JP2023164381A - 有機ｅｌデバイスの作製方法 - Google Patents

有機ｅｌデバイスの作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023164381A
JP2023164381A JP2023073291A JP2023073291A JP2023164381A JP 2023164381 A JP2023164381 A JP 2023164381A JP 2023073291 A JP2023073291 A JP 2023073291A JP 2023073291 A JP2023073291 A JP 2023073291A JP 2023164381 A JP2023164381 A JP 2023164381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
film
organic compound
abbreviation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023073291A
Other languages
English (en)
Inventor
泰裕 新倉
Yasuhiro Niikura
祥子 川上
Sachiko Kawakami
直明 橋本
Naoaki Hashimoto
唯 吉安
Yui Yoshiyasu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2023164381A publication Critical patent/JP2023164381A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】有機化合物層上に酸化アルミニウム膜を接して形成する工程を有する発光デバイスにおいて、高電圧化を抑制する。【解決手段】第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に水、または水を溶媒とする薬液に対する溶解度が低い有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、無機マスク層により、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、水または水を溶媒とした液体を用いて無機マスク層および有機マスク層の少なくとも一部を除去する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、有機化合物、有機ＥＬデバイス、ディスプレイモジュール、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する有機ＥＬデバイスの実用化が進んでいる。これら有機ＥＬデバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
このような有機ＥＬデバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶に比べ、視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイには特に好適である。また、このような有機ＥＬデバイスを用いたディスプレイは、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、これらの有機ＥＬデバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球およびＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
このように有機ＥＬデバイスを用いた発光装置さまざまな電子機器に好適であるが、より良好な特性を有する有機ＥＬデバイスを求めて研究開発が進められている。
有機ＥＬデバイスを用いたより高精細な発光装置を得るために、メタルマスクを用いた蒸着法に代わって、フォトレジストなどを用いたフォトリソグラフィ法による有機層のパターニングが研究されている。フォトリソグラフィ法を用いることによって、ＥＬ層の間隔が数μｍという高精細な発光装置を得ることができる（例えば特許文献１参照）。
特表２０１８－５２１４５９号公報
有機化合物膜を所定の形状に作製する方法の一つとして、メタルマスクを用いた真空蒸着法（マスク蒸着）が広く用いられている。しかし、高密度化、高精細化が進む昨今、マスク蒸着は、合わせ精度の問題、基板との配置間隔の問題に代表される種々の理由により、これ以上の高精細化は限界に近付いている。一方、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物膜の形状を加工することで、より緻密なパターンを形成することができる。特に、有機化合物膜を加工する際に、金属や金属化合物などの無機膜からなるハードマスク層を用いることで、より微細な加工が可能となる。さらに、大面積化も容易であることから、フォトリソグラフィ法を用いた有機化合物膜の加工に関する研究も進められている。
しかし、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物膜の形状を加工するためには、多くの課題を乗り越える必要がある。具体的には、有機化合物膜の大気暴露の影響、感光性樹脂を露光する際の光照射の影響、露光した感光性樹脂を現像する際に曝される現像液などの薬液の影響がある。さらに、ハードマスク層に無機膜を用いる場合、無機膜の成膜工程による影響、また無機膜を除去する場合に用いる薬液、または洗浄液の影響などがある。
つまり、露光、またはハードマスクとなる膜の成膜時の影響、またはレジストマスクやハードマスク層を除去する工程に使用する薬液により、有機化合物が劣化、有機化合物膜自体が消失する、有機化合物膜の表面がダメージを受けてその後作製されるデバイスの特性が大きく悪化する、などの事態が生じる場合がある。特に、ハードマスクとなる膜をスパッタリング法により成膜した場合、下層構造にダメージを与える場合がある。
従って、本発明の一態様では、有機化合物膜をフォトリソグラフィ法で加工する工程を有する有機ＥＬデバイスにおいて、高電圧化を抑制することを目的とする。または、本発明の一態様では、有機化合物膜をハードマスク層を用いて加工する工程を有する有機ＥＬデバイスにおいて、特性の良好な有機ＥＬデバイスを提供することを目的とする。
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の一態様は、製造プロセスにおける設計自由度が高い有機ＥＬデバイスを提供することを課題の一とする。または、本発明の他の一態様は、信頼性の高い有機ＥＬデバイスを提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
そこで、本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、無機マスク層により、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、水または水を溶媒とした液体を用いて無機マスク層および有機マスク層の少なくとも一部を除去する。

上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物において、Ｘは下記一般式（Ｘ１－１）で表される基、Ｙは下記一般式（Ｙ１－１）で表される基である。また、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。
上記一般式（Ｘ１－１）および（Ｙ１－１）において、Ｒ３乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、ｎは１乃至５の整数を表す。なお、ｍまたはｎが２以上の場合、複数となるＲ３乃至Ｒ６はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。
本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１－１）乃至下記一般式（Ｇ１－９）のいずれか一で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、無機マスク層により、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、水または水を溶媒とした液体を用いて無機マスク層および有機マスク層の少なくとも一部を除去する。
上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－９）で表される有機化合物において、Ｒ１１乃至Ｒ１２０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。
本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、無機マスク層により、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、水または水を溶媒とした液体を用いて無機マスク層および有機マスク層の少なくとも一部を除去する。
上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７及びＲ８は同じであっても異なっていてもよく、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。
上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、複数となるＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。
本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２－１）乃至下記一般式（Ｇ２－３）のいずれか一で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、無機マスク層により、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、水または水を溶媒とした液体を用いて無機マスク層および有機マスク層の少なくとも一部を除去する。
上記一般式（Ｇ２－１）乃至一般式（Ｇ２－３）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７１乃至Ｒ９４はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７１乃至Ｒ９４は同じであっても異なっていてもよい。
本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク膜を形成し、無機マスク膜上に、ハードマスク膜を形成し、リソグラフィ法により、ハードマスク膜の形状を加工することで、ハードマスク層および無機マスク層を形成し、ハードマスク層および無機マスク層を用いて、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機化合物層を形成し、無機マスク層の少なくとも一部およびハードマスク層を除去し、水または水を溶媒とした液体を用いて有機マスク層および無機マスク層の少なくとも一部を除去することで有機化合物層を露出し、有機化合物層上に第２の電極を形成する。
上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物において、Ｘは下記一般式（Ｘ１－１）で表される基、Ｙは下記一般式（Ｙ１－１）で表される基である。また、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基を表し、ｈが２以上の場合、複数となるＲ１およびＲ２は同じであっても異なっていてもよい。
上記一般式（Ｘ１－１）および（Ｙ１－１）において、Ｒ３乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、ｎは１乃至５の整数を表す。なお、ｍまたはｎが２以上の場合複数となるＲ３乃至Ｒ６はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。
本発明の一態様では、第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、有機マスク膜上に、無機マスク膜を形成し、無機マスク膜上に、ハードマスク膜を形成し、リソグラフィ法により、ハードマスク膜の形状を加工することで、ハードマスク層および無機マスク層を形成し、ハードマスク層および無機マスク層を用いて、有機マスク膜および有機化合物膜の形状を加工することで、有機化合物層を形成し、無機マスク層の少なくとも一部およびハードマスク層を除去し、水または水を溶媒とした液体を用いて有機マスク層および無機マスク層の少なくとも一部を除去することで有機化合物層を露出し、有機化合物層上に第２の電極を形成する。
上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７及びＲ８は同じであっても異なっていてもよく、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。
上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、複数となるＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。
上記本発明において、ハードマスク層は、スパッタリング法により成膜される。
上記本発明において、無機マスク層は、ＡＬＤ（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜される。
上記本発明において、有機マスク層は、真空蒸着法により成膜する。
上記本発明において、有機化合物層は、積層構造を有し、有機化合物層は、第１の電極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有する。
本発明の一態様では、第１の電極と、第２の電極と、第１の有機化合物層と、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク層と、を有し、第１の有機化合物層は、第１の電極と、第２の電極との間に位置し、有機マスク層は、第１の有機化合物層と、第２の電極との間に位置し、第１の有機化合物層の側面と、有機マスク層の側面と、が概略同一表面を有する。
上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７及びＲ８は同じであっても異なっていてもよく、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。
上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、それぞれのＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。
本発明の一態様では、第１の電極と、第２の電極と、第１の有機化合物層と、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク層と、第２の有機化合物層と、を有し、第１の有機化合物層は、第１の電極と、第２の電極との間に位置し、有機マスク層は、第１の有機化合物層と、第２の電極との間に位置し、第２の有機化合物層は、有機マスク層と、第２の電極との間に位置し、第１の有機化合物層の側面と、有機マスク層の側面と、が概略同一表面を有し、第２の有機化合物層の側面は、第１の有機化合物層の側面および有機マスク層の側面とは同一表面を有さない有機ＥＬデバイスである。

上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７及びＲ８は同じであっても異なっていてもよく、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。
上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、それぞれのＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。
上記本発明において、第１の有機化合物層は、発光層を有する。
なお、本明細書中における発光装置とは、有機ＥＬデバイスを用いた画像表示デバイスを含む。また、有機ＥＬデバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は有機ＥＬデバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも発光装置に含む場合がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
本発明の一態様では、有機化合物膜を露光工程、および大気暴露から保護することができる。または、本発明の一態様では、有機化合物膜をフォトリソグラフィ法で加工する工程を有する有機ＥＬデバイスにおいて、高電圧化を抑制することができる。または、本発明の一態様では、有機化合物膜をハードマスク層により用いて加工する工程を有する有機ＥＬデバイスにおいて、特性の良好な有機ＥＬデバイス提供することができる。
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、製造プロセスにおける設計自由度が高い有機ＥＬデバイスを提供することができる。または、本発明の他の一態様は、信頼性の高い有機ＥＬデバイスを提供することができる。
なお、この効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）は本発明の一態様を表す図である。 図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）は従来の構成を表す図である。 図３（Ａ）乃至図３（Ｅ）は、膜の加工方法を表す図である。 図４（Ａ）乃至図４（Ｅ）は、膜の加工方法を表す図である。 図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）は、有機ＴＦＴ、有機ＥＬデバイス、または光電変換デバイスについて表す図である。 図６（Ａ）乃至図６（Ｄ）は、発光装置について表す図である。 図７は発光装置について表す図である。 図８（Ａ）乃至図８（Ｆ）は、有機ＥＬデバイスおよび発光装置の作製方法について表す図である。 図９（Ａ）乃至図９（Ｆ）は、有機ＥＬデバイスおよび発光装置の作製方法について表す図である。 図１０は有機ＥＬデバイスを表す図である。 図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図１２はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図１４（Ａ）、図１４（Ｂ１）、図１４（Ｂ２）および図１４（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１６は車載表示装置及び照明装置を表す図である。 図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）は電子機器を表す図である。 図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）、および図１９（Ｄ）は、実施例にかかるサンプルの光顕観察を説明する図である。 図２０（Ａ）、図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）、および図２０（Ｄ）は、実施例にかかかるサンプルの断面図を説明する図である。 図２１は実施例にかかるデバイスの断面図を説明する図である。 図２２は実施例にかかるデバイスの電流密度－電圧特性を説明する図である。 図２３は実施例にかかるデバイスの輝度－電圧特性を説明する図である。 図２４は実施例にかかるデバイスの外部量子効率－輝度特性を説明する図である。 図２５は実施例にかかるデバイスの発光スペクトルを説明する図である。 図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）、および図２６（Ｄ）は、実施例にかかるサンプルの光顕観察を説明する図である。 図２７は実施例にかかるデバイスの輝度の時間変化を説明する図である。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
また、本明細書等において、成膜後形状加工を行っていないものに関しては「膜」、形状加工を行ったものに関しては「層」と主に述べている。しかし、これらは工程の進行に対するわかりやすさを主眼として使い分けているだけであり、大きな差異はないことから、「膜」を「層」、「層」を「膜」と読み替えることができる。特に、加工の工程を経ない記載に関してはどちらも同義であるものとする。
（実施の形態１）
有機化合物膜を露光工程、および大気暴露から保護する一つの手段として、図２（Ａ）のように無機マスク膜１５３を保護膜として有機化合物膜１５１上に接して設けるとよい。例えば、無機マスク膜は、緻密に成膜することが可能であり、液体および気体を遮断する能力が高いことから、上述の工程による悪影響を抑制することが可能となる。
無機マスク膜１５３として、酸化アルミニウム膜を用いることができる。酸化アルミニウム膜は、ＡＬＤ（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの緻密な膜質、かつ下層へのダメージが少ない方法により成膜が可能であるため、有機化合物膜１５１の保護膜として非常に好適である。
一方、無機マスク膜は、除去する工程が必要となる。有機化合物膜の表面が無機マスク膜を除去する工程に用いられる薬液、または洗浄液などに過度に曝されると、図２（Ｂ）のように有機化合物膜１５１の表面１５１ｓがダメージを受け、有機化合物の特性の悪化を招いてしまう場合がある。
また、図２（Ｃ）のように、無機マスク膜が完全に除去されず、一部でも残留した場合、デバイスとした場合に、駆動電圧が上昇などの不具合の原因になる蓋然性が高い。
そこで、本発明の一態様では、図１（Ａ）のように、有機化合物膜１５１と無機マスク膜１５３との間に、特定の構造を有する有機化合物を含む有機マスク膜１５２を用いるものとする。
なお、有機マスク膜（以下、マスク膜ともいう）としては、耐熱性または安定性を有する材料を用いることができる。つまり、有機マスク膜１５２を有することで、ハードマスクとなる膜および無機マスク膜１５３の成膜時に有機化合物膜１５１に影響を生じさせることを抑制することができる。従って、ハードマスクまたは無機マスク膜１５３の材料または成膜方法を制限することなく、有機ＥＬデバイスとしての設計自由度を向上させることができる。
また、有機マスク膜１５２は、無機マスク膜１５３よりも除去が容易であり、剥離層として機能する場合がある。従って、有機化合物膜１５１に影響を与えることなく、有機マスク膜１５２、および無機マスク膜１５３を除去することができる。
また、有機マスク膜１５２は、デバイス特性を大きく阻害（例えば、高電圧化等）しない材料を用いることが好ましい。特に、有機マスク膜１５２は、電子注入層、または電子輸送層として機能するものを用いてもよい。デバイス特性を大きく阻害しない材料、または電子注入層もしくは電子輸送層として機能するものである場合、図１（Ｃ）に示すように、有機マスク膜１５２は完全に除去する必要はなく、一部、または全面に残留していてもよい。
上記有機マスク層として、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を用いることができる。
上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物において、Ｘは下記一般式（Ｘ１－１）で表される基、Ｙは下記一般式（Ｙ１－１）で表される基である。また、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、ｈが２以上の場合、複数となるＲ１及びＲ２は同じであっても異なっていてもよく、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。
また、Ａｒで表されるアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、またはアントリル基などを用いることができる。
また、Ａｒで表されるヘテロアリール基としては、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、フェナントロリン環、カルバゾール環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、ビピリジン環、ビピリミジン環、ピラジン環、ビピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ベンゾキノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、アゾフルオレン環、ジアゾフルオレン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジナフトフラン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾナフトチオフェン環、ジナフトチオフェン環、ベンゾフロピリジン環、ベンゾフロピリミジン環、ベンゾチオピリジン環、ベンゾチオピリミジン環、ナフトフロピリジン環、ナフトフロピリミジン環、ナフトチオピリジン環、ナフトチオピリミジン環、ジベンゾキノキサリン環、アクリジン環、キサンテン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環、フェナジン環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾイミダゾール環、またはピラゾール環、などを用いることができる。
上記一般式（Ｘ１－１）および（Ｙ１－１）において、Ｒ３乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、ｎは１乃至５の整数を表す。なお、ｍまたはｎが２以上の場合に複数となるＲ３乃至Ｒ６は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
また、例えば、上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、下記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－９）であることが好ましい。
上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－９）で表される有機化合物において、Ｒ１１乃至Ｒ１２０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、ｈが２以上の場合、複数となるＲ１１乃至Ｒ１２０は同じであっても異なっていてもよく、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。
なお、上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－９）において、Ａｒに用いることができる置換基としては、上述した一般式（Ｇ１）の同記号の置換基の記載を参照することができる。
また、上記有機マスク層として、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を用いることができる。
上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７及びＲ８は同じであっても異なっていてもよく、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。
上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換若しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、それぞれのＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。
また、例えば、上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物は、下記一般式（Ｇ２－１）乃至一般式（Ｇ２－３）であることが好ましい。
上記一般式（Ｇ２－１）乃至一般式（Ｇ２－３）で表される有機化合物においてＡｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７１乃至Ｒ９４はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数となるＲ７１乃至Ｒ９４は同じであっても異なっていてもよい。
なお、上記一般式（Ｇ２）、および（Ｇ２－１）乃至一般式（Ｇ２－３）において、Ａｒに用いることができる置換基としては、上述した一般式（Ｇ１）の同記号の置換基の記載を参照することができる。
上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物としては、具体的には、下記構造式（１００）乃至（１１８）で表される有機化合物を例として挙げることができる。
上述した本発明の一態様の有機化合物を含む有機マスク膜１５２を有機化合物膜１５１と無機マスク膜１５３の間に形成することによって、有機化合物膜１５１へのダメージを抑制しつつ、高電圧化を防ぎながら、無機マスク膜１５３の除去を容易に行うことができるようになる。また、結果として、フォトリソグラフィ法による加工を経た、超高精細且つ特性の良好なデバイスを実現することが可能となる。
本実施の形態の構成は、他の構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の有機化合物膜の加工方法を、図３および図４を用いて説明する。
まず、下地膜１５０上に有機化合物膜１５１を形成する（図３（Ａ））。下地膜は、この後作製するデバイスによって、絶縁膜であっても、導電膜であっても構わない。有機化合物膜１５１は蒸着法などの乾式法で形成しても、スピンコート法等の湿式法で形成してもよい。
次に、有機化合物膜１５１上に、実施の形態１で説明した上記一般式（Ｇ１）または上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を含む有機マスク膜１５２を成膜する（図３（Ａ））。有機マスク膜１５２は、真空蒸着法により形成されることが好ましい。
続いて、有機マスク膜１５２上に無機マスク膜１５３を形成する（図３（Ａ））。無機マスク膜１５３は、有機化合物膜１５１と接する膜へのダメージが小さい方法により成膜することが好ましい。
無機マスク膜１５３上には、金属膜または金属化合物膜からなるハードマスクとなる膜１５４を形成することが好ましい（図３（Ｂ））。ハードマスクとなる膜１５４の成膜は、無機マスク膜１５３が存在することで有機化合物膜１５１へのダメージを抑制することが可能であることから、スパッタリング法など成膜される面へのダメージが比較的大きい成膜法を選択することができる。
なお、当該ハードマスクとなる膜１５４を構成する材料としては、例えばシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、モリブデンとタングステンを含む合金金属酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
その後、ハードマスクとなる膜１５４上に感光性の樹脂を塗布し、樹脂膜１５５を成膜する（図３（Ｃ））。当該感光性の樹脂は、ポジ型のレジストでもネガ型のレジストでも構わない。
続いて、樹脂の感光性に合わせて露光を行い、現像することで、フォトマスク層１５５ａを形成し（図３（Ｄ））、当該フォトマスク層１５５ａを用いてハードマスクとなる膜１５４をエッチングして、ハードマスク層１５４ａを形成する（図３（Ｅ））。
ハードマスクとなる膜１５４のエッチングは、ウェットエッチングで行っても良いし、ドライエッチングで行っても構わない。また、当該エッチングはハードマスクとなる膜１５４と無機マスク膜１５３において、ハードマスクとなる膜１５４の方の選択比が高い条件を選択して用いることが好ましい。
ハードマスク層１５４ａを形成した後、フォトマスク層１５５ａを除去する（図４（Ａ））。ハードマスクとなる膜１５４および無機マスク膜１５３の存在によってフォトマスク層１５５ａを形成および除去する際の処理で有機化合物膜１５１が消失する、ダメージを受けるなどの悪影響を受けず済むため、特性の良好な有機ＥＬデバイスを作製することができる。
この後、ハードマスク層１５４ａをマスクとし、エッチングを行うことで、有機化合物層１５１ａ、有機マスク層１５２ａおよび無機マスク層１５３ａを形成する（図４（Ｂ））。これらのエッチングは、ウェットエッチングで行っても良いし、ドライエッチングで行っても構わないが、ドライエッチングで行うことが好ましい。
有機化合物層１５１ａの加工が終了したら、ハードマスク層１５４ａを除去する（図４（Ｃ））。ハードマスク層１５４ａの除去はエッチングによって行えばよく、ウェットエッチングで行っても良いし、ドライエッチングで行っても構わないが、ドライエッチングで行うことが好ましい。当該エッチングはハードマスク層１５４ａと無機マスク層１５３ａにおいて、ハードマスク層１５４ａの方の選択比が高い条件を選択して用いることが好ましい。
最後に、無機マスク層１５３ａと有機マスク層１５２ａとを、水または水を溶媒とした液体で処理することによって同時に除去する（図４（Ｅ））。
除去する方法としては、水または水を溶媒とした液体に一定時間浸漬した後、純水のシャワーで洗い流せばよい。これだけの工程でハードマスク層１５４ａと有機マスク層１５２ａとを除去することができる。除去に用いる液体は、水である方が有機化合物層１５１ａへのダメージがより少ないために好ましい構成である。
なお、ハードマスク層１５４ａを除去した後、有機マスク層１５２ａを水または水を溶媒とした液体で処理する前に、無機マスク層１５３ａをある程度除去しておいてもよい（図４（Ｄ））。無機マスク層１５３ａの除去はエッチングによって行えばよく、ウェットエッチングで行っても良いし、ドライエッチングで行っても構わないが、アルカリ溶液または酸性溶液を用いたウェットエッチングで行うことが好ましく、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングがさらに好ましい。有機マスク層１５２ａがあることによって、有機化合物層１５１ａの表面がアルカリ溶液または酸性溶液に曝されることがないため、特性の劣化を防ぐことができる。また、この際、無機マスク残渣１５３ｒが多少有機マスク層１５２ａに残る程度に処理を行うことで、その後の有機マスク層１５２ａを除去する工程をよりスムーズに行うことが可能となる。
また、有機マスク層１５２ａに、デバイス特性を大きく阻害（例えば、高電圧化等）しない材料、または、電子注入層として機能するものを用いた場合、有機マスク膜１５２は完全に除去する必要はなく、一部、または全面に残留していてもよい。
このような工程で加工された有機化合物層１５１ａは、加工によるダメージが小さいことから、特性の良好な有機ＥＬデバイスとすることができる。また、有機化合物層１５１ａの表面に無機マスク残渣１５３ｒが残ることを抑制することができるので、この後に作製する有機ＥＬデバイスの高電圧化を防ぐことができる。
なお、当該有機化合物層１５１ａは、図５（Ａ）のように絶縁層１６０上に設けられた有機化合物層１５１ａ、ゲート絶縁層１６１、ゲート電極１６２、ソース電極１６３、ドレイン電極１６４を有する有機ＴＦＴ、図５（Ｂ）のように、絶縁層１６０上に設けられた第１の電極１６５および第２の電極１６６、光電変換層１６７を有する、太陽電池、フォトセンサなどの光電変換デバイス、図５（Ｃ）のように、絶縁層１６０上に設けられた第１の電極１６５、第２の電極１６６および発光層１６８を有する有機ＥＬデバイスに用いることができる。
本実施の形態の構成は、他の構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の有機ＥＬデバイスの一例として、発光デバイスの作製方法について、図面を参照して説明する。ここでは、一例として、図６に示すような発光装置４５０を例に挙げて説明する。発光装置４５０は、実施の形態１または実施の形態２における有機化合物層がＥＬ層である有機ＥＬデバイスを有する発光装置である。すなわち、以下においてＥＬ層と表記されたものが上述の有機化合物層に相当する。なお、ＥＬ層に変えて光電変換層を含む有機化合物層を用いることで、フォトセンサとして用いることもできる。フォトセンサと有機ＥＬデバイスを発光装置内に同時に有していても良い。
［発光装置４５０］
図６（Ａ）に、発光装置４５０の上面概略図を示す。発光装置４５０は、青色を呈する有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、緑色を呈する有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び赤色を呈する有機ＥＬデバイス１１０Ｒをそれぞれ複数有する。図６（Ａ）では、各有機ＥＬデバイスの区別を簡単にするため、各有機ＥＬデバイスの発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒは、それぞれマトリクス状に配列している。図６（Ａ）は、一方向に同一の色の有機ＥＬデバイスが配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、有機ＥＬデバイスの配列方法はこれに限られず、デルタ配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。
有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒは、Ｘ方向に配列している。また、Ｘ方向と交差するＹ方向には、同じ色の有機ＥＬデバイスが配列している。
有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒは上記構成を有する有機ＥＬデバイスである。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）中の一点鎖線Ａ１－Ａ２に対応する断面概略図であり、図６（Ｃ）は、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２に対応する断面概略図である。
図６（Ｂ）には、有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒの断面を示している。有機ＥＬデバイス１１０Ｂは、第１の電極（画素電極）１０１Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第２のＥＬ層１２１、及び第２の電極１０２を有する。有機ＥＬデバイス１１０Ｇは、第１の電極（画素電極）１０１Ｇ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、第２のＥＬ層（電子注入層）１２１、及び第２の電極１０２を有する。有機ＥＬデバイス１１０Ｒは、第１の電極（画素電極）１０１Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第２のＥＬ層１２１、及び第２の電極（共通電極）１０２を有する。第２のＥＬ層１２１と第２の電極１０２は、有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒに共通に設けられる。第２のＥＬ層１２１は、共通層ともいうことができる。なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１は陽極、第２の電極１０２は陰極である場合を例に説明する。
有機ＥＬデバイス１１０Ｂが有する第１のＥＬ層１２０Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機ＥＬデバイス１１０Ｇが有する第１のＥＬ層１２０Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機ＥＬデバイス１１０Ｒが有する第１のＥＬ層１２０Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。
第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒは、それぞれ発光層を少なくとも有し、そのほかに、正孔ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層、励起子ブロック層などのうち、一以上を有していてもよい。第２のＥＬ層１２１は、発光層を有さない構成とする。第２のＥＬ層１２１は電子注入層であることが好ましい。なお、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒ第２の電極側の表面が電子注入層の役割も担う場合、第２のＥＬ層１２１は設けられていなくともよい。
第１の電極（陽極）１０１Ｂ、第１の電極（陽極）１０１Ｇ、及び第１の電極（陽極）１０１Ｒは、それぞれ有機ＥＬデバイス毎に設けられている。また、第２の電極１０２及び第２のＥＬ層１２１は、各有機ＥＬデバイスに共通な一続きの層として設けられていることが好ましい。
第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。第１の電極１０１を透光性、第２の電極１０２を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各第１の電極を反射性、第２の電極１０２を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各第１の電極１０１と第２の電極１０２の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。本実施の形態における有機ＥＬデバイスは、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスに好適である。
第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒの端部を覆って、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒがそれぞれ設けられている。また、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒの端部を覆って絶縁層１２５が設けられている。言い換えると、絶縁層１２５は、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒおよび第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及びＥ第１のＬ層１２０Ｒと重なる開口部を有している。絶縁層１２５の開口部における端部は、テーパ形状であることが好ましい。なお、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒの端部は、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒにそれぞれ覆われていなくてもよい。
第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒは、それぞれ第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒ上面に接する領域を有する。また、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒの端部は、絶縁層１２５の下に位置する。第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒの上面は絶縁層１２５に接する領域と、第２のＥＬ層１２１（第２のＥＬ層を設けない構成の場合は第２の電極１０２）に接する領域とを有する。
図７は、図６（Ｂ）の変形例である。図７において、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒの端部は、基板側に向かって広くなるテーパ形状を有しており、上部に形成される膜の被覆性が向上している。また、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｒの端部は、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒにそれぞれ覆われている。ＥＬ層を覆ってマスク層１０７が形成されている。これは、フォトリソグラフィ法によってエッチングをする際に、ＥＬ層がダメージを受けることを抑制する働きがある。有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒの間には絶縁層１０８が設けられている。絶縁層１０８の端部はなだらかなテーパ形状を有しており、その後に形成される第２のＥＬ層１２１および第２の電極１０２の段切れを抑制することができる。
図６（Ｂ）、図７に示すように、異なる色の有機ＥＬデバイス間において、２つのＥＬ層の間に隙間が設けられている。このように、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを有効に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、隣り合う有機ＥＬデバイス（例えば有機ＥＬデバイス１１０Ｂと有機ＥＬデバイス１１０Ｇ）における向かい合うＥＬ層の端部同士の間隔は、フォトリソグラフィ法を用いて作製することにより、２μｍ以上５μｍ以下とすることが可能である。なお、これは、ＥＬ層に含まれる発光層同士の間隔と言い換えることもできる。メタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難である。
このように、フォトリソグラフィ法を用いて発光装置を作製することにより、２つの有機ＥＬデバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を大きく拡大することができるようになる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。
なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。より具体的には、有機ＥＬデバイスを用い、開口率が１０％の表示装置の寿命を基準にした場合、開口率が２０％（すなわち、基準に対して開口率が２倍）の表示装置の寿命は約３．２５倍となり、開口率が４０％（すなわち、基準に対して開口率が４倍）の表示装置の寿命は約１０．６倍となる。このように、開口率の向上に伴い、有機ＥＬデバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることが可能となる。本実施の形態で説明する表示装置においては、開口率を向上させることが可能であるため表示装置の表示品位を向上させることが可能となる。さらに、表示装置の開口率の向上に伴い、表示装置の信頼性（特に寿命）を格段に向上させるといった、優れた効果を奏する。
図６（Ｃ）では、Ｙ方向において、第１のＥＬ層１２０Ｒが有機ＥＬデバイス毎に分離するように形成されている例を示した。なお、図６（Ｃ）では一例として有機ＥＬデバイス１１０Ｒの断面を示しているが、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ及び有機ＥＬデバイス１１０Ｂについても同様の形状とすることができる。なお、ＥＬ層はＹ方向において一続きであり、第１のＥＬ層１２０Ｒが帯状に形成されていてもよい。第１のＥＬ層１２０Ｒなどを帯状に形成することで、これらを分断するためのスペースが不要となり、有機ＥＬデバイス間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。
第２の電極１０２上には、有機ＥＬデバイス１１０Ｂ、有機ＥＬデバイス１１０Ｇ、及び有機ＥＬデバイス１１０Ｒを覆って、バリア層１３１が設けられている。バリア層１３１は、上方から各有機ＥＬデバイスに悪影響を及ぼす不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。
バリア層１３１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、バリア層１３１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。
また、バリア層１３１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、バリア層１３１の上面が平坦となるため、バリア層１３１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。
また、図６（Ａ）には、第２の電極１０２と電気的に接続する接続電極１０１Ｃを示している。接続電極１０１Ｃは、第２の電極１０２に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１０１Ｃは、有機ＥＬデバイス１１０Ｂなどが配列する表示領域の外に設けられる。また図６（Ａ）には、第２の電極１０２を破線で示している。
接続電極１０１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１０１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。
図６（Ｄ）は、図６（Ａ）中の一点鎖線Ｃ１－Ｃ２に対応する断面概略図である。図６（Ｄ）には、接続電極１０１Ｃと第２の電極１０２とが電気的に接続する接続部１３０を示している。接続部１３０では、接続電極１０１Ｃ上に第２の電極１０２が接して設けられ、第２の電極１０２を覆ってバリア層１３１が設けられている。また、接続電極１０１Ｃの端部を覆って絶縁層１２５が設けられている。
［作製方法例］
図８（Ａ）乃至図９（Ｆ）は、以上で説明した発光装置４５０の作製方法の、各工程における断面概略図である。またこれらには、右側に接続部１３０及びその近傍における断面概略図を合わせて示している。
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線などを用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
〔基板１００の準備〕
基板１００としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１００として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコン、炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。
特に、基板１００として、上記半導体基板または絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。
〔第１の電極１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、接続電極１０１Ｃの形成〕
続いて、基板１００上に第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、第１の電極１０１Ｒ、及び接続電極１０１Ｃを形成する（図８（Ａ））。まず画素電極（第１の電極）となる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、第１の電極１０１Ｒ、及び第１の電極１０１Ｃを形成することができる。
各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば銀またはアルミニウムなど）を適用することが好ましい。これにより、有機ＥＬデバイスの光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いた場合、基板と反対方向に発光を取りだすいわゆるトップエミッションの発光装置とすることができる。各画素電極として透光性を有する導電膜を用いる場合、基板方向に発光を取り出すいわゆるボトムエミッションの発光装置とすることができる。
〔ＥＬ膜１２０Ｂｂの形成〕
続いて、第１の電極１０１Ｂ、第１の電極１０１Ｇ、および第１の電極１０１Ｒ上に、後に第１のＥＬ層１２０ＢとなるＥＬ膜１２０Ｂｂを成膜する（図８（Ｂ））。
ＥＬ膜１２０Ｂｂは、少なくとも発光材料を含む発光層を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１２０Ｂｂは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、公知の成膜方法を適宜用いることができる。
一例としては、ＥＬ膜１２０Ｂｂとして、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が、この順で積層された積層膜とすることが好ましい。このとき、後に形成する第２のＥＬ層１２１としては、電子注入層を有する膜を用いることができる。
ＥＬ膜１２０Ｂｂは、接続電極１０１Ｃ上に設けないように形成することが好ましい。例えば、ＥＬ膜１２０Ｂｂを蒸着法（またはスパッタリング法）により形成する場合、接続電極１０１ＣにＥＬ膜１２０Ｂｂが成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成する、または後のエッチング工程で除去することが好ましい。
〔有機マスク膜１４８ａの形成〕
次に、ＥＬ膜１２０Ｂｂを覆って有機マスク膜１４８ａを形成する（図８（Ｃ））。有機マスク膜１４８ａは接続電極１０１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成する、または後のエッチング工程で除去することが好ましい。
有機マスク膜１４８ａは、実施の形態１で説明した一般式（Ｇ１）または一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を用いて形成する。本発明の一態様である有機化合物を有機マスク膜１４８ａに用いることで、ＥＬ膜１２０Ｂｂを保護し、後に形成する無機マスク層１４５（無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、無機マスク層１４５ｃ）の除去が容易となる。当該有機化合物を有機マスク膜１４８ａの材料として用いることによって、この後に形成される無機マスク層１４５またはその残渣（エッチング残り）を水または水を溶媒とする液体により容易に除去することができ、有機ＥＬデバイスの高電圧化を防ぐことができる。また、有機ＥＬデバイスの特性悪化を抑制することが可能となる。
〔無機マスク膜１４４ａの形成〕
続いて、ＥＬ膜１２０Ｂｂを覆って無機マスク膜１４４ａを形成する（図８（Ｂ））。無機マスク膜１４４ａは、接続電極１０１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成する、または後のエッチング工程で除去することが好ましい。
無機マスク膜１４４ａは、ＥＬ膜１２０Ｂｂなどの各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、無機マスク膜１４４ａは、後述するハードマスクとなる膜１４６ａなどの保護膜とのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、無機マスク膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。
無機マスク膜１４４ａは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができるが、ＡＬＤ法を用いることが緻密で酸素または水などの大気成分および水などの液体に対するバリア性の高い膜を得ることができることから好ましい。
〔ハードマスクとなる膜１４６ａの形成〕
続いて、無機マスク膜１４４ａ上に、ハードマスクとなる膜１４６ａを形成する（図８（Ｂ））。
ハードマスクとなる膜１４６ａは、後に無機マスク膜１４４ａをエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後のハードマスクとなる膜１４６ａの加工時には、無機マスク膜１４４ａが露出する。したがって、無機マスク膜１４４ａとハードマスクとなる膜１４６ａとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、無機マスク膜１４４ａのエッチング条件、及びハードマスクとなる膜１４６ａのエッチング条件に応じて、ハードマスクとなる膜１４６ａに用いることのできる膜を選択することができる。
例えば、ハードマスクとなる膜１４６ａのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金などを、ハードマスクとなる膜１４６ａに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては金属酸化物膜が挙げられる。
金属酸化物としては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。
なお、これに限られず、ハードマスクとなる膜１４６ａは、様々な材料の中から、無機マスク膜１４４ａのエッチング条件、及びハードマスクとなる膜１４６ａのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記無機マスク膜１４４ａに用いることのできる膜の中から選択することもできる。
また、ハードマスクとなる膜１４６ａとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。
または、ハードマスクとなる膜１４６ａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。
また、ハードマスクとなる膜１４６ａとして、ＥＬ膜１２０Ｂｂなどに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１２０Ｂｂ、ＥＬ膜１２０Ｇｂ、またはＥＬ膜１２０Ｒｂに用いる有機膜と同じ膜を、ハードマスクとなる膜１４６ａに用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１２０Ｂｂなどと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。
〔レジストマスク１４３ａの形成〕
続いて、ハードマスクとなる膜１４６ａ上であって、第１の電極１０１Ｂと重なる位置、及び接続電極１０１Ｃと重なる位置に、それぞれレジストマスク１４３ａを形成する（図８（Ｃ））。
レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。
ここで、ハードマスクとなる膜１４６ａを有さずに、無機マスク膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、無機マスク膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１２０Ｂｂが溶解してしまう恐れがある。ハードマスクとなる膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。
なお、無機マスク膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が生じにくい膜を用いる場合には、ハードマスクとなる膜１４６ａを用いずに、無機マスク膜１４４ａ上に直接、レジストマスク１４３ａを形成してもよい。
〔ハードマスクとなる膜１４６ａのエッチング〕
続いて、ハードマスクとなる膜１４６ａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状または島状のハードマスク層１４７ａを形成する。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にもハードマスク層１４７ａが形成される。
ハードマスクとなる膜１４６ａのエッチングの際、無機マスク膜１４４ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。ハードマスクとなる膜１４６ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、ハードマスクとなる膜１４６ａのパターンが縮小することを抑制できる。
〔レジストマスク１４３ａの除去〕
続いて、レジストマスク１４３ａを除去する（図８（Ｄ））。
レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。
このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ膜１２０Ｂｂが無機マスク膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ膜１２０Ｂｂへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ膜１２０Ｂｂが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。
〔無機マスク膜１４４ａのエッチング〕
続いて、ハードマスク層１４７ａをマスクとして用いて、無機マスク膜１４４ａのハードマスク層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の無機マスク層１４５ａを形成する（図８（Ｅ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも無機マスク層１４５ａが形成される。
無機マスク膜１４４ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。
〔ＥＬ膜１２０Ｂｂ、有機マスク膜１４８ａ、およびハードマスク層１４７ａのエッチング〕
続いて、ハードマスク層１４７ａをエッチングすると同時に、無機マスク層１４５ａに覆われない、有機マスク膜１４８ａおよびＥＬ膜１２０Ｂｂの一部をエッチングにより除去し、有機マスク層１４９ａおよび帯状のＥＬ層１２０Ｂを形成する（図８（Ｆ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上のハードマスク層１４７ａも除去される。
有機マスク膜１４８ａおよびＥＬ膜１２０Ｂｂと、ハードマスク層１４７ａとを同一処理によりエッチングすることで、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを削減することができるため好ましい。
特にＥＬ膜１２０Ｂｂのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ膜１２０Ｂｂの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、Ｈ２またはＨｅなどの貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。
なお、有機マスク膜１４８ａおよびＥＬ膜１２０Ｂｂのエッチングと、ハードマスク層１４７ａのエッチングを、別々に行ってもよい。このとき、有機マスク膜１４８ａ、およびＥＬ膜１２０Ｂｂを先にエッチングしてもよいし、ハードマスク層１４７ａを先にエッチングしてもよい。
この時点において、有機マスク層１４９ａおよび第１のＥＬ層１２０Ｂと、接続電極１０１Ｃが、無機マスク層１４５ａに覆われた状態となる。
〔第１のＥＬ層１２０Ｇ、第１のＥＬ層１２０Ｒの形成〕
同様の工程を繰り返すことによって島状の有機マスク層１４９ｂ、１４９ｃ、島状の第１のＥＬ層１２０Ｇ、第１のＥＬ層１２０Ｒと、島状の無機マスク層１４５ｂ、１４５ｃとを形成することができる（図９（Ａ））。
〔絶縁層１２６ｂの形成〕
無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃ上に、絶縁層１２６ｂを形成する（図９（Ｂ））。絶縁層１２６ｂは無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃと同様に作製することができる。
その後、絶縁層１２６ｂを覆って、絶縁層１２５ｂを形成する（図９（Ｃ））。絶縁層１２５ｂは感光性を有する有機樹脂を用いて形成すればよい。当該有機材料としては例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２５ｂとして、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を適用することができる場合がある。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いることができる場合がある。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる場合がある。
絶縁層１２５ｂは塗布後に加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下とすればよい。これにより、絶縁層１２５ｂ中に含まれる溶媒を除去することができる。
次に、露光、現像を行って、絶縁層１２５ｂの第１の電極および第１のＥＬ層と重なる領域に開口部を形成し、絶縁層１２５を形成する（図９（Ｄ））。絶縁層１２５ｂに、ポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、絶縁層１２５ｂを除去する領域に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射すればよい。
また、露光に可視光線を用いる場合、当該可視光線は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。さらに、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、またはｈ線（波長４０５ｎｍ）などを含む可視光線を用いてもよい。
現像は、絶縁層１２５ｂにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）を用いればよい。
なお、この後、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を絶縁層１２５に照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ２以下とすればよく、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２５の透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２５の端部をテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。
次に、加熱処理を行うことで、絶縁層１２５ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２５に変形させることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下とすればよい。本工程の加熱処理は、絶縁層１２５の塗布後の加熱処理よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２５の耐食性も向上させることができる。
〔マスク層の除去〕
露出した無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃを水または水を溶媒とする液体により有機マスク層１４９ａ、有機マスク層１４９ｂおよび有機マスク層１４９ｃと共に除去する（図９（Ｅ））。
水または水を溶媒とする液体による除去は、水または水を溶媒とする液体へ浸漬することで行う。この後、純水を用いたシャワーによる洗浄を行ってもよい。この処理により有機マスク層と共に無機マスク層を除去することができる。
なお、有機マスク層１４９ａ、有機マスク層１４９ｂおよび有機マスク層１４９ｃに、デバイス特性を大きく阻害（例えば、高電圧化等）しない材料、または、電子注入層として機能するものを用いた場合、有機マスク層１４９ａ、有機マスク層１４９ｂおよび有機マスク層１４９ｃは完全に除去する必要はなく、一部、または全面に残留していてもよい。
なお、水または水を溶媒とする液体による処理の前に、あらかじめ、無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃをは、ウェットエッチングまたはドライエッチングによりある程度除去しておくことが好ましい。この際、無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃは取りきる必要がない上、ＥＬ層上には有機マスク層が存在するため、無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃの除去によりＥＬ層はほとんどダメージを受けることがない。
なおこのとき、特にウェットエッチング法を用いることが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。
または、無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃを、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、及び無機マスク層１４５ｃを溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなど、様々なアルコールを用いることができる。
無機マスク層１４５ａ、無機マスク層１４５ｂ、無機マスク層１４５ｃ、有機マスク層１４９ａ、有機マスク層１４９ｂおよび有機マスク層１４９ｃを除去した後に、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
このようにして、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒを作り分けることができる。
〔第２のＥＬ層１２１の形成〕
続いて、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｒ、絶縁層１２５を覆って第２のＥＬ層１２１を成膜する（図９（Ｆ））。
第２のＥＬ層１２１は、ＥＬ膜１２０Ｂｂなどと同様の方法で成膜することができる。蒸着法により第２のＥＬ層１２１を成膜する場合には、第２のＥＬ層１２１が接続電極１０１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて成膜することが好ましい。
〔第２の電極１０２の形成〕
続いて、第２のＥＬ層１２１及び接続電極１０１Ｃを覆って第２の電極１０２を形成する（図９（Ｆ））。
第２の電極１０２は、蒸着法またはスパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。このとき、電子注入層１１５が成膜される領域を包含するように、第２の電極１０２を形成することが好ましい。すなわち、電子注入層１１５の端部が、第２の電極１０２と重畳する構成とすることができる。第２の電極１０２は、遮蔽マスクを用いて形成することが好ましい。
第２の電極１０２は、表示領域外において、接続電極１０１Ｃと電気的に接続される。
〔バリア層の形成〕
続いて、第２の電極１０２上に、バリア層を形成する。バリア層に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。
以上により、発光装置を作製することができる。
なお、上記では、第２の電極１０２と第２のＥＬ層１２１とを、同様の上面形状となるように形成した場合について示したが、これらを異なる上面形状となるように形成してもよい。
本実施の形態の構成は、他の構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、有機化合物層としてＥＬ層を有する発光デバイスである、有機ＥＬデバイスの構成について図１０を参照しながら説明する。有機ＥＬデバイスは、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との間に発光層を有するＥＬ層を備えた構成を含む発光デバイスである。
第１の電極１０１および第２の電極１０２は一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。図１０は第１の電極１０１が陽極である場合を例に説明する。
陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル－ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、陽極に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。又は、陽極に用いられる材料として、グラフェンも用いることができる。なお、後述する複合材料をＥＬ層１０３における陽極と接する層に用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。
ＥＬ層１０３は積層構造を有していることが好ましいが、当該積層構造については特に限定はなく、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、励起子ブロック層、電荷発生層など、様々な層構造を適用することができる。なお、いずれかの層が設けられていなくてもよい。本実施の形態では、図１０に示すように、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５を有する構成について以下に具体的に示す。
正孔注入層１１１は、アクセプタ性を有する物質を含む層である。アクセプタ性を有する物質としては、有機化合物と無機化合物のいずれも用いることが可能である。
アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を用いることができ、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）等のフタロシアニン系の化合物、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ビス（３－メチルフェニル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。アクセプタ性を有する物質は、隣接する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から、電界の印加により電子を引き抜くことができる。
なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。
また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性を有する材料に上記アクセプタ性物質を含有させた複合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性を有する材料にアクセプタ性物質を含有させた複合材料を用いることにより、仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、陽極として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。
複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。以下では、複合材料における正孔輸送性を有する材料として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ビス（３－メチルフェニル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。カルバゾール誘導体としては、具体的には、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。また、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。なお、本発明の一態様の有機化合物も用いることができる。
また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら有機化合物が、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な有機ＥＬデバイスを作製することができるため好ましい。以上のような有機化合物としては、具体的には、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ジベンゾフラン－４－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン等を挙げることができる。
なお、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料は－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ（最高被占軌道：Ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）準位を有する物質であることがさらに好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有することによって、正孔輸送層１１２への正孔の注入が容易となり、また、寿命の良好な有機ＥＬデバイスを得ることが容易となる。また、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることによって、正孔の誘起が適度に抑制されさらに寿命の良好な有機ＥＬデバイスとすることができる。
なお、上記複合材料にさらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を混合（好ましくは当該層中のフッ素原子の原子比率が２０％以上）することによって、当該層の屈折率を低下させることができる。これによっても、ＥＬ層１０３内部に屈折率の低い層を形成することができ、有機ＥＬデバイスの外部量子効率を向上させることができる。
正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい有機ＥＬデバイスを得ることができる。
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性を有する材料を含んで形成される。正孔輸送性を有する材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。
上記正孔輸送性を有する材料としては、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’－ビス（ビフェニル－４－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’－ビス（１，１’－ビフェニル－３－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９－（ビフェニル－３－イル）－９’－（ビフェニル－４－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９－（３－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９－（４－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’－ジ－２－ナフチル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－５’－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－フェニル－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’－ビス（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（４－ビフェニル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（トリフェニレン－２－イル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。なお、正孔注入層１１１の複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料として挙げた物質も正孔輸送層１１２を構成する材料として好適に用いることができる。
発光層１１３は発光物質と第１の有機化合物を有していることが好ましい。また、さらに第２の有機化合物を含んでいてもよい。なお、発光層１１３は、その他の材料を同時に含んでいても構わない。また、組成の異なる２層の積層であってもよい。第１の有機化合物は電子輸送性を有する有機化合物であり、第２の有機化合物は正孔輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。
また、発光物質は、蛍光物質であってもりん光物質であっても熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を呈する物質であっても構わない。
発光層１１３において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。
５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２－ビス（ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（１，６－ピレン－ジイル）ビス［（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率、信頼性に優れているため好ましい。
発光層１１３において、発光物質としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、（３，７－ジエチル－４，６－ノナンジオナト－κＯ４，κＯ６）ビス［２，４－ジメチル－６－［７－（１－メチルエチル）－１－イソキノリニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）、（３，７－ジエチル－４，６－ノナンジオナト－κＯ４，κＯ６）ビス［２，４－ジメチル－６－［５－（１－メチルエチル）－２－キノリニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。なおその他公知の赤色りん光発光を呈する物質を用いることもできる。
トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］）、トリス（２－［１－｛２，６－ビス（１－メチルエチル）フェニル｝－１Ｈ－イミダゾール－２－イル－κＮ３］－４－シアノフェニル－κＣ）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：ＣＮＩｍＩｒ）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［（６－ｔｅｒｔ－ブチル－３－フェニル－２Ｈ－イミダゾ［４，５－ｂ］ピラジン－１－イル－κＣ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｃｂ）３］）のようなベンゾイミダゾリデン骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。
また、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）］）、［２－（メチル－ｄ３）－８－［４－（１－メチルエチル－１－ｄ）－２－ピリジニル－κＮ］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－７－イル－κＣ］ビス［５－（メチル－ｄ３）－２－［５－（メチル－ｄ３）－２－ピリジニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ－ｄ６）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｉＰｒ－ｄ４））、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（４－ｄ３－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｄｐｐｙ－ｄ３）］）、［２－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ）］）、［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性および発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等も挙げられる。
また、以下の構造式に示される２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。
また、非常に高速且つ可逆的な項間交差が可能であり、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡モデルに従って発光するＴＡＤＦ材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は、ＴＡＤＦ材料として極めて短い発光寿命（励起寿命）を有し、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。具体的には、下記に示す分子構造のような材料が挙げられる。
なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。
なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。
ホスト材料に用いられる電子輸送材料としては、例えば、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物を用いることができる。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、２，４－ビス［４－（１－ナフチル）フェニル］－６－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１１－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１２－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１２ＰＣＣｚＰｎｆｐｒ）、９－［（３’－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＰＣＢＰＮｆｐｒ）、９－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、１０－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、９－［３’－（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＢｎｆＢＰＮｆｐｒ）、９－｛３－［６－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）ジベンゾチオフェン－４－イル］フェニル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＦＤＢｔＰＮｆｐｒ）、９－［３’－（６－フェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０２）、９－［３－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ）、９－［３’－（２，８－ジフェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１１－［３’－（２，８－ジフェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジンなどのジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジン、ピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
ホスト材料に用いられる正孔輸送材料としては、アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環を有する有機化合物を用いることができる。当該アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミン（略称：ＰＣＢＦＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］ －９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：４’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：４’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミンなどのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層１１２における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物もホストの正孔輸送材料として用いることができる。
なお、電子輸送材料と、正孔輸送材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御を簡便に行うことができる。また、ＴＡＤＦ材料についても、電子輸送材料または正孔輸送材料として用いることができる。
ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先にＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、有機ＥＬデバイスの発光効率を高めることもできる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。
これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。
また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。
また、効率良く三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
蛍光発光物質を発光物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格、ジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格、ジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４－イル］アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ジベンゾフラン、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１－［４－（１０－（ビフェニル－４－イル）－９－アントラセニル）フェニル］－２－エチル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［３－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－αＮＰＡｎｔｈ）、９－（２－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、２－（１－ナフチル）－９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－βＮＰｈ）等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。
なお、上記混合された材料の一部として、りん光発光物質を用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。
また、上記混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。
なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、りん光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。
効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。
なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。
正孔ブロック層を設ける場合、正孔ブロック層は、発光層１１３に接しており、電子輸送性を有し、且つ正孔をブロック可能な有機化合物を含んで形成される。正孔ブロック層を構成する有機化合物としては、電子輸送性に優れ、正孔輸送性が低く、かつＨＯＭＯ準位の深い材料を用いることが好適である。具体的には、発光層１１３に含まれる材料のＨＯＭＯ準位よりも０．５ｅＶ以上深いＨＯＭＯ準位を有し、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。
特に、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）、２－｛３－［２－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ－０２）、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ－０３）、２－｛３－［３－（Ｎ－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ（ＣｚＴ））、９－［３－（４，６－ジフェニル－ピリミジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰＰｍ）、９－（４，６－ジフェニル－ピリミジン－２－イル）－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰｍ）、４－［２－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ－０２）、４－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ベンゾ［ｈ］キナゾリン、９－［３－（２，６－ジフェニル－ピリジン－４－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾールが耐熱性が良好であり好ましい。
正孔ブロック層としてその他の材料を用いる場合は、後述する正孔輸送層に用いることが可能な材料の中から、発光層１１３に含まれる材料のＨＯＭＯ準位よりも深いＨＯＭＯ準位を有する有機化合物を用いればよい。
電子輸送層１１４は、電子輸送性を有する有機化合物であり、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。
上記電子輸送層に用いることが可能なπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、具体的には、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’－［ピリミジン－４，６－ジイルビス（ビフェニル－３，３’－ジイル）］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８－（ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）（ビフェニル－３－イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８－［（２，２’－ビナフタレン）－６－イル］－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス｛４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－６－フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ－ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，４－ビス［４－（１－ナフチル）フェニル］－６－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）、８－（１，１’：４’，１”－テルフェニル－３－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（ 略称：８ｍｐＴＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、８－（１，１’：４’，１”－テルフェニル－３－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］－ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、４，８－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＣｚＰ２Ｂｆｐｍ）、８－（１，１’：４’，１”－テルフェニル－３－イル）－４－［３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－［３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ビフェニル－３－イル］－ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－｛３－［２－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、８－フェニル－４－｛３－［２－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン、８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－（３，５－ジ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル－フェニル）ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンなどのジアジン骨格を有する有機化合物、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントリル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル’１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジン、ピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
なお、本構成を有する電子輸送層１１４は、電子注入層１１５を兼ねることがある。
電子輸送層１１４と共通電極（陰極）である第２の電極１０２との間に、電子注入層１１５として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物もしくは錯体を含む層を設けることが好ましい。またイッテルビウム（Ｙｂ）とリチウムの共蒸着膜も好ましい。電子注入層１１５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
なお、電子注入層１１５として、電子輸送性を有する物質（好ましくはビピリジン骨格を有する有機化合物）に上記アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を微結晶状態となる濃度以上（５０ｗｔ％以上）含ませた層を用いることも可能である。当該層は、屈折率の低い層であることから、より外部量子効率の良好な有機ＥＬデバイスを提供することが可能となる。
陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。
これら導電性材料は、真空蒸着法、スパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル－ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。
また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。
また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
なお、陽極と陰極との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極、キャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、陽極および陰極から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
また、発光層１１３に接する正孔輸送層、電子輸送層、特に発光層１１３における再結合領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好ましい。
なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを用いた発光装置について図１１（Ａ）、及び図１１（Ｂ）を用いて説明する。なお、図１１（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂおよび一点鎖線Ｃ－Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、有機ＥＬデバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路部）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路部６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路部６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いて作製すればよい。
画素、駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
ここで、上記画素、駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。
上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがより好ましい。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
なお、ＦＥＴ６２３はソース線駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものである。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。
なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。
また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ～３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここでは、第１の電極６１３は陽極として機能する。陽極に用いることが可能な材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、銀を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１および実施の形態３で説明したような構成を含んでいる。
さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金、化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過する場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属または合金の薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが好ましい。
なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、有機ＥＬデバイスが形成されている。当該有機ＥＬデバイスは実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスである。なお、画素部は複数の有機ＥＬデバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスと、それ以外の構成を有する有機ＥＬデバイスの両方が混在していても良い。この際、本発明の一態様の発光装置では、異なる波長の光を発する有機ＥＬデバイス間で共通の正孔輸送層を用いることができることから、製造工程が簡便でコスト的に有利な発光装置とすることができる。
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に有機ＥＬデバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素、アルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
なお、シール材６０５にはエポキシ樹脂、ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分、酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板、石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には示されていないが、陰極上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜、無機絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層等の露出した側面を覆って設けることができる。
保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。
保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラック、ピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。
例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面、タッチパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる。
以上のようにして、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを用いて作製された発光装置を得ることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。
図１３（Ａ）、及び図１３（Ｂ）には着色層（カラーフィルタ）等を設けることによって色純度を向上させた発光装置の例を示す。図１３（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、ゲート電極１００７、ゲート電極１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、有機ＥＬデバイスの第１の電極１０２４Ｒ、第１の電極１０２４Ｇ、第１の電極１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、有機ＥＬデバイスの共通電極（陰極）１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている。
また、図１３（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１０３５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリクス１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。
図１３（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の発光装置の断面図を図１２に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。ＦＥＴと有機ＥＬデバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成することができる。
有機ＥＬデバイスの第１の電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図１２のようなトップエミッション型の発光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態４においてＥＬ層１０３として説明したような構成とする。
図１２のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）、ブラックマトリクス１０３５はオーバーコート層（図示せず）によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。
トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。マイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬデバイスは、一方の電極を反射電極を含む電極、他方の電極を半透過・半反射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくともＥＬ層が存在し、少なくとも発光領域となる発光層が存在している。
なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによって反射され、共振する。
当該有機ＥＬデバイスは、透明導電膜、上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変えることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これにより、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができる。
なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と発光層の光学的距離を（２ｎ－１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅したい発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができる。
なお、上記構成においてＥＬ層は、複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型有機ＥＬデバイスの構成と組み合わせて、一つの有機ＥＬデバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。
マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素において各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装置とすることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な有機ＥＬデバイスをそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスをその一部に含む電子機器の例について説明する。
上記有機ＥＬデバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
図１４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、表示部７１０３は、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスをマトリクス状に配列して構成されている。
テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネル、音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。なお、表示部７１０７にも、マトリクス状に配列した、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを適用することができる。
なお、テレビジョン装置は、受信機、モデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者の間、あるいは受信者間など）の情報通信を行うことも可能である。
図１４（Ｂ１）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスをマトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図１４（Ｂ１）のコンピュータは、図１４（Ｂ２）のような形態であってもよい。図１４（Ｂ２）のコンピュータは、キーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに表示部７２１０が設けられている。表示部７２１０はタッチパネル式となっており、表示部７２１０に表示された入力用の表示を指、専用のペンで操作することによって入力を行うことができる。また、表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納、運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。
図１４（Ｃ）は、携帯端末の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。
図１４（Ｃ）に示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯端末内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌、指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
以上の様に実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
図１５（Ａ）は、掃除ロボットの一例を示す模式図である。
掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されていないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５１００は、無線による通信手段を備えている。
掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口からゴミを吸引することができる。
また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることができる。
ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量、吸引したゴミの量などを表示することができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させてもよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプレイ５１０１に設けてもよい。
掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることができる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器で確認することもできる。
本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。
図１５（Ｂ）に示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。
マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが可能である。
ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電およびデータの受け渡しを可能とする。
上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置はディスプレイ２１０５に用いることができる。
図１５（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、第２の表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。
本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および第２の表示部５００２に用いることができる。
実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスは、自動車のフロントガラス、ダッシュボードにも搭載することができる。図１６に実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを自動車のフロントガラス、ダッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを用いて設けられた表示領域である。
表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを搭載した表示装置である。実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスは、陽極と陰極の両方を、透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機化合物材料による有機トランジスタ、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態２および実施の形態３に記載の有機ＥＬデバイスの作製方法を用いて作製した有機ＥＬデバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
表示領域５２０３はまたナビゲーション情報、速度、回転数、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目、レイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０２にも設けることができる。また、表示領域５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。
また、図１７（Ａ）、及び図１７（Ｂ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５３を有している。図１７（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１７（Ｂ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末を示す。携帯情報端末５１５０は、大きな表示領域５１５２を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。
表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能な部材が伸び、屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の曲率半径を有して折りたたまれる。
なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることができる。
また、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。
本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスに用いることができる有機化合物を含む積層構造を形成し、その積層構造を観察した。また、当該有機化合物を含む積層構造のサンプルとして、サンプル１Ａ乃至サンプル１Ｄを作製した。
サンプル１Ａ乃至サンプル１Ｄに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
＜各サンプルの作成方法＞
サンプル１Ａ、およびサンプル１Ｃは、シリコン基板上に、面積が９ｃｍ２（３ｃｍ×３ｃｍ）である膜状の酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、第１の有機化合物層、を順に形成した積層構造である。また、サンプル１Ｂ、およびサンプル１Ｄは、サンプル１Ａ、またはサンプル１Ｃの第１の有機化合物層上に第２の有機化合物層を設けた積層構造を有する。
＜サンプル１Ａ＞
まず、シリコン基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、第１の有機化合物層として、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、窒素雰囲気に置換した後、真空下にて、基板温度８０℃で１時間の加熱処理を行った。
＜サンプル１Ｂ＞
まず、シリコン基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、第１の有機化合物層として、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した。
続いて、第２の有機化合物層として、１，１’－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，７ｈｐｐ２ＳＦ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、窒素雰囲気に置換した後、真空下にて、基板温度８０℃で１時間の加熱処理を行った。
＜サンプル１Ｃ＞
まず、シリコン基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、第１の有機化合物層として、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、ＡＬＤ法により、基板温度を８０℃となるように設定し、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を３０ｎｍ成膜した。
＜サンプル１Ｄ＞
まず、シリコン基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、第１の有機化合物層として、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した。
続いて、第２の有機化合物層として、１，１’－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，７ｈｐｐ２ＳＦ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、ＡＬＤ法により、基板温度を８０℃となるように設定し、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を３０ｎｍ成膜した。
下表に各サンプルにおける有機化合物層の積層構造に用いた材料を示した。
以上により、サンプル１Ａ乃至サンプル１Ｄを作製した。
＜サンプルの光顕観察＞
上記サンプル１Ａ乃至サンプル１Ｄを、光学顕微鏡により観察した。それぞれの結果を図１９に示す。
図１９（Ａ）に示すように、サンプル１Ａでは、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）が由来であるひも状の不良が生じていた。一方、図１９（Ｂ）に示すように、サンプル１Ｂでは、不良は見られなかった。
これは、ＮＢＰｈｅｎの耐熱性が低いため、加熱処理により、サンプル１Ａに不良が生じたと考えられる。一方、サンプル１Ｂでは、ＮＢＰｈｅｎ上に形成した２，７ｈｐｐ２ＳＦが保護膜として機能したため、加熱による不良が生じなかったと考えられる。
また、図１９（Ｃ）および図１９（Ｄ）に示すように、サンプル１Ｃ、およびサンプル１Ｄでも不良は観察されなかった。これは、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐは、耐熱性があるため、加熱処理およびＡＬＤ法での酸化アルミニウムの成膜による不良を生じなかった。また、サンプル１Ｄより、２，７ｈｐｐ２ＳＦを上層に形成したとしても、ＡＬＤ法を用いた酸化アルミニウムの成膜によって下の構造体に影響を及ぼさないことが分かった。
以上のことから、本発明の一態様を用いることで、下層構造の耐熱性を向上させることが分かった。また、従来と同じ工程を使用することが可能であるとわかった。
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスに用いることができる有機化合物を含む積層構造を形成し、その積層構造を観察した。また、当該有機化合物を含む積層構造のサンプルとして、サンプル２Ａ及びサンプル２Ｂを作製した。
サンプル２Ａ及びサンプル２Ｂに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
＜各サンプルの作成方法＞
サンプル２Ａ及びサンプル２Ｂは、ガラス基板上に、蒸着法により成膜を行うことにより作製した。各サンプルはの２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、および有機化合物層、を順に形成した積層構造である。なお、各サンプルに形成した積層構造の面積は９ｃｍ２（３ｃｍ×３ｃｍ）とした。
まず、サンプル２Ａ及びサンプル２Ｂとして、ガラス基板上に、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐを膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した。
＜サンプル２Ａ＞
サンプル２Ａは、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ上に、１，１’－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，７ｈｐｐ２ＳＦ）を膜厚５０ｎｍとなるように蒸着した。
＜サンプル２Ｂ＞
サンプル２Ｂは、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ上に、１，１’－ピリジン－２，６－ジイル－ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：ｈｐｐ２Ｐｙ）を膜厚５０ｎｍとなるように蒸着した。
下表に各サンプルにおける有機化合物層として用いた材料を示した。
続いて、作製したサンプル２Ａ乃至サンプル２Ｂを、５分間、水に浸漬した。
以上により、サンプル２Ａ乃至サンプル２Ｂを作製した。
＜サンプルの断面観察＞
上記サンプル２Ａ乃至サンプル２Ｂにおいて、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）により、水に浸漬する前後の状態の断面観察を行った。また、走査透過型電子顕微鏡は、日立製作所製「ＨＤ－２７００」により、加速電圧を２００ｋＶとした。各サンプルの結果を図２０に示す。
図２０（Ａ）乃至図２０（Ｄ）に示すように、すべてのサンプルにおいて、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ上の有機化合物層は、水に浸漬したことにより完全に除去することができた。
以上のことから、本発明の一態様を用いることで、下層構造に影響することがないことが分かった。
このように本発明の有機化合物は、水または水を溶媒とする液体によって容易に除去することが可能である。従って、本発明の一態様を用いることで、加熱工程での下層構造へのダメージを抑制することができ、加熱工程が終了後に速やかに除去することが可能である。また、除去の際に下層へのダメージが少なくすることができる。これにより、作製するデバイスの構成を変えることなく、工程中の耐熱温度を上昇させることが可能となるため、本発明の一態様は、応用範囲が広く、有用な発明であることがわかった。
本実施例では、実施の形態で説明した本発明の一態様の発光デバイス（デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄ）を作製し、その特性を評価した結果について説明する。
デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
なお、各デバイスは、図２１に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
＜デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄの作製方法＞
まず、ガラス基板９００上に、第１の電極として、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびチタン（Ｔｉ）をスパッタリング法にて、順に連続して成膜し、反射電極層を形成した。膜厚はチタンが５０ｎｍ、アルミニウムが７０ｎｍ、およびチタンが６ｎｍとなるように成膜を行った。チタン成膜後に３００℃で１時間加熱し、酸化チタンを含む層を形成した。続いて、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を１０ｎｍの膜厚で成膜し、膜厚調節層とした。なお、電極面積は６．４２μｍ×１．１４μｍであり、３０．４１ｍｍ×２２．８１ｍｍの表示領域に３８４０個×２８８０個ある、画素密度が３２０７ｐｐｉの発光装置である。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１８０℃で６０分間の真空焼成を行った。その後、３０℃以下まで自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０３（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、正孔輸送層として、ＰＣＢＢｉＦを膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、８－（１，１‘：４’，１“－テルフェニル－３－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍｐＴＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）と、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）と、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））と、を８ｍｐＴＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ：βＮＣＣＰ：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）＝０．５：０．５：０．１（重量比）となるように、４０ｎｍ共蒸着し、発光層９１３を形成した。
次に、発光層９１３上に、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着した後、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を蒸着し、電子輸送層９１４を形成した。
次に、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｃにおいて、電子輸送層９１４上に、有機化合物からなる有機マスク層を作成した。当該有機マスク層として、１，１’－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，７ｈｐｐ２ＳＦ）を蒸着した。なお、膜厚は、デバイス３Ａは１０ｎｍ、デバイス３Ｂは２０ｎｍ、デバイス３Ｃは５０ｎｍとした。また、デバイス３Ｄは有機マスク層を設けなかった。
続いて、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄを、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。その後、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｃにおいて、有機マスク層上に無機マスク層として、膜厚３０ｎｍの酸化アルミニウム（略称：ＡｌＯｘ）膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した。
一方、デバイス３Ｄにおいて、電子輸送層９１４上に、無機層として、膜厚３０ｎｍの酸化アルミニウム（略称：ＡｌＯｘ）膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した。
続いて、酸化アルミニウム膜を除去した。なお、当該酸化アルミニウム膜の除去は、酸性の薬液を用いたウェットエッチングにより行った。当該除去工程で、有機マスク層の一部または全部が除去される。
次に、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄにおいて、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。続いて、１０－４Ｐａ程度まで減圧した環境下で、７０℃で９０分間の真空焼成を行った。
次に電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（略称：ＬｉＦ）を、膜厚１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、２５ｎｍ共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
以上により、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄを作製した。当該デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄの素子構造を以下の表にまとめる。
＜比較デバイス３の作製方法＞
また、参考として、比較デバイス３を真空一貫プロセスにて作製した。なお、比較デバイス３は、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄと同じ材料を用い、有機マスク層および無機マスク層を設けることなく作製した。従って、大気暴露、およびマスク層の成膜工程、エッチング工程、および除去工程を経ない工程である。
具体的に、比較デバイス３は、電子輸送層９１４まで、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄと同様に作製した。
ここで、大気開放せずに、真空状態を保ったまま、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（略称：ＬｉＦ）を、膜厚１ｎｍとなるように蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
続いて、大気開放せずに、電子注入層９１５上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、２５ｎｍ共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
その後、キャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を８０ｎｍの厚さで蒸着した。
以上の工程を経て比較デバイス３を作製した。
＜デバイス特性＞
上記デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄ、および比較デバイス３を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性について測定を行った。
デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄ、および比較デバイス３の電流密度－電圧特性を図２２に、輝度－電圧特性を図２３に、外部量子効率－輝度特性を図２４に、発光スペクトルを図２５に示す。また、各発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ２付近における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。また、外部量子効率は、分光放射計を用いて測定した輝度と発光スペクトルを用い、配光特性がランバーシアン型であると仮定し算出した。
図２２乃至図２４より、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｃは、真空一貫で作成した比較デバイス３と同等の発光効率特性であることがわかった。一方、有機マスク層を設けなかったデバイス３Ｄは、特性の劣化が確認された。また、図２５において、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄは、真空一貫で作成した比較デバイス３と同等の発光スペクトルを示した。
以上のことから、ＭＭＬプロセスを行う際に有機マスク層を形成することで、大気暴露による汚染、エッチング溶液などによる加工の影響を低減し、真空一貫で作成したデバイスと同等の特性を得られることが分かった。
＜各デバイスの光顕観察＞
上記デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄを光学顕微鏡により観察した。デバイス３Ａの結果を図２６（Ａ）、デバイス３Ｂの結果を図２６（Ｂ）、デバイス３Ｃの結果を図２６（Ｃ）、デバイス３Ｄの結果を図２６（Ｄ）、に示す。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｄ）より、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｃにおいて、不良は見られなかった。一方、有機マスク層を設けなかったデバイス３Ｄでは、テストピースに発光不良が生じていた。
＜信頼性試験結果＞
さらに、デバイス３Ａ乃至デバイス３Ｄについて、上述したプロセスを経て作製した信頼性試験用のサンプル（電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ））を用いて信頼性試験を行った。定電流密度駆動時（５０［ｍＡ／ｃｍ２］）の規格化した輝度時間変化を図２７に示す。図２７では縦軸が規格化輝度（％）、横軸が時間（ｈ）を示す。測定輝度が初期輝度の９５％に低下するまでの経過時間であるＬＴ９５（ｈ）の値は、デバイス３Ａは７８時間、デバイス３Ｂは１０１時間、デバイス３Ｃは１００時間、デバイス３Ｄは６７時間であった。
従って、有機マスク層を設けたデバイス３Ａ乃至デバイス３Ｃは、有機マスク層を設けなかったデバイス３Ｄよりも信頼性が向上することが分かった。また、本実施例で用いた有機マスク層は、膜厚に関わらず特性を示すことが確認できた。つまり、厚膜として設けた場合でも、簡単に除去できることが分かった。一方、薄く設けたとしても、劣化抑制の十分な効果を発することが分かった。
（参考合成例）
以下に、本明細書中の実施の形態、および実施例で用いた有機化合物の合成方法を以下に示す。
＜＜参考合成例１＞＞
本参考合成例では、下記構造式（１１４）として示した、２，９－ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン－１－イル）－１，１０－フェナントロリン（略称：２，９ｈｐｐ２Ｐｈｅｎ）の合成方法について具体的に説明する。２，９ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの構造を以下に示す。
＜２，９ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの合成＞
２，９－ジブロモ－１，１０－フェナントロリン６．３ｇ（１９ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン５．７ｇ（４１ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１２．６ｇ（１１２ｍｍｏｌ）、トルエン９３ｍＬを２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を減圧下で攪拌することで脱気した。この混合物を６０℃で攪拌後、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．４３ｇ（１．９ｍｍｏｌ）と（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）２．３ｇ（３．７ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で４時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物にテトラヒドロフランを５０ｍＬ加え、吸引濾過した。得られた濾液を濃縮して、褐色油状物を得た。得られた油状物にメタノールを加えて、吸引濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮後、酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、褐色固体を３．８ｇ得た。得られた固体２．１ｇにトルエン４００ｍＬ加え、加熱した。加熱した溶液を熱時濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮し、固体を得た。得られた固体に酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、黄色固体を０．７５ｇ、収率９％で得た。
得られた固体０．７３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力４．６Ｐａ、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２３５℃で１５．５時間加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を０．１６ｇ、回収率２７％で得た。合成スキーム（ｓ１－１）を以下に示す。
なお、上記合成スキーム（ｓ１－１）で得られた、２，９ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの黄色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）：１．９０－１．９５（ｍ，４Ｈ），２．１０－２．１５（ｍ，４Ｈ），３．２４－３．３０（ｍ，８Ｈ），３．４６（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，４Ｈ），４．３４（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝９．１６Ｈｚ，２Ｈ），８．０２（ｄ，Ｊ＝８．５９Ｈｚ，２Ｈ）．
＜＜参考合成例２＞＞
本参考合成例では、下記構造式（１１５）として示した、４，７－ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン－１－イル）－１，１０－フェナントロリン（略称：４，７ｈｐｐ２Ｐｈｅｎ）の合成方法について具体的に説明する。４，７ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの構造を以下に示す。
＜４，７ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの合成＞
４，７－ジブロモ－１，１０－フェナントロリン５．５ｇ（１６ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン５．０ｇ（３６ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１１ｇ（９８ｍｍｏｌ）、トルエン８１ｍＬを２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を減圧下で攪拌することで脱気した。この混合物を６０℃で攪拌後、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．３７ｇ（１．７ｍｍｏｌ）と（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）２．０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で５時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物にテトラヒドロフランを５０ｍＬ加え、吸引濾過した。得られた濾液を濃縮して、褐色油状物を得た。得られた油状物に酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、固体を得た。固体にメタノールを加えて、吸引濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮後、酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、褐色固体を得た。得られた固体１．５ｇにトルエン６００ｍＬ加え、加熱した。加熱した溶液を熱時濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮し、固体を得た。得られた固体に酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、黄色固体を０．９２ｇ、収率１２％で得た。
得られた固体０．８８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力１．９×１０－３Ｐａの条件で、黄色固体を２６０℃で２３時間加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を３９ｍｇ、回収率５％で得た。合成スキーム（ｓ２－１）を下に示す。
なお、上記合成スキーム（ｓ２－１）で得られた、４，７ｈｐｐ２Ｐｈｅｎの黄色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）：１．８６－１．９１（ｍ，４Ｈ），２．２１（ｓ，４Ｈ），３．２１（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，４Ｈ），３．２８（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，４Ｈ），３．３６（ｔ，Ｊ＝６．３０Ｈｚ，４Ｈ），３．６６（ｓ，４Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝５．１５Ｈｚ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），９．０６（ｄ，Ｊ＝５．１５，２Ｈ）．
＜＜参考合成例３＞＞
本参考合成例では、下記構造式（１１６）として示した、２－（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン－１－イル）－９－フェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：９Ｐｈ－２ｈｐｐＰｈｅｎ）の合成方法について具体的に説明する。９Ｐｈ－２ｈｐｐＰｈｅｎの構造を以下に示す。
＜９Ｐｈ－２ｈｐｐＰｈｅｎの合成＞
２－クロロ－９－フェニル－１，１０－フェナントロリン６．１ｇ（２１ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン６．７ｇ（４８ｍｍｏｌ）、トルエン１００ｍＬを２００ｍＬ三口フラスコに入れ、窒素雰囲気下１００℃で１１時間攪拌した。所定時間経過後、反応溶液を濃縮し、固体にメタノールを加えて、吸引濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮後、トルエンを加えて加熱した。加熱した溶液を熱時濾過し、不溶物を取り除いた。得られた濾液を濃縮し、固体を得た。得られた固体に酢酸エチルを加えて、吸引濾過し、黄白色固体を５．３ｇ、収率６４％で得た。得られた固体５．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力３．０Ｐａ、アルゴン流量１２ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２２０℃で１８時間加熱して行った。昇華精製後、黄白色固体を２．５４ｇ、回収率５１％で得た。合成スキーム（ｓ３－１）を以下に示す。
なお、上記合成スキーム（ｓ３－１）で得られた、９Ｐｈ－２ｈｐｐＰｈｅｎの黄白色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）：１．９２－１．９６（ｍ，２Ｈ），２．１６－２．２１（ｍ，２Ｈ），３．２８－３．３２（ｍ，４Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，２Ｈ），４．３４（ｔ，Ｊ＝５．７３Ｈｚ，２Ｈ），７．４６（ｔ，Ｊ＝７．４５Ｈｚ，１Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝７．４５Ｈｚ，２Ｈ），７．６１（ｄ，Ｊ＝８．５９Ｈｚ，１Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝８．５９Ｈｚ，１Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝９．１６Ｈｚ，１Ｈ），８．０６（ｄ，Ｊ＝８．０２Ｈｚ，１Ｈ），８．１７（ｄ，Ｊ＝９．１６Ｈｚ，１Ｈ），８．２５（ｄ，Ｊ＝８．０２Ｈｚ，１Ｈ），８．３９（ｄ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ，２Ｈ）．
＜＜参考合成例４＞＞
本参考合成例では、下記構造式（１１２）で示す、８，８’－ピリジン－２，６－ジイル－ビス（５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，６ｔｉｐ２Ｐｙ）の合成方法について説明する。２，６ｔｉｐ２Ｐｙの構造を以下に示す。
＜２，６ｔｉｐ２Ｐｙの合成＞
２，６－ジブロモピリジン１．３ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、カリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ＫＯｔＢｕ）１．７ｇ（１６ｍｍｏｌ）、（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）０．２１ｇ（０．３３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）５０ｍｇ（０．２２ｍｏｌ）を加えた２００ｍＬ三口フラスコに５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン１．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に脱水トルエン１９ｍＬを加え、フラスコ内を減圧脱気し、その後窒素置換した。この混合物を９０℃の加熱条件下、８時間攪拌した後、室温まで放冷した。反応終了後、この反応混合物を吸引ろ過し、ろ物を得た。得られた固体に、酢酸エチルを加えて７０℃で２時間加熱攪拌した。その後、吸引ろ過を行い、不溶物を取り除き、ろ液を減圧濃縮した。得られた固体を酢酸エチルおよびヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶し、灰色固体（１．１ｇ、収率６４％）を得た。２，６ｔｉｐ２Ｐｙの合成スキームを下記式（ｓ４－１）に示す。
得られた灰色固体１．１ｇをトレインサブリメーション法によって、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎ、圧力２．９Ｐａ、加熱温度１９０℃の条件下で、２４時間加熱し、昇華精製を行った。その結果、目的物の白色固体（０．６４ｇ、回収率５６％）を得た。
得られた、２，６ｔｉｐ２Ｐｙの白色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝８．０２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．６１（ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），６．８４（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ），６．６５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ），４．２２－４．１８（ｍ，４Ｈ），４．０１（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ），２．２６－２．１６（ｍ，４Ｈ）．
＜＜参考合成例５＞＞
本参考合成例では、下記構造式（１１３）で示す、８，８’－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２，７ｔｉｐ２ＳＦ）の合成方法について説明する。２，７ｔｉｐ２ＳＦの構造を以下に示す。
＜２，７ｔｉｐ２ＳＦの合成＞
２，７－ジブロモー９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン２．６ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、カリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ＫＯｔＢｕ）１．７ｇ（１６ｍｍｏｌ）、（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）０．２０ｇ（０．３３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）５２ｍｇ（０．２２ｍｏｌ）を加えた２００ｍＬ三口フラスコに、５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン１．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に脱水トルエンを１９ｍＬ加え、フラスコ内を減圧脱気し、その後窒素置換した。この混合物を９０℃の加熱条件下、８時間攪拌した後、室温まで放冷した。反応終了後、この反応混合物を吸引ろ過し、固体を得た。得られた固体をメタノールおよびクロロホルムで洗浄し、不溶物を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した。得られた固体を酢酸エチルおよびメタノールで再結晶し、灰色固体（１．２ｇ、収率３９％）を得た。２，７ｔｉｐ２ＳＦの合成スキームを下記式（ｓ５－１）に示す。
得られた灰色固体１．２ｇをトレインサブリメーション法によって、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎ、圧力３．１Ｐａ、加熱温度２８５℃の条件下で、１７時間加熱し、昇華精製を行った。その結果、目的物の淡黄色固体（０．３３ｇ、回収率２８％）を得た。
得られた、淡黄色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．８４－７．８１（ｍ，４Ｈ），７．７３（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｔｄ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，２Ｈ），７．１０（ｔｄ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，２Ｈ），６．７９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），６．６６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），６．５０（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ），６．３９（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ），３．８７（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ），３．４８（ｔ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ），２．１３－２．０５（ｍ，４Ｈ）．
＜＜参考合成例６＞＞
本参考合成例では、本発明の一態様に用いることができる有機化合物の合成方法について説明する。具体的には、下記構造式（１１０）で示す、１，１’－（２’，７’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジイル）ビス（１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン）（略称：２’，７’ｔＢｕ－２，７ｈｐｐ２ＳＦ）の合成方法について説明する。なお、２’，７’ｔＢｕ－２，７ｈｐｐ２ＳＦの構造を以下に示す。
＜ステップ１：２’，７’ｔＢｕ－２，７ｈｐｐ２ＳＦの合成＞
５．０ｇ（８．５ｍｍｏｌ）の２，７－ジブロモ－２’，７’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレンと、２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジンと、２．５ｇ（２２ｍｍｏｌ）のカリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシドを５００ｍＬの三口フラスコに加えて、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に２００ｍＬのトルエンを加え、この混合物を減圧脱気した後、混合物に０．５０ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）の（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）と、５０ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、この混合物を窒素気流下、１１０℃で７時間攪拌した。
撹拌後、得られた混合物に５００ｍＬのトルエンを加えて加熱し、吸引ろ過にてろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、黄白色固体を得た。この固体に酢酸エチルを加えて超音波を照射し、吸引ろ過にて、ろ物として目的物の白色固体を４．０ｇ、収率６６％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ｓ６－１）に示す。
得られた白色固体３．８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．９Ｐａの条件で、白色固体を２８５℃で１５時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色固体を収量２．８ｇ、回収率７４％で得た。
得られた、２’，７’ｔＢｕ－２，７ｈｐｐ２ＳＦの白色固体のプロトン（１Ｈ）を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に得られた値を示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：σ＝７．７４（ｓ，２Ｈ），７．７２（ｓ，２Ｈ），７．４３（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｍ，２Ｈ），６．７５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ、２Ｈ），６．４０（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ、２Ｈ），３．３１（ｍ，４Ｈ），３．１４（ｍ，１２Ｈ），１．９６（ｍ，４Ｈ），１．７９（ｍ，４Ｈ），１．１７（ｓ，１８Ｈ）．
＜＜参考合成例７＞＞
参考合成例では、実施の形態１において構造式（１１８）で示す、８－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン（略称：ｔｉｐＳＦ）の合成方法について説明する。ｔｉｐＳＦの構造を以下に示す。
＜ｔｉｐＳＦの合成＞
２－ブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］１８ｇ（４６ｍｍｏｌ）、カリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ＫＯｔＢｕ）１３ｇ（０．１２ｍｏｌ）、（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（略称：ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ）１．７ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、５，６，７，８－テトラヒドロイミダゾ［１，２－ａ］ピリミジン７．０ｇ（５７ｍｍｏｌ）を３００ｍＬ三口フラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に脱水トルエンを１５０ｍＬ加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．４１ｇ（１．８ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、９０℃で８時間攪拌した。攪拌後、室温まで放冷した。この混合物の不溶物を吸引ろ過により取り除き、得られた濾液をトルエンによる抽出を行った。その後、抽出した溶液を濃縮し、残渣を得た。得られた残渣に少量のトルエンを加えて超音波を照射し、固体を吸引ろ過により濾取したところ、目的物の淡黄色固体（１１ｇ、収率５５％）を得た。ｔｉｐＳＦの合成スキームを下記式（ｓ７－１）に示す。
得られた淡黄色固体１１ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎ、圧力６．０Ｐａ、加熱温度２２５℃の条件下で、４８時間加熱して行った。その結果、目的物の白色固体（６．７ｇ、回収率６１％）を得た。
昇華精製後のｔｉｐＳＦの１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、ｔｉｐＳＦが得られたことを確認した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．９２（ｄｄ，Ｊ＝８．４，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．８４－７．７６（ｍ，４Ｈ），７．３８－７．２９（ｍ，３Ｈ），７．１０（ｔｄ，Ｊ＝７．５，Ｊ＝０．９Ｈｚ，２Ｈ），７．０２（ｔｄ，Ｊ＝７．５，Ｊ＝０．６Ｈｚ，１Ｈ），６．７６（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），６．６７－６．６４（ｍ，２Ｈ），６．５１（ｓｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），６．４５（ｓｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），３．８７（ｔ，Ｊ＝６．１５Ｈｚ，２Ｈ），３．５０（ｔ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，２Ｈ），２．１４－２．０６（ｍ，２Ｈ）．
１００ 基板、１０１Ｂ 第１の電極、１０１Ｃ 接続電極、１０１Ｇ 第１の電極、１０１Ｒ 第１の電極、１０１ 第１の電極、１０２ 第２の電極、１０３ ＥＬ層、１０７ マスク層、１０８ 絶縁層、１１１ 正孔注入層、１１２ 正孔輸送層、１１３ 発光層、１１４ 電子輸送層、１１５ 電子注入層、１２０Ｂ 第１のＥＬ層、１２０Ｂｂ ＥＬ膜、１２０Ｇ 第１のＥＬ層、１２０Ｇｂ ＥＬ膜、１２０Ｒ 第１のＥＬ層、１２０Ｒｂ ＥＬ膜、１２１ 第２のＥＬ層、１２５ｂ 絶縁層、１２５ 絶縁層、１２６ｂ 絶縁層、１３０ 接続部、１３１ バリア層、１４３ａ レジストマスク、１４４ａ 無機マスク膜、１４５ａ 無機マスク層、１４５ｂ 無機マスク層、１４５ｃ 無機マスク層、１４５ 無機マスク層、１４６ａ 膜、１４７ａ ハードマスク層、１４８ａ 有機マスク膜、１４９ａ 有機マスク層、１４９ｂ 有機マスク層、１４９ｃ 有機マスク層、１５０ 下地膜、１５１ａ 有機化合物層、１５１ｓ 表面、１５１ 有機化合物膜、１５２ａ 有機マスク層、１５２ 有機マスク膜、１５３ａ 無機マスク層、１５３ｒ 無機マスク残渣、１５３ 無機マスク膜、１５４ａ ハードマスク層、１５４ 膜、１５５ａ フォトマスク層、１５５ 樹脂膜、１６０ 絶縁層、１６１ ゲート絶縁層、１６２ ゲート電極、１６３ ドレイン電極、１６４ ドレイン電極、１６５ 第１の電極、１６６ 第２の電極、１６７ 光電変換層、１６８ 発光層、４５０ 発光装置、６０１ ソース線駆動回路部、６０２ 画素部、６０３ ゲート線駆動回路、６０４ 封止基板、６０５ シール材、６０７ 空間、６０８ 引き回し配線、６１０ 素子基板、６１１ スイッチング用ＦＥＴ、６１２ 電流制御用ＦＥＴ、６１３ 第１の電極、６１４ 絶縁物、６１６ ＥＬ層、６１７ 第２の電極、６２３ ＦＥＴ、１００１ 基板、１００２ 下地絶縁膜、１００３ ゲート絶縁膜、１００６ ゲート電極、１００７ ゲート電極、１００８ ゲート電極、１０２０ 第１の層間絶縁膜、１０２１ 第２の層間絶縁膜、１０２２ 電極、１０２４Ｂ 第１の電極、１０２４Ｇ 第１の電極、１０２４Ｒ 第１の電極、１０２５ 隔壁、１０２８ ＥＬ層、１０３１ 封止基板、１０３２ シール材、１０３３ 基材、１０３４Ｂ 着色層、１０３４Ｇ 着色層、１０３４Ｒ 着色層、１０３５ ブラックマトリクス、１０３６ オーバーコート層、１０３７ 第３の層間絶縁膜、１０４０ 画素部、１０４１ 駆動回路部、１０４２ 周辺部、２１００ ロボット、２１０１ 照度センサ、２１０２ マイクロフォン、２１０３ 上部カメラ、２１０４ スピーカ、２１０５ ディスプレイ、２１０６ 下部カメラ、２１０７ 障害物センサ、２１０８ 移動機構、２１１０ 演算装置、５０００ 筐体、５００１ 表示部、５００２ 第２の表示部、５００３ スピーカ、５００４ ＬＥＤランプ、５００６ 接続端子、５００７ センサ、５００８ マイクロフォン、５０１２ 支持部、５０１３ イヤホン、５１００ 掃除ロボット、５１０１ ディスプレイ、５１０２ カメラ、５１０３ ブラシ、５１０４ 操作ボタン、５１２０ ゴミ、５１４０ 携帯電子機器、５１５０ 携帯情報端末、５１５１ 筐体、５１５２ 表示領域、５１５３ 屈曲部、５２００ 表示領域、５２０１ 表示領域、５２０２ 表示領域、５２０３ 表示領域、７１０１ 筐体、７１０３ 表示部、７１０５ スタンド、７１０７ 表示部、７１０９ 操作キー、７１１０ リモコン操作機、７２０１ 本体、７２０２ 筐体、７２０３ 表示部、７２０４ キーボード、７２０５ 外部接続ポート、７２０６ ポインティングデバイス、７２１０ 表示部、７４０１ 筐体、７４０２ 表示部、７４０３ 操作ボタン、７４０４ 外部接続ポート、７４０５ スピーカ、７４０６ マイク、９３１０ 携帯情報端末、９３１１ 表示パネル、９３１３ ヒンジ、９３１５ 筐体

Claims (10)

  1. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、
    前記無機マスク層により、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記無機マスク層および前記有機マスク層の少なくとも一部を除去する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物において、Ｘは下記一般式（Ｘ１－１）で表される基、Ｙは下記一般式（Ｙ１－１）で表される基である。また、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。）

    （上記一般式（Ｘ１－１）および（Ｙ１－１）において、Ｒ３乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、ｎは１乃至５の整数を表す。なお、ｍまたはｎが２以上の場合複数となるＲ３乃至Ｒ６はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
  2. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１－１）乃至下記一般式（Ｇ１－９）のいずれか一で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、
    前記無機マスク層により、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記無機マスク層および前記有機マスク層の少なくとも一部を除去する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－９）で表される有機化合物において、Ｒ１１乃至Ｒ１２０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリール基、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が１乃至７５のヘテロアリール基を表す。）
  3. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、
    前記無機マスク層により、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記無機マスク層および前記有機マスク層の少なくとも一部を除去する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。）

    （上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、それぞれのＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。）
  4. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２－１）乃至下記一般式（Ｇ２－３）のいずれか一で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク層を形成し、
    前記無機マスク層により、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機マスク層および有機化合物層を形成し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記無機マスク層および前記有機マスク層の少なくとも一部を除去する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ２－１）乃至一般式（Ｇ２－３）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７１乃至Ｒ９４はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｎは１乃至６の整数を表す。）
  5. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク膜を形成し、
    前記無機マスク膜上に、ハードマスク膜を形成し、
    リソグラフィ法により、前記ハードマスク膜の形状を加工することで、ハードマスク層および無機マスク層を形成し、
    前記ハードマスク層および無機マスク層を用いて、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機化合物層を形成し、
    前記無機マスク層の少なくとも一部および前記ハードマスク層を除去し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記有機マスク層および前記無機マスク層の少なくとも一部を除去することで前記有機化合物層を露出し、
    前記有機化合物層上に第２の電極を形成する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物において、Ｘは下記一般式（Ｘ１－１）で表される基、Ｙは下記一般式（Ｙ１－１）で表される基である。また、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｈは１乃至６の整数を表し、Ａｒは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のヘテロアリール、もしくは置換若しくは無置換の環を構成する炭素数が６乃至７５のアリールを表す。）

    （上記一般式（Ｘ１－１）および（Ｙ１－１）において、Ｒ３乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、ｎは１乃至５の整数を表す。なお、ｍまたはｎが２以上の場合複数となるＲ３乃至Ｒ６はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
  6. 第１の電極上に、有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を含む有機マスク膜を形成し、
    前記有機マスク膜上に、無機マスク膜を形成し、
    前記無機マスク膜上に、ハードマスク膜を形成し、
    リソグラフィ法により、前記ハードマスク膜の形状を加工することで、ハードマスク層および無機マスク層を形成し、
    前記ハードマスク層および無機マスク層を用いて、前記有機マスク膜および前記有機化合物膜の形状を加工することで、有機化合物層を形成し、
    前記無機マスク層の少なくとも一部および前記ハードマスク層を除去し、
    水または水を溶媒とした液体を用いて前記有機マスク層および前記無機マスク層の少なくとも一部を除去することで前記有機化合物層を露出し、
    前記有機化合物層上に第２の電極を形成する有機ＥＬデバイスの作製方法。

    （上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物において、Ａｒは置換もしくは無置換の環を形成する炭素数６乃至３０のアリール基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数２乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３のアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数２乃至１３のヘテロアリール基を表し、ｎは１乃至６の整数を表し、Ｌは下記一般式（Ｌ１－１）で表される基である。）

    （上記一般式（Ｌ１－１）において、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素（重水素を含む）、または炭素数１乃至６のアルキル基を表し、ｋは１乃至５の整数を表し、ｋが２以上の場合、それぞれのＲ９およびＲ１０は同じであっても異なっていてもよい。）
  7. 請求項５または請求項６において、
    前記ハードマスク層は、スパッタリング法により成膜される有機ＥＬデバイスの作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項６において、
    前記無機マスク層は、ＡＬＤ法により成膜される有機ＥＬデバイスの作製方法。
  9. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記有機マスク層は、真空蒸着法により成膜する有機ＥＬデバイスの作製方法。
  10. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記有機化合物層は、積層構造を有し、
    前記有機化合物層は、前記第１の電極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有する有機ＥＬデバイスの作製方法。
JP2023073291A 2022-04-29 2023-04-27 有機ｅｌデバイスの作製方法 Pending JP2023164381A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022075595 2022-04-29
JP2022075595 2022-04-29
JP2022195407 2022-12-07
JP2022195407 2022-12-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023164381A true JP2023164381A (ja) 2023-11-10

Family

ID=88512073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023073291A Pending JP2023164381A (ja) 2022-04-29 2023-04-27 有機ｅｌデバイスの作製方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230354704A1 (ja)
JP (1) JP2023164381A (ja)
KR (1) KR20230153947A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10862036B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Imec Vzw Method for high resolution patterning of organic layers

Also Published As

Publication number Publication date
US20230354704A1 (en) 2023-11-02
KR20230153947A (ko) 2023-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101861750B1 (ko) 복소환 화합물
JP7345456B2 (ja) 電子デバイス及び有機化合物
US20230200105A1 (en) Organic semiconductor device, organic el device, light-emitting apparatus, electronic appliance, and lighting device
US20230026341A1 (en) Light-emitting device, display apparatus, light-emitting apparatus, electronic appliance, and lighting apparatus
WO2023021370A1 (ja) マスク用有機金属化合物、層、有機半導体層の加工方法、および有機半導体デバイスの作製方法
WO2023021371A1 (ja) 保護層用有機金属化合物、保護層、有機半導体層の加工方法、および有機半導体デバイスの作製方法
US20230354704A1 (en) Method for manufacturing organic el device
WO2023002289A1 (ja) 発光装置
WO2023175442A1 (ja) 表示装置、電子機器
US20230076945A1 (en) Light-emitting device and light-emitting apparatus
US20220320470A1 (en) Light-emitting device, display device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device
WO2023199152A1 (ja) 有機化合物、発光デバイス、表示装置
WO2024218626A1 (ja) 発光デバイス
WO2022172129A1 (ja) 発光装置および電子機器
WO2021161127A1 (ja) 有機化合物、発光デバイス、電子デバイス、電子機器、発光装置および照明装置
CN116981325A (zh) 有机el器件的制造方法
CN117678323A (zh) 发光装置
KR20230019027A (ko) 유기 화합물, 발광 디바이스, 표시 장치, 전자 기기, 발광 장치, 조명 장치
JP2024079655A (ja) 発光デバイス
JP2023164383A (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置、および電子機器
KR20230121008A (ko) 유기 화합물, 발광 디바이스, 표시 장치, 전자 기기, 발광 장치, 조명 장치
KR20240022408A (ko) 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR20220061019A (ko) 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 표시 장치, 조명 장치
CN116830804A (zh) 发光器件、发光装置、电子设备以及照明装置
CN116848953A (zh) 发光器件、发光装置、电子设备以及照明装置