JP2024016510A - 蓄電デバイス用電極、二次電池、および、蓄電デバイス用電極の製造方法 - Google Patents
蓄電デバイス用電極、二次電池、および、蓄電デバイス用電極の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】カーボンを活物質として用いる蓄電デバイスの性能を高めることができ、量産が容易な新規な蓄電デバイス用電極を提供する。
【解決手段】蓄電デバイス用電極は、集電体を構成する金属基板と、前記金属基板の表面に形成され、活物質としてカーボンを含む活物質層とを備える。前記活物質層の表面は、複数の微小な粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を有し、前記粒状体の表層には、前記粒状体の外方に向かって細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体が全体にわたって配置されている。
【選択図】図8
【解決手段】蓄電デバイス用電極は、集電体を構成する金属基板と、前記金属基板の表面に形成され、活物質としてカーボンを含む活物質層とを備える。前記活物質層の表面は、複数の微小な粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を有し、前記粒状体の表層には、前記粒状体の外方に向かって細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体が全体にわたって配置されている。
【選択図】図8
Description
本願は、蓄電デバイス用電極、二次電池、および、蓄電デバイス用電極の製造方法に関する。
充放電可能な蓄電デバイスとしては、例えば、二次電池や、電気二重層キャパシタ等が知られている。それら蓄電デバイス用電極では、集電体表面に配置される活物質としてカーボンが用いられる場合がある。例えば、下記の特許文献1,2には、リチウムイオン二次電池の負極の活物質層をグラファイトやカーボンナノウォールによって構成する技術が開示されている。活物質層にカーボンナノウォールを適用した場合、グラファイトを適用した場合よりも、充電容量や充電速度等の蓄電デバイスの電池性能が向上することが期待できる。
しかしながら、上述したような従来の技術では、依然として、蓄電デバイスに求められている高い電池性能の目標を十分に達成できてはいなかった。
また、カーボンナノウォールの活物質層を有する電極は、多くの場合、運搬や保管のためにロール状に巻くなどしたときに、電極表面のカーボンナノウォールが圧縮応力やせん断応力によって破壊されたり、脱落したりしたため、その取り回しが容易ではなかった。こうした問題は、カーボンナノウォールの活物質層を有する電極の量産化を困難にする原因の一つとなっていた。このように、活物質としてカーボンを用いる蓄電デバイス用電極については、その製造を容易化して量産しやすくすることについて依然として改良の余地があった。
本願発明の発明者らは、カーボンを活物質として用いる蓄電デバイス用電極の研究を重ねるうちに、従来のグラファイトやカーボンナノウォールとは形状が異なり、電池性能を飛躍的に向上させることができる活物質層の開発に成功した。本願発明は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
本願発明の第1形態は、蓄電デバイス用電極として提供される。この形態の蓄電デバイス用電極は、集電体を構成する金属基板と、前記金属基板の表面に形成され、活物質としてカーボンを含む活物質層と、を備え、前記活物質層の表面は、複数の微小な粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を有し、前記粒状体の表層には、前記粒状体の外方に向かって細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体が全体にわたって配置されている。
この形態の蓄電デバイス用電極によれば、活物質層に含まれるカーボンナノ構造体の表面積を増大させることができるため、蓄電デバイスの充電容量を高めることができる。また、この形態の蓄電デバイス用電極によれば、ロール状に丸められたとしても、少なくとも、活物質層の微細な凹凸構造の凹部に存在するカーボンナノ構造体の破壊や脱落を抑制することができる。よって、蓄電デバイス用電極の取り回し性を高めることができ、その量産性を向上させることができる。
本願発明は、蓄電デバイス用電極以外の種々の形態で実現することが可能である。例えば、蓄電デバイス用電極を備える二次電池等の蓄電デバイス、蓄電デバイス用電極の製造方法、蓄電デバイスの製造方法、集電体の製造方法、活物質層の製造方法、それらの製造方法の実行に適した製造装置、その製造装置を制御するための制御プログラム、その制御プログラムが記録された記録媒体等の形態で実現することもできる。
以下、図を参照しながら、本願発明に係る蓄電デバイス用電極の実施形態を説明する。なお、本明細書において、「蓄電デバイス」とは、例えば、二次電池や電気二重層キャパシタ等、充放電可能な蓄電体、および、その蓄電体を備える装置を意味する。
1.実施形態:
1-1.二次電池の構成:
図1は、本実施形態の蓄電デバイス用電極20を備える二次電池10の構成を示す概略図である。本実施形態の二次電池10は、充放電にリチウムイオンが関与するリチウムイオン二次電池である。二次電池10は、容器11と、電解液12と、セパレータ15と、第1電極20と、第2電極30と、を備える。図1では、便宜上、容器11を一点鎖線で図示し、セパレータ15を破線で図示してある。
1-1.二次電池の構成:
図1は、本実施形態の蓄電デバイス用電極20を備える二次電池10の構成を示す概略図である。本実施形態の二次電池10は、充放電にリチウムイオンが関与するリチウムイオン二次電池である。二次電池10は、容器11と、電解液12と、セパレータ15と、第1電極20と、第2電極30と、を備える。図1では、便宜上、容器11を一点鎖線で図示し、セパレータ15を破線で図示してある。
容器11は、電解液12が満たされた内部空間を有している。容器11は、電解液12に対して反応しにくい材質の材料によって液密に構成されている。電解液12は、第1電極20と第2電極30との間で、充放電に関与する金属イオンを伝達可能な性質を有する。本実施形態では、電解液12は、リチウム塩を有機溶媒に溶解させた溶液によって構成され、第1電極20と第2電極30との間でリチウムイオンを伝達可能である。電解液12のリチウム塩としては、例えば、六フッ化リン酸リチウム(LiPF6)を用いることができる。また、有機溶媒としては、例えば、ジメチルカーボネート(DMC)や、ジエチルカーボネート(DEC)、エチルメチルカーボネート(EMC)等を用いることができる。
セパレータ15は、容器11の内部空間を、第1電極20が収容される第1電極室16と第2電極30が収容される第2電極室17とに区画する。セパレータ15は、電気絶縁性とイオン伝導性とを有し、第1電極20と第2電極30とを電気的に絶縁するとともに、電解液12を介して伝達されるリチウムイオンを透過する。セパレータ15は、例えば、多孔質構造を有する樹脂フィルムや不織布などによって構成される。
第1電極20は、本実施形態の蓄電デバイス用電極に相当する。本実施形態の二次電池10では、第1電極20は、負極を構成する。第1電極20は、金属基板21と、活物質層22と、を備える。
金属基板21は、集電体を構成する。本実施形態では、金属基板21は、銅(Cu)の金属箔によって構成される。金属基板21は、Cu以外の金属によって構成されてもよい。金属基板21は、例えば、Cu合金や、アルミニウム(Al)、Al合金のうちのいずれか1つによって構成されてもよい。また、金属基板21は、金属箔によって構成されていなくてもよく、例えば、金属薄板によって構成されてもよい。金属基板21は、平板状に構成されていなくてもよく、例えば、筒状や波状など、様々な形状に曲げ加工されていてもよい。
活物質層22は、金属基板21の第1面21aと第2面21bの両方に設けられている。活物質層22は、活物質としてカーボン(C)を含んでいる。第1電極20の金属基板21や活物質層22の構成の詳細、および、製造方法については後述する。なお、以下の説明においては、第1電極20を、単に「電極20」とも呼ぶ。
第2電極30は、二次電池10の正極を構成する。第2電極30は、正極集電体31と、正極活物質層32と、を有する。正極集電体31は、例えば、Alやチタン(Ti)等の金属箔によって構成される。正極集電体31は、他の金属によって構成されてもよいし、金属箔以外の形態を有していてもよい。正極集電体31は、平坦な形状で構成されていなくてもよく、筒状や波状など、様々な形状に曲げ加工されていてもよい。
正極活物質層32は、正極集電体31の第1面31aと第2面31bのそれぞれに形成されている。正極活物質層32は、リチウム原子を含む正極活物質と、導電助剤と、結着剤とを含有する。正極活物質層32は、増粘剤を含んでいてもよい。正極活物質としては、例えば、三元系の物質を用いることができ、コバルト酸リチウム(LiCoO2)や、マンガン酸リチウム(LMO)、ニッケル酸リチウム(NCA)を用いることができる。導電助剤としては、例えば、アセチレンブラックやカーボンブラックを用いることができる。結着剤としては、例えば、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)やスチレンブタジエンゴム(SBR)を用いることができる。増粘剤としては、例えば、カルボキシメチルセルロース(CMC)を用いることができる。
図2、図3、および、図4を参照して、本実施形態の電極20の詳細な構成を説明する。
図2は、厚み方向に沿った任意の切断面における電極20の断面構造を模式的に例示する概略断面図である。図2には、金属基板21の第1面21a側の電極20の構成を抜き出して図示してある。金属基板21の第2面21b側の電極20の構成は図2に示す第1面21a側の構成と同様である。なお、図2では、後述する金属粒子26を模式的に略球形で図示してある。
図3は、電極20における任意の領域における活物質層22の表面の様子を模式的に例示する概略平面図である。図3では、活物質層22の表面に正対したときの粒状体23の外周輪郭線を破線で示してある。
図4は、活物質層22に含まれるカーボンナノ構造体25の構成を模式的に示す概略図である。図4では、便宜上、金属基板21の表面を平面として図示してある。また、図4では、便宜上、カーボンナノ構造体25を構成するグラフェンGSを略長方形のシート状に図示してある。
図2に示すように、電極20の活物質層22の表面は、複数の微小な粒状体23が密に配置された微細な凹凸構造CSを有している。ここで、「粒状体」とは、ある方向から見たときに粒子状の形状を有すると認識できる部位を意味しており、略球形状に隆起している凸部を含む概念である。また、本明細書において、「粒子」とは、様々な形状の微小な塊を意味する概念であり、必ずしも略球形状を有していなくてもよく、表面にランダムな凹凸構造を有する形状を含む概念である。活物質層22の各粒状体23は、図3に示すように、活物質層22の厚み方向に見たときに、粒子状の外周形状を有する。
粒状体23の平均粒子径は、0.1μm以上10.0μm以下であることが好ましく、0.5μm以上5.0μm以下であることがより好ましく、1.0μm以上3.0μm以下であることがさらに好ましい。粒状体23の平均粒子径は、これにより、二次電池10の充電の際に、後述するリチウムの析出が円滑化され、リチウムのデンドライトの発生を抑制できる。
なお、粒状体23の平均粒子径は、例えば、走査型電子顕微鏡等を用いて、電極20の活物質層22の任意の領域に正対して撮影した複数の画像において、各粒状体23の一定の測定方向の幅の最大値を測定し、その測定値を平均することにより得られる。粒状体23の平均粒子径は、測定する方向によってばらつきが大きい場合には、所定の複数の測定方向について得た平均粒子径を平均することによって算出することが好ましい。
粒状体23の高さは、0.5μm以上8.0μm以下であることが好ましく、0.8μm以上6.0μm以下であることがより好ましい。粒状体23の高さは、例えば、走査型電子顕微鏡等を用いて、電極20の活物質層22の任意の領域の厚み方向に直交する方向から撮影した複数の画像において測定することができる。粒状体23の高さは、活物質層22の厚み方向における各粒状体23の下端から上端までの距離として測定することができる。
図2に示すように、各粒状体23の表層には、炭素原子で構成されたカーボンナノ構造体25が全体にわたって配置されている。カーボンナノ構造体25は導電性を有する。図4に示すように、カーボンナノ構造体25は、グラフェンGSが粒状体23の外方に向かって細長く延びている形状を有する。カーボンナノ構造体25は、複数のグラフェンGSがその厚み方向に積層された多層構造を有する。グラフェンGSは、グラフェンシートとも呼ばれ、炭素の六員環構造、つまり、炭素原子を頂点とする六角形格子構造によって構成された、炭素原子1つ分の厚みを有するシート状の物質である。
カーボンナノ構造体25は、針状や、板片状、ひだ状に形成されている。カーボンナノ構造体25は、カーボンナノウォールや、それに類するカーボンナノフレーク、カーボンナノフラワーと同種の構造体であると解釈することもできる。カーボンナノ構造体25は、グラファイト様の物質であるため、活性炭等の炭素材料に比べて高い電気伝導率を備える。
カーボンナノ構造体25は、炭素の六員環の全面単結晶によって構成されていなくてもよい。カーボンナノ構造体25を構成するグラフェンGSは、完全なグラフェン構造でなく、六員環構造の炭素を主成分とする薄膜であってもよい。グラフェンGSは、六員環構造の炭素を主成分とするモザイク構造を有していてもよい。モザイク構造とは、炭素の六員環構造によって構成された複数の領域が離散的に配置された構成を意味する。
ここで、カーボンナノ構造体25の高さHは、カーボンナノ構造体25の基板21側の下端から頂点までの長さに相当する。本実施形態では、カーボンナノ構造体25の高さHは、アモルファスカーボン層29の表面からカーボンナノ構造体25の頂点までの高さに相当する。
カーボンナノ構造体25の平均高さHは、100nm以上であることが好ましい。後述するように、本実施形態の電極20を用いた二次電池10では、充電の際に、リチウムイオンが活物質層22に吸蔵されるのではなく、リチウムがカーボンナノ構造体25の表面に析出する。カーボンナノ構造体25の平均高さHを100nm以上とすると、二次電池10の充電の際に、カーボンナノ構造体25を起点として活物質層22の表面上全体にわたってリチウムが分散して析出しやすくなる。これによって、リチウムが局所的にデンドライト成長することが抑制され、セパレータ15がデンドライト成長したリチウムによって損傷してしまうことが抑制される。
カーボンナノ構造体25の平均高さHは200nm以上としてもよい。ただし、より高いカーボンナノ構造体25を形成しようとすると、それだけ、カーボンナノ構造体25を形成するためにかかる時間が長くなる。そのため、電極20の生産性を高める観点からは、カーボンナノ構造体25の平均高さHは100×103nm以下とすることが好ましい。また、カーボンナノ構造体25の平均高さHは20×103nm以下とすることがより好ましく、5×103nm以下とすることがさらに好ましい。
カーボンナノ構造体25の平均厚みWは、例えば、0.5nm以上100.0nm以下であることが好ましい。平均厚みWは、1.0nm以上50.0nm以下であることがより好ましく、1.5nm以上30.0nm以下であることがさらに好ましい。
活物質層22において隣り合うカーボンナノ構造体25同士の間の平均間隔Dは、10nm以上500nm以下であることが好ましい。平均間隔Dが大きいと、活物質層22におけるカーボンナノ構造体25の密度が小さくなり、二次電池10の電池性能が低下する可能性がある。平均間隔Dが小さいと、活物質層22におけるカーボンナノ構造体25の密度が高くなる。ただし、カーボンナノ構造体25の密度を高くするとカーボンナノ構造体25の形成に時間と手間がかかり、電極20の生産性が低下する可能性がある。なお、平均間隔Dは、カーボンナノ構造体25を高さ方向に射影した撮影画像上において所定の複数の箇所で一定方向に直線を引き、それぞれの直線において隣り合うカーボンナノ構造体25によって区画される線分の長さの測定値の平均値として算出される値である。
図2に示すように、金属基板21の表面には、微小な複数の金属粒子26によって構成された複数の突起部28が形成されている。図2の例では、突起部28は、金属粒子26が密に集まって構成された粒子集合体27によって構成されている。粒子構造体27は、複数の金属粒子26が房状に集まった塊として形成されている。金属基板21の表面には、突起部28を構成する粒子構造体27の他に、突起部28を構成する単体の金属粒子26が存在していてもよい。
上述した粒状体23のそれぞれは、金属粒子26の表面から延びているカーボンナノ構造体25が、金属粒子26によって構成されている突起部28の表面の全体にわたって配置されることにより構成されている。活物質層22は、金属基板21の金属粒子26を核として複数の粒状体23が房状に集まった構成を有していると解釈することもできる。
粒子構造体27を構成している金属粒子26、および、単体で突起部28を構成している金属粒子26の平均粒子径は、0.1μm以上5.0μm以下であることが好ましく、0.5μm以上3.0μm以下であることがより好ましい。金属粒子26の平均粒子径は、上述した粒状体23の平均粒子径と同様な方法によって算出することができる。
金属粒子26は、粒子構造体27を構成するものについても、単体で存在しているものについても、その粒子径よりも高さの方が大きい形状を有していることが好ましい。金属粒子26の平均高さは、0.5μm以上3.0μm以下であることが好ましい。金属粒子26の平均高さは、0.6μm以上2.5μm以下であるとしてもよい。金属粒子26の高さは、走査電子顕微鏡によって金属基板21の厚み方向に直交する方向から突起部28を撮影した撮影画像において、金属基板21の厚み方向を高さ方向としたときの各金属粒子26の最下端と最上端との間の距離に相当する。
粒子構造体27の最大幅の平均値は、1.0μm以上50.0μm以下であることが好ましく、1.5μm以上30.0μm以下であるとしてもよい。粒子構造体27の最大幅は、走査型電子顕微鏡等によって金属基板21の表面に正対して写した撮影画像において測定される、あらゆる方向の幅のうちの最大値である。
粒子構造体27の高さの下限値は、0.5μm以上であることが好ましく、0.8μm以上であることがより好ましい。また、粒子構造体27の高さの下限値は、1.0μm以上であることがより好ましく、1.2μm以上であることがさらに好ましい。粒子構造体27の高さの上限値は、10.0μm以下であるとしてもよく、8.0μm以下であるとしてもよい。粒子構造体27の高さの上限値は、5.0μm以下であるとしてもよい。なお、粒子構造体27の高さは、金属基板21の厚み方向における粒子構造体27の最下端部から頂点までの距離に相当する。
突起部28は、上述したように、単体の金属粒子26によって構成されたものと、粒子構造体27によって構成されたものとを含む。各突起部28の最大幅は、0.1μm以上50.0μmであることが好ましく、0.5μm以上30.0μm以下であることがより好ましい。各突起部28の最大幅は、走査型電子顕微鏡等によって金属基板21の表面に正対して写した撮影画像において測定される、あらゆる方向の幅のうちの最大値である。
各突起部28の高さは、0.5μm以上10.0μmであることが好ましく、0.6μm以上8.0μm以下であることがより好ましい。突起部28の高さは、走査電子顕微鏡によって金属基板21の厚み方向に直交する方向から突起部28を撮影した撮影画像において、金属基板21の厚み方向を高さ方向としたときの各突起部28の最下端と最上端との間の距離に相当する。
各突起部28を金属基板21の厚み方向に射影した射影領域の面積は、0.01μm2より大きく、10000μm2以下である。また、金属基板21を厚み方向に射影したときの突起部28の射影領域の密度は、1個/mm2以上、108個/mm2未満である。こうした寸法の突起部28は、金属箔に対する電解析出による表面処理によって容易に形成することができる。また、本願発明の発明者らの研究によれば、こうした寸法の突起部28を表面に有する金属基板21によれば、CVD法により、上述した粒状体23を有する活物質層22を容易に形成することができる。
図2に示すように、本実施形態では、金属基板21の表面は、アモルファスカーボン層29によって覆われている。図4に示すように、カーボンナノ構造体25は、アモルファスカーボン層29から上方に細長く延びている。アモルファスカーボン層29は、カーボンナノ構造体25の成長の起点である。アモルファスカーボン層29が良好に形成されていることにより、カーボンナノ構造体25の形成状態が改善される。アモルファスカーボン層29の膜厚は、例えば、10nm以上300nm以下であることが好ましい。アモルファスカーボン層29の膜厚は、10nm以上100nm以下であることがより好ましく、12nm以上30nm以下であることがさらに好ましい。
1-2.二次電池での電池反応:
二次電池10での充放電の際の化学反応は、例えば、以下のような反応式により表すことができる。正極物質がLiCoO2である場合、正極である第2電極30での反応式は、下記の式(1)で表される。xは、反応する原子の割合を表し、0より大きく1未満の実数である。
Li1-xCoO2 + xLi+ + xe- ⇔ LiCoO2 …(1)
二次電池10での充放電の際の化学反応は、例えば、以下のような反応式により表すことができる。正極物質がLiCoO2である場合、正極である第2電極30での反応式は、下記の式(1)で表される。xは、反応する原子の割合を表し、0より大きく1未満の実数である。
Li1-xCoO2 + xLi+ + xe- ⇔ LiCoO2 …(1)
これに対して、負極である電極20での反応式は、下記の式(2)で表される。式(2)が示しているように、二次電池10での充電の際には、電極20にリチウムが析出する。
Li+ + e- ⇔ Li …(2)
Li+ + e- ⇔ Li …(2)
ここで、平坦な金属基板の表面に活物質としてグラファイトを配置した従来の負極の構成の場合、充電の際には、原理的に、炭素原子6個に対してリチウムイオン1個が吸蔵され、炭化リチウム(LiC6)が形成される。そのため、比較例としてのその従来構成での反応式は、下記の式(3)のように表される。
従来構成での反応式: xLi+ + C6 + xe- ⇔ LixC6 …(3)
従来構成での反応式: xLi+ + C6 + xe- ⇔ LixC6 …(3)
上記の式(3)が示すように、負極活物質としてグラファイトを用いている従来構成の電極の場合には、充電によって吸蔵できるリチウムイオンの数が、活物質層に含まれる炭素原子の数によって定まってくる。
これに対して、本実施形態の二次電池10に用いられている電極20の場合には、上記の式(2)で示されているように、理論的には、活物質層22での炭素原子の数の制限を受けることなく、リチウムを析出させることができる限り、充電が可能である。つまり、本実施形態の電極20によれば、1度の充電または放電において、炭素原子1個あたり2個以上のリチウムイオンを充放電反応に関与させることができる。よって、本実施形態の二次電池10は、電極20を負極として備えていることにより、充電容量が高められている。
本実施形態の電極20によれば、充電反応によるリチウムの析出が促進され、活物質層22の表層にリチウムの層を一様に形成させやすくなり、安定した円滑な充放電反応が可能になる。また、局所的にリチウムのデンドライトが発生して、二次電池10が劣化することが抑制される。核生成理論に基づく考察によれば、このような効果が得られる理由は、本実施形態の電極20において粒状体23が構成している凸部を起点としてリチウムが析出しやすくなるためであると推察される。
また、本実施形態の電極20によれば、活物質層22の表面に微細な凹凸構造CSが形成されているため、例えば、電極20の運搬等のためにロール状に丸めたとしても、少なくとも、凹凸構造CSの頂点より低い位置にあるカーボンナノ構造体25の破壊や脱落を抑制できる。そのため、二次電池10の製造工程における電極20の取り回しが容易になり、電極20の量産化が容易になる。また、電極20を用いた二次電池10の製造が容易化される。
1-3.二次電池の製造方法:
図5は、二次電池10の製造工程を示す工程フロー図である。工程P1,P2は、電極20の製造工程である。工程P1は、金属基板21を準備する工程に相当する。本実施形態では、工程P1では、平坦な表面を有する基材BMに対して電解析出による表面処理をおこなうことによって、微小な金属粒子26によって構成された突起部28が表面に形成されている金属基板21が作製される。基材BMは、例えば、金属箔や金属薄板である。本実施形態では、基材BMは、銅箔である。
図5は、二次電池10の製造工程を示す工程フロー図である。工程P1,P2は、電極20の製造工程である。工程P1は、金属基板21を準備する工程に相当する。本実施形態では、工程P1では、平坦な表面を有する基材BMに対して電解析出による表面処理をおこなうことによって、微小な金属粒子26によって構成された突起部28が表面に形成されている金属基板21が作製される。基材BMは、例えば、金属箔や金属薄板である。本実施形態では、基材BMは、銅箔である。
図6は、工程P1で用いられる表面処理装置50の構成を示す概略図である。表面処理装置50は、基材BMの搬送部として、処理前の基材BMが巻き取られている送出ローラ51と、基材BMの搬送をガイドする複数の案内ローラ52と、表面処理後の基材BMを巻き取る巻取ローラ53と、を備える。また、表面処理装置50は、さらに、電解析出の実行部として、電解液56で満たされている電解浴槽55と、電解浴槽55に設置された電極板58と、を備える。また、図示は省略するが、表面処理装置50は、電極板58および基材BMに通電する電源部を備える。
基材BMは、送出ローラ51から繰り出され、複数の案内ローラ52によってガイドされて、巻取ローラ53へと搬送される。案内ローラ52のうちの一つは、電解浴槽55内に設置されている。これにより、基材BMは電解浴槽55内に搬送されて、電解浴槽55内の電解液56に浸漬された後、電解浴槽55内で折り返して、電解浴槽55の外へと搬送される。基材BMが電解浴槽55の電解液56の中を通過する間に、以下に説明する電解析出による表面処理が基材BM表面に施される。
電解浴槽55内の電極板58は、基材BMを構成する金属と同種の金属原子を含む。本実施形態では、電極板58は粗銅によって構成されている。電極板58は、電解浴槽55内を搬送されていく基材BMの表面と面するように設置されている。電極板58は、基材BMの表面に対してほぼ平行に設置されていることが好ましい。
基材BMの搬送中に、電源部により、電極板58を陽極とし、基材BMを陰極として電圧が印加される。これにより、電極板58のCuは、酸化されて電解液56中にCuイオンとして溶出し、基材BMの方へ移動して、基材BMの表面で還元されて析出する。基材BM表面には、析出したCuによって微細な金属粒子26が次々に形成される。そうした金属粒子26によって突起部28が形成される。金属粒子26が局所的に密に集まると、突起部28として粒子構造体27が形成される。突起部28は、基材BM表面全体にわたって配置された状態で形成される。
工程P1の表面処理は、基材BMの両面に対して実施される。これにより、両面に微細な凹凸構造CSを有する金属基材BMが完成する。工程P1における表面処理装置50での電解液56の種類や濃度、通電電圧、基材BMの搬送速度などの処理条件は、上述したサイズの金属粒子26や突起部28が形成されるように、適宜、調整される。
なお、表面処理装置50は、1つの電解浴槽55に複数の案内ローラ52が配置されていることにより、1つの電解浴槽55に対して、基材BMの電解液56中への浸漬が複数回繰り返されるように構成されていてもよい。あるいは、表面処理装置50は、複数の電解浴槽55を備え、それぞれの電解浴槽55内に案内ローラ52が配置され、基材BMが各電解浴槽55の電解液56への浸漬を繰り返すように搬送される構成を有していてもよい。
工程P2では、CVD(checmical vapor desposition)法によって、金属基板21の表面に活物質層22を形成する。工程P2では、プラズマ処理により、金属基板21の表面に、カーボンナノ構造体25が生成され、表面に、カーボンナノ構造体25が表層の全体にわたって配置された複数の微小な粒状体23が密に配置された微細な凹凸構造CSを有する活物質層22が形成される。
図7は、工程P2のプラズマ処理の実行に好適な製造装置60の構成を示す概略図である。製造装置60は、容量結合型プラズマ(CCP;capacitively coupled plasma)CVD装置である。
製造装置60は、反応室61と、排気部62と、原料ガス供給部65と、基板支持部70と、上部電極75と、電源装置76と、を備える。製造装置60は、さらに、計測部として、真空計81と、熱電対82と、を備える。
反応室61は、真空に保持可能な気密構造を有する。反応室61には、排気部62と原料ガス供給部65とが接続されている。
排気部62は、反応室61内に導入されている排気配管63と、排気配管63に接続されている真空ポンプ64とを備える。真空ポンプ64は、プラズマ処理中に、排気配管63を介して反応室61内の反応で消費されなかった余剰なガスを吸引し、反応室61内を5~2000mTorr(0.65~267Pa)の範囲内の真空度に保持する。なお、反応室61の真空度は、真空計81により測定される。
原料ガス供給部65は、反応室61に、プラズマ処理で消費される原料ガスを供給する。原料ガス供給部65は、原料ガス貯留部66と、流量制御部67と、原料導入配管68と、を備える。
原料ガス貯留部66は、プラズマ処理に用いられる原料ガスとして、複数種類のガスが、その種類ごとに貯留されている。製造装置60では、原料ガスとして、カーボンナノ構造体25を構成するカーボンを含む炭素系ガスと、カーボンナノ構造体25の成長に寄与する反応寄与ガスとが用いられる。炭素系ガスは、例えば、メタン(CH4)や、六フッ化エタン(C2F6)である。反応寄与ガスは、プラズマ処理において、ぺニング効果により、炭素系ガスのプラズマ化を促進する。また、反応寄与ガスは、プラズマ処理において、イオン化して処理対象である金属基板21に衝突することにより、カーボンナノ構造体25の成長起点となる核を形成する。反応寄与ガスは、例えば、水素(H2)や、アルゴン(Ar)である。原料ガス貯留部66では、それら複数種類のガスがそれぞれ個別に、図示しないタンクに貯留されている。
流量制御部67は、ガス送出装置67aと、流量調整弁67bと、を備える。ガス送出装置67aと流量調整弁67bとは、原料ガス貯留部66に接続された複数種類のガスごとの配管にそれぞれ設けられている。ガス送出装置67aは、例えば、エジェクタやポンプによって構成され、原料ガス貯留部66からガスを所定の圧力で送り出す。ガス送出装置67aにより送り出されたガスは、流量調整弁67bによってその流量が制御される。流量調整弁67bで流量が調整された各種のガスは、原料導入配管68において合流する。原料導入配管68は、それら複数種類のガスが所定の割合で混合された原料ガスを反応室61内に導入する。
反応室61内には、基板支持部70が設けられている。基板支持部70は、工程P1で準備された金属基板21を支持する。基板支持部70は、サセプター71と、石英カバー72と、ヒーター73と、を備える。サセプター71は、金属基板21の支持基台を構成する。処理対象である金属基板21は、サセプター71の上に配置される。サセプター71は、アースされている。後述するように、プラズマ処理に際には、高周波電圧が用いられるため、サセプター71はフローティングされていてもよい。
サセプター71は、石英カバー72の上に配置されており、石英カバー72の下には、ヒーター73が設けられている。石英カバー72は、ヒーター73を保護する。また、石英カバー72は、サセプター71を支持するとともにヒーター73がサセプター71に直接接触することを防止する。
プラズマ処理中には、金属基板21は、サセプター71を介してヒーター73の輻射熱を受けて加熱される。熱電対82は、ヒーター73の加熱温度を測定する。プラズマ処理中には、熱電対82によって測定される温度に基づいてヒーター73による金属基板21の加熱が制御される。本実施形態では、ヒーター73は、室温(RT)以上700℃以下の範囲内の所定の加熱温度で制御される。加熱温度をRTとする制御は、ヒーター73の駆動を停止する制御を意味する。
反応室61の上部には、上部電極75が設置されている。上部電極75は、処理対象となる金属基板21と面するように、サセプター71の上に設置されている。上部電極75は、金属基板21に対してほぼ平行になるように設置されていることが好ましい。上部電極75とサセプター71との間の距離は、例えば、1~5cm程度である。上部電極75は、反応室61の外部に設けられた電源装置76に接続されている。
電源装置76は、高周波電源装置である。電源装置76は、原料ガス貯留部66によって反応室61に原料ガスが供給されているときに、上部電極75に対して高周波電圧を印加し、反応室61内に高密度の容量結合型プラズマを発生させる。この高密度プラズマの発生により、反応室61内にはラジカルが発生する。プラズマ処理では、このラジカルを利用して、金属基板21の表面全体に、カーボンナノ構造体25が生成される。プラズマ処理が開始されると、まず、金属基板21の表面全体を覆うようにアモルファスカーボン層29が形成され、その後、アモルファスカーボン層29によって覆われた金属粒子26を成長起点として、カーボンナノ構造体25が成長していく。
ここで、一般的に、CVD法により、カーボンナノウォールを金属基板の平坦面に形成する場合、金属基板の加熱温度は、700℃以上の高温に制御される。本実施形態のように、金属基板21の表面に金属粒子26のような凸部が形成されていると、その金属粒子26がカーボンナノ構造体25の成長起点となるため、平坦な面上よりもカーボンナノ構造体25の成長が促進される。そのため、ヒーター73により、金属基板21の加熱温度を、上記のようなRT以上700℃以下の比較的低温な条件に制御しても、カーボンナノ構造体25を円滑に形成することが可能である。なお、ヒーター73による金属基板21の加熱温度の上限は、700℃未満としてもよく、600℃以下、あるいは、500℃以下としてもよい。ヒーター73による金属基板21の加熱温度は、400℃以下に制御されてもよく、RTに制御されてもよい。
工程P2では、反応室61内に処理対象である金属基板21が配置され、製造装置60におけるプラズマ処理により、金属基板21の表面に、カーボンナノ構造体25を有する活物質層22が形成される。なお、図示は省略されているが、製造装置60における処理対象となる金属基板21は、反応室61の外部においてロールに巻かれた状態で設置されている。プラズマ処理の実行中には、金属基板21は、そのロールから反応室61内へと繰り出され、サセプター71に支持されながら、反応室61の外へと搬送されていく。製造装置60では、反応室61内を通過中の金属基板21の表面に対して、プラズマ処理によって活物質層22が形成される。
工程P3では、正極となる第2電極30が製造される。工程P4では、図1に示すように、第1電極20と第2電極30とが、電解液12が満たされた容器11に組付けられる。以上の工程により、二次電池10が完成する。
以上のように、本実施形態の製造工程によれば、工程P1において、電解析出による表面処理により、金属基板21を効率よく製造することができる。また、工程P2では、金属基板21の表面に突起部28が設けられていることによって、表面に複数の粒状体23が形成された活物質層22を、比較的低温な温度条件で効率よく生成することができる。工程P1,P2で準備された電極20は、上述したように、ロール状に丸めて搬送したとしても、活物質層22のカーボンナノ構造体25の破壊や脱落が抑制されるため、取り回しが容易である。よって、電極20の量産性が高められるし、電極20を用いた二次電池10の製造が容易化される。
図8、図9、図10、および、図11を参照して、本実施形態の電極20の実施例E1,E2,E3,E4とその比較例C1,C2とを説明する。
図8(a),(b)にはそれぞれ、実施例E1の集電体を構成する金属基板21の表面の撮影画像が示されている。また、図9(a),(b)にはそれぞれ、実施例E2の集電体を構成する金属基板21の表面の撮影画像が示されている。図8(a)および図9(a)は、走査電子顕微鏡によって金属基板21の厚み方向に直交する方向から見たときの突起部28を撮影した画像である。図8(b)および図9(b)は、走査電子顕微鏡によって金属基板21の表面を金属基板21の厚み方向に撮影した画像である。図8(b)および図9(b)の画像は、突起部28を金属基板21の厚み方向に射影した射影領域の画像に相当する。
実施例E1,E2の金属基板21は、基材として銅箔を用いて、上述した電解析出による表面処理を施すことにより作製された。突起部28は、図8(a)および図9(a)に示されているように、金属粒子26が密に集まった構成を有する粒子構造体27や、単体の金属粒子26によって構成されたものを含んでいる。実施例E1では、粒子構造体27は、図8(b)に示されているように、金属基板21の表面全体に分布するように形成されていた。一方、実施例E2では、図8(b)に示されているように、単体で突起部28を構成する金属粒子26が金属基板21の表面全体にわたって分散して配置されており、その単体の金属粒子26の間に、突起部28を構成する粒子構造体27が存在していた。
図8(b)に示すように、実施例E1では、粒子構造体27を構成している金属粒子26の粒子径は、概ね、0.5~5.0μmの範囲内であった。また、図9(b)に示すように、実施例E2では、単体で突起部28を構成している金属粒子26、および、粒子構造体27を構成している金属粒子26の粒子径は、概ね、0.1~5.0μmの範囲内であった。
図8(b)に示すように、実施例E1では、粒子構造体27の最大幅は、概ね、5.0~50.0μmの範囲内であった。また、図9(b)に示すように、実施例E2では、粒子構造体27の最大幅は、概ね、1.0~10.0μmの範囲内であった。
このように、実施例E1,E2の金属基板21における突起部28の最大幅は、概ね、0.1~50.0μmの範囲内であった。
図8(a)に示すように、実施例E1では、粒子構造体27を構成している金属粒子26の高さは、概ね、0.5~2.5μmの範囲内であった。図9(a)に示すように、実施例E2では、単体で突起部28を構成している金属粒子26、および、粒子構造体27を構成している金属粒子26の高さは、概ね、0.5~3.0μmの範囲内であった。
図8(a)に示すように、実施例E1では、粒子構造体27の高さは、概ね、3.0~10.0μm以下の範囲内であった。また、図9(a)に示すように、実施例E2では、単体で突起部28を構成している金属粒子26の高さは、概ね、0.5~5.0μmの範囲内であった。また、実施例E2では、粒子構造体27の高さは、概ね、1.0~8.0μmの範囲内であった。
このように、実施例E1,E2の金属基板21における突起部28の高さは、概ね、0.5~10.0μmの範囲内であった。
実施例E1,E2ではいずれも、突起部28を金属基板21の厚み方向に射影した射影領域の面積は、0.01μm2より大きく、10000μm2以下の範囲内であった。また、金属基板21を厚み方向に射影したときの突起部28の射影領域の密度は、1個/mm2以上、108個/mm2未満の範囲内であった。なお、突起部28の射影領域は、図8(b)の撮影画像に表れている影が濃い外周輪郭線に囲まれた領域の面積に相当する。
図8(c),(d)にはそれぞれ、実施例E1における活物質層22の撮影画像が示されている。また、図9(c),(d)にはそれぞれ、実施例E2における活物質層22の撮影画像が示されている。図10(a),(b)にはそれぞれ、実施例E3における活物質層22の撮影画像が示されている。図11(c),(d)にはそれぞれ、実施例E4における活物質層22の撮影画像が示されている。図8(c)、図9(c)、図10(a)、および、図10(c)は、走査電子顕微鏡によって電極20の厚み方向に直交する方向から見たときの活物質層22の粒状体23を撮影した画像である。図8(d)、図9(d)、図10(b)、および、図10(d)は、走査電子顕微鏡によって活物質層22の表面の粒状体23を電極20の厚み方向に撮影した画像である。
実施例E1,E3,E4は、図8(a),(b)に示した金属基板21の表面に、下記の表1に示す条件のCVD法によって活物質層22を形成することにより作製した。実施例E2は、図9(a),(b)に示した金属基板21の表面に、下記の表1に示した条件のCVD法によって活物質層22を形成することにより作製した。上部電極75と金属基板21との間の距離は3cmであった。実施例E1,E4では、CCP-CVD法を採用した。実施例E2,E3では、実施例E1,E4とは異なり、水素はマイクロ波電源でプラズマ処理した。
プラズマ処理では、ヒーター73による金属基板21の加熱温度は、表1に示すように、実施例E1,E2については700℃、実施例E3についてはRT、実施例E4については400℃に制御した。なお、表1における「金属基板の加熱温度」は、熱電対82によるヒーター73近傍の温度の計測値を意味し、金属基板21の温度とは異なる。金属基板21の温度は、通常、プラズマ照射の影響を受け、ヒーター73によって加熱されていない状態であってもRTより高くなる。
図8、図9、および、図10に示すように、実施例E1,E2,E3,E4の活物質層22の表面には、複数の微小な粒状体23が密に配置されることにより、微細な凹凸構造CSが形成されていた。各粒状体23は、電極20の厚み方向や面に沿った方向に三次元的に分散する状態で形成されていた。
図8、図9、および、図10に示す画像では、カーボンナノ構造体25は、白い筋状に写っている。実施例E1,E2,E3,E4のいずれにおいても、カーボンナノ構造体25は、粒状体23の表層の全体にわたって形成された。
図8(d)に示すように、実施例E1では、各粒状体23の粒子径は、概ね、0.5μm以上5.0μm以下の範囲内であった。図9(d)に示すように、実施例E2では、各粒状体23の粒子径は、概ね、0.5μm以上5.0μm以下の範囲内であった。図10(b)に示すように、実施例E3では、各粒状体23の粒子径は、概ね、0.5μm以上5.0μm以下の範囲内であった。図10(d)に示すように、実施例E4では、各粒状体23の粒子径は、概ね、0.1μm以上2.0μm以下の範囲内であった。ここでの各粒状体23の粒子径は、画像の幅方向における各粒状体23の幅の最大値である。
図8(c)に示すように、実施例E1では、各粒状体23の高さは、概ね、0.5μm以上3.0μm以下の範囲内であった。図9(c)に示すように、実施例E2では、各粒状体23の高さは、概ね、1.5μm以上6.0μm以下の範囲内であった。図10(a)に示すように、実施例E3では、各粒状体23の高さは、概ね、1.0μm以上4.0μm以下の範囲内であった。図10(c)に示すように、実施例E4では、各粒状体23の高さは、概ね、0.5μm以上2.0μm以下の範囲内であった。
カーボンナノ構造体25の高さHは、実施例E1,E2,E3,E4のいずれも、概ね、80~200nm程度であった。カーボンナノ構造体25の厚みWは、実施例E1,E2,E3,E4のいずれにおいても、概ね、1~10nmの範囲内であった。また、カーボンナノ構造体25の間隔Dは、実施例E1,E2,E3,E4のいずれにおいても、概ね、10nm以上500nm以下の範囲内であった。
図8、図9、および、図10の画像では確認できないが、実施例E1,E2,E3,E4では、カーボンナノ構造体25の下に、アモルファスカーボン層29が形成されていた。アモルファスカーボン層29の膜厚は、概ね、10nm以上300nm以下の範囲内であった。
上記の表1で示されているように、実施例E3,E4では、ヒーター73による金属基板21の加熱温度は、700℃未満で制御されていた。この温度条件であっても、実施例E1,E2と同様に、カーボンナノ構造体25を形成することができた。また、後述するように、実施例E3,E4の電極と実施例E1,E2の電極とで、二次電池の電池性能に大きな差は生じなかった。
図11(a),(b)にはそれぞれ、比較例C1の活物質層の撮影画像が示されている。図11(a)は、走査電子顕微鏡によって比較例C1の活物質層を、その厚み方向に直交する方向から撮影した画像である。図11(b)は、走査電子顕微鏡によって、比較例C1の活物質層の表面を正対する方向から撮影した画像である。
比較例C1の活物質層は、実施例のような電解析出による表面処理を行わなかった平坦面を有する銅箔を金属基板として、上記の表1に示した条件のCVD法によって形成された。比較例C1のCVD法では、実施例E2と同様に、水素をマイクロ波電源でプラズマ処理した。
図11(a),(b)に示すように、比較例C1では、活物質層は、カーボンナノウォールによって構成されていた。図11(a)に示すように、比較例C1では、カーボンナノウォールを約1.0μmのほぼ一様な高さで形成した。図11(b)に示すように、比較例C1では、カーボンナノウォールは、金属基板の表面の全体にわたってランダムな網目状に形成された。
図11(c)には、比較例C2の電極の活物質層の撮影画像が示されている。図11(c)は、走査電子顕微鏡によって、比較例C2の活物質層の表面を正対する方向から撮影した画像である。比較例C2は、比較例C1と同じ平坦な金属基板の表面にグラファイトの層が形成された構成を有する。
図12~図17は、上記の実施例E1,E2,E3,E4および比較例C1,C2の電極を負極とする二次電池の電池性能の評価試験結果を示す説明図である。図12図15には、実施例E1,E2,E3,E4を用いた二次電池において得られたグラフが示されている。また、図16および図17にはそれぞれ、比較例C1,C2を用いた二次電池において得られたグラフが示されている。図12~図17では、二次電池の電圧と充電容量との関係が、充電時については実線のグラフで、放電時については一点鎖線のグラフで示されている。図18には、実施例E1,E2および比較例C1,C2を用いた二次電池の充電容量および比容量がそれぞれ棒グラフで示されている。本評価試験では、充電電流および放電電流はいずれも0.5mAとした。
実施例E1,E2,E3,E4および比較例C1,C2を用いた二次電池は、リチウムイオン二次電池であり、下記の表2に示す構成で作製した。
図12~図18に示されている通り、グラファイトの活物質層を有する比較例C2を用いた二次電池によれば、充電容量が4.0[mAh]であり、比容量が2.0[mAh/cm2]であった。また、一様な厚みのカーボンナノウォールの活物質層を有する比較例C1を用いた二次電池によれば、充電容量が12.6[mAh]であり、比容量が9.4[mAh/cm2]であった。このように、カーボンナノウォールを負極の活物質層に適用した方が、グラファイトを活物質層に適用した場合よりも著しく二次電池の電池性能を向上させることができる。
ところが、実施例E2を用いた二次電池によれば、充電容量が14.3[mAh]であり、比容量が11.0[mAh/cm2]であった。また、実施例E1を用いた二次電池によれば、充電容量が15.0[mAh]であり、比容量が11.3[mAh/cm2]であった。実施例E3,E4を用いた二次電池においても、充電容量が14.0[mAh]以上であり、比容量が11.0[mAh/cm2]以上であった。このように、実施例E1,E2,E3,E4のいずれについても、カーボンナノウォールの活物質層を有する比較例C2を用いた二次電池よりも明らかに電池性能が著しく向上していた。このような結果になったのは、実施例E1,E2,E3,E4の活物質層22におけるカーボンナノ構造体25の表面積が、比較例C2の活物質層のカーボンナノウォールの表面積よりも著しく大きいためであると考えられる。
以上のように、本願発明に係る蓄電デバイス用電極によれば、蓄電デバイスの電池性能を著しく向上させることができることがわかる。
2.他の実施形態:
本願発明は、上述の実施形態や実施例の構成に限定されることはなく、例えば、以下のような形態で実現することもできる。以下において、他の実施形態として説明する構成はいずれも、上記の実施形態や実施例と同様に、本願発明を実施するための一形態例として位置づけられる。
本願発明は、上述の実施形態や実施例の構成に限定されることはなく、例えば、以下のような形態で実現することもできる。以下において、他の実施形態として説明する構成はいずれも、上記の実施形態や実施例と同様に、本願発明を実施するための一形態例として位置づけられる。
2-1.他の実施形態1:
上記実施形態の電極20を用いた二次電池は、リチウムイオン以外の金属イオンを充放電に関与させる構成であってもよい。上記実施形態の電極20を用いた二次電池は、例えば、ナトリウム(Na)イオンや、カリウム(K)イオン、マグネシウム(Mg)イオン等を充放電に関与させる構成であってもよい。
上記実施形態の電極20を用いた二次電池は、リチウムイオン以外の金属イオンを充放電に関与させる構成であってもよい。上記実施形態の電極20を用いた二次電池は、例えば、ナトリウム(Na)イオンや、カリウム(K)イオン、マグネシウム(Mg)イオン等を充放電に関与させる構成であってもよい。
2-2.他の実施形態2:
上記実施形態の電極20は、二次電池以外の蓄電デバイスに用いられてもよい。上記実施形態の電極20は、例えば、電気二重層キャパシタに用いられてもよい。この場合には、電極20は、電気二重層キャパシタの正極と負極の両方に用いられてもよい。
上記実施形態の電極20は、二次電池以外の蓄電デバイスに用いられてもよい。上記実施形態の電極20は、例えば、電気二重層キャパシタに用いられてもよい。この場合には、電極20は、電気二重層キャパシタの正極と負極の両方に用いられてもよい。
2-3.他の実施形態3:
上記実施形態で説明した電極20の製造方法において、工程P1では、電解析出以外の方法で金属基板21の基材BMに対する表面処理が行われてもよい。金属基板21の突起部28は、例えば、CVD法による表面処理や、金属基板の酸化処理、ブラスト処理等によって形成されてもよい。また、金属基板21の突起部28は、例えば、表面に複数の突起を設けたロールを押し当てるなど、金属基板21の表面を押圧加工する機械的な処理によって形成されてもよい。
上記実施形態で説明した電極20の製造方法において、工程P1では、電解析出以外の方法で金属基板21の基材BMに対する表面処理が行われてもよい。金属基板21の突起部28は、例えば、CVD法による表面処理や、金属基板の酸化処理、ブラスト処理等によって形成されてもよい。また、金属基板21の突起部28は、例えば、表面に複数の突起を設けたロールを押し当てるなど、金属基板21の表面を押圧加工する機械的な処理によって形成されてもよい。
2-4.他の実施形態4:
上記実施形態で説明した電極20の製造方法において、工程P2では、CCP-CVD法以外のCVD法によるプラズマ処理が行われてもよい。工程P2では、例えば、RI-CVD法や、ICP-CVD法、LIA-CVD法等によってカーボンナノ構造体25が生成されてもよい。
上記実施形態で説明した電極20の製造方法において、工程P2では、CCP-CVD法以外のCVD法によるプラズマ処理が行われてもよい。工程P2では、例えば、RI-CVD法や、ICP-CVD法、LIA-CVD法等によってカーボンナノ構造体25が生成されてもよい。
3.形態例:
本願発明は、以下のような形態によって実現することが可能である。
本願発明は、以下のような形態によって実現することが可能である。
[第1形態]蓄電デバイス用電極であって、集電体を構成する金属基板と、 前記金属基板の表面に形成され、活物質としてカーボンを含む活物質層と、を備え、前記活物質層の表面は、複数の微小な粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を有し、前記粒状体の表層には、前記粒状体の外方に向かって細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体が全体にわたって配置されている、蓄電デバイス用電極。
第1形態の蓄電デバイス用電極によれば、活物質層に含まれるカーボンナノ構造体の表面積を増大させることができるため、蓄電デバイスの充電容量を高めることができる。また、第1形態の蓄電デバイス用電極によれば、ロール状に丸められたとしても、少なくとも、活物質層の微細な凹凸構造の凹部に存在するカーボンナノ構造体の破壊や脱落を抑制することができる。よって、蓄電デバイス用電極の取り回し性を高めることができ、その量産性を向上させることができる。
第1形態の蓄電デバイス用電極によれば、活物質層に含まれるカーボンナノ構造体の表面積を増大させることができるため、蓄電デバイスの充電容量を高めることができる。また、第1形態の蓄電デバイス用電極によれば、ロール状に丸められたとしても、少なくとも、活物質層の微細な凹凸構造の凹部に存在するカーボンナノ構造体の破壊や脱落を抑制することができる。よって、蓄電デバイス用電極の取り回し性を高めることができ、その量産性を向上させることができる。
[第2形態]上記第1形態の蓄電デバイス用電極において、前記金属基板の表面には、微小な金属粒子によって構成されている複数の突起部が形成されており、前記粒状体は、前記金属粒子の表面から延び出るように形成された前記カーボンナノ構造体が、前記突起部の表面全体を覆うように配置されることにより構成されていてよい。
第2形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板の金属粒子を起点としてカーボンナノ構造体を生成させやすいため、活物質層の粒状体を、より好適な状態で形成することができる。
第2形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板の金属粒子を起点としてカーボンナノ構造体を生成させやすいため、活物質層の粒状体を、より好適な状態で形成することができる。
[第3形態]上記第2形態の蓄電デバイス用電極において、前記突起部は、複数の前記金属粒子が密に集まることによって構成された粒子集合体を含んでいてよい。
第3形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板の粒子集合体によって、活物質層の粒状体をより容易に、かつ、好適な状態で形成することができる。
第3形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板の粒子集合体によって、活物質層の粒状体をより容易に、かつ、好適な状態で形成することができる。
[第4形態]上記第2形態または第3形態に記載の蓄電デバイス用電極において、前記突起部を前記金属基板の厚み方向に射影した射影領域の面積は、0.01μm2より大きく、10000μm2以下であり、前記金属基板を厚み方向に射影したときの前記突起部の射影領域の密度は、1個/mm2以上、108個/mm2未満であってよい。
第4形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板がより好適なサイズの突起部を有するため、活物質層の粒状体を、さらに好適な状態で形成することが可能になる。
第4形態の蓄電デバイス用電極によれば、金属基板がより好適なサイズの突起部を有するため、活物質層の粒状体を、さらに好適な状態で形成することが可能になる。
[第5形態]上記第1形態、第2形態、第3形態、および、第4形態のいずれかの蓄電デバイス用電極において、前記粒状体の平均粒子径は、0.1μm以上10.0μm以下であってよい。
第5形態の蓄電デバイス用電極によれば、蓄電デバイスにおいてデンドライトが発生することを抑制できる。
第5形態の蓄電デバイス用電極によれば、蓄電デバイスにおいてデンドライトが発生することを抑制できる。
[第6形態]第6形態は、二次電池として提供される。第6形態の二次電池は、上記第1形態、第2形態、第3形態、第4形態、および、第5形態のいずれかに記載の蓄電デバイス用電極によって構成された第1電極と、イオン化して前記第1電極に移動する金属原子を含む第2電極と、を備え、充電の際に、第1電極の表層に、前記金属原子が析出した層が形成される。
第6形態の二次電池によれば、充電の際に負極において金属原子が析出する反応が起こるため、高い充電容量を得ることができる。
第6形態の二次電池によれば、充電の際に負極において金属原子が析出する反応が起こるため、高い充電容量を得ることができる。
[第7形態]蓄電デバイス用電極の製造方法であって、(i)微小な金属粒子によって構成された複数の突起部が表面に配置されている金属基板を反応室に配置する工程と、(ii)前記反応室に、少なくとも炭素系ガスを含む原料ガスを供給して高密度プラズマを発生させて、前記突起部の表面から細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体を前記突起部の表面全体にわたって成長させ、前記カーボンナノ構造体が表層の全体にわたって配置された複数の微小な粒状体を形成することにより、前記粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を表面に有する活物質層を前記金属基板に形成する工程と、を備える、製造方法。
第7形態の製造方法によれば、集電体を構成する金属基板の表面に、カーボンナノ構造体が表層の全体にわたって形成された複数の粒状体を有する活物質層を容易に形成することができる。
第7形態の製造方法によれば、集電体を構成する金属基板の表面に、カーボンナノ構造体が表層の全体にわたって形成された複数の粒状体を有する活物質層を容易に形成することができる。
[第8形態]上記第7形態の製造方法は、前記金属基板の基材の平坦な表面に、電解析出により、前記金属粒子を析出させることによって、前記突起部を形成し、前記金属基板を準備する工程をさらに備えていてもよい。
第8形態の製造方法によれば、金属基板の基材に対する電解析出により、金属基板の表面の突起部を容易に形成することができる。
第8形態の製造方法によれば、金属基板の基材に対する電解析出により、金属基板の表面の突起部を容易に形成することができる。
[第9形態]上記第8形態の製造方法において、前記電解析出によって、前記金属基板の基材の平坦な表面に、前記金属粒子が密に集まって構成された粒子集合体を含む前記突起部を形成してもよい。
第9形態の製造方法であれば、金属基板の表面の粒子集合体によって、粒状体の形成がさらに容易になる。
第9形態の製造方法であれば、金属基板の表面の粒子集合体によって、粒状体の形成がさらに容易になる。
[第10形態]上記第7形態、第8形態、第9形態のいずれかに記載の製造方法では、前記反応室内において、前記金属基板の表面に前記カーボンナノ構造体を形成する際に、前記金属基板は、室温以上700℃未満の温度に制御されてもよい。
第10形態の製造方法によれば、カーボンナノ構造体を形成するための加熱温度を低温化することができるため、蓄電デバイス用電極の製造効率をより向上させることができる。
第10形態の製造方法によれば、カーボンナノ構造体を形成するための加熱温度を低温化することができるため、蓄電デバイス用電極の製造効率をより向上させることができる。
10…二次電池、11…容器、12…電解液、15…セパレータ、16…第1電極室、17…第2電極室、20…第1電極(蓄電デバイス用電極)、21…金属基板、21a…第1面、21b…第2面、22…活物質層、23…粒状体、25…カーボンナノ構造体、26…金属粒子、27…粒子構造体、28…突起部、29…アモルファスカーボン層、30…第2電極、31…正極集電体、31a…第1面、31b…第2面、32…正極活物質層、50…表面処理装置、51…送出ローラ、52…案内ローラ、53…巻取ローラ、55…電解浴槽、56…電解液、58…電極板、60…製造装置、61…反応室、62…排気部、63…排気配管、64…真空ポンプ、65…原料ガス供給部、66…原料ガス貯留部、67…流量制御部、67a…ガス送出装置、67b…流量調整弁、68…原料導入配管、70…基板支持部、71…サセプター、72…石英カバー、73…ヒーター、75…上部電極、76…電源装置、81…真空計、82…熱電対、BM…基材、CS…凹凸構造、GS…グラフェン
Claims (10)
- 蓄電デバイス用電極であって、
集電体を構成する金属基板と、
前記金属基板の表面に形成され、活物質としてカーボンを含む活物質層と、
を備え、
前記活物質層の表面は、複数の微小な粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を有し、
前記粒状体の表層には、前記粒状体の外方に向かって細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体が全体にわたって配置されている、蓄電デバイス用電極。 - 請求項1記載の蓄電デバイス用電極であって、
前記金属基板の表面には、微小な金属粒子によって構成されている複数の突起部が形成されており、
前記粒状体は、前記金属粒子の表面から延び出るように形成された前記カーボンナノ構造体が、前記突起部の表面全体を覆うように配置されることにより構成されている、蓄電デバイス用電極。 - 請求項2記載の蓄電デバイス用電極であって、
前記突起部は、複数の前記金属粒子が密に集まることによって構成された粒子集合体を含む、蓄電デバイス用電極。 - 請求項2記載の蓄電デバイス用電極であって、
前記突起部を前記金属基板の厚み方向に射影した射影領域の面積は、
0.01μm2より大きく、10000μm2以下であり、
前記金属基板を厚み方向に射影したときの前記突起部の射影領域の密度は、
1個/mm2以上、108個/mm2未満である、蓄電デバイス用電極。 - 請求項1記載の蓄電デバイス用電極であって、
前記粒状体の平均粒子径は、0.1μm以上10.0μm以下である、蓄電デバイス用電極。 - 二次電池であって、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の蓄電デバイス用電極によって構成された第1電極と、
イオン化して前記第1電極に移動する金属原子を含む第2電極と、
を備え、
充電の際に、第1電極の表層に、前記金属原子が析出した層が形成される、二次電池。 - 蓄電デバイス用電極の製造方法であって、
微小な金属粒子によって構成された複数の突起部が表面に配置されている金属基板を反応室に配置する工程と、
前記反応室に、少なくとも炭素系ガスを含む原料ガスを供給して高密度プラズマを発生させて、前記金属粒子の表面から細長く延びているグラフェンによって構成されたカーボンナノ構造体を前記突起部の表面全体にわたって成長させ、前記カーボンナノ構造体が表層の全体にわたって配置された複数の微小な粒状体を形成することにより、前記粒状体が密に配置された微細な凹凸構造を表面に有する活物質層を前記金属基板に形成する工程と、
を備える、製造方法。 - 請求項7記載の製造方法であって、
前記金属基板の基材の平坦な表面に、電解析出により、前記金属粒子を析出させることによって、前記突起部を形成し、前記金属基板を準備する工程を備える、製造方法。 - 請求項8記載の製造方法であって、
前記電解析出によって、前記金属基板の基材の平坦な表面に、前記金属粒子が密に集まって構成された粒子集合体を含む前記突起部を形成する、製造方法。 - 請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の製造方法であって、
前記反応室内において、前記金属基板の表面に前記カーボンナノ構造体を形成する際に、前記金属基板は、室温以上700℃未満の温度に制御される、製造方法。
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