JP2024011003A - 接合方法及び接合装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板同士の接合面の酸化を抑制できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による接合方法は、絶縁膜が露出する第１領域と、導電膜が露出する第２領域とを表面に有する第１基板及び第２基板を準備する工程と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の前記表面にイオン液体を塗布する工程と、前記イオン液体を介して前記第１基板の前記表面と前記第２基板の前記表面とを接合する工程と、を有する。【選択図】図１
Description
本開示は、接合方法及び接合装置に関する。
表面に絶縁膜と導電膜とが形成された基板同士を接合する技術が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
本開示は、基板同士の接合面の酸化を抑制できる技術を提供する。
本開示の一態様による接合方法は、絶縁膜が露出する第１領域と、導電膜が露出する第２領域とを表面に有する第１基板及び第２基板を準備する工程と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の前記表面にイオン液体を塗布する工程と、前記イオン液体を介して前記第１基板の前記表面と前記第２基板の前記表面とを接合する工程と、を有する。
本開示によれば、基板同士の接合面の酸化を抑制できる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板同士の接合〕
近年、ＶＬＳＩ（Very Large-Scale Integration）の微細化、立体形化と共に、別々に作製された異なる基板の上に形成した電子回路素子同士を直接貼り合わせて１つの電子回路素子として造り込む３次元積層技術が注目されている。特に、一方の基板の絶縁膜及び導電膜を、それぞれ他方の基板の絶縁膜及び導電膜に同時に貼り合わせて圧着するハイブリッド接合は、ＶＬＳＩの更なる高速化と低消費電力化のために重要である。導電膜は、例えば電極パッドであり、電気信号の入出力のために用いられる。
近年、ＶＬＳＩ（Very Large-Scale Integration）の微細化、立体形化と共に、別々に作製された異なる基板の上に形成した電子回路素子同士を直接貼り合わせて１つの電子回路素子として造り込む３次元積層技術が注目されている。特に、一方の基板の絶縁膜及び導電膜を、それぞれ他方の基板の絶縁膜及び導電膜に同時に貼り合わせて圧着するハイブリッド接合は、ＶＬＳＩの更なる高速化と低消費電力化のために重要である。導電膜は、例えば電極パッドであり、電気信号の入出力のために用いられる。
ハイブリッド接合では、それぞれ許容できる熱処理（Thermal Budget）が異なる２つの基板（例えばＳｉ基板上に作りこんだＣ－ＦＥＴ（Complementary - Field Effect Transistor）のＮチャネル（Ｎｃｈ）トランジスタ回路部とＰチャネル（Ｐｃｈ）トランジスタ回路部の縦方向立体積層形成やＳｉ基板とＧｅやIII－V族基板等の異種基板）を、電子回路素子を形成した後に貼り合わせることで１つの素子を形成できる。ハイブリッド接合では、異なる基板に形成された低インピーダンスの入出力回路間で信号通信をする必要がないため、基板に形成された電子回路素子間の信号伝達を飛躍的に高速化できる。
以下では、ハイブリッド接合に関し、基板同士の接合面の酸化を抑制できる接合方法について説明する。
〔接合方法〕
図１～図７を参照し、実施形態に係る接合方法について説明する。図１に示されるように、実施形態に係る接合方法はステップＳ１～Ｓ３を有する。ステップＳ１～Ｓ３は、この順に実施される。
図１～図７を参照し、実施形態に係る接合方法について説明する。図１に示されるように、実施形態に係る接合方法はステップＳ１～Ｓ３を有する。ステップＳ１～Ｓ３は、この順に実施される。
ステップＳ１では、第１基板１０及び第２基板２０を準備する。
第１基板１０は、図２に示されるように、演算部１１と、配線層１２とを有する。
演算部１１は、下地基板１３の一部を含んで形成される。演算部１１は、例えばトランジスタ等の半導体デバイスを含む。下地基板１３は、例えば半導体ウエハである。
配線層１２は、例えば多層配線である。配線層１２は、配線１４と、電極パッド１５と、第１絶縁膜１６と、第２絶縁膜１７とを有する。配線１４は、多層に設けられる。配線１４は、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。配線１４は、演算部１１と電気的に接続される。電極パッド１５は、下地基板１３から最も離れた位置にある配線１４の上に設けられる。電極パッド１５は、配線１４と電気的に接続される。電極パッド１５は、配線１４を介して演算部１１と電気的に接続される。電極パッド１５は、上面が露出する。電極パッド１５は、例えばＣｕにより形成される。第１絶縁膜１６は、例えば配線１４間を埋める層間絶縁膜である。層間絶縁膜は、好ましくは低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜である。層間絶縁膜は、特に限定されないが、例えばＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＮ膜、又はＳｉＯＣＮ膜である。ＳｉＯ膜とは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とを含む膜を意味する。ＳｉＯ膜におけるＳｉとＯの原子比は１：１には限定されない。ＳｉＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＮ膜、及びＳｉＯＣＮ膜について同様である。第２絶縁膜１７は、第１絶縁膜１６の上に設けられる。第２絶縁膜１７は、上面が露出する。第２絶縁膜１７の上面は、例えば電極パッド１５の上面と面一である。第２絶縁膜１７は、例えば酸化膜を除く絶縁膜であってよい。この場合、ステップＳ２において第１基板１０の表面にイオン液体が塗布された際に、イオン液体に溶けて変質することを抑制できる。第２絶縁膜１７は、例えばＳｉＣ膜である。
配線層１２は、例えば配線１４と第１絶縁膜１６との間にバリア膜を更に有していてもよい。配線層１２は、例えば電極パッド１５と第１絶縁膜１６との間にバリア膜を更に有していてもよい。バリア膜は、配線１４及び電極パッド１５から第１絶縁膜１６への金属拡散を抑制する。バリア膜は、特に限定されないが、例えばＴａＮ膜、ＴｉＮ膜である。ＴａＮ膜とは、タンタル（Ｔａ）と窒素（Ｎ）とを含む膜を意味する。ＴａＮ膜におけるＴａとＮの原子比は１：１には限定されない。ＴｉＮ膜についても同様である。
このように、第１基板１０は、第２絶縁膜１７が露出する第１領域Ａ１１と、電極パッド１５が露出する第２領域Ａ１２とを表面１０ａに有する。なお、第２絶縁膜１７は絶縁膜の一例であり、電極パッド１５は導電膜の一例である。
第２基板２０は、例えば第１基板１０と実質的に同じ構成を有する。第２基板２０は、図３に示されるように、演算部２１と、配線層２２とを有する。
演算部２１は、下地基板２３の一部を含んで形成される。
配線層２２は、例えば多層配線である。配線層２２は、配線２４と、電極パッド２５と、第１絶縁膜２６と、第２絶縁膜２７とを有する。電極パッド２５は、例えば電極パッド１５と同じ材料により形成される。この場合、ステップＳ３において、イオン液体を介して電極パッド１５と電極パッド２５とが接触しても、異種金属接触腐食（ガルバニック腐食）が生じない。
このように、第２基板２０は、第２絶縁膜２７が露出する第１領域Ａ２１と、電極パッド２５が露出する第２領域Ａ２２とを表面２０ａに有する。なお、第２絶縁膜２７は絶縁膜の一例であり、電極パッド２５は導電膜の一例である。
ステップＳ１は、化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）により第１基板１０の表面１０ａ及び第２基板２０の表面２０ａを平坦化することを含んでもよい。この場合、ステップＳ３において第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する際に、電極パッド１５，２５の露出面と第２絶縁膜１７，２７の露出面との間の段差に起因するボイドの発生を抑制できる。ステップＳ１は、表面１０ａ，２０ａを平坦化した後に、洗浄液により表面１０ａ，２０ａを洗浄することを含んでもよい。
ステップＳ２では、図４に示されるように、第１基板１０の表面１０ａにイオン液体を塗布する。これにより、第１基板１０の表面１０ａがイオン液体の液膜１８で覆われるため、電極パッド１５の露出面の酸化を防止できる。
ステップＳ２は、例えば第１基板１０の表面１０ａに塗布された液膜１８をゲル化又は固化させることを含んでよい。この場合、塗布されたイオン液体が電極パッド１５を構成する材料と反応して電極パッド１５の露出面が溶けることを抑制できる。例えば、第１温度でゲル又は固体となるイオン液体を第２温度に加熱して液化させた状態で、第１温度に保持された第１基板１０に塗布することにより、液膜１８をゲル化又は固化できる。第１温度は、例えば室温であってよい。第２温度は、第１温度よりも高い温度であり、イオン液体を液化できる温度であれば特に限定されない。
イオン液体は、例えば酸化膜を溶かす材料を含んでよい。この場合、第１基板１０の表面１０ａにイオン液体を塗布することにより、電極パッド１５の露出面に生じうる自然酸化膜等の酸化膜を除去できる。
イオン液体は、例えば炭素数が６以上のオキソ酸構造を含んでよい。炭素数が６以上である場合、イオン液体は比較的低い温度で低粘性を示すため、比較的低い温度で第１基板１０にイオン液体を塗布できる。炭素数は８以上であることが好ましい。この場合、低温で第１基板１０にイオン液体を塗布しやすい。オキソ酸構造は、例えば陽イオン（カチオン）及び陰イオン（アニオン）の少なくとも一方が有していてよい。オキソ酸構造としては、例えば炭素数が６以上のカルボン酸アニオンが挙げられる。炭素数が６以上のカルボン酸アニオンとしては、デカン酸アニオン（Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯ－）が好適である。イオン液体が、炭素数が６以上のカルボン酸アニオンを含む場合、陽イオンとしては種々のものを利用できる。陽イオンとしては、例えばリン酸カチオン、硫酸カチオンが挙げられる。イオン液体としては、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムデカノエート（ＴＨＴＤＰ－ＤｃＯ）が好適である。
ステップＳ２では、図５に示されるように、第１基板１０と同様に、第２基板２０の表面２０ａにイオン液体を塗布する。これにより、第２基板２０の表面２０ａがイオン液体の液膜２８で覆われるため、電極パッド２５の露出面の酸化を防止できる。
ステップＳ２では、例えば第１基板１０の表面１０ａのみにイオン液体を塗布してもよく、第２基板２０の表面２０ａのみにイオン液体を塗布してもよい。ステップＳ２では、例えば第１基板１０及び第２基板２０の少なくとも一方の表面１０ａ，２０ａにイオン液体を塗布してもよい。
ステップＳ３では、液膜１８，２８を介して第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する。
まず、図６に示されるように、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを対向させて保持し、第１基板１０と第２基板２０との位置合わせを行う。位置合わせは、例えば電極パッド１５と電極パッド２５とを対向させることを含む。位置合わせは、例えば第２絶縁膜１７と第２絶縁膜２７とを対向させることを含む。
次に、図７に示されるように、液膜１８，２８が液化する温度に第１基板１０及び第２基板２０を加熱しながら、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接近させて第１基板１０と第２基板２０とを圧着する。これにより、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとが密着する。このとき、液膜１８，２８が液化したイオン液体が電極パッド１５，２５を溶かす。このため、イオン液体を介在して金属－金属結合、金属－炭素－金属結合が生成され、電極パッド１５と電極パッド２５との間の接触抵抗が低減される。また、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する際に、第１基板１０と第２基板２０の接合面にあるイオン液体が押し出されて除去される。このため、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する前に液膜１８，２８を除去する必要がない。また、例えば電極パッド１５と電極パッド２５とが同じ材料により形成される場合には、イオン液体を介して電極パッド１５と電極パッド２５とが接触しても、ガルバニック腐食が生じない。例えばイオン液体としてＴＨＴＤＰ－ＤｃＯを用いる場合、ステップＳ３では、第１基板１０及び第２基板２０を２３０℃～２４０℃に加熱することが好ましい。
ステップＳ３では、例えば第１基板１０と第２基板２０とを圧着し、次いで液膜１８，２８が液化する温度に第１基板１０及び第２基板２０を加熱してもよい。
ステップＳ３では、真空雰囲気下で、液膜１８，２８を介して第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合してもよい。この場合、電極パッド１５，２５の表面が酸化性ガスや水分に触れることがないため、酸化腐食を抑制できる。イオン液体は、真空雰囲気下及び高温環境下でも揮発しにくいため、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する前に液膜１８，２８が消失することがない。
以上に説明したように、実施形態に係る接合方法によれば、第１基板１０及び第２基板２０の少なくとも一方の接合面にイオン液体を塗布し、次いでイオン液体を介して第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する。これにより、第１基板１０と第２基板２０との接合面がイオン液体で保護された状態で、第１基板１０と第２基板２０とを接合できる。このため、第１基板１０と第２基板２０との接合面の酸化を抑制できる。
実施形態に係る接合方法によれば、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する際に、第１基板１０と第２基板２０の接合面にあるイオン液体が押し出されて除去される。このため、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する前にイオン液体の液膜１８，２８を除去する必要がない。
実施形態に係る接合方法によれば、真空雰囲気下で液膜１８，２８を介して第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する。このため、電極パッド１５，２５の表面が酸化性ガスや水分に触れることがないため、酸化腐食を抑制できる。イオン液体は、真空雰囲気下及び高温環境下でも揮発しにくいため、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する前に液膜１８，２８が消失することがない。このため、第１基板１０と第２基板２０とを圧着する際に液膜１８，２８から脱ガスが生じにくい。また、圧着された面を高温環境下で真空状態に保つことができるため、非常に強い密着力が得られる。
実施形態に係る接合方法によれば、第１基板１０の表面１０ａと第２基板２０の表面２０ａとを接合する際に、イオン液体が電極パッド１５，２５を溶かす。このため、イオン液体を介在して金属－金属結合、金属－炭素－金属結合が生成され、電極パッド１５と電極パッド２５との間の接触抵抗が低減される。
ところで、従来のハイブリッド接合の一例として、基板の接合面をＣＭＰにより平坦化した後に接合面にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を塗布し、接合面に露出する導電膜の表面酸化を抑制する方法がある。この方法では、ＢＴＡを除去した後に基板同士を接合するため、導電膜同士の接合が弱く、導電膜同士の接合面にボイドが発生し、接続不良となりやすい。
従来のハイブリッド接合の別の一例として、基板の接合面をＣＭＰにより平坦化した後に接合面に導電性接着剤を塗布し、導電性接着剤を介して導電膜同士を接合する方法がある。この方法では、導電性接着剤に起因して抵抗が上昇しやすい。また、導電性接着剤を介して隣り合う導電膜の間でリーク電流が流れやすい。
これに対し、実施形態に係る接合方法によれば、イオン液体を介して基板同士を接合するので、導電膜同士が強い密着力で接合する。このため、導電膜同士の接合面にボイドが発生することを抑制できる。また、実施形態に係る接合方法によれば、基板同士を接合する際に不要なイオン液体が接合面から押し出され、隣り合う導電膜の間のイオン液体が除去される。このため、隣り合う導電膜の間でリーク電流が流れにくい。
〔接合装置〕
図８及び図９を参照し、実施形態に係る接合方法を実施するための接合装置について説明する。
図８及び図９を参照し、実施形態に係る接合方法を実施するための接合装置について説明する。
図８に示されるように、接合装置は、内部を密閉可能な処理容器１００を有する。処理容器１００のＸ方向正方向側の側面には、上基板ＷＵ、下基板ＷＬ及び重合基板ＷＴを搬送するための搬入出口１０１が設けられる。搬入出口１０１は、開閉シャッタ１０２により開閉される。
処理容器１００の内部は、内壁１０３によって、搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２に区画される。搬入出口１０１は、搬送領域Ｔ１における処理容器１００の側面に形成される。内壁１０３には、上基板ＷＵ、下基板ＷＬ及び重合基板ＷＴを搬送するための搬入出口１０４が形成される。搬入出口１０４は、ゲートバルブ１０５により開閉される。ゲートバルブ１０５は、設けられなくてもよい。
搬送領域Ｔ１のＸ方向正方向側には、上基板ＷＵ、下基板ＷＬ及び重合基板ＷＴを一時的に載置するためのトランジション１１０が設けられる。トランジション１１０は、例えば２段に形成され、上基板ＷＵ、下基板ＷＬ及び重合基板ＷＴのいずれか２つを同時に載置できる。
搬送領域Ｔ１には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１１上を移動自在な基板搬送体１１２が設けられる。基板搬送体１１２は、鉛直方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、搬送領域Ｔ１内、又は搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２との間で上基板ＷＵ、下基板ＷＬ及び重合基板ＷＴを搬送する。
搬送領域Ｔ１のＸ方向負方向側には、上基板ＷＵ及び下基板ＷＬの水平方向の向きを調節する位置調節機構１２０が設けられる。
搬送領域Ｔ１における位置調節機構１２０のＸ方向負方向側には、Ｙ方向に沿って延伸するレール１３０が設けられる。レール１３０は、例えば位置調節機構１２０のＹ方向負方向側の外方からＹ方向正方向側の外方まで設けられる。レール１３０には、例えば２本のノズルアーム１３１，１３２が取り付けられる。
ノズルアーム１３１には、イオン液体を吐出するノズル１３３が支持される。ノズルアーム１３１は、ノズル駆動部１３４により、レール１３０上を移動自在である。これにより、ノズル１３３は、位置調節機構１２０のＹ方向正方向側から位置調節機構１２０に保持された上基板ＷＵ及び下基板ＷＬの上方まで移動できる。ノズルアーム１３１は、ノズル駆動部１３４によって昇降自在であり、ノズル１３３の高さを調節できる。ノズル１３３には、ノズル１３３にイオン液体を供給する供給管（図示せず）が接続される。供給管には、内部を流れるイオン液体を加熱するヒータ等の加熱機構が設けられる。
ノズルアーム１３２には、イオン液体を吐出するノズル１５０が支持される。ノズルアーム１３２は、ノズル駆動部１５１により、レール１３０上を移動自在である。これにより、ノズル１５０は、位置調節機構１２０のＹ方向負方向側から位置調節機構１２０に保持された上基板ＷＵ及び下基板ＷＬの上方まで移動できる。ノズルアーム１３２は、ノズル駆動部１５１によって昇降自在であり、ノズル１５０の高さを調節できる。ノズル１５０には、ノズル１５０にイオン液体を供給する供給管（図示せず）が接続される。供給管には、内部を流れるイオン液体を加熱するヒータ等の加熱機構が設けられる。ノズル１３３及びノズル１５０は、いずれか一方のみが設けられてもよい。
処理領域Ｔ２には、下基板ＷＬを上面で載置して保持する下部チャック１６０と、上基板ＷＵを下面で吸着保持する上部チャック１６１とが設けられる。下部チャック１６０及び上部チャック１６１は、処理領域Ｔ２に収容される。上部チャック１６１は、下部チャック１６０の上方に設けられる。上部チャック１６１は、下部チャック１６０と対向配置可能に構成される。すなわち、下部チャック１６０に保持された下基板ＷＬと、上部チャック１６１に保持された上基板ＷＵとは、対向して配置可能である。
下部チャック１６０の内部には、直流電源（図示せず）に電気的に接続されている静電吸着用の電極（図示せず）もしくは真空ポンプ（図示せず）に連通する吸引管（図示せず）が設けられる。下基板ＷＬは、静電吸着用の電極に生じたクーロン力等の静電力もしくは吸引管からの吸引により下部チャック１６０の上面に吸着保持される。
下部チャック１６０の内部には、ヒータ等の加熱機構１６０ａが設けられる。加熱機構１６０ａは、下部チャック１６０に吸着保持された下基板ＷＬを加熱する。
下部チャック１６０の下方には、シャフト１６２を介してチャック駆動部１６３が設けられる。チャック駆動部１６３は、下部チャック１６０を昇降させるように構成される。チャック駆動部１６３は、下部チャック１６０を水平方向に移動させるように構成されてもよい。チャック駆動部１６３は、下部チャック１６０を鉛直軸周りに回転させるように構成されてもよい。
上部チャック１６１の内部には、直流電源（図示せず）に電気的に接続されている静電吸着用の電極（図示せず）もしくは真空ポンプ（図示せず）に連通する吸引管（図示せず）が設けられる。上基板ＷＵは、静電吸着用の電極に生じたクーロン力等の静電力もしくは吸引管からの吸引により上部チャック１６１の下面に吸着保持される。
上部チャック１６１の内部には、ヒータ等の加熱機構１６１ａが設けられる。加熱機構１６１ａは、上部チャック１６１に吸着保持された上基板ＷＵを加熱する。
上部チャック１６１の上方には、Ｙ方向に沿って延伸するレール１６４が設けられる。上部チャック１６１は、チャック駆動部１６５によりレール１６４上を移動可能である。チャック駆動部１６５は、上部チャック１６１を昇降させるように構成される。チャック駆動部１６５は、上部チャック１６１を鉛直軸周りに回転させるように構成されてもよい。
搬送領域Ｔ１には、搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２との間を移動し、かつ上基板ＷＵの表裏面を反転させる反転機構１７０が設けられる。反転機構１７０は、上基板ＷＵを保持する保持アーム１７１を有する。保持アーム１７１上には、上基板ＷＵを吸着して水平に保持する吸着パッド（図示せず）が設けられる。保持アーム１７１は、駆動部１７３に支持される。駆動部１７３は、保持アーム１７１を水平軸周りに回動させるように構成され、かつ保持アーム１７１を水平方向に伸縮させるように構成される。駆動部１７３の下方には、駆動部１７４が設けられる。駆動部１７４は、駆動部１７３を鉛直軸周りに回転させるように構成され、かつ駆動部１７３を鉛直方向に昇降させるように構成される。駆動部１７４は、Ｙ方向に延伸するレール１７５に取り付けられる。レール１７５は、処理領域Ｔ２から搬送領域Ｔ１まで延伸する。反転機構１７０は、駆動部１７４によりレール１７５に沿って位置調節機構１２０と上部チャック１６１との間を移動可能になっている。反転機構１７０の構成は、これに限定されず、上基板ＷＵの表裏面を反転させることができればよい。反転機構１７０は、例えば処理領域Ｔ２に設けられてもよい。また、基板搬送体１１２に反転機構を設け、反転機構１７０の位置に別の搬送機構を設けてもよい。
処理領域Ｔ２における処理容器１００の側面には、排気ポート１８１が設けられる。排気ポート１８１には、排気通路１８２が接続される。排気通路１８２には、圧力調整弁１８３及び真空ポンプ１８４が順次介設されて、処理領域Ｔ２を排気できるようになっている。
〔接合装置の動作〕
接合装置において、上基板ＷＵと下基板ＷＬとを接合する場合の動作について説明する。下基板ＷＬは第１基板１０に対応し、上基板ＷＵは第２基板２０に対応する。
接合装置において、上基板ＷＵと下基板ＷＬとを接合する場合の動作について説明する。下基板ＷＬは第１基板１０に対応し、上基板ＷＵは第２基板２０に対応する。
まず、接合装置に上基板ＷＵが搬送される。上基板ＷＵは、トランジション１１０を介して基板搬送体１１２により位置調節機構１２０に搬送される。続いて、ノズルアーム１３１によってノズル１３３を上基板ＷＵの中心部上方に移動させる。続いて、上基板ＷＵを回転させながら、ノズル１３３から上基板ＷＵの表面にイオン液体を供給する。供給されたイオン液体は遠心力により上基板ＷＵの表面に拡散されて、当該表面にイオン液体が塗布される（図１のステップＳ２）。続いて、位置調節機構１２０によって上基板ＷＵの水平方向の向きが調節される。
次に、位置調節機構１２０から反転機構１７０の保持アーム１７１に上基板ＷＵが受け渡される。続いて、搬送領域Ｔ１において、保持アーム１７１を反転させることにより、上基板ＷＵの表裏面が反転される。すなわち、上基板ＷＵの表面が下方に向けられる。続いて、反転機構１７０が上部チャック１６１側に移動し、反転機構１７０から上部チャック１６１に上基板ＷＵが受け渡される。上基板ＷＵは、上部チャック１６１にその裏面が吸着保持される。続いて、上部チャック１６１は、チャック駆動部１６５によって下部チャック１６０の上方であって当該下部チャック１６０に対向する位置まで移動する。そして、上基板ＷＵは、後述する下基板ＷＬが接合装置に搬送されるまで上部チャック１６１で待機する。なお、上基板ＷＵの表裏面の反転は、反転機構１７０の移動中に行われてもよい。
次に、接合装置に下基板ＷＬが搬入される。下基板ＷＬは、トランジション１１０を介して基板搬送体１１２により位置調節機構１２０に搬送される。続いて、ノズルアーム１３１によってノズル１３３を下基板ＷＬの中心部上方に移動させる。続いて、下基板ＷＬを回転させながら、ノズル１３３から下基板ＷＬの表面にイオン液体を供給する。供給されたイオン液体は遠心力により下基板ＷＬの表面に拡散されて、当該表面にイオン液体が塗布される（図１のステップＳ２）。続いて、位置調節機構１２０によって下基板ＷＬの水平方向の向きが調節される。
次に、下基板ＷＬは、基板搬送体１１２によって下部チャック１６０に搬送され、下部チャック１６０に吸着保持される。このとき、下基板ＷＬの表面が上方を向くように、下基板ＷＬの裏面が下部チャック１６０に保持される。なお、下部チャック１６０の上面には基板搬送体１１２の形状に適合する溝（図示せず）が形成され、下基板ＷＬの受け渡しの際に基板搬送体１１２と下部チャック１６０とが干渉するのを避けるようにしてもよい。
次に、ゲートバルブ１０５により搬入出口１０４を閉じ、真空ポンプ１８４により処理領域Ｔ２を排気して減圧する。
次に、下部チャック１６０に保持された下基板ＷＬと上部チャック１６１に保持された上基板ＷＵとの水平方向の位置調節を行う。具体的には、まず、例えばＣＣＤカメラを用いて、下基板ＷＬの表面と上基板ＷＵの表面を撮像する。そして、撮像された画像に基づいて、予め定められた下基板ＷＬの表面の基準点（図示せず）と上基板ＷＵの表面の基準点（図示せず）とが合致するように、上部チャック１６１によって上基板ＷＵの水平方向の位置が調節される。なお、下部チャック１６０がチャック駆動部１６３によって水平方向に移動自在である場合には、下部チャック１６０によって下基板ＷＬの水平方向の位置を調節してもよい。また、下部チャック１６０及び上部チャック１６１の両方で下基板ＷＬと上基板ＷＵの相対的な水平方向の位置を調節してもよい。
次に、チャック駆動部１６３によって下部チャック１６０を上昇させ、下部チャック１６０に保持された下基板ＷＬの表面と上部チャック１６１に保持された上基板ＷＵの表面とを当接させて圧着する。また、加熱機構１６０ａにより下基板ＷＬを加熱し、加熱機構１６１ａにより上基板ＷＵを加熱する。これにより、イオン液体を介して上基板ＷＵと下基板ＷＬとが接合され、重合基板ＷＴが形成される（図１のステップＳ３）。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１０ 第１基板
１０ａ 表面
１５ 電極パッド
１７ 第２絶縁膜
１８ 液膜
２０ 第２基板
２０ａ 表面
２５ 電極パッド
２７ 第２絶縁膜
２８ 液膜
Ａ１１，Ａ２１ 第１領域
Ａ１２，Ａ２２ 第２領域
１０ａ 表面
１５ 電極パッド
１７ 第２絶縁膜
１８ 液膜
２０ 第２基板
２０ａ 表面
２５ 電極パッド
２７ 第２絶縁膜
２８ 液膜
Ａ１１，Ａ２１ 第１領域
Ａ１２，Ａ２２ 第２領域
Claims (13)
- 絶縁膜が露出する第１領域と、導電膜が露出する第２領域とを表面に有する第１基板及び第２基板を準備する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の前記表面にイオン液体を塗布する工程と、
前記イオン液体を介して前記第１基板の前記表面と前記第２基板の前記表面とを接合する工程と、
を有する、接合方法。 - 前記準備する工程は、化学的機械研磨により前記第１基板の表面及び前記第２基板の表面を処理する工程を含む、
請求項１に記載の接合方法。 - 前記塗布する工程は、前記第１基板の表面及び前記第２基板の表面に前記イオン液体を塗布する工程を含む、
請求項１に記載の接合方法。 - 前記接合する工程は、
前記第１基板と前記第２基板とを圧着する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板を加熱する工程と、
を含む、
請求項１に記載の接合方法。 - 前記塗布する工程は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の前記表面に塗布された前記イオン液体をゲル化させることを含み、
前記加熱する工程は、前記塗布する工程においてゲル化した前記イオン液体を液化させることを含む、
請求項４に記載の接合方法。 - 前記接合する工程は、真空雰囲気下で行われる、
請求項１に記載の接合方法。 - 前記第１基板の表面に露出する導電膜と、前記第２基板の表面に露出する導電膜とは、同じ材料により形成される、
請求項１に記載の接合方法。 - 前記イオン液体は、ＴＨＴＤＰ－ＤｃＯである、
請求項１に記載の接合方法。 - 絶縁膜が露出する第１領域と、導電膜が露出する第２領域とを表面に有する第１基板及び第２基板の少なくとも一方の前記表面にイオン液体を塗布する塗布機構と、
前記第１基板の表面と前記第２基板の表面とを対向させてそれぞれ保持する第１保持部及び第２保持部と、
前記第１保持部及び前記第２保持部を相対的に接近させることにより、前記第１基板の前記表面と前記第２基板の前記表面とを密着させる駆動機構と、
を備える、
接合装置。 - 前記第１保持部及び前記第２保持部にそれぞれ保持された前記第１基板及び前記第２基板を加熱する加熱機構を更に備える、
請求項９に記載の接合装置。 - 前記第１保持部及び前記第２保持部を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部を排気する真空ポンプと、
を更に備える、
請求項９に記載の接合装置。 - 前記第１基板の表面に露出する導電膜と、前記第２基板の表面に露出する導電膜とは、同じ材料により形成される、
請求項９に記載の接合装置。 - 前記イオン液体は、ＴＨＴＤＰ－ＤｃＯである、
請求項９に記載の接合装置。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022112651A JP2024011003A (ja) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 接合方法及び接合装置 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022112651A Pending JP2024011003A (ja) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 接合方法及び接合装置 |
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