JP2024032935A - レーザ焼鈍のためのダイオード励起固体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ焼鈍のためのダイオード励起固体レーザ装置の提供。【解決手段】レーザ焼鈍装置は、複数の周波数3倍化される固体レーザを含み、複数の周波数3倍化される固体レーザの各々が340nm~360nmの波長である放射の出力ビームを送達する。各出力ビームは、1つの横軸において50を上回り、別の横軸において20を上回るビーム品質係数(M2)を有する。出力ビームは、焼鈍される基板上に投射されるラインビームに合成され、かつ形成される。各々の出力ビームは、ラインビームの長さに寄与する。【選択図】図12
Description
(関連出願の相互参照)
本願は、2019年1月22日に出願された米国仮特許出願第62/795,341号、および2019年9月24日に出願された米国仮特許出願第62/905,252号の優先権を主張し、これらの開示は、参照することによってそれらの全体として本明細書に援用される。
本願は、2019年1月22日に出願された米国仮特許出願第62/795,341号、および2019年9月24日に出願された米国仮特許出願第62/905,252号の優先権を主張し、これらの開示は、参照することによってそれらの全体として本明細書に援用される。
(本発明の技術分野)
本発明は、概して、ラインビームに投射される紫外線レーザ放射を使用したアモルファスシリコン層の焼鈍に関する。本発明は、特に、複数のレーザからのレーザ放射がラインビームに合成されて投射される焼鈍に関する。
本発明は、概して、ラインビームに投射される紫外線レーザ放射を使用したアモルファスシリコン層の焼鈍に関する。本発明は、特に、複数のレーザからのレーザ放射がラインビームに合成されて投射される焼鈍に関する。
レーザ焼鈍は、基板上の薄いアモルファスシリコン層(その上に薄膜トランジスタ(TFT)が画定されることになる)を融解し、その後、冷却シリコンの結晶化によって、大型の高分解能LCDディスプレイおよびOLEDディスプレイを生産するために使用される。焼鈍プロセスは、280ナノメートル(nm)~360nmの範囲内の波長において約1%未満の低RMSパルスエネルギー雑音を伴う安定したパルス紫外線レーザを要求する。紫外線レーザによって発生させられるレーザビームは、シリコン層を横断して走査されるラインビームに形成される。レーザビームは、スペックルのない均質なラインビームを形成するために、非常に低いビーム品質を有していなければならない。ビーム品質は、単位のないビーム品質係数M2によって測定される。非常に低いビーム品質は、M2の非常に高い値に対応する。
現在のところ、そのようなレーザビームは、高パワーエキシマレーザまたはそのようなエキシマレーザの合成によって提供される。例えば、308nmの波長を有するレーザ放射を発生させる塩化キセノン(XeCl)エキシマレーザ。エキシマレーザは、概して、超大気ガス排出レーザとして特徴付けられることができる。レーザビームは、長軸と短軸とによって特徴付けられる細長断面を有し、長軸は、ラインビームの長さに対応し、短軸は、ラインビームの幅寸法に対応する。ラインビームは、長さおよび幅寸法の両方に沿った一様または「フラットトップ」の強度分布を有する。
典型的に、焼鈍のために使用されるXeClエキシマレーザからのレーザビームのM2値は、短軸において約80、長軸において約500であり、短軸において約20ミリメートル(mm)、長軸において約45mmの
全幅ビーム寸法を有する。いくつかのそのようなエキシマレーザからのレーザビームは、約0.4mmの幅と約750mm~約1500mmの長さとを有するラインビームに合成され、投射される。ミリメートル長あたりの要求される紫外線パワーは、約600ヘルツ(Hz)のパルス繰り返し周波数および約25ナノ秒(ns)のパルス持続時間において、約2.5ワット(W)である。1500mmのラインビーム長にわたって、約3.6キロワット(kW)の紫外線パワーが要求され、これは、6つの個々の600Wのレーザの出力を合成することによって達成されることができ、個々の600Wのレーザの出力の各々が、1ジュール(J)のパルスエネルギーを提供する。
全幅ビーム寸法を有する。いくつかのそのようなエキシマレーザからのレーザビームは、約0.4mmの幅と約750mm~約1500mmの長さとを有するラインビームに合成され、投射される。ミリメートル長あたりの要求される紫外線パワーは、約600ヘルツ(Hz)のパルス繰り返し周波数および約25ナノ秒(ns)のパルス持続時間において、約2.5ワット(W)である。1500mmのラインビーム長にわたって、約3.6キロワット(kW)の紫外線パワーが要求され、これは、6つの個々の600Wのレーザの出力を合成することによって達成されることができ、個々の600Wのレーザの出力の各々が、1ジュール(J)のパルスエネルギーを提供する。
エキシマレーザの1つの欠点は、高い資本コストであり、これは、とりわけ、排出電極とこれらの電極に30キロボルト(kV)を上回るピーク電圧を有する電気パルスを送達することが可能である電力供給源とを含む複雑なガス管に関する要件に起因する。エキシマレーザの別の欠点は、高い運用コストであり、これは、1年未満の限定されたガス管寿命およびその寿命の間のガス管窓の頻繁な交換に起因する。
エキシマレーザ焼鈍装置より低い資本コストと低い運用コストとを有する紫外線レーザ焼鈍装置の必要性が存在する。好ましくは、レーザ焼鈍装置は、上記に議論されるエキシマレーザ焼鈍装置によって提供されるものに匹敵するパルスエネルギーおよびビームパラメータを提供することが可能である。
一側面では、本発明による基板上の層を焼鈍するための光学装置は、複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザを備える。各レーザは、電磁スペクトルの紫外線領域内の波長と、相互に直交する第1の横軸および第2の横軸によって特徴付けられる断面と、第1の横軸における約50を上回るビーム品質係数M2と、第2の横軸における約20を上回るビーム品質係数M2とを有する出力ビームを送達する。各出力ビームにおけるレーザパルスは、約100ミリジュールを上回るパルスエネルギーと、約100ヘルツを上回るパルス繰り返し周波数とを有する。光学装置はさらに、ラインプロジェクタを含み、ラインプロジェクタは、出力ビームを受光し、出力ビームをラインビームに形成し、ラインビームを層上に投射するように配列される。ラインビームは、層上に長さと幅とを有する。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
基板上の層を焼鈍するための光学装置であって、
複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザであって、前記複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザの各々が、電磁スペクトルの紫外線領域内の波長を有する出力ビームを送達し、各出力ビームは、相互に直交する第1の横軸および第2の横軸によって特徴付けられる断面を有し、前記第1の横軸におけるビーム品質係数M2が、約50を上回り、前記第2の横軸におけるビーム品質係数M2が、約20を上回り、レーザパルスが、約100ミリジュールを上回るパルスエネルギーを有し、パルス繰り返し周波数が、約100ヘルツを上回る、複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザと、
前記出力ビームを受光し、前記出力ビームをラインビームに形成し、前記ラインビームを前記層上に投射するように配列されるラインプロジェクタであって、前記ラインビームは、前記層上に長さと幅とを有する、ラインプロジェクタと
を備える、光学装置。
(項目2)
前記第1の横軸における前記ビーム品質係数M2は、約200を上回る、項目1に記載の装置。
(項目3)
各出力ビームは、前記ラインビームの全長に寄与する、項目1に記載の装置。
(項目4)
前記周波数変換される繰り返しパルス固体レーザの各々は、レーザ共振器を含み、前記レーザ共振器は、1つ以上のダイオードレーザアレイによって光学的に励起される利得要素を有し、前記1つ以上のダイオードレーザアレイは、前記第1の横軸における第1の寸法と前記第2の横軸における第2の寸法とを有する利得容積を前記利得要素内に提供するように配列されている、項目1に記載の装置。
(項目5)
前記第1の横軸の寸法は、前記第2の横軸の寸法の3倍以上である、項目4に記載の装置。
(項目6)
前記レーザ共振器は、前記第2の横軸においてのみ光パワーを有する第1の共振器ミラーと第2の共振器ミラーとの間に形成される、項目5に記載の装置。
(項目7)
前記レーザ共振器は、前記利得要素の特性である前記電磁スペクトルの近赤外線領域内の波長を有する基本放射ビームを生み出し、前記レーザ共振器は、番号順に第1の光学非線形結晶および第2の光学非線形結晶に前記基本放射ビームを送達し、前記第1の光学非線形結晶は、前記基本放射ビームから第2高調波放射ビームを発生させるように配列され、前記第2の光学非線形結晶は、前記第2高調波放射ビームの発生の後、前記第2高調波放射ビームを残留基本放射ビームと和周波数混合することによって前記出力ビームを発生させるように配列される、項目4に記載の装置。
(項目8)
前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第2高調波放射ビームのM2値は、前記基本放射ビームの対応するM2値を上回り、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記出力ビームのM2値は、前記第2高調波放射ビームの対応する値を上回る、項目7に記載の装置。
(項目9)
前記第1の横軸における前記第2高調波放射ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記基本放射ビームの前記M2値の少なくとも2倍である、項目8に記載の装置。
(項目10)
前記第1の横軸における前記出力ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記第2高調波放射の前記M2値の1.5倍を上回る、項目8に記載の装置。
(項目11)
前記第1の横軸における前記出力ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記残留基本放射の前記M2値の1.5倍を上回る、項目8に記載の装置。
(項目12)
前記出力ビームは、340ナノメートル~360ナノメートルの範囲内の波長を有する、項目7に記載の装置。
(項目13)
前記レーザパルスは、約10ナノ秒を上回る半値全幅パルス持続時間を有する、項目1に記載の装置。
(項目14)
前記出力ビームは、直線偏光させられる、項目1に記載の装置。
(項目15)
前記層は、シリコンから作製される、項目1に記載の装置。
(項目16)
固体レーザ装置であって、
2つの共振器ミラーの間に形成される共振器の中に位置する利得要素であって、前記利得要素は、スラブの形態であり、励起放射によってエネルギー付与され、エネルギー付与された共振器は、基本放射の繰り返しパルスビームを生み出し、前記基本放射のビームは、相互に直交する第1の横軸および第2の横軸を有し、前記第1の横軸におけるビーム品質係数M2は、50を上回り、前記第2の横軸におけるビーム品質係数M2は、10を上回る、利得要素と、
第1の非線形結晶であって、前記基本放射のビームは、前記第1の非線形結晶の中へ指向され、前記基本放射のビームの一部が、第2高調波発生によって第2高調波放射のビームに変換され、基本放射の残留ビームを残す、第1の非線形結晶と、
第2の非線形結晶であって、前記第2高調波放射のビームおよび前記基本放射の残留ビームは両方とも、前記第2の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射のビームを発生させ、残留基本放射および残留第2高調波放射の共に伝搬するビームを残し、前記第3高調波放射のビームは、前記第1の横軸における50を上回るビーム品質係数M2と、前記第2の横軸における20を上回るビーム品質係数M2と、約100ミリジュールを上回るパルスエネルギーとを有する、第2の非線形結晶と
を備える、固体レーザ装置。
(項目17)
前記第3高調波放射のビームの前記ビーム品質係数M2は、前記第1の横軸において約200を上回る、項目16に記載の装置。
(項目18)
前記利得要素は、ネオジムドープイットリウムアルミニウムガーネット(Nd3+ドープYAG)結晶である、項目16に記載の装置。
(項目19)
前記第1の非線形結晶は、LBOから作製される、項目16に記載の装置。
(項目20)
前記第1の非線形結晶は、前記基本放射のビームのタイプ1周波数2倍化のために配列される、項目16に記載の装置。
(項目21)
前記第2の非線形結晶は、LBOから作製される、項目16に記載の装置。
(項目22)
前記第2の非線形結晶は、前記第2高調波放射のビームと前記残留基本放射のビームとのタイプ1和周波数混合のために配列される、項目16に記載の装置。
(項目23)
第3の非線形結晶をさらに備え、残留基本放射および残留第2高調波放射の前記共に伝搬するビームは、前記第3の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射の別のビームを発生させる、項目16に記載の装置。
(項目24)
前記第3高調波放射の2つのビームが、偏光合成される、項目23に記載の装置。
(項目25)
前記第3高調波放射の2つのビームは、空間的に合成される、項目23に記載の装置。
(項目26)
Qスイッチ動作のために協働して配列されるポッケルスセルと4分の1波長板とをさらに含む、項目16に記載の装置。
(項目27)
固体レーザ装置であって、
2つの共振器ミラーの間に形成される共振器の中に位置する利得要素であって、前記利得要素は、第1の横軸において、直交する第2の横軸よりも長いスラブの形態であり、前記利得要素は、励起放射によってエネルギー付与され、エネルギー付与された共振器は、基本放射の繰り返しパルスビームを生み出し、前記基本放射のビームは、前記第1の横軸における50を上回るビーム品質係数M2と、前記第2の横軸における10を上回るビーム品質係数M2とを有する、利得要素と、
第1の非線形結晶であって、前記基本放射のビームは、前記第1の非線形結晶の中へ指向され、前記基本放射のビームの一部が、第2高調波発生によって第2高調波放射のビームに変換され、基本放射の残留ビームを残す、第1の非線形結晶と、
第2の非線形結晶であって、前記第2高調波放射のビームおよび前記基本放射の残留ビームは両方とも、前記第2の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射のビームを発生させ、残留基本放射および残留第2高調波放射の共に伝搬するビームを残す、第2の非線形結晶と、
を備え、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第2高調波放射ビームのビーム品質係数M2は、前記基本放射ビームの対応するビーム品質係数M2を上回り、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第3高調波放射ビームのビーム品質係数M2は、前記第2高調波放射ビームの対応するビーム品質係数M2を上回る、固体レーザ装置。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
基板上の層を焼鈍するための光学装置であって、
複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザであって、前記複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザの各々が、電磁スペクトルの紫外線領域内の波長を有する出力ビームを送達し、各出力ビームは、相互に直交する第1の横軸および第2の横軸によって特徴付けられる断面を有し、前記第1の横軸におけるビーム品質係数M2が、約50を上回り、前記第2の横軸におけるビーム品質係数M2が、約20を上回り、レーザパルスが、約100ミリジュールを上回るパルスエネルギーを有し、パルス繰り返し周波数が、約100ヘルツを上回る、複数の周波数変換される繰り返しパルス固体レーザと、
前記出力ビームを受光し、前記出力ビームをラインビームに形成し、前記ラインビームを前記層上に投射するように配列されるラインプロジェクタであって、前記ラインビームは、前記層上に長さと幅とを有する、ラインプロジェクタと
を備える、光学装置。
(項目2)
前記第1の横軸における前記ビーム品質係数M2は、約200を上回る、項目1に記載の装置。
(項目3)
各出力ビームは、前記ラインビームの全長に寄与する、項目1に記載の装置。
(項目4)
前記周波数変換される繰り返しパルス固体レーザの各々は、レーザ共振器を含み、前記レーザ共振器は、1つ以上のダイオードレーザアレイによって光学的に励起される利得要素を有し、前記1つ以上のダイオードレーザアレイは、前記第1の横軸における第1の寸法と前記第2の横軸における第2の寸法とを有する利得容積を前記利得要素内に提供するように配列されている、項目1に記載の装置。
(項目5)
前記第1の横軸の寸法は、前記第2の横軸の寸法の3倍以上である、項目4に記載の装置。
(項目6)
前記レーザ共振器は、前記第2の横軸においてのみ光パワーを有する第1の共振器ミラーと第2の共振器ミラーとの間に形成される、項目5に記載の装置。
(項目7)
前記レーザ共振器は、前記利得要素の特性である前記電磁スペクトルの近赤外線領域内の波長を有する基本放射ビームを生み出し、前記レーザ共振器は、番号順に第1の光学非線形結晶および第2の光学非線形結晶に前記基本放射ビームを送達し、前記第1の光学非線形結晶は、前記基本放射ビームから第2高調波放射ビームを発生させるように配列され、前記第2の光学非線形結晶は、前記第2高調波放射ビームの発生の後、前記第2高調波放射ビームを残留基本放射ビームと和周波数混合することによって前記出力ビームを発生させるように配列される、項目4に記載の装置。
(項目8)
前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第2高調波放射ビームのM2値は、前記基本放射ビームの対応するM2値を上回り、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記出力ビームのM2値は、前記第2高調波放射ビームの対応する値を上回る、項目7に記載の装置。
(項目9)
前記第1の横軸における前記第2高調波放射ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記基本放射ビームの前記M2値の少なくとも2倍である、項目8に記載の装置。
(項目10)
前記第1の横軸における前記出力ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記第2高調波放射の前記M2値の1.5倍を上回る、項目8に記載の装置。
(項目11)
前記第1の横軸における前記出力ビームの前記M2値は、前記第1の横軸における前記残留基本放射の前記M2値の1.5倍を上回る、項目8に記載の装置。
(項目12)
前記出力ビームは、340ナノメートル~360ナノメートルの範囲内の波長を有する、項目7に記載の装置。
(項目13)
前記レーザパルスは、約10ナノ秒を上回る半値全幅パルス持続時間を有する、項目1に記載の装置。
(項目14)
前記出力ビームは、直線偏光させられる、項目1に記載の装置。
(項目15)
前記層は、シリコンから作製される、項目1に記載の装置。
(項目16)
固体レーザ装置であって、
2つの共振器ミラーの間に形成される共振器の中に位置する利得要素であって、前記利得要素は、スラブの形態であり、励起放射によってエネルギー付与され、エネルギー付与された共振器は、基本放射の繰り返しパルスビームを生み出し、前記基本放射のビームは、相互に直交する第1の横軸および第2の横軸を有し、前記第1の横軸におけるビーム品質係数M2は、50を上回り、前記第2の横軸におけるビーム品質係数M2は、10を上回る、利得要素と、
第1の非線形結晶であって、前記基本放射のビームは、前記第1の非線形結晶の中へ指向され、前記基本放射のビームの一部が、第2高調波発生によって第2高調波放射のビームに変換され、基本放射の残留ビームを残す、第1の非線形結晶と、
第2の非線形結晶であって、前記第2高調波放射のビームおよび前記基本放射の残留ビームは両方とも、前記第2の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射のビームを発生させ、残留基本放射および残留第2高調波放射の共に伝搬するビームを残し、前記第3高調波放射のビームは、前記第1の横軸における50を上回るビーム品質係数M2と、前記第2の横軸における20を上回るビーム品質係数M2と、約100ミリジュールを上回るパルスエネルギーとを有する、第2の非線形結晶と
を備える、固体レーザ装置。
(項目17)
前記第3高調波放射のビームの前記ビーム品質係数M2は、前記第1の横軸において約200を上回る、項目16に記載の装置。
(項目18)
前記利得要素は、ネオジムドープイットリウムアルミニウムガーネット(Nd3+ドープYAG)結晶である、項目16に記載の装置。
(項目19)
前記第1の非線形結晶は、LBOから作製される、項目16に記載の装置。
(項目20)
前記第1の非線形結晶は、前記基本放射のビームのタイプ1周波数2倍化のために配列される、項目16に記載の装置。
(項目21)
前記第2の非線形結晶は、LBOから作製される、項目16に記載の装置。
(項目22)
前記第2の非線形結晶は、前記第2高調波放射のビームと前記残留基本放射のビームとのタイプ1和周波数混合のために配列される、項目16に記載の装置。
(項目23)
第3の非線形結晶をさらに備え、残留基本放射および残留第2高調波放射の前記共に伝搬するビームは、前記第3の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射の別のビームを発生させる、項目16に記載の装置。
(項目24)
前記第3高調波放射の2つのビームが、偏光合成される、項目23に記載の装置。
(項目25)
前記第3高調波放射の2つのビームは、空間的に合成される、項目23に記載の装置。
(項目26)
Qスイッチ動作のために協働して配列されるポッケルスセルと4分の1波長板とをさらに含む、項目16に記載の装置。
(項目27)
固体レーザ装置であって、
2つの共振器ミラーの間に形成される共振器の中に位置する利得要素であって、前記利得要素は、第1の横軸において、直交する第2の横軸よりも長いスラブの形態であり、前記利得要素は、励起放射によってエネルギー付与され、エネルギー付与された共振器は、基本放射の繰り返しパルスビームを生み出し、前記基本放射のビームは、前記第1の横軸における50を上回るビーム品質係数M2と、前記第2の横軸における10を上回るビーム品質係数M2とを有する、利得要素と、
第1の非線形結晶であって、前記基本放射のビームは、前記第1の非線形結晶の中へ指向され、前記基本放射のビームの一部が、第2高調波発生によって第2高調波放射のビームに変換され、基本放射の残留ビームを残す、第1の非線形結晶と、
第2の非線形結晶であって、前記第2高調波放射のビームおよび前記基本放射の残留ビームは両方とも、前記第2の非線形結晶の中へ指向され、それによって、和周波数混合によって第3高調波放射のビームを発生させ、残留基本放射および残留第2高調波放射の共に伝搬するビームを残す、第2の非線形結晶と、
を備え、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第2高調波放射ビームのビーム品質係数M2は、前記基本放射ビームの対応するビーム品質係数M2を上回り、前記第1の横軸および前記第2の横軸における前記第3高調波放射ビームのビーム品質係数M2は、前記第2高調波放射ビームの対応するビーム品質係数M2を上回る、固体レーザ装置。
本明細書に組み込まれてその一部を構成する付随の図面は、本発明の好ましい実施形態を図式的に例証し、上記に与えられる一般的な説明および下記に与えられる好ましい実施形態の詳細な説明とともに、本発明の原理を解説する役割を果たす。
ここで、同様の特徴が同様の参照番号によって指定される図面に目を向けると、図1Aは、本発明による外部周波数3倍化繰り返しパルス固体レーザの好ましい実施形態10を図式的に例証する。レーザ10は、高反射共振器ミラー14(HRミラー)と部分透過性出力結合共振器ミラー16(OCミラー)との間に形成される直線共振器12を有する。デカルトx軸、y軸、およびz軸が、参照のために図面上に示される。
共振器12は、共振器ミラー14と共振器ミラー16との間に位置するスラブの形態の利得要素18を含む。共振器12が、図1Bにおいて斜視図で図式的に描写される。共振器内の他の構成要素は、例証の単純化のために、図1Bから省略されている。利得要素18は、2次元のダイオードレーザアレイ20Aおよびダイオードレーザアレイ20Bからの励起放射によってエネルギー付与される。励起放射は、図1Aにおいて、矢印Eによって示される。励起放射は、それぞれ、ダイクロイックミラー22Aおよびダイクロイックミラー22Bによって利得要素の中へ折り曲げられる。例として、利得要素は、ネオジム(Nd3+)ドープもしくはイッテルビウム(Yb3+)ドープのイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)、またはオルトバナジン酸イットリウム(YVO4)の結晶であり得る。これらの結晶は、電磁スペクトルの近赤外線領域において、ドーパントイオンおよび結晶材料の特性である約1020nm~約1080nmの波長での光学利得を提供する。
エネルギー付与された利得要素18は、共振器12内で循環する近赤外波長を有する基本放射のビームを生み出す。この基本放射は、矢印Fによって示される。循環基本放射は、直線偏光させられ、矢印PFによって示される偏光の向きを有する。この偏光の向きは、共振器の中に位置する薄膜偏光器24によって確立される。共振器のQスイッチパルス動作が、共振器12の中に位置するポッケルスセル26および4分の1波長板28によって協働的に実行される。
好ましい利得要素の端面励起およびQスイッチパルス動作は、例示的であり、本発明を限定するものとして見なされるべきではない。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、利得要素18が側面励起され得ること、および「キャビティダンプされる」パルス動作が利用され得ることを認識し得る。
共振器12からの出力基本放射のビームは、OCミラー16を通して透過され、レンズ30によって、基本放射のタイプ1周波数倍化のために配列された光学非線形結晶32の中に集束される。半波長板34は、非線形結晶32の中へ指向される基本放射の偏光の向きを、90°回転させる。基本放射の一部は、非線形結晶32によって、電磁スペクトルの可視領域内の波長を有する第2高調波放射のビームに変換され、基本放射の残留ビームを残す。例えば、基本放射の最高約50%が変換される。第2高調波放射が、図において、二重矢印2Hによって示される。第2高調波放射は、基本放射のものに対して直交する偏光の向きを有し、矢印P2Hによって示される。
第2高調波放射および残留する基本放射は両方とも、レンズ36によって、選択的波長板38を通して、光学非線形結晶40の中へ集束される。非線形結晶40は、残留基本放射との第2高調波放射のタイプ1和周波数混合のために配列され、第3高調波放射のビームを発生させる。第3高調波放射は、図に、三重矢印3Hによって示される。第2高調波発生および和周波数混合のための好適な結晶は、三ホウ酸リチウム(LBO)、ベータホウ酸バリウム(BBO)、ホウ酸セシウム(CB)、およびホウ酸セシウムリチウム(CLBO)を含む。1020nm~1080nmの上記に議論される波長の周波数3倍化は、約340nm~約360nmの出力波長を提供する。
選択的波長板38は、基本放射の偏光回転を提供せず、第2高調波放射の90度の偏光回転を提供し、それによって、タイプ1和周波数混合のために偏光の向きを位置合わせするように構成される。第3高調波放射は、基本放射および第2高調波放射の向きに対して直交する偏光の向きを有し、矢印P3Hによって示される。出力第3高調波放射の偏光の向きは、用途のために要求される場合、別の半波長板(例証せず)によって回転され得る。出力第3高調波放射は、レンズ42によってコリメートされ、コリメートされた紫外線出力ビーム44を形成する。和周波数混合の後、いくらかの残存基本放射および残存第2高調波放射(例証せず)が、存在する。この残存放射は、薄膜干渉フィルタ等のフィルタ(これも、示されず)によって、出力第3高調波放射から分離され得る。残存放射は、好ましくは、大部分の用途のために除去される。
共振器12からの出力基本放射のビームおよび紫外線出力ビーム44は、図1Aおよび図1Bに描写されるように、x軸に対して平行な第1の横軸と、y軸に対して平行な第2の横軸とを有し、z軸に沿って伝搬する。横方向のx軸および横方向のy軸は、相互に直交する。HRミラー14およびOCミラー16は、平坦であることも、第2の横軸においてのみ反射光パワーを有する円筒形であることもある。
第1の横軸は、本明細書中で以降、「水平軸」または「長軸」と称される。第2の横軸は、本明細書中で以降、「鉛直軸」または「短軸」と称される。z軸は、「伝搬軸」と称される。「水平」、「鉛直」、「長い」、および「短い」等の用語は、本明細書において、説明の便宜のために使用される。「水平」および「鉛直」は、使用時のレーザ装置の空間的向きを限定する意図はない。同様に、「長い」および「短い」は、ビームのアスペクト比を限定する意図はなく、アスペクト比は、レンズおよびミラーによって容易に変形させられる。当業者は、出力ビームの短軸および長軸が潜望鏡を使用して入れ替えられ得ること、およびビーム寸法が1つ以上の望遠鏡を使用して調節され得ることを認識し得る。これらの変更は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく行われ得る。
図1Cは、窓50を有する筐体48内の図1Aの周波数3倍化パルス固体レーザを図式的に例証する斜視図であり、窓50を通して紫外線出力ビーム44が送達される。紫外線出力ビームの短軸および長軸に関する例示的なM2値および例示的な断面寸法が、図面に示される。例示的なM2値は、それぞれ、20を上回り、200を上回る。紫外線出力ビーム44の例示的な断面寸法は、それぞれ、約5mm、約46mmである。スラブ形状の利得要素18を有する本発明のレーザ10からの紫外線出力ビーム44は、断面が長方形であることも、楕円形であることもある。断面形状は、例えば、利得要素が側面励起されるかまたは端面励起されるかに依存する。
本発明のレーザ10は、約10nsを上回る半値全幅(FWHM)パルス持続時間と、約100Hzを上回るパルス繰り返し周波数におけるパルスあたり約100mJを上回るパルスエネルギーとを有する紫外線出力パルスを送達することが可能である。
ここで、本発明のレーザ10の設計が従来の固体レーザ設計からの根本的な逸脱を表し、レーザ切断およびレーザ穿孔等の動作のためにビーム品質を最大化する(M2を最小化する)ことに努力が向けられることに留意されたい。これらの動作では、レーザ放射の精密な集束が要求される。そのような従来の固体レーザは、典型的に、公称上円形の断面と、両方の横軸において約1.5未満のM2値とを有するレーザビームを送達する。紫外線放射を放出するマルチモード固体レーザはまた、所与の出力パワーのための最低可能M2値を有するように設計される。典型的に、これらのレーザは、両方の横軸において20未満のM2値を有する紫外線出力ビームを生み出す。
本発明のレーザ10を設計することの目的は、長軸のM2値が短軸のM2値を上回る状態で、短軸において約20を上回り、長軸において約200を上回る値に達するように、M2を最大化することである。これらの大きいビーム品質係数は、本発明のレーザが置換することを意図する上記に議論されるエキシマレーザの特性である。M2値を最大化するための鍵は、上記に議論される円筒形共振器ミラー14および円筒形共振器ミラー16と協働可能であるスラブ形状利得要素18である。利得要素18は、図1Bに描写されるように、水平幅Wと、鉛直厚Tと、長さLとを有する。
2次元ダイオードレーザアレイ20Aおよび2次元ダイオードレーザアレイ20Bからの細長ビームを用いる上記に説明される端面励起は、水平幅wと、鉛直高hと、長さL(利得要素の長さ)とを有する細長の利得容積を提供する。寸法幅w×高さhを有する断面利得面積46が、利得要素18内の基本放射のビームの断面を画定する。利得面積46は、共振器12内の軟質開口として作用する。幅wは、高さhを大きく上回り、好ましくは、少なくとも3倍より大きい。これらの代表的な寸法は、計算される本発明のレーザ10の例の性能を説明することにおいて、下記で言及される。
図2Aおよび図2Bは、図1Aの本発明のレーザ10のある例における、共振器長に対する、鉛直軸における共振器12からの出力基本放射に関して計算されたビーム品質係数M2をグラフで例証する。共振器長は、共振器ミラー14と共振器ミラー16との間の距離である。共振器ミラー14および共振器ミラー16は、図2Aの計算では、平坦である。共振器ミラー14および共振器ミラー16は、図2Bの計算では、凹面形であり、1mの曲率半径を有する。利得要素18は、共振器の中心に位置する。M2値は、鉛直軸において、利得要素内の異なる熱レンズ(1ディオプトリ(D)~5D)に関して描写される。この例では、約1064nmの波長を有する基本放射が、発生させられる。利得要素18の寸法幅Wが50mm、長さLが50mm、および厚さTが5.0mmであると仮定される。利得面積46は、40mmの幅wと、3.0mmの高さhとを有する。
図2Cは、平坦な共振器ミラーを有する図2Aの共振器における、共振器長に対する、水平軸における出力基本放射に関して計算されたビーム品質係数M2をグラフで例証する。利得要素18の中の熱レンズは、水平軸においておよそ0Dである。しかしながら、キャビティ内集束または脱集束が、水平軸における屈折光パワーを有する円筒形レンズを追加することによって、導入され得る。M2値は、利得要素の各端部に隣接して対称的に位置する0.05D~0.25Dの総屈折光パワーの異なる対の円筒形レンズに関して描写される。共振器に正の屈折光パワーを追加することは、水平軸におけるM2値を増加させる。
図3は、図2Aの共振器における、共振器長に対する、鉛直軸における出力基本放射に関して計算されたビーム品質係数M2をグラフで例証する。ここで、利得要素18の中の熱レンズは、垂直軸において2.75Dである。M2値は、鉛直軸において、0.2m~0.6mの共振器ミラーの異なる曲率半径に関して描写される。図2Aは、共振器に正の屈折光パワーを追加することが、鉛直軸におけるM2値を増加させることを示す。同様に、図3は、共振器に正の反射光パワーを追加することが、鉛直軸におけるアクセス可能なM2値を大幅に増加させることを示す。
例は、共振器長、利得面積、キャビティ内レンズ、および共振器ミラーの曲率によって決定されるビーム品質係数を有する発振共振器モードが確立されることを実証する。熱レンズは、鉛直軸において最も強力であり、水平軸においてごくわずかである。結果として生じるM2値は、スラブ形状の利得要素18および利得面積46の伸長に起因して、水平軸におけるよりも垂直軸においてさらに小さい。横軸の各々における屈折光パワーまたは反射光パワーは、キャビティ内レンズもしくは湾曲した共振器ミラーを使用して独立して修正され、出力基本放射のための所望のM2値を達成し得る。また、例示的レーザでは、鉛直軸は、基本放射の短軸に対応し、水平軸は、その長軸に対応する。
さらに、利得要素18がNd3+ドープYAG結晶であると仮定される。利得要素がパルスあたり4.8Jの吸光される励起放射によってエネルギー付与される場合、スラブ形状利得要素の屈折光パワーは、短軸において約4.75D、長軸において約0Dである。これらの条件下において、共振器12は、短軸において10を上回り長軸において50を上回る出力基本放射に関するM2値を確実に生み出すように構成され得る。好ましくは、共振器12は、短軸において20を上回り長軸において200を上回るM2値を生み出すように構成され得る。
図4は、例示的なNd3+:YAG共振器が500Hz~900Hzの異なるパルス繰り返し周波数で動作させられるOCミラー反射率の関数としての計算された出力基本放射パワーのグラフである。ここで、共振器長は、1mであり、共振器ミラーは、平坦である。他の共振器パラメータは、図2Aに関するものと同一である。600Hzのパルス繰り返し周波数および約60%のOCミラー反射率に関して、出力基本放射パワーは、約1.86ジュールのパルスエネルギーに対応する、約1,100Wにおいて最大になることが見られ得る。本明細書において下記に提示される例では、共振器が600Hzのパルス繰り返し周波数において励起され動作すると仮定される。図5は、図4の例における、OCミラー反射率の関数としてのFWHMパルス持続時間のグラフである。最適な60%のOCミラー反射率が約25nsのパルス持続時間をもたらすことが見られ得る。
モデル計算は、高調波変換効率が最適化されているとき、本発明のレーザ10からの出力第3高調波放射パワーが共振器12からの出力基本放射パワーの約32%であることが予期され得ることを示す。故に、本発明の周波数3倍化固体レーザは、355nmの波長における約350Wの紫外線出力パワーを送達することが予期され得る。より高いパワーが、本発明の近赤外線共振器のさらなる洗練を通して達成され得る。この紫外線出力パワーにおいて、本発明のレーザの約12個の組合せられた出力が、6つのエキシマレーザによって生み出されるものと同一のパワーを提供することが要求され得る。
図6は、タイプ1の非臨界の位相整合させられたLBO結晶の伝搬距離の関数としての、計算された第2高調波発生効率をグラフで例証する。変換効率は、パーセンテージとして表現される。基本放射のビームウエストは、LBO結晶の中心に位置する。ビームウエストの断面寸法は、短軸において1mm、長軸において10mmであると仮定される。入射パルスエネルギーは、0.375Jであると仮定され、パルス持続時間は、25nsであると仮定される。TNCPMは、平面波に関する非臨界位相整合温度であり、これは、典型的に、約150℃~約160℃の範囲内にあるように計算される。精密な温度は、計算において使用されるセルマイヤー係数に依存する。計算は、2つの結晶温度、すなわち、TNCPM+0.4℃およびTNCPM+0.9℃に関して示される。例における集束ビームに関する最適な結晶温度は、約TNCPM+0.9℃である。TNCPMからのこのわずかな離調は、ビームウエストの両側における基本放射の波面曲率を部分的に補償する。
共振器12からの出力基本放射のすでに高いM2値が、非線形結晶32によって大いに増加させられ得ることが、決定された。第2高調波放射は、非線形結晶内での第2高調波発生によって、出力基本放射から発生させられる。図6はまた、結晶内の伝搬距離の関数としての、長軸における計算された第2高調波放射ビーム品質係数M2も例証する。マルチモード基本放射の入射ビームが、1064nmの波長と、短軸において10のM2値と、長軸において50のM2値とを有すると仮定される。計算は、長軸におけるM2値が、最適な結晶温度において、基本放射の入射ビームに関する50から、LBO結晶から出現する第2高調波放射のビームに関する108まで、2倍より高くなることを示す。さらにLBO結晶内の数ミリの短い伝搬距離に関して、M2値は、第2高調波放射のビームに関して約67まで増加する。
図7は、図6の非臨界の位相整合させられたLBO結晶の中の伝搬距離の関数としての、未変換基本放射に関する長軸における計算されたビーム品質係数M2のグラフである。図7はまた、LBO結晶内の伝搬距離の関数として、計算された未変換基本放射パワーも例証する。未変換パワーは、LBO結晶上への入射基本放射パワーのパーセンテージとして表現される。LBO結晶から出射する未変換基本放射は、非線形結晶40の中へ指向される残留基本放射になる。計算が、図6と同一の結晶温度に関して示される。長軸における未変換基本放射のM2値も、ビームが非線形結晶32を通って伝搬するにつれて、最適な結晶温度において、最大約106まで、2倍より高く上昇する。故に、非線形結晶40は、各々長軸において100を上回るM2値を有する残留基本放射のビームと第2高調波放射のビームとを和周波数混合することによって、第3高調波放射を発生させる。
図6および図7は、レーザ焼鈍のために有益である発生させられた第2高調波ビームおよび残留基本ビームのビーム品質係数M2の増加を例証する。これらの増加は、基本放射から第2高調波放射への変換、および第2高調波放射から基本放射への逆変換と結合される伝搬ビームの波面曲率の変化から生じる。概して、周波数倍化は、基本ビームと第2高調波ビームとが同一の波面曲率を有するときに最も効率的である。フラットトップの強度分布を伴うマルチモードビームに関して、波面曲率の精密な整合は、第2高調波ビームのM2値が基本ビームのM2値の2倍であるときに起こる。ビームが非線形結晶を通って伝搬するときのM2値の変動は、種々の横モード間での継続的な変換および逆変換によって生み出される。
図8Aおよび図8Bは、非線形結晶40を通る伝搬距離の関数として、第3高調波放射に関する計算されたビーム品質係数M2をグラフで例証し、非線形結晶40は、各々が30mmの長さを有する2つの別個のLBO結晶の形態を有する。2つのLBO結晶は、ウォークオフ補償のために構成および配列される。図8Aは、90℃の各結晶内温度を有し、図8Bは、100℃の各結晶内温度を有する。図8Aおよび図8Bはまた、2つのLBO結晶内の伝搬距離の関数として、計算された第3高調波変換効率も例証する。また、基本放射から第3高調波放射への全体的変換は、ビームの全ての波面曲率が整合されているときに最も効率的である。精密な整合は、第3高調波ビームのM2値が基本ビームのものの3倍であり、第2高調波ビームのM2値が基本ビームのものの2倍であるときに起こる。
第1のLBO結晶の中へ指向される残留基本放射の入射ビームが、短軸において10.5、および長軸において106のM2値を有すると仮定される。第1のLBO結晶の中へ指向される第2高調波放射の入射ビームは、短軸において17、および長軸において92のM2値を有する。各LBO結晶の中心におけるビームウエストの断面寸法は、短軸において0.5mm、長軸において10mmであると仮定される。入射パルスエネルギーは、0.206Jの残留基本放射および0.169Jの第2高調波放射であると仮定される。すなわち、第2高調波放射内のパルスエネルギーに対する基本放射内のパルスエネルギーの比率は、55%から45%である。パルス持続時間は、依然として、25nsであると仮定される。
出力第3高調波放射のM2値がさらに、90℃における両方のLBO結晶を通る伝搬の後、短軸において22まで、長軸において176まで増加させられることが決定された。すなわち、長軸におけるM2値は、入射する第2高調波放射および残留基本放射のM2値の1.5倍を上回る。全体的な変換効率は、30%である。モデル計算の結果を要約すると、10および50のM2値を有する共振器からの出力基本放射は、それぞれ、約22および176のM2値を有する出力第3高調波放射に変換される。パルスあたり0.375Jの基本放射が、パルスあたり約0.113Jの第3高調波放射に変換される。
モデル計算は、非線形結晶32の中での第2高調波発生に続いて、短軸において約15~25、長軸において約150~200の基本放射M2値が、短軸において約30~50、長軸において約300~400まで増加し得ることを示す。すなわち、ビーム品質係数は、各軸において値が約2倍になる。非線形結晶40の中での和周波数混合に続いて、第3高調波放射M2値はさらに、短軸において約45~65、長軸において約450~600まで増加し得る。最終的には、和周波数混合に続く長軸におけるM2値は、非線形結晶の受光角限界によって制約され得る。それにもかかわらず、出力第3高調波ビームのM2値は、短軸において約60を上回り、長軸において約400を上回り得る。これは、上記に議論されるレーザ焼鈍のために現在使用されているエキシマレーザによって生み出される紫外線ビームに関する短軸において80、長軸において500のM2値に匹敵する。
図8Aおよび図8Bは、第3高調波放射を発生させるために直接に配列される複数の非線形結晶を有することが、所望のビーム品質係数を達成するために十分な伝搬距離を提供し得ることを実証する。図9Aは、本発明による外部的に周波数3倍化される繰り返しパルス固体レーザの別の好ましい実施形態80を図式的に例証する。レーザ80は、図1のレーザ10にと同様であるが、和周波数混合によって第3高調波放射を発生させるための2つの非線形結晶40および82を有する。非線形結晶40および82は、同一の長さを有することも、異なる長さを有することもあり、これは、基本放射から第3高調波放射への全体的変換を最適化し、所望のビーム品質係数を提供するように選択される。実施形態80の波長板34の左の光学要素は、図1の実施形態におけるものと同一であり、例証の便宜のために省略される。
出力基本放射の一部は、非線形結晶32によって、第2高調波放射のビームに変換される。第2高調波放射および残留基本放射の両方が、レンズ92によって非線形結晶40の中に集束され、和周波数混合によって第3高調波放射の1つのビームを発生させる。この第3高調波ビームは、ミラー84によって残留基本ビームおよび残留第2高調波ビームから分離され、ミラー86によって、半波長板88を通ってキューブプリズム偏光器90の上へ指向される。ミラー84は、基本放射および第2高調波放射に対して透過性である。ミラー84およびミラー86は、第3高調波放射に対して反射性である。
ミラー84を通して透過された共に伝搬する残留基本ビームおよび残留第2高調波ビームは、非線形結晶82の中へ集束され、第3高調波放射の別のビームを発生させる。この第3高調波ビームは、別のミラー84によって、残存基本ビームおよび残存第2高調波ビームから分離され、それによって、偏光器90上に指向される。偏光器90上に入射する第3高調波放射の2つのビームは、直交性の直線偏光を有し、それによって合成され、紫外線放射44の出力ビームを形成する。偏光器90は、1つの偏光に対して透過性であり直交性の偏光に対して反射性である偏光選択表面を有する。したがって、紫外線出力ビーム44は、両方の直線偏光を含む。種々のレンズは、描写されるように、ビームを非線形結晶の中へ集束し、ビームをコリメートする。例えば、レンズ92である。
図9Bは、本発明による外部的に周波数3倍化される繰り返しパルス固体レーザのさらに別の好ましい実施形態100を図式的に例証する。レーザ100は、レーザ80と同様であるが、ビームを集束し、コリメートするために、レンズの代わりに主にミラーを使用する。例えば、レーザ80内のレンズ92の代わりの、レーザ100内のミラー102である。再び、2つの第3高調波ビームが、別個の非線形結晶の中で発生させられる。レーザ100において、これらの第3高調波ビームは、第3高調波放射に対して反射性であるミラー104によって空間的に合成され、紫外線出力ビーム44を形成する。レーザ100の1つの利点は、紫外線出力ビーム44が直線偏光させられることである。
本明細書において上記に説明される本発明の原理を実証するために、図9Aの実施形態80と同様の2つの外部的に周波数3倍化される繰り返しパルス固体レーザが、モデル化された。各レーザは、寸法2mm×40mmと短軸×長軸におけるビーム品質係数25×100とを有する1064nmの出力基本放射のビームを生み出す共振器を有する。LBOから作製される1つの非線形結晶が、タイプ1周波数2倍化によって、532nmの第2高調波放射のビームを発生させる。LBOから作製された2つの直列に配列される非線形結晶が、タイプ1和周波数混合によって、第3高調波放射の2つのビームを発生させる。第3高調波放射のこれらの2つのビームは、図9Aに描写されるように、コリメートされ、偏光合成され、偏光されていない紫外線放射の出力ビームを形成する。各レーザの偏光合成された出力ビームは、5mm×40mmの寸法と、短軸×長軸における70×225のビーム品質係数とを有する。
図10は、2つの外部的に周波数3倍化される繰り返しパルス固体レーザの出力ビームを空間的に合成するための、本発明による好ましい実施形態120を図式的に例証する。各レーザは、筐体48と、窓50とを有し、窓50を通して出力ビーム44が送達される。出力ビームのうちの一方は、ミラー122によってミラー124上に指向され、ミラー124は、2つの出力ビームを偏光されていない紫外線放射126の1つの合成されたビームに空間的に合成するために精密に位置する。合成されたビーム126は、約5mm×80mmの寸法と、短軸×長軸における約70×450のビーム品質係数とを有する。合成されたビーム126はまた、各出力ビーム44の2倍のパワーも有する。
図11は、本発明による、内部的に周波数3倍化される繰り返しパルス固体レーザの好ましい実施形態110を図式的に例証する。レーザ110は、レーザ10と同様であり、HRミラー14と別の高反射共振器ミラー112との間に形成される共振器12を有し、高反射共振器ミラー112は、基本放射および第2高調波放射の両方に対して高い反射性である。レーザ110において、非線形結晶32および非線形結晶40は、共振器12内に位置する。基本放射のビームは、共振器12の中で循環する。出力結合は、出力結合ミラーを通した基本放射の部分的透過ではなく、基本放射から高調波放射への部分的な変換による。
図面内の左から右に伝搬する間、キャビティ内基本放射のビームは、半波長板34、非線形結晶40、非線形結晶32を通過し、HRミラー112によって反射される。半波長板34が、基本放射の偏光の向きを回転させ、次いで、非線形結晶32が、部分的に、基本放射を第2高調波放射のビームに変換し、第2高調波放射のビームも、HRミラー112によって反射される。反射された基本放射および第2高調波放射は、非線形結晶32、選択的波長板38、非線形結晶40を通り、出力ミラー114上へ右から左に共に伝搬する。反射された基本放射はさらに、非線形結晶32によって第2高調波放射に変換され、第2高調波放射のビームのパワーを増加させる。選択的波長板38は、第2高調波放射の偏光のみを回転させる。非線形結晶40は、部分的に、基本放射および第2高調波放射を第3高調波放射のビームに変換する。出力ミラー114は、基本放射に対して高い透過性であり、第2高調波放射および第3高調波放射に対して反射性である。コリメートされた紫外線出力ビーム44が、出力ミラー114によって共振器12から外に指向される。出力第3高調波放射の偏光は、矢印P3Hによって示される。3つのレンズは、描写されるように、ビームを非線形結晶の中に集束し、ビームをコリメートする。
図12A、図12B、および図12Cは、6つの図1Aの周波数3倍化される固体レーザの出力を合成および均質化するためのラインプロジェクタの好ましい実施形態60を図式的に例証する。ラインプロジェクタ60は、基板64上に支持された焼鈍されるべきシリコン層62上に投射されるラインビームに合成された出力を形成する。投射されたラインビームの中での偏光の向きの分布は、選択可能である。
6つのレーザは、レーザ10A、10B、10C、10D、10E、および10Fとして指定される。6つのレーザは、公称上同一の出力特性を有すると仮定される。レーザの各々によって放出される紫外線放射は、直線偏光させられ、ここでは、S-偏光させられる。各レーザは、放射のビームを、6つの対応する偏光回転子66のうちの1つを通して指向する。描写される例において、偏光回転子は、レーザ10Aおよびレーザ10Fからの放射が、偏光回転させられず、S-偏光させられたままであるように調節される。レーザ10Cおよびレーザ10Dからの放射は、90°偏光回転され、P-偏光させられた状態になる。レーザ10Bおよびレーザ10Eからの放射は、0°~90°の間のある角度だけ偏光回転させられ、P偏光とS偏光との間の(I偏光された)中間の向きになる。例えば、放射は、45°回転させられる。
種々の偏光の向きを有する放射のビームは、次いで、6つの長軸ビームホモジナイザのうちの対応するものを横断し、6つの長軸ビームホモジナイザの各々は、2つの円筒形レンズアレイ68Aおよび68Bを含む。ビームホモジナイザの全てからの出力が、球状レンズ70によって収集される。球状レンズ70は、円筒形レンズ72、球状レンズ74、および円筒形レンズ76と協働して、レーザ10A-Fの出力を基板64上のラインビームに合成する。球状レンズ70および球状レンズ74は、ラインビームの長さLLを決定する。レンズ70、72、74、および76は、図12Cに描写されるラインビームの幅LWを画定する。レーザの各々は、シリコン層62を照明する均質化されたラインビームの全長に放射を送達する。図12Aのラインプロジェクタは、複数の(ここでは6つの)レーザ10からのビームを合成および均質化し、約1.0mm未満の幅LWを有するラインビームを形成することが可能である。
図12Bは、ラインビーム長上の任意の点における放射の偏光が角度のある状態で分散させられている様子を図式的に例証する。描写される例において、偏光の向きは、最大入射角にあるS偏光から、I偏光を通り、ほぼ垂直の入射角にあるP偏光に変形する。
ラインプロジェクタ60の十分な詳細のみが、本発明の原理を理解するためにここに提示されることに留意されたい。複数の紫外線エキシマレーザからの出力を偏光し、合成し、均質化し、投射するための特定の装置の詳細な説明は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願公開第2016/0259174号において提供され、その完全な開示が、参照することによって本明細書に援用される。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他のビーム合成および投射の装置を使用し得る。
要約すると、上記に説明されるものは、エキシマレーザのものに匹敵する平均パワーと、パルスエネルギーと、ビームパラメータとを有する紫外線出力ビームを生み出す発明性のある周波数3倍化される固体レーザである。周波数3倍化は、内部的または外部的であり得る。本発明のレーザの共振器に対する設計アプローチは、従来の先行技術固体レーザのものと根本的に異なり、細長の断面と、1つの横軸において10を大いに上回り、直交する横軸において50を大いに上回るM2値とを有する近赤外線ビームの生産を可能にする。この設計アプローチは、近赤外線ビームのM2値が、周波数3倍化プロセスにおいて、1つの横軸において60、直交する横軸において400ほど高い値まで増大させられることを提供する。本発明のレーザのいくつかの紫外線出力ビームは、先行技術の紫外線エキシマレーザの出力ビームを合成するために使用される態様で合成され得る。
本発明は、上記において、好ましい実施形態の観点から説明される。しかしながら、本発明は、本明細書に説明および描写される実施形態によって限定されるものではない。むしろ、本発明は、本明細書に添付される請求項によってのみ限定される。
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- 本明細書に記載の発明。
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