JP2024017655A - 基板処理方法と基板処理装置と基板処理液 - Google Patents

Abstract

【課題】第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる基板処理方法と基板処理装置と基板処理液を提供する。【解決手段】本発明は、基板処理方法と基板処理装置と基板処理液に関する。基板処理方法は、第１層Ｇを含む基板Ｗを処理する。第２混合液Ｐ２は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ－）を含む。基板処理方法は、第１調整工程とエッチング工程を含む。第１調整工程では、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが、第２混合液Ｐ２に添加される。エッチング工程では、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２を基板Ｗに供給する。エッチング工程では、第１層Ｇをエッチングする。【選択図】図６

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理方法と基板処理装置と基板処理液に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板を処理する基板処理方法を開示する。基板は、第１層を含む。特許文献１の基板処理方法では、基板に基板処理液が供給される。基板処理液は、エッチング液を含む。基板処理液は、さらに、ヨウ化物を含む。ヨウ化物は、例えば、テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）である。第１層は、基板処理液に晒される。第１層は、基板処理液でエッチングされる。第１層がエッチングされることによって、第１層の少なくとも一部が除去される。

第１層は、例えば、中間膜である。基板は、さらに、第２層と第３層を含む。中間膜は、第２層と第３層の間に配置される。第１層が中間膜である場合、第１層は選択的にエッチングされる。具体的には、第２層および第３層のエッチングを抑えつつ、第１層がエッチングされる。第１層が選択的にエッチングされることによって、凹部が形成される。凹部は、空間である。凹部は、第２層と第３層の間に位置する。第２層と凹部と第３層は、凹凸形状を有するパターンを構成する。

特開２０２１－４８３６９号公報

近年、第１層は微小になっている。例えば、中間膜は薄くなっている。例えば、凹部は狭くなっている。例えば、パターンは、微細になっている。

第１層が微小になるほど、第１層を適切にエッチングすることが、より困難になる場合がある。例えば、第１層が微小になるほど、第１層のエッチングレートが低下する場合がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる基板処理方法と基板処理装置と基板処理液を提供することを目的とする。

本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究した。上述の通り、基板処理液は、ヨウ化物を含む。ヨウ化物は、基板処理液中に、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、１つのヨウ素原子からなる１価の単原子アニオンである。

本発明者らは、基板処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）に注目した。基板処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）が第１層のエッチングを補助すると、本発明者らは推察した。

基板処理液中において、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）はヨウ素分子（Ｉ_２）に変化する場合がある。基板処理液中において、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に変化する場合がある。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、３つのヨウ素原子からなる１価の多原子アニオンである。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）がヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化するとき、基板処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の量は、減少する。

ヨウ素分子（Ｉ_２）は第１層のエッチングを補助しないと、本発明者らは推察した。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は第１層のエッチングを補助しないと、本発明者らは推察した。このため、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）からヨウ素分子（Ｉ_２）への変化を防止することが好ましいと、本発明者らは推察した。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）から三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）への変化することを防止することが好ましいと、本発明者らは推察した。

しかしながら、種々の実験によって、本発明者らの推察は覆された。ヨウ素分子（Ｉ_２）は第１層のエッチングを補助することを、本発明者は知見した。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、第１層のエッチングを補助することを、本発明者は知見した。

本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えて、第１混合液を準備する第１準備工程と、前記第１混合液を前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、を含む基板処理方法である。

基板処理方法は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

基板処理方法は、第１準備工程を含む。第１準備工程では、第１混合液が準備される。第１混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって第１混合液を準備するとき、第１混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって第１混合液を準備するとき、第１混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

ここで、「三ヨウ化物」は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を含む塩である。三ヨウ化物は、「三ヨウ化物塩」とも呼ばれる。三ヨウ化物は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を遊離する。

基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１混合液は基板に供給される。エッチング工程では、第１層は第１混合液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層はエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えて、第１溶液を準備する第２準備工程と、前記第１溶液とエッチング液とを前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、を含む基板処理方法である。

基板処理方法は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

基板処理方法は、第２準備工程を含む。第２準備工程では、第１溶液が準備される。第１溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶媒に加えることによって第１溶液を準備するとき、第１溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物を溶媒に加えることによって第１溶液を準備するとき、第１溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１溶液は基板に供給される。エッチング工程では、エッチング液は基板に供給される。エッチング工程では、第１層は、第１溶液およびエッチング液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層はエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

上述した基板処理方法において、前記三ヨウ化物は、三ヨウ化窒素、三ヨウ化リンおよび三ヨウ化アンモニウムの少なくともいずれかを含むことが好ましい。三ヨウ化窒素は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化窒素を含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液または三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液を準備することは容易である。同様に、三ヨウ化リンは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化リンを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液または三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液を準備することは容易である。三ヨウ化アンモニウムは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化アンモニウムを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液または三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液を準備することは容易である。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２混合液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第１調整工程と、前記第１調整工程において調整された前記第２混合液を前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、を含む基板処理方法である。

基板処理方法は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

第２混合液は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理方法は、第１調整工程を含む。第１調整工程では、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが、第２混合液に添加される。第１調整工程では、第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第１調整工程では、第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２混合液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１調整工程において調整された第２混合液が、基板に供給される。エッチング工程では、第１層は、第１調整工程において調整された第２混合液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１調整工程において調整された第２混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層はエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２溶液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第２調整工程と、前記第２調整工程において調整された前記第２溶液と、エッチング液とを、前記基板に供給して、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、を含む基板処理方法である。

基板処理方法は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

第２溶液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理方法は、第２調整工程を含む。第２調整工程では、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが、第２溶液に添加される。第２調整工程では、第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第２調整工程では、第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２溶液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第２調整工程において調整された第２溶液が、基板に供給される。エッチング工程では、エッチング液が、基板に供給される。エッチング工程では、第１層は、第２調整工程において調整された第２溶液に晒される。エッチング工程では、第１層は、エッチング液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第２調整工程において調整された第２溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層はエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

上述した基板処理方法において、前記酸素は、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第２混合液に添加することによって、第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２混合液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第１調整工程において増加させることは、容易である。同様に、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第２溶液に添加することによって、第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２溶液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第２調整工程において増加させることは、容易である。

ここで、高濃度酸素水は、通常よりも高い濃度で酸素を含む水である。高濃度酸素水中の酸素の量は、通常の空気中に置かれた水中の酸素の量よりも大きい。

上述した基板処理方法において、前記オゾンは、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第２混合液に添加することによって、第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２混合液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第１調整工程において増加させることは、容易である。同様に、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第２溶液に添加することによって、第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、オゾンがオゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むとき、第２溶液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第２調整工程において増加させることは、容易である。

ここで、オゾン水は、溶解したオゾンを含む水である。

上述した基板処理方法において、前記第１層は、シリコン酸化物を含み、前記エッチング液は、フッ化水素を含むことが好ましい。第１層は、シリコン酸化物を含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。このため、エッチング工程において、第１層をエッチングすることは、容易である。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、シリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第１層が微小であっても、エッチング工程では第１層は適切にエッチングされる。

上述した基板処理方法において、前記基板は、さらに、前記第１層の組成と異なる組成を有する第２層と、を含み、前記第２層は、前記第１層に接触しており、前記エッチング工程では、前記第２層のエッチングを抑えつつ、前記第１層がエッチングされることが好ましい。基板は第２層を含む。第２層は、第１層の組成と異なる組成を有する。このため、エッチング工程では第２層のエッチングは好適に抑制される。第２層は、第１層に接触している。第１層が第２層に接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを好適に補助する。このため、第２層に接触する第１層が微小であっても、エッチング工程では第１層は適切にエッチングされる。

上述した基板処理方法において、前記第１層は、シリコン酸化物を含み、前記第２層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、前記エッチング液は、フッ化水素を含むことが好ましい。第１層は、シリコン酸化物を含む。第２層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを、フッ化水素でエッチングすることは、難しい。このため、エッチング工程において、第２層のエッチングを抑えつつ、第１層をエッチングすることは、容易である。第１層が第２層に接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のシリコン酸化物のエッチングを補助する。よって、第２層に接触する第１層が微小であっても、エッチング工程では第１層は適切にエッチングされる。

上述した基板処理方法において、前記基板は、さらに、前記第１層の組成と異なる組成を有する第２層と、前記第１層の組成と異なる組成を有する第３層と、を備え、前記第１層は、前記第２層と前記第３層の間に配置され、前記第２層は、前記第１層に接触しており、前記第３層は、前記第１層に接触しており、前記エッチング工程では、前記第２層および前記第３層のエッチングを抑えつつ、第１層がエッチングされることが好ましい。基板は第２層と第３層を含む。第２層は、第１層の組成と異なる組成を有する。このため、エッチング工程では第２層のエッチングは好適に抑制される。第３層は、第１層の組成と異なる組成を有する。このため、エッチング工程では第３層のエッチングは好適に抑制される。第２層は、第１層に接触している。第３層は、第１層に接触している。第１層が第２層および第３層に接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。このため、第２層および第３層に接触する第１層が微小であっても、エッチング工程では第１層は適切にエッチングされる。

上述した基板処理方法において、前記第１層は、シリコン酸化物を含み、前記第２層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、前記第３層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、前記エッチング液は、フッ化水素を含むことが好ましい。第１層は、シリコン酸化物を含む。第２層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。第３層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを、フッ化水素でエッチングすることは、難しい。このため、エッチング工程において、第２層および第３層のエッチングを抑えつつ、第１層をエッチングすることは、容易である。第１層が第２層および第３層に接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のシリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第２層および第３層に接触する第１層が微小であっても、エッチング工程では第１層は適切にエッチングされる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えて、第１混合液を生成する第１生成ユニットと、前記第１混合液を前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第１供給部と、を備える基板処理装置である。

基板処理装置は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

基板処理装置は、第１生成ユニットを備える。第１生成ユニットは、第１混合液を生成する。第１混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって第１混合液が生成されるとき、第１混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって第１混合液が生成されるとき、第１混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

基板処理装置は、第１供給部を備える。第１供給部は、第１混合液を基板に供給する。第１層は、第１混合液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層は適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えて、第１溶液を生成する第２生成ユニットと、前記第１溶液とエッチング液とを前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第２供給部と、を備える基板処理装置である。

基板処理装置は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

基板処理装置は、第２生成ユニットを備える。第２生成ユニットは、第１溶液を生成する。第１溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶媒に加えることによって第１溶液が生成されるとき、第１溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物を溶媒に加えることによって第１溶液が生成されるとき、第１溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

基板処理装置は、第２供給部を備える。第２供給部は、第１溶液を基板に供給する。第２供給部は、エッチング液を基板に供給する。第１層は、第１溶液とエッチング液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層は適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２混合液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第１調整ユニットと、前記第１調整ユニットによって調整された前記第２混合液を前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第３供給部と、を備える基板処理装置である。

基板処理装置は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

第２混合液は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理装置は、第１調整ユニットを備える。第１調整ユニットは、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを、第２混合液に添加する。第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第２混合液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２混合液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

基板処理装置は、第３供給部を備える。第３供給部は、第１調整ユニットによって調整された第２混合液を、基板に供給する。第１層は、第１調整ユニットによって調整された第２混合液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第１調整ユニットによって調整された第２混合液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層は適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２溶液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第２調整ユニットと、前記第２調整ユニットによって調整された前記第２溶液と、エッチング液とを、前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第４供給部と、を備える基板処理装置である。

基板処理装置は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。

第２溶液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理装置は、第２調整ユニットを備える。第２調整ユニットは、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを、第２溶液に添加する。第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第２溶液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２溶液中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２溶液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２溶液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

基板処理装置は、第４供給部を備える。第４供給部は、第２調整ユニットによって調整された第２溶液を、基板に供給する。第４供給部は、エッチング液を基板に供給する。第１層は、第２調整ユニットにおいて調整された第２溶液に晒される。第１層は、エッチング液に晒される。エッチング液は、第１層をエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層のエッチングを補助する。上述の通り、第２調整ユニットによって調整された第２溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層が微小であっても、第１層は適切にエッチングされる。

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明は、第１層を含む基板を処理する基板処理液であって、前記第１層は、シリコン酸化物を含み、前記基板処理液は、エッチング液を含み、前記エッチング液は、フッ化水素を含み、前記基板処理液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを、前記エッチング液に加えることによって得られる基板処理液である。

基板処理液は、基板を処理するものである。基板は第１層を含む。第１層は、シリコン酸化物を含む。基板処理液は、エッチング液を含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。このため、基板処理液は、第１層を容易にエッチングする。

ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを、エッチング液に加えることによって、基板処理液は得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって基板処理液が得られるとき、基板処理液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって基板処理液が得られるとき、基板処理液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、基板処理液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、基板処理液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。すなわち、基板処理液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。ここで、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、シリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第１層が微小であっても、基板処理液は、第１層を適切にエッチングする。

以上の通り、本発明の基板処理液によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

本発明の基板処理方法と基板処理装置と基板処理液によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

基板処理装置の内部を示す平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 図３（ａ）は、基板の側面図である。図３（ｂ）は、基板の平面図である。 図４（ａ）、４（ｂ）はそれぞれ、第１層の一例を示す図である。 図５（ａ）、５（ｂ）はそれぞれ、第２層の他の例を示す図である。 第１実施形態の処理ユニットおよび第１調整ユニットの構成を示す図である。 第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 実施例１と比較例１、２を示す表である。 図９（ａ）、９（ｂ）はそれぞれ、第１層を模式的に示す図である。 第２実施形態の処理ユニットおよび第２調整ユニットの構成を示す図である。 第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態の処理ユニットおよび第１生成ユニットの構成を示す図である。 第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第４実施形態の処理ユニットおよび第２生成ユニットの構成を示す図である。 第４実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 変形実施形態の処理ユニットおよび第１調整ユニットの構成を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理方法と基板処理装置と基板処理液を説明する。

１．第１実施形態
１－１．基板処理装置の概要
図１は、基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１における処理は、ウェットエッチング処理を含む。

基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック７を備える。処理ブロック７はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。処理ブロック７は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。

本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック７からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。幅方向Ｙは水平である。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。前後方向Ｘおよび幅方向Ｙを区別しない場合には、単に「水平方向」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。

インデクサ部３は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部４を備える。各キャリア載置部４はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）、ＯＣ（Open Cassette）である。

インデクサ部３は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、キャリア載置部４の後方に配置される。搬送機構５は、基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセスするように構成される。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣから基板Ｗを出し、かつ、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣに基板Ｗを入れるように、構成される。

搬送機構５はハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、水平面内においてハンド５ａを回転させる。

処理ブロック７は、搬送機構８を備える。搬送機構８は、基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、搬送機構５から基板Ｗを受け、かつ、搬送機構５に基板Ｗを渡すように構成される。

搬送機構８は、ハンド８ａとハンド駆動部８ｂを備える。ハンド８ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａに連結される。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、水平面内においてハンド８ａを回転させる。

処理ブロック７は、複数の処理ユニット１１を備える。処理ユニット１１は、搬送機構８の側方に配置される。各処理ユニット１１は、基板Ｗに処理を行う。

各処理ユニット１１は、基板保持部１３を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。

搬送機構８は、各処理ユニット１１にアクセスするように構成される。搬送機構８は、基板保持部１３に基板Ｗを渡し、かつ、基板保持部１３から基板Ｗを取るように、構成される。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０を備える。制御部１０は、搬送機構５、８および処理ユニット１１に、通信可能に接続される。制御部１０は、搬送機構５、８と処理ユニット１１を制御する。

制御部１０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０が有する情報は、例えば、搬送条件情報と処理条件情報を含む。搬送条件情報は、搬送機構５、８のオペレーションに関する条件を規定する。処理条件情報は、処理ユニット１１のオペレーションに関する条件を規定する。処理条件情報は、処理レシピとも呼ばれる。

基板処理装置１の動作例を簡単に説明する。

搬送機構５は、キャリアＣから搬送機構８に基板Ｗを搬送する。

搬送機構８は、処理ユニット１１に基板Ｗを分配する。具体的には、搬送機構８は、搬送機構５から、各処理ユニット１１の基板保持部１３に基板Ｗを搬送する。

各処理ユニット１１は、基板保持部１３によって保持された基板Ｗを処理する。各処理ユニット１１は、例えば、基板Ｗにウェットエッチング処理を行う。

処理ユニット１１が基板Ｗを処理した後、搬送機構８は、処理ユニット１１から基板Ｗを回収する。具体的には、搬送機構８は、各処理ユニット１１の基板保持部１３から、搬送機構５に基板Ｗを搬送する。

搬送機構５は、搬送機構８からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

１－２．基板Ｗの構造
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

図３（ａ）は、基板Ｗの側面図である。図３（ｂ）は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視において、略円形状を有する。

具体的には、基板Ｗは、第１面Ｗ１を有する。第１面Ｗ１は、平面視において、略円形状である。第１面Ｗ１は、実質的に平面である。第１面Ｗ１は、実質的に平坦である。

図４（ａ）、４（ｂ）、５（ａ）、５（ｂ）はそれぞれ、基板Ｗの一部の詳細図である。基板Ｗは、第１層Ｇを含む。第１層Ｇは、第１面Ｗ１上に位置する。

第１層Ｇは、例えば、シリコン酸化物（Silicon oxide）を含む。第１層Ｇは、例えば、シリコン酸化物で構成される。シリコン酸化物は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含む。シリコン酸化物は、例えば、亜酸化シリコン（ＳｉＯｘ、０＜ｘ＜２）を含む。亜酸化シリコンは、二酸化シリコンに対する亜酸化物である。亜酸化シリコンは、低級シリコン酸化物とも呼ばれる。亜酸化シリコンは、例えば、一酸化シリコン（ＳｉＯ）を含む。

第１層Ｇは、膜形状を有してもよい。第１層Ｇは、板形状を有してもよい。第１層Ｇは、例えば、シリコン酸化膜である。第１層Ｇは、例えば、熱酸化膜である。

第１層Ｇは、例えば、中間膜Ｇａである。第１層Ｇは、例えば、ブランケット膜Ｇｂである。

図４（ａ）、４（ｂ）を参照する。中間膜Ｇａを説明する。基板Ｗは、さらに、第２層Ｊａと第３層Ｋを含む。第２層Ｊａと第３層Ｋはそれぞれ、第１面Ｗ１上に位置する。第２層Ｊａと中間膜Ｇａと第３層Ｋは、互いに積層される。第２層Ｊａと中間膜Ｇａと第３層Ｋは、この順で、積層される。第２層Ｊａは、中間膜Ｇａに接触している。第３層Ｋは、中間膜Ｇａに接触している。中間膜Ｇａは、第２層Ｊａと第３層Ｋの間に配置される。

中間膜Ｇａは、面Ｍａを有する。面Ｍａは、露出する。面Ｍａは、第２層Ｊａと第３層Ｋの間に配置される。面Ｍａは、第２層Ｊａに接触している。面Ｍａは、第３層Ｋに接触している。

面Ｍａは、例えば、第２層Ｊａに接触している第１辺を有する。面Ｍａは、例えば、第３層Ｋに接触している第２辺を有する。第２辺は、例えば、第１辺に向かい合う。

中間膜Ｇａは、長さＵａ、Ｖａを有する。長さＵａ、Ｖａは、面Ｍａの寸法である。長さＵａは、中間膜Ｇａの厚みに相当する。長さＵａは、第２層Ｊａと第３層Ｋの間の離隔距離に相当する。長さＵａは、凹部Ａの幅に相当する。

中間膜Ｇａは、エッチングされる。具体的には、面Ｍａは、エッチングされる。図４（ａ）は、エッチングされる前の中間膜Ｇａを示す。図４（ｂ）は、エッチングされた後の中間膜Ｇａを示す。中間膜Ｇａがエッチングされることによって、中間膜Ｇａの少なくとも一部は除去される。

中間膜Ｇａは、選択的にエッチングされる。第２層Ｊａのエッチングは、抑制される。第３層Ｋのエッチングは、抑制される。その結果、凹部Ａが形成される。凹部Ａは、空間である。凹部Ａは、第２層Ｊａと第３層Ｋの間に位置する。第２層Ｊａと凹部Ａと第３層Ｋは、パターンを構成する。パターンは、例えば、凹凸形状を有する。第１面Ｗ１は、パターン形成面とも呼ばれる。

中間膜Ｇａは、深さ方向Ｄａにエッチングされる。深さ方向Ｄａは、例えば、面Ｍａに垂直である。凹部Ａは、深さ方向Ｄａに延びる。深さ方向Ｄａと第１面Ｗ１の関係は、適宜に選択される。たとえば、深さ方向Ｄａは、第１面Ｗ１と平行であってもよい。あるいは、深さ方向Ｄａは、第１面Ｗ１に垂直であってもよい。

図４（ｂ）は、距離Ｌａを示す。距離Ｌａは、深さ方向Ｄａにおける中間膜Ｇａのエッチング量に相当する。距離Ｌａは、例えば、深さ方向Ｄａにおける凹部Ａの長さである。

中間膜Ｇａは、例えば、微小である。中間膜Ｇａは、例えば、薄い。

具体的には、長さＵａは、小さい。長さＵａは、例えば、５０ｎｍ以下である。長さＵａは、例えば、２０ｎｍ以下である。長さＵａは、例えば、１０ｎｍ以下である。長さＶａは、適宜に選択される。例えば、長さＶａは、長さＵａよりも大きくてもよい。あるいは、長さＶａは、長さＵａよりも大きくてもよい。

第２層Ｊａは、中間膜Ｇａの組成と異なる組成を有する。例えば、第２層Ｊａは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。

第２層Ｊａは、例えば、膜形状を有してもよい。第２層Ｊａは、例えば、板形状を有してもよい。例えば、第２層Ｊａは、単結晶シリコン基板である。

第３層Ｋは、中間膜Ｇａの組成と異なる組成を有する。例えば、第３層Ｋは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。

第３層Ｋは、例えば、膜形状を有してもよい。第３層Ｋは、例えば、板形状を有してもよい。例えば、第３層Ｋは、多結晶シリコン膜である。

ここで、多結晶シリコンは、ポリシリコンとも呼ばれる。

図５（ａ）、５（ｂ）を参照する。ブランケット膜Ｇｂを説明する。ブランケット膜Ｇｂは、面Ｍｂを有する。面Ｍｂは、露出する。面Ｍｂは、ブランケット膜Ｇｂ以外の固体と接触してしない。面Ｍｂは、ブランケット膜Ｇｂ以外の固体の間に配置されていない。面Ｍｂは、ブランケット膜Ｇｂ以外の固体によって、挟まれていない。これらの点で、ブランケット膜Ｇｂは、中間膜Ｇａと異なる。

基板Ｗは、さらに、第２層Ｊｂを含んでもよい。第２層Ｊｂは、第１面Ｗ１上に位置する。ブランケット膜Ｇｂと第２層Ｊｂは、互いに積層される。ブランケット膜Ｇｂは、第２層Ｊｂと接触する。但し、面Ｍｂは、第２層Ｊｂと接触していない。第２層Ｊｂは、ブランケット膜Ｇｂの第２面と接触している。ブランケット膜Ｇｂの第２面は、例えば、面Ｍｂの反対側に位置する。

ブランケット膜Ｇｂは、長さＵｂ、Ｖｂを有する。長さＵｂ、Ｖｂは、面Ｍｂの寸法である。

ブランケット膜Ｇｂは、エッチングされる。具体的には、面Ｍｂは、エッチングされる。図５（ａ）は、エッチングされる前のブランケット膜Ｇｂを示す。図５（ｂ）は、エッチングされた後のブランケット膜Ｇｂを示す。ブランケット膜Ｇｂがエッチングされることによって、ブランケット膜Ｇｂの少なくとも一部は除去される。

ブランケット膜Ｇｂは、選択的にエッチングされる。第２層Ｊｂのエッチングは、抑制される。

ブランケット膜Ｇｂは、深さ方向Ｄｂにエッチングされる。深さ方向Ｄｂは、例えば、面Ｍｂに垂直である。深さ方向Ｄｂと第１面Ｗ１の関係は、適宜に選択される。たとえば、深さ方向Ｄｂは、第１面Ｗ１と平行であってもよい。あるいは、深さ方向Ｄｂは、第１面Ｗ１に垂直であってもよい。

図５（ｂ）は、距離Ｌｂを示す。距離Ｌｂは、深さ方向Ｄｂにおけるブランケット膜Ｇｂのエッチング量に相当する。

ブランケット膜Ｇｂは、例えば、大きい。ブランケット膜Ｇｂは、例えば、広い。

具体的には、長さＵｂ、Ｖｂはそれぞれ、大きい。長さＵｂ、Ｖｂはそれぞれ、例えば、５００ｎｍよりも大きい。

第２層Ｊｂは、ブランケット膜Ｇｂの組成と異なる組成を有する。例えば、第２層Ｊは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。

第２層Ｊｂは、例えば、膜形状を有してもよい。第２層Ｊｂは、例えば、板形状を有してもよい。例えば、第２層Ｊｂは、単結晶シリコン基板である。

以下では、面Ｍａと面Ｍｂを区別しない場合には、面Ｍａと面Ｍｂを適宜に「面Ｍ」と呼ぶ。第２層Ｊａと第２層Ｊｂを区別しない場合には、第２層Ｊａと第２層Ｊｂを適宜に「第２層Ｊ」と呼ぶ。

１－３．処理ユニット１１の構成
図６は、処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。

処理ユニット１１は、筐体１２を備える。筐体１２は、略箱形状を有する。上述した基板保持部１３は、筐体１２の内部に設置される。基板Ｗは、筐体１２の内部において、処理される。

基板保持部１３は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部１３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、第１面Ｗ１は水平である。

基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、第１面Ｗ１は上方を向く。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、第１面Ｗ１は基板Ｗの上面に相当する。基板保持部１３は、基板Ｗの下面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかと接触する。基板Ｗの下面は、基板Ｗのバックサイドとも呼ばれる。基板保持部１３は、基板保持部１３が保持する基板Ｗの下方に位置する。基板保持部１３は、第１面Ｗ１と接触しない。

処理ユニット１１は、回転駆動部１４を備える。回転駆動部１４の少なくとも一部は、筐体１２の内部に設置される。回転駆動部１４は、基板保持部１３に連結される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板保持部１３によって保持される基板Ｗは、基板保持部１３と一体に回転する。基板保持部１３によって保持される基板Ｗは、例えば、回転軸線Ｂ回りに回転する。回転軸線Ｂは、例えば、基板Ｗの中心を通る。回転軸線Ｂは、例えば、鉛直方向Ｚに延びる。

処理ユニット１１は、供給部１５ａを備える。供給部１５ａは、基板Ｗに混合液Ｐ２を供給する。供給部１５ａは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、混合液Ｐ２を供給する。供給部１５ａは、基板保持部１３に保持される基板Ｗの第１面Ｗ１に、混合液Ｐ２を供給する。

第１実施形態の供給部１５ａは、本発明における第３供給部の例である。第１実施形態の混合液Ｐ２は、本発明における第２混合液の例である。

以下では、混合液Ｐ２を、適宜に「第２混合液Ｐ２」と呼ぶ。

処理ユニット１１は、供給部１５ｂを備える。供給部１５ｂは、基板Ｗにリンス液を供給する。供給部１５ｂは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、リンス液を供給する。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。

処理ユニット１１は、供給部１５ｃを備える。供給部１５ｃは、基板Ｗに乾燥ガスを供給する。供給部１５ｃは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、乾燥ガスを供給する。乾燥ガスは、筐体１２内の温度よりも低い露点を有することが好ましい。乾燥ガスは、エア、および、不活性ガスの少なくともいずれかを含む。エアは、例えば、圧縮エアである。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

供給部１５ａ、１５ｂ、１５ｃの構成を例示する。供給部１５ａは、ノズル１６ａを備える。ノズル１６ａは、筐体１２の内部に設置される。ノズル１６ａは、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方に配置される。ノズル１６ａは、第２混合液Ｐ２を吐出する。同様に、供給部１５ｂ、１５ｃはそれぞれ、ノズル１６ｂ、１６ｃを備える。ノズル１６ｂ、１６ｃはそれぞれ、筐体１２の内部に設置される。ノズル１６ｂは、リンス液を吐出する。ノズル１６ｃは、乾燥ガスを吐出する。

供給部１５ａは、配管１７ａと弁１８ａを備える。配管１７ａは、ノズル１６ａに接続される。配管１７ａの少なくとも一部は、筐体１２の外部に設けられてもよい。弁１８ａは、配管１７ａに設けられる。弁１８ａは、筐体１２の外部に設けられてもよい。弁１８ａが開くとき、ノズル１６ａは第２混合液Ｐ２を吐出する。弁１８ａが閉じるとき、ノズル１６ａは第２混合液Ｐ２を吐出しない。同様に、供給部１５ｂ、１５ｃはそれぞれ、配管１７ｂ、１７ｃと弁１８ｂ、１８ｃを備える。配管１７ｂ、１７ｃはそれぞれ、ノズル１６ｂ、１６ｃに接続される。弁１８ｂ、１８ｃはそれぞれ、配管１７ｂ、１７ｃに設けられる。弁１８ｂは、ノズル１６ｂによるリンス液の吐出を制御する。弁１８ｃは、ノズル１６ｃによる乾燥ガスの吐出を制御する。

基板処理装置１は、第１調整ユニット２１を備える。第１調整ユニット２１は、供給部１５ａに接続される。第１調整ユニット２１は、供給部１５ａに第２混合液Ｐ２を送る。

供給部１５ｂは、供給源１９ｂに接続される。供給源１９ｂは、供給部１５ｂにリンス液を送る。供給部１５ｃは、供給源１９ｃに接続される。供給源１９ｃは、供給部１５ｃに乾燥ガスを送る。

第１調整ユニット２１は、筐体１２の外部に設けられる。同様に、供給源１９ｂ、１９ｃはそれぞれ、筐体１２の外部に設けられる。

第１調整ユニット２１は、複数の処理ユニット１１に、第２混合液Ｐ２を供給してもよい。あるいは、第１調整ユニット２１は、１つの処理ユニット１１のみに、第２混合液Ｐ２を供給してもよい。供給源１９ｂ、１９ｃについても、同様である。

供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素であってもよい。例えば、供給源１９ｂは、基板処理装置１の内部に設置されてもよい。あるいは、供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素でなくてもよい。例えば、供給源１９ｂは、基板処理装置１の外部に設置されてもよい。同様に、供給源１９ｃは、基板処理装置１の要素であってもよい。あるいは、供給源１９ｃは、基板処理装置１の要素でなくてもよい。

処理ユニット１１は、さらに、不図示のカップを備えてもよい。カップは、筐体１２の内部に設置される。カップは、基板保持部１３の側方に配置される。カップは、基板保持部１３を囲む。カップは、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した液体を受け止める。

図２を参照する。制御部１０は、回転駆動部１４を制御する。制御部１０は、供給部１５ａ－１５ｃを制御する。制御部１０は、弁１８ａ－１８ｃを制御する。

制御部１０は、第１調整ユニット２１に、通信可能に接続される。制御部１０は、第１調整ユニット２１を制御する。

１－４．第１調整ユニット２１の構成
図６を、参照する。第１調整ユニット２１は、槽３１を備える。槽３１は、第２混合液Ｐ２を貯留する。

槽３１は、大気に開放された容器である。槽３１は、空気に開放される。

例えば、槽３１は、開口３１ａを有する。開口３１ａは、槽３１の上部に配置される。槽３１の内部は、開口３１ａを通じて、槽３１の外部に開放される。

第１調整ユニット２１は、供給部３３ａを備える。供給部３３ａは、槽３１にエッチング液を供給する。

エッチング液は、フッ化水素を含む。言い換えれば、エッチング液は、フッ化水素化合物を含む。エッチング液は、例えば、フッ酸、希フッ酸（ＤＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。

第１調整ユニット２１は、供給部３３ｂを備える。供給部３３ｂは、槽３１にヨウ化物を供給する。

ヨウ化物は、酸化数が－１のヨウ素の化合物である。ヨウ化物は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離する。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、１つのヨウ素原子からなる１価の単原子アニオンである。ヨウ化物は、例えば、以下の列挙する化合物ａ１）－ａ６）の少なくとも１つを含む。
ａ１） テトラメチルアンモニウムヨージド（ＴＭＡＩ）
ａ２） テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）
ａ３） テトラプロピルアンモニウムヨージド（ＴＰＡＩ）
ａ４） テトラブチルアンモニウムヨージド
ａ５） ヨウ化アンモニウム
ａ６） ヨウ化水素

供給部３３ｂは、例えば、ヨウ化物を含む溶液を供給してもよい。溶液は、ヨウ化物を溶媒に加えることによって、得られる。溶媒は、ヨウ化物を溶解する。溶媒は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。

第１調整ユニット２１は、供給部３３ｃを備える。供給部３３ｃは、槽３１に脱イオン水（ＤＩＷ）を供給する。

第２混合液Ｐ２は、エッチング液にヨウ化物を加えることによって、得られる。第２混合液Ｐ２は、さらに、純水を含んでもよい。

供給部３３ａ、３３ｂ、３３ｃの構成を例示する。供給部３３ａは、配管３４ａと弁３５ａを備える。配管３４ａは、槽３１に接続される。弁３５ａは、配管３４ａに設けられる。弁３５ａが開くとき、供給部３３ａは槽３１にエッチング液を供給する。弁３５ａが閉じるとき、供給部３３ａは槽３１にエッチング液を供給しない。同様に、供給部３３ｂ、３３ｃはそれぞれ、配管３４ｂ、３４ｃと弁３５ｂ、３５ｃを備える。配管３４ｂ、３４ｃはそれぞれ、槽３１に接続される。弁３５ｂ、３５ｃはそれぞれ、配管３４ｂ、３４ｃに設けられる。弁３５ｂは、槽３１へのヨウ化物の供給を制御する。弁３５ｃは、槽３１への脱イオン水の供給を制御する。

供給部３３ａ、３３ｂ、３３ｃはそれぞれ、供給源３６ａ、３６ｂ、３６ｃに接続される。供給源３６ａは、供給部３３ａにエッチング液を送る。供給源３６ｂは、供給部３３ｂにヨウ化物を送る。供給源３６ｂは、ヨウ化物を含む溶液を供給部３３ｂに送ってもよい。供給源３６ｃは、供給部３３ｃに脱イオン水を送る。

第１調整ユニット２１は、循環配管４１とポンプ４２とフィルタ４３を備える。循環配管４１は、槽３１に接続される。具体的には、循環配管４１は、第１端４１ａと第２端４１ｂを有する。第１端４１ａと第２端４１ｂの両方は、槽３１に接続される。ポンプ４２は、循環配管４１に設けられる。フィルタ４３は、循環配管４１に設けられる。フィルタ４３は、第２混合液Ｐ２を濾過する。フィルタ４３は、第２混合液Ｐ２から異物を除去する。

第１調整ユニット２１は、第１センサ５１を備える。第１センサ５１は、循環配管４１に設けられる。第１センサ５１は、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度を検出する。例えば、第１センサ５１は、第２混合液Ｐ２の水素イオン濃度を検出する。例えば、第１センサ５１は、第２混合液Ｐ２の水素イオン指数（ｐＨ）を検出する。第１センサ５１は、例えば、ｐＨ計である。

第１調整ユニット２１は、配管４４と継ぎ手４５を備える。配管４４は、循環配管４１に接続される。配管４４は、循環配管４１から分岐する。継ぎ手４５は、配管４４に接続される。継ぎ手４５は、さらに、配管１７ａに接続される。槽３１は、循環配管４１および配管４４を介して、供給部１５ａに接続される。

弁１８ａが閉じるとき、第１調整ユニット２１は第２混合液Ｐ２を供給部１５ａに送らない。弁１８ａが閉じ、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第２混合液Ｐ２は、槽３１と循環配管４１の間で循環する。具体的には、第２混合液Ｐ２は、第１端４１ａを通じて、槽３１から循環配管４１に流れる。その後、第２混合液Ｐ２は、循環配管４１を通じて、第１端４１ａから第２端４１ｂに流れる。その後、第２混合液Ｐ２は、第２端４１ｂを通じて、循環配管４１から槽３１に流れる。

弁１８ａが開き、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第１調整ユニット２１は第２混合液Ｐ２を供給部１５ａに送る。弁１８ａが開き、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第２混合液Ｐ２は、槽３１から供給部１５ａに流れる。

図２を参照する。制御部１０は、第１センサ５１の検出結果を取得する。制御部１０は、供給部３３ａ、３３ｂ、３３ｃを制御する。制御部１０は、弁３５ａ、３５ｂ、３５ｃを制御する。制御部１０は、ポンプ４２を制御する。

制御部１０は、処理液条件情報を有する。処理液条件情報は、第１調整ユニット２１のオペレーションに関する条件を規定する。処理液条件情報は、制御部１０の記憶媒体に予め記憶されている。

１－５．第１調整ユニット２１および処理ユニット１１の動作例
図６、７を参照する。図７は、第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、第１調整工程と処理工程を備える。第１調整工程と処理工程では、制御部１０は、処理液条件情報および処理条件情報に基づいて、処理ユニット１１と第１調整ユニット２１を制御する。処理ユニット１１と第１調整ユニット２１の各要素は、制御部１０の制御にしたがって、動作する。

ステップＳ１：第１調整工程
第１調整工程では、第１調整ユニット２１は第２混合液Ｐ２を生成する。

具合的には、供給部３３ａは、エッチング液を槽３１に供給する。供給部３３ｂは、ヨウ化物を槽３１に供給する。これにより、槽３１において、第２混合液Ｐ２が生成される。第２混合液Ｐ２は、エッチング液とヨウ化物を含む。ヨウ化物は、第２混合液Ｐ２中にヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる。このため、第２混合液Ｐ２は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。槽３１は、第２混合液Ｐ２を貯留する。

さらに、第１調整工程では、第１調整ユニット２１は第２混合液Ｐ２を調整する。例えば、第１調整工程では、第１調整ユニット２１は第２混合液Ｐ２に酸素を添加する。

具体的には、第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、所定時間以上にわたって、槽３１に貯留される。第２混合液Ｐ２は、所定時間以上にわたって、槽３１に放置される。第２混合液Ｐ２は、所定時間以上にわたって、空気に晒される。槽３１は、空気に開放されているからである。

第１調整工程では、槽３１内の第２混合液Ｐ２は、空気中の酸素を取り込む。空気中の酸素は、槽３１内の第２混合液Ｐ２に溶け込む。空気中の酸素は、第２混合液Ｐ２中の溶存酸素に変化する。すなわち、酸素は、第２混合液Ｐ２に添加される。

第２混合液Ｐ２中の酸素の量は、上昇する。第２混合液Ｐ２中の酸素の量は、例えば、５ｐｐｍ以上になる。第２混合液Ｐ２中の酸素の量は、例えば、８ｐｐｍ以上になる。第２混合液Ｐ２中の酸素の量は、例えば、飽和溶存酸素量に到達する。第２混合液Ｐ２は、酸素に富む。

第２混合液Ｐ２中の酸素は、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）を酸化させる。例えば、下記の化学反応式に示すように、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）に変化する。
２Ｉ^－ → Ｉ_２+２ｅ^－
例えば、下記の化学反応式に示すように、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に変化する。
三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、３つのヨウ素原子からなる１価の多原子アニオンである。
Ｉ^－ + Ｉ_２ → Ｉ_３ ^－

このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２混合液Ｐ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２混合液Ｐ２中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。その結果、第２混合液Ｐ２は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに富む。

第２混合液Ｐ２を空気に晒す時間を、空気暴露時間と呼ぶ。空気暴露時間は、例えば、第２混合液Ｐ２が槽３１に貯留されている時間である。例えば、第２混合液Ｐ２が槽３１に生成された時、空気暴露時間は始まる。例えば、ヨウ化物が槽３１に供給された時、空気暴露時間は始まる。例えば、第２混合液Ｐ２が槽３１から供給部１５ａに送られる時、空気暴露時間は終了する。

空気暴露時間は、所定時間以上である。空気暴露時間が所定時間以上になるまで、第１調整工程は継続される。空気暴露時間が所定時間以上になった後、第１調整工程は適宜に終了される。

これにより、所定時間以上にわたって空気に晒された第２混合液Ｐ２が、得られる。すなわち、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２が、得られる。

上述した所定時間は、例えば、実験またはシミュレーションに基づいて決定される。所定時間は、例えば、処理液条件情報に設定される。

第１調整工程では、弁１８ａは閉じられる。第１調整工程では、ポンプ４２は適宜に運転する。第２混合液Ｐ２は、循環配管４１を流れる。フィルタ４３は、第２混合液Ｐ２を濾過する。第１センサ５１は、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度を検出する。制御部１０は、第１センサ５１の検出結果を取得する。

例えば、第２混合液Ｐ２の一部が蒸発することによって、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度は変動することがある。制御部１０は、第１センサ５１の検出結果に基づいて、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度を監視する。制御部１０は、第１センサ５１の検出結果に基づいて、供給部３３ａ、３３ｃを制御する。これにより、制御部１０は、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度を調整する。

例えば、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度が第１範囲よりも低いとき、供給部３３ａは槽３１にエッチング液を追加供給する。これにより、第２混合液Ｐ２中にエッチング液の濃度は上昇する。そして、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度が第１範囲になったとき、供給部３３ａは槽３１に対するエッチング液の追加供給を停止する。

例えば、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度が第１範囲よりも高いとき、供給部３３ｃは槽３１に脱イオン水を供給する。これにより、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度は低下する。そして、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度が第１範囲になったとき、供給部３３ｃは槽３１に対する脱イオン水の追加供給を停止する。

その結果、第２混合液Ｐ２中のエッチング液の濃度は、第１範囲に調整される。

第１範囲は、例えば、処理液条件情報に設定される。

ステップＳ２：処理工程
処理工程は、エッチング工程と洗浄工程と乾燥工程を含む。エッチング工程と洗浄工程と乾燥工程は、この順で実行される。

エッチング工程と洗浄工程と乾燥工程では、基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。エッチング工程と洗浄工程と乾燥工程では、回転駆動部１４は、基板保持部１３に保持される基板Ｗを回転させる。

ステップＳ２ａ：エッチング工程
第１調整工程の終了後に、エッチング工程は実行される。エッチング工程では、第１調整ユニット２１は、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２を、供給部１５ａに送る。エッチング工程では、供給部１５ａは、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２を、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。

第１面Ｗ１は、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２に晒される。第１層Ｇは、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２に晒される。面Ｍは、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２に晒される。第１層Ｇは、エッチングされる。

第１層Ｇが中間膜Ｇａを含む場合、中間膜Ｇａは選択的にエッチングされる。すなわち、第２層Ｊａおよび第３層Ｋのエッチングを抑制しつつ、中間膜Ｇａはエッチングされる。

ステップＳ２ｂ：洗浄工程
洗浄工程では、供給部１５ｂは、基板保持部１３に保持される基板Ｗにリンス液を供給する。基板Ｗはリンス液で洗浄される。第２混合液Ｐ２は、基板Ｗから除去される。

ステップＳ２ｃ：乾燥工程
乾燥工程では、供給部１５ｃは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに乾燥ガスを供給する。基板Ｗは乾燥ガスで乾燥される。リンス液は、基板Ｗから除去される。

１－６．第１調整工程の技術的意義
実施例１と比較例１、２によって、第１調整工程の技術的意義を説明する。図８は、実施例１と比較例１、２を示す表である。

比較例１の条件を説明する。比較例１では、エッチング液を生成した。エッチング液は、フッ化水素と脱イオン水からなる。フッ化水素と脱イオン水の体積比は、以下の通りである。
フッ化水素：脱イオン水＝１：５（体積比）
なお、エッチング液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）を含まない。エッチング液は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を含まない。比較例１では、エッチング液を生成した直後に、エッチング液をテスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に供給した。すなわち、比較例１では、エッチング液の空気暴露時間は、０時間である。

比較例２の条件を説明する。比較例２では、エッチング液とヨウ化物からなる混合液を生成した。エッチング液は、フッ化水素と脱イオン水からなる。フッ化水素と脱イオン水の体積比は、以下の通りである。
フッ化水素：脱イオン水＝１：５（体積比）
ヨウ化物は、テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）である。以下では、テトラエチルアンモニウムヨージドを適宜に「ＴＥＡＩ」と呼ぶ。混合液に対するＴＥＡＩの濃度は、１０ｍＭである。ここで、Ｍは、ｍｏｌ／Ｌを意味する。すなわち、比較例２では、混合液１Ｌ当たりのＴＥＡＩの量は、０．０１０ｍｏｌである。比較例２では、混合液を生成した直後に、混合液をテスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に供給した。すなわち、比較例２では、混合液の空気暴露時間は、０時間である。

なお、混合液が生成された直後では、混合液は無色透明であった。このため、混合液が生成された直後では、混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量は低い。混合液が生成された直後では、混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量は低い。

実施例１の条件を説明する。実施例１では、エッチング液とヨウ化物からなる混合液を生成した。混合液の生成に関する条件は、実施例１と比較例２で同じである。実施例１では、混合液を生成した後、混合液を２４時間にわたって空気に晒した。その後、混合液をテスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に供給した。すなわち、実施例１では、混合液の空気暴露時間は、２４時間である。

なお、混合液を２４時間にわたって空気に晒した後では、混合液は黄色を有した。このため、混合液を２４時間にわたって空気に晒した後では、混合液中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、混合液中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、高い。

テスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３について、説明する。テスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３はそれぞれ、基板Ｗを模擬したものである。テスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に関する条件は、実施例１と比較例１、２の間で、共通である。テスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３はそれぞれ、第１層Ｇを含む。テスト片Ｔ２の第１層Ｇは、テスト片Ｔ３の第１層Ｇよりも、微小である。テスト片Ｔ１の第１層Ｇは、テスト片Ｔ２の第１層Ｇよりも、微小である。

便宜上、図４（ａ）、４（ｂ）を参照する。テスト片Ｔ１は、第１層Ｇとして、中間膜Ｇａを含む。テスト片Ｔ１の中間膜Ｇａを、適宜に、「中間膜Ｇａ１」と呼ぶ。さらに、テスト片Ｔ１は、第２層Ｊａと第３層Ｋを含む。第２層Ｊａは、中間膜Ｇａ１に接触している。第３層Ｋは、中間膜Ｇａ１に接触している。中間膜Ｇａ１は、第２層Ｊａと第３層Ｋの間に配置される。中間膜Ｇａ１の面Ｍａは、第２層Ｊａに接触している。中間膜Ｇａ１の面Ｍａは、第３層Ｋに接触している。中間膜Ｇａは、シリコン酸化物で構成される。第２層Ｊａは、単結晶シリコンで構成される。第３層Ｋは、多結晶シリコンで構成される。中間膜Ｇａ１の長さＵａは、５ｎｍである。

テスト片Ｔ２は、テスト片Ｔ１と類似の構造を有する。すなわち、テスト片Ｔ２は、中間膜Ｇａと第２層Ｊａと第３層Ｋを含む。テスト片Ｔ２の中間膜Ｇａを、適宜に、「中間膜Ｇａ２」と呼ぶ。中間膜Ｇａ２は、シリコン酸化物で構成される。第２層Ｊａは、単結晶シリコンで構成される。第３層Ｋは、多結晶シリコンで構成される。中間膜Ｇａ２の長さＵａは、１０ｎｍである。

便宜上、図５（ａ）、５（ｂ）を参照する。テスト片Ｔ３は、第１層Ｇとして、ブランケット膜Ｇｂを含む。さらに、テスト片Ｔ３は、第２層Ｊｂを含む。第２層Ｊｂは、ブランケット膜Ｇｂに接触している。ただし、ブランケット膜Ｇｂの面Ｍｂは、第２層Ｊｂと接触してしない。ブランケット膜Ｇｂの面Ｍｂは、ブランケット膜Ｇｂ以外の固体と接触してしない。ブランケット膜Ｇｂは、シリコン酸化物で構成される。第２層Ｊｂは、単結晶シリコンで構成される。ブランケット膜Ｇｂの長さＵｂは、２０ｍｍである。ブランケット膜Ｇｂの長さＶｂは、２０ｍｍである。

実施例１と比較例１、２においてテスト片Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３がエッチングされた後、エッチングレートＥａ１、Ｅａ２、Ｅｂを測定した。エッチングレートＥａ１は、テスト片Ｔ１の中間膜Ｇａ１のエッチングレートである。エッチングレートＥａ２は、テスト片Ｔ２の中間膜Ｇａ２のエッチングレートである。エッチングレートＥｂは、テスト片Ｔ３のブランケット膜Ｇｂのエッチングレートである。ここで、エッチングレートＥａ１、Ｅａ２はそれぞれ、１分間当たりの距離Ｌａである。距離Ｌａは、図４（ｂ）に示される。エッチングレートＥｂは、１分間当たりの距離Ｌｂである。距離Ｌｂは、図５（ｂ）に示される。

さらに、ブランケット比Ｆ１、Ｆ２を算出した。ブランケット比Ｆ１は、エッチングレートＥｂに対するエッチングレートＥａ１の割合である。ブランケット比Ｆ２は、エッチングレートＥｂに対するエッチングレートＥａ２の割合である。ブランケット比Ｆ１、Ｆ２はそれぞれ、以下の式で定義される。
Ｆ１＝Ｅａ１／Ｅｂ
Ｆ２＝Ｅａ２／Ｅｂ

図８を参照する。比較例２のエッチングレートＥａ１は、比較例１のエッチングレートＥａ１よりも大きい。実施例１のエッチングレートＥａ１は、比較例２のエッチングレートＥａ１よりも大きい。比較例２のエッチングレートＥａ２は、比較例１のエッチングレートＥａ２よりも大きい。実施例１のエッチングレートＥａ２は、比較例２のエッチングレートＥａ２よりも大きい。

これらの結果から、次のことが言える。エッチングレートＥａ１、Ｅａ２は、第１層Ｇが微小であるときの第１層Ｇのエッチングレートに相当する。第１層Ｇが微小であるとき、比較例２の混合液は、比較例１のエッチング液よりも、効率良く、第１層Ｇをエッチングした。第１層Ｇが微小であるとき、実施例１の混合液は、比較例２の混合液よりも、効率良く、第１層Ｇをエッチングした。

図８を参照する。実施例１のブランケット比Ｆ１、比較例１のブランケット比Ｆ１および比較例２のブランケット比Ｆ１の中で、実施例１のブランケット比Ｆ１は最も１に近い。言い換えれば、実施例１のブランケット比Ｆ１と１との間の差は、比較例１のブランケット比Ｆ１と１との間の差、および、比較例２のブランケット比Ｆ１と１との間の差よりも、小さい。実施例１のブランケット比Ｆ２、比較例１のブランケット比Ｆ２および比較例２のブランケット比Ｆ２の中で、実施例１のブランケット比Ｆ２は最も１に近い。

これらの結果から、次のことが言える。第１層Ｇが中間膜Ｇａおよびブランケット膜Ｇｂのいずれであっても、実施例１における第１層Ｇのエッチングレートはばらつきにくい。言い換えれば、実施例１の混合液は、第１層Ｇが微小であるときの第１層Ｇのエッチングレートと、第１層Ｇが大きいときの第１層Ｇのエッチングレートの間のばらつきを抑える。すなわち、第１層Ｇのサイズに関係無く、実施例１の混合液は第１層Ｇを適切にエッチングする。

１－７．第１層Ｇのエッチングを補助するメカニズム
ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかが第１層Ｇのエッチングを補助すると、本発明者らは推察した。第１層Ｇのエッチングを補助するメカニズムについて、本発明者らは、以下のように推察する。

図９（ａ）、９（ｂ）は、第１層Ｇを模式的に示す図である。図９（ａ）の第１層Ｇは、例えば、テスト片Ｔ２の中間膜Ｇａ２である。図９（ｂ）の第１層Ｇは、例えば、テスト片Ｔ１の中間膜Ｇａ１である。図９（ｂ）の第１層Ｇは、図９（ａ）の第１層Ｇよりも、微小である。図９（ｂ）の第１層Ｇは、図９（ａ）の第１層Ｇよりも、薄い。図９（ｂ）に示される長さＵａは、図９（ａ）に示される長さＵａよりも、小さい。

第１層Ｇは、第１部分Ｈ１と第２部分Ｈ２と第３部分Ｈ３を有する場合がある。第１部分Ｈ１は、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）で構成される。第２部分Ｈ２は、亜酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ、０＜Ｘ＜２）で構成される。第３部分Ｈ３は、亜酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ、０＜Ｘ＜２）で構成される。

第２部分Ｈ２は、例えば、第２層Ｊの近くに位置する。第３部分Ｈ３は、例えば、第３層Ｋの近くに位置する。第１部分Ｈ１は、例えば、第２部分Ｈ２と第３部分Ｈ３の間に位置する。

第１部分Ｈ１は、例えば、面Ｍａに及ぶ。第２部分Ｈ２は、例えば、面Ｍａに及ぶ。第３部分Ｈ３は、例えば、面Ｍａに及ぶ。

第１部分Ｈ１は、幅Ｕａ１を有する。第２部分Ｈ２は、幅Ｕａ２を有する。第３部分Ｈ３は、幅Ｕａ３を有する。幅Ｕａ１と幅Ｕａ２と幅Ｕａ３の合計は、例えば、上述の長さＵａと等しい。幅Ｕａ２は、例えば、数ｎｍである。幅Ｕａ３は、例えば、数ｎｍである。

第１層Ｇが微小になるにしたがって、第１部分Ｈ１は小さくなる。例えば、図９（ｂ）に示される幅Ｕａ１は、図９（ａ）に示される幅Ｕａ１よりも、小さい。

第１層Ｇが微小になるにしたがって、第１層Ｇにおける第２部分Ｈ２の割合は大きくなる。第１層Ｇが微小になるにしたがって、第１層Ｇにおける第３部分Ｈ３の割合は大きくなる。このため、第１層Ｇが微小になるにしたがって、第１層Ｇにおける亜酸化シリコンの割合は大きくなる。

第１層Ｇが微小になるにしたがって、面Ｍａにおける第２部分Ｈ２の割合は大きくなる。第１層Ｇが微小になるにしたがって、面Ｍａにおける第３部分Ｈ３の割合は大きくなる。このため、第１層Ｇが微小になるにしたがって、面Ｍａにおける亜酸化シリコンの割合は大きくなる。

二酸化シリコンをエッチングすることは、容易である。亜酸化シリコンは、二酸化シリコンよりも、化学的に安定している。このため、亜酸化シリコンをエッチングすることは、二酸化シリコンをエッチングすることよりも、困難である。

よって、第１層Ｇにおける亜酸化シリコンの割合が大きくなるにしたがって、第１層Ｇをエッチング液のみでエッチングすることは、より困難になる。面Ｍａにおける亜酸化シリコンの割合が大きくなるにしたがって、第１層Ｇをエッチング液のみでエッチングすることは、より困難になる。すなわち、第１層Ｇが微小になるにしたがって、第１層Ｇをエッチング液のみでエッチングすることは、より困難になる。

ヨウ素分子（Ｉ_２）は、亜酸化シリコンを酸化させる。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、亜酸化シリコンを酸化させる。

例えば、下記の化学反応式に示すように、ヨウ素分子（Ｉ_２）は、一酸化シリコンを酸化させる。
ＳｉＯ + Ｉ_２ → ＳｉＩ_２Ｏ
例えば、下記の化学反応式に示すように、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、一酸化シリコンを酸化させる。
ＳｉＯ + Ｉ_３ ^－ → ＳｉＩ_２Ｏ+Ｉ^－
一酸化シリコンは、化合物（ＳｉＩ_２Ｏ）に変化する。化合物（ＳｉＩ_２Ｏ）を、適宜に、「ヨウ化一酸化シリコン」と呼ぶ。

ヨウ化一酸化シリコンは、亜酸化シリコンよりも、化学的に不安定である。このため、ヨウ化一酸化シリコンをエッチング液でエッチングすることは、亜酸化シリコンをエッチング液でエッチングすることよりも、容易である。

例えば、下記の化学反応式に示すように、ヨウ化一酸化シリコンは、エッチング液でエッチングされる。
ＳｉＩ_２Ｏ + ６ＨＦ → Ｈ_２ＳｉＦ_６+Ｈ_２Ｏ+２ＨＩ

このため、亜酸化シリコンを酸化させることは、第１層Ｇのエッチングを補助することと等しい。よって、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかが第１層Ｇのエッチングを補助するとき、第１層Ｇはエッチング液で適切にエッチングされる。すなわち、第１層Ｇは、エッチング液、および、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかで、適切にエッチングされる。第１層が微小であっても、第１層Ｇは、エッチング液、および、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかで、適切にエッチングされる。

上述した説明では、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、中間膜Ｇａのエッチングを補助した。但し、これに限られない。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、ブランケット膜Ｇｂのエッチングを補助することもある。例えば、ブランケット膜Ｇｂは亜酸化シリコンを含むことがある。例えば、ブランケット膜Ｇｂの面Ｍｂは亜酸化シリコンを含むことがある。これらの場合、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、ブランケット膜Ｇｂのエッチングを補助する。具体的には、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、ブランケット膜Ｇｂの亜酸化シリコンを酸化させる。

１－８．第１実施形態の効果
第１実施形態の基板処理方法は、基板Ｗを処理するものである。基板Ｗは、第１層Ｇを含む。

第２混合液Ｐ２は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１実施形態の基板処理方法は、第１調整工程を含む。第１調整工程では、酸素が、第２混合液Ｐ２に添加される。第１調整工程では、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第１調整工程では、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２混合液Ｐ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２混合液Ｐ２中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

第１実施形態の基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２が、基板Ｗに供給される。エッチング工程では、第１層Ｇは、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２に晒される。エッチング液は、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１調整工程において調整された第２混合液Ｐ２は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇはエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、第１実施形態の基板処理方法によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

さらに、第１実施形態の基板処理方法によれば、第１層Ｇのサイズに関係無く、第１層Ｇは適切にエッチングされる。

第１調整工程において第２混合液Ｐ２に添加される酸素は、酸素ガスを含む。酸素ガスを第２混合液Ｐ２に添加することによって、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第１調整工程において増加させることは、容易である。

第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、所定時間以上にわたって、空気に晒される。このため、第１調整工程では、酸素は第２混合液Ｐ２に好適に添加される。

第１層Ｇは、シリコン酸化物を含む。第２混合液Ｐ２中のエッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。このため、エッチング工程において、第１層Ｇをエッチングすることは、容易である。

ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、シリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第１層Ｇが微小であっても、エッチング工程では第１層Ｇは適切にエッチングされる。

基板Ｗは、第２層Ｊを含む。第２層Ｊは、第１層Ｇの組成と異なる組成を有する。このため、エッチング工程では第２層Ｊのエッチングは好適に抑制される。エッチング工程では、第２層Ｊのエッチングを抑えつつ、第１層Ｇがエッチングされる。

第２層Ｊは、第１層Ｇに接触している。第１層Ｇが第２層Ｊに接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。このため、第２層Ｊに接触する第１層Ｇが微小であっても、エッチング工程では第１層Ｇは適切にエッチングされる。

第２層Ｊは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを、フッ化水素でエッチングすることは、難しい。このため、エッチング工程において、第２層Ｊのエッチングを抑えつつ、第１層Ｇをエッチングすることは、容易である。

第１層Ｇが第２層Ｊに接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのシリコン酸化物のエッチングを補助する。よって、第２層Ｊに接触する第１層Ｇが微小であっても、エッチング工程では第１層Ｇは適切にエッチングされる。

基板Ｗは第３層Ｋを含む。第３層Ｋは、第１層Ｇの組成と異なる組成を有する。このため、エッチング工程では第３層Ｋのエッチングは好適に抑制される。エッチング工程では、第３層Ｋのエッチングを抑えつつ、第１層Ｇがエッチングされる。

第３層Ｋは、第１層Ｇに接触している。第１層Ｇが第２層Ｊおよび第３層Ｋに接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。このため、第２層Ｊおよび第３層Ｋに接触する第１層Ｇが微小であっても、エッチング工程では第１層Ｇは適切にエッチングされる。

第３層Ｋは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを、フッ化水素でエッチングすることは、難しい。このため、エッチング工程において、第３層Ｋのエッチングを抑えつつ、第１層Ｇをエッチングすることは、容易である。

第１層Ｇが第３層Ｋに接触するときであっても、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのシリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第３層Ｋに接触する第１層Ｇが微小であっても、エッチング工程では第１層Ｇは適切にエッチングされる。

第１実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗを処理するものである。基板Ｗは第１層Ｇを含む。

第２混合液Ｐ２は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１実施形態の基板処理装置１は、第１調整ユニット２１を備える。第１調整ユニット２１は、酸素を、第２混合液Ｐ２に添加する。第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２混合液Ｐ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２混合液Ｐ２中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

第１実施形態の基板処理装置１は、供給部１５ａを備える。供給部１５ａは、第１調整ユニット２１によって調整された第２混合液Ｐ２を、基板Ｗに供給する。第１層Ｇは、第１調整ユニット２１によって調整された第２混合液Ｐ２に晒される。エッチング液は、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１調整ユニット２１によって調整された第２混合液Ｐ２は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇは適切にエッチングされる。

以上の通り、第１実施形態の基板処理装置１によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

第１調整ユニット２１は、槽３１を備える。槽３１は、第２混合液Ｐ２を貯留する。槽３１は、空気に開放される。第１調整ユニット２１は、第２混合液Ｐ２を所定時間以上にわたって槽３１に貯留することによって、第２混合液Ｐ２に酸素を添加する。このため、第１調整ユニット２１の構成は簡素である。

上述の通り、槽３１は、第２混合液Ｐ２を貯留する。すなわち、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、同じ槽（すなわち、槽３１）に貯留される。エッチング液と、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、同じ槽（すなわち、槽３１）に貯留される。このため、第１調整ユニット２１の構成は簡素である。

２．第２実施形態
図面を参照して、第２実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第２実施形態は、基板処理装置１の概要、基板Ｗの構造、および処理ユニット１１の構成に関しては、第１実施形態と略同じである。第２実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の第１調整ユニット２１に代えて、第２調整ユニット２２と供給源２３を備える。

２－１．第２調整ユニット２２と供給源２３の構成
図１０は、第２実施形態の処理ユニット１１および第２調整ユニット２２の構成を示す図である。第２調整ユニット２２は、溶液Ｑ２を調整する。例えば、調整ユニット２２は、溶液Ｑ２に酸素を添加する。第２調整ユニット２２は、調整された溶液Ｑ２を供給部１５ａに送る。供給源２３は、エッチング液Ｒを供給部１５ａに送る。供給部１５ａは、第２調整ユニット２２によって調整された溶液Ｑ２を、基板Ｗに供給する。供給部１５ａは、エッチング液Ｒを、基板Ｗに供給する。

第２実施形態の供給部１５ａは、本発明における第４供給部の例である。第２実施形態の溶液Ｑ２は、本発明における第２溶液の例である。

以下では、溶液Ｑ２を、適宜に「第２溶液Ｑ２」と呼ぶ。

第２調整ユニット２２の構成を例示する。

第２調整ユニット２２は、槽３１と供給部３３ｂと供給部３３ｄを備える。槽３１は、第２溶液Ｑ２を貯留する。供給部３３ｂは、槽３１にヨウ化物を供給する。供給部３３ｄは、槽３１に溶媒を供給する。溶媒は、ヨウ化物を溶解する。溶媒は、例えば、脱イオン水である。第２溶液Ｑ２は、ヨウ化物を溶媒に加えることよって、得られる。

第２調整ユニット２２は、供給部３３ｅを備える。供給部３３ｅは、槽３１に酸素を供給する。供給部３３ｅは、例えば、槽３１内の第２溶液Ｑ２中に酸素ガスを供給する。

供給部３３ｄ、３３ｅの構成を例示する。供給部３３ｄ、３３ｅはそれぞれ、配管３４ｄ、３４ｅと、弁３５ｄ、３５ｅを備える。配管３４ｄ、３４ｅはそれぞれ、槽３１に接続される。弁３５ｄ、３５ｅはそれぞれ、配管３４ｄ、３４ｅに設けられる。弁３５ｄは、槽３１への溶媒の供給を制御する。弁３５ｅは、槽３１への酸素の供給を制御する。

配管３４ｅは、吐出口３４ｅ１を有する。吐出口３４ｅ１は、槽３１内の第２溶液Ｑ２中に配置される。吐出口３４ｅ１は、槽３１内の第２溶液Ｑ２中に浸漬される。

供給部３３ｄ、３３ｅはそれぞれ、供給源３６ｄ、３６ｅに接続される。供給源３６ｄは、供給部３３ｄに溶媒を送る。供給源３６ｅは、供給部３３ｅに酸素を送る。

第２調整ユニット２２は、供給部１５ａに接続される。具体的には、槽３１は、循環配管４１および配管４４を介して、供給部１５ａに接続される。

第２調整ユニット２２は、弁４６を備える。弁４６は、配管４４に設けられる。弁４６は、第２調整ユニット２２から供給部１５ａに供給される第２溶液Ｑ２の量を制御する。

第２調整ユニット２２は、第２センサ５２と第３センサ５３と第４センサ５４を備える。第２センサ５２と第３センサ５３と第４センサ５４は、例えば、循環配管４１に設けられる。

第２センサ５２は、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。第２センサ５２は、例えば、吸光光度法によって、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。第２センサ５２は、例えば、紫外吸光光度検出器、または、紫外／可視吸光光度検出器である。

第３センサ５３は、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度を検出する。第３センサ５３は、例えば、比色分析法によって、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度を検出する。第３センサ５３は、例えば、測色計である。第３センサ５３は、例えば、色差計である。

第４センサ５４は、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度を検出する。第４センサ５４は、例えば、電気化学分析法（隔膜電極法）によって、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度を検出する。第４センサ５４は、例えば、溶存酸素計である。

供給源２３の構成を例示する。

供給源２３は、槽３２と供給部３３ａを備える。供給部３３ａは、槽３２にエッチング液Ｒを供給する。槽３２は、エッチング液Ｒを貯留する。

エッチング液Ｒは、フッ化水素を含む。エッチング液Ｒは、例えば、フッ酸、希フッ酸（ＤＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。

供給源２３は、循環配管６１とポンプ６２とフィルタ６３を備える。循環配管６１は、槽３２に接続される。具体的には、循環配管６１は、第１端６１ａと第２端６１ｂを有する。第１端６１ａと第２端６１ｂの両方は、槽３２に接続される。ポンプ６２は、循環配管４１に設けられる。フィルタ６３は、循環配管６１に設けられる。フィルタ６３は、エッチング液Ｒを濾過する。フィルタ６３は、エッチング液Ｒから異物を除去する。

供給源２３は、配管６４を備える。配管６４は、循環配管６１に接続される。配管６４は、循環配管６１から分岐する。配管６４は、さらに、継ぎ手４５に接続される。槽３２は、循環配管６１および配管６４を介して、供給部１５ａに接続される。すなわち、供給源２３は、供給部１５ａに接続される。

供給源２３は、弁６６を備える。弁６６は、配管６４に設けられる。弁６６は、供給源２３から供給部１５ａに供給されるエッチング液Ｒの量を制御する。

図示を省略するが、制御部１０は、第２調整ユニット２２と供給源２３を制御する。制御部１０は、第２センサ５２、第３センサ５３および第４センサ５４の検出結果を取得する。制御部１０は、供給部３３ａ、３３ｂ、３３ｄ、３３ｅを制御する。制御部１０は、弁３５ａ、３５ｂ、３５ｄ、３５ｅを制御する。制御部１０は、弁４６、６６を制御する。制御部１０は、ポンプ４２、６２を制御する。

２－２．第２調整ユニット２２、供給源２３および処理ユニット１１の動作例
図１０、１１を参照する。図１１は、第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第２実施形態の基板処理方法は、第１実施形態の第１調整工程に代えて、第２調整工程を有する。第２実施形態では、第２調整工程の後に、処理工程が実行される。処理工程の動作は、第１実施形態と第２実施形態の間で、実質的に同じである。処理工程における洗浄工程と乾燥工程の説明を省略する。

ステップＳ１１：第２調整工程
第２調整工程では、第２調整ユニット２２は第２溶液Ｑ２を生成する。

具合的には、供給部３３ｂは、ヨウ化物を槽３１に供給する。供給部３３ｃは、溶媒を槽３１に供給する。これにより、槽３１において、第２溶液Ｑ２が生成される。第２溶液Ｑ２は、ヨウ化物と溶媒を含む。ヨウ化物は、第２溶液Ｑ２中にヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる。このため、第２溶液Ｑ２は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。槽３１は、第２溶液Ｑ２を貯留する。

第２調整工程では、第２調整ユニット２２は第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度を調整する。第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度は、第２調整ユニット２２が第２溶液Ｑ２を調整する前の第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度である。例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度は、酸素が第２溶液Ｑ２に添加される前の第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度である。

具体的には、供給部３３ｅは、槽３１に酸素を供給しない。弁１８ａは、閉じられる。ポンプ４２は、運転する。第２溶液Ｑ２は、循環配管４１を流れる。フィルタ４３は、第２溶液Ｑ２を濾過する。第２センサ５２は、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。制御部１０は、第２センサ５２の検出結果を取得する。制御部１０は、第２センサ５２の検出結果に基づいて、供給部３３ｂ、３３ｄを制御する。これにより、制御部１０は、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度を調整する。

例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度が第２範囲よりも低いとき、供給部３３ｂは槽３１にヨウ化物を追加供給する。これにより、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度は上昇する。そして、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度が第２範囲になったとき、供給部３３ｂは槽３１に対するヨウ化物の追加供給を停止する。

例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度が第２範囲よりも高いとき、供給部３３ｃは槽３１に溶媒を供給する。これにより、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度は低下する。そして、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度が第２範囲になったとき、供給部３３ｃは槽３１に対する溶媒の追加供給を停止する。

その結果、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の初期濃度は、第２範囲に調整される。

第２範囲は、例えば、処理液条件情報に設定される。

その後、第２調整ユニット２２は第２溶液Ｑ２を調整する。例えば、第２調整工程では、第２調整ユニット２２は第２溶液Ｑ２に酸素を添加する。

具体的には、供給部３３ｅは、槽３１に酸素を供給する。供給部３３ｅは、槽３１内の第２溶液Ｑ２中に酸素ガスを供給する。供給部３３ｅは、槽３１内の第２溶液Ｑ２中に酸素ガスを吹き出す。酸素ガスは、第２溶液Ｑ２中において気泡を形成する。図１０は、第２溶液Ｑ２中の気泡を模式的に示す。第２溶液Ｑ２は、酸素ガスでバブリングされる。供給部３３ｅは、槽３１内の第２溶液Ｑ２を、酸素でバブリングする。

酸素ガスの一部は、第２溶液Ｑ２に溶け込む。酸素ガスの一部は、第２溶液Ｑ２中の溶存酸素に変化する。すなわち、酸素は、第２溶液Ｑ２に添加される。第２溶液Ｑ２中の酸素の量は、上昇する。第２溶液Ｑ２は、酸素に富む。

第２溶液Ｑ２中の酸素は、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）を酸化させる。例えば、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。

第３センサ５３は、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度を検出する。第４センサ５４は、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度を検出する。制御部１０は、第３センサ５３および第４センサ５４の検出結果を取得する。制御部１０は、第３センサ５３の検出結果に基づいて、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度を監視する。制御部１０は、第４センサ５４の検出結果に基づいて、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度を監視する。制御部１０は、第３センサ５３の検出結果および第４センサ５４の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、供給部３３ｅを制御する。

例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度が第１基準値以下であるとき、供給部３３ｅは第２溶液Ｑ２への酸素の供給を継続する。例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度が第１基準値を超えたとき、供給部３３ｅは第２溶液Ｑ２への酸素の供給を停止する。例えば、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度が第１基準値を超えたとき、第２調整工程は終了する。第１基準値は、例えば、処理液条件情報に設定される。

例えば、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度が第２基準値以下であるとき、供給部３３ｅは第２溶液Ｑ２への酸素の供給を継続する。例えば、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度が第２基準値を超えたとき、供給部３３ｅは第２溶液Ｑ２への酸素の供給を停止する。第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度が第２基準値を超えたとき、第２調整工程は終了する。第２基準値は、例えば、処理液条件情報に設定される。

これにより、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２が、得られる。

ステップＳ２ａ：エッチング工程
第２調整工程の終了後に、エッチング工程は実行される。エッチング工程では、第２調整ユニット２２は、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２を、供給部１５ａに送る。エッチング工程では、供給源２３は、エッチング液Ｒを、供給部１５ａに送る。供給部１５ａに供給される第２溶液Ｑ２の量、および、供給部１５ａに供給されるエッチング液Ｒの量は、弁４６、６６によって、調整される。第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２とエッチング液Ｒは、継ぎ手４５において、混合されてもよい。

エッチング工程では、供給部１５ａは、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２を、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。エッチング工程では、供給部１５ａは、エッチング液Ｒを、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。

第１層Ｇは、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２に晒される。第１層Ｇは、エッチング液Ｒに晒される。第１層Ｇは、エッチングされる。

２－３．第２実施形態の効果
第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。

第２溶液Ｑ２は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第２実施形態の基板処理方法は、第２調整工程を含む。第２調整工程では、酸素が、第２溶液Ｑ２に添加される。第２調整工程では、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、酸化される。具体的には、第２調整工程では、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかに変化する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。すなわち、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第２溶液Ｑ２中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高くなる。

第２実施形態の基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２が、基板Ｗに供給される。エッチング工程では、エッチング液Ｒは、基板Ｗに供給される。エッチング液Ｒは、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第２調整工程において調整された第２溶液Ｑ２は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇはエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、第２実施形態の基板処理方法によれば、第１層が微小であっても、第１層を適切にエッチングできる。

第２調整工程において第２溶液Ｑ２に添加される酸素は、酸素ガスを含む。酸素ガスを第２溶液Ｑ２に添加することによって、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第２調整工程において増加させることは、容易である。

第２調整工程では、酸素ガスは、第２溶液Ｑ２中に供給される。第２調整工程では、酸素ガスは、第２溶液Ｑ２中に吹き出される。第２調整工程では、第２溶液Ｑ２は、酸素ガスでバブリングされる。このため、第２調整工程では、酸素は第２溶液Ｑ２に効率良く添加される。よって、第２調整工程に要する時間は短い。

第２調整工程では、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度の検出結果、および、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、第２溶液Ｑ２への酸素の供給は制御される。例えば、第２調整工程では、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度の検出結果、および、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、第２溶液Ｑ２への酸素の供給は、継続され、または、停止される。このため、第２溶液Ｑ２を調整するための酸素の量は低減される。

第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度の検出結果、および、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、第２調整工程は終了する。このため、第２調整工程は、適切なタイミングで終了する。

第２実施形態の基板処理装置１は、第２調整ユニット２２を備える。第２調整ユニット２２は、酸素を、第２溶液Ｑ２に添加する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。

供給部１５ａは、第２調整ユニット２２によって調整された第２溶液Ｑ２を、基板Ｗに供給する。供給部１５ａは、エッチング液Ｒを基板Ｗに供給する。エッチング液Ｒは、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第２調整ユニット２２によって調整された第２溶液Ｑ２は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇは適切にエッチングされる。

以上の通り、第２実施形態の基板処理装置１によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

第２調整ユニット２２は、槽３１と供給部３３ｅを備える。槽３１は、第２溶液Ｑ２を貯留する。供給部３３ｅは、槽３１に酸素を供給する。このため、第２調整ユニットは、第２溶液Ｑ２に酸素を効率良く添加する。

槽３１は、第２溶液Ｑ２を貯留する。槽３２は、エッチング液Ｒを貯留する。すなわち、第２溶液Ｑ２を貯留する槽（すなわち、槽３１）は、エッチング液Ｒを貯留する槽（すなわち、槽３２）と異なる。このため、槽３１内の第２溶液Ｑ２の組成はエッチング液Ｒの影響を受けない。よって、酸素は、槽３１内の第２溶液Ｑ２に好適に添加される。槽３１内の第２溶液Ｑ２を調整することは容易である。他方、槽３２内のエッチング液Ｒの組成は、第２溶液Ｑ２の影響を受けない。よって、槽３２内のエッチング液Ｒの組成を管理することは容易である。槽３２内のエッチング液Ｒの濃度を管理することは容易である。

３．第３実施形態
図面を参照して、第３実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１－第２実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第３実施形態は、基板処理装置１の概要、基板Ｗの構造、および処理ユニット１１の構成に関しては、第１実施形態と略同じである。第３実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の第１調整ユニット２１に代えて、第１生成ユニット２４を備える。

３－１．第１生成ユニット２４の構成
図１２は、第３実施形態の処理ユニット１１および第１生成ユニット２４の構成を示す図である。第１生成ユニット２４は、混合液Ｐ１を生成する。混合液Ｐ１は、エッチング液を含む。混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかをエッチング液に加えることによって、得られる。第１生成ユニット２４は、混合液Ｐ１を供給部１５ａに送る。供給部１５ａは、混合液Ｐ１を基板Ｗに供給する。

第３実施形態の供給部１５ａは、本発明における第１供給部の例である。第３実施形態の混合液Ｐ１は、本発明における第１混合液の例である。第３実施形態の混合液Ｐ１は、本発明における基板処理液の例である。

以下では、混合液Ｐ１を、適宜に「第１混合液Ｐ１」と呼ぶ。

第１生成ユニット２４の構成を例示する。

第１生成ユニット２４は、槽３３を備える。槽３３は第１混合液Ｐ１を貯留する。槽３３は、大気から遮断された容器であってもよい。槽３３は、例えば、槽３３の上部を閉塞する蓋部材を含む。あるいは、槽３３は、大気に開放された容器であってもよい。

第１生成ユニット２４は、供給部３３ａを備える。供給部３３ａは、エッチング液を槽３３に供給する。上述の通り、エッチング液は、フッ化水素を含む。

第１生成ユニット２４は、供給部３３ｆを備える。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを槽３３に供給する。

三ヨウ化物は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を含む塩である。三ヨウ化物は、「三ヨウ化物塩」とも呼ばれる。三ヨウ化物は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を遊離する。三ヨウ化物は、例えば、三ヨウ化窒素、三ヨウ化リンおよび三ヨウ化アンモニウムの少なくともいずれかを含む。

供給部３３ｆは、例えば、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを含む溶液を供給してもよい。溶液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。溶媒は、ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶解する。溶媒は、三ヨウ化物を溶解する。溶媒は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。

第１生成ユニット２４は、ポンプ４２とフィルタ４３と継ぎ手４５に加えて、配管４７を有する。配管４７は、槽３３に接続される。配管４７は、継ぎ手４５に接続される。ポンプ４２とフィルタ４３はそれぞれ、配管４７に設けられる。槽３１は、配管４７を介して、供給部１５ａに接続される。すなわち、第１生成ユニット２４は、供給部１５ａに接続される。

弁１８ａが閉じるとき、第１調整ユニット２１は第１混合液Ｐ１を供給部１５ａに送らない。弁１８ａが開き、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第１生成ユニット２４は第１混合液Ｐ１を供給部１５ａに送る。弁１８ａが開き、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第１混合液Ｐ１は、槽３１から供給部１５ａに流れる。

図示を省略するが、制御部１０は、第１生成ユニット２４を制御する。制御部１０は、供給部３３ａ、３３ｆを制御する。制御部１０は、弁３５ａ、３５ｆを制御する。制御部１０は、ポンプ４２を制御する。

３－２．第１生成ユニット２４および処理ユニット１１の動作例
図１２、１３を参照する。図１３は、第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第３実施形態の基板処理方法は、第１実施形態の第１調整工程に代えて、第１準備工程を有する。第３実施形態では、第１準備工程の後に、処理工程が実行される。処理工程の動作は、第１実施形態と第３実施形態の間で、実質的に同じである。処理工程における洗浄工程と乾燥工程の説明を省略する。

ステップＳ２１：第１準備工程
第１準備工程では、第１生成ユニット２４は第１混合液Ｐ１を準備する。第１準備工程では、第１生成ユニット２４は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加える。

具体的には、供給部３３ａは、槽３３にエッチング液を供給する。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを槽３３に供給する。これにより、槽３３において、第１混合液Ｐ１が生成される。供給部３３ｆがヨウ素分子（Ｉ_２）を供給する場合、第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）を含む。供給部３３ｆが三ヨウ化物を供給する場合、三ヨウ化物は第１混合液Ｐ１中に三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を遊離させる。このため、供給部３３ｆが三ヨウ化物を供給する場合、第１混合液Ｐ１は三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を含む。したがって、第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを含む。槽３１は、第２混合液Ｐ２を貯留する。

ステップＳ２ａ：エッチング工程
第１準備工程の後に、エッチング工程は実行される。エッチング工程では、第１生成ユニット２４は、第１混合液Ｐ１を、供給部１５ａに送る。エッチング工程では、供給部１５ａは、第１混合液Ｐ１を、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。第１層Ｇは、第１混合液Ｐ１に晒される。第１層Ｇは、エッチングされる。

３－３．第３実施形態の効果
第３実施形態においても、第１－第２実施形態と同様な効果を奏する。

第３実施形態の基板処理方法は、第１準備工程を含む。第１準備工程では、第１混合液Ｐ１が準備される。第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１を準備するとき、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１を準備するとき、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

第３実施形態の基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１混合液Ｐ１は基板Ｗに供給される。エッチング液は、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇはエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、第３実施形態の基板処理方法によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

三ヨウ化物は、例えば、三ヨウ化窒素、三ヨウ化リンおよび三ヨウ化アンモニウムの少なくともいずれかを含む。三ヨウ化窒素は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化窒素を含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液Ｐ１を準備することは容易である。同様に、三ヨウ化リンは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化リンを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液Ｐ１を準備することは容易である。三ヨウ化アンモニウムは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化アンモニウムを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１混合液Ｐ１を準備することは容易である。

第３実施形態の基板処理装置１は、第１生成ユニット２４を備える。第１生成ユニット２４は、第１混合液Ｐ１を生成する。第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１が生成されるとき、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１が生成されるとき、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

供給部１５ａは、第１混合液Ｐ１を基板Ｗに供給する。エッチング液は、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｐは適切にエッチングされる。

以上の通り、第３実施形態の基板処理装置１によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

第１生成ユニット２４は、槽３３と供給部３３ａと供給部３３ｆを備える。供給部３３ａは、エッチング液Ｒを槽３３に供給する。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを槽３３に供給する。このため、第１生成ユニット２４は、槽３３において第１混合液Ｐ１を好適に生成する。

槽３３は、第１混合液Ｐ１を貯留する。すなわち、エッチング液と、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、同じ槽（すなわち、槽３３）に貯留される。このため、第１生成ユニット２４の構成は簡素である。

第３実施形態の第１混合液Ｐ１は、基板Ｗを処理するものである。基板Ｗは第１層Ｇを含む。第１層Ｇは、シリコン酸化物を含む。第３実施形態の第１混合液Ｐ１は、エッチング液を含む。エッチング液は、フッ化水素を含む。シリコン酸化物をフッ化水素でエッチングすることは、容易である。このため、第１混合液Ｐ１は、第１層Ｇを容易にエッチングする。

ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを、エッチング液に加えることによって、第１混合液Ｐ１は得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１が得られるとき、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物をエッチング液に加えることによって第１混合液Ｐ１が得られるとき、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。すなわち、第１混合液Ｐ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。ここで、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、シリコン酸化物のエッチングを補助する。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１混合液Ｐ１は、第１層Ｇを適切にエッチングする。

以上の通り、第３実施形態の第１混合液Ｐ１によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

４．第４実施形態
図面を参照して、第４実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１－３実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第４実施形態は、基板処理装置１の概要、基板Ｗの構造、および処理ユニット１１の構成に関しては、第１実施形態と略同じである。第４実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の第１調整ユニット２１に代えて、供給源２３と第２生成ユニット２５を備える。第４実施形態の供給源２３は、第２実施形態の供給源２３と略同じである。

４－１．第２生成ユニット２５の構成
図１４は、第４実施形態の処理ユニット１１および第２生成ユニット２５の構成を示す図である。第２生成ユニット２５は、溶液Ｑ１を生成する。溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。第２生成ユニット２５は、溶液Ｑ１を供給部１５ａに送る。供給源２３は、エッチング液Ｒを供給部１５ａに送る。供給部１５ａは、溶液Ｑ１を基板Ｗに供給する。供給部１５ａは、エッチング液Ｒを基板Ｗに供給する。

第４実施形態の供給部１５ａは、本発明における第２供給部の例である。第４実施形態の溶液Ｑ１は、本発明における第１溶液の例である。

以下では、溶液Ｑ１を、適宜に「第１溶液Ｑ１」と呼ぶ。

第２生成ユニット２５の構成を例示する。

第２生成ユニット２５は、槽３３と供給部３３ｄと供給部３３ｆを備える。槽３３は、第１溶液Ｑ１を貯留する。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを槽３３に供給する。三ヨウ化物は、例えば、三ヨウ化窒素、三ヨウ化リンおよび三ヨウ化アンモニウムの少なくともいずれかを含む。供給部３３ｄは、溶媒を槽３３に供給する。溶媒は、ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶解する。溶媒は、三ヨウ化物を溶解する。溶媒は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。

第２生成ユニット２５は、供給部１５ａに接続される。供給源２３は、供給部１５ａに接続される。

ここで、ノズル１６ａは、第２生成ユニット２５に接続される。ノズル１６ａは、供給源２３に接続されない。ノズル１６ａは、第１溶液Ｑ１を吐出する。ノズル１６ａは、エッチング液Ｒを吐出しない。

供給部１５ａは、さらに、ノズル１６ｄを備える。ノズル１６ｄは、筐体１２の内部に設置される。ノズル１６ｄは、供給源２３に接続される。ノズル１６ｄは、第２生成ユニット２５に接続されない。ノズル１６ｄは、エッチング液Ｒを吐出する。ノズル１６ｄは、第１溶液Ｑ１を吐出しない。

供給部１５ａは、さらに、配管１７ｄと弁１８ｄを備える。配管１７ｄは、ノズル１６ｄに接続される。弁１８ｄは、配管１７ｄに設けられる。弁１８ｄは、ノズル１６ｄによるエッチング液Ｒの吐出を制御する。

供給源２３は、継ぎ手６５を備える。継ぎ手６５は、配管６４と配管１７ｄをジョイントする。これにより、槽３２は、配管１７ｄ、６４と循環配管６１を介して、ノズル１６ｄに接続される。

弁１８ａが閉じるとき、第２生成ユニット２５は第１溶液Ｑ１を供給部１５ａに送らない。弁１８ａが開き、かつ、ポンプ４２が運転するとき、第２生成ユニット２５は第１溶液Ｑ１をノズル１６ａに送る。

弁１８ｄが閉じるとき、供給源２３はエッチング液Ｒを供給部１５ａに送らない。弁１８ｄが開き、かつ、ポンプ６２が運転するとき、供給源２３はエッチング液Ｒをノズル１６ａに送る。

図示を省略するが、制御部１０は、弁１８ａに加えて、弁１８ｄを制御する。制御部１０は、供給源２３と第２生成ユニット２５を制御する。制御部１０は、供給部３３ａ、３３ｄ、３３ｆを制御する。制御部１０は、弁３５ａ、３５ｄ、３５ｆを制御する。制御部１０は、ポンプ４２、６２を制御する。

４－２．第２生成ユニット２５、供給源２３および処理ユニット１１の動作例
図１４、１５を参照する。図１４は、第４実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。第４実施形態の基板処理方法は、第１実施形態の第１調整工程に代えて、第２準備工程を有する。第４実施形態では、第２準備工程の後に、処理工程が実行される。処理工程の動作は、第１実施形態と第４実施形態の間で、実質的に同じである。処理工程における洗浄工程と乾燥工程の説明を省略する。

ステップＳ３１：第２準備工程
第２準備工程では、第２生成ユニット２５は、第１溶液Ｑ１を準備する。第２準備工程では、第２生成ユニット２５は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加える。

具体的には、供給部３３ｄは、溶媒を槽３３に供給する。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを槽３３に供給する。これにより、槽３３において、第１溶液Ｑ１が生成される。第１溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを含む。槽３１は、第１溶液Ｑ１を貯留する。

ステップＳ２ａ：エッチング工程
第２準備工程の後に、エッチング工程は実行される。エッチング工程では、第２生成ユニット２５は、第１溶液Ｑ１を、供給部１５ａに送る。エッチング工程では、供給源２３は、エッチング液Ｒを、供給部１５ａに送る。エッチング工程では、供給部１５ａは、第１溶液Ｑ１を、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。エッチング工程では、供給部１５ａは、エッチング液Ｒを、基板保持部１３に保持される基板Ｗに供給する。供給部１５ａは、第１溶液Ｑ１とエッチング液Ｒを個別に吐出する。具体的には、ノズル１６ａは、第１溶液Ｑ１を基板Ｗに吐出する。ノズル１６ｄは、エッチング液Ｒを基板Ｗに吐出する。第１溶液Ｑ１とエッチング液Ｒは、基板Ｗ上において、混合される。

第１層Ｇは、第１溶液Ｑ１に晒される。第１層Ｇは、エッチング液Ｒに晒される。第１層Ｇは、エッチングされる。

４－３．第４実施形態の効果
第４実施形態においても、第１－第３実施形態と同様な効果を奏する。

第４実施形態の基板処理方法は、第２準備工程を含む。第２準備工程では、第１溶液Ｑ１が準備される。第１溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶媒に加えることによって第１溶液Ｑ１を準備するとき、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物を溶媒に加えることによって第１溶液Ｑ１を準備するとき、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

第４実施形態の基板処理方法は、エッチング工程を含む。エッチング工程では、第１溶液Ｑ１は基板Ｗに供給される。エッチング工程では、エッチング液Ｒは基板Ｗに供給される。エッチング液Ｒは、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇはエッチング工程において適切にエッチングされる。

以上の通り、第４実施形態の基板処理方法によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

三ヨウ化物は、例えば、三ヨウ化窒素、三ヨウ化リンおよび三ヨウ化アンモニウムの少なくともいずれかを含む。三ヨウ化窒素は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化窒素を含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液Ｑ１を準備することは容易である。同様に、三ヨウ化リンは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化リンを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液Ｑ１を準備することは容易である。三ヨウ化アンモニウムは、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）を容易に遊離する。このため、三ヨウ化物が三ヨウ化アンモニウムを含むとき、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に富む第１溶液Ｑ１を準備することは容易である。

第４実施形態の基板処理装置１は、第２生成ユニット２５を備える。第２生成ユニット２５は、第１溶液Ｑ１を生成する。第１溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えることによって、得られる。ヨウ素分子（Ｉ_２）を溶媒に加えることによって第１溶液Ｑ１が生成されるとき、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の量は多い。三ヨウ化物を溶媒に加えることによって第１溶液Ｑ１が生成されるとき、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量は多い。このため、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、高い。

供給部１５ａは、第１溶液Ｑ１を基板Ｗに供給する。供給部１５ａは、エッチング液Ｒを基板Ｗに供給する。エッチング液Ｒは、第１層Ｇをエッチングする。ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかは、第１層Ｇのエッチングを補助する。上述の通り、第１溶液Ｑ１は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを、豊富に含む。このため、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇは適切にエッチングされる。

以上の通り、第４実施形態の基板処理装置１によれば、第１層Ｇが微小であっても、第１層Ｇを適切にエッチングできる。

第２生成ユニット２５は、槽３３と供給部３３ｄ、３３ｆを備える。供給部３３ｄは、溶媒を槽３３に供給する。供給部３３ｆは、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の少なくともいずれかを槽３３に供給する。このため、第２生成ユニット２５は、槽３３において第１溶液Ｑ１を好適に生成する。

槽３３は、第１溶液Ｑ１を貯留する。槽３２は、エッチング液Ｒを貯留する。すなわち、第１溶液Ｑ１を貯留する槽（すなわち、槽３３）は、エッチング液Ｒを貯留する槽（すなわち、槽３２）と異なる。このため、槽３３内の第１溶液Ｑ１の組成はエッチング液Ｒの影響を受けない。よって、槽３３内の第１溶液Ｑ１の組成を管理することは容易である。第１溶液Ｑ１の濃度を管理することは容易である。他方、槽３２内のエッチング液Ｒの組成は、第１溶液Ｑ１の影響を受けない。よって、槽３２内のエッチング液Ｒの組成を管理することは容易である。槽３２内のエッチング液Ｒの濃度を管理することは容易である。

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）第１実施形態の第１調整工程では、酸素が第２混合液Ｐ２に添加された。但し、これに限られない。第１調整工程では、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが第２混合液Ｐ２に添加されてもよい。オゾンが第２混合液Ｐ２に添加されたとき、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は酸化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。

第１調整工程において第２混合液Ｐ２に添加される酸素は、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第２混合液Ｐ２に添加することによって、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第１調整工程において増加させることは、容易である。

ここで、高濃度酸素水は、通常よりも高い濃度で酸素を含む水である。高濃度酸素水中の酸素の量は、通常の空気中に置かれた水中の酸素の量よりも大きい。

第１調整工程において第２混合液Ｐ２に添加されるオゾンは、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第２混合液Ｐ２に添加することによって、第２混合液Ｐ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２混合液Ｐ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２混合液Ｐ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第１調整工程において増加させることは、容易である。

例えば、第１実施形態の第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、空気に晒された。但し、これに限られない。

例えば、第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に晒されてもよい。例えば、第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に、所定時間以上にわたって、晒されてもよい。本変形実施形態の第１調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２混合液Ｐ２に好適に添加される。

例えば、第１調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２混合液Ｐ２の上方に供給されてもよい。例えば、第１調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、槽３１の上方に供給されてもよい。本変形実施形態の第１調整工程によれば、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気が、第２混合液Ｐ２の上方に形成される。

例えば、第１調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２混合液Ｐ２中に供給されてもよい。例えば、第１調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２混合液Ｐ２中に吹き出されてもよい。例えば、第１調整工程では、第２混合液Ｐ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかによって、バブリングされてもよい。本変形実施形態の第１調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２混合液Ｐ２に好適に添加される。

例えば、第１調整工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを第２混合液Ｐ２に加えてもよい。例えば、第１調整工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを槽３１に供給してもよい。本変形実施形態の第１調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２混合液Ｐ２に好適に添加される。

（２）第２実施形態の第２調整工程では、酸素が第２溶液Ｑ２に添加された。但し、これに限られない。第２調整工程では、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが第２溶液Ｑ２に添加されてもよい。オゾンが第２溶液Ｑ２に添加されたとき、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は酸化する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかは、増加する。

第２調整工程において第２溶液Ｑ２に添加される酸素は、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第２溶液Ｑ２に添加することによって、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第２調整工程において増加させることは、容易である。

第２調整工程において第２溶液Ｑ２に添加されるオゾンは、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第２溶液Ｑ２に添加することによって、第２溶液Ｑ２中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第２溶液Ｑ２中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第２溶液Ｑ２中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを第２調整工程において増加させることは、容易である。

例えば、第２実施形態の第２調整工程では、酸素が第２溶液Ｑ２中に供給された。但し、これに限られない。

例えば、第２調整工程では、第２溶液Ｑ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に晒されてもよい。例えば、第２調整工程では、第２溶液Ｑ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に、所定時間以上にわたって、晒されてもよい。本変形実施形態の第２調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２溶液Ｑ２に好適に添加される。

例えば、第２調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２溶液Ｑ２の上方に供給されてもよい。例えば、第２調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、槽３１の上方に供給されてもよい。本変形実施形態の第２調整工程によれば、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気が、第２溶液Ｑ２の上方に形成される。

例えば、第２調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２溶液Ｑ２中に供給されてもよい。例えば、第２調整工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第２溶液Ｑ２中に吹き出されてもよい。例えば、第２調整工程では、第２溶液Ｑ２は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかによって、バブリングされてもよい。本変形実施形態の第２調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２溶液Ｑ２に好適に添加される。

例えば、第２調整工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを第２溶液Ｑ２に加えてもよい。例えば、第２調整工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを槽３１に供給してもよい。本変形実施形態の第２調整工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第２溶液Ｑ２に好適に添加される。

（３）第３実施形態の第１準備工程において、さらに、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが第１混合液Ｐ１に添加されてもよい。本変形実施形態によれば、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、一層高い。第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、低下し難い。

第１準備工程において第１混合液Ｐ１に添加される酸素は、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第１混合液Ｐ１に添加することによって、第１混合液Ｐ１中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第１混合液Ｐ１中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第１混合液Ｐ１中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを増加させることは、容易である。

第１準備工程において第１混合液Ｐ１に添加されるオゾンは、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第１混合液Ｐ１に添加することによって、第１混合液Ｐ１中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第１混合液Ｐ１中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第１混合液Ｐ１中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを増加させることは、容易である。

例えば、第１準備工程では、第１混合液Ｐ１は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に晒されてもよい。本変形実施形態の第１準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１混合液Ｐ１に好適に添加される。

例えば、第１準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１混合液Ｐ１の上方に供給されてもよい。例えば、第１準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、槽３３の上方に供給されてもよい。本変形実施形態の第１準備工程によれば、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気が、第１混合液Ｐ１の上方に形成される。

例えば、第１準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１混合液Ｐ１中に供給されてもよい。例えば、第１準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１混合液Ｐ１中に吹き出されてもよい。例えば、第１準備工程では、第１混合液Ｐ１は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかによって、バブリングされてもよい。本変形実施形態の第１準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１混合液Ｐ１に好適に添加される。

例えば、第１準備工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを第１混合液Ｐ１に加えてもよい。例えば、第１準備工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを槽３３に供給してもよい。本変形実施形態の第１準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１混合液Ｐ１に好適に添加される。

（４）第４実施形態の第２準備工程において、さらに、酸素およびオゾンの少なくともいずれかが第１溶液Ｑ１に添加されてもよい。本変形実施形態によれば、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、一層高い。本変形実施形態によれば、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の含有量、および、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の含有量の少なくともいずれかは、低下し難い。

第２準備工程において第１溶液Ｑ１に添加される酸素は、酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。酸素ガスおよび高濃度酸素水の少なくともいずれかを第１溶液Ｑ１に添加することによって、第１溶液Ｑ１中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第１溶液Ｑ１中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第１溶液Ｑ１中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを増加させることは、容易である。

第２準備工程において第１溶液Ｑ１に添加されるオゾンは、オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを含むことが好ましい。オゾンガスおよびオゾン水の少なくともいずれかを第１溶液Ｑ１に添加することによって、第１溶液Ｑ１中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は容易に酸化する。このため、第１溶液Ｑ１中におけるヨウ素分子（Ｉ_２）の量、および、第１溶液Ｑ１中における三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の量の少なくともいずれかを増加させることは、容易である。

例えば、第２準備工程では、第１溶液Ｑ１は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気に晒されてもよい。本変形実施形態の第２準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１溶液Ｑ１に好適に添加される。

例えば、第２準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１溶液Ｑ１の上方に供給されてもよい。例えば、第２準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、槽３３の上方に供給されてもよい。本変形実施形態の第２準備工程によれば、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかの雰囲気が、第１溶液Ｑ１の上方に形成される。

例えば、第２準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１溶液Ｑ１中に供給されてもよい。例えば、第２準備工程では、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかが、第１溶液Ｑ１中に吹き出されてもよい。例えば、第２準備工程では、第１溶液Ｑ１は、空気、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれかによって、バブリングされてもよい。本変形実施形態の第２準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１溶液Ｑ１に好適に添加される。

例えば、第２準備工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを第１溶液Ｑ１に加えてもよい。例えば、第２準備工程では、高濃度酸素水およびオゾン水の少なくともいずれかを槽３３に供給してもよい。本変形実施形態の第２準備工程においても、酸素およびオゾンの少なくともいずれかは第１溶液Ｑ１に好適に添加される。

（５）第２実施形態のエッチング工程では、第２溶液Ｑ２とエッチング液Ｒは、同じノズル（すなわち、ノズル１６ａ）から吐出された。但し、これに限られない。例えば、第２溶液Ｑ２を吐出するノズルは、エッチング液Ｒを吐出するノズルと異なっていてもよい。

第４実施形態のエッチング工程では、第１溶液Ｑ１を吐出するノズル（すなわち、ノズル１６ａ）は、エッチング液Ｒを吐出するノズル（すなわち、ノズル１６ｄ）と異なった。但し、これに限られない。例えば、第１溶液Ｑ１とエッチング液Ｒは、同じノズルから吐出されてもよい。

（６）第３実施形態の第１生成ユニット２４は、第１混合液Ｐ１を循環させるための構成を備えなかった。但し、これに限られない。例えば、第１生成ユニット２４は、第１、第２実施形態の循環配管４１を備えてもよい。

（７）第４実施形態の第２生成ユニット２５は、第１溶液Ｑ１を循環させるための構成を備えなかった。但し、これに限られない。例えば、第２生成ユニット２５は、第１、第２実施形態の循環配管４１を備えてもよい。

（１０）第１－第４実施形態では、第１－第４センサ５１－５４が例示された。但し、これに限られない。例えば、基板処理装置１は、第１混合液Ｐ１、第２混合液Ｐ２、第１溶液Ｑ１および第２溶液Ｑ２の少なくともいずれかにおける三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の濃度を検出するセンサを備えてもよい。例えば、基板処理装置１は、第１混合液Ｐ１、第２混合液Ｐ２、第１溶液Ｑ１および第２溶液Ｑ２の少なくともいずれかにおけるオゾンの濃度を検出するセンサを備えてもよい。

例えば、第１実施形態の第１調整工程において、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度に関する第１検出結果、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の濃度に関する第２検出結果、第１混合液Ｐ１中の酸素の濃度に関する第３検出結果、および、第１混合液Ｐ１中のオゾンの濃度に関する第４検出結果の少なくともいずれかが、取得されてもよい。例えば、第１検出結果、第２検出結果、第３検出結果、および、第４検出結果の少なくともいずれかに基づいて、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを第２混合液Ｐ２に添加することを停止してもよい。例えば、第１検出結果、第２検出結果、第３検出結果、および、第４検出結果の少なくともいずれかに基づいて、第１調整工程は終了してもよい。本変形実施形態によれば、第１調整工程は、適切なタイミングで終了する。

例えば、第２実施形態の第２調整工程において、第２溶液Ｑ２中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度に関する第１検出結果、第２溶液Ｑ２中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の濃度に関する第２検出結果、第２溶液Ｑ２中の酸素の濃度に関する第３検出結果、および、第２溶液Ｑ２中のオゾンの濃度に関する第４検出結果の少なくともいずれかが、取得されてもよい。例えば、第１検出結果、第２検出結果、第３検出結果、および、第４検出結果の少なくともいずれかに基づいて、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを第２溶液Ｑ２に添加することを停止してもよい。例えば、第１検出結果、第２検出結果、第３検出結果、および、第４検出結果の少なくともいずれかに基づいて、第２調整工程は終了してもよい。本変形実施形態によれば、第２調整工程は、適切なタイミングで終了する。

例えば、第３実施形態の第１準備工程において、第１混合液Ｐ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度に関する第１検出結果、および、第１混合液Ｐ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の濃度に関する第２検出結果の少なくともいずれが、取得されてもよい。例えば、第３実施形態の第１準備工程において、第１検出結果および第２検出結果の少なくともいずれかに基づいて、エッチング液に加えるヨウ素分子（Ｉ_２）の量およびエッチング液に加える三ヨウ化物の量の少なくともいずれかが調整されてもよい。

例えば、第４実施形態の第２準備工程において、第１溶液Ｑ１中のヨウ素分子（Ｉ_２）の濃度に関する第１検出結果、および、第１溶液Ｑ１中の三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）の濃度に関する第２検出結果の少なくともいずれが取得されてもよい。例えば、第４実施形態の第２準備工程において、第１検出結果および第２検出結果の少なくともいずれかに基づいて、溶媒に加えるヨウ素分子（Ｉ_２）の量および溶媒に加える三ヨウ化物の量の少なくともいずれかが調整されてもよい。

例えば、基板処理装置１は、槽３１内の第２混合液Ｐ２の量を検出するセンサを備えてもよい。例えば、基板処理装置１は、槽３１内の第２溶液Ｑ２の量を検出するセンサを備えてもよい。例えば、基板処理装置１は、槽３２内のエッチング液Ｒの量を検出するセンサを備えてもよい。例えば、基板処理装置１は、槽３３内の第１混合液Ｐ１の量を検出するセンサが設けられてもよい。例えば、基板処理装置１は、槽３３内の第１溶液Ｑ１の量を検出するセンサが設けられてもよい。

例えば、第１実施形態の第１調整工程において、槽３１内の第２混合液Ｐ２の量に関する検出結果が、取得されてもよい。例えば、第１実施形態の第１調整工程において、槽３１内の第２混合液Ｐ２の量に関する検出結果に基づいて、第２混合液Ｐ２が槽３１において生成されてもよい。例えば、第１実施形態の第１調整工程において、槽３１内の第２混合液Ｐ２の量に関する検出結果に基づいて、槽３１内の第２混合液Ｐ２の量が調整されてもよい。

上述の変形実施形態と同様に、第２－第４実施形態は、変形されてもよい。

（１１）第１－第４実施形態では、第１－第４センサ５１－５４は、循環配管４１、６１に設けられた。但し、これに限られない。例えば、第１－第４センサ５１－５４の少なくともいずれかは、槽３１－３３の少なくともいずれかに設けられてもよい。

（１２）第１－第４実施形態では、処理ユニット１１は、枚葉式に分類された。但し、これに限られない。例えば、第１－第４実施形態の少なくともいずれかにおける処理ユニット１１は、バッチ式に分類されてもよい。すなわち、処理ユニット１１は、一度に複数の基板Ｗを処理してもよい。例えば、バッチ式に分類される処理ユニット１１が、第１－第４実施形態の少なくともいずれかにおけるエッチング工程を実行してもよい。

図１６は、変形実施形態の処理ユニット１１と第１調整ユニット２１の構成を示す図である。図１６に示す変形実施形態は、第１調整ユニット２１とバッチ式に分類される処理ユニット１１の組み合わせに相当する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

処理ユニット１１は、槽７１を備える。槽７１は、例えば、第１調整ユニット２１に接続される。第１調整ユニット２１が第２混合液Ｐ２を調整した後、第１調整ユニット２１は槽７１に第２混合液Ｐ２を送る。槽７１は、第１調整ユニット２１によって調整された第２混合液Ｐ２を貯留する。

処理ユニット１１は、基板保持部７３を備える。基板保持部７３は、複数の基板Ｗを同時に保持する。基板保持部７３は、各基板Ｗを略鉛直姿勢で保持する。基板Ｗが基板保持部７３に保持されるとき、各基板Ｗの第１面Ｗ１は略鉛直である。

処理ユニット１１は、昇降駆動部７４を備える。昇降駆動部７４は、基板保持部７３に連結される。昇降駆動部７４は、基板保持部７３を鉛直方向Ｚに移動させる。基板保持部７３によって保持される基板Ｗは、基板保持部７３と一体に昇降する。

昇降駆動部７４は、基板保持部７３によって保持される基板Ｗを、上位置と下位置に移動させる。図１６は、基板Ｗが上位置にあるときの基板Ｗと基板保持部７３を実線で示す。図１６は、基板Ｗが下位置にあるときの基板Ｗと基板保持部７３を破線で示す。基板Ｗが上位置にあるとき、基板Ｗは、槽７１内の第２混合液Ｐ２よりも上方に位置する。基板Ｗが下位置にあるとき、基板Ｗは、槽７１内の第２混合液Ｐ２に浸漬される。

エッチング工程では、槽７１は、第１調整ユニット２１によって調整された第２混合液Ｐ２を貯留する。エッチング工程では、基板Ｗは上位置から下位置に移動する。これにより、槽７１内の第２混合液Ｐ２が基板Ｗに供給される。

槽７１は、本発明における第１供給部の例である。

図１６に示される変形実施形態において、第２混合液Ｐ２を基板Ｗに供給するための槽（すなわち、槽７１）は、第２混合液Ｐ２を調整するための槽（すなわち、槽３１）と異なった。但し、これに限られない。例えば、第２混合液Ｐ２を基板Ｗに供給するための槽は、第２混合液Ｐ２を調整するための槽と同じであってもよい。例えば、槽７１において、第２混合液Ｐ２を調整してもよい。あるいは、槽３１において、基板Ｗに第２混合液Ｐ２を供給してもよい。具体的には、基板Ｗは、槽３１内の第２混合液Ｐ２に浸漬されてもよい。

（１３）第１－第４実施形態および上記（１）から（１２）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１３ … 基板保持部
１５ａ … 供給部（第１供給部、第２供給部、第３供給部、第４供給部）
２１ … 第１調整ユニット
２２ … 第２調整ユニット
２３ … 供給源
２４ … 第１生成ユニット
２５ … 第２生成ユニット
７１ … 槽（第１供給部）
７３ … 基板保持部
Ｐ１ … 混合液（第１混合液、基板処理液）
Ｐ２ … 混合液（第２混合液）
Ｑ１ … 溶液（第１溶液）
Ｑ２ … 溶液（第２溶液）
Ｒ … エッチング液
Ｇ … 第１層
Ｇａ … 中間膜
Ｇｂ … ブランケット膜
Ｊ、Ｊａ、Ｊｂ … 第２層
Ｋ … 第３層
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 第１面
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 鉛直方向

Claims (12)

1. 第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、
   ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えて、第１混合液を準備する第１準備工程と、
   前記第１混合液を前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、
   を含む基板処理方法。
2. 第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、
   ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えて、第１溶液を準備する第２準備工程と、
   前記第１溶液とエッチング液とを前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、
   を含む基板処理方法。
3. 第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、
   エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２混合液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第１調整工程と、
   前記第１調整工程において調整された前記第２混合液を前記基板に供給し、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、
   を含む基板処理方法。
4. 第１層を含む基板を処理する基板処理方法であって、
   ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２溶液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第２調整工程と、
   前記第２調整工程において調整された前記第２溶液と、エッチング液とを、前記基板に供給して、前記第１層をエッチングするエッチング工程と、
   を含む基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記第１層は、シリコン酸化物を含み、
   前記エッチング液は、フッ化水素を含む
   基板処理方法。
6. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記基板は、さらに、
   前記第１層の組成と異なる組成を有する第２層と、
   前記第１層の組成と異なる組成を有する第３層と、
   を備え、
   前記第１層は、前記第２層と前記第３層の間に配置され、
   前記第２層は、前記第１層に接触しており、
   前記第３層は、前記第１層に接触しており、
   前記エッチング工程では、前記第２層および前記第３層のエッチングを抑えつつ、第１層がエッチングされる
   基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法において、
   前記第１層は、シリコン酸化物を含み、
   前記第２層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、
   前記第３層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、
   前記エッチング液は、フッ化水素を含む
   基板処理方法。
8. 第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、
   ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかをエッチング液に加えて、第１混合液を生成する第１生成ユニットと、
   前記第１混合液を前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第１供給部と、
   を備える基板処理装置。
9. 第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、
   ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを溶媒に加えて、第１溶液を生成する第２生成ユニットと、
   前記第１溶液とエッチング液とを前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第２供給部と、
   を備える基板処理装置。
10. 第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、
    エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２混合液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第１調整ユニットと、
    前記第１調整ユニットによって調整された前記第２混合液を前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第３供給部と、
    を備える基板処理装置。
11. 第１層を含む基板を処理する基板処理装置であって、
    ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第２溶液に、酸素およびオゾンの少なくともいずれかを添加する第２調整ユニットと、
    前記第２調整ユニットによって調整された前記第２溶液と、エッチング液とを、前記基板に供給して、前記第１層をエッチングする第４供給部と、
    を備える基板処理装置。
12. 第１層を含む基板を処理する基板処理液であって、
    前記第１層は、シリコン酸化物を含み、
    前記基板処理液は、エッチング液を含み、
    前記エッチング液は、フッ化水素を含み、
    前記基板処理液は、ヨウ素分子（Ｉ_２）および三ヨウ化物の少なくともいずれかを、前記エッチング液に加えることによって得られる基板処理液。

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