JP2023533730A - 水素およびnh3プラズマ用途のための保護セラミックコーティングを有するプロセスキット - Google Patents
水素およびnh3プラズマ用途のための保護セラミックコーティングを有するプロセスキット Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (20)
- 基板処理のための装置であって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配設された下側ライナと、
前記チャンバ本体内において前記下側ライナの上に配設された上側ライナと、
前記上側ライナおよび前記チャンバ本体を通って配設されたライナドアであって、前記下側ライナ、前記上側ライナ、および前記ライナドアのそれぞれが、その上に配設されたスプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層をさらに備える、ライナドアと、
前記チャンバ本体の上に配設されたチャンバリッドと、
前記チャンバリッドを通って配設されたガスノズルであって、バルクセラミックガスノズルをさらに含むガスノズルと
を備える装置。 - 前記静電チャックの上に配設されたプラズマスクリーンリングであって、バルクセラミックプラズマスクリーンリングであるプラズマスクリーンリングをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記下側ライナおよび基板支持ペデスタルを通って配設され、前記下側ライナおよび前記基板支持ペデスタルを固定する1つまたは複数の締め具をさらに備え、前記1つまたは複数の締め具のそれぞれが、その上に配設されたバルクイットリウムジルコニウム酸化物セラミック締め具カバーを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記チャンバリッドがAl2O3リッドおよびY2O3コーティングを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記チャンバリッドがAl2O3-Y2O3セラミック複合材およびY2O3コーティングを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記チャンバリッドが石英リッドをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記チャンバリッドが、積層または焼結されたイットリウムジルコニウム酸化物コーティングを有する酸化アルミニウムリッドまたはAl2O3-Y2O3リッドのうちの1つをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記イットリウムジルコニウム酸化物がY2O3-ZrO2固溶体をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 1つまたは複数のガスケットが、前記下側チャンバ本体と前記上側チャンバ本体との間に配設されている、請求項1に記載の装置。
- 1つまたは複数のガスケットが、前記上側チャンバ本体と前記チャンバリッドとの間に配設されている、請求項9に記載の装置。
- 1つまたは複数のガスケットが、前記下側チャンバ本体と前記基板支持ペデスタルとの間に配設されている、請求項10に記載の装置。
- 前記1つまたは複数のガスケットのそれぞれが、ニッケルめっきされたガスケットまたはステンレス鋼ガスケットを含む、請求項11に記載の装置。
- 基板処理のための装置であって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配設された下側ライナと、
前記チャンバ本体内において前記下側ライナの上に配設された上側ライナと、
前記上側ライナおよび前記チャンバ本体を通って配設されたライナドアであって、前記下側ライナ、前記上側ライナ、および前記ライナドアのそれぞれが、その上に配設されたスプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層をさらに備え、前記イットリウムジルコニウム酸化物がY2O3-ZrO2固溶体をさらに含む、ライナドアと、
前記上側ライナの上に配設されたチャンバリッドと、
前記チャンバリッドを通って配設されたガスノズルであって、バルクセラミックガスノズルをさらに含むガスノズルと、
前記下側ライナと前記上側ライナとの間、前記上側ライナと前記チャンバリッドとの間、および前記下側ライナと基板支持ペデスタルとの間に配設された、1つまたは複数のニッケルめっきされたガスケットまたはステンレス鋼ガスケットと
を備える装置。 - 前記スプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層のそれぞれの厚さが約25ミクロンから約300ミクロンである、請求項13に記載の装置。
- 前記チャンバリッドが、酸化アルミニウムリッドおよびPVDコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層をさらに含み、前記PVDコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層が、約0.5ミクロンから約10ミクロンの厚さを有する、請求項13に記載の装置。
- 前記スプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層が、濃度99%以上のY2O3およびZrO2を有する精製イットリウムジルコニウム酸化物コーティングである、請求項13に記載の装置。
- 前記バルクセラミックガスノズルが、約0.2%以下の空孔率を有するイットリウムジルコニウム酸化物セラミックガスノズルである、請求項16に記載の装置。
- 前記静電チャックの上に配設されたプラズマスクリーンリングであって、バルクイットリウムジルコニウム酸化物セラミック、またはY2O3-ZrO2でコーティングされたアルミナリングであるプラズマスクリーンリングをさらに備える、請求項13に記載の装置。
- 基板処理のための装置であって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配設された下側ライナと、
前記チャンバ本体内において前記下側ライナの上に配設された上側ライナと、
前記上側ライナおよび前記チャンバ本体を通って配設されたライナドアであって、前記下側ライナ、前記上側ライナ、および前記ライナドアのそれぞれが、その上に配設されたスプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層をさらに備える、ライナドアと、
前記上側ライナの上に配設されたチャンバリッドと、
前記チャンバリッドを通って配設されたガスノズルであって、バルクセラミックガスノズルをさらに含むガスノズルと、
前記チャンバリッドの上方に配設された誘導コイルと、
前記誘導コイルと前記チャンバリッドとの間に配設された遮蔽電極であって、
前記スプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層の厚さが約25ミクロンから約300ミクロンであり、前記スプレーコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物層が、濃度99%以上のY2O3およびZrO2を有する精製イットリウムジルコニウム酸化物コーティングである、遮蔽電極と
を備える装置。 - 前記チャンバリッドが、酸化アルミニウムリッドおよびPVDコーティングされたイットリウムジルコニウム酸化物コーティングをさらに含む、請求項19に記載の装置。
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