JP2023175745A5 - - Google Patents
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Claims (24)
- 石膏建築材料において、少なくとも石膏と、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素と、を含み、
前記石膏建築材料が、スタッコを材料とし、前記石膏建築材料が、前記スタッコの質量に対して０．０１～１０重量％のＨ－シロキサン及び２０重量％以下の非晶質二酸化ケイ素を含み、前記非晶質二酸化ケイ素がマイクロシリカを含み、
前記Ｈ－シロキサンが、前記石膏建築材料中に均一に分布する、および／または前記石膏建築材料の少なくとも１つの表面に塗布され、
少なくとも８０℃の温度の影響下において前記石膏建築材料が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料よりも長い膨張段階を有する、石膏建築材料。 - 前記石膏建築材料が、さらなる添加剤を含む、請求項１に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも１．２倍であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも２倍であることを特徴とする、請求項３に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも２．５倍であることを特徴とする、請求項４に記載の石膏建築材料。
- 最初の６０分間、ＤＩＮ ＥＮ１３６３－１：２０１２－１０による温度／時間曲線に従った温度の影響下にあり、次の６０分間、９５０℃の一定の温度適用下において前記石膏建築材料が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料よりも小さい収縮率を有することを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも１０％低いことを特徴とする、請求項６に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも５０％低いことを特徴とする、請求項７に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも７５％低いことを特徴とする、請求項８に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、前記スタッコの質量に対して、０．０１～５重量％のＨ－シロキサンを含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、前記スタッコの量に対して、０．５重量％～２０重量％の非晶質二酸化ケイ素を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、前記スタッコの量に対して、０．５重量％～１０重量％の非晶質二酸化ケイ素を含む、請求項１１に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、前記スタッコの量に対して、０．５重量％～６重量％の非晶質二酸化ケイ素を含む、請求項１２に記載の石膏建築材料。
- 前記Ｈ－シロキサンの含有量が前記非晶質二酸化ケイ素の含有量よりも低い、請求項１～１３のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、１～２．５重量％のＨ－シロキサンおよび１～５重量％の非晶質二酸化ケイ素を含むことを特徴とする、請求項１～１４のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、石膏建築ボードであることを特徴とする、請求項１～１５のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも１つの表面が、Ｈ－シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項１６に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも２つの表面が、Ｈ－シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項１７に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも上面および下面が、Ｈ－シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項１８に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードが、少なくとも１つの第１のエッジ層およびコア層を有し、少なくとも前記第１のエッジ層が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含有することを特徴とする、請求項１６に記載の石膏建築材料。
- 石膏建築ボードを製造するための方法であって、
少なくとも１つのスラリーが、少なくともスタッコと水とが互いに混合されることで製造され、前記スラリーが、石膏建築ボードの切れ目のないストランドへと形成されて、次いでこれが複数の石膏建築ボードに分離され、前記複数の石膏建築ボードが乾燥される方法であり、
前記スラリーを製造するために、前記スタッコの質量に対して０．０１～１０重量％のＨ－シロキサンおよび前記スタッコの質量に対して２０重量％以下の非晶質二酸化ケイ素がさらに使用され、前記非晶質二酸化ケイ素がマイクロシリカを含み、それにより、少なくとも８０℃の温度の影響下において前記石膏建築ボードがＨ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築ボードよりも長い膨張段階を有することを特徴とする、石膏建築ボードを製造するための方法。 - 前記Ｈ－シロキサンが、前記石膏建築ボードの切れ目のないストランドまたは分離された前記複数の石膏建築ボードの少なくとも１つの表面に塗布される、請求項２１に記載の方法。
- 少なくとも１つの第１のスラリーおよび１つの第２のスラリーが、製造され、前記第１のスラリーが、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含有し、前記第１のスラリーが、前記石膏建築ボードの少なくとも１つのエッジ層を形成するために使用されることを特徴とする、請求項２１又は２２に記載の方法。
- 温度の影響下における、スタッコからなる石膏建築材料の膨張段階を延長するための、スタッコの質量に対して０．０１～１０重量％のＨ－シロキサンおよびスタッコの質量に対して２０重量％以下の非晶質二酸化ケイ素の使用であって、前記非晶質二酸化ケイ素はマイクロシリカを含み、
前記石膏建築材料を、ＤＩＮ ＥＮ１３６３－１：２０１２－１０による温度／時間曲線に従って、０分から６０分まで、９５０℃まで加熱し、６０分から１２０分まで、常に９５０℃の一定温度に保ちながら処理したときに、前記石膏建築材料が、Ｈ－シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成の石膏建築材料と比較して、より長い膨張段階を有する、使用。
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