JP2023501149A - 基板サポート、リソグラフィ装置、電荷分布を操作する方法及び基板を準備する方法 - Google Patents

Abstract

基板サポートが基板を支持するように構成される。基板サポートは基板サポートのベース面から突出する複数のバールを備える。バールは、基板の下面を基板サポートのベース面と基板の下面の間にギャップを設けて支持するための平面内に先端部を有する。基板サポートは、基板サポートのベース面と基板の下面の間のギャップを埋めるために、ギャップに導電性液体を供給することによって、基板サポートと基板の間を電荷が通過できるようにする液体供給チャネルを備える。基板サポートは、基板の下面における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する。【選択図】 図４

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０１９年１１月１４日に出願された欧州特許出願１９２０９２５６．７の優先権を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、基板サポート、リソグラフィ装置、電荷分布を操作する方法及び基板を準備する方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。

[0004] 基板は、所望のパターンが基板に適用されるように基板テーブル上に配置される。基板テーブルは、特に液浸リソグラフィにおいて経年劣化する可能性がある。

[0005] 基板テーブルの劣化を低減することが望ましい。

[0006] 本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された基板サポートであって、基板サポートが、基板サポートのベース面から突出し、基板の下面を、基板サポートのベース面と基板の下面の間にギャップを設けて支持するための平面内に先端部を有する複数のバールと、基板サポートのベース面と基板の下面の間のギャップを埋めるために、ギャップに導電性液体を供給することによって、基板サポートと基板の間を電荷が通過できるようにする液体供給チャネルとを備え、基板サポートが、基板の下面における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する基板サポートが提供される。

[0007] 本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された基板サポートであって、基板サポートが、基板サポートのベース面から突出し、基板の下面を、基板サポートのベース面と基板の下面の間にギャップを設けて支持するための平面内に先端部を有する複数のバールと、少なくとも１つのバールの先端部に隣接する基板の下面のある領域に導電性液体の蒸気を供給することによって、基板の下面の領域とバールの間を電荷が通過できるようにする蒸気供給チャネルとを備え、先端部が、基板の下面における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する基板サポートが提供される。

[0008] 本発明のある態様によれば、基板の下面の電荷分布を操作する方法であって、方法が、基板の下面を、基板サポートのベース面から突出し平面内に先端部を有する複数のバール上に、基板サポートのベース面と基板の下面の間にギャップを設けて支持すること、及び基板サポートのベース面と基板の下面の間のギャップを埋めるために、ギャップに導電性液体を供給することによって、基板サポートと基板の間を電荷が通過できるようにすることを含み、基板サポートが、基板の下面における電荷分布が操作されるように制御された電位を有する方法が提供される。

[0009] 本発明のある態様によれば、基板の下面の電荷分布を操作する方法であって、方法が、基板の下面を、基板サポートのベース面から突出し平面内に先端部を有する複数のバール上に、基板サポートのベース面と基板の下面の間にギャップを設けて支持すること、及び少なくとも１つのバールの先端部に隣接する基板の下面のある領域に導電性液体の蒸気を供給することによって、基板の下面の領域とバールの間を電荷が通過できるようにすることを含み、先端部が、基板の下面における電荷分布が操作されるように制御された電位を有する方法が提供される。

[0010] 本発明のある態様によれば、パターン形成された放射ビームにより露光される基板を準備する方法であって、方法が、基板をリソグラフィ装置に投入すること、基板を基板サポート上に支持すること、基板の下面を乾燥させること、及び基板の下面と反対側の上面がパターン形成された放射ビームによる露光を受ける基板テーブルに、乾燥させた基板を移動させることを含む方法が提供される。

[0011] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0012] 本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。 [0013] 本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。 [0014] 本発明のある実施形態に係る基板サポート上の基板を示す。 [0015] 基板サポート上の基板の構成を示す。 [0015] 基板サポート上の基板の構成を示す。 [0016] 基板サポート上の基板の別の構成を示す。 [0016] 基板サポート上の基板の別の構成を示す。 [0017] 導電性液体が図５及び図６に示す構成から除去される様子を示す。 [0018] 導電性液体が図７及び図８に示す構成から除去される様子を示す。 [0019] 本発明のある実施形態に係る基板サポート上の基板を示す。 [0020] 本発明のある実施形態に係る基板サポート上の基板の下面の乾燥を示す。 [0020] 本発明のある実施形態に係る基板サポート上の基板の下面の乾燥を示す。 [0021] 本発明のある実施形態に係る基板サポート上の基板を示す。 [0022] 本発明の代替的な実施形態に係る基板サポート上の基板を示す。 [0023] 本発明の代替的な実施形態に係る基板サポート上の基板を示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係る基板サポートの別の図を示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係る基板サポートの別の図を示す。

[0026] 図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。リソグラフィ装置１００は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。リソグラフィ装置１００は、また、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板Ｗを正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴを含む。さらにリソグラフィ装置１００は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

[0027] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0028] マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支えている。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた手法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置に来るようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0029] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。アシストフィーチャは、孤立及び／又は半孤立のデザインフィーチャを、あたかも実際よりも密であるかのようにパターニングすることができるようにパターニングデバイスＭＡに配置されることがある。一般的に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当することになる。

[0030] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0031] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムＰＳを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0032] 照明システムＩＬは、放射ビームＢの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＮなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。照明システムＩＬを用いて放射ビームＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置１００とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置１００は、照明システムＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、照明システムＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0033] 本明細書で示すように、リソグラフィ装置１００は透過タイプである（例えば透過型マスクを使用する）。あるいは、リソグラフィ装置１００は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射型マスクを使用する）。

[0034] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスク支持構造ＭＴ、例えばマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」リソグラフィ装置１００においては、追加の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴを並行して使用するか、１つ以上の他の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴを露光に使用している間に１つ以上の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴで予備工程を実行することができる。

[0035] パターニングデバイスＭＡはマスク支持構造ＭＴに保持される。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡに入射する。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。パターニングデバイスＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは、放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第１のポジショナＰＭ及び第１の位置センサ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）は、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めするのに使用することができる。第１の位置センサは図１に明示されていない。第２のポジショナＰＷ及び第２の位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、正確に移動することができる。

[0036] 一般に、マスク支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現されることがある。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現されることがある。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスク支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されることがある、又は固定されることがある。パターニングデバイスＭＡは、マスクアライメントマークＭ_１、Ｍ_２を使用して位置合わせされることがある。基板Ｗは、基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２を使用して位置合わせされることがある。図示される基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２は専用のターゲット部分Ｃを占めるが、ターゲット部分Ｃの間に位置することがある（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークＭ_１、Ｍ_２は、ダイとダイの間に位置することがある。

[0037] 液浸技術は、投影システムＰＳの開口数ＮＡを増大させるのに使用することができる。図１に示すように、ある実施形態ではリソグラフィ装置１００は、基板Ｗの少なくとも一部分が、例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で、投影システムＰＳと基板Ｗの間の空間を満たすように覆われうる形式のものである。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳの間のリソグラフィ装置１００の他の空間に加えられることもある。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に位置することを意味するにすぎない。

[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬはソースモジュールＳＯから放射ビームを受ける。例えばソースモジュールＳＯがエキシマレーザである場合、ソースモジュールＳＯとリソグラフィ装置１００とは別体である場合がある。このような場合、ソースモジュールＳＯはリソグラフィ装置１００の一部を構成しているとはみなされず、放射は、ビームデリバリシステムＢＤを用いてソースモジュールＳＯから照明システムＩＬへと受け渡される。ある実施形態では、ビームデリバリシステムＢＤは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備える。別の場合では、ソースモジュールＳＯが例えば水銀ランプである場合、ソースモジュールＳＯはリソグラフィ装置１００の不可欠な部分である場合がある。ソースモジュールＳＯと照明システムＩＬとは、ビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0039] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間に液体を提供する構成は３種類に大きく分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。浴式構成においては、基板Ｗの実質的に全体と任意選択的に基板テーブルＷＴの一部とが液体浴に浸される。

[0040] 図１に示すように液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と、基板Ｗ、基板テーブルＷＴ又はこれらの両者との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨが設けられている。このような構成を図２に示す。図２に示され後述される構成は、図１に示す上述のリソグラフィ装置に適用されることがある。

[0041] 図２は、液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文章においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面への言及は、付加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面への言及でもあること留意されたい。）ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面の間にシールが形成される。このシールはガスシール１６（このようなガスシールを有するシステムは欧州特許出願公開第ＥＰ－Ａ－１，４２０，２９８号に開示されている）のような非接触シール又は液体シールである場合がある。

[0042] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に少なくとも部分的に液体を封じ込める。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置されこの最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨにより形成される。液体が、投影システムＰＳの下方かつ液体閉じ込め構造ＩＨ内部の空間１１に液体インレット／アウトレット１３によって供給される。液体は液体インレット／アウトレット１３によって除去されることがある。ある実施形態では、スキャン方向に依存して２つの液体インレット／アウトレット１３のうち一方が液体を供給するとともに他方の液体インレット／アウトレット１３が液体を除去する。２つのインレット／アウトレット１３のうち少なくとも１つは、投影システムＰＳの最終要素の底面より上又は下に配置されることがある。

[0043] 液体は、ガスシール１６によって空間１１に封じ込められることがある。使用時に、ガスシール１６は液体閉じ込め構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面の間に形成される。ガスシール１６のガスは、圧力下でインレット１５を介して液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの間のギャップに提供される。ガスはアウトレット１４を介して抜き取られる。ガスインレット１５での過圧、アウトレット１４での真空レベル及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速のガス流が存在するように構成される。液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの間の液体に作用するガスの力が空間１１に液体を封じ込める。このようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ－２００４－０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨはガスシールを有しない。

[0044] 局所領域液体供給システムにおいて、基板Ｗは投影システムＰＳと液体供給システムの下を移動する。基板Ｗの端部が結像されるとき、基板Ｗ（又は他のオブジェクト）の端部は空間１１の下を通過することになる。基板テーブルＷＴ上（又は計測テーブル上）のセンサが結像されるとき、基板Ｗ（又は他のオブジェクト）の端部が空間１１の下を通過することになる。ダミー基板又はいわゆるクロージングプレートを、例えば基板交換を行えるように液体供給システムの下に配置することができる。ダミー基板又はいわゆるクロージングプレートを液体供給システムの下に配置できるように基板テーブルＷＴが移動するとき、基板Ｗ（又は他のオブジェクト）の端部が空間１１の下を通過することになる。液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップに漏出することがある。この液体は、静水圧もしくは動水圧又はガスナイフもしくは他のガス流生成デバイスの力の下で押し込まれることがある。

[0045] 図３は、ある実施形態に係るさらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。以下に説明する図３に示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置１００に適用されることがある。液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨを備える。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記述は、追加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）

[0046] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置されこの最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨによって形成される。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材８３を含む。多孔質部材８３は、プレート形状であり複数の孔（すなわち、開口又は細孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材８３は、多数の小さい孔８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。そのようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。

[0047] 本体部材５３は、液体を空間１１に供給することができる供給ポート７２、及び液体を空間１１から回収することができる回収ポート７３を含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続されている。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給される液体は、対応する通路７４を通じて各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路の近くの光路に面する本体部材５３の所定の位置に配置されている。回収ポート７３は、液体を空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続されている。液体回収装置８０は、真空システムを含み、かつ回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通じて回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置されている。

[0048] ある実施形態では、一方側では投影システムＰＳと液体閉じ込め構造ＩＨとの間に、かつ他方側では基板Ｗとの間に液体を有する空間１１を形成するために、液体は供給ポート７２から空間１１に供給され、液体閉じ込め構造ＩＨ内の回収チャンバ８１内の圧力が負圧に調整されることによって多孔質部材８３の孔８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収する。供給ポート７２を使用して液体供給動作を行い、多孔質部材８３を使用して液体回収動作を行うことで、投影システムＰＳと一方側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に空間１１が形成される。

[0049] リソグラフィ装置１００を使用する際、基板Ｗに種々のリソグラフィ工程及びプロセス工程が行われる。基板Ｗは、例えば湿式化学処理によって洗浄されることがある。基板Ｗは、基板Ｗの表面に存在し得る水分を追い出すのに十分な温度に加熱されることがある。基板Ｗはレジスト（例えばフォトレジスト）の層で覆われることがある。基板Ｗは余分なフォトレジスト溶剤を追い出すようにプリベークされることがある。そして基板Ｗは、放射ビームＢにおけるパターンが基板Ｗ上に転写されるように露光される。その後基板Ｗには現像、エッチング及びレジスト除去が行われることがある。これらの工程は基板Ｗ上のさらなる層のために繰り返されることがある。

[0050] 図１に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は基板テーブルＷＴを備える。基板テーブルＷＴは、露光プロセスのために基板Ｗを支持するように構成されている。露光プロセスにおいて、基板Ｗは、基板Ｗ上にパターンを形成するために液体（すなわち液浸液）を介して放射ビームＢに露光される。

[0051] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は収容ユニットを備える。収容ユニットは、基板Ｗのリソグラフィ装置１００の中での移動を制御する基板ハンドラの一部である場合がある。基板Ｗがリソグラフィ装置１００に投入されるとき、基板Ｗは初めに収容ユニット上に配置される。続いて、基板Ｗは収容ユニットから移動した後、露光プロセスのために基板テーブルＷＴ上に配置される。したがって、基板Ｗは、基板テーブルＷＴ上に移動する前は収容ユニット上に配置されている。

[0052] ある実施形態では、収容ユニットは基板サポート２０を備える。図４は、基板サポート２０上にある基板Ｗを示している。基板サポート２０は、基板Ｗを支持するように構成される。

[0053] 図４に示すように、基板サポート２０は本体２１を備える。本体２１は板状の形状を有し、基板Ｗとほぼ同じ形状である場合がある。例えば、基板Ｗが円形である場合、本体２１はそれに対応して円形である場合がある。ただし、本体２１の形状は特に限定されない。本体２１は、基板サポート２０のベース面２３を形成する上面を有する。ある実施形態では、基板サポート２０のベース面２３は導電性である。ある実施形態では、基板サポート２０はベース面２３用のコーティングを含む。コーティングはかなり低い電気抵抗を有する。一部の実施形態では、コーティングは電気散逸性である。例えばある実施形態では、コーティングは最大１００ＭΩの抵抗を有する。ある実施形態では、コーティングは少なくとも１０ｋΩの電気抵抗を有する。ある実施形態では、コーティングはダイヤモンド状炭素、炭化ケイ素（例えばケイ素浸潤炭化ケイ素）及び／又は窒化クロムを含む。

[0054] 図４に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は複数のバール２２を備える。バール２２は、基板サポート２０のベース面２３から突出する。バール２２は先端部２４を有する。先端部２４は、バール２２の、バール２２が基板サポート２０のベース面２３に接続するのと反対側の端にある。バール２２の先端部２４は、基板Ｗの下面２５を支持するための平面内にある。

[0055] 基板Ｗの下面２５は、基板サポート２０のベース面２３が平らであるかどうかにかかわらず平らである。基板サポート２０のベース面２３が平らである場合、バール２２の全てが同じ高さを有することがある。代替的な実施形態では、ベース面２３は平らでない。ベース面２３は、例えば円錐形又はボウル形状を有することがある。ベース面２３が平らでない場合、バール２２はベース面２３上の位置によって異なる高さを有することがある。

[0056] 図４に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０のベース面２３と基板Ｗの下面２５の間にギャップ２６が形成される。バール２２は、基板サポート２０のベース面２３と基板Ｗの下面２５の間のギャップ２６を横断して延在する。ギャップ２６はバール２２間に存在する。

[0057] ある実施形態では、基板Ｗは、負圧、例えば真空によってバール２２上にクランプされるように構成される。ギャップ２６は、基板Ｗ上方の圧力と比較して低い圧力を有することがある。基板Ｗの上方と下方の圧力差は、基板Ｗを基板サポート２０上にクランプする傾向がある。ギャップ２６のサイズは特に限定されない。ほんの一例として、ギャップ２６は約５μｍ～約２００μｍの範囲内にある場合がある。ギャップ２６のサイズはバール２２の高さに一致することがある。

[0058] 図４に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は液体供給チャネル２８を備える。液体供給チャネル２８は、ギャップ２６に導電性液体２７を供給するためのものである。導電性液体２７は、基板サポート２０のベース面２３と基板Ｗの下面２５の間のギャップ２６を埋める。これによって電荷が基板サポート２０と基板Ｗの間を通過することが可能になる。電荷は、基板Ｗの下面２５の様々な部分の間を導電性液体２７を介して通過することができる。基板Ｗの下面２５における電荷分布は、導電性液体２７の存在の結果として変化する可能性がある。電荷分布は、基板Ｗの下面２５にわたって一様になりやすい可能性がある。ある実施形態では、液体供給チャネル２８は、導電媒体を凝縮するガスを基板Ｗの下面２５に供給するように構成される。

[0059] ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗの下面２５における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する。例えば図４の左側に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は電気的に接地されている。基板サポート２０と基板Ｗの間を電荷が通過するとき、基板Ｗの下面２５は、基板サポート２０と同じ電位に達する傾向がある。例えば、基板Ｗの下面２５は、電荷が基板サポート２０へ／基板サポート２０から導電性液体２７を通過できる場合に接地電位に達することがある。

[0060] 基板サポート２０が電気的に接地されている状態で、ギャップ２６を埋める導電性液体２７を介して基板Ｗの下面２５から電荷を除去することができる。ただし、基板サポート２０が電気的に接地されていることは必須ではない。代替的な実施形態では、基板サポート２０は電気的にバイアスされている。基板サポート２０が電気的バイアスされている状態で、ギャップ２６を埋める導電性液体２７を介して基板Ｗの下面２５に再分配された電荷を与えることができる。基板サポート２０の電位を制御することによって、基板Ｗの下面２５の電荷分布を操作することが可能である。ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗが基板サポート２０上にロードされる、又は基板サポート２０からアンロードされるときに、基板Ｗを支持するペデスタル又はピンと同じ電位を有するように制御される。

[0061] 基板Ｗが（例えば露光プロセスのために）基板テーブルＷＴ上に移動するとき、その下面２５は、実質的に接地された電荷（あるいは再分配された電荷）を有する。これによって、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置されるときに基板テーブルＷＴが酸化される可能性が低下する。

[0062] ある実施形態では、基板テーブルＷＴは、基板Ｗの下面２５を支持するためのバールを備える。基板テーブルＷＴのバールの頂部は、水分及び電荷が存在する場合に酸化する可能性がある。基板Ｗの下面２５にある電荷を減らすことによって、酸化プロセスは減少する。本発明のある実施形態は、基板テーブルＷＴの劣化を低減することが期待される。

[0063] ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗを熱調節するように構成された熱コンディショナを備える。ある実施形態では、基板Ｗは、熱調節されている間、基板サポート２０上にある。例えば、基板Ｗは、熱調節のために約１０秒間基板サポート２０上にある場合がある。ある実施形態では、基板Ｗの下面２５における導電性液体２７を介した電荷分布の操作プロセスは、基板Ｗが熱調節されている間に実行される。基板Ｗは、露光プロセスに備えて熱調節される。例えば基板Ｗは、加熱、冷却されることがある、又はその下面２５にわたって均一な温度を有することがある。

[0064] 図５及び図６は、本発明のある実施形態に係る基板サポート２０上の基板Ｗを示している。図５は、基板サポート２０上部からの平面図を示す。基板Ｗは図５には示されていない。図６は、基板Ｗ及び基板サポート２０の半径の側面図を示す。図６において、軸Ｑは、基板Ｗ及び基板サポート２０の中心点を表す。

[0065] 図５及び図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はその中心に穴を有する。穴は、基板Ｗを基板サポート２０に対して上げ下げするために（例えば基板Ｗのロード及びアンロードのために）シリンダが穴を通過できるようにするのに使用されることがある。ただし、そのような穴が基板サポート２０の中心に設けられることは必須ではない。代替的な実施形態では、基板サポート２０の中心は埋められ、複数の穴が基板サポート２０の一定の半径に設けられる。この穴は、ピンが基板Ｗのロード及びアンロードを制御できるようにするのに使用されることがある。

[0066] 図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はチャンバ３３を備える。チャンバ３３は、十分な量の導電性液体２７で満たされるように構成される。導電性液体２７は、チャンバ３３に貯蔵され、導電性液体２７がギャップ２６に注入されるときに放出される。

[0067] 図５及び図６に示すように、ある実施形態では、導電性液体２７は基板Ｗの下面２５の大部分にわたってギャップ２６を埋める。図５及び図６に示すように、ある実施形態では、導電性液体２７は、基板Ｗと基板サポート２０の間に完全な導電層を生成するように注入される。導電層は、基板Ｗと基板サポート２０の間に導電性ブリッジを形成する。ある実施形態では、導電性液体２７は、基板Ｗの下面２５の実質的に全体にわたってギャップ２６を埋める。当然のことながら、基板Ｗの下面２５には導電性液体２７で覆われない小さな部分が存在する場合がある。例えば、下面２５の非常に外側の周囲又は中心に、導電性液体が存在しない場合がある。電荷は、基板Ｗの下面２５の実質的に全体にわたって均一にすることができる。本発明のある実施形態は、基板テーブルＷＴの大部分又は実質的に全体にわたって劣化を低減することが期待される。

[0068] 上述のように、ある実施形態では、基板Ｗは基板サポート２０上にクランプされる。ある実施形態では、導電性液体２７は、基板Ｗが（例えばギャップ２６に負圧を与えることによって）基板サポート２０上にクランプされる前に、基板Ｗと基板サポート２０の間に加えられる。付加的又は代替的に、ある実施形態では、導電性液体２７は基板サポート２０上への基板Ｗのクランプ中に加えられる。導電性液体２７は、基板Ｗのロード／クランプ前に加えることができる、及び／又は液体供給チャネル２８を介して基板Ｗのクランプ中に供給することができる。

[0069] 図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はガス供給チャネル３１を備える。ガス供給チャネル３１は、ギャップ２６にガスを供給するように構成される。例えばガスは、導電性液体２７をギャップ２６から変位させるようにギャップ２６に供給されることがある。ある実施形態では、ガス供給チャネル３１は、基板Ｗの下面２５を乾燥させるためにガスを供給するように構成される。

[0070] 図６に示すように、ある実施形態では、液体供給チャネル２８及びガス供給チャネル３１は、基板サポート２０のベース面２３にある共通開口部３２を共有する。チャネルは、ガスと導電性液体２７のどちらを共通開口部３２からギャップ２６に供給するかを制御するように制御することができる。ただし、共通開口部３２を設けることは必須ではない。代替的な実施形態では、ガスを供給するため及び導電性液体２７を供給するために独立の供給チャネルが設けられる。

[0071] 図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は、共通開口部３２に供給される導電性液体３７及びガスを制御するためのバルブ３４～３６を備える。例えば図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はチャンバ３３の上流端に第１のバルブ３４を備える。第１のバルブ３４は、導電性液体２７が貯蔵されるチャンバ３３への導電性液体２７の流れを制御するように構成されている。第１のバルブ３４は液滴発生器と呼ばれることがある。ある実施形態では、基板サポート２０は第２のバルブ３５を備える。第２のバルブ３５は、チャンバ３３の下流端に配置される。第２のバルブ３５は、チャンバ３３から共通開口部３２への導電性液体２７の流れを制御する。ある実施形態では、基板サポート２０は第３のバルブ３６を備える。第３のバルブ３６は共通開口部３２へのガスの流れを制御するように構成されている。

[0072] 代替的な実施形態では、液体供給チャネル２８及びガス供給チャネル３１は、共通開口部を共有しない。液体供給及びガス供給は、別個の供給部からもたらされることがある。そのような代替的な実施形態では、バルブの配置は図６に示す配置と異なる場合がある。液体の供給及びガスの供給を独立に制御するためのバルブが設けられることがある。

[0073] 上述のように、ある実施形態では、導電性液体２７は基板Ｗを基板サポート２０上にクランプする前に供給される。例えば、ある実施形態では、導電性液体２７は、少しの間第３のバルブ３６を閉じ、第１のバルブ３４及び第２のバルブ３５を開けることによってギャップ２６に供給される。液体供給チャネル２８は、共通開口部３２の領域に導電性液体２７の環状流を形成するための過圧を有することがある。導電性液体２７の供給は、第１のバルブ３４及び第２のバルブ３５を閉じることによって停止することができる。続いて、基板Ｗが基板サポート２０上にクランプされる結果、導電性液体２７が基板Ｗの下面２５に沿って広がるように導電性液体２７の環状流が押し込まれる。

[0074] 代替的に、基板Ｗは、導電性液体２７がギャップ２６に供給される前に基板サポート２０にクランプされることがある。例えば図５及び図６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は内側抽出チャネル２９及び外側抽出チャネル３０を備える。内側抽出チャネル２９及び外側抽出チャネル３０は、例えばクランプのために、ギャップ２６から物質を除去するために負圧に接続される。ある実施形態では、抽出チャネル２９、３０は、第２のバルブ３５及び第３のバルブ３６が閉じている間に、基板Ｗを基板サポート２０にクランプするのに使用される。続いて、第１のバルブ３４及び第２のバルブ３５は、ある量の導電性液体２７をギャップ２６内に供給するために少しの間開けられる。導電性液体２７は、基板Ｗの下面２５にわたってギャップ２６に広がる。次いで第２のバルブ３５と、任意選択で第１のバルブ３４とが、導電性液体２７の供給を停止するために閉じられる。これによって、図５及び図６に示すように基板Ｗと基板サポート２０の間に完全又は部分的ウェットエリアがもたらされる。

[0075] 図５及び図６に示す構成に代わる構成では、導電性液体２７は、基板Ｗと基板サポート２０の間に導電性ブリッジを形成する導電環状液体層を生成するために注入される。図７及び図８は、基板Ｗが基板サポート２０上に配置されたかかる構成を示している。

[0076] いずれの構成においても、導電性液体２７が基板Ｗの下面と基板サポート２０の間のギャップを埋めるエリアでは、電荷が基板サポート２０に排出される可能性がある。電荷の流れは、バイアス電位及び導電性液体の導電率に依存する。ある実施形態では、導電性液体２７は、電荷が地上貯蔵ユニットに向かって実質的に完全に排出されるほど十分に導電性である。代替的な実施形態では、残った正味電荷が、導電性液体２７がギャップ２６を埋めるエリアに均等に分布するように、基板サポート２０にバイアス電位が与えられる。平均正味電荷は、基板サポート２０に与えられた電位に対応する。例えば、ある実施形態では、基板Ｗは電気化学的開回路の開路電位より大きい正味電位を保証するように帯電され、その結果、酸化が起こらない。ある実施形態は、基板テーブルＷＴの酸化を減らす又は防ぐことが期待される。

[0077] 図７及び図８に示すように、ある実施形態では、導電性液体２７の環状層が、液体供給チャネル２８の共通開口部３２の半径方向内側及び半径方向外側に配置される。図７及び図８に示すように、ギャップ２６は、基板Ｗの下面２５の大部分にわたって埋められていない。図７及び図８には、埋められていないセクション３７が示されている。図７及び図８に示すように、ある実施形態では、埋められていないセクション３７は導電性液体２７の環状層の半径方向内側にある。図７及び図８に示すように、ある実施形態では、埋められていないセクション３７は、導電性液体２７の環状層の半径方向外側にある。ただし、必ずしもそうとは限らない。代替的な実施形態では、導電性液体２７の環状層は、環状層の半径方向外側に大きな埋められていないセクション３７が存在しないように、基板Ｗの下面２５の外周にある。さらなる代替的な実施形態では、導電性液体２７の環状層は、導電層２７の環状層の半径方向内側に大きな埋められていないセクション３７が存在しないように、基板Ｗの下面２５の中心寄りにある。

[0078] ある実施形態では、導電性液体２７は、ギャップ２６が導電性液体２７により埋められる１つ以上の制御セグメントを形成するためにギャップ２６に供給される。例えば、ある実施形態では、導電性液体２７は複数の同心円状のリングを形成するために供給される。セグメントの位置は、基板Ｗの下面２５における電荷が望ましくないことが知られている場所に基づいて制御されることがある。基板Ｗの下面２５の他の部分が帯電していないか、例えば電荷が許容できる程度に低い場合がある。本発明のある実施形態は、基板Ｗの下面２５における電荷を十分に操作するのに必要な時間を短縮することが期待される。

[0079] ある実施形態では、導電性液体２７は、電荷が基板Ｗと基板サポート２０の間を流れている間は実質的に静止したままである。これは、導電性液体２７がギャップ２６を埋めるエリアが、基板Ｗの下面２５における電荷分布の操作中に実質的に変わらないことを意味する。ただし、必ずしもそうとは限らない。代替的な実施形態では、導電性液体２７は移動する。例えば、ある実施形態では、導電性液体２７は基板Ｗの下面２５に沿ってギャップ２６を半径方向に移動する。導電性液体２７は、導電性液体２７が各エリアにおいてギャップ２６を埋める間、電荷が基板Ｗと基板サポート２０の間を流れるほど十分に導電性である。例えば、ある実施形態では、導電性液体２７をギャップ２６内で半径方向に移動させるために、ギャップ２６にガス３８が供給される。導電性液体２７が移動して基板Ｗの下面２５の帯電箇所と接触したときに、電荷がその帯電箇所と基板サポート２０のベース面２３の間を通過する。例えば、導電性液体２７は、導電性液体２７を注入した後にガス３８を注入することによって除去されることがある。ガス３８は、導電性液体２７を半径方向に押す環状気泡を形成する。例えば気泡は、基板サポート２０の内側抽出チャネル２９及び外側抽出チャネル３０に向けて導電性液体２７を半径方向内側及び外側に押すことがある。

[0080] 代替的な実施形態では、基板Ｗと導電性液体２７の本体とは、互いに対して回転移動及び／又は並進移動する。例えば基板Ｗは、基板サポート２０に対して回転及び／又は並進することがある。導電性液体２７の本体は液体の縁部を形成する。ある実施形態では、導電性液体２７の本体は絶えずリフレッシュされる。ある実施形態では、導電性液体２７の本体は、少なくとも１つの抽出チャネル２９、３０及び／又は少なくとも１つのガス供給チャネル３１によって境界される。ある実施形態では、基板Ｗの下面２５は、導電性液体２７の本体の後ろで（以下に記載される）コーティングで被覆される。導電性液体２７の本体は液体の壁として形成されることがある。

[0081] ある実施形態では、基板Ｗの下面２５は少なくとも１つの溝（図示せず）を備える。ある実施形態では、導電性液体２７は溝に供給され、溝に沿って流れる。導電性液体２７は溝の別の位置から抽出されることがある。例えば、導電性液体２７は、溝の一端に供給され、溝の他端から抽出されることがある。ある実施形態では、クリーンドライエア（ＣＤＡ）、エクストリームクリーンドライエア（ＸＣＤＡ）又は窒素などのガスが、導電性液体２７に続いて溝に供給される。ガスの流路は導電性液体２７の流路と同じである場合がある。ある実施形態では、（以下に記載される）コーティングがガスに続いて溝に塗布される。コーティング材の流路は、ガスの流路と同じである場合がある。ある実施形態では、コーティングは液状で塗布される。

[0082] ある実施形態では、１つ以上の溝は、基板Ｗと基板サポート２０との相対移動と相まって、流体が溝を通して押し出されるように構成される。ある実施形態では、溝は溝の長さに沿って変化する断面形状を有する。これは、基板Ｗと基板サポート２０との相対的な直線速度の変化に適応するのに役立つことがある。このような相対的な直線速度の変化は、基板Ｗが基板サポート２０に対して回転するときに生じることがある。

[0083] ある実施形態では、導電性液体２７は、導電性液体２７を下面２５の全体に直接塗布することなく、基板Ｗの下面２５の１つ以上のエリアに局所的に塗布される。ある実施形態では、導電性液体２７は、基板Ｗの移動によって下面２５に広がる。ある実施形態では、導電性液体２７が塗布される１つ以上のエリア間にガスベアリングが使用される。ガスベアリングは、基板サポート２０上方の下面２５の高さを制御するように構成される。これは、いかなる１つ以上の溝も基板サポート２０上方の制御された高さに維持するのに役立つ可能性がある。

[0084] 図５及び図６に示し上述したように、ある実施形態では、基板Ｗと基板サポート２０の間に完全な導電層が形成されることがある。基板Ｗの下面２５と基板サポート２０の間のエリアが濡れた瞬間から、基板サポート２０に向かって電荷が排出される可能性がある。代替的に、（図７及び図８に示すように）導電性液体２７の環状層が形成されるとき、導電性液体２７の環状層がギャップ２６に押し通されると電荷排出が起こる。

[0085] ある実施形態では、基板Ｗは、パターン形成された放射ビームにより露光するために準備される。方法は、基板Ｗをリソグラフィ装置１００に投入することを含む。次いで基板Ｗは基板サポート２０上に支持される。ある実施形態では、基板サポート２０は静止している。基板サポート２０は、使用時に移動するように制御されるリソグラフィ装置１００の一部ではない。

[0086] 以下でさらに詳細に説明されるように、ある実施形態において方法は、基板Ｗの下面２５と反対側の上面に、パターン形成された放射ビームによる露光が行われる基板テーブルＷＴに乾燥された基板Ｗが移動される前に、基板Ｗの下面２５を乾燥させることを含む。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置される前に基板Ｗの下面２５を乾燥させることによって、基板Ｗはその下面２５上の水分が少ない。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にロードされるとき、基板テーブルＷＴと接触する水分は少ない。本発明のある実施形態は、基板テーブルＷＴの劣化を低減することが期待される。具体的には、本発明のある実施形態は、基板テーブルＷＴの酸化を減らすことが期待される。

[0087] ある実施形態では、基板Ｗの下面２５を、基板Ｗと基板サポート２０の間のギャップ２６に深い真空を印加することによって乾燥させる。任意選択で、ギャップ２６は、湿気をより良好に除去するために湿気のないガスでパージされることがある。例えば湿気のないガスは、ガス供給チャネル３１から供給されることがある。ある実施形態では、内側抽出チャネル２９及び／又は外側抽出チャネル３０を介してガスを抽出することによって深い真空が印加される。深い真空は、基板Ｗを基板サポート２０にクランプするのに必要な圧力よりも低い圧力である。基板Ｗが基板サポート２０上にクランプされるとき、ギャップ２６に負圧が提供される。ただし、この負圧は基板Ｗの下面２５から水を除去するほど十分に低い圧力ではない。これに対して、深い真空が印加されるとき、下面２５から水分が除去される。乾燥は、基板Ｗの下面２５から液滴を除去するために、基板Ｗの下面２５と基板サポート２０のベース面２３の間のギャップ２６に負圧を印加することによって達成される。乾燥は圧力誘起による場合がある。ある実施形態では、基板Ｗの下面２５から全ての液体（例えば水）を除去するために、ギャップ２６に負圧が印加される。例えば、基板Ｗの下面２５から液膜が除去されることがある。

[0088] 一部の実施形態では、電荷分布を操作するプロセスは、基板Ｗを乾燥させることがなくとも実行される。代替的な実施形態では、乾燥プロセスは、電荷分布を操作することがなくとも実行される。さらに代替的な実施形態では、電荷分布操作と乾燥プロセスの両方が実行される。そのような実施形態では、電荷分布の操作が、まずは導電性液体２７を使用して実行される。次いで導電性液体２７は除去される。例えば、ギャップ２６から導電性液体２７を除去するために、ガス供給チャネル３１を介してガス３８が提供されることがある。ある実施形態では、ギャップ２６に供給されるガス３８は、クリーンドライエア（ＣＤＡ）、エクストリームクリーンドライエア（ＸＣＤＡ）、窒素又は湿気のないガスである。ある実施形態では、導電性液体２７はＩＰＡを含む。ＩＰＡは水よりも速く蒸発する。本発明のある実施形態は、基板Ｗ上の蒸発の効果を低下させることが期待される。

[0089] 図において、ガス供給チャネル３１は中間半径に示されている。ただし、必ずしもそうとは限らない。代替的な実施形態では、ガス供給チャネル３１は、基板サポート２０の中心の近く又は基板サポート２０の外周にある場合がある。

[0090] ある実施形態では、導電性液体２７は、内側抽出チャネル２９及び／又は外側抽出チャネル３０に向かって押される。図９及び図１０は、ガス３８が導電性液体２７を抽出チャネル２９、３０に向かって押す様子を示している。導電性液体２７は、抽出チャネル２９、３０を通じてギャップ２６から除去される。

[0091] 図１３は、基板Ｗと基板サポート２０の間の構成のさらなる考えられる特徴を示している。図１３に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０のベース面２３はギャップ２６が抽出チャネル３０に向かって狭くなる形状である。これは、毛細管効果が導電性液体２７の抽出チャネル、例えば外側抽出チャネル３０に向かう動きを促進又は単純化することを可能にする。ある実施形態では、ベース面２３は親水性である。ある実施形態では、基板Ｗの下面２５は親水性である。図１３に示すように、ある実施形態では、ギャップ２６のためにくさびなどのジオメトリ構成が形成される。

[0092] 図１１及び１２は、導電性液体２７をギャップ２６から押し出すためにガス３８が供給される様子を示している。図１１及び１２は、図７及び図８に示すように導電性液体２７が環状層を形成するときに、導電性液体２７がギャップ２６に押し通される様子を示す。これに対して、図９及び図１０は、図５及び図６に示すように、導電性液体２７の全層が形成される構成に対応する。

[0093] ある実施形態では、基板Ｗの下面２５の乾燥は流れ誘起による場合がある。ある実施形態では、乾燥は、基板サポート２０から、基板Ｗの下面２５と基板サポート２０のベース面２３の間のギャップ２６にガス流を供給することによる。例えば、湿気のないガスの強い流れが基板Ｗを乾燥させることがある。ガスはガス供給チャネル３１を介して供給されることがある。

[0094] ある実施形態では、ガス流は、基板Ｗと基板サポート２０が接触することなく基板Ｗを基板サポート２０上方に支持するためのガス膜を提供する。一定の流量を超えると、ガスベアリングが形成され、基板Ｗが基板サポート２０のバール２２から剥がれる。基板Ｗは、バール２２上方のガス膜上で浮上する。ある実施形態では、基板Ｗをバール２２上に保持する又は基板Ｗをバール２２上方の限られた浮上高さに保持するのに十分な負圧を維持するように、ガス３８は抽出チャネル２９、３０を介して抽出され続ける。ある実施形態では、ガス３８は、供給された流れの全てを抽出するために抽出チャネル２９、３０を介して抽出される。基板サポート２０と接触することなく基板Ｗを支持するためのガス膜を提供することによって、バール２２が電荷分布又は基板Ｗの乾燥に及ぼすいかなる影響も減らすことができる。ある実施形態では、基板サポートＷは、純粋な半径方向の大流量のガスが基板Ｗの下面２５を乾燥させるガスベアリングとして設計される。

[0095] 上述のように、ある実施形態では、基板サポート２０はバール２２を備える。ただし、必ずしもそうとは限らない。代替的な実施形態では、基板サポート２０はバール２２を有しない。基板サポート２０は、供給及び抽出チャネルのみを備えた平板の形態を有することがある。基板サポート２０は使用中、基板Ｗに接触しないように構成されている。ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗを熱調節し、基板Ｗの下面を乾燥させるように構成されている。基板サポート２０は、導電性液体２７を使用することによって電荷分布を操作するように構成されないことがある。これによって、短時間で液体を除去することをより困難にする可能性がある毛細管クランプのリスクが低下する。

[0096] 上述のようにある実施形態では、導電性液体２７は、導電性液体２７を注入した後にガス３８を注入することによって除去される。ガス３８は導電性液体２７をギャップ２６に押し通す。ある実施形態では、ガス３８は、導電性液体２７に可溶な有機液体の蒸気であって、導電性液体２７のメニスカス３９（例えば図１２に示す）が基板Ｗの下面２５を横断する間にメニスカス３９に溶ける蒸気を含む。これは基板Ｗの下面２５の乾燥を促進する。例えばある実施形態では、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気がガス３８に添加される。これによってメニスカス３９に隣接したマランゴーニ乾燥ポケットが作成される。マランゴーニ乾燥は、基板Ｗの下面２５の良好な乾燥を促進する。ＩＰＡ（又はその他のアルコール溶媒）は、メニスカス３９の表面張力を低下させる。ある実施形態では、使用される溶媒は蒸発しやすい。

[0097] 図１６は、本発明の代替的な実施形態に係る、基板サポート２０上の基板Ｗを模式的に示している。図１９は、基板サポート２０上の基板Ｗの別の図を模式的に示している。図１９は、全くバール２２を介さない断面図である。基板サポート２０の多くの特徴は、上記の基板サポート２０と同じである。以下の説明は、図１６及び図１９に示す基板サポート２０の異なる特徴に重点を置く。

[0098] 図１９に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０は蒸気供給チャネル１９１を備える。蒸気供給チャネル１９１は、導電性液体２７の蒸気を基板Ｗの下面２５のある領域に供給するためのものである。ある実施形態では、蒸気供給チャネル１９１は、導電性液体２７の蒸気を含む湿った空気を供給するように構成される。蒸気がギャップ２６に供給されるとき、図１６及び図１９に示すように、基板Ｗの下面２５に導電性液体２７の水分層が形成される。導電性液体２７は、基板Ｗの下面２５のある領域を覆う。

[0099] 導電性液体２７の水分層が塗布される基板Ｗの下面２５の領域は、バール２２の少なくとも１つの先端部２４に隣接する。これによって、（水分層が塗布される）基板Ｗの下面２５の領域とバール２２の間を電荷が通過することができる。

[00100] 図２０は、基板Ｗの下面２５とバール２２の１つの間の電荷の通過を模式的に示している。図２０は、基板Ｗの下面２５にある複数の正電荷を示す。具体的には、図２０は、バール２２の先端部２４と物理的に接触している基板Ｗの下面２５の部分にある正電荷を示す。図２０はさらに、バール２２の先端部２４と直接接触しない下面２５の別の部分にある正電荷を示す。ある実施形態では、基板サポート２０の少なくとも一部は電気的に接地又は電気的にバイアスされている。例えば以上で説明したように、基板２０のベース面２３は電気的に接地又は電気的にバイアスされている。付加的又は代替的に、バール２２の先端部２４は電気的に接地又は電気的にバイアスされている。

[00101] バール２２と物理的に接触している基板Ｗの下面２５の部分にある電荷は、下面２５とバール２２の間を通過することがある。バール２２の先端部２４に隣接する下面２５の領域に導電性液体２７の水分層を設けることによって、下面２５とバール２２の間を他の正電荷が通過する。ある実施形態では、先端部２４は、基板Ｗの下面２５における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する。

[00102] ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗが露光プロセス中に使用される基板テーブルＷＴ上に移動する前に基板Ｗを支持するのに使用される。導電性液体２７の蒸気を、バール２２の少なくとも１つの先端部２４に隣接する下面２５のある領域に供給することによって、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置される前に基板Ｗから電荷を除去することができる。ある実施形態では、バール２２は導電性である。基板サポート２０のバール２２の先端部２４は酸化することがある。これは、基板Ｗが露光プロセスに使用される基板テーブルＷＴ上にあるときに起こる酸化の量を減らすのに役立つ可能性がある。

[00103] ある実施形態では、基板テーブルＷＴは、露光プロセス中に基板Ｗの下面２５を支持するための平面内に先端部を有する複数のバールを備える。ある実施形態では、基板サポート２０のバール２２のパターンは、基板テーブルＷＴ上のバールのパターンと同じである。ある実施形態では、平面視における基板サポート２０のバール２２の中心の位置は、基板テーブルＷＴのバールの中心の位置と同じである。図２０に示すように、バール２２の先端部２４と接触する基板Ｗの下面２５の各部分から電荷を除去することができる。バールのパターンが基板サポート２０と基板テーブルＷＴとで同じであるとすることによって、電荷は、基板Ｗから、具体的には基板テーブルＷＴの酸化の問題を引き起こす可能性が最も高かった部分から除去される。本発明のある実施形態は、基板テーブルＷＴの劣化を低減することが期待される。

[00104] 基板サポート２０のバール２２のパターンが基板テーブルＷＴのバールのパターンと同じであることは必須ではない。導電性液体２７の水分層を介して基板テーブルＷＴのバールと接触することになる下面２５のセクションから電荷を除去することができる。

[00105] 図１６、図１９及び図２０に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０のバール２２の周りに水分層が設けられる。導電性液体２７の水分層は、バール２２の先端部２４と直接接触していない下面２５のセクションから電荷を除去することを可能にする。

[00106] 水分層を下部基板Ｗの下面２５に設けることは必須ではない。導電性液体２７の水分層を必要とせずに、基板サポート２０のバール２２と直接接触している下面２５の部分から電荷を除去することができる。導電性液体２７は、基板Ｗのより大きいエリアから電荷を除去することを可能にする。

[00107] 導電性液体２７は、下面２５で固定された電荷を別な方法で可動化するように構成されている。図１６に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はバール２２の先端部２４にコーティング１６２を備える。コーティング１６２は、かなり低い電気抵抗を有する。ある実施形態では、コーティングは電気散逸性である。例えばある実施形態では、コーティング１６２は、多くとも１００ＭΩ、任意選択で多くとも１０ＭΩ、及び任意選択で多くとも１ＭΩの抵抗を有する。ある実施形態では、少なくとも１０ｋΩの電気抵抗。ある実施形態では、コーティング１６２はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）、炭化ケイ素（例えばケイ素浸潤炭化ケイ素、ＳｉＳｉＣ）及び／又は窒化クロムを含む。

[00108] 図１６に示すように、ある実施形態では、バール２２はさらなるコーティング層１６３を備える。さらなるコーティング層１６３は、コーティング１６２とバール２２のバルクの間に配置される。さらなるコーティング層１６３は、酸化を受けやすい材料、例えば炭素を含むことがある。さらなるコーティング層１６３は、下面２５にある蒸気を化学的に還元するように構成された触媒を含むことがある。これは、基板Ｗ上の電荷を少なくとも部分的に中和するために陽イオンを生成するのに役立つ可能性がある。図１７は、基板サポート２０の代替的な実施形態を示している。図１７に示すように、ある実施形態では、さらなるコーティング層１６３は設けられない。

[00109] 図１８は、基板サポート２０の代替的な実施形態を示している。図１８に示す実施形態では、基板サポート２０のバール２２は、例えば図１６又は図１７の基板サポートに示したバール２２と比べて大きい直径を有する。ある実施形態では、基板サポート２０のバール２２は、基板テーブルＷＴのバールより大きい直径を有する。バール２２がより大きい直径を有するとすることによって、基板テーブルＷＴのバールと接触することになる下面２５のある領域に電荷がとどまる可能性を低くすることができる。基板Ｗが基板テーブルＷＴに配置されるときに、位置ずれ又は不整合が発生することがある。図１８に示す大径のバール２２は、基板Ｗの下面２５のより大きい局所エリアから電荷を除去する。これは、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置されるときの誤差を許容する。基板テーブルＷＴのバールは、基板サポート２０のバール２２によりその電荷を除去してある下面２５の領域内に収まる。

[00110] 任意選択で、導電性液体２７の水分層は、基板Ｗの下面２５のより大きい領域から電荷を除去できるように、バール２２の周りに設けられることがある。電荷は、バール２２の導電性の先端部２４を介して下面２５から除去される。

[00111] 例えば図１６に示すように、ある実施形態では、基板Ｗの下面２５は絶縁層１６１を備える。ある実施形態では、絶縁層１６１はＳｉＯ_２を含む。絶縁層の他の可能な材料が当業者に知られている。

[00112] 図１９に示すように、ある実施形態では、基板サポート２０はガス供給チャネル３１を備える。ある実施形態では、ガス供給チャネル３１と蒸気供給チャネル１９１とは、基板サポート２０のベース面２３にある共通開口部３２を共有する。ある実施形態では、開口部３２を介した導電性液体２７の蒸気の供給を制御する蒸気バルブ１９２が設けられる。

[00113] 代替的な実施形態では、蒸気供給チャネル１９１とガス供給チャネル３１とは単一チャネルである場合がある。ガス供給チャネル３１は、導電性液体２７の蒸気をギャップ２６に供給することによって蒸気供給チャネル１９１として機能することがある。

[00114] ある実施形態では、ガス供給チャネル３１は、導電性液体２７の水分層を基板Ｗの下面２５から除去するために、ギャップ２６にガスを供給するように構成される。

[00115] ある実施形態では、電荷操作及び基板Ｗの乾燥は、基板Ｗが基板サポート２０上で熱調節されている間に行われる。本発明のある実施形態は、スループットを実質的に低減させることなく基板テーブルＷＴの劣化を低減することが期待される。代替的な実施形態では、熱調節は電荷除去及び／又は乾燥の後に実行される。

[00116] ある実施形態では、導電性液体２７は、二酸化炭素で飽和した水である。代替的な実施形態では、導電性液体２７はＩＰＡである。ＩＰＡなどの導電性液体２７は、基板Ｗと接触する前に熱調節することができる。導電性液体２７は、基板Ｗを熱調節するのに使用することができる。導電性液体２７は、基板サポート２０と基板Ｗの間の熱伝達を改善するように構成されている。例えば、ＩＰＡは基板Ｗと基板サポート２０の間の熱伝達係数を改善することができる。

[00117] 図に示す実施形態では、供給チャネル２８、３１は中間半径に設けられ、抽出チャネル２９、３０が半径方向内側及び半径方向外側に設けられる。ただし、他の構成も可能である。ある実施形態では、供給チャネル２８、３１及び抽出チャネル２９、３０は、基板Ｗの下面２５の半径流を促進するために設けられる。流量及び圧力は制御することができる。

[00118] ある実施形態では、基板Ｗの下面２５はコーティングで被覆される。コーティングは、基板Ｗの下面２５における表面自由エネルギーを減らすように構成されている。ある実施形態では、コーティングは基板Ｗの下面２５を乾燥させた後に塗布される。ある実施形態では、バブラが液体コーティング材を蒸発させてガス状キャリア媒体にするように構成される。代替的な実施形態では、制御された蒸発混合は、液体コーティング材を蒸発させてガス状キャリア媒体にするのに用いることができる。

[00119] 以上において基板サポート２０が収容ユニットに含まれる実施形態を説明してきた。代替的な実施形態では、基板サポート２０は、リソグラフィ装置１００内の別のユニット又は別の位置に配置される。例えば基板サポート２０は、基板Ｗの温度を安定化させるように構成された温度安定化ユニットに含まれることがある。温度安定化ユニットは、例えば熱調節液体の流れ及び／又はガスシャワーによって熱調節されることがある。ある実施形態では、基板サポート２０は、基板Ｗがリソグラフィ装置１００内を移動するときに基板Ｗがこれを越えて並進移動する敷居に配置される。

[00120] 基板サポート２０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置される前に基板サポート２０との間で並進移動するように配置されることがある。

[00121] ある実施形態では、基板サポート２０はリソグラフィ装置１００の外側にある。例えば、基板サポート２０は、基板Ｗがリソグラフィ装置１００に入る前に基板Ｗが並進移動するために通る位置にある場合がある、又は基板サポート２０は、リソグラフィ装置１００とは別のスタンドアロンユニット（収容ユニット又は温度安定化ユニット）に設けられることがある。

[00122] ある実施形態では、デバイスが上記のリソグラフィ装置１００を使用することを含むデバイス製造方法によって製造される。リソグラフィ装置１００は、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗにパターンを転写する。ある実施形態では、デバイス製造方法は、以上で説明したように、電荷分布を操作する方法及び／又は基板Ｗを乾燥させる方法を含む。

[00123] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00124] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ～２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[00125] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 基板を支持する基板サポートであって、前記基板サポートが、
   前記基板サポートのベース面から突出し、前記基板の下面を、前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間にギャップを設けて支持するための平面内に先端部を有する複数のバールと、
   前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間の前記ギャップを埋めるために、前記ギャップに導電性液体を供給することによって、前記基板サポートと前記基板の間を電荷が通過できるようにする液体供給チャネルとを備え、
   前記基板サポートが、前記基板の前記下面における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する、基板サポート。
2. 基板を支持する基板サポートであって、前記基板サポートが、
   前記基板サポートのベース面から突出し、前記基板の下面を、前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間にギャップを設けて支持するための平面内に先端部を有する複数のバールと、
   少なくとも１つの前記バールの前記先端部に隣接する前記基板の前記下面のある領域に導電性液体の蒸気を供給することによって、前記基板の前記下面の前記領域と前記バールの間を電荷が通過できるようにする蒸気供給チャネルとを備え、
   前記先端部が、前記基板の前記下面における電荷分布を操作できるように制御された電位を有する、基板サポート。
3. 前記導電性液体を前記ギャップから変位させるために、前記ギャップにガスを供給するためのガス供給チャネルをさらに備える、及び／又は前記導電性液体又は前記導電性液体の蒸気が、前記導電性液体の水分層が前記基板の前記下面に形成されるように供給される、請求項１又は２の基板サポート。
4. 前記基板サポートの少なくとも一部が電気的に接地又は電気的バイアスされている、請求項１から３のいずれかの基板サポート。
5. ガス及び液体の少なくとも１つを前記ギャップから抽出するための１つ以上の抽出チャネルを備え、
   任意選択で前記ベース面が、前記ギャップが前記１つ以上の抽出チャネルに向かって狭くなる形状である、請求項１から４のいずれかの基板サポート。
6. 前記導電性液体が、ＣＯ_２飽和水及びイソプロピルアルコールから構成される群から選択された少なくとも１つを含む、及び／又は
   前記基板サポートが、前記基板を保持する機械的クランプ技術を利用する、請求項１から５のいずれかの基板サポート。
7. 前記基板サポートが静止している、請求項１から６のいずれかの基板サポートを備えたリソグラフィ装置。
8. 基板の下面の電荷分布を操作する方法であって、前記方法が、
   前記基板の下面を、基板サポートのベース面から突出し平面内に先端部を有する複数のバール上に、前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間にギャップを設けて支持すること、及び
   前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間の前記ギャップを埋めるために、前記ギャップに導電性液体を供給することによって、前記基板サポートと前記基板の間を電荷が通過できるようにすることを含み、
   前記基板サポートが、前記基板の前記下面における電荷分布が操作されるように制御された電位を有する方法。
9. 前記導電性液体を前記ギャップ内で半径方向に移動させるために、前記ギャップにガスを供給することを含み、その結果、前記導電性液体が移動して前記基板の前記下面の帯電箇所と接触すると、前記帯電箇所と前記基板サポートの前記ベース面の間を電荷が通過する、請求項８の方法。
10. 前記導電性液体を前記ギャップから変位させるために、前記ギャップにガスを供給することを含み、前記ガスが、前記導電性液体に可溶な有機液体の蒸気であって、前記導電性液体のメニスカスが前記基板の前記下面を横断する間に前記メニスカスに溶ける蒸気を含むことによって、前記下面の乾燥を促進する、請求項８又は９の方法。
11. 基板の下面の電荷分布を操作する方法であって、前記方法が、
    前記基板の下面を、基板サポートのベース面から突出し平面内に先端部を有する複数のバール上に、前記基板サポートの前記ベース面と前記基板の前記下面の間にギャップを設けて支持すること、及び
    少なくとも１つの前記バールの前記先端部に隣接する前記基板の前記下面のある領域に導電性液体の蒸気を供給することによって、前記基板の前記下面の前記領域と前記バールの間を電荷が通過できるようにすることを含み、
    前記先端部が、前記基板の前記下面における電荷分布が操作されるように制御された電位を有する方法。
12. 前記基板が露光プロセスに備えて熱調節されている間に実行される、請求項８から１１のいずれかの方法。
13. パターン形成された放射ビームにより露光される基板を準備する方法であって、前記方法が、
    前記基板をリソグラフィ装置に投入すること、
    前記基板を基板サポート上に支持すること、
    前記基板の下面を乾燥させること、及び
    前記基板の前記下面と反対側の上面が前記パターン形成された放射ビームによる露光を受ける基板テーブルに、乾燥させた前記基板を移動させることを含む方法。
14. 前記乾燥させることが、前記基板サポートから、前記基板の前記下面と前記基板サポートのベース面の間のギャップにガス流を供給することによる、請求項１３の方法。
15. 前記ガス流が、前記基板と前記基板サポートが接触することなく前記基板を前記基板サポート上方に支持するためのガス膜を提供する、請求項１４の方法。

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