JP2024028044A - 情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】線欠陥に交わるエッジ上の欠陥画素を精度よく補正することを可能とする情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムを提供する。【解決手段】情報処理装置は、放射線画像の線欠陥を補正する処理を行う情報処理装置であって、プロセッサを備え、プロセッサは、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定し、第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出し、第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出し、第１エッジ強度及び第２エッジ強度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出し、第１エッジ角度及び第２エッジ角度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出し、統合エッジ強度及び統合エッジ角度を考慮して補正対象画素を補正する。【選択図】図４

Description

本開示の技術は、情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムに関する。

放射線を用いて被写体を撮影する放射線撮影システムには、ＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が用いられている。放射線検出器には、放射線の入射線量に応じた信号電荷を発生して蓄積する複数の画素が２次元アレイ状に配列されている。

放射線検出器に設けられた複数の画素には、欠陥画素が存在する場合がある。欠陥画素は、適正な信号電荷を得ることができないため、周辺の正常画素の画素値を用いて補間処理等により補正を行う必要がある。

特許文献１は、線欠陥が存在する場合の補正方法を開示している。具体的には、特許文献１では、欠陥画素の周囲の複数の正常画素を用いて回帰分析を行い、回帰分析の結果得られた回帰曲線に基づいて欠陥画素を補正することが提案されている。

特許文献２では、欠陥画素に対して点対称に存在する一対の正常画素のうち、差分量が最も小さな値となる一対の正常画素の画素値の平均値を用いて欠陥画素を補正することが提案されている。

特開２０２０－１７０９５９号公報 特開２００２－１９７４５０号公報

放射線画像には、手指の骨の輪郭や、ペースメーカー等の細い金属線等で、高コントラストのエッジが存在する場合がある。特許文献１に記載の補正方法では、エッジ上の欠陥画素を補正する際にエッジ方向以外の周辺画素を用いて補間処理が行われることがある。このため、特許文献１に記載の補正方法では、エッジ上において補正残差が生じ、これがアーチファクトとして視認されることが想定される。特に、放射線画像に高周波パターンが存在する場合には、アーチファクトがより顕著に現れる。例えば、図２１に示すように、幅が１画素程度の細い線が線欠陥に対して斜め方向に交わっている場合には、特許文献１に記載のように線欠陥に隣接する横方向の正常画素のみを用いて行う補間処理では補正精度が十分でなく、補正残差が生じる。このような場合は、斜め方向の正常画素を用いた補間処理を行うことが必要である。

特許文献２に記載の補正方法では、エッジ方向に沿った画素を選択して欠陥画素を補正するため、高周波パターン上に欠陥が存在した場合であってもある程度は対応できる。しかしながら、特許文献２に記載の補正方法では、欠陥画素を中心とした離散的な角度の画素ペアを用いて補正するため、精度よく補正することはできない。

このように従来の補正法では、特に、線欠陥にエッジが交わっている場合に、隣接画素を用いてエッジ上の欠陥画素を補正すると大きな補正残差が生じ、欠陥画素を精度よく補正することはできない。

本開示の技術は、線欠陥に交わるエッジ上の欠陥画素を精度よく補正することを可能とする情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示の情報処理装置は、放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理を行う情報処理装置であって、プロセッサを備え、プロセッサは、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定し、第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出し、第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出し、第１エッジ強度及び第２エッジ強度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出し、第１エッジ角度及び第２エッジ角度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出し、統合エッジ強度及び統合エッジ角度を考慮して補正対象画素を補正する。

プロセッサは、第１領域及び第２領域の各々に微分方向が異なる２つの微分フィルタを適用することにより２つの微分値を算出し、第１領域から算出した２つの微分値に基づいて第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出し、第２領域から算出した２つの微分値に基づいて第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出することが好ましい。

第１エッジ強度及び第２エッジ強度は、それぞれ２つの微分値の二乗和の平方根、又は２つの微分値の絶対値和であることが好ましい。

第１エッジ角度及び第２エッジ角度は、それぞれ２つの微分値の比を、逆正接関数に適用することにより算出した角度により表されることが好ましい。

微分フィルタの各々は、Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ又はＳｏｂｅｌフィルタであることが好ましい。

プロセッサは、第１エッジ強度と第２エッジ強度との平均値を統合エッジ強度とし、第１エッジ強度及び第２エッジ強度を重みとした第１エッジ角度及び第２エッジ角度の加重平均値を統合エッジ角度とすることが好ましい。

プロセッサは、第１領域及び第２領域を第１Ａ領域及び第２Ａ領域とし、第１Ａ領域及び第２Ａ領域を線欠陥に沿った第１方向に１画素シフトさせた第１Ｂ領域及び第２Ｂ領域と、第１Ａ領域及び第２Ａ領域を第１方向とは逆方向である第２方向に１画素シフトさせた第１Ｃ領域及び第２Ｃ領域と、を設定し、第１Ａ領域の第１Ａエッジ強度及び第１Ａエッジ角度を算出し、第１Ｂ領域の第１Ｂエッジ強度及び第１Ｂエッジ角度を算出し、第１Ｃ領域の第１Ｃエッジ強度及び第１Ｃエッジ角度を算出し、第２Ａ領域の第２Ａエッジ強度及び第２Ａエッジ角度を算出し、第２Ｂ領域の第２Ｂエッジ強度及び第２Ｂエッジ角度を算出し、第２Ｃ領域の第２Ｃエッジ強度及び第２Ｃエッジ角度を算出し、第１Ａエッジ強度、第１Ｂエッジ強度、第１Ｃエッジ強度、第１Ａエッジ角度、第１Ｂエッジ角度、及び第１Ｃエッジ角度に基づいて、第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出し、第２Ａエッジ強度、第２Ｂエッジ強度、第２Ｃエッジ強度、第２Ａエッジ角度、第２Ｂエッジ角度、及び第２Ｃエッジ角度に基づいて、第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出することが好ましい。

プロセッサは、第１Ａエッジ強度が、第１Ｂエッジ強度又は第１Ｃエッジ強度と同等レベル以上である場合には、第１Ａエッジ強度及び第１Ａエッジ角度を第１エッジ強度及び第１エッジ角度とし、第２Ａエッジ強度が、第２Ｂエッジ強度又は第２Ｃエッジ強度と同等レベル以上である場合には、第２Ａエッジ強度及び第２Ａエッジ角度を第２エッジ強度及び第２エッジ角度とすることが好ましい。

プロセッサは、第１Ａエッジ強度が、第１Ｂエッジ強度又は第１Ｃエッジ強度と同等レベル以上でない場合には、第１Ａエッジ強度、第１Ｂエッジ強度、及び第１Ｃエッジ強度の平均値を第１エッジ強度とし、第１Ａエッジ強度、第１Ｂエッジ強度、及び第１Ｃエッジ強度を重みとした第１Ａエッジ角度、第１Ｂエッジ角度、及び第１Ｃエッジ角度の加重平均値を第１エッジ角度とし、第２Ａエッジ強度が、第２Ｂエッジ強度又は第２Ｃエッジ強度と同等レベル以上でない場合には、第２Ａエッジ強度、第２Ｂエッジ強度、及び第２Ｃエッジ強度の平均値を第２エッジ強度とし、第２Ａエッジ強度、第２Ｂエッジ強度、及び第２Ｃエッジ強度を重みとした第２Ａエッジ角度、第２Ｂエッジ角度、及び第２Ｃエッジ角度の加重平均値を第２エッジ角度とすることが好ましい。

プロセッサは、統合エッジ強度を閾値と比較することにより補正対象画素の周辺のエッジの有無を判定することが好ましい。

プロセッサは、エッジがある場合には、補正対象画素を中心として設定したマスク内の正常画素の各々に、補正対象画素からの正常画素の方向とエッジ方向とのなす角度である差分角度と、補正対象画素から正常画素までの距離とに応じた第１の重みを付けて補正対象画素を補正する第１補正処理を行い、エッジがない場合には、正常画素の各々に、差分角度に依存せず、距離にのみ依存する第２の重みを付けて補正対象画素を補正する第２補正処理を行うことが好ましい。

差分角度は、０°から１８０°の範囲内の値を取り、第１の重みは、差分角度が０°及び１８０°の場合に最大となり、かつ差分角度が９０°の場合に最小となる、９０°を中心として対称な関数を含んで表されることが好ましい。

関数は、差分角度の余弦の絶対値を取った値のべき乗で表されることが好ましい。

第１の重みは、第２の重みよりも距離に対する依存性が小さいことが好ましい。

プロセッサは、放射線画像に対してＬＯＧ変換処理を行い、ＬＯＧ変換後の放射線画像を用いて統合エッジ強度と統合エッジ角度を算出することが好ましい。

プロセッサは、放射線画像に対して散乱線除去グリッドによるグリッド縞を除去するグリッド縞除去処理を行い、グリッド縞除去後の放射線画像を用いて統合エッジ強度及び統合エッジ角度の算出と補正対象画素の補正とを行うことが好ましい。

本開示の情報処理方法は、放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理を行う情報処理方法であって、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定すること、第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出すること、第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出すること、第１エッジ強度及び第２エッジ強度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出すること、第１エッジ角度及び第２エッジ角度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出すること、統合エッジ強度及び統合エッジ角度を考慮して補正対象画素を補正すること、を含む。

本開示のプログラムは、放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定すること、第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出すること、第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出すること、第１エッジ強度及び第２エッジ強度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出すること、第１エッジ角度及び第２エッジ角度を統合することにより補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出すること、統合エッジ強度及び統合エッジ角度を考慮して補正対象画素を補正すること、を含む処理をコンピュータに実行させる。

本開示の技術によれば、線欠陥に交わるエッジ上の欠陥画素を精度よく補正することを可能とする情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムを提供することができる。

放射線撮影システムの構成例を示す図である。 エッジ方向について説明する図である。 検出部が用いる２つの微分フィルタの一例を示す図である。 放射線画像に１画素の幅を有する線欠陥が存在する場合における微分フィルタの設定領域の一例を示す図である。 放射線画像に２画素の幅を有する線欠陥が存在する場合における微分フィルタの設定領域の一例を示す図である。 補正対象画素を補正する補正処理の一例について説明する図である。 補正対象画素を補正する補正処理の他の例について説明する図である。 式（６）で表される重みの差分角度に対する依存性を示す図である。 式（６Ａ）で表される重みの差分角度に対する依存性を示す図である。 補正対象画素に隣接する２つの正常画素を用いて補間処理を行う例を示す図である。 画像処理部１４による画像処理の流れの一例を示すフローチャートである。 Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタを示す図である。 Ｓｏｂｅｌフィルタを示す図である。 斜め方向に微分を行う微分フィルタの例を示す図である。 第１領域及び第２領域に高周波パターンが存在する場合について説明する図である。 第１Ａ領域及び第２Ａ領域の設定例を示す図である。 第１Ｂ領域及び第２Ｂ領域の設定例を示す図である。 第１Ｃ領域及び第２Ｃ領域の設定例を示す図である。 変形例に係る検出部によるエッジ検出処理の流れを示すフローチャートである。 変形例に係る画像処理部による画像処理の流れを示すフローチャートである。 従来の補正方法による問題点を説明する図である。

添付図面に従って本開示の技術に係る実施形態の一例について説明する。

［実施形態］
図１は、放射線撮影システム２の構成例を示す。放射線撮影システム２は、放射線発生装置３、放射線管４、ＦＰＤ５、及び情報処理装置６を有する。

放射線発生装置３は、ユーザが不図示の曝射スイッチを操作することに応じて、放射線管４に高電圧パルスを与えて放射線Ｒを発生させる。例えば、放射線ＲはＸ線である。放射線管４が発生した放射線Ｒは、被写体Ｈに照射される。放射線Ｒは、その一部が被写体Ｈを透過してＦＰＤ５に到達する。

ＦＰＤ５は、カセッテホルダ７に着脱可能に収容されている。被写体Ｈを透過した放射線Ｒは、カセッテホルダ７の検出面７Ａを透過してＦＰＤ５に入射する。また、カセッテホルダ７には、散乱線除去グリッド８が着脱自在に装着可能となっている。散乱線除去グリッド８は、ＦＰＤ５の検出面７Ａ側に挿入される。カセッテホルダ７に散乱線除去グリッド８が装着されている場合には、検出面７Ａに入射した放射線Ｒは、散乱線除去グリッド８を介してＦＰＤ５に入射する。放射線Ｒは、散乱線除去グリッド８を通過する際に散乱線が除去される。

ＦＰＤ５は、放射線Ｒの入射線量に応じた信号電荷を発生して蓄積する複数の画素が２次元アレイ状に配列された画素アレイを有する。各画素には、光電変換素子が含まれる。光電変換素子は、蛍光体により可視光に変換された放射線Ｒを信号電荷に変換して蓄積する。ＦＰＤ５は、画素ごとの信号電荷に応じた放射線画像を生成し、生成した放射線画像を無線又は有線で情報処理装置６に送信する。なお、ＦＰＤ５は、放射線Ｒを一旦可視光に変換し、その可視光を信号電荷に変換する間接型の放射線検出器に限られず、放射線Ｒの照射を直接信号電荷に変換する直接型の放射線検出器であってもよい。

情報処理装置６は、制御部１０、ディスプレイ１１、操作部１２、記憶部１３、及び画像処理部１４を有する。情報処理装置６は、ＦＰＤ５から受信した放射線画像に基づく処理を行う。

制御部１０は、不図示の１つ又は複数のプロセッサを備え、記憶部１３に記憶されているプログラム１５を実行することにより各種機能を実現する。記憶部１３は、例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等により構成されている。記憶部１３は、制御部１０がＦＰＤ５から受信した放射線画像、画像処理部１４により画像処理された後の画像、画像処理部１４が画像処理に用いる各種データ等を記憶している。

また、記憶部１３は、欠陥画素データ１６を記憶している。欠陥画素データ１６は、ＦＰＤ５の画素アレイにおける欠陥画素の位置、種類等を表す情報である。欠陥画素の種類には、点欠陥と線欠陥とが含まれる。点欠陥は、孤立した欠陥画素である。線欠陥は、線状に連続した欠陥画素である。線欠陥は、画素アレイの行方向又は列方向に生じる。欠陥画素データ１６は、通常の放射線撮影の他に行われるキャリブレーション用の放射線撮影により取得される。キャリブレーションは、製品出荷時、設置時に加えて、定期メインテナンス時に実行される。

画像処理部１４は、制御部１０がＦＰＤ５から受信した放射線画像に対して画像処理を行う。本開示では、画像処理部１４は、放射線画像の線欠陥に対して欠陥画素補正を行う。

画像処理部１４は、機能構成として、取得部２０、検出部２１、及び補正部２２を有している。詳しくは後述するが、取得部２０は、制御部１０がＦＰＤ５から受信した放射線画像を取得する。検出部２１は、放射線画像に写る被写体Ｈのエッジを検出する。補正部２２は、欠陥画素データ１６と、検出部２１によるエッジ検出の結果とに基づいて欠陥画素補正を行う。本開示では、エッジ検出とは、欠陥画素の周辺のエッジの有無を検出することと、エッジがある場合にエッジ方向を検出することをいう。

これらの機能構成は、制御部１０のプロセッサがプログラム１５に基づいて処理を実行することで実現されてもよい。また、これらの機能構成は、画像処理部１４が備える一つ又は複数のプロセッサが記憶部１３から読み込んだプログラム１５に基づいて処理を実行することにより実現されてもよい。

制御部１０及び画像処理部１４のプロセッサは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等で構成される。画像処理部１４の各部は、同様の機能を果たすのであれば、集積回路などで構成されてもよい。

ディスプレイ１１は、制御部１０がＦＰＤ５から受信した放射線画像、画像処理部１４で画像処理された画像等を表示する。操作部１２は、制御部１０、ＦＰＤ５等に対する指示を入力することを可能とし、不図示のユーザーインターフェイスを介してＦＰＤ５に対する指示の入力を受け付ける。

図２は、エッジ方向について説明する。放射線画像を構成する画素が、Ｘ方向及びＹ方向に平行に配列されているとする。Ｘ方向とＹ方向とは、互いに直交している。本開示では、Ｘ方向とエッジ方向とのなす角度をαとする。以下、角度αを、エッジ角度αという。エッジ方向は、エッジ角度αにより表される。

検出部２１は、微分方向が異なる２つの微分フィルタを用いてエッジ検出処理を行う。本実施形態では、検出部２１は、放射線画像に対してＬＯＧ変換処理を行い、ＬＯＧ変換後の放射線画像に対してエッジ検出処理を行う。ＬＯＧ変換は階調変換の一種である。画素値が放射線量にリニアに依存する放射線画像に対してＬＯＧ変換を行うことにより、コントラストが線量に依存しない画像が生成される。但し、補正部２２は、ＬＯＧ変換前の放射線画像に対して補正処理を行ってもよい。

図３は、検出部２１が用いる２つの微分フィルタの一例を示す。微分フィルタＦｘ及びＦｙは、それぞれ３×３画素のサイズを有する一次微分フィルタである。微分フィルタＦｘは、Ｘ方向への微分値を取得する一次微分フィルタである。微分フィルタＦｙは、Ｙ方向への微分値を取得する一次微分フィルタである。以下、放射線画像に含まれる１つの画素の画素値をＱＬ（Ｘ，Ｙ）と表す。また、微分フィルタＦｘによるＸ方向への微分値をΔ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）と表す。微分フィルタＦｙによるＹ方向への微分値をΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）と表す。

図４は、放射線画像に１画素の幅を有する線欠陥が存在する場合における微分フィルタＦｘ及びＦｙの設定領域の一例を示す。図４に示す線欠陥は、Ｘ方向に延伸しており、Ｙ方向への幅が１画素である。正常画素領域は、線欠陥によりＹ方向に隔てられている。

このような線欠陥を補正する場合には、検出部２１は、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素Ｐｓを挟んで対向する位置に第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２を設定する。第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２は、それぞれ微分フィルタＦｘ及びＦｙのサイズと同一のサイズである。すなわち、本実施形態では、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２のサイズは、それぞれ３×３画素である。

図４に示す例では、線欠陥の幅が１画素であるので、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２は、それぞれ補正対象画素Ｐｓに隣接している。また、第１領域ＦＲ１の中心と第２領域ＦＲ２の中心とを結ぶ線上に補正対象画素Ｐｓが存在する。換言すると、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２は、それぞれ、補正対象画素Ｐｓを通り、かつ線欠陥の延伸方向に直交する方向に延伸する直線に対して対称となるように配置されている。

図５は、放射線画像に２画素の幅を有する線欠陥が存在する場合における微分フィルタＦｘ及びＦｙの設定領域の一例を示す。図５に示す線欠陥は、Ｘ方向に延伸しており、Ｙ方向への幅が２画素である。正常画素領域は、線欠陥によりＹ方向に隔てられている。

図４の場合と同様に、検出部２１は、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素Ｐｓを挟んで対向する位置に第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２を設定する。第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２のサイズは、図４の場合と同様である。

図５に示す例では、線欠陥の幅が２画素であるので、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とのいずれか一方が補正対象画素Ｐｓに隣接する。図５に示す例では、第１領域ＦＲ１が補正対象画素Ｐｓに隣接している。また、第１領域ＦＲ１の中心と第２領域ＦＲ２の中心とを結ぶ線上に補正対象画素Ｐｓが存在する。換言すると、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２は、それぞれ、補正対象画素Ｐｓを通り、かつ線欠陥の延伸方向に直交する方向に延伸する直線に対して対称となるように配置されている。

検出部２１は、３画素以上の幅を有する線欠陥が存在する場合においても同様に、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、線欠陥から選択される１つの補正対象画素Ｐｓを挟んで対向する位置に第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２を設定する。図４及び図５は、線欠陥がＸ方向に延伸している場合を示しているが、線欠陥がＹ方向に延伸している場合においても、検出部２１は、同様に第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２を設定する。

検出部２１は、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とのそれぞれに微分フィルタＦｘ及びＦｙを適用し、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とのそれぞれについて微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）を算出する。微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）は、微分フィルタＦｘの中央の画素に対してＸ方向に隣接する正常画素の画素値の差である。微分値Δ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）は、微分フィルタＦｙの中央の画素に対してＹ方向に隣接する正常画素の画素値の差である。

検出部２１は、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とのそれぞれについて微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）を算出した後、下式（１）を用いてエッジ強度Ｅ（ｉ）を算出する。下式（１）は、微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）の二乗和の平方根をエッジ強度Ｅ（ｉ）とすることを表す。

ここで、ｉは、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とを区別するためのパラメータである。ｉ＝１は、第１領域ＦＲ１に対応する。ｉ＝２は、第２領域ＦＲ２に対応する。Ｅ（１）は、第１領域ＦＲ１のエッジ強度（以下、第１エッジ強度という。）である。Ｅ（２）は、第２領域ＦＲ２のエッジ強度（以下、第２エッジ強度という。）である。

検出部２１は、上式（１）に代えて、下式（１Ａ）を用いてエッジ強度Ｅ（ｉ）を算出してもよい。下式（１Ａ）は、微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）の絶対値和をエッジ強度Ｅ（ｉ）とすることを表す。

また、検出部２１は、第１領域ＦＲ１と第２領域ＦＲ２とのそれぞれについて微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）を算出した後、下式（２）を用いて上述のエッジ角度α（ｉ）を算出する。下式（２）は、微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）の比を、逆正接関数に適用することによりエッジ角度α（ｉ）を算出することを表す。

α（１）は、第１領域ＦＲ１のエッジ角度（以下、第１エッジ角度という。）である。α（２）は、第２領域ＦＲ２のエッジ角度（以下、第２エッジ角度という。）である。

検出部２１は、第１エッジ強度Ｅ（１）及び第２エッジ強度Ｅ（２）を用いて、補正対象画素Ｐｓの周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度Ｅを算出する。具体的には、検出部２１は、下式（３）を用いて統合エッジ強度Ｅを算出する。下式（３）は、第１エッジ強度Ｅ（１）及び第２エッジ強度Ｅ（２）の平均値を統合エッジ強度Ｅとすることを表す。

また、検出部２１は、第１エッジ角度α（１）及び第２エッジ角度α（２）を用いて、補正対象画素Ｐｓの周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度αを算出する。具体的には、検出部２１は、下式（４）を用いて補正対象画素Ｐｓの周辺のエッジ角度αを算出する。下式（４）は、第１エッジ強度Ｅ（１）及び第２エッジ強度Ｅ（２）を重みとした第１エッジ角度α（１）及び第２エッジ角度α（２）の加重平均値を統合エッジ角度αとすることを表す。

検出部２１は、算出した統合エッジ強度Ｅを閾値と比較することにより、補正対象画素Ｐｓの周辺のエッジの有無を判定する。検出部２１は、統合エッジ強度Ｅが閾値以上である場合はエッジがあると判定し、統合エッジ強度Ｅが閾値未満である場合はエッジがないと判定する。

検出部２１は、エッジの検出結果（すなわち、エッジの有無、及びエッジがある場合における統合エッジ角度α）を補正部２２に供給する。

次に、補正部２２による補正処理について説明する。補正部２２は、線欠陥上の補正対象画素Ｐｓを中心としたマスクを設定し、マスク内に含まれる正常画素の画素値を重み付け加算した値を用いて補正対象画素Ｐｓを補正する。

図６は、補正対象画素Ｐｓを補正する補正処理の一例について説明する。図６に示すマスクのサイズは、５×５画素である。θ（Ｘ，Ｙ）は、マスク内の１つの画素と補正対象画素Ｐｓとを結ぶ線がＸ方向に対してなす角度を表している。Ｄ（Ｘ，Ｙ）は、当該画素と補正対象画素Ｐｓとの距離を表している。本例では、補正対象画素Ｐｓの座標を原点としている。

補正部２２は、補正対象画素Ｐｓの画素値を、下式（５）～（７）に基づいて算出したＱＬ（０，０）に置換する。下式（５）中のΣは、－２≦Ｘ≦２及び－２≦Ｙ≦２（但し、原点及び欠陥画素の座標は除く）の範囲内でＸ，Ｙを変更して加算を行うことを意味している。

また、上式（５）中の重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、下式（６）で表される。下式（６）中のｎ，ｍは、パラメータであり、例えば正の整数に設定される。

また、上式（６）中の差分角度δ（Ｘ，Ｙ）は、下式（７）で表される。差分角度δ（Ｘ，Ｙ）は、補正対象画素Ｐｓからの補正に用いる正常画素の方向と、エッジ方向とのなす角度である。差分角度δ（Ｘ，Ｙ）は、０°から１８０°の範囲内の値を取る。

上式（６）は、差分角度δ（Ｘ，Ｙ）の余弦の絶対値を取った値のべき乗で表される関数を含む。すなわち、重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、差分角度δ（Ｘ，Ｙ）が０°及び１８０°の場合に最大となり、かつ差分角度δ（Ｘ，Ｙ）が９０°の場合に最小となる、９０°を中心として対称な関数を含んで表されている。

上式（５）～（７）は、マスク内の正常画素の各々に、差分角度δ（Ｘ，Ｙ）と距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）とに応じた重みＷ（Ｘ，Ｙ）を付けて補正対象画素Ｐｓを補正することを表している。重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、差分角度δ（Ｘ，Ｙ）が小さいほど重みＷ（Ｘ，Ｙ）が大きくなる。すなわち、補正対象画素Ｐｓからエッジ方向に存在する正常画素の重みＷ（Ｘ，Ｙ）が最も大きくなる。これにより、エッジにまたがった欠陥画素であっても補正残差の少ない良好な補正結果が得られる。

補正部２２は、図６に示す５×５画素のマスクに代えて、図７に示す７×７画素のマスクを用いてもよい。さらに、マスクのサイズは、９×９画素などであってもよい。例えば、２画素以上の幅を有する線欠陥上の画素を補正する場合には、補間に用いる正常画素の数を多くするために、７×７画素、９×９画素などのサイズの大きいマスクを用いることで補正精度が向上する。一方で、サイズの大きいマスクを用いると、補正対象画素Ｐｓから距離が離れた正常画素を補正に用いるため、補正精度劣化のリスクも増える。このため、補正対象の線欠陥の幅に応じてマスクのサイズを調整することが好ましい。

また、補正部２２は、上式（６）に代えて、下式（６Ａ）を用いてもよい。

図８は、上式（６）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）の差分角度δ（Ｘ，Ｙ）に対する依存性を示す。図９は、上式（６Ａ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）の差分角度δ（Ｘ，Ｙ）に対する依存性を示す。図８及び図９に示すように、パラメータｎを変更することで、エッジ方向に沿った画素（δ（Ｘ，Ｙ）＝０°又はδ（Ｘ，Ｙ）＝１８０°付近の画素）の重みを調整することができる。

例えば、放射線画像が解像度チャートなどの高コントラストかつ高周波のパターンを含む場合に、エッジ方向に沿った画素の重みＷ（Ｘ，Ｙ）を大きくすることで欠陥画素の補正精度が向上させることができる。このため、放射線画像から解像度チャートのパターン領域を検出し、パターン領域内の欠陥画素を補正する場合に、パラメータｎを大きくするなどの調整を行うことも好ましい。

上式（６）又は上式（６Ａ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）が大きいほど小さくなる。但し、解像度チャートのように、距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）が大きくても差分角度δ（Ｘ，Ｙ）がほぼ０の画素の重みＷ（Ｘ，Ｙ）を大きくすべき場合には、パラメータｍを０又は０に近い値に設定すべきである。

以下、上式（６）又は上式（６Ａ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）を用いた補正処理（すなわエッジ方向を考慮した補正処理）を、第１補正処理という。上式（６）又は上式（６Ａ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、本開示の技術に係る「第１の重み」の一例である。

補正部２２は、統合エッジ強度Ｅが閾値未満である場合、すなわちエッジがない場合には、補正部２２は、上式（６）に代えて、下式（６Ｂ）を用いて補正処理を行う。

上式（６Ｂ）は、上式（６）又は上式（６Ａ）においてδ（Ｘ，Ｙ）＝０としたものである。すなわち、上式（６Ｂ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、差分角度δ（Ｘ，Ｙ）に依存せず、距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）にのみ依存する等方的な重みである。上式（６Ｂ）で表される重みＷ（Ｘ，Ｙ）は、本開示の技術に係る「第２の重み」の一例である。以下、等方的な第２の重みを用いた補正処理を、第２補正処理という。

以下において、第１補正処理と第２補正処理とを区別する必要がない場合には、単に補正処理という。

第２補正処理において、パラメータｍの値は、第１補正処理の場合とは異なる値であってもよい。エッジがない場合には、エッジがある場合に行われる上述のようにパラメータｍを０又は０に近い値に設定することは不要となる。このため、エッジがない場合には、単に距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）が小さいほど重みＷ（Ｘ，Ｙ）を大きくするようにパラメータｍを設定することが好ましい。すなわち、第１の重みは、第２の重みよりも距離Ｄ（Ｘ，Ｙ）に対する依存性が小さくてもよい。

なお、エッジがない場合には、図１０に示すように、補正部２２は、補正対象画素Ｐｓに隣接する２つの正常画素Ｐｉを用いて補間処理を行うことにより、補正対象画素Ｐｓを補正してもよい。図１０に示す例では、補正部２２は、線欠陥を挟んで対向し、かつ補正対象画素Ｐｓに隣接する２つの正常画素Ｐｉを用いて補間処理を行う。

図１１は、画像処理部１４による画像処理の流れの一例を示す。まず、取得部２０は、制御部１０がＦＰＤ５から受信した放射線画像を取得する（ステップＳ１０）。次に、検出部２１は、放射線画像に対してＬＯＧ変換処理を行う（ステップＳ１１）。次に、検出部２１は、記憶部１３に記憶された欠陥画素データ１６に基づいて、線状欠陥に含まれる１つの欠陥画素を補正対象画素Ｐｓとして選択する（ステップＳ１２）。

次に、検出部２１は、微分フィルタＦｘ及びＦｙを用いて上述のエッジ検出処理を行う（ステップＳ１３）。具体的には、検出部２１は、上述の処理により統合エッジ強度Ｅ及び統合エッジ角度αを算出する。

次に、検出部２１は、補正対象画素Ｐｓの周辺にエッジがあるか否かを判定する（ステップＳ１４）。具体的には、検出部２１は、統合エッジ強度Ｅが閾値以上である場合にエッジがあると判定し、統合エッジ強度Ｅが閾値未満である場合にエッジがないと判定する。

エッジがある場合には（ステップＳ１４：ＹＥＳ）、補正部２２は、エッジ方向を考慮した第１補正処理を行う（ステップＳ１５）。一方、エッジがない場合には（ステップＳ１４：ＮＯ）、補正部２２は、エッジ方向を考慮しない第２補正処理を行う（ステップＳ１６）。

補正部２２は、第１補正処理又は第２補正処理を行った後、線状欠陥に含まれる全ての欠陥画素の補正が終了したか否かを判定する（ステップＳ１７）。補正部２２は、線状欠陥に含まれる全ての欠陥画素の補正が終了していないと判定した場合には（ステップＳ１７：ＮＯ）、処理をステップＳ１２に戻す。ステップＳ１２において、検出部２１は、補正が行われていない欠陥画素を補正対象画素Ｐｓとして選択する。そして、補正部２２は、線状欠陥に含まれる全ての欠陥画素の補正が終了したと判定した場合には（ステップＳ１７：ＹＥＳ）、処理を終了する。

従来の補正方法では、線欠陥にエッジが交わっている場合に、隣接画素を用いてエッジ上の欠陥画素を補正すると、補正後の放射線画像には補正残差が視認される。特に、高コントラストかつ高周波のパターンでは、補正残差が顕著となる。これに対して、本開示に係る補正方法では、上述の処理により算出した統合エッジ強度Ｅ及び統合エッジ角度αを考慮して補正対象画素Ｐｓを補正するので、線欠陥に交わるエッジ上の欠陥画素を精度よく補正することができる。

［変形例］
次に、上記実施形態の各種の変形例について説明する。上記実施形態では、検出部２１は、図３に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙを用いて微分値を算出しているが、これに代えて、図１２又は図１３に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙを用いてもよい。図１２に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙは、Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタと称される。図１３に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙは、Ｓｏｂｅｌフィルタと称される。Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ又はＳｏｂｅｌフィルタを用いることにより、ノイズの影響を低減することができる。

また、検出部２１は、図３に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙに代えて、図１４に示す斜め方向に微分を行う微分フィルタＦｘ及びＦｙを用いてもよい。図１４に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙでは、係数「１」及び「－１」が斜め方向に配置されている。すなわち、図１４に示す微分フィルタＦｘ及びＦｙは、Ｘ方向に対して４５°をなす方向の微分値と、Ｙ方向に対して４５°をなす方向の微分値とを取得することを可能とする。なお、Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ又はＳｏｂｅｌフィルタを用いる場合においても、同様の変形が可能である。

次に、検出部２１によるエッジ検出処理の変形例について説明する。上記実施形態では、図１５に示すように、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２に高周波パターンが存在する場合であっても、各領域内で高周波パターンが線状欠陥の延伸方向に対称な場合には、同方向の微分値がほぼゼロとなり、同方向のエッジが検出されない可能性がある。

本変形例では、図１６～図１８に示すように、検出部２１は、第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２のそれぞれを、線状欠陥の延伸方向にシフトさせることにより、線状欠陥の延伸方向に複数の領域を設定する。図１６に示す第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａは、上記実施形態の第１領域ＦＲ１及び第２領域ＦＲ２と同一であり、補正対象画素Ｐｓを通り、かつ線欠陥の延伸方向に直交する方向に延伸する直線に対して対称となるように配置されている。

図１７に示す第１Ｂ領域ＦＲ１Ｂ及び第１Ｂ領域ＦＲ１Ｂは、図１６に示す第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａを、線欠陥に沿った第１方向（本例では＋Ｘ方向）に１画素シフトさせた領域である。図１８に示す第１Ｃ領域ＦＲ１Ｃ及び第２Ｃ領域ＦＲ２Ｃは、図１６に示す第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａを、第１方向とは逆方向である第２方向（本例では－Ｘ方向）に１画素シフトさせた領域である。

本変形例では、検出部２１は、各領域に微分フィルタＦｘ及びＦｙを適用することにより、領域ごとに微分値Δ_ＸＱＬ（Ｘ，Ｙ）及びΔ_ＹＱＬ（Ｘ，Ｙ）を算出する。そして、検出部２１は、各領域について、下式（７）及び下式（８）を用いてエッジ強度Ｅ（ｉ，ｋ）及びエッジ角度α（ｉ，ｋ）を算出する。

ここで、ｉ，ｋは、各領域を区別するためのパラメータである。パラメータｉは、領域が、線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域のうちのいずれに属するかを表す。パラメータｋは、線欠陥に沿った領域の位置を表す。

Ｅ（１，１）及びα（１，１）は、第１Ａ領域ＦＲ１Ａのエッジ強度（以下、第１Ａエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第１Ａエッジ角度という。）である。Ｅ（１，２）及びα（１，２）は、第１Ｂ領域ＦＲ１Ｂのエッジ強度（以下、第１Ｂエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第１Ｂエッジ角度という。）である。Ｅ（１，３）及びα（１，３）は、第１Ｃ領域ＦＲ１Ｃのエッジ強度（以下、第１Ｃエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第１Ｃエッジ角度という。）である。

Ｅ（２，１）及びα（２，１）は、第２Ａ領域ＦＲ２Ａのエッジ強度（以下、第２Ａエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第２Ａエッジ角度という。）である。Ｅ（２，２）及びα（２，２）は、第２Ｂ領域ＦＲ２Ｂのエッジ強度（以下、第２Ｂエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第２Ｂエッジ角度という。）である。Ｅ（２，３）及びα（２，３）は、第２Ｃ領域ＦＲ２Ｃのエッジ強度（以下、第２Ｃエッジ強度という。）及びエッジ角度（以下、第２Ｃエッジ角度という。）である。

検出部２１は、第１Ａエッジ強度Ｅ（１，１），第１Ｂエッジ強度Ｅ（１，２），第１Ｃエッジ強度Ｅ（１，３）を統合することにより第１エッジ強度Ｅ（１）を算出し、第１Ａエッジ角度α（１，１），第１Ｂエッジ角度α（１，２），第１Ｃエッジ角度α（１，３）を統合することにより第１エッジ角度α（１）を算出する。また、検出部２１は、第２Ａエッジ強度Ｅ（２，１），第２Ｂエッジ強度Ｅ（２，２），第２Ｃエッジ強度Ｅ（２，３）を統合することにより第２エッジ強度Ｅ（２）を算出し、第２Ａエッジ角度α（２，１），第２Ｂエッジ角度α（２，２），第２Ｃエッジ角度α（２，３）を統合することにより第２エッジ角度α（２）を算出する。

ここで、検出部２１は、第１Ａエッジ強度Ｅ（１，１）が、第１Ｂエッジ強度Ｅ（１，２）又は第１Ｃエッジ強度Ｅ（１，３）と同等レベル以上であれば、第１Ａエッジ強度Ｅ（１，１）を第１エッジ強度Ｅ（１）とし、第１Ａエッジ角度α（１，１）を第１エッジ角度α（１）とする。また、検出部２１は、第２Ａエッジ強度Ｅ（２，１）が、第２Ｂエッジ強度Ｅ（２，２）又は第２Ｃエッジ強度Ｅ（２，３）と同等レベル以上であれば、第２Ａエッジ強度Ｅ（２，１）を第２エッジ強度Ｅ（２）とし、第２Ａエッジ角度α（２，１）を第２エッジ角度α（２）とする。

図１９は、変形例に係る検出部２１によるエッジ検出処理の流れを示す。まず、検出部２１は、パラメータｉを「１」とする（ステップＳ２０）。次に、検出部２１は、ｋ＝１，２，３のそれぞれについて、Ｅ（ｉ，ｋ）及びα（ｉ，ｋ）を算出する（ステップＳ２１）。

次に、検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，２）より大きいか否かを判定する（ステップＳ２２）。すなわち、検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）がＥ（ｉ，２）と同等レベル以上であるか否かを判定する。定数βは、正の値であり、１であってもよい。検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，２）より大きい場合には（ステップＳ２２：ＹＥＳ）、処理をステップＳ２４に移行する。検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，２）以下である場合には（ステップＳ２２：ＮＯ）、処理をステップＳ２３に移行する。

ステップＳ２３で、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，３）より大きいか否かを判定する。すなわち、検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）がＥ（ｉ，３）と同等レベル以上であるか否かを判定する。定数βは、正の値であり、１であってもよい。検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，３）より大きい場合には（ステップＳ２３：ＹＥＳ）、処理をステップＳ２４に移行する。検出部２１は、Ｅ（ｉ，１）に係数βを乗じた値がＥ（ｉ，３）以下である場合には（ステップＳ２３：ＮＯ）、処理をステップＳ２６に移行する。

ステップＳ２４で、検出部２１は、Ｅ（ｉ）＝Ｅ（ｉ，１）とする。続くステップＳ２５で、検出部２１は、α（ｉ）＝α（ｉ，１）とする。

ステップＳ２６で、検出部２１は、下式（９）を用いてＥ（ｉ）を算出する。下式（９）は、パラメータｋについてのＥ（ｉ，ｋ）の平均値をＥ（ｉ）とすることを表す。

また、検出部２１は、下式（１０）を用いてα（ｉ）を算出する（ステップＳ２７）。下式（１０）は、Ｅ（ｉ，ｋ）を重みとしたα（ｉ，ｋ）の加重平均値をα（ｉ）とすることを表す。

ステップＳ２５又はステップＳ２７の後、検出部２１は、パラメータｉが「２」であるか否かを判定する（ステップＳ２８）。検出部２１は、パラメータｉが「２」でない場合には（ステップＳ２８：ＮＯ）、パラメータｉをインクリメントして「２」とし（ステップＳ２９）、処理をステップＳ２１に戻す。この後、検出部２１は、同様の処理を行う。

検出部２１は、パラメータｉが「２」である場合には（ステップＳ２８：ＹＥＳ）、上式（３）及び上式（４）を用いて統合エッジ強度Ｅ及び統合エッジ角度αを算出する（ステップＳ３０）。以上で、エッジ検出処理は終了する。

以上のように、第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａ内で高周波パターンが線状欠陥の延伸方向に対称でない場合には、Ｅ（ｉ，１）及びα（ｉ，１）が統合エッジ強度Ｅ及び統合エッジ角度αとされる。一方、第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａ内で高周波パターンが線状欠陥の延伸方向に対称である場合には、Ｅ（ｉ，ｋ）の平均値及びα（ｉ，ｋ）の加重平均値が統合エッジ強度Ｅ及び統合エッジ角度αとされる。

本変形例に係るエッジ検出処理によれば、第１Ａ領域ＦＲ１Ａ及び第２Ａ領域ＦＲ２Ａ内で高周波パターンが線状欠陥の延伸方向に対称な場合であっても、エッジを検出することができる。補正部２２により行われる補正処理は、上記実施形態と同様である。

また、画像処理部１４は、カセッテホルダ７に散乱線除去グリッド８が装着されている場合に、放射線画像からグリッド縞を除去する処理を行うグリッド縞除去処理部を備えることも好ましい。グリッド縞除去処理部は、散乱線除去グリッド８の装着の有無と、装着されている場合におけるグリッドの方向及び本数を検出し、高周波成分であるグリッド縞を除去する。例えば、グリッド縞除去処理部は、放射線画像からグリッド縞を除去し、グリッド縞が除去された低周波成分を有する放射線画像を作成する。この場合、検出部２１は、グリッド縞除去後の放射線画像に対してエッジ検出処理と欠陥画素の補正処理とを行う。

図２０は、変形例に係る画像処理部１４による画像処理の流れを示す。図２０に示すフローチャートは、ステップＳ１０とステップＳ１１との間に、ステップＳ４０及びＳ４１を含む点のみが、図１１に示すフローチャートと異なる。グリッド縞除去処理部は、ステップＳ１０の後、散乱線除去グリッド８が装着されているか否かを判定する（ステップＳ４０）。グリッド縞除去処理部は、散乱線除去グリッド８が装着されていると判定した場合には（ステップＳ４０：ＹＥＳ）、ステップＳ１０で取得された放射線画像に対して上述のグリッド縞除去処理を行う（ステップＳ４１）。グリッド縞除去処理部は、散乱線除去グリッド８が装着されていないと判定した場合には（ステップＳ４０：ＮＯ）、処理をステップＳ１１に移行させる。

なお、グリッド縞除去処理部は、ステップＳ１１でＬＯＧ変換処理が行われた後にグリッド縞除去処理を行ってもよい。

上記実施形態において、例えば、取得部２０、検出部２１、補正部２２、及びグリッド縞除去処理部といった各種の処理を実行する処理部（Processing Unit）のハードウェア的な構造としては、次に示す各種のプロセッサ（Processor）を用いることができる。各種のプロセッサには、上述したように、ソフトウェア（プログラム）を実行して各種の処理部として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵに加えて、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の製造後に回路構成を変更可能なプロセッサであるＰＬＤ（Programmable Logic Device）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路等が含まれる。

１つの処理部は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種又は異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、及び／又は、ＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、複数の処理部を１つのプロセッサで構成してもよい。

複数の処理部を１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、クライアント及びサーバ等のコンピュータに代表されるように、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが複数の処理部として機能する形態がある。第２に、システムオンチップ（System On Chip：SoC）等に代表されるように、複数の処理部を含むシステム全体の機能を１つのＩＣ（Integrated Circuit）チップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、各種の処理部は、ハードウェア的な構造として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて構成される。

さらに、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路（circuitry）を用いることができる。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

２ 放射線撮影システム
３ 放射線発生装置
４ 放射線管
６ 情報処理装置
７ カセッテホルダ
７Ａ 検出面
８ 散乱線除去グリッド
１０ 制御部
１１ ディスプレイ
１２ 操作部
１３ 記憶部
１４ 画像処理部
１５ プログラム
１６ 欠陥画素データ
２０ 取得部
２１ 検出部
２２ 補正部
α 統合エッジ角度
Ｆｘ，Ｆｙ 微分フィルタ
Ｈ 被写体
Ｐｉ 正常画素
Ｐｓ 補正対象画素
Ｒ 放射線
ＦＲ１ 第１領域
ＦＲ１Ａ 第１Ａ領域
ＦＲ１Ｂ 第１Ｂ領域
ＦＲ１Ｃ 第１Ｃ領域
ＦＲ２ 第２領域
ＦＲ２Ａ 第２Ａ領域
ＦＲ２Ｂ 第２Ｂ領域
ＦＲ２Ｃ 第２Ｃ領域

Claims (18)

1. 放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理を行う情報処理装置であって、
   プロセッサを備え、
   前記プロセッサは、
   前記線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、前記線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定し、
   前記第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出し、
   前記第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出し、
   前記第１エッジ強度及び前記第２エッジ強度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出し、
   前記第１エッジ角度及び前記第２エッジ角度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出し、
   前記統合エッジ強度及び前記統合エッジ角度を考慮して前記補正対象画素を補正する、
   情報処理装置。
2. 前記プロセッサは、
   前記第１領域及び前記第２領域の各々に微分方向が異なる２つの微分フィルタを適用することにより２つの微分値を算出し、
   前記第１領域から算出した前記２つの微分値に基づいて前記第１エッジ強度及び前記第１エッジ角度を算出し、
   前記第２領域から算出した前記２つの微分値に基づいて前記第２エッジ強度及び前記第２エッジ角度を算出する、
   請求項１に記載の情報処理装置。
3. 前記第１エッジ強度及び前記第２エッジ強度は、それぞれ前記２つの微分値の二乗和の平方根、又は前記２つの微分値の絶対値和である、
   請求項２に記載の情報処理装置。
4. 前記第１エッジ角度及び前記第２エッジ角度は、それぞれ前記２つの微分値の比を、逆正接関数に適用することにより算出した角度により表される、
   請求項２に記載の情報処理装置。
5. 前記微分フィルタの各々は、Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ又はＳｏｂｅｌフィルタである、
   請求項２に記載の情報処理装置。
6. 前記プロセッサは、
   前記第１エッジ強度と前記第２エッジ強度との平均値を前記統合エッジ強度とし、
   前記第１エッジ強度及び前記第２エッジ強度を重みとした前記第１エッジ角度及び前記第２エッジ角度の加重平均値を前記統合エッジ角度とする、
   請求項２に記載の情報処理装置。
7. 前記プロセッサは、
   前記第１領域及び前記第２領域を第１Ａ領域及び第２Ａ領域とし、
   前記第１Ａ領域及び前記第２Ａ領域を前記線欠陥に沿った第１方向に１画素シフトさせた第１Ｂ領域及び第２Ｂ領域と、前記第１Ａ領域及び前記第２Ａ領域を前記第１方向とは逆方向である第２方向に１画素シフトさせた第１Ｃ領域及び第２Ｃ領域と、を設定し、
   前記第１Ａ領域の第１Ａエッジ強度及び第１Ａエッジ角度を算出し、
   前記第１Ｂ領域の第１Ｂエッジ強度及び第１Ｂエッジ角度を算出し、
   前記第１Ｃ領域の第１Ｃエッジ強度及び第１Ｃエッジ角度を算出し、
   前記第２Ａ領域の第２Ａエッジ強度及び第２Ａエッジ角度を算出し、
   前記第２Ｂ領域の第２Ｂエッジ強度及び第２Ｂエッジ角度を算出し、
   前記第２Ｃ領域の第２Ｃエッジ強度及び第２Ｃエッジ角度を算出し、
   前記第１Ａエッジ強度、前記第１Ｂエッジ強度、前記第１Ｃエッジ強度、前記第１Ａエッジ角度、前記第１Ｂエッジ角度、及び前記第１Ｃエッジ角度に基づいて、前記第１エッジ強度及び前記第１エッジ角度を算出し、
   前記第２Ａエッジ強度、前記第２Ｂエッジ強度、前記第２Ｃエッジ強度、前記第２Ａエッジ角度、前記第２Ｂエッジ角度、及び前記第２Ｃエッジ角度に基づいて、前記第２エッジ強度及び前記第２エッジ角度を算出する、
   請求項１に記載の情報処理装置。
8. 前記プロセッサは、
   前記第１Ａエッジ強度が、前記第１Ｂエッジ強度又は前記第１Ｃエッジ強度と同等レベル以上である場合には、前記第１Ａエッジ強度及び前記第１Ａエッジ角度を前記第１エッジ強度及び前記第１エッジ角度とし、
   前記第２Ａエッジ強度が、前記第２Ｂエッジ強度又は前記第２Ｃエッジ強度と同等レベル以上である場合には、前記第２Ａエッジ強度及び前記第２Ａエッジ角度を前記第２エッジ強度及び前記第２エッジ角度とする、
   請求項７に記載の情報処理装置。
9. 前記プロセッサは、
   前記第１Ａエッジ強度が、前記第１Ｂエッジ強度又は前記第１Ｃエッジ強度と同等レベル以上でない場合には、前記第１Ａエッジ強度、前記第１Ｂエッジ強度、及び前記第１Ｃエッジ強度の平均値を前記第１エッジ強度とし、前記第１Ａエッジ強度、前記第１Ｂエッジ強度、及び前記第１Ｃエッジ強度を重みとした前記第１Ａエッジ角度、前記第１Ｂエッジ角度、及び前記第１Ｃエッジ角度の加重平均値を前記第１エッジ角度とし、
   前記第２Ａエッジ強度が、前記第２Ｂエッジ強度又は前記第２Ｃエッジ強度と同等レベル以上でない場合には、前記第２Ａエッジ強度、前記第２Ｂエッジ強度、及び前記第２Ｃエッジ強度の平均値を前記第２エッジ強度とし、前記第２Ａエッジ強度、前記第２Ｂエッジ強度、及び前記第２Ｃエッジ強度を重みとした前記第２Ａエッジ角度、前記第２Ｂエッジ角度、及び前記第２Ｃエッジ角度の加重平均値を前記第２エッジ角度とする、
   請求項８に記載の情報処理装置。
10. 前記プロセッサは、前記統合エッジ強度を閾値と比較することにより前記補正対象画素の周辺のエッジの有無を判定する、
    請求項１に記載の情報処理装置。
11. 前記プロセッサは、
    前記エッジがある場合には、前記補正対象画素を中心として設定したマスク内の正常画素の各々に、前記補正対象画素からの前記正常画素の方向と前記エッジ方向とのなす角度である差分角度と、前記補正対象画素から前記正常画素までの距離とに応じた第１の重みを付けて前記補正対象画素を補正する第１補正処理を行い、
    前記エッジがない場合には、前記正常画素の各々に、前記差分角度に依存せず、前記距離にのみ依存する第２の重みを付けて前記補正対象画素を補正する第２補正処理を行う、
    請求項１０に記載の情報処理装置。
12. 前記差分角度は、０°から１８０°の範囲内の値を取り、
    前記第１の重みは、前記差分角度が０°及び１８０°の場合に最大となり、かつ前記差分角度が９０°の場合に最小となる、９０°を中心として対称な関数を含んで表される、
    請求項１１に記載の情報処理装置。
13. 前記関数は、前記差分角度の余弦の絶対値を取った値のべき乗で表される、
    請求項１２に記載の情報処理装置。
14. 前記第１の重みは、前記第２の重みよりも前記距離に対する依存性が小さい、
    請求項１１に記載の情報処理装置。
15. 前記プロセッサは、前記放射線画像に対してＬＯＧ変換処理を行い、ＬＯＧ変換後の前記放射線画像を用いて前記統合エッジ強度と前記統合エッジ角度を算出する、
    請求項１に記載の情報処理装置。
16. 前記プロセッサは、前記放射線画像に対して散乱線除去グリッドによるグリッド縞を除去するグリッド縞除去処理を行い、グリッド縞除去後の前記放射線画像を用いて前記統合エッジ強度及び前記統合エッジ角度の算出と前記補正対象画素の補正とを行う、
    請求項１に記載の情報処理装置。
17. 放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理を行う情報処理方法であって、
    前記線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、前記線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定すること、
    前記第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出すること、
    前記第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出すること、
    前記第１エッジ強度及び前記第２エッジ強度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出すること、
    前記第１エッジ角度及び前記第２エッジ角度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出すること、
    前記統合エッジ強度及び前記統合エッジ角度を考慮して前記補正対象画素を補正すること、
    を含む情報処理方法。
18. 放射線撮影することにより得られた放射線画像の線欠陥を補正する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、
    前記線欠陥により隔てられた両側の正常画素領域において、前記線欠陥から選択される１つの補正対象画素を挟んで対向する位置に第１領域及び第２領域を設定すること、
    前記第１領域の第１エッジ強度及び第１エッジ角度を算出すること、
    前記第２領域の第２エッジ強度及び第２エッジ角度を算出すること、
    前記第１エッジ強度及び前記第２エッジ強度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ強度を表す統合エッジ強度を算出すること、
    前記第１エッジ角度及び前記第２エッジ角度を統合することにより前記補正対象画素の周辺のエッジ方向を表す統合エッジ角度を算出すること、
    前記統合エッジ強度及び前記統合エッジ角度を考慮して前記補正対象画素を補正すること、
    を含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。