JP2023517364A - ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオード - Google Patents

ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP2023517364A
JP2023517364A JP2022555174A JP2022555174A JP2023517364A JP 2023517364 A JP2023517364 A JP 2023517364A JP 2022555174 A JP2022555174 A JP 2022555174A JP 2022555174 A JP2022555174 A JP 2022555174A JP 2023517364 A JP2023517364 A JP 2023517364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nanomaterial
metal element
quantum dot
dot light
core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022555174A
Other languages
English (en)
Inventor
興遠 馬
威 徐
建新 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Publication of JP2023517364A publication Critical patent/JP2023517364A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J13/00—Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons
    • B01J13/02—Making microcapsules or microballoons
    • B01J13/06—Making microcapsules or microballoons by phase separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/02—Oxides; Hydroxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオードに関するものである。【解決手段】前記ナノ材料は、コアシェル構造を具備し、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素を含み、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含む。本発明は、酸化亜鉛ナノ粒子に他の金属元素をドーピングし、かつ金属酸化物シェルを一層包むことにより、ナノ材料のエネルギーレベルストラクチュアと電子輸送効率を調節することができる。それにより、素子中の量子ドットとナノ材料のエネルギーレベルを更にマッチングさせ、量子ドット発光層中の電子が電子輸送層に移行することを減少させ、量子ドット発光層中の電子正孔のリコンビネーション効率を向上させることができる。また、素子の電子正孔の注入のバランスを確保し、量子ドット発光層の電荷蓄積を減少させ、オージェ再結合を抑制し、電子正孔の放射再結合の効率を向上させることができる。それにより、酸化亜鉛のナノ粒子の安定性を確保し、素子全体の安定性を向上させることができる。

Description

（関連出願への相互参照）
本出願は、２０２０年０７月１７日に中国専利局（特許庁に相当する）に提出し、出願番号が２０２０１０６９２２８８．９であり、発明の名称が「ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオード」である中国特許出願の優先権を出張し、かつその中国出願の全文の内容を本出願に組み込む。
この発明は、量子ドット発光素子の技術分野に属し、特に、ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオードに関するものである。
量子ドットエレクトロルミネセント（electroluminescent）表示技術は、波長を調節でき、色の飽和度（Color Saturation）が高く、材料の安定性が高く、製造のコストが少ないという利点を有しているので、次世代の表示技術の有力な候補者になっている。約二十年の技術の発展により、量子ドット発光ダイオードの外部量子効率（External Quantum Efficiency、ＥＱＥ）は０．０１％から２０％以上に向上し、素子の効率すなわち量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）の効率は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に接近している。量子ドット発光ダイオードは前記利点を有しているが、現在の量子ドット発光ダイオードの性能は依然として産業化の要求を満たすことができない。特に、青色の有機発光ダイオードは産業化の要求を満たすことができない。
現在の量子ドット発光ダイオードの構造は有機発光ダイオードの構造に類似し、量子ドット発光ダイオードも、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等によりサンドイッチ（sandwich）のようなｐ－ｉ－ｎジャンクションを構成する。電子の注入と正孔の注入のバランスをとることにより発光の効率を向上させる。青色の量子ドットのバンドギャップは赤色及び緑色の量子ドットのバンドギャップより広いことにより、電子正孔を容易に注入できず、起動電圧が更に増加し、インターフェースの電荷蓄積（charge accumulation）が更に増加する。それにより素子（量子ドット発光ダイオード）の寿命と効率に大きい影響を与える。特に、酸化亜鉛と量子ドットとの間のインターフェースに電荷の移行（charge transfer）が生じ、量子ドットが電子を束縛する能力は正孔を束縛する能力より低いことにより、酸化亜鉛と量子ドットとの間のインターフェースには電荷の移行が多く生じる。青色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルが向上することにより、電荷の移行がより激しくなる。インターフェースでの励起電子（Excited electron）の移行によりインターフェースの電荷の蓄積を招来し、非放射のオージェ再結合（Auger recombination）の確率が大幅に増加し、素子の効率と寿命に大きい影響を与える。したがって、素子の構造とエネルギーレベルストラクチュアを適合に設計し、安定性がよい材料を使用することは、素子の効率と寿命を向上させる重要な要因である。
素子（量子ドット発光ダイオード）の構造に分析してみると、素子（量子ドット発光ダイオード）の効率と寿命に影響を与える重要な原因は次のとおりである。
１、電極と正孔注入層との間のエネルギーレベルの差異または正孔注入層が電極に与える腐食作用、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ３，４－エチレンジオキシチオフェン（Poly 3,4-ethylene dioxythiophene）、ポリスチレンスルホン酸（Polystyrene sulfonate））が電極に与える腐食作用により、インターフェースが破損され、電荷が蓄積され、インジェクションバリアー（injection barrier）が増加すること。
２、ＨＩＬ（正孔注入層）とＨＴＬ（正孔輸送層）との間のＨＯＭＯエネルギーレベルの差異、すなわちＨＩＬとＨＴＬとの間のバリアーの高さ。
３、ＨＴＬと量子ドットとの間のインターフェースのバリアーの高さ及びそのバリアーの高さによる電荷の蓄積、例えばＴＦＢ／ＱＤの間のインターフェースに電子が蓄積されることによりＴＦＢの退化、素子の失効を招来すること。
４、ＱＤとＺｎＯ層との間の相互作用は、ＱＤとＺｎＯとの間のインターフェースのエネルギーレベルの差異、エクシトンの移行、電子の移行を含む。前記作用の効果は、ＺｎＯ中の酸素空隙（oxygen vacancies）の濃度、伝導バンドの位置及び電子移行の効率に係っており、素子の記憶手段の老化によりある程度変化すること。
５、ＺｎＯと陰極、ＺｎＯと陰極の金属との間の反応によって金属酸化物が形成されることによりインターフェースのバリアーが増加し、かつＺｎＯ中の酸素空隙の濃度が増加することによりＺｎＯの導電性等が増加すること。
素子（量子ドット発光ダイオード）の発光効率も素子の効率に影響を与える重要な要因であり、素子の光学構造を適合に設計することにより素子の発光の単色性と発光の強度を向上させることができる。
以上のとおり、素子の構造とエネルギーレベルストラクチュアを適合に設計し、安定性がよい材料を使用することは、素子の効率と寿命を向上させる重要な要因である。
本発明の目的は、ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオードを提供することにより、従来の素子の効率と寿命を更に向上させる必要がある問題を解決することにある。
従来の技術の問題を解決するため、本発明は下記ナノ材料を提供する。そのナノ材料はコアシェル構造を具備し、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素を含み、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含む。
本発明のナノ材料の製造方法は、亜鉛塩、ドーピング前の金属元素の塩をアルカリ液に添加して反応させることによりドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子を獲得するステップと、
前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子をコアにし、前記コアの表面に金属酸化物のシェルを形成することにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップとを含む。
本発明の量子ドット発光ダイオードは、対向するように取り付けられる陽極及び陰極と、前記陽極と陰極との間に取り付けられる量子ドット発光層と、前記陰極と量子ドット発光層との間に取り付けられる電子輸送層とを含み、前記電子輸送層を形成する材料は、本発明のナノ材料または本発明の製造方法で製造されるナノ材料を含む。
本発明は、酸化亜鉛ナノ粒子内に他の金属元素をドーピングし、かつ金属酸化物シェルを一層包むことにより、ナノ材料のエネルギーレベルストラクチュアと電子輸送効率を調節することができる。本発明は、ナノ材料全体のエネルギーレベルストラクチュアを調節することにより、量子ドット発光ダイオード中のナノ材料（電子輸送層の材料）を量子ドットのエネルギーレベルに更にマッチングさせ、量子ドット発光層中の電子が電子輸送層に移行することを減少させ、量子ドット発光層中の電子正孔のリコンビネーション効率を向上させ、量子ドット発光ダイオードの効率を大幅に向上させることができる。また、ナノ材料全体の電子輸送の効率を調節することにより、量子ドット発光ダイオードの電子正孔の注入のバランスを確保し、量子ドット発光層の電荷蓄積を減少させ、オージェ再結合を抑制し、電子正孔の放射再結合の効率を向上させ、量子ドット発光ダイオードの効率を大幅に向上させることができる。また、ドーピングされたＺｎＯナノ粒子の表面に一層の酸化物のシェルを包むことにより酸化亜鉛のナノ粒子の安定性を更に向上させ、量子ドット発光ダイオードの安定性を更に向上させ、かつ量子ドット発光ダイオードの寿命を大幅に延長させることができる。
本発明の実施例に係るナノ材料の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る量子ドット発光ダイオードの構造を示す図である。
本発明は、ナノ材料、そのナノ材料の製造方法及び量子ドット発光ダイオード（Quantum Dot Light Emitting Diodes）を提供する。本発明の目的、技術的事項及び発明の効果をより詳細に、より明確に説明するため、以下、本発明の技術的事項をより詳細に説明する。注意されたいことは、下記具体的な実施例は、本発明を説明するものであるが、本発明を限定するものでない。
本発明の実施例においてナノ材料を提供する。前記ナノ材料はコアシェル（core shell）構造を具備し、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピング（doping）される金属元素（以下、ドーピング金属元素と略称）を含む。前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含む。
本発明の実施例において、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素であり、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物である。
本発明の実施例において酸化亜鉛ナノ粒子を改良する。具体的に、酸化亜鉛ナノ粒子内に他の金属元素（例えば、アルミニウム、マグネシウム、リチウム等）をドーピングし、かつ金属酸化物シェル（例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化リチウム等）を一層包む。ドーピングされた金属の酸化物とシェルである金属酸化物の伝導バンドのエネルギーレベル（conduction band energy level）はいずれも、酸化亜鉛の伝導バンドのエネルギーレベルより高いことにより、ナノ材料の伝導バンドのエネルギーレベルを向上させ、その伝導バンドのエネルギーレベルをいろいろな量子ドットのエネルギーレベルストラクチュア（energy level structure）にマッチングさせ、量子ドット発光層中の電子が電子輸送層（Electron transport layer）に移行することを減少させ、量子ドット発光層中の電子正孔のリコンビネーション効率を向上させ、かつ量子ドット発光ダイオードの効率を大幅に向上させることができる。青色の量子ドットを使用する場合、青色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルが高い（緑色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルは赤色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルより高く、青色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルは緑色の量子ドットの伝導バンドのエネルギーレベルより高い）ことにより、酸化亜鉛のナノ粒子の伝導バンドのエネルギーレベルを向上させる必要があるが、本発明の実施例に係るナノ材料を使用することによりそれを青色の量子ドットのエネルギーレベルストラクチュアにマッチングさせることができる。
本発明の実施例において、酸化亜鉛のナノ粒子にいろいろな金属元素をドーピングし、ドーピング比例を調節し、金属酸化物のシェルの厚さを調節することにより、ナノ材料全体の電子移動速度（Electron transfer rate）を調節し、量子ドット発光ダイオードの電子と正孔注入のバランスをとり、電子と正孔の放射再結合（Radiative Recombination）の効率を向上させ、量子ドット発光ダイオードの効率を大幅に向上させることができる。いろいろな金属元素をドーピングするとき、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｌｉ等の金属元素をドーピングするとき、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化リチウム等の金属酸化物のバンドギャップ（band gap）が非常に大きく、抵抗も非常に大きいので、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ等をドーピングすることにより酸化亜鉛のナノ粒子の導電率が低下するおそれがある。ドーピングされるＧａ、Ｉｎ等の金属元素において、それらは第三主族（Main-group）の金属元素でありかつ原子価（valence）がＺｎより１つ多い電子であることにより、余計な電子を提供することができる。また、酸化ガリウムと酸化インジウムのバンドギャップが小さく、導電性もよくないので、Ｇａ、Ｉｎ等をドーピングすることにより酸化亜鉛のナノ粒子の導電率を向上させることができる。ドーピング比例を調節することにより導電率の変化率を調節することができ、ドーピング比例が大きければ大きいほど、導電率の変化がより激しくなる。金属酸化物のシェルの厚さを調節するとき、シェルの材料が酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物であると、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物の抵抗が大きいことにより、シェルの厚さが薄ければ薄いほど、ナノ材料全体の導電率がより悪くなる。シェルの材料が酸化インジウム等の金属酸化物であると、酸化インジウム等の金属酸化物の抵抗が小さいことにより、シェルの厚さが薄ければ薄いほど、ナノ材料全体の導電率がよりよくなる。
発光波長が短い量子ドット（赤色、緑色及び青色の量子ドットの発光波長が短い）ので、酸化物のバンドギャップが大きい金属（例えばＭｇ、Ｃａ、Ｌｉ等）をドーピングするか或いはドーピング比例を適当に増加させることにより、シェルの厚さを増加させ、酸化亜鉛のバンドギャップを増加させることができる。それにより、バンドギャップのエネルギーレベルを量子ドットのエネルギーレベルにマッチングさせ、素子の性能を大幅に向上させることができる。
酸化亜鉛のナノ粒子の表面に一層の金属酸化物が包まれていることにより酸化亜鉛のナノ粒子の電子輸送の安定性を大幅に向上させることができる。それにより、量子ドット発光ダイオードの安定性を向上させ、量子ドット発光ダイオードの寿命を延長させることができる。
本発明の実施例において、前記ＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記金属酸化物中の金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素に含まれる材料として同様の材料を選択することができる。具体的に、同様の金属元素を選択するか或いは異なる金属元素を選択することができる。
本発明の実施例において、前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素が同様であることにより、シェルとコアの格子不整合（lattice mismatch）を低減し、ナノ材料の安定性を向上させることができる。
本発明の実施例において、前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素はいずれもＭｇまたはＬｉである。ＭｇまたはＬｉの酸化物はより広いバンドギャップを具備し、ＺｎＯナノ粒子中の前記金属元素をドーピングするとともに前記金属元素を包む前記金属の酸化物シェルにより、酸化亜鉛のナノ粒子の伝導バンドのエネルギーレベルを向上させ、かつその伝導バンドのエネルギーレベルを短波の量子ドットのエネルギーレベルストラクチュアにマッチングさせることができる。
本発明の実施例において、前記ドーピング金属元素のモーラルウエート（molal weight）はドーピング金属元素と亜鉛元素のモーラルウエートの総合の０．５％～３０％を占める。ドーピング金属元素の比例が高すぎると、ナノ粒子のラティスの変形が大幅に増加し、構造の不安定性が大幅に増加するおそれがある。
本発明の実施例において、前記シェルの厚さは０．５～２ｎｍである。
図１を参照すると、図１は本発明の実施例に係るナノ材料の製造方法を示す流れ図である。図１に示すとおり、その製造方法は、
亜鉛塩（zinc salts）、ドーピング前の金属元素の塩をアルカリ液に添加して反応させることによりドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子を獲得するステップＳ１０と、
前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子をコアにし、前記コアの表面に金属酸化物のシェルを形成することにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップＳ２０とを含む。
本発明の実施例の製造方法により製造されるナノ材料は前記ナノ材料であることができる。その製造方法により製造されるナノ材料も前記ナノ材料の特徴と利点を有しているので、ここで再び説明しない。
本発明の実施例において、前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子をコアにし、前記コアの表面に金属酸化物のシェルを形成することにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップは、反応によって獲得したドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子の反応システムに金属塩（Metal salt）を添加して反応させることにより、前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子のコアの表面に金属酸化物シェルを形成し、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップを含むことができる。
本発明の実施例において、前記亜鉛塩は可溶性無機亜鉛塩であるか或いは可溶性有機亜鉛塩であることができる。前記亜鉛塩は、酢酸亜鉛（Zinc acetate）、硝酸亜鉛（zinc nitrate）、塩化亜鉛（Zinc Chloride）、硫酸亜鉛（zinc sulfate）及び酢酸亜鉛ジヒドラ（Zinc acetate dihydra）等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、アルカリ液はアルカリを有機溶剤に溶解させることにより獲得することができる。本発明の実施例において、前記有機溶剤は、２－メトキシエタノール（2-methoxyethanol）、カルビノール（carbinol）、アルコール（alcohol）、イソプロパノール（isopropanol）、ジメチルスルホキシド（dimethylsulfoxide）等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記ドーピング金属元素の塩は、Ａｌ塩、Ｍｇ塩、Ｌｉ塩、Ｃａ塩、Ｇａ塩、Ｉｎ塩等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記金属酸化物中の金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記アルカリは、カセイカリ（caustic potash）、ソジュームハイドロキサイド（sodium hydroxide）及び水酸化テトラメチルアンモニウム（tetramethylammonium hydroxide）等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記反応に適合する温度は２０～１５０℃である。好ましくは、前記反応に適合する温度は６０～９０℃である。
本発明の実施例において、前記反応をする時間は１～１０ｈである。好ましくは、前記反応をする時間は２～４ｈである。
本発明の実施例において量子ドット発光ダイオードを提供する。その量子ドット発光ダイオードは、対向するように取り付けられる陽極及び陰極と、前記陽極と陰極との間に取り付けられる量子ドット発光層と、前記陰極と量子ドット発光層との間に取り付けられる電子輸送層とを含む。前記電子輸送層を形成する材料は前記ナノ材料または前記製造方法で製造されるナノ材料を含むことができる。
本発明の実施例において、前記量子ドット発光ダイオードの電子輸送層を形成する材料は、本発明の実施例に係る前記ナノ材料または、本発明の実施例に係る前記製造方法で製造されるナノ材料を含むことができる。
本実施例の量子ドット発光ダイオードはいろいろな構造を具備し、量子ドット発光ダイオードは正型構造と逆型構造に分けられる。本実施例において、図２に示されている正型構造の量子ドット発光ダイオードを例として詳細に説明する。具体的に、図２に示すとおり、前記量子ドット発光ダイオードは、下から上への方向に積層されるサブストレート（substrate）１、陽極２、正孔輸送層（hole transport layer）３、量子ドット発光層４、電子輸送層５及び陰極６を含む。前記電子輸送層５の材料は前記ナノ材料であり、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素を含み、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含む。
本発明の実施例において、前記電子輸送層の厚さは２０～６０ｎｍである。
本発明の実施例において、前記サブストレートは、剛性のサブストレート例えばガラス等であるか或いは、柔軟性のサブストレート例えばポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate、ＰＥＴ）またはポリイミド（polyimide、ＰＩ）等のうちいずれか一種であることができる。
本発明の実施例において、前記陽極は、インジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide、ＩＴＯ）、フッ素ドープスズ酸化物（Fluorine-doped Tin Oxide、ＦＴＯ）、アンチモンドープスズ酸化物（Antimony doped Tin Oxid、ＡＴＯ）及びアルミニウムドープ亜鉛酸化物（Aluminum doped Zinc Oxid、ＡＺＯ）等のうちいずれか一種または多種を含むことができる。
本発明の実施例において、前記正孔輸送層の材料として、良好な正孔の輸送性を有している材料を使用することができる。例えば、ポリ（９，９－ジオチルフルオレン－ｃｏ－Ｎ－（４－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（Poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)、ＴＦＢ）、ポリビニルカルバゾール（polyvinyl carbazole、ＰＶＫ）、ポリ［N，N’-ビス（4-ブチルフェニル）-N，N’-ビス（フェニル）-ベンジ］（Poly[N,N’-bis(4-butylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)-benzi、Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、４，４’’，４’’－トリス(カルバゾール－９－イル)トリフェニルアミン（4,4’,4’’-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine、ＴＣＴＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）-ポリ（スチレンスルホン酸塩）（Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、４，４’－ビス（N-カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル（4,4’-Bis(N-carbazolyl)-1,1’-biphenyl、ＣＢＰ）、ＮｉＯ、ＭｏＯ３等のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
本発明の実施例において、前記量子ドット発光層の材料は油溶性量子ドットであり、前記油溶性量子ドットは、二元フェーズ（binary phase）、三元フェーズ（Ternary phase）、四元フェーズ（Quaternary phase）の量子ドット等のうちいずれか一種または多種を含むことができる。二元フェーズの量子ドットは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＡｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＨｇＳ等のうちいずれか一種または多種を含み、三元フェーズの量子ドットは、ＺｎＣｄＳ、ＣｕＩｎＳ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＣｄＴｅ、ＰｂＳｅＳ等のうちいずれか一種または多種を含み、四元フェーズの量子ドットは、ＺｎＣｄＳ／ＺｎＳｅ、ＣｕＩｎＳ／ＺｎＳ、ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅＳ、ＺｎＣｄＴｅ／ＺｎＳ、 ＰｂＳｅＳ／ＺｎＳ等のうちいずれか一種または多種を含むことができる。前記量子ドット発光層の材料は、常用の赤色、緑色、青色のうちいずれか一種であるか或いは黄色であり、前記量子ドットはカドミウム（cadmium）を含むか或いは含まない。前記材料の量子ドット発光層は、励起スペクトル（excitation spectrum）が広くかつ連続的に配列され、発光スペクトル（emission spectrum）の安定性が高いという特徴を有している。本実施例において、前記量子ドット発光層の厚さは約２０～６０ｎｍである。
本発明の実施例において、前記陰極は、アルミニウム（Ａｌ）電極、銀（Ａｇ）電極、金（Ａｕ）電極等のうちいずれか一種であるか或いは、ナノアルミニウム線、ナノ銀線、ナノ金線等のうちいずれか一種であることができる。その材料の抵抗が小さいことにより、キャリアを容易に注入することができる。本実施例において、前記陰極の厚さは１５～３０ｎｍである。
注意されたいことは、本発明の実施例に係る量子ドット発光ダイオードは下記機能層のうち一層または多層を更に含むことができる。すなわち、正孔輸送層と陽極との間に形成される正孔注入層（hole injection layer）と、電子輸送層と陰極との間に形成される電子注入層のうち一層または多層を更に含むことができる。
本発明の実施例において、正型構造の量子ドット発光ダイオードの製造方法を更に提供する。その方法は、
基板上に正孔輸送層を形成するステップと、
前記正孔輸送層上に量子ドット発光層を形成するステップと、
前記量子ドット発光層上に電子輸送層を形成するステップであって、前記電子輸送層の材料はナノ材料であり、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素を含み、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含むステップと、
前記電子輸送層上に陰極を形成することにより量子ドット発光ダイオードを獲得するステップと、を含む。
本実施例において、高品質の正孔輸送層を獲得するため、陽極に対して事前処理をする必要がある。前記事前処理をするステップは、洗浄剤で陽極を洗浄することにより陽極の表面の汚染物を初歩的に除去するステップと、脱イオン水（deionized water）、プロパノン（Propanone）、無水エタノール（Ethanol absolute）、脱イオン水において超音波洗浄を２０ｍｉｎ実施することにより表面の不純物を除去するステップと、高純度の窒素で流体を吹き飛ばすことにより陽極を獲得するステップとを含む。
本発明の実施例において、前記基板上に正孔輸送層を形成するステップは、基板をスピンプロセッサー（Spin Processor）に送入した後、製造された正孔輸送材料の溶液をスピンコーティング（spin coating）することにより膜を形成するステップと、溶液の濃度、スピンコーティングの速度及びスピンコーティングの時間を調節することにより膜の厚さを調節するステップと、適当な温度で加熱アニール（anneal）を実施することにより前記正孔輸送層を形成するステップとを含む。
本発明の実施例において、前記正孔輸送層上に量子ドット発光層を形成するステップは、製造された正孔輸送の基板をスピンプロセッサーに送入した後、所定の濃度を有している発光物質の溶液をスピンコーティングすることにより膜を形成するステップと、溶液の濃度、スピンコーティングの速度及びスピンコーティングの時間を調節することにより量子ドット発光層の厚さを調節するステップと、適当な温度で乾燥をすることにより前記量子ドット発光層を形成するステップとを含む。
本発明の実施例において、前記量子ドット発光層上に電子輸送層を形成するステップは、製造された量子ドット発光層の基板をスピンプロセッサーに送入した後、所定の濃度を有している電子輸送材料の溶液をスピンコーティングすることにより膜を形成するステップと、溶液の濃度、スピンコーティングの速度（回転速度が３０００～５０００ｒｐｍである）及びスピンコーティングの時間を調節することにより電子輸送層の厚さを調節するステップと、アニールと製膜を実施することにより前記電子輸送層を形成するステップとを含む。アニールを実施するとき、空気中においてアニールを実施するか或いは窒素の雰囲気においてアニールを実施することができる。作業者は実際の需要により適当なアニールの雰囲気を選択することができる。
本発明の実施例において、製造された量子ドット発光ダイオードに対して実装（Package）工程を実施する。前記実装工程は常用の実装装置で実施するか或いは手作業で実施することができる。本発明の実施例において、実装工程を実施するとき、酸素含量と水含量を０．１ｐｐｍ以下にすることにより素子の安定性を確保することができる。
本実施例において、各層を製造する方法として化学的方法または物理的方法を採用することができる。化学的方法は、化学的気相成長法（Chemical vapor deposition、ＣＶＤ）、連続イオン層吸着反応方法（Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction、ＳＩＬＡＲ）、陽極酸化方法（Anodization）、電解沈殿方法（Electrolytic deposition）、共沈法（coprecipitation method）のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。物理的方法は、溶液方法（例えば、スピンコーティング方法、印刷方法、ナイフコーティング方法、浸漬被覆方法（dip-coating technique）、浸漬方法（Immersion method）、スプレイ方法（spraying method）、ローラ塗装方法（Roller Coating）、キャスチング方法（casting）、スリット塗布方法（Slit coating method）、ストリップコーティング方法（Strip coating method）等）、蒸着方法（例えば、エバポレーション法、電子ビーム蒸着方法（electron beam evaporation）、マグネトロンスパッタ方法（magnetron sputtering）または多アルコイオンプレーティング方法（multi-arc ion plating）等）、沈殿法（precipitation method）（例えば、物理的気相成長法（Physical vapor deposition）、元素層堆積法（Element layer deposition）、パルスレーザー堆積法（pulsed laser deposition）等）のうちいずれか一種または多種を含むことができるが、本発明はそれらにのみ限定されるものでない。
以下、具体的な実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例＞
１、ナノ材料の製造
（１）１０ｍｍｏｌの水酸化テトラメチルアンモニウム（tetramethylammonium hydroxide）を３０ｍｌの２－メトキシエタノール（２－Methoxyethanol）に添加した後、水浴加熱手段（Water-bath heating）で２０ｍｉｎ加熱する。
（２）６ｍｍｏｌの酢酸亜鉛（Zinc acetate）を２ｍｍｏｌの酢酸アルミニウム（aluminum acetate）に添加した後、３ｈ撹拌することによりクリアーソルーション（clear solution）を獲得し、アルミニウムがドーピングされる酸化亜鉛のナノ粒子を製造する。
（３）２ｍｍｏｌの酢酸アルミニウムを更に添加した後、超音波処理を４５ｍｉｎ実施し、かつ超音波処理を２ｍｉｎ実施するたびに５ｓ停止させることによりナノ粒子上にシェルを包むことにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得する。
（４）エチルアセテート（ethyl acetate）とアルコールで洗浄をすることによりナノ材料を獲得し、獲得するナノ材料をエタノール溶液（Ethanol Solution）に溶解させる。
２、量子ドット発光ダイオードの製造
（１）基板上にＩＴＯを蒸着させることにより第一電極を形成する。ＩＴＯの厚さは４０ｎｍである。ＵＶＯ（紫外線オゾン洗浄装置）で１５ｍｉｎの洗浄をすることにより、部品の表面を洗浄するとともに表面の湿潤性（wettability）を確保する。
（２）ＩＴＯ上に一層のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをスピンコーティングすることにより正孔注入層を形成する。スピンコーティングの回転速度は５０００ｒ／ｍｉｎである。スピンコーティングを４０ｓ実施した後、１５０℃の温度でアニールを１５ｍｉｎ実施する。ステップ（２）は空気中において実施される。
（３）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上に一層のＴＦＢをスピンコーティングすることにより正孔輸送層を形成する。ＴＦＢをクロロベンゼン（chlorobenzene）に溶解させ、その濃度は８ｍｇ／ｍｌであり、スピンコーティングの回転速度は３０００ｒ／ｍｉｎである。スピンコーティングを３０ｓ実施した後、１５０℃の温度で加熱を３０ｍｉｎ実施する。ステップ（３）はグローブボックス（glove box）内において実施される。
（４）ＴＦＢ上に量子ドット発光層をスピンコーティングする。量子ドットをｎ－オクタン（n-octane）に溶解させ、その濃度は２０ｍｇ／ｍｌであり、スピンコーティングの回転速度は２０００ｒ／ｍｉｎである。スピンコーティングを３０ｓ実施した後、１００℃の温度で加熱を２０ｍｉｎ実施する。ステップ（４）はグローブボックス内において実施される。
（５）量子ドット発光層上に製造されたナノ材料をスピンコーティングすることにより電子輸送層を形成する。ナノ材料をアルコールに溶解させ、その濃度は３０ｍｇ／ｍｌであり、スピンコーティングの回転速度は３０００ｒ／ｍｉｎである。スピンコーティングを３０ｓ実施した後、１００℃の温度で加熱を３０ｍｉｎ実施する。ステップ（５）はグローブボックス内において実施される。
（６）電子輸送層上に一層のＡｌを蒸着することにより第二電極を形成し、Ａｌ電極の厚さは１００ｎｍである。
＜対比例＞
前記ナノ材料の代わりに高純度の酸化亜鉛のナノ粒子を使用し、他のステップを変更しない。
本発明の実施例の量子ドット発光ダイオードと対比例の量子ドット発光ダイオードをそれぞれ測定し、測定の結果は表１に示すとおりである。
表１、量子ドット発光ダイオードの効率及び寿命
Figure 2023517364000002
表１中のＴ９５（１０００ｎｉｔ）は素子の輝度が１０００ｎｉｔから９５％に低下するときかかる時間を表す。
前記表１に表示されるとおり、本発明の実施例に係るナノ材料を使用することにより素子の効率と寿命を大幅に向上させることができる。具体的に、素子の効率を理想状態の最高値まで向上させ、寿命を２倍以上延長させることができる。
以上のとおり、本発明の実施例において、ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオードを提供する。本発明においてゾルゲル法（sol-gel method）で製造したナノ材料を素子の電子輸送層の材料にする。本発明は、酸化亜鉛ナノ粒子に他の金属元素をドーピングし、かつ金属酸化物シェルを一層包むことにより、ナノ材料のエネルギーレベルストラクチュアと電子輸送効率を調節することができる。それにより、素子中の量子ドットとナノ材料のエネルギーレベルを更にマッチングさせ、量子ドット発光層中の電子が電子輸送層に移行することを減少させ、量子ドット発光層中の電子正孔のリコンビネーション効率を向上させることができる。また、素子の電子正孔の注入のバランスを確保し、量子ドット発光層の電荷蓄積（charge accumulation）を減少させ、オージェ再結合（Auger recombination）を抑制し、電子正孔の放射再結合の効率を向上させることができる。それにより、酸化亜鉛のナノ粒子の安定性を確保し、素子全体の安定性を向上させることができる。
以上、本発明の好適な実施例を説明してきたが、前記実施例は本発明の例示にしか過ぎないものであるため、この技術分野の技術者は本発明の事項を改良するか或いは変更することができ、そのような改良または変更があっても本発明に含まれることは勿論である。

Claims (18)

  1. コアシェル構造を具備するナノ材料であって、前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素を含み、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物を含むことを特徴とするナノ材料。
  2. 前記ＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含み、前記金属酸化物中の金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノ材料。
  3. 前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素が同様であることを特徴とする請求項１または２に記載のナノ材料。
  4. 前記ドーピング金属元素のモーラルウエートはドーピング金属元素と亜鉛元素のモーラルウエートの総合の０．５％～３０％を占めることを特徴とする請求項１に記載のナノ材料。
  5. 前記シェルの厚さは０．５～２ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のナノ材料。
  6. 前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素はいずれもＭｇまたはＬｉであることを特徴とする請求項１に記載のナノ材料。
  7. 前記ナノ材料のコアはＺｎＯナノ粒子とそのＺｎＯナノ粒子にドーピングされる金属元素であり、前記ナノ材料のシェルは金属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のナノ材料。
  8. 亜鉛塩、ドーピング前の金属元素の塩をアルカリ液に添加して反応させることによりドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子を獲得するステップと、
    前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子をコアにし、前記コアの表面に金属酸化物のシェルを形成することにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップと、を含むことを特徴とするナノ材料の製造方法。
  9. 前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子をコアにし、前記コアの表面に金属酸化物のシェルを形成することにより、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップは、反応によって獲得した前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子の反応システムに金属塩を添加して反応させることにより、前記ドーピング金属元素のＺｎＯナノ粒子のコアの表面に金属酸化物シェルを形成し、コアシェル構造を具備しているナノ材料を獲得するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  10. 前記亜鉛塩は、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛及び酢酸亜鉛ジヒドラ等のうちいずれか一種または多種を含み、
    前記ドーピング金属元素の塩は、Ａｌ塩、Ｍｇ塩、Ｌｉ塩、Ｃａ塩、Ｇａ塩、Ｉｎ塩等のうちいずれか一種または多種を含み、
    前記金属酸化物中の金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｇａ、Ｉｎ等のうちいずれか一種または多種を含み、
    前記アルカリ液中のアルカリは、カセイカリ、ソジュームハイドロキサイド及び水酸化テトラメチルアンモニウム等のうちいずれか一種または多種を含むことを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  11. 前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素が同様であることを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  12. 前記ドーピング金属元素のモーラルウエートはドーピング金属元素と亜鉛元素のモーラルウエートの総合の０．５％～３０％を占めることを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  13. 前記シェルの厚さは０．５～２ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  14. 前記ＺｎＯナノ粒子中のドーピング金属元素と前記金属酸化物中の金属元素はいずれもＭｇまたはＬｉであることを特徴とする請求項８に記載のナノ材料の製造方法。
  15. 対向するように取り付けられる陽極及び陰極と、前記陽極と陰極との間に取り付けられる量子ドット発光層と、前記陰極と量子ドット発光層との間に取り付けられる電子輸送層とを含み、
    前記電子輸送層を形成する材料は、請求項１～７のうちいずれか一項に記載のナノ材料または、請求項８～１４のうちいずれか一項に記載の製造方法で製造されるナノ材料を含むことを特徴とする量子ドット発光ダイオード。
  16. 前記電子輸送層を形成する材料は、請求項１～７のうちいずれか一項に記載のナノ材料または、請求項８～１４のうちいずれか一項に記載の製造方法で製造されるナノ材料であることを特徴とする請求項１５に記載の量子ドット発光ダイオード。
  17. 前記陽極と量子ドット発光層との間に取り付けられる正孔輸送層を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の量子ドット発光ダイオード。
  18. 前記電子輸送層の厚さは２０～６０ｎｍであることを特徴とする請求項１５に記載の量子ドット発光ダイオード。
JP2022555174A 2020-07-17 2020-12-30 ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオード Pending JP2023517364A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010692288.9 2020-07-17
CN202010692288.9A CN113948647A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
PCT/CN2020/141155 WO2022011988A1 (zh) 2020-07-17 2020-12-30 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023517364A true JP2023517364A (ja) 2023-04-25

Family

ID=79326701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022555174A Pending JP2023517364A (ja) 2020-07-17 2020-12-30 ナノ材料、その製造方法及び量子ドット発光ダイオード

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230023531A1 (ja)
EP (1) EP4184602A4 (ja)
JP (1) JP2023517364A (ja)
CN (1) CN113948647A (ja)
WO (1) WO2022011988A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023155605A1 (zh) * 2022-02-18 2023-08-24 Tcl科技集团股份有限公司 纳米颗粒、发光二极管及显示装置
CN116940146A (zh) * 2022-04-07 2023-10-24 Tcl科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767260B2 (en) * 2003-01-22 2010-08-03 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
US8323772B2 (en) * 2010-01-27 2012-12-04 S.A.W. Green Technology Corporation Photon-alignment optical film
KR20150019310A (ko) * 2013-08-13 2015-02-25 한국전자통신연구원 코어-쉘 나노입자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스 센서
US10700236B2 (en) * 2016-03-17 2020-06-30 Apple Inc. Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays
CN108439456A (zh) * 2018-04-16 2018-08-24 苏州星烁纳米科技有限公司 ZnLiMgO纳米颗粒的制备方法和由其制备的产品
CN110970579B (zh) * 2018-09-30 2022-12-02 纳晶科技股份有限公司 一种氧化锌纳米晶电子传输层及其制备方法、电子器件
CN110526277B (zh) * 2019-10-09 2022-08-02 纳晶科技股份有限公司 掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件
CN110993808B (zh) * 2019-11-29 2022-09-13 纳晶科技股份有限公司 纳米晶、纳米晶组合物、发光装置及纳米晶的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4184602A1 (en) 2023-05-24
US20230023531A1 (en) 2023-01-26
CN113948647A (zh) 2022-01-18
EP4184602A4 (en) 2024-01-24
WO2022011988A1 (zh) 2022-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018090691A1 (zh) 量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置
US20230023531A1 (en) Nanomaterial, preparation method thereof, and quantum dot light-emitting diode
WO2021136044A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2023005756A9 (zh) 量子点膜及其制备方法、光电器件、显示装置、量子点发光器件的制备方法
WO2021136119A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111146346A (zh) 顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法
CN111384254B (zh) 一种量子点发光二极管
KR101687637B1 (ko) 단일의 양자점으로 이루어지는 발광층과 컬러변환층을 이용한 백색광 발광소자
WO2023051461A1 (zh) 氧化钼纳米材料及制备方法、光电器件
CN113130779B (zh) 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
WO2022233145A1 (zh) 一种量子点电致发光器件
WO2023051317A1 (zh) 氧化钨纳米材料及其制备方法、光电器件
WO2022143882A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113130811B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2022242178A1 (zh) 电子传输材料及其制备方法、显示器件的制备方法
WO2023202146A1 (zh) 空穴传输薄膜、光电器件和光电器件的制备方法
CN112397673B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
WO2022111583A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2023082970A1 (zh) 复合材料及制备方法、电致发光器件
CN116437696A (zh) 发光器件及其制备方法、显示装置
CN114695721A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
Sun et al. Fully Solution-Processed Red Tandem Quantum Dot Light-Emitting Diodes with an EQE Exceeding 35%
CN113130787A (zh) 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法
CN114267799A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN116113254A (zh) 电致发光器件的制备方法、电致发光器件及光电装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240527