JP2024022025A - 基板処理装置及びプログラム - Google Patents
基板処理装置及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024022025A JP2024022025A JP2022125311A JP2022125311A JP2024022025A JP 2024022025 A JP2024022025 A JP 2024022025A JP 2022125311 A JP2022125311 A JP 2022125311A JP 2022125311 A JP2022125311 A JP 2022125311A JP 2024022025 A JP2024022025 A JP 2024022025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- polishing
- timetable
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 410
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 387
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 96
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 86
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 86
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 101000972854 Lens culinaris Non-specific lipid-transfer protein 3 Proteins 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000578200 Lens culinaris Non-specific lipid-transfer protein 6 Proteins 0.000 description 3
- 101500007585 Lens culinaris Non-specific lipid-transfer protein 7 Proteins 0.000 description 3
- 101710196810 Non-specific lipid-transfer protein 2 Proteins 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000972841 Lens culinaris Non-specific lipid-transfer protein 4 Proteins 0.000 description 2
- 101000578195 Lens culinaris Non-specific lipid-transfer protein 5 Proteins 0.000 description 2
- 101710196809 Non-specific lipid-transfer protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/4155—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by programme execution, i.e. part programme or machine function execution, e.g. selection of a programme
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/007—Cleaning of grinding wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/40—Robotics, robotics mapping to robotics vision
- G05B2219/40066—Stack and align identical layers, laminates, electronic substrate layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
【課題】複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置の制御装置5は、基板処理装置へ投入される複数の基板について、基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する演算制御処理(S210)と、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、演算制御処理で得られたパターン毎に作成する時刻表作成制御処理(S220)と、時刻表作成制御処理で得られた時刻表において、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる時刻表を選択する選択制御処理(S230)と、選択制御処理で選択された時刻表に基づいて、複数の基板の基板処理装置への投入タイミングを制御するタイミング制御処理(S240)と、を実行する。【選択図】図7
Description
本発明は、基板処理装置及びプログラムに関する。
近年、基板に対して各種処理を行うための基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、このような基板処理装置は、基板を研磨処理する少なくとも1つの研磨装置を含む研磨ユニットと、研磨ユニットによって研磨された基板を洗浄処理する少なくとも1つの洗浄装置を含む洗浄ユニットと、基板を搬送処理する少なくとも1つの搬送装置を含む搬送ユニットと、基板処理装置を制御する制御装置と、を備えている。
ところで、基板処理装置において複数の基板を連続搬送する場合、先行する基板の処理待ち、又は、異なるルートで搬送される基板と共有する処理装置の空き待ちなどによって基板の待機状態が生じることがある。例えば、研磨処理が開始されてから洗浄処理が終了するまでの間に基板の待機状態が発生すると、経時変化(腐食など)、又は、外乱(ダストなど)によって、基板の状態が不安定になるおそれがある。特に、基板の研磨対象物に銅(Cu)が含まれている場合には、研磨が終了した後、洗浄開始までの待機時間が長いと腐食の影響が大きくなる。
これに関して、特許文献1には、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように基板処理装置へ投入される複数の基板毎に研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を作成し、この作成された時刻表に基づいて、複数の基板の基板処理装置への投入タイミングを制御する技術が提案されている。この技術によれば、基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態の削減を図ることができる。
しかしながら、上述した従来技術の場合、基板処理装置へ投入される基板の順序が固定されている(換言すると、基板処理装置への基板の投入順序を入れ替えて演算できるような構成になっていない)。このため、従来技術は、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から、基板処理装置に最後に投入される基板の処理終了までの時間、すなわち、複数の基板の「全体の処理時間」を削減するという観点において、改善の余地があった。
そこで、本発明は、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる技術を提供することを目的の一つとする。
(態様1)
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板処理装置であって、基板を研磨処理する少なくとも1つの研磨装置を含む研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板を洗浄処理する少なくとも1つの洗浄装置を含む洗浄ユニッ
トと、前記基板を搬送処理する少なくとも1つの搬送装置を含む搬送ユニットと、前記基板処理装置を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を実行する。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板処理装置であって、基板を研磨処理する少なくとも1つの研磨装置を含む研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板を洗浄処理する少なくとも1つの洗浄装置を含む洗浄ユニッ
トと、前記基板を搬送処理する少なくとも1つの搬送装置を含む搬送ユニットと、前記基板処理装置を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を実行する。
この態様によれば、基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態を削減しつつ、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間、すなわち、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる。
(態様2)
上記の態様1において、前記少なくとも1つの研磨装置は、同種の研磨処理を実行可能な複数の研磨装置を含み、前記複数の研磨装置は、互いに置換することが可能な複数の研磨装置からなる特定研磨装置群を含み、前記処理レシピにおいて、前記基板処理装置に投入される複数の基板の一部が、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含む場合、前記制御装置は、処理レシピ変更制御処理を実行し、前記処理レシピ変更制御処理において、前記制御装置は、前記基板処理装置に投入される複数の基板のうち、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含まない基板よりも後に前記基板処理装置に投入される基板について、前記特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置を他の複数の研磨装置に置換した場合の処理内容を規定した追加処理レシピを作成し、作成された前記追加処理レシピを前記処理レシピに追加し、前記制御装置は、前記処理レシピ変更制御処理で得られた処理レシピに基づいて、前記演算制御処理を行ってもよい。
上記の態様1において、前記少なくとも1つの研磨装置は、同種の研磨処理を実行可能な複数の研磨装置を含み、前記複数の研磨装置は、互いに置換することが可能な複数の研磨装置からなる特定研磨装置群を含み、前記処理レシピにおいて、前記基板処理装置に投入される複数の基板の一部が、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含む場合、前記制御装置は、処理レシピ変更制御処理を実行し、前記処理レシピ変更制御処理において、前記制御装置は、前記基板処理装置に投入される複数の基板のうち、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含まない基板よりも後に前記基板処理装置に投入される基板について、前記特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置を他の複数の研磨装置に置換した場合の処理内容を規定した追加処理レシピを作成し、作成された前記追加処理レシピを前記処理レシピに追加し、前記制御装置は、前記処理レシピ変更制御処理で得られた処理レシピに基づいて、前記演算制御処理を行ってもよい。
この態様によれば、特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置を他の研磨装置に置換した場合の追加処理レシピをさらに考慮して、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる。
(態様3)
上記の態様1又は2に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記研磨装置及び前記洗浄装置の少なくとも一方において処理に要した時間、及び、前記搬送装置において前記研磨ユニットから前記洗浄ユニットへの搬送処理に要した時間、の過去の実績に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
上記の態様1又は2に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記研磨装置及び前記洗浄装置の少なくとも一方において処理に要した時間、及び、前記搬送装置において前記研磨ユニットから前記洗浄ユニットへの搬送処理に要した時間、の過去の実績に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
(態様4)
上記の態様1~3のいずれか1態様に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記基板処理装置へ新規に投入する基板についての前記時刻表を作成する際には、前記新規に投入する基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到着時刻を計算し、前記仮の到着時刻と、前記基板処理装置へ先行して投入した基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻と、を比較し、同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がある場合には、前記早い仮の到着時刻と前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差を、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到
着時刻に加算することによって実の到着時刻を作成し、前記実の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
上記の態様1~3のいずれか1態様に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記基板処理装置へ新規に投入する基板についての前記時刻表を作成する際には、前記新規に投入する基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到着時刻を計算し、前記仮の到着時刻と、前記基板処理装置へ先行して投入した基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻と、を比較し、同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がある場合には、前記早い仮の到着時刻と前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差を、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到
着時刻に加算することによって実の到着時刻を作成し、前記実の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
(態様5)
上記の態様4に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がない場合には、前記仮の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
上記の態様4に係る前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がない場合には、前記仮の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成してもよい。
(態様6)
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るプログラムは、基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記基板処理装置が有する研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を含む制御処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムである。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るプログラムは、基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記基板処理装置が有する研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を含む制御処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムである。
この態様によれば、基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態を削減しつつ、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間、すなわち、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる。
以下、本願発明の実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置を用いて説明するが、基板処理装置の具体例はCMP装置に限定されるものではない。
<基板処理装置>
図1は、実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3と洗浄ユニット4とに区画されている。ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、この基板処理装置を制御するための制御装置5を有している。
図1は、実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3と洗浄ユニット4とに区画されている。ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、この基板処理装置を制御するための制御装置5を有している。
制御装置5は、プロセッサ5aと記憶装置5bとを有するコンピュータ5cを備えている。記憶装置5bには、プログラムやデータ等が記憶されている。記憶装置5bは、コンピュータ5cのプロセッサ5aが読み取り可能な記憶媒体を備えている。この記憶媒体の一例として、ROM(Read Only Memory)等が挙げられる。制御装置5は、記憶装置5bに記憶されたプログラムの指令に基づいてプロセッサ5aが作動することで、基板処理装置に関する制御処理を実行する。
<ロード/アンロードユニット>
ロード/アンロードユニット2は、多数の基板をストックする基板カセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)などの、基板を格納するためのキャリアを搭載することができるようになっている。ここで、SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
ロード/アンロードユニット2は、多数の基板をストックする基板カセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)などの、基板を格納するためのキャリアを搭載することができるようになっている。ここで、SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
また、ロード/アンロードユニット2には、基板表面における膜厚などを測定する測定装置としてのITM(In-line Thickness Monitor)24が備えられている。また、ロード/アンロードユニット2には、フロントロード部20の並びに沿って移動可能な搬送ロボット22が設置されている。搬送ロボット22はフロントロード部20に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理された基板を基板カセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前の基板を基板カセットから取り出すときに使用される。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、基板を反転させることができるように構成されている。
ロード/アンロードユニット2は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロードユニット2の内部は、基板処理装置の外部、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット3は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット3の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット4の内部圧力よりも低く維持されている。ロード/アンロードユニット2には、HEPAフィルタ、ULPAフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
<研磨ユニット>
研磨ユニット3は、基板の研磨(平坦化)が行われる領域であり、第1研磨装置3A(Poli.A)、第2研磨装置3B(Poli.B)、第3研磨装置3C(Poli.C)、及び、第4研磨装置3D(Poli.D)を備えている。第1研磨装置3A、第2研磨装置3B、第3研磨装置3C、及び第4研磨装置3Dは、図1に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
研磨ユニット3は、基板の研磨(平坦化)が行われる領域であり、第1研磨装置3A(Poli.A)、第2研磨装置3B(Poli.B)、第3研磨装置3C(Poli.C)、及び、第4研磨装置3D(Poli.D)を備えている。第1研磨装置3A、第2研磨装置3B、第3研磨装置3C、及び第4研磨装置3Dは、図1に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
第1研磨装置3Aは、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブルと、基板を保持しかつ基板を研磨テーブル上の研磨パッドに押圧しながら研磨するためのトップリングと、研磨パッドに研磨液やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズルと、研磨パッドの研磨面のドレッシングを行うためのドレッサと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザとを備えている。第2研磨装置3B、第3研磨装置3C、及び、第4研磨装置3Dも、第1研磨装置3Aと同様の構成を備えている。
<搬送ユニット>
次に、基板を搬送するための搬送ユニット(搬送機構)について説明する。図1に示すように、第1研磨装置3A及び第2研磨装置3Bに隣接して、第1リニアトランスポータ6が配置されている。この第1リニアトランスポータ6は、第1研磨装置3A及び第2研磨装置3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第1搬送位置LTP1、第2搬送位置LTP2、第3搬送位置LTP3、第4搬送位置LTP4とする)の間で基板を搬送する機構である。
次に、基板を搬送するための搬送ユニット(搬送機構)について説明する。図1に示すように、第1研磨装置3A及び第2研磨装置3Bに隣接して、第1リニアトランスポータ6が配置されている。この第1リニアトランスポータ6は、第1研磨装置3A及び第2研磨装置3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第1搬送位置LTP1、第2搬送位置LTP2、第3搬送位置LTP3、第4搬送位置LTP4とする)の間で基板を搬送する機構である。
また、第3研磨装置3C及び第4研磨装置3Dに隣接して、第2リニアトランスポータ7が配置されている。第2リニアトランスポータ7は、第3研磨装置3C及び第4研磨装置3Dが配列する方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第5搬送位置LTP5、第6搬送位置LTP6、第7搬送位置LTP7とする)の間で基板を搬送する機構である。
基板は、第1リニアトランスポータ6によって第1研磨装置3A及び第2研磨装置3Bに搬送される。第1研磨装置3Aのトップリングは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第2搬送位置LTP2との間を移動する。したがって、トップリングへの基板の受け渡しは第2搬送位置LTP2で行われる。同様に、第2研磨装置3Bのトップリングは研磨位置と第3搬送位置LTP3との間を移動し、トップリングへの基板の受け渡しは第3搬送位置LTP3で行われる。第3研磨装置3Cのトップリングは研磨位置と第6搬送位置LTP6との間を移動し、トップリングへの基板の受け渡しは第6搬送位置LTP6で行われる。第4研磨装置3Dのトップリングは研磨位置と第7搬送位置LTP7との間を移動し、トップリングへの基板の受け渡しは第7搬送位置LTP7で行われる。
第1搬送位置LTP1には、搬送ロボット22から基板を受け取るためのリフタ11が配置されている。基板はこのリフタ11を介して搬送ロボット22から第1リニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11に基板が渡されるようになっている。また、第1リニアトランスポータ6と、第2リニアトランスポータ7と、洗浄ユニット4との間には、スイングトランスポータ(STP)12が配置されている。このスイングトランスポータ12は、第4搬送位置LTP4と第5搬送位置LTP5との間を移動可能なハンドを有しており、第1リニアトランスポータ6から第2リニアトランスポータ7への基板の受け渡しは、スイング
トランスポータ12によって行われる。基板は、第2リニアトランスポータ7によって第3研磨装置3C及び/または第4研磨装置3Dに搬送される。また、研磨ユニット3で研磨された基板はスイングトランスポータ12を経由して洗浄ユニット4に搬送される。また、搬送ユニットには、基板の仮置き台(WS1)180が設けられている。
トランスポータ12によって行われる。基板は、第2リニアトランスポータ7によって第3研磨装置3C及び/または第4研磨装置3Dに搬送される。また、研磨ユニット3で研磨された基板はスイングトランスポータ12を経由して洗浄ユニット4に搬送される。また、搬送ユニットには、基板の仮置き台(WS1)180が設けられている。
なお、上述した、第1リニアトランスポータ6、第2リニアトランスポータ7、搬送ロボット22、リフタ11、スイングトランスポータ12、及び、後述する搬送ロボットRB1U,RB1L,RB2は、基板を搬送処理する「搬送装置」の一例である。
<洗浄ユニット>
洗浄ユニット4は、第1洗浄室190と、第1搬送室191と、第2洗浄室192と、第2搬送室193と、第3洗浄室194とに区画されている。第1洗浄室190内には、2つの洗浄装置CL1A,CL1B、及び基板の仮置き台WS2が配置される。第2洗浄室192内には、2つの洗浄装置CL2A,CL2B、及び基板の仮置き台WS3が配置される。第3洗浄室194内には、基板を洗浄する2つの洗浄装置CL3A,CL3Bが配置されている。洗浄装置CL3A,CL3Bは互いに隔離されている。洗浄装置CL1A,CL1B,CL2A,CL2B,CL3A,CL3Bは、洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄機である。
洗浄ユニット4は、第1洗浄室190と、第1搬送室191と、第2洗浄室192と、第2搬送室193と、第3洗浄室194とに区画されている。第1洗浄室190内には、2つの洗浄装置CL1A,CL1B、及び基板の仮置き台WS2が配置される。第2洗浄室192内には、2つの洗浄装置CL2A,CL2B、及び基板の仮置き台WS3が配置される。第3洗浄室194内には、基板を洗浄する2つの洗浄装置CL3A,CL3Bが配置されている。洗浄装置CL3A,CL3Bは互いに隔離されている。洗浄装置CL1A,CL1B,CL2A,CL2B,CL3A,CL3Bは、洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄機である。
第1搬送室191には、搬送ロボットRB1U,RB1Lが配置され、第2搬送室193には、搬送ロボットRB2が配置されている。搬送ロボットRB1U,RB1Lは、仮置き台180、洗浄装置CL1A,CL1B、仮置き台WS2、洗浄装置CL2A,CL2Bの間で基板を搬送するように動作する。搬送ロボットRB2は、洗浄装置CL2A,CL2B、仮置き台WS3、洗浄装置CL3A,CL3Bの間で基板を搬送するように動作する。搬送ロボットRB2は、洗浄された基板のみを搬送するので、1つのハンドのみを備えている。搬送ロボット22は、洗浄装置CL3A,CL3Bから基板を取り出し、その基板を基板カセットに戻す。
<基板の待機状態の削減>
次に、研磨処理が開始されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態の削減について説明する。
次に、研磨処理が開始されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態の削減について説明する。
まず、基板の待機状態が生じる原因について説明する。図2及び図3は、基板処理装置へ基板が投入されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の搬送ルートの一例を示す図である。図2及び図3において、各処理装置間で基板を搬送する搬送ユニットについては説明を簡略化している。また、図2及び図3に図示されている「TR」は、搬送(transport)を意味している。
図2及び図3に示すように、研磨処理及び洗浄処理がそれぞれ2系統ある場合、基板の搬送ルートの自由度が高くなっている。また、図2及び3に示すように、研磨処理を行わずに洗浄処理を行うような処理レシピも可能である。さらに、図3に示すように、洗浄装置CL2Aで洗浄処理を終えた後、いったん戻って別の系統の洗浄装置CL2Bへ搬送されるなど、複雑な基板の搬送ルートが可能になっている。
このように、洗浄ユニット4において並列に洗浄処理を行うことができる複数の洗浄装置を有する場合には、洗浄ユニット内での基板の搬送ルートが複雑化し、洗浄ユニット内で基板の待機状態が発生するおそれがある。洗浄ユニット内で基板の待機状態がいったん発生すると、その基板が位置する場所を通る予定の後続の基板にも待機状態が発生するおそれがある。
これに対して本実施形態では、制御装置5は、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように時刻表を作成する。時刻表は、基板処理装置へ投入する複数の基板毎に研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻を対応付けた表である。制御装置5は、時刻表に基づいて、複数の基板の基板処理装置への投入タイミングを制御する。
具体的には、本実施形態に係る制御装置5は、以下に説明する待機状態削減制御処理を実行する。図4は、本実施形態に係る「待機状態削減制御処理」を示すフローチャートの一例である。制御装置5は、まず、処理レシピに基づいて、基板処理装置に投入する全ての基板についての搬送ルートを予測する(ステップS101)。
具体的には、基板処理装置に投入される複数の基板のそれぞれについて、施される処理内容を規定した処理レシピを予め準備して、記憶装置5bに記憶させておく。
より具体的には、この処理レシピは、それぞれの基板について、使用されるユニットの種類や、各ユニットで使用される処理装置の種類(例えば、使用される研磨装置の種類等)や、使用される処理装置による処理に要する時間(すなわち、処理時間)等を規定している。なお、この処理時間は、具体的には、予測される処理時間を用いればよい。一例を挙げると、使用される研磨装置の処理時間として、使用される研磨装置による研磨処理の予測時間を用いることができる。制御装置5は、このような処理レシピに基づいて、基板処理装置に投入する全ての基板について搬送ルートを予測する。
続いて、制御装置5は、基板処理装置に投入する全ての基板についての動作時間を予測する(ステップS102)。具体的には、制御装置5は、処理レシピに設定された予測時間、又は、過去の実績値、に基づいて、各基板についての動作時間を予測する。この動作時間の予測は、時刻表を作成する際に用いられるものである。すなわち、制御装置5は、研磨装置及び洗浄装置の少なくとも一方において処理に要した時間、及び、搬送装置において研磨ユニット3から洗浄ユニット4への搬送処理に要した時間、の過去の実績に基づいて時刻表を作成する。
続いて、制御装置5は、ステップS102において予測された各基板の動作時間に基づいて、各基板の各処理装置(研磨装置、搬送装置、及び洗浄装置)への到着時刻を計算する(ステップS103)。続いて、制御装置5は、各基板の各処理装置における待機時間を計算する(ステップS104)。
この点について、図を用いて説明する。図5は、時刻表の作成過程を説明するための概略図である。図5は、基板No.1~基板No.3については既に時刻表が作成されており、新規に基板処理装置へ投入される基板No.4についての時刻表を作成する過程を示している。
図5に示すように、時刻表210には、基板No.1~基板No.3毎に、研磨装置(Poli.A)、洗浄装置(CL1A,CL2A)、及び搬送装置(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)における処理終了時刻又は処理終了予定時刻が対応付けられている。一方、制御装置5は、基板処理装置へ新規に投入する基板No.4についての時刻表を作成する際には、新規に投入する基板No.4の研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置への仮の到着時刻を計算する。仮の到着時刻表220は、基板No.4の、研磨装置(Poli.A)、洗浄装置(CL1A,CL2A)、及び搬送装置(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)への到着予定時刻が対応付けられる。
制御装置5は、仮の到着時刻(仮の到着時刻表220)と、基板処理装置へ先行して投
入した基板の研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻(時刻表210)と、を比較する。この例では、基板No.3のRB1Uにおける処理終了予定時刻(0:04:35)と、RB1Uにおける処理と競合する処理装置であるWS1における到着予定時刻(0:04:10)と、を比較すると、WS1における到着予定時刻のほうが25秒早い。言い換えると、仮の到着時刻表220にしたがって基板No.4を基板処理装置へ投入した場合、基板No.4はWS1で25秒待機することになる。なお、競合する処理装置というのは、例えばWS1とRB1Uのように、一方の処理装置(WS1)が動作する(基板を搬送のために受け渡す)ためには他方の処理装置(RB1U)の動作(基板をWS1から受け取る)が必要になるような関係の処理装置である。
入した基板の研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻(時刻表210)と、を比較する。この例では、基板No.3のRB1Uにおける処理終了予定時刻(0:04:35)と、RB1Uにおける処理と競合する処理装置であるWS1における到着予定時刻(0:04:10)と、を比較すると、WS1における到着予定時刻のほうが25秒早い。言い換えると、仮の到着時刻表220にしたがって基板No.4を基板処理装置へ投入した場合、基板No.4はWS1で25秒待機することになる。なお、競合する処理装置というのは、例えばWS1とRB1Uのように、一方の処理装置(WS1)が動作する(基板を搬送のために受け渡す)ためには他方の処理装置(RB1U)の動作(基板をWS1から受け取る)が必要になるような関係の処理装置である。
図4に示すように、制御装置5は、待機時間があるか否かを判定し(ステップS105)、待機時間がある場合には(ステップS105,Yes)、待ち時間が最長である処理装置を検索する(ステップS106)。
例えば、図5の例では、上述のとおり基板No.3のRB1Uと基板No.4のWS1という関連する処理装置間で25秒の待機時間が発生する。これに加えて、基板No.3のCL1Aにおける処理予定時刻(0:04:30)と基板No.4のCL1Aにおける到着時刻(0:04:15)を比較すると、CL1Aにおける到着予定時刻のほうが15秒早いので15秒の待機時間が発生する。
この場合、制御装置5は、最長待ち時間は25秒であり、待ち時間が最長である処理装置は基板No.4のWS1であると認識する。言い換えると、制御装置5は、早い仮の到着時刻が複数(例えば15秒と25秒)存在する場合には、早い仮の到着時刻と処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差が最も大きい仮の到着時刻と処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差(25秒)を、研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置への仮の到着時刻に加算することによって実の到着時刻を作成する。
続いて、図4に示すように、制御装置5は、最長待ち時間を仮の到着時刻表220へ積算することによって実の到着時刻表230を作成する(ステップS107)。すなわち、図5に示すように、制御装置5は、仮の到着時刻表220の各処理装置に対して、最長待ち時間(25秒)を加算する。例えば、基板No.4のLTP3への到着時刻は、仮の到着時刻表220では0:04:00であったが、実の到着時刻表230では0:04:25となる。また、基板No.4のWS1への到着時刻は、仮の到着時刻表220では0:04:10であったが、実の到着時刻表230では0:04:35となる。
このように、制御装置5は、同一又は競合する処理装置において処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がある場合には、早い仮の到着時刻と処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差を、研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置への仮の到着時刻に加算することによって実の到着時刻を作成する。
続いて、図4に示すように、制御装置5は、ステップS107において作成した実の到着時刻(実の到着時刻表230)に基づいて時刻表を作成する(ステップS108)。つまり、実の到着時刻表230は、基板No.4の各処理装置への到着時刻を対応付けたものである。そこで、制御装置5は、実の到着時刻表230に各処理装置における処理時間を加えることによって、各処理装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻を対応付けた時刻表を作成する。
一方、制御装置5は、ステップS105において待機時間がないと判定した場合には(ステップS105,No)、実の到着時刻表230を作成することなく、仮の到着時刻表
220に基づいて時刻表を作成する(ステップS108)。すなわち、制御装置5は、同一又は競合する処理装置において処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がない場合には、仮の到着時刻に基づいて時刻表を作成する。
220に基づいて時刻表を作成する(ステップS108)。すなわち、制御装置5は、同一又は競合する処理装置において処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がない場合には、仮の到着時刻に基づいて時刻表を作成する。
上述した図4に示す待機状態削減制御処理のステップS108で作成された時刻表の一例を図6に例示する。具体的には、図6に例示する時刻表240は、基板処理装置に投入される基板No.1~基板No.7について、一連の処理の開始時刻(Start)、現在の基板の位置(Pos)、各処理装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻が対応付けられている。時刻表240は、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないようにするための表となっている。制御装置5は、この時刻表240に基づいて複数の基板の基板処理装置への投入タイミングを制御する。
以上説明したような本実施形態によれば、上述した待機状態削減制御処理を実行することで、以下に説明するような作用効果を奏することができる。
具体的には、本実施形態によれば、基板処理装置に投入する全ての基板について、搬送経路上にある全ての処理装置への搬送時刻を計算して時刻表を作成することによって、各基板間で共有処理装置の使用待ちが発生しないよう、かつ、研磨開始から洗浄終了までの全工程を待機がなく最短で処理するよう、搬送開始タイミング及びルートを制御する。したがって、基板の基板処理装置内での待機時間が削減される。その結果、本実施形態によれば、経時変化(腐食など)、又は、外乱(ダストなど)によって、基板の状態が不安定になることを防止することができる。特に、基板の研磨対象物に銅(Cu)が含まれている場合には、研磨が終了した後、洗浄開始までの待機時間が長いと腐食の影響が大きくなるが、待機時間を削減することによって銅の腐食を防止することができる。
また、本実施形態の基板処理装置によれば(特に制御装置5によれば)、例えば、基板処理装置の一部の処理装置のメンテナンスなどで基板の処理ができない処理装置が発生した場合は、メンテナンス等を行っている処理装置を迂回するルートを作成することができる。
また、本実施形態の基板処理装置は、いったん作成した時刻表を適宜更新することができる。例えば、制御装置5は、各処理装置への基板の実際の到着時刻と予測到着時刻との時間差を算出し、当該処理装置を通る後続の基板(遅延の影響がある基板)についての時刻表を更新することができる。また、制御装置5は、基板処理装置へ投入済みの基板にも遅延情報をフィードバックすることができる。なお、基板の実際の到着時刻と予測到着時刻との時間差が閾値(例えば0.5秒など)より小さい場合には、その時間差は誤差とみなせるので、遅延情報のフィードバックを行わないようにすることもできる。
また、本実施形態の基板処理装置は、基板処理装置の故障や搬送停止機能によって基板の搬送が一時停止した場合は、搬送再開時に時刻表の再作成を行うことによって制御搬送を続行することができる。制御装置5は、時刻表を再作成する場合は、基板の搬送ルートの下流側から行う。また、制御装置5は、例えば基板の異常などによって基板処理装置に投入された基板が基板処理装置から取り除かれた場合には、当該基板を時刻表から削除し制御対象外とするとともに、時刻表を再作成することができる。
また、本実施形態の基板処理装置は、基板が処理装置を共有する場合は、先行基板の後に次の基板が処理されるように計算して制御を行うが、時刻表を変更せず割り込める場合は、割り込む時刻表を作成し、後続基板が先行基板より先に処理できるようにすることができる。
また、本実施形態の基板処理装置は、いったん時刻表を作成した後、処理装置のメンテナンス等によって基板の搬送ルートが大きく変わった場合などには、時刻表の再作成に長時間を要する。そこで、制御装置5は、このような場合には、時刻表の再作成を行わず、基板処理装置内の基板が基板処理装置外へ搬出されるまで、新規基板の投入を停止することができる。また、時刻表の作成又は再作成に長時間を要する場合には、時刻表の作成又は再作成機能を無効に切り替えることもできる。
また、本実施形態の基板処理装置は、作業員などが複数の基板の搬送状態をモニタリングできるように、複数の基板の搬送状態をビジュアル化することができる。例えば、制御装置5は、作成した時刻表を基板処理装置の出力インターフェース(モニタなど)に表示することができる。また、制御装置5は、作成した時刻表をグラフ化して出力インターフェースにリアルタイムに表示することができる。
ところで、上述した待機状態削減制御処理は、基板処理装置へ投入される基板の順序が固定されている(換言すると、基板処理装置への基板の投入順序を入れ替えて演算できるような構成になっていない)。このため、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から、基板処理装置に最後に投入される基板の処理終了までの時間、すなわち、複数の基板の「全体の処理時間」を削減するという観点において、改善の余地がある。そこで、本実施形態では、以下に説明する制御処理(「全体時間削減制御処理」と称する)を実行する。
<全体時間削減制御処理>
図7は、本実施形態に係る全体時間削減制御処理のフローチャートの一例である。図8は、本実施形態で用いられる基板No.1~基板No.6の処理レシピの一例を示す図である。
図7は、本実施形態に係る全体時間削減制御処理のフローチャートの一例である。図8は、本実施形態で用いられる基板No.1~基板No.6の処理レシピの一例を示す図である。
図7を参照して、まず、制御装置5は、ステップS210に係る演算制御処理を実行する。この演算制御処理において、制御装置5は、基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、複数の基板について、基板の基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する。
この具体例として、本実施形態に係る制御装置5は、図8に例示するような処理レシピに基づいて、複数の基板(基板No.1~基板No.6)について、基板処理装置への投入順序の入れ替えの全てのパターンを演算する。例えば、制御装置5は、No.1→No.2→No.3→No.4→No.5→No.6の順序で基板を投入する「第1パターン」、No.1→No.3→No.2→No.4→No.5→No.6の順序で基板を投入する「第2パターン」、No.1→No.4→No.2→No.3→No.5→No.6の順序で基板を投入する「第3パターン」・・・というように、基板処理装置への投入順序の入れ替えの全てのパターンを演算する。本実施形態では、6の階乗通りの組み合わせ(「6×5×4×3×2×1」)の入れ替えパターンがある。したがって、ステップS210において、6の階乗個の入れ替えパターンが得られる。
なお、ステップS210において、制御装置5は、投入順序の入れ替えの全てのパターンを演算するのではなく、投入順序の入れ替えの一部のパターンを演算してもよい(換言すると、基板処理装置へ投入される複数の基板の一部について、投入順序の入れ替えのパターンを演算してもよい)。この一例を挙げると、基板No.1~基板No.3の基板処理装置への投入順序は固定しておき、基板No.4~基板No.6についてのみ、投入順序を入れ替える場合の全てのパターンを演算してもよい。
次いで、制御装置5は、ステップS220に係る時刻表作成制御処理を実行する。この
時刻表作成制御処理において、制御装置5は、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、ステップS210で演算されたパターン毎に作成する。
時刻表作成制御処理において、制御装置5は、基板が基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、ステップS210で演算されたパターン毎に作成する。
具体的には、制御装置5は、前述した待機状態削減制御処理(図4)を、ステップS210で演算された投入順序の入れ替えの全パターン毎に行う。すなわち、制御装置5は、前述した第1パターン、第2パターン、第3パターン・・・について、待機状態削減制御処理を行う。この結果、本実施形態では、「6の階乗個の時刻表」が得られる。
次いで、制御装置5は、ステップS230に係る選択制御処理を実行する。この選択制御処理において、制御装置5は、ステップS220で得られた時刻表(6の階乗個の時刻表)において、基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間(すなわち、「複数の基板の全体の処理時間」)が最短となる時刻表を選択する。
図9は、本実施形態に係るステップS230で得られる時刻表を説明するための図である。具体的には、図9に例示されている時刻表260が、本実施形態に係るステップS230を実行した結果、得られた時刻表である。すなわち、本実施形態では、ステップS230において、この時刻表260が複数の基板の全体の処理時間が最短である時刻表として選択された。
次いで、制御装置5は、ステップS240に係るタイミング制御処理を実行する。このタイミング制御処理において、制御装置5は、ステップS230で選択された時刻表(時刻表260)に基づいて、複数の基板の基板処理装置への投入タイミングを制御する。すなわち、制御装置5は、時刻表260に従って、基板No.1~基板No.6を基板処理装置に投入して、これらの基板に処理を施す。
ここで、図9には、時刻表250も併せて図示されている。この時刻表250は、図8に例示する基板No.1~基板No.6について、ステップS210を実行せずに、No.1→No.2→No.3→No.4→No.5→No.6の順番で基板を基板処理装置に投入する場合について、前述した待機状態削減制御処理(図4)を実行した結果、得られた時刻表である。なお、この時刻表250は、前述した「特許文献1に開示されている制御処理」によって得られる時刻表でもある。
この時刻表250は、基板処理装置へ投入される基板No.1~基板No.6において、同じ処理装置(Poli.A、Poli.B、CL1A~CL3A)を同時に使用することなく、且つ、基板の待機状態がないように、基板No.1~基板No.6がこの順序で基板処理装置へ投入されるような時刻表になっている。
一方、本実施形態に係るステップS230で得られる時刻表260は、時刻表250の基板No.2と基板No.3の投入順序を入れ替えるとともに、同じ処理装置(Poli.A、Poli.B、CL1A~CL3A)を同時に使用することなく、且つ、基板No.2~基板No.6の待機状態が生じないように、基板No.2~基板No.6の処理開始時間を調整した、時刻表になっている。時刻表260を時刻表250とを比較すると分かるように、時刻表260は、時刻表250に比較して、複数の基板の全体の処理時間が短くなっている。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでの間の基板の待機状態を削減しつつ、複数の基板の全体の処理時間の削減を図るこ
とができる。
とができる。
なお、本実施形態に係るプログラムは、コンピュータ5cに上述した実施形態に係る制御処理を実行させるためのプログラムである。このプログラムの説明は、上述した制御処理の説明と重複するため、省略する。また、このプログラムは、コンピュータ5cが読取可能な記憶媒体(例えば、非一時的な記憶媒体)に記憶されて譲渡等されてもよい。
<実施形態の変形例>
続いて、上述した実施形態の変形例について説明する。まず、図1を参照して、本変形例に係る基板処理装置の4つの研磨装置は、互いに置換することが可能な複数の研磨装置を含んでいるものとする。具体的には、本変形例において、Poli.AとPoli.Bは、同種の研磨処理を実行することが可能な研磨装置であり、このため、互いに置換することが可能である。また、Poli.CとPoli.Dも、同種の研磨処理を実行することが可能な研磨装置であり、このため、互いに置換することが可能である。
続いて、上述した実施形態の変形例について説明する。まず、図1を参照して、本変形例に係る基板処理装置の4つの研磨装置は、互いに置換することが可能な複数の研磨装置を含んでいるものとする。具体的には、本変形例において、Poli.AとPoli.Bは、同種の研磨処理を実行することが可能な研磨装置であり、このため、互いに置換することが可能である。また、Poli.CとPoli.Dも、同種の研磨処理を実行することが可能な研磨装置であり、このため、互いに置換することが可能である。
すなわち、「Poli.AとPoli.B」の組み合わせは「Poli.CとPoli.D」の組み合わせに置き換えることができる。逆にいうと、「Poli.CとPoli.D」の組み合わせは「Poli.AとPoli.B」の組み合わせに置き換えることができる。本変形例において、「Poli.Aと、Poli.Bと、Poli.Cと、Poli.D」を、互いに置換することが可能な複数の研磨装置からなる「特定研磨装置群」と称する。
図10は、本変形例で用いられる基板No.1~基板No.5の処理レシピの一例を示す図である。具体的には、図10には、処理レシピ500、及び、これに追加される追加処理レシピ501の一例が図示されている。
図10を参照して、本変形例に係る処理レシピ500において、基板処理装置に投入される複数の基板の一部は、施される処理内容に、特定研磨装置群による研磨処理を含んでいる。具体的には、処理レシピ500において、基板No.1、基板No.2、基板No.4及び基板No.5は、施される処理内容に、特定研磨装置群(Poli.A~Poli.D)による研磨処理を含んでいる。一方、基板No.3は、使用される研磨装置がPoli.Bのみであるので、施される処理内容に特定研磨装置群による研磨処理を含んでいない。
図11は、本変形例に係る制御処理(以下、「処理レシピ変更制御処理」と称する)を説明するためのフローチャートの一例である。図11のフローチャートは図7のステップS210の実行前に実行される。まず、本変形例に係る制御装置5は、処理レシピ500において、基板処理装置に投入される複数の基板の「一部」が、施される処理内容に特定研磨装置群による研磨処理を含んでいるか否かを判定する(ステップS201)。
ステップS201でNOと判定された場合、すなわち、基板処理装置に投入される複数の基板の「全部」が、施される処理内容に特定研磨装置群による研磨処理を含む場合、あるいは、基板処理装置に投入される複数の基板が、施される処理内容に特定研磨装置群による研磨処理を全く含まない場合、制御装置5は、後述するステップS202、ステップS203を実行することなく、前述したステップS210を実行する。
一方、ステップS201でYESと判定された場合(すなわち、基板処理装置に投入される複数の基板の一部が、施される処理内容に特定研磨装置群による研磨処理を含んでいる場合)、制御装置5は、ステップS202を実行する。
このステップS202において、制御装置5は、基板処理装置に投入される複数の基板のうち、処理内容が特定研磨装置群による研磨処理を含まない基板(図10では、基板No.3)よりも後に基板処理装置に投入される基板(基板No.4及び基板No.5)について、特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置(図10では、Poli.CとPoli.D)を他の複数の研磨装置(Poli.AとPoli.B)に置換した場合の処理内容を規定した追加処理レシピ501を作成する(ステップS202)。
なお、研磨装置毎に使用される洗浄装置が決まっている場合には、このステップS202において、研磨装置(Poli.CとPoli.D)を研磨装置(Poli.AとPoli.B)に置換する際に、洗浄装置も、研磨装置(Poli.AとPoli.B)に使用される洗浄装置(CL1A、CL2B、CL1A)に置換することが好ましい(追加処理レシピ501を参照)。また、研磨装置毎に使用される搬送装置も決まっている場合には、研磨装置(Poli.CとPoli.D)を研磨装置(Poli.AとPoli.B)に置換する際に、搬送装置も、研磨装置(Poli.AとPoli.B)に使用される搬送装置に置換することが好ましい。
また、ステップS202において、仮に、特定研磨装置群による研磨処理を含まない基板(図10の基板No.3)よりも後に、特定研磨装置群による研磨処理を含む基板が存在しない場合、制御装置5は、ステップS202の実行を中断して、ステップS210に係る演算制御処理をすればよい。
ステップS202の後に、制御装置5は、ステップS202で作成された追加処理レシピ501を処理レシピ500に追加する(ステップS203)。
次いで、制御装置5は、追加処理レシピ501が追加された後の処理レシピ(図10の処理レシピ500と追加処理レシピ501が合わさった処理レシピ)に基づいて、ステップS210に係る演算制御処理を行う。
以上のように、本変形例に係る制御装置5は、図10に例示されている基板No.1~基板No.5の処理レシピ500に、基板No.4及び基板No.5の追加処理レシピ501が追加された処理レシピを用いて、前述したステップS210に係る演算制御処理を行う。このステップS210の後に、制御装置5は、前述したステップS220、ステップS230、及び、ステップS240を行う。
図12は、本変形例に係るステップS230で得られる時刻表を説明するための図である。具体的には、図12に例示する時刻表280が、本変形例に係るステップS230で得られた時刻表である。すなわち、時刻表280は、図10の処理レシピ500に追加処理レシピ501が追加された処理レシピを用いてステップS210、ステップS220、ステップS230を行った結果、得られた時刻表である。なお、本変形例において、時刻表280の基板No.5には、追加処理レシピ501の基板No.5の処理レシピが用いられている。
一方、図12には、図10の処理レシピ500を用いて、前述した待機状態削減制御処理(図4)を行った結果、得られた時刻表270も併せて図示されている。なお、この時刻表270は、前述した特許文献1に開示されている制御処理で得られる時刻表でもある。図12の時刻表270と時刻表280とを比較すると分かるように、本変形例で得られた時刻表280は、時刻表270に比較して、複数の基板の全体の処理時間が短くなっている。
以上説明した本変形例によれば、特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置を他の研磨
装置に置換した場合の追加処理レシピをさらに考慮して、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる。
装置に置換した場合の追加処理レシピをさらに考慮して、複数の基板の全体の処理時間の削減を図ることができる。
なお、本変形例に係るプログラムは、上述した実施形態の変形例に係る制御処理をコンピュータ5cに実行させるためのプログラムである。このプログラムの説明は、上述した制御処理の説明と重複するため、省略する。また、このプログラムは、コンピュータ5cが読取可能な記憶媒体に記憶されて譲渡等されてもよい。
以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
2 ロード/アンロードユニット
3 研磨ユニット
4 洗浄ユニット
5 制御装置
6 第1リニアトランスポータ(「搬送装置」)
7 第2リニアトランスポータ(「搬送装置」)
11 リフタ(「搬送装置」)
12 スイングトランスポータ(「搬送装置」)
22 搬送ロボット(「搬送装置」)
210,240,250,260,270,280 時刻表
Poli.A Poli.B Poli.C Poli.D 研磨装置
CL1A,CL1B,CL2A,CL2B,CL3A,CL3B 洗浄装置
RB1U,RB1L,RB2 搬送ロボット(「搬送装置」)
3 研磨ユニット
4 洗浄ユニット
5 制御装置
6 第1リニアトランスポータ(「搬送装置」)
7 第2リニアトランスポータ(「搬送装置」)
11 リフタ(「搬送装置」)
12 スイングトランスポータ(「搬送装置」)
22 搬送ロボット(「搬送装置」)
210,240,250,260,270,280 時刻表
Poli.A Poli.B Poli.C Poli.D 研磨装置
CL1A,CL1B,CL2A,CL2B,CL3A,CL3B 洗浄装置
RB1U,RB1L,RB2 搬送ロボット(「搬送装置」)
Claims (6)
- 基板処理装置であって、
基板を研磨処理する少なくとも1つの研磨装置を含む研磨ユニットと、
前記研磨ユニットによって研磨された基板を洗浄処理する少なくとも1つの洗浄装置を含む洗浄ユニットと、
前記基板を搬送処理する少なくとも1つの搬送装置を含む搬送ユニットと、
前記基板処理装置を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、
基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、
前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、
前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を実行する、基板処理装置。 - 前記少なくとも1つの研磨装置は、同種の研磨処理を実行可能な複数の研磨装置を含み、
前記複数の研磨装置は、互いに置換することが可能な複数の研磨装置からなる特定研磨装置群を含み、
前記処理レシピにおいて、前記基板処理装置に投入される複数の基板の一部が、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含む場合、前記制御装置は、処理レシピ変更制御処理を実行し、
前記処理レシピ変更制御処理において、前記制御装置は、
前記基板処理装置に投入される複数の基板のうち、施される処理内容に前記特定研磨装置群による研磨処理を含まない基板よりも後に前記基板処理装置に投入される基板について、前記特定研磨装置群に含まれる複数の研磨装置を他の複数の研磨装置に置換した場合の処理内容を規定した追加処理レシピを作成し、
作成された前記追加処理レシピを前記処理レシピに追加し、
前記制御装置は、前記処理レシピ変更制御処理で得られた処理レシピに基づいて、前記演算制御処理を行う、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記研磨装置及び前記洗浄装置の少なくとも一方において処理に要した時間、及び、前記搬送装置において前記研磨ユニットから前記洗浄ユニットへの搬送処理に要した時間、の過去の実績に基づいて前記時刻表を作成する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記基板処理装置へ新規に投入する基板についての前記時刻表を作成する際には、
前記新規に投入する基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到着時刻を計算し、前記仮の到着時刻と、前記基板処理装置へ先行して投入した基板の前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置における処理終了時刻又は処理終了予定時刻と、を比較し、
同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮
の到着時刻がある場合には、前記早い仮の到着時刻と前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻との差を、前記研磨装置、前記洗浄装置、及び前記搬送装置への仮の到着時刻に加算することによって実の到着時刻を作成し、
前記実の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記時刻表作成制御処理において、前記制御装置は、前記同一又は競合する処理装置において前記処理終了時刻又は処理終了予定時刻より早い仮の到着時刻がない場合には、前記仮の到着時刻に基づいて前記時刻表を作成する、請求項4に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置へ投入される複数の基板毎に施される処理内容を予め規定した処理レシピに基づいて、前記基板処理装置へ投入される複数の基板について、前記基板処理装置への投入順序の入れ替えのパターンを演算する、演算制御処理と、
基板が前記基板処理装置に投入されてから洗浄処理が終了するまでに待機状態が発生しないように、前記基板処理装置が有する研磨装置、洗浄装置、及び搬送装置における処理終了時刻を対応付けた時刻表を、前記演算制御処理で得られた前記パターン毎に作成する、時刻表作成制御処理と、
前記時刻表作成制御処理で得られた前記時刻表において、前記基板処理装置に最初に投入される基板の処理開始から最後に投入される基板の処理終了までの時間が最短となる前記時刻表を選択する、選択制御処理と、
前記選択制御処理で選択された前記時刻表に基づいて、複数の基板の前記基板処理装置への投入タイミングを制御する、タイミング制御処理と、を含む制御処理を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022125311A JP2024022025A (ja) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 基板処理装置及びプログラム |
KR1020230095451A KR20240020189A (ko) | 2022-08-05 | 2023-07-21 | 기판 처리 장치 및 프로그램 |
US18/358,953 US20240045405A1 (en) | 2022-08-05 | 2023-07-26 | Substrate processing apparatus and non-transitory computer readable medium |
CN202310937439.6A CN117524918A (zh) | 2022-08-05 | 2023-07-28 | 基板处理装置以及计算机可读存储介质 |
TW112128723A TW202406680A (zh) | 2022-08-05 | 2023-08-01 | 基板處理裝置以及記錄媒體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022125311A JP2024022025A (ja) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 基板処理装置及びプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024022025A true JP2024022025A (ja) | 2024-02-16 |
Family
ID=89750156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022125311A Pending JP2024022025A (ja) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 基板処理装置及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240045405A1 (ja) |
JP (1) | JP2024022025A (ja) |
KR (1) | KR20240020189A (ja) |
CN (1) | CN117524918A (ja) |
TW (1) | TW202406680A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3185381B2 (ja) | 1992-07-15 | 2001-07-09 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 温調装置 |
-
2022
- 2022-08-05 JP JP2022125311A patent/JP2024022025A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-21 KR KR1020230095451A patent/KR20240020189A/ko unknown
- 2023-07-26 US US18/358,953 patent/US20240045405A1/en active Pending
- 2023-07-28 CN CN202310937439.6A patent/CN117524918A/zh active Pending
- 2023-08-01 TW TW112128723A patent/TW202406680A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240045405A1 (en) | 2024-02-08 |
TW202406680A (zh) | 2024-02-16 |
CN117524918A (zh) | 2024-02-06 |
KR20240020189A (ko) | 2024-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6370084B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI518833B (zh) | 真空處理裝置及真空處理方法 | |
JP6626392B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US11004706B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
JP5223778B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2011181750A (ja) | 真空処理装置及びプログラム | |
TWI484586B (zh) | Vacuum processing device and vacuum treatment method | |
JP2011181751A (ja) | 真空処理装置及びプログラム | |
WO2004090972A1 (ja) | 基板処理システムおよびその制御方法、制御プログラム、記憶媒体 | |
TWI716275B (zh) | 真空處理裝置之運轉方法 | |
JP2024022025A (ja) | 基板処理装置及びプログラム | |
JP6106370B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法 | |
JP2020205338A (ja) | 半導体製造装置システムを制御するための制御システム、および半導体製造装置システムの制御方法 | |
US9847263B2 (en) | Substrate processing method including reprocessing rejected wafers | |
JP2024090250A (ja) | 真空処理装置の運転方法 | |
JP6216258B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009217623A (ja) | 搬送制御方法及びこの制御方法を実施する搬送制御装置 |