JP2024031363A - 真空バルブ - Google Patents

Abstract

【課題】既存の電極の大きさ（直径）を変えること無く、通電（投入）時における通電容量を一定に維持しつつ、電流遮断時における縦磁界を電極対向面の広範囲に亘って満遍なく形成することが可能な真空バルブを提供する。【解決手段】互いに離接可能に配置された一対の電極Ｅ１,Ｅ２を具備し、一対の電極は、それぞれ、離接可能に対向させて配置される円板形状の導電性の接触子１２,１４と、接触子の外周縁に沿って設けられ、導電率の異なる中空円筒形状を成し、かつ、互いに隣接させて配置された複数の通電構造１９,２０とを有し、複数の通電構造には、それぞれ、スリット２１,２２が周方向に沿って通電構造を貫通させて配置されている。【選択図】図３

Description

この発明の実施形態は、真空バルブに関する。

ビルや大型施設に設けられる受配電用の開閉装置として、例えば、遮断器や断路器などの開閉器を具備したスイッチギヤが知られている。スイッチギヤには、開閉器の構成要素として真空バルブが適用されている。真空バルブの内部は、絶縁容器によって一定の絶縁状態に維持され、この絶縁容器の内部に一対の電極が離接可能に収容されている。この場合、一対の電極を離接操作することで、事故電流の遮断や負荷電流の開閉が行われ、スイッチギヤから電力が安定して供給される。

特許第７００３３０９号公報 特開２０１９－５３９５５号公報 特許第４１７０５９８号公報

ところで、通電（投入）状態から電流遮断状態に移行する際に、一対の電極を離間（即ち、真空バルブを開放）させたとき、電極相互間に発生したアーク放電（以下、アークと言う）がピンチ効果によって局所的に集中し、これにより、電極相互の対向面（以下、電極対向面と言う）が局所的に加熱されて表面温度が上昇する場合がある。

このような局所的な熱負荷を軽減する方策としては、縦磁界電極（スリット電極とも言う）を具備した真空バルブが知られている。縦磁界電極は、螺旋状に延在するスリットが周方向に沿って等間隔に配置された中空円筒形状の通電構造を有し、各スリットは、当該通電構造を貫通させて構成されている。

これにより、中空円筒形状の通電構造は、複数のスリットによって螺旋状に分割された複数の通電部を有して構成されている。これら複数の通電部は、それぞれ、螺旋状の輪郭形状を成し、周方向に沿って等間隔に配置されている。

このような縦磁界電極によれば、一対の電極を離間させた電流遮断時（真空バルブの開放時）に、交流の電流が、スリットを避けるように通電部に沿って周方向に流れる。このとき、電極相互間に縦磁界が形成される。縦磁界では、例えば、真空バルブの中心を規定する仮想軸線と平行な方向（即ち、軸方向）に磁力線が発生する。

ここで、アークを構成する荷電粒子は、縦磁界を構成する磁力線に巻き付く特性を有している。このため、この縦磁界を電極対向面の広範囲に亘って満遍なく形成できれば、アークを広範囲に分散させることが可能となる。これにより、電極対向面の局所的な熱負荷を軽減させることができる。

この場合、縦磁界を電極対向面の広範囲に亘って満遍なく形成する方法としては、例えば、電極対向面を拡げるように電極の大きさ（例えば、直径）を拡大する方法、或いは、既存の電極の大きさ（直径）を変えること無く、磁力線を電極対向面の外周縁に沿って発生させるように中空円筒形状の通電構造の厚さを薄くする方法などが想定される。

しかしながら、電極の大きさ（例えば、直径）を拡大することは、真空バルブの内部構造上、一定の限界（制限）がある。一方、通電構造の厚さを薄くすると、その分だけ通電部の断面積（即ち、通電経路）が小さくなり、通電抵抗が増加するため、一対の電極を接触させた通電（投入）時における通電容量が減少してしまう。

本発明の目的は、既存の電極の大きさ（直径）を変えること無く、通電（投入）時における通電容量を一定に維持しつつ、電流遮断時における縦磁界を電極対向面の広範囲に亘って満遍なく形成することが可能な真空バルブを提供することにある。

実施形態によれば、互いに離接可能に配置された一対の電極を具備し、一対の電極は、それぞれ、離接可能に対向させて配置される円板形状の導電性の接触子と、接触子の外周縁に沿って設けられ、導電率の異なる中空円筒形状を成し、かつ、互いに隣接させて配置された複数の通電構造とを有し、複数の通電構造には、それぞれ、スリットが周方向に沿って通電構造を貫通させて配置されている。

一実施形態（図１～図５）に係る真空バルブの内部構造を示す図。 図１に示す一対の電極の外観構成を示す斜視図。 縦磁界電極の内部の（スリット整合）構成を示す断面図。 縦磁界電極を構成する外側通電構造の斜視図。 縦磁界電極を構成する内側通電構造の斜視図。 第１変形例に係る縦磁界電極の内部の（スリット非整合）構成を示す断面図。 第２変形例に係る内側通電構造を上から見た斜視図。 第２変形例に係る内側通電構造を下から見た斜視図。 第３変形例に係る内側通電構造を上から見た斜視図。 第３変形例に係る内側通電構造を下から見た斜視図。 第４変形例に係る外側及び内側通電構造を分解して示す斜視図。 第５変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。 第６変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。 第７変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。 第８変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。 第９変形例に係る縦磁界電極の内側通電構造の斜視図。 第１０変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。 第１１変形例に係る縦磁界電極の部分断面図。

「一実施形態」
図１は、本実施形態に係る真空バルブＰの内部構造図である。真空バルブＰは、固定電極Ｅ１と、可動電極Ｅ２と、絶縁容器１（真空容器とも言う）と、固定側封着部材２と、可動側封着部材３と、気密維持機構４と、アークシールド５とを有している。固定電極Ｅ１、可動電極Ｅ２、気密維持機構４、アークシールド５は、絶縁容器１に収容されている。

図１の例において、絶縁容器１は、例えば、アルミナセラミックなどの絶縁材料で中空円筒形状に成形されている。固定側封着部材２及び可動側封着部材３は、例えば、ステンレス鋼を主成分とする金属材料で構成されている。

図１に示すように、中空円筒形状の絶縁容器１は、真空バルブＰ（後述する円板形状の接触子１２,１４）の中心を規定する仮想軸線Ｐｘを中心とした同心円状を成している。絶縁容器１は、仮想軸線Ｐｘ方向で見て、その両端が開口されている。双方の開口（固定側開口Ｋ１、可動側開口Ｋ２）は、固定側封着部材２、及び、可動側封着部材３によって覆われている。具体的には、固定側封着部材２は、固定側封着金具６を介して、絶縁容器１の一方の固定側開口Ｋ１を閉塞している。可動側封着部材３は、可動側封着金具７を介して、絶縁容器１の他方の可動側開口Ｋ２を閉塞している。

アークシールド５は、例えば、銅やステンレス鋼などを主成分とする金属材料で構成されている。アークシールド５は、中空円筒形状を成し、絶縁容器１に固定されている。アークシールド５は、その内部（内側）に、後述する固定電極Ｅ１の固定接点８、並びに、可動電極Ｅ２の可動接点１０を収容するように配置されている。なお、アークシールド５の固定方法としては、絶縁容器１以外に、例えば、固定側封着部材２や可動側封着部材３に固定される場合も想定される。

固定電極Ｅ１及び可動電極Ｅ２は、仮想軸線Ｐｘを中心に同心状に構成されていると共に、仮想軸線Ｐｘに沿って整列して延在されている。この状態において、固定電極Ｅ１と可動電極Ｅ２とは、それぞれの電極対向面（固定側電極対向面Ｅ１ｓ、可動側電極対向面Ｅ２ｓ）が平行に対向するように位置付けられている。

固定電極Ｅ１は、固定接点８と、固定通電軸９とを備えている。可動電極Ｅ２は、可動接点１０と、可動通電軸１１とを備えている。上記した一方の電極対向面Ｅ１ｓは、固定接点８に設けられ、他方の電極対向面Ｅ２ｓは、可動接点１０に設けられている。固定通電軸９及び可動通電軸１１は、互いに同一の直径を有する円柱形状を成し、導電率の高い材料（例えば、Ｃｕ）で構成されている。

固定接点８及び可動接点１０は、双方の電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓが平行に対向するように、互いに対向させて配置されている。図１の例において、固定接点８は、接触子１２と、通電体１３とから構成されている。固定側電極対向面Ｅ１ｓは、接触子１２の表面１２ａに規定され、接触子１２の裏面１２ｂ（表面１２ａの反対側）には、通電体１３が接続されている。固定接点８の通電体１３は、固定通電軸９の一端に接続され、固定通電軸９の他端は、固定側封着部材２を介して、仮想軸線Ｐｘに沿って移動不能に真空バルブＰに固定されている。

図１の例において、可動接点１０は、接触子１４と、通電体１５とから構成されている。可動側電極対向面Ｅ２ｓは、接触子１４の表面１４ａに規定され、接触子１４の裏面１４ｂ（表面１４ａの反対側）には、通電体１５が接続されている。可動接点１０の通電体１５は、可動通電軸１１の一端に接続され、可動通電軸１１の他端は、可動側封着部材３を介して、図示しない操作機構に連結されている。なお、固定接点８及び可動接点１０の構造並びに材質については、後述する図２～図５の説明において詳述する。

ここで、図１に示すように、操作機構によって可動通電軸１１を仮想軸線Ｐｘに沿って移動させる。これにより、可動接点１０を固定接点８に対して離接、具体的には、双方の電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓを離接させることができる。この結果、真空バルブＰを開閉操作（即ち、一対の電極Ｅ１,Ｅ２を離接操作）することができる。

更に、可動通電軸１１と可動側封着部材３との間には、気密維持機構４が配置されている。気密維持機構４は、伸縮性を有するベローズで構成され、ベローズ（気密維持機構）４は、例えば、ステンレスなどの薄い金属で構成されている。ベローズ４は、仮想軸線Ｐｘ方向に伸縮可能な蛇腹状を成し、可動通電軸１１の外側を隙間無く覆っている。

ベローズ４は、その一端が可動側封着部材３に隙間無く接合され、その他端が可動通電軸１１に隙間無く接合されている。これにより、絶縁容器１の内部は、常に気密状態（即ち、真空状態）に維持される。この結果、真空バルブＰの開閉操作に際し、可動通電軸１１を仮想軸線Ｐｘに沿って移動させている間も、絶縁容器１の内部に大気（空気）が浸入することはない。

ところで、一対の電極Ｅ１,Ｅ２を離間させた真空バルブＰの開放時（電流遮断時）、電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓ相互間に発生したアークによって、電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓが局所的に加熱されて表面温度が上昇する場合がある。この場合、アークを広範囲に分散できれば、電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓの局所的な熱負荷を軽減させることができる。そこで、本実施形態の真空バルブＰには、一対の電極Ｅ１,Ｅ２として、縦磁界電極（縦磁界固定電極Ｅ１、縦磁界可動電極Ｅ２）が適用されている。

図２は、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の斜視構成図である。縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２において、固定接点８の接触子１２と、可動接点１０の接触子１４とは、互いに接離可能に対向させて配置されている。接触子１２,１４は、導電性を有する材料（例えば、Ｃｕ－Ｃｒ合金）で成形されている。

図２の例において、双方の接触子１２,１４は、互いに同一の大きさの円板形状を有している。これら接触子１２,１４に接続された通電体１３,１５は、互いに同一の大きさの円筒形状を有している。この場合、円板形状の接触子１２,１４の直径（外径）と、円筒形状の通電体１３,１５の直径（外径）とは、互いに同一寸法に設定されている。更に、円板形状の接触子１２,１４の中心と、円筒形状の通電体１３,１５の中心は、互いに仮想軸線Ｐｘ上に位置決めされている。

図２に示すように、固定接点８には、複数のスリット構造１６が設けられている。これら複数のスリット構造１６は、仮想軸線Ｐｘを中心に周方向に沿って等間隔に配置されている。各スリット構造１６は、通電体１３から接触子１２に亘って構成され、仮想軸線Ｐｘを中心に螺旋状に延在している。

可動接点１０には、複数のスリット構造１７が設けられている。これら複数のスリット構造１７は、仮想軸線Ｐｘを中心に周方向に沿って等間隔に配置されている。各スリット構造１７は、通電体１５から接触子１４に亘って構成され、仮想軸線Ｐｘを中心として螺旋状に延在している。

このような構成において、可動電極Ｅ２（可動接点１０）を固定電極Ｅ１（固定接点８）から離間させた際（即ち、電流遮断時）、交流の電流ＡＣが、スリット構造１６,１７を避けるように通電体１３,１５に沿って周方向に流れる。このとき、電極Ｅ１,Ｅ２相互間には、仮想軸線Ｐｘと平行な方向に沿って、縦磁界（磁力線）Ｍｆが形成される。

この場合、固定接点８及び可動接点１０の内部には、この縦磁界Ｍｆを電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓの広範囲に亘って満遍なく形成させる構造（これにより、アークを広範囲に分散させる構造）が設けられている。

図３は、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の接点８,１０の内部構造図である。双方の接点８,１０の内部構造は、互いに同一の構成を有している。接点８,１０は、それぞれ、接触子１２,１４と、通電体１３,１５と、補強部材１８と、スリット構造１６,１７とを備えて構成されている。なお、スリット構造１６,１７については、図４及び図５を参照して後述する。

図３に示すように、通電体１３,１５は、それぞれ、複数の通電構造を有している。各通電構造は、導電率の異なる中空円筒形状の輪郭を有し、接触子１２,１４の外周縁（即ち、上記した裏面１２ｂ,１４ｂの外周縁）に沿って設けられている。

図３の例において、通電体１３,１５は、それぞれ、２つの通電構造（外側通電構造１９、内側通電構造２０）を有している。この場合、双方の通電構造１９,２０の厚さを互いに同一に設定してもよいし、或いは、互いに相違するように設定してもよい。例えば、外側通電構造１９を内側通電構造２０よりも厚く設定する。或いは、外側通電構造１９よりも内側通電構造２０を厚く設定する。

２つの通電構造１９,２０は、互いに直径（外径）の異なる中空円筒形状の輪郭を有している。外側通電構造１９には、上記した通電軸９,１１の一端が接続されている。外側通電構造１９のうち、通電軸９,１１の一端が接続された部分（以下、基端部１９Ｐ－１と言う）は閉塞され、当該基端部１９Ｐ－１には、外側通電構造１９の内部を規定する円形状の内底面１９ａが構成されている。

円形状の内底面１９ａは、凹凸の無い平坦状を成し、仮想軸線Ｐｘに直交する方向に沿って当該仮想軸線Ｐｘを中心に円形状に拡がって構成され、その外周縁は、外側通電構造１９の内部を規定する内周面１９ｂに連続している。

外側通電構造１９の内周面１９ｂは、中空円筒形状を成し、仮想軸線Ｐｘと平行な方向に沿って延在している。中空円筒形状の内周面１９ｂは、その全体に亘って仮想軸線Ｐｘを中心に同一の直径（内径）に設定されている。

外側通電構造１９は、仮想軸線Ｐｘの方向において、基端部１９Ｐ－１の反対側（以下、先端部１９Ｐ－２と言う）が円形状に開口されている。これにより、外側通電構造１９の内部は、先端部１９Ｐ－２が開口され、基端部１９Ｐ－１が閉塞された中空円筒形状の輪郭に構成されている。

外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２は、仮想軸線Ｐｘを中心に円形状に開口されている。この円形状の開口を囲む（規定する）ように、外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２には、中空円環形状の先端面１９ｓが構成されている。この先端面１９ｓは、上記した接触子１２,１４に通電体１５を接続させる際に、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対向させて配置可能に構成されている。

このような外側通電構造１９によれば、円形状に開口された先端部１９Ｐ－２から閉塞された基端部１９Ｐ－１（即ち、外側通電構造１９の内部）に向けて、内側通電構造２０を挿入することが可能になっている。

内側通電構造２０は、仮想軸線Ｐｘの方向において、両端部（基端部２０Ｐ－１、先端部２０Ｐ－２）が開口された中空円筒形状に構成されている。内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１には、中空円環形状（リング状とも言う）の通電フランジ２０ｆが径方向内側に向けて突設されている。通電フランジ２０ｆは、周方向に沿って連続して構成されている。内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１には、通電フランジ２０ｆを含めた領域において、内側通電構造２０の外部を規定するリング状の外底面２０ａが構成されている。

リング状の外底面２０ａは、凹凸の無い平坦状を成し、仮想軸線Ｐｘに直交する方向に沿って当該仮想軸線Ｐｘを中心に中空円環形状に拡がって構成され、その外周縁は、内側通電構造２０の外部を規定する外周面２０ｂに連続している。

内側通電構造２０の外周面２０ｂは、円筒形状を成し、仮想軸線Ｐｘと平行な方向に沿って延在している。円筒形状の外周面２０ｂは、その全体に亘って仮想軸線Ｐｘを中心に同一の直径（外径）に設定されている。

内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２は、仮想軸線Ｐｘを中心に円形状に開口されている。この円形状の開口を囲む（規定する）ように、内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２には、中空円環形状の先端面２０ｓが構成されている。この先端面２０ｓは、上記した接触子１２,１４に通電体１５を接続させる際に、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対向させて配置可能に構成されている。

このような内側通電構造２０によれば、当該内側通電構造２０を上記した外側通電構造１９の内部に挿入することが可能になっている。例えば、内側通電構造２０の通電フランジ２０ｆが設けられた基端部２０Ｐ－１を、外側通電構造１９の円形状に開口された先端部１９Ｐ－２から閉塞された基端部１９Ｐ－１に向けて挿入する。

このとき、内側通電構造２０の外底面２０ａは、外側通電構造１９の内底面１９ａに接触する。これら双方の外底面２０ａ及び内底面１９ａは、上記したように、凹凸の無い平坦状を成し、仮想軸線Ｐｘに直交する方向に沿って当該仮想軸線Ｐｘを中心に拡がって構成されている。これにより、外底面２０ａ及び内底面１９ａは、互いに隙間無く面状に接触する。この結果、内側通電構造２０は、外側通電構造１９の内部で安定した姿勢に維持される。

ここで、例えば、外側通電構造１９の内径（即ち、内周面１９ｂの直径）と、内側通電構造２０の外径（即ち、外周面２０ｂの直径）とを一致させる。そうすると、内側通電構造２０を外側通電構造１９の内部に挿入した状態において、これら２つの通電構造１９,２０は、円板形状の接触子１２,１４の外周側から内周側に向かって（即ち、仮想軸線Ｐｘに直交する方向において）、互いに隙間無く隣接（接触）して配置される。

このとき、内側通電構造２０は、その外底面２０ａ及び外周面２０ｂが外側通電構造１９の内底面１９ａ及び内周面１９ｂによって面状に支持された状態に維持される。これにより、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離接動作させた際に、双方の通電構造１９,２０が相対的に離間したり接触したりすることが防止される。

例えば、双方の通電構造１９,２０において、その底面１９ａ,２０ａ同士が互いに離間したり接触したり、或いは、その周面１９ｂ,２０ｂ同士が互いに離間したり接触したりすることが防止される。換言すると、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の離接動作中において、双方の通電構造１９,２０（即ち、底面１９ａ,２０ａ同士、及び、周面１９ｂ,２０ｂ同士）は、常に隙間無く隣接（接触）した状態に維持される。この結果、これら通電構造１９,２０から構成された通電体１３,１５全体としての通電特性（導電率）が一定に維持される。

更に、このような状態を維持するために、上記した接触子１２,１４と通電体１３,１５（外側通電構造１９、内側通電構造２０）とが電気的に堅牢に接続されている。図３の例において、接続箇所としては、外側通電構造１９の内底面１９ａと内側通電構造２０の外底面２０ａとの間、外側通電構造１９の先端面１９ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間を想定する。

接続方法としては、ロウ付け法を適用する。ロウ付け法は、接合する２つの母材の相互間（上記した接続箇所）に、融点が母材より低いロウ材（例えば、銀、亜鉛、銅を混合した銀ロウ）を溶かして落とし、毛細管現象によって浸透拡散させる。この後、ロウ材を冷却させて凝固させることで、上記した接続箇所がロウ付け接合される。ロウ付け法は、母材自体を溶融させずに接合できるため、母材を傷めることは無い。

更に、上記した縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の接点８,１０の内部には、補強部材１８が設けられている。補強部材１８は、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂと外側通電構造１９の内底面１９ａとの間に配置されている。接点８,１０の内部に配置された状態において、補強部材１８は、仮想軸線Ｐｘと平行な方向に沿って延在している。

補強部材１８は、仮想軸線Ｐｘを中心に延在した円柱形状を有している。補強部材１８は、仮想軸線Ｐｘ方向で見て、その両端側（基端側、先端側）に円板形状の補強フランジ１８ｆ－１,１８ｆ－２を有している。双方の補強フランジ１８ｆ－１,１８ｆ－２の径方向中心は、仮想軸線Ｐｘ上に位置決めされている。

一方（先端側）の補強フランジ１８ｆ－１は、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに当接し、接触子１２,１４を広範囲に亘って支持可能に構成されている。他方（基端側）の補強フランジ１８ｆ－２は、上記した中空円環形状（リング状）の通電フランジ２０ｆを越えて、外側通電構造１９の内底面１９ａに当接している。このため、基端側の補強フランジ１８ｆ－２は、先端側の補強フランジ１８ｆ－１よりも小径に構成されている。

このような補強部材１８によれば、縦接触子１２,１４の姿勢や形状が常時一定に維持される。これにより、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の接点８,１０全体としての通電特性（導電率）が一定に維持される。

更に、接点８,１０に設けられたスリット構造１６,１７は、外側スリット２１と、内側スリット２２と、対向スリット２３とを備えて構成されている。対向スリット２３は、接触子１２,１４の外周縁に沿って周方向に等間隔で設けられている。対向スリット２３は、接触子１２,１４の表面１２ａ,１４ａから裏面１２ｂ,１４ｂを貫通させて構成されている。対向スリット２３は、外側スリット２１（図４参照）及び内側スリット２２（図５）の双方に連通され、これにより、単一のスリット構造１６,１７が構成されている。

図４は、外側通電構造１９における外側スリット２１の配置構成図である。中空円筒形状の外側通電構造１９には、複数の外側スリット２１が周方向に沿って等間隔に設けられている。外側スリット２１は、それぞれ、螺旋状を成し、外側通電構造１９を貫通して構成されている。螺旋状の外側スリット２１は、その一端が外側通電構造１９の基端部１９Ｐ－１に向けて延出し、その他端が外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２に向けて延出して構成されている。

外側スリット２１の他端は、外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２を貫通して先端面１９ｓに開口され、上記した接触子１２,１４の対向スリット２３に連通している。これに対して、外側スリット２１の一端は、外側通電構造１９の基端部１９Ｐ－１を貫通しないで閉口されている。なお、外側スリット２１の全長やスリット幅は、例えば、外側通電構造１９の大きさや用途などに応じて設定されるため、ここでは特に限定しない。

図５は、内側通電構造２０における内側スリット２２の配置構成図である。中空円筒形状の内側通電構造２０には、複数の内側スリット２２が周方向に沿って等間隔で設けられている。内側スリット２２は、それぞれ、螺旋状を成し、内側通電構造２０を貫通して構成されている。螺旋状の内側スリット２２は、その一端が内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１に向けて延出し、その他端が内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２に向けて延出している。

内側スリット２２の他端は、内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２を貫通して先端面２０ｓに開口され、上記した接触子１２,１４の対向スリット２３に連通している。これに対して、内側通電構造２０の一端は、内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１を貫通しないで閉口され、通電フランジ２０ｆの内表面に延在されている。なお、内側スリット２２の全長やスリット幅は、例えば、内側通電構造２０の大きさや用途などに応じて設定されるため、ここでは特に限定しない。

このような構成を有する縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２の接点８,１０において、図３～図５に示された２つの通電構造（外側通電構造１９、内側通電構造２０）のうち、外側通電構造１９の導電率は、内側通電構造２０の導電率よりも高く設定されている。これにより、外側通電構造１９は、内側通電構造２０よりも電流が流れ易くなっている。換言すると、内側通電構造２０の導電率は、外側通電構造１９の導電率よりも低く設定されている。これにより、内側通電構造２０は、外側通電構造１９よりも電流が流れ難くなっている。

別の捉え方をすると、外側通電構造１９の電気抵抗（電流の通り難さの度合）は、内側通電構造２０の電気抵抗（電流の通り難さの度合）よりも低く設定されている。これにより、外側通電構造１９は、内側通電構造２０よりも電流が流れ易くなっている。換言すると、内側通電構造２０の電気抵抗（電流の通り難さの度合）は、外側通電構造１９の電気抵抗（電流の通り難さの度合）よりも高く設定されている。これにより、内側通電構造２０は、外側通電構造１９よりも電流が流れ難くなっている。

この場合、外側通電構造１９は、例えば、銅、銀、或いは、銅と銀の合金などで成形することが好ましい。内側通電構造２０は、例えば、ＳＵＳ、Ｃｒ、或いは、一般鉄鋼材（ＳＳ４００）などで成形することが好ましい。

更に、各接点８,１０の通電構造１９,２０において、図３～図５に示された双方のスリット構造１６,１７は、外側スリット２１と内側スリット２２との間の配置構成、例えば、大きさ、螺旋形状、螺旋方向、螺旋位置、並びに、全長及びスリット幅を周方向に沿って相互に揃えるスリット整合構成を有している。

スリット整合構成としては、例えば、双方のスリット２１,２２の大きさ、螺旋形状、螺旋方向、螺旋位置、並びに、全長及びスリット幅を互いに同一に設定した場合を想定すると、この場合、仮想軸線Ｐｘを中心とした径方向において、双方のスリット２１,２２全体が完全に重なり合って単一のスリットのように見える状態を指す。

この場合、２つの通電構造（外側通電構造１９、内側通電構造２０）を流れる電流の方向性を揃えることができるため、通電構造１９,２０相互間での短絡を防止することができる。これにより、上記した交流電流ＡＣの流動性が向上し、その結果、縦磁界（磁力線）Ｍｆの増加を図ることができる。

このような効果は、少なくとも双方のスリット２１,２２の向き（螺旋方向）を揃えることで達成される。この場合、スリット２１,２２の向き（螺旋方向）を揃えることは、双方のスリット２１,２２の向きを、仮想軸線Ｐｘを中心に一方向（例えば、右旋回方向、或いは、左旋回方向）に整合させることを指し、外側スリット２１の向きを一方向（例えば、右旋回方向）とし、内側スリット２２の向きを他方向（例えば、左旋回方向）としないことを指す。

この場合、特に、外側スリット２１と内側スリット２２の相互のスリット幅は、必ずしも互いに同一幅に設定する必要はない。縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離接動作させた際に、外側通電構造１９から内側通電構造２０を貫通したスリット構造１６,１７を確保できればよい。換言すると、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離接動作させた際に、通電構造１９,２０が相対的に変位し、その結果、内側スリット２２が外側通電構造１９の内周面１９ｂの範囲内に移動した状態において、外側スリット２１から内側スリット２２を確認できなくならなければよい。即ち、スリット幅がゼロにならなければよい。

以上、本実施形態によれば、外側通電構造１９に外側スリット２１を設けると共に、内側通電構造２０に内側スリット２２を設け、双方のスリット２１,２２の向き及び位置を揃える構造とした。この場合、双方の通電構造１９,２０を流れる電流の方向性を揃えることができるため、通電構造１９,２０相互間での短絡を防止することができる。これにより、上記した交流電流ＡＣの流動性が向上し、その結果、縦磁界（磁力線）Ｍｆの増加を図ることができる。

本実施形態によれば、接触子１２,１４の最外周縁に沿って設けられた外側通電構造１９を、内側通電構造２０よりも電流の流れ易い構造とした。これにより、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離間させた電流遮断時に、外側通電構造１９を経由して優先的に多くの電流（交流）を流すことができる。この場合、上記した縦磁界Ｍｆを電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓの広範囲に亘って満遍なく形成させることができる。この結果、アークを広範囲に分散させることができるため、電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓの局所的な熱負荷を軽減させることができる。

本実施形態によれば、内側通電構造２０を外側通電構造１９よりも電流の流れ難い構造とした。これにより、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を接触させた通電（投入）時に、外側通電構造１９と共に内側通電構造２０にも電流（交流）を流すことができる。この場合、通電（投入）時における通電容量を必要十分な一定量に維持することができる。この結果、スイッチギヤから電力を安定して供給することができる。

本実施形態によれば、内側通電構造２０を外側通電構造１９の内部に挿入した状態において、これら２つの通電構造１９,２０は、円板形状の接触子１２,１４の外周側から内周側に向かって（即ち、仮想軸線Ｐｘに直交する方向において）、互いに隙間無く隣接（接触）して配置される。このとき、内側通電構造２０は、その外底面２０ａ及び外周面２０ｂが外側通電構造１９の内底面１９ａ及び内周面１９ｂによって面状に支持された状態に維持される。これにより、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離接動作させた際に、双方の通電構造１９,２０が相対的に離間したり接触したりすることを防止することができる。この結果、これら通電構造１９,２０から構成された通電体１３,１５全体としての通電特性（導電率）を一定に維持することができる。

「第１変形例」
図６は、第１変形例に係るスリット構造１６,１７の断面図である。上記した実施形態では、双方のスリット構造１６,１７をスリット整合構成としたが、これに代えて、図６に示すようなスリット非整合構成としてもよい。

スリット非整合構成としては、例えば、双方のスリット２１,２２の大きさ、螺旋形状、螺旋方向、螺旋位置、並びに、全長及びスリット幅を互いに同一に設定した場合を想定すると、この場合、仮想軸線Ｐｘを中心とした径方向において、双方のスリット２１,２２の一部が重なり合って見える状態（即ち、スリット２１,２２相互が交差して見える状態）を指す。

これにより、スリット２１,２２相互が交差した部分の近傍に短絡領域が構成されるため、上記した交流電流ＡＣの流れる通電構造１９,２０相互の通電経路を短くすることができ、その結果、通電容量の増加を図ることができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第２変形例」
図７は、第２変形例に係る内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２側から見た斜視図であり、図８は、第２変形例に係る内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１側から見た斜視図である。図７及び図８の例において、内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１は、周方向に沿って連続的に延在されている。

図７及び図８に示すように、本変形例の内側通電構造２０は、上記した通電フランジ２０ｆを含めて基端部２０Ｐ－１の全体（即ち、外底面２０ａ）が周方向に沿って連続するように構成されている。

これにより、内側通電構造２０の剛性を一定に維持することが可能となり、その結果、当該内側通電構造２０を上記した外側通電構造１９の内部に挿入する際の組立て作業性を向上させることができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第３変形例」
図９は、第３変形例に係る内側通電構造２０の先端部２０Ｐ－２側から見た斜視図であり、図１０は、第３変形例に係る内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１側から見た斜視図である。図９及び図１０の例において、内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１は、周方向に沿って断続的（間欠的）に延在されている。

図９及び図１０に示すように、本変形例の内側通電構造２０は、上記した通電フランジ２０ｆを含めた基端部２０Ｐ－１に、切欠部２４が設けられている。切欠部２４は、通電フランジ２０ｆを含めた基端部２０Ｐ－１の一部を径方向（即ち、外底面２０ａを横断する方向）に切り欠いて構成されている。図９及び図１０の例において、切欠部２４は、１か所設けているが、複数箇所に亘って設けてもよい。

これにより、内側通電構造２０の基端部２０Ｐ－１側における短絡が防止され、渦電流の発生を抑制することができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第４変形例」
図１１は、第４変形例に係る通電構造（外側通電構造１９、内側通電構造２０）の分解斜視図である。これら２つの通電構造１９,２０には、それぞれ、通電構造１９,２０相互を周方向に位置決めする位置決め機構２５,２６が設けられている。図１１の例において、外側通電機構１９には、凸状位置決め機構２５が設けられている。内側通電構造２０には、凹状位置決め機構２６が設けられている。

図１１に示すように、凸状位置決め機構２５は、上記した外側通電構造１９の内底面１９ａから円柱形状に突出させて構成されている。円柱形状の凸状位置決め機構２５は、その外周面の一部を平坦状に切り欠いて形成した凸状位置決め部２５ｐを備えている。

凹状位置決め機構２６は、上記した内側通電構造２０の通電フランジ２０ｆの中空円環形状をそのまま利用して構成されている。中空円環形状の凹状位置決め機構２６は、その内周面の一部を平坦状に突出させた凹状位置決め部２６ｐを備えている。

この場合、凸状位置決め機構２５の外形寸法は、凹状位置決め機構２６の内形寸法と同一或いは若干小さくなるように設定されている。凸状位置決め部２５ｐと凹状位置決め部２６ｐとは、互いに同一の大きさの矩形状を有している。

これにより、内側通電構造２０を外側通電構造１９の内部に挿入した状態において、凸状位置決め機構２５が凹状位置決め機構２６に入り込むことで、凸状位置決め部２５ｐと凹状位置決め部２６ｐとが互いに面状に接触する。この結果、２つの通電構造１９,２０相互の位置関係（例えば、外側スリット２１と内側スリット２２との位置関係）を固定することができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第５変形例」
図１２は、第５変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。内側通電構造２０は、先端部２０Ｐ－２寄りの部分の径方向の厚さが他の部分よりも径方向外側に向かって拡大するように構成されている。

図１２の例において、内側通電構造２０は、先端部２０Ｐ－２寄りの部分（即ち、先端部２０Ｐ－２及びその近傍領域）の径方向の厚さが他の部分よりも径方向外側に向かって矩形状に拡大するように構成されている。換言すると、外側通電構造１９は、先端部１９Ｐ－２側の部分（即ち、先端部１９Ｐ－２及びその近傍領域）の径方向の厚さが他の部分よりも矩形状に縮小するように構成されている。

これにより、通電体１３,１５を構成する２つの通電構造（外側通電構造１９、内側通電構造２０）の径方向外側における電流分布を大きくすることができる。この結果、上記した縦磁界Ｍｆの発生エリアを更に広範囲に亘って満遍なく形成させることができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第６変形例」
図１３は、第６変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。本変形例も上記した第５変形例と同様に、内側通電構造２０は、先端部２０Ｐ－２寄りの部分の径方向の厚さが他の部分よりも径方向外側に向かって拡大するように構成されている。

図１３の例において、内側通電構造２０は、その径方向の厚さが、基端部２０Ｐ－１から先端部２０Ｐ－２に向かうに従って末広がり状に拡大して構成されている。換言すると、外側通電構造１９は、その径方向の厚さが、基端部１９Ｐ－１から先端部１９Ｐ－２に向かうに従って先細り状に縮小して構成されている。なお、その他の構成及び効果は、上記した第５変形例、並びに、実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第７変形例」
図１４は、第７変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。図１４の例において、内側通電構造２０は、その先端部２０Ｐ－２において、その径方向外側のみに先端面２０ｓを有している。この先端面２０ｓは、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対して、周方向に沿って連続的に接触可能に構成されている。なお、その他の構成及び効果は、上記した第５変形例、並びに、実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第８変形例」
図１５は、第８変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。図１５の例において、内側通電構造２０は、その先端部２０Ｐ－２において、その先端面２０ｓの全体を接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂから離間させて構成されている。この場合、内側通電構造２０の先端面２０ｓと、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとは、互いに接触しない非接触な位置関係を有している。換言すると、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂには、外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２のみが接触可能に構成されている。

これにより、電流の通電経路は、外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２のみとなる。この結果、上記した縦磁界Ｍｆの発生エリアを更に広範囲に亘って満遍なく形成させることができる。

更に、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対して内側通電構造２０の先端面２０ｓを常に非接触に設定することで、機械加工による寸法公差を無くすることが可能となり、その結果、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対して外側通電構造１９の先端部１９Ｐ－２を確実に接触させることができる。

この場合、電流の通電経路を確保するために、外側通電構造１９の内周面１９ｂと内側通電構造２０の外周面２０ｂとを、上記したロウ付け法で接合することが好ましい。なお、その他の構成及び効果は、上記した第５変形例、並びに、実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第９変形例」
図１６は、第９変形例に係る内側通電構造２０の外観構造図である。本変形例の内側通電構造２０は、上記した第７変形例（図１４）の改良である。図１６の例において、内側通電構造２０の先端面２０ｓは、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに対して、周方向に沿って断続的（間欠的）に接触可能に構成されている。

図１６に示すように、内側通電構造２０は、その先端部２０Ｐ－２において、周方向に沿って複数の先端面２０ｓが間隔を存して（例えば、等間隔に）配置されている。各先端面２０ｓは、先端部２０Ｐ－２から仮想軸線Ｐｘ方向に（即ち、接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに向けて）突出している。各先端面２０ｓは、仮想軸線Ｐｘを直交して延在する単一の仮想平面に沿って延在されている。

この場合、部分的に突出した各先端面２０ｓのみが接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂに接触可能となる。なお、その他の構成及び効果は、上記した第５変形例、並びに、実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第１０変形例」
図１７は、第１０変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。図１７の例において、外側通電構造１９は、例えば、銅、銀、或いは、銅と銀の合金などで成形されている。内側通電構造２０は、例えば、ＳＵＳ、Ｃｒ、或いは、一般鉄鋼材（ＳＳ４００）などで成形されている。この場合、外側通電構造１９は、内側通電構造２０よりも剛性の低い材料で構成されている。換言すると、外側通電構造１９は、内側通電構造２０よりも弾性変形し易く構成されている。

更に、上記したロウ付け法によって、外側通電構造１９の内底面１９ａと内側通電構造２０の外底面２０ａとの間、並びに、外側通電構造１９の先端面１９ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間は、接続されているが、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間は、接続されていない。

ここで、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間は、互いに接触させた接触状態に維持してもよいし、或いは、互いに離間させた非接触状態に維持してもよい。いずれの状態においても、外側通電構造１９が弾性変形して伸縮した場合、その縮小時において、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとが互いに隙間無く接触するように設定されている。

このような構成によれば、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を離間させた電流遮断時に、その慣性力によって、外側通電構造１９は、図１７の点線で示す如く伸長する。このとき、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間に隙間Ｈが構成される。これにより、外側通電構造１９を経由して優先的に多くの電流（交流）を流すことができる。この場合、上記した縦磁界Ｍｆを電極対向面Ｅ１ｓ,Ｅ２ｓの広範囲に亘って満遍なく形成させることができる。

これに対して、縦磁界電極Ｅ１,Ｅ２を接触させた通電（投入）時には、内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとが互いに隙間無く接触する。これにより、外側通電構造１９と共に内側通電構造２０にも電流（交流）を流すことができる。この場合、通電（投入）時における通電容量を必要十分な一定量に維持することができる。なお、その他の構成及び効果は、上記した実施形態と同一であるため、その説明は省略する。

「第１１変形例」
図１８は、第１１変形例に係る接点８,１０の内部構造図である。接点８,１０には、それぞれ、接続させる母材相互間に浸透させるロウ材の拡散を防止する構成が適用されている。

図１８に示すように、外側通電構造１９の内底面１９ａと内側通電構造２０の外底面２０ａとの間（接続箇所）には、第１ロウ材収容部２７が設けられている。第１ロウ材収容部２７は、内側通電構造２０の外底面２０ａを周方向に沿って連続的に窪ませて（凹ませて）構成されている。この場合、第１ロウ材収容部２７は、内側通電構造２０の外周面２０ｂ寄りに接近させて配置することが好ましい。

外側通電構造１９の先端面１９ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間（接続箇所）には、第２ロウ材収容部２８が設けられている。第２ロウ材収容部２８は、外側通電構造１９の先端面１９ｓを周方向に沿って連続的に窪ませて（凹ませて）構成されている。この場合、第２ロウ材収容部２８は、外側通電構造１９の内周面１９ｂ寄りに接近させて配置することが好ましい。

内側通電構造２０の先端面２０ｓと接触子１２,１４の裏面１２ｂ,１４ｂとの間（接続箇所）には、第３ロウ材収容部２９が設けられている。第３ロウ材収容部２９は、内側通電構造２０の先端面２０ｓを周方向に沿って連続的に窪ませて（凹ませて）構成されている。この場合、第３ロウ材収容部２９は、内側通電構造２０の外周面２０ｂ寄りに接近させて配置することが好ましい。

このような構成によれば、接続させる母材相互間に浸透させるロウ材の拡散を防止することができる。即ち、ロウ材が、第１～第３ロウ材収容部２７,２８,２９を超えて、外側通電構造１９の内周面１９ｂと内側通電構造２０の外周面２０ｂとの間に浸透拡散されるのを防止することができる。この場合、ロウ材の一部は、第１～第３ロウ材収容部２７,２８,２９に収容される。これにより、上記した各接続箇所において、ロウ材が不足するような事態を未然に回避することができる。この結果、各接続箇所におけるロウ付け不良を防止することができる。

以上、本発明の一実施形態及びいくつかの変形例を説明したが、これらの実施形態及び変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態及び変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Ｐ…真空バルブ、Ｅ１…固定電極、Ｅ２…可動電極、Ｅ１ｓ…固定側電極対向面、Ｅ２ｓ…可動側電極対向面、１…絶縁容器、２…固定側封着部材、３…可動側封着部材、４…気密維持機構、５…アークシールド、６…固定側封着金具、７…可動側封着金具、８…固定接点、９…固定通電軸、１０…可動接点、１１…可動通電軸、１２,１４…接触子、１３,１５…通電体、１６,１７…スリット構造、１８…補強部材、１９…外側通電構造、１９ａ…内底面、１９ｂ…内周面、２０…内側通電構造、２０ａ…外底面、２０ｂ…外周面、２０ｆ…通電フランジ、１９ｓ,２０ｓ…先端面、１９Ｐ－１,２０Ｐ－１…基端部、１９Ｐ－２,２０Ｐ－２…先端部、２１…外側スリット、２２…内側スリット、２３…対向スリット、２４…切欠部、２５…凸状位置決め機構、２６…凹状位置決め機構、２７…第１ロウ材収容部、２８…第２ロウ材収容部、２９…第３ロウ材収容部。

Claims (16)

1. 互いに離接可能に配置された一対の電極を具備し、
   一対の前記電極は、それぞれ、
   離接可能に対向させて配置される円板形状の導電性の接触子と、
   前記接触子の外周縁に沿って設けられ、導電率の異なる中空円筒形状を成し、かつ、互いに隣接させて配置された複数の通電構造と、を有し、
   複数の前記通電構造には、それぞれ、スリットが周方向に沿って前記通電構造を貫通させて配置されている真空バルブ。
2. 複数の前記通電構造のうち、最も外側の前記通電構造の前記導電率は、他の前記通電構造の前記導電率よりも高く設定されている請求項１に記載の真空バルブ。
3. 複数の前記通電構造は、互いに直径の異なる中空円筒形状の輪郭を有していると共に、円板形状の前記接触子の外周側から内周側に向かって、互いに隙間無く隣接させて配置されている請求項１に記載の真空バルブ。
4. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造の導電率は、最も外側の前記通電構造よりも低く設定されている請求項１に記載の真空バルブ。
5. 複数の前記通電構造のスリットは、電流の流動性を向上させるために、その位置を周方向に沿って互いに揃えて構成されている請求項１に記載の真空バルブ。
6. 複数の前記通電構造のスリットは、前記通電構造相互の通電経路を短くするために、その位置を周方向に沿って互いに揃えないで構成されている請求項１に記載の真空バルブ。
7. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、その両端である基端部及び先端部が開口された中空円筒形状に構成され、
   前記基端部は、周方向に沿って連続的に延在されている請求項１に記載の真空バルブ。
8. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、その両端である基端部及び先端部が開口された中空円筒形状に構成され、
   前記基端部は、周方向に沿って断続的に延在されている請求項１に記載の真空バルブ。
9. 複数の前記通電構造には、前記通電構造相互を周方向に位置決めする位置決め機構が設けられ、
   前記位置決め機構として、互いに隣接させて配置させる一方の前記通電構造には、凸状位置決め部を備えた凸状位置決め機構が設けられ、他方の前記通電構造には、凹状位置決め部を備えた凹状位置決め機構が設けられ、
   双方の前記通電構造を互いに隣接させた配置させた状態において、前記凸状位置決め機構が前記凹状位置決め機構に入り込んで、前記凸状位置決め部と前記凹状位置決め部とが互いに面状に接触することで、前記通電構造相互の位置関係が固定される請求項１に記載の真空バルブ。
10. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、前記先端部寄りの部分の径方向の厚さが他の部分よりも径方向外側に向かって拡大するように構成されている請求項７又は８に記載の真空バルブ。
11. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、前記先端部において、径方向外側のみに先端面を有し、
    前記先端面は、前記接触子の前記外周縁に対して周方向に沿って連続的に接触可能に構成されている請求項７又は８に記載の真空バルブ。
12. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、前記先端部において、前記接触子の前記外周縁に対向させて配置可能な先端面を有し、
    前記先端面は、その全体が前記接触子の前記外周縁から離間した非接触な位置関係を有して構成されている請求項７又は８に記載の真空バルブ。
13. 最も外側の前記通電構造よりも内側の前記通電構造は、前記先端部において、周方向に沿って複数の先端面が間隔を存して配置され、
    複数の前記先端面は、前記接触子の前記外周縁に向けて突出している請求項７又は８に記載の真空バルブ。
14. 最も外側の前記通電構造は、その内側の前記通電構造よりも剛性の低い材料で構成されている請求項１に記載の真空バルブ。
15. 最も外側の前記通電構造は、その内側の前記通電構造よりも弾性変形し易く構成されている請求項１に記載の真空バルブ。
16. 複数の前記通電構造と前記接触子との間、並びに、複数の前記通電構造の相互間には、それぞれ、接続させる母材相互間に浸透させるロウ材の拡散を防止するように、前記ロウ材の一部を収容可能なロウ材収容部が設けられている請求項１に記載の真空バルブ。

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