JP2024054518A - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、パターン形成方法及び発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有する皮膜を容易に形成できる感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて得られる感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びこれらを用いるパターン形成方法、並びに前記感光性樹脂組成物を用いて得られる発光素子を提供する。【解決手段】感光性樹脂組成物であって、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び（Ｃ）量子ドットを含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであることを特徴とする感光性樹脂組成物。【選択図】なし
Description
本発明は、感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、パターン形成方法、及び発光素子に関する。
赤色、緑色および青色のサブピクセルを含むディスプレイを形成するために、様々な方法が提案されている。その中の一つの方法として、色変換構造体を通してＬＥＤアレイからの光を青色であるより短い波長から、赤色および緑色であるより長い波長の光に変換する方法がある。この色変換を担うものとしては量子ドットが用いられている。
近年、このＬＥＤアレイはマイクロサイズとなっており、これを用いたマイクロＬＥＤディスプレイが注目されている。色変換構造体をＬＥＤアレイ上に形成する方法としては感光性材料を用いたリソグラフィープロセスがあるが（特許文献１）、近年では小型ディスプレイへの適応のためにさらなる微細化が求められている。またディスプレイの鮮明さという観点では発光特性についても高い要求がある。
本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有する皮膜を容易に形成できる感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて得られる感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びこれらを用いるパターン形成方法、並びに前記感光性樹脂組成物を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、感光性樹脂組成物であって、
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものである感光性樹脂組成物を提供する。
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものである感光性樹脂組成物を提供する。
このような感光性樹脂組成物であれば、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有する皮膜を容易に形成できるものとなる。
また、本発明では、前記（Ｃ）成分が、前記表面被覆層にグリシジル基を有する骨格を含むものであることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、現像時に量子ドットが抜け出てしまうのを抑制し、パターンの高い発光特性が得られるものとなる。
また、本発明では、前記（Ａ）成分が、下記式（Ａ１）～（Ａ４）で表される繰り返し単位を含むものであることが好ましい。
［式中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。ｍは、それぞれ独立に、１～６００の整数である。ｍが２以上の整数のとき、各Ｒ３は、互いに同一であっても異なっていてもよく、各Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、０＜ａ１＜１、０＜ａ２＜１、０＜ａ３＜１、０＜ａ４＜１、及びａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＝１を満たす数である。Ｘ１は、下記式（Ｘ１）で表される２価の基である。Ｘ２は、下記式（Ｘ２）で表される２価の基である。
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０～７の整数である。Ｒ１３は、炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。）
（式中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のアルキル基である。ｋは、０～１０の整数である。）］
本発明の感光性樹脂組成物は、上記のような繰り返し単位を含むものであることが好ましい。
また、本発明では、前記（Ｃ）成分の量子ドットは、その表面に配位する配位子を有し、前記表面被覆層は前記配位子と結合したシロキサン結合を含有し、前記配位子の置換基がアミノ基、チオール基、カルボキシ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、及びアンモニウムイオンのいずれか１種以上を有するものであることが好ましい。
このような配位子を有する量子ドットであれば、表面に配位しやすいため好ましい。
また、本発明では、前記（Ｃ）成分を前記感光性樹脂組成物中５～８０質量％含むものであることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、良好な発光特性を維持したまま、微細なパターン形成を行うことができるものとなる。
また、本発明では、更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤を含むものであることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げることができるものとなる。
また、本発明では、更に、（Ｅ）溶剤を含むものであることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、塗布性を向上させることができるものとなる。
また、本発明では、上記に記載の感光性樹脂組成物の乾燥体である感光性樹脂皮膜を提供する。
このような感光性樹脂皮膜であれば、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有する皮膜となる。
また、本発明では、支持フィルムと、前記支持フィルム上に上記に記載の感光性樹脂皮膜とを備えるものである感光性ドライフィルムを提供する。
このような感光性ドライフィルムであれば、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有するものとなる。
また、本発明では、パターン形成方法であって、
（ｉ）上記に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法を提供する。
（ｉ）上記に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法を提供する。
また、本発明では、パターン形成方法であって、
（ｉ’）上記に記載の感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法を提供する。
（ｉ’）上記に記載の感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法を提供する。
これらのパターン形成方法であれば、高いリソグラフィー解像性でパターンを形成することができ、良好な発光特性を有する皮膜のパターンを得ることができる。
また、本発明では、上記に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものである発光素子を提供する。
このような発光素子であれば、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有するものとなる。
本発明の感光性樹脂組成物は、グリシジル基を有するシリコーン樹脂、光カチオン重合開始剤、特定の表面被覆層を有する量子ドットを含むことで、高い解像性、良好な発光特性を有する皮膜を容易に形成できるため、発光素子に適する。
上述のように、高いリソグラフィー解像性、良好な発光特性を有する皮膜を容易に形成できる感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて得られる感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びこれらを用いるパターン形成方法、並びに前記感光性樹脂組成物を用いて得られる発光素子の開発が求められていた。
本発明者は、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、（Ｃ）量子ドットを含むものであることを特徴とする感光性樹脂組成物で、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであることを特徴とする感光性樹脂組成物が高いリソグラフィー解像性を有し、良好な発光特性を有する皮膜（感光性樹脂皮膜）を容易に形成できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、感光性樹脂組成物であって、
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものである感光性樹脂組成物である。
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものである感光性樹脂組成物である。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び（Ｃ）特定の表面被覆層を有する量子ドットを含むものである。必要に応じて、更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤、（Ｅ）溶剤などのその他の成分を含んでもよい。以下、感光性樹脂組成物を構成する各成分について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び（Ｃ）特定の表面被覆層を有する量子ドットを含むものである。必要に応じて、更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤、（Ｅ）溶剤などのその他の成分を含んでもよい。以下、感光性樹脂組成物を構成する各成分について説明する。
［（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂］
本発明に用いられる（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂は、グリシジル基を有しているものであれば特に限定されない。
本発明に用いられる（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂は、グリシジル基を有しているものであれば特に限定されない。
このようなシリコーン樹脂としては、下記式（Ａ１）～（Ａ４）で表される繰り返し単位（以下、それぞれ繰り返し単位Ａ１～Ａ４ともいう。）を含むものが好ましい。
式（Ａ２）及び（Ａ４）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。ｍは、それぞれ独立に、１～６００の整数である。ｍが２以上の整数のとき、各Ｒ３は、互いに同一であっても異なっていてもよく、各Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。繰り返し単位Ａ２及びＡ４中、シロキサン単位が２以上ある場合、各シロキサン単位は、全て同一であってもよく、２種以上の異なるシロキサン単位を含んでいてもよい。２種以上の異なるシロキサン単位を含む場合（すなわち、ｍが２以上の整数のとき）、シロキサン単位がランダムに結合したものでも交互に結合したものでもよく、同種のシロキサン単位のブロックを複数含むものであってもよい。
前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基等の１価脂肪族炭化水素基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基等の１価芳香族炭化水素基が挙げられる。
前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記アルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられる。
また、前記１価脂肪族炭化水素基にはヘテロ原子が含まれていてもよく、具体的には、前記１価脂肪族炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子等で置換されていてもよく、その炭素原子間に、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合等が介在していてもよい。このようなヘテロ原子を含む１価脂肪族炭化水素基としては、２－オキソシクロヘキシル基等が挙げられる。
前記アリール基としては、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－エチルフェニル基、３－エチルフェニル基、４－エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
また、前記１価芳香族炭化水素基にはヘテロ原子が含まれていてもよく、具体的には、前記１価芳香族炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数６～２０のアリールチオ基等で置換されていてもよい。
前記炭素数１～１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ－ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、シクロブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－へプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。
前記炭素数１～１０のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロプロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ－ブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、シクロブチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ｎ－ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ－へプチルチオ基、ｎ－オクチルチオ基、ｎ－ノニルチオ基、ｎ－デシルチオ基、ノルボルニルチオ基、アダマンチルチオ基等が挙げられる。
前記炭素数６～２０のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、２－メチルフェニルオキシ基、３－メチルフェニルオキシ基、４－メチルフェニルオキシ基、２－エチルフェニルオキシ基、３－エチルフェニルオキシ基、４－エチルフェニルオキシ基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルオキシ基、４－ブチルフェニルオキシ基、ジメチルフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基等が挙げられる。
前記炭素数６～２０のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、２－メチルフェニルチオ基、３－メチルフェニルチオ基、４－メチルフェニルチオ基、２－エチルフェニルチオ基、３－エチルフェニルチオ基、４－エチルフェニルチオ基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルチオ基、４－ブチルフェニルチオ基、ジメチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、ビフェニリルチオ基、ターフェニリルチオ基等が挙げられる。
例えば、これらの基で置換されたアリール基としては、２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、２－エトキシフェニル基、３－エトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、ビフェニリルオキシフェニル基、ビフェニリルチオフェニル基等が挙げられる。
前記１価脂肪族炭化水素基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～８がより好ましい。また、前記１価芳香族炭化水素基の炭素数は、６～１４が好ましく、６～１０がより好ましい。
これらのうち、Ｒ１～Ｒ４としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基又はフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基がより好ましい。
式（Ａ２）及び（Ａ４）中、ｍは、それぞれ独立に、１～６００の整数であるが、８～１００の整数が好ましい。
式（Ａ１）～（Ａ４）中、ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、０＜ａ１＜１、０＜ａ２＜１、０＜ａ３＜１、０＜ａ４＜１、及びａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＝１を満たす数である。好ましくは、０．０１０≦ａ１＋ａ２≦０．４９０、０．０１０≦ａ３＋ａ４≦０．４９０、０．０５０≦ａ１＋ａ３≦０．４９０、０．０１０≦ａ２＋ａ４≦０．４５０、及びａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＝１を満たす数であり、更に好ましくは、０．０５０≦ａ１＋ａ２≦０．４５０、０．０５０≦ａ３＋ａ４≦０．４５０、０．１００≦ａ１＋ａ３≦０．４７５、０．０２５≦ａ２＋ａ４≦０．４００、及びａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＝１を満たす数である。
特にシリコーン含有率は２０～８０重量％が好ましく、３０～７０重量％とすることが好ましい。
式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｘ１は、下記式（Ｘ１）で表される２価の基である。
式（Ｘ１）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０～７の整数である。
式（Ｘ１）中、Ｒ１３は、炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。前記２価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１，１－ジイル基、エタン－１，２－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，２－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基等のアルカンジイル基等が挙げられる。また、前記２価炭化水素基の炭素原子間に、エステル結合又はエーテル結合が介在していてもよい。これらのうち、Ｒ１３としては、メチレン基又はエチレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。
式（Ａ３）及び（Ａ４）中、Ｘ２は、下記式（Ｘ２）で表される２価の基である。
式（Ｘ２）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のアルキル基である。前記アルキル基としては、Ｒ１～Ｒ４の説明において述べたものと同様のものが挙げられる。Ｒ２１及びＲ２２としては、水素原子又はメチル基が好ましい。
式（Ｘ２）中、ｋは、０～１０の整数であるが、０が好ましい。
本発明に係る（Ａ）成分は、その重量平均分子量（Ｍｗ）が３，０００～５００，０００が好ましく、５，０００～２００，０００がより好ましい。Ｍｗが前記範囲であれば、固体としてポリマーを得ることができ、また成膜性も確保することができる。なお、本発明においてＭｗは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶出溶剤として用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算測定値である。
本発明に係る（Ａ）成分は、繰り返し単位Ａ１～Ａ４がランダムに結合したものでも交互に結合したものでもよく、各単位のブロックを複数含むものであってもよい。
［（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂の製造方法］
本発明に係る（Ａ）成分は、下記式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）ともいう。）と、下記式（２）で表される化合物（以下、化合物（２）ともいう。）と、下記式（３）で表される化合物（以下、化合物（３）ともいう。）と、下記式（４）で表される化合物（以下、化合物（４）ともいう。）とを、金属触媒存在下、付加重合させることにより製造することが好ましい。
本発明に係る（Ａ）成分は、下記式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）ともいう。）と、下記式（２）で表される化合物（以下、化合物（２）ともいう。）と、下記式（３）で表される化合物（以下、化合物（３）ともいう。）と、下記式（４）で表される化合物（以下、化合物（４）ともいう。）とを、金属触媒存在下、付加重合させることにより製造することが好ましい。
前記金属触媒としては、白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体；Ｈ２ＰｔＣｌ４・ｘＨ２Ｏ、Ｈ２ＰｔＣｌ６・ｘＨ２Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ６・ｘＨ２Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ６・ｘＨ２Ｏ、Ｎａ２ＰｔＣｌ６・ｘＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ４・ｘＨ２Ｏ、ＰｔＣｌ４・ｘＨ２Ｏ、ＰｔＣｌ２、Ｎａ２ＨＰｔＣｌ４・ｘＨ２Ｏ（ここで、ｘは、０～６の整数が好ましく、特に０又は６が好ましい。）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（例えば、米国特許第３，２２０，９７２号公報に記載のもの）；塩化白金酸とオレフィンとの錯体（例えば、米国特許第３，１５９，６０１号公報、米国特許第３，１５９，６６２号公報、及び米国特許第３，７７５，４５２号公報に記載のもの）；白金黒やパラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム－オレフィン錯体；クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（いわゆるウィルキンソン触媒）；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン（特に、ビニル基含有環状シロキサン）との錯体等を使用することができる。
触媒の使用量は触媒量であり、通常、化合物（１）～（４）の総質量中、白金族金属として０．００１～０．１質量％であることが好ましい。
前記重合反応においては、必要に応じて溶剤を使用してもよい。溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤が好ましい。重合条件として、触媒が失活せず、かつ短時間で重合の完結が可能という観点から、重合温度は、例えば４０～１５０℃、特に６０～１２０℃が好ましい。重合時間は、原料化合物の種類及び量にもよるが、重合系中に湿気の介入を防ぐため、およそ０．５～１００時間、特に０．５～３０時間で終了するのが好ましい。このようにして重合反応を終了後、溶剤を使用した場合はこれを留去することにより、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂を得ることができる。
反応方法は、特に限定されないが、まず、化合物（３）及び化合物（４）を混合して加熱した後、前記混合溶液に金属触媒を添加し、次いで化合物（１）及び化合物（２）を０．１～５時間かけて滴下するのがよい。
各原料化合物は、化合物（３）及び化合物（４）が有する炭素－炭素二重結合の合計に対し、化合物（１）及び化合物（２）が有するヒドロシリル基が、モル比で、好ましくは０．６７～１．６７、より好ましくは０．８３～１．２５となるように配合するのがよい。本発明に係る（Ａ）成分のＭｗは、ｏ－アリルフェノールのようなモノアリル化合物、又はトリエチルヒドロシランのようなモノヒドロシランやモノヒドロシロキサンを分子量調整剤として使用することにより制御することが可能である。
本発明において、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
［（Ｂ）光カチオン重合開始剤］
（Ｂ）成分の光カチオン重合開始剤としては、光照射によって分解し、カチオン重合性の触媒を発生するものであれば特に限定されないが、波長１９０～５００ｎｍの光を照射することによって発生するものが好ましい。（Ｂ）光カチオン重合開始剤は、硬化触媒として用いられる。前記光カチオン重合開始剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド－イル－スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
（Ｂ）成分の光カチオン重合開始剤としては、光照射によって分解し、カチオン重合性の触媒を発生するものであれば特に限定されないが、波長１９０～５００ｎｍの光を照射することによって発生するものが好ましい。（Ｂ）光カチオン重合開始剤は、硬化触媒として用いられる。前記光カチオン重合開始剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド－イル－スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
前記オニウム塩としては、下記式（Ｂ１）で表されるスルホニウム塩又は下記式（Ｂ２）で表されるヨードニウム塩が挙げられる。
式（Ｂ１）及び（Ｂ２）中、Ｒ１０１～Ｒ１０５は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～１２のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数７～１２のアラルキル基である。Ａ－は、非求核性対向イオンである。
前記アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
前記置換基としては、オキソ基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１～１２のアルコキシ基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２４のアリール基、炭素数７～２５のアラルキル基、炭素数６～２４のアリールオキシ基、炭素数６～２４のアリールチオ基等が挙げられる。
Ｒ１０１～Ｒ１０５としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、２－オキソシクロヘキシル基等の置換基を有していてもよいアルキル基；フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ｏ－、ｍ－又はｐ－メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｍ－又はｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、２－、３－又は４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ターフェニリル基、ビフェニリルオキシフェニル基、ビフェニリルチオフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の置換基を有していてもよいアラルキル基が好ましい。これらのうち、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基がより好ましい。
前記非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレートイオン、１，１，１－トリフルオロエタンスルホネートイオン、ノナフルオロブタンスルホネートイオン等のフルオロアルカンスルホネートイオン；トシレートイオン、ベンゼンスルホネートイオン、４－フルオロベンゼンスルホネートイオン、１，２，３，４，５－ペンタフルオロベンゼンスルホネートイオン等のアリールスルホネートイオン；メシレートイオン、ブタンスルホネートイオン等のアルカンスルホネートイオン；トリフルオロメタンスルホンイミドイオン等のフルオロアルカンスルホンイミドイオン；トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドイオン等のフルオロアルカンスルホニルメチドイオン；テトラキスフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン等のボレートイオン等が挙げられる。
前記ジアゾメタン誘導体としては、下記式（Ｂ３）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｂ３）中、Ｒ１１１及びＲ１１２は、それぞれ独立に、炭素数１～１２のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～１２のアリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基である。
前記アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、Ｒ１０１～Ｒ１０５の説明において例示したものと同様のものが挙げられる。前記ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、１，１，１－トリフルオロエチル基、１，１，１－トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
前記置換基を有していてもよいアリール基としては、フェニル基；２－、３－又は４－メトキシフェニル基、２－、３－又は４－エトキシフェニル基、３－又は４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２－、３－又は４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基；フルオロフェニル基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５－ペンタフルオロフェニル基等のハロゲン化アリール基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
前記グリオキシム誘導体としては、下記式（Ｂ４）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｂ４）中、Ｒ１２１～Ｒ１２４は、それぞれ独立に、炭素数１～１２のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～１２のアリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基である。また、Ｒ１２３及びＲ１２４は、互いに結合してこれらが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、環を形成する場合、Ｒ１２３及びＲ１２４が結合して形成される基は、炭素数２～１２の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。
前記アルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、及びアラルキル基としては、Ｒ１１１及びＲ１１２として例示したものと同様のものが挙げられる。前記直鎖状又は分岐状のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
前記オニウム塩として具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル（４－チオフェノキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、［４－（４－ビフェニリルチオ）フェニル］－４－ビフェニリルフェニルスルホニウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド、テトラキス（フルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルスルホニウム、テトラキス（フルオロフェニル）ホウ酸トリス［４－（４－アセチルフェニル）チオフェニル］スルホニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルスルホニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリス［４－（４－アセチルフェニル）チオフェニル］スルホニウム等が挙げられる。
前記ジアゾメタン誘導体として具体的には、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ペンチルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロへキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ペンチルスルホニル）ジアゾメタン、１－ｔｅｒｔ－ペンチルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
前記グリオキシム誘導体として具体的には、ビス－ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジシクロへキシルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジシクロへキシルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－ｏ－（メタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（トリフルオロメタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（１，１，１－トリフルオロエタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｔｅｒｔ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（パーフルオロオクタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（シクロヘキサンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｐ－フルオロベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（キシレンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－ｏ－（カンファースルホニル）－α－ジメチルグリオキシム等が挙げられる。
前記β－ケトスルホン誘導体として具体的には、２－シクロヘキシルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン、２－イソプロピルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン等が挙げられる。
前記ジスルホン誘導体として具体的には、ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等が挙げられる。
前記ニトロベンジルスルホネート誘導体として具体的には、ｐ－トルエンスルホン酸２，６－ジニトロベンジル、ｐ－トルエンスルホン酸２，４－ジニトロベンジル等が挙げられる。
前記スルホン酸エステル誘導体として具体的には、１，２，３－トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等が挙げられる。
前記イミド－イル－スルホネート誘導体として具体的には、フタルイミド－イル－トリフレート、フタルイミド－イル－トシレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－トリフレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－トシレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－ｎ－ブチルスルホネート、ｎ－トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等が挙げられる。
前記オキシムスルホネート誘導体として具体的には、α－（ベンゼンスルホニウムオキシイミノ）－４－メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられる。
前記イミノスルホネート誘導体として具体的には、（５－（４－メチルフェニル）スルホニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（５－（４－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）－アセトニトリル等が挙げられる。
前記トリアジン誘導体として具体的には、２－［２－（フラン－２－イル）エチニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（５－メチルフラン－２－イル）エチニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（メトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（４－メトキシフェニル）エチニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（３，４－ジメトキシフェニル）エチニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等が挙げられる。
また、２－メチル－２－［（４－メチルフェニル）スルホニル］－１－［（４－メチルチオ）フェニル］－１－プロパン等も好適に使用できる。
（Ｂ）成分の光カチオン重合開始剤としては、特に前記オニウム塩及び前記スルホニウム塩が好ましく、前記スルホニウム塩がより好ましい。
（Ｂ）光カチオン重合開始剤は、感光性樹脂組成物の総量に対して０．０５～２０質量％の範囲にあることが好ましく、０．５～１０質量％の範囲にあることがより好ましい。光カチオン重合開始剤が上記範囲内で含まれる場合、露光時の感度及び現像性のバランスに優れて残膜なしに解像度が優れたパターンが得られる。また、光カチオン重合開始剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
［（Ｃ）特定の表面被覆層を有する量子ドット］
量子ドットとは、ナノサイズの半導体物質である。原子が分子を成して、分子は、クラスタという小さい分子の集合体を構成してナノ粒子を形成する。このようなナノ粒子が特に半導体特性を示しているとき、これを量子ドット（量子ドット粒子）と言う。
量子ドットとは、ナノサイズの半導体物質である。原子が分子を成して、分子は、クラスタという小さい分子の集合体を構成してナノ粒子を形成する。このようなナノ粒子が特に半導体特性を示しているとき、これを量子ドット（量子ドット粒子）と言う。
量子ドットは、外部からエネルギーを受けて浮き立った状態に至ると、自体（自律）的に該当するエネルギーバンドギャップによるエネルギーを放出する（発光する）。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであれば特に限定されることはなく、どのような形態でも使用することが可能である。量子ドットは主に１０ｎｍ以下のナノ粒子であるが、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、ナノキューブ等でもよく、どのような形状のものでも適用可能である。本発明において、量子ドットの平均粒径は透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いて少なくとも２０個の粒子を直接観察し、粒子の投影面積と同一面積を有する円の直径を算出し、それらの平均の値を用いた。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットは任意の好適な材料、例えば、半導体材料としては、ＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族、ＩＶ族、ＩＶ－ＶＩ族、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族、ＩＩ－ＩＶ－Ｖ族およびこれらの混晶や合金、またはペロブスカイト構造をもつ化合物からなる群より選択されるものを用いることができる。具体的には、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＺｎＳｉＰ２、ＺｎＧｅＰ２、ＣｄＳｉＰ２、ＣｄＧｅＰ２、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＳｎＣｌ３、ＣｓＳｎＢｒ３、ＣｓＳｎＩ３を含む化合物が挙げられるが、これに限定されない。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットはコアシェル構造を有することができる。コアシェル構造を形成できるシェル材料としては、特に限定されないが、コア材料に対してバンドギャップが大きく、格子不整合性が低いものが好ましく、コア材料に合わせて任意に組み合わせることが可能である。具体的なシェル材料は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＢｅＳ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩなどが挙げられ、上記材料を単一または複数の混晶としても選択されてもよいが、これに限定されない。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットの製造法は液相法や気相法など様々な方法があるが、本発明においては特に限定されないが、高い蛍光発光効率を示す観点から、高沸点の非極性溶媒中において高温で前駆体種を反応させる、ホットソープ法やホットインジェクション法を用いて得られる半導体ナノ粒子を用いることが好ましく、非極性溶媒への分散性を付与し、表面欠陥を低減するため、表面に有機配位子が配位していることが望ましい。
有機配位子は分散性の観点から脂肪族炭化水素を含むことが好ましい。このような有機配位子としては、例えば、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、ラウリル酸、デカン酸、オクタン酸、オレイルアミン、ステアリル（オクタデシル）アミン、ドデシル（ラウリル）アミン、デシルアミン、オクチルアミン、オクタデカンチオール、ヘキサデカンチオール、テトラデカンチオール、ドデカンチオール、デカンチオール、オクタンチオール、トリオクチルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィン、トリブチルホスフィンオキシド等が挙げられ、これらを１種単独で用いても複数組み合わせても良い。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットには前記の有機配位子の他にシロキサン結合を形成できる置換基を有する配位子が配位している。シロキサン結合を形成できる置換基を有する配位子として、量子ドット表面に相互作用または吸着する置換基を有することが望ましい。量子ドット表面に相互作用または吸着する置換基として、アミノ基、チオール基、カルボキシ基、メルカプト基、ホスフィノ基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、スルホニル基、アンモニウムイオン、第４級アンモニウム塩等が挙げられ、この中で配位性の強さの観点からアミノ基、カルボキシ基、メルカプト基、ホスフィン基、第４級アンモニウム塩が好ましい。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットはシロキサンによって量子ドット表面を被覆されている。そのため、上記量子ドット表面に相互作用または吸着する置換基を有する配位子にシロキサン結合を形成できる置換基を有している。シロキサン結合を形成できる置換基としては、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、ジメトキシメチルシリル基、ジエトキシメチルシリル基、ジメチルメトキシシリル基、エトキシジメチルシリル基などのアルコキシシランを含有する化合物、シラザン結合を有する化合物、Ｓｉ－ＯＨ結合を有する化合物、Ｓｉ－Ｘ（Ｘ：ハロゲン）結合を有する化合物、カルボン酸などがあるが、反応の副生成物として酸が発生しない温和な条件で反応が進行できることから、アルコキシシランやシラザン、Ｓｉ－ＯＨを含有する配位子を用いることが好ましい。これらとジフェニルジシラノール等を反応させることでフェニル基含有シロキサンを形成できる。
シロキサンの被覆量は特に限定されないが、１～５０質量％の範囲にあることが好ましく、５～３０質量％の範囲にあることがより好ましい。シロキサンの被覆量が多すぎると量子ドット含有量が下がってしまうが、上記範囲内に含まれる場合、ベースポリマーへの分散性改善や露光時の量子ドットの劣化を抑えることができる。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットはさらに表面被覆層にグリシジル基を有する骨格を含むものであっても良い。
グリシジル基を有する骨格としては下記式（ｃ）に由来する骨格構造が好ましい。
式（ｃ）中、Ｒ３１は、水素原子又はメチル基である。ｐ１は、０～７の整数である。
式（ｃ）中、Ｒ３２は、炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。前記２価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１，１－ジイル基、エタン－１，２－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，２－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基等のアルカンジイル基等が挙げられる。また、前記２価炭化水素基の炭素原子間に、エステル結合又はエーテル結合が介在していてもよい。これらのうち、Ｒ３２としては、メチレン基又はエチレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。
式（ｃ）中、Ｒ３３は、炭素数１～１０の１価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。中でも以下に示すような基が好ましい。
表面被覆層に式（ｃ）の骨格構造を導入することによって、露光後に（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂と表面被覆層が架橋するため、現像時に量子ドットが抜け出てしまうのを抑制し、パターンの高い発光特性が得られる。
また、表面被覆層に式（ｃ）の骨格構造を導入することによって、（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂との相溶性が高まり、感光性樹脂組成物にした際の凝集物の発生を抑制できる。
本発明に用いられる（Ｃ）量子ドットは、感光性樹脂組成物の総量に対して５～８０質量％が好ましく、より好ましくは１０～７０質量％である。量子ドット粒子の含有率が上記の範囲内であれば良好な発光特性を維持したまま、微細なパターン形成を行うことができる。
（Ｃ）成分におけるグリシジル基の導入方法や導入量は特に限定されないが、上記フェニル基含有シロキサンを形成する際に、あらかじめ作製しておいたアルコキシシランを含有するグリシジル基をもつ骨格を加えて反応させる方法や、グリシジル基をもつ骨格をラジカル反応などで直接導入する方法が使用できる。導入量については樹脂への相溶性を鑑みて、適宜調整すればよい。
［（Ｄ）カチオン重合性架橋剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｄ）成分としてカチオン重合性架橋剤を含んでもよい。前記カチオン重合性架橋剤は、（Ａ）成分のエポキシ基とカチオン重合反応を起こし得るもので、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｄ）成分としてカチオン重合性架橋剤を含んでもよい。前記カチオン重合性架橋剤は、（Ａ）成分のエポキシ基とカチオン重合反応を起こし得るもので、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げるものである。
前記架橋剤としては、分子量が１００～１５，０００の化合物が好ましく、２００～１，０００の化合物がより好ましい。分子量が１００以上であれば、十分な光硬化性を得ることができ、１５，０００以下であれば組成物の光硬化後の耐熱性を悪化させるおそれがないために好ましい。なお、前記化合物は樹脂（ポリマー）であってもよく、その場合、分子量は重量平均分子量（Ｍｗ）である。
前記カチオン重合性架橋剤としては、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基から選ばれる官能基を有する化合物が好ましい。これらの化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、含有する場合は、０．５～１００質量部が好ましく、０．５～６０質量部が好ましく、１～５０質量部がより好ましい。（Ｄ）成分の含有量が、０．５質量部以上であれば光照射時に十分な硬化性が得られる。（Ｄ）成分は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
［（Ｅ）溶剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｅ）成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、前述した各成分を溶解し得るものであれば、特に限定されない。溶剤を配合することによって、感光性樹脂組成物の塗布性を向上させることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｅ）成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、前述した各成分を溶解し得るものであれば、特に限定されない。溶剤を配合することによって、感光性樹脂組成物の塗布性を向上させることができる。
このような溶剤としては、有機溶剤がこれらの成分の溶解性に優れていることから好ましい。前記有機溶剤としては、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル－２－ｎ－ペンチルケトン等のケトン類；３－メトキシブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、１－メトキシ－２－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。特に、光カチオン重合開始剤の溶解性に優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ＰＧＭＥＡ、γ－ブチロラクトン及びこれらの混合溶剤が好ましい。
（Ｅ）成分の含有量は、感光性樹脂組成物の相溶性及び粘度の観点から、感光性樹脂組成物の総量に対して、２５～８５質量％が好ましく、３５～７５質量％がより好ましい。
［感光性樹脂皮膜］
本発明の感光性樹脂皮膜は、上記に記載の感光性樹脂組成物の乾燥体である。
本発明の感光性樹脂皮膜は、上記に記載の感光性樹脂組成物の乾燥体である。
［感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法］
本発明の感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法は、
（ｉ）上記に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含む。
本発明の感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法は、
（ｉ）上記に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含む。
工程（ｉ）は、上記に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程である。前記基板としては、例えば、シリコンウエハー、ガラスウエハー、石英ウエハー、マイクロＬＥＤ積層基板等が挙げられる。
塗布方法としては、公知の方法でよく、ディップ法、スピンコート法、ロールコート法等が挙げられる。塗布量は、目的に応じて適宜選択することができるが、得られる感光性樹脂皮膜の膜厚が好ましくは０．１～２００μｍ、より好ましくは１～１５０μｍとなるように塗布することが好ましい。
基板面における膜厚均一性を向上させる目的で、感光性樹脂組成物を塗布する前に溶剤を基板に滴下してもよい（プリウェット法）。滴下する溶剤は、目的に応じて適宜選択することができる。前記溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール類、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール類等が好ましいが、感光性樹脂組成物に使用される溶剤を用いることも可能である。
ここで、光硬化反応を効率的に行うため、必要に応じて予備加熱（プリベーク）により溶剤等を予め揮発させておいてもよい。プリベークは、例えば、４０～１４０℃で１分～１時間程度行うことができる。
次いで、（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する。このとき、露光は、波長１０～６００ｎｍの光で行うことが好ましく、１９０～５００ｎｍの光で行うことがより好ましい。このような波長の光としては、例えば放射線発生装置により発生された種々の波長の光、例えば、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線光、遠紫外線光（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）等が挙げられる。これらのうち、波長２４８～４３６ｎｍの光が特に好ましい。露光量は、１０～１０，０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
露光は、フォトマスクを介して行ってもよい。前記フォトマスクは、例えば所望のパターンをくり貫いたものであってもよい。なお、フォトマスクの材質は、特に限定されないが、前記波長の光を遮蔽するものが好ましく、例えば、遮光膜としてクロムを備えるものが好適に用いられるが、これに限定されない。
更に、現像感度を高めるために、露光後加熱処理（ＰＥＢ）を行ってもよい。ＰＥＢは、４０～１５０℃で０．５～２０分間とすることが好ましい。ＰＥＢによって、露光部分が架橋して現像液である有機溶剤に不溶な不溶化パターンが形成される。
（ｉｉｉ）露光後又はＰＥＢ後、現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する。現像液としては、例えば、ＩＰＡ等のアルコール類、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール類等の有機溶剤が好ましいが、感光性樹脂組成物に使用される溶剤を用いることも可能である。現像方法としては、通常の方法、例えばパターン形成された基板を前記現像液に浸漬する方法等が挙げられる。その後、必要に応じて、洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有する硬化皮膜が得られる。
更に、パターンを形成した皮膜を、オーブンやホットプレートを用いて、好ましくは１００～２００℃で後硬化してもよい。
［感光性ドライフィルム］
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、前記支持フィルム上に感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜とを備えるものである。
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、前記支持フィルム上に感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜とを備えるものである。
前記感光性ドライフィルム（支持フィルム及び感光性樹脂皮膜）は固体であり、感光性樹脂皮膜が溶剤を含まないため、その揮発による気泡が前記感光性樹脂皮膜の内部及び凹凸のある基板との間に残留するおそれがない。前記感光性樹脂皮膜の膜厚は、特に限定されないが、１～２００μｍが好ましく、３～１００μｍがより好ましい。
また、前記感光性樹脂皮膜の粘度と流動性とは密接に関係しており、前記感光性樹脂皮膜は、適切な粘度範囲において適切な流動性を発揮でき、狭い隙間の奥まで入っていったり、樹脂が軟化することにより基板との接着性を強くしたりすることができる。したがって、前記感光性樹脂皮膜の粘度は、前記感光性樹脂皮膜の流動性の観点から、８０～１２０℃において、好ましくは１０～５，０００Ｐａ・ｓ、より好ましくは３０～２，０００Ｐａ・ｓ、更に好ましくは５０～３００Ｐａ・ｓである。なお、本発明において粘度は、回転粘度計による測定値である。
本発明の感光性ドライフィルムは、凹凸のある基板に密着させる際に、感光性樹脂皮膜が前記凹凸に追随して被覆され、高い平坦性を達成できる。特に、本発明の感光性樹脂組成物は、軟化性能が特徴であるため、より高い平坦性を達成できる。更に、前記感光性樹脂皮膜を真空環境下で前記基板に密着させると、それらの隙間の発生をより効果的に防止できる。
本発明の感光性ドライフィルムは、前記感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、乾燥させて感光性樹脂皮膜を形成することによって製造することができる。前記感光性ドライフィルムの製造装置としては、一般的に粘着剤製品を製造するためのフィルムコーターが使用できる。前記フィルムコーターとしては、例えば、コンマコーター、コンマリバースコーター、マルチコーター、ダイコーター、リップコーター、リップリバースコーター、ダイレクトグラビアコーター、オフセットグラビアコーター、３本ボトムリバースコーター、４本ボトムリバースコーター等が挙げられる。
支持フィルムを前記フィルムコーターの巻出軸から巻き出し、前記フィルムコーターのコーターヘッドを通過させるとき、前記支持フィルム上に前記感光性樹脂組成物を所定の厚みで塗布した後、所定の温度及び時間で熱風循環オーブンを通過させ、前記支持フィルム上で乾燥させて感光性樹脂皮膜とすることで、感光性ドライフィルムを製造することができる。また、必要に応じて、感光性ドライフィルムを前記フィルムコーターの別の巻出軸から巻き出された保護フィルムとともに、所定の圧力でラミネートロールを通過させて前記支持フィルム上の前記感光性樹脂皮膜と保護フィルムとを貼り合わせた後、前記フィルムコーターの巻取軸に巻き取ることによって、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを製造することができる。この場合、前記温度としては２５～１５０℃が好ましく、前記時間としては１～１００分間が好ましく、前記圧力としては０．０１～５ＭＰａが好ましい。
本発明の感光性ドライフィルムにおいて使用される支持フィルムは、単一のフィルムからなる単層フィルムであっても、複数のフィルムを積層した多層フィルムであってもよい。前記フィルムの材質としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。これらのうち、適度の可撓性、機械的強度及び耐熱性を有するポリエチレンテレフタレートが好ましい。これらのフィルムは、コロナ処理や剥離剤塗布等の各種処理が行われたものでもよい。これらは市販品を使用することができ、例えばセラピールＷＺ（ＲＸ）、セラピールＢＸ８（Ｒ）（以上、東レフィルム加工（株）製）、Ｅ７３０２、Ｅ７３０４（以上、東洋紡（株）製）、ピューレックスＧ３１、ピューレックスＧ７１Ｔ１（以上、帝人デュポンフィルム（株）製）、ＰＥＴ３８×１－Ａ３、ＰＥＴ３８×１－Ｖ８、ＰＥＴ３８×１－Ｘ０８（以上、ニッパ（株）製）等が挙げられる。
前記保護フィルムとしては、前述した支持フィルムと同様のものを用いることができるが、適度の可撓性を有するポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンが好ましい。これらは市販品を使用することができ、ポリエチレンテレフタレートとしてはすでに例示したもの、ポリエチレンとしては、例えばＧＦ－８（タマポリ（株）製）、ＰＥフィルム０タイプ（ニッパ（株）製）等が挙げられる。
前記支持フィルム及び保護フィルムの厚みは、感光性ドライフィルム製造の安定性、及び巻き芯に対する巻き癖、所謂カール防止の観点から、いずれも好ましくは１０～１００μｍ、より好ましくは２５～５０μｍである。
［感光性ドライフィルムを用いるパターン形成方法］
本発明の感光性ドライフィルムを用いるパターン形成方法は、
（ｉ’）上記に記載の前記感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含む。
本発明の感光性ドライフィルムを用いるパターン形成方法は、
（ｉ’）上記に記載の前記感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含む。
まず、（ｉ’）感光性ドライフィルムを用いて、前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する。つまり、感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付けることで基板上に感光性樹脂皮膜を形成する。また、前記感光性ドライフィルムが保護フィルムを有している場合には、感光性ドライフィルムから保護フィルムを剥がした後、感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付ける。貼り付けは、例えばフィルム貼り付け装置を用いて行うことができる。
前記フィルム貼り付け装置としては、真空ラミネーターが好ましい。例えば、前記感光性ドライフィルムの保護フィルムを剥離し、露出した前記感光性樹脂皮膜を所定真空度の真空チャンバー内において、所定の圧力の貼り付けロールを用いて、所定の温度のテーブル上で前記基板に密着させる。なお、前記温度としては６０～１２０℃が好ましく、前記圧力としては０～５．０ＭＰａが好ましく、前記真空度としては５０～５００Ｐａが好ましい。
前記感光性樹脂皮膜の光硬化反応を効率的に行うため、及び感光性樹脂皮膜と基板との密着性を向上させるため、必要に応じてプリベークを行ってもよい。プリベークは、例えば、４０～１４０℃で１分間～１時間程度行うことができる。
基板に貼り付けた感光性樹脂皮膜は、前記感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法の場合と同様に、（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程、及び必要に応じて（ｉｖ）後硬化加熱処理をすることでパターンを形成することができる。なお、感光性ドライフィルムの支持フィルムは、プロセスに応じてプリベーク前又はＰＥＢ前に剥がすか、他の方法で除去する。
本発明の感光性樹脂組成物や感光性ドライフィルムを用いるパターン形成方法により、微細なパターン形成を容易に行うことができる。例えば、基板上に数多く敷き詰められた青色のマイクロＬＥＤを被覆するように本発明の感光性樹脂組成物や感光性ドライフィルムを成膜し、次いで微細なパターン形成を行うことで部分ごとに赤や緑の量子ドットを含む硬化皮膜を青色マイクロＬＥＤ上に形成することで、赤や緑の発光も生じることができるため、フルカラー化した発光素子を作製することが可能となる。
［発光素子］
本発明の発光素子は、上記に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものである。
本発明の発光素子は、上記に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものである。
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。なお、量子ドット材料としてＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳのコアシェル型量子ドットを用いており、コアの合成方法は後述の［１－１］（赤の量子ドット）、［１－２］（緑の量子ドット）に示す通りであり、その後のシェルの合成方法は［２］に示す通りである。
［１－１］赤の量子ドットコア合成工程
フラスコを二つ用意し、それぞれパルミチン酸を０．２３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、酢酸インジウムを０．０８８ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、１－オクタデセンを１０ｍＬ加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、原料を溶解させながら１時間脱気を行った。その後、窒素を二つのフラスコ内にパージし、両方のフラスコに０．７５ｍＬ（０．１５ｍｍｏｌ）のトリストリメチルシリルホスフィン／トリオクチルホスフィン溶液（０．２Ｍ）を加えた。その後、片方のフラスコを３００℃に昇温し、昇温させていないフラスコから溶液を抜き取り、３００℃に加熱しているフラスコに添加していき、コア粒子が生成した。
フラスコを二つ用意し、それぞれパルミチン酸を０．２３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、酢酸インジウムを０．０８８ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、１－オクタデセンを１０ｍＬ加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、原料を溶解させながら１時間脱気を行った。その後、窒素を二つのフラスコ内にパージし、両方のフラスコに０．７５ｍＬ（０．１５ｍｍｏｌ）のトリストリメチルシリルホスフィン／トリオクチルホスフィン溶液（０．２Ｍ）を加えた。その後、片方のフラスコを３００℃に昇温し、昇温させていないフラスコから溶液を抜き取り、３００℃に加熱しているフラスコに添加していき、コア粒子が生成した。
［１－２］緑の量子ドットコア合成工程
フラスコ内にパルミチン酸を０．２３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、酢酸インジウムを０．０８８ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、１－オクタデセンを１０ｍＬ加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、原料を溶解させながら１時間脱気を行った。その後、窒素をフラスコ内にパージし、トリストリメチルシリルホスフィンをトリオクチルホスフィンと混合して０．２Ｍに調製した溶液を０．７５ｍＬ（０．１５ｍｍｏｌ）加えて３００℃に昇温し、コア粒子が生成した。
フラスコ内にパルミチン酸を０．２３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、酢酸インジウムを０．０８８ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、１－オクタデセンを１０ｍＬ加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、原料を溶解させながら１時間脱気を行った。その後、窒素をフラスコ内にパージし、トリストリメチルシリルホスフィンをトリオクチルホスフィンと混合して０．２Ｍに調製した溶液を０．７５ｍＬ（０．１５ｍｍｏｌ）加えて３００℃に昇温し、コア粒子が生成した。
［２］量子ドットシェル層合成工程
次いで、別のフラスコにステアリン酸亜鉛２．８５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、１－オクタデセン１５ｍＬを加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、溶解させながら１時間脱気を行ったステアリン酸亜鉛オクタデセン溶液０．３Ｍを用意し、コア合成後の反応溶液に３．０ｍＬ（０．９ｍｍｏｌ）添加して２００℃まで冷却した。次いで、別のフラスコにセレン０．４７４ｇ（６ｍｍｏｌ）、トリオクチルホスフィン４ｍＬを加えて１５０℃に加熱して溶解させ、セレントリオクチルホスフィン溶液１．５Ｍを調製し、２００℃に冷却しておいたコア合成工程後の反応溶液を３２０℃まで３０分かけて昇温しながら、セレントリオクチルホスフィン溶液を０．１ｍＬずつ合計０．６ｍＬ（０．９ｍｍｏｌ）添加するように加えて３２０℃で１０分保持した後に室温まで冷却した。酢酸亜鉛を０．４４ｇ（２．２ｍｍｏｌ）加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌することで溶解させた。再びフラスコ内を窒素でパージして２３０℃まで昇温し、１－ドデカンチオールを０．９８ｍＬ（４ｍｍｏｌ）添加して１時間保持した。得られた溶液を室温まで冷却し、コアシェル型量子ドット含有溶液を作製した。［１－１］から［２］の工程を経て合成された赤のコアシェル型量子ドット含有溶液をＲ－１、［１－２］から［２］の工程を経て合成された緑のコアシェル型量子ドット含有溶液をＧ－１とする。
次いで、別のフラスコにステアリン酸亜鉛２．８５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、１－オクタデセン１５ｍＬを加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌を行い、溶解させながら１時間脱気を行ったステアリン酸亜鉛オクタデセン溶液０．３Ｍを用意し、コア合成後の反応溶液に３．０ｍＬ（０．９ｍｍｏｌ）添加して２００℃まで冷却した。次いで、別のフラスコにセレン０．４７４ｇ（６ｍｍｏｌ）、トリオクチルホスフィン４ｍＬを加えて１５０℃に加熱して溶解させ、セレントリオクチルホスフィン溶液１．５Ｍを調製し、２００℃に冷却しておいたコア合成工程後の反応溶液を３２０℃まで３０分かけて昇温しながら、セレントリオクチルホスフィン溶液を０．１ｍＬずつ合計０．６ｍＬ（０．９ｍｍｏｌ）添加するように加えて３２０℃で１０分保持した後に室温まで冷却した。酢酸亜鉛を０．４４ｇ（２．２ｍｍｏｌ）加え、減圧下、１００℃で加熱撹拌することで溶解させた。再びフラスコ内を窒素でパージして２３０℃まで昇温し、１－ドデカンチオールを０．９８ｍＬ（４ｍｍｏｌ）添加して１時間保持した。得られた溶液を室温まで冷却し、コアシェル型量子ドット含有溶液を作製した。［１－１］から［２］の工程を経て合成された赤のコアシェル型量子ドット含有溶液をＲ－１、［１－２］から［２］の工程を経て合成された緑のコアシェル型量子ドット含有溶液をＧ－１とする。
［３］配位子交換工程
シロキサン結合を形成可能な置換基と量子ドット表面に配位する置換基を有するリガンド（配位子）として（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシランを使用した。リガンドの交換反応としては室温まで冷却したシェル合成工程後の溶液に（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシラン（３．０ｍｍｏｌ）添加して２４時間撹拌した。反応終了後、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。同様な精製をもう一度行い、トルエンに分散させてシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドット溶液を作製した。Ｒ－１を用いて合成したシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドットをＲ－２、Ｇ－１を用いて合成したシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドットをＧ－２とする。
シロキサン結合を形成可能な置換基と量子ドット表面に配位する置換基を有するリガンド（配位子）として（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシランを使用した。リガンドの交換反応としては室温まで冷却したシェル合成工程後の溶液に（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシラン（３．０ｍｍｏｌ）添加して２４時間撹拌した。反応終了後、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。同様な精製をもう一度行い、トルエンに分散させてシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドット溶液を作製した。Ｒ－１を用いて合成したシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドットをＲ－２、Ｇ－１を用いて合成したシロキサン結合を形成可能な置換基を有するリガンドが配位した量子ドットをＧ－２とする。
［４－１］表面被覆層形成工程
窒素でパージしておいたフラスコにメタクリル酸トリエトキシシリルプロピル（４．０ｍｍｏｌ）とジフェニルシランジオール（６ｍｍｏｌ）と水酸化バリウム・一水和物（０．１５ｍｍｏｌ）とリガンド交換工程後の量子ドットトルエン溶液を加え、６５℃で２４時間加熱撹拌した。反応終了後室温まで冷却し、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。トルエンに分散させ、あらかじめ窒素でパージしておいたフラスコに加え、下記式（Ｓ－４）で示す化合物と量子ドットトルエン溶液１００質量部に対して２質量部添加した。さらに、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１１７３を下記式（Ｓ－４）で示す化合物１００質量部に対して１質量部添加し、撹拌混合を行った後にＵＶＬＥＤ照射装置により波長３６５ｎｍ出力４０００ｍＷ／ｃｍ２の光を２０秒照射した。反応終了後、エタノールを加えて沈殿させ、遠心分離の後に上澄みを除去して再度トルエンに分散させた。その後、ＰＧＭＥＡを加えて、減圧蒸留によりトルエン溶媒を除去し、表面被覆層を形成した量子ドット溶液（固形分濃度６０％溶液）を作製した。ここで、Ｒ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＲ－Ｓ４、Ｇ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＧ－Ｓ４とする。
窒素でパージしておいたフラスコにメタクリル酸トリエトキシシリルプロピル（４．０ｍｍｏｌ）とジフェニルシランジオール（６ｍｍｏｌ）と水酸化バリウム・一水和物（０．１５ｍｍｏｌ）とリガンド交換工程後の量子ドットトルエン溶液を加え、６５℃で２４時間加熱撹拌した。反応終了後室温まで冷却し、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。トルエンに分散させ、あらかじめ窒素でパージしておいたフラスコに加え、下記式（Ｓ－４）で示す化合物と量子ドットトルエン溶液１００質量部に対して２質量部添加した。さらに、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１１７３を下記式（Ｓ－４）で示す化合物１００質量部に対して１質量部添加し、撹拌混合を行った後にＵＶＬＥＤ照射装置により波長３６５ｎｍ出力４０００ｍＷ／ｃｍ２の光を２０秒照射した。反応終了後、エタノールを加えて沈殿させ、遠心分離の後に上澄みを除去して再度トルエンに分散させた。その後、ＰＧＭＥＡを加えて、減圧蒸留によりトルエン溶媒を除去し、表面被覆層を形成した量子ドット溶液（固形分濃度６０％溶液）を作製した。ここで、Ｒ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＲ－Ｓ４、Ｇ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＧ－Ｓ４とする。
［４－２］表面被覆層形成工程
窒素でパージしておいたフラスコにメタクリル酸トリエトキシシリルプロピル（４．０ｍｍｏｌ）とジフェニルシランジオール（６ｍｍｏｌ）と水酸化バリウム・一水和物（０．１５ｍｍｏｌ）とリガンド交換工程後の量子ドットトルエン溶液を加え、６５℃で２４時間加熱撹拌した。反応終了後室温まで冷却し、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。トルエンに分散させ、あらかじめ窒素でパージしておいたフラスコに加え、下記式（Ｓ－５）で示す化合物と量子ドットトルエン溶液１００質量部に対して２質量部添加した。さらに、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１１７３を下記式（Ｓ－５）で示す化合物１００質量部に対して１質量部添加し、撹拌混合を行った後にＵＶＬＥＤ照射装置により波長３６５ｎｍ出力４０００ｍＷ／ｃｍ２の光を２０秒照射した。反応終了後、エタノールを加えて沈殿させ、遠心分離の後に上澄みを除去して再度トルエンに分散させた。その後、ＰＧＭＥＡを加えて、減圧蒸留によりトルエン溶媒を除去し、表面被覆層を形成した量子ドット溶液（固形分濃度６０％溶液）を作製した。ここで、Ｒ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＲ－Ｓ５、Ｇ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＧ－Ｓ５とする。
窒素でパージしておいたフラスコにメタクリル酸トリエトキシシリルプロピル（４．０ｍｍｏｌ）とジフェニルシランジオール（６ｍｍｏｌ）と水酸化バリウム・一水和物（０．１５ｍｍｏｌ）とリガンド交換工程後の量子ドットトルエン溶液を加え、６５℃で２４時間加熱撹拌した。反応終了後室温まで冷却し、エタノールを加えて反応溶液を沈殿させ、遠心分離を行い、上澄みを除去した。トルエンに分散させ、あらかじめ窒素でパージしておいたフラスコに加え、下記式（Ｓ－５）で示す化合物と量子ドットトルエン溶液１００質量部に対して２質量部添加した。さらに、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１１７３を下記式（Ｓ－５）で示す化合物１００質量部に対して１質量部添加し、撹拌混合を行った後にＵＶＬＥＤ照射装置により波長３６５ｎｍ出力４０００ｍＷ／ｃｍ２の光を２０秒照射した。反応終了後、エタノールを加えて沈殿させ、遠心分離の後に上澄みを除去して再度トルエンに分散させた。その後、ＰＧＭＥＡを加えて、減圧蒸留によりトルエン溶媒を除去し、表面被覆層を形成した量子ドット溶液（固形分濃度６０％溶液）を作製した。ここで、Ｒ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＲ－Ｓ５、Ｇ－２をベースに表面被覆層を形成した量子ドットをＧ－Ｓ５とする。
［５］シリコーン樹脂の合成
［合成例１］樹脂１の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）２３８．５ｇ（０．９０モル）及び化合物（Ｓ－３ｂ）１６．２ｇ（０．１０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１８４．３ｇ（０．９５モル）及び化合物（Ｓ－２ｂ）７９．３ｇ（０．０５モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂１を得た（シロキサン含有率１５．３質量％：シロキサン含有率は仕込み量からの計算値）。樹脂１のＭｗは、１０，０００であった。なお、樹脂１は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
［合成例１］樹脂１の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）２３８．５ｇ（０．９０モル）及び化合物（Ｓ－３ｂ）１６．２ｇ（０．１０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１８４．３ｇ（０．９５モル）及び化合物（Ｓ－２ｂ）７９．３ｇ（０．０５モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂１を得た（シロキサン含有率１５．３質量％：シロキサン含有率は仕込み量からの計算値）。樹脂１のＭｗは、１０，０００であった。なお、樹脂１は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
［合成例２］樹脂２の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）１３２．５ｇ（０．５０モル）及び化合物（Ｓ－３ａ）６０．５ｇ（０．５０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１７４．６ｇ（０．９０モル）及び化合物（Ｓ－２ａ）３０２．０ｇ（０．１０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂２を得た（シロキサン含有率４５．１質量％）。樹脂２のＭｗは、４２，０００であった。なお、樹脂２は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）１３２．５ｇ（０．５０モル）及び化合物（Ｓ－３ａ）６０．５ｇ（０．５０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１７４．６ｇ（０．９０モル）及び化合物（Ｓ－２ａ）３０２．０ｇ（０．１０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂２を得た（シロキサン含有率４５．１質量％）。樹脂２のＭｗは、４２，０００であった。なお、樹脂２は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
［合成例３］樹脂３の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）１５９．０ｇ（０．６０モル）及び化合物（Ｓ－３ａ）４８．４ｇ（０．４０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１５５．２ｇ（０．８０モル）及び化合物（Ｓ－２ａ）６０４．０ｇ（０．２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂３を得た（シロキサン含有率６２．５質量％）。樹脂３のＭｗは、８０，０００であった。なお、樹脂３は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌフラスコに、化合物（Ｓ－４）１５９．０ｇ（０．６０モル）及び化合物（Ｓ－３ａ）４８．４ｇ（０．４０モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－１）１５５．２ｇ（０．８０モル）及び化合物（Ｓ－２ａ）６０４．０ｇ（０．２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／炭素－炭素二重結合の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱して６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂３を得た（シロキサン含有率６２．５質量％）。樹脂３のＭｗは、８０，０００であった。なお、樹脂３は、１Ｈ－ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）により、繰り返し単位Ａ１～Ａ４を含むポリマーであることを確認した。
上記合成例において使用した化合物（Ｓ－１）、（Ｓ－２ａ）、（Ｓ－２ｂ）、（Ｓ－３ａ）、（Ｓ－３ｂ）、（Ｓ－４）、（Ｓ－５）は、以下のとおりである。
［６］感光性樹脂組成物の調製、及びその評価
［実施例１～１２及び比較例１～２４］
表１～４に記載の配合量に従って各成分を配合し、その後常温にて攪拌、混合し、１．０μｍのグラスフィルターで精密濾過を行い、実施例１～１２及び比較例１～２４の感光性樹脂組成物を得た。
［実施例１～１２及び比較例１～２４］
表１～４に記載の配合量に従って各成分を配合し、その後常温にて攪拌、混合し、１．０μｍのグラスフィルターで精密濾過を行い、実施例１～１２及び比較例１～２４の感光性樹脂組成物を得た。
表１～４中、使用した光カチオン重合開始剤Ｂ－１及びＢ－２は、以下のとおりである。
表１～４中、使用した架橋剤Ｄ－１及びＤ－２は、以下のとおりである。
表１～４中、量子ドットのＲ－３は昭栄化学（株）製Ｓ－ＢＥ０３０（粒子サイズ５～１０ｎｍ、材質ＩｎＰ：ＺｎＳ：ＳｅＺｎ＝２５：５０：２５）、Ｒ－４はＡｌｄｒｉｃｈ社製９００５１４－１ＭＬ（粒子サイズ５～１０ｎｍ、材質ＣｄＳｅ（コア）／ＣｄＳ（シェル）コアシェルタイプ）、Ｇ－３は昭栄化学（株）製Ｓ－ＢＥ０２９（粒子サイズ３～５ｎｍ、材質ＩｎＰ：ＺｎＳ：ＳｅＺｎ＝２５：５０：２５）、Ｇ－４はＡｌｄｒｉｃｈ社製９００５１１－１ＭＬ（粒子サイズ３～５ｎｍ、材質ＣｄＳｅ（コア）／ＣｄＳ（シェル）コアシェルタイプ）である。
［７］感光性ドライフィルムの作製
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）を用いて、表１～４に記載した感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、１００℃に設定された熱風循環オーブン（長さ４ｍ）を５分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を厚さ３０μｍになるように形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上から、保護フィルムとしてポリエチレンフィルム（厚さ５０μｍ）をラミネートロールで圧力１ＭＰａにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）を用いて、表１～４に記載した感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、１００℃に設定された熱風循環オーブン（長さ４ｍ）を５分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を厚さ３０μｍになるように形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上から、保護フィルムとしてポリエチレンフィルム（厚さ５０μｍ）をラミネートロールで圧力１ＭＰａにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。
［８］感光性樹脂皮膜の評価
（１）感光性樹脂皮膜中の凝集物の確認
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムの保護フィルムを剥離し、感光性ドライフィルム中の凝集物の確認を光学顕微鏡で行い、１μｍ以上の大きさの凝集物があるものを×、凝集物がないもしくは１μｍ未満の大きさであるものを○として結果を表５～８に示す。
（２）パターン形成及びその評価
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターＴＥＡＭ－１００ＲＦ（（株）タカトリ製）を用いて、真空チャンバー内の真空度を８０Ｐａに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をシリコンウエハーに密着させた。温度条件は、１００℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより１１０℃で４分間プリベークを行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してマスクを介して隣のパターンとのピッチ幅が１：１である正方形のアイランドパターンを形成するために、ｉ線ステッパーＮＳＲ－２２０５ｉ１１Ｄ（（株）ニコン製）を用いて露光した。照射後、ホットプレートにより１２０℃で５分間ＰＥＢを行った後冷却し、前記基板をＰＧＭＥＡにて９０秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。その後、オーブンを用いて１６０℃で３時間、窒素パージしながら後硬化した。その後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、形成した一辺が１００μｍ、５０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１５μｍのアイランドパターンを観察し、隣のアイランドパターン（ピッチ幅が１：１）と繋がっていない最小のパターンサイズを限界解像性とした。なお、解像力が１００μｍに達しなかったものもしくはパターンの現像剥離が発生したものを×とした。結果を表５～８に示す。
（１）感光性樹脂皮膜中の凝集物の確認
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムの保護フィルムを剥離し、感光性ドライフィルム中の凝集物の確認を光学顕微鏡で行い、１μｍ以上の大きさの凝集物があるものを×、凝集物がないもしくは１μｍ未満の大きさであるものを○として結果を表５～８に示す。
（２）パターン形成及びその評価
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターＴＥＡＭ－１００ＲＦ（（株）タカトリ製）を用いて、真空チャンバー内の真空度を８０Ｐａに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をシリコンウエハーに密着させた。温度条件は、１００℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより１１０℃で４分間プリベークを行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してマスクを介して隣のパターンとのピッチ幅が１：１である正方形のアイランドパターンを形成するために、ｉ線ステッパーＮＳＲ－２２０５ｉ１１Ｄ（（株）ニコン製）を用いて露光した。照射後、ホットプレートにより１２０℃で５分間ＰＥＢを行った後冷却し、前記基板をＰＧＭＥＡにて９０秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。その後、オーブンを用いて１６０℃で３時間、窒素パージしながら後硬化した。その後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、形成した一辺が１００μｍ、５０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１５μｍのアイランドパターンを観察し、隣のアイランドパターン（ピッチ幅が１：１）と繋がっていない最小のパターンサイズを限界解像性とした。なお、解像力が１００μｍに達しなかったものもしくはパターンの現像剥離が発生したものを×とした。結果を表５～８に示す。
（３）形成したパターンの発光特性評価
株式会社堀場テクノサービス製のＬａｂＲＡＭ ＨＲ Ｅｖоｌｕｔｉоｎを用いて、上記（２）で作製したパターン付きサンプルに４５７ｎｍのレーザー光（０．０３ｍＷ）を照射し、光変換されたアイランドパターン領域を測定し、光変換された光の発光強度、発光波長、半値幅を測定した。また、上記（２）で作製したラミネート及び支持フィルム剥離工程後のサンプルについても同様に測定して、光変換された光の発光強度を測定した。結果を表５～８に示す（Ｍ：１００万）。
株式会社堀場テクノサービス製のＬａｂＲＡＭ ＨＲ Ｅｖоｌｕｔｉоｎを用いて、上記（２）で作製したパターン付きサンプルに４５７ｎｍのレーザー光（０．０３ｍＷ）を照射し、光変換されたアイランドパターン領域を測定し、光変換された光の発光強度、発光波長、半値幅を測定した。また、上記（２）で作製したラミネート及び支持フィルム剥離工程後のサンプルについても同様に測定して、光変換された光の発光強度を測定した。結果を表５～８に示す（Ｍ：１００万）。
（４）信頼性試験評価
ガラス基板上に、スピンコーターを使用して、８０μｍの膜厚で表１～４に記載した感光性樹脂組成物をコートした。組成物から溶剤を除去するため、基板をホットプレートにのせ、１１０℃で１０分間、加熱乾燥させた。得られた感光性樹脂皮膜に対してマスクを介して一辺が１ｃｍの正方形のアイランドパターンを形成するために、３６５ｎｍの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。照射後、ホットプレートにより１２０℃で５分間ＰＥＢを行った後冷却し、前記基板をＰＧＭＥＡにて１８０秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。その後、オーブンを用いて１６０℃で３時間、窒素パージしながら後硬化した。このパターン付きサンプルを、８５℃／８５％ＲＨの条件で５００時間処理した後に、上記（３）と同様に発光強度を測定し、初期からの減少率を確認した。結果を表５～８に示す。
ガラス基板上に、スピンコーターを使用して、８０μｍの膜厚で表１～４に記載した感光性樹脂組成物をコートした。組成物から溶剤を除去するため、基板をホットプレートにのせ、１１０℃で１０分間、加熱乾燥させた。得られた感光性樹脂皮膜に対してマスクを介して一辺が１ｃｍの正方形のアイランドパターンを形成するために、３６５ｎｍの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。照射後、ホットプレートにより１２０℃で５分間ＰＥＢを行った後冷却し、前記基板をＰＧＭＥＡにて１８０秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。その後、オーブンを用いて１６０℃で３時間、窒素パージしながら後硬化した。このパターン付きサンプルを、８５℃／８５％ＲＨの条件で５００時間処理した後に、上記（３）と同様に発光強度を測定し、初期からの減少率を確認した。結果を表５～８に示す。
以上の結果より、本発明の感光性樹脂組成物は、凝集物のない（もしくはあっても極めて小さい）良好な感光性皮膜や感光性ドライフィルムを形成でき、高いリソグラフィー解像性、リソグラフィー工程前後で変化のない高い発光特性、良好な信頼性（恒温恒湿試験における低い発光強度変化率）を有し、発光素子に適する硬化皮膜を提供することができることが示された。
本明細書は、以下の態様を包含する。
［１］：感光性樹脂組成物であって、
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであることを特徴とする感光性樹脂組成物。
［２］：前記（Ｃ）成分が、前記表面被覆層にグリシジル基を有する骨格を含むものであることを特徴とする上記［１］の感光性樹脂組成物。
［３］：前記（Ａ）成分が、下記式（Ａ１）～（Ａ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを特徴とする上記［１］又は上記［２］の感光性樹脂組成物。
［式中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。ｍは、それぞれ独立に、１～６００の整数である。ｍが２以上の整数のとき、各Ｒ３は、互いに同一であっても異なっていてもよく、各Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、０＜ａ１＜１、０＜ａ２＜１、０＜ａ３＜１、０＜ａ４＜１、及びａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＝１を満たす数である。Ｘ１は、下記式（Ｘ１）で表される２価の基である。Ｘ２は、下記式（Ｘ２）で表される２価の基である。
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０～７の整数である。Ｒ１３は、炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。）
（式中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のアルキル基である。ｋは、０～１０の整数である。）］
［４］：前記（Ｃ）成分の量子ドットは、その表面に配位する配位子を有し、前記表面被覆層は前記配位子と結合したシロキサン結合を含有し、前記配位子の置換基がアミノ基、チオール基、カルボキシ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、及びアンモニウムイオンのいずれか１種以上を有するものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］又は上記［３］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［５］：前記（Ｃ）成分を前記感光性樹脂組成物中５～８０質量％含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］又は上記［４］の感光性樹脂組成物。
［６］：更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤を含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］又は上記［５］の感光性樹脂組成物。
［７］：更に、（Ｅ）溶剤を含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］又は上記［６］の感光性樹脂組成物。
［８］：上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］、上記［６］又は上記［７］の感光性樹脂組成物の乾燥体であることを特徴とする感光性樹脂皮膜。
［９］：支持フィルムと、前記支持フィルム上に上記［８］の感光性樹脂皮膜とを備えるものであることを特徴とする感光性ドライフィルム。
［１０］：パターン形成方法であって、
（ｉ）上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］、上記［６］又は上記［７］の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
［１１］：パターン形成方法であって、
（ｉ’）上記［９］の感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
［１２］：上記［１０］又は上記［１１］のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものであることを特徴とする発光素子。
［１］：感光性樹脂組成物であって、
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであることを特徴とする感光性樹脂組成物。
［２］：前記（Ｃ）成分が、前記表面被覆層にグリシジル基を有する骨格を含むものであることを特徴とする上記［１］の感光性樹脂組成物。
［３］：前記（Ａ）成分が、下記式（Ａ１）～（Ａ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを特徴とする上記［１］又は上記［２］の感光性樹脂組成物。
［４］：前記（Ｃ）成分の量子ドットは、その表面に配位する配位子を有し、前記表面被覆層は前記配位子と結合したシロキサン結合を含有し、前記配位子の置換基がアミノ基、チオール基、カルボキシ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、及びアンモニウムイオンのいずれか１種以上を有するものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］又は上記［３］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［５］：前記（Ｃ）成分を前記感光性樹脂組成物中５～８０質量％含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］又は上記［４］の感光性樹脂組成物。
［６］：更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤を含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］又は上記［５］の感光性樹脂組成物。
［７］：更に、（Ｅ）溶剤を含むものであることを特徴とする上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］又は上記［６］の感光性樹脂組成物。
［８］：上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］、上記［６］又は上記［７］の感光性樹脂組成物の乾燥体であることを特徴とする感光性樹脂皮膜。
［９］：支持フィルムと、前記支持フィルム上に上記［８］の感光性樹脂皮膜とを備えるものであることを特徴とする感光性ドライフィルム。
［１０］：パターン形成方法であって、
（ｉ）上記［１］、上記［２］、上記［３］、上記［４］、上記［５］、上記［６］又は上記［７］の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
［１１］：パターン形成方法であって、
（ｉ’）上記［９］の感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
［１２］：上記［１０］又は上記［１１］のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものであることを特徴とする発光素子。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
Claims (13)
- 感光性樹脂組成物であって、
（Ａ）グリシジル基を有するシリコーン樹脂、
（Ｂ）光カチオン重合開始剤、及び
（Ｃ）量子ドット
を含み、前記量子ドットはシロキサンを含有する表面被覆層を有するものであることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 前記（Ｃ）成分が、前記表面被覆層にグリシジル基を有する骨格を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記（Ａ）成分が、下記式（Ａ１）～（Ａ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記（Ｃ）成分の量子ドットは、その表面に配位する配位子を有し、前記表面被覆層は前記配位子と結合したシロキサン結合を含有し、前記配位子の置換基がアミノ基、チオール基、カルボキシ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、及びアンモニウムイオンのいずれか１種以上を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記（Ｃ）成分を前記感光性樹脂組成物中５～８０質量％含むものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、（Ｄ）カチオン重合性架橋剤を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、（Ｅ）溶剤を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物の乾燥体であることを特徴とする感光性樹脂皮膜。
- 支持フィルムと、前記支持フィルム上に請求項８に記載の感光性樹脂皮膜とを備えるものであることを特徴とする感光性ドライフィルム。
- パターン形成方法であって、
（ｉ）請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - パターン形成方法であって、
（ｉ’）請求項９に記載の感光性ドライフィルムの前記感光性樹脂皮膜を基板上に貼り付けて、前記基板上に前記感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ｉｉ）前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
（ｉｉｉ）前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項１０に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものであることを特徴とする発光素子。
- 請求項１１に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜を備えるものであることを特徴とする発光素子。
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