JP2024034793A - センサ及び検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】特性を向上できるセンサ及び検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、センサは、素子部及び制御部を含む。素子部は、第１素子を含む。第１素子は、第１磁気素子と第１導電部材とを含む。第３方向に沿う第３方向磁界の変化に対する第１磁気素子の第１電気抵抗の変化率は、第１他導電部分から第１導電部分への第２方向に沿う第２方向磁界の変化に対する第１電気抵抗の変化率よりも高い。制御部は、第１回路を含む。第１回路は、第１導電部材に第１電流を供給可能である。第１電流は、交流成分を含む。第１電流の極大値は第１極性である。第１電流の極小値は第１極性または０である。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、センサ及び検査装置に関する。

例えば、磁性層を用いたセンサがある。センサにおいて、特性の向上が望まれる。

特開２０２１－１４５０２１号公報

本発明の実施形態は、特性を向上できるセンサ及び検査装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、センサは、素子部及び制御部を含む。前記素子部は、第１素子を含む。前記第１素子は、第１磁気素子と第１導電部材とを含む。前記第１磁気素子は、第１磁性層及び第１対向磁性層を含む。前記第１導電部材は、第１導電部分と第１他導電部分とを含む。前記第１他導電部分から前記第１導電部分への第２方向は、前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への第１方向と交差する。前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う第３方向磁界の変化に対する前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化率は、前記第２方向に沿う第２方向磁界の変化に対する前記第１電気抵抗の変化率よりも高い。前記制御部は、第１回路を含む。前記第１回路は、前記第１導電部分及び前記第１他導電部分と電気的に接続され、前記第１導電部材に第１電流を供給可能である。前記第１電流は、交流成分を含む。前記第１電流の極大値は第１極性である。前記第１電流の極小値は前記第１極性または０である。

図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図３は、センサの特性を例示する模式図である。 図４は、センサの特性を例示する模式図である。 図５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図７（ａ）～図７（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１０は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図１７は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的斜視図である。 図１８は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的平面図である。 図１９は、実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。 図２０は、実施形態に係る検査装置を示す模式図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）～図１（ｃ）及び図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図２（ａ）は、平面図である、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。

図１（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、素子部１０Ｕ及び制御部７０を含む。素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａを含む。センサ１１０は、例えば磁気センサである。

第１素子１０Ａは、第１磁気素子１１及び第１導電部材２１を含む。

図２（ｂ）に示すように、第１磁気素子１１は、第１磁性層１１ａ及び第１対向磁性層１１ｂを含む。この例では、第１磁気素子１１は、第１非磁性層１１ｎを含む。第１非磁性層１１ｎは、第１磁性層１１ａと第１対向磁性層１１ｂとの間に設けられる。

第１磁性層１１ａから第１対向磁性層１１ｂへの第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＸ軸方向とする。

図１（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１導電部分２１ｅと第１他導電部分２１ｆとを含む。第１他導電部分２１ｆから第１導電部分２１ｅへの第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｙ軸方向である。

実施形態において、センサ１１０は、検出対象磁界Ｈｔを検出可能である。検出対象磁界Ｈｔは、第３方向Ｄ３に沿う成分を含む。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。第３方向Ｄ３は、例えば、Ｘ軸方向である。

センサ１１０において、第１磁気素子１１の電気抵抗（第１電気抵抗）は、検出対象磁界Ｈｔの変化に応じて変化可能である。

例えば、第３方向Ｄ３に沿う第３方向磁界の変化に対する第１磁気素子の第１電気抵抗の変化率は、第２方向Ｄ２に沿う第２方向磁界の変化に対する第１電気抵抗の変化率よりも高い。第１磁気素子１１の第１電気抵抗は、第３方向磁界に関して高い感度を有する。

制御部７０は、第１回路７１Ａを含む。第１回路７１Ａは、第１導電部分２１ｅ及び第１他導電部分２１ｆと電気的に接続される。第１回路７１Ａは、第１導電部材２１に第１電流ｉ１を供給可能である。

図１（ｂ）は、第１電流ｉ１を例示している。図１（ｂ）の横軸は、時間ｔｍである。図１（ｂ）の縦軸は、第１電流ｉ１の値である。図１（ｂ）に示すように、第１電流ｉ１は、交流成分ｉａ１を含む。第１電流ｉ１の極大は第１極性であり、第１電流ｉ１の極小値は第１極性または０である。第１極性は、正及び負の一方である。以下、第１極性が正である場合の例について説明する。

例えば、第１電流ｉ１は、交流成分ｉａ１及び直流成分ｉｄ１を含む。直流成分ｉｄ１は、交流成分ｉａ１の振幅ｉｐ１の１／２以上である。第１電流ｉ１において、極小値と極大値との差が振幅ｉｐ１に対応する。実施形態においては、例えば、極小値及び極大値の両方が第１極性（または極小値が０）である。第１電流ｉ１が第２極性（例えば負）になることがない。第１電流ｉ１の極小値が第１極性でも良い。

第１電流ｉ１により第１磁界Ｈａが生じる。第１磁界Ｈａは、第３方向Ｄ３に沿う。図１（ｃ）は、第１磁界Ｈａを例示している。図１（ｃ）の横軸は、時間ｔｍである。図１（ｃ）の縦軸は、第１磁界Ｈａの強度である。図１（ｃ）に示すように、第１磁界Ｈａは、交流磁界成分Ｈａ１を含む。第１磁界Ｈａの極大は第１極性であり、第１磁界Ｈａの極小値は第１極性または０である。第１磁界Ｈａの極小値が第１極性でも良い。

例えば、第１磁界Ｈａは、交流磁界成分Ｈａ１と、直流磁界成分Ｈｄ１と、を含む。直流磁界成分Ｈｄ１は、交流磁界成分Ｈａ１の振幅Ｈｐ１の１／２以上である。第１磁界Ｈａにおいて、極小値と極大値との差が振幅Ｈｐ１に対応する。実施形態においては、極小値及び極大値の両方が第１極性（または極小値が０）である。第１磁界Ｈａが第２極性（例えば負）になることがない。第１磁界Ｈａが０になることがない。第１磁界Ｈａの極小値Ｈｍｉｎは、直流磁界成分Ｈｄ１と、交流磁界成分Ｈａ１の振幅Ｈｐ１の１／２と、の差である。実施形態において、例えば、第１磁界Ｈａの極小値Ｈｍｉｎは正または０である。

このような第１電流ｉ１が第１導電部材２１を流れることで、第１導電部材２１から第１磁界Ｈａが発生する。第１導電部材２１は、磁界発生部２８の例の１つである。磁界発生部２８から第３方向Ｄ３に沿う第１磁界Ｈａが発生する。

第１磁界Ｈａは、第１磁気素子１１に印加される。第１磁界Ｈａの変化に応じて第１磁気素子１１の第１電気抵抗が変化する。電気抵抗の変化は例えばＭＲ（magnetoresistance effect）効果による。例えば、第１電流ｉ１の変化に応じて、第１磁気素子１１の第１電気抵抗が変化する。

一方、検出対象磁界Ｈｔが第１磁気素子１１に加わる。検出対象磁界Ｈｔによっても、第１磁気素子１１の第１電気抵抗が変化する。このように、第１電気抵抗は、第１電流ｉ１（及び第１磁界Ｈａ）と、検出対象磁界Ｈｔの両方に応じて変化する。実施形態においては、第１電気抵抗の変化を検出し、その結果を第１電流ｉ１の交流成分ｉａ１の周波数（第１磁界Ｈａの交流磁界成分Ｈａ１の周波数）に基づいて処理することで、検出対象磁界Ｈｔを検出できる。

実施形態においては、上記のように、第１電流ｉ１及び第１磁界Ｈａは負になることがない。これにより、ノイズを抑制した検出が可能になる。

図３及び図４は、センサの特性を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、第１磁気素子１１に印加される磁界Ｈｘである。縦軸は、第１磁気素子１１の第１電気抵抗Ｒ１である。第１電気抵抗Ｒ１は、第１磁気素子１１の両端の電位差に対応する。

図３に示すように、第１磁気素子１１の第１電気抵抗Ｒ１は、磁界Ｈｘに対して非線形（例えば２次関数）に変化する。絶対値が大きい磁界Ｈｘに対しての第１電気抵抗Ｒ１の変化率は、絶対値が小さい磁界Ｈｘに対しての第１電気抵抗Ｒ１の変化率よりも高い。

図３に示すように、第１磁気素子１１に、第１電流ｉ１に基づく第１磁界Ｈａと、検出対象磁界Ｈｔとの和が印加される。図３の例では、第１磁界Ｈａは正及び負で変化する。このような磁界の変化に応じて、第１電気抵抗Ｒ１が変化する。図３の例において、第１電気抵抗Ｒ１の変化は小さい。図３の例では、第１電気抵抗Ｒ１の変化率が低い範囲が検出に利用される。

図４に示す例では、第１磁界Ｈａは正の範囲で変化し、負にならない。このような磁界の変化に応じて、第１電気抵抗Ｒ１が変化する。図４の例において、第１電気抵抗Ｒ１の変化は、図３の例と比べて大きい。図４の例では、第１電気抵抗Ｒ１の変化率が高い範囲が検出に利用される。

実施形態においては、第１電流ｉ１の極大は第１極性であり、第１電流ｉ１の極小値は第１極性または０である。実施形態においては、片方の極性で変化する第１電流ｉ１が用いられる。これにより、第１電気抵抗Ｒ１の変化率が高い範囲が検出に利用できる。例えば、高い感度での検出が可能になる。例えば、高いＳＮ比が得られる。実施形態によれば、特性を向上できるセンサを提供できる。

実施形態において、片方の極性で変化する第１電流ｉ１が用いられる。これにより、例えば、広いダイナミックレンジが得られる。例えば、検出対象磁界Ｈｔの変化が、第１電流ｉ１により生じる第１磁界Ｈａの変化よりも小さい場合がある。このような場合に、第１電流ｉ１の直流成分ｉｄ１を制御することで、第１電気抵抗Ｒ１の変化に対応する電気信号を信号検出回路の特性に適合し易くなる。低いノイズで信号を増幅できる。高い精度での検出が可能になる。

例えば、第１電流ｉ１（及び第１磁界）が正から０または負になるときに、第１磁性層１１ａ及び第１対向磁性層１１ｂの少なくともいずれかにおいて磁区の乱れが生じる場合がある。磁区の乱れは、例えば、磁区の生成、磁区の消滅、または、磁区の移動などを含む。磁区の乱れにより、第１磁気素子１１から得られる信号にノイズが発生する場合がある。実施形態においては、第１電流ｉ１及び第１磁界Ｈａが常に１つの極性（例えば正）であると、磁区の乱れに起因するノイズが抑制できる。より安定して高い感度での検出が可能になる。

図４に示すように、第１電気抵抗Ｒ１は、第１磁気素子１１に印加される磁界Ｈｘに対して偶関数で変化する。第１電気抵抗Ｒ１の変化は、非線形（例えば２次関数）である。

第１磁気素子１１に印加される磁界Ｈｘ（第３方向磁界）は、第１値磁界Ｈ１、第２値磁界Ｈ２、第３値磁界Ｈ３及び第４値磁界Ｈ４を含む。第１値磁界Ｈ１は、０と第４値磁界Ｈ４との間である。第２値磁界Ｈ２は、第１値磁界Ｈ１と第４値磁界Ｈ４との間である。第３値磁界Ｈ３は、第２値磁界Ｈ２と第４値磁界Ｈ４との間である。第１値磁界Ｈ１と第２値磁界Ｈ２との差は、第３値磁界Ｈ３と第４値磁界Ｈ４との間の差と同じである。

実施形態において、第１値磁界Ｈ１と第２値磁界Ｈ２との間の変化に対する第１電気抵抗Ｒ１の第１変化率は、第３値磁界Ｈ３と第４値磁界Ｈ４との間の変化に対応する第１電気抵抗Ｒ１の第２変化率よりも低い。磁界Ｈｘの絶対値が比較的大きい第３値磁界Ｈ３と第４値磁界Ｈ４との間の範囲において、第１電気抵抗Ｒ１は高い変化率を示す。

実施形態においては、このような高い変化率を示す範囲が検出に用いられる。例えば、第１電流ｉ１により第１導電部材２１から生じる磁界（第１磁界Ｈａ）は、第３値磁界Ｈ３及び第４値磁界Ｈ４を含む。

図１（ａ）に示すように、第１回路７１Ａは、交流回路７１ａ及び直流回路７１ｂを含んで良い。交流回路７１ａは、例えば交流電源である。直流回路７１ｂは、例えば直流電源である。直流回路７１ｂにより直流成分ｉｄ１は、可変でも良い。

図１（ａ）に示すように、制御部７０は、素子電流回路７２を含んで良い。素子電流回路７２は、第１磁気素子１１に検出電流ｉｄを供給可能である。素子電流回路７２は、定電流源でも良い。素子電流回路７２は、定電流源でなくても良い。

図１（ａ）に示すように、制御部７０は、検出回路７３を含んで良い。検出回路７３は、第１電気抵抗Ｒ１の変化に対応する値を検出可能である。例えば、検出電流ｉｄにより第１電気抵抗Ｒ１に応じた電位差が生じる。検出回路７３は、電位差の変化を含む信号を検出する。検出回路７３の出力部７３ｏから検出対象磁界Ｈｔに応じた信号が得られる。

図２（ａ）に示すように、第２方向Ｄ２における第１導電部材２１の長さを長さＬｃ１とする。第３方向Ｄ３における第１導電部材２１の長さを長さＬｃ２とする。実施形態において、長さＬｃ１は、長さＬｃ２よりも長いことが好ましい。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。発生する磁界（第１磁界Ｈａ）の向きがより安定になる。長さＬｃ１の長さＬｃ２に対する比（Ｌｃ１／Ｌｃ２）は、例えば、２倍以上１０００倍以下である。

図２（ａ）に示すように、第２方向Ｄ２における第１磁気素子１１の長さを長さＬｅ１とする。第３方向Ｄ３における第１磁気素子１１の長さを長さＬｅ２とする。実施形態において、長さＬｅ１は、長さＬｅ２よりも長いことが好ましい。これにより、磁性層の磁化の向きがより安定になる。これは、形状異方性による。長さＬｅ１の長さＬｅ２に対する比（Ｌｅ１／Ｌｅ２）は、例えば、２倍以上１０００倍以下である。

図２（ｂ）に示すように、この例では、第１電流ｉ１が流れていないときに、第１磁性層１１ａの磁化１１ａＭは、第２方向Ｄ２に沿う。第１対向磁性層１１ｂの磁化１１ｂＭは、第２方向Ｄ２に沿う。実施形態において、磁化１１ａＭは、磁化１１ｂＭと交差しても良い。実施形態において、第１磁性層１１ａは、例えば、参照層及び磁化自由層の一方で良い。第１対向磁性層１１ｂは、例えば、参照層及び磁化自由層の他方で良い。

第１磁気素子１１の第１電気抵抗の変化は、例えば、第１磁気素子１１に加わる磁界に応じて、磁化１１ａＭと磁化１１ｂＭとの間の角度が変化することに基づく。

図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、この例では、第１導電部材２１から第１磁気素子１１への方向は、第１方向Ｄ１に沿う。この例では、第１磁性層１１ａは、第１導電部材２１と第１対向磁性層１１ｂとの間にある。実施形態において、第１対向磁性層１１ｂが第１導電部材２１と第１磁性層１１ａとの間にあっても良い。

実施形態において、第１非磁性層１１ｎは導電性でも良い。第１非磁性層１１ｎは、例えば、Ｃｕなどを含む。第１磁気素子は、ＧＭＲ（Giant MagnetoResistive effect）素子として機能する。第１非磁性層１１ｎは絶縁性でも良い。第１非磁性層１１ｎは、例えば、ＭｇＯなどを含む。第１磁気素子は、ＴＭＲ(Tunnel Magneto Resistance effect）素子として機能する。

図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、第１素子１０Ａは、第１絶縁部材８１を含んでも良い。第１絶縁部材８１の少なくとも一部は、第１磁気素子１１と第１導電部材２１との間に設けられる。第１絶縁部材８１は、第１磁気素子１１と第１導電部材２１との間を電気的に絶縁する。

図２（ａ）に示すように、第１磁気素子１１は、第１素子部分１１ｅ及び第１他素子部分１１ｆを含む。第１素子部分１１ｅは、第１導電部分２１ｅに対応する。第１他素子部分１１ｆは、第１他導電部分２１ｆに対応する。第１他素子部分１１ｆから第１素子部分１１ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第１素子部分１１ｅと第１導電部分２１ｅとの間の距離は、第１素子部分１１ｅと第１他導電部分２１ｆとの間の距離よりも短い。第１他素子部分１１ｆと第１他導電部分２１ｆとの間の距離は、第１他素子部分１１ｆと第１導電部分２１ｅとの間の距離よりも短い。

以下、実施形態に係るセンサのいくつかの例について説明する。
図５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図５においては、理解を容易にするために、第１磁気素子１１が、Ｘ軸方向において、第１導電部材２１からシフトされて描かれている。第１磁気素子１１は、第１導電部材２１とＺ軸方向において重なっても良い。

図５に示すように、実施形態に係るセンサ１１１において、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ及び第１抵抗３１を含む。第１抵抗３１は、第１抵抗部分３１ｅと第１他抵抗部分３１ｆとを含む。この例では、第１素子部分１１ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他素子部分１１ｆは、第１抵抗部分３１ｅと電気的に接続される。第１他抵抗部分３１ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。検出回路７３は、第１他素子部分１１ｆと第１抵抗部分３１ｅとの接続点の電位の変化を検出する。

図６、及び、図７（ａ）～図７（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図６に示すように、実施形態に係るセンサ１１２において、素子部１０Ｕは、第２素子１０Ｂをさらに含む。第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。

図６においては、図を見やすくするために、第１磁気素子１１が、Ｘ軸方向において、第１導電部材２１からシフトされて描かれている。第１磁気素子１１は、第１導電部材２１とＺ軸方向において重なっても良い。図６においては、図を見やすくするために、第２磁気素子１２が、Ｘ軸方向において、第２導電部材２２からシフトされて描かれている。第２磁気素子１２は、第２導電部材２２とＺ軸方向において重なっても良い。

図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、第２磁気素子１２は、第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂを含む。この例では、第２磁気素子１２は、第２非磁性層１２ｎを含む。第２非磁性層１２ｎは、第２磁性層１２ａと第２対向磁性層１２ｂとの間に設けられる。

第２磁気素子１２において、第２磁性層１２ａは、例えば、参照層及び磁化自由層の一方で良い。第２対向磁性層１２ｂは、例えば、参照層及び磁化自由層の他方で良い。第２磁気素子１２の電気抵抗の変化は、例えば、第２磁気素子１２に加わる磁界に応じて、第２磁性層１２ａの磁化１２ａＭ、と、第２対向磁性層１２ｂの磁化１２ｂＭとの間の角度が変化することに基づく。

図６に示すように、第２導電部材２２は、第２導電部分２２ｅと第２他導電部分２２ｆとを含む。第２他導電部分２２ｆから第２導電部分２２ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

図６に示すように、この例では、第１導電部分２１ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１他導電部分２１ｆは、第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。第２導電部分２２ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１回路７１Ａは、第１導電部材２１及び第２導電部材２２に第１電流ｉ１を供給可能である。

第１磁気素子１１は、第１素子部分１１ｅ及び第１他素子部分１１ｆを含む。第１素子部分１１ｅは、第１導電部分２１ｅに対応する。第１他素子部分１１ｆは、第１他導電部分２１ｆに対応する。第１素子部分１１ｅから第１他素子部分１１ｆへの向きは、第１向きである。

第２磁気素子１２は、第２素子部分１２ｅ及び第２他素子部分１２ｆを含む。第２素子部分１２ｅは、第２導電部分２２ｅに対応する。第２他素子部分１２ｆは、第２他導電部分２２ｆに対応する。第２素子部分１２ｅから第２他素子部分１２ｆへの向きは、第２向きである。

素子電流回路７２から供給される検出電流ｉｄは、第１磁気素子１１を第１向きに流れ、第２磁気素子１２を第２向きに流れる。第１回路７１Ａから供給される第１電流ｉ１が第１導電部材２１を第１向きに流れているときに、第１電流ｉ１は第２導電部材２２を第２向きの逆向きに流れる。

図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図８に示すように、実施形態に係るセンサ１１３において、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ、第２素子１０Ｂ、第１抵抗３１及び第２抵抗３２を含む。第１素子１０Ａは、第１磁気素子１１と第１導電部材２１とを含む。第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。図８においては、図を見やすくするために、第１磁気素子１１が、Ｘ軸方向において、第１導電部材２１からシフトされて描かれている。図８においては、図を見やすくするために、第２磁気素子１２が、Ｘ軸方向において、第２導電部材２２からシフトされて描かれている。

第１磁気素子１１は、第１素子部分１１ｅ及び第１他素子部分１１ｆを含む。第１素子部分１１ｅは、第１導電部分２１ｅに対応する。第１他素子部分１１ｆは第１他導電部分２１ｆに対応する。第１素子部分１１ｅから第１他素子部分１１ｆへの向きは、第１向きである。

第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。第２導電部材２２は、第２導電部分２２ｅと第２他導電部分２２ｆとを含む。第２他導電部分２２ｆから第２導電部分２２ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

第１抵抗３１は、第１抵抗部分３１ｅと第１他抵抗部分３１ｆとを含む。第１他抵抗部分３１ｆから第１抵抗部分３１ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第２抵抗３２は、第２抵抗部分３２ｅと第２他抵抗部分３２ｆとを含む。第２他抵抗部分３２ｆから第２抵抗部分３２ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

第２磁気素子１２は、第２素子部分１２ｅ及び第２他素子部分１２ｆを含む。第２素子部分１２ｅは、第２導電部分２２ｅに対応する。第２他素子部分１２ｆは、第２他導電部分２２ｆに対応する。第２素子部分１２ｅから第２他素子部分１２ｆへの向きは、第２向きである。

第１素子部分１１ｅは素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他素子部分１１ｆは、第２抵抗部分３２ｅと電気的に接続される。第２他抵抗部分３２ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。

第１抵抗部分３１ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他抵抗部分３１ｆは、第２素子部分１２ｅと電気的に接続される。第２他素子部分１２ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。

検出電流ｉｄは、第１磁気素子１１を第１向きに流れ、第２磁気素子１２を第２向きに流れる。

図８に示すように、この例では、第１導電部分２１ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１他導電部分２１ｆは、第２導電部分２２ｅと電気的に接続される。第２他導電部分２２ｆは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１回路７１Ａは、第１導電部材２１及び第２導電部材２２に第１電流ｉ１を供給可能である。

第１電流ｉ１が第１導電部材２１を第１向きに流れているときに、第１電流ｉ１は第２導電部材２２を第２向きに流れる。

検出回路７３は、第１接続点ＣＰ１と第２接続点ＣＰ２との間の電位差を検出可能である。第１接続点ＣＰ１は、第１他素子部分１１ｆと第２抵抗部分３２ｅとの間の接続点である。第２接続点ＣＰ２は、第１他抵抗部分３１ｆと第２素子部分１２ｅとの間の接続点である。

検出回路７３は、差動アンプ７４と処理回路７５とを含んで良い。差動アンプ７４は、第１接続点ＣＰ１と第２接続点ＣＰ２との間の電位差を検出する。処理回路７５は、差動アンプ７４からの出力信号を処理する。処理回路７５は、例えば、ロックインアンプ、バンドパスフィルタ回路、及び、ＦＦＴ（Fast Fourier Transform）回路の少なくともいずれかを含んで良い。処理回路７５は、例えば、差動アンプ７４の第１周波数成分を抽出する。第１周波数は、例えば、第１電流ｉ１の交流成分ｉａ１の周波数である。第１周波数は、例えば、第１磁界Ｈａの交流磁界成分Ｈａ１の周波数である。第１周波数は、例えば、第１電流ｉ１の交流成分ｉａ１の高調波成分を含んで良い。第１周波数は、例えば、第１磁界Ｈａの交流磁界成分Ｈａ１の高調波成分を含んで良い。

このように、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａを含むブリッジ回路１０Ｖ（図８参照）を含んでも良い。素子電流回路７２は、ブリッジ回路１０Ｖに検出電流ｉｄを供給可能である。検出回路７３は、ブリッジ回路１０Ｖの第１中点（例えば第１接続点ＣＰ１）の電位と、ブリッジ回路１０Ｖの第２中点（例えば第２接続点ＣＰ２）の電位と、の差に対応する値を検出可能である。

図９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図９に示すように、実施形態に係るセンサ１１４において、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ、第１抵抗３１、第２抵抗３２及び第３抵抗３３を含む。第３抵抗３３は、第３抵抗部分３３ｅ及び第３他抵抗部分３３ｆを含む。第３他抵抗部分３３ｆから第３抵抗部分３３ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

この例では、第１素子部分１１ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他素子部分１１ｆは、第２抵抗部分３２ｅと電気的に接続される。第２他抵抗部分３２ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１抵抗部分３１ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他抵抗部分３１ｆは、第３抵抗部分３３ｅと電気的に接続される。第３他抵抗部分３３ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１接続点ＣＰ１は、第１他素子部分１１ｆと第２抵抗部分３２ｅとの間の接続点である。第２接続点ＣＰ２は、第１他抵抗部分３１ｆと第３抵抗部分３３ｅとの間の接続点である。

図１０、図１１（ａ）～図１１（ｃ）、及び、図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１０に示すように、実施形態に係るセンサ１１５において、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ、第２素子１０Ｂ、第３素子１０Ｃ及び第４素子１０Ｄを含む。第１素子１０Ａは、第１磁気素子１１と第１導電部材２１とを含む。第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。第３素子１０Ｃは、第３磁気素子１３と第３導電部材２３とを含む。第４素子１０Ｄは、第４磁気素子１４と第４導電部材２４とを含む。

図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すように、第３磁気素子１３は、第３磁性層１３ａ及び第３対向磁性層１３ｂを含む。この例では、第３磁気素子１３は、第３非磁性層１３ｎを含む。第３非磁性層１３ｎは、第３磁性層１３ａと第３対向磁性層１３ｂとの間に設けられる。

第３磁気素子１３において、第３磁性層１３ａは、例えば、参照層及び磁化自由層の一方で良い。第３対向磁性層１３ｂは、例えば、参照層及び磁化自由層の他方で良い。第３磁気素子１３の電気抵抗の変化は、例えば、第３磁気素子１３に加わる磁界に応じて、第３磁性層１３ａの磁化１３ａＭ、と、第３対向磁性層１３ｂの磁化１３ｂＭとの間の角度が変化することに基づく。

図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すように、第４磁気素子１４は、第４磁性層１４ａ及び第４対向磁性層１４ｂを含む。この例では、第４磁気素子１４は、第４非磁性層１４ｎを含む。第４非磁性層１４ｎは、第４磁性層１４ａと第４対向磁性層１４ｂとの間に設けられる。

第４磁気素子１４において、第４磁性層１４ａは、例えば、参照層及び磁化自由層の一方で良い。第４対向磁性層１４ｂは、例えば、参照層及び磁化自由層の他方で良い。第４磁気素子１４の電気抵抗の変化は、例えば、第４磁気素子１４に加わる磁界に応じて、第４磁性層１４ａの磁化１４ａＭ、と、第４対向磁性層１４ｂの磁化１４ｂＭとの間の角度が変化することに基づく。

図１１（ａ）に示すように、第３導電部材２３は、第３導電部分２３ｅと第３他導電部分２３ｆとを含む。第３他導電部分２３ｆから第３導電部分２３ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

図１２（ａ）に示すように、第４導電部材２４は、第４導電部分２４ｅと第４他導電部分２４ｆとを含む。第４他導電部分２４ｆから第４導電部分２４ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

図１０に示すように、第１磁気素子１１は、第１素子部分１１ｅ及び第１他素子部分１１ｆを含む。第１素子部分１１ｅは、第１導電部分２１ｅに対応する。第１他素子部分１１ｆは、第１他導電部分２１ｆに対応する。第１素子部分１１ｅから第１他素子部分１１ｆへの向きは、第１向きである。

図１０に示すように、第２磁気素子１２は、第２素子部分１２ｅ及び第２他素子部分１２ｆを含む。第２素子部分１２ｅは、第２導電部分２２ｅに対応する。第２他素子部分１２ｆは、第２他導電部分２２ｆに対応する。第２素子部分１２ｅから第２他素子部分１２ｆへの向きは、第２向きである。

図１０に示すように、第３磁気素子１３は、第３素子部分１３ｅ及び第３他素子部分１３ｆを含む。第３素子部分１３ｅは、第３導電部分２３ｅに対応する。第３他素子部分１３ｆは、第３他導電部分２３ｆに対応する。第３素子部分１３ｅから第３他素子部分１３ｆへの向きは、第３向きである。

図１０に示すように、第４磁気素子１４は、第４素子部分１４ｅ及び第４他素子部分１４ｆを含む。第４素子部分１４ｅは、第４導電部分２４ｅに対応する。第４他素子部分１４ｆは、第４他導電部分２４ｆに対応する。第４素子部分１４ｅから第４他素子部分１４ｆへの向きは、第４向きである。

第１素子部分１１ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第１他素子部分１１ｆは、第２素子部分１２ｅと電気的に接続される。第２他素子部分１２ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。

第３素子部分１３ｅは、素子電流回路７２と電気的に接続される。第３他素子部分１３ｆは、第４素子部分１４ｅと電気的に接続される。第４他素子部分１４ｆは、素子電流回路７２と電気的に接続される。

検出電流ｉｄは、第１磁気素子１１を第１向きに流れ、第２磁気素子１２を第２向きに流れ、第３磁気素子１３を第３向きに流れ、第４磁気素子１４を第４向きに流れる。

この例では、第１導電部分２１ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１他導電部分２１ｆは、第４導電部分２４ｅと電気的に接続される。第４他導電部分２４ｆは、第３他導電部分２３ｆと電気的に接続される。第３導電部分２３ｅは、第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。第２導電部分２２ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。

第１回路７１Ａから供給される第１電流ｉ１が第１導電部材２１を第１向きに流れているときに、第１電流ｉ１は第２導電部材２２を第２向きの逆向きに流れ、第１電流ｉ１は第３導電部材２３を第３向きの逆向きに流れ、第１電流ｉ１は第４導電部材２４を第４向ききに流れる。

第１接続点ＣＰ１は、第１他素子部分１１ｆと第２素子部分１２ｅとの間の接続点である。第２接続点ＣＰ２は、第３他素子部分１３ｆと第４素子部分１４ｅとの間の接続点である。

図１３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１３に示すように、実施形態に係るセンサ１１６において、素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ、第２素子１０Ｂ、第３素子１０Ｃ及び第４素子１０Ｄを含む。センサ１１６においては、複数の導電部材の接続関係が、センサ１１５における複数の導電部材の接続関係と異なる。センサ１１６において、複数の磁気素子の接続関係が、センサ１１５における複数の磁気素子の接続関係と同じで良い。

センサ１１６において、第１導電部分２１ｅ及び第３導電部分２３ｅは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。第１他導電部分２１ｆは、第２導電部分２２ｅと電気的に接続される。第３他導電部分２３ｆは、第４導電部分２４ｅと電気的に接続される。第２他導電部分２２ｆ及び第４他導電部分２４ｆは、第１回路７１Ａと電気的に接続される。

センサ１１６において、第１磁気素子１１の参照層における磁化の向きは、第４磁気素子１４の参照層における磁化の向きと同じである。第２磁気素子１２の参照層における磁化の向きは、第３磁気素子１３の参照層における磁化の向きと同じである。第１磁気素子１１の参照層における磁化の向き及び第４磁気素子１４の参照層における磁化の向きは、第２磁気素子１２の参照層における磁化の向き及び第３磁気素子１３の参照層における磁化の向きと逆である。センサ１１６の構成においても、ノイズの影響が抑制され、特性の向上が可能なセンサが提供できる。

実施形態において、第２導電部材２２、第３導電部材２３及び第４導電部材２４のそれぞれに交流成分を含む電流を供給する回路が設けられて良い。それぞれの回路において、直流成分が独立して可変でも良い。

図１４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１４に示すように、実施形態に係るセンサ１２２において、制御部７０は、第２回路７１Ｂさらに含む。これを除くセンサ１２２の構成は、センサ１１２の構成と同様で良い。

例えば、素子部１０Ｕは、第２素子１０Ｂをさらに含む。第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。既に説明したように、第２磁気素子１２は、第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂを含む。第２導電部材２２は、第２導電部分２２ｅと第２他導電部分２２ｆとを含む。第２他導電部分２２ｆから第２導電部分２２ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

第２回路７１Ｂは、第２導電部分２２ｅ及び第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。第２回路７１Ｂは、第２導電部材２２に第２電流ｉ２を供給可能である。第２電流ｉ２は、交流成分を含む。第２電流ｉ２の極大値は第１極性である。第２電流ｉ２の極小値は第１極性または０である。制御部７０は、第２電流ｉ２の直流成分を第１電流ｉ１の直流成分ｉｄ１と独立して制御可能で良い。例えば、第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとの間の特性の差を補正できる。

図１５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１５に示すように、実施形態に係るセンサ１２３において、制御部７０は、第２回路７１Ｂさらに含む。これを除くセンサ１２３の構成は、センサ１１３の構成と同様で良い。センサ１２３においても、制御部７０は、第２電流ｉ２の直流成分を第１電流ｉ１の直流成分ｉｄ１と独立して制御可能で良い。

図１６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１６に示すように、実施形態に係るセンサ１２５において、制御部７０は、第１回路７１Ａ、第２回路７１Ｂ、第３回路７１Ｃ及び第４回路７１Ｄを含む。これを除くセンサ１２５の構成は、センサ１１５の構成と同様で良い。

既に説明したように、第２素子１０Ｂは、第２磁気素子１２と第２導電部材２２とを含む。第２磁気素子１２は、第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂを含む。第２導電部材２２は、第２導電部分２２ｅと第２他導電部分２２ｆとを含む。第２他導電部分２２ｆから第２導電部分２２ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

既に説明したように、第３素子１０Ｃは、第３磁気素子１３と第３導電部材２３とを含む。第３磁気素子１３は、第３磁性層１３ａ及び第３対向磁性層１３ｂを含む。第３導電部材２３は、第３導電部分２３ｅと第３他導電部分２３ｆとを含む。第３他導電部分２３ｆから第３導電部分２３ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

既に説明したように、第４素子１０Ｄは、第４磁気素子１４と第４導電部材２４とを含む。第４磁気素子１４は、第４磁性層１４ａ及び第４対向磁性層１４ｂを含む。第４導電部材２４は、第４導電部分２４ｅと第４他導電部分２４ｆとを含む。第４他導電部分２４ｆから第４導電部分２４ｅへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。

第２回路７１Ｂは、第２導電部分２２ｅ及び第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。第２回路７１Ｂは、第２導電部材２２に第２電流ｉ２を供給可能である。第２電流ｉ２は、交流成分を含む。第２電流ｉ２の極大値は第１極性である。第２電流ｉ２の極小値は第１極性または０である。

第３回路７１Ｃは、第３導電部分２３ｅ及び第３他導電部分２３ｆと電気的に接続される。第３回路７１Ｃは、第３導電部材２３に第３電流ｉ３を供給可能である。第３電流ｉ３は、交流成分を含む。第３電流ｉ３の極大値は第１極性である。第３電流ｉ３の極小値は第１極性または０である。

第４回路７１Ｄは、第４導電部分２４ｅ及び第４他導電部分２４ｆと電気的に接続される。第４回路７１Ｄは、第４導電部材２４に第４電流ｉ４を供給可能である。第４電流ｉ４は、交流成分を含む。第４電流ｉ４の極大値は第１極性である。第４電流ｉ４の極小値は第１極性または０である。

制御部７０は、第２電流ｉ２の直流成分、第３電流ｉ３の直流成分、及び、第４電流ｉ４の直流成分の少なくともいずれかを第１電流ｉ１の直流成分ｉｄ１と独立して制御可能で良い。

センサ１２２において、第２電流ｉ２の交流成分の位相は、第１電流ｉ１の交流成分の位相と逆である。センサ１２３において、第２電流ｉ２の交流成分の位相は、第１電流ｉ１の交流成分の位相と同じである。

センサ１２５において、第２電流ｉ２の交流成分の位相は、第１電流ｉ１の交流成分の位相と逆である。センサ１２５において、第３電流ｉ３の交流成分の位相は、第１電流ｉ１の交流成分の位相と逆である。センサ１２５において、第４電流ｉ４の交流成分の位相は、第１電流ｉ１の交流成分の位相と同じである。

（第２実施形態）
第２実施形態は、検査装置に係る。後述するように、検査装置は、診断装置を含んでも良い。

図１７は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的斜視図である。
図１７に示すように、第２実施形態に係る検査装置７１０は、センサ１５０ａ（磁気センサ）と、処理部７７０と、を含む。センサ１５０ａは、第１実施形態に係るセンサ及びその変形で良い。処理部７７０は、センサ１５０ａから得られる出力信号を処理する。処理部７７０において、センサ１５０ａから得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。

例えば、検査装置７１０により、検査対象６８０が検査される。検査対象６８０は、例えば、電子装置（半導体回路などを含む）である。検査対象６８０は、例えば、電池６１０などでも良い。

例えば、実施形態に係るセンサ１５０ａは、電池６１０とともに用いられても良い。例えば、電池システム６００は、電池６１０及びセンサ１５０ａを含む。センサ１５０ａは、電池６１０に流れる電流により生じる磁界を検出できる。

図１８は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的平面図である。
図１８に示すように、センサ１５０ａは、例えば、実施形態に係る複数のセンサを含む。この例では、センサ１５０ａは、複数のセンサ（センサ１１０などの素子部１０Ｕなど）を含む。複数のセンサは、例えば、２つの方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に沿って並ぶ。複数のセンサ１１０は、例えば、基板の上に設けられる。

センサ１５０ａは、検査対象６８０（例えば電池６１０でも良い）に流れる電流により生じる磁界を検出できる。例えば、電池６１０が異常な状態に近づくと、電池６１０に異常な電流が流れる場合がある。センサ１５０ａにより異常な電流を検出することで、電池６１０の状態の変化を知ることができる。例えば、電池６１０に近づけてセンサ１５０ａが置かれた状態で、２つの方向のセンサ群駆動手段を用いて、電池６１０の全体を短時間で検査できる。センサ１５０ａは、電池６１０の製造における、電池６１０の検査に用いられても良い。

実施形態に係るセンサは、例えば、診断装置などの検査装置７１０に応用できる。
図１９は、実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。
図１９に示すように、検査装置７１０の例である診断装置５００は、センサ１５０を含む。センサ１５０は、第１実施形態に関して説明したセンサ、及び、それらの変形を含む。

診断装置５００において、センサ１５０は、例えば、脳磁計である。脳磁計は、脳神経が発する磁界を検出する。センサ１５０が脳磁計に用いられる場合、センサ１５０に含まれる磁気素子のサイズは、例えば、１ｍｍ以上１０ｍｍ未満である。このサイズは、例えば、ＭＦＣを含めた長さである。

図１９に示すように、センサ１５０（脳磁計）は、例えば、人体の頭部に装着される。センサ１５０（脳磁計）は、センサ部３０１を含む。センサ１５０（脳磁計）は、複数のセンサ部３０１を含んでも良い。複数のセンサ部３０１の数は、例えば、約１００個（例えば５０個以上１５０個以下）である。複数のセンサ部３０１は、柔軟性を有する基体３０２に設けられる。

センサ１５０は、例えば、差動検出などの回路を含んでも良い。センサ１５０は、センサとは別のセンサ（例えば、電位端子または加速度センサなど）を含んでも良い。

センサ１５０のサイズは、従来のＳＱＵＩＤセンサのサイズに比べて小さい。このため、複数のセンサ部３０１の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他の回路と、の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他のセンサと、の共存が容易である。

基体３０２は、例えばシリコーン樹脂などの弾性体を含んでも良い。基体３０２に、例えば、複数のセンサ部３０１が繋がって設けられる。基体３０２は、例えば、頭部に密着できる。

センサ部３０１の入出力コード３０３は、診断装置５００のセンサ駆動部５０６及び信号入出力部５０４と接続される。センサ駆動部５０６からの電力と、信号入出力部５０４からの制御信号と、に基づいて、センサ部３０１において、磁界測定が行われる。その結果は、信号入出力部５０４に入力される。信号入出力部５０４で得た信号は、信号処理部５０８に供給される。信号処理部５０８において、例えば、ノイズの除去、フィルタリング、増幅、及び、信号演算などの処理が行われる。信号処理部５０８で処理された信号が、信号解析部５１０に供給される。信号解析部５１０は、例えば、脳磁計測のための特定の信号を抽出する。信号解析部５１０において、例えば、信号位相を整合させる信号解析が行われる。

信号解析部５１０の出力（信号解析が終了したデータ）が、データ処理部５１２に供給される。データ処理部５１２では、データ解析が行われる。このデータ解析において、例えば、ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging)などの画像データが取り入られることが可能である。このデータ解析においては、例えば、ＥＥＧ（Electroencephalogram)などの頭皮電位情報などが取り入れられることが可能である。データ解析により、例えば、神経発火点解析、または、逆問題解析などが行われる。

データ解析の結果は、例えば、画像化診断部５１６に供給される。画像化診断部５１６において、画像化が行われる。画像化により、診断が支援される。

上記の一連の動作は、例えば、制御機構５０２によって制御される。例えば、一次信号データ、または、データ処理途中のメタデータなどの必要なデータは、データサーバに保存される。データサーバと制御機構とは、一体化されても良い。

実施形態に係る診断装置５００は、センサ１５０と、センサ１５０から得られる出力信号を処理する処理部と、を含む。この処理部は、例えば、信号処理部５０８及びデータ処理部５１２の少なくともいずれかを含む。処理部は、例えば、コンピュータなどを含む。

図１９に示すセンサ１５０では、センサ部３０１は、人体の頭部に設置されている。センサ部３０１は、人体の胸部に設置されても良い。これにより、心磁測定が可能となる。例えば、センサ部３０１を妊婦の腹部に設置しても良い。これにより、胎児の心拍検査を行うことができる。

被験者を含めたセンサ装置は、シールドルーム内に設置されるのが好ましい。これにより、例えば、地磁気または磁気ノイズの影響が抑制できる。

例えば、人体の測定部位、または、センサ部３０１を局所的にシールドする機構を設けても良い。例えば、センサ部３０１にシールド機構を設けても良い。例えば、信号解析またはデータ処理において、実効的なシールドを行っても良い。

実施形態において、基体３０２は、柔軟性を有しても良く、柔軟性を実質的に有しなくても良い。図１９に示す例では、基体３０２は、連続した膜を帽子状に加工したものである。基体３０２は、ネット状でも良い。これにより、例えば、良好な装着性が得られる。例えば、基体３０２の人体への密着性が向上する。基体３０２は、ヘルメット状で、硬質でも良い。

図２０は、実施形態に係る検査装置を示す模式図である。
図２０に示す例では、平板状の硬質の基体３０５上にセンサ部３０１が設けられる。

図２０に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の入出力は、図１９に関して説明した入出力と同様である。図２０に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の処理は、図１９に関して説明した処理と同様である。

生体から発生する磁界などの微弱な磁界を計測する装置として、SQUID (Superconducting Quantum Interference Device：超伝導量子干渉素子)センサを用いる参考例がある。この参考例においては、超伝導を用いるため、装置が大きく、消費電力も大きい。測定対象(患者)の負担が大きい。

実施形態によれば、装置が小型にできる。消費電力を抑制できる。測定対象(患者)の負担が軽減できる。実施形態によれば、磁界検出のＳＮ比を向上できる。感度を向上できる。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１磁気素子と第１導電部材とを含む第１素子を含む素子部であって、
前記第１磁気素子は、第１磁性層及び第１対向磁性層を含み、
前記第１導電部材は、第１導電部分と第１他導電部分とを含み、前記第１他導電部分から前記第１導電部分への第２方向は、前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への第１方向と交差し、
前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う第３方向磁界の変化に対する前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化率は、前記第２方向に沿う第２方向磁界の変化に対する前記第１電気抵抗の変化率よりも高い、
前記素子部と、
第１回路を含む制御部であって、前記第１回路は、前記第１導電部分及び前記第１他導電部分と電気的に接続され、前記第１導電部材に第１電流を供給可能であり、前記第１電流は、交流成分を含み、前記第１電流の極大値は第１極性であり、前記第１電流の極小値は前記第１極性または０である、前記制御部と、
を備えたセンサ。

（構成２）
検出対象磁界は、前記第３方向に沿う成分を含む、構成１に記載のセンサ。

（構成３）
第１磁気素子と第１導電部材とを含む第１素子を含む素子部であって、
前記第１磁気素子は、第１磁性層及び第１対向磁性層を含み、
前記第１導電部材は、第１導電部分と第１他導電部分とを含み、前記第１他導電部分から前記第１導電部分への第２方向は、前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への第１方向と交差し、
前記素子部と、
第１回路を含む制御部であって、前記第１回路は、前記第１導電部分及び前記第１他導電部分と電気的に接続され、前記第１導電部材に第１電流を供給可能であり、前記第１電流は、交流成分を含み、前記第１電流の極大値は第１極性であり、前記第１電流の極小値は前記第１極性または０である、前記制御部と、
を備え、
前記第１磁気素子の第１電気抵抗は、検出対象磁界に応じて変化し、
検出対象磁界は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う成分を含む、センサ。

（構成４）
前記第２方向における前記第１磁気素子の長さは、前記第３方向における前記第１磁気素子の長さよりも長い、構成１～３のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成５）
前記第１電流により前記第１導電部材から第１磁界は、第１値磁界、第２値磁界、第３値磁界及び第４値磁界を含み、
前記第１値磁界は、０と前記第４値磁界との間であり、
前記第２値磁界は、前記第１値磁界と前記第４値磁界との間であり、
前記第３値磁界は、前記第２値磁界と前記第４値磁界との間であり、
前記第１値磁界と前記第２値磁界との差は、前記第３値磁界と前記第４値磁界との間の差と同じであり、
前記第１値磁界と前記第２値磁界との間の変化に対する前記第１電気抵抗の第１変化率は、前記第３値磁界と前記第４値磁界との間の変化に対応する前記第１電気抵抗の第２変化率よりも低い、構成１～４のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成６）
前記第１電流により生じる磁界は、前記第３値磁界及び前記第４値磁界を含む、構成５に記載のセンサ。

（構成７）
前記第１電気抵抗は、前記第１磁気素子に印加される磁界に対して偶関数で変化する、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成８）
前記制御部は、素子電流回路を含み、
前記素子電流回路は、前記第１磁気素子に検出電流を供給可能である、構成１～７のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成９）
前記制御部は、検出回路を含み、
前記検出回路は、前記第１電気抵抗の変化に対応する値を検出可能である、構成８に記載のセンサ。

（構成１０）
前記素子部は、前記第１素子を含むブリッジ回路を含み、
前記検出回路は、前記ブリッジ回路の第１中点の電位と、前記ブリッジ回路の第２中点の電位と、の差に対応する値を検出可能である、構成９に記載のセンサ。

（構成１１）
前記素子部は、第２素子をさらに含み、
前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１導電部分は、前記第１回路と電気的に接続され、
前記第１他導電部分は、前記第２他導電部分と電気的に接続され、
前記第２導電部分は、前記第１回路と電気的に接続され、
前記第１回路は、前記第２導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
前記第１磁気素子は、第１素子部分及び第１他素子部分を含み、前記第１素子部分は、前記第１導電部分に対応し、前記第１他素子部分は前記第１他導電部分に対応し、前記第１素子部分から前記第１他素子部分への向きは、第１向きであり、
前記第２磁気素子は、第２素子部分及び第２他素子部分を含み、前記第２素子部分は、前記第２導電部分に対応し、前記第２他素子部分は前記第２他導電部分に対応し、前記第２素子部分から前記第２他素子部分への向きは、第２向きであり、
前記検出電流は、前記第１磁気素子を前記第１向きに流れ、前記第２磁気素子を前記第２向きに流れ、
前記第１電流が前記第１導電部材を前記第１向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材を前記第２向きの逆向きに流れる、構成１０に記載のセンサ。

（構成１２）
前記素子部は、
第２素子と、
第１抵抗と、
第２抵抗と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子は、第１素子部分及び第１他素子部分を含み、前記第１素子部分は、前記第１導電部分に対応し、前記第１他素子部分は前記第１他導電部分に対応し、前記第１素子部分から前記第１他素子部分への向きは、第１向きであり、
前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１抵抗は、第１抵抗部分と第１他抵抗部分とを含み、前記第１他抵抗部分から前記第１抵抗部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２抵抗は、第２抵抗部分と第２他抵抗部分とを含み、前記第２他抵抗部分から前記第２抵抗部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２磁気素子は、第２素子部分及び第２他素子部分を含み、前記第２素子部分は、前記第２導電部分に対応し、前記第２他素子部分は前記第２他導電部分に対応し、前記第２素子部分から前記第２他素子部分への向きは、第２向きであり、
前記第１素子部分は前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第１他素子部分は、前記第２抵抗部分と電気的に接続され、
前記第２他抵抗部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第１抵抗部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第１他抵抗部分は、前記第２素子部分と電気的に接続され、
前記第２他素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記検出電流は、前記第１磁気素子を前記第１向きに流れ、前記第２磁気素子を前記第２向きに流れ、
前記第１電流が前記第１導電部材を前記第１向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材を前記第２向きに流れる、構成１０に記載のセンサ。

（構成１３）
前記素子部は、
第２素子と、
第３素子と、
第４素子と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子は、第１素子部分及び第１他素子部分を含み、前記第１素子部分は、前記第１導電部分に対応し、前記第１他素子部分は前記第１他導電部分に対応し、前記第１素子部分から前記第１他素子部分への向きは、第１向きであり、
前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２磁気素子は、第２素子部分及び第２他素子部分を含み、前記第２素子部分は、前記第２導電部分に対応し、前記第２他素子部分は前記第２他導電部分に対応し、前記第２素子部分から前記第２他素子部分への向きは、第２向きであり、
前記第３素子は、第３磁気素子と第３導電部材とを含み、
前記第３磁気素子は、第３磁性層及び第３対向磁性層を含み、
前記第３導電部材は、第３導電部分と第３他導電部分とを含み、前記第３他導電部分から前記第３導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第３磁気素子は、第３素子部分及び第３他素子部分を含み、前記第３素子部分は、前記第３導電部分に対応し、前記第３他素子部分は前記第３他導電部分に対応し、前記第３素子部分から前記第３他素子部分への向きは、第３向きであり、
前記第４素子は、第４磁気素子と第４導電部材とを含み、
前記第４磁気素子は、第４磁性層及び第４対向磁性層を含み、
前記第４導電部材は、第４導電部分と第４他導電部分とを含み、前記第４他導電部分から前記第４導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第４磁気素子は、第４素子部分及び第４他素子部分を含み、前記第４素子部分は、前記第４導電部分に対応し、前記第４他素子部分は前記第４他導電部分に対応し、前記第４素子部分から前記第４他素子部分への向きは、第４向きであり、
前記第１素子部分は前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第１他素子部分は、前記第２素子部分と電気的に接続され、
前記第２他素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第３素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記第３他素子部分は、前記第４素子部分と電気的に接続され、
前記第４他素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
前記検出電流は、前記第１磁気素子を前記第１向きに流れ、前記第２磁気素子を前記第２向きに流れ、前記第３磁気素子を前記第３向きに流れ、前記第４磁気素子を前記第４向きに流れ、
前記第１電流が前記第１導電部材を前記第１向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材を前記第２向きの逆向きに流れ、前記第１電流は前記第３導電部材を前記第３向きの逆向きに流れ、前記第１電流は前記第４導電部材を前記第４向きに流れる、構成１０に記載のセンサ。

（構成１４）
前記素子部は、第２素子をさらに含み、
前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記制御部は、第２回路をさらに含み、
前記第２回路は、前記第２導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続され、前記第２導電部材に第２電流を供給可能であり、前記第２電流は、交流成分を含み、前記第２電流の極大値は前記第１極性であり、前記第２電流の極小値は前記第１極性または０であり、
前記制御部は、前記第２電流の直流成分を前記第１電流の直流成分と独立して制御可能である、構成１０に記載のセンサ。

（構成１５）
前記素子部は、
第２素子と、
第３素子と、
第４素子と、
をさらに含み、
前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第３素子は、第３磁気素子と第３導電部材とを含み、
前記第３磁気素子は、第３磁性層及び第３対向磁性層を含み、
前記第３導電部材は、第３導電部分と第３他導電部分とを含み、前記第３他導電部分から前記第３導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第４素子は、第４磁気素子と第４導電部材とを含み、
前記第４磁気素子は、第４磁性層及び第４対向磁性層を含み、
前記第４導電部材は、第４導電部分と第４他導電部分とを含み、前記第４他導電部分から前記第４導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記制御部は、第２回路、第３回路及び第４回路をさらに含み、
前記第２回路は、前記第２導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続され、前記第２導電部材に第２電流を供給可能であり、前記第２電流は、交流成分を含み、前記第２電流の極大値は前記第１極性であり、前記第２電流の極小値は前記第１極性または０であり、
前記第３回路は、前記第３導電部分及び前記第３他導電部分と電気的に接続され、前記第３導電部材に第３電流を供給可能であり、前記第３電流は、交流成分を含み、前記第３電流の極大値は前記第１極性であり、前記第３電流の極小値は前記第１極性または０であり、
前記第４回路は、前記第４導電部分及び前記第４他導電部分と電気的に接続され、前記第４導電部材に第４電流を供給可能であり、前記第４電流は、交流成分を含み、前記第４電流の極大値は前記第１極性であり、前記第４電流の極小値は前記第１極性または０である、構成１０に記載のセンサ。

（構成１６）
前記制御部は、前記第２電流の直流成分、前記第３電流の直流成分、及び、前記第４電流の直流成分の少なくともいずれかを前記第１電流の直流成分と独立して制御可能である、構成１５に記載のセンサ。

（構成１７）
前記第１導電部材から前記第１磁気素子への方向は、前記第１方向に沿う、構成１～１６のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成１８）
構成１～１７のいずれか１つに記載のセンサと、
前記センサから得られる出力信号を処理する処理部と、
を備えた検査装置。

実施形態によれば、特性を向上できるセンサ及び検査装置が提供できる。

以上、例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの例に限定されるものではない。例えば、センサまたは検査装置に含まれる、磁性層、磁気素子、導電部材、制御部及び処理部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

各例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

本発明の実施の形態として上述したセンサ及び検査装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及び検査装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０Ａ～１０Ｄ…第１～第４素子、 １０Ｕ…素子部、 １０Ｖ…ブリッジ回路、 １１～１４…第１～第４磁気素子、 １１ａ～１４ａ…第１～第４磁性層、 １１ａＭ～１４ａＭ…磁化、 １１ｂ～１４ｂ…第１～第４対向磁性層、 １１ｂＭ～１４ｂＭ…磁化、 １１ｅ～１４ｅ…第１～第４素子部分、 １１ｆ～１４ｆ…第１～第４他素子部分、 １１ｎ～１４ｎ…第１～第４非磁性層、 ２１～２４…第１～第４導電部材、 ２１ｅ～２４ｅ…第１～第４導電部分、 ２１ｆ～２４ｆ…第１～第４他導電部分、 ２８…磁界発生部、 ３１～３３…第１～第３抵抗、 ３１ｅ～３３ｅ…第１～第３抵抗部分、 ３１ｆ～３３ｆ…第１～第３他抵抗部分、 ７０…制御部、 ７１Ａ～７１Ｄ…第１～第４回路、 ７１ａ…交流回路、 ７１ｂ…直流回路、 ７２…素子電流回路、 ７３…検出回路、 ７３ｏ…出力部、 ７４…差動アンプ、 ７５…処理回路、 ８１…第１絶縁部材、 １１０～１１６、１２２、１２３、１２５、１５０、１５０ａ…センサ、 ３０１…センサ部、 ３０２…基体、 ３０３…入出力コード、 ３０５…基体、 ５００…診断装置、 ５０２…制御機構、 ５０４…信号入出力部、 ５０６…センサ駆動部、 ５０８…信号処理部、 ５１０…信号解析部、 ５１２…データ処理部、 ５１６…画像化診断部、 ６００…電池システム、 ６１０…電池、 ６８０…検査対象、 ７１０…検査装置、 ７７０…処理部、 ＣＰ１、ＣＰ２…第１、第２接続点、 Ｄ１～Ｄ３…第１～第３方向、 Ｈ１、Ｈ２…磁界、 Ｈａ…第１磁界、 Ｈａ１…交流磁界成分、 Ｈａｓ…磁界強度、 Ｈｄ１…直流磁界成分、 Ｈｍｉｎ…極小値、 Ｈｐ１…振幅、 Ｈｔ…検出対象磁界、 Ｈｘ…磁界、 Ｌｃ１、Ｌｃ２、Ｌｅ１、Ｌｅ２…長さ、 Ｒ１…第１電気抵抗、 ｉ１、ｉ２…第１、第２電流、 ｉａ１…交流成分、 ｉｄ…検出電流、 ｉｄ１…直流成分、 ｉｐ１…振幅、 ｔｍ…時間

Claims (10)

1. 第１磁気素子と第１導電部材とを含む第１素子を含む素子部であって、
   前記第１磁気素子は、第１磁性層及び第１対向磁性層を含み、
   前記第１導電部材は、第１導電部分と第１他導電部分とを含み、前記第１他導電部分から前記第１導電部分への第２方向は、前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への第１方向と交差し、
   前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う第３方向磁界の変化に対する前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化率は、前記第２方向に沿う第２方向磁界の変化に対する前記第１電気抵抗の変化率よりも高い、
   前記素子部と、
   第１回路を含む制御部であって、前記第１回路は、前記第１導電部分及び前記第１他導電部分と電気的に接続され、前記第１導電部材に第１電流を供給可能であり、前記第１電流は、交流成分を含み、前記第１電流の極大値は第１極性であり、前記第１電流の極小値は前記第１極性または０である、前記制御部と、
   を備えたセンサ。
2. 検出対象磁界は、前記第３方向に沿う成分を含む、請求項１に記載のセンサ。
3. 第１磁気素子と第１導電部材とを含む第１素子を含む素子部であって、
   前記第１磁気素子は、第１磁性層及び第１対向磁性層を含み、
   前記第１導電部材は、第１導電部分と第１他導電部分とを含み、前記第１他導電部分から前記第１導電部分への第２方向は、前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への第１方向と交差し、
   前記素子部と、
   第１回路を含む制御部であって、前記第１回路は、前記第１導電部分及び前記第１他導電部分と電気的に接続され、前記第１導電部材に第１電流を供給可能であり、前記第１電流は、交流成分を含み、前記第１電流の極大値は第１極性であり、前記第１電流の極小値は前記第１極性または０である、前記制御部と、
   を備え、
   前記第１磁気素子の第１電気抵抗は、検出対象磁界に応じて変化し、
   検出対象磁界は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う成分を含む、センサ。
4. 前記第１電流により前記第１導電部材から第１磁界は、第１値磁界、第２値磁界、第３値磁界及び第４値磁界を含み、
   前記第１値磁界は、０と前記第４値磁界との間であり、
   前記第２値磁界は、前記第１値磁界と前記第４値磁界との間であり、
   前記第３値磁界は、前記第２値磁界と前記第４値磁界との間であり、
   前記第１値磁界と前記第２値磁界との差は、前記第３値磁界と前記第４値磁界との間の差と同じであり、
   前記第１値磁界と前記第２値磁界との間の変化に対する前記第１電気抵抗の第１変化率は、前記第３値磁界と前記第４値磁界との間の変化に対応する前記第１電気抵抗の第２変化率よりも低い、請求項１に記載のセンサ。
5. 前記制御部は、素子電流回路を含み、
   前記素子電流回路は、前記第１磁気素子に検出電流を供給可能である、請求項１に記載のセンサ。
6. 前記制御部は、検出回路を含み、
   前記検出回路は、前記第１電気抵抗の変化に対応する値を検出可能である、請求項５に記載のセンサ。
7. 前記素子部は、前記第１素子を含むブリッジ回路を含み、
   前記検出回路は、前記ブリッジ回路の第１中点の電位と、前記ブリッジ回路の第２中点の電位と、の差に対応する値を検出可能である、請求項６に記載のセンサ。
8. 前記素子部は、第２素子をさらに含み、
   前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
   前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
   前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
   前記第１導電部分は、前記第１回路と電気的に接続され、
   前記第１他導電部分は、前記第２他導電部分と電気的に接続され、
   前記第２導電部分は、前記第１回路と電気的に接続され、
   前記第１回路は、前記第２導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
   前記第１磁気素子は、第１素子部分及び第１他素子部分を含み、前記第１素子部分は、前記第１導電部分に対応し、前記第１他素子部分は前記第１他導電部分に対応し、前記第１素子部分から前記第１他素子部分への向きは、第１向きであり、
   前記第２磁気素子は、第２素子部分及び第２他素子部分を含み、前記第２素子部分は、前記第２導電部分に対応し、前記第２他素子部分は前記第２他導電部分に対応し、前記第２素子部分から前記第２他素子部分への向きは、第２向きであり、
   前記検出電流は、前記第１磁気素子を前記第１向きに流れ、前記第２磁気素子を前記第２向きに流れ、
   前記第１電流が前記第１導電部材を前記第１向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材を前記第２向きの逆向きに流れる、請求項７に記載のセンサ。
9. 前記素子部は、
   第２素子と、
   第３素子と、
   第４素子と、
   をさらに含み、
   前記第１磁気素子は、第１素子部分及び第１他素子部分を含み、前記第１素子部分は、前記第１導電部分に対応し、前記第１他素子部分は前記第１他導電部分に対応し、前記第１素子部分から前記第１他素子部分への向きは、第１向きであり、
   前記第２素子は、第２磁気素子と第２導電部材とを含み、
   前記第２磁気素子は、第２磁性層及び第２対向磁性層を含み、
   前記第２導電部材は、第２導電部分と第２他導電部分とを含み、前記第２他導電部分から前記第２導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
   前記第２磁気素子は、第２素子部分及び第２他素子部分を含み、前記第２素子部分は、前記第２導電部分に対応し、前記第２他素子部分は前記第２他導電部分に対応し、前記第２素子部分から前記第２他素子部分への向きは、第２向きであり、
   前記第３素子は、第３磁気素子と第３導電部材とを含み、
   前記第３磁気素子は、第３磁性層及び第３対向磁性層を含み、
   前記第３導電部材は、第３導電部分と第３他導電部分とを含み、前記第３他導電部分から前記第３導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
   前記第３磁気素子は、第３素子部分及び第３他素子部分を含み、前記第３素子部分は、前記第３導電部分に対応し、前記第３他素子部分は前記第３他導電部分に対応し、前記第３素子部分から前記第３他素子部分への向きは、第３向きであり、
   前記第４素子は、第４磁気素子と第４導電部材とを含み、
   前記第４磁気素子は、第４磁性層及び第４対向磁性層を含み、
   前記第４導電部材は、第４導電部分と第４他導電部分とを含み、前記第４他導電部分から前記第４導電部分への方向は、前記第２方向に沿い、
   前記第４磁気素子は、第４素子部分及び第４他素子部分を含み、前記第４素子部分は、前記第４導電部分に対応し、前記第４他素子部分は前記第４他導電部分に対応し、前記第４素子部分から前記第４他素子部分への向きは、第４向きであり、
   前記第１素子部分は前記素子電流回路と電気的に接続され、
   前記第１他素子部分は、前記第２素子部分と電気的に接続され、
   前記第２他素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
   前記第３素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
   前記第３他素子部分は、前記第４素子部分と電気的に接続され、
   前記第４他素子部分は、前記素子電流回路と電気的に接続され、
   前記検出電流は、前記第１磁気素子を前記第１向きに流れ、前記第２磁気素子を前記第２向きに流れ、前記第３磁気素子を前記第３向きに流れ、前記第４磁気素子を前記第４向きに流れ、
   前記第１電流が前記第１導電部材を前記第１向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材を前記第２向きの逆向きに流れ、前記第１電流は前記第３導電部材を前記第３向きの逆向きに流れ、前記第１電流は前記第４導電部材を前記第４向きに流れる、請求項７に記載のセンサ。
10. 請求項１～９のいずれか１つに記載のセンサと、
    前記センサから得られる出力信号を処理する処理部と、
    を備えた検査装置。

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