JP2023509914A - トリシアノヘキサンを分離するためのプロセス - Google Patents

Abstract

ＴＣＨストリームを生成するためのプロセスであって、第１の塔において、ＴＣＨおよび任意にアジポニトリルを含むアジポニトリルプロセスストリームを分離して、５ｗｔ．％超のアジポニトリルを含むアジポニトリルストリームと、ＴＣＨを含む第１のＴＣＨストリームと、任意に高沸点成分および固体不純物を含む重質分ストリームとを形成するステップと；任意に１つまたは複数の塔によって、第１のＴＣＨストリームを精製して、５０ｗｔ．％超のＴＣＨを含む精製されたＴＣＨストリームを形成するステップとを含み；第１の塔が２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される、プロセス。【選択図】なし

Description

関連出願に対する参照
[0001]本願は、２０１９年１２月３０日に出願された米国仮出願第６２／９５５，０６６号に対する優先権を主張し、これは、参照により本明細書に組み込まれる。

[0002]本開示は一般に、工業プロセスのプロセスストリームの精製によるトリシアノヘキサン（ＴＣＨ）の製造に関する。より具体的には、本開示はアジポニトリル製造プロセスストリームから高純度のＴＣＨを製造するためのプロセスに関する。

[0003]シアノカーボン、例えば、シアノ官能基を有する有機化合物が公知であり、様々な用途に広く使用されている。これらの化合物の多くは、アクリロニトリルおよびアジポニトリルを含め、様々なポリマー、例えばナイロン、ポリアクリロニトリル、またはアクリロニトリルブタジエンスチレンを調製するためのモノマーとして使用されている。特に、アジポニトリルは、ナイロン－６，６の製造のために水素化して１，６－ジアミノヘキサン（ヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ））とすることができる。シアノカーボンを製造するいくつかの方法が当技術分野で公知である。例えば、アジポニトリルを製造する従来の方法は米国特許第３，８４４，９１１号に記載されるようにアクリロニトリルの電解水素化二量化である。この製造方法および他の製造方法は、多くの場合、少量の望ましい副産物を含むストリームを生じる。例えば、アジポニトリル製造プロセスの従来のストリームの中には、少量ではあるが、有意ではないとは言えない量のＴＣＨを含有するものもあり得る。ＴＣＨはいくつかの工業製品の前駆体またはリチウムイオン電池用の添加物を始めとしていくつかの用途を有する。典型的には、これらのストリームの分離は非効率的であり、これらの量のＴＣＨを効果的に捕捉することができなかった。結果として、ストリームは廃棄物ストリームとして処理され、例えば焼却される。したがって、貴重なＴＣＨは、捕捉されることがない。

[0004]ＴＣＨの有用性は様々な参考文献に記載される。１つの例は米国特許第７，２６２，２５６号であり、これは８０重量％以上の１，３，６－ヘキサントリカルボン酸を含むポリカルボン酸混合物を開示し、ここでポリカルボン酸混合物は９８以上の明度指数Ｌ－値、－２．０～２．０の色質指数ａ－値および－２．０～３．０の色質指数ｂ－値を有し、５，０００重量ｐｐｍ以下の窒素含有量を有する。特に、ポリカルボン酸混合物は主として１，３，６－トリシアノヘキサンを含むニトリル混合物を加水分解することにより得られる加水分解反応混合物から得られる。

[0005]別の例は米国特許出願公開第２０１３／０１５７１１９号であり、これはパッケージとして積層フィルムを使用する場合でも電解液の分解が抑制され、ガスの発生が低減される二次電池を開示する。そこに開示された二次電池は積重ねたラミネート型であり、正極および負極が互いに向き合うように配置された電極集合体、電解液ならびに電極集合体および前記電解液を収容するパッケージを含み、ここで負極は、リチウムと共に合金化されることができる金属（ａ）、リチウムイオンを吸蔵および放出することができる金属酸化物（ｂ）ならびにリチウムイオンを吸蔵および放出することができる炭素材料（ｃ）を含む負極活物質を、ポリイミドおよびポリアミドイミドから選択される少なくとも１種と共に負極集電体に結合することにより形成され、電解液は所定のニトリル化合物を含む。特に、１，３，６－ヘキサントリカルボニトリルを含有する電解液が開示される。

[0006]ＴＣＨに対するこれらのおよびその他の従来の用途に鑑みて、ＴＣＨを回収するためのコスト効率の良いプロセスに関する必要性が存在する。特に、より低い量のＴＣＨを含むアジポニトリル製造プロセスストリームから高純度のＴＣＨを効果的に回収し、したがって従来廃棄されていたＴＣＨを捕捉するためのプロセスに対する必要性が存在する。

[0007]いくつかの実施形態において、本開示はＴＣＨストリームを生成するためのプロセスであって、第１の塔において、ＴＣＨおよび任意にアジポニトリルを含むアジポニトリルプロセスストリームを分離して、５ｗｔ．％超のアジポニトリルを含むアジポニトリルストリームと、ＴＣＨを含む第１のＴＣＨストリームと、任意に高沸点成分および固体不純物を含む重質分ストリームとを形成するステップと；任意に１つまたは複数の塔によって、第１のＴＣＨストリームを精製して、５０ｗｔ．％超のＴＣＨおよび任意に１ｗｔ．％未満の不純物および／または１ｗｔ．％未満の高沸点成分の分解生成物、および／または１ｗｔ．％未満のアミンを含む精製されたＴＣＨストリームを形成するステップとを含む、プロセスに関する。第１の塔および／または第２の塔は２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転され得る。第１の塔および／または第２の塔は充填塔であってもよく、パッキングは任意に０．５ｍｍＨｇ／理論段未満の圧力低下を提供する高効率パッキングを含み得る。プロセスは、任意に２５ｗｔ．％未満のＴＣＨを含む粗アジポニトリルストリームをフラッシングして、アジポニトリルプロセスストリームと、高沸点成分および固体不純物を含む塔底ストリームを形成するステップをさらに含み得る。精製するステップは：第２の塔において、第１のＴＣＨストリームを分離して、精製されたＴＣＨストリームと、高沸点成分を含む重質分ストリームとを形成するステップを含み得る。滞留時間は８時間未満であり得る。ＴＣＨストリームは、ＴＣＨ、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のアジポニトリル、０ｗｔ．％～０．１ｗｔ．％のジ（２－シアノエチル）アミン、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のシアノバレルアミド、および０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のトリ（２－シアノエチル）アミンを含み得る。

[0008]本開示は、添付の図面を参照して以下に詳細に記載されるが、同様の数字は同様の部分を指定する。

[0009]図１は、中間アジポニトリルストリームを生成するためのプロセスの実施形態の図式的概観を図示する。 [0010]図２は、中間アジポニトリルストリームを生成するためのプロセスの別の実施形態の図式的概観を図示する。 [0011]図３は、中間アジポニトリルストリームを生成するためのプロセスの別の実施形態の図式的概観を図示する。 [0012]図４は、中間アジポニトリルストリームを生成するためのプロセスの別の実施形態の図式的概観を図示する。 [0013]図５は、中間アジポニトリルストリームを生成するためのプロセスの別の実施形態の図式的概観を図示する。

[0014]上記のように、いくつかの従来の製造プロセスストリーム、例えば、アジポニトリル製造プロセスストリームは、一定量の望ましい成分、例えば、トリシアノヘキサン（ＴＣＨ）、例えば、１，３，６－ヘキサントリカルボニトリルおよび／または１，２，６－ヘキサントリカルボニトリルを含有する。典型的には、これらのストリームは廃棄物ストリームとして処理され、例えば、焼却される。しかし、発明者らは、これらのストリームの中に存在する成分を回収するためにこれらのストリームを効果的に分離し別の目的のために利用することが可能であることを見出した。特に、ＴＣＨは価値があるので、それを回収して（売り物になる）ＴＣＨ製品を得るという願望がある。

[0015]しかし、発明者らは、アジポニトリル製造プロセスストリームからのＴＣＨの分離が、場合によって、プロセスストリームの組成、例えば、アミン不純物および分解生成物の比較的高い含有量のために特に不安定であることを見出した（下記考察を参照）。そのような分離に関する文献はわずかである。ほとんどの分離文献はより高いＴＣＨ含有量のストリームの処理に関しており、比較的少量のＴＣＨおよび様々な付随する不純物を含むプロセスストリームではない。

[0016]この度、ある特定の分離プロセスが多くの（アジポニトリル）プロセスストリームにおいてより少量のＴＣＨの有効な回収を提供することが発見された。回収スキームの有効性のため、ＴＣＨは有利に捕捉され、どこかで使用され得るかまたは販売され得、結果として全体の生産効率の有意な改善が得られる。重要なことに、より少量のＴＣＨ含有量のストリームがより低い圧力低下（および場合によって短い滞留時間）で作動する分離装置を用いて処理されると、極めて効果的な分離が達成される。場合によっては、ストリームの特定の処理はＴＣＨをかなり濃縮し、回収および／または再利用が実用的および実行可能になる。

[0017]理論に拘束されるものではないが、アミン不純物はＴＣＨから分離するのが特に困難であると仮定される。例えば、ＴＣＨの沸点に近い沸点を有する成分、例えば、ＣＶＡの存在は従来のスキームで問題があることが判明した。多くの場合、アミン分離は高い塔圧力低下の作動に伴われ、結果として次に他の分離を困難にし、例えば、固体劣化を生じる。

[0018]さらに、いくつかのＴＣＨ含有ストリームはまた多くの低沸点および高沸点不純物も含有すると考えられる。異なる沸点に基づいて不純物を分離する従来の方法が公知であるが、発明者らはそのような方法がこれらのストリームからＴＣＨを効果的に分離する際にうまくいかないことを見出した。特に、ある特定の高沸点不純物は従来の分離プロセスの間より低いまたはより高い沸点をもつものを始めとする他の不純物に分解する傾向があることが発見された。分解生成物はＴＣＨの商業的に望ましい純度を満足する可能性を制限することが見出されるかもしれない。従来のＴＣＨ回収プロセスは、この分解を考慮しておらず、結果として追加の精製ステップを必要とし、効率の低下を招いている。特に、発明者らは、様々な精製操作における供給ストリームの滞留時間が分解に影響を及ぼすこと、および特定の精製操作において、任意に特定の圧力および／または温度で、滞留時間を、例えば、８時間未満に制限することにより、精製においてかなりの改善が達成されることを見出した。ＴＣＨの分離および／または精製の従来の方法はこれらの成分濃度、例えば、アミンおよび分解生成物濃度の最終のＴＣＨ収率に対する影響に関連する指針をほとんどまたは全く提供しない。

[0019]場合によっては、本開示は、例えば、典型的には廃棄物として処理されるより低い濃度のＴＣＨを含むプロセスストリームから、ＴＣＨストリームを生成するプロセスに関する。プロセスは（第１の塔において）アジポニトリルプロセスストリームを分離して、アジポニトリルストリームと、第１のＴＣＨストリームとを形成するステップを含む。いくつかの実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームは、とりわけ、（より低い濃度の）ＴＣＨおよび任意にアジポニトリルを含む。第１のＴＣＨストリームは、例えば、アジポニトリルプロセスストリーム中より高い濃度で存在するＴＣＨを含む。アジポニトリルストリームはアジポニトリルを、例えば、１０ｗｔ．％超のアジポニトリルを含む。場合によっては、分離ステップはまた、高沸点成分および固体不純物を含む重質分ストリームも形成する。分離は（第１の）塔、例えば、１つまたは複数の塔において起こる。そして、重要なことに、第１の塔は２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される。発明者らは、低い圧力低下の作動が、任意に本明細書で検討される他の分離パラメータと組み合わせて、かなりのプロセス効率、例えば、固体劣化の改善を提供する一方で、低いＴＣＨ含有量のアジポニトリルプロセスストリームを効果的に分離して、高純度の（第１の）ＴＣＨストリームを形成することを見出した。塔の圧力低下は周知の測定値であり、多くの化学工業（または化学）マニュアルで詳細に検討されている。上述のストリームの組成は以下でより詳細に検討される。上記のように、低い圧力低下の作動は、ＴＣＨの比較的低い含有量ならびにアミン不純物および分解生成物の比較的高い含有量に起因して、特定のアジポニトリルプロセスストリームで特にうまくいくと考えられる。

[0020]いくつかの実施形態において、（第１の）塔は２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転され、例えば、２２ｍｍＨｇ未満、２０ｍｍＨｇ未満、１７ｍｍＨｇ未満、１５ｍｍＨｇ未満、１３ｍｍＨｇ未満、１１ｍｍＨｇ未満、１０ｍｍＨｇ未満、８ｍｍＨｇ未満、７ｍｍＨｇ未満、５ｍｍＨｇ未満、または３ｍｍＨｇ未満で運転される。範囲の観点からは、（第１の）塔は０ｍｍＨｇ～２５ｍｍＨｇの範囲の圧力低下で運転されてもよく、例えば０．５ｍｍＨｇ～２３ｍｍＨｇ、１ｍｍＨｇ～２０ｍｍＨｇ、２ｍｍＨｇ～１５ｍｍＨｇ、１ｍｍＨｇ～１１ｍｍＨｇ、３ｍｍＨｇ～１２ｍｍＨｇ、５ｍｍＨｇ～１１ｍｍＨｇ、または５ｍｍＨｇ～７ｍｍＨｇであってもよい。上限の観点からは、（第１の）塔は０ｍｍＨｇ超の圧力低下で運転されてもよく、例えば、０．１ｍｍＨｇ超、０．５ｍｍＨｇ超、１ｍｍＨｇ超、２ｍｍＨｇ超、３ｍｍＨｇ超、５ｍｍＨｇ超、または６ｍｍＨｇ超であってもよい。

[0021]場合によっては、第１の塔（および／またはそれに続く精製塔のいずれか）は充填塔であり、いくつかの実施形態において、パッキングは高効率パッキングを含む。高効率パッキングは有利なことに１．５ｍｍＨｇ／理論段未満の理論段当たりの圧力低下を提供してもよく、例えば、１．０ｍｍＨｇ未満、０．９ｍｍＨｇ未満、０．７５ｍｍＨｇ未満、０．６ｍｍＨｇ未満、０．５ｍｍＨｇ未満、０．４５未満、０．４未満、０．３５未満、０．３未満、０．２５未満、０．２未満、０．１未満、または０．０５ｍｍＨｇ／理論段未満である。範囲の観点からは、高効率パッキングは０．０１ｍｍＨｇ～１．５ｍｍＨｇの範囲の理論段当たりの圧力低下を提供してもよく、例えば、０．０１ｍｍＨｇ～１．０ｍｍＨｇ、０．０５ｍｍＨｇ～１．０ｍｍＨｇ、０．１ｍｍＨｇ～１．０ｍｍＨｇ、０．２ｍｍＨｇ～０．９ｍｍＨｇ、０．３ｍｍＨｇ～０．６ｍｍＨｇ、０．０１～０．４５、０．０５～０．４、０．１～０．３５、０．１５～０．３５、または０．２～０．３であってもよい。上述の運転パラメータは他の塔にも適用可能である。

[0022]また、高効率パッキングは有利なことに所与の容積当たり高い理論段数を提供し得る。
[0023]場合によっては、第１の塔（および／またはそれに続く精製塔のいずれか）は短い滞留時間で作動し得る。プロセスの個々の分離および／または精製操作における供給ストリームの滞留時間は例えば、８時間未満に最小化され、例えば、７時間未満、６時間未満、５時間未満、または４時間未満とする。より短い滞留時間は（任意により低い圧力低下と組み合わせて）予想外に分離／精製効率に寄与する。

[0024]いくつかの実施形態において、プロセスは、第１のＴＣＨストリームを１つまたは複数の（追加の）塔によって精製して、例えば５０ｗｔ．％超のＴＣＨを含む高純度のＴＣＨストリームである精製されたＴＣＨストリームを形成する任意選択のステップを含む。場合によっては、精製ステップはまた、第１の塔について開示された条件下、例えば、小さい圧力低下および短い滞留時間の下で作動する塔において行われる。一例として、第１および第２の塔は充填塔であり得、２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転され得る。同様な利益がこれらの精製塔で見出されている。得られる精製されたＴＣＨストリームは低い不純物含有量、例えば、低い分解生成物不純物含有量を有する。

[0025]いくつかの実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームはフラッシュ操作の結果生じ得る。別の言い方をすれば、一般的な粗アジポニトリルストリーム（ＴＣＨおよびアジポニトリルを含む）は最初にフラッシングされてアジポニトリルプロセスストリームを形成した後に第１の塔に運搬され得る。場合によっては、プロセスは粗アジポニトリルストリームをフラッシングして、アジポニトリルプロセスストリームと、高沸点成分および固体不純物を含む塔底ストリームとを形成するステップを含む。

粗アジポニトリルストリーム
[0026]述べたように、粗アジポニトリルストリームおよびアジポニトリルプロセスストリームは、驚くべきことに開示されたプロセスを採用するとき効率的に分離することが判明した特定の組成を有する。特に、粗アジポニトリルストリームはＴＣＨ、アジポニトリル、高沸点成分、および低沸点成分を含み得る。従来の分離プロセスは、少量のＴＣＨおよび／またはアジポニトリルを単離するのが困難であった。いくつかの実施形態において、粗アジポニトリルストリームは、別の工業化学製造プロセスの１つまたは複数のプロセスストリームであってもよい。例えば、供給ストリームは異なるプロセスまたはシステム、例えば、アジポニトリル、アクリロニトリル、シアン化アリル、ブチロニトリル、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリアラミド、またはこれらの組み合わせの製造からの１つまたは複数のプロセスストリームを含み得る。特定の場合において、粗アジポニトリルストリームはアジポニトリルプロセスストリーム、例えば、アジポニトリル製造プロセスからの１つまたは複数のプロセスストリーム、パージストリーム、またはフラッシュ後留であり得る。場合によっては、複数のプロセスからのストリームを組み合わせてストリームを形成してもよい。従来のプロセスにおいて、そのようなＴＣＨ含有（および／またはアジポニトリル含有）ストリームは廃棄物ストリームとして処理され、例えば、排気または焼却されることが多く、貴重な成分が回収されない。本明細書に記載のように、これらのストリームからＴＣＨおよび／またはアジポニトリルを回収することにより、ＴＣＨを回収して使用または販売し、したがって、効率および収益性を高めることができる。

[0027]いくつかの実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは７０ｗｔ．％未満のＴＣＨを含み、例えば、５０ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、２５ｗｔ％未満、２０ｗｔ％未満、１８ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、１２ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、または５ｗｔ％未満である。範囲の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは０．１ｗｔ．％～７０ｗｔ．％のＴＣＨを含み、例えば、０．１ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、０．１ｗｔ％～２５ｗｔ％、０．５ｗｔ％～２３ｗｔ％、０．５ｗｔ％～２０ｗｔ％、１ｗｔ％～１５ｗｔ％、１．５ｗｔ％～１２ｗｔ％、または２ｗｔ％～１１ｗｔ％である。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０．１ｗｔ％超のＴＣＨを含んでもよく、例えば、０．３ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、１．０ｗｔ％超、１．５ｗｔ％超、２ｗｔ％超、または５ｗｔ％超であってもよい。

[0028]いくつかの実施形態において、粗アジポニトリルストリームはより多量のＴＣＨを含む。一実施形態において、供給ストリームは供給ストリームの全重量を基準として０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％の範囲の量のＴＣＨを含み、例えば、０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、または５０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルストリームは９０ｗｔ．％未満のＴＣＨを含んでもよく、例えば、８９ｗｔ．％、８８ｗｔ．％未満、８５ｗｔ．％未満、または８４ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アクリロニトリルストリームは０ｗｔ．％超のＴＣＨを含んでもよく、例えば、１０ｗｔ．％超、２０ｗｔ．％超、３０ｗｔ．％超、４０ｗｔ．％超、５０ｗｔ％超、６０ｗｔ％超、または７０ｗｔ％超であってもよい。

[0029]粗アジポニトリルプロセスストリームは９０ｗｔ％未満のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、７５ｗｔ．％未満、５０ｗｔ．％未満、４０ｗｔ％未満、３５ｗｔ％未満、３０ｗｔ％未満、２０ｗｔ％未満、１８ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、１２ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、または５ｗｔ％未満であってもよい。範囲の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは０．１ｗｔ．％～９０ｗｔ．％のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．１ｗｔ．％～７５ｗｔ．％、０．１ｗｔ％～４０ｗｔ％のアジポニトリル、０．５ｗｔ％～３０ｗｔ％、１ｗｔ％～２０ｗｔ％、１ｗｔ％～１８ｗｔ％、１ｗｔ％～１０ｗｔ％、２ｗｔ％～１５ｗｔ％、３ｗｔ％～１５ｗｔ％、または５ｗｔ％～１５ｗｔ％であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは０．１ｗｔ％超のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．３ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、１．０ｗｔ％超、１．５ｗｔ％超、２ｗｔ％超、または５ｗｔ％超であってもよい。

[0030]場合によっては、粗アジポニトリルプロセスストリームはまた低沸点成分も含む。一般に、低沸点成分は、比較的低い沸点を有する不純物である。例えば、低沸点成分のそれぞれは、４１５℃未満の沸点を有してもよく、例えば、４１０℃未満、４００℃未満、３９５℃未満、または３９０℃未満であってもよい。粗アジポニトリルプロセスストリーム中に存在し得る低沸点成分の例には、様々なシアノカーボン、例えば、アクリロニトリル、プロピオニトリル、ヒドロキシプロピオニトリル、モノシアノエチルプロピルアミン、スクシノニトリル、メチルグルタロニトリル、アジポニトリル、２－シアノシクロペンチリデンイミン、ビス－２－シアノエチルエーテル、ジ（２－シアノエチル）アミン、ジ－２－シアノエチルプロピルアミン、シアノバレルアミド、およびこれらの組み合わせが含まれる。場合によっては、「軽質分」という用語は、より低い沸点、例えばアジポニトリルより低い沸点またはＴＣＨより低い沸点を有する成分を指す。

[0031]一実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％～７０ｗｔ．％の範囲の量の低沸点成分を含み、例えば、０ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、１ｗｔ％～２０ｗｔ％、２ｗｔ％～１５ｗｔ％、３ｗｔ％～１５ｗｔ％、１ｗｔ％～１０ｗｔ％、１２ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、７０ｗｔ．％未満の低沸点成分を含んでもよく、例えば、６５ｗｔ．％未満、６０ｗｔ．％未満、５５ｗｔ．％未満、５０ｗｔ．％未満、２０ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、または１５ｗｔ％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％超の低沸点成分を含んでもよく、例えば、１ｗｔ％超、２ｗｔ％超、３ｗｔ％超、５ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、１２ｗｔ．％超、または１５ｗｔ．％超であってもよい。

[0032]粗アジポニトリルストリームは、高沸点成分も含む。一般に、高沸点成分は、比較的高い沸点を有する不純物である。例えば、高沸点成分のそれぞれは、３９５℃超の沸点を有してもよく、例えば、４００℃超、４０５℃超、４０８℃超、４１０℃超、または４１５℃超であってもよい。粗アジポニトリルストリーム中に存在し得る高沸点成分の例には、異性体トリシアノヘキサン、トリ（２－シアノエチル）アミン、およびこれらの組み合わせが含まれる。場合によっては、「重質分」という用語は、より高い沸点、例えば、アジポニトリルより高い沸点またはＴＣＨより高い沸点を有する成分を指す。

[0033]一実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％の範囲の量の高沸点成分を含み、例えば、０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、３ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、３ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、５ｗｔ％～１５ｗｔ％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、または５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、５０ｗｔ．％未満の高沸点成分を含んでもよく、例えば、４０ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、３０ｗｔ．％未満、２５ｗｔ．％未満、または２０ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％超を含んでもよく、例えば、０．５ｗｔ．％超、１ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、３ｗｔ．％超、または５ｗｔ．％超であってもよい。

[0034]一実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは０ｗｔ．％～７０ｗｔ．％の範囲の量の低沸点成分（軽質分）を含み、例えば、０ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、１ｗｔ％～２０ｗｔ％、２ｗｔ％～１５ｗｔ％、３ｗｔ％～１５ｗｔ％、１ｗｔ％～１０ｗｔ％、１２ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～６５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～６０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～５５ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは７０ｗｔ．％未満の低沸点成分を含んでもよく、例えば、６５ｗｔ．％未満、６０ｗｔ．％未満、５５ｗｔ．％未満、５０ｗｔ．％未満、２０ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、または１５ｗｔ％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは０ｗｔ．％超の低沸点成分を含んでもよく、例えば、１ｗｔ％超、２ｗｔ％超、３ｗｔ％超、５ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、１２ｗｔ．％超、または１５ｗｔ．％超であってもよい。

[0035]一実施形態において、粗アジポニトリルストリームは０ｗｔ．％～２０ｗｔ．％の範囲の量の重質分を含み、例えば、０ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～８ｗｔ．％、１ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～８ｗｔ．％、２ｗｔ．％～５ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、または２．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルストリームは２０ｗｔ．％未満の重質分を含んでもよく、例えば、１５ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、８ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルストリームは０ｗｔ．％超の重質分を含んでもよく、例えば、０．５ｗｔ．％超、１ｗｔ．％超、１．５ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、または２．５ｗｔ．％超であってもよい。

[0036]いくつかの実施形態において、粗アジポニトリルストリームは固体不純物も含み得る。これらの不純物は、この温度および圧力条件下では固体である様々な有機不純物を含んでもよい。例えば、固体不純物は、固体シアノカーボン化合物を含んでもよい。一実施形態において、粗アジポニトリルストリームは、０ｗｔ．％～２５ｗｔ．％の範囲の量の固体不純物を含み、例えば、０ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、または０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルストリームは、２５ｗｔ．％未満を含んでもよく、例えば、２０ｗｔ．％未満、１５ｗｔ．％未満、または１０ｗｔ．％未満であってもよい。

[0037]いくつかの実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは、ニトリル（一般に、例えば、高沸点および／または低沸点ニトリル）を含む。一実施形態において、粗アジポニトリルプロセスストリームは、供給ストリームの全重量を基準として０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％の範囲の量のニトリルを含み、例えば、０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、３０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、４０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～９０ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８９ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８８ｗｔ．％、５０ｗｔ．％～８５ｗｔ．％、または５０ｗｔ．％～８４ｗｔ．％である。上限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、９０ｗｔ．％未満のニトリルを含んでもよく、例えば、８９ｗｔ．％、８８ｗｔ．％未満、８５ｗｔ．％未満、または８４ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％超のニトリルを含んでもよく、例えば、１０ｗｔ．％超、２０ｗｔ．％超、３０ｗｔ．％超、４０ｗｔ．％超、または５０超であってもよい。

フラッシングおよびアジポニトリルプロセスストリーム
[0038]上記のように、粗アジポニトリルストリームはフラッシングステップにおいて分離されて、アジポニトリルおよび低沸点成分（軽質分）ならびに（任意により少量の）高沸点成分（重質分）を含むアジポニトリルプロセスストリーム（塔頂ストリーム）と、高沸点成分および固体不純物を含む第１の塔底ストリームとを形成する。場合によっては、フラッシングステップは、粗アジポニトリルストリーム中に存在する重質分および／または固体不純物のかなりの部分（全てではないとしても）を除去する。発明者らは、さらなる加工の前に重質分を除去することは、高沸点成分の分解を有益に減少させ、それにより全精製プロセスの効率を向上させることを見出している。この最初の重質分の除去を行わないと、追加の非ＴＣＨ成分が形成され、次いでこれを分離しなければならず、追加の操作と不確実性が生じる。さらに、発明者らは、重質分と固体不純物を早期に除去すると、塔の汚染が低減し、それが下流の効率を向上させ、それに続く分離操作の必要性を排除または低減することも見出している。フラッシングにおける供給ストリームの滞留時間は本明細書で検討されるように短い滞留時間であってもよい。

[0039]いくつかの実施形態において、第１の分離ステップは、フラッシャー、例えば、フラッシュ蒸発器における分離を含む。これらの実施形態において、粗アジポニトリルストリームは蒸発させられ、塔頂ストリーム、例えばアジポニトリルプロセスストリーム、および第１の塔底ストリームに分離される。様々なフラッシャーが当業者には公知であり、本明細書に記載の分離が達成される限り、任意適切なフラッシャーを採用してもよい。いくつかの実施形態において、フラッシャーにおける分離は、供給ストリームを加熱することなく、圧力を低下させることにより、例えば、断熱フラッシュにより引き起こされてもよい。他の実施形態において、フラッシャーにおける分離は、圧力を変化させることなく供給ストリームの温度を上昇させることにより引き起こされてもよい。さらに他の実施形態において、フラッシャーにおける分離は、供給ストリームを加熱しながら圧力を低下させることにより引き起こされてもよい。いくつかの実施形態において、第１の分離ステップはワイプ膜式蒸発器（ＷＦＥ）によって達成される。

[0040]いくつかの実施形態において、フラッシングステップはフラッシュ蒸発器において減圧、例えば真空下で粗アジポニトリルストリームを分離するステップを含む。いくつかの実施形態において、フラッシュ蒸発器内の圧力は、３３３３．０６Ｐａ（２５ｔｏｒｒ）未満に減圧され、例えば、２６６６．４５Ｐａ（２０ｔｏｒｒ）未満、１３３３．２２Ｐａ（１０ｔｏｒｒ）未満、６６６．６１２Ｐａ（５ｔｏｒｒ）未満、または１３３．３２Ｐａ（１ｔｏｒｒ）未満とされる。いくつかの実施形態において、フラッシングステップのフラッシュ室は、一定の温度に保たれる。いくつかの実施形態において、フラッシュ室の温度は、１７５℃～２３５℃であってもよく、例えば、１８０℃～２３０℃、１８５℃～２２５℃、または１９０℃～２２０℃であってもよい。第１の塔底ストリームは、高沸点成分（重質分）を含む。第１の塔底ストリーム中に存在し得る重質分の例には、異性体トリシアノヘキサン、トリ（２－シアノエチル）アミン、およびこれらの組み合わせが含まれる。一実施形態において、第１の分離ステップはフラッシャーで行われ、第１の塔底ストリームは、異性体トリシアノヘキサンおよびトリ（２－シアノエチル）アミンを含む。第１の塔底ストリームは、固体不純物も含んでもよい。一実施形態において、フラッシングステップは、粗アジポニトリルストリームから固体不純物を全て（実質的に全て）除去する。別の言い方をすれば、本実施形態において、フラッシュ塔頂ストリームは、事実上０ｗｔ．％の固体不純物を含む。他の実施形態において、フラッシングステップは、１００％未満の固体不純物を除去してもよく、例えば、９９．９％未満、９９％未満、または９８％未満を除去してもよい。

[0041]いくつかの実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームは９９ｗｔ．％未満のＴＣＨを含み、例えば、９７ｗｔ％未満、９０ｗｔ％未満、８０ｗｔ％未満、７０ｗｔ．％未満のＴＣＨ、例えば、５０ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、２５ｗｔ．％未満、２０ｗｔ．％未満、１８ｗｔ．％未満、１５ｗｔ．％未満、１２ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％未満である。範囲の観点からは、粗アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ％～９９ｗｔ％のＴＣＨを含んでもよく、例えば、５０ｗｔ％～９９ｗｔ％、７５ｗｔ％～９８ｗｔ％、８５ｗｔ％～９８ｗｔ％、９０ｗｔ％～９７ｗｔ％、０．１ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～７０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２３ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～１２ｗｔ．％、または２ｗｔ．％～１１ｗｔ．％であってもよい。下限の観点からは、粗アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ．％超のＴＣＨを含んでもよく、例えば、０．３ｗｔ．％超、０．５ｗｔ．％超、０．７ｗｔ．％超、１．０ｗｔ．％超、１．５ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、５ｗｔ．％超、２５ｗｔ％超、５０ｗｔ％超、７５ｗｔ％超、８５ｗｔ％超、８５ｗｔ％超、または９０ｗｔ％超であってもよい。

[0042]アジポニトリルプロセスストリームは９０ｗｔ％未満のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、７５ｗｔ％未満、５０ｗｔ％未満、４０ｗｔ％未満、３５ｗｔ％未満、３０ｗｔ％未満、２０ｗｔ％未満、１８ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、１２ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、４ｗｔ％未満、３ｗｔ％未満、または２ｗｔ％未満であってもよい。範囲の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは０．１ｗｔ％～９０ｗｔ％のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．１ｗｔ％～７５ｗｔ％、０．１ｗｔ％～４０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～５ｗｔ％、０．５ｗｔ％～５ｗｔ％、０．５ｗｔ％～３ｗｔ％、０．５ｗｔ％～３０ｗｔ％、１ｗｔ％～２０ｗｔ％、２ｗｔ％～２０ｗｔ％、５ｗｔ％～１８ｗｔ％、または５ｗｔ％～１５ｗｔ％であってもよい。下限の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは０．１ｗｔ％超のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．３ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、１．０ｗｔ％超、１．５ｗｔ％超、２ｗｔ％超、または５ｗｔ．％超であってもよい。

[0043]一実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームは０ｗｔ．％～７０ｗｔ．％の範囲の量の軽質分を含み、例えば、０．１ｗｔ％～３０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～５０ｗｔ％、０ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、３ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０．３ｗｔ．％～３ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２ｗｔ．％、１ｗｔ．％～３ｗｔ．％、３ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、３ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、４ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、４ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、４ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、４ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、４ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、または５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％である。上限の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは、７０ｗｔ．％未満の軽質分を含んでもよく、例えば、５０ｗｔ％未満、３０ｗｔ％未満、２５ｗｔ．％未満、２０ｗｔ．％未満、１５ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、５ｗｔ％未満、３ｗｔ％未満、または２ｗｔ％未満であってもよい。下限の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％超の軽質分を含んでもよく、例えば、０．１ｗｔ％超、０．３ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、１ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、３ｗｔ．％超、４ｗｔ．％超、または５ｗｔ．％超であってもよい。

[0044]一実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％～２０ｗｔ．％の範囲の量の重質分を含み、例えば、０ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～８ｗｔ．％、１ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、１．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～８ｗｔ．％、２ｗｔ．％～５ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～１５ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２．５ｗｔ．％～８ｗｔ．％、または２．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％である。上限の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは、２０ｗｔ．％未満の重質分を含んでもよく、例えば、１５ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、８ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、アジポニトリルプロセスストリームは、０ｗｔ．％超の重質分を含んでもよく、例えば、０．５ｗｔ．％超、１ｗｔ．％超、１．５ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、または２．５ｗｔ．％超であってもよい。

[0045]場合によっては、フラッシングステップは粗アジポニトリルストリームから重質分のかなりの部分を除去する。別の言い方をすれば、アジポニトリルプロセスストリームは含むとしても供給ストリーム中に最初に存在する重質分のうちの少量を含む。いくつかの実施形態において、アジポニトリルプロセスストリームは、供給ストリーム中に存在する重質分の７０％未満を含み、例えば、６５％未満、６０％未満、５５％未満、または５０％未満である。

分離および第１のＴＣＨストリーム
[0046]上記のように、アジポニトリルプロセスストリームは分離ステップにおいて分離されて、第１のＴＣＨストリームと、アジポニトリルおよび軽質分（低沸点成分）を含むアジポニトリルストリームと、重質分（高沸点成分）を含む重質分ストリームとを形成する。分離ステップは、場合によっては、アジポニトリルプロセスストリーム中に存在する低沸点成分および高沸点成分のかなりの部分（全てではないとしても）を除去する。場合によっては、分離ステップは１つまたは複数の塔、例えば、２つの塔を含む。いくつかの実施形態において、分離ステップは、２つの塔を含み、第１の蒸留塔は塔頂ストリーム（アジポニトリルを含む）としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリームとを形成する。次いで、第２の塔底ストリームは第２の蒸留塔において分離されて、第３の塔底ストリームとしての重質分ストリームと、第３の塔頂ストリームとしてのＴＣＨストリームを形成する。

[0047]本明細書で検討される様々な分離ステップは１つもしくは複数の蒸留塔および／または１つもしくは複数のフラッシュ蒸発器におけるアジポニトリルプロセスストリームの分離を含み得る。１つまたは複数の蒸留塔の構造は、非常に様々であってもよい。様々な蒸留塔が当業者に公知であり、本明細書に記載の分離が達成される限り、任意適切な塔を第２の分離ステップに採用してもよい。例えば、蒸留塔は、任意適切な分離デバイスまたは分離デバイスの組み合わせを含んでもよい。例えば、蒸留塔は１つの塔、例えば、標準蒸留塔、充填塔、抽出蒸留塔および／または共沸蒸留塔を含み得る。同様に、上記のように、様々なフラッシャーが当業者に公知であり、本明細書に記載の分離が達成される限り、任意適切なフラッシャーを第２の分離工程に採用してもよい。例えば、フラッシャーは、断熱フラッシュ蒸発器、加熱フラッシュ蒸発器、もしくはワイプ膜式蒸発器、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。

[0048]分離ステップの実施形態は、前述のストリームが形成される限り、１つもしくは複数の蒸留塔および／または１つもしくは複数のフラッシャーの任意の組み合わせを含んでもよい。

[0049]例えば、一実施形態において、分離ステップは２つの連続する蒸留塔においてアジポニトリルプロセスストリームを分離するステップを含む。本実施形態において、第１の塔頂軽質分ストリームは、第１の蒸留塔において分離される。第２の塔頂軽質分ストリームが、第１の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口（ｓｉｄｅ ｄｒａｗ））から収集され、第２の塔底（中間）重質分ストリームが、第１の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。次いで、第２の塔底（中間）重質分ストリームの少なくとも一部が、第２の蒸留塔において分離される。第３の塔底重質分ストリームが、第２の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。ＴＣＨストリームは、第２の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から、例えば、第３の塔頂軽質分ストリームとして収集される。

[0050]別の実施形態において、分離ステップは３つの蒸留塔においてアジポニトリルプロセスストリームを分離するステップを含む。本実施形態において、このストリームは第１の蒸留塔において分離される。第２の塔頂軽質分ストリームは第１の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から収集され、第２の塔底重質分ストリームは第１の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。次いで第２の塔底重質分ストリームの少なくとも一部が第２の蒸留塔において分離される。第３の塔頂軽質分ストリームは第２の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から収集され、第３の塔底重質分ストリームは第２の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。次いで、第３の塔頂軽質分ストリームの少なくとも一部が、第３の蒸留塔において分離される。第４の塔底重質分ストリームが、第３の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集され、ＴＣＨストリームは、第３の蒸留塔の頂部（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から、例えば、第４の塔頂軽質分ストリームとして収集される。

[0051]別の実施形態において、分離ステップは、２つの蒸留塔および蒸発器（例えば、フラッシャー、ＷＦＥ、または流下膜式蒸発器）においてアジポニトリルプロセスストリームを分離するステップを含む。本実施形態において、第１の塔頂軽質分ストリームは、第１の蒸留塔において分離される。第２の塔頂軽質分ストリームが、第１の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から収集され、第２の塔底重質分ストリームが、第１の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。次いで、第２の塔底重質分ストリームの少なくとも一部が第２の蒸留塔において分離される。第３の塔頂軽質分ストリームが、第２の蒸留塔の塔頂（例えば、塔頂部および／または比較的高い位置の塔側抜出口）から収集され、第３の塔底重質分ストリームが、第２の蒸留塔の塔底（例えば、塔底部および／または比較的低い位置の塔側抜出口）から収集される。次いで、第３の塔頂軽質分ストリームの少なくとも一部が、蒸発器において分離される。第４の塔頂軽質分ストリームが、蒸発器の頂部から収集され、ＴＣＨストリームは、蒸発器の塔底から、例えば、第４の塔底重質分ストリームとして収集される。

[0052]上記のように、低い圧力低下の塔作動は予想外に効果的であることが判明した。例えば、低い圧力低下の作動は、任意に本明細書で検討される他の分離パラメータと組み合わせて、かなりのプロセス効率、例えば、固体劣化の改善を提供する一方で、低いＴＣＨ含有量のアジポニトリルプロセスストリームを効果的に分離して、高純度の（第１の）ＴＣＨストリームを形成する。

ＴＣＨストリーム
[0053]開示された運転パラメータの結果として、いくつかの実施形態において、（第１の）ＴＣＨストリームは１ｗｔ％超のＴＣＨを含んでもよく、例えば、５ｗｔ％超、１０ｗｔ％超、２０ｗｔ％超、２５ｗｔ％超、３０ｗｔ％超、３５ｗｔ％超、５０ｗｔ％超、７５ｗｔ％超、８５ｗｔ％超、９０ｗｔ％超、９３％超、または９５ｗｔ％超であってもよい。範囲の観点からは、第１のＴＣＨストリームは、１ｗｔ％～９９．９ｗｔ％のＴＣＨを含んでもよく、例えば、２５ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、５０ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、７５ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、９０ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、８５ｗｔ％～９９．５ｗｔ％、５ｗｔ％～９９ｗｔ％、５０ｗｔ％～９９ｗｔ％、５ｗｔ％～９５ｗｔ％、２５ｗｔ％～９０ｗｔ％、４５ｗｔ％～９０ｗｔ％、または５０ｗｔ％～８５ｗｔ％であってもよい。上限の観点からは、第１のＴＣＨストリームは、９９．９ｗｔ％未満のＴＣＨを含み、例えば、９９ｗｔ％未満、９９．５ｗｔ％未満、９５ｗｔ％未満、９０ｗｔ％未満、８５ｗｔ％未満、８０ｗｔ％未満、７５ｗｔ％未満、または６５ｗｔ％未満である。

[0054]いくつかの実施形態において、（第１の）ＴＣＨストリームは、９０ｗｔ．％～１００ｗｔ．％の範囲のより多量のＴＣＨを含み、例えば、９０ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９８ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９２．５～９８ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９５～９８ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９７．５～９９ｗｔ．％、または９７．５～９８ｗｔ．％である。上限の観点からは、ＴＣＨストリームは、１００ｗｔ．％未満のＴＣＨを含んでもよく、例えば、９９．９ｗｔ．％未満、９９ｗｔ．％未満、または９８ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、ＴＣＨストリームは、９０ｗｔ．％超を含んでもよく、例えば、９２．５ｗｔ．％超、９５ｗｔ．％超、または９７．５ｗｔ．％超であってもよい。従来のプロセスでは、このような高いＴＣＨ純度レベルを達成することはできなかった。

[0055]一実施形態において、ＴＣＨストリームは、０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％の範囲の量の不純物、例えば、重質分および／または軽質分を含み、例えば、０ｗｔ．％～７．５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～２．５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～７．５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～２．５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～１．５ｗｔ．％、０．２ｗｔ．％～１．２ｗｔ．％、０．３ｗｔ．％～１．５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１．０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～７．５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２．５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～７．５ｗｔ．％、２ｗｔ．％～５ｗｔ．％、または２ｗｔ．％～２．５ｗｔ．％である。上限の観点からは、ＴＣＨストリームは、１０ｗｔ．％未満の不純物を含んでもよく、例えば、７．５ｗｔ．％未満、５ｗｔ．％未満、２．５ｗｔ．％未満、１．５ｗｔ．％未満、１．２ｗｔ．％、または１．０ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、ＴＣＨストリームは、０ｗｔ．％超の不純物を含んでもよく、例えば、０．１ｗｔ．％超、１ｗｔ．％超、または２ｗｔ．％超であってもよい。ＴＣＨストリームは、これらの量のアミンおよび／またはニトリルを含んでもよい。場合によっては、分離においてより低い圧力を使用すると、驚くべきことに、ＴＣＨの沸点に近い沸点を有する成分、例えば、ＣＶＡの分離が改善される。これらの範囲および限界は、重質分および軽質分に個別に、または組み合わされて適用される。

[0056]一実施形態において、第１のＴＣＨストリームは０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のアジポニトリル、０ｗｔ．％～０．１ｗｔ．％のジ（２－シアノエチル）アミン、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のシアノバレルアミド、および０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のトリ（２－シアノエチル）アミンを含む。

[0057]（第１の）ＴＣＨストリームは、２５ｗｔ．％未満のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、２３ｗｔ．％未満、２０ｗｔ．％未満、１８ｗｔ．％未満、１５ｗｔ．％未満、１２ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、８ｗｔ．％未満、５ｗｔ．％未満、３ｗｔ．％未満、１ｗｔ．％未満、０．０５ｗｔ．％未満、または０．０３ｗｔ．％未満であってもよい。範囲の観点からは、（第１の）ＴＣＨストリームは、０．００１ｗｔ．％～２５ｗｔ．％のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．０５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～２５ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～２２ｗｔ．％、１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、または５ｗｔ．％～１８ｗｔ．％であってもよい。下限の観点からは、（第１の）ＴＣＨストリームは、０．００１ｗｔ．％超のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、０．０１ｗｔ％超、０．０１ｗｔ．％超、０．５ｗｔ．％超、１．０ｗｔ．％超、２．０ｗｔ．％超、５．０ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％超であってもよい。

[0058]一実施形態において、ＴＣＨストリームは０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のアジポニトリル、０ｗｔ．％～０．１ｗｔ．％のジ（２－シアノエチル）アミン、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のシアノバレルアミド、および０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のトリ（２－シアノエチル）アミンを含む。

アジポニトリルストリーム
[0059]いくつかの実施形態において、アジポニトリルストリームは１ｗｔ％超のＴＣＨを含んでもよく、例えば、５ｗｔ％超、１０ｗｔ％超、２０ｗｔ％超、２５ｗｔ％超、３０ｗｔ％超、３５ｗｔ％超、５０ｗｔ％超、６０ｗｔ％超、または７０ｗｔ％超であってもよい。範囲の観点からは、アジポニトリルストリームは１ｗｔ％～９５ｗｔ％、５ｗｔ％～９５ｗｔ％、２０ｗｔ％～９５ｗｔ％、３０ｗｔ％～９５ｗｔ％、４５ｗｔ％～８０ｗｔ％、５０ｗｔ％～９５ｗｔ％、６０ｗｔ％～９０ｗｔ％、７０ｗｔ％～９０ｗｔ％、２５ｗｔ％～７５ｗｔ％、３０ｗｔ％～７０ｗｔ％、または４０ｗｔ％～６０ｗｔ％のＴＣＨを含んでもよい。下限の観点からは、アジポニトリルストリームは９５ｗｔ％未満のＴＣＨを含み、例えば、９０ｗｔ％未満、８５ｗｔ％未満、８０ｗｔ％未満、７５ｗｔ％未満、６５ｗｔ％未満、または６０ｗｔ．％未満である。

[0060]いくつかの実施形態において、アジポニトリルストリームは１ｗｔ％超のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、５ｗｔ％超、６ｗｔ％超、１０ｗｔ％超、２０ｗｔ％超、２５ｗｔ％超、３０ｗｔ％超、３５ｗｔ％超、または５０ｗｔ％超であってもよい。範囲の観点からは、アジポニトリルストリームは１ｗｔ％～９５ｗｔ％、５ｗｔ％～９５ｗｔ％、７ｗｔ％～７５ｗｔ％、５ｗｔ％～３５ｗｔ％、６ｗｔ％～３０ｗｔ％、２５ｗｔ％～７５ｗｔ％、３０ｗｔ％～７０ｗｔ％、または４０ｗｔ％～６０ｗｔ％のアジポニトリルを含んでもよい。下限の観点からは、アジポニトリルストリームは９５ｗｔ％未満のＴＣＨを含み、例えば、９０ｗｔ％未満、８５ｗｔ％未満、８０ｗｔ％未満、７５ｗｔ％未満、６５ｗｔ％未満、６０ｗｔ％未満、または３０ｗｔ％未満である。

[0061]アジポニトリルストリームは７０ｗｔ％未満の軽質分を含んでもよく、例えば、５０ｗｔ％未満、３５ｗｔ％未満、２５ｗｔ％未満、２０ｗｔ％未満、１５ｗｔ％未満、１２ｗｔ％未満、または１０ｗｔ％未満であってもよい。範囲の観点からは、アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ％～７０ｗｔ％の軽質分を含んでもよく、例えば、０．１ｗｔ％～５０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～２５ｗｔ％、０．５ｗｔ％～２５ｗｔ％、１０ｗｔ％～２５ｗｔ％、１ｗｔ％～２０ｗｔ％、２ｗｔ％～１８ｗｔ％、２ｗｔ％～１５ｗｔ％、または２ｗｔ％～１０ｗｔ％であってもよい。下限の観点からは、アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ％超の軽質分を含んでもよく、例えば、０．３ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、１．０ｗｔ％超、１．５ｗｔ％超、２ｗｔ％超、または５ｗｔ％超であってもよい。上記のように、場合によっては、「軽質分」という用語はより低い沸点、例えば、アジポニトリルより低い沸点またはＴＣＨより低い沸点を有する成分を指す。

[0062]アジポニトリルストリームは高沸点成分（重質分）を含む。一実施形態において、アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ％～５０ｗｔ％の範囲の量の高沸点成分を含む、例えば、０．１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～３ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、例えば、５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、８ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、８ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％である。上限の観点からは、アジポニトリルストリームは５０ｗｔ．％未満の高沸点成分を含んでもよく、例えば、４５ｗｔ．％未満、４０ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、３０ｗｔ．％未満、２０ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、５ｗｔ．％未満、または３ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、アジポニトリルストリームは０．１ｗｔ．％超の高沸点成分を含んでもよく、例えば、０．５ｗｔ％超、１ｗｔ．％超、５ｗｔ．％超、８ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、１２ｗｔ．％超、または１５ｗｔ．％超であってもよい。

[0063]場合によっては、分離は２塔システムにおいて達成され得る。第１の塔はアジポニトリルストリームおよび中間塔底ストリームを生じ、後者は第２の塔に供給される。中間塔底ストリームは多量のＴＣＨを含んでもよく、次いで、例えば、１つまたは複数の追加の塔においてさらに分離されてもよい。例えば、中間塔底ストリームは、いくつかの実施形態において、９０ｗｔ．％～１００ｗｔ．％の範囲の多量のＴＣＨを含み、例えば、９０ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９８ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９２．５～９８ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９５～９８ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９７．５～９９ｗｔ．％、または９７．５～９８ｗｔ．％である。上限の観点からは、中間塔底ストリームは、１００ｗｔ．％未満のＴＣＨを含んでもよく、例えば、９９．９ｗｔ．％未満、９９ｗｔ．％未満、または９８ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、中間塔底ストリームは、９０ｗｔ．％超を含んでもよく、例えば、９２．５ｗｔ．％超、９５ｗｔ．％超、または９７．５ｗｔ．％超であってもよい。

[0064]中間塔底ストリームは少量のアジポニトリルおよび軽質分をさらに含み得る（ＴＣＨストリームについて本明細書で検討されたのと同様の量）。中間塔底ストリームは重質分をさらに含み得る（（第２の）中間アジポニトリルストリームについて本明細書で検討されたのと同様の量）。

[0065]場合によっては、中間塔底ストリームはさらに分離されて、例えば、塔底重質分ストリームおよびＴＣＨストリームを生じ得る。
重質分ストリーム
[0066]開示された運転パラメータの結果として、いくつかの実施形態において、場合によっては２塔システムの第２の塔からの塔底ストリームであってもよい重質分ストリームは多量のＴＣＨならびに重質分を含み得る。

[0067]重質分ストリームは高沸点成分（重質分）を含む。一実施形態において、重質分ストリームは０．１ｗｔ％～５０ｗｔ．％の範囲の量の高沸点成分を含み、例えば、０．１ｗｔ．％～２０ｗｔ．％、０．１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、０．５ｗｔ．％～５ｗｔ．％、１ｗｔ．％～３ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、例えば、５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、８ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、８ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、８ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１２ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％である。上限の観点からは、重質分ストリームは５０ｗｔ．％未満の高沸点成分を含んでもよく、例えば、４５ｗｔ．％未満、４０ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、３０ｗｔ．％未満、２０ｗｔ．％未満、１０ｗｔ．％未満、５ｗｔ．％未満、または３ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、第２の塔底重質分ストリームは、０．１ｗｔ．％超の高沸点成分を含んでもよく、例えば、０．５ｗｔ％超、１ｗｔ．％超、５ｗｔ．％超、８ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、１２ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％超であってもよい。

[0068]場合によっては、重質分ストリームは９０ｗｔ．％～１００ｗｔ．％の範囲の量のＴＣＨを含んでもよく、例えば、９０ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９８ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９２．５～９８ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９５～９８ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９７．５～９９ｗｔ．％、または９７．５～９８ｗｔ．％であってもよい。上限の観点からは、重質分ストリームは１００ｗｔ．％未満のＴＣＨを含んでもよく、例えば、９９．９ｗｔ．％未満、９９ｗｔ．％未満、または９８ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、重質分ストリームは９０ｗｔ．％超を含んでもよく、例えば、９２．５ｗｔ．％超、９５ｗｔ．％超、または９７．５ｗｔ．％超である。

[0069]いくつかの実施形態において、重質分ストリームは少量の軽質分および／またはアジポニトリルを含み得る。例えば、重質分ストリームは中間塔底ストリームまたはＴＣＨストリームに関して上で検討されたのと同様の量の軽質分および／またはアジポニトリルを含み得る。重質分ストリームはアジポニトリルストリームについて本明細書で検討されたのと同様の量の重質分をさらに含み得る。

精製
[0070]場合によっては、第１のＴＣＨストリームはさらに精製されて、精製されたＴＣＨストリームを生じる。場合によっては、精製は１つまたは複数の塔における精製を含む。塔作動は第１の塔に関して開示された通り、例えば、低い圧力低下および／または高効率パッキング材料であり得る。顕著な利益がこれらの作動に伴う。

[0071]場合によっては、精製されたＴＣＨストリームはＴＣＨを含む。一実施形態において、精製されたＴＣＨストリームは９０ｗｔ．％～１００ｗｔ．％の範囲の量のＴＣＨを含み、例えば、９０ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９０ｗｔ．％～９８ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９２．５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９２．５～９８ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９５ｗｔ．％～９９ｗｔ．％、９５～９８ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、９７．５ｗｔ．％～９９．９ｗｔ．％、９７．５～９９ｗｔ．％、または９７．５～９８ｗｔ．％である。上限の観点からは、精製されたＴＣＨストリームは１００ｗｔ．％未満のＴＣＨを含んでもよく、例えば、９９．９ｗｔ．％未満、９９ｗｔ．％未満、または９８ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、精製されたＴＣＨストリームは９０ｗｔ．％超を含んでもよく、例えば、９２．５ｗｔ．％超、９５ｗｔ．％超、または９７．５ｗｔ．％超であってもよい。従来のプロセスはそのような高いＴＣＨ純度レベルを達成することができなかった。

[0072]一実施形態において、精製されたＴＣＨストリームは不純物、例えば、アジポニトリル、アミン、およびその他の不純物を、第１のＴＣＨストリームに関して本明細書で検討された量で含む。

[0073]場合によっては、第１の塔頂ストリーム（第１の塔からの）は、任意に１つまたは複数の蒸留塔によって精製されて、５０ｗｔ％超のアジポニトリルを含む精製されたアジポニトリルストリームを形成する。場合によっては、中間アジポニトリルストリームは、プロセス外の既存の精製設備を使用して、例えば、異なるプロセスのための分離トレインにおいて精製されてもよい。

[0074]いくつかの実施形態において、精製されたアジポニトリルストリームは、１０ｗｔ％超のアジポニトリルを含み、例えば、２５ｗｔ％超、５０ｗｔ％超、７５ｗｔ％超、９０ｗｔ％超、９２ｗｔ％超、９５ｗｔ％超、または９７ｗｔ％超である。範囲の観点からは、精製されたアジポニトリルストリームは、５０ｗｔ％～１００ｗｔ％のアジポニトリルを含んでもよく、例えば、５０ｗｔ％～９９．５ｗｔ％、６５ｗｔ％～９９ｗｔ％、７５ｗｔ％～９９ｗｔ％、９０ｗｔ％～９７ｗｔ％、または９０ｗｔ％～９５ｗｔ％であってもよい。

[0075]場合によっては、精製されたアジポニトリルストリームとＴＣＨストリームの両方が存在する（本明細書に記載のように）。いくつかの実施形態において、精製されたアジポニトリルストリームは、９５ｗｔ％超のアジポニトリルを含み、ＴＣＨストリームは、９５ｗｔ％超のＴＣＨを含む。

[0076]場合によっては、第１の塔頂ストリームの精製は、外部のシステム、例えばアジポニトリル製造プロセスにおける精製プロセスなどにおいて行われてもよい。
分解
[0077]上記のように、発明者らは現在、従来のＴＣＨ精製プロセスにおいては、ある特定の高沸点成分がより高い沸点および／またはより低い沸点の両方を有する不純物に分解されやすいことを見出している。発明者らはまた、従来のプロセスではＴＣＨさえ高い圧力および／または温度で分解する可能性があることも見出した。特に、発明者らはこの度、塔内のような高い圧力および／または温度への長時間の曝露が高沸点成分の分解に寄与することを見出した。本明細書に開示された特定のプロセスパラメータを利用することにより、この分解が効果的に軽減されることができる。

[0078]従来のプロセスは、高沸点成分、例えば大気圧で約４０７℃のＴＣＨの存在のため、典型的にはプロセスストリームを高温に曝露することを必要とする。したがって、当業者であれば理解できるように、ＴＣＨの精製は従来、プロセスストリームを高温、例えば、少なくとも３５０℃、少なくとも３７５℃、少なくとも４００℃、または少なくとも４１０℃に曝露することを必要とする。しかし、これらの高温では、本発明者らは、高沸点成分、例えばＴＣＨおよびアジポニトリルが急速に分解することを見出している。結果として、従来のプロセスは、非常に非効率的となる。しかし、本明細書に開示する特定のプロセスパラメータを利用することにより、この分解を効果的に軽減または排除することができる。

[0079]一態様において、精製プロセスは、例えば、分離操作においてプロセスストリームが高温に曝露される滞留時間を短縮することにより分解を抑制してもよい。一般に、プロセスストリームは、塔内で高温および／または高圧に曝露されることがある。長時間の曝露を減らすため、プロセスは、所与の塔におけるストリームの滞留時間を短縮してもよい。例えば、プロセスは、塔におけるアジポニトリルプロセスストリーム（もしくは別の精製ストリーム）の滞留時間を制御してもよい。一実施形態において、プロセスは、塔におけるアジポニトリルプロセスストリーム（もしくは別の精製ストリーム）の滞留時間を８時間未満に制限し、例えば、７時間未満、６時間未満、５時間未満、または４時間未満とする。

[0080]いくつかの態様において、精製プロセスは高い圧力および／または圧力低下に対するプロセスストリームの曝露を減らすことにより分解を抑制し得る。例えば、プロセスはアジポニトリルプロセスストリーム（または別の精製ストリーム）が例えば分離ステップにおいて曝露される圧力を制御し得る。一実施形態において、精製プロセスは分離ステップが行われる圧力を制限する。例えば、運転圧力は６６６６．１２Ｐａ（５０ｔｏｒｒ）未満に制限されてもよく、例えば、５９９９．５１Ｐａ（４５ｔｏｒｒ）未満、５３３２．８９Ｐａ（４０ｔｏｒｒ）未満、４６６６．２８Ｐａ（３５ｔｏｒｒ）未満、３９９９．６７Ｐａ（３０ｔｏｒｒ）未満、または３３３３．０６Ｐａ（２５ｔｏｒｒ）未満とされてもよい。高圧への長時間の曝露を減らすために、プロセスは所与の塔におけるストリームの滞留時間を短縮してもよい。例えば、プロセスは高圧塔（例えば、６６６６．１２Ｐａ（５０ｔｏｒｒ）超の高い圧力の塔）におけるアジポニトリルプロセスストリームの滞留時間を制御し得る。

[0081]いくつかの態様において、精製プロセスは、第２の分離ステップにおいて１つまたは複数（例えば、全て）の蒸留塔を減圧で運転することにより分解を抑制してもよい。圧力が低いほど、高沸点成分の沸点が低下し、高温への曝露を用いたプロセスストリームの効果的な分離が可能となる。別の言い方をすれば、第２の分離の蒸留塔の少なくとも１つは、低圧蒸留塔である。一実施形態において、低圧蒸留塔は、１００ｍｍＨｇ未満の塔頂部圧力で運転され、例えば、８０ｍｍＨｇ未満、６０ｍｍＨｇ未満、４０ｍｍＨｇ未満、２０ｍｍＨｇ未満、１５ｍｍＨｇ未満、１０ｍｍＨｇ未満、５ｍｍＨｇ未満、または３ｍｍＨｇ未満とされる。一実施形態において、低圧蒸留塔は、１００ｍｍＨｇ未満の塔底部圧力で運転され、例えば、８０ｍｍＨｇ未満、６０ｍｍＨｇ未満、４０ｍｍＨｇ未満、２０ｍｍＨｇ未満、１５ｍｍＨｇ未満、１０ｍｍＨｇ未満、５ｍｍＨｇ未満、または３ｍｍＨｇ未満とされる。一実施形態において、低圧蒸留塔は、真空下で運転される。

[0082]一態様において、分離および／または精製ステップは、プロセスストリームの高温への曝露を低減することにより分解を抑制してもよい。例えば、プロセスは、例えば分離ステップにおいて、アジポニトリルプロセスストリーム（または別の精製ストリーム）が曝露される温度を制御してもよい。一実施形態において、精製プロセスは、分離ステップが行われる温度を制限する。例えば、運転温度は、３５０℃未満に制限されてもよく、例えば、３２５℃未満、３００℃未満、２７５℃未満、または２５０℃未満とされてもよい。範囲の観点からは、運転温度は、２２５℃～３５０℃の範囲であってもよく、例えば、２５０℃～３２５℃もしくは２７５℃～３００℃、または２５０℃～２７５℃であってもよい。

[0083]いくつかの態様において、プロセスは、ストリームが曝露される温度と、その温度に曝露される時間の両方を制御してもよい。例えば、プロセスは、塔におけるアジポニトリルプロセスストリーム（もしくは別の精製ストリーム）の滞留時間だけでなく、その蒸留塔の温度も制御してもよい。一実施形態において、２３０℃超の温度におけるストリームの滞留時間は８時間未満である。温度および滞留時間に関する前述の範囲および限界は、互いに組み合わされてもよい。

[0084]いくつかの態様において、プロセスは、ストリームが曝露される温度と曝露される圧力の両方を制御してもよい。一実施形態において、プロセスは、ストリームが３００℃超の温度または４６６６．２８Ｐａ（３５ｔｏｒｒ）超の圧力に曝露されないように制御されてもよい。

[0085]他の態様において、プロセスは、ある特定の物理的な特徴を備えた塔を利用することにより分解を抑制してもよい。特に、精製プロセスにおいて採用される蒸留塔は、ある特定の形状を有してもよい。いくつかの実施形態において、蒸留塔は、高温への曝露を最小限に抑えるため、比較的小さな液溜めを有する。これらの実施形態において、各塔の液溜めは、より小さい直径となるように先細りになっていてもよく、そうすると、より高い温度への曝露の低減が可能となる。

[0086]そのような高温で効果的に作動するように、再沸器は、特殊なシステムを必要としてもよい。いくつかの実施形態において、再沸器は、高温を支えるのに十分な熱油システムを利用する。当業者は、本明細書に記載のプロセスに従い熱油システムを利用する方法を理解する。

[0087]従来の精製プロセスに対するこれらの改変は、高沸点成分の分解を低減させる。いくつかの実施形態において、これらの改変は第１の塔頂ストリームにおける第２の分離ステップ中に分解する高沸点成分の量を低下する。一実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム（または別の精製ストリーム）中の分解する高沸点成分の量はストリーム中の高沸点成分の５０ｗｔ．％未満、例えば、４５ｗｔ．％未満、４０ｗｔ．％未満、または３０ｗｔ．％未満である。下限の観点からは、分解する高沸点成分の量は、ストリーム中の高沸点成分の０ｗｔ．％超であってもよく、例えば、５ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、または１５ｗｔ．％超であってもよい。範囲の観点からは、分解する高沸点成分の量は、０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％であってもよく、例えば、０ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～５０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、または１５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％であってもよい。

[0088]いくつかの実施形態において、様々なプロセスストリームは、個々に１ｗｔ．％未満の高沸点成分の分解生成物を含み、例えば、０．８ｗｔ．％未満、０．５ｗｔ．％未満、０．３ｗｔ．％未満、０．１ｗｔ．％未満、０．０５ｗｔ．％、または０．０１ｗｔ．％未満である。

[0089]上記のように、高沸点成分は、分解して他の高沸点不純物および／または低沸点不純物になり得る。場合によっては、高沸点成分は、分解して、そうでなければ系中に存在しない他の高沸点不純物になり得る。別の言い方をすれば、分解は、系中の高沸点不純物化合物の総数の増加を引き起こし得る。本明細書に記載のように、分解を抑制することにより、分解によって引き起こされる系中に存在する高沸点不純物化合物の総数の増加を低減できる。

[0090]場合によっては、塔は短い滞留時間で作動し得る。プロセスの個々の分離および／または精製操作における供給ストリームの滞留時間は、例えば８時間未満に最小化され、例えば、７時間未満、６時間未満、５時間未満、または４時間未満である。より短い滞留時間は（任意により低い圧力低下と組み合わせて）分離／精製効率に予想外に寄与する。

リサイクルステップ
[0091]いくつかの実施形態において、プロセスは、分離ステップ中に形成される（塔底）ストリームの少なくとも一部を、上流のある点（対象物）へとリサイクルするリサイクルステップを含む。例えば、リサイクルステップは、塔またはフラッシャーの１つの重質分ストリームの少なくとも一部を、プロセスにおける上流のある点にリサイクルするステップを含んでもよい。いくつかの実施形態において、リサイクルステップは、分離ステップの重質分ストリームの少なくとも一部を、フラッシングステップのフラッシャー塔頂ストリームへとリサイクルするステップを含む。いくつかの実施形態において、リサイクルステップは、精製ステップの塔底ストリームの少なくとも一部を、フラッシングステップのフラッシャー塔頂ストリーム、および／または分離ステップの塔底ストリームへとリサイクルするステップを含む。

[0092]一実施形態において、リサイクルされたストリームは重質分を含み、これらの重質分の濃度は、驚くべきことに、結果として得られるＴＣＨストリームの純度に影響を与え、塔頂ストリーム中の高沸点成分の濃度を０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％に制御するのに役立つことがある。場合によっては、リサイクルストリーム中の高沸点成分の濃度が様々な塔頂ストリーム中の高沸点成分の量の低下に繋がり、それが結果的にアジポニトリルおよび／またはＴＣＨの純度の上昇に繋がる。

[0093]場合によっては、リサイクルされたストリームは、０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％の範囲の量の重質分を含み、例えば、０ｗｔ．％～３７．５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～３２．５ｗｔ．％、０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３７．５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３２．５ｗｔ．％、５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３７．５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３２．５ｗｔ．％、１０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３７．５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３２．５ｗｔ．％、１５ｗｔ．％～３０ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～４０ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～３７．５ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～３５ｗｔ．％、２０ｗｔ．％～３２．５ｗｔ．％、または２０ｗｔ．％～３０ｗｔ．％である。上限の観点からは、リサイクルされたストリームは、４０ｗｔ．％未満の高沸点成分を含んでもよく、例えば、３７．５ｗｔ．％未満、３５ｗｔ．％未満、３２．５ｗｔ．％未満、または３０ｗｔ．％未満であってもよい。下限の観点からは、リサイクルされたストリームは、０ｗｔ．％超の高沸点成分を含んでもよく、例えば、５ｗｔ．％超、１０ｗｔ．％超、１５ｗｔ．％超、または２０ｗｔ．％超であってもよい。

[0094]いくつかの態様において、リサイクルステップは、対象物中の重質分の濃度を制御する。例えば、リサイクルステップは、重質分を含有するストリームをフラッシャーストリームへとリサイクルすることにより、フラッシャー塔頂ストリーム中の重質分の濃度を制御してもよい。

[0095]一実施形態において、リサイクルすることで、リサイクルステップは対象物中の重質分の濃度を０ｗｔ．％～１０ｗｔ．％となるように制御し、例えば、０ｗｔ．％～９ｗｔ．％、０ｗｔ．％～８ｗｔ．％、０ｗｔ．％～７ｗｔ．％、１ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、１ｗｔ．％～９ｗｔ．％、１ｗｔ．％～８ｗｔ．％、１ｗｔ．％～７ｗｔ．％、２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、２ｗｔ．％～９ｗｔ．％、２ｗｔ．％～８ｗｔ．％、２ｗｔ．％～７ｗｔ．％、３ｗｔ．％～１０ｗｔ．％、３ｗｔ．％～９ｗｔ．％、３ｗｔ．％～８ｗｔ．％、または３ｗｔ．％～７ｗｔ．％とする。上限の観点からは、リサイクルステップは、対象物中の重質分の濃度を１０ｗｔ．％未満となるように制御してもよく、例えば、９ｗｔ．％未満、８ｗｔ．％未満、または７ｗｔ．％未満としてもよい。下限の観点からは、リサイクルステップは、対象物中の重質分の濃度を０ｗｔ．％超となるように制御してもよく、例えば、１ｗｔ．％超、２ｗｔ．％超、または３ｗｔ．％超としてもよい。

処理ステップ
[0096]上記のように、分離ステップにおいて生成される第１のＴＣＨストリームは不純物を含み得る。これらの不純物はさらなる精製方法により除去され得る。いくつかの実施形態において、精製プロセスは第１のＴＣＨストリームを処理して、精製されたＴＣＨストリームを形成する処理ステップをさらに含む。

[0097]いくつかの実施形態において、処理ステップは窒素ストリッピングを含み得る。いくつかの実施形態において、処理ステップは１種または複数種のモレキュラーシーブで処理することを含み得る。いくつかの実施形態において、処理ステップは窒素ストリッピングによる処理とモレキュラーシーブによる処理との組み合わせを含み得る。

[0098]精製されたＴＣＨストリームは第１のＴＣＨストリームより低い濃度の不純物を含む。一実施形態において、精製されたＴＣＨストリームは０．１ｗｔ．％未満の不純物を含み、例えば、０．０９ｗｔ．％未満、０．０５ｗｔ．％未満、または０．０１ｗｔ．％未満である。例えば、精製されたＴＣＨストリームは水を不純物として含み得る。一実施形態において、精製されたＴＣＨストリームは２０ｐｐｍ未満の水を含み、例えば、１５ｐｐｍ未満、１０ｐｐｍ未満、または１ｐｐｍ未満である。精製されたＴＣＨストリームは金属を不純物として含み得る。一実施形態において、精製されたＴＣＨストリームは５ｐｐｍ未満の金属を含み、例えば、４ｐｐｍ未満、３ｐｐｍ未満、または２ｐｐｍ未満である。

[0099]例示的な分離および／または精製スキームは、２０１９年５月２４に出願された米国仮特許第６２／８５２，６０４号に開示されており、その内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

構成
[0100]図１～５は、本明細書に開示されるＴＣＨ精製プロセスのいくつかの構成の図式的概観を示す。

[0101]図１は、アジポニトリル分離プロセスの一実施形態１００を示す。本実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム１０１は、フラッシュ蒸発器１０２において分離されて、第１の塔頂ストリーム１０３と第１の塔底ストリーム１０４とを形成する。次いで、第１の塔頂ストリーム１０３は、第１の蒸留塔１０５において分離されて、第２の塔頂ストリーム１０６としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリーム１０７とを形成する。次いで、第２の塔底ストリームは、第２の蒸留塔１０８において分離されて、第３の塔底ストリーム１０９としての重質分ストリームと、第３の塔頂ストリーム１１０としてのＴＣＨストリームとを形成する。本実施形態は、任意のリサイクルステップ１１１も備え、これにより第３の塔底ストリーム１０９の一部が第１の塔頂ストリーム１０３および／または第２の塔底ストリーム１０７へとリサイクルされる。

[0102]図２は、アジポニトリル分離プロセスの別の実施形態２００を示す。本実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム２０１は、フラッシュ蒸発器２０２において分離されて、第１の塔頂ストリーム２０３と第１の塔底ストリーム２０４とを形成する。次いで、第１の塔頂ストリーム２０３は第１の蒸留塔２０５において分離されて、第２の塔頂ストリーム２０６としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリーム２０７と、塔側抜出液２０８とを形成する。次いで、塔側抜出液２０８はフラッシャー２０９において分離されて、第３の塔底ストリーム２１０としてのＴＣＨストリームと、第３の塔頂ストリーム２１１とを形成する。

[0103]図３は、アジポニトリル分離プロセスの別の実施形態３００を示す。本実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム３０１は、フラッシュ蒸発器３０２において分離されて、第１の塔頂ストリーム３０３と第１の塔底ストリーム３０４とを形成する。次いで、第１の塔頂ストリーム３０３は第１の蒸留塔３０５において分離されて、第２の塔頂ストリーム３０６としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリーム３０７とを形成する。次いで、第２の塔底ストリーム３０７は第２の蒸留塔３０８において分離されて、第３の塔底ストリーム３０９としての重質分ストリームと、第３の塔頂または蒸留物ストリーム３１０とを形成する。次いで第３の塔頂ストリーム３１０は第３の蒸留塔３１１において分離されて、第４の塔頂ストリーム３１２と、第４の塔底ストリーム３１３としてのＴＣＨストリームとを形成する。

[0104]図４は、アジポニトリル分離プロセスの別の実施形態４００を示す。本実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム４０１は、フラッシュ蒸発器４０２において分離されて、第１の塔頂ストリーム４０３と第１の塔底ストリーム４０４とを形成する。次いで、第１の塔頂ストリーム４０３は第１の蒸留塔４０５において分離されて、第２の塔頂ストリーム４０６としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリーム４０７とを形成する。次いで、第２の塔底ストリーム４０７は第２の蒸留塔４０８において分離されて、第３の塔底ストリーム４０９としての重質分ストリームと、第３の塔頂または蒸留物ストリーム４１０とを形成する。次いで、第３の塔頂ストリーム４１０はフラッシャー４１１において分離されて、第４の塔頂ストリーム４１２と、第４の塔底ストリーム４１３としてのＴＣＨストリームとを形成する。

[0105]図５は、アジポニトリル分離プロセスの別の実施形態５００を示す。本実施形態において、アジポニトリルプロセスストリーム５０１は、フラッシュ蒸発器５０２において分離されて、第１の塔頂ストリーム５０３と第１の塔底ストリーム５０４とを形成する。次いで、第１の塔頂ストリーム５０３は第１の蒸留塔５０５において分離されて、第２の塔頂ストリーム５０６としての軽質分ストリームと、第２の塔底ストリーム５０７とを形成する。次いで、第２の塔底ストリーム５０７は第２の蒸留塔５０８において分離されて、第３の塔底ストリーム５０９としての重質分ストリームと、第３の塔頂ストリーム５１０としてのＴＣＨストリームとを形成する。本実施形態は、任意のリサイクルステップ５１１も備えており、これにより第３の塔底ストリーム５０９の一部が第１の塔頂ストリーム５０３および／または第２の塔底ストリーム５０７へとリサイクルされる。本実施形態は、処理ステップ５１２も備えており、これによりＴＣＨストリーム５１０は、精製されたＴＣＨストリーム５１３を得るためのさらなる処理に供される。

[0106]本開示は、下記の非限定例を参照することによりさらに理解される。

[0107]実施例１および２については、粗アジポニトリル製造および精製プロセスからアジポニトリルプロセスストリームを収集した。実施例１および２の粗アジポニトリルプロセスストリームは、本明細書に記載されるような分離プロセス、例えば、図１に記載にされるのと同様の分離に供給した。

[0108]アジポニトリルプロセスストリームは、ワイプ膜式蒸発器において複数回、例えば２回または４回分離した。ワイプ膜式蒸発器を複数回通過させることにより、塔頂（アジポニトリルプロセスストリーム）と、高沸点成分および固体不純物を含む第１の塔底重質分ストリームとを生成した。第１の塔底ストリームは、廃棄した。アジポニトリルプロセスストリームおよび第１の塔底ストリームの組成を、表１に示す。ＴＣＨ含有量は、場合によっては、ＴＣＨおよびその異性体を含んでいた。

[0109]実施例１および／または２のアジポニトリルプロセスストリームを、高効率パッキングを含む第１の塔において蒸留した。第１の蒸留塔は、塔底部温度約２５５℃、および１ｍｍＨｇで運転し、第１の蒸留塔における第１の塔頂軽質分ストリームの滞留時間は４時間未満であった。塔の圧力低下は１１ｍｍＨｇ未満、例えば、１０ｍｍＨｇまたは７ｍｍＨｇであった。第１の塔はアジポニトリルストリームを生成し、これはアジポニトリルが有益に富化された。このストリームのサンプルを様々な時に収集し、分析した。これらのサンプルの組成を表２ａに示す。様々な時に、塔の圧力低下は１ｍｍＨｇ～１１ｍｍＨｇ、例えば、５ｍｍＨｇ～７ｍｍＨｇの範囲であった。塔には高効率パッキングを充填した。そして様々な時の塔の理論段当たりの圧力低下は０．０１ｍｍＨｇ～１．５ｍｍＨｇ、例えば、０．３ｍｍＨｇ～０．６ｍｍＨｇの範囲であった。場合によっては、ワイプ膜式蒸発器におけるサイクル数が、結果として得られる塔頂の組成に影響を与えることが見出された。

[0110]蒸留塔は、塔底ストリームも生成し、これは、高濃度のＴＣＨと多少の重質分を含有していた。このストリームのサンプルを様々な時点で収集し、分析した。これらのサンプルの組成が、表２ｂに示されている。

[0111]次いで、第２の塔底ストリームを第２の蒸留塔において蒸留した。第２の蒸留塔は、塔底部温度約２６３℃、運転圧力約１ｍｍＨｇで運転し、第２の蒸留塔における第２の塔底ストリームの滞留時間は４時間未満であった。第２の蒸留塔は、第３の塔底ストリーム（重質分ストリーム）を生成した。重質分ストリームは、リサイクルおよび／または廃棄することができる。第２の蒸留塔は、第３の塔頂ストリーム（ＴＣＨストリーム）も生成した。塔は高効率パッキングを充填した。様々な時の第２の塔の圧力低下および様々な時の第２の塔の理論段当たりの圧力低下は第１の塔と同様であった（上記参照）。これらのストリームのサンプルを様々な時点で収集し、分析した。これらのサンプルの組成が、表３ａ～３ｄに示されている。

[0113]上記の表が示すように、実施例１および２において、低い塔の圧力低下、例えば、２５ｍｍＨｇ未満もしくは１１ｍｍＨｇ未満もしくは１ｍｍＨｇ～１１ｍｍＨｇおよび／または０．０１ｍｍＨｇ～１．５ｍｍＨｇの範囲の塔の理論段当たりの圧力低下で行われた精製プロセスは極めて純粋なＴＣＨストリームを生成した。特に、精製プロセスは、９７ｗｔ．％超のＴＣＨを含むＴＣＨストリームを生じ、例えば、ほとんどの場合、９９ｗｔ．％超であり、測定可能なアジポニトリルまたは軽質分をほとんどまたは全く含まなかった。示されるように、第２の塔底ストリームおよび／または重質分ストリーム中の重質分の濃度は、本明細書に開示される範囲および限界内に維持された。

[0114]さらに、分離プロセスは（第１の塔頂部に）アジポニトリル濃度が供給物中の初期のアジポニトリル濃度と比べて改良されたアジポニトリルストリームを生成した。
[0115]示されるように、塔への供給物のアジポニトリル濃度が高いほど、塔の塔頂における濃度向上が驚くほど改善されることが予想外に見出された。同様の設備を使用したシミュレーションでは、塔供給物中のアジポニトリル濃度が１０ｗｔ％を超えると塔頂でのアジポニトリル濃度が有利に高くなり、例えば、５０％超となる。

実施形態
[0116]とりわけ以下の実施形態が開示される。
[0117]実施形態１：ＴＣＨストリームを生成するためのプロセスであって、第１の塔において、ＴＣＨおよび任意にアジポニトリルを含むアジポニトリルプロセスストリームを分離して、５ｗｔ．％超のアジポニトリルを含むアジポニトリルストリームと、ＴＣＨを含む第１のＴＣＨストリームと、任意に高沸点成分および固体不純物を含む重質分ストリームとを形成するステップと；任意に１つまたは複数の塔によって、第１のＴＣＨストリームを精製して、５０ｗｔ．％超のＴＣＨを含む精製されたＴＣＨストリームとを形成するステップとを含み；第１の塔が２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される、プロセス。

[0118]実施形態２：第１の塔が充填塔であり、パッキングが高効率パッキングを含み、高効率パッキングが０．５ｍｍＨｇ／理論段未満の圧力低下を提供する、実施形態１の実施形態。

[0119]実施形態３：精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満の不純物を含む、実施形態１または２の実施形態。
[0120]実施形態４：精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満の高沸点成分の分解生成物を含む、実施形態１～３のいずれかの実施形態。

[0121]実施形態５：精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満のアミンを含む、実施形態１～４のいずれかの実施形態。
[0122]実施形態６：粗アジポニトリルストリームをフラッシングして、アジポニトリルプロセスストリームと、高沸点成分および固体不純物を含む塔底ストリームとを形成するステップをさらに含む、実施形態１～５のいずれかの実施形態。

[0123]実施形態７：粗アジポニトリルストリームが２５ｗｔ．％未満のＴＣＨを含む、実施形態１～６のいずれかの実施形態。
[0124]実施形態８：精製するステップが、第２の塔において、第１のＴＣＨストリームを分離して、精製されたＴＣＨストリームと、高沸点成分を含む重質分ストリームとを形成するステップを含む、実施形態１～７のいずれかの実施形態。

[0125]実施形態９：滞留時間が８時間未満である、実施形態１～８のいずれかの実施形態。
[0126]実施形態１０：第１および第２の塔が２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される、実施形態１～９のいずれかの実施形態。

[0127]実施形態１１：第２の塔が充填塔であり、パッキングが高効率パッキングを含む、実施形態１～１０のいずれかの実施形態。
[0128]実施形態１２：ＴＣＨストリームが、ＴＣＨ、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のアジポニトリル、０ｗｔ．％～０．１ｗｔ．％のジ（２－シアノエチル）アミン、０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のシアノバレルアミド、および０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のトリ（２－シアノエチル）アミンを含む、実施形態１～１１のいずれかの実施形態。

[0129]本発明を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲内の修正は、当業者には容易に明らかとなる。前述の検討、本技術分野における関連知識、ならびに背景技術および発明を実施するための形態に関連して先に検討した参考文献を考慮すると、その開示は、参照により全て本明細書に組み込まれる。加えて、理解すべきことであるが、本発明の態様と、以下に、および／または添付の特許請求の範囲に記載された様々な実施形態および様々な特徴の一部とは、全部または一部を組み合わせても入れ替えてもよい。様々な実施形態の前述の説明において、別の実施形態に言及する実施形態は、当業者には理解されるように、他の実施形態と適切に組み合わせることができる。さらに、当業者であれば、前述の説明は例示に過ぎず、限定を意図したものではないことを理解する。

Claims (12)

1. ＴＣＨストリームを生成するためのプロセスであって、
   第１の塔において、ＴＣＨおよび任意にアジポニトリルを含むアジポニトリルプロセスストリームを分離して、５ｗｔ．％超のアジポニトリルを含むアジポニトリルストリームと、ＴＣＨを含む第１のＴＣＨストリームと、任意に高沸点成分および固体不純物を含む重質分ストリームとを形成するステップと；
   任意に１つまたは複数の塔によって、第１のＴＣＨストリームを精製して、５０ｗｔ．％超のＴＣＨを含む精製されたＴＣＨストリームを形成するステップと
   を含み；
   第１の塔が２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される、プロセス。
2. 第１の塔が充填塔であり、パッキングが高効率パッキングを含み、高効率パッキングが０．５ｍｍＨｇ／理論段未満の圧力低下を提供する、請求項１に記載のプロセス。
3. 精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満の不純物を含む、請求項１または２に記載のプロセス。
4. 精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満の高沸点成分の分解生成物を含む、請求項１から３のいずれかに記載のプロセス。
5. 精製されたＴＣＨストリームが１ｗｔ．％未満のアミンを含む、請求項１から４のいずれかに記載のプロセス。
6. 粗アジポニトリルストリームをフラッシングして、アジポニトリルプロセスストリームと、高沸点成分および固体不純物を含む塔底ストリームとを形成するステップをさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載のプロセス。
7. 粗アジポニトリルストリームが２５ｗｔ．％未満のＴＣＨを含む、請求項１から６のいずれかに記載のプロセス。
8. 精製するステップが、
   第２の塔において、第１のＴＣＨストリームを分離して、精製されたＴＣＨストリームと高沸点成分を含む重質分ストリームとを形成するステップを含む、請求項１から７のいずれかに記載のプロセス。
9. 滞留時間が８時間未満である、請求項１から８のいずれかに記載のプロセス。
10. 第１および第２の塔が２５ｍｍＨｇ未満の圧力低下で運転される、請求項１から９のいずれかに記載のプロセス。
11. 第２の塔が充填塔であり、パッキングが高効率パッキングを含む、請求項１から１０のいずれかに記載のプロセス。
12. ＴＣＨストリームが、
    ＴＣＨ、
    ０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のアジポニトリル、
    ０ｗｔ．％～０．１ｗｔ．％のジ（２－シアノエチル）アミン、
    ０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のシアノバレルアミド、および
    ０ｗｔ．％～０．０５ｗｔ．％のトリ（２－シアノエチル）アミン
    を含む、請求項１から１１のいずれかに記載のプロセス。

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