JP2024032317A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板における配線の配置自由度の向上及び電気的特性の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、積層されている複数の絶縁層１１１、１１２と、複数の導体層１２、１２１とを含んでいて、これらの積層方向と交差する第１面ＦＡを有している。配線基板１は、さらに、絶縁層１１１、１１２及び導体層１２、１２１の一部によってそれぞれ構成されている第１領域Ａ及び第２領域Ｂを有し、複数の導体層１２、１２１は、第１領域Ａ及び第２領域Ｂに渡って形成されている第１導体層１２と、第２領域Ｂ内だけに形成されている第２導体層１２１と、を含み、複数の絶縁層１１１、１１２は、上面１１２ａで第１導体層１２と接する第１絶縁層１１２と、上面１１１ａで第２導体層１２１と接する第２絶縁層１１１と、を含み、第１絶縁層１１２と第２絶縁層１１１とは、上面１１１ａ、１１２ａの面粗度が互いに異なっている。【選択図】図３

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、コア層の各面に積層された絶縁層及び配線層からなる第１の配線部材、及び、第１の配線部材よりも薄い層間厚及び高い配線密度を有していて第１の配線部材の外側に積層された第２の配線部材を含む配線基板が開示されている。

特開２０１４－２２５６３１号公報

特許文献１に開示の配線基板では、高密度での配置が望まれる配線と高密度配置を要しない配線それぞれについて、配置位置の自由度が低いことがある。例えば、高密度での配置が望まれる配線と、それら以外の配線とを、共に表裏いずれかの外表面の近傍、又はコア基板の近傍に設け得ないことがある。また、例えば所望の電気的特性の実現のために隣接配線層との間の望ましい距離が互いに異なる配線同士を、同一の配線層に設け難いことがある。さらに、求められる配線密度や電気的特性について互いに異なる配線が、それぞれに対して好ましい形態や特性を有する絶縁層上に設けられていないことがある。

本発明の配線基板は、積層されている複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のいずれかを介して積層されている複数の導体層と、を含んでいて、前記複数の絶縁層の積層方向と交差する外表面として第１面を有している。そして前記配線基板は、さらに、前記複数の絶縁層及び前記複数の導体層の一部によってそれぞれ構成されていて互いに隣接する第１領域及び第２領域を有し、前記複数の導体層は、前記第１領域及び前記第２領域に渡って形成されている第１導体層と、前記第２領域内だけに形成されていて、前記第２領域において前記複数の絶縁層のいずれかを挟んで前記第１導体層と交互に積層されている第２導体層と、を含み、前記複数の絶縁層は、前記第１面を向く上面で前記第１導体層と接する第１絶縁層と、前記第１面を向く上面で前記第２導体層と接する第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、前記第１面を向く上面の面粗度が互いに異なっている。

本発明の実施形態によれば、配置密度や電気的特性について求められる要件が異なる配線それぞれにおいて配線位置の自由度が高まることがある。また、そのように求められる要件が異なる配線が、各配線に適した絶縁層の上に形成され、その結果、良好な電気的特性が得られることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の平面視での一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 図３のIV部の一例の拡大図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、配線基板１の第１面ＦＡ側からの平面視での一例が示されている。図１は図２のＩ－Ｉ線での断面図である。なお「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。さらに、図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

図１に示される配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と略直交する２つの主面（第１主面Ｆ１及び第２主面Ｆ２）を有するコア基板１００を含んでいる。コア基板１００は、絶縁層１０１と絶縁層１０１の両面それぞれに形成されている導体層１０２と、２つの導体層１０２同士を接続するスルーホール導体１０３と、を含んでいる。第１主面Ｆ１及び第２主面Ｆ２は、絶縁層１０１における配線基板１の厚さ方向と略直交する２つの表面それぞれの露出部分によって構成されている。スルーホール導体１０３の内部は、エポキシ樹脂などを含む樹脂体１０３ｉで充填されている。

配線基板１は、さらに、コア基板１００の各主面にコア基板１００側から逐次形成されて積層されている複数の絶縁層及び複数の導体層の一部によってそれぞれ構成される第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含んでいる。配線基板１は、配線基板１の厚さ方向に積層されている複数の絶縁層の積層方向と交差する外表面（最外の表面）として第１面ＦＡを有すると共に、第１面ＦＡの反対側の外表面である第２面ＦＢを有している。図１の例において第１面ＦＡ及び第２面ＦＢは、配線基板１の厚さ方向、すなわち、複数の絶縁層の積層方向と略直交している。

図１の例の配線基板１では、コア基板１００の第１主面Ｆ１上には、２つの絶縁層１１、並びに、それぞれ３つの絶縁層１１１及び絶縁層１１２が積層されている。加えて、第１主面Ｆ１上には、これら絶縁層のいずれか１つ又は２つをそれぞれの間に介して、導体層１２０、４つの導体層１２、及び３つの導体層１２１が積層されている。４つの導体層１２それぞれの間には、絶縁層１１１及び絶縁層１１２が介在している。３つの導体層１２１のそれぞれと、配線基板１の第１面ＦＡ側の導体層１２との間には絶縁層１１２が介在している。３つの導体層１２１のそれぞれと、配線基板１の第１面ＦＡ側と反対側の導体層１２との間には絶縁層１１１が介在している。一方、コア基板１００の第２主面Ｆ２上には、５つの絶縁層２１、及び、これら絶縁層２１のいずれかをそれぞれの間に介して５つの導体層２２が積層されている。

このように、実施形態の配線基板１は、絶縁層１１１及び絶縁層１１２のように積層されている複数の絶縁層と、これら複数の絶縁層のいずれかを介して積層されている、導体層１２及び導体層１２１のような複数の導体層と、を含んでいる。絶縁層１１、１１１、１１２、及び導体層１２０、１２、１２１によってコア基板１００の第１主面Ｆ１上に第１ビルドアップ部１０が形成され、絶縁層２１及び導体層２２によって第２主面Ｆ２上に第２ビルドアップ部２０が形成されている。

本実施形態の配線基板の説明では、絶縁層１０１から遠い側は、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」とも称され、絶縁層１０１に近い側は、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」とも称される。また、各構成要素において、絶縁層１０１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層１０１側を向く表面は「下面」とも称される。従って、第１ビルドアップ部１０内の各導体層及び各絶縁層における第１面ＦＡ側を向く表面が「上面」とも称され、第２ビルドアップ部２０内の各導体層及び各絶縁層における第２面ＦＢ側を向く表面が「上面」とも称される。なお、配線基板１の厚さ方向、すなわち複数の絶縁層及び複数の導体層の積層方向は「Ｚ方向」とも称される。

絶縁層１０１、１１、１１１、１１２、２１は、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、ならびに、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。これら各絶縁層は、ガラス繊維などの、図示されない補強材（芯材）を含むことがある。図１の例では絶縁層１０１は補強材１０１ｒを含んでいる。また、これら各絶縁層は、後述されるように、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

図１の配線基板１は、さらに、第１ビルドアップ部１０の上に形成されているソルダーレジスト１１０、及び第２ビルドアップ部２０の上に形成されているソルダーレジスト２１０を含んでいる。ソルダーレジスト１１０は、最も第１面ＦＡ側の導体層１２に含まれる導体パッド１２ｐを露出させる開口１１０ａを有している。ソルダーレジスト２１０は、導体層２２の一部を露出させる開口２１０ａを有している。ソルダーレジスト２１０の上面と導体層２２の上面の露出部によって、配線基板１の第２面ＦＢが構成されている。ソルダーレジスト１１０、２１０は、それぞれ、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。

図１の配線基板１は、さらに導体ポストＢＭを含んでいる。導体ポストＢＭは、導体パッド１２ｐの上に形成されていて、ソルダーレジスト１１０の開口１１０ａを通ってソルダーレジスト１１０の上面から突出している。導体ポストＢＭ及びソルダーレジスト１１０それぞれの上面によって配線基板１の第１面ＦＡが構成されている。導体ポストＢＭによって、配線基板１に搭載される部品（図１の例では第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と導体パッド１２ｐとが接続される。すなわち、図１の配線基板１において、第１面ＦＡは、第１部品Ｅ１のような外部の部品が実装される部品実装面であり得る。そのため第１面ＦＡは、図１及び図２に示されるように、部品実装領域ＭＡ１及び部品実装領域ＭＡ２を有している。図１の例では、部品実装領域ＭＡ１に第１部品Ｅ１が配置され、部品実装領域ＭＡ２に第２部品Ｅ２が配置される。配線基板１に実装される部品は、例えば、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置のような電子部品であり得る。

一方、ソルダーレジスト２１０の開口２１０ａに露出する導体層２２の露出部分は、配線基板１の外部の導電体（図示せず）、例えば、電子機器のマザーボードのような配線基板１以外の配線基板のパッド、又は任意の導電性の機構部品などに接続される。

導体層１２、１０２、１２０、１２１、２２、及び導体ポストＢＭ、並びに、後述されるビア導体１３、１３１、２３は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。これら各導体層、各ビア導体、及び導体ポストＢＭは、図１では簡略化されて１つの層で構成されるように示されているが、拡大図である図３に示されるように、それぞれ、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される２つ以上の金属膜を含んでいてもよい。

本実施形態の配線基板１は、配線基板１に含まれる絶縁層１１１、１１２などの複数の絶縁層、及び、導体層１２、１２１などの複数の導体層の一部によってそれぞれ構成されている第１領域Ａ及び第２領域Ｂを有している。図１～図３に示されるように、第１領域Ａと第２領域Ｂは隣接し、且つ連続している。具体的には、図１～図３の例において絶縁層１１１及び絶縁層１１２は、それぞれ、第１領域Ａと第２領域Ｂとの間で連続しており、絶縁層１１１及び絶縁層１１２それぞれにおいて第１領域Ａ内の部分と第２領域Ｂ内の部分とが繋がっている。

図１～図３の例では、第２領域Ｂは、第１ビルドアップ部１０の一部を占めている。具体的には、第２領域Ｂは、第１ビルドアップ部１０のうちのＺ方向においてコア基板１００から遠い側の一部を占めており、平面視においても第１ビルドアップ部１０の一部を占めている。一方、第１領域Ａは、配線基板１における第２領域Ｂ以外の領域である。図１～図３の例において第１領域Ａは、第１ビルドアップ部１０における第２領域Ｂ以外の部分の一部を占めているように示されている。しかし、本実施形態において第１領域Ａによって占められる部分は、第１ビルドアップ部１０における第２領域Ｂ以外の部分の全部であってもよく、配線基板１における第２領域Ｂ以外の部分の全部であってもよい。

本実施形態において「第２領域」は、平面視で実施形態の配線基板の特定の領域だけに形成されている１以上の導体層と、その導体層と接する絶縁層における平面視でその特定の領域と重なっている部分と、その絶縁層に接する導体層における平面視でその特定の領域と重なっている部分との積層体によって構成される領域であり得る。なお、「特定の領域」は、例えば、平面視で実施形態の配線基板の面積の１０％以上、４０％以下の面積を任意の位置において占める領域であり得る。

図１～図３の例では、導体層１２１が、特定の領域である第２領域Ｂ内だけに形成されており、導体層１２は、第１領域Ａ及び第２領域Ｂに渡って形成されている。そのため図１～図３の例の第２領域Ｂは、導体層１２、絶縁層１１１、及び絶縁層１１２それぞれにおける平面視で導体層１２１と重なっている部分、及び導体層１２１によって構成されている。一方、第１領域Ａは、導体層１２、絶縁層１１１及び絶縁層１１２それぞれにおける第２領域Ｂ以外の部分によって構成されている。図１及び図３では、第１領域Ａと第２領域Ｂそれぞれに、個別に、導体層１２の導体パターンが描かれているが、導体層１２における第１領域Ａ内の導体パターンと第２領域Ｂ内の導体パターンとが、繋がっていてもよい。

このように本実施形態の配線基板１を構成する複数の導体層は、第１領域Ａ及び第２領域Ｂに渡って形成される導体層１２（第１導体層）と、第２領域Ｂ内だけに形成されている導体層１２１（第２導体層）と、を含んでいる。第２領域Ｂだけが、導体層１２の導体パターンと共に導体層１２１の導体パターンを含み、第１領域Ａは、導体層１２１の導体パターンを含まない。第２領域Ｂにおいて、導体層１２と導体層１２１とは、配線基板１を構成する複数の絶縁層のいずれか（図１の例では絶縁層１１１又は絶縁層１１２）を互いの間に挟んで交互に積層されている。すなわち第２領域Ｂでは、コア基板１００側から配線基板１の第１面ＦＡ側に向かって、導体層１２、絶縁層１１１、導体層１２１、絶縁層１１２の順で、導体層及び絶縁層の積層が繰り返されている。第１領域Ａでは、コア基板１００側から配線基板１の第１面ＦＡ側に向かって、導体層１２、絶縁層１１１、絶縁層１１２の順で、導体層及び絶縁層の積層が繰り返されている。

なお、図１～図３では、導体層１２０のような、導体層１２及び導体層１２１以外の導体層は、第１領域Ａ及び第２領域Ｂの何れにも含まれていない。しかし、前述したように、第１領域Ａは第２領域Ｂ以外の部分の全てを占めていてもよい。従って、実施形態の配線基板を構成する複数の導体層は、導体層１２０のように第１領域Ａ及び第２領域Ｂの何れにも含まれない導体層を含んでいてもよく、第１領域Ａだけに含まれる導体層を含んでいてもよい。

第１領域Ａには、２つの導体層１２の間に介在する絶縁層１１１及び絶縁層１１２を連続的に貫通するビア導体１３が形成されている。第１領域Ａ内のビア導体１３は導体層１２同士を接続している。ビア導体１３は、第１ビルドアップ部１０における第１領域Ａ及び第２領域Ｂ以外の部分にも形成されていて、そのビア導体１３は、絶縁層１１を貫通して導体層１２０と導体層１２とを接続するか、導体層１２０と導体層１０２とを接続している。一方、第２領域Ｂには、絶縁層１１１又は絶縁層１１２を貫通し、導体層１２１と導体層１２とを接続するビア導体１３１が形成されている。なお第２ビルドアップ部２０には絶縁層２１を貫通して、導体層２２と導体層１０２とを接続するか、導体層２２同士を接続するビア導体２３が形成されている。

第１領域Ａでは、絶縁層１１２の上面に導体層１２が形成されており、絶縁層１１１の上面には導体層は形成されていない。一方、第２領域Ｂでは、第１領域Ａと同様に、絶縁層１１２の上面に導体層１２が形成され、且つ、絶縁層１１１の上面には導体層１２１が形成されている。このように、実施形態の配線基板１を構成する複数の絶縁層は、配線基板１の第１面ＦＡを向く上面で導体層１２と接する絶縁層１１２（第１絶縁層）と、第１面ＦＡを向く上面で導体層１２１と接する絶縁層１１１（第２絶縁層）と、を含んでいる。

第２領域Ｂでは、Ｚ方向において隣り合う２つの導体層（導体層１２１及び導体層１２の間には１つの絶縁層（絶縁層１１１又は絶縁層１１２）が介在している。一方、第１領域Ａでは、Ｚ方向において隣り合う２つの導体層（いずれも導体層１２）の間に２つの絶縁層（絶縁層１１１及び絶縁層１１２）が介在している。すなわち、第２領域ＢにおいてＺ方向で隣り合う導体層同士（導体層１２１と導体層１２）の間隔は、第１領域ＡにおいてＺ方向で隣り合う導体層同士（２つの導体層１２同士）の間隔よりも小さい。従って、第２領域Ｂは、その内部でＺ方向において隣り合う導体層同士の間隔が、第１領域Ａにおいて隣り合う導体層同士の間隔よりも小さい領域、と定義づけられてもよい。

なお、図１の例では、絶縁層１１１、１１２それぞれの厚さは、導体層１２０と導体層１２又は導体層１０２との間に介在する絶縁層１１、及び第２ビルドアップ部２０において導体層２２同士の間に介在する絶縁層２１、それぞれの厚さよりも小さい。すなわち、図１の例では、Ｚ方向において第２領域Ｂ内で隣り合う導体層同士の間隔は、配線基板１の第２領域Ｂ以外の部分でＺ方向において隣り合ういずれの導体層同士の間隔よりも小さい。

実施形態の配線基板１において第２領域Ｂだけに形成される導体層１２１は、第１領域Ａ及び第２領域Ｂに渡って形成される導体層１２と別個に形成されるため、導体層１２の形成方法と異なる方法で形成され得る。そのため、導体層１２と導体層１２１とは異なる構造及び／又は特性を有し得る。例えば、高密度での配線パターンの配置に適した方法で導体層１２１が形成され、一方、導体層１２は、配線パターンの高密度配置が可能な方法よりも容易又は安価な方法で形成されてもよい。そして、実施形態の配線基板では、図１の例の第２領域Ｂにおいて導体層１２１と導体層１２とが交互に積層されているように、例えば高密度で配線パターンが配置され得る導体層、及びそれ以外の導体層は、配線基板の厚さ方向における任意の位置に積層され得る。例えば図１の例のように、導体層１２１と導体層１２とを共に、配線基板１の第１面ＦＡの近傍に積層することも、導体層１２１と導体層１２とを共に、第１面ＦＡよりもコア基板１００に近い位置に積層することも可能である。すなわち、配置密度や電気的特性について求められる要件が異なる配線それぞれにおいて配線基板の厚さ方向での位置の自由度が高いと考えられる。

さらに、本実施形態の配線基板１では、導体層１２１は第２領域Ｂだけに形成されるので、例えば高密度の配置が求められる配線を配線基板の限られた領域だけに形成することができる。そして、導体層１２１を含まない第１領域Ａでは、隣接する導体層の間隔を第２領域Ｂにおいて隣接する導体層の間隔よりも広くすることができる。そのため、例えば、１つの導体層１２に、より広範な範囲の特性インピーダンスを有する複数の配線パターンが形成され得ることがある。従って、隣接する導体層との間に求められる間隔が異なる配線パターン毎に導体層を設ける場合と比べて、少ない導体層で構成される厚さの小さい配線基板が得られることがある。

導体層１２、１０２、１２０、１２１、及び２２は、いずれも、任意の導体パターンを含んでいる。例えば、前述したように、最も第１面ＦＡ側の導体層１２は、導体パッド１２ｐを含んでいる。図１及び図２の例では、導体パッド１２ｐ及びその上の導体ポストＢＭは、全て、部品実装領域ＭＡ１又は部品実装領域ＭＡ２の内側に設けられている。図１においてその他の導体層１２のうち第１面ＦＡ側から２番目及び４番目の導体層１２は、配線パターンＤＷを含んでいる。そして、３つの導体層１２１は、それぞれ、複数の配線パターンＦＷを含んでいる。図２には、３つの導体層１２１のうちの最も第１面ＦＡ側の導体層１２１の配線パターンＦＷが破線で示されている。

配線パターンＦＷ及び配線パターンＤＷは、図示されていないが、いずれも、導体層１２及び導体層１２１などのいずれかの導体層が含む任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路である。配線パターンＦＷは、ビア導体１３１を介して２つの導体パッド１２ｐ同士を接続していてもよい。例えば図２に示される配線パターンＦＷの一部は、ビア導体１３１を介して、部品実装領域ＭＡ１に位置する導体ポストＢＭと部品実装領域ＭＡ２に位置する導体ポストＢＭとを接続している。従って、配線基板１の使用時には、配線パターンＦＷを介して、部品実装領域ＭＡ１に配置される部品の電極と部品実装領域ＭＡ２に配置される部品の電極とが電気的に接続される。

すなわち、配線パターンＦＷを含む導体層１２１が形成されている第２領域Ｂは、平面視で、２つの部品実装領域（部品実装領域ＭＡ１、ＭＡ２）の間に渡っていて２つの部品実装領域それぞれと部分的に重なっている。配線パターンＦＷの一部は、部品実装領域ＭＡ１と部品実装領域ＭＡ２との間に延びている。なお、配線基板１には、任意の数の部品が実装され得る。従って、第１面ＦＡは、１つ、又は２以上の任意の複数の部品実装領域を有し得る。そして第１面ＦＡが２以上の部品実装領域を有する場合、第２領域Ｂは、平面視でそのうちの少なくとも２つの領域の間に渡っていてその少なくとも２つの領域それぞれと部分的に重なっていてもよい。

図３に示されるように、第２領域Ｂだけに形成される導体層１２１が含む配線パターンＦＷは、配線幅Ｗ１、及び隣接する配線パターンＦＷとの間に間隔Ｇを有している。例えば導体層１２１に含まれる配線パターンＦＷのような複数の配線パターンの最小の配線幅は、導体層１２に含まれる配線パターンＤＷのような複数の配線パターンの最小の配線幅よりも小さくてもよい。また、導体層１２１に含まれる複数の配線パターンの各配線パターン同士の最小の間隔は、導体層１２に含まれる配線パターン同士の最小の間隔よりも小さくてもよい。微細なピッチで並ぶ配線パターンを特定の領域だけに設け得ることがある。

実施形態の配線基板において導体層１２１が含む配線パターンの配線幅の最小値は１μｍ以上、５μｍ以下であり得、その配線パターン同士の間隔Ｇの最小値は３μｍ以上、７μｍ以下であり得る。すなわち、導体層１２１は、５μｍ以下の配線幅を有し、且つ、隣接する配線パターンとの間に７μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいてもよい。図３の例において配線パターンＦＷの幅Ｗ１が１μｍ以上、５μｍ以下であり、配線パターンＦＷ同士の間隔Ｇが３μｍ以上、７μｍ以下であってもよい。配線パターンＦＷがこのように微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有していると、図１の第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２のような部品同士が、占有面積の小さい複数の信号線路で接続されると考えられる。従って、実施形態の配線基板１が、従来の配線基板と比べて小さく実現され得ることがある。

加えて、本実施形態の配線基板１では、このように微細な配線幅を有し得る配線パターンＦＷのような導体層１２１に含まれる配線パターンは、配線幅よりも大きな厚さを有していてもよい。そのため、本実施形態において導体層１２１に含まれる配線パターンは、比較的大きなアスペクト比（例えば配線パターンＦＷの厚さＴ／配線パターンＦＷの幅Ｗ１）を有し得る。例えば、導体層１２１に含まれる複数の配線パターンそれぞれのアスペクト比は２．０以上、４．０以下であり得る。

このようなアスペクト比を有する配線パターンは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得る。そのため、例えば配線パターンＦＷの挿入損失が低いことがある。そのため、少ない伝送損失で信号を伝播させ得ることがある。また、例えば配線パターンＦＷにおいて所望の特性インピーダンスが得られ易く、さらに挿入損失を低減し得ることがある。配線パターンＦＷの厚さＴ、すなわち、導体層１２１の厚さは、４μｍ以上、７μｍ以下であり得る。このような厚さが得られていると、実施形態の配線基板の厚さを顕著に増大させずに、前述したような挿入損失の低減などの効果が得られることがある。

実施形態の配線基板において、第２領域Ｂに形成される導体層１２１における配線基板１の第１面ＦＡを向く表面１２１ａは、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面であり得る。その場合、表面１２１ａは、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。従って、導体層１２１が含む配線パターンＦＷなどでは、高周波信号の伝送において見られる表皮効果による実質的な導体抵抗の増大による信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いことがある。また、表面１２１ａが研磨面であると、配線パターンＦＷなどの厚さが、その全長に渡って略一定になり易く、もって、配線パターンＦＷの特性インピーダンスに変動が生じ難いと考えられる。そのため、配線パターン１２１における反射損失が抑制されることがある。例えば、導体層１２１が表面１２１ａとして有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有し得る。そのような面粗度が得られていると、上記のような伝送特性に関する好ましい効果が得られることがある。

図３の例において、導体層１２、１２０、１２１、ビア導体１３、１３１、及び導体ポストＢＭは、下層１２ａと、下層１２ａ上に形成されている上層１２ｂとによって構成されている。上層１２ｂは、全面的に、下層１２ａの上に、すなわち、下層１２ａに対して配線基板１の第１面ＦＡ側に形成されている。導体層１２１を構成する上層１２ｂにおける第１面ＦＡ側の表面が、前述した研磨面であり得る。下層１２ａは、上層１２ｂと、上層１２ｂの直ぐ下側の絶縁層との間（例えば導体層１２１を構成する上層１２ｂと絶縁層１１１との間、又は、導体層１２を構成する上層１２ｂと絶縁層１１若しくは絶縁層１１２との間）に介在している。下層１２ａは、絶縁層１１１の上面１１１ａや絶縁層１１２の上面１１２ａのような、各絶縁層における第１面ＦＡ側の表面上に直接形成されている。

上層１２ｂは、電解めっきによって形成されるめっき膜からなる。一方、下層１２ａは、任意の方法で形成される金属膜からなる。特に導体層１２１を構成する下層１２ａは、例えばスパッタリングで形成されるスパッタ膜であり得る。一方、導体層１２を構成する下層１２ａは、無電解めっきで形成される無電解めっき膜であり得る。下層１２ａは、電解めっきによる上層１２ｂの形成時のめっき電流を通す電極であって、めっき金属の析出を促し得るシード層（又は給電層）として機能する。

下層１２ａがスパッタ膜からなる場合、スパッタ膜は、薄く均一な厚さに形成され易いので、導体層１２１などの導体層の上面の平坦性が高いことがある。加えて、下層１２ａがスパッタ膜からなる場合、導体層１２１などの導体層と絶縁層１１１などの絶縁層との強固な密着性が得られていることがある。さらに、スパッタ膜はそのように各絶縁層と強固に密着し得るので、所謂アンカー効果を得るべく各絶縁層の上面（例えば絶縁層１１１の上面１１１ａ）が大きな凹凸を有しなくてもいいことがある。そのため、導体層１２１などの導体層の形成時のシード層の不要部分の除去が速やか且つ十分に行われ、導体層１２１などにおいて、短絡防止や、所望の電気的特性の確保、並びに配線パターンの幅や厚さの低下抑制などの効果が得られることがある。

前述したように、実施形態の配線基板を構成する各絶縁層は、それぞれ、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂のような絶縁性樹脂で主に構成され、任意にシリカなどの無機フィラーを含み得る。しかし実施形態の配線基板では、絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、それぞれの上面１１１ａ、１１２ａの面粗度が互いに異なっている。なお、前述したように、絶縁層１１１は、導体層１２１のような第２領域Ｂだけに形成される導体層と上面１１１ａで接する絶縁層（第２絶縁層）であり、絶縁層１１２は、導体層１２のような第２領域Ｂ以外の領域にも形成される導体層と上面１１２ａで接する絶縁層（第１絶縁層）である。

また、絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、上面１１１ａ、１１２ａの面粗度の違いに加えて、それぞれの構成材料について互いに異なっていてもよい。例えば、絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、それぞれの構成材料において、エポキシ樹脂などの主成分の組成比、前述した無機フィラーの含有率、無機フィラーの粒径、及び／又は、それらに基づく比誘電率、誘電正接、熱膨張率などの特性に関して異なり得る。絶縁層１１１の上面１１１ａに形成される導体層１２１と、絶縁層１１２の上面１１２ａに形成される導体層１２とは、前述したように、配線パターンの配置密度や電気的特性に関して求められる要件が異なることがある。実施形態の配線基板では、これら各導体層がそれぞれの上面に形成される絶縁層１１１と絶縁層１１２とが、上面１１１ａ、１１２ａの状態に関して異なっている。さらに、絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、それぞれの構成材料について互いに異なっていてもよい。そのため、各導体層に求められる配線パターンの配置密度や電気的特性が適切に実現され易いことがある。

図４には、絶縁層１１１及び絶縁層１１２が、それぞれ、無機フィラー３ｓ、無機フィラー３ｂを含み、無機フィラー３ｓの粒径と無機フィラー３ｂの粒径とが異なっている、図３のIV部に相当する部分の一例が拡大して示されている。絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、さらに、上面１１１ａ及び上面１１２ａの面粗度に関して互いに異なっている。図４の例において絶縁層１１１は、前述した例えばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂１１ｍと、絶縁性樹脂１１ｍに添加されている粒状の無機フィラー３ｓとを含んでいる。図４の例において絶縁層１１２も同様にエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂１１ｍを含み、絶縁性樹脂１１ｍに添加されている粒状の無機フィラー３ｂを含んでいる。

そして、絶縁層１１１が含む無機フィラー３ｓの最大の粒径は、絶縁層１１２内の無機フィラー３ｂの最大の粒径よりも小さい。なお、無機フィラー３ｓ、３ｂ個々の「粒径」は、各無機フィラーの表面上の２点間の最長距離である。例えば、絶縁層１１１は、１μｍ以下の最大粒径を有する複数の無機フィラー３ｓを含み得る。絶縁層１１１に含まれる無機フィラー３ｓの粒径が小さいと、例えば、配線パターンＦＷのように微細なピッチで並ぶ配線パターン間においても、無機フィラー３ｓに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体１３１（図３参照）の形成が容易なことがある。

また、絶縁層１１１と絶縁層１１２とは、それぞれが含む無機フィラー３ｓ、３ｂの含有率が異なっていてもよい。例えば、絶縁層１１１が含む無機フィラー３ｓの含有率は、例えば、５０％以上、７０％以下程度であり得る。

例えばこのような無機フィラー３ｓ、３ｂの含有率やその粒径の違いによって、前述したように絶縁層１１１と絶縁層１１２との間で、比誘電率及び誘電正接が異なっていてもよい。例えば、導体層１１及び導体層１２１それぞれの導体パターンに求められる特性インピーダンスの実現の観点から、絶縁層１１１及び絶縁層１１２が、それぞれに固有の比誘電率を有していることが好ましいことがある。また、例えば配線パターンＤＷ（図３参照）を伝播する信号よりも高周波の信号が配線パターンＦＷを伝播する場合、高周波信号の良好な伝送特性を得るべく、絶縁層１１２よりも低い誘電率及び小さい誘電損失を有している絶縁層１１１が好ましいことがある。そのような場合には。絶縁層１１１の比誘電率は、絶縁層１１２の比誘電率よりも低く、且つ、絶縁層１１１の誘電正接は、絶縁層１１２の誘電正接よりも小さくてもよい。例えば、５．８ＧＨｚの周波数において絶縁層１１１の比誘電率は、３．０以上、４．０以下程度であり得、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度であり得る。

さらに、図４の例では、絶縁層１１１の上面１１１ａの面粗度は、絶縁層１１２の上面１１２ａの面粗度よりも低い。前述したように、絶縁層１１１の上面１１１ａ上に形成される導体層１２１の下層１２ａは、スパッタ膜であり得る。スパッタ膜からなる下層１２ａと絶縁層１１１との間には強固な密着性が得られるため、所謂アンカー効果を得るべく絶縁層１１１の上面１１１ａが大きな凹凸、すなわち高い面粗度を有しなくてもいいことがある。むしろ、低い面粗度を有する上面１１１ａの方が、後述されるような導体層１２１の形成において、シード層（給電層）として機能してその一部が下層１２ａを構成する金属膜の除去が、適切且つ速やかに行われ得ることがある。そして、その金属膜のエッチングによる除去の際の配線パターンＦＷの細りなどが抑制されることがある。従って、絶縁層１１２の上面１１２ａの面粗度よりも低い面粗度を有する絶縁層１１１の上面１１１ａが好ましいことがある。例えば絶縁層１１１は、上面１１１ａの面粗度として、０．０８μｍ以下の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）を有し得る。

次に、図５Ａ～図５Ｎを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、一実施形態の配線基板を製造する方法の一例が説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。

図５Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、絶縁層１０１の表面に金属箔が設けられた両面銅張積層板が用意される。この両面銅張積層板に、例えばドリル加工によって貫通孔１０３ｈが形成される。貫通孔１０３ｈの内壁及び金属箔の上面に、例えば無電解めっき膜が形成され、さらに、この無電解めっき膜を給電層として用いて電解めっき膜が形成される。この結果、貫通孔１０３ｈの内壁を被覆するスルーホール導体１０３が形成される。

スルーホール導体１０３の内部は、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、樹脂体１０３ｉで充填される。充填された樹脂体１０３ｉが固化された後、樹脂体１０３ｉ及び電解めっき膜の上面に、さらに無電解めっき膜及び電解めっき膜が形成される。この結果、絶縁層１０１の両面に導体層１０２が形成される。そして、例えばウェットエッチングによって導体層１０２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１００が得られる。

図５Ｂに示されるように、コア基板１００の第１主面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２０が形成される。コア基板１００の第２主面Ｆ２上には絶縁層２１が形成され、その絶縁層２１上に導体層２２が形成される。例えば、絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２０、２２は、例えばセミアディティブ法などの任意の導体層の形成方法を用いて形成される。コア基板１００の直ぐ上の絶縁層１１及び絶縁層２１には、それぞれ、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔１３ａ、２３ａが形成され、導体層１２０、２２の形成と共に、貫通孔１３ａ内にビア導体１３が形成され、貫通孔２３ａ内にビア導体２３が形成される。その後、導体層１２０の上にさらに絶縁層１１が形成されると共に、導体層２２の上にさらに絶縁層２１が形成され、これら絶縁層１１及び２１に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、貫通孔１３ａ、２３ａが形成される。

図５ＢのＶＢ部を拡大して示す円Ｃ内に示されるように、図５Ｂの例では、無機フィラー３ｂを含む絶縁層１１が形成されている。好ましくは、貫通孔１３ａの形成後、貫通孔１３ａ内に存在する樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理では、例えば、アルカリ性過マンガン酸塩を含む溶液に、貫通孔１３ａの内部や絶縁層１１の上面１１ａが晒される。図５Ｂに示される例では、円Ｃ内に示されるように、このデスミア処理によって、或いは、このデスミア処理とは別に実施される粗化処理によって、絶縁層１１の上面１１ａが、所望の面粗度を有するように粗化されている。なお、絶縁層１１の上面１１ａのデスミア処理は、上記のような特定の溶液を用いずに、後述するようなプラズマガスを用いて行われてもよい。粗化処理によって、セミアディティブ法による導体層１２０及び／又は導体層１２（図５Ｃ参照）の形成においてシード層として形成される金属膜と絶縁層１１との密着性が向上する。

図５Ｃに示されるように、導体層１２０を覆う絶縁層１１の上に、導体層１２が形成される。導体層１２は、前述された導体層１２０の形成と同様に、例えばセミアディティブ法によって形成される。コア基板１００の第２主面Ｆ２側においても、さらに導体層２２が形成される。導体層１２及び導体層２２の形成後、図５Ｍに示される導体ポストＢＭの形成が完了するまでの間、コア基板１００の第２主面Ｆ２側では、露出する導体層２２及び絶縁層２１の表面が、例えばＰＥＴフィルム（図示せず）などを用いて適宜保護され得る。

図５Ｄに示されるように、導体層１２及び絶縁層１１の上に、絶縁層１１１が形成される。絶縁層１１１は、絶縁層１１の形成と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を導体層１２及び絶縁層１１の上に熱圧着することによって形成され得る。絶縁層１１１には、ビア導体１３１（図１参照）の形成位置に、炭酸ガスレーザー光などの照射によって貫通孔１３２が形成される。

図５Ｅには、図５ＤのＶＥ部の拡大図が示されている。以下で参照される図５Ｆ～図５Ｉには、これら各図面を参照して説明される工程を経た後の図５Ｄに示されるＶＥ部に相当する部分の状態が拡大して示されている。図５Ｅに示されるように、絶縁層１１が含む無機フィラー３ｂの粒径よりも小さい最大粒径を有する無機フィラー３ｓを含む絶縁層１１１が形成されている。

貫通孔１３２の形成後、好ましくは、貫通孔１３２内に残る樹脂屑を除去するデスミア処理が行われる。図５Ｅの例では、デスミア処理によって、絶縁層１１１の上面１１１ａが僅かに粗化されている。しかし、図５Ｅに示されるように、絶縁層１１１の上面１１１ａの面粗度は、絶縁層１１の上面１１ａの面粗度よりも低くてもよい。

デスミア処理は、前述したように過マンガン酸塩溶液などの薬液を用いるウェット処理であってもよいが、ドライ処理であってもよい。例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理が、ドライ処理として行われてもよい。プラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層１１１の上面１１１ａの浸食が抑制され、そのため、デスミア処理を通じた上面１１１ａの面粗度の上昇が抑制されることがある。

図５Ｆに示されるように、貫通孔１３２内及び絶縁層１１１の上面１１１ａの全面に、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜１２ａａが形成される。金属膜１２ａａは、後述される電解めっき膜１２ｂａ（図５Ｇ参照）の形成時にシード層（給電層）として機能する金属膜である。例えばスパッタリングで金属膜１２ａａが形成されると、絶縁層１１１との間で高い密着性を示すシード層が形成されることがある。そのため、前述したように、絶縁層１１１の上面１１１ａの面粗度がさほど高くなくても、すなわち、所謂アンカー効果の作用がさほど強くなくても、絶縁層１１１と金属膜１２ａａとの剥離が生じ難いと考えられる。なお金属膜１２ａａの一部は、配線基板１の完成時に導体層１２１の下層１２ａ（図３参照）を構成する。

さらに、図５Ｆに示されるように、金属膜１２ａａ上に、金属膜１２ａａを露出させる溝状の複数の開口部Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が形成される。図５Ｆの例では、金属膜１２ａａに覆われた貫通孔１３２を露出させる開口部Ｒ１２をさらに含むめっきレジストＲ１が形成されている。めっきレジストＲ１は、例えばドライフィルムレジストのラミネートにより形成され、露光及び現像によって開口部Ｒ１１、Ｒ１２が形成される。開口部Ｒ１１、Ｒ１２は、絶縁層１１１上に形成される導体層１２１（図５Ｉ参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。また、開口部Ｒ１１は、導体層１２１が有すべき配線パターン（例えば図３に例示の配線パターンＦＷ）の幅及び配線間隔に応じた幅及び間隔を有するように形成される。好ましくは、形成される導体層１２１の厚さを超える厚さ（開口部Ｒ１１の深さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。

図５Ｇに示されるように、めっきレジストＲ１の複数の開口部Ｒ１１内、及び開口部Ｒ１２内に、金属膜１２ａａを給電層として用いる電解めっきによって電解めっき膜１２ｂａが形成される。好ましくは、めっきレジストＲ１よりも厚い電解めっき膜１２ｂａが形成される。例えば銅やニッケルなどからなる電解めっき膜１２ｂａが形成される。絶縁層１１１の貫通孔１３２内にはビア導体１３１が形成される。電解めっき膜１２ｂａの一部は、配線基板１の完成時には、絶縁層１１１上に形成される導体層１２１の上層１２ｂ（図３参照）を構成する。電解めっき膜１２ｂａは、図５Ｇの例のように、開口部Ｒ１１、Ｒ１２内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。

めっきレジストＲ１の上面からの突出部分を含む電解めっき膜１２ｂａの上面側の一部が、図５Ｈに示されるように、研磨によって除去される。めっきレジストＲ１の上面側の一部も電解めっき膜１２ｂａの一部と共に研磨によって除去されてもよい。電解めっき膜１２ｂａ及びめっきレジストＲ１の研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により行われる。電解めっき膜１２ｂａは、その上面の高さ（絶縁層１１１の上面１１１ａからの高さ）が、例えば４μｍ以上、７μｍ以下になるように、研磨される。研磨の結果、電解めっき膜１２ｂａの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有し得る。電解めっき膜１２ｂａの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。

さらに、図５Ｉに示されるように、金属膜１２ａａにおける電解めっき膜１２ｂａに覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。前述したように、プラズマガスを用いてデスミア処理を行うことによって絶縁層１１１の上面１１１ａの粗化が抑制されていると、金属膜１２ａａの不要部分が、適切に、しかも速やかに除去される。従って、絶縁層１１１の上面１１１ａ上の配線パターンＦＷなどの導体パターンにおいて、隣接する導体パターン間の短絡不良や絶縁性の低下が生じ難いと考えられる。

金属膜１２ａａの不要部分の除去の結果、図５Ｊに示されるように、配線パターンＦＷなどの互いに電気的に分離された所定の導体パターンを含む導体層１２１が得られる。導体層１２１は、特定の領域（第２領域Ｂ）だけに形成される。

図５Ｋに示されるように、導体層１２１及び絶縁層１１１の上に、絶縁層１１２が積層され、絶縁層１１２内にビア導体１３１が形成されると共に、絶縁層１１２の上面１１２ａに導体層１２が形成される。

絶縁層１１２は、前述した絶縁層１１の形成方法と同様に、例えばエポキシ樹脂などのフィルム状の絶縁性樹脂を導体層１２１及び絶縁層１１１の上に熱圧着することによって形成される。例えば、絶縁層１１の構成材料と同じ構成材料からなる絶縁層１１２が形成される。しかし、実施形態の配線基板の製造工程では、構成材料について、絶縁層１１１とは異なる絶縁層１１２が形成されてもよい。例えば、絶縁層１１１に含まれる無機フィラー３ｓ（図５Ｅ参照）の最大粒径よりも大きな粒径を有する無機フィラー３ｂ（図４参照）を含む絶縁層１１２が形成されることがある。そして、実施形態の配線基板の製造工程では、表面状態について、絶縁層１１１とは異なる絶縁層１１２が形成される。例えば、フィルム状樹脂の熱圧着後、導体層１２及びビア導体１３１の形成の前に、絶縁層１１２の上面１１２ａが、前述したような特定の溶液を用いるデスミア処理や粗化処理によって粗化されてもよい。その結果、絶縁層１１２ａの上面１１２ａが、絶縁層１１１の表面１１１ａよりも高い面粗度を有してもよい。

絶縁層１１２上への導体層１２の形成及び絶縁層１１２内へのビア導体１３１の形成は、例えば、図５Ｂ及び図５Ｃを参照して説明された導体層１２０及び導体層１２の形成方法と同様にセミアディティブ法によって行われる。このセミアディティブ法において電解めっきの給電層として絶縁層１１２上に形成されて導体層１２の下層１２ａ（図３参照）を構成する金属膜（図示せず）は、無電解めっきやスパッタリングによって形成され得る。前述したように、絶縁層１１２の上面１１２ａが比較的高い面粗度を有している場合、給電層として機能する金属膜が無電解めっきによって形成されても、十分なアンカー効果によって絶縁層１１２から剥離し難い金属膜が形成されると考えられる。

なお、平面視で導体層１２１が形成されていない領域では、絶縁層１１１と絶縁層１１２とを連続的に貫通するビア導体１３が、絶縁層１１２上への導体層１２の形成と共に形成されている。

図５Ｌに示されるように、図５Ｄ～図５Ｋを参照して説明された方法と同様の方法で、絶縁層１１１、導体層１２１、絶縁層１１２、及び、導体層１２の形成が、２回繰り返される。第１ビルドアップ部１０の形成が完了する。

図５Ｍに示されるように、第１ビルドアップ部１０の上に、ソルダーレジスト１１０が形成される。例えば、スプレーイングやカーテンコーティング、又はラミネートなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂などによる樹脂膜が形成される。その樹脂膜に、露光及び現像により、導体パッド１２ｐを露出させる開口１１０ａが形成される。開口１１０ａから露出する導体パッド１２ｐ上には、開口１１０ａを充填してソルダーレジスト１１０の上に突出する導体ポストＢＭが形成される。導体ポストＢＭは、例えばセミアディティブ法と同様の方法、すなわち、無電解めっき又はスパッタリング、図示されないめっきレジストの形成、電解めっき、めっきレジストの除去、及びクイックエッチングなどのステップを経ることにより形成される。

図５Ｎに示されるように、コア基板１００の第２主面Ｆ２側において、図５Ｂを参照して説明された絶縁層２１及び導体層２２の形成が、３回繰り返される。最も外側の導体層２２上に、導体層２２の一部を露出させる開口２１０ａを有するソルダーレジスト２１０が、上述したソルダーレジスト１１０の形成方法と同様の方法で形成される。以上の工程を経ることによって、図１の配線基板１が完成する。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は、コア基板を必ずしも含まず、所謂コアレス配線基板であってもよい。図１に例示の配線基板１が備える導体ポストＢＭは、実施形態の配線基板に必ずしも備えられない。図１～図３の例において絶縁層１１１及び絶縁層１１２は、必ずしも無機フィラーを含まない。絶縁層１１１及び絶縁層１１２は、含有する無機フィラーの最大粒径に関して、必ずしも互いに異ならない。実施形態の配線基板は第２領域を複数有していてもよい。

１ 配線基板
１１ 絶縁層
１１ｍ 絶縁性樹脂
１１１ 絶縁層（第２絶縁層）
１１１ａ 絶縁層１１１の上面
１１２ 絶縁層（第１絶縁層）
１１２ａ 絶縁層１１２の上面
１２ 導体層（第１導体層）
１２１ 導体層（第２導体層）
１２１ａ 導体層１２１の第１面を向く表面
１２ａ 導体層１２、１２１の下層
１２ｂ 導体層１２、１２１の上層
３ｂ、３ｓ 無機フィラー
Ａ 第１領域
Ｂ 第２領域
ＤＷ 導体層１２に含まれる配線パターン
ＦＷ 導体層１２１に含まれる複数の配線パターン
ＦＡ 第１面
Ｇ 配線間隔
ＭＡ１、ＭＡ２ 部品実装領域
Ｗ１ 配線幅

Claims (12)

1. 積層されている複数の絶縁層と、
   前記複数の絶縁層のいずれかを介して積層されている複数の導体層と、
   を含んでいて、
   前記複数の絶縁層の積層方向と交差する外表面として第１面を有する配線基板であって、
   前記配線基板は、さらに、前記複数の絶縁層及び前記複数の導体層の一部によってそれぞれ構成されていて互いに隣接する第１領域及び第２領域を有し、
   前記複数の導体層は、
   前記第１領域及び前記第２領域に渡って形成されている第１導体層と、
   前記第２領域内だけに形成されていて、前記第２領域において前記複数の絶縁層のいずれかを挟んで前記第１導体層と交互に積層されている第２導体層と、を含み、
   前記複数の絶縁層は、前記第１面を向く上面で前記第１導体層と接する第１絶縁層と、前記第１面を向く上面で前記第２導体層と接する第２絶縁層と、を含み、
   前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、前記第１面を向く上面の面粗度が互いに異なっている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第２絶縁層は、絶縁性樹脂と、前記絶縁性樹脂に添加されている粒状の無機フィラーとを含んでおり、
   前記無機フィラーの最大の粒径は、前記第１絶縁層内の無機フィラーの最大の粒径よりも小さい。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層の前記上面の面粗度は、前記第１絶縁層の前記上面の面粗度よりも低い。
4. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第２絶縁層の比誘電率は、前記第１絶縁層の比誘電率よりも低く、
   前記第２絶縁層の誘電正接は、前記第１絶縁層の誘電正接よりも小さい。
5. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第２導体層は複数の配線パターンを含み、
   前記複数の配線パターンの最小の配線幅は、前記第１導体層に含まれる配線パターンの最小の配線幅よりも小さく、
   前記複数の配線パターンの各配線パターン同士の最小の間隔は、前記第１導体層に含まれる配線パターン同士の最小の間隔よりも小さい。
6. 請求項５記載の配線基板であって、
   前記複数の配線パターンの最小の配線幅は５μｍ以下であり、
   前記複数の配線パターンの各配線パターン同士の最小の間隔は７μｍ以下である。
7. 請求項５記載の配線基板であって、前記複数の配線パターンそれぞれのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
8. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体層における前記第１面を向く表面は研磨面である。
9. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１導体層及び前記第２導体層は、それぞれ、前記第１絶縁層の前記上面又は前記第２絶縁層の前記上面の上に直接形成されている下層と、前記下層上に形成されていてめっき膜からなる上層と、によって構成されており、
   前記第２導体層を構成する前記下層はスパッタ膜からなる。
10. 請求項９記載の配線基板であって、前記第１導体層を構成する前記下層は無電解めっき膜からなる。
11. 請求項１記載の配線基板であって、
    前記第１面は、それぞれに部品が配置される２以上の部品実装領域を有しており、
    前記第２領域は、平面視で、前記２以上の部品実装領域のうちの少なくとも２つの領域の間に渡っていて前記少なくとも２つの領域それぞれと部分的に重なっている。
12. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１領域において前記複数の絶縁層の積層方向において隣り合う前記第１導体層同士の間には、前記複数の絶縁層のうちのいずれか２つが介在している。

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