JP2023529613A - 導波路格子の勾配封入 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- デバイスであって、
基板の上に形成された第1の格子であって、前記基板から離れる方向に延在する複数の第1の構造を有し、アウトカプラに対応する、第1の格子と、
隣接する第1の構造間に形成された1又は複数の間隙に配置された第1の封入材であって、前記第1の封入材の充填比は、前記第1の格子に沿って減少する、第1の封入材と
を備えるデバイス。 - 前記第1の封入材は、前記第1の格子に対して約0.2以下の屈折率コントラストを有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の封入材は、約1.8から約2.2の屈折率を有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の封入材は、ポリイミド、ポリイミドブレンド、又は金属-有機ポリイミドブレンドのうちの1又は複数を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の封入材の充填比は約0から約1の範囲である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記充填比は直線的に減少する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記充填比は段階的に減少する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記充填比は非直線的に減少する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記基板の上に形成された第2の格子を更に備え、前記第2の格子は、前記基板から離れる方向に延在する複数の第2の構造を有し、前記第2の格子は、インカプラに対応する、請求項1に記載のデバイス。
- デバイスであって、
基板の上に形成された第1の格子であって、前記基板から離れる方向に延在する複数の第1の構造を有し、アウトカプラに対応する、第1の格子と、
隣接する第1の構造間に形成された1又は複数の第1の間隙に配置された第1の封入材であって、前記第1の封入材の充填比は、前記第1の格子に沿って減少する、第1の封入材と、
前記基板の上に形成された第2の格子であって、前記基板から離れる方向に延在する複数の第2の構造を有し、インカプラに対応する、第2の格子と
を備えるデバイス。 - 前記第1の封入材は、隣接する第2の構造間に形成された1又は複数の第2の間隙に配置される、請求項10に記載のデバイス。
- 前記第1及び第2の格子は、前記基板の表側に形成される、請求項10に記載のデバイス。
- 前記第1の格子は前記基板の表側に形成され、前記第2の格子は前記基板の表側の反対を向いた裏側に形成される、請求項10に記載のデバイス。
- 前記基板の裏側の上に配置された第2の封入材を更に備え、前記第2の封入材は、隣接する第2の構造間に形成された1又は複数の第2の間隙に配置される、請求項13に記載のデバイス。
- 方法であって、
基板の上に第1の格子を形成することであって、前記第1の格子は、前記基板から離れる方向に延在する複数の第1の構造を有し、前記第1の格子は、アウトカプラに対応する、基板の上に第1の格子を形成することと、
前記基板の上に第2の格子を形成することであって、前記第2の格子は、前記基板から離れる方向に延在する複数の第2の構造を有し、前記第2の格子は、インカプラに対応する、前記基板の上に第2の格子を形成することと、
前記第1及び第2の格子の上に第1の封入材を堆積させることと、
前記第1の封入材を硬化させることと、
前記第1及び第2の格子の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたフォトレジスト層を介して前記第1の封入材をエッチングすることであって、前記第1の封入材の充填比は前記第1の格子に沿って減少する、前記パターニングされたフォトレジスト層を介して前記第1の封入材をエッチングすることと、
前記第1及び第2の格子の上に包括的な封入材を堆積させることと
を含む方法。 - 硬化した前記第1の封入材の上に第1のハードマスク層を堆積させることと、
前記第1のハードマスク層の上に、パターニングされた第2のハードマスク層を形成することと
を更に含む、請求項15に記載の方法。 - 第1の格子の上の前記第1のハードマスク層を除去することと、
前記パターニングされた第2のハードマスク層又は前記第1のハードマスク層の一方をエッチングマスクとして使用して、前記第1の格子の上の前記第1の封入材をエッチングすることと
を更に含む、請求項16に記載の方法。 - 前記パターニングされたフォトレジスト層を形成することは、グレースケールリソグラフィプロセスを行うことを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記パターニングされたフォトレジスト層を介して前記第1の封入材をエッチングすることは、前記パターニングされたフォトレジスト層のプロファイルを前記第1の封入材に転写することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記第1の格子は前記基板の表側に形成され、前記第1の封入材は前記表側に堆積され、前記第2の格子は前記表側の反対を向いた前記基板の裏側に形成され、前記裏側に第2の封入材を堆積させることを更に含む、請求項15に記載の方法。
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US10305248B2 (en) * | 2013-10-29 | 2019-05-28 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | High contrast grating optoelectronics |
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EP3500889B1 (en) * | 2016-08-22 | 2020-12-16 | Magic Leap, Inc. | Multi-layer diffractive eyepiece |
CN106842397B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-07-17 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | 一种树脂全息波导镜片及其制备方法、及三维显示装置 |
US20190056591A1 (en) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical waveguide with multiple antireflective coatings |
US10818499B2 (en) * | 2018-02-21 | 2020-10-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Optical component having variable depth gratings and method of formation |
US10732351B2 (en) * | 2018-04-23 | 2020-08-04 | Facebook Technologies, Llc | Gratings with variable depths formed using planarization for waveguide displays |
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