JP2024043482A - 液体吐出装置、液体吐出装置の制御方法、基板処理装置、および物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体吐出装置における液体の吐出異常の回復処理に要する時間および液体使用量の低減に有利な技術を提供する。【解決手段】液体吐出装置は、駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子と、前記複数の吐出素子の各々への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とを特定した場合、前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理において、第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給し、前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する。【選択図】図１

Description

本発明は、液体吐出装置、液体吐出装置の制御方法、基板処理装置、および物品製造方法に関する。

近年、種々の機能素子を製造する際に、インクジェット装置を用いて機能素子の材料を基板上に付与してパターンを形成すること（パターニング）が試みられている。インクジェット装置を用いたパターニングは、オンデマンドパターニングが可能であるため材料の使用効率が高いこと、非真空プロセスであり製造装置が比較的小型になること、大面積を高速に塗布できることなどのメリットを有している。

上記のインクジェット装置では、ドットパターン形成中や待機中に、流路内やノズル開口部近傍に付着した異物、インクの増粘やインク成分の沈降、電気泳動現象等により、吐出不良や品位の乱れといったトラブル（吐出異常）が発生することがある。特許文献１には、少量の予備吐から始めて、回復が確認できるまで、中量の予備吐、大量の予備吐を行う技術が開示されている。特許文献２には、記録ヘッド内の気泡を除去するために、記録ヘッドの駆動周波数を増減させながらインク排出を行うことが開示されている。特許文献３には、液滴吐出ヘッドの吐出異常の原因を特定し、特定した吐出異常の原因に応じて、フラッシング処理、ワイピング処理、ポンプ吸引処理のいずれかを液滴吐出ヘッドの回復処理として選択することが開示されている。

特開２０１２－２０１０７６号公報 特許第２６５９９５４号公報 特許第４２６９７３１号公報

しかしながら、特許文献１に記載の回復方法では、予備吐量を変えながら回復させているだけで、回復できないノズルが発生する場合がある。特許文献２に記載の構成においては、全てのノズルに対して連続的に駆動周波数を変えながら予備吐を行うため、回復処理に長時間を要し、かつインク（液体）の消費量も多くなりうる。また、特許文献３に記載の構成においては、液滴吐出ヘッドの吐出異常の原因に応じて、フラッシング処理、ワイピング処理、ポンプ吸引処理のいずれかを回復処理として選択しているだけである。そのため、吐出異常の度合いによっては、選択された回復処理で使用されるインク（液体）の消費量が多くなりうる。

そこで、本発明は、液体吐出装置における液体の吐出異常の回復処理に要する時間および液体使用量の低減に有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一側面としての液体吐出装置は、駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子と、前記複数の吐出素子の各々への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とを特定した場合、前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理において、第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給し、前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、液体吐出装置における液体の吐出異常の回復処理に要する時間および液体使用量の低減に有利な技術を提供することができる。

インクジェット装置の構成を示す図 １つの吐出ヘッドの制御構成の例を示す図 各ノズルの回路構成例を示す図 残留信号波形と吐出異常状態との関係を説明する図 残留信号波形を用いてノズルの吐出異常状態を判定する方法を説明する図 予備吐による回復処理を説明する図 実施例１に係る回復処理を示すフローチャート 実施例２に係る回復処理を示すフローチャート 実施例２に係る回復処理を示すフローチャート 気泡の混入に起因する吐出異常が生じたときの残留信号波形を示す図 インクジェット装置の動作シーケンスを示すフローチャート 機能素子の材料の塗布の例を示す模式図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１を参照して、インクジェット装置１（基板処理装置）の構成と動作原理とを説明する。ディスプレイ用パネルや半導体用といった基板を処理する基板処理装置として機能することができるインクジェット装置１は、機能素子の材料を基板上に付与してパターンや膜を形成する。明細書および図面では、図１に示されるように、基板２が配置される面と平行な面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。インクジェット装置１は、例えば表示パネルの基板２を保持して移動する基板ステージ３を備える。基板２は、製造しようとする対象製品により、ガラス基板あるいはプラスチック基板等から適宜選択されたものでありうる。基板２は、典型的には板状の部材であるが、基板として機能しうるものである限りにおいて、特定の形状に限定されるものではない。例えば、基板２は、変形可能なフィルムであってもよいし、円形状の基板であってもよい。基板ステージ３上の基板２は、インクを塗布して多数の表示画素を配列形成するための画素エリア２０１と、インクの状態を評価するためにインクが試験的に吐出される評価エリア２０２とを有する。評価エリア２０２は、基板ステージ３の特定の領域に設けられてもよい。なお、本明細書において、「インク」とは、基板２の上にパターンや膜を形成するために用いられる液体をいう。本明細書ではインクの成分については特に限定はないが、例えば有機膜を形成するための溶質と溶媒とを含む液体を用いることができる。

インクジェット装置１は、インク液滴４を基板２の所定位置に向けて吐出可能な吐出ヘッド５（液体吐出装置）と、インクを貯蔵するインクタンク７から吐出ヘッド５へインクを供給するインク供給系６と、を備える。吐出ヘッド５は、駆動信号に従ってインク（液体）を吐出する複数のノズル１９（吐出素子）を備えている。インクタンク７は、インクジェット装置１の内部に配置されていてもよいし、インクジェット装置１の外部に配置されていてもよい。また、インクジェット装置１は、吐出ヘッド５の吐出ノズルに対してクリーニング処理等を行って吐出特性を回復させる回復ユニット８も備えうる。

基板２が基板ステージ３に搭載されるときに、置き誤差が発生しうる。また、基板２が様々な製造プロセスを経ることで、基板２にはＸＹ方向に形状歪みが発生しうる。そのため、インクジェット装置１は、基板２の位置と基板２の歪み量を計測するアライメントスコープ９を備えうる。基板２の全面に対してアライメント計測を行うために、アライメントスコープ９と基板ステージ３とがＸＹ方向に相対駆動される。即ち、アライメントスコープ９および／または基板ステージ３がＸＹ方向に駆動される。また、基板ステージ３に搭載される基板２には厚みのばらつきがある。そのため、基板ステージ３をＹ方向に走査しながら吐出ヘッド５でインクを吐出すると、基板２の厚みばらつきに起因してインク液滴の基板２への着弾位置（付着位置）にばらつきが発生しうる。そこで、インクジェット装置１は、基板２のＺ方向の位置（高さ）を計測する高さセンサ１０も備えうる。基板２の全面に対して高さ計測を行うために、高さセンサ１０と基板ステージ３とがＸＹ方向に相対駆動される。即ち、高さセンサ１０および／または基板ステージ３がＸＹ方向に駆動される。

主制御部１１は、インクジェット装置１の各部を制御して基板２の上へのパターニングを統括する。主制御部１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサおよびメモリ等の記憶部を有するコンピュータによって構成されうる。主制御部１１は、例えば、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Arrayの略。）などのＰＬＤ（Programmable Logic Deviceの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuitの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されてもよい。

一例において、吐出ヘッド５は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ複数配列されており、各吐出ヘッド５におけるインク液滴の吐出を個別に制御することにより、基板２上の画素エリア２０１に所望の分布のインクを塗布することができる。図２には、１つの吐出ヘッド５の制御構成の例が示されている。吐出ヘッド５は複数のノズル１９を含みうる。複数のノズル１９の各々は、圧電素子Ｐ（吐出エネルギー発生素子、ピエゾアクチュエータ）を含む吐出素子を構成する。複数のノズル１９の各々は、フレキシブルケーブルＦを介して、圧電素子Ｐを駆動するドライバＤと接続されている。ドライバＤは吐出制御部Ｃ（制御部）に接続されている。

吐出制御部Ｃは、ドライバＤを介して複数のノズル１９（圧電素子Ｐ）の各々への駆動信号の供給を制御することにより、各ノズル１９からのインク液滴の吐出を個別に制御する。吐出制御部Ｃは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサおよびメモリ等の記憶部を含むコンピュータによって構成されうる。また、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９のうちの吐出異常ノズルを回復させる回復処理において、当該吐出異常ノズルを回復させるための駆動信号をドライバＤを介して各ノズル１９（圧電素子Ｐ）に供給する。具体的には、吐出制御部Ｃは、吐出異常ノズルを回復させるための回復処理指令をドライバＤに送出する。回復処理指令を受け取ったドライバＤは、当該回復処理指令に応じた駆動信号（例えば電圧）を生成して吐出異常ノズルの圧電素子Ｐに供給することにより、吐出異常ノズルの圧電素子Ｐを駆動して回復処理を実行する。なお、回復処理は、複数のノズル１９における吐出異常を低減させる処理として理解されてもよい。また、吐出制御部Ｃの機能は主制御部１１によって実現されてもよい。

複数のノズル１９の各々では、基板上へのドットパターンの形成中あるいは待機中に、流路内やノズル開口部近傍に付着した異物、インクの増粘やインク成分の沈降、電気泳動現象等により、吐出不良や品位の乱れといったトラブル（吐出異常）が発生しうる。このようなトラブル（吐出異常）は、吐出時間、流路形状、電極からの距離、未吐出の待機時間など、様々な要因の総合的な作用によって生じる。吐出異常の度合いはノズル毎に異なりうる。

泡噛みや、予備吐では回復できないレベルの強いノズル詰まりからの回復処理には、回復ユニット８が用いられる。但し、回復ユニット８を用いた回復処理は長時間を必要とし、かつ、回復処理で使用されるインクの量が非常に多くなる。そのため、回復ユニット８を用いた回復処理は、定期メンテナンスとして設定されたタイミングでのみ実施される。通常運用においては、複数のノズル１９からの予備吐を予備吐エリア２０で適宜実施し、吐出異常ノズルを正常状態に回復させる。

各ノズル１９における吐出異常の度合い（吐出異常状態）は、圧電素子Ｐに特定の圧力波を発生させた後に測定される関連信号（残留信号波形）を用いて確認することができる。具体的には、吐出制御部Ｃは、ドライバＤを介して圧電素子Ｐに特定の駆動信号（例えばパルス信号）を与えて圧電素子Ｐを作動させる。圧電素子Ｐの作動に伴って該圧電素子Ｐに特定の圧力波が発生する。この圧電素子が正常であれば、この圧力波によってインクがノズルから滴下されることになる。このとき、圧電素子Ｐで発生した圧力波によって圧電素子Ｐに歪みが生じ、その歪みに応じた電気信号が残留（発生）する。この電気信号を「残留信号」と呼ぶ。吐出制御部Ｃは、この残留信号を検出し、検出された残留信号の波形に基づいて吐出異常の度合いを計測（判定）することができる。

図３は、本実施形態における各ノズル１９の回路構成例を示している。図３の構成例では、１つのノズル１９における回路構成例を示しているが、複数のノズル１９の各々においても同様の回路構成が適用されうる。各ノズル１９は、図３に示されるように、圧電素子Ｐと、信号生成部２１と、切替部２２と、計測部２３とを備えうる。

信号生成部２１は、例えばドライバＤであり、吐出制御部Ｃから供給された指令に応じて圧電素子Ｐの駆動信号を生成する。回復処理では、吐出制御部Ｃから回復処理指令が信号生成部２１に供給されるため、信号生成部２１は、回復処理指令に応じた駆動信号を生成する。信号生成部２１で生成された駆動信号は、切替部２２を介して圧電素子Ｐに供給される。これにより、圧電素子Ｐは、信号生成部２１から供給された駆動信号に応じたインクの吐出を行うことができる。また、駆動信号の供給により圧電素子Ｐで生じた残留信号は、切替部２２を介して計測部２３に供給される。

切替部２２は、信号生成部２１から圧電素子Ｐへの駆動信号の供給と、圧電素子Ｐから計測部２３への残留信号の供給とを切り替える機構である。図３の構成例では、切替部２２は、スイッチング素子として構成されているが、例えば、信号生成部２１からの駆動信号を圧電素子Ｐへ導き、且つ圧電素子Ｐからの残留信号を計測部２３へ導くサーキュレータとして構成されてもよい。

計測部２３は、切替部２２を介して圧電素子Ｐから供給された残留信号を検出し、検出した残留信号に基づいて、吐出異常の度合いを示す指標（以下では、吐出異常指標と表記することがある）を計測する機構である。図３の構成例では、計測部２３は、増幅器２３ａと処理部２３ｂ（プロセッサ）とを備えうる。増幅器２３ａは、切替部２２を介して圧電素子Ｐから供給された残留信号を増幅して処理部２３ｂに供給する。処理部２３ｂは、増幅器２３ａから供給された残留信号の波形の周期、または、当該残留信号の波形における最初のピーク位置に基づいて、ノズル１９（圧電素子Ｐ）の吐出異常指標を計測する。例えば、処理部２３ｂは、増幅器２３ａ（圧電素子Ｐ）から供給された残留信号の波形と基準波形とでの周期の差、あるいは最初のピーク位置の差を、吐出異常指標として計測しうる。基準波形とは、正常に動作する圧電素子Ｐで得られるべき残留信号の波形のことであり、実験やシミュレーション等により事前に取得されている。ここで、計測部２３は、図３の構成例では、１つのノズル１９について吐出異常指標を計測するように構成されているが、複数のノズル１９の各々について吐出異常指標を計測するユニットとして理解されてもよい。また、計測部２３の処理部２３ｂは、吐出制御部Ｃの一部として構成されてもよい。

図４（ａ）に、残留信号波形の例を示す。横軸は時間、縦軸は電位を示している。図４（ａ）に示す残留信号波形は、安定吐出可能なノズルの状態を示す基準の残留信号波形（基準波形）であり、これと同等の残留信号波形が得られれば、当該ノズルは正常状態であると判断される。ノズル１９の吐出異常状態が進み、吐出異常の度合いが高くなると、この波形が下記のように変わって行く。

ノズルの吐出異常状態が進む（即ち、吐出異常の度合いが高くなる）と、図４（ｂ）に示すように、残留信号波形は実線の状態から破線で示す状態に変化する。具体的には、最初のピーク位置がＴ０からＴ１、Ｔ２へとシフトしていき、それに伴って残留信号波形の周期も長くなる。吐出異常状態が進行するにつれ、残留信号波形は破線１から破線２へと遷移していく。前述した計測部２３は、圧電素子Ｐから検出された残留信号波形（例えば破線１、破線２）と基準波形（例えば実線１）とでの周期の差、あるいは最初のピーク位置の差を、吐出異常指標として計測しうる。また、この吐出異常状態のノズル（吐出異常ノズル）は、吐出異常の度合いに応じた周波数での予備吐を実行することによって正常状態に戻る。即ち、残留信号波形が元の図４（ａ）の基準波形（実線波形）に戻る。

図５（ａ）～（ｄ）を参照して、予備吐による回復処理について説明する。図５（ａ）は、５つのノズルＡ～Ｅの各々について計測部２３で検出された残留信号波形を示している。吐出異常状態（即ち、吐出異常の度合い）はノズル毎に異なるため、図５（ａ）に示すように残留信号波形もノズルＡ～Ｅで互いに異なっている。回復処理は、図５（ａ）に示すようなノズル毎に異なる吐出異常状態から、予備吐によって、図４（ａ）に示すような正常状態（基準波形）に回復させるための処理である。そして、回復処理は、ノズルの吐出異常状態に適合した予備吐周波数を決定し、当該予備吐周波数の駆動信号（例えばパルス信号）を当該ノズルに印加することによって実施される。このような回復処理を実施することにより、吐出異常のノズルを回復させることができる。なお、本実施形態では、回復処理において、同じノズル群に対して順次印加する予備吐周波数を、吐出異常の度合いが最も大きいノズルに適合した予備吐周波数から小さくしていく例を説明するが、それに限られるものではない。例えば、同じノズル群に対して順次印加する予備吐周波数を、吐出異常の度合いが最も小さいノズルに適合した予備吐周波数から大きくしていってもよい。

本実施形態の場合、吐出制御部Ｃは、計測部２３の計測結果に基づいて、吐出異常の度合い（吐出異常状態）を複数のグループに分類し、複数のノズルの中から、各グループに属するノズルを特定する。具体的には、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の中から、吐出異常指標が第１範囲内にある１以上の第１ノズル（第１吐出素子）と、吐出異常指標が第２範囲内にある１以上の第２ノズル（第２吐出素子）とを特定する。以下では、１以上の第１ノズルを第１ノズル群（第１吐出素子群）と表記し、１以上の第２ノズルを第２ノズル群（第２吐出素子群）と表記する。ここで、第１ノズル群は、第２ノズル群より吐出異常の度合いが高いノズル群である。即ち、第１範囲は、第２範囲より吐出異常指標が高い範囲であり、第１範囲における吐出異常指標の下限値が第２範囲における吐出異常指標の上限値より高くなるように設定されうる。また、以下では、複数のノズル１９の中から、吐出異常の度合いが重度である重度異常ノズル群と、吐出異常の度合いが中度である中度異常ノズル群と、吐出異常の度合いが軽度である軽度異常ノズル群との、３種類の異常ノズル群を特定する例を説明する。この場合、重度異常ノズル群を第１ノズル群とすると、中度異常ノズル群が第２ノズル群に該当しうる。一方、中度異常ノズル群を第１ノズル群とすると、軽度異常ノズル群が第２ノズル群に該当しうる。

一例において、図５（ａ）に示すように吐出異常の度合いが異なるノズルが複数存在する場合、吐出制御部Ｃは、図５（ｂ）～（ｄ）に示すように吐出異常の度合いを３つのグループ（重度、中度、軽度）に分類する。そして、吐出制御部Ｃは、計測部２３により各ノズルについて計測された吐出異常指標に基づいて、複数のノズル１９の中から、重度異常ノズル群、中度異常ノズル群、および軽度異常ノズル群を特定する。なお、以下では、吐出異常指標として、残留信号波形における最初のピーク位置を用いる例について説明する。

例えば、吐出制御部Ｃは、図５（ｄ）に示すように、ノズルＥの残留信号波形における最初のピーク位置がＴ２を含むエリアI内にあるため、ノズルＥを重度異常ノズル群として特定する。吐出制御部Ｃは、図５（ｃ）に示すように、ノズルＤの残留信号波形における最初のピーク位置がＴ１を含むエリアII内にあるため、ノズルＤを中度異常ノズル群として特定する。また、吐出制御部Ｃは、図５（ｂ）に示すように、ノズルＢ～Ｃの残留信号波形における最初のピーク位置がＴ０を含むエリアIII内にあるため、ノズルＢ～Ｃを軽度異常ノズル群として特定する。なお、ノズルＡは正常状態であるため、図５（ｂ）に示されるノズルＡの残留信号波形は、図４（ａ）の基準波形と同じになっている。

次いで、吐出制御部Ｃは、ドライバＤを介して、グループ毎に、吐出異常の度合いに適合した周波数の駆動信号を用いて予備吐を行う。即ち、吐出制御部Ｃは、吐出異常の度合いに適した周波数の駆動信号（例えばパルス信号）をノズルに与えて予備吐を行うようドライバＤを制御する。本実施形態の場合、まず、第１ノズル群に対して、第１周波数の第１駆動信号の供給による予備吐が行われる。このとき、第２ノズル群に対しては、第１駆動信号の供給による予備吐は行われない。第１駆動信号の第１周波数は、第１ノズル群における吐出異常の度合いが低減するように、実験やシミュレーション等によって事前に設定されている。第１駆動信号の供給による予備吐が行われた第１ノズル群では、吐出異常指標が第２範囲内に遷移するように吐出異常の度合いが低減しうる。つまり、第１駆動信号の供給による予備吐が行われた第１ノズル群では、吐出異常の度合いが第２ノズル群と同程度になりうる。その後、第１ノズル群および第２ノズル群の双方に対して、第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号の供給による予備吐が行われる。第２駆動信号の第２周波数は、第２ノズル群における吐出異常の度合いが低減するように、実験やシミュレーション等によって事前に設定されている。

図５の例においては、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIにある重度異常ノズル群には、高周波数の駆動信号を用いた予備吐が適する。残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIにある中度異常ノズル群には、中周波数の駆動信号を用いた予備吐が適する。残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIIにある軽度異常ノズル群には、低周波数の駆動信号を用いた予備吐が適する。一例において、高周波数とは１０ｋＨｚ～５０ｋＨｚの範囲内の周波数である。中周波数とは１ｋＨｚ～１０ｋＨｚの範囲内の周波数である。低周波数とは１００Ｈｚ～１ｋＨｚの範囲内の周波数である。

ここで、重度異常ノズル群を第１ノズル群とすると、重度異常ノズル群に供給される高周波数の駆動信号が第１周波数の第１駆動信号に該当する。この場合、中度異常ノズル群が第２ノズル群に該当し、中度異常ノズル群に供給される中周波数の駆動信号が第２周波数の第２駆動信号に該当する。一方、中度異常ノズル群を第１ノズル群とすると、中度異常ノズル群に供給される中周波数の駆動信号が第１周波数の第１駆動信号に該当する。この場合、軽度異常ノズル群が第２ノズル群に該当し、軽度異常ノズル群に供給される低周波数の駆動信号が第２周波数の第２駆動信号に該当する。

図６（ａ）～（ｄ）は、重度異常ノズル群に属するノズルＥを回復させる手順（処理）を説明するための図である。図６（ａ）は、図５（ｄ）と同じ残留信号波形を示している。図６（ａ）に示すように、ノズルＥの残留信号波形における最初のピーク位置はエリアIにあるため、まず、高周波数の駆動信号を用いた予備吐（以下では、高周波予備吐と表記することがある）を実施する。この高周波予備吐の実施により、図６（ｂ）に示すように、ノズルＥの残留信号波形の周期が短くなり、それに伴い、最初のピーク位置が早まってエリアII内に遷移する。そして、最初のピーク位置がエリアIIに遷移したことに応じて、中周波数の駆動信号を用いた予備吐（以下では、中周波予備吐と表記することがある）を実施する。この中周波予備吐の実施により、図６（ｃ）に示すように、ノズルＥの残留信号波形の周期が更に短くなり、それに伴い、最初のピーク位置が更に早まってエリアIIIに遷移する。さらに、最初のピーク位置がエリアIIIに遷移したことに応じて、低周波数の駆動信号を用いた予備吐（以下では、低周波予備吐と表記することがある）を実施する。この低周波予備吐の実施により、図６（ｄ）に示すように、ノズルＥの残留信号波形が基準波形に戻る。即ち、ノズルＥの吐出異常を低減（回復、解消）することができる。

ここで、ノズルＥとは吐出異常の度合いが異なるノズルに対しても同様の回復効果を得るためには、ノズル毎の残留信号波形を分析し、どのような周波数を印加して予備吐するかをノズル毎に決定し、その決定結果に応じて予備吐を実行するとよい。例えば、ノズルＤに対しては、高周波予備吐を行わずに、中周波予備吐および低周波予備吐のみを行う。これにより、ノズルＤの残留信号波形を基準波形にすることができる。即ち、ノズルＤの吐出異常を低減（回復、解消）させることができる。また、ノズルＤに対しては高周波予備吐を行わないため、複数のノズル全体での回復処理に要する時間およびインク使用量を低減することができる。同様に、ノズルＢ～Ｃに対しては、高周波予備吐および中周波予備吐を行わずに、低周波予備吐のみを行う。これにより、ノズルＢ～Ｃの残留信号波形を基準波形にすることができる。即ち、ノズルＢ～Ｃの吐出異常を低減（回復、解消）させることができる。また、ノズルＢ～Ｃに対しては高周波予備吐および中周波予備吐を行わないため、複数のノズル全体での回復処理に要する時間およびインク使用量を低減することができる。ここで、回復処理では、各ノズルの残留信号波形を分析した結果を用いて、吐出異常の度合いが近いノズル同士をグルーピングし、重度の吐出異常を有するグループから順に吐出異常を回復していくことが効率の点で好ましい。

［回復処理の実施例１］
以下、本実施形態における回復処理の実施例１について説明する。図７は、本実施形態の実施例１に係る回復処理を示すフローチャートである。図７のフローチャートの各工程は、吐出制御部Ｃによって実行されうるが、主制御部１１によって実行されてもよい。

ステップＳ１０１で、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について残留信号波形を取得する。例えば、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について、ドライバＤにより圧電素子Ｐに特定の駆動信号（例えばパルス信号）を与えて圧電素子Ｐに特定の圧力波を発生させ、圧電素子Ｐに残留する残留信号を計測部２３に検出させる。これにより、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々についての残留信号波形を取得することができる。

ステップＳ１０２で、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について、吐出異常ノズルか否かを判定する。吐出異常ノズルか否かの判定は、ステップＳ１０１で得られた残留信号波形の周期（例えば、最初のピーク位置）に基づいて行われうる。例えば、吐出制御部Ｃは、前述したように、ステップＳ１０１で得られた残留信号波形の周期が基準波形と異なるノズル１９を吐出異常ノズルとして判定する。吐出異常ノズルであると判定されたノズル１９についてはステップＳ１０３に進み、吐出異常ノズルではないと判定されたノズル１９（正常ノズル）については終了する。

ステップＳ１０３で、吐出制御部Ｃは、ノズル１９の予備吐を行うための予備吐周波数を取得する。本実施形態の場合、予備吐周波数は、重度異常ノズル群の予備吐に適した周波数（高周波数）と、中度異常ノズル群の予備吐に適した周波数（中周波数）と、軽度異常ノズル群の予備吐に適した周波数（低周波数）とを含む。これらの予備吐周波数は、実験やシミュレーション等によって事前に設定されうる。

ステップＳ１０４で、吐出制御部Ｃは、ステップＳ１０２で吐出異常ノズルとして判定されたノズル１９を吐出異常の度合いに応じてグルーピングし、重度異常ノズル群と、中度異常ノズル群と、軽度異常ノズル群とを特定する。具体的には、吐出制御部Ｃは、前述したように、ステップＳ１０１で得られた残留信号波形に基づいて、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIにある異常ノズルを重度異常ノズル群として特定する。同様に、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIにある異常ノズルを中度異常ノズル群として特定し、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIIにある異常ノズルを軽度異常ノズル群として特定する。

ステップＳ１０５で、吐出制御部Ｃは、高周波予備吐を行う。高周波予備吐は、重度異常ノズル群に対してのみ行われ、中度異常ノズル群および軽度異常ノズル群に対しては行われない。高周波予備吐では、重度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数としてステップＳ１０３で取得された高周波数の駆動信号が用いられる。吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群に対し、ドライバＤにより高周波数の駆動信号を圧電素子Ｐに供給してインクを吐出させる。ここで、高周波予備吐が行われた重度異常ノズル群では、吐出異常の度合いが中度異常ノズル群と同程度に低減し、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIに遷移しうる。そのため、重度異常ノズル群に対しては、ステップＳ１０５の高周波予備吐の後、ステップＳ１０６に進んで中周波予備吐が行われる。

ステップＳ１０６で、吐出制御部Ｃは、中周波予備吐を行う。中周波予備吐は、重度異常ノズル群（高周波予備吐の実施済）と中度異常ノズル群とに対してのみ行われ、軽度異常ノズル群に対しては行われない。中周波予備吐では、中度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数としてステップＳ１０３で取得された中周波数の駆動信号が用いられる。吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群（高周波予備吐の実施済）および中度異常ノズル群に対し、ドライバＤにより中周波数の駆動信号を圧電素子Ｐに供給してインクを吐出させる。ここで、中周波予備吐が行われた重度異常ノズル群（高周波予備吐の実施済）および中度異常ノズル群では、吐出異常の度合いが軽度異常ノズル群と同程度に低減し、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIIに遷移しうる。そのため、重度異常ノズル群（高周波予備吐の実施済）および中度異常ノズル群に対しては、ステップＳ１０６の中周波予備吐の後、ステップＳ１０７に進んで低周波予備吐が行われる。

ステップＳ１０７で、吐出制御部Ｃは、低周波予備吐を行う。低周波予備吐は、重度異常ノズル群（高周波予備吐および中周波予備吐の実施済）と、中度異常ノズル群（中周波予備吐の実施済）と、軽度異常ノズル群とに対して行われる。低周波予備吐では、軽度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数としてステップＳ１０３で取得された低周波数の駆動信号が用いられる。吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群（高周波予備吐および中周波予備吐の実施済）、中度異常ノズル群（中周波予備吐の実施済）および軽度異常ノズル群に対し、ドライバＤにより低周波数の駆動信号を圧電素子Ｐに供給してインクを吐出させる。ここで、低周波予備吐が行われた重度異常ノズル群（高周波予備吐および中周波予備吐の実施済）、中度異常ノズル群（中周波予備吐の実施済）、および軽度異常ノズル群では、吐出異常が回復し、残留信号波形が基準波形と同様になりうる。

ステップＳ１０８で、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について残留信号波形を取得する。次いで、ステップＳ１０９で、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について、吐出異常ノズルか否かを判定する。ステップＳ１０８～Ｓ１０９は、ステップＳ１０１～Ｓ１０２と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明を省略する。ステップＳ１１０において吐出異常ノズルとして判定されたノズル１９がない場合には終了する。一方、ステップＳ１０９において吐出異常ノズルと判定されたノズル１９がある場合にはステップＳ１１０に進む。ステップＳ１１０では、吐出制御部Ｃは、ステップＳ１０９において吐出異常ノズルと判定されたノズル１９を、基板２上にインクを吐出する際に使用すべきでない「使用不可ノズル」に設定する。

［回復処理の実施例２］
以下、本実施形態における回復処理の実施例２について説明する。図８Ａ～８Ｂは、本実施形態の実施例２に係る回復処理を示すフローチャートである。図８Ａ～８Ｂのフローチャートの各工程は、吐出制御部Ｃによって実行されうるが、主制御部１１によって実行されてもよい。なお、実施例２で言及する事項以外は、実施例１に従いうる。

ステップＳ２０１で、吐出制御部Ｃは、複数のノズル１９の各々について残留信号波形を取得する。次いで、ステップＳ２０２で、吐出制御部Ｃは、ステップＳ２０１で取得された残留信号波形に基づいて、複数のノズル１９の各々について吐出異常ノズルか否かを判定する。ステップＳ２０１～Ｓ２０２は、図７のステップＳ１０１～Ｓ１０２と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明を省略する。

ステップＳ２０３で、吐出制御部Ｃは、ステップＳ２０２で吐出異常ノズルとして判定されたノズル１９の中から、重度異常ノズル群を判定（特定）する。具体的には、吐出制御部Ｃは、前述したように、ステップＳ２０１で得られた残留信号波形に基づいて、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIにある異常ノズルを重度異常ノズル群として特定する。重度異常ノズル群についてはステップＳ２０４に進み、それ以外のノズル群（中度異常ノズル群、軽度異常ノズル群）についてはステップＳ２０７に進む。

ステップＳ２０４で、吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数（高周波数）を取得する。次いで、ステップＳ２０５で、吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群に対して高周波予備吐を行う。高周波予備吐は、ステップＳ２０３で特定された重度異常ノズル群に対してのみ行われ、それ以外のノズル群（中度異常ノズル群、軽度異常ノズル群）に対しては行われない。なお、ステップＳ２０４は、図７のステップＳ１０５と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明を省略する。

ステップＳ２０６で、吐出制御部Ｃは、高周波予備吐が行われた重度異常ノズル群の各ノズル１９について残留信号波形を取得し、当該残留信号波形に基づいて重度の吐出異常が低減（回復、解消）したか否かを判定する。つまり、高周波予備吐により、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIからに遷移したか否かを判定する。重度異常ノズル群において重度の吐出異常が低減しなかった場合にはステップＳ２０４に戻る。つまり、吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群における吐出異常の度合いが低減して、中度異常ノズル群における吐出異常の度合い以下の範囲に収まるまで、高周波予備吐を繰り返し実行する。例えば、吐出制御部Ｃは、重度異常ノズル群における残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIかエリアIIIに遷移するまで、高周波予備吐を繰り返し実行する。一方、重度異常ノズル群において重度の吐出異常が低減した場合にはステップＳ２０７に進む。

ステップＳ２０７で、吐出制御部Ｃは、ステップＳ２０２で吐出異常ノズルとして判定されたノズル１９の中から、中度異常ノズル群を判定（特定）する。具体的には、吐出制御部Ｃは、前述したように、ステップＳ２０１で得られた残留信号波形に基づいて、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIにある異常ノズルを中度異常ノズル群として特定する。また、ステップＳ２０７において、吐出制御部Ｃは、高周波予備吐（ステップＳ２０４～Ｓ２０６）が実施されて重度の吐出異常が低減した重度異常ノズル群のうち最初のピーク位置がエリアIIに遷移したノズル群も、中度異常ノズル群として特定する。以下では、「中度異常ノズル群」は、残留信号波形に基づいて特定された中度異常ノズル群と、高周波予備吐が実施されて重度の吐出異常が低減し、ピーク位置がエリアIIに遷移した重度異常ノズル群とを含むものとして説明する。中度異常ノズル群についてはステップＳ２０８に進み、それ以外のノズル群（軽度異常ノズル群）についてはステップＳ２１１に進む。

ステップＳ２０８で、吐出制御部Ｃは、中度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数（中周波数）を取得する。次いで、ステップＳ２０９で、吐出制御部Ｃは、中度異常ノズル群に対して中周波予備吐を行う。中周波予備吐は、ステップＳ２０７で特定された中度異常ノズル群に対してのみ行われ、それ以外のノズル群（軽度異常ノズル群）に対しては行われない。なお、ステップＳ２０９は、図７のステップＳ１０６と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明を省略する。

ステップＳ２１０で、吐出制御部Ｃは、中周波予備吐が行われた中度異常ノズル群の各ノズル１９について残留信号波形を取得し、当該残留信号波形に基づいて中度の吐出異常が低減（回復、解消）したか否かを判定する。つまり、中周波予備吐により、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIから遷移したか否かを判定する。中度異常ノズル群において中度の吐出異常が低減しなかった場合にはステップＳ２０８に戻る。つまり、吐出制御部Ｃは、中度異常ノズル群における吐出異常の度合いが低減して、軽度異常ノズル群における吐出異常の度合いの範囲に収まるまで、中周波予備吐を繰り返し実行する。例えば、吐出制御部Ｃは、中度異常ノズル群における残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIIに遷移するまで、中周波予備吐を繰り返し実行する。一方、中度異常ノズル群において中度の吐出異常が低減した場合にはステップＳ２１１に進む。

ステップＳ２１１で、吐出制御部Ｃは、ステップＳ２０２で吐出異常ノズルとして判定されたノズル１９の中から、軽度異常ノズル群を判定（特定）する。具体的には、吐出制御部Ｃは、前述したように、ステップＳ２０１で得られた残留信号波形に基づいて、残留信号波形の最初のピーク位置がエリアIIIにある異常ノズルを軽度異常ノズル群として特定する。また、ステップＳ２１１において、吐出制御部Ｃは、中周波予備吐（ステップＳ２０８～Ｓ２１０）が実施されて中度の吐出異常が低減した重度異常ノズル群および中度異常ノズル群も、軽度異常ノズル群として特定する。以下では、「軽度異常ノズル群」は、残留信号波形に基づいて特定された軽度異常ノズル群と、中周波予備吐が実施されて中度の吐出異常が低減した重度異常ノズル群および中度異常ノズル群とを含むものとして説明する。軽度異常ノズル群についてはステップＳ２１２に進み、それ以外のノズル群については終了する。

ステップＳ２１２で、吐出制御部Ｃは、軽度異常ノズル群の予備吐に適した予備吐周波数（低周波数）を取得する。次いで、ステップＳ２１３で、吐出制御部Ｃは、軽度異常ノズル群に対して低周波予備吐を行う。低周波予備吐は、ステップＳ２２１１で特定された軽度異常ノズル群に対してのみ行われ、それ以外のノズル群に対しては行われない。なお、ステップＳ２１３は、図７のステップＳ１０７と同様の工程であるため、ここでの詳細な説明を省略する。

ステップＳ２１４で、吐出制御部Ｃは、低周波予備吐が行われた軽度異常ノズル群の各ノズル１９について残留信号波形を取得し、当該残留信号波形に基づいて軽度の吐出異常が低減（回復、解消）したか否かを判定する。つまり、低周波予備吐により、残留信号波形の周期が基準波形と同様になったか否かを判定する。軽度異常ノズル群において軽度の吐出異常が低減しなかった場合にはステップＳ２１２に戻る。つまり、吐出制御部Ｃは、軽度異常ノズル群における吐出異常が回復するまで（例えば、残留信号波形の波形が基準波形と同様になるまで）、低周波予備吐を繰り返し実行する。一方、軽度異常ノズル群において軽度の吐出異常が低減した場合には終了する。

上述したように、本実施形態（実施例１～２）では、複数のノズル１９における吐出異常を低減（回復、解消）させる回復処理において、以下の工程を行う。
（１）重度異常ノズル群に対してのみ高周波予備吐を行う。
（２）高周波予備吐の後、重度異常ノズル群（高周波予備吐の実施済）および中度異常ノズル群に対してのみ、もしくは中度異常ノズル群に対してのみ中周波予備吐を行う。
（３）中周波予備吐の後、重度異常ノズル群（高周波予備吐および中周波予備吐の実施済）、中度異常ノズル群（中周波予備吐の実施済）および軽度異常ノズル群に対して、もしくは軽度異常ノズル群に対してのみ低周波予備吐を行う。
このような回復処理により、中度異常ノズル群および軽度異常ノズル群に対する高周波予備吐と、軽度異常ノズル群に対する中周波予備吐とが省略されるため、回復処理に要する時間およびインク使用量を低減することができる。

ここで、本実施形態では、吐出異常の度合いを３つのグループ（重度、中度、軽度）に分類する例を説明したが、それに限られず、吐出異常の度合いを、２つのグループあるいは４以上のグループに分類してもよい。また、本実施形態の回復処理は、インクの増粘および／またはインク成分の沈降に起因する吐出異常を低減（回復、解消）させるための処理であり、ノズル内への気泡の混入（泡噛み）に起因する吐出異常を低減させるものではない。気泡の混入に起因する吐出異常が生じたノズルについては、図９に示すように、残留信号波形が不規則な波形となる。そのため、吐出制御部Ｃは、当該残留信号波形に基づいて、吐出異常が、インクの増粘および／またはインク成分の沈降に起因するものなのか、あるいは、気泡の混入に起因するものなのかを識別（判別）することが可能となる。気泡の混入に起因する吐出異常については、回復ユニット８を用いたクリーニング処理等を行うことによって低減（回復、解消）されうる。

［インクジェット装置の動作シーケンス］
次に、図１０を参照して、インクジェット装置１の動作シーケンスを説明する。ステップステップＳ３０１で、主制御部１１は、不図示の基板搬送装置を制御して、基板２をインクジェット装置１に搬入する。ステップＳ３０２で、吐出制御部Ｃは、吐出ヘッド５の複数のノズル１９の回復判定を行う。回復判定は、残留信号波形の周期（例えば、最初のピーク位置）が基準波形と同等になっているか否かを判定することにより行われる。具体的には、吐出制御部Ｃは、ドライバＤを介してノズルに特定のパルス信号を与えて該ノズルを作動させ、該ノズルの作動に伴って発生した圧力波によって生じる該ノズルの歪みに応じた電気信号を残留信号として検出する。その後、吐出制御部Ｃは、残留信号波形の最初のピーク位置と基準波形のピーク位置との比較に基づいてノズルの吐出不良状態を判定する。なお、複数のノズル１９の回復判定はインク吐出前に行ってもよい。この回復判定において吐出不良と判定されたノズルがある場合、ステップＳ３０３で、吐出制御部Ｃは、当該ノズルに対してノズル回復処理を実行する。当該ノズル回復処理としては、前述の実施例１または実施例２で説明した回復処理が適用されうる。

ステップＳ３０４で、主制御部１１は、基板ステージ３およびアライメントスコープ９を制御して、基板２のアライメント計測を行う。ステップＳ３０５で、主制御部１１は、基板ステージ３および高さセンサ１０を制御して、基板２の高さ計測を行う。なお、ステップＳ３０４のアライメント計測とステップＳ３０５の高さ計測の順序は逆でもよい。アライメント計測および高さ計測により得られた基板２の位置、歪み量、高さに関する情報は、例えば主制御部１１内のメモリに格納される。主制御部１１は、基板２上に形成される画素配置や画素の大きさ等の情報が含まれる画素データに基づいて、吐出制御情報を求める。吐出制御情報には、基板２上の画素エリア２０１や評価エリア２０２におけるインクの目標塗布分布を示す情報が含まれる。

ステップＳ３０６で、吐出制御部Ｃは、吐出ヘッド５の複数のノズル１９の回復判定を行う。回復判定は、上記のとおり残留信号波形の波形（例えば、最初のピーク位置）が基準波形と同等になっているか否かを判定することにより行われる。この回復判定において吐出不良と判定されたノズルがある場合、ステップＳ３０７で、吐出制御部Ｃは、当該ノズルに対してノズル回復処理を実行する。ステップＳ３０６～Ｓ３０７は、上記のステップＳ３０２～３０３と同様の工程である。

ステップＳ３０８で、主制御部１１は、吐出ヘッド５と基板ステージ３とを同期して駆動しながら、吐出制御部Ｃを介して目標塗布分布に基づいて吐出ヘッド５によりインク液滴の吐出制御を行う。インクジェット装置１を用いて基板上に多数の機能素子を形成するために、インクを塗布する塗布領域と吐出ヘッド５とを相対的に走査して機能素子の材料を塗布していく。図１１には、そのような機能素子の材料の塗布を説明する模式図が示されている。図１１において、基板表面１０１は、基板２の表面のうちの、機能素子１０２が形成される面である。矢印線１０３、１０４、１０５、１０６は、走査方向を示す。図１１は模式図であるため、７×５個の機能素子１０２が示されているにすぎないが、実際には非常に多数の機能素子が形成されうる。

ステップＳ３０９で、主制御部１１は、吐出制御情報に基づき目標塗布分布への吐出が完了したか否かを判定する。吐出が完了していなければ処理はステップＳ３０６へ戻り、吐出が完了した場合には、処理はステップＳ３１０に進む。ステップＳ３１０では、主制御部１１は、不図示の基板搬送装置を制御して、基板２をインクジェット装置１から搬出する。

＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、有機ＥＬ等のディスプレイ用パネルや半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板の上に上記のインクジェット装置を用いて液体を吐出して吐出液膜を形成する工程と、吐出液膜が形成された基板を乾燥させ、乾燥膜が形成された基板を加工する工程と、加工された基板から物品を製造する工程と、を含む。更に、かかる物品製造方法は、他の周知の工程（焼成、冷却、洗浄、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

＜実施形態のまとめ＞
本明細書の開示は、少なくとも以下の液体吐出装置、液体吐出装置の制御方法、基板処理装置、および物品製造方法を含む。

（項目１）
駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子と、
前記複数の吐出素子の各々への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とを特定した場合、前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理において、
第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給し、
前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する、
ことを特徴とする液体吐出装置。

（項目２）
前記制御部は、前記回復処理において、前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に供給した後に、前記第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する、ことを特徴とする項目１に記載の液体吐出装置。

（項目３）
前記制御部は、前記回復処理において、前記第２駆動信号を前記第１吐出素子にも供給する、ことを特徴とする項目１又は２に記載の液体吐出装置。

（項目４）
前記第１吐出素子は、吐出異常の度合いを示す指標が第１範囲内にある吐出素子であり、前記第２吐出素子は、前記指標が前記第１範囲より低い第２範囲内にある吐出素子である、ことを特徴とする項目１乃至３のいずれか１項目に記載の液体吐出装置。

（項目５）
前記第１範囲における前記指標の下限値は、前記第２範囲における前記指標の上限値より高い、ことを特徴とする項目４に記載の液体吐出装置。

（項目６）
前記第１吐出素子における吐出異常の度合いは、前記第１吐出素子への前記第１駆動信号の供給により、前記指標が前記第２範囲内に遷移するように低減する、ことを特徴とする項目４又は５に記載の液体吐出装置。

（項目７）
前記制御部は、前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に供給することにより前記第１吐出素子の前記指標を前記第２範囲に遷移させ、その後、前記第２駆動信号を前記第１吐出素子および前記第２吐出素子に供給する、ことを特徴とする項目６に記載の液体吐出装置。

（項目８）
前記制御部は、前記第１吐出素子の前記指標が前記第２範囲に遷移するまで前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に繰り返し供給する、ことを特徴とする項目７に記載の液体吐出装置。

（項目９）
前記第１駆動信号の前記第１周波数は、前記第１吐出素子における吐出異常の度合いが低減するように事前に設定されており、
前記第２駆動信号の前記第２周波数は、前記第２吐出素子における吐出異常の度合いを低減させるように事前に設定されている、
ことを特徴とする項目１乃至８のいずれか１項目に記載の液体吐出装置。

（項目１０）
前記複数の吐出素子の各々について、吐出異常の度合いを示す指標を計測する計測部を更に備え、
前記制御部は、前記計測部の計測結果に基づいて、前記複数の吐出素子の中から、前記指標が第１範囲内にある吐出素子を前記第１吐出素子として特定し、前記指標が前記第１範囲より小さい第２範囲内にある吐出素子を前記第２吐出素子として特定する、ことを特徴とする項目１乃至９のいずれか１項目に記載の液体吐出装置。

（項目１１）
前記複数の吐出素子の各々は、圧電素子を含み、
前記計測部は、前記圧電素子に特定の圧力波を発生させたときに前記圧電素子に残留する残留信号を検出し、当該残留信号の波形に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする項目１０に記載の液体吐出装置。

（項目１２）
前記計測部は、前記残留信号の波形の周期に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする項目１１に記載の液体吐出装置。

（項目１３）
前記計測部は、前記残留信号の波形における最初のピーク位置に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする項目１１に記載の液体吐出装置。

（項目１４）
駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子を備える液体吐出装置の制御方法であって、
前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子を特定する特定工程と、
前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理工程と、
を含み、
前記特定工程で、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とが特定された場合、前記回復処理工程において、
第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給する第１工程と、
前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を少なくとも前記第２吐出素子に供給する第２工程と、
を行うことを特徴とする制御方法。

（項目１５）
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージにより保持された前記基板上に液体を吐出する項目１乃至１３のいずれか１項目に記載の液体吐出装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。

（項目１６）
項目１５に記載の基板処理装置を用いて基板上に液体を吐出する工程と、
前記液体が吐出された前記基板を加工する工程と、
前記加工された基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：インクジェット装置（基板処理装置）、２：基板、３：基板ステージ、５：吐出ヘッド（液体吐出装置）、９：アライメントスコープ、１０：高さセンサ、１１：主制御部、１９：ノズル（吐出素子）、Ｃ：吐出制御部（制御部）、Ｄ：ドライバ

Claims (16)

1. 駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子と、
   前記複数の吐出素子の各々への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とを特定した場合、前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理において、
   第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給し、
   前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する、
   ことを特徴とする液体吐出装置。
2. 前記制御部は、前記回復処理において、前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に供給した後に、前記第２駆動信号を前記第２吐出素子に供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置。
3. 前記制御部は、前記回復処理において、前記第２駆動信号を前記第１吐出素子にも供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置。
4. 前記第１吐出素子は、吐出異常の度合いを示す指標が第１範囲内にある吐出素子であり、前記第２吐出素子は、前記指標が前記第１範囲より低い第２範囲内にある吐出素子である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
5. 前記第１範囲における前記指標の下限値は、前記第２範囲における前記指標の上限値より高い、ことを特徴とする請求項４に記載の液体吐出装置。
6. 前記第１吐出素子における吐出異常の度合いは、前記第１吐出素子への前記第１駆動信号の供給により、前記指標が前記第２範囲内に遷移するように低減する、ことを特徴とする請求項４に記載の液体吐出装置。
7. 前記制御部は、前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に供給することにより前記第１吐出素子の前記指標を前記第２範囲に遷移させ、その後、前記第２駆動信号を前記第１吐出素子および前記第２吐出素子に供給する、ことを特徴とする請求項６に記載の液体吐出装置。
8. 前記制御部は、前記第１吐出素子の前記指標が前記第２範囲に遷移するまで前記第１駆動信号を前記第１吐出素子に繰り返し供給する、ことを特徴とする請求項７に記載の液体吐出装置。
9. 前記第１駆動信号の前記第１周波数は、前記第１吐出素子における吐出異常の度合いが低減するように事前に設定されており、
   前記第２駆動信号の前記第２周波数は、前記第２吐出素子における吐出異常の度合いを低減させるように事前に設定されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
10. 前記複数の吐出素子の各々について、吐出異常の度合いを示す指標を計測する計測部を更に備え、
    前記制御部は、前記計測部の計測結果に基づいて、前記複数の吐出素子の中から、前記指標が第１範囲内にある吐出素子を前記第１吐出素子として特定し、前記指標が前記第１範囲より小さい第２範囲内にある吐出素子を前記第２吐出素子として特定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
11. 前記複数の吐出素子の各々は、圧電素子を含み、
    前記計測部は、前記圧電素子に特定の圧力波を発生させたときに前記圧電素子に残留する残留信号を検出し、当該残留信号の波形に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする請求項１０に記載の液体吐出装置。
12. 前記計測部は、前記残留信号の波形の周期に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出装置。
13. 前記計測部は、前記残留信号の波形における最初のピーク位置に基づいて前記指標を計測する、ことを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出装置。
14. 駆動信号に従って液体を吐出する複数の吐出素子を備える液体吐出装置の制御方法であって、
    前記複数の吐出素子の中から、吐出異常を有する吐出素子を特定する特定工程と、
    前記複数の吐出素子における吐出異常を低減させる回復処理工程と、
    を含み、
    前記特定工程で、吐出異常を有する吐出素子として、第１吐出素子と、前記第１吐出素子よりも吐出異常の度合いが低い第２吐出素子とが特定された場合、前記回復処理工程において、
    第１周波数の第１駆動信号を前記第２吐出素子に供給せずに前記第１吐出素子に供給する第１工程と、
    前記第１周波数より低い第２周波数の第２駆動信号を少なくとも前記第２吐出素子に供給する第２工程と、
    を行うことを特徴とする制御方法。
15. 基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板を保持して移動するステージと、
    前記ステージにより保持された前記基板上に液体を吐出する請求項１に記載の液体吐出装置と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
16. 請求項１５に記載の基板処理装置を用いて基板上に液体を吐出する工程と、
    前記液体が吐出された前記基板を加工する工程と、
    前記加工された基板から物品を製造する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。