JP2023534677A - リフレクタ、その製造方法、レンズモジュールおよび電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
図12を参照されたい。この方法は、以下の段階を含み得る。
Claims (17)
- シリコンベース基板および第1の反射膜を備えるリフレクタであって、
前記シリコンベース基板は、互いに対向する第1の表面および第2の表面、第1の側面および第2の側面を有し、前記第1の側面は、前記第1の表面および前記第2の側面の両方に接続されており、前記第2の側面は、前記第2の表面に接続されており、
前記第1の反射膜は、前記第1の表面上に位置しており、前記第1の側面と前記第1の表面との間の夾角は、第1の角度閾値よりも大きく、前記第2の側面と前記第1の側面との間の夾角は、第2の角度閾値よりも大きく、前記第2の側面と前記第2の表面との間の夾角は、鈍角である、
リフレクタ。 - 前記第2の側面と前記第1の表面との間の夾角は、45度である、請求項1に記載のリフレクタ。
- 前記リフレクタは、前記第2の表面上に位置する第2の反射膜をさらに備え、前記第2の反射膜の材料は、前記第1の反射膜のものと同じである、請求項1または2に記載のリフレクタ。
- 前記シリコンベース基板の材料は、ターゲット結晶方位を有する単結晶シリコンである、請求項1から3のいずれか一項に記載のリフレクタ。
- 前記ターゲット結晶方位は、(111)である、請求項4に記載のリフレクタ。
- 前記第1の反射膜は、絶縁膜または金属膜であってよい、請求項1から5のいずれか一項に記載のリフレクタ。
- 前記第1の側面の高さは、0に等しく、前記第1の側面の高さ方向は、前記第1の表面に垂直である、請求項1から6のいずれか一項に記載のリフレクタ。
- リフレクタを製造する方法であって、
シリコンウェハの第1の面上に第1の反射材料膜層を形成する段階;および
少なくとも1つのリフレクタを取得するために、前記シリコンウェハおよび前記第1の反射材料膜層を加工する段階であって、前記リフレクタは、前記シリコンウェハを加工することにより取得されるシリコンベース基板、および、前記第1の反射材料膜層を加工することにより取得される第1の反射膜を含む、加工する段階
を備え、
前記シリコンベース基板は、互いに対向する第1の表面および第2の表面、第1の側面および第2の側面を含み、前記第1の側面は、前記第1の表面および前記第2の側面の両方に接続されており、前記第2の側面は、前記第2の表面に接続されており、前記第1の反射膜は、前記第1の表面上に位置しており、前記第1の側面と前記第1の表面との間の夾角は、第1の角度閾値よりも大きく、前記第2の側面と前記第1の側面との間の夾角は、第2の角度閾値よりも大きく、前記第2の側面と前記第2の表面との間の夾角は、鈍角である、
方法。 - 前記シリコンウェハおよび前記第1の反射材料膜層を加工する前記段階は、
前記リフレクタの第2の側面を形成するために、第1の切断ブレードを用いることにより前記シリコンウェハの第2の面を切断する段階であって、前記第1の切断ブレードの切断深さは、前記シリコンウェハの厚さよりも小さく、前記第2の面および前記第1の面は、前記シリコンウェハの2つの対向面である、切断する段階;および
前記リフレクタの第1の側面および前記リフレクタの前記第1の反射膜を形成するために、第2の切断ブレードを用いることにより前記シリコンウェハの切断を継続し、前記第1の反射材料膜層を切断する段階
を有する、
請求項8に記載の方法。 - 前記シリコンウェハおよび前記第1の反射材料膜層を加工する前記段階は、
前記リフレクタの第1の側面および前記リフレクタの前記第1の反射膜を形成するために、前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた側から始めて加工する段階;および
前記リフレクタの第2の側面を形成するために、第1の切断ブレードを用いることにより前記シリコンウェハの第2の面を切断する段階であって、前記第2の面および前記第1の面は、前記シリコンウェハの2つの対向する側面である、切断する段階
を有する、
請求項8に記載の方法。 - 前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた側から始めて加工する前記段階は、
前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた前記側から始めてエッチングする段階;または
第2の切断ブレードを用いることにより、前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた前記側から始めて切断する段階
を含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた側から始めて加工する前記段階の前に、前記方法は、
前記シリコンウェハの前記第2の表面上にアライメントマークを形成する段階
をさらに備え、
前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた側から始めて加工する前記段階は、
基準としての前記アライメントマークを用いることにより、前記第1の反射材料膜層および前記シリコンウェハを、前記第1の反射材料膜層の、前記シリコンウェハとは反対の方向を向いた前記側から始めて加工する段階
を含み、
第1の切断ブレードを用いることにより前記シリコンウェハの第2の面を切断する前記段階は、
基準としての前記アライメントマーク、および前記第1の切断ブレードを用いることにより、前記シリコンウェハの前記第2の面を切断する段階
を含む、
請求項10または11に記載の方法。 - 前記シリコンウェハの第2の面上に第2の反射材料膜層を形成するために、前記第1の反射材料膜層のものと同じ材料を用いる段階;および
前記リフレクタ内の第2の反射膜を取得するために前記第2の反射材料膜層を加工する段階であって、前記第2の反射膜は、前記シリコンベース基板の前記第2の表面上に位置している、加工する段階
をさらに備える、請求項8から12のいずれか一項に記載の方法。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載のリフレクタ、レンズセットおよび感光素子を備えるレンズモジュールであって、
前記レンズセットは、前記リフレクタと前記感光素子との間に位置しており、前記リフレクタ内の第1の反射膜は、シリコンベース基板よりも前記レンズセットにより近く、前記第1の反射膜は、入射光を前記レンズセットへ反射するように構成されている、
レンズモジュール。 - 前記シリコンベース基板の第2の側面と第1の表面との間の夾角は、前記第1の反射膜と前記レンズセットの光軸との間の夾角に等しい、請求項14に記載のレンズモジュール。
- 前記第1の反射膜と前記レンズセットの光軸との間の前記夾角は、45度である、請求項14または15に記載のレンズモジュール。
- ハウジング、および、前記ハウジング内に配置された請求項14から16のいずれか一項に記載のレンズモジュールを備える電子デバイス。
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