JP2024024846A - 光ファイバの製造方法及び光ファイバ - Google Patents

Abstract

【課題】光ファイバの断線を抑制可能な光ファイバの製造方法及び光ファイバを提供する。【解決手段】光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材を溶融し、ガラスファイバを線引きする工程と、ガラスファイバの外周に樹脂組成物を塗布する工程と、塗布された樹脂組成物を硬化させる工程と、を有する光ファイバの製造方法であって、樹脂組成物の外周または樹脂組成物が硬化されてなる被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの中心軸の、ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量をガラスファイバの５０ｍ以上の長さ範囲にわたって５０点以上測定し、樹脂組成物は、偏心量の平均値ａ及び標準偏差σが、ａ＋３σ≦１０μｍを満たすように塗布される。【選択図】図３

Description

本開示は、光ファイバの製造方法に関する。

ガラスファイバと、ガラスファイバの外周を覆う樹脂被覆層と、を備える光ファイバが知られている（例えば、特許文献１から３）。特許文献１には、ガラス部の外径の標準偏差を規定することが記載されている。特許文献２には、被覆の偏肉検出方法が記載されている。特許文献３には、光ファイバの偏肉揺れをオンライン測定する方法が記載されている。

特開２０１８－４５０２８号公報 特開昭６０－２３８７３７号公報 特開２０１４－６６５５８号公報

被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの偏心量が大きくなると、光ファイバが断線するおそれがある。

本開示は、光ファイバの断線を抑制可能な光ファイバの製造方法及び光ファイバを提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材を溶融し、ガラスファイバを線引きする工程と、ガラスファイバの外周に樹脂組成物を塗布する工程と、塗布された樹脂組成物を硬化させる工程と、を有する光ファイバの製造方法であって、樹脂組成物の外周または樹脂組成物が硬化されてなる被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの中心軸の、ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量をガラスファイバの５０ｍ以上の長さ範囲にわたって５０点以上測定し、樹脂組成物は、偏心量の平均値ａ及び標準偏差σが、ａ＋３σ≦１０μｍを満たすように塗布される。

本開示の一態様に係る光ファイバは、ガラスファイバと、ガラスファイバの外周を覆う被覆樹脂層と、を備え、被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの中心軸の、ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量をガラスファイバの５０ｋｍ以上の長さ範囲にわたって５００点以上測定したときに、偏心量の平均値ａ及び標準偏差σがａ＋３σ≦１０μｍを満たす。

本開示によれば、光ファイバの断線を抑制可能な光ファイバの製造方法及び光ファイバを提供することができる。

図１は、実施形態に係る光ファイバの長さ方向に垂直な断面を示す図である。 図２は、ガラスファイバの偏心量の定義を説明するための概略断面図である。 図３は、実施形態に係る光ファイバの製造方法を示すフローチャートである。 図４は、実施形態に係る光ファイバの製造方法に用いられる製造装置の概略構成図である。 図５は、撮像部により観察される観察画像の一例を示す概略図である。 図６は、撮像部により観察される観察画像の一例を示す概略図である。 図７は、実験例１に係るガラスファイバの偏心量波形を示すグラフである。 図８は、実験例１に係るガラスファイバの偏心量のヒストグラム及び累積の折れ線グラフである。 図９は、実験例３に係るガラスファイバの偏心量波形を示すグラフである。 図１０は、実験例３に係るガラスファイバの偏心量のヒストグラム及び累積の折れ線グラフである。

［本開示の実施態様の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。（１）本開示の一態様に係る光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材を溶融し、ガラスファイバを線引きする工程と、ガラスファイバの外周に樹脂組成物を塗布する工程と、塗布された樹脂組成物を硬化させる工程と、を有する光ファイバの製造方法であって、樹脂組成物の外周または樹脂組成物が硬化されてなる被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの中心軸の、ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量をガラスファイバの５０ｍ以上の長さ範囲にわたって５０点以上測定し、樹脂組成物は、偏心量の平均値ａ及び標準偏差σが、ａ＋３σ≦１０μｍを満たすように塗布される。

上記光ファイバの製造方法では、５０ｍ以上の長さ範囲にわたってガラスファイバの偏心量を抑制することができる。

（２）上記（１）において、樹脂組成物は、偏心量のヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示すように塗布されてもよい。この場合、ガラスファイバの偏心量の揺れ（変動）が抑制される。

（３）上記（１）または（２）において、偏心量は、２０ｍｓ以下のサンプリング周期で測定されてもよい。この場合、ガラスファイバの偏心量をより確実に抑制することができる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、樹脂組成物は、樹脂組成物を塗布する塗布装置の位置または傾きを調整しながら塗布されてもよい。この場合、ガラスファイバの偏心量を調整することができる。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、樹脂組成物は、光ファイバ母材の位置、または、樹脂組成物を硬化させる硬化装置の直下に配置されて光ファイバの走行方向を転換するローラの位置を調整しながら塗布されてもよい。この場合、ガラスファイバの偏心量を調整することができる。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、偏心量の測定は、硬化させる工程の前に行われ、偏心量は、樹脂組成物の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの偏心量として測定されてもよい。この場合であっても、上記長さ範囲にわたってガラスファイバの偏心量を抑制することができる。

（７）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、測定する工程は、硬化させる工程の後に行われ、偏心量は、被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの偏心量として測定されてもよい。この場合であっても、上記長さ範囲にわたってガラスファイバの偏心量を抑制することができる。

（８）本開示の一態様に係る光ファイバは、ガラスファイバと、ガラスファイバの外周を覆う被覆樹脂層と、を備え、被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からのガラスファイバの中心軸の、ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量をガラスファイバの５０ｋｍ以上の長さ範囲にわたって５００点以上測定したときに、偏心量の平均値ａ及び標準偏差σがａ＋３σ≦１０μｍを満たす。

上記光ファイバでは、５０ｋｍ以上の長さ範囲にわたってガラスファイバの偏心量を抑制することができる。

（９）上記（８）において、偏心量のヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示してもよい。この場合、ガラスファイバの偏心量の揺れ（変動）が抑制される。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の光ファイバの製造方法及び光ファイバの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（光ファイバ）
図１は、実施形態に係る光ファイバの長さ方向（軸方向）に垂直な断面を示す図である。光ファイバ１は、ガラスファイバ１０と、ガラスファイバ１０の外周に設けられた被覆樹脂層２０と、を備える。近年では、光ファイバを細径化して、複数の光ファイバを含む光ケーブルを高密度化することが検討されている。光ファイバ１は、例えば、細径化された光ファイバである。ガラスファイバ１０の直径は、例えば、６０μｍ以上１２５μｍ以下である。被覆樹脂層２０の外径、すなわち、光ファイバ１の直径は、例えば、１００μｍ以上２００μｍ以下である。着色樹脂層を被覆する前の光ファイバ１を「素線」、光ファイバ１に着色樹脂層を被覆して得られる光ファイバを「心線」又は「着色心線」ともいう。

ガラスファイバ１０は、コア１２及びクラッド１４を含む。クラッド１４は、コア１２を取り囲んでいる。コア１２及びクラッド１４は、石英ガラス等のガラスを主に含んでいる。例えば、コア１２にはゲルマニウムを添加した石英ガラス、又は、純石英ガラスを用いることができる。クラッド１４には純石英ガラス、又は、フッ素が添加された石英ガラスを用いることができる。ここで、純石英ガラスとは、不純物を実質的に含まない石英ガラスを示す。

被覆樹脂層２０は、プライマリ樹脂層２２及びセカンダリ樹脂層２４を含む。プライマリ樹脂層２２は、クラッド１４の外周面に接しており、クラッド１４の全体を被覆している。セカンダリ樹脂層２４は、プライマリ樹脂層２２の外周面に接しており、プライマリ樹脂層２２の全体を被覆している。セカンダリ樹脂層２４は、被覆樹脂層２０の最外層を構成している。

プライマリ樹脂層２２及びセカンダリ樹脂層２４は、紫外線硬化型の樹脂組成物の硬化物からなる。この樹脂組成物は、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、モノマー及び光重合開始剤を含む。ここで、（メタ）アクリレートとは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。モノマーとしては、重合性基を１つ有する単官能モノマー、重合性基を２つ以上有する多官能モノマーを用いることができる。モノマーは、２ガラス種以上を混合して用いてもよい。光重合開始剤としては、公知のラジカル光重合開始剤の中から適宜選択して使用することができる。樹脂組成物は、シランカップリング剤、光酸発生剤、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤等を更に含んでもよい。

図２は、ガラスファイバの偏心量の定義を説明するための概略断面図である。図２に示されるように、ガラスファイバ１０の偏心量ｄは、被覆樹脂層２０の外周を基準とした中心軸ＲＣからガラスファイバ１０の中心軸ＧＣまでの距離（径方向のずれ量、径方向の変位量）として定義される。中心軸ＧＣは、被覆樹脂層２０の内周を基準とした中心軸でもある。なお、被覆樹脂層２０の硬化前であれば、中心軸ＲＣは、被覆樹脂層２０となる樹脂組成物の外周を基準として設定される。つまり、偏心量ｄは、被覆樹脂層２０のとなる樹脂組成物の外周を基準とした中心軸ＲＣからガラスファイバ１０の中心軸ＧＣまでの距離（径方向のずれ量、径方向の変位量）として定義されてもよい。

光ファイバ１では、偏心量ｄをガラスファイバ１０の５０ｋｍ以上の長さ範囲にわたって５００点以上測定したときに、測定された偏心量ｄの平均値ａ及び標準偏差σがａ＋３σ≦１０μｍを満たしている。測定間隔は、例えば、１００ｍ以下であり、５０ｍ以下がより好ましく、１ｍ以下が更に好ましい。このように、光ファイバ１では、偏心量ｄが抑制されているので、断線を抑制することがきる。特に光ファイバ１が細径化されている場合、被覆樹脂層２０が薄いため、ガラスファイバ１０の位置が少しずれただけで偏心量ｄが悪化し易い。光ファイバ１では、偏心量ｄが抑制されているので、光ファイバ１の断線が抑制される。

偏心量ｄは、例えば、後述の測定工程Ｓ５で行われる測定方法により線引き中にオンラインで測定されてもよいし、他の公知の方法によりオフラインで測定されてもよい。光ファイバ１では、測定された偏心量のヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示している。ヒストグラムの形状については、後述する。

（光ファイバの製造方法）
図３は、実施形態に係る光ファイバの製造方法を示すフローチャートである。図３に示されるように、光ファイバの製造方法は、線引き工程Ｓ１と、冷却工程Ｓ２と、塗布工程Ｓ３と、硬化工程Ｓ４と、測定工程Ｓ５と、巻き取り工程Ｓ６と、を含む。工程Ｓ１から工程Ｓ６は、光ファイバ１の長さ方向のある一点に着目した場合の順番で示されている。つまり、光ファイバ１の長さ方向のある一点は、工程Ｓ１から工程Ｓ６を順に経て製造される。なお、測定工程Ｓ５は、塗布工程Ｓ３と巻き取り工程Ｓ６との間で行われればよく、硬化工程Ｓ４の前に行われてもよい。

図４は、実施形態に係る光ファイバの製造方法に用いられる製造装置の概略構成図である。図４に示されるように、製造装置３０は、光ファイバ母材２から光ファイバ１を製造する装置である。製造装置３０は、加熱炉３１、冷却装置３２、ダイス３３、紫外線照射装置３４、測定部３５、ガイドローラ３６，３７、キャプスタン３８、スクリーニング装置３９、ダンサローラ４０、巻き取りボビン４１、及び、制御部４２を備える。

以下、図３及び図４を参照しながら、光ファイバ１の製造方法の各工程について説明する。

線引き工程Ｓ１は、加熱炉３１により光ファイバ母材２を溶融し、ガラスファイバ１０を線引きする工程である。加熱炉３１は、内側に光ファイバ母材２が供給される円筒状の炉心管３１ａと、この炉心管３１ａを囲む発熱体３１ｂとを有する。加熱炉３１は、光ファイバ母材２の下端部を加熱により溶融させる。線引速度は、例えば、４０ｍ／ｓ程度である。

冷却工程Ｓ２は、光ファイバ母材２の下端部から線引きされたガラスファイバ１０を冷却装置３２により冷却する工程である。冷却装置３２は、加熱炉３１の下流側に配置されている。

塗布工程Ｓ３は、ダイス３３を用い、ガラスファイバ１０の外周に被覆樹脂層２０となる紫外線硬化型の樹脂組成物を塗布する工程である。ダイス３３は、冷却装置３２の下流側に配置されている。ダイス３３は、樹脂組成物を塗布する塗布装置である。本実施形態では、プライマリ樹脂層２２となる樹脂組成物、及び、セカンダリ樹脂層２４となる樹脂組成物が順にガラスファイバ１０の外周面に塗布される。

硬化工程Ｓ４は、樹脂組成物を紫外線照射装置３４により硬化させる工程である。紫外線照射装置３４は、ダイス３３の下流側に配置され、樹脂組成物に紫外線を照射する。樹脂組成物は、紫外線の照射により硬化し、被覆樹脂層２０を形成する。これにより、ガラスファイバ１０及び被覆樹脂層２０を備える光ファイバ１が得られる。

測定工程Ｓ５は、測定部３５を用い、ガラスファイバ１０の偏心量ｄ（図２参照）をガラスファイバ１０の５０ｍ以上の長さ範囲にわたって５０点以上測定する工程である。測定工程Ｓ５は、線引き中にオンラインで行われる。測定長は、１０００ｍ以上がより好ましい。データ数は、１０００点以上がより好ましい。偏心量ｄは、例えば、２０ｍｓ以下のサンプリング周期で測定される。この場合、１秒間に５０回測定が行われるので、線引速度が４０ｍ／ｓであれば、測定間隔は１ｍ以下である。

測定部３５は、紫外線照射装置３４の下流側に配置されている。測定工程Ｓ５は、硬化工程Ｓ４の後に行われるが、硬化工程Ｓ４の前に行われてもよい。この場合、測定部３５は紫外線照射装置３４の上流側に配置される。また、この場合、中心軸ＲＣは、硬化される前の樹脂組成物の外周を基準として設定される。測定部３５による測定方法の詳細は、後述する。

巻き取り工程Ｓ６は、ガイドローラ３６，３７、キャプスタン３８、スクリーニング装置３９、及び、ダンサローラ４０を介して、光ファイバ１を巻き取りボビン４１により巻き取る工程である。ガイドローラ３６，３７、キャプスタン３８、スクリーニング装置３９、ダンサローラ４０、及び、巻き取りボビン４１は、紫外線照射装置３４の下流側にこの順で配置されている。

ガイドローラ３６は、紫外線照射装置３４の鉛直方向の直下に配置されたローラである。ガイドローラ３６は、光ファイバ１に当接し、光ファイバ１の走行方向を鉛直方向から鉛直方向とは異なる方向に転換する。ダンサローラ４０は、ガイドローラ３７とキャプスタン３８との間に配置されていてもよい。

（測定方法）
測定部３５は、偏心の画像認識装置として構成され、例えば、第１光源と、第１撮像部と、第２光源と、第２撮像部と、を有している。第１光源は、測定対象の光ファイバ１の径方向の全体に光を照射するように配置されている。第１光源の光は、被覆樹脂層２０を透過する波長を含んでいる。第１撮像部は、測定対象の光ファイバ１を挟んで第１光源と対向するように配置され、光ファイバ１を透過した光の画像を取得するよう構成されている。第２光源および第２撮像部は、第１光源および第１撮像部の対向方向と直交するよう配置される点を除いて、これらと同様に構成されている。

このような構成により、光ファイバ１の中心軸に対して垂直で、且つ、互いに直交する２軸の方向において、光ファイバ１を透過した光に基づいて、被覆樹脂層２０の外周の位置と被覆樹脂層２０の内周の位置（ガラスファイバ１０の外周の位置）を求め、それらの中心間の距離であるガラスファイバ１０の偏心量ｄを測定することができる。つまり、光ファイバ１を非破壊としつつ、偏心量ｄを測定することができる。

図５及び図６は、撮像部により観察される観察画像の一例を示す概略図である。図中の左右方向は、光ファイバ１の径方向に対応し、上下方向は光ファイバ１の長さ方向に対応する。第１光源から照射された光の一部は、被覆樹脂層２０を透過した後、ガラスファイバ１０の外周面で全反射される。この全反射された光に起因し、観察画像には、ガラスファイバ１０の外周の位置（被覆樹脂層２０の内周の位置）に対応する暗部（影）が形成される。偏心が生じていない場合、図５に示されるように、観察画像の中心Ｃ（被覆樹脂層２０の外周の中心）から暗部までの距離が左右均等となる。偏心が生じている場合、図６に示されるように、中心Ｃから暗部までの距離が左右不均等となる。偏心量ｄが大きいほど、左右不均等の度合いが増す。

測定部３５は、制御部４２と通信可能に接続されている。測定工程Ｓ３で得られた測定結果は、制御部４２に送信される。制御部４２は、測定結果についての解析を行う。具体的には、制御部４２は、偏心量ｄの平均値ａ及び標準偏差σを計算すると共に、偏心量ｄのヒストグラムを階級幅１μｍで作成する。

制御部４２は、解析結果に基づき、例えば、ダイス３３、加熱炉３１、又は、ガイドローラ３６に対してフィードバック制御を行う。具体的には、制御部４２は、偏心量ｄの平均値ａ及び標準偏差σが、ａ＋３σ≦１０μｍを満たすように、ダイス３３の位置または傾きを調整したり、光ファイバ母材２の位置を調整したり、ガイドローラ３６の位置を調整したりする。つまり、塗布工程Ｓ３は、ａ＋３σ≦１０μｍが満たされるように、ダイス３３の位置または傾きを調整する工程を含み得る。線引き工程Ｓ１は、ａ＋３σ≦１０μｍが満たされるように、光ファイバ母材２の位置を調整する工程を含み得る。巻き取り工程Ｓ６は、ａ＋３σ≦１０μｍが満たされるように、ガイドローラ３６の位置を調整する工程を含み得る。光ファイバ１の製造方法では、このような偏心調整を行いながら、偏心量ｄの平均値ａ及び標準偏差σがａ＋３σ≦１０μｍを満たすように樹脂組成物が塗布される。

更に制御部４２は、偏心量ｄのヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示すように、ダイス３３の位置または傾きを調整したり、光ファイバ母材２の位置を調整したり、ガイドローラ３６の位置を調整したりする。つまり、塗布工程Ｓ３は、偏心量ｄのヒストグラムが一つ山型を示すように、ダイス３３の位置または傾きを調整する工程を含み得る。線引き工程Ｓ１は、偏心量ｄのヒストグラムが一つ山型を示すように、光ファイバ母材２の位置を調整する工程を含み得る。巻き取り工程Ｓ６は、偏心量ｄのヒストグラムが一つ山型を示すように、光ファイバ母材２の位置を調整する工程を含み得る。光ファイバ１の製造方法では、このような偏心調整を行いながら、偏心量ｄのヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示すように、樹脂組成物が塗布される。

制御部４２は、線引き中に測定される偏心量ｄを常に監視し続け、設定された閾値を超えた場合は、例えばアラームを出す。これにより、作業者が製造装置３０の再調整や不良部の廃棄を行うことができる。作業者が偏心量dの測定結果を見ながら、偏心量ｄの状態を把握し、良品の条件（ａ＋３σ≦１０μｍ、かつ、ヒストグラムが一つ山型）に入るように上記偏心調整を行ってもよい。

制御部４２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサと、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などのメモリと、タッチパネル、マウス、キーボード、ディスプレイなどの入出力装置と、ネットワークカードなどの通信装置とを含むコンピュータシステムとして構成されてもよい。制御部４２は、メモリに記憶されているコンピュータプログラムに基づくプロセッサの制御のもとで各ハードウェアを動作させることにより、制御部４２の機能を実現する。

従来、一定の線引速度で製造された光ファイバだけを取り出す、いわゆる光ファイバの良品取りの開始前と終了後に製造された光ファイバから数点の断面構造を測定し、偏心量の検査を行う場合があった。しかし、偏心量は光ファイバの長さ方向において変化しているので、良品取りの途中で生じる偏心不良を見逃してしまう可能性がある。光ファイバの製造では、例えば、３０００ｋｍから４０００ｋｍの長さの光ファイバが、まとめて１ロットとして線引きされる。例えば、良品取りの両端で偏心量の検査に合格しているロットでも、その後の着色樹脂層の塗布工程で１０ｋｍから１５０ｋｍに分割されることにより、偏心量の検査で不合格となることがある。不合格となった場合、合格となるまで光ファイバを廃却するので、不良廃却率の悪化及び検査時間の増加が問題となる。現状、上記の不良廃却率は１％程度である。

本実施形態に係る光ファイバ１の製造方法では、線引き中にだんだん偏心量ｄが悪くなるのを抑制するために、オンラインで偏心量ｄを測定及び監視し、測定結果に基づくフィードバック制御を行う。これにより、光ファイバ１の全長にわたって偏心量ｄが抑制される。この結果、不良廃却率を低減することができる。

（実験例）
以下、実験例について説明する。製造条件（線引き条件）を変えて、実施例１から７に係る光ファイバを製造した。ガラスファイバの直径は１２５μｍ、光ファイバの直径は２００μｍとした。各実験例に係る光ファイバについて、オフラインで１０００ｍにわたり１０００点以上で偏心量の測定を実施した。

表１は、各実験例に係る光ファイバの緒元をまとめた表である。表１には、偏心量ｄの平均値ａ、３σ、a＋３σ、１ロットの不良廃却率、及び、偏心量ｄのヒストグラムが階級幅を１μｍとしたときに示す山の数が示されている。

図７は、実験例１に係るガラスファイバの偏心量波形を示すグラフである。図７の横軸は、線引長を示す。線引長は、ガラスファイバの軸方向の位置に対応する。縦軸は、ガラスファイバの偏心量を示す。図８は、実験例１に係るガラスファイバの偏心量のヒストグラム及び累積の折れ線グラフである。図８の横軸は、偏心量ｄの階級値を示す。左の縦軸は、頻度を示す。右の縦軸は、累積を示す。実験例１に係る光ファイバでは、図８に示されるように、ヒストグラムが一つ山型であり、表１に示されるように、ａ＋３σの値が１０μｍ以下を維持して線引きすることで不良廃却率は０％となる。

図９は、実験例３に係るガラスファイバの偏心量波形を示すグラフである。図１０は、実験例３に係るガラスファイバの偏心量のヒストグラム及び累積の折れ線グラフである。実験例３に係る光ファイバでは、図９に示されるように、ヒストグラムが二つ山型であり、表１に示されるように、ａ＋３σの値が１０μｍを超えている。実験例３に係る光ファイバの不良廃却率は、８０％を超えている。

実験例６に係る光ファイバでは、ロットの不良廃却率が１．１％である。よって、良品取りの両端のみで偏心量を検査するような従来の抜き取り検査では、不良部を検出することが非常に難しい。実験例７に係る光ファイバでも、ロットの不良廃却率が９．１０％と低く、良好部が９割を超えている。よって、抜き取り検査で不良部を検出することは困難である。本実施形態に係る光ファイバ１の製造方法であれば、線引き中にオンラインでガラスファイバ１０の偏心量ｄを測定するので、不良部を容易に検出することができる。更に、偏心量ｄの測定結果に基づき、偏心量ｄを調整することができる。

実験例２，３，５に係る光ファイバのように、ヒストグラムが２つ山型になる場合、偏心量の揺れ（変動）が起きているため、不良廃却率が高い傾向となる。

実験例１と同じ条件で製造した実験例８に係る光ファイバについて、ガラスファイバの３０００ｍ以上の長さ範囲にわたって４０００点で偏心量を測定した。実験例８に係る光ファイバにおいても実験例１に係る光ファイバと同様に、ヒストグラムは一つ山型であり、不良廃却率は０％であることが確認できた。光ファイバの長さが長くなるほど、不良部分の廃却に手間がかかるので、不良廃却率の低減による効果が大きい。

以上、実施形態及び変形例について説明してきたが、本開示は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。上記実施形態及び変形例は、適宜組み合わせられてもよい。

１…光ファイバ
２…光ファイバ母材
１０…ガラスファイバ
１２…コア
１４…クラッド
２０…被覆樹脂層
２２…プライマリ樹脂層
２４…セカンダリ樹脂層
３０…製造装置
３１…加熱炉
３１ａ…炉心管
３１ｂ…発熱体
３２…冷却装置
３３…ダイス
３４…紫外線照射装置
３５…測定部
３６…ガイドローラ
３７…ガイドローラ
３８…キャプスタン
３９…スクリーニング装置
４０…ダンサローラ
４１…巻き取りボビン
４２…制御部
ａ…平均値
Ｃ…中心
ｄ…偏心量
ＧＣ…中心軸
ＲＣ…中心軸

Claims (9)

1. 光ファイバ母材を溶融し、ガラスファイバを線引きする工程と、
   前記ガラスファイバの外周に樹脂組成物を塗布する工程と、
   塗布された前記樹脂組成物を硬化させる工程と、を有する光ファイバの製造方法であって、
   前記樹脂組成物の外周または前記樹脂組成物が硬化されてなる被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からの前記ガラスファイバの中心軸の、前記ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量を前記ガラスファイバの５０ｍ以上の長さ範囲にわたって５０点以上測定し、
   前記樹脂組成物は、前記偏心量の平均値ａ及び標準偏差σが、ａ＋３σ≦１０μｍを満たすように塗布される、
   光ファイバの製造方法。
2. 前記樹脂組成物は、前記偏心量のヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示すように塗布される、
   請求項１に記載の光ファイバの製造方法。
3. 前記偏心量は、２０ｍｓ以下のサンプリング周期で測定される、
   請求項１または請求項２に記載の光ファイバの製造方法。
4. 前記樹脂組成物は、前記樹脂組成物を塗布する塗布装置の位置または傾きを調整しながら塗布される、
   請求項１または請求項２に記載の光ファイバの製造方法。
5. 前記樹脂組成物は、前記光ファイバ母材の位置、または、前記樹脂組成物を硬化させる硬化装置の直下に配置されて光ファイバの走行方向を転換するローラの位置を調整しながら塗布される、
   請求項１または請求項２に記載の光ファイバの製造方法。
6. 前記偏心量の測定は、前記硬化させる工程の前に行われ、前記偏心量は、前記樹脂組成物の外周を基準とした中心軸からの前記ガラスファイバの偏心量として測定される、
   請求項１または請求項２に記載の光ファイバの製造方法。
7. 前記測定する工程は、前記硬化させる工程の後に行われ、前記偏心量は、前記被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からの前記ガラスファイバの偏心量として測定される、
   請求項１または請求項２に記載の光ファイバの製造方法。
8. ガラスファイバと、
   前記ガラスファイバの外周を覆う被覆樹脂層と、を備え、
   前記被覆樹脂層の外周を基準とした中心軸からの前記ガラスファイバの中心軸の、前記ガラスファイバの中心軸に垂直な断面における偏心量を前記ガラスファイバの５０ｋｍ以上の長さ範囲にわたって５００点以上測定したときに、前記偏心量の平均値ａ及び標準偏差σがａ＋３σ≦１０μｍを満たす、
   光ファイバ。
9. 前記偏心量のヒストグラムが、階級幅を１μｍとしたときに一つ山型を示す、
   請求項８に記載の光ファイバ。

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