JP2023532421A - 共振ユニット及び誘電体フィルタ - Google Patents

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物广系統有限公司
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Abstract

本発明の実施例に係る誘電体共振ユニットは、キャビティ、支持フレーム、共振器及びカバープレートを含み、キャビティは、密封された空間で構成され、キャビティの１つの面は、カバープレート面であり、共振器は、誘電体共振ブロック及び共振ロッドで構成され、キャビティ内に取り付けられ、支持フレームは、共振器とキャビティの内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、誘電体共振ブロックには、該共振ロッドを収容する少なくとも１つの孔が設けられ、共振ロッドと誘電体共振ブロックとの間は電気的に接続されていない。本発明の実施例は、誘電体共振ブロックに貫通孔又は止まり穴を設けて、貫通孔及び止まり穴に誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドを入れ、周波数を低下させ、従来の技術的課題を効果的に解決する。

Description

本発明の実施例は、通信の技術分野に関し、特に共振ユニット及び誘電体フィルタに関する。
近年、通信アンテナフィーダーシステムの重要な構成部分として、フィルタは、掛け替えのない重要なキーデバイスであり、フィルタの研究も絶えず新しい進展を収めている。フィルタは、コンデンサ、インダクタ、抵抗からなるフィルタ回路である。フィルタは、電源線における特定周波数の周波数点又は該周波数点以外の周波数を効果的にフィルタリングし、特定周波数の電源信号又は特定周波数を除去した後の電源信号を取得することができる。移動通信技術の発展に伴い、フィルタへの要求がますます高まっており、例えば、低周波数、低コスト、高電力、高性能等がある。特に、製品の小型化の需要が高まりつつある。特に、低周波数域の製品では、従来設計の体積が大きすぎるため、新たな市場需要を満たすことができない。長期にわたって、低周波製品の体積をどのように小さくするかが求められており、一般的な周波数を低下させる方法は、金属共振ロッドに金属ディスクを追加する方式があるが、体積が小さい場合にシングルキャビティＱ値を向上させることができないため、挿入損失が大きい。また、ＴＥモード又はＴＭモード誘電体共振器によりＱ値を向上させることができるが、体積が小さくかつ周波数が低いという需要を満たすことができず、誘電体共振器の高いコストもその適用範囲を制限する。したがって、どのようにシングルキャビティの小さい体積を維持しながら、周波数を大幅に低下させることを実現するかは、基地局フィルタの供給業者が市場のチャレンジに直面するのに解決する必要がある課題である。
上記課題を解決するために、本発明の実施例は、シングルキャビティの高いＱ値及びフィルタの体積を一定に維持しながら、シングルキャビティ周波数を大幅に低下させることができる共振ユニット及び誘電体フィルタを提供する。
本発明の実施例は、キャビティ、支持フレーム、共振器及びカバープレートを含む共振ユニットを開示し、前記キャビティは、密封された空間で構成され、キャビティの１つの面は、カバープレート面であり、前記共振器は、誘電体共振ブロック及び共振ロッドで構成され、キャビティ内に取り付けられ、前記支持フレームは、共振器とキャビティの内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せず、他端がキャビティ内壁に接触せず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、誘電体共振ロッドのフランジは、表面が金属化され、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触し、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又はキャビティ内壁に接触及び接続されず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する１つ又は２つの面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記キャビティ内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成されるか、或いは、前記キャビティ内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であるか、或いは、前記キャビティ内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、前記共振ユニットは、単一軸方向の共振器、垂直に交差する単一軸方向の共振器又は互いに垂直に交差する３つの単一軸方向の共振器である場合、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法を変化させるか、或いは、水平、垂直方向の寸法を変化させて、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、前記共振ユニットが垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器である場合、そのいずれかの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器が他の１つ又は２つの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつ軸方向に平行な方向での寸法より小さい場合、それに対応する基本モードと複数の高次モードの周波数及びＱ値は、いずれもそれに応じて変化し、基本モードの周波数を一定に維持すれば、異なる誘電率の共振器、キャビティ、及び支持フレームで構成された共振ユニットは、基本モード及び複数の高次モードの周波数に対応するシングルモード、マルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器のＱ値の変化が異なり、同時に高次モードの周波数も変化する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつ他端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが貫通孔の内壁に完全に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられてもよく、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであってもよく、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、軸方向に対応する一端がキャビティ内壁に接触する場合、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつその端面に表面が金属化された誘電体フランジを追加し、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、誘電体共振ロッドの両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁と誘電体共振ロッドとの間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、貫通孔の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ロッドの一端のフランジの表面金属化により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触するか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、両端がいずれもキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが止まり穴の内壁に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられ、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであり、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの止まり穴内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの止まり穴内に取り付けられ、誘電体共振ロッドがキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、止まり穴の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接地する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか又はその１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、誘電体共振ロッドの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下する。
本発明の好ましい実施形態では、前記キャビティ内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、少なくとも１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化し、前記キャビティ内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化し、前記キャビティ内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法より大きく、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器のうちの１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数、周波数、Ｑ値もそれに応じて変化し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きく、金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドの端面がキャビティ内壁に接触する場合、周波数が低下し、金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドの端面にフランジを追加すると周波数がさらに低下し、フランジの面積が大きいほど周波数の低下幅が大きい。
本発明の好ましい実施形態では、前記単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと複数の高次モードの周波数に対応するマルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器に対応する周波数、Ｑ値の変化が異なる。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードの周波数が一定に維持すれば、高次モードの周波数と基本モードの周波数との間、及び複数の高次モードの周波数間の間隔が複数回変化し、異なる誘電率の共振器の周波数間隔の変化が異なり、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモードの周波数間隔もそれに応じて変化する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、キャビティの寸法及び基本モードの周波数を一定に維持すれば、共振ユニットの基本モード及び高次モードは、少なくとも１つの同一周波数又は周波数が近接する複数のマルチモードを形成することができ、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法との比が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数もそれに応じて変化する。
本発明の好ましい実施形態では、前記共振器又はキャビティに対して、電界又は磁界が垂直である構造位置にエッジをカットするか又は補完して隣接カップリングを形成し、キャビティ及び共振器が三角体又は四角体にカットされるか、或いは、キャビティ又は共振器のエッジに対して局所又は全体のカット又は補完を行い、キャビティ及び共振器に対して、同時にエッジカットするか又は単独でエッジカットし、エッジカットして隣接カップリングを形成すると周波数及びＱ値は、それに応じて変化し、隣接カップリングがそのクロスカップリングを変更し、単一軸方向の共振器と、他の１つ又は２つの軸方向の共振器に対応するキャビティの３つの面とが交差して形成された３つの共振軸方向の電界又は磁界の交差構造位置に対してコーナーカット又は補完を行うか、或いは、対応するキャビティに対してコーナーカット及び補完を行い、密封してクロスカップリングを形成し、対応する周波数及びＱ値もそれに応じて変化し、同時に隣接カップリングを変更し、前記共振器に対して、角部、エッジに溝又は穴を形成するか又は突起を設ける場合、隣接カップリング及びクロスカップリングの強弱を変更する。
本発明の好ましい実施形態では、該共振器の電界強度集中の位置には、少なくとも１つの同調装置が設けられる。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、対応するキャビティの形状は、直方体、立方体、多角柱体を含むが、それらに限定されず、キャビティ内壁の表面又は内部領域の局所が凹む又は突起するか又はコーナーカットする又は溝切りするように設けられ、誘電体共振器の電界強度集中の位置には、キャビティに取り付けられた少なくとも１つの同調装置が設けられ、キャビティの材料は、金属又は非金属であり、該キャビティの表面に銅又は銀がメッキされ、異なる形状のキャビティは、Ｑ値、周波数、モジュラスに影響を与える。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットの横断面と垂直軸方向で構成された形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体を含むが、それらに限定されず、該共振ユニットは、中実体又は中空体とされ、前記誘電体共振ブロックに貫通孔、止まり穴が設けられ、その角部、エッジ及び表面に溝又は穴が形成され、或いはその異なる角部、エッジ及び面に複数の溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその内部に溝又は穴が形成され、或いはその異なる軸方向に溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその表面に突起が設けられ、或いはその任意の面の任意の位置に異なる個数の突起した円柱体、多角柱体が設けられ、前記誘電体又は金属共振ロッドの形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体であり、単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器は、中実体又は中空体であり、誘電体共振ブロック及び誘電体共振ロッドの材料は、セラミック、複合誘電体材料、誘電率が１より大きい誘電体材料であり、誘電体表面に金属化を行ってもよく、金属共振ロッドの材料は、アルミニウム、銅、鉄等の金属材料であるか、或いは、該金属共振ロッドの表面が再び金属化され、共振器は、異なる形状、異なる材料、異なる誘電率であれば、基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数、Ｑ値及びモジュラスに影響を与える。
本発明の好ましい実施形態では、誘電体及び／又は金属支持フレームは、共振器の端面、エッジ、角部又はキャビティの角部に位置し、誘電体共振器とキャビティとの間に配置され、前記共振器は、支持フレームにより該キャビティ内に支持され、支持フレームと前記共振器又はキャビティの組み合わせにより一体式構造又は別体式構造が形成され、誘電体支持フレームは、誘電体材料で製造され、誘電体支持フレームの材料は、空気、プラスチック又はセラミック、複合誘電体材料であり、金属支持フレームは、アルミニウム、銅、銀等の導電材料で製造され、誘電体と金属材料を組み合わせて混合材料支持フレームを形成することもでき、支持フレームが共振器の異なる位置に取り付けられる場合、その対応する基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔も異なり、異なる誘電体支持フレームの材料、誘電率、異なる構造も基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔に影響を与える。
本発明の好ましい実施形態では、前記支持フレームは、圧着、接着、接合、溶接、バックル又はネジ接続の方式で共振器及びキャビティに接続され、単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器のうちの１つの端面又は複数の端面に接続される。
本発明の好ましい実施形態では、支持フレームは、共振器とキャビティ内壁に対応する任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、両面が平行である中実体又は中間が貫通する構造を含み、共振器の同一端面又は異なる端面、エッジ、角部の支持フレームの数は、１つ又は複数の異なる組み合わせであり、異なる数の支持フレームは、対応する周波数、モジュラス及びＱ値も異なり、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと高次モードのＱ値の大きさは、複数回変化する。
本発明の好ましい実施形態では、共振器の支持フレームは、キャビティ内壁に接触して熱伝導を行う。
本発明の誘電体フィルタによれば、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットは、１～Ｎ個の異なる周波数のシングルバンドパスフィルタを構成することができ、異なる周波数のシングルバンドパスフィルタは、マルチバンドパスフィルタ、デュプレクサ又はマルチプレクサの任意の組み合わせを構成し、対応する共振ユニットと、金属又は誘電体のシングルモード共振キャビティ、デュアルモード共振キャビティ及びトリプルモード共振キャビティとは、さらに異なる形式の任意の配列組み合わせを行って、所望の異なる寸法の複数のシングルパス又はマルチバンドパスフィルタ又はデュプレクサ又はマルチプレクサ又は任意の組み合わせを構成することができる。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、対応するキャビティと金属共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティ、共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティは、任意の隣接カップリング又はクロスカップリングの組み合わせを行うことができる。
本発明の実施例の有益な効果として、本発明の実施例は、誘電体共振ブロックに貫通孔又は止まり穴を設けて、貫通孔及び止まり穴に誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドを入れ、周波数を低下させ、従来の技術的課題を効果的に解決する。
以下、本発明の実施例又は関連技術における技術的解決手段をより明確に説明するために、実施例又は関連技術の説明に必要な図面を簡単に説明する。明らかに、以下の説明における図面は、本発明のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとっては、創造的な労働をしない前提で、さらにこれらの図面に基づいて他の図面を取得することができる。
本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに止まり穴が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックに貫通孔が設けられる場合に誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第１の実施形態に係る、誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと組み合わせる構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第２の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第２の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第２の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第２の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第３の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第３の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第４の実施形態の構造概略図である。 本発明の共振ユニットの第５の実施形態の構造概略図である。
以下、本発明の実施例の目的、技術的解決手段及び利点をより明確にするために、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的解決手段を明確で完全に説明し、もちろん、説明する実施例は本発明の一部の実施例にすぎず、全ての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をせずに得られる全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
本発明の説明において、「長さ」、「幅」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「トップ」、「ボトム」、「内」、「外」などの用語で示す方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係であり、本発明を説明しやすい、又は説明を簡単にするだけに用いられ、示している装置又は部品が必ず特定の方位を有し、特定の方位構造と操作を有することを表す又は暗示することではないことを理解されるべきであり、そのため本発明を限定するものと解釈されるべきではない。
また、用語「第１」、「第２」は、目的を説明するためだけに用いられるものであり、比較的な重要性を指示又は暗示するか、或いは示された技術的特徴の数を黙示的に指示すると理解してはならない。これにより、「第１」、「第２」に限定されている特徴は、１つ以上の前記特徴を明示的又は暗示的に含むことができる。本発明の説明において、明確かつ具体的な限定がない限り、「複数」とは、２つ又はそれ以上を意味する。
図１～図２６に示すように、本発明の実施例に係る共振ユニット１００は、キャビティ１０、支持フレーム４０、共振器（図示せず）及びカバープレート（図示せず）を含み、キャビティ１０は、密封された空間で構成され、キャビティ１０の１つの面は、カバープレート面であり、キャビティ１０の内面は、キャビティ内壁（図示せず）として定義され、キャビティ１０の内壁に導電層が塗布される。共振器は、誘電体共振ブロック２０及び共振ロッド３０で構成され、共振ロッド３０は、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドである。共振器は、キャビティ１０内に取り付けられ、支持フレーム４０は、共振器とキャビティ１０の内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティ１０の任意の形状に合わせて接続固定される。
共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って貫通孔２１が形成される場合、誘電体共振ブロック２０がキャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触せず、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられる。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記キャビティ１０内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成されるか、或いは、前記キャビティ１０内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であるか、或いは、前記キャビティ１０内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、前記共振ユニット１００は、単一軸方向の共振器、垂直に交差する単一軸方向の共振器又は互いに垂直に交差する３つの単一軸方向の共振器である場合、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法を変化させるか、或いは、水平、垂直方向の寸法を変化させて、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、前記共振ユニット１００が垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器である場合、そのいずれかの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器が他の１つ又は２つの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつ軸方向に平行な方向での寸法より小さい場合、それに対応する基本モードと複数の高次モードの周波数及びＱ値は、いずれもそれに応じて変化し、基本モードの周波数を一定に維持すれば、異なる誘電率の共振器、キャビティ１０、及び支持フレーム４０で構成された共振ユニット１００は、基本モード及び複数の高次モードの周波数に対応するシングルモード、マルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器のＱ値の変化が異なり、同時に高次モードの周波数も変化する。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って貫通孔２１が形成される場合、誘電体共振ブロック２０がキャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触せず、金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられる。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けることができる。当然のことながら、金属共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けることができる。当然のことながら、金属共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する１つ又は２つの面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造、垂直に交差する二軸共振構造又は互いに垂直に交差する三軸共振構造を実現し、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って貫通孔２１が形成される場合、誘電体共振ブロック２０がキャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触せず、誘電体共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられる。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができる。当然のことながら、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて完全な共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられ、或いは１つ又は複数の誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造、垂直に交差する二軸共振構造又は互いに垂直に交差する三軸共振構造を実現し、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触するか、或いは、誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端にフランジ５０が設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、両端がいずれもキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが止まり穴２２の内壁に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に取り付けられ、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであり、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に取り付けられ、誘電体共振ロッドがキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、誘電体共振ロッドと前記誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、止まり穴２２の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロック２０の任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接地する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか又はその１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ロッドの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下する。
前記キャビティ１０内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０が設けられてキャビティ１０とともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティ１０の対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、少なくとも１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化する。
前記キャビティ１０内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０が設けられてキャビティ１０とともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティ１０の対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化する。
前記キャビティ１０内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０が設けられてキャビティ１０とともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティ１０の対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法より大きく、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化する。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器のうちの１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数、周波数、Ｑ値もそれに応じて変化し、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きく、金属及び誘電体共振ロッドの端面がキャビティ内壁に接触する場合、周波数が低下し、金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドの端面にフランジ５０を追加すると周波数がさらに低下し、フランジ５０の面積が大きいほど周波数の低下幅が大きい。
前記単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと複数の高次モードの周波数に対応するマルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器に対応する周波数、Ｑ値の変化が異なる。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードの周波数が一定に維持すれば、高次モードの周波数と基本モードの周波数との間、及び複数の高次モードの周波数間の間隔が複数回変化し、異なる誘電率の共振器の周波数間隔の変化が異なり、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモードの周波数間隔もそれに応じて変化する。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、キャビティ１０の寸法及び基本モードの周波数を一定に維持すれば、共振ユニット１００の基本モード及び高次モードは、少なくとも１つの同一周波数又は周波数が近接する複数のマルチモードを形成することができ、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法との比が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数もそれに応じて変化する。
前記共振器又はキャビティ１０に対して、電界又は磁界が垂直である構造位置にエッジをカットするか又は補完して隣接カップリングを形成し、キャビティ１０及び共振器が三角体又は四角体にカットされるか、或いは、キャビティ１０又は共振器のエッジに対して局所又は全体のカット又は補完を行い、キャビティ１０及び共振器に対して、同時にエッジカットするか又は単独でエッジカットし、エッジカットして隣接カップリングを形成すると周波数及びＱ値は、それに応じて変化し、隣接カップリングがそのクロスカップリングを変更し、単一軸方向の共振器と、他の１つ又は２つの軸方向の共振器に対応するキャビティ１０の３つの面とが交差して形成された３つの共振軸方向の電界又は磁界の交差構造位置に対してコーナーカット又は補完を行うか、或いは、対応するキャビティ１０に対してコーナーカット及び補完を行い、密封してクロスカップリングを形成し、対応する周波数及びＱ値もそれに応じて変化し、同時に隣接カップリングを変更し、前記共振器に対して、角部、エッジに溝又は穴を形成するか又は突起を設ける場合、隣接カップリング及びクロスカップリングの強弱を変更する。該共振器の電界強度集中の位置には、少なくとも１つの同調装置が設けられる。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、対応するキャビティ１０の形状は、直方体、立方体、多角柱体を含むが、それらに限定されず、キャビティ内壁の表面又は内部領域の局所が凹む又は突起するか又はコーナーカットする又は溝切りするように設けられ、誘電体共振器の電界強度集中の位置には、キャビティ１０に取り付けられた少なくとも１つの同調装置が設けられ、キャビティ１０の材料は、金属又は非金属であり、該キャビティの表面に銅又は銀がメッキされる。異なる形状のキャビティ１０は、Ｑ値、周波数、モジュラスに影響を与える。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００の横断面と垂直軸方向で構成された形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体る。前記誘電体共振ブロック２０に貫通孔２１、止まり穴２２が設けられ、その角部、エッジ及び表面に溝又は穴が形成され、或いはその異なる角部、エッジ及び面に複数の溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその内部に溝又は穴が形成され、或いはその異なる軸方向に溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその表面に突起が設けられ、或いはその任意の面の任意の位置に異なる個数の突起した円柱体、多角柱体が設けられる。前記誘電体又は金属共振ロッドの形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体であり、該共振構造は、中実体又は中空体とされる。単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器は、中実体又は中空体である。誘電体共振ブロック２０及び誘電体共振ロッドの材料は、セラミック、複合誘電体材料、誘電率が１より大きい誘電体材料である。金属共振ロッドの材料は、アルミニウム、銅、鉄などの金属材料であり、プラスチック、セラミック材料の表面に金属化を行ってもよく、該金属共振ロッドの表面に金属化を再び行ってもよい。共振器は、異なる形状、異なる材料、異なる誘電率であれば、基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数、Ｑ値及びモジュラスに影響を与える。
誘電体及び／又は金属支持フレーム４０は、共振器の端面、エッジ、角部又はキャビティの角部に位置し、誘電体共振器とキャビティとの間に配置され、前記共振器は、支持フレーム４０により該キャビティ内に支持され、支持フレーム４０と前記共振器又はキャビティ１０の組み合わせにより一体式構造又は別体式構造が形成される。誘電体支持フレーム４０は、誘電体材料で製造され、誘電体支持フレーム４０の材料は、空気、プラスチック又はセラミック、複合誘電体材料であり、金属支持フレーム４０は、アルミニウム、銅、銀等の導電材料で製造され、誘電体と金属材料を組み合わせて混合材料支持フレーム４０を形成することもできる。支持フレーム４０が共振器の異なる位置に取り付けられる場合、その対応する基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔も異なる。異なる誘電体支持フレーム４０の材料、誘電率、異なる構造も基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔に影響を与える。
支持フレーム４０は、圧着、接着、接合、溶接、バックル又はネジ接続の方式で共振器及びキャビティ１０に接続され、単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器のうちの１つの端面又は複数の端面に接続される。
支持フレーム４０は、共振器とキャビティ１０の内壁に対応する任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティ１０の任意の形状に合わせて接続固定され、両面が平行である中実体又は中間が貫通する構造を含み、共振器の同一端面又は異なる端面、エッジ、角部の支持フレーム４０の数は、１つ又は複数の異なる組み合わせであり、異なる数の支持フレーム４０は、対応する周波数、モジュラス及びＱ値も異なり、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと高次モードのＱ値の大きさは、複数回変化する。共振器の支持フレーム４０は、キャビティ１０の内壁に接触して熱伝導を行う。
本発明の実施例に係る誘電体フィルタによれば、単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００は、１～Ｎ個の異なる周波数のシングルバンドパスフィルタを構成することができ、異なる周波数のシングルバンドパスフィルタは、マルチバンドパスフィルタ、デュプレクサ又はマルチプレクサの任意の組み合わせを構成し、対応する共振ユニット１００と、金属又は誘電体のシングルモード共振キャビティ１０、デュアルモード共振キャビティ１０及びトリプルモード共振キャビティ１０とは、さらに異なる形式の任意の配列組み合わせを行って、所望の異なる寸法の複数のシングルパス又はマルチバンドパスフィルタ又はデュプレクサ又はマルチプレクサ又は任意の組み合わせを構成することができる。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、対応するキャビティ１０と金属共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティ１０、共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティ１０は、任意の隣接カップリング又はクロスカップリングの組み合わせを行うことができる。
以下、シミュレーション実験のデータを用いて詳細に説明する。
本発明の実施例の技術的特徴を正確に示すために、従来の誘電体共振ユニットでシミュレーション実験を行って得られた実験データを本発明の実施例のシミュレーション実験で得られた実験データと比較し、以下の通りである。誘電体共振ユニットのキャビティを３０ｍｍの立方体に、誘電体共振ブロックを２５ｍｍの立方体に、求める周波数を５００ＭＨｚに設定し、上記特徴シミュレーションにより計算して分かるように、該寸法の組み合わせは、単一軸方向の共振器の基本モードがシングルモードである特性を実現することができ、シミュレーションの周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（ＭＨｚ））は、２．０６８１９である。
以下は、本発明の実施例のシミュレーション実験のデータである。
シミュレーション実験１において、共振ロッド３０が誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ブロック２０に止まり穴２２が設けられる場合、各部材のパラメータ及び関係は、次のように設定されている。
共振ユニット１００のキャビティ１０は、３０ｍｍの立方体であり、
誘電体共振ブロック２０は、２５ｍｍの立方体であり、求める周波数は、５００ＭＨｚであり、誘電体共振ブロック２０の誘電率は、Ｅｒ３４．５＿１／３６６００であり、
誘電体共振ロッドの誘電率は、Ｅｒ４５＿１／４３０００であり、
誘電体共振ブロック２０に設けられた止まり穴２２の直径は、１０ｍｍであり、
誘電体共振ロッドが止まり穴２２に密着される場合、誘電体共振ロッドの直径は、１０ｍｍであり、誘電体共振ロッドと止まり穴２２との間の間隔が０．１ｍｍである場合、誘電体共振ロッドの直径は、９．８ｍｍであり、
誘電体共振ロッドにフランジ５０が設けられる場合、該フランジ５０の直径は、２０ｍｍである。
上記特徴シミュレーションにより計算して分かるように、該寸法の組み合わせは、単一軸方向の共振器の基本モードがシングルモードである特性を実現することができ、シミュレーション結果は以下の通りである（以下の表において、誘電体－金属共振ユニットの共振ロッドが誘電体共振ロッドであり、各構造との関係を示す。●：存在する状態を示し、スペース：存在しない状態を示す。）。
Figure 2023532421000002
シミュレーション実験２において、共振ロッド３０が金属共振ロッドであり、誘電体共振ブロック２０に止まり穴２２が設けられる場合、各部材のパラメータ及び関係は、次のように設定されている。
共振ユニット１００のキャビティ１０は、３０ｍｍの立方体であり、
誘電体共振ブロック２０は、２５ｍｍの立方体であり、求める周波数は、５００ＭＨｚであり、誘電体共振ブロック２０の誘電率は、Ｅｒ３４．５＿１／３６６００であり、
誘電体共振ブロック２０に設けられた止まり穴２２の直径は、１０ｍｍであり、
金属共振ロッドが止まり穴２２に密着される場合、金属共振ロッドの直径は、１０ｍｍであり、金属共振ロッドと止まり穴２２との間の間隔が０．１ｍｍである場合、金属共振ロッドの直径は、９．８ｍｍであり、
金属共振ロッドにフランジ５０が設けられる場合、該フランジ５０の直径は、２０ｍｍである。
上記特徴シミュレーションにより計算して分かるように、該寸法の組み合わせは、単一軸方向の共振器の基本モードがシングルモードである特性を実現することができ、シミュレーション結果は以下の通りである（以下の表において、誘電体－金属共振ユニットの共振ロッドが金属共振ロッドであり、各構造との関係を示す。●：存在する状態を示し、スペース：存在しない状態を示す。）。
Figure 2023532421000003
シミュレーション実験３において、共振ロッド３０が誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ブロック２０に貫通孔２１が設けられる場合、各部材のパラメータ及び関係は、次のように設定されている。
共振ユニット１００のキャビティ１０は、３０ｍｍの立方体であり、
誘電体共振ブロック２０は、２５ｍｍの立方体であり、求める周波数は、５００ＭＨｚであり、誘電体共振ブロック２０の誘電率は、Ｅｒ３４．５＿１／３６６００であり、
誘電体共振ロッドの誘電率は、Ｅｒ４５＿１／４３０００であり、
誘電体共振ブロック２０に設けられた貫通孔２１の直径は、１０ｍｍであり、
誘電体共振ロッドが貫通孔２１に密着される場合、誘電体共振ロッドの直径は、１０ｍｍであり、誘電体共振ロッドと貫通孔２１との間の間隔が０．１ｍｍである場合、誘電体共振ロッドの直径は、９．８ｍｍであり、
誘電体共振ロッドにフランジ５０が設けられる場合、該フランジ５０の直径は、２０ｍｍである。
上記特徴シミュレーションにより計算して分かるように、該寸法の組み合わせは、単一軸方向の共振器の基本モードがシングルモードである特性を実現することができ、シミュレーション結果は以下の通りである（以下の表において、誘電体－金属共振ユニットの共振ロッドが誘電体共振ロッドであり、各構造との関係を示す。●：存在する状態を示し、スペース：存在しない状態を示す。）。
Figure 2023532421000004
シミュレーション実験４において、共振ロッド３０が金属共振ロッドであり、誘電体共振ブロック２０に貫通孔２１が設けられる場合、各部材のパラメータ及び関係は、次のように設定されている。
共振ユニット１００のキャビティ１０は、３０ｍｍの立方体であり、
誘電体共振ブロック２０は、２５ｍｍの立方体であり、求める周波数は、５００ＭＨｚであり、誘電体共振ブロック２０の誘電率は、Ｅｒ３４．５＿１／３６６００であり、
誘電体共振ブロック２０に設けられた貫通孔２１の直径は、１０ｍｍであり、
金属共振ロッドが貫通孔２１に密着される場合、金属共振ロッドの直径は、１０ｍｍであり、金属共振ロッドと貫通孔２１との間の間隔が０．１ｍｍである場合、金属共振ロッドの直径は、９．８ｍｍであり、
金属共振ロッドにフランジ５０が設けられる場合、該フランジ５０の直径は、２０ｍｍである。
上記特徴シミュレーションにより計算して分かるように、該寸法の組み合わせは、単一軸方向の共振器の基本モードがシングルモードである特性を実現することができ、シミュレーション結果は以下の通りである（以下の表において、誘電体－金属共振ユニットの共振ロッドが金属共振ロッドであり、各構造との関係を示す。●：存在する状態を示し、スペース：存在しない状態を示す。）。
Figure 2023532421000005
上記シミュレーション実験を行う前に、関連構造に対してもシミュレーションを行い、その構造は以下の通りである。関連構造におけるシングルキャビティは、３０ｍｍの立方体であり、誘電体は、２５ｍｍの立方体であり、求める周波数は、５００ＭＨｚであり、誘電体ブロックは、Ｅｒ３４．５＿１／３６６００である。シミュレーションの結果周波数は、２．０６８１９ＧＨＺである。
以上のシミュレーション実験のデータから分かるように、共振ユニット１００において、誘電体共振ブロック２０を中空体又は中実体とし、誘電体共振ブロック２０内に金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドを挿入することにより、周波数を効果的に低下させることができる。上記シミュレーション実験のデータから分かるように、本発明の実施例に係る共振ユニット１００において、金属共振ロッドが設けられる場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ロッドが設けられる場合の周波数の低下幅より大きく、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドがキャビティ内壁に接触する場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドがキャビティ内壁に接触しない場合の周波数の低下幅より大きく、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドが誘電体共振ブロックに設けられた止まり穴又は貫通孔に嵌合する場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドと誘電体共振ブロックに設けられた止まり穴又は貫通孔との間に隙間が設けられる場合の周波数の低下幅より大きく、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドが共振ブロックの止まり穴２２又は貫通孔２１に接触する場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドが共振ブロックの止まり穴２２又は貫通孔２１に接触しない場合の周波数の低下幅より大きく、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドにフランジ５０が設けられる場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドにフランジ５０が設けられない場合の周波数の低下幅より大きい。また、以上の規則から分かるように、誘電体共振ブロック２０がキャビティ内壁に接触する場合の周波数の低下幅は、誘電体共振ブロック２０がキャビティ内壁に接触しない場合の周波数の低下幅よりも大きく、フランジ５０が金属であるか又は表面に金属がメッキされる場合の周波数の低下幅は、フランジ５０が誘電体材質である場合の周波数の低下幅よりも大きい。
図１３～１８に示すように、本発明の実施例に係る共振ユニット１００の誘電体共振ブロック２０に誘電体又は金属共振ロッドを収容可能な貫通孔又は止まり穴が設けられず、誘電体又は金属共振ロッドを誘電体共振ブロック２０の表面に配置し、誘電体共振ブロック２０に依然として貫通孔又は止まり穴を設けることができるが、該貫通孔又は止まり穴は、誘電体又は金属共振ロッドと構造上の嵌合関係がない。当然のことながら、誘電体又は金属共振ロッドは、キャビティ内壁に接触するか又は接触しなくてもよく、誘電体又は金属共振ロッドには、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて誘電体又は金属共振ロッドと協働して周波数の低下幅を増大させてもよい。該実施形態は、前述の誘電体又は金属共振ロッドの貫通孔又は止まり穴と嵌合する方式で周波数幅を低下させる規則と同じであり、ここでは説明を省略する。
図１９～２２に示すように、本発明の第２の実施形態は、以下の通りである。共振ユニット１００の誘電体共振ブロック２０は、２つ以上の面で誘電体又は金属共振ロッドと嵌合することにより、周波数を低下させる効果をよりよく達成することができる。誘電体共振ブロック２０と誘電体又は金属共振ロッドとの嵌合位置に止まり穴又は貫通孔が設けられるか、或いは、該誘電体又は金属共振ロッドを収容する領域がない場合、周波数を低下させる規則は、前述の誘電体共振ブロックが誘電体又は金属共振ロッドと嵌合する方式で周波数を低下させる規則と同じであり、ここでは説明を省略する。
図２３～２４に示すように、本発明の第３の実施形態は、以下の通りである。共振ユニット１００の誘電体共振ブロック２０が２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体である場合、誘電体又は金属共振ロッドと嵌合して周波数幅を低下させる規則は、単一軸方向の誘電体共振ブロック２０が誘電体又は金属共振ロッドと嵌合して周波数幅を低下させる規則と同じであり、ここでは説明を省略する。
図２５に示すように、本発明の第４の実施形態は、以下の通りである。共振ユニット１００の誘電体共振ブロック２０は、各面で誘電体又は金属共振ロッドと嵌合して周波数を低下させる効果をよりよく達成することができ、その周波数幅を低下させる規則は、前述の実施形態と同じであり、ここでは説明を省略する。
図２６に示すように、本発明の第５の実施形態は、以下の通りである。共振ユニット１００の誘電体共振ブロック２０が３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体である場合、誘電体又は金属共振ロッドと嵌合して周波数幅を低下させる規則は、単一軸方向の誘電体共振ブロック２０が誘電体又は金属共振ロッドと嵌合して周波数幅を低下させる規則と同じであり、ここでは説明を省略する。
以上に説明した装置の実施例は、例示的なものに過ぎず、個別の部材として説明するユニットは、物理的に分離されているものであってもなくてもよく、ユニットとして示される部材は物理ユニットであってもなくてもよく、１つの場所に位置してもよく、複数のネットワークユニットに分布してもよい。本実施例の技術的解決手段の目的を実現するように、そのうちの一部又はすべてのモジュールを実際の必要に応じて選択してもよい。当業者は創造的な労働をせずに、理解して実施することができる。
最後に、説明する必要があるのは、以上の実施例は、本発明の技術的解決手段を説明するためのものに過ぎず、制限するものではない。前述した実施例を参照しながら本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、前述した各実施例に記載された技術的解決手段を修正し、又はそのうちの一部の技術特徴に対して等価の置き換えを行うことができると理解される。これらの修正及び置き換えは、対応する技術的解決手段の本質を本発明の各実施例の技術的解決手段の趣旨及び範囲から逸脱させないものである。
本発明の実施例に係る誘電体共振ユニットは、キャビティ、支持フレーム、共振器及びカバープレートを含み、キャビティは、密封された空間で構成され、キャビティの１つの面は、カバープレート面であり、共振器は、誘電体共振ブロック及び共振ロッドで構成され、キャビティ内に取り付けられ、支持フレームは、共振器とキャビティの内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、誘電体共振ブロックには、該共振ロッドを収容する少なくとも１つの孔が設けられ、共振ロッドと誘電体共振ブロックとの間は電気的に接続されていない。本発明の実施例は、誘電体共振ブロックに貫通孔又は止まり穴を設けて、貫通孔及び止まり穴に誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドを入れ、周波数を低下させ、従来の技術的課題を効果的に解決する。
本発明の実施例は、キャビティ、支持フレーム、共振器及びカバープレートを含む共振ユニットを開示し、前記キャビティは、密封された空間で構成され、キャビティの１つの面は、カバープレート面であり、前記共振器は、誘電体共振ブロック及び共振ロッドで構成され、キャビティ内に取り付けられ、前記支持フレームは、共振器とキャビティの内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せず、他端がキャビティ内壁に接触せず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、誘電体共振ロッドのフランジは、表面が金属化され、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触し、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又はキャビティ内壁に接触及び接続されず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する１つ又は２つの面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、前記キャビティ内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成されるか、或いは、前記キャビティ内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であるか、或いは、前記キャビティ内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、前記共振ユニットは、単一軸方向の共振器、垂直に交差する単一軸方向の共振器又は互いに垂直に交差する３つの単一軸方向の共振器である場合、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法を変化させるか、或いは、水平、垂直方向の寸法を変化させて、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、前記共振ユニットが垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器である場合、そのいずれかの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の寸法が他の１つ又は２つの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつ軸方向に平行な方向での寸法より小さい場合、それに対応する基本モードと複数の高次モードの周波数及びＱ値は、いずれもそれに応じて変化し、基本モードの周波数を一定に維持すれば、異なる誘電率の共振器、キャビティ、及び支持フレームで構成された共振ユニットは、基本モード及び複数の高次モードの周波数に対応するシングルモード、マルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器のＱ値の変化が異なり、同時に高次モードの周波数も変化する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつ他端にフランジが設けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが貫通孔の内壁に完全に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられてもよく、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであってもよく、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、軸方向に対応する一端がキャビティ内壁に接触する場合、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつその端面に表面が金属化された誘電体フランジを追加し、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、誘電体共振ロッドの両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式誘電体－金属共振器が形成され、誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁と誘電体共振ロッドとの間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、貫通孔の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ロッドの一端のフランジの表面金属化により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触するか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端にフランジが設けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、両端がいずれもキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが止まり穴の内壁に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられ、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであり、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの止まり穴内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの止まり穴内に取り付けられ、誘電体共振ロッドがキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、止まり穴の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接地する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ブロックの止まり穴内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか又はその１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、誘電体共振ロッドの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、キャビティの寸法及び基本モードの周波数を一定に維持すれば、共振ユニットの基本モード及び高次モードは、少なくとも１つの同一周波数又は周波数が近接するマルチモードを形成することができ、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数もそれに応じて変化する。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、対応するキャビティの形状は、直方体、立方体、多角柱体の少なくとも１つであり、キャビティ内壁の表面又は内部領域の局所が凹む又は突起するか又はコーナーカットする又は溝切りするように設けられ、誘電体共振器の電界強度集中の位置には、キャビティに取り付けられた少なくとも１つの同調装置が設けられ、キャビティの材料は、金属又は非金属であり、該キャビティの表面に銅又は銀がメッキされ、異なる形状のキャビティは、Ｑ値、周波数、モジュラスに影響を与える。
本発明の好ましい実施形態では、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットの横断面と垂直軸方向で構成された形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体の少なくとも１つであり、該共振ユニットは、中実体又は中空体とされ、前記誘電体共振ブロックに貫通孔、止まり穴が設けられ、その角部、エッジ及び表面に溝又は穴が形成され、或いはその異なる角部、エッジ及び面に複数の溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその内部に溝又は穴が形成され、或いはその異なる軸方向に溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその表面に突起が設けられ、或いはその任意の面の任意の位置に異なる個数の突起した円柱体、突起した多角柱体が設けられ、前記誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドの形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体であり、単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器は、中実体又は中空体であり、誘電体共振ブロック及び誘電体共振ロッドの材料は、セラミック、複合誘電体材料、誘電率が１より大きい誘電体材料であり、誘電体表面に金属化を行ってもよく、金属共振ロッドの材料は、アルミニウム、銅、鉄等の金属材料であるか、或いは、該金属共振ロッドの表面が再び金属化され、共振器は、異なる形状、異なる材料、異なる誘電率であれば、基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数、Ｑ値及びモジュラスに影響を与える。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記キャビティ１０内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成されるか、或いは、前記キャビティ１０内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であるか、或いは、前記キャビティ１０内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレーム４０とキャビティ１０が設けられてシングルモード又はマルチモード共振ユニット１００が形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、前記共振ユニット１００は、単一軸方向の共振器、垂直に交差する単一軸方向の共振器又は互いに垂直に交差する３つの単一軸方向の共振器である場合、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法を変化させるか、或いは、水平、垂直方向の寸法を変化させて、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、前記共振ユニット１００が垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器である場合、そのいずれかの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の寸法が他の１つ又は２つの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつ軸方向に平行な方向での寸法より小さい場合、それに対応する基本モードと複数の高次モードの周波数及びＱ値は、いずれもそれに応じて変化し、基本モードの周波数を一定に維持すれば、異なる誘電率の共振器、キャビティ１０、及び支持フレーム４０で構成された共振ユニット１００は、基本モード及び複数の高次モードの周波数に対応するシングルモード、マルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器のＱ値の変化が異なり、同時に高次モードの周波数も変化する。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けることができる。当然のことながら、金属共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けることができる。当然のことながら、金属共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、金属共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けることができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する１つ又は２つの面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造、垂直に交差する二軸共振構造又は互いに垂直に交差する三軸共振構造を実現し、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
誘電体共振ブロック２０の一端は、キャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、当然のことながら、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端は、いずれもキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の貫通孔２１内に取り付けられ、共振ロッド３０は、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せずに宙に浮き、その一端がキャビティ内壁に接触しない場合、実際の需要に応じてフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができる。当然のことながら、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端は、同時にキャビティ内壁に接触してもよく、共振ロッド３０と共振ブロックとが組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現する。
前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、該共振ブロックがキャビティ内壁に接触しない場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
該誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続される場合、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続される。当然のことながら、誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触及び接続されず、実際の必要に応じて該端にフランジ５０を設けて、誘電体共振ロッドのフランジ５０の表面を金属化させるために金属層を塗布することができ、組み合わせられて一体式共振器が形成される。
共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に対応する面に取り付けられ、或いは１つ又は複数の誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ブロック２０は、任意の垂直軸方向で誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造、垂直に交差する二軸共振構造又は互いに垂直に交差する三軸共振構造を実現し、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触するか、或いは、誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端にフランジ５０が設けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、両端がいずれもキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが止まり穴２２の内壁に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向に取り付けられ、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであり、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジ５０により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０には、その１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、誘電体共振ブロック２０は、キャビティ１０内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロック２０の一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロック２０の同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、止まり穴２２内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、組み合わせられて一体式共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に取り付けられ、誘電体共振ロッドがキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて一体式誘電体－金属共振器が形成され、誘電体共振ロッドと前記誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、止まり穴２２の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロック２０の任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接地する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ブロック２０の止まり穴２２内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、前記共振器における誘電体共振ブロック２０が中実体であるか又はその１つの軸方向に沿って止まり穴２２が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロック２０の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の同一軸方向に対応する面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ロッドの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロック２０の異なる軸方向の表面又は止まり穴２２内に取り付けられ、組み合わせられて一体式共振器が形成され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロック２０の任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下する。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、キャビティ１０の寸法及び基本モードの周波数を一定に維持すれば、共振ユニット１００の基本モード及び高次モードは、少なくとも１つの同一周波数又は周波数が近接するマルチモードを形成することができ、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数もそれに応じて変化する。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００において、対応するキャビティ１０の形状は、直方体、立方体、多角柱体の少なくとも１つであり、キャビティ内壁の表面又は内部領域の局所が凹む又は突起するか又はコーナーカットする又は溝切りするように設けられ、誘電体共振器の電界強度集中の位置には、キャビティ１０に取り付けられた少なくとも１つの同調装置が設けられ、キャビティ１０の材料は、金属又は非金属であり、該キャビティの表面に銅又は銀がメッキされる。異なる形状のキャビティ１０は、Ｑ値、周波数、モジュラスに影響を与える。
単一軸方向の共振ユニット１００又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット１００の横断面と垂直軸方向で構成された形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体の少なくとも１つである。前記誘電体共振ブロック２０に貫通孔２１、止まり穴２２が設けられ、その角部、エッジ及び表面に溝又は穴が形成され、或いはその異なる角部、エッジ及び面に複数の溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその内部に溝又は穴が形成され、或いはその異なる軸方向に溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその表面に突起が設けられ、或いはその任意の面の任意の位置に異なる個数の突起した円柱体、突起した多角柱体が設けられる。前記誘電体共振ロッド又は金属共振ロッドの形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体であり、該共振構造は、中実体又は中空体とされる。単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器は、中実体又は中空体である。誘電体共振ブロック２０及び誘電体共振ロッドの材料は、セラミック、複合誘電体材料、誘電率が１より大きい誘電体材料である。金属共振ロッドの材料は、アルミニウム、銅、鉄などの金属材料であり、プラスチック、セラミック材料の表面に金属化を行ってもよく、該金属共振ロッドの表面に金属化を再び行ってもよい。共振器は、異なる形状、異なる材料、異なる誘電率であれば、基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数、Ｑ値及びモジュラスに影響を与える。

Claims (21)

  1. キャビティ、支持フレーム、共振器及びカバープレートを含む共振ユニットであって、 前記キャビティは、密封された空間で構成され、キャビティの１つの面は、カバープレート面であり、前記共振器は、誘電体共振ブロック及び共振ロッドで構成され、キャビティ内に取り付けられ、前記支持フレームは、共振器とキャビティの内壁との間の任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、
    前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又は接触せず、他端がキャビティ内壁に接触せず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、誘電体共振ロッドのフランジは、表面が金属化され、誘電体共振ロッドの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触し、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、
    前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドは、一端が止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか又はキャビティ内壁に接触及び接続されず、及び／又は当該端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、
    前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか、或いは、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する１つ又は２つの面にそれぞれ取り付けられるか、或いは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ブロックは、任意の垂直軸方向で金属共振ロッド又は誘電体共振ロッドと組み合わせて単一軸方向の共振構造を実現し、
    前記キャビティ内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成されるか、或いは、
    前記キャビティ内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であるか、或いは、
    前記キャビティ内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード共振ユニットが形成され、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、
    前記共振ユニットは、単一軸方向の共振器、垂直に交差する単一軸方向の共振器又は互いに垂直に交差する３つの単一軸方向の共振器である場合、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法を変化させるか、或いは、水平、垂直方向の寸法を変化させて、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、
    前記共振ユニットが垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器である場合、そのいずれかの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器が他の１つ又は２つの軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつ軸方向に平行な方向での寸法より小さい場合、それに対応する基本モードと複数の高次モードの周波数及びＱ値は、いずれもそれに応じて変化し、
    基本モードの周波数を一定に維持すれば、異なる誘電率の共振器、キャビティ、及び支持フレームで構成された共振ユニットは、基本モード及び複数の高次モードの周波数に対応するシングルモード、マルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器のＱ値の変化が異なり、同時に高次モードの周波数も変化する、共振ユニット。
  2. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつ他端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが貫通孔の内壁に完全に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられてもよく、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであってもよく、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい、請求項１に記載の共振ユニット。
  3. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って貫通孔が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、貫通孔内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、軸方向に対応する一端がキャビティ内壁に接触する場合、他端がキャビティ内壁に接触せず、かつその端面に表面が金属化された誘電体フランジを追加し、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの貫通孔内に取り付けられ、誘電体共振ロッドの両端がキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、誘電体共振ブロックの貫通孔の内壁と誘電体共振ロッドとの間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、貫通孔の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ロッドの一端のフランジの表面金属化により周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい、請求項１に記載の共振ユニット。
  4. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触するか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、一端がキャビティ内壁に接触して接続され、他端にフランジが設けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、金属共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、両端がいずれもキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な誘電体－金属共振器が形成され、金属共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、金属共振ロッドが止まり穴の内壁に密着され、金属共振ロッドは、誘電体共振ブロックの異なる軸方向に取り付けられ、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の金属共振ロッドであり、金属共振ロッドの軸方向に対応する周波数が低下し、金属共振ロッドの一端のフランジにより周波数がさらに低下し、誘電体共振ブロックの止まり穴内に金属共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい、請求項１に記載の共振ユニット。
  5. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックには、その１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、誘電体共振ブロックは、キャビティ内に取り付けられ、キャビティ内壁に接触しないか、或いは、誘電体共振ブロックの一端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、誘電体共振ブロックの同一軸方向の両端がキャビティ内壁に接触して接続され、誘電体共振ロッドは、止まり穴内に取り付けられ、軸方向に対応する一端又は両端がキャビティ内壁に接触して接続され、組み合わせられて完全な共振器が形成されるか、或いは、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの止まり穴内に取り付けられ、誘電体共振ロッドがキャビティ内壁に接触せず、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ロッドと前記誘電体共振ブロックの止まり穴の内壁との間に間隔が設けられるか、又は、誘電体共振ロッドは、止まり穴の内壁に完全に密着され、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接地する場合の軸方向に対応する周波数が低下し、誘電体共振ブロックの貫通孔内に誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きい、請求項１に記載の共振ユニット。
  6. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、前記共振器における誘電体共振ブロックが中実体であるか又はその１つの軸方向に沿って止まり穴が形成される場合、金属共振ロッドの同一軸方向の一端が誘電体共振ブロックの表面又は止まり穴内に取り付けられ、他端がキャビティ内壁に接触して接続されるか、或いは、金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの同一軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、誘電体共振ロッドの異なる軸方向に対応する面に取り付けられるか、或いは、１つ又は複数の金属共振ロッドが誘電体共振ブロックの異なる軸方向の表面又は止まり穴内に取り付けられ、組み合わせられて完全な共振器が形成され、誘電体共振ロッドは、誘電体共振ブロックの任意の軸方向に取り付けられるか、或いは、一軸、垂直に交差する二軸又は互いに垂直に交差する三軸の誘電体共振ロッドであり、誘電体共振ロッドの端面が接触する場合の軸方向に対応する周波数が低下する、請求項１に記載の共振ユニット。
  7. 前記キャビティ内に１つの円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、少なくとも１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化し、
    前記キャビティ内に２つの垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化し、
    前記キャビティ内に３つの互いに垂直に交差する円柱体又は多角柱体の単一軸方向の共振器及びそれを固定する支持フレームが設けられてキャビティとともにシングルモード又はマルチモード誘電体共振構造が形成され、共振器の端面の中心は、キャビティの対応する内壁面の中心位置に近接するか又はそれと重なり、Ｘ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＸ軸方向寸法がＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＸ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｙ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＹ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＺ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＹ軸方向に平行な方向での寸法以上であり、Ｚ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器のＺ軸方向寸法がＸ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器及びＹ軸方向の円柱体又は多角柱体の共振器の、垂直方向でかつＺ軸方向に平行な方向での寸法より大きく、共振器の水平及び垂直方向にエッジカットし、溝切りし、コーナーカットすることにより、キャビティ内壁の寸法及び３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化し、基本モードと複数の高次モードの周波数及び対応するマルチモード数とＱ値を変更させ、キャビティ内壁のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法が変化する場合、１つの所望の周波数を一定に維持すれば、前記キャビティ内壁に対応する共振器のＸ、Ｙ、Ｚ軸の寸法もそれに応じて変化する、請求項１に記載の共振ユニット。
  8. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、
    前記共振器のうちの１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数、周波数、Ｑ値もそれに応じて変化し、
    誘電体共振ブロックの貫通孔内に金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドが完全に密着される場合の周波数の低下幅は、間隔が設けられる場合の周波数の低下幅より大きく、金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドの端面が接触する場合、周波数が低下し、金属共振ロッド及び誘電体共振ロッドの端面にフランジを追加すると周波数がさらに低下し、フランジの面積が大きいほど周波数の低下幅が大きい、請求項１又は２に記載の共振ユニット。
  9. 前記単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと複数の高次モードの周波数に対応するマルチモード及びＱ値の大きさが変化し、異なる誘電率の共振器に対応する周波数、Ｑ値の変化が異なる、請求項３に記載の共振ユニット。
  10. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードの周波数が一定に維持すれば、高次モードの周波数と基本モードの周波数との間、及び複数の高次モードの周波数間の間隔が複数回変化し、異なる誘電率の共振器の周波数間隔の変化が異なり、
    １つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモードの周波数間隔もそれに応じて変化する、請求項３に記載の共振ユニット。
  11. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、キャビティ内壁寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、キャビティの寸法及び基本モードの周波数を一定に維持すれば、共振ユニットの基本モード及び高次モードは、少なくとも１つの同一周波数又は周波数が近接する複数のマルチモードを形成することができ、１つの軸方向の共振器と他の１つ又は２つの軸方向の共振器又は３つの軸方向の共振器の寸法に対応するキャビティの寸法との比が変化する場合、その対応する基本モード及びマルチモード数もそれに応じて変化する、請求項１に記載の共振ユニット。
  12. 前記共振器又はキャビティに対して、電界又は磁界が垂直である構造位置にエッジをカットするか又は補完して隣接カップリングを形成し、キャビティ及び共振器が三角体又は四角体にカットされるか、或いは、キャビティ又は共振器のエッジに対して局所又は全体のカット又は補完を行い、キャビティ及び共振器に対して、同時にエッジカットするか又は単独でエッジカットし、エッジカットして隣接カップリングを形成すると周波数及びＱ値は、それに応じて変化し、隣接カップリングがそのクロスカップリングを変更し、
    単一軸方向の共振器と、他の１つ又は２つの軸方向の共振器に対応するキャビティの３つの面とが交差して形成された３つの共振軸方向の電界又は磁界の交差構造位置に対してコーナーカット又は補完を行うか、或いは、対応するキャビティに対してコーナーカット及び補完を行い、密封してクロスカップリングを形成し、対応する周波数及びＱ値もそれに応じて変化し、同時に隣接カップリングを変更し、
    前記共振器に対して、角部、エッジに溝又は穴を形成するか又は突起を設ける場合、隣接カップリング及びクロスカップリングの強弱を変更する、請求項１に記載の共振ユニット。
  13. 該共振器の電界強度集中の位置には、少なくとも１つの同調装置が設けられる、請求項１に記載の共振ユニット。
  14. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、対応するキャビティの形状は、直方体、立方体、多角柱体を含むが、それらに限定されず、キャビティ内壁の表面又は内部領域の局所が凹む又は突起するか又はコーナーカットする又は溝切りするように設けられ、誘電体共振器の電界強度集中の位置には、キャビティに取り付けられた少なくとも１つの同調装置が設けられ、キャビティの材料は、金属又は非金属であり、該キャビティの表面に銅又は銀がメッキされ、異なる形状のキャビティは、Ｑ値、周波数、モジュラスに影響を与える、請求項１に記載の共振ユニット。
  15. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットの横断面と垂直軸方向で構成された形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体を含むが、それらに限定されず、該共振ユニットは、中実体又は中空体とされ、
    前記誘電体共振ブロックに貫通孔、止まり穴が設けられ、その角部、エッジ及び表面に溝又は穴が形成され、或いはその異なる角部、エッジ及び面に複数の溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその内部に溝又は穴が形成され、或いはその異なる軸方向に溝又は穴が対称的に形成され、或いはその同一面に複数の溝又は穴が形成され、或いはその表面に突起が設けられ、或いはその任意の面の任意の位置に異なる個数の突起した円柱体、多角柱体が設けられ、
    前記誘電体又は金属共振ロッドの形状は、円柱体、楕円体、立方体、直方体、多角柱体であり、
    単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器は、中実体又は中空体であり、
    誘電体共振ブロック及び誘電体共振ロッドの材料は、セラミック、複合誘電体材料、誘電率が１より大きい誘電体材料であり、誘電体表面に金属化を行ってもよく、
    金属共振ロッドの材料は、アルミニウム、銅、鉄等の金属材料であるか、或いは、該金属共振ロッドの表面が再び金属化され、
    共振器は、異なる形状、異なる材料、異なる誘電率であれば、基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数、Ｑ値及びモジュラスに影響を与える、請求項１に記載の共振ユニット。
  16. 誘電体及び／又は金属支持フレームは、共振器の端面、エッジ、角部又はキャビティの角部に位置し、誘電体共振器とキャビティとの間に配置され、前記共振器は、支持フレームにより該キャビティ内に支持され、
    支持フレームと前記共振器又はキャビティの組み合わせにより一体式構造又は別体式構造が形成され、
    誘電体支持フレームは、誘電体材料で製造され、誘電体支持フレームの材料は、空気、プラスチック又はセラミック、複合誘電体材料であり、金属支持フレームは、アルミニウム、銅、銀等の導電材料で製造され、誘電体と金属材料を組み合わせて混合材料支持フレームを形成することもでき、
    支持フレームが共振器の異なる位置に取り付けられる場合、その対応する基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔も異なり、
    異なる誘電体支持フレームの材料、誘電率、異なる構造も基本モードと高次モード又は高次モードとより高次モードの周波数間隔に影響を与える、請求項１に記載の共振ユニット。
  17. 前記支持フレームは、
    圧着、接着、接合、溶接、バックル又はネジ接続の方式で共振器及びキャビティに接続され、
    単一軸方向の共振器又は垂直に交差する単一軸方向の共振器又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振器のうちの１つの端面又は複数の端面に接続される、請求項１６又は１７に記載の共振ユニット。
  18. 支持フレームは、
    共振器とキャビティ内壁に対応する任意の位置に取り付けられ、共振器とキャビティの任意の形状に合わせて接続固定され、
    両面が平行である中実体又は中間が貫通する構造を含み、
    共振器の同一端面又は異なる端面、エッジ、角部の支持フレームの数は、１つ又は複数の異なる組み合わせであり、
    異なる数の支持フレームは、対応する周波数、モジュラス及びＱ値も異なり、キャビティ内壁の寸法及びその３つの軸方向に対応する共振器の寸法が変化するか又は水平、垂直方向の寸法が変化する場合、基本モードと高次モードのＱ値の大きさは、複数回変化する、請求項１に記載の共振ユニット。
  19. 共振器の支持フレームは、キャビティ内壁に接触して熱伝導を行う、請求項１に記載の共振ユニット。
  20. 請求項１～１９のいずれか１項に記載の共振ユニットを含む誘電体フィルタであって、単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットは、１～Ｎ個の異なる周波数のシングルバンドパスフィルタを構成することができ、異なる周波数のシングルバンドパスフィルタは、マルチバンドパスフィルタ、デュプレクサ又はマルチプレクサの任意の組み合わせを構成し、対応する共振ユニットと、金属又は誘電体のシングルモード共振キャビティ、デュアルモード共振キャビティ及びトリプルモード共振キャビティとは、さらに異なる形式の任意の配列組み合わせを行って、所望の異なる寸法の複数のシングルパス又はマルチバンドパスフィルタ又はデュプレクサ又はマルチプレクサ又は任意の組み合わせを構成することができる、誘電体フィルタ。
  21. 単一軸方向の共振ユニット又は２つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニット又は３つの互いに垂直に交差する単一軸方向の共振ユニットにおいて、対応するキャビティと金属共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティ、共振器のシングルモード又はマルチモードキャビティは、任意の隣接カップリング又はクロスカップリングの組み合わせを行うことができる、請求項２２に記載の誘電体フィルタ。

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