JP2024016703A - Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method - Google Patents

Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method Download PDF

Info

Publication number
JP2024016703A
JP2024016703A JP2022119010A JP2022119010A JP2024016703A JP 2024016703 A JP2024016703 A JP 2024016703A JP 2022119010 A JP2022119010 A JP 2022119010A JP 2022119010 A JP2022119010 A JP 2022119010A JP 2024016703 A JP2024016703 A JP 2024016703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
substrate
bevel
contact
cleaning surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022119010A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
克典 田中
良平 帆角
航 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022119010A priority Critical patent/JP2024016703A/en
Priority to PCT/JP2023/025415 priority patent/WO2024024474A1/en
Publication of JP2024016703A publication Critical patent/JP2024016703A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B08B1/32
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Abstract

【課題】 洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。【解決手段】 基板洗浄装置100は、基板Wを保持しつつ回転させる基板回転保持部と、基板回転保持部に保持された基板Wの第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第1の洗浄面を有する第1の洗浄ブラシと、基板回転保持部により回転される基板の第1のベベル領域に第1の洗浄面が接触する第1の接触状態と基板回転保持部により回転される基板の第1のベベル領域から第1の洗浄面が離間する第1の離間状態とに第1の洗浄ブラシを移行させるように構成された第1の駆動部と、予め定められた第1の条件が満たされた場合に、第1の接触状態における第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の接触位置が変更されるように第1の駆動部を制御する制御部60とを備える。【選択図】図1The present invention provides a substrate cleaning device and a substrate cleaning method that can reduce downtime due to cleaning brush replacement. SOLUTION: A substrate cleaning apparatus 100 includes a substrate rotation holder that holds and rotates a substrate W, and a first cleaning device that is inclined so as to be able to contact a first bevel area of the substrate W held by the substrate rotation holder. a first cleaning brush having a surface, a first contact state in which the first cleaning surface contacts a first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holder; a first driving section configured to move the first cleaning brush to a first separated state in which the first cleaning surface is separated from the first bevel region; and a first predetermined condition. and a control section 60 that controls the first drive section so that when the condition is satisfied, the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel region in the first contact state is changed. [Selection diagram] Figure 1

Description

本発明は、基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method.

基板処理装置においては、上面および下面における周縁にベベル部を有する基板が処理の対象になることがある。例えば、基板のベベル部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光ステージを汚染することになる。また、液浸液を用いて露光を行うような液浸露光装置において、基板のベベル部が汚染された状態で露光を行うと露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生する可能性がある。そこで、例えば、特許文献1に記載されるように、ベベル部を洗浄するための洗浄ブラシを有する基板洗浄装置が用いられている。また、基板に対して各種の成膜処理が行われており、その成膜処理の過程で基板のベベル部が汚染される場合もある。 In a substrate processing apparatus, a substrate having a beveled portion at the periphery of an upper surface and a lower surface may be processed. For example, if the substrate is subjected to exposure processing with the bevel portion of the substrate contaminated, the exposure stage will be contaminated. In addition, in an immersion exposure apparatus that uses immersion liquid for exposure, if exposure is performed with the bevel part of the substrate contaminated, the lens of the exposure apparatus will be contaminated, resulting in dimensional and shape defects in the exposed pattern. This may occur. Therefore, for example, as described in Patent Document 1, a substrate cleaning apparatus having a cleaning brush for cleaning the bevel portion is used. Further, various film formation processes are performed on the substrate, and the bevel portion of the substrate may become contaminated during the film formation process.

特許文献1に記載された洗浄ブラシは、鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、下ベベル洗浄面および上ベベル洗浄面を含む。基板のベベル部の洗浄においては、スピンチャックに保持および回転された基板の下面のベベル部に洗浄ブラシの下ベベル洗浄面が接触する。同様に、回転する基板の上面のベベル部に洗浄ブラシの上ベベル洗浄面が接触する。 The cleaning brush described in Patent Document 1 has a rotationally symmetrical shape with respect to a vertical axis, and includes a lower bevel cleaning surface and an upper bevel cleaning surface. In cleaning the bevel portion of the substrate, the lower bevel cleaning surface of the cleaning brush comes into contact with the bevel portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the spin chuck. Similarly, the upper bevel cleaning surface of the cleaning brush comes into contact with the bevel portion of the upper surface of the rotating substrate.

特開2009-032889号公報Japanese Patent Application Publication No. 2009-032889

しかしながら、洗浄ブラシが継続的に使用されると、基板のベベル部と洗浄ブラシのベベル洗浄面との摩擦によりベベル洗浄面に摩耗による溝が発生することがある。また、洗浄ブラシのベベル洗浄面が汚染する。そのため、定期的に洗浄ブラシの交換作業を実施する必要がある。洗浄ブラシの交換作業においては、洗浄ブラシの取り外し、洗浄ブラシの交換、交換後の洗浄ブラシに対するティーチング作業、洗浄ブラシのスタートアップおよび交換後の洗浄ブラシの動作のモニタチェック等を行う必要がある。そのため、基板処理装置の運用において、多大なダウンタイムが発生することになる。近年では、デバイスの生産量の拡大に伴い、基板処理におけるダウンタイムの削減が求められる。 However, if the cleaning brush is used continuously, grooves may be formed on the bevel cleaning surface due to friction between the bevel portion of the substrate and the bevel cleaning surface of the cleaning brush. Additionally, the beveled cleaning surface of the cleaning brush becomes contaminated. Therefore, it is necessary to periodically replace the cleaning brush. In the cleaning brush replacement work, it is necessary to remove the cleaning brush, replace the cleaning brush, teach the cleaning brush after replacement, start up the cleaning brush, and monitor and check the operation of the cleaning brush after replacement. Therefore, a large amount of downtime occurs in the operation of the substrate processing apparatus. In recent years, with the increase in device production, there is a need to reduce downtime in substrate processing.

本発明の目的は、洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method that can reduce downtime due to cleaning brush replacement.

(1)本発明の一局面に従う基板洗浄装置は、第1の主面を有するとともに第1の主面の周縁部に第1のベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持部と、基板回転保持部に保持された基板の第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第1の洗浄面を有する第1の洗浄ブラシと、基板回転保持部により回転される基板の第1のベベル領域に第1の洗浄面が接触する第1の接触状態と基板回転保持部により回転される基板の第1のベベル領域から第1の洗浄面が離間する第1の離間状態とに第1の洗浄ブラシを移行させるように構成された第1の駆動部と、予め定められた第1の条件が満たされた場合に、第1の接触状態における第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の接触位置が変更されるように第1の駆動部を制御する制御部とを備える。 (1) A substrate cleaning apparatus according to one aspect of the present invention is a substrate cleaning apparatus that cleans a substrate having a first main surface and a first bevel region at the peripheral edge of the first main surface, a first cleaning brush having a first cleaning surface inclined so as to be able to contact a first beveled area of the substrate held by the substrate rotation holding part; a first contact state in which the first cleaning surface is in contact with a first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding section; and a first contact state in which the first cleaning surface is separated from the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding section. a first drive unit configured to move the first cleaning brush to a first separated state in which the cleaning brush is moved to a first separated state; and a control section that controls the first drive section so that the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel region is changed.

(2)本発明の他の局面に従う基板洗浄方法は、主面を有するとともに主面の周縁部にベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄方法であって、複数の基板のうち一の基板を基板回転保持部により保持および回転させつつ一の基板のベベル領域に洗浄ブラシの傾斜した洗浄面を駆動部により接触させることを複数の基板について順次行うステップと、予め定められた条件が満たされた場合に、ベベル領域に対する洗浄面の接触位置が変更されるように駆動部を制御するステップとを含む。 (2) A substrate cleaning method according to another aspect of the present invention is a substrate cleaning method for cleaning a substrate having a main surface and a beveled region at the peripheral edge of the main surface, the method cleaning one substrate among a plurality of substrates. a step of sequentially bringing an inclined cleaning surface of a cleaning brush into contact with a beveled area of one substrate by a drive unit for a plurality of substrates while being held and rotated by a substrate rotation holding unit; and a step in which a predetermined condition is satisfied. controlling the drive so that the contact position of the cleaning surface with respect to the bevel region is changed when the cleaning surface is in contact with the bevel region.

本発明によれば、 洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能になる。 According to the present invention, downtime due to cleaning brush replacement can be reduced.

本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的側面図である。1 is a schematic side view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. 基板の周縁部の形状を説明するための模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the shape of the peripheral edge of the substrate. 基板の周縁部の洗浄時における基板および洗浄ブラシの状態を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the state of the substrate and the cleaning brush when cleaning the peripheral portion of the substrate. 基板の周縁部の洗浄時における基板および洗浄ブラシの状態を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the state of the substrate and the cleaning brush when cleaning the peripheral portion of the substrate. 洗浄時の洗浄ブラシの接触位置の変更例を示す図である。It is a figure which shows the example of a change of the contact position of a cleaning brush at the time of cleaning. 基板洗浄装置100の動作の一例を示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating an example of the operation of the substrate cleaning apparatus 100. 他の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的側面図である。FIG. 7 is a schematic side view of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment. 基板に対する複数の洗浄ブラシの洗浄例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of cleaning a substrate with a plurality of cleaning brushes.

以下、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法について図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板(半導体ウェハ)、液晶表示装置または有機EL(Electro Luminescence)表示装置等に用いられるFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下に説明する基板は、平面視でノッチの形成部分を除いて円形状を有する DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In the following description, substrates include semiconductor substrates (semiconductor wafers), FPD (Flat Panel Display) substrates used in liquid crystal display devices, organic EL (Electro Luminescence) display devices, etc., optical disk substrates, magnetic disk substrates, Refers to magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, etc. In addition, the substrate described below has a circular shape in plan view except for the notch formation part.

(1)基板洗浄装置
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置100の模式的側面図である。図1に示すように、基板洗浄装置100は、スピンチャック10、洗浄ブラシ20、アーム30、アーム駆動部40、ブラシ回転駆動部50、制御部60および表示部70を備える。
(1) Substrate Cleaning Apparatus FIG. 1 is a schematic side view of a substrate cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate cleaning apparatus 100 includes a spin chuck 10, a cleaning brush 20, an arm 30, an arm drive section 40, a brush rotation drive section 50, a control section 60, and a display section 70.

基板洗浄装置100においては、図示しない搬送ロボットにより基板Wが当該基板洗浄装置100内に搬入および搬出される。スピンチャック10は、保持部11およびチャック回転駆動部12を含む。搬送ロボットにより搬入された基板Wは、保持部11上に載置される。保持部11には、図示しない複数の吸気路が形成され、吸気路内が排気されることにより、基板Wの下面が保持部11に真空吸着する。それにより、保持部11は、基板Wを水平姿勢で保持する。保持部11には、接続部材を介してチャック回転駆動部12が接続される。チャック回転駆動部12は、例えば電動モータを含み、保持部11を回転可能に構成される。それにより、保持部11に水平姿勢で保持された基板Wが回転する。 In the substrate cleaning apparatus 100, the substrate W is carried in and out of the substrate cleaning apparatus 100 by a transport robot (not shown). The spin chuck 10 includes a holding section 11 and a chuck rotation drive section 12. The substrate W carried in by the transfer robot is placed on the holding section 11 . A plurality of air intake passages (not shown) are formed in the holding part 11 , and the lower surface of the substrate W is vacuum-adsorbed onto the holding part 11 by evacuating the inside of the air intake passage. Thereby, the holding unit 11 holds the substrate W in a horizontal position. A chuck rotation drive unit 12 is connected to the holding unit 11 via a connecting member. The chuck rotation drive section 12 includes, for example, an electric motor, and is configured to be able to rotate the holding section 11. As a result, the substrate W held in the holding section 11 in a horizontal position rotates.

保持部11の近傍には、下面洗浄ノズル13,14がそれぞれ設けられ、水平姿勢で保持された基板Wの下面に向けて洗浄液を供給する。保持部11の上方には、上面洗浄ノズル15が設けられ、水平姿勢で保持された基板Wの上面に向けて洗浄液を供給する。下面洗浄ノズル13,14および上面洗浄ノズル15から吐出された洗浄液は、基板Wの回転による遠心力によって外方に広がる。 Lower surface cleaning nozzles 13 and 14 are provided near the holding unit 11, respectively, and supply cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W held in a horizontal position. A top surface cleaning nozzle 15 is provided above the holding section 11, and supplies a cleaning liquid toward the top surface of the substrate W held in a horizontal position. The cleaning liquid discharged from the lower surface cleaning nozzles 13 and 14 and the upper surface cleaning nozzle 15 spreads outward due to the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W.

スピンチャック10の外方には、アーム30に支持された洗浄ブラシ20が配置される。洗浄ブラシ20の詳細は、後述する。アーム駆動部40は、例えば、アクチュエータを含み、アーム30に支持された洗浄ブラシ20を3次元的に移動可能に構成される。ブラシ回転駆動部50は、例えば電動モータを含み、アーム30に支持された洗浄ブラシ20を鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成される。本実施の形態においては、ブラシ回転駆動部50は、洗浄ブラシ20を保持部11に保持された基板Wが回転する方向と反対の方向に回転させる。この状態で、アーム駆動部40により、洗浄ブラシ20が水平方向に移動する。それにより、洗浄ブラシ20と回転する基板Wの周縁部とが接触することにより、基板Wの周縁部が洗浄される。 A cleaning brush 20 supported by an arm 30 is arranged outside the spin chuck 10. Details of the cleaning brush 20 will be described later. The arm drive unit 40 includes, for example, an actuator, and is configured to be able to move the cleaning brush 20 supported by the arm 30 three-dimensionally. The brush rotation drive unit 50 includes, for example, an electric motor, and is configured to be able to rotate the cleaning brush 20 supported by the arm 30 around a vertical axis. In the present embodiment, the brush rotation driving section 50 rotates the cleaning brush 20 in a direction opposite to the direction in which the substrate W held by the holding section 11 rotates. In this state, the arm drive section 40 moves the cleaning brush 20 in the horizontal direction. Thereby, the cleaning brush 20 and the peripheral edge of the rotating substrate W come into contact with each other, so that the peripheral edge of the substrate W is cleaned.

制御部60は、CPU(中央演算処理装置)、RAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM(リードオンリメモリ)および記憶装置等を含む。制御部60は、スピンチャック10およびアーム駆動部40の動作を制御する。制御部60の詳細は後述する。表示部70には、基板Wの洗浄に関する種々の情報が表示される。 The control unit 60 includes a CPU (central processing unit), a RAM (random access memory), a ROM (read only memory), a storage device, and the like. The control unit 60 controls the operations of the spin chuck 10 and the arm drive unit 40. Details of the control unit 60 will be described later. The display section 70 displays various information regarding cleaning of the substrate W.

図2は、基板Wの周縁部の形状を説明するための模式的断面図である。本実施の形態の基板洗浄装置100に搬入される基板Wの周縁部は、環状のベベル部Rを含む。ベベル部Rは、基板Wの上面WUに連続的につながるように傾斜する環状のベベル領域Aおよび基板Wの下面WDに連続的につながるように傾斜する環状のベベル領域Bを含む。鉛直方向の軸に対するベベル領域Aの傾斜角θ1と鉛直方向の軸に対するベベル領域Bの傾斜角θ2とは実質的に等しい。ベベル領域Aの幅方向の長さ(鉛直方向の断面における長さ)はLA1に設定され、ベベル領域Bの幅方向の長さ(鉛直方向の断面における長さ)はLB1に設定される。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the shape of the peripheral edge of the substrate W. The peripheral portion of the substrate W carried into the substrate cleaning apparatus 100 of this embodiment includes an annular bevel portion R. The bevel portion R includes an annular bevel region A that slopes so as to be continuously connected to the upper surface WU of the substrate W, and an annular bevel region B that slopes so as to continuously connect to the lower surface WD of the substrate W. The inclination angle θ1 of the bevel region A with respect to the vertical axis and the inclination angle θ2 of the bevel region B with respect to the vertical axis are substantially equal. The length of the bevel region A in the width direction (the length in the vertical cross section) is set to LA1, and the length of the bevel region B in the width direction (the length in the vertical cross section) is set to LB1.

図3および図4は、基板Wの周縁部の洗浄時における基板Wおよび洗浄ブラシ20の状態を示す図である。洗浄ブラシ20は、洗浄面21、洗浄面22および接続面23を含む。接続面23は、鉛直方向の軸心を有する円筒面である。洗浄ブラシ20は、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)により形成されるが、洗浄ブラシ20の材料はこれに限定されず、他の樹脂材料またはセラミックス材料等を用いることができる。 3 and 4 are diagrams showing the states of the substrate W and the cleaning brush 20 during cleaning of the peripheral portion of the substrate W. Cleaning brush 20 includes a cleaning surface 21 , a cleaning surface 22 and a connecting surface 23 . The connecting surface 23 is a cylindrical surface having a vertical axis. The cleaning brush 20 is made of polyvinyl alcohol (PVA), for example, but the material of the cleaning brush 20 is not limited thereto, and other resin materials, ceramic materials, or the like can be used.

図3に示すように、洗浄面21は、接続面23の上端から外方かつ斜め上方に傾斜して延びるテーパ形状を有する。鉛直方向の軸に対する洗浄ブラシ20の洗浄面21の傾斜角θ3は、基板Wのベベル領域Aの傾斜角θ1と実質的に等しくなるように設定される。それにより、基板Wの長さLA1のベベル領域Aと洗浄ブラシ20の洗浄面21とを当接させることが可能になる。基板Wのベベル部Rのうちベベル領域Aを洗浄する場合、洗浄ブラシ20の洗浄面21が基板Wのベベル領域Aと接触可能な高さに洗浄ブラシ20の高さがアーム駆動部40により調整される。その後、洗浄ブラシ20が基板Wの外方から水平方向に移動することにより、洗浄ブラシ20の洗浄面21が基板Wのベベル領域Aに接触する。それにより、基板Wのベベル領域Aが洗浄される。 As shown in FIG. 3, the cleaning surface 21 has a tapered shape that extends outward and obliquely upward from the upper end of the connection surface 23. The inclination angle θ3 of the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20 with respect to the vertical axis is set to be substantially equal to the inclination angle θ1 of the bevel area A of the substrate W. Thereby, it becomes possible to bring the bevel region A of the length LA1 of the substrate W into contact with the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20. When cleaning the bevel area A of the bevel portion R of the substrate W, the height of the cleaning brush 20 is adjusted by the arm drive unit 40 to a height where the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20 can come into contact with the bevel area A of the substrate W. be done. Thereafter, the cleaning brush 20 moves horizontally from outside the substrate W, so that the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20 comes into contact with the bevel area A of the substrate W. Thereby, the bevel area A of the substrate W is cleaned.

図4に示すように、洗浄面22は、接続面23の下端から外方かつ斜め下方に傾斜して延びるテーパ形状を有する。鉛直方向の軸に対する洗浄ブラシ20の洗浄面22の傾斜角θ4は、基板Wのベベル領域Bの傾斜角θ2と実質的に等しくなるように設定される。それにより、基板Wの長さLB1のベベル領域Bと洗浄ブラシ20の洗浄面22とを当接させることが可能になる。基板Wのベベル部Rのうちベベル領域Bを洗浄する場合、洗浄ブラシ20の洗浄面22が基板Wのベベル領域Bに接触可能な高さに洗浄ブラシ20の高さがアーム駆動部40により調整される。その後、洗浄ブラシ20が基板Wの外方から水平方向に移動することにより、洗浄ブラシ20の洗浄面22が基板Wのベベル領域Bに接触する。それにより、基板Wのベベル領域Bが洗浄される。 As shown in FIG. 4, the cleaning surface 22 has a tapered shape that extends outward and diagonally downward from the lower end of the connection surface 23. The inclination angle θ4 of the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20 with respect to the vertical axis is set to be substantially equal to the inclination angle θ2 of the bevel region B of the substrate W. Thereby, it becomes possible to bring the bevel region B of the length LB1 of the substrate W into contact with the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20. When cleaning the bevel region B of the bevel portion R of the substrate W, the height of the cleaning brush 20 is adjusted by the arm drive unit 40 to a height where the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20 can come into contact with the bevel region B of the substrate W. be done. Thereafter, the cleaning brush 20 moves horizontally from outside the substrate W, so that the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20 comes into contact with the bevel region B of the substrate W. Thereby, the bevel region B of the substrate W is cleaned.

ここで、洗浄ブラシ20の洗浄面21による基板Wのベベル領域Aの洗浄が繰り返し行われると、ベベル領域Aに対する洗浄面21の接触位置が汚染または摩耗する。また、洗浄ブラシ20の洗浄面22による基板Wのベベル領域Bの洗浄が繰り返し行われると、ベベル領域Bに対する洗浄面22の接触位置が汚染または摩耗する。洗浄面21または洗浄面22の汚染が洗浄により除去されない場合または洗浄面21または洗浄面22に摩耗による溝が形成された場合には、洗浄ブラシ20の寿命が到来したと判断され、洗浄ブラシ20の交換が必要になる。後述する動作例では、洗浄ブラシ20の寿命を長くすることが可能になる。 Here, when the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20 repeatedly cleans the bevel region A of the substrate W, the contact position of the cleaning surface 21 with respect to the bevel region A becomes contaminated or worn. Further, when the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20 repeatedly cleans the bevel region B of the substrate W, the contact position of the cleaning surface 22 with respect to the bevel region B becomes contaminated or worn. If contamination on the cleaning surface 21 or the cleaning surface 22 is not removed by cleaning, or if grooves are formed on the cleaning surface 21 or the cleaning surface 22 due to wear, it is determined that the cleaning brush 20 has reached the end of its life, and the cleaning brush 20 will need to be replaced. In the operation example described later, it is possible to extend the life of the cleaning brush 20.

(2)基板洗浄装置100の動作
前述したように、制御部60は、アーム駆動部40の動作を制御する。具体的には、制御部60は、基板Wのベベル部Rのベベル領域Aの洗浄時において、予め定められた第1の条件が満たされた場合、基板Wのベベル領域Aに対する洗浄ブラシ20の洗浄面21の接触位置が変更されるように、アーム駆動部40を制御する。同様に、制御部60は、基板Wのベベル部Rのベベル領域Bの洗浄時において、予め定められた第2の条件が満たされた場合、基板Wのベベル領域Bに対する洗浄ブラシ20の洗浄面22の接触位置が変更されるように、アーム駆動部40を制御する。
(2) Operation of the substrate cleaning apparatus 100 As described above, the control section 60 controls the operation of the arm drive section 40. Specifically, when cleaning the bevel area A of the bevel portion R of the substrate W, if a predetermined first condition is satisfied, the control unit 60 controls the cleaning brush 20 to clean the bevel area A of the substrate W. The arm drive unit 40 is controlled so that the contact position of the cleaning surface 21 is changed. Similarly, when cleaning the bevel region B of the bevel portion R of the substrate W, if a predetermined second condition is satisfied, the control unit 60 controls the cleaning surface of the cleaning brush 20 for the bevel region B of the substrate W. The arm driving section 40 is controlled so that the contact position of the arm 22 is changed.

上述した第1および第2の条件とは、ベベル領域A,Bに対する洗浄面21,22の接触に起因して生じ得る洗浄面21,22の汚染または摩耗に関連する第1および第2の因子が予め定められた判定値に到達したことを意味する。第1および第2の因子は、洗浄面21,22により洗浄された基板Wの数を含んでもよく、ベベル領域A,Bに対する洗浄面21,22の洗浄力(例えば、基板Wのベベル領域A,Bに対する洗浄面21,22の押圧力等)を含んでもよく、洗浄面21,22によるベベル領域A,Bの洗浄時間を含んでもよい。または、第1および第2の因子は、これらの複数の因子を含んでもよい。例えば、第1および第2の因子は、洗浄面21,22により洗浄された基板Wの数であってもよい。この場合、判定値は、洗浄面21,22の洗浄力に応じて定められてもよい。具体的には、洗浄力が大きい場合には、判定値は小さく設定され、洗浄力が小さい場合には、判定値は大きく設定される。 The above-mentioned first and second conditions are first and second factors related to contamination or wear of the cleaning surfaces 21 and 22 that may occur due to contact of the cleaning surfaces 21 and 22 with the bevel regions A and B. It means that has reached a predetermined judgment value. The first and second factors may include the number of substrates W cleaned by the cleaning surfaces 21, 22, and the cleaning power of the cleaning surfaces 21, 22 with respect to the bevel areas A, B (for example, the cleaning power of the cleaning surfaces 21, 22 on the bevel areas A, B of the substrate W). , B of the cleaning surfaces 21, 22, etc.), and may also include the cleaning time of the bevel areas A, B by the cleaning surfaces 21, 22. Alternatively, the first and second factors may include multiple factors. For example, the first and second factors may be the number of substrates W cleaned by the cleaning surfaces 21 and 22. In this case, the determination value may be determined depending on the cleaning power of the cleaning surfaces 21 and 22. Specifically, when the cleaning power is high, the determination value is set small, and when the cleaning power is low, the determination value is set large.

本実施の形態においては、第1および第2の因子は、洗浄面21,22により洗浄された基板Wの数である。換言すれば、第1および第2の条件は、洗浄面21,22において洗浄された基板Wの数が判定値に到達したか否かである。判定値は、例えば1000枚であるが、これに限定されない。 In this embodiment, the first and second factors are the number of substrates W cleaned by the cleaning surfaces 21 and 22. In other words, the first and second conditions are whether the number of substrates W cleaned on the cleaning surfaces 21 and 22 has reached the determination value. The determination value is, for example, 1000 sheets, but is not limited to this.

図5は、洗浄時の洗浄ブラシ20の接触位置の変更例を示す図である。図6は、基板洗浄装置100の動作の一例を示すフローチャートである。図5に示すように、洗浄面21にベベル領域Aの長さLA1に対応する複数の位置が設定され、洗浄面22に、ベベル領域Bの長さLB1に対応する複数の位置が設定される。図5の例では、洗浄面21に下方から接触位置la1,la2,la3がこの順に設定され、洗浄面22に下方から接触位置lb1,lb2,lb3がこの順に設定される。接触位置la1,la2,la3の各々は、ベベル領域Aの長さLA1以上の長さを有する領域の位置である。接触位置lb1,lb2,lb3の各々は、ベベル領域Bの長さLB1以上の長さを有する領域の位置である。 FIG. 5 is a diagram showing an example of changing the contact position of the cleaning brush 20 during cleaning. FIG. 6 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate cleaning apparatus 100. As shown in FIG. 5, a plurality of positions corresponding to the length LA1 of the bevel area A are set on the cleaning surface 21, and a plurality of positions corresponding to the length LB1 of the bevel area B are set on the cleaning surface 22. . In the example of FIG. 5, contact positions la1, la2, and la3 are set in this order on the cleaning surface 21 from below, and contact positions lb1, lb2, and lb3 are set in this order on the cleaning surface 22 from below. Each of the contact positions la1, la2, and la3 is a position of an area having a length equal to or greater than the length LA1 of the bevel area A. Each of the contact positions lb1, lb2, and lb3 is a position of an area having a length equal to or greater than the length LB1 of the bevel area B.

本実施の形態において、基板Wのベベル領域Aに対する洗浄ブラシ20の洗浄面21の接触位置は、接触位置la1,la2,la3の順に下方から上方へ変更される。また、基板Wのベベル領域Bに対する洗浄ブラシ20の洗浄面22の接触位置は、接触位置lb1,lb2,lb3の順に下方から上方へ変更される。洗浄面21,22における接触位置の数は、洗浄ブラシ20の種類に応じて決定される。本実施の形態において、洗浄ブラシ20の種類による洗浄面21,22における接触位置の数は、制御部60に予め記憶されている。 In this embodiment, the contact position of the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20 with respect to the bevel area A of the substrate W is changed from lower to upper in the order of contact positions la1, la2, and la3. Further, the contact position of the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20 with respect to the bevel area B of the substrate W is changed from lower to upper in the order of contact positions lb1, lb2, and lb3. The number of contact positions on the cleaning surfaces 21 and 22 is determined depending on the type of cleaning brush 20. In this embodiment, the number of contact positions on the cleaning surfaces 21 and 22 depending on the type of cleaning brush 20 is stored in advance in the control unit 60.

まず、制御部60は、予め記憶された洗浄面21,22の各々における接触位置の数k(kは、2以上の整数)を取得する(図6のステップS1)。次に、制御部60は、変数nを1に設定する(ステップS2)。図1のスピンチャック10は、搬入された基板Wを保持する。次に、アーム駆動部40は、洗浄面22に設定された接触位置lbnに基板Wのベベル領域Bが接触可能になるように、洗浄ブラシ20の高さを調整する(ステップS3)。ここで、下面洗浄ノズル13,14により、基板Wの下面に洗浄液が供給される。この状態で、アーム駆動部40が洗浄面22の接触位置lbnと基板Wのベベル領域Bとが接触するように洗浄ブラシ20を水平面内で移動させる。それにより、洗浄ブラシ20が洗浄面22の接触位置lbnで基板Wのベベル領域Bを洗浄する(ステップS4)。 First, the control unit 60 acquires the number k (k is an integer of 2 or more) of contact positions on each of the cleaning surfaces 21 and 22 stored in advance (step S1 in FIG. 6). Next, the control unit 60 sets a variable n to 1 (step S2). The spin chuck 10 in FIG. 1 holds the loaded substrate W. Next, the arm drive unit 40 adjusts the height of the cleaning brush 20 so that the bevel region B of the substrate W can come into contact with the contact position lbn set on the cleaning surface 22 (step S3). Here, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the substrate W by the lower surface cleaning nozzles 13 and 14 . In this state, the arm drive unit 40 moves the cleaning brush 20 within the horizontal plane so that the contact position lbn of the cleaning surface 22 and the bevel region B of the substrate W come into contact. Thereby, the cleaning brush 20 cleans the bevel region B of the substrate W at the contact position lbn of the cleaning surface 22 (step S4).

続いて、アーム駆動部40は、洗浄面21に設定された接触位置lanに基板Wのベベル領域Aが接触可能になるように、洗浄ブラシ20の高さを調整する(ステップS5)。ここで、上面洗浄ノズル15により、基板Wの上面に洗浄液が供給される。この状態で、アーム駆動部40が洗浄面21の接触位置lanと基板Wのベベル領域Aとが接触するように洗浄ブラシ20を水平面内で移動させる。それにより、洗浄ブラシ20は、洗浄面21の接触位置lanで基板Wのベベル領域Aを洗浄する(ステップS6)。 Subsequently, the arm drive unit 40 adjusts the height of the cleaning brush 20 so that the bevel area A of the substrate W can come into contact with the contact position lan set on the cleaning surface 21 (step S5). Here, the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the substrate W by the upper surface cleaning nozzle 15 . In this state, the arm drive unit 40 moves the cleaning brush 20 within the horizontal plane so that the contact position lan of the cleaning surface 21 and the bevel area A of the substrate W come into contact. Thereby, the cleaning brush 20 cleans the bevel area A of the substrate W at the contact position lan of the cleaning surface 21 (step S6).

その後、種々の工程を経てスピンチャック10の基板Wの保持が解除されるとともに、基板Wが搬送ロボットにより搬出される。制御部60は、洗浄面21,22の接触位置lbn,lanで洗浄された基板Wの数が予め定められた数に到達したか否かを判定する(ステップS8)。接触位置lbn,lanで洗浄された基板Wの数が予め定められた数に到達していない場合、制御部60は、ステップS3に戻る。それにより、他の基板Wに対する洗浄が行われる。 Thereafter, through various steps, the holding of the substrate W by the spin chuck 10 is released, and the substrate W is carried out by the transfer robot. The control unit 60 determines whether the number of substrates W cleaned at the contact positions lbn, lan of the cleaning surfaces 21, 22 has reached a predetermined number (step S8). If the number of substrates W cleaned at the contact position lbn, lan has not reached the predetermined number, the control unit 60 returns to step S3. As a result, other substrates W are cleaned.

接触位置lbn,lanで洗浄された基板Wの数が予め定められた数に到達した場合、制御部60は変数nに1を加算する(ステップS9)。ここで、制御部60は、変数nが洗浄面21,22の各々における接触位置の数kよりも大きいか否かを判定する(ステップS10)。変数nが接触位置の数k以下である場合、制御部60はステップS3に戻る。それにより、洗浄ブラシ20の洗浄面21,22における次の接触位置lbn,lan(本実施の形態では、変更前より上方の接触位置)で基板Wのベベル領域A,Bの洗浄が行われる。変数nが接触位置の数kよりも大きい場合、制御部60は、表示部70に洗浄ブラシ20の交換時期であることを表示させる(ステップS11)。 When the number of substrates W cleaned at the contact position lbn, lan reaches a predetermined number, the control unit 60 adds 1 to the variable n (step S9). Here, the control unit 60 determines whether the variable n is larger than the number k of contact positions on each of the cleaning surfaces 21 and 22 (step S10). If the variable n is less than or equal to the number k of contact positions, the control unit 60 returns to step S3. As a result, the bevel areas A and B of the substrate W are cleaned at the next contact position lbn, lan (in this embodiment, a contact position higher than before the change) on the cleaning surfaces 21 and 22 of the cleaning brush 20. If the variable n is larger than the number k of contact positions, the control unit 60 causes the display unit 70 to display that it is time to replace the cleaning brush 20 (step S11).

(3)実施の形態の効果
上記実施の形態の基板洗浄装置100によれば、洗浄面21,22における各接触位置で洗浄された基板Wの数が予め定められた判定値に到達すると、ベベル領域A,Bに対する洗浄面21,22の接触位置が変更される。この場合、洗浄面21,22の汚染および摩耗していない領域でベベル領域A,Bの洗浄を行うことができる。それにより、洗浄ブラシ20の寿命を向上させることができる。その結果、基板洗浄装置100内において、洗浄ブラシ20の交換頻度を低減することが可能になる。
(3) Effects of Embodiment According to the substrate cleaning apparatus 100 of the embodiment described above, when the number of substrates W cleaned at each contact position on the cleaning surfaces 21 and 22 reaches a predetermined determination value, the bevel The contact positions of cleaning surfaces 21 and 22 with respect to areas A and B are changed. In this case, the bevel areas A and B can be cleaned in areas of the cleaning surfaces 21 and 22 that are not contaminated or worn. Thereby, the life of the cleaning brush 20 can be improved. As a result, it becomes possible to reduce the frequency of replacing the cleaning brush 20 in the substrate cleaning apparatus 100.

また、基板Wのベベル領域A,Bに対する洗浄ブラシ20の洗浄面21,22の接触位置は、下方から上方に向かって変更される。それにより、変更前の接触位置に汚染物または摩耗により生じたパーティクルが付着しても、汚染物またはパーティクルが変更後の接触位置に接触する基板W上に落下することが防止される。したがって、ベベル領域A,Bを清浄に洗浄することが可能になる。 Further, the contact positions of the cleaning surfaces 21 and 22 of the cleaning brush 20 with respect to the bevel areas A and B of the substrate W are changed from the bottom to the top. Thereby, even if contaminants or particles caused by wear adhere to the contact position before the change, the contaminants or particles are prevented from falling onto the substrate W that comes into contact with the contact position after the change. Therefore, it becomes possible to clean the bevel areas A and B.

基板Wのベベル領域A,Bに対する洗浄ブラシ20の洗浄面21,22の接触位置の変更は、洗浄面21,22において洗浄された基板Wの数が予め定められた判定値に到達したか否かにより設定される。それにより、洗浄面21,22の汚染または摩耗の程度に応じて、ベベル領域A,Bの洗浄が不十分となる前に、洗浄面21,22の接触領域を変更することができる。その結果、洗浄面21,22によるベベル領域A,Bの洗浄能力を長い期間にわたって一定に維持することが可能になる。 The contact position of the cleaning surfaces 21 and 22 of the cleaning brush 20 with respect to the bevel areas A and B of the substrate W is changed depending on whether the number of substrates W cleaned on the cleaning surfaces 21 and 22 has reached a predetermined determination value. It is set depending on the Thereby, depending on the degree of contamination or wear of the cleaning surfaces 21, 22, the contact areas of the cleaning surfaces 21, 22 can be changed before the bevel areas A, B become insufficiently cleaned. As a result, it becomes possible to maintain the cleaning ability of the bevel regions A and B by the cleaning surfaces 21 and 22 constant over a long period of time.

(4)他の実施の形態
(4-1)上記実施の形態においては、単一の洗浄ブラシ20により基板Wのベベル領域A,Bが洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。図7は、他の実施の形態に係る基板洗浄装置100aの模式的側面図である。図7に示すように基板洗浄装置100aは、洗浄ブラシ20a、アーム30a、アーム駆動部40aおよびブラシ回転駆動部50aをさらに備える。図7の例では、洗浄ブラシ20aは、基板Wを挟んで洗浄ブラシ20に対向するように設けられる。洗浄ブラシ20aの構成は、洗浄ブラシ20の構成と同様である。洗浄ブラシ20aは、洗浄ブラシ20と同様に、基板Wのベベル領域A,Bの傾斜に対応する洗浄面21a,22aを含む。また、洗浄ブラシ20a、アーム30a、アーム駆動部40aおよびブラシ回転駆動部50aの動作は、図1の基板洗浄装置100の洗浄ブラシ20、アーム30、アーム駆動部40およびブラシ回転駆動部50の動作と同様である。
(4) Other Embodiments (4-1) In the above embodiment, the bevel areas A and B of the substrate W are cleaned by the single cleaning brush 20, but the present invention is not limited thereto. FIG. 7 is a schematic side view of a substrate cleaning apparatus 100a according to another embodiment. As shown in FIG. 7, the substrate cleaning apparatus 100a further includes a cleaning brush 20a, an arm 30a, an arm drive section 40a, and a brush rotation drive section 50a. In the example of FIG. 7, the cleaning brush 20a is provided so as to face the cleaning brush 20 with the substrate W in between. The configuration of the cleaning brush 20a is similar to that of the cleaning brush 20. Like the cleaning brush 20, the cleaning brush 20a includes cleaning surfaces 21a and 22a corresponding to the slopes of the bevel regions A and B of the substrate W. Further, the operations of the cleaning brush 20a, arm 30a, arm drive unit 40a, and brush rotation drive unit 50a are the same as the operations of the cleaning brush 20, arm 30, arm drive unit 40, and brush rotation drive unit 50 of the substrate cleaning apparatus 100 in FIG. It is similar to

図8は、基板Wに対する複数の洗浄ブラシ20,20aの洗浄例を示す図である。予め定められた第3の条件が満たされた場合、基板Wのベベル領域Aに対する洗浄ブラシ20aの洗浄面21aの下方から上方に向かって接触位置が変更され、予め定められた第4の条件が満たされた場合、基板Wの第2のベベル領域Bに対する洗浄ブラシ20aの洗浄面22aの接触位置が下方から上方に向かって変更される。第3および第4の条件は、第1および第2の条件と同様に設定される。本例では、第3および第4の条件は、洗浄面21a,22aにおける各接触位置で洗浄された基板Wの数が予め定められた判定値に到達したことである。第3および第4の条件が洗浄面21a,22aにおける各接触位置での洗浄時間が判定値に達したことであってもよい。また、第3および第4の条件に対応する判定値がベベル領域A,Bに対する洗浄面21,22の洗浄力に基づいて設定されてもよい。 FIG. 8 is a diagram showing an example of cleaning the substrate W using the plurality of cleaning brushes 20, 20a. When the third predetermined condition is satisfied, the contact position of the cleaning surface 21a of the cleaning brush 20a with respect to the bevel area A of the substrate W is changed from below to above, and the fourth predetermined condition is satisfied. When it is filled, the contact position of the cleaning surface 22a of the cleaning brush 20a with respect to the second bevel region B of the substrate W is changed from below to above. The third and fourth conditions are set similarly to the first and second conditions. In this example, the third and fourth conditions are that the number of substrates W cleaned at each contact position on the cleaning surfaces 21a and 22a has reached a predetermined determination value. The third and fourth conditions may be that the cleaning time at each contact position on the cleaning surfaces 21a, 22a reaches a determination value. Furthermore, the determination values corresponding to the third and fourth conditions may be set based on the cleaning power of the cleaning surfaces 21 and 22 for the bevel areas A and B.

図8に示すように、本例では、洗浄ブラシ20の洗浄面22によりベベル領域Bが洗浄されているときに、洗浄ブラシ20aの洗浄面21aによりベベル領域Aが洗浄される。また、洗浄ブラシ20の洗浄面21によりベベル領域Aが洗浄されているときに、洗浄ブラシ20aの洗浄面22aによりベベル領域Bが洗浄される。それにより、基板Wのベベル領域A,Bを短時間で洗浄することが可能になる。 As shown in FIG. 8, in this example, while the bevel area B is being cleaned by the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20, the bevel area A is being cleaned by the cleaning surface 21a of the cleaning brush 20a. Furthermore, while the bevel area A is being cleaned by the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20, the bevel area B is being cleaned by the cleaning surface 22a of the cleaning brush 20a. Thereby, it becomes possible to clean the bevel regions A and B of the substrate W in a short time.

なお、図7の基板洗浄装置100aにおいては、洗浄ブラシ20の洗浄面22によりベベル領域Bが洗浄されているときに、洗浄ブラシ20aの洗浄面22aによりベベル領域Bが補助的に洗浄されてもよく、洗浄ブラシ20洗浄面21によりベベル領域Aが洗浄されているときに、洗浄ブラシ20aの洗浄面21aによりベベル領域Aが補助的に洗浄されてもよい。それにより、基板Wのベベル領域A,Bの清浄度を短時間で向上させることが可能になる。 In the substrate cleaning apparatus 100a of FIG. 7, when the bevel area B is being cleaned by the cleaning surface 22 of the cleaning brush 20, even if the bevel area B is being auxiliary cleaned by the cleaning surface 22a of the cleaning brush 20a. Often, when the bevel area A is being cleaned by the cleaning surface 21 of the cleaning brush 20, the bevel area A may be additionally cleaned by the cleaning surface 21a of the cleaning brush 20a. Thereby, it becomes possible to improve the cleanliness of the bevel regions A and B of the substrate W in a short time.

また、基板Wのベベル領域A,Bの洗浄については、洗浄ブラシ20,20aのいずれか一方が使用されてもよく、洗浄ブラシ20,20aのいずれか一方の交換時期の到来後に洗浄ブラシ20,20aの他方が用いられてもよい。それにより、洗浄ブラシ20,20aの交換によるダウンタイムの十分な削減が可能になる。 Further, for cleaning the bevel areas A and B of the substrate W, either one of the cleaning brushes 20 and 20a may be used, and after the replacement time for either one of the cleaning brushes 20 and 20a comes, 20a may be used. This makes it possible to sufficiently reduce downtime due to replacement of the cleaning brushes 20, 20a.

(4-2)上記実施の形態においては、洗浄ブラシ20,20aは、基板Wのベベル領域A,Bに対応する洗浄面21,22を含むが、本発明はこれに限定されない。洗浄ブラシ20は、基板Wのベベル領域A,Bのいずれか一方に対応する洗浄面のみを有していてもよい。同様に、洗浄ブラシ20aは、基板Wのベベル領域A,Bのいずれか一方に対応する洗浄面のみを有していてもよい。 (4-2) In the above embodiment, the cleaning brushes 20, 20a include the cleaning surfaces 21, 22 corresponding to the bevel areas A, B of the substrate W, but the present invention is not limited thereto. The cleaning brush 20 may have only a cleaning surface corresponding to one of the bevel areas A and B of the substrate W. Similarly, the cleaning brush 20a may have only a cleaning surface corresponding to one of the bevel areas A and B of the substrate W.

(4-3)上記実施の形態においては、第1および第2の条件は、同一の条件に設定されているが、本発明はこれに限定されない。第1および第2の条件は、互いに異なる条件に設定されてもよい。同様に、第3および第4の条件は、互いに異なる条件に設定されてもよい。さらに、第1~第4の条件は、互いに異なる条件に設定されてもよい。 (4-3) In the above embodiment, the first and second conditions are set to be the same, but the present invention is not limited to this. The first and second conditions may be set to different conditions. Similarly, the third and fourth conditions may be set to different conditions. Furthermore, the first to fourth conditions may be set to different conditions.

(5)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、基板Wの上面WUおよび下面WDのいずれか一方が第1の主面の例であり、基板Wの上面WUおよび下面WDの他方が第2の主面の例であり、スピンチャック10が基板回転保持部の例であり、洗浄ブラシ20が第1の洗浄ブラシの例であり、アーム駆動部40が第1の駆動部の例である。また、洗浄面21,22のいずれか一方が第1の洗浄面の例であり、洗浄面21,22の他方が第2の洗浄面の例であり、洗浄面21a,21bのいずれか一方が第3の洗浄面の例であり、洗浄面21a,21bの他方が第4の洗浄面の例である。また、洗浄ブラシ20aが第2の洗浄ブラシの例であり、アーム駆動部40aが第2の駆動部の例である。
(5) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment Below, an example of the correspondence between each component of the claim and each element of the embodiment will be described. In the above embodiment, one of the upper surface WU and the lower surface WD of the substrate W is an example of the first main surface, and the other of the upper surface WU and the lower surface WD of the substrate W is an example of the second main surface, The spin chuck 10 is an example of a substrate rotation holding section, the cleaning brush 20 is an example of a first cleaning brush, and the arm drive section 40 is an example of a first drive section. Further, one of the cleaning surfaces 21 and 22 is an example of the first cleaning surface, the other of the cleaning surfaces 21 and 22 is an example of the second cleaning surface, and one of the cleaning surfaces 21a and 21b is an example of the first cleaning surface. This is an example of the third cleaning surface, and the other of the cleaning surfaces 21a and 21b is an example of the fourth cleaning surface. Furthermore, the cleaning brush 20a is an example of a second cleaning brush, and the arm drive section 40a is an example of a second drive section.

(6)実施の形態の総括
(第1項)一態様に係る基板洗浄装置は、第1の主面を有するとともに前記第1の主面の周縁部に第1のベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持部と、
前記基板回転保持部に保持された基板の前記第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第1の洗浄面を有する第1の洗浄ブラシと、
前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域に前記第1の洗浄面が接触する第1の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域から前記第1の洗浄面が離間する第1の離間状態とに前記第1の洗浄ブラシを移行させるように構成された第1の駆動部と、
予め定められた第1の条件が満たされた場合に、前記第1の接触状態における前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第1の駆動部を制御する制御部とを備える。
(6) Summary of Embodiments (Section 1) A substrate cleaning apparatus according to one aspect cleans a substrate that has a first main surface and a first bevel region at the periphery of the first main surface. A substrate cleaning device, comprising:
a substrate rotation holding unit that rotates the substrate while holding it;
a first cleaning brush having a first cleaning surface inclined so as to be able to contact the first bevel region of the substrate held by the substrate rotation holding unit;
a first contact state in which the first cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit; and a first bevel area of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit. a first driving unit configured to move the first cleaning brush from a state to a first separated state in which the first cleaning surface is separated;
the first drive unit such that the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel region in the first contact state is changed when a predetermined first condition is satisfied; and a control section that controls the.

第1項に記載の基板洗浄装置によれば、第1の駆動部により第1の洗浄ブラシが第1の接触状態と第1の離間状態とに移行される。第1の接触状態では、回転される基板の第1のベベル領域に第1の洗浄ブラシの第1の洗浄面が接触する。それにより、基板の第1のベベル領域が洗浄される。第1の洗浄面による第1のベベル領域の洗浄が繰り返し行われると、第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の接触位置が汚染または摩耗する。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 1, the first cleaning brush is moved between the first contact state and the first separated state by the first driving section. In the first contact state, the first cleaning surface of the first cleaning brush contacts the first beveled area of the rotated substrate. Thereby, the first beveled area of the substrate is cleaned. Repeated cleaning of the first bevel area by the first cleaning surface may result in contamination or wear of the contact location of the first cleaning surface with respect to the first bevel area.

上記の構成によれば、予め定められた第1の条件が満たされた場合、第1の接触状態における第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の接触位置が変更される。この場合、洗浄面の汚染および摩耗していない領域で第1のベベル領域の洗浄を行うことができる。それにより、第1の洗浄ブラシの寿命を向上させることができるので、第1の洗浄ブラシの交換頻度を低減することができる。その結果、第1の洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能になる。 According to the above configuration, when the predetermined first condition is satisfied, the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel region in the first contact state is changed. In this case, cleaning of the first bevel area can be carried out in areas of the cleaning surface that are free from contamination and wear. Thereby, the lifespan of the first cleaning brush can be increased, and the frequency of replacing the first cleaning brush can be reduced. As a result, downtime due to replacement of the first cleaning brush can be reduced.

(第2項)第1項に記載の基板洗浄装置において、前記制御部は、前記第1の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように前記第1の駆動部を制御してもよい。 (Section 2) In the substrate cleaning apparatus according to Item 1, when the first condition is satisfied, the control unit controls the cleaning surface after changing the first cleaning surface with respect to the first bevel region. The first drive unit may be controlled so that the contact position is higher than the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area before the change.

第2項に記載の基板洗浄装置によれば、第1の洗浄面の変更前の接触位置に汚染物または摩耗により生じたパーティクルが付着しても、汚染物またはパーティクルが変更後の第1の洗浄面の変更後の接触位置に接触する基板上に落下することが防止される。それにより、第1の洗浄面の接触位置の変更後に、変更後の接触位置を清浄に保つことができる。したがって、基板の第1のベベル領域を清浄に洗浄することができる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 2, even if contaminants or particles caused by wear adhere to the contact position of the first cleaning surface before the change, the contaminants or particles will be removed from the first cleaning surface after the change. This prevents the cleaning surface from falling onto the substrate that comes into contact with the changed contact position. Thereby, after changing the contact position of the first cleaning surface, the changed contact position can be kept clean. Therefore, the first bevel region of the substrate can be cleaned.

(第3項)第1項または第2項に記載の基板洗浄装置において、前記第1の条件は、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の接触に起因して生じ得る前記第1の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第1の因子が予め定められた値に達したことを含んでもよい。 (Section 3) In the substrate cleaning apparatus according to Item 1 or 2, the first condition may occur due to contact of the first cleaning surface with the first bevel region. The first factor associated with contamination or wear of one cleaning surface has reached a predetermined value.

第3項に記載の基板洗浄装置によれば、第1の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第1の因子に基づいて、第1の洗浄面の接触位置が変更される。それにより、第1の洗浄面の接触位置の汚染または摩耗により第1のベベル領域の洗浄が不十分となる前に、第1の洗浄面の接触領域を変更することができる。それにより、第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の洗浄能力を維持することが可能になる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 3, the contact position of the first cleaning surface is changed based on the first factor related to contamination or wear of the first cleaning surface. Thereby, the contact area of the first cleaning surface can be changed before the first bevel area becomes insufficiently cleaned due to contamination or wear of the contact location of the first cleaning surface. Thereby, it is possible to maintain the cleaning ability of the first cleaning surface for the first bevel area.

(第4項)第3項に記載の基板洗浄装置において、前記第1の因子は、前記第1の洗浄面により洗浄された基板の数、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の洗浄力および前記第1の洗浄面による前記第1のベベル領域の洗浄時間のうち少なくとも1つを含んでもよい。 (Section 4) In the substrate cleaning apparatus according to Item 3, the first factor includes the number of substrates cleaned by the first cleaning surface, the number of substrates cleaned by the first cleaning surface, and the number of substrates cleaned by the first cleaning surface with respect to the first bevel area. and a cleaning time of the first bevel region by the first cleaning surface.

第4項に記載の基板洗浄装置によれば、第1の洗浄面により洗浄された基板の数、第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の洗浄力または第1の洗浄面による第1のベベル領域の洗浄時間に基づいて、第1の洗浄面の接触位置が変更される。それにより、第1の洗浄面の汚染または摩耗の程度に応じて、第1のベベル領域の洗浄が不十分となる前に、第1の洗浄面の接触領域を変更することができる。その結果、第1の洗浄面による第1のベベル領域の洗浄能力を長い期間にわたって一定に維持することが可能になる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 4, the number of substrates cleaned by the first cleaning surface, the cleaning power of the first cleaning surface with respect to the first bevel area, or the number of substrates cleaned by the first cleaning surface, The contact position of the first cleaning surface is changed based on the cleaning time of the bevel area. Thereby, depending on the degree of contamination or wear of the first cleaning surface, the contact area of the first cleaning surface can be changed before the cleaning of the first bevel area becomes insufficient. As a result, it becomes possible to maintain the cleaning ability of the first bevel area by the first cleaning surface constant over a long period of time.

(第5項)第4項に記載の基板洗浄装置において、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の洗浄力は、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の押圧力を含んでもよい。 (Section 5) In the substrate cleaning apparatus according to Item 4, the cleaning power of the first cleaning surface with respect to the first bevel region is the pressing force of the first cleaning surface with respect to the first bevel region. May include.

第5項に記載の基板洗浄装置によれば、第1のベベル領域に対する第1の洗浄面の押圧力に基づいて、第1のベベル領域に対する洗浄面の接触位置を変更することができる。それにより、第1の洗浄面の摩耗により生じる溝が洗浄能力を低下させる前に、第1の洗浄面の接触板を変更することができる。その結果、第1の洗浄面による第1のベベル領域の洗浄能力をより長い期間にわたって一定に維持することが可能になる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 5, the contact position of the cleaning surface with respect to the first bevel region can be changed based on the pressing force of the first cleaning surface with respect to the first bevel region. Thereby, the contact plate of the first cleaning surface can be changed before grooves caused by wear of the first cleaning surface reduce the cleaning performance. As a result, it becomes possible to maintain the cleaning ability of the first bevel area by the first cleaning surface constant over a longer period of time.

(第6項)第1項~第5項に記載の基板洗浄装置において、
基板は、前記第1の主面と反対側の第2の主面を有するとともに前記第2の主面の周縁部に第2のベベル領域を有し、
前記第1の洗浄ブラシは、前記基板回転保持部に保持された基板の前記第2のベベル領域に接触可能に傾斜した第2の洗浄面を有し、
前記第1の駆動部は、前記基板回転保持部より回転される基板の前記第2のベベル領域に前記第2の洗浄面が接触する第2の接触状態と前記基板回転保持部より回転される基板の前記第2のベベル領域から前記第2の洗浄面が離間する第2の離間状態とに前記第1の洗浄ブラシを移行させるように構成され、
前記制御部は、予め定められた第2の条件が満たされた場合に、前記第2の接触状態における前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第1の駆動部を制御してもよい。
(Section 6) In the substrate cleaning apparatus described in Items 1 to 5,
The substrate has a second main surface opposite to the first main surface and a second bevel region at a peripheral edge of the second main surface,
The first cleaning brush has a second cleaning surface inclined so as to be able to contact the second bevel region of the substrate held by the substrate rotation holding unit,
The first driving section has a second contact state in which the second cleaning surface contacts the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holding section, and a second contact state in which the second cleaning surface contacts the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holding section. configured to transition the first cleaning brush to a second separated state in which the second cleaning surface is separated from the second beveled area of the substrate;
The control unit is configured to change the contact position of the second cleaning surface with respect to the second bevel region in the second contact state when a predetermined second condition is satisfied. The first drive unit may also be controlled.

第6項に記載の基板洗浄装置によれば、第2の駆動部により第1の洗浄ブラシが第2の接触状態と第2の離間状態とに移行される。第2の接触状態では、回転される基板の第2のベベル領域に第1の洗浄ブラシの第2の洗浄面が接触する。それにより、基板の第2のベベル領域が洗浄される。第2の洗浄面による第2のベベル領域の洗浄が繰り返し行われると、第2のベベル領域に対する第2の洗浄面の接触位置が汚染または摩耗する。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 6, the first cleaning brush is moved between the second contact state and the second separated state by the second drive unit. In the second contact state, the second cleaning surface of the first cleaning brush contacts the second beveled area of the rotated substrate. Thereby, the second beveled area of the substrate is cleaned. Repeated cleaning of the second bevel area by the second cleaning surface may result in contamination or wear of the contact location of the second cleaning surface with respect to the second bevel area.

上記の構成によれば、予め定められた第2の条件が満たされた場合、第2の接触状態における第2のベベル領域に対する第2の洗浄面の接触位置が変更される。この場合、洗浄面の汚染および摩耗していない領域で第2のベベル領域の洗浄を行うことができる。この場合、基板の第1および第2のベベル領域の洗浄を行いつつ、第1の洗浄ブラシの寿命を向上させることができるので、第1の洗浄ブラシの交換頻度を低減することができる。その結果、第1の洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能になる。 According to the above configuration, when the predetermined second condition is satisfied, the contact position of the second cleaning surface with respect to the second bevel region in the second contact state is changed. In this case, the cleaning of the second bevel area can be carried out in areas that are free from contamination and wear of the cleaning surface. In this case, it is possible to improve the life of the first cleaning brush while cleaning the first and second bevel regions of the substrate, so that the frequency of replacing the first cleaning brush can be reduced. As a result, downtime due to replacement of the first cleaning brush can be reduced.

(第7項)第6項に記載の基板洗浄装置において、
前記制御部は、前記第2の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように前記第1の駆動部を制御してもよい。
(Section 7) In the substrate cleaning apparatus according to Item 6,
The control unit is configured such that when the second condition is satisfied, a changed contact position of the first cleaning surface with respect to the second bevel area is the second cleaning surface with respect to the second bevel area. The first drive unit may be controlled so that the contact position is higher than the contact position before the change.

第7項に記載の基板洗浄装置によれば、第2の洗浄面の変更前の接触位置に汚染物または摩耗により生じたパーティクルが付着しても、汚染物またはパーティクルが変更後の第2の洗浄面の変更後の接触位置に落下することが防止される。それにより、第12洗浄面の接触位置の変更後に、変更後の接触位置を清浄に保つことができる。したがって、基板の第2のベベル領域を清浄に洗浄することができる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 7, even if contaminants or particles caused by wear adhere to the contact position of the second cleaning surface before the change, the contaminants or particles will be removed from the contact position of the second cleaning surface after the change. It is prevented from falling to the contact position after changing the cleaning surface. Thereby, after changing the contact position of the twelfth cleaning surface, the changed contact position can be kept clean. Therefore, the second bevel region of the substrate can be cleaned.

(第8項)第6項または第7項に記載の基板洗浄装置において、
前記第2の条件は、前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の接触に起因して生じ得る前記第2の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第2の因子が予め定められた値に達したことを含んでもよい。
(Section 8) In the substrate cleaning apparatus according to item 6 or 7,
The second condition is such that a second factor related to contamination or wear of the second cleaning surface that may occur due to contact of the second cleaning surface with the second bevel region is predetermined. It may also include that a value has been reached.

第8項に記載の基板洗浄装置によれば、第2の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第2の因子に基づいて、第2の洗浄面の接触位置が変更される。それにより、第2の洗浄面の接触位置の汚染または摩耗により第2のベベル領域の洗浄が不十分となる前に、第2の洗浄面の接触領域を変更することができる。それにより、第2のベベル領域に対する第2の洗浄面の洗浄能力を維持することが可能となる。 According to the substrate cleaning apparatus described in item 8, the contact position of the second cleaning surface is changed based on the second factor related to contamination or wear of the second cleaning surface. Thereby, the contact area of the second cleaning surface can be changed before the second bevel area becomes insufficiently cleaned due to contamination or wear of the contact location of the second cleaning surface. Thereby, it becomes possible to maintain the cleaning ability of the second cleaning surface for the second bevel area.

(第9項)第6項~第8項のいずれか一項に記載の基板洗浄装置は、
前記基板回転保持部に保持された基板の前記第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第3の洗浄面および前記基板回転保持部に保持された基板の前記第2のベベル領域に接触可能に傾斜した第4の洗浄面を有する第2の洗浄ブラシと、
前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域に前記第3の洗浄面が接触する第3の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域から前記第3の洗浄面が離間する第3の離間状態とに前記第2の洗浄ブラシを移行させ、前記基板回転保持部により回転される基板の前記第2のベベル領域に前記第4の洗浄面が接触する第4の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第2のベベル領域から前記第4の洗浄面が離間する第4の離間状態とに前記第2の洗浄ブラシを移行させるように構成された第2の駆動部とをさらに備え、
前記制御部は、予め定められた第3の条件が満たされた場合に、前記第3の接触状態における前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の接触位置が変更され、予め定められた第4の条件が満たされた場合に、前記第4の接触状態における前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第2の駆動部を制御してもよい。
(Section 9) The substrate cleaning apparatus according to any one of Items 6 to 8,
a third cleaning surface that is inclined so as to be able to contact the first bevel area of the substrate held by the substrate rotation holder and to be able to contact the second bevel area of the substrate held by the substrate rotation holder; a second cleaning brush having an inclined fourth cleaning surface;
a third contact state in which the third cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holder; and a third contact state in which the third cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holder. to a third separated state in which the third cleaning surface is separated, and the fourth cleaning brush is applied to the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit. the second cleaning brush in a fourth contact state where the surfaces are in contact with each other; and a fourth separation state in which the fourth cleaning surface is separated from the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holder. further comprising a second drive section configured to move the
The control unit is configured to change the contact position of the third cleaning surface with respect to the first bevel area in the third contact state when a predetermined third condition is satisfied, and to controlling the second drive unit so that the contact position of the fourth cleaning surface with respect to the second bevel area in the fourth contact state is changed when a fourth condition is satisfied; You can.

第9項に記載の基板洗浄装置によれば、第1の洗浄ブラシの第1の洗浄面により基板の第1のベベル領域が洗浄され、第1の洗浄ブラシの第2の洗浄面により基板の第2のベベル領域が洗浄される。また、第2の洗浄ブラシの第3の洗浄面により基板の第1のベベル領域が洗浄され、第2の洗浄ブラシの第4の洗浄面により基板の第2のベベル領域が洗浄される。 According to the substrate cleaning apparatus described in Item 9, the first bevel area of the substrate is cleaned by the first cleaning surface of the first cleaning brush, and the first bevel area of the substrate is cleaned by the second cleaning surface of the first cleaning brush. The second bevel area is cleaned. Further, the third cleaning surface of the second cleaning brush cleans the first bevel region of the substrate, and the fourth cleaning surface of the second cleaning brush cleans the second bevel region of the substrate.

第2の洗浄ブラシについては、予め定められた第3の条件が満たされた場合、第3の接触状態における第1のベベル領域に対する第3の洗浄面の接触位置が変更される。また、予め定められた第4の条件が満たされた場合、第4の接触状態における第1のベベル領域に対する第4の洗浄面の接触位置が変更される。この場合、第3の洗浄面および第4の洗浄面の汚染および摩耗していない領域で第1のベベル領域および第2のベベル領域の洗浄を行うことができる。それにより、第2の洗浄ブラシの寿命を向上させることができるので、第2の洗浄ブラシの交換頻度を低減することができる。 Regarding the second cleaning brush, when a predetermined third condition is satisfied, the contact position of the third cleaning surface with respect to the first bevel area in the third contact state is changed. Moreover, when a predetermined fourth condition is satisfied, the contact position of the fourth cleaning surface with respect to the first bevel region in the fourth contact state is changed. In this case, cleaning of the first bevel area and the second bevel area can be carried out in the non-contaminated and unworn areas of the third and fourth cleaning surfaces. Thereby, the lifespan of the second cleaning brush can be improved, and the frequency of replacing the second cleaning brush can be reduced.

また、第1および第2の洗浄ブラシのうち一方の交換時期の到来後に第1および第2の洗浄ブラシのうち他方を用いることができる。その結果、第1および第2の洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの十分な削減が可能になる。 Moreover, after the replacement time for one of the first and second cleaning brushes has arrived, the other of the first and second cleaning brushes can be used. As a result, downtime due to replacement of the first and second cleaning brushes can be sufficiently reduced.

(第10項)第9項に記載の基板洗浄装置において、前記制御部は、前記第1の洗浄ブラシの前記第1の洗浄面が前記第1のベベル領域に接触しているときに前記第2の洗浄ブラシの前記第4の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触し、前記第1の洗浄ブラシの前記第2の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触しているときに前記第2の洗浄ブラシの前記第3の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触するように前記第1および第2の駆動部を制御してもよい。 (Section 10) In the substrate cleaning apparatus according to Item 9, when the first cleaning surface of the first cleaning brush is in contact with the first bevel region, the control unit controls the the fourth cleaning surface of the second cleaning brush is in contact with the second bevel area, and the second cleaning surface of the first cleaning brush is in contact with the second bevel area; The first and second drives may be controlled such that the third cleaning surface of the second cleaning brush contacts the second bevel area.

第10項に記載の基板洗浄装置によれば、第1のベベル領域が第1および第2の洗浄ブラシの一方により洗浄されるとともに、第2のベベル領域が第1および第2の洗浄ブラシの他方により洗浄される。それにより、基板の第1のベベル領域および第2のベベル領域が短時間で洗浄される。この場合にも、第1および第2の洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの十分な削減が可能になる。その結果、複数の基板の洗浄効率が向上する。 According to the substrate cleaning apparatus described in Item 10, the first bevel region is cleaned by one of the first and second cleaning brushes, and the second bevel region is cleaned by one of the first and second cleaning brushes. washed by the other. Thereby, the first bevel region and the second bevel region of the substrate are cleaned in a short time. In this case as well, downtime due to replacement of the first and second cleaning brushes can be sufficiently reduced. As a result, cleaning efficiency for multiple substrates is improved.

(第11項)第9項または第10項に記載の基板洗浄装置において、
前記制御部は、前記第1の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第2の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第3の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第4の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように、前記第1および第2の駆動部を制御してもよい。
(Section 11) In the substrate cleaning apparatus according to Item 9 or 10,
The control unit is configured such that when the first condition is satisfied, a changed contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area is a contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area. is higher than the contact position before the change and the second condition is satisfied, the contact position after the change of the second cleaning surface with respect to the second bevel area is the second bevel area the contact position of the third cleaning surface with respect to the first bevel region after the change, if the third condition is satisfied; is higher than the contact position before the change of the third cleaning surface with respect to the first bevel area, and the fourth condition is satisfied, the fourth cleaning with respect to the second bevel area The first and second driving units may be controlled such that the contact position after the surface change is higher than the contact position before the change of the fourth cleaning surface with respect to the second bevel region. good.

第11項に記載の基板洗浄装置においては、第1~第4の洗浄面の変更前の接触位置に汚染物または摩耗により生じたパーティクルが付着しても、汚染物またはパーティクルが変更後の第1~第4の洗浄面の変更後の接触位置に落下することが防止される。それにより、第1~第4の洗浄面の接触位置の変更後に、変更後の接触位置を清浄に保つことができる。したがって、基板の第1および第2のベベル領域を清浄に洗浄することができる。 In the substrate cleaning apparatus according to item 11, even if contaminants or particles caused by wear adhere to the contact positions of the first to fourth cleaning surfaces before the change, the contaminants or particles will be removed from the contact positions after the change. It is prevented from falling to the changed contact position of the first to fourth cleaning surfaces. Thereby, after changing the contact positions of the first to fourth cleaning surfaces, the changed contact positions can be kept clean. Therefore, the first and second bevel regions of the substrate can be cleaned.

(第12項)他の態様に係る基板洗浄方法は、主面を有するとともに主面の周縁部にベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
複数の基板のうち一の基板を基板回転保持部により保持および回転させつつ前記一の基板の前記ベベル領域に洗浄ブラシの傾斜した洗浄面を駆動部により接触させることを前記複数の基板について順次行うステップと、
予め定められた条件が満たされた場合に、前記ベベル領域に対する前記洗浄面の接触位置が変更されるように前記駆動部を制御するステップとを含む。
(Section 12) A substrate cleaning method according to another aspect is a substrate cleaning method for cleaning a substrate having a main surface and a bevel region at the peripheral edge of the main surface,
While one of the plurality of substrates is held and rotated by a substrate rotating and holding section, bringing an inclined cleaning surface of a cleaning brush into contact with the beveled area of the one substrate by a driving section is sequentially carried out for the plurality of substrates. step and
and controlling the drive unit so that the contact position of the cleaning surface with respect to the bevel region is changed when a predetermined condition is satisfied.

第12項に記載の基板洗浄方法によれば、予め定められた条件が満たされた場合、接触状態におけるベベル領域に対する洗浄面の接触位置が変更される。この場合、洗浄面の汚染および摩耗していない領域でベベル領域の洗浄を行うことができる。それにより、洗浄ブラシの寿命を向上させることができるので、洗浄ブラシの交換頻度を低減することができる。その結果、洗浄ブラシの交換によるダウンタイムの削減が可能になる。 According to the substrate cleaning method described in item 12, when a predetermined condition is satisfied, the contact position of the cleaning surface with respect to the bevel region in the contact state is changed. In this case, cleaning of the bevel area can be carried out in areas that are free from contamination and wear of the cleaning surface. Thereby, the life of the cleaning brush can be extended, and the frequency of replacing the cleaning brush can be reduced. As a result, downtime due to cleaning brush replacement can be reduced.

10…スピンチャック,11…保持部,12…チャック回転駆動部,13,14…下面洗浄ノズル,15…上面洗浄ノズル,20,20a…洗浄ブラシ,21…第1の洗浄面,22…第2の洗浄面,21a…第3の洗浄面,22a…第4の洗浄面,23…接続面,30,30a…アーム,40,40a…アーム駆動部,50,50a…ブラシ回転駆動部,60…制御部,70…表示部,100,100a…基板洗浄装置,A…第1のベベル領域,B…第2のベベル領域,R…ベベル部,W…基板,WD…下面,WU…上面,la1~la3,lan…接触位置,lb1~lb3,lbn…接触位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Spin chuck, 11... Holding part, 12... Chuck rotation drive part, 13, 14... Lower surface cleaning nozzle, 15... Upper surface cleaning nozzle, 20, 20a... Cleaning brush, 21... First cleaning surface, 22... Second cleaning surface, 21a... third cleaning surface, 22a... fourth cleaning surface, 23... connection surface, 30, 30a... arm, 40, 40a... arm drive section, 50, 50a... brush rotation drive section, 60... Control unit, 70...Display unit, 100, 100a...Substrate cleaning device, A...First bevel area, B...Second bevel area, R...Bevel part, W...Substrate, WD...Bottom surface, WU...Top surface, la1 ~la3, lan...contact position, lb1~lb3, lbn...contact position

Claims (12)

第1の主面を有するとともに前記第1の主面の周縁部に第1のベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板を保持しつつ回転させる基板回転保持部と、
前記基板回転保持部に保持された基板の前記第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第1の洗浄面を有する第1の洗浄ブラシと、
前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域に前記第1の洗浄面が接触する第1の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域から前記第1の洗浄面が離間する第1の離間状態とに前記第1の洗浄ブラシを移行させるように構成された第1の駆動部と、
予め定められた第1の条件が満たされた場合に、前記第1の接触状態における前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第1の駆動部を制御する制御部とを備えた、基板洗浄装置。
A substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate having a first main surface and a first bevel region at a peripheral edge of the first main surface,
a substrate rotation holding unit that rotates the substrate while holding it;
a first cleaning brush having a first cleaning surface inclined so as to be able to contact the first bevel region of the substrate held by the substrate rotation holding unit;
a first contact state in which the first cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit; and a first bevel area of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit. a first driving unit configured to move the first cleaning brush from a state to a first separated state in which the first cleaning surface is separated;
the first drive unit such that the contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel region in the first contact state is changed when a predetermined first condition is satisfied; A substrate cleaning device comprising a control unit that controls the
前記制御部は、前記第1の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように前記第1の駆動部を制御する、請求項1記載の基板洗浄装置。 The control unit is configured such that when the first condition is satisfied, a changed contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area is a contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area. 2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the first drive unit is controlled so that the contact position is higher than the contact position before the change. 前記第1の条件は、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の接触に起因して生じ得る前記第1の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第1の因子が予め定められた値に達したことを含む、請求項1または2記載の基板洗浄装置。 The first condition is such that a first factor related to contamination or wear of the first cleaning surface that may occur due to contact of the first cleaning surface with the first bevel region is predetermined. 3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising reaching a value. 前記第1の因子は、前記第1の洗浄面により洗浄された基板の数、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の洗浄力および前記第1の洗浄面による前記第1のベベル領域の洗浄時間のうち少なくとも1つを含む、請求項3記載の基板洗浄装置。 The first factor includes the number of substrates cleaned by the first cleaning surface, the cleaning power of the first cleaning surface with respect to the first bevel area, and the first bevel by the first cleaning surface. 4. The substrate cleaning apparatus according to claim 3, further comprising at least one area cleaning time. 前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の洗浄力は、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の押圧力を含む、請求項4記載の基板洗浄装置。 5. The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein the cleaning force of the first cleaning surface with respect to the first bevel region includes a pressing force of the first cleaning surface with respect to the first bevel region. 基板は、前記第1の主面と反対側の第2の主面を有するとともに前記第2の主面の周縁部に第2のベベル領域を有し、
前記第1の洗浄ブラシは、前記基板回転保持部に保持された基板の前記第2のベベル領域に接触可能に傾斜した第2の洗浄面を有し、
前記第1の駆動部は、前記基板回転保持部より回転される基板の前記第2のベベル領域に前記第2の洗浄面が接触する第2の接触状態と前記基板回転保持部より回転される基板の前記第2のベベル領域から前記第2の洗浄面が離間する第2の離間状態とに前記第1の洗浄ブラシを移行させるように構成され、
前記制御部は、予め定められた第2の条件が満たされた場合に、前記第2の接触状態における前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第1の駆動部を制御する、請求項1または2記載の基板洗浄装置。
The substrate has a second main surface opposite to the first main surface and a second bevel region at a peripheral edge of the second main surface,
The first cleaning brush has a second cleaning surface inclined so as to be able to contact the second bevel region of the substrate held by the substrate rotation holding unit,
The first driving section has a second contact state in which the second cleaning surface contacts the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holding section, and a second contact state in which the second cleaning surface contacts the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holding section. configured to transition the first cleaning brush to a second separated state in which the second cleaning surface is separated from the second beveled area of the substrate;
The control unit is configured to change the contact position of the second cleaning surface with respect to the second bevel region in the second contact state when a predetermined second condition is satisfied. The substrate cleaning apparatus according to claim 1 or 2, wherein the first driving section is controlled.
前記制御部は、前記第2の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように前記第1の駆動部を制御する、請求項6記載の基板洗浄装置。 The control unit is configured such that when the second condition is satisfied, a changed contact position of the first cleaning surface with respect to the second bevel area is the second cleaning surface with respect to the second bevel area. 7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein the first drive unit is controlled so that the contact position is higher than the contact position before the change. 前記第2の条件は、前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の接触に起因して生じ得る前記第2の洗浄面の汚染または摩耗に関連する第2の因子が予め定められた値に達したことを含む、請求項6記載の基板洗浄装置。 The second condition is such that a second factor related to contamination or wear of the second cleaning surface that may occur due to contact of the second cleaning surface with the second bevel region is predetermined. 7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6, further comprising reaching a value. 前記基板回転保持部に保持された基板の前記第1のベベル領域に接触可能に傾斜した第3の洗浄面および前記基板回転保持部に保持された基板の前記第2のベベル領域に接触可能に傾斜した第4の洗浄面を有する第2の洗浄ブラシと、
前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域に前記第3の洗浄面が接触する第3の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第1のベベル領域から前記第3の洗浄面が離間する第3の離間状態とに前記第2の洗浄ブラシを移行させ、前記基板回転保持部により回転される基板の前記第2のベベル領域に前記第4の洗浄面が接触する第4の接触状態と前記基板回転保持部により回転される基板の前記第2のベベル領域から前記第4の洗浄面が離間する第4の離間状態とに前記第2の洗浄ブラシを移行させるように構成された第2の駆動部とをさらに備え、
前記制御部は、予め定められた第3の条件が満たされた場合に、前記第3の接触状態における前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の接触位置が変更され、予め定められた第4の条件が満たされた場合に、前記第4の接触状態における前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の接触位置が変更されるように前記第2の駆動部を制御する、請求項6記載の基板洗浄装置。
a third cleaning surface that is inclined so as to be able to contact the first bevel area of the substrate held by the substrate rotation holder and to be able to contact the second bevel area of the substrate held by the substrate rotation holder; a second cleaning brush having an inclined fourth cleaning surface;
a third contact state in which the third cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holder; and a third contact state in which the third cleaning surface contacts the first bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation and holder. to a third separated state in which the third cleaning surface is separated, and the fourth cleaning brush is applied to the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holding unit. the second cleaning brush in a fourth contact state where the surfaces are in contact with each other; and a fourth separation state in which the fourth cleaning surface is separated from the second bevel region of the substrate rotated by the substrate rotation holder. further comprising a second drive section configured to move the
The control unit is configured to change the contact position of the third cleaning surface with respect to the first bevel area in the third contact state when a predetermined third condition is satisfied, and to controlling the second drive unit so that the contact position of the fourth cleaning surface with respect to the second bevel area in the fourth contact state is changed when a fourth condition is satisfied; 7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6.
前記制御部は、前記第1の洗浄ブラシの前記第1の洗浄面が前記第1のベベル領域に接触しているときに前記第2の洗浄ブラシの前記第4の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触し、前記第1の洗浄ブラシの前記第2の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触しているときに前記第2の洗浄ブラシの前記第3の洗浄面が前記第2のベベル領域に接触するように前記第1および第2の駆動部を制御する、請求項9記載の基板洗浄装置。 The control unit is configured such that when the first cleaning surface of the first cleaning brush is in contact with the first bevel region, the fourth cleaning surface of the second cleaning brush is in contact with the second cleaning surface. when the second cleaning surface of the first cleaning brush is in contact with the second bevel area, the third cleaning surface of the second cleaning brush is in contact with the second cleaning brush. 10. The substrate cleaning apparatus according to claim 9, wherein the first and second driving parts are controlled to contact a beveled area of the substrate. 前記制御部は、前記第1の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第1の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第2の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第2の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第3の条件が満たされた場合に、前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の変更後の接触位置が前記第1のベベル領域に対する前記第3の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となり、前記第4の条件が満たされた場合に、前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の変更後の接触位置が前記第2のベベル領域に対する前記第4の洗浄面の変更前の接触位置よりも高い位置となるように、前記第1および第2の駆動部を制御する、請求項9記載の基板洗浄装置。 The control unit is configured such that when the first condition is satisfied, a changed contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area is a contact position of the first cleaning surface with respect to the first bevel area. is higher than the contact position before the change and the second condition is satisfied, the contact position after the change of the second cleaning surface with respect to the second bevel area is the second bevel area the contact position of the third cleaning surface with respect to the first bevel region after the change, if the third condition is satisfied; is higher than the contact position before the change of the third cleaning surface with respect to the first bevel area, and the fourth condition is satisfied, the fourth cleaning with respect to the second bevel area The first and second driving units are controlled so that the contact position after the surface change is higher than the contact position before the change of the fourth cleaning surface with respect to the second bevel region. Item 9. The substrate cleaning device according to item 9. 主面を有するとともに主面の周縁部にベベル領域を有する基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
複数の基板のうち一の基板を基板回転保持部により保持および回転させつつ前記一の基板の前記ベベル領域に洗浄ブラシの傾斜した洗浄面を駆動部により接触させることを前記複数の基板について順次行うステップと、
予め定められた条件が満たされた場合に、前記ベベル領域に対する前記洗浄面の接触位置が変更されるように前記駆動部を制御するステップとを含む、基板洗浄方法。
A substrate cleaning method for cleaning a substrate having a main surface and a bevel region at the peripheral edge of the main surface, the method comprising:
While one of the plurality of substrates is held and rotated by a substrate rotating and holding section, bringing an inclined cleaning surface of a cleaning brush into contact with the beveled area of the one substrate by a driving section is sequentially carried out for the plurality of substrates. step and
A method for cleaning a substrate, the method comprising: controlling the drive unit so that the contact position of the cleaning surface with respect to the bevel region is changed when a predetermined condition is satisfied.
JP2022119010A 2022-07-26 2022-07-26 Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method Pending JP2024016703A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022119010A JP2024016703A (en) 2022-07-26 2022-07-26 Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method
PCT/JP2023/025415 WO2024024474A1 (en) 2022-07-26 2023-07-10 Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022119010A JP2024016703A (en) 2022-07-26 2022-07-26 Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024016703A true JP2024016703A (en) 2024-02-07

Family

ID=89706201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022119010A Pending JP2024016703A (en) 2022-07-26 2022-07-26 Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2024016703A (en)
WO (1) WO2024024474A1 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242092A (en) * 1997-02-25 1998-09-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaning equipment
JP2003031541A (en) * 2001-07-18 2003-01-31 Speedfam Co Ltd Cleaning apparatus
JP4755519B2 (en) * 2006-03-30 2011-08-24 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5039468B2 (en) * 2007-07-26 2012-10-03 株式会社Sokudo Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus having the same
JP5031525B2 (en) * 2007-11-12 2012-09-19 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP5143933B2 (en) * 2011-07-28 2013-02-13 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024024474A1 (en) 2024-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11676811B2 (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
US6918814B2 (en) Polishing apparatus
CN105580115B (en) Chemical mechanical polishing machine equipped with pivot arm
US20230268174A1 (en) Substrate cleaning method and substrate processing method
JP2008166766A (en) Wafer inspection machine and method
JP2018163913A (en) Wafer processing device
KR100565364B1 (en) Arrangement and a method for reducing contamination with particles on a substrate in a process tool
JP7202231B2 (en) Cleaning head, center brush, peripheral brush, substrate cleaning device and substrate cleaning method
TW202302281A (en) Double-sided polishing device and double-sided polishing method
CN108064413A (en) For dry process and the electric hybrid board processing system and its substrate processing method using same of wet processed
WO2024024474A1 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
JP4282159B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
TW202407851A (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
KR20230038436A (en) Apparatus for treating substrate
JP7291068B2 (en) SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD
JP2013069776A (en) Substrate cleaning device, substrate cleaning method, and recording medium in which computer program for executing substrate cleaning method is recorded
JP2006332386A (en) Device and method for washing substrate
CN107564837B (en) Apparatus and method for processing substrate
WO2018051620A1 (en) Substrate processing method, and substrate processing device
JP2000311878A (en) Substrate cleaning device
JP2019129291A (en) Substrate processing method
JP2024044924A (en) Substrate cleaning equipment and substrate cleaning method
KR102310466B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20240050990A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
KR102262112B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate