JP2024043290A - 磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024043290A JP2024043290A JP2022148395A JP2022148395A JP2024043290A JP 2024043290 A JP2024043290 A JP 2024043290A JP 2022148395 A JP2022148395 A JP 2022148395A JP 2022148395 A JP2022148395 A JP 2022148395A JP 2024043290 A JP2024043290 A JP 2024043290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- storage device
- wiring
- magnetic storage
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 51
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】 優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、第１の方向に延伸する第１の配線１０と、第１の配線の上層側に設けられ、第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線２０と、第１の配線と第２の配線との間に設けられ、第１の方向及び第２の方向と交差する第３の方向に積層された磁気抵抗効果素子４０及びスイッチング素子５０を含むメモリセル３０とを備え、第１の配線は、第１の導電層１１と、第１の導電層上に設けられ且つカーボン（Ｃ）を含有する材料で形成された第２の導電層１２とを含む。【選択図】図２Ａ
Description
本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。
半導体基板上に磁気抵抗効果素子及びセレクタ（スイッチング素子）を含む複数のメモリセルが集積化された磁気記憶装置が提案されている。
優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。
実施形態に係る磁気記憶装置は、第１の方向に延伸する第１の配線と、前記第１の配線の上層側に設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられ、前記第１の方向及び前記第２の方向と交差する第３の方向に積層された磁気抵抗効果素子及びスイッチング素子を含むメモリセルと、を備える磁気記憶装置であって、前記第１の配線は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられ且つカーボン（Ｃ）を含有する材料で形成された第２の導電層とを含む。
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
図１は、実施形態に係る磁気記憶装置の基本的な構成を模式的に示した斜視図である。
図１に示した磁気記憶装置は、半導体基板（図示せず）を含む下部構造（図示せず）上に設けられており、複数の第１の配線１０と、複数の第２の配線２０と、複数のメモリセル３０とを含んでいる。
第１の配線１０は、Ｘ方向に延伸しており、ワード線に対応している。第２の配線２０は、第１の配線１０の上層側に設けられ、Ｙ方向に延伸している。第２の配線２０は、ビット線に対応している。
メモリセル３０は、第１の配線１０と第２の配線２０との間に設けられ、直列接続された磁気抵抗効果素子４０及びセレクタ（スイッチング素子）５０を含んでいる。具体的には、磁気抵抗効果素子４０及びセレクタ５０はＺ方向に積層されており、セレクタ５０が磁気抵抗効果素子４０の下層側に設けられている。
なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差する方向である。具体的には、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交している。
図２Ａ及び図２Ｂは、本実施形態に係る磁気記憶装置のより詳細な構成を模式的に示した断面図である。図２ＡはＸ方向に平行な断面図であり、図２ＢはＹ方向に平行な断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、半導体基板（図示せず）を含む下部構造１００上に、第１の配線１０と、第２の配線２０と、メモリセル３０と、層間絶縁層９１、９２及び９３とが設けられている。
第１の配線１０は、第１の導電層１１と、第１の導電層１１上に設けられた第２の導電層１２とを含んでいる。図２Ｂに示すように、Ｘ方向から見て、第１の導電層１１のパターンと第２の導電層１２のパターンとは互いに整合している。
第１の導電層１１の抵抗率は、第２の導電層１２の抵抗率よりも低く、金属元素を含有する金属材料で形成されている。具体的には、第１の導電層１１は、タングステン（Ｗ）又は銅（Ｃｕ）を含有する金属材料で形成されている。より具体的には、第１の導電層１１は、タングステン（Ｗ）層又は銅（Ｃｕ）層で形成されている。本実施形態では、第１の導電層１１としてＷ層が用いられる。
第２の導電層１２は、カーボン（Ｃ）を含有する材料で形成されている。具体的には、第２の導電層１２は、実質的にカーボンのみを含有するカーボン層で形成されている。なお、「実質的にカーボンのみを含有する」とは、カーボン以外の意図しない不純物を含有することを許容することを意味する。
メモリセル３０は、磁気抵抗効果素子４０と、セレクタ（スイッチング素子）５０と、中間電極６０と、ハードマスク７０と、側壁絶縁層８０とを含んでいる。
図３は、磁気抵抗効果素子４０の基本的な構成を模式的に示した断面図である。
磁気抵抗効果素子４０は、記憶層（第１の磁性層）４１と、参照層（第２の磁性層）４２と、トンネルバリア層（非磁性層）４３とを含んでいる。
記憶層４１は、可変の磁化方向を有する強磁性層である。可変の磁化方向とは、所定の書き込み電流に対して磁化方向が変わることを意味する。参照層４２は、固定された磁化方向を有する強磁性層である。固定された磁化方向とは、所定の書き込み電流に対して磁化方向が変わらないことを意味する。トンネルバリア層４３は、記憶層４１と参照層４２との間に設けられた絶縁層である。
記憶層４１の磁化方向と参照層４２の磁化方向とが平行である場合には、磁気抵抗効果素子４０は低抵抗状態を呈する。記憶層４１の磁化方向と参照層４２の磁化方向とが反平行である場合には、磁気抵抗効果素子４０は低抵抗状態の抵抗よりも高い抵抗を有する高抵抗状態を呈する。したがって、磁気抵抗効果素子４０は、その抵抗状態に応じて２値データを記憶することが可能である。
磁気抵抗効果素子４０は、ＳＴＴ（Spin Transfer Torque）型の磁気抵抗効果素子であり、垂直磁化を有している。すなわち、記憶層４１の磁化方向はその主面に対して垂直であり、参照層４２の磁化方向はその主面に対して垂直である。
なお、本実施形態では、記憶層４１が参照層４２の下層側に位置するボトムフリー型の磁気抵抗効果素子を用いているが、記憶層４１が参照層４２の上層側に位置するトップフリー型の磁気抵抗効果素子を用いてもよい。
図４は、セレクタ５０の基本的な構成を模式的に示した断面図である。
セレクタ５０は、下部電極５１と、上部電極５２と、セレクタ材料層（スイッチング材料層）５３とを含んでいる。なお、下部電極５１を設けずに、第１の配線１０をセレクタ５０の下部電極として用いてもよい。本実施形態では、第１の配線１０がセレクタ５０の下部電極５１として機能する。また、セレクタ５０の上部電極５２には、後述する中間電極６０が用いられる。
セレクタ材料層５３は、絶縁性を有している。例えば、セレクタ材料層５３は、シリコン酸化物を主成分とする絶縁体で形成され、ＳｉＯ2 或いは実質的にＳｉＯ2で形成された材料を含み、イオン注入により導入されたドーパントを含有する絶縁体である。ドーパントには、例えば、ヒ素（Ａｓ）或いはゲルマニウム（Ｇｅ）が含まれる。
セレクタ材料層５３としては、後述の図５にて動作を説明するが、ある電圧で抵抗値が急激に下がり、それに伴って印加電圧が急激に下がり且つ電流が増加する特性（スナップバック特性）を有する２端子型のスイッチング素子を一例として説明している。なお、このような特性を有するスイッチング素子に使用される材料は、メモリセルの特性に応じて適宜選択される。
図５は、セレクタ５０の電流－電圧特性を模式的に示した図である。
図５に示すように、セレクタ５０は、２端子間（下部電極５１と上部電極５２との間）に印加される電圧が閾電圧Ｖｔｈ以上になると、オフ状態からオン状態に移行する特性を有している。
第１の配線１０と第２の配線２０との間に電圧を印加して、セレクタ５０の下部電極５１と上部電極５２との間に閾電圧Ｖｔｈ以上の電圧が印加されると、セレクタ５０がオフ状態からオン状態に移行する。その結果、セレクタ５０に直列に接続された磁気抵抗効果素子４０に電流が流れ、磁気抵抗効果素子４０に対して書き込み或いは読み出しを行うことが可能となる。
図２Ａ及び図２Ｂの説明に戻る。
磁気抵抗効果素子４０とセレクタ５０との間には、中間電極６０が設けられている。中間電極６０は、カーボン（Ｃ）を含有する材料で形成されている。具体的には、中間電極６０は、実質的にカーボン（Ｃ）のみを含有するカーボン層で形成されている。中間電極６０は、磁気抵抗効果素子４０の下部電極として機能し、且つセレクタ５０の上部電極（図４の上部電極５２に対応）として機能する。
磁気抵抗効果素子４０上には、金属材料で形成されたハードマスク７０が設けられている。ハードマスク７０は、磁気抵抗効果素子４０をパターニングする際のマスクとしての機能に加えて、磁気抵抗効果素子４０の上部電極としての機能も有している。
磁気抵抗効果素子４０の側面及びハードマスク７０の側面には、側壁絶縁層８０が設けられている。側壁絶縁層８０は、磁気抵抗効果素子４０に対する保護層としての機能を有している。
次に、本実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を説明する。
図６Ａ及び図６Ｂ～図１５Ａ及び図１５Ｂは、本実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を模式的に示した断面図である。図６Ａ～図１５ＡはＸ方向に平行な断面図であり、図６Ｂ～図１５ＢはＹ方向に平行な断面図である。
まず、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、半導体基板（図示せず）を含む下部構造１００上に、第１の導電層１１のラインパターンを形成する。第１の導電層１１にはタングステン（Ｗ）層が用いられる。
次に、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、図６Ａ及び図６Ｂの工程で得られた構造上に層間絶縁層９１を形成する。さらに、層間絶縁層９１に対してＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を行い、隣接する第１の導電層１１間の領域を層間絶縁層９１で埋める。
次に、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、第１の導電層１１をエッチバックして溝を形成する。
次に、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、図８Ａ及び図８Ｂの工程で得られた構造上に、第２の導電層１２としてカーボン（Ｃ）層を形成する。
次に、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、第２の導電層１２に対してＣＭＰを行い、図８Ａ及び図８Ｂの工程で得られた溝を第２の導電層１２で埋める。これにより、第１の導電層１１及び第２の導電層１２で形成された第１の配線１０が得られる。第１の配線１０は、Ｘ方向に延伸している。
次に、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、図１０Ａ及び図１０Ｂの工程で得られた構造上に、セレクタ層（具体的には、セレクタ材料層）５０ａ、中間電極層６０ａ、磁気抵抗効果素子層４０ａ及びハードマスク層７０ａを形成する。
次に、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、ハードマスク層７０ａをパターニングしてハードマスク７０のパターンを形成する。
次に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、ハードマスク７０をマスクとして用いて、ＩＢＥ（Ion Beam Etching）によって磁気抵抗効果素子層４０ａをエッチングする。これにより、磁気抵抗効果素子４０のパターンが得られる。また、ＩＢＥによってハードマスク７０の厚さが減少する。
次に、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、磁気抵抗効果素子層４０の側面及びハードマスク７０の側面に側壁絶縁層８０を形成する。
次に、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、磁気抵抗効果素子４０、ハードマスク７０及び側壁絶縁層８０をマスクとして用いて、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によってセレクタ層５０ａ及び中間電極層６０ａをエッチングする。これにより、セレクタ５０及び中間電極６０のパターンが得られる。
図１５Ａ及び図１５ＢのＲＩＥプロセスで第２の導電層１２の表面が露出し、第２の導電層１２に含有されたカーボン（Ｃ）がセレクタ５０の側面に付着するおそれがある。その結果、付着したカーボンによってリークが生じるおそれがある。しかしながら、第２の導電層１２に用いるカーボン層のエッチングレートは、セレクタ５０のセレクタ材料層のエッチングレートに比べて十分に小さい。そのため、ＲＩＥプロセスで第２の導電層（カーボン層）１２はほとんどエッチングされず、セレクタ５０の側面に付着するカーボンの量は非常に少ない。また、ＲＩＥの後に酸素アッシングを行うことで、セレクタ５０の側面に付着したカーボンを容易に除去することが可能である。
図１５Ａ及び図１５Ｂの工程の後、層間絶縁層９２を形成し、さらに第２の配線２０及び層間絶縁層９３を形成することで、図２Ａ及び図２Ｂに示すような構造が得られる。
以上のように、本実施形態では、第１の配線１０が第１の導電層１１及び第１の導電層１１上に設けられた第２の導電層１２を含んでおり、第２の導電層１２がカーボン（Ｃ）層で形成されている。第２の導電層（カーボン層）１２が設けられていないとすると、図１５Ａ及び図１５ＢのＲＩＥプロセスの際に第１の配線１０の金属材料がセレクタ５０の側面に付着し、付着した金属材料がリークの大きな原因となるおそれがある。
本実施形態では、第１の配線１０に第２の導電層（カーボン層）１２が含まれているため、第１の配線１０の材料がセレクタ５０の側面に付着してリークが生じることを防止することができる。
また、第１の配線１０を第２の導電層（カーボン層）１２だけで形成すると、第１の配線１０の抵抗が高くなるおそれがある。本実施形態では、第１の配線１０が金属材料で形成された抵抗の低い第１の導電層１１を含んでいる。そのため、第１の配線１０の抵抗を低くすることが可能である。
したがって、本実施形態では、セレクタ５０のリークを抑制でき、且つ第１の配線１０の抵抗を低くすることができる、優れた特性を有する磁気記憶装置を得ることが可能である。
なお、上述した実施形態では、セレクタ５０が磁気抵抗効果素子４０の下層側に設けられていたが、セレクタ５０が磁気抵抗効果素子４０の上層側に設けられていてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…第１の配線 １１…第１の導電層 １２…第２の導電層
２０…第２の配線 ３０…メモリセル
４０…磁気抵抗効果素子 ４１…記憶層（第１の磁性層）
４２…参照層（第２の磁性層） ４３…トンネルバリア層（非磁性層）
５０…セレクタ（スイッチング素子） ５１…下部電極 ５２…上部電極
５３…セレクタ材料層（スイッチング材料層）
６０…中間電極 ７０…ハードマスク ８０…側壁絶縁層
９１、９２、９３…層間絶縁層
１００…下部構造
２０…第２の配線 ３０…メモリセル
４０…磁気抵抗効果素子 ４１…記憶層（第１の磁性層）
４２…参照層（第２の磁性層） ４３…トンネルバリア層（非磁性層）
５０…セレクタ（スイッチング素子） ５１…下部電極 ５２…上部電極
５３…セレクタ材料層（スイッチング材料層）
６０…中間電極 ７０…ハードマスク ８０…側壁絶縁層
９１、９２、９３…層間絶縁層
１００…下部構造
Claims (11)
- 第１の方向に延伸する第１の配線と、
前記第１の配線の上層側に設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線と、
前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられ、前記第１の方向及び前記第２の方向と交差する第３の方向に積層された磁気抵抗効果素子及びスイッチング素子を含むメモリセルと、
を備える磁気記憶装置であって、
前記第１の配線は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられ且つカーボン（Ｃ）を含有する材料で形成された第２の導電層とを含む
ことを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第１の導電層の抵抗率は、前記第２の導電層の抵抗率よりも低い
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記第１の導電層は、金属元素を含有する金属材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記金属元素は、タングステン（Ｗ）又は銅（Ｃｕ）である
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記憶装置。 - 前記第１の方向から見て、前記第１の導電層のパターンと前記第２の導電層のパターンとは互いに整合している
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記スイッチング素子は、前記磁気抵抗効果素子の下層側に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記スイッチング素子は、その２端子間に印加される電圧が閾電圧以上になるとオフ状態からオン状態に移行する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記スイッチング素子は、絶縁性のスイッチング材料層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記スイッチング材料層の主成分は、シリコン酸化物である
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記憶装置。 - 前記スイッチング材料層は、ヒ素（Ａｓ）を含有する
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気記憶装置。 - 前記磁気抵抗効果素子は、可変の磁化方向を有する第１の磁性層と、固定された磁化方向を有する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022148395A JP2024043290A (ja) | 2022-09-16 | 2022-09-16 | 磁気記憶装置 |
| US18/466,727 US20240099158A1 (en) | 2022-09-16 | 2023-09-13 | Magnetic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022148395A JP2024043290A (ja) | 2022-09-16 | 2022-09-16 | 磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024043290A true JP2024043290A (ja) | 2024-03-29 |
Family
ID=90243670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022148395A Pending JP2024043290A (ja) | 2022-09-16 | 2022-09-16 | 磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240099158A1 (ja) |
| JP (1) | JP2024043290A (ja) |
-
2022
- 2022-09-16 JP JP2022148395A patent/JP2024043290A/ja active Pending
-
2023
- 2023-09-13 US US18/466,727 patent/US20240099158A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240099158A1 (en) | 2024-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9525126B1 (en) | Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array | |
| JP4378631B2 (ja) | Ｍｒａｍ素子の製造方法 | |
| TWI393281B (zh) | 形成磁通道接面裝置之方法 | |
| CN113129955B (zh) | 磁存储器器件和磁存储器及其制造方法 | |
| US20110076784A1 (en) | Fabrication of Magnetic Element Arrays | |
| JP2013058521A (ja) | 記憶装置及びその製造方法 | |
| JP2013058522A (ja) | 記憶装置及びその製造方法 | |
| KR20180065071A (ko) | 반도체 소자 | |
| US9412935B1 (en) | Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array | |
| JP2005294848A (ja) | 磁気メモリセルアレイおよびその製造方法 | |
| KR20040005640A (ko) | 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20030078774A (ko) | 자기 기억 장치의 제조 방법 | |
| US11069850B2 (en) | Magnetic memory device and manufacturing method of the same | |
| EP1455390A2 (en) | Buried magnetic tunnel-junction memory cell and methods for fabricating | |
| JP2024043290A (ja) | 磁気記憶装置 | |
| JP2005311368A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 | |
| TWI801609B (zh) | 磁阻式隨機存取記憶體結構及其製作方法 | |
| CN114447216A (zh) | 一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法 | |
| TWI838262B (zh) | 磁性記憶裝置 | |
| US20240324470A1 (en) | Magnetic memory device | |
| US20240099021A1 (en) | Magnetic memory device | |
| US20240099156A1 (en) | Magnetic memory device | |
| KR101583134B1 (ko) | 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리 및 그 제조 방법 | |
| US20230301195A1 (en) | Magnetic memory device | |
| JP2024134939A (ja) | 記憶装置及び記憶装置の製造方法 |