部６は、鉛直方向に延びる回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部５とを一体に回転させる。基板回転部６は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

詳しくは、基板回転部６は、回転軸線ＡＸ１を中心としてスピンベース５１を回転させる。したがって、スピンベース５１は、回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。この結果、基板保持部５に保持された基板Ｗが、回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。

より具体的には、基板回転部６は、例えば、モータ本体６１と、シャフト６３とを有する。シャフト６３はスピンベース５１に結合される。モータ本体６１は、シャフト６３を回転させる。その結果、スピンベース５１が回転する。モータ本体６１は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。

続いて、第１液受け部４１を説明する。図６に示すように、第１液受け部４１は、第２液受け部４２の内側に配置される。第１液受け部４１は、第１ガード部４１１と、第１カップ部４１２とを有する。

第１ガード部４１１は、基板保持部５及び基板回転部６を囲む略円筒状であり、基板保持部５及び基板回転部６の周囲に配置される。第１ガード部４１１は、回転する基板Ｗから飛散する第１ＳＰＭとリンス液とを受け止める。

第１カップ部４１２は、第１ガード部４１１の下端側に配置される。第１カップ部４１２は、第１ガード部４１１の下端の下方に、円環状の溝を形成する。第１カップ部４１２には、第１ガード部４１１の内周面から流れ落ちる第１ＳＰＭとリンス液とが収集される。排液ラインＬ２の排液配管２１は、第１カップ部４１２の底部に接続している。排液配管２１に、第１カップ部４１２において収集された第１ＳＰＭとリンス液とが流入する。

続いて、第２液受け部４２を説明する。図６に示すように、第２液受け部４２は、第２ガード部４２１と、第２カップ部４２２とを有する。第２ガード部４２１は、第１ガード部４１１を囲む略円筒状であり、第１ガード部４１１の周囲に配置される。第２ガード部４２１は、回転する基板Ｗから飛散する第２ＳＰＭを受け止める。第２カップ部４２２は、第２ガード部４２１の下端側に配置される。第２カップ部４２２は、第２ガード部４２１の下端の下方に、円環状の溝を形成する。第２カップ部４２２には、第２ガード部４２１の内周面から流れ落ちる第２ＳＰＭが収集される。回収ラインＬ３の第１回収配管３１は、第２カップ部４２２の底部に接続している。第１回収配管３１に、第２カップ部４２２において収集された第２ＳＰＭが流入する。

なお、図６に示すように、液受け部４は、第３液受け部４３を更に有する。第３液受け部４３は、ガード部である。第３液受け部４３の詳しい説明は省略する。

続いて、第１昇降部７を説明する。第１昇降部７は、第１ガード部４１１、第２ガード部４２１、及び第３液受け部４３（ガード部）を個別に昇降させる。第１昇降部７は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。具体的には、第１昇降部７は、第１ガード部４１１、第２ガード部４２１、及び第３液受け部４３（ガード部）を、液受け位置と第１退避位置との間で個別に昇降させる。液受け位置は、第１退避位置よりも上方の位置である。第１昇降部７は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。

続いて、第２供給ラインＬ４を説明する。図６に示すように、第２供給ラインＬ４は、ノズル２へ過酸化水素水を供給する。具体的には、第２供給ラインＬ４は、第３供給配管１８１と、第３供給開閉弁１８２とを有する。

第３供給配管１８１は、過酸化水素水が流通する管状の部材であり、ノズル２まで過酸化水素水を流通させる。第３供給開閉弁１８２は、第３供給配管１８１に配置されて、過酸化水素水のノズル２への供給と供給停止とを制御する。第３供給開閉弁１８２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第３供給開閉弁１８２の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。具体的には、制御装置２００（制御部２０１）は、第１ＳＰＭによる基板処理を行う際に第３供給開閉弁１８２を開状態にする。また、制御装置２００（制御部２０１）は、第２ＳＰＭによる基板処理を行う際に第３供給開閉弁１８２を開状態にする。

続いて、ノズル２を説明する。既に説明したように、第１ＳＰＭによる基板処理の際に、第１供給ラインＬ１は、第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液（貯留混合液）をノズル２に供給し、第２供給ラインＬ４は、過酸化水素水をノズル２に供給する。また、第２ＳＰＭによる基板処理の際に、第１供給ラインＬ１は、第２貯留薬液をノズル２に供給し、第２供給ラインＬ４は、過酸化水素水をノズル２に供給する。

第１供給ラインＬ１から供給される薬液と第２供給ラインＬ４から供給される薬液とは、ノズル２の内部で混合される。したがって、第１ＳＰＭによる基板処理の際に、ノズル２は、貯留混合液（第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液）と過酸化水素水との混合液（第１ＳＰＭ）を基板Ｗに向けて吐出する。また、第２ＳＰＭによる基板処理の際に、ノズル２は、第２貯留薬液（硫酸の新液）と過酸化水素水との混合液（第２ＳＰＭ）を基板Ｗに向けて吐出する。詳しくは、ノズル２は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて、第１ＳＰＭを吐出する。同様に、ノズル２は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて、第２ＳＰＭを吐出する。

続いて、ノズル移動機構１０を説明する。ノズル移動機構１０は、ノズル２を水平面に沿って移動させる。ノズル移動機構１０は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。より詳しくは、ノズル移動機構１０は、第２退避位置と第１処理位置との間でノズル２を移動させる。第２退避位置は、基板保持部５の外側の領域である。例えば、第２退避位置は、液受け部４の外側の領域であってもよい。本実施形態において、第１処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。ノズル２は、第１ＳＰＭ及び第２ＳＰＭを第１処理位置から基板Ｗに供給する。

図６に示すように、ノズル移動機構１０は、ノズルアーム１１と、ノズル基台１３と、ノズル移動部１５とを有してもよい。ノズル基台１３は鉛直方向に延びる。ノズルアーム１１の基端部はノズル基台１３に結合している。ノズルアーム１１は、ノズル基台１３から水平方向に延びる。

ノズルアーム１１は、ノズル２を支持する。ノズル２は、ノズルアーム１１から鉛直下方に向けて突出する。ノズル２は、ノズルアーム１１の先端部に配置されてもよい。

ノズル移動部１５は、鉛直方向に延びる回動軸線ＡＸ２を中心としてノズル基台１３を回転させる。この結果、ノズル２が回動軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って移動する。ノズル移動部１５は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。ノズル移動部１５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。

続いて、第２昇降部８を説明する。第２昇降部８は、対向部材３を昇降させる。第２昇降部８は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。具体的には、第２昇降部８は、対向部材３を第２処理位置と第３退避位置との間で昇降させる。第３退避位置は、第２処理位置よりも上方の位置である。第２昇降部８は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。対向部材３は、リンス液を第２処理位置から基板Ｗに供給する。

続いて、第３供給ラインＬ５及び対向部材３を説明する。図６に示すように、第３供給ラインＬ５は、対向部材３へリンス液を供給する。具体的には、第３供給ラインＬ５は、第４供給配管１９１と、第４供給開閉弁１９２とを有する。対向部材３は、ノズル３ａを有する。

第４供給配管１９１は、リンス液が流通する管状の部材であり、ノズル３ａまでリンス液を流通させる。第４供給開閉弁１９２は、第４供給配管１９１に配置されて、リンス液のノズル３ａへの供給と供給停止とを制御する。第４供給開閉弁１９２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第４供給開閉弁１９２の開閉は、制御装置２００（制御部２０１）によって制御される。具体的には、制御装置２００（制御部２０１）は、基板Ｗにリンス液を供給する際に第４供給開閉弁１９２を開状態にする。ノズル３ａは、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて、リンス液を吐出する。

続いて、図６～図８を参照して、基板処理装置１００による基板処理を説明する。図６は、第１ＳＰＭによる基板処理を行う際の基板処理部１を示している。

図６に示すように、第１ＳＰＭによる基板処理を行う際に、制御装置２００（制御部２０１）は、ノズル移動機構１０を制御して、ノズル２を第１処理位置に移動させる。また、制御装置２００（制御部２０１）は、第１昇降部７を制御して、第１ガード部４１１、第２ガード部４２１及び第３液受け部４３を液受け位置に移動させる。液受け位置に配置された第１ガード部４１１の上端は、基板保持部５に保持されている基板Ｗよりも上方に位置する。この結果、基板Ｗから排出される第１ＳＰＭが第１ガード部４１１において受け止められる。なお、第１ガード部４１１、第２ガード部４２１及び第３液受け部４３を液受け位置に移動させることにより、第２ガード部４２１の上端は、第１ガード部４１１の上端よりも上方に配置され、第３液受け部４３（ガード部）の上端は、第２ガード部４２１の上端よりも上方に配置される。

また、第１ＳＰＭによる基板処理を行う際に、制御装置２００（制御部２０１）は、硫酸と過酸化水素水との混合比が第１混合比となるように、図３～図５を参照して説明した第１流量調整弁１２４と第２流量調整弁１６５とを制御する。第１混合比は、例えば、３：１～５：１である。

図７は、第２ＳＰＭによる基板処理を行う際の基板処理部１を示す図である。第２ＳＰＭによる基板処理は、第１ＳＰＭによる基板処理の後に行われる。図７に示すように、制御装置２００（制御部２０１）は、第１昇降部７を制御して、第１ガード部４１１を液受け位置から第１退避位置へ移動させ、第２ガード部４２１及び第３液受け部４３の位置は液受け位置に維持させる。この結果、第１ガード部４１１の上端は、基板保持部５に保持されている基板Ｗよりも下方に配置される。一方、第２ガード部４２１の上端は、基板保持部５に保持されている基板Ｗよりも上方に位置する。この結果、基板Ｗから排出される第２ＳＰＭが第２ガード部４２１において受け止められる。

また、第２ＳＰＭによる基板処理を行う際に、制御装置２００（制御部２０１）は、硫酸と過酸化水素水との混合比が第２混合比となるように、図３～図５を参照して説明した第１流量調整弁１２４と第２流量調整弁１６５とを制御する。第２混合比は、第１混合比よりも大きい。したがって、第２ＳＰＭにおける硫酸の濃度は、第１ＳＰＭよりも大きい。第２混合比は、例えば、２０：１である。

本実施形態によれば、硫酸の濃度が低いＳＰＭ（第１ＳＰＭ）を排液し、硫酸の濃度が高いＳＰＭ（第２ＳＰＭ）を回収することができる。したがって、第１貯留部１１１において硫酸の濃度が低下し難い。その結果、第１貯留部１１１の液交換処理（第１貯留薬液を硫酸の新液と交換する処理）の頻度を抑制することができ、ひいては、資源を節約することができる。

図８は、リンス液を基板Ｗに供給する際の基板処理部１を示す図である。リンス液による基板処理は、第２ＳＰＭによる基板処理の後に行われる。図８に示すように、リンス液を基板Ｗに供給する際に、制御装置２００（制御部２０１）は、第１昇降部７を制御して、第１ガード部４１１を第１退避位置から液受け位置へ移動させ、第２ガード部４２１及び第３液受け部４３の位置は液受け位置に維持させる。また、制御装置２００（制御部２０１）は、ノズル移動機構１０を制御して、ノズル２を第１処理位置から第２退避位置へ移動させる。更に、制御装置２００（制御部２０１）は、第２昇降部８を制御して、対向部材３を第３退避位置から第２処理位置へ移動させる。

第２処理位置へ移動した対向部材３は、基板Ｗを上方から覆う。この結果、基板Ｗが対向部材３により上方から遮蔽される。また、液受け部４と対向部材３とにより基板Ｗが囲まれる。リンス液は、第２処理位置へ移動した対向部材３（ノズル３ａ）から基板Ｗの上面に向けて吐出される。

以上説明したように、本実施形態によれば、回収したＳＰＭ（第２ＳＰＭ）は、第１ＳＰＭにのみ用いられ、第２ＳＰＭには用いられない。したがって、回収したＳＰＭを第１ＳＰＭと第２ＳＰＭとの両者に用いる構成と比べて、基板処理後の基板Ｗの清浄度が低下し難くなる。

また、本実施形態によれば、第２ＳＰＭに硫酸の新液が用いられる。よって、基板処理後の基板Ｗの清浄度が更に低下し難くなる。更に、回収する第２ＳＰＭに硫酸の新液が用いられるため、第１ＳＰＭの清浄度が低下し難くなる。よって、基板処理後の基板Ｗの清浄度が更に低下し難くなる。

また、本実施形態によれば、回収した第２ＳＰＭは、第１ＳＰＭによる基板処理の際に排液される。したがって、第１ＳＰＭの清浄度が更に低下し難くなる。よって、基板処理後の基板Ｗの清浄度が更に低下し難くなる。

また、本実施形態によれば、レジスト膜の硬化層の除去に用いた第１ＳＰＭを回収せず、レジスト膜の残渣の除去に用いた第２ＳＰＭを回収するため、第１ＳＰＭの清浄度が更に低下し難くなる。よって、基板処理後の基板Ｗの清浄度が更に低下し難くなる。

また、本実施形態によれば、第１貯留部１１１内の第１貯留薬液の清浄度が低下し難いため、第１貯留部１１１の液交換処理の頻度を抑えることができる。したがって、資源を節約することができる。

なお、既に説明したように、第１貯留部１１１には、初期状態において硫酸の新液（濃度９６％又は９８％）が貯留されている。基板処理装置１００は、第１貯留部１１１に貯留されている硫酸の濃度が所定の範囲内（例えば、８９％以上９０％以下）で安定した後に、処理対象の基板Ｗの処理を開始してもよい。例えば、基板処理装置１００は、第１貯留部１１１に貯留されている硫酸の濃度が所定の範囲内で安定するまで、ダミー基板に対する基板処理を行ってもよい。

以上、図面（図１～図８）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、図１～図８を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は、基板Ｗからレジスト膜を除去した。詳しくは、本実施形態の基板処理装置１００は、レジスト膜の硬化層の一部を基板Ｗから除去した後、レジスト膜の残渣物を基板Ｗから除去した。しかしながら、本発明に係る基板処理装置は、レジスト膜を除去する装置に限定されない。本発明が適用される基板処理装置は、同種の第１薬液と第２薬液とを基板に供給して基板を処理する装置である限り、特に限定されない。例えば、本発明は、ＣＭＰ処理後の基板から有機物を除去する装置に適用可能である。

また、図１～図８を参照して説明した実施形態では、硫酸と過酸化水素水との混合比を第１混合比とするために、第１流量調整弁１２４と第２流量調整弁１６５とが制御されたが、硫酸と過酸化水素水との混合比を第１混合比とするために、過酸化水素水の流量が制御されてもよい。同様に、硫酸と過酸化水素水との混合比を第２混合比とするために、過酸化水素水の流量が制御されてもよい。

また、図１～図８を参照して説明した実施形態では、第１ＳＰＭによる基板処理時に、第１貯留薬液と第２貯留薬液との混合液（貯留混合液）がノズル２へ供給されたが、第１ＳＰＭによる基板処理時に、第１貯留薬液と第２貯留薬液とのうち、第１貯留薬液のみがノズル２へ供給されてもよい。具体的には、第１供給ラインＬ１とは別に、第１貯留薬液をノズル２まで流通させる供給ラインが設けられてもよい。この場合、第１貯留薬液をノズル２まで流通させる供給ラインには、第１貯留薬液を１７０℃で加熱する加熱部材が設けられる。

また、図１～図８を参照して説明した実施形態では、ノズル２から第１ＳＰＭと第２ＳＰＭとが排他的に吐出されたが、第１ＳＰＭと第２ＳＰＭとは、異なるノズルから吐出されてもよい。

また、図１～図８を参照して説明した実施形態において、基板保持部５は挟持式のチャックであったが、基板保持部５は挟持式のチャックに限定されない。例えば、基板保持部５は、バキューム式のチャックであってもよい。

本発明は、基板を処理する装置に有用であり、産業上の利用可能性を有する。

１ ：基板処理部
２ ：ノズル
４ ：液受け部
２１ ：排液配管
３０ ：回収部
３１ ：第１回収配管
３２ ：回収タンク
３３ ：第２回収配管
３４ ：回収ポンプ
４１ ：第１液受け部
４２ ：第２液受け部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：第１薬液キャビネット
１０３ ：第２薬液キャビネット
１０５ ：流体ボックス
１１０ ：第１循環部
１１１ ：第１貯留部
１１２ ：第１循環配管
１２０ ：第１供給部
１２１ ：第１供給配管
１２２ ：第１戻り配管
１２３ ：第１流量計
１２４ ：第１流量調整弁
１２５ ：第１供給開閉弁
１２６ ：第１戻り開閉弁
１５０ ：第２循環部
１５１ ：第２貯留部
１５２ ：第２循環配管
１５３ ：第２加熱部材
１５４ ：第２循環ポンプ
１６０ ：第２供給部
１６１ ：第２供給配管
１６２ ：第２戻り配管
１６３ ：第３加熱部材
１６４ ：第２流量計
１６５ ：第２流量調整弁
１６６ ：第２供給開閉弁
１６７ ：第２戻り開閉弁
２００ ：制御装置
２０１ ：制御部
２０２ ：記憶部
４１１ ：第１ガード部
４１２ ：第１カップ部
４２１ ：第２ガード部
４２２ ：第２カップ部
Ｌ１ ：第１供給ライン
Ｌ２ ：排液ライン
Ｌ３ ：回収ライン
Ｗ ：基板

Claims (6)

1. 基板に向けて第１薬液と第２薬液とを排他的に吐出して前記基板を処理するノズルと、
   前記ノズルから吐出される薬液を前記第１薬液と前記第２薬液との間で切り替える切替部と、
   前記切替部を制御する制御部と、
   前記基板から排出される前記第１薬液を受け止める第１液受け部と、前記基板から排出される前記第２薬液を受け止める第２液受け部とを含む液受け部と、
   前記第１液受け部から前記第１薬液が流入する排液ラインと、
   前記第２液受け部から前記第２薬液が流入する回収ラインと、
   前記第１薬液に含まれる第３薬液を貯留する第１貯留部と、
   前記第２薬液に含まれる第４薬液を貯留する第２貯留部と
   を備え、
   前記第１薬液と前記第２薬液とは同種の薬液であり、
   前記回収ラインは、前記第２薬液を前記第１貯留部へ導く、基板処理装置。
2. 前記第３薬液を前記第１貯留部を介して循環させる第１循環部と、
   前記第４薬液を前記第２貯留部を介して循環させる第２循環部と、
   前記第１循環部を循環する前記第３薬液が流入し、前記第２循環部を循環する前記第４薬液が流入する薬液供給ラインと
   を更に備え、
   前記切替部は、前記薬液供給ラインへの前記第３薬液の流入と前記流入の停止とを切り替える、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１薬液による基板処理は、前記基板から除去対象物を除去する処理であり、
   前記第２薬液による基板処理は、前記基板から前記除去対象物の残渣物を除去する処理である、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第１薬液及び前記第２薬液は、硫酸と過酸化水素水との混合液である、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記第４薬液は、前記硫酸の新液である、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記第１貯留部は、初期状態において前記硫酸を貯留し、前記回収ラインにより前記第２薬液が回収されることで、前記硫酸と前記過酸化水素水との混合液を貯留する、請求項４に記載の基板処理装置。

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