JP2024018564A - 磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、張力制御方法、磁気テープ取扱方法、及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】磁気テープの幅の変形を抑制可能な磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、張力制御方法、磁気テープ取扱方法、及びプログラムの提供。【解決手段】リールに巻き回された磁気テープを備え、磁気テープは、磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、第１領域よりもリールの外周側の領域である第２領域と、を有し、磁気テープの長手方向の伸びの度合いについて、第１領域の度合いは、第２領域の度合い以上である磁気テープカートリッジ。【選択図】図１７

Description

本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、張力制御方法、磁気テープ取扱方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、内側表面とテープ巻取表面とを画定しているハブを有し、ハブの少なくとも一部がプラスチックでできており、テープ巻取表面が２ＧＰａより大きい有効ラジアルモジュラスを有している、記憶テープの巻取巻出用テープリールアセンブリが記載されている。

特開２００５－１１６１６３号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、磁気テープの幅の変形を抑制可能な磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、張力制御方法、磁気テープ取扱方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、リールに巻き回された磁気テープを備え、磁気テープは、磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、第１領域よりもリールの外周側の領域である第２領域と、を有し、磁気テープの長手方向の伸びの度合いについて、第１領域の度合いは、第２領域の度合い以上である磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第２の態様は、第２領域が、磁気テープの長手方向における中間領域を含む第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第３の態様は、磁気テープには、長手方向に複数のサーボパターンが形成されており、度合いは、第１領域における磁気テープの長手方向に隣接するサーボパターン同士の間隔である第１間隔及び第２領域における磁気テープの長手方向に隣接するサーボパターン同士の間隔である第２間隔に基づいて求められる第１の態様又は第２の態様に係る磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第４の態様は、第１間隔の値が、第１領域における磁気テープの長手方向に隣接するサーボパターン同士の間隔の統計値である第３の態様に係る磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第５の態様は、第２間隔の値が、第２領域における磁気テープの長手方向に隣接するサーボパターン同士の間隔の統計値である第３の態様又は第４の態様に係る磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第６の態様は、リールに巻き回された磁気テープを備え、磁気テープは、磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域を有し、第１領域における磁気テープの長手方向の伸びの度合いは、磁気テープに対する磁気的処理の前よりも磁気的処理の後の方が大きい磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第７の態様は、プロセッサと、張力付与機構と、を備え、プロセッサは、張力付与機構に対して、第１から第６の何れか一つの態様に係る磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープに張力を付与させ、張力は、度合いに応じて定められている磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第８の態様は、度合いが、磁気テープの長手方向位置に応じて定められている第７の態様に係る磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第９の態様は、度合いが、磁気テープの長手方向位置に対する張力の変化率に応じて定められている第８の態様に係る磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第１０の態様は、プロセッサは、磁気テープに付与される張力に関する張力情報を取得し、取得した張力情報を出力し、張力情報は、磁気テープの長手方向位置に応じて、磁気テープの長手方向位置に対する張力の変化率を変更するための情報である第７の態様に係る磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第１１の態様は、第１から第６の何れか一つの態様に係る磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープに張力を付与する張力制御方法であって、度合いを変更すること、及び、変更した度合いに応じた張力を磁気テープに付与することを含む張力制御方法である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、磁気テープの長手方向位置に応じて、磁気テープの長手方向位置に対する張力の変化率を変更することを含む第１１の態様に係る張力制御方法である。

本開示の技術に係る第１３の態様は、磁気テープが、磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、第１領域よりもリールの外周側の領域である第２領域と、を有し、第１領域における変化率が、第２領域における変化率よりも大きい第１１の態様又は第１２の態様に係る張力制御方法である。

本開示の技術に係る第１４の態様は、度合いが、リールの芯側から外周側にかけて非線形的に低下する第１１の態様から第１３の態様の何れか一つの態様に係る張力制御方法である。

本開示の技術に係る第１５の態様は、第１１の態様から第１４の態様の何れか一つの態様に係る張力制御方法に従って磁気テープに張力を付与すること、及び、張力を付与した磁気テープをリールに巻き取ることを含む磁気テープ取扱方法である。

本開示の技術に係る第１６の態様は、磁気テープをリールに巻き取る場合に用いられた張力の変位に基づいて、磁気テープを送出することを含む第１５の態様に係る磁気テープ取扱方法である。

本開示の技術に係る第１７の態様は、第１１の態様から第１４の態様の何れか一つの態様に係る張力制御方法に従って磁気テープを搬送することを含む磁気テープ取扱方法である。

本開示の技術に係る第１８の態様は、コンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、処理は、第１の態様から第６の態様の何れか一つの態様に係る磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープに張力を付与する張力制御処理であり、張力制御処理は、度合いを変更すること、及び、変更した度合いに応じた張力を磁気テープに付与することを含むプログラムである。

実施形態に係る磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのプロセッサの要部機能の一例を示す機能ブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係るカートリッジリールの概略構成の一例を示す断面図である。 実施形態に係るカートリッジリールのリールハブに巻き回された状態の磁気テープに生じる応力の状態の一例を示す概念図である。 比較例として磁気テープに生じる応力に起因した磁気テープの幅変化の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープに生じる応力に起因した磁気テープの幅変化の一例を示す概念図である。 磁気テープの半径方向位置と巻き付け時の張力との関係の一例を示すグラフである。 磁気テープの半径方向位置と幅変化量との関係の一例を示すグラフである。 実施形態に係る磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する伸び算出部及び制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する伸び算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する伸び算出部及び張力算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する張力算出部及び制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る張力制御処理の一例を示すフローチャートである。 第１変形例に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 第２変形例に係る磁気テープに対して磁気的処理を行った前後での伸びの発生の態様の一例を示す概念図である。 第３変形例に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 第４変形例に係るサーボライタの構成の一例を示す概念図である。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、張力制御方法、磁気テープ取扱方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＮＶＭとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＧＰＵとは、“Graphics Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＰＬＣとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。ＥＯＴとは、“End Of Tape”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。ＷＡＮとは、“Wide Area Network”の略称を指す。ＬＡＮとは、“Local Area Network”の略称を指す。ＰＥＳとは、“Position Error Signal”の略称を指す。

＜第１実施形態＞
一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。

本実施形態において、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。

次に、図２を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。

一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。ケース１６は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１８及び下ケース２０を備えている。上ケース１８及び下ケース２０は、上ケース１８の下周縁面と下ケース２０の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１６の内部には、カートリッジリール２２が回転可能に収容されている。カートリッジリール２２は、本開示の技術に係る「リール」の一例である。カートリッジリール２２は、リールハブ２２Ａ、上フランジ２２Ｂ１、及び下フランジ２２Ｂ２を備えている。リールハブ２２Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ２２Ａは、カートリッジリール２２の軸心部であり、軸心方向がケース１６の上下方向に沿っており、ケース１６の中央部に配置されている。上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ２２Ａの上端部には上フランジ２２Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ２２Ａの下端部には下フランジ２２Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ２２Ａと下フランジ２２Ｂ２は一体成型されていてもよい。

リールハブ２２Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２によって保持されている。

ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ｂから引き出される。

下ケース２０にはカートリッジメモリ２４が設けられている。具体的には、下ケース２０の右後端部に、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。

カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報が記憶されている。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報（例えば、磁気テープカートリッジ１２を特定可能な情報）、磁気テープＭＴに関する情報（例えば、磁気テープＭＴの記録容量を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの項目を示す情報、及び磁気テープＭＴに記録されているデータの記録形式を示す情報など）、及び磁気テープドライブ１４に関する情報（例えば、磁気テープドライブ１４の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ１４で用いられる信号）等が含まれている。

一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、制御装置３０、ストレージ３２、ＵＩ系装置３４、及び通信インタフェース３５を備えている。磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。

磁気テープＭＴは、磁性層２９Ａ、ベースフィルム２９Ｂ、及びバックコート層２９Ｃを有する。磁性層２９Ａは、ベースフィルム２９Ｂの一方の面側に形成されており、バックコート層２９Ｃは、ベースフィルム２９Ｂの他方の面側に形成されている。磁性層２９Ａには、データが記録される。磁性層２９Ａは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層２９Ｃは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム２９Ｂは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム２９Ｂと磁性層２９Ａとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープＭＴにおいて、磁性層２９Ａが形成された面が磁気テープＭＴの表面３１であり、バックコート層２９Ｃが形成された面が磁気テープＭＴの裏面３３である。

磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録、及び磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取り（すなわち、データの再生）を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ１４が磁気ヘッド２８を用いて磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録と磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータを読み取ったりする。

制御装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。ストレージ３２は、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。

ＵＩ系装置３４は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、ＵＩ系装置３４によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。

通信インタフェース３５は、制御装置３０に接続されている。また、通信インタフェース３５は、ＷＡＮ及び／又はＬＡＮ等の通信網（図示省略）を介して外部装置３７に接続されている。通信インタフェース３５は、制御装置３０と外部装置３７との間の各種情報（例えば、磁気テープＭＴに対する記録用データ、磁気テープＭＴから読み取られたデータ、及び／又は制御装置３０に対して与えられる指示信号等）の授受を司る。なお、外部装置３７としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。

搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。

送出モータ３６は、制御装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内のカートリッジリール２２を回転させる。制御装置３０は、送出モータ３６を制御することで、カートリッジリール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

巻取モータ４０は、制御装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。制御装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることによって制御される。送出モータ３６及び巻取モータ４０は、本開示の技術に係る「張力付与機構」の一例である。

なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き戻す場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。

本実施形態では、送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。

磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン５８（図７参照）、及びサーボパターン５８以外のデータ、すなわち、データバンドＤＢ（図７参照）に記録されているデータを指す。

磁気テープドライブ１４は、非接触式読み書き装置４６を備えている。非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面２４Ａに正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４に対して非接触で情報の読み書きを行う。

一例として図４に示すように、制御装置３０は、プロセッサ６８、ＲＡＭ７０、及びＮＶＭ７２を備えており、プロセッサ６８、ＲＡＭ７０、及びＮＶＭ７２は電気的に接続されている。プロセッサ６８は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。

例えば、プロセッサ６８は、ＣＰＵ及びＧＰＵを有しており、制御装置３０の全体を制御する。ＧＰＵは、ＣＰＵの制御下で動作し、グラフィック系の各種処理の実行を担う。なお、プロセッサ６８は、ＧＰＵ機能を統合した１つ以上のＣＰＵであってもよいし、ＧＰＵ機能を統合していない１つ以上のＣＰＵであってもよい。

ＲＡＭ７０は、一時的に情報が格納されるメモリであり、プロセッサ６８によってワークメモリとして用いられる。ＮＶＭ７２は、各種プログラム及び各種パラメータ等を記憶する不揮発性の記憶装置である。ＮＶＭ７２の一例としては、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ及び／又はＳＳＤ）が挙げられる。なお、フラッシュメモリは、あくまでも一例に過ぎず、ＨＤＤ等の他の不揮発性の記憶装置であってもよいし、２種類以上の不揮発性の記憶装置の組み合わせであってもよい。

本実施形態では、制御装置３０のプロセッサ６８によって張力制御処理が行われる。ＮＶＭ７２には、張力制御処理プログラム７４が記憶されている。プロセッサ６８は、ＮＶＭ７２から張力制御処理プログラム７４を読み出し、読み出した張力制御処理プログラム７４をＲＡＭ７０上で実行する。張力制御処理は、プロセッサ６８がＲＡＭ７０上で実行する張力制御処理プログラム７４に従って制御部３０Ａ、伸び算出部３０Ｂ、及び張力算出部３０Ｃとして動作することによって実現される。

本実施形態において、制御装置３０は、プロセッサ、ＮＶＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されてもよい。また、制御装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。

非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、制御信号を非接触式読み書き装置４６に出力する。制御信号は、カートリッジメモリ２４を制御する信号である。非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０から入力された制御信号に従って磁界ＭＦを生成し、生成した磁界ＭＦをカートリッジメモリ２４に向けて放出する。

非接触式読み書き装置４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ２４に対して、制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０の制御下で、カートリッジメモリ２４から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ２４に対して情報を記憶させる処理（すなわち、カートリッジメモリ２４に対して情報を書き込む処理）とを選択的に行う。

一例として図６に示すように、磁気テープドライブ１４は、移動機構４８を備えている。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａを有する。移動アクチュエータ４８Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、移動アクチュエータ４８Ａを制御する。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向に移動させる。

磁気テープドライブ１４は、傾斜機構４９を備えている。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａを有する。傾斜アクチュエータ４９Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、傾斜アクチュエータ４９Ａを制御する。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに対して磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜させる。すなわち、磁気ヘッド２８は、制御装置３０の制御下で、磁気テープＭＴ上でスキューする。

一例として図７に示すように、磁気テープＭＴの表面３１には、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２、ＳＢ３及びＳＢ４と、データバンドＤＢ１、ＤＢ２及びＤＢ３と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ４をサーボバンドＳＢと称し、データバンドＤＢ１～ＤＢ３をデータバンドＤＢと称する。

サーボバンドＳＢ１～ＳＢ４とデータバンドＤＢ１～ＤＢ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ（すなわち、全長方向）に沿って形成されている。ここで、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤとは、換言すると、磁気テープＭＴの走行方向を指す。磁気テープＭＴの走行方向は、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２側から巻取リール３８側に走行する方向である順方向（以下、単に「順方向」とも称する）と、磁気テープＭＴが巻取リール３８側からカートリッジリール２２側に走行する方向である逆方向（以下、単に「逆方向」とも称する）との２つの方向で規定される。

サーボバンドＳＢ１～ＳＢ４は、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（以下、単に「幅方向ＷＤ」とも称する）で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ４は、幅方向ＷＤに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。

データバンドＤＢ１は、サーボバンドＳＢ１とサーボバンドＳＢ２との間に配されており、データバンドＤＢ２は、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間に配されている。データバンドＤＢ３は、サーボバンドＳＢ３とサーボバンドＳＢ４との間に配されている。つまり、サーボバンドＳＢとデータバンドＤＢとは、幅方向ＷＤに沿って交互に配列されている。

なお、図７に示す例では、説明の便宜上、４本のサーボバンドＳＢと３本のデータバンドＤＢとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、２本のサーボバンドＳＢと１本のデータバンドＤＢであってもよいし、３本のサーボバンドと２本のデータバンドであってもよい。また、５本以上のサーボバンドＳＢと４本以上のデータバンドＤＢであっても本開示の技術は成立する。

サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８が記録されている。サーボパターン５８は、サーボパターン５８Ａとサーボパターン５８Ｂとに類別される。複数のサーボパターン５８は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。複数のサーボパターン５８は、本開示の技術に係る「複数のサーボパターン」の一例である。

サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている。フレーム５６は、一組のサーボパターン５８で規定されている。図７に示す例では、一組のサーボパターン５８の一例として、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが示されている。サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５６内において、順方向の上流側にサーボパターン５８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５８Ｂが位置している。

サーボパターン５８は、線状磁化領域対６０からなる。線状磁化領域対６０は、線状磁化領域対６０Ａと線状磁化領域対６０Ｂとに類別される。

サーボパターン５８Ａは、線状磁化領域対６０Ａからなる。図７に示す例では、線状磁化領域対６０Ａの一例として、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２が示されている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。図７に示す例では、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２が、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。

線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合である。線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合である。

サーボパターン５８Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂからなる。図７に示す例では、線状磁化領域対６０Ｂの一例として、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２が示されている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。図７に示す例では、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２が、仮想直線Ｃ２に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。

線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合である。線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。

このように構成された磁気テープＭＴの表面３１側に、磁気ヘッド２８は配置されている。ホルダ４４は、直方体状に形成されており、磁気テープＭＴの表面３１上を幅方向にＷＤに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット４２の複数の磁気素子は、ホルダ４４の長手方向ＬＤに沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子ＳＲ及び複数のデータ読み書き素子ＤＲＷを有する。ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気テープＭＴの幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気素子ユニット４２が磁気テープＭＴ上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープＭＴの幅を超える長さとされている。

一対のサーボ読取素子ＳＲは、サーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２からなる。サーボ読取素子ＳＲ１は、磁気素子ユニット４２の一端に配置されており、サーボ読取素子ＳＲ２は、磁気素子ユニット４２の他端に配置されている。図７に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ１が、サーボバンドＳＢ３に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子ＳＲ２が、サーボバンドＳＢ４に対応する位置に設けられている。

複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている（例えば、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って等間隔に配置されている）。図７に示す例では、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、データバンドＤＢ３に対応する位置に設けられている。

制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボ信号を取得し、取得したサーボ信号に従ってサーボ制御を行う。ここで、サーボ制御とは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られたサーボパターン５８に従って移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに移動させる制御を指す。

サーボ制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、データバンドＤＢ内の指定された領域上に位置し、データバンドＤＢ内の指定された領域に対して磁気的処理を行う。図７に示す例では、データバンドＤＢ３内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによって磁気的処理が行われる。

また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢが変更される場合（図７に示す例では、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ３からデータバンドＤＢ２に変更される場合）、移動機構４８は、制御装置３０の制御下で、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、一対のサーボ読取素子ＳＲの位置を変更する。すなわち、移動機構４８は、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、サーボ読取素子ＳＲ１をサーボバンドＳＢ２に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子ＳＲ２をサーボバンドＳＢ３に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷの位置は、データバンドＤＢ３上からデータバンドＤＢ２上に変更され、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによってデータバンドＤＢ２に対して磁気的処理が行われる。

また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ２からＤＢ１に変更される場合についても同様の制御が行われる。また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ１からＤＢ３に変更される場合についても同様の制御が行われる。

一例として図８に示すように、リールハブ２２Ａの外周には、磁気テープＭＴが巻き回される。磁気テープＭＴによって締め付けられることにより、リールハブ２２Ａには、磁気テープＭＴから曲げ荷重Ｆが付与されることになる。リールハブ２２Ａには、それぞれ上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２が設けられている。これにより、リールハブ２２Ａの上端部２２Ａ１及び下端部２２Ａ２ではリールハブ２２Ａの上下方向における中央部分と比較して剛性（例えば、曲げ剛性）が高くなる。これは、円周方向に連続した上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２が、リールハブ２２Ａに対して支持部材として機能し、剛性の向上に寄与するためである。この結果、リールハブ２２Ａの上端部２２Ａ１と下端部２２Ａ２との間において磁気テープＭＴの締め付けによる収縮変形が生じる。

一例として図９に示すように、リールハブ２２Ａにおいて、磁気テープＭＴの締め付けにより収縮変形が生じると、巻き取られた磁気テープＭＴのうちのリールハブ２２Ａ側が、磁気テープＭＴの周方向に沿って収縮する。すなわち、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側において、収縮方向の周方向応力σθが生じている。また、磁気テープＭＴには、磁気テープＭＴがリールハブ２２Ａに巻き回される場合の張力によって径方向応力σｒが生じている。

一例として図１０に示すように、磁気テープＭＴに対して径方向応力σｒが生じると、磁気テープＭＴのポアソン比に応じて磁気テープＭＴの幅が拡がる（図中矢印Ｄ１及びＤ２参照）。また、磁気テープＭＴに対して、収縮方向の周方向応力σθが生じると、磁気テープＭＴのポアソン比に応じて磁気テープＭＴの幅が拡がる（図中矢印Ｄ３及びＤ４参照）。このように、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側では、径方向応力σｒに起因した磁気テープＭＴの幅の拡がりに加え、周方向応力σθに起因した磁気テープＭＴの幅の拡がりが生じる。このため、リールハブ２２Ａに巻き取られた状態の磁気テープＭＴにおいて、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側の領域が、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側以外の領域（例えば、カートリッジリール２２の外周側の領域）と比較して、幅が大きくなる。

例えば、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻かれた状態で、磁気テープＭＴに生じた応力に起因した変形（例えば、長期間保存された場合のクリープ変形）が生じる。すなわち、磁気テープＭＴにおいて、リールハブ２２Ａ側領域の幅が保管前と比較して広くなり、カートリッジリール２２の外周側の領域の幅が保管前と比較して狭くなる。磁気テープＭＴにおける幅の不均一な変形は、磁気ヘッドの位置を磁気テープＭＴに対して精度よく位置させることが困難にする。これは、磁気テープＭＴにおけるデータの記録不良、又は読取不良の一因となる。磁気テープＭＴの記録密度の高容量化に伴ってデータトラック幅が狭くなると、この問題は、さらに顕著となる。

そこで、本実施形態では、一例として図１１に示すように、磁気テープＭＴに対して引っ張り方向の周方向応力σθを生じさせる。磁気テープＭＴに対して引っ張り方向の周方向応力σθが生じると、磁気テープＭＴのポアソン比に応じて磁気テープＭＴの幅が収縮する（図中矢印Ｅ１及びＥ２参照）。これにより、磁気テープＭＴに対する径方向応力σｒに起因した磁気テープＭＴの幅の拡がり（図中矢印Ｄ１及びＤ２参照）を、引っ張り方向の周方向応力σθに起因した磁気テープＭＴの幅方向の収縮によって抑制できる。この結果、リールハブ２２Ａに巻き取られた状態の磁気テープＭＴにおいて、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側の領域が、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側以外の領域（例えば、カートリッジリール２２の外周側の領域）と比較して、幅が大きくなることが抑制される。

一例として図１２に示すように、従来既知の磁気テープＭＴの巻き取り時の張力条件（以下、単に「従来既知の第１張力条件」とも称する）では、巻き取り時の張力Ｔが、カートリッジリール２２に巻かれた状態における半径方向位置ｒ（以下単に、「半径方向位置ｒ」とも称する）の何れの位置においても一定とされている。ここで、半径方向位置ｒは、磁気テープＭＴの長手方向位置に対応している。また、その他の従来既知の張力条件（以下、単に「従来既知の第２張力条件」とも称する）では、巻き取り時の張力Ｔが、半径方向位置ｒがリールハブ２２Ａ側から外周側へ向かって単調に減少している。

本実施形態に係る張力条件では、磁気テープＭＴの半径方向位置ｒに応じて、磁気テープＭＴの半径方向位置ｒに対する巻き取り時の張力Ｔが変更されている。例えば、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおいて、リールハブ２２Ａ側の領域の方が、外周側の領域よりも張力の半径方向位置ｒに対する張力Ｔの変化率が大きくなっている。なお、ここでは、リールハブ２２Ａ側の領域の方が、外周側の領域よりも変化率が大きくなっている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。リールハブ２２Ａ側の領域の張力Ｔの変化率が、外周側の領域の張力Ｔの変化率以上であっても本開示の技術は成立する。さらに、張力の半径方向位置ｒに対する張力Ｔの変化率は、リールハブ２２Ａ側から外周側にかけて非線形的に低下している。換言すれば、図１２に示す例において、張力Ｔの半径方向位置ｒに対する変化率は、従来既知の第２張力条件と比較して、下に凸の傾きの変化を有する曲線状に減少している。ここで、本実施形態に係る張力条件は、例えば、リールハブ２２Ａに巻かれた状態の磁気テープＭＴにおけるモーメントのつり合い式に基づく計算及び実験に基づいて求められる。すなわち、モーメントのつり合い式に基づく計算及び実験によって半径方向限界応力σｒ１（すなわち、磁気テープＭＴがリールハブ２２Ａに巻き取られた状態において、磁気テープＭＴに巻き緩みが発生する場合の径方向応力σｒ）が半径方向位置ｒの２乗に反比例するとの結果が得られる。そして、半径方向限界応力σｒ１から導出される張力Ｔと磁気テープＭＴにおける半径方向位置ｒとの関係が求められる。具体的には、本実施形態に係る張力条件は、数式（１）によって求められる。

Ｔ＝Ｃ／ｒ^２ ・・・（１）
ここで、Ｔ：張力，Ｃ：定数，ｒ：リールに巻かれた状態の磁気テープの径方向位置

本実施形態に係る張力条件によって磁気テープＭＴが巻き取られることで、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側の領域では、引っ張り方向の周方向応力σθが生じる。これにより、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側の領域において、磁気テープＭＴの幅が収縮する。この結果、磁気テープＭＴに対する径方向応力σｒに起因した磁気テープＭＴの幅の拡がりを、引っ張り方向の周方向応力σθに起因した磁気テープＭＴの幅方向の収縮によって抑制できる。この結果、リールハブ２２Ａに巻き取られた状態の磁気テープＭＴにおいて、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側が、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側以外の領域（例えば、カートリッジリール２２の外周側の領域）と比較して、幅が大きくなることが抑制される。

一例として図１３に示すように、従来既知の第１張力条件では、磁気テープＭＴがリールハブ２２Ａに巻き取られる前と巻き取られた後との磁気テープＭＴの幅変化量（以下、単に幅変化量とも称する）が、従来既知の第２張力条件及び本実施形態に係る張力条件と比較して、半径方向位置ｒによって大きく変化している。ここで、幅変化量は、例えば、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤにおいて隣接するサーボバンドＳＢ同士の間隔（すなわち、サーボバンド間隔）に基づいて求められる。すなわち、隣接するサーボバンドＳＢにおいて、それぞれのサーボバンドＳＢに含まれるサーボパターン５８が読み取られた結果に基づいてＰＥＳが求められる。ＰＥＳとは、サーボバンドＳＢ上でサーボ読取素子ＳＲが本来位置する箇所から幅方向ＷＤに沿ってずれている量を示す信号である。そして、ＰＥＳに基づいてサーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置が検出される。これにより、隣接するサーボバンドＳＢにおけるサーボバンド読取素子ＳＲの位置が求められるので、サーボバンド間隔が算出される。そして、サーボバンド間隔に基づいて幅変化量が求められる。幅変化量は、サーボバンド間隔の平均値（すなわち、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおけるサーボバンド間隔の平均値）に基づいて求められることが望ましい。また、幅変化量は、例えば、磁気テープＭＴの幅を、レーザー変位計（例えば、キーエンス社製ＫＥＹＥＮＣＥ ＬＳ－９０３０等）等を用いて測定することによっても得られる。また、従来既知の第２張力条件では、幅変化量は、従来既知の第１張力条件と比較して小さいものの、リールハブ２２Ａ側において、幅が拡がっている。すなわち、図１３に示す例では、半径方向位置ｒのαからβにおいて、従来既知の第２張力条件下での幅変形量が大きくなっている。本実施形態に係る張力条件では、幅変化量が、リールハブ２２Ａ側から外周側にかけて、０に近い値となっており、磁気テープＭＴがリールハブ２２Ａに巻き取られる前と巻き取られた後とで、磁気テープＭＴの幅の変化が抑制されている。具体的には、図１３に示す例では、半径方向位置ｒのαからβにおいて、幅変形量が小さくなり、さらに幅変化量の半径方向位置ｒに対する変化も緩やかになっている。

一例として図１４に示すように、本実施形態に係る張力条件で巻き取られた磁気テープＭＴには、磁気テープＭＴに付与される張力に応じた伸びが、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて生じる。磁気テープＭＴにおいて、カートリッジリール２２の変形に伴う幅変化の影響を受ける領域で、伸びの度合いをその他の領域よりも大きくすることで（すなわち、引っ張り方向の周方向応力σθを付与することで）、幅の拡がりを抑制できる。

磁気テープＭＴは、芯側領域ＭＴ１及び外周側領域ＭＴ２を有する。芯側領域ＭＴ１とは、磁気テープＭＴのリールハブ２２Ａ側の領域ＭＴ１（すなわち、カートリッジリール２２の芯側の領域）を指す。外周側領域ＭＴ２は、芯側領域ＭＴ１よりも磁気テープＭＴの外周側の領域ＭＴ２（すなわち、カートリッジリール２２の外周側の領域）を指す。芯側領域ＭＴ１は、磁気テープＭＴが巻き回されることによるリールハブ２２Ａの変形に伴う磁気テープＭＴの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である。芯側領域ＭＴ１における伸びの度合いは、外周側領域ＭＴ２における伸びの度合い以上となっている。換言すれば、芯側領域ＭＴ１に付与される張力は、外周側領域ＭＴ２に付与される張力に比べて、少なくとも小さくならない。ここで、伸びの度合いとは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤの単位長さ辺りの伸び量を指す。芯側領域ＭＴ１は、本開示の技術に係る「第１領域」の一例である。また、外周側領域ＭＴ２は、本開示の技術に係る「第２領域」の一例である。

外周側領域ＭＴ２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける中間領域ＭＴ２Ａを含む領域である。ここで、中間領域ＭＴ２Ａとは、磁気テープＭＴの幅変化量が、芯側領域ＭＴ１における磁気テープＭＴの幅変化量よりも小さい領域であって、外周側領域ＭＴ２における磁気テープＭＴの幅変化量よりも小さい領域を指す。中間領域ＭＴ２Ａは、例えば、磁気テープＭＴにおけるＥＯＴ領域ＭＴ３の終端位置ＭＴ３ＡからＢＯＴ領域ＭＴ４の開始位置ＭＴ４Ａの間の一部であって、芯側領域ＭＴ１を除いた領域である。また、中間領域ＭＴ２Ａは、芯側領域ＭＴ１の長さに応じて定められてもよいし、磁気テープＭＴの材質に応じて定められてもよい。中間領域ＭＴ２Ａは、本開示の技術に係る「中間領域」の一例である。

例えば、磁気テープＭＴの長さ（すなわち、長手方向距離）が、１０００ｍである場合を考える。この場合、芯側領域ＭＴ１は、例えば、ＥＯＴ領域ＭＴ３の終端位置ＭＴ３Ａ（すなわち、テープ記録再生終端位置）から長さ１００ｍの区間である。また、外周側領域ＭＴ２は、例えば、ＥＯＴ領域ＭＴ３から５００ｍの位置を始点とする長さ１００ｍの区間である。

ここで、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢには、サーボパターン５８が長手方向ＬＤに沿って形成されている。磁気テープＭＴの伸びの度合いは、磁気テープＭＴのサーボパターン５８に基づいて求められる。すなわち、本実施形態に係る張力条件で磁気テープＭＴに張力が付与されると、芯側領域ＭＴ１の伸びの度合いは、外周側領域ＭＴ２の伸びの度合いよりも大きい。これにより、長手方向ＬＤに隣接したサーボパターン５８の間隔ｄも拡がりも、芯側領域ＭＴ１におけるサーボパターン５８同士の間隔ｄ１の方が、外周側領域ＭＴ２におけるサーボパターン５８同士の間隔ｄ２よりも大きい。ここで、サーボパターン５８の間隔ｄとは、あるフレーム５６におけるサーボパターン５８Ａと、隣接するフレーム５６におけるサーボパターン５８Ａとの間隔を指す。なお、これはあくまでも一例に過ぎず、サーボパターン５８の間隔ｄは、あるフレーム５６におけるサーボパターン５８Ｂと、隣接するフレーム５６におけるサーボパターン５８Ｂとの間隔であってもよい。このように、磁気テープＭＴの伸びの度合いは、サーボパターン５８同士の間隔ｄに基づいて求められる。間隔ｄ１は、本開示の技術に係る「第１間隔」の一例であり、間隔ｄ２は、本開示の技術に係る「第２間隔」の一例である。

一例として図１５に示すように、制御装置３０は、制御部３０Ａ及び伸び算出部３０Ｂを有する。伸び算出部３０Ｂは、第１取得部３０Ｂ１、及び第２取得部３０Ｂ２を有する。伸び算出部３０Ｂは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボ信号を取得し、取得したサーボ信号に基づいて、磁気テープＭＴにおける伸びの度合いを算出する。

第１取得部３０Ｂ１は、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボパターン５８が読み取られた結果を取得し、第２取得部３０Ｂ２は、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボパターン５８が読み取られた結果を取得する。

図１５に示す例では、第１取得部３０Ｂ１が、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ３内のサーボパターン５８が読み取られることによって得られた第３サーボ信号ＳＢＳ３を取得する。また、第２取得部３０Ｂ２が、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ３内のサーボパターン５８が読み取られることによって得られた第４サーボ信号ＳＢＳ４を取得する。

一例として図１６に示すように、伸び算出部３０Ｂは、第１取得部３０Ｂ１及び第２取得部３０Ｂ２によって取得された芯側領域ＭＴ１のサーボ信号に基づいて、第１間隔ＳＰ１を算出する。また、伸び算出部３０Ｂは、第１取得部３０Ｂ１及び第２取得部３０Ｂ２によって取得された外周側領域ＭＴ２のサーボ信号に基づいて第２間隔ＳＰ２を算出する。

具体的には、伸び算出部３０Ｂは、第３サーボ信号ＳＢＳ３、及び第４サーボ信号ＳＢＳ４から、自己相関係数を用いて、パルス波形を検出する。ストレージ３２には、理想波形信号６６が記憶されている。理想波形信号６６は、サーボ信号に含まれる単発の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５８に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。理想波形信号６６は、サーボ信号と比較される見本信号とも言える。なお、ここでは、ストレージ３２に理想波形信号６６が記憶されている形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、ストレージ３２に代えて、又は、ストレージ３２と共に、理想波形信号６６がカートリッジメモリ２４に記憶されていてもよい。また、磁気テープＭＴの先頭に設けられたＥＯＴ領域ＭＴ３（図１４参照）、及び／又は、磁気テープＭＴの後尾に設けられたＢＯＴ領域ＢＴ４（図１４参照）に理想波形信号６６が記録されていてもよい。

伸び算出部３０Ｂによって用いられる自己相関係数は、サーボ信号と理想波形信号６６との相関の度合いを示す係数である。伸び算出部３０Ｂは、ストレージ３２から理想波形信号６６を取得し、取得した理想波形信号６６とサーボ信号とを比較する。そして、伸び算出部３０Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。伸び算出部３０Ｂは、サーボバンドＳＢ上において、サーボ信号と理想波形信号６６との相関が高い位置（例えば、サーボ信号と理想波形信号６６とが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。

伸び算出部３０Ｂによる伸び算出は、例えば、以下の様にして行われる。上述したように、本実施形態に係る張力条件で磁気テープＭＴに張力が付与されると、芯側領域ＭＴ１の伸びの度合いは、外周側領域ＭＴ２の伸びの度合いよりも大きい。これを反映して、長手方向ＬＤに隣接したサーボパターン５８同士の間隔も、芯側領域ＭＴ１と、外周側領域ＭＴ２とで異なっている。従って、伸び算出部３０Ｂは、自己相関係数に従って検出されたパルス波形に基づいて、サーボパターン５８同士の間隔ｄを算出する。すなわち、伸び算出部３０Ｂは、あるフレーム５６に含まれるサーボパターン５８Ａに対応したパルス信号と、隣接するフレーム５６に含まれるサーボパターン５８Ａに対応したパルス信号との検出される時間差ｔ（すなわち、パルス間隔ｔ）を取得する。

さらに、伸び算出部３０Ｂは、芯側領域ＭＴ１におけるパルス間隔ｔ１の平均値ＡＧ１を算出する。また、伸び算出部３０Ｂは、外周側領域ＭＴ２におけるパルス間隔ｔ２の平均値ＡＧ２を算出する。

一例として図１７に示すように、伸び算出部３０Ｂは、芯側領域ＭＴ１におけるパルス間隔ｔ１の平均値ＡＧ１に対して磁気テープＭＴの搬送速度を乗算することにより、芯側領域ＭＴ１におけるサーボパターン５８同士の間隔である第１間隔ＳＰ１を算出する。そして、伸び算出部３０Ｂは、外周側領域ＭＴ２におけるパルス間隔ｔ２の平均値ＡＧ２に対して磁気テープＭＴの搬送速度を乗算することにより、外周側領域ＭＴ２におけるサーボパターン５８同士の間隔である第２間隔ＳＰ２を算出する。

なお、ここでは、芯側領域ＭＴ１におけるパルス間隔ｔ１の平均値を用いて第１間隔ＳＰ１が算出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。芯側領域ＭＴ１におけるパルス間隔ｔ１の統計値を用いて第１間隔ＳＰ１が算出されればよく、最頻値、又は中央値であっても本開示の技術は成立する。また、外周側領域ＭＴ２についても同様に、パルス間隔ｔ２の統計値を用いて第２間隔ＳＰ２が算出されればよく、最頻値、又は中央値であっても本開示の技術は成立する。

伸び算出部３０Ｂは、第１間隔ＳＰ１及び第２間隔ＳＰ２に基づいて、伸びの度合いＤＧを算出する。芯側領域ＭＴ１における伸びの度合いＤＧは、例えば、第１間隔ＳＰ１を初期状態の磁気テープＭＴの幅で除すことで求められる。ここで、初期状態とは、データバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる前の状態を指す。初期状態の一例としては、工場出荷時の状態が挙げられる。また、外周側領域ＭＴ２の伸びの度合いＤＧは、第２間隔ＳＰ２を初期状態の磁気テープＭＴの幅で除すことで求められる。伸び算出部３０Ｂは、伸びの度合いＤＧを張力算出部３０Ｃへ出力する。

張力算出部３０Ｃは、張力導出テーブルＴＢを用いて、張力情報ＴＩを生成する。張力情報ＴＩは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力Ｔの変化率を変更するための情報である。張力導出テーブルＴＢは、伸びの度合いＤＧを入力値とし、張力情報ＴＩを出力値とするテーブルである。張力導出テーブルＴＢは、予めストレージ３２に記憶されている。張力算出部３０Ｃは、ストレージ３２から張力導出テーブルＴＢを取得する。張力算出部３０Ｃは、張力導出テーブルＴＢから、伸びの度合いＤＧに応じた張力情報ＴＩを導出する。

なお、ここでは、張力導出テーブルＴＢを用いて、張力情報ＴＩが生成される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、張力算出部３０Ｃにおいて、張力導出演算式が用いられることにより、張力情報が生成されてもよい。張力導出演算式は、伸びの度合いＤＧを独立変数とし、張力情報ＴＩを示す数値を従属変数とする演算式である。

一例として図１８に示すように、張力算出部３０Ｃは、張力情報ＴＩを制御部３０Ａに出力する。制御部３０Ａは、張力情報ＴＩに基づいて、磁気テープＭＴに付与される張力Ｔの制御を行う。張力情報ＴＩは、伸びの度合いＤＧに応じて求められる。すなわち、制御部３０Ａは、伸びの度合いＤＧに応じて磁気テープＭＴに付与される張力Ｔを制御する。さらに、伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて定められている。従って、制御部３０Ａは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力Ｔの変化率を変更する。具体的には、制御部３０Ａは、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等を調整することで、磁気テープＭＴに対して張力Ｔを付与する。また、制御部３０Ａは、磁気テープＭＴに付与される張力を、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等を調整することによって制御する。

次に、制御装置３０の作用について、図１９を参照しながら説明する。図１９には、制御部３０Ａによって行われる張力制御処理の流れの一例が示されている。図１９に示す張力制御処理の流れは、本開示の技術に係る「張力制御方法」の一例である。

図１９に示す張力制御処理では、先ず、ステップＳＴ１１０で、制御部３０Ａは、張力情報ＴＩを取得する。ステップＳＴ１１０の処理が実行された後、張力制御処理は、ステップＳＴ１１２へ移行する。

ステップＳＴ１１２で、制御部３０Ａは、ステップＳＴ１１０で取得した張力情報ＴＩに基づいて伸びの度合いＤＧを変更する。例えば、制御部３０Ａは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力Ｔの変化率を変更することにより、伸びの度合いＤＧを変更する。ステップＳＴ１１２の処理が実行された後、張力制御処理は、ステップＳＴ１１２へ移行する。

ステップＳＴ１１４で、制御部３０Ａは、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等を調整する。これにより、制御部３０Ａは、送出モータ３６及び巻取モータ４０を介して、伸びの度合いＤＧに応じた張力を磁気テープＭＴに付与させる。ステップＳＴ１１４の処理が実行された後、張力制御処理は、ステップＳＴ１１６へ移行する。

ステップＳＴ１１６で、制御部３０Ａは、張力制御処理が終了する条件（以下、「終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。終了条件の一例としては、磁気テープＭＴの巻き取りが完了した、との条件が挙げられる。ステップＳＴ１１６において、終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、張力制御処理は、ステップＳＴ１１０へ移行する。ステップＳＴ１１６において、終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、張力制御処理は、終了する。

以上説明したように、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、カートリッジリール２２に巻き回された磁気テープＭＴを備え、磁気テープＭＴは、芯側領域ＭＴ１と、外周側領域ＭＴ２と、を有し、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧについて、芯側領域ＭＴ１の伸びの度合いＤＧは、外周側領域ＭＴ２の伸びの度合いＤＧ以上である。磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻き回されることにより、カートリッジリール２２には磁気テープＭＴから締め付けに伴う荷重が付与される。この結果、カートリッジリール２２が収縮変形するので、磁気テープＭＴにも長手方向ＬＤに収縮する方向（すなわち、収縮方向）の応力（すなわち、周方向応力σθ）が生じる。そして、磁気テープの幅が変化する（すなわち、幅が拡がる）。本実施形態に係る磁気テープＭＴでは、幅の拡がりの影響を受ける領域である芯側領域ＭＴ１において、カートリッジリール２２の外周側の領域である外周側領域ＭＴ２よりも磁気テープＭＴの長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧが大きい。芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧが外周側領域ＭＴ２よりも大きいことは、カートリッジリール２２の芯側（すなわち、リールハブ２２Ａ側）において、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに引っ張る方向（すなわち、引っ張り方向）の応力（すなわち、周方向応力σθ）が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、外周側領域ＭＴ２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける中間領域ＭＴ２Ａを含んでいる。中間領域ＭＴ２Ａはカートリッジリール２２の変形の影響が小さいので、中間領域ＭＴ２Ａでは磁気テープＭＴの幅変化が芯側領域ＭＴ１と比較して小さい。このため、芯側領域ＭＴ１において、中間領域ＭＴ２Ａに対して伸びが生じていることで、相対的に伸びの発生が顕著となる。これにより、伸びを検出することが容易となる。芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧが大きいことは、カートリッジリール２２の芯側（すなわち、リールハブ２２Ａ側）において、引っ張り方向の応力（すなわち、周方向応力σθ）が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、磁気テープＭＴには、長手方向ＬＤに複数のサーボパターン５８が形成されている。また、伸びの度合いＤＧは、芯側領域ＭＴ１における磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに隣接するサーボパターン５８同士の間隔である第１間隔ＳＰ１及び外周側領域ＭＴ２における磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに隣接するサーボパターン５８同士の間隔である第２間隔ＳＰ２に基づいて求められる。従って、本構成によれば、伸びの度合いＤＧが磁気テープＭＴのサーボパターン５８の間隔により求められるので、伸びの度合いＤＧを算出することが正確になる。例えば、伸びの度合いＤＧが常に一定として求められる場合と比較して、保管後の磁気テープＭＴの伸びの度合いＤＧが正確に求められる。

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、第１間隔ＳＰ１の値は、芯側領域ＭＴ１における磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに隣接するサーボパターン５８同士の間隔の統計値（例えば、平均値）である。第１間隔ＳＰ１がサーボパターン５８同士の間隔の統計値により求められる。そして、第１間隔ＳＰ１に基づいて、芯側領域ＭＴ１における伸びの度合いＤＧが求められる。従って、本構成によれば、伸びの度合いＤＧを正確に算出することができる。例えば、第１間隔ＳＰ１の値が、常に予め定められた位置におけるサーボパターン５８同士の間隔に基づいて求められる場合と比較して、伸びの度合いＤＧが正確に求められる。

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、第２間隔ＳＰ２の値は、外周側領域ＭＴ２における磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに隣接するサーボパターン５８同士の間隔の統計値である。第２間隔ＳＰ２がサーボパターン５８同士の間隔の統計値により求められる。そして、第２間隔ＳＰ２に基づいて、外周側領域ＭＴ２における伸びの度合いＤＧが求められる。従って、本構成によれば、伸びの度合いＤＧを正確に算出することができる。例えば、第２間隔ＳＰ２の値が、常に予め定められた位置におけるサーボパターン５８同士の間隔に基づいて求められる場合と比較して、伸びの度合いＤＧが正確に求められる。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴの伸びの度合いＤＧに応じて張力が付与される。磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻き回されることにより、カートリッジリール２２には磁気テープＭＴから締め付けに伴う荷重が生じる。この結果、カートリッジリール２２が収縮変形するので、磁気テープＭＴにも長手方向ＬＤに収縮方向の応力が生じる。そして、磁気テープの幅が変化する（すなわち、幅が拡がる）。芯側領域ＭＴ１の伸びの度合いＤＧが大きいことは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴの伸びの度合いＤＧに応じて張力Ｔが付与される。そして、伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて定められる。すなわち、長手方向位置に応じた伸びの度合いＤＧとなる様に張力Ｔが付与される。例えば、リールハブ２２Ａ側において伸びの度合いＤＧが大きいことは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴの伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力Ｔの変化率に応じて定められる。そして、伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて定められる。すなわち、長手方向位置に応じた伸びの度合いＤＧとなる様に磁気テープＭＴに張力Ｔが付与される。磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおいて、張力Ｔの変化率を変更することは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、制御部３０Ａにより張力情報ＴＩが出力される。張力情報ＴＩは、磁気テープＭＴに対する張力付与の制御に利用される。磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおいて、張力Ｔの変化率を変更することは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

例えば、張力Ｔの変化率が一定の場合（例えば、張力Ｔが常に一定の場合）を考える。この場合、リールハブ２２Ａの変形により、リールハブ２２Ａ側において磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに圧縮応力が生じるので、リールハブ２２Ａ側において磁気テープＭＴの幅が拡がる。また、その他の例として、張力Ｔが線形的に低下する（すなわち、テーパテンションである）場合を考える。この場合、カートリッジリール２２に巻き取られた磁気テープＭＴにおける径方向応力σｒが考慮されていないので、径方向応力σｒが低下し過ぎる位置では、磁気テープＭＴに巻き緩みが発生することがある。

一方、本構成では、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴに付与される張力Ｔの変化率が変更される。これにより、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴにおける伸びの度合いＤＧが変更され、そして、変更された伸びの度合いＤＧに応じた張力Ｔが磁気テープＭＴに付与される。すなわち、長手方向位置に応じた伸びの度合いＤＧとなる様に張力Ｔが付与される。例えば、リールハブ２２Ａ側において伸びの度合いが大きいことは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。このように磁気テープＭＴの長手方向位置に応じた伸びの度合いＤＧになるように磁気テープＭＴに張力Ｔを付与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力Ｔの変化率が変更される。これは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴにおいて、幅の拡がりの影響を受ける芯側領域ＭＴ１において、外周側領域ＭＴ２よりも張力Ｔの変化率が大きく設定されている。これにより、芯側領域ＭＴ１において、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに伸びが生じている。芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びの発生は、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの伸びの度合いＤＧが非線形的に変更される。これは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。これにより、磁気テープＭＴが巻き取られる場合のリールハブ２２Ａ側における磁気テープＭＴの幅変化が抑制される。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

例えば、張力が磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて線形的に低下する（すなわち、テーパテンションとされる）場合を考える。この場合、カートリッジリール２２に巻き取られた磁気テープＭＴにおける径方向応力σｒが考慮されていないので、径方向応力σｒが低下し過ぎる位置では、磁気テープＭＴに巻き緩みが発生することがある。さらに、テーパテンションの場合では、芯側領域ＭＴ１において、磁気テープＭＴの幅が拡がる。これは、磁気テープＭＴの周方向応力σθが、リールハブ２２Ａ側で相対的に圧縮方向にシフトしているため、リールハブ２２Ａ側での径方向応力σｒが大きくなるためである。

本構成では、張力Ｔの変化率が、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて非線形的に低下されることが、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。これにより、磁気テープＭＴが巻き取られる場合のリールハブ２２Ａ側における磁気テープＭＴの幅変化が抑制される。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

（第１変形例）
上記第１実施形態では、サーボパターン５８同士の間隔ｄの平均値から磁気テープＭＴにおける伸びの度合いＤＧが求められ、さらに伸びの度合いＤＧに基づいて張力情報ＴＩが生成される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本第１変形例では、張力情報ＴＩは、磁気テープドライブ１４のストレージ３２に予め記憶されている。

一例として図２０に示すように、張力情報ＴＩは、ストレージ３２に予め記憶されている。制御部３０Ａは、ストレージ３２から張力情報ＴＩを取得する。制御部３０Ａは、張力情報ＴＩにより示される張力条件に従って、磁気テープＭＴに付与する張力を変更する。具体的には、制御部３０Ａは、磁気テープＭＴの長手方向位置に応じて、磁気テープＭＴの長手方向位置に対する張力の変化率を変更する。すなわち、制御部３０Ａは、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等を調整することで、磁気テープＭＴに対して張力を付与する。また、制御部３０Ａは、磁気テープＭＴに付与される張力を、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等を調整することによって制御する。

なお、ここでは、張力情報ＴＩが、ストレージ３２に記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。張力情報ＴＩは、ストレージ３２に代えて、又は、ストレージ３２と共に、カートリッジメモリ２４に記憶されていてもよい。また、磁気テープＭＴの先頭に設けられたＥＯＴ領域ＭＴ３（図１４参照）、及び／又は、磁気テープＭＴの後尾に設けられたＢＯＴ領域ＭＴ４（図１４参照）に張力情報ＴＩが記録されていてもよい。さらに、張力情報ＴＩは、外部装置３７（図３参照）に予め記憶されており、通信インタフェース３５（図３参照）を介して取得されてもよい。

以上説明したように、本第１変形例に係る磁気テープドライブ１４では、予めストレージ３２に記憶された張力情報ＴＩが、制御部３０Ａにより取得され、そして、制御部３０Ａから張力情報ＴＩが出力される。張力情報ＴＩは、磁気テープＭＴに対する張力付与の制御に利用される。磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおいて、張力Ｔの変化率を変更することは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤにおける張力分布の適正化に寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

（第２変形例）
上記第１実施形態では、磁気テープドライブ１４において、磁気テープＭＴにおける芯側領域ＭＴ１の伸びの度合いＤＧが、外周側領域ＭＴ２における伸びの度合いＤＧ以上である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第２変形例では、磁気テープＭＴにおける芯側領域ＭＴ１における伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴに対する磁気的処理の前よりも磁気的処理の後の方が大きくなっている。

一例として図２１に示すように、磁気テープドライブ１４において、磁気テープＭＴに対して磁気的処理が行われた後、磁気テープＭＴが本実施形態に係る張力条件においてカートリッジリール２２に巻き回される。磁気テープカートリッジ１２には、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻き回された状態で、磁気テープＭＴが収容されている。磁気テープＭＴに対する磁気的処理の前後で、芯側領域ＭＴ１には伸びが生じている。磁気テープＭＴにおける芯側領域ＭＴ１における伸びの度合いＤＧは、磁気テープＭＴに対する磁気的処理の前よりも磁気的処理の後の方が大きくなっている。

以上説明したように、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２では、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻き回されることにより、カートリッジリール２２には磁気テープＭＴから締め付けに伴う荷重が付与される。この結果、リールハブ２２Ａが収縮変形するので、磁気テープＭＴにも長手方向ＬＤに収縮方向の応力が生じる。そして、磁気テープＭＴの幅が変化する（すなわち、幅が拡がる）。本実施形態に係る磁気テープＭＴでは、幅の拡がりの影響を受ける芯側領域ＭＴ１において、磁気テープＭＴに対する磁気的処理（例えば、磁気テープＭＴに対するデータの記録及び／又は再生）の後の方が前よりも磁気テープＭＴの長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧが大きい。磁気的処理後の芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びの度合いＤＧが大きいことは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

（第３変形例）
また、上記第１実施形態では、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２に巻き取られる場合に張力情報ＴＩを用いて張力制御が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図２２に示すように、磁気テープＭＴをカートリッジリール２２から送出する工程である送出工程ＯＳ、及び磁気テープＭＴを磁気テープドライブ１４内で搬送する工程である搬送工程ＨＳにも、張力情報ＴＩを用いた張力制御が適用される。送出工程ＯＳ及び搬送工程ＨＳは、本開示の技術に係る「磁気テープ取扱方法」の一例である。

この場合において、磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き取る場合に用いられた張力情報ＴＩが示す張力の変位に基づいて、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２から送出される。具体的には、磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き取る場合に用いられた張力情報ＴＩがカートリッジメモリ２４に予め記憶されている。制御装置３０は、非接触式読み取り装置４６を介して、カートリッジメモリ２４から張力情報ＴＩを取得する。制御装置３０は、取得した張力情報ＴＩを用いて、送出工程ＯＳにおいて、磁気テープＭＴに付与される張力を制御する。

また、制御装置３０は、非接触式読み取り装置４６を介して、カートリッジメモリ２４から張力情報ＴＩを取得する。制御装置３０は、取得した張力情報ＴＩを用いて、搬送工程ＨＳにおいて、磁気テープＭＴに付与される張力Ｔを制御する。

以上説明したように、本第３変形例では、送出工程ＯＳにおいて、張力情報ＴＩを用いた張力制御が適用される。磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き取る場合に、磁気テープＭＴに対して付与される張力Ｔによって、磁気テープＭＴの芯側領域ＭＴ１に伸びが生じている。芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。本変形例では、磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き取る場合の張力Ｔの変位に基づいて、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２から送出される。これにより、磁気テープＭＴがカートリッジリール２２から送出される場合に、磁気テープＭＴに生じた伸びに与える影響を小さくすることができる。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

また、本第３変形例では、搬送工程ＨＳにおいて、張力情報ＴＩを用いた張力制御が適用される。磁気テープＭＴをカートリッジリール２２に巻き取る場合に、磁気テープＭＴに対して付与される張力Ｔによって、磁気テープＭＴの芯側領域ＭＴ１に伸びが生じている。芯側領域ＭＴ１における長手方向ＬＤの伸びは、リールハブ２２Ａ側において、引っ張り方向の応力が生じていることを意味する。そして、引っ張り方向の応力は、磁気テープＭＴの幅を収縮させることに寄与する。本第３変形例では、磁気テープＭＴを磁気テープドライブ１４内で搬送する場合に、張力情報ＴＩを用いた制御が行われる。これにより、磁気テープＭＴに生じた伸びに与える影響を小さくすることができる。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形が抑制される。

（第４変形例）
上記第１実施形態では、磁気テープドライブ１４において磁気テープＭＴが使用される段階で、磁気テープＭＴに対して、張力情報ＴＩを用いた張力制御が用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本第４変形例では、磁気テープＭＴの製造段階で、磁気テープＭＴに対して、張力情報ＴＩを用いた張力制御が用いられてもよい。

一例として図２３に示すように、磁気テープＭＴの製造工程に含まれる複数の工程のうち、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢにサーボパターン５８を記録するサーボパターン記録工程、及び磁気テープＭＴを巻き取る巻取工程の一例について説明する。本実施形態において、巻取工程は、本開示の技術に係る「磁気テープ取扱方法」の一例である。

サーボパターン記録工程では、サーボライタＳＷが用いられる。サーボライタＳＷは、送出リールＳＷ１、巻取リールＳＷ２、駆動装置ＳＷ３、パルス信号生成器ＳＷ４、制御装置ＳＷ５、複数のガイドＳＷ６、搬送路ＳＷ７、サーボパターン記録ヘッドＷＨ、及びベリファイヘッドＶＨを備えている。

制御装置ＳＷ５は、サーボライタＳＷの全体を制御する。本実施形態において、制御装置ＳＷ５は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置ＳＷ５は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置ＳＷ５は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置ＳＷ５は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

送出リールＳＷ１には、パンケーキがセットされている。パンケーキとは、サーボパターン５８の書き込み前に幅広のウェブ原反から製品幅に裁断された磁気テープＭＴがハブに巻き掛けられた大径ロールを指す。

駆動装置ＳＷ３は、モータ（図示省略）及びギア（図示省略）を有しており、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に機械的に接続されている。磁気テープＭＴが巻取リールＳＷ２によって巻き取られる場合、駆動装置ＳＷ３は、制御装置ＳＷ５からの指示に従って、動力を生成し、生成した動力を送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に伝達することで送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２を回転させる。すなわち、送出リールＳＷ１は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、磁気テープＭＴを既定の搬送路ＳＷ７に送り出す。巻取リールＳＷ２は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、送出リールＳＷ１から送り出された磁気テープＭＴを巻き取る。送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等は、巻取リールＳＷ２に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。

この場合において、制御装置ＳＷ５は、張力情報ＴＩを用いて磁気テープＭＴに対して付与する張力を制御する。具体的には、制御装置ＳＷ５は、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等を制御することにより、磁気テープＭＴに対して付与する張力Ｔを制御する。

パルス信号生成器ＳＷ４は、制御装置ＳＷ５の制御下で、パルス電流を生成し、生成したパルス電流をサーボパターン記録ヘッドＷＨに供給する。磁気テープＭＴが搬送路ＳＷ７上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドＷＨは、パルス信号生成器ＳＷ４から供給されたパルス電流に従ってサーボパターン５８をサーボバンドＳＢに記録する。

搬送路ＳＷ７上には、複数のガイドＳＷ６及びサーボパターン記録ヘッドＷＨが配置されている。サーボパターン記録ヘッドＷＨは、複数のガイドＳＷ６間で、磁気テープＭＴの表面３１側に配置されている。送出リールＳＷ１から搬送路ＳＷ７に送り出された磁気テープＭＴは、複数のガイドＳＷ６に案内されてサーボパターン記録ヘッドＷＨ上を経由して巻取リールＳＷ２によって巻き取られる。

磁気テープＭＴの製造工程には、サーボパターン記録工程の他にも複数の工程が含まれている。複数の工程には、検査工程及び巻取工程が含まれている。

例えば、検査工程は、サーボパターン記録ヘッドＷＨによって磁気テープＭＴの表面３１に形成されたサーボバンドＳＢを検査する工程である。サーボバンドＳＢの検査とは、例えば、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５８の正否を判定する処理を指す。サーボパターン５８の正否の判定とは、例えば、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが表面３１内の事前に決められた箇所に対して、磁化直線６０Ａ１ａ、６０Ａ２ａ、６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａが過不足なく、かつ、許容誤差内で記録されているか否かの判定（すなわち、サーボパターン５８のベリファイ）を指す。

検査工程は、制御装置ＳＷ５及びベリファイヘッドＶＨを用いることによって行われる。ベリファイヘッドＶＨは、サーボパターン記録ヘッドＷＨよりも、磁気テープＭＴの搬送方向の下流側に配置されている。また、ベリファイヘッドＶＨには、磁気ヘッド２８と同様に、複数のサーボ読取素子（図示省略）が設けられており、複数のサーボ読取素子によって複数のサーボバンドＳＢに対する読み取りが行われる。

ベリファイヘッドＶＨは、制御装置ＳＷ５に接続されている。ベリファイヘッドＶＨには、磁気テープＭＴの表面３１側（すなわち、ベリファイヘッドＶＨの背面側）から見てサーボバンドＳＢに対して正対する位置に配置されており、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５８を読み取り、読み取った結果（以下、「サーボパターン読取結果」と称する）を制御装置ＳＷ５に出力する。制御装置ＳＷ５は、ベリファイヘッドＶＨから入力されたサーボパターン読取結果（例えば、サーボ信号）に基づいてサーボバンドＳＢの検査（例えば、サーボパターン５８の正否の判定）を行う。例えば、制御装置ＳＷ５は、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン５８の正否を判定することでサーボバンドＳＢの検査を行う。

制御装置ＳＷ５は、サーボバンドＳＢを検査した結果（例えば、サーボパターン５８の正否を判定した結果）を示す情報を既定の出力先（例えば、ストレージ３２（図３参照）、ＵＩ系装置３４（図３参照）、及び／又は外部装置３７（図３参照）等）に出力する。

例えば、検査工程が終了すると、次に、巻取工程が行われる。巻取工程は、複数の磁気テープカートリッジ１２（図２参照）のそれぞれに対して用いられるカートリッジリール２２（すなわち、磁気テープカートリッジ１２（図２参照）に収容されるカートリッジリール２２（図２参照））に磁気テープＭＴを巻回する工程である。巻取工程では、巻取モータＭが用いられる。巻取モータＭは、カートリッジリール２２にギア等を介して機械的に接続されている。巻取モータＭは、制御装置（図示省略）の制御下で、カートリッジリール２２に対して回転力を付与することでカートリッジリール２２を回転させる。巻取リールＳＷ２に巻き取られた磁気テープＭＴは、カートリッジリール２２の回転によってカートリッジリール２２に巻き取られる。巻取工程では、裁断装置（図示省略）が用いられる。複数のカートリッジリール２２の各々について、カートリッジリール２２によって必要な分の磁気テープＭＴが巻き取られると、巻取リールＳＷ２からカートリッジリール２２に送出される磁気テープＭＴが裁断装置によって裁断される。

上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２と磁気テープドライブ１４とが事前に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。

また、上記実施形態では、ＮＶＭ７２に張力制御処理プログラム７４が記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、張力制御処理プログラム７４がＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの可搬型の記憶媒体に記憶されていてもよい。記憶媒体は、非一時的なコンピュータ読取可能な記憶媒体である。記憶媒体に記憶されている張力制御処理プログラム７４は、制御装置３０のコンピュータにインストールされる。プロセッサ６８は、張力制御処理プログラム７４に従って張力制御処理を実行する。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

上記実施形態に加え、以下の付記を開示する。

（付記１）
リールに巻き回された磁気テープを備え、
上記磁気テープは、上記磁気テープが巻き回されることによる上記リールの変形に伴う上記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、上記第１領域よりも上記リールの外周側の領域である第２領域と、を有し、
上記磁気テープの長手方向の伸びの度合いについて、上記第１領域の上記度合いは、上記第２領域の上記度合い以上である
磁気テープカートリッジ。
（付記２）
上記第２領域は、上記磁気テープの長手方向における中間領域を含む
付記１に記載の磁気テープカートリッジ。
（付記３）
上記磁気テープには、上記長手方向に複数のサーボパターンが形成されており、
上記度合いは、上記第１領域における上記磁気テープの長手方向に隣接する上記サーボパターン同士の間隔である第１間隔及び上記第２領域における上記磁気テープの長手方向に隣接する上記サーボパターン同士の間隔である第２間隔に基づいて求められる
付記１又は付記２に記載の磁気テープカートリッジ。
（付記４）
上記第１間隔の値は、上記第１領域における上記磁気テープの長手方向に隣接する上記サーボパターン同士の間隔の統計値である
付記３に記載の磁気テープカートリッジ。
（付記５）
上記第２間隔の値は、上記第２領域における上記磁気テープの長手方向に隣接する上記サーボパターン同士の間隔の統計値である
付記３又は付記４に記載の磁気テープカートリッジ。
（付記６）
リールに巻き回された磁気テープを備え、
上記磁気テープは、上記磁気テープが巻き回されることによる上記リールの変形に伴う上記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域を有し、
上記第１領域における上記磁気テープの長手方向の伸びの度合いは、上記磁気テープに対する磁気的処理の前よりも上記磁気的処理の後の方が大きい
磁気テープカートリッジ。
（付記７）
プロセッサと、
張力付与機構と、を備え、
上記プロセッサは、上記張力付与機構に対して、付記１から付記６の何れか一つに記載の磁気テープカートリッジに含まれる上記磁気テープに張力を付与させ、
上記張力は、上記度合いに応じて定められている
磁気テープドライブ。
（付記８）
上記度合いは、上記磁気テープの長手方向位置に応じて定められている
付記７に記載の磁気テープドライブ。
（付記９）
上記度合いは、上記磁気テープの長手方向位置に対する上記張力の変化率に応じて定められている
付記８に記載の磁気テープドライブ。
（付記１０）
上記プロセッサは、
上記磁気テープに付与される上記張力に関する張力情報を取得し、
取得した上記張力情報を出力し、
上記張力情報は、上記磁気テープの長手方向位置に応じて、上記磁気テープの長手方向位置に対する上記張力の変化率を変更するための情報である
付記７に記載の磁気テープドライブ。
（付記１１）
付記１から付記６の何れか一つに記載の磁気テープカートリッジに含まれる上記磁気テープに張力を付与する張力制御方法であって、
上記度合いを変更すること、及び、
変更した上記度合いに応じた張力を上記磁気テープに付与すること
を含む張力制御方法。
（付記１２）
上記磁気テープの長手方向位置に応じて、上記磁気テープの長手方向位置に対する上記張力の変化率を変更すること
を含む付記１１に記載の張力制御方法。
（付記１３）
磁気テープは、上記磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う上記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、上記第１領域よりも上記リールの外周側の領域である第２領域と、を有し、
上記第１領域における上記変化率が、上記第２領域における上記変化率よりも大きい
付記１１又は付記１２に記載の張力制御方法。
（付記１４）
上記度合いは、上記リールの芯側から外周側にかけて非線形的に低下する
付記１１から付記１３の何れか一つに記載の張力制御方法。
（付記１５）
付記１１から付記１４の何れか一つに記載の張力制御方法に従って上記磁気テープに上記張力を付与すること、及び、
上記張力を付与した上記磁気テープをリールに巻き取ること
を含む磁気テープ取扱方法。
（付記１６）
上記磁気テープを上記リールに巻き取る場合に用いられた上記張力の変位に基づいて、上記磁気テープを送出すること
を含む付記１５に記載の磁気テープ取扱方法。
（付記１７）
付記１１から付記１４の何れか一つに記載の張力制御方法に従って上記磁気テープを搬送すること
を含む磁気テープ取扱方法。
（付記１８）
コンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、
上記処理は、付記１から付記６の何れか一つに記載の磁気テープカートリッジに含まれる上記磁気テープに張力を付与する張力制御処理であり、
上記張力制御処理は、
上記度合いを変更すること、及び、
変更した上記度合いに応じた張力を上記磁気テープに付与することを含む
プログラム。

１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１４ 磁気テープドライブ
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ｂ 開口
１８ 上ケース
２０ 下ケース
２２ カートリッジリール
２２Ａ１ 上端部
２２Ａ リールハブ
２２Ａ２ 下端部
２２Ｂ１ 上フランジ
２２Ｂ２ 下フランジ
２４ カートリッジメモリ
２４Ａ 裏面
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９Ａ 磁性層
２９Ｂ ベースフィルム
２９Ｃ バックコート層
３０ 制御装置
３０Ａ 制御部
３０Ｂ 伸び算出部
３０Ｂ１ 第１取得部
３０Ｂ２ 第２取得部
３０Ｃ 張力算出部
３１ 表面
３２ ストレージ
３３ 裏面
３４ ＵＩ系装置
３５ 通信インタフェース
３６ 送出モータ
３７ 外部装置
３８ 巻取リール
４０ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ 非接触式読み取り装置
４８ 移動機構
４８Ａ 移動アクチュエータ
４９ 傾斜機構
４９Ａ 傾斜アクチュエータ
５６ フレーム
５８，５８Ａ，５８Ｂ サーボパターン
６０，６０Ａ，６０Ｂ 線状磁化領域対
６０Ａ１，６０Ａ２，６０Ｂ１，６０Ｂ２ 線状磁化領域
６０Ａ１ａ，６０Ａ２ａ，６０Ｂ１ａ，６０Ｂ２ａ 磁化直線
６６ 理想波形信号
６８ プロセッサ
７０ ＲＡＭ
７２ ＮＶＭ
７４ 張力制御処理プログラム
σθ 周方向応力
σｒ 径方向応力
Ｔ 張力
ｒ 半径方向位置
ＡＧ１，ＡＧ２ 平均値
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｅ１，Ｅ２ 矢印
Ｃ１，Ｃ２ 仮想直線
ＤＢ，ＤＢ１，ＤＢ２，ＤＢ３ データバンド
ＤＧ 伸びの度合い
ＤＲＷ データ読み書き素子
Ｆ 荷重
ＧＲ ガイドローラ
ＨＳ 搬送工程
ＬＤ 長手方向
Ｍ 巻取モータ
ＭＦ 磁界
ＭＴ１ 芯側領域
ＭＴ 磁気テープ
ＭＴ２ 外周側領域
ＭＴ２Ａ 中間領域
ＭＴ３ ＥＯＴ領域
ＭＴ３Ａ 終端位置
ＭＴ４ ＢＯＴ領域
ＭＴ４Ａ 始端位置
ＯＳ 送出工程
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３，ＳＢ４ サーボバンド
ＳＢＳ３，ＳＢＳ４ サーボ信号
ＳＰ１，ＳＰ２ 間隔
ＳＲ，ＳＲ１，ＳＲ２ サーボ読取素子
ＳＷ サーボライタ
ＳＷ１ 送出リール
ＳＷ２ 巻取リール
ＳＷ３ 駆動装置
ＳＷ４ パルス信号生成器
ＳＷ５ 制御装置
ＳＷ６ ガイド
ＳＷ７ 搬送路
ＴＢ 張力導出テーブル
ＴＩ 張力情報
ＶＨ ベリファイヘッド
ＷＤ 幅方向
ＷＨ サーボパターン記録ヘッド
ｄ，ｄ１，ｄ２ 間隔
ｔ，ｔ１，ｔ２ パルス間隔

Claims (18)

1. リールに巻き回された磁気テープを備え、
   前記磁気テープは、前記磁気テープが巻き回されることによる前記リールの変形に伴う前記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、前記第１領域よりも前記リールの外周側の領域である第２領域と、を有し、
   前記磁気テープの長手方向の伸びの度合いについて、前記第１領域の前記度合いは、前記第２領域の前記度合い以上である
   磁気テープカートリッジ。
2. 前記第２領域は、前記磁気テープの長手方向における中間領域を含む
   請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
3. 前記磁気テープには、前記長手方向に複数のサーボパターンが形成されており、
   前記度合いは、前記第１領域における前記磁気テープの長手方向に隣接する前記サーボパターン同士の間隔である第１間隔及び前記第２領域における前記磁気テープの長手方向に隣接する前記サーボパターン同士の間隔である第２間隔に基づいて求められる
   請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
4. 前記第１間隔の値は、前記第１領域における前記磁気テープの長手方向に隣接する前記サーボパターン同士の間隔の統計値である
   請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。
5. 前記第２間隔の値は、前記第２領域における前記磁気テープの長手方向に隣接する前記サーボパターン同士の間隔の統計値である
   請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。
6. リールに巻き回された磁気テープを備え、
   前記磁気テープは、前記磁気テープが巻き回されることによる前記リールの変形に伴う前記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域を有し、
   前記第１領域における前記磁気テープの長手方向の伸びの度合いは、前記磁気テープに対する磁気的処理の前よりも前記磁気的処理の後の方が大きい
   磁気テープカートリッジ。
7. プロセッサと、
   張力付与機構と、を備え、
   前記プロセッサは、前記張力付与機構に対して、請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに含まれる前記磁気テープに張力を付与させ、
   前記張力は、前記度合いに応じて定められている
   磁気テープドライブ。
8. 前記度合いは、前記磁気テープの長手方向位置に応じて定められている
   請求項７に記載の磁気テープドライブ。
9. 前記度合いは、前記磁気テープの長手方向位置に対する前記張力の変化率に応じて定められている
   請求項８に記載の磁気テープドライブ。
10. 前記プロセッサは、
    前記磁気テープに付与される前記張力に関する張力情報を取得し、
    取得した前記張力情報を出力し、
    前記張力情報は、前記磁気テープの長手方向位置に応じて、前記磁気テープの長手方向位置に対する前記張力の変化率を変更するための情報である
    請求項７に記載の磁気テープドライブ。
11. 請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに含まれる前記磁気テープに張力を付与する張力制御方法であって、
    前記度合いを変更すること、及び、
    変更した前記度合いに応じた張力を前記磁気テープに付与すること
    を含む張力制御方法。
12. 前記磁気テープの長手方向位置に応じて、前記磁気テープの長手方向位置に対する前記張力の変化率を変更すること
    を含む請求項１１に記載の張力制御方法。
13. 磁気テープは、前記磁気テープが巻き回されることによるリールの変形に伴う前記磁気テープの幅変化の影響を受ける予め定められた領域である第１領域と、前記第１領域よりも前記リールの外周側の領域である第２領域と、を有し、
    前記第１領域における前記変化率が、前記第２領域における前記変化率よりも大きい
    請求項１１に記載の張力制御方法。
14. 前記度合いは、前記リールの芯側から外周側にかけて非線形的に低下する
    請求項１１に記載の張力制御方法。
15. 請求項１１に記載の張力制御方法に従って前記磁気テープに前記張力を付与すること、及び、
    前記張力を付与した前記磁気テープをリールに巻き取ること
    を含む磁気テープ取扱方法。
16. 前記磁気テープを前記リールに巻き取る場合に用いられた前記張力の変位に基づいて、前記磁気テープを送出すること
    を含む請求項１５に記載の磁気テープ取扱方法。
17. 請求項１１に記載の張力制御方法に従って前記磁気テープを搬送すること
    を含む磁気テープ取扱方法。
18. コンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、
    前記処理は、請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに含まれる前記磁気テープに張力を付与する張力制御処理であり、
    前記張力制御処理は、
    前記度合いを変更すること、及び、
    変更した前記度合いに応じた張力を前記磁気テープに付与することを含む
    プログラム。