JP2023554156A - Ｘ線源、及びｘ線源のための動作方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、電子を提供するための電子源と、電子を受けることができる標的要素とを含む、Ｘ線源に関し、Ｘ線源は、少なくとも一時的に、電子、例えば電子ビームを偏向させるための少なくとも１つの偏向デバイス（１４０）を有する。【選択図】図１

Description

本開示はＸ線源に関する。

本開示は、さらに、Ｘ線源を動作させるための方法に関する。

Ｘ線源、及びＸ線源のための動作方法を提供する。

例示的な実施形態は、電子を提供するための電子源と、電子が衝突することが可能である標的要素とを有するＸ線源に関し、Ｘ線源は、電子、例えば電子ビームの少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイスを有する。例示的な実施形態では、これにより、例えば、偏向デバイスの動作に基づいて、いくつかのタイプの動作により、柔軟な動作を可能にする。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素は、第１の標的材料を伴う第１の領域と、第１の標的材料と異なる第２の標的材料を伴う第２の領域とを有することが提供される。これにより、例えば各々の標的材料に基づいて、異なるタイプのＸ線放射、すなわち異なる特性の発生を可能にする柔軟な動作を可能にする。

さらなる例示的な実施形態では、標的材料は、以下の要素、すなわち、ａ）タングステン、ｂ）モリブデン、ｃ）ロジウム、ｄ）クロムのうちの少なくとも１つを含むことが提供される。例えば電子ビームの形態の電子と衝突する場合にＸ線放射を発生させ得る他の要素または材料は、また、さらなる例示的な実施形態では、標的要素の少なくとも１つの領域にも使用できる。

さらなる例示的な実施形態では、電子源は、熱イオン放出及び／または電界放出の原理に基づいて電子を提供するように構成される。

さらなる例示的な実施形態では、Ｘ線源はアノード本体を有し、アノード本体は例えば銅を含み、または銅から作られている。

さらなる例示的な実施形態では、例えばアノード本体または標的要素の方向に、例えば電子源によって提供された電子を加速させるための加速電圧は、電子源の構成要素、例えばコイル状フィラメントと、アノード本体との間に印加され得る。さらなる例示的な実施形態では、加速電子、または加速電子によって形成された電子ビームが標的要素に入射するとき、電子が標的材料によって減速し、その結果として、Ｘ線放射を発生させることができる。標的要素の領域に応じて、または標的要素の領域で見られる標的材料に基づいて、Ｘ線放射は例えば強度及び／またはスペクトル等の異なる特性を有する。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素はアノード本体に配置され、例えばアノード本体の少なくとも１つの表面上に配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、対応する第１の標的材料及び／または第２の標的材料は、層の形態で、第１の領域及び／または第２の領域に配置されることが提供される。言い換えれば、さらなる例示的な実施形態では、第１の標的材料は層の形態で標的要素の第１の領域に配置される、及び／または、さらなる例示的な実施形態では、第２の標的材料は層の形態で標的要素の第２の領域に配置される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の標的材料から作られた層及び／または第２の標的材料から作られた層は、アノード本体２に配置され、例えばアノード本体の少なくとも１つの表面上に配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の領域及び／または第２の領域は、例えば、少なくとも大体、以下の形状、すなわち、ａ）半円形、ｂ）円形、ｃ）円環形、ｄ）扇形のうちの少なくとも１つであることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の領域及び／または第２の領域は、それぞれ、例えば半円形であることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、少なくとも大体が２つの半円領域は、互いに対面する、その底側（例えば半円形の直径に対応する例えば本質的に直線形である）が向かい合って配置され、その結果、２つの領域は一緒に、例えば少なくとも大体が円形領域を形成することが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の領域は円形または円環形であることが提供され、第２の領域は円形または円環形であり、例えば、第２の領域は第１の領域に対して同軸に配置される。例として、さらなる例示的な実施形態では、第１の領域は円環形であり得、第２の領域は同様に円環形または円形であり、例えば第１の領域内で放射状に配置され、例えば第１の領域の内部輪郭に直接隣接する。

さらなる例示的な実施形態では、さらなる標的材料、例えば第３の標的材料を伴う少なくとも１つのさらなる領域が提供され、第３の標的材料は第１の標的材料及び／または第２の標的材料と異なる。

さらなる例示的な実施形態では、３つよりも多い領域には、該当する場合、さらなる標的材料、例えば互いに異なる標的材料が提供され得る。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素は電子源に対して静的に配置される。

さらなる例示的な実施形態では、電子源は、例えば、随意に、例えば電子ビームの形態で、電子が標的要素の第１の領域及び／または第２の領域に衝突するように構成されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、電子源は、例えば電子ビームの形態で、電子が時間的に連続して、標的要素の異なる領域に衝突するように構成されることが提供される。言い換えれば、さらなる例示的な実施形態では、異なる標的材料を伴う標的要素の異なる領域は、例えば時分割多重方式で、電子または電子ビームと衝突し得る。

既に上記に説明したように、さらなる例示的な実施形態では、Ｘ線源は、電子、例えば電子ビームの少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイスを有することが提供される。さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイスは、例えば、電子を偏向させるために、少なくとも１つの電場及び／または磁場を少なくとも断続的に生成するように構成され得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスが少なくとも断続的に電子を偏向するように構成されることにより、電子は、例えば、第１の領域または第２の領域の標的要素だけに入射することが提供される。結果として、選択領域の各々の標的材料に対応するタイプのＸ線放射は例えば随意に発生し得る。

さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイスは、例えば、少なくとも断続的に少なくとも１つの電場を生成するように提供され、少なくとも１つの電場は、少なくとも局部的に電子の伝搬方向に直角な場成分、例えばＸ線源の縦軸に一致する場成分またはＸ線源の縦軸に平行な場成分を含む。さらなる例示的な実施形態では、これは、第１の次元もしくは空間方向に沿って偏向させるために、及び／または第２の次元もしくは空間方向に沿って偏向させるために実行され得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスが１つの偏向台または複数の偏向台を有することが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、複数の偏向台の場合、これらの偏向台は、例えば電子の伝搬方向に沿って、例えば標的要素に向かって、またはＸ線源の縦軸に沿って配置されることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、複数の偏向台の場合、これらの偏向台は、電子ビームの円周方向に沿って配置されることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、同様に、前述の２つの配置の変形の組み合わせが可能になる。

さらなる例示的な実施形態では、複数の偏向台の場合、これらの偏向台を使用して、例えば電子源によって規定されたその偏向台の初期配向に少なくとも大体平行に、例えば電子ビームをシフトすることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、例えば、これは、その偏向台の初期配向に対して指定可能な第１の度（例えば第１の角度で特徴付けできる度）だけ、第１の偏向台によって偏向されている電子ビームによって、また、例えば反対方向に、指定可能な第２の度（例えば第２の角度で特徴付けできる度）だけ、例えば第１の偏向台の下流に配置された第２の偏向台によって偏向されている、このように偏向されている電子ビームによってもたらされる可能性があり、その結果、第２の偏向後、電子ビームは、例えば、少なくとも大体、初期配向に平行である（初期配向に対して１０°～－１０°の角度偏差は許容できる）。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスは、漂遊磁界、例えば外部の漂遊磁界を補償するように構成されることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、例えば、そのような漂遊磁界を特徴付ける少なくとも１つの変数が設定され得、そして、少なくとも１つの変数に基づいて、さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスは制御され得る、または少なくとも１つの偏向デバイスの制御は、漂遊磁界が少なくとも部分的に補償されるように影響され得る。結果として、さらなる例示的な実施形態では、例えば、また、局部的または全体的に異なる使用場所における環境の影響も減り得る、または補償し得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスは、例えば、互いに直角に配置され異なって構成された少なくとも２つの偏向台を有することが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイスは、例えば様々な領域で標的要素の平均局所的熱負荷を減らすために、例えば１次元及び／または２次元で標的要素の異なる領域に電子を時間的に連続して偏向させ、例えば標的要素の異なる領域の全体にわたって電子ビームを照射するように構成される。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイスが少なくとも断続的に電子を偏向するように構成されることにより、電子は標的要素に入射しなくなり、例えば標的要素の外側で放射状に通過する。結果として、Ｘ線放射の発生は少なくとも断続的に中断または最小化され得、これは、さらなる例示的な実施形態では、例えば標的要素の温度を制御するのに有用である。

さらなる例示的な実施形態では、Ｘ線源は、少なくとも断続的に、偏向デバイスの２つの電極の間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数を設定するように構成されることが提供される。例として、第１の変数は、例えば偏向デバイスに対するその電子ビームの位置に応じて、電子ビームによって生成される。この第１の変数に基づいて、さらなる例示的な実施形態では、例えば初期配向に対する電子ビームの位置（「ビーム位置」）に関して、例えば結論を導き得る。例として、第１の変数に基づいて、また、例えば外部の漂遊磁界または干渉場の存在も設定され得る。

さらなる例示的な実施形態は、複数の実施形態に従った少なくとも１つのＸ線源を用いる、Ｘ線管、例えばＸ線蛍光分析またはＸ線蛍光分光法に関する。

Ｘ線蛍光分析は、定性的及び／または定量的な材料分析の非破壊方式である。多波長Ｘ線放射で材料サンプルを照射させることによって、電子は、材料サンプルの原子の内殻から放出される原理に基づいている。結果として、原子のより高いエネルギーレベルからの電子は、内殻に対応する低エネルギーレベルまで下がり得、材料サンプルまたはその原子に特有の蛍光放射線が発生し、これは、例えば検出器によって記録でき、材料サンプルの元素組成に関する情報を提供する。

さらなる例示的な実施形態では、本発明の実施形態に従ったＸ線管を使用して、材料サンプルのＸ線蛍光分析を実行する。

さらなる例示的な実施形態では、本発明の実施形態に従ったＸ線管を使用するＸ線蛍光分析を使用して、例えば薄い層及び層システムの層厚を測定する。

さらなる例示的な実施形態は、電子を提供するための電子源と、電子が衝突することが可能である標的要素とを有するＸ線源を動作させるための方法に関し、Ｘ線源は、電子の少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイスを有し、本方法は、例えば電子の少なくとも断続的な偏向のために、及び／またはここでは例として説明される少なくとも１つの他の態様のために、偏向デバイスの少なくとも断続的な使用を含む。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素は、第１の標的材料を伴う第１の領域と、第１の標的材料と異なる第２の標的材料を伴う第２の領域とを有し、その使用は、例えば、随意に、例えば電子ビームの形態で、電子が標的要素の第１の領域及び／または第２の領域に衝突することを含む。

さらなる例示的な実施形態では、衝突することは、例えば電子ビームの形態で、電子が時間的に連続して、標的要素の異なる領域に衝突することを含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、本方法は以下の要素、すなわち、ａ）例えば電子が主に例えば第１の領域だけに入射するように、標的要素の第１の領域に対して少なくとも１つの偏向デバイスを用いる、電子の少なくとも断続的な偏向、ｂ）例えば電子が主に例えば第２の領域だけに入射するように、標的要素の第２の領域に対して少なくとも１つの偏向デバイスを用いる、電子の少なくとも断続的な偏向、ｃ）例えば電子が主に例えば少なくとも１つのさらなる領域だけに入射するように、第１の領域及び第２の領域と異なる標的要素の少なくとも１つのさらなる領域に対して少なくとも１つの偏向デバイスを用いる、電子の少なくとも断続的な偏向、ｄ）電子、例えばかなり多くの電子が標的要素に入射しなく、例えば標的要素の外側で放射状に通過するように、少なくとも１つの偏向デバイスを用いる、電子の少なくとも断続的な偏向、ｅ）例えば１次元または２次元で、標的要素の異なる領域に対する連続的な電子の偏向、のうちの少なくとも１つを含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、本方法は、さらに、随意に、例えば磁界の強度及び／または方向を有する例えば外部の漂遊磁界と関連付けられた情報を設定することと、少なくとも１つの偏向デバイスを用いて、漂遊磁界を少なくとも断続的及び／または局部的に補償することと、を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、本方法は、さらに、偏向デバイスの２つの電極の間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数を設定することと、随意に、第１の変数に基づいて、Ｘ線源、例えば少なくとも１つの偏向デバイスを動作させることと、を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、２つの電極は、電子を偏向させるために、制御電圧により、少なくとも断続的に、例えば第１の時間領域で衝突し、第１の変数は、少なくとも断続的に、例えば第１の時間領域の外側に存在する第２の時間領域で設定されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の変数は、第１の偏向デバイスの電極を用いて設定され得、少なくとも１つのさらなる偏向デバイスを使用して、例えば、第１の変数を同時に設定し、または第１の変数を設定することを少なくとも一時的に重複させ、例えば漂遊磁界を補償する目的のために、例えば第１の変数に基づいて電子ビームを偏向し得る。

さらなる例示的な実施形態では、したがって、Ｘ線源の動作は、例えばクローズドループの調整の目的のために例えば調整もでき、例えば、第１の変数が設定され、電子ビームを偏向するために使用できる少なくとも１つの偏向台を制御することは、例えばとりわけ第１の変数に基づいて制御または操作される。

さらなる例示的な実施形態は、具体的には複数の実施形態に従ったＸ線源を制御するための装置に関し、本装置は複数の実施形態に従った方法を実行するように構成される。

さらなる例示的な実施形態は、コンピューターによって実行されるとき、コンピューターに、複数の実施形態に従った方法を実行させるコマンドを含むコンピューター可読記憶媒体に関する。

さらなる例示的な実施形態は、プログラムがコンピューターによって実行されるとき、コンピューターに、複数の実施形態に従った方法を実行させるコマンドを含むコンピュータープログラムに関する。

さらなる例示的な実施形態は、複数の実施形態に従ったコンピュータープログラムを伝送及び／または特徴付けるデータ伝送信号に関する。

さらなる例示的な実施形態は、複数の実施形態に従ったＸ線源、及び／または複数の実施形態に従ったＸ線管、及び／または複数の実施形態に従った方法、及び／また複数の実施形態に従った装置、及び／または複数の実施形態に従ったコンピューター可読記憶媒体、及び／または複数の実施形態に従ったコンピュータープログラム、及び／または複数の実施形態に従ったデータ伝送信号の使用法に関し、使用法は、以下の要素、すなわち、ａ）例えば時間的に連続して及び／または交互にＸ線放射の少なくとも２つの異なるタイプを提供するために、例えばＸ線放射の強度及び／またはスペクトルに関して互いに異なるＸ線放射の異なるタイプを提供すること、ｂ）例えばＸ線蛍光分析のエリアで指定可能な用途のために、Ｘ線源及び／またはＸ線管を最適化すること、ｃ）Ｘ線蛍光分析を実行すること、ｄ）例えば軸領域にある標的要素の熱負荷を制御すること、例えば減らすこと、ｅ）例えば精密な用途のために、標的要素の耐用年数または耐久性を長くすること、ｆ）Ｘ線放射の発生を減らすこと、例えば中断すること、ｇ）標的要素の少なくとも１つの領域の個々の使用を行うこと、ｈ）漂遊磁界または干渉場、例えば外部の漂遊磁界または干渉場を補償すること、ｉ）標的要素で電子または電子ビームを照射すること、ｊ）電子ビームのビーム位置を評価すること、例えば診断を実行すること、のうちの少なくとも１つに関する。

例示的な実施形態のさらなる特徴、適用可能性、及び利点は、図面の図に示される例示的な実施形態の以下の説明で提供される。単独で、または任意の所望の組み合わせで説明されるまたは示される特徴の全ては、特許請求の範囲のその概要またはその後方参照に関係なく、また、各々、説明及び図面のその説明及び描写に関係なく、例示的な実施形態の主題を形成する。

例示的な実施形態による、簡略化されたブロック図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、簡略化されたブロック図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、標的要素の平面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、標的要素の平面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、標的要素の平面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、標的要素の平面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、Ｘ線源の側面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、Ｘ線源の側面図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、偏向デバイスの態様を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、偏向デバイスの態様を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、簡略化されたブロック図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態に従った方法の簡略化されたフロー図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態に従った方法の簡略化されたフロー図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態に従った方法の簡略化されたフロー図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態に従った方法の簡略化されたフロー図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、時間図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、簡略化されたブロック図を概略的に示す。 さらなる例示的な実施形態による、使用の態様を概略的に示す。

例示的な実施形態は、図１を参照すると、例えば電子ビームｅｓの形態の電子ｅを提供するための電子源１１０と、電子ｅと衝突できる標的要素１２０とを有する、Ｘ線源１００に関する。

電子ｅまたは電子ビームの例示的な伝搬方向は、Ｚ軸ｚに対応する空間方向（またはＺ軸のｚに平行な方向）を通り、これは、図１に記号で提供される。例示的な伝搬方向ｚに直角な空間方向は、図１に例として垂直に構成されたｙ軸のｙによって示される。

さらなる例示的な実施形態では、Ｘ線源１００は、例えば電子ｅの少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイス１４０を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０は、随意に、第１の標的材料ＴＭ－１を伴う第１の領域１２２ａと、第１の標的材料ＴＭ－１と異なる第２の標的材料ＴＭ－２を伴う第２の領域１２２ｂとを有する。これにより、例えば各々の標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２に基づいて、異なるタイプのＸ線放射ＲＳ、すなわち異なる特性の発生を可能にする柔軟な動作を可能にする。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０は、随意に、異なる標的材料を伴う領域を含まないが、むしろ、例として（例えば単一の）標的材料ＴＭ－１を含む。

さらなる例示的な実施形態では、標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２は、以下の要素、すなわち、ａ）タングステン、ｂ）モリブデン、ｃ）ロジウム、ｄ）クロムのうちの少なくとも１つを含むことが提供される。例えば電子ビームｅｓの形態の電子ｅと衝突する場合にＸ線放射ＲＳを発生させ得る他の要素または材料は、また、さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０の少なくとも１つの領域１２２ａ，１２２ｂにも使用できる。

さらなる例示的な実施形態では、電子源１１０は、熱イオン放出及び／または電界放出の原理に基づいて電子ｅを提供するように構成される。例として、この目的のために、電子源１１０はコイル状フィラメント１１１（図１に示されない）を有し得、これは、例えば図５も参照されたい。

さらなる例示的な実施形態では、図２で、Ｘ線源１００ａはアノード本体１３０を有し、アノード本体１３０は例えば銅を含み、または銅から作られている。

さらなる例示的な実施形態では、加速電圧（分かり易くする理由のために示されない）は、例えばアノード本体１３０または標的要素１２０の方向に、すなわち、電子源１１０の構成要素、例えばコイル状フィラメント１１１（図５）と、アノード本体１３０（図２）との間で、例えば図１及び図２のｚ軸に少なくとも大体平行に、例えば電子源１１０によって提供された電子ｅを加速させるために印加され得る。加速電子ｅ、または加速電子ｅによって形成された電子ビームｅｓが標的要素１２０に入射するとき、電子ｅが標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２によって減速し、その結果として、Ｘ線放射ＲＳ（図１）を発生させることができる。標的要素１２０の領域１２２ａ，１２２ｂに応じて、または標的要素１２０の領域１２２ａ，１２２ｂで見られる標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２に基づいて、Ｘ線放射ＲＳは例えば強度及び／またはスペクトル等の異なる特性を有する。

さらなる例示的な実施形態では、図２で、標的要素１２０はアノード本体１３０に配置され、例えばアノード本体１３０の少なくとも１つの表面１３０ａに配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、対応する第１の標的材料ＴＭ－１及び／または第２の標的材料ＴＭ－２は、図２によると例えば第１のｙ座標範囲のｙ１に対応する第１の領域１２２ａ（図１）で、及び／または図２によると例えば第２のｙ座標範囲のｙ２に対応する第２の領域１２２ｂ（図１）で、層１２４ａ，１２４ｂの形態で配置されることが提供される。言い換えれば、さらなる例示的な実施形態では、第１の標的材料ＴＭ－１は層１２４ａの形態で標的要素１２０の第１の領域１２２ａに配置される、及び／または、さらなる例示的な実施形態では、第２の標的材料ＴＭ－２は第２の層１２４ｂの形態で標的要素１２０の第２の領域１２２ｂに配置される。

さらなる例示的な実施形態では、例えば、異なる標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２を伴う異なる領域１２２ａ，１２２ｂまたは層１２４ａ，１２４ｂは、例えば表面１３０ａの図１及び図２の異なる垂直座標範囲ｙ１，ｙ２にあると見なされ得、その結果、例えば電子ビームｅｓの対応する偏向によって、第１の領域１２２ａ及び／または第２の領域１２２ｂのどちらか一方に衝突できる。

さらなる例示的な実施形態では、電子ビームｅｓは、また、例えば２つの領域１２２ａ，１２２ｂの境界領域ＧＢ（例えば図２の図面の平面に垂直に伸びる）まで、例えば少なくとも断続的に偏向または指向もされ得、その結果、領域１２２ａ，１２２ｂの両方は電子ビームｅｓと同時に衝突する。

さらなる例示的な実施形態では、第１の標的材料ＴＭ－１から作られた層１２４ａ及び／または第２の標的材料ＴＭ－２から作られた層１２４ｂは、アノード本体１３０に配置され、例えばアノード本体１３０の少なくとも１つの表面１３０ａに配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃを参照すると、第１の領域１２２ａ及び／または第２の領域１２２ｂは、例えば、少なくとも大体、以下の形状、すなわち、ａ）半円形、ｂ）円形、ｃ）円環形、ｄ）扇形のうちの少なくとも１つであることが提供される。

例として、図３Ａは、標的要素１２０ａの概略平面図を示し、２つの半円領域１２２ａ，１２２ｂがそれぞれ異なる標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２を伴い、図３Ａのｘ軸に沿って互いに隣に配置される。

例として、図３Ｂは、標的要素１２０ｂの概略平面図を示し、２つの半円領域１２２ａ，１２２ｂがそれぞれ異なる標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２を伴い、図３Ｂのｙ軸に沿って互いに隣に配置される。

さらなる例示的な実施形態では、図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、少なくとも大体が２つの半円領域１２２ａ，１２２ｂは、互いに対面する、その底側（例えば半円形の直径に対応する例えば本質的に直線形である）が向かい合って配置され、その結果、２つの領域１２２ａ，１２２ｂは一緒に、例えば少なくとも大体が円形領域を形成することが提供され、さらなる例示的な実施形態では、円形領域は、例えば、表面１３０ａ（図２）の全体を覆い得る。

さらなる例示的な実施形態では、図３Ｃの１２０ｃに関して、第１の領域１２２ａは円形または円環形であることが提供され、第２の領域１２２ｂは円形または円環形であり、例えば、第２の領域は第１の領域に対して同軸に配置される。例として、さらなる例示的な実施形態では、第１の領域１２２ａは円環形であり得、第２の領域１２２ｂは同様に円環形または円形であり、例えば第１の領域１２２ａの内部で放射状に配置され、例えば第１の領域１２２ａの内部輪郭に直接隣接する。

さらなる例示的な実施形態では、図４の標的要素１２０ｄを参照すると、さらなる標的材料、例えば第３の標的材料ＴＭ－３を伴う少なくとも１つのさらなる領域１２２ｃが提供され、第３の標的材料ＴＭ－３は第１の標的材料及び／または第２の標的材料と異なる。

さらなる例示的な実施形態（示されない）では、３つの領域１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃよりも多い領域には、該当する場合、さらなる標的材料、例えば互いに異なる標的材料が提供され得る。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，１２０ｄは電子源に対して静的に配置される。

さらなる例示的な実施形態では、図２で、電子源１１０は、例えば、随意に、例えば電子ビームｅｓの形態で、電子ｅが標的要素１２０の第１の領域１２２ａ及び／または第２の領域１２２ｂに衝突するように構成されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、電子源１１０は、例えば電子ビームｅｓの形態で、電子ｅが時間的に連続して標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃに衝突するように構成されることが提供される。言い換えれば、さらなる例示的な実施形態では、異なる標的材料ＴＭ－１，ＴＭ－２等を伴う標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃは、例えば時分割多重方式で、電子ｅまたは電子ビームｅｓと衝突し得る。

さらなる例示的な実施形態では、図５を参照すると、例として図１を参照することによって、例えば電子ｅ、例えば電子ビームｅｓの少なくとも断続的な偏向のために、Ｘ線源１００ｂが既に言及した少なくとも１つの偏向デバイス１４０を有することが提供される。さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイス１４０は、例えば電子ｅを偏向させるために、少なくとも１つの電場及び／または磁場を少なくとも断続的に生成するように構成され得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイス１４０が少なくとも断続的に電子ｅを偏向するように構成されることにより、電子ｅは、例えば、第１の領域１２２ａ（図１）または第２の領域１２２ｂの標的要素１２０だけに入射することが提供される。結果として、選択領域１２２ａ、１２２ｂの各々の標的材料ＴＭ－１、ＴＭ－２に対応するタイプのＸ線放射ＲＳは例えば随意に発生し得る。

さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイス１４０は、例えば、少なくとも断続的に少なくとも１つの電場を生成するように提供され、少なくとも１つの電場は、少なくとも局部的に電子ｅの伝搬方向ｚ（図５）に直角な場成分、例えばＸ線源１００ｂの縦軸に一致する場成分またはＸ線源１００ｂの縦軸に平行な場成分を含む。さらなる例示的な実施形態では、これは、例えば図５の図面の平面に垂直に、第１の次元もしくは空間方向ｙに沿って偏向させるために、及び／または第２の次元もしくは空間方向に沿って偏向させるために実行され得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイス１４０は、１つの偏向台１４１（図５）を有すること、または図６による偏向デバイス１４０ａを参照すると、複数の偏向台１４１，１４２を有することが提供される。

例として、さらなる例示的な実施形態では、第１の電圧Ｕ_Ａは、ｙ軸に沿って場成分を伴う該電場を生成するために、図５の偏向台１４１の電極１４１ａ，１４１ｂに少なくとも断続的に印加され得る。

さらなる例示的な実施形態では、図６によるＸ線源１００ｃを参照すると、複数の偏向台１４１，１４２の場合、これらの偏向台は、例えば電子ｅの伝搬方向ｚに沿って、例えば標的要素１２０に向かって配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、図７の偏向ユニット１４０ｂを参照すると、複数の偏向台１４１’，１４２’の場合、これらの偏向台は、電子ビームの円周方向に沿って配置されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、同様に、前述の２つの配置の変形の組み合わせが可能になる。

さらなる例示的な実施形態では、図６を参照すると、複数の偏向台１４１，１４２の場合、これらの偏向台を使用して、例えば、電子源１１０によって規定されたその偏向台の初期配向に対して少なくとも大体平行に（例えば図６の右側に対して水平に）、例えば電子ビームｅｓをシフトすることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、例えば、これは、その偏向台の初期配向に対して指定可能な第１の度（例えば第１の角度α１で特徴付けできる度）だけ、第１の偏向台１４１によって偏向されている電子ビームｅｓによって、また、例えば反対方向に、指定可能な第２の度（例えば第２の角度α２で特徴付けできる度）だけ、例えば第１の偏向台１４１の下流に配置された第２の偏向台１４２によって偏向されている、このように偏向されている電子ビームによってもたらされる可能性があり、その結果、第２の偏向後、電子ビームは、例えば、少なくとも大体、初期配向に平行である（初期配向に対して１０°～－１０°の角度偏差は許容できる）。さらなる例示的な実施形態では、例えば、α２＝－α１である。

さらなる例示的な実施形態では、図５を参照すると、少なくとも１つの偏向デバイス１４０は、漂遊磁界、例えば外部の漂遊磁界ＳＦを補償するように構成されることが提供される。さらなる例示的な実施形態では、例えば、そのような漂遊磁界ＳＦを特徴付ける少なくとも１つの変数が設定され得、そして、少なくとも１つの変数に基づいて、さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイス１４０は制御され得る、または少なくとも１つの偏向デバイス１４０の制御は、漂遊磁界ＳＦが少なくとも部分的に補償されるように影響され得る。結果として、さらなる例示的な実施形態では、例えば、また、局部的または全体的に異なる使用場所における環境の影響も減り得る、または補償し得る。

さらなる例示的な実施形態では、図７で、少なくとも１つの偏向デバイス１４０ｂは、例えば、互いに直角に配置され異なって構成された少なくとも２つの偏向台１４１’，１４２’を有することが提供される。結果として、さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０にある例えば任意の所望のデカルト座標点は指定できる、すなわち、例えば、ここではｘｙ平面の点に対応する電子ビームｅｓと衝突できる。この目的のために、さらなる例示的な実施形態では、偏向台１４１’，１４２’の電極は、対応する制御電圧または偏向電圧Ｕｘ，Ｕｙで制御される。

さらなる例示的な実施形態では、偏向デバイス１４０，１４０ａ，１４０ｂは、例えば様々な領域１２２ａ，１２２ｂで標的要素１２０の平均局所的熱負荷を減らすために、例えば１次元及び／または２次元ｘ，ｙ（図７）で標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂに電子ｅを時間的に連続して偏向させ、（例えば、偏向電圧Ｕｘ，Ｕｙを揺らすことによって）例えば標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂの全体にわたって電子ビームｅｓを照射するように構成される。さらなる例示的な実施形態では、そのような照射は、例えば、Ｘ線放射が測定には使用されないが標的要素１２０を節約することが想定されるスタンバイモードのために実行され得る。

さらなる例示的な実施形態では、電子ビームｅｓのビーム電流は変化し得、例えば、オプションのスタンバイモードではビーム電流は減り得、測定モード、例えばスタンバイモードに関して、ビーム電流は増加し得る。

さらなる例示的な実施形態では、少なくとも１つの偏向デバイス１４０，１４０ａ，１４０ｂが少なくとも断続的に電子を偏向するように構成されることにより、電子は標的要素１２０（図７）に入射しなくなり、例えば標的要素１２０の外側で放射状に通過し、例えば、電子は標的要素１２０の周辺エリアＵ（図３Ａ）に到達する。結果として、Ｘ線放射の発生は少なくとも断続的に中断または最小化され得、これは、さらなる例示的な実施形態では、例えば標的要素１２０の温度を制御するのに有用である。

さらなる例示的な実施形態では、図８で、Ｘ線源は、少なくとも断続的に、偏向デバイス１４０ｃの２つの電極１４１ａ，１４１ｂの間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数Ｇ１を設定するように構成されることが提供される。例として、第１の変数Ｇ１は、例えば偏向デバイス１４０ｃに対するその電子ビームの位置に応じて、電子ビームによって生成される。この第１の変数Ｇ１に基づいて、さらなる例示的な実施形態では、例えば初期配向に対する電子ビームｅｓの位置（「ビーム位置」）に関して、例えば結論を導き得る。例として、第１の変数Ｇ１に基づいて、また、例えば外部の漂遊磁界または干渉場ＳＦの存在も設定され得る（図５）。

さらなる例示的な実施形態では、例えば差動アンプもしくはオペアンプＤＶまたはいくつかの他の増幅デバイスは、第１の変数Ｇ１を設定するために提供され得る。随意に、また、第１の変数Ｇ１を度量衡学的に検出し、例えば、第１の変数Ｇ１を、制御デバイスのアナログ入力に供給する測定デバイスＭＥも提供され得る。

さらなる例示的な実施形態は、図９では、複数の実施形態に従った少なくとも１つのＸ線源１００を用いる、Ｘ線管１０、例えばＸ線蛍光分析またはＸ線蛍光分光法に関する。

図９から、さらなる例示的な実施形態では、第１のタイプのＸ線放射ＲＳ１または第２のタイプのＸ線放射ＲＳ２は、随意に、例えば電子ビームｅｓ（図１）と衝突する標的要素１２０の随意に提供された複数の領域１２２ａ，１２２ｂ（図１）の各々の１つによって、Ｘ線管１０またはＸ線源１００を用いて生成され得ることが確認できる。

図９によるブロック矢印ｅｓ１は、電子ビームｅｓが例として第１の標的材料ＴＭ－１を伴う標的要素１２０の第１の領域１２２ａに指向される動作状態を記号で表し、第１のタイプのＸ線放射ＲＳ１が生成され、点ブロック矢印ｅｓ２は、電子ビームが例として第２の標的材料ＴＭ－２を伴う標的要素１２０の第２の領域１２２ｂに指向される動作状態を記号で表し、そして、第２のタイプのＸ線放射ＲＳ２が生成される。

図９によるブロック矢印ｅｓ３は、電子ビームｅｓが標的要素１２０に入射しないように偏向し、その結果として、Ｘ線放射の発生が非アクティブになるまたは最小化する、さらなる動作状態を記号で表す。

さらなる例示的な実施形態では、本発明の実施形態に従ったＸ線管１０を使用して、材料サンプル（示されない）のＸ線蛍光分析を実行する。

さらなる例示的な実施形態では、本発明の実施形態に従ったＸ線管１０を使用するＸ線蛍光分析を使用して、例えば薄い層及び層システムの層厚を測定する。

さらなる例示的な実施形態では、Ｘ線管１０は、また、例えば異なる標的材料を伴う異なる領域がない標的要素１２０も有し得る。これらの実施形態では、例えば、偏向デバイス１４０の少なくとも断続的な使用により、上記に例として説明した態様の少なくとも１つを実行し得、例えば、漂遊磁界ＳＦ、及び／または標的要素１２０から離れる電子ビームｅｓの少なくとも断続的な偏向（例えば、標的要素１２０の外側で放射状に通過する）等を設定及び／または補償する。

さらなる例示的な実施形態は、図１０では、電子ｅを提供するための電子源１１０と、電子ｅが衝突することが可能である標的要素１２０とを有するＸ線源１００（図１）を動作させるための方法に関し、Ｘ線源１００は、電子ｅの少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイス１４０を有し、本方法は偏向デバイス１４０の少なくとも断続的な使用２００を含む。

さらなる例示的な実施形態では、標的要素１２０は、第１の標的材料ＴＭ－１を伴う第１の領域１２２ａと、第１の標的材料ＴＭ－１と異なる第２の標的材料ＴＭ－２を伴う第２の領域１２２ｂとを有し、使用２００は、例えば、随意に、例えば電子ビームｅｓの形態で、電子ｅが標的要素１２０の第１の領域１２２ａ及び／または第２の領域１２２ｂに衝突すること２００’（図１０）を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、衝突すること２００’は、例えば電子ビームの形態で、電子が時間的に連続して、標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂに衝突すること２００ａを含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、ステップ２００では、該当する場合、生成されるＸ線放射ＲＳ１，ＲＳ２の使用に関するオプションのステップ２０２が提供される。

さらなる例示的な実施形態では、図１１で、Ｘ線源は、電子ｅの少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイス１４０を有することが提供され、本方法は以下の要素、すなわち、ａ）例えば電子ｅが主に例えば第１の領域１２２ａだけに入射するように、標的要素１２０の第１の領域１２２ａ（図１）に対して少なくとも１つの偏向デバイス１４０を用いる、電子ｅの少なくとも断続的な偏向２１０ａ、ｂ）例えば電子ｅが主に例えば第２の領域１２２ｂだけに入射するように、標的要素１２０の第２の領域１２２ｂに対して少なくとも１つの偏向デバイス１４０を用いる、電子ｅの少なくとも断続的な偏向２１０ｂ（図１１）、ｃ）例えば電子ｅが主に例えば少なくとも１つのさらなる領域１２２ｃだけに入射するように、第１の領域１２２ａ及び第２の領域１２２ｂと異なる標的要素１２０ｄの少なくとも１つのさらなる領域１２２ｃ（図４）に対して少なくとも１つの偏向デバイス１４０を用いる、電子ｅの少なくとも断続的な偏向２１０ｃ、ｄ）電子ｅ、例えばかなり多くの電子ｅが標的要素１２０に入射しなく、例えば標的要素１２０の外側で放射状に通過するように、少なくとも１つの偏向デバイス１４０を用いる、電子ｅの少なくとも断続的な偏向２１０ｄ、図９による参照符号ｅ３参照、ｅ）例えば１次元または２次元ｘ，ｙ（図７）で、標的要素１２０の異なる領域１２２ａ，１２２ｂに対する連続的な電子ｅの偏向２１２、のうちの少なくとも１つを含む。

さらなる例示的な実施形態では、図１２で、本方法は、さらに、随意に、例えば磁界の強度及び／または方向を有する例えば外部の漂遊磁界ＳＦと関連付けられた情報ＳＦＩを設定すること２２０と、少なくとも１つの偏向デバイス１４０を用いて、漂遊磁界ＳＦを少なくとも断続的及び／または局部的に補償すること２２２と、を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、図１３で、本方法は、さらに、偏向デバイス１４０ｃの２つの電極１４１ａ，１４１ｂ（図８）の間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数Ｇ１を設定すること２３０と、随意に、第１の変数Ｇ１に基づいて、Ｘ線源、例えば少なくとも１つの偏向デバイス１４０を動作させること２３２（図１３）と、を含むことが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、図１４で、２つの電極１４１ａ，１４１ｂ（図８）は、電子ｅを偏向させるために、制御電圧により、少なくとも断続的に、例えば第１の時間領域ＺＢ１（図１４）で衝突し、第１の変数Ｇ１は、少なくとも断続的に、例えば第１の時間領域ＺＢ１の外側に存在する第２の時間領域ＺＢ２で設定されることが提供される。

さらなる例示的な実施形態では、第１の変数Ｇ１は、第１の偏向デバイス１４１（図６）の電極を用いて設定され得、少なくとも１つのさらなる偏向デバイス１４２を使用して、例えば、第１の変数Ｇ１を同時に設定し、または第１の変数Ｇ１を設定することを少なくとも一時的に重複させ、例えば漂遊磁界ＳＦを補償する目的のために、例えば第１の変数Ｇ１に基づいて電子ビームｅｓを偏向し得る。

さらなる例示的な実施形態では、したがって、Ｘ線源の動作は、例えばクローズドループの調整の目的のために例えば調整もでき、例えば、第１の変数Ｇ１（図１３）が設定され（ブロック２３０参照）、電子ビームｅｓを偏向するために使用できる少なくとも１つの偏向台１４２（図６）を制御することは、例えばとりわけ第１の変数Ｇ１に基づいて制御または操作される（図１３によるオプションのブロック２３２参照）。

さらなる例示的な実施形態は、図１５では、具体的には複数の実施形態に従ったＸ線源を制御するための装置３００に関し、装置３００は複数の実施形態に従った方法を実行するように構成される。

装置３００は、例えば少なくとも１つのコア３０２ａを有するコンピューター３０２、コンピューター３０２に割り当てられたメモリデバイス３０４を有し、メモリデバイス３０４は、以下の要素、すなわち、ａ）データＤＡＴ、ｂ）具体的には複数の実施形態に従った方法を実行するためのコンピュータープログラムＰＲＧ、の少なくとも１つの少なくとも断続的な保存のためのものである。

さらなる好ましい実施形態では、ストレージデバイス３０４は、揮発性メモリ（例えばワーキングメモリ（ＲＡＭ））３０４ａ、及び／または不揮発性メモリ（例えばフラッシュＥＥＰＲＯＭ）３０４ｂを有する。

さらなる例示的な実施形態では、コンピューター３０２は、以下の要素、すなわち、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラー（μＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、システムオンチップ（ＳｏＣ）、プログラマブル論理モジュール（例えば、ＦＰＧＡ、フィールドプログラマブルゲートアレイ）、ハードウェア回路、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）のうちの少なくとも１つ、またはそれらの任意の組み合わせを有する、またはこれらの要素のうちの少なくとも１つとして構成される。

さらなる例示的な実施形態は、コンピューター３０２によって実行されるとき、コンピューター３０２に、複数の実施形態に従った方法を実行させるコマンドＰＲＧを含むコンピューター可読記憶媒体ＳＭに関する。

さらなる例示的な実施形態は、プログラムがコンピューター３０２によって実行されるとき、コンピューター３０２に、複数の実施形態に従った方法を実行させるコマンドを含むコンピュータープログラムＰＲＧに関する。

さらなる例示的な実施形態は、複数の実施形態に従ったコンピュータープログラムＰＲＧを特徴付ける及び／または伝送するデータ伝送信号ＤＣＳに関する。データ伝送信号ＤＣＳは、例えば、装置３００のオプションのデータインターフェース３０６を介して伝送できる。

さらなる例示的な実施形態では、データインターフェース３０６を使用して、例えば第１の変数（図８）もしくはそれから導出された変数を受信し得る、及び／または例えば少なくとも１つの偏向デバイス１４０，１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃに対して、制御信号ＳＳを発信し得る。随意に、対応する高偏向電圧に制御信号ＳＳを変換する少なくとも１つの増幅レベル（示されない）が提供され得る。

対応する制御信号ＳＳの発信によって、装置３００は、さらなる例示的な実施形態では、例えば、Ｘ線放射ＲＳ１，ＲＳ２のタイプのどれを発生させるかを制御できる、またはＸ線放射の発生を少なくとも断続的に非アクティブにできる、または存在し得る任意の漂遊磁界ＳＤを補償できる。

さらなる例示的な実施形態は、図１６では、複数の実施形態に従ったＸ線源１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ、及び／または複数の実施形態に従ったＸ線管１０、及び／または複数の実施形態に従った方法、及び／または複数の実施形態に従った装置３００、及び／または複数の実施形態に従ったコンピューター可読記憶媒体ＳＭ、及び／または複数の実施形態に従ったコンピュータープログラムＰＲＧ、及び／または複数の実施形態に従ったデータ伝送信号ＤＣＳの使用法４００に関し、使用法４００は、以下の要素、すなわち、ａ）例えば時間的に連続して及び／または交互にＸ線放射の少なくとも２つの異なるタイプを提供するために、例えばＸ線放射の強度及び／またはスペクトルに関して互いに異なるＸ線放射の異なるタイプＲＳ１，ＲＳ２を提供すること４０２、ｂ）例えばＸ線蛍光分析のエリアで指定可能な用途のために、Ｘ線源及び／またはＸ線管を最適化すること４０４と、ｃ）Ｘ線蛍光分析を実行すること４０６、ｄ）例えば軸領域１２２－ＡＢ（図４）にある標的要素１２０の熱負荷を制御すること４０８、例えば減らすこと、ｅ）例えば精密な用途のために、標的要素１２０の耐用年数または耐久性を長くすること４１０（図１６）、ｆ）Ｘ線放射の発生を減らすこと４１２、例えば中断すること、ｇ）標的要素１２０の少なくとも１つの領域１２２ａの個々の使用を行うこと４１４、ｈ）漂遊磁界ＳＦまたは干渉場、例えば外部の漂遊磁界ＳＦまたは干渉場を補償すること４１６、ｉ）標的要素１２０で電子ｅまたは電子ビームｅｓを照射すること４１７、ｊ）電子ビームｅｓのビーム位置を評価すること４１８、例えば診断を実行すること４１８ａ、のうちの少なくとも１つに関する。

Claims (33)

1. 電子（ｅ）を提供するための電子源（１１０）と、前記電子（ｅ）が衝突することが可能である標的要素（１２０）とを有するＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）であって、前記Ｘ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）は、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイス（１４０）を有する、Ｘ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
2. 前記標的要素（１２０）は、第１の標的材料（ＴＭ－１）を伴う第１の領域（１２２ａ）と、前記第１の標的材料（ＴＭ－１）と異なる第２の標的材料（ＴＭ－２）を伴う第２の領域（１２２ｂ）とを有する、請求項１に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
3. 前記標的材料（ＴＭ－１，ＴＭ－２）は、以下の要素、すなわち、ａ）タングステン、ｂ）モリブデン、ｃ）ロジウム、ｄ）クロムのうちの少なくとも１つを有する、請求項１～２の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
4. アノード本体（１３０）を有し、前記アノード本体（１３０）は例えば銅を含み、または銅から作られている、請求項１～３の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
5. 前記標的要素（１２０）は前記アノード本体（１３０）に配置され、例えば前記アノード本体（１３０）の少なくとも１つの表面（１３０ａ）に配置される、請求項４に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
6. 前記対応する第１の標的材料（ＴＭ－１）及び／または第２の標的材料（ＴＭ－２）は、層（１２４ａ，１２４ｂ）の形態で、前記第１の領域（１２２ａ）及び／または前記第２の領域（１２２ｂ）に配置される、請求項１～５の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
7. 前記第１の標的材料（ＴＭ－１）から作られた層（１２４ａ）及び／または前記第２の標的材料（ＴＭ－２）から作られた層（１２４ｂ）は、前記アノード本体（１３０）に配置され、例えば前記アノード本体の前記少なくとも１つの表面（１３０ａ）に配置される、請求項５を再度参照する、請求項６に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
8. 前記第１の領域（１２２ａ）及び／または前記第２の領域（１２２ｂ）は、例えば、少なくとも大体、以下の形状、すなわち、ａ）半円形、ｂ）円形、ｃ）円環形、ｄ）扇形のうちの少なくとも１つである、請求項２～７の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
9. 前記第１の領域（１２２ａ）及び前記第２の領域（１２２ｂ）は、それぞれ、例えば、少なくとも大体、半円形である、請求項２～８の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
10. 前記第１の領域（１２２ａ）は円形または円環形であり、前記第２の領域（１２２ｂ）は円形または円環形であり、例えば、前記第２の領域（１２２ｂ）は前記第１の領域（１２２ａ）に対して同軸に配置される、請求項２～９の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
11. 第３の標的材料（ＴＭ－３）を伴う少なくとも１つのさらなる領域（１２２ｃ）が提供され、前記第３の標的材料（ＴＭ－３）は前記第１の標的材料（ＴＭ－１）及び／または第２の標的材料（ＴＭ－２）と異なる、請求項２～１０の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
12. 前記電子源（１１０）は、例えば、随意に、例えば電子ビームの形態で前記電子（ｅ）が、前記標的要素（１２０）の前記第１の領域（１２２ａ）及び／または前記第２の領域（１２２ｂ）に衝突するように構成される、請求項２～１１の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
13. 前記電子源（１１０）は、時間的に連続して、例えば前記電子ビームの形態で前記電子（ｅ）が、前記標的要素（１２０）の異なる領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）に衝突するように構成される、請求項１～１２の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
14. 少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）が少なくとも断続的に前記電子（ｅ）を偏向するように構成されることにより、前記電子（ｅ）は、例えば、前記第１の領域（１２２ａ）または前記第２の領域（１２２ａ）の前記標的要素（１２０）だけに入射する、請求項２～１３の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
15. 少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）は偏向台（１４１）または複数の偏向台（１４１，１４２）を有する、請求項１～１４の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
16. 少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）は、漂遊磁界、例えば外部の漂遊磁界（ＳＦ）を補償するように構成される、請求項１～１５の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
17. 少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）は、例えば互いに直角に配置され異なって構成される少なくとも２つの偏向台（１４１’，１４２’）を有する、請求項１～１６の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
18. 前記偏向デバイス（１４０）は、例えば前記様々な領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）で前記標的要素（１２０）の平均局所的熱負荷を減らすために、例えば１次元及び／または２次元（ｘ，ｙ）で前記標的要素（１２０）の異なる領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）に前記電子（ｅ）を連続的に偏向させ、例えば前記標的要素（１２０）の前記異なる領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）の全体にわたって前記電子ビーム（ｅｓ）を照射するように構成される、請求項１～１７の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
19. 少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）が少なくとも断続的に前記電子（ｅ）を偏向するように構成されることにより、前記電子（ｅ）は、例えば前記標的要素（１２０）に入射しなくなり、例えば前記標的要素（１２０）の外側で放射状に通過する、請求項１～１８の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
20. 少なくとも断続的に、前記偏向デバイス（１４０）の２つの電極（１４１ａ，１４１ｂ）の間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数（Ｇ１）を設定するように構成される、請求項１～１９の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）。
21. 請求項１～２０の少なくとも１項に記載の少なくとも１つのＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）を用いる、例えばＸ線蛍光分析用の、Ｘ線管（１０）。
22. 電子（ｅ）を提供するための電子源（１１０）と、前記電子（ｅ）が衝突することが可能である標的要素（１２０）とを有するＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）を動作させるための方法であって、前記Ｘ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）は、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向のための少なくとも１つの偏向デバイス（１４０）を有し、前記方法は前記偏向デバイス（１４０）の少なくとも断続的な使用（２００）を含む、方法。
23. 前記標的要素（１２０）は、第１の標的材料（ＴＭ－１）を伴う第１の領域（１２２ａ）と、前記第１の標的材料（ＴＭ－１）と異なる第２の標的材料（ＴＭ－２）を伴う第２の領域（１２２ｂ）とを有し、前記使用（２００）は、例えば、随意に、例えば電子ビーム（ｅｓ）の形態で前記電子（ｅ）が、前記標的要素（１２０）の前記第１の領域（１２２ａ）及び／または前記第２の領域（１２２ｂ）に衝突すること（２００’）を含む、請求項２２に記載の方法。
24. 前記衝突すること（２００’）は、時間的に連続して、例えば前記電子ビーム（ｅｓ）の形態で前記電子（ｅ）が、前記標的要素（１２０）の異なる領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）に衝突すること（２００ａ）を含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記方法は以下の要素、すなわち、ａ）例えば前記電子（ｅ）が主に例えば前記第１の領域（１２２ａ）だけに入射するように、前記標的要素（１２０）の前記第１の領域（１２２ａ）に対して少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）を用いる、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向（２１０ａ）、ｂ）例えば前記電子（ｅ）が主に例えば前記第２の領域（１２２ｂ）だけに入射するように、前記標的要素（１２０）の前記第２の領域（１２２ｂ）に対して少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）を用いる、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向（２１０ｂ）、ｃ）例えば前記電子（ｅ）が主に例えば前記少なくとも１つのさらなる領域（１２２ｃ）だけに入射するように、前記第１の領域（１２２ａ）及び前記第２の領域（１２２ｂ）と異なる前記標的要素（１２０）の少なくとも１つのさらなる領域（１２２ｃ）に対して少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）を用いる、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向（２１０ｃ）、ｄ）前記電子（ｅ）、例えばかなり多くの前記電子（ｅ）が前記標的要素（１２０）に入射しなく、例えば前記標的要素（１２０）の外側で放射状に通過するように、少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）を用いる、前記電子（ｅ）の少なくとも断続的な偏向（２１０ｄ）、ｅ）例えば１次元または２次元（ｘ，ｙ）で、前記標的要素（１２０）の異なる領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ）に対する連続的な前記電子（ｅ）の偏向（２１２）、のうちの少なくとも１つを含む、請求項２２～２４の少なくとも１項に記載の方法。
26. 随意に、例えば磁界の強度及び／または方向を有する例えば外部の漂遊磁界（ＳＦ）と関連付けられた情報（ＳＦＩ）を設定すること（２２０）と、少なくとも１つの前記偏向デバイス（１４０）を用いて、前記漂遊磁界（ＳＦ）を少なくとも断続的及び／または局部的に補償すること（２２２）と、をさらに含む、請求項２２～２５の少なくとも１項に記載の方法。
27. 前記偏向デバイス（１４０）の２つの電極（１４１ａ，１４１ｂ）の間に印加された電圧を特徴付ける第１の変数（Ｇ１）を設定すること（２３０）と、随意に、前記第１の変数（Ｇ１）に基づいて、前記Ｘ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）、例えば前記偏向デバイス（１４０）を動作させること（２３２）と、をさらに含む、請求項２２～２６の少なくとも１項に記載の方法。
28. 前記２つの電極（１４１ａ，１４１ｂ）は、前記電子（ｅ）を偏向させるために、制御電圧により、少なくとも断続的に、例えば第１の時間領域（ＺＢ１）で衝突し、前記第１の変数（Ｇ１）は、少なくとも断続的に、例えば前記第１の時間領域（ＺＢ１）の外側に存在する第２の時間領域（ＺＢ２）で設定される、請求項２７に記載の方法。
29. 具体的には請求項１～２０の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）を制御するための装置（３００）であって、前記装置（３００）は、請求項２２～２８の少なくとも１項に記載の方法を実行するように構成される、装置（３００）。
30. コンピューター（３０２）によって実行されるとき、前記コンピューター（３０２）に、請求項２２～２８の少なくとも１項に記載の方法を実行させるコマンド（ＰＲＧ）を含む、コンピューター可読記憶媒体（ＳＭ）。
31. プログラム（ＰＲＧ）がコンピューター（３０２）によって実行されるとき、前記コンピューター（３０２）に、請求項２２～２８の少なくとも１項に記載の方法を実行させるコマンドを含む、コンピュータープログラム（ＰＲＧ）。
32. 請求項３１に記載のコンピュータープログラム（ＰＲＧ）を伝送及び／または特徴付けるデータ伝送信号（ＤＣＳ）。
33. 請求項１～２０の少なくとも１項に記載のＸ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）、及び／または請求項２１に記載のＸ線管（１０）、及び／または請求項２２～２８の少なくとも１項に記載の方法、及び／または請求項２９に記載の装置（３００）、及び／または請求項３０に記載のコンピューター可読記憶媒体（ＳＭ）、及び／または請求項３１に記載のコンピュータープログラム（ＰＲＧ）、及び／または請求項３２に記載のデータ伝送信号（ＤＣＳ）の使用法（４００）であって、前記使用法（４００）は、以下の要素、すなわち、ａ）例えば時間的に連続して及び／または交互にＸ線放射の少なくとも２つの異なるタイプ（ＲＳ１，ＲＳ２）を提供するために、例えば前記Ｘ線放射の強度及び／またはスペクトルに関して互いに異なるＸ線放射の異なるタイプ（ＲＳ１，ＲＳ２）を提供すること（４０２）、ｂ）例えばＸ線蛍光分析のエリアで指定可能な用途のために、前記Ｘ線源（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）及び／または前記Ｘ線管（１０）を最適化すること（４０４）、ｃ）Ｘ線蛍光分析を実行すること（４０６）、ｄ）例えば軸領域（１２２－ＡＢ）にある前記標的要素（１２０）の熱負荷を制御すること（４０８）、例えば減らすこと、ｅ）例えば精密な用途のために、前記標的要素（１２０）の耐用年数または耐久性を長くすること（４１０）、ｆ）Ｘ線放射の発生を減らすこと（４１２）、例えば中断すること、ｇ）前記標的要素（１２０）の少なくとも１つの領域（１２２ａ，１２２ｂ）の個々の使用を行うこと（４１４）、ｈ）漂遊磁界（ＳＦ）または干渉場、例えば外部の漂遊磁界（ＳＦ）または干渉場を補償すること（４１６）、ｉ）前記標的要素（１２０）で前記電子（ｅ）または前記電子ビーム（ｅｓ）を照射すること（４１７）、ｊ）前記電子ビーム（ｅｓ）のビーム位置を評価すること（４１８）、例えば診断を実行すること（４１８ａ）、のうちの少なくとも１つに関する、使用法（４００）。

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